一種預對位調試方法
【專利摘要】本申請公開了一種預對位調試方法，應用于一電子設備，包括：獲取一預設電壓值，預設電壓值為置放在電子設備工作臺上的一薄片與一厚片對應的第一電壓值與第二電壓值的平均電壓值；檢測獲得第一操作，響應第一操作，根據(jù)預設電壓值校正電子設備的第三電壓值，使得第三電壓值與預設電壓值間的電壓差在一預設電壓范圍內；檢測厚片在電子設備工作臺上的平邊位置，獲得第一位置信息，檢測薄片在電子設備的工作臺上的平邊位置，獲得第二位置信息；檢測獲得第二操作，響應第二操作，根據(jù)第一位置信息校正第二位置信息，使得校正后的第二位置信息與第一位置信息間的角度差在一預設角度范圍內。
【專利說明】一種預對位調試方法
【技術領域】
[0001]本申請涉及半導體制造設備領域，特別涉及一種預對位調試方法。
【背景技術】
[0002]隨著半導體應用的范圍越來越廣泛，大量的半導體產(chǎn)品被生產(chǎn)。在制造半導體的光刻步驟中，硅片的預對位過程對光刻機臺的精度要求特別高。
[0003]硅片對位過程:預對位過程發(fā)生在硅片裝入的時候，用以判斷硅片的平邊(切口位置)，在硅片低速旋轉時，平邊處發(fā)光二極管的光就能夠通過，通過其對面的傳感器探測光強的變化，經(jīng)光電轉換后就可以將娃片的中心和平邊確定下來。一次光刻時，會在娃片上留下供以后層次定位用的對位標記。從二次光刻起，各層次的對位是根據(jù)掩膜版文件上給定的前層次的對位標記的坐標，通過移動硅片相對基準標記來確定坐標。但本申請發(fā)明人在實現(xiàn)本申請實施例中發(fā)明技術方案的過程中，發(fā)現(xiàn)上述技術至少存在如下技術問題:
[0004]由于現(xiàn)有技術中的光刻機臺的預對位裝置的硬件定位系統(tǒng)是固定不變的，而需要生產(chǎn)的硅片產(chǎn)品的規(guī)格又是不一樣的，比如薄片和厚片，薄片平邊距離與厚片差異近lOOOOOum，其平邊直徑差異2000um，所以厚薄片的預對位過程對定位系統(tǒng)的要求不一樣，導致薄片產(chǎn)品局限于單臺作業(yè)，套刻Search標記需人為輔助、無法套刻厚片的定位系統(tǒng)，出現(xiàn)薄片與厚片生產(chǎn)不能兼容作業(yè)的技術問題。

【發(fā)明內容】

[0005]本申請實施例通過提供一種預對位調試方法，用以解決現(xiàn)有技術不能使用同一曝光機臺對厚片和薄片作業(yè)的技術問題。
[0006]本申請實施例提供一種預對位調試方法，包括:
[0007]獲取一預設電壓值，所述預設電壓值為置放在所述電子設備的工作臺上的一薄片對應的第一電壓值與置放在所述電子設備的工作臺上的一厚片對應的第二電壓值的平均電壓值；
[0008]檢測獲得第一操作，響應所述第一操作，根據(jù)所述預設電壓值校正所述電子設備的第三電壓值，使得所述第三電壓值與所述預設電壓值之間的電壓差在一預設電壓范圍內；
[0009]檢測所述厚片在所述電子設備的工作臺上的平邊位置，獲得第一位置信息，檢測所述薄片在所述電子設備的工作臺上的平邊位置，獲得第二位置信息；
[0010]檢測獲得第二操作，響應所述第二操作，根據(jù)所述第一位置信息校正所述第二位置信息，使得校正后的所述第二位置信息與所述第一位置信息之間的角度差在一預設角度范圍內。
[0011]可選的，在所述檢測獲得第二操作，響應所述第二操作，根據(jù)所述第一位置信息校正所述第二位置信息之后，所述方法還包括:
[0012]檢測獲得第三操作，響應所述第三操作，生成用于延長所述電子設備的工作臺Y方向行程的第一指令，所述第三操作為拆卸所述電子設備的工作臺Y方向的氣缸行程檔板的操作。
[0013]可選的，在所述檢測獲得第三操作，響應所述第三操作，生成用于延長所述電子設備的工作臺的Y方向行程的第一指令之后，所述方法還包括:
[0014]檢測獲得第四操作，響應所述第四操作，生成用于使所述薄片與所述厚片的預對位中心控制在一預設長度范圍內的第二指令，所述第四操作為調節(jié)所述電子設備的工作臺Y向預置滾輪間距的操作。
[0015]可選的，在所述檢測獲得第四操作，響應所述第四操作，生成用于使所述薄片與所述厚片的預對位中心控制在一預設長度范圍內的第二指令之后，所述方法還包括:
[0016]當有一硅片需要被制作成為所述厚片或者薄片，并且所述硅片被置放在所述電子設備的工作臺上時，檢測獲得第五操作，響應所述第五操作，生成用于固定所述硅片的第三指令，所述第五操作為分別從所述電子設備工作臺的Y、x、T三個方向固定述硅片的操作。
[0017]可選的，在所述檢測獲得第五操作，響應所述第五操作，生成用于固定所述硅片的第三指令之后，所述方法還包括:
[0018]對置放在所述電子設備的工作臺上的一薄片和一厚片分別進行檢測；
[0019]獲得預設次數(shù)內的檢測結果；
[0020]根據(jù)所述檢測結果，校正所述電子設備的軟件參數(shù)。
[0021]本申請實施例中提供的一個或多個技術方案，至少具有如下技術效果或優(yōu)點:
[0022](I)由于在本申請實施例中，采用根據(jù)厚片與薄片單獨在機臺作業(yè)的電壓平均值來調整機臺的電壓值，使得機臺的電壓值能夠同時滿足厚薄片作業(yè)，根據(jù)厚片在機臺上的平邊位置來調整薄片在機臺上的平邊位置，使得機臺的定位系統(tǒng)能夠同時對厚薄片的平邊定位，解決了現(xiàn)有技術中存在的不能使用制造厚片的機臺來作業(yè)薄片的技術問題，實現(xiàn)了對厚片與薄片兼容性作業(yè)的技術效果。
[0023](2)由于在本申請實施例中，采用了檢測成品厚片與薄片在曝光機臺制造時需要的電壓值，再求出它們電壓值的平均電壓值，利用這個平均電壓值來調整曝光機臺的電壓值，解決了了現(xiàn)有技術中曝光機臺的電壓測試點只能直接用于厚片的技術問題，實現(xiàn)了被調整后的曝光機臺的工作電壓值范圍能夠滿足厚薄片的電壓值的技術效果。
[0024](3)由于在本申請實施例中，采用了通過檢測厚片在工作臺上面平邊的停留的位置，根據(jù)厚片的平邊停留位置來調整薄片在工作臺上面平邊停留的位置，或者采用反復對厚薄片都進行平邊調整的技術手段，解決了現(xiàn)有技術中不能利用同一曝光機臺來做得對厚薄片平邊檢測的技術問題，實現(xiàn)了確保工作臺預對位厚薄片的兼容性，厚薄片可正常檢測到平邊的技術效果。
[0025](4)由于在本申請實施例中，采用了拆卸工作臺的Y方向的氣缸行程檔板的技術手段，以及對Y向預置滾輪的間距進行調節(jié)，解決了現(xiàn)有技術中Y方向的定位長度不能調節(jié)的技術問題，實現(xiàn)了 Y方向的間距能滿足厚薄片作業(yè)的技術效果。
[0026](5)由于在本申請實施例中，采用了在改造的工作臺上分別對厚片與薄片進行測試制作的技術手段，確保了通過本申請?zhí)岢龅姆桨刚{整后的曝光機臺既可以實現(xiàn)對厚片進行預對位作業(yè)，也可以對薄片進行使用同一套刻參數(shù)對薄片進行預對位作業(yè)的技術問題，實現(xiàn)了厚硅片生產(chǎn)后，不做任何修改，穩(wěn)定的直接運行280um薄片產(chǎn)品的技術效果?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0027]圖1為本申請實施例提供的預對位調試的方法流程圖；
[0028]圖2為本申請實施例提供的薄厚片的對比示意圖；
[0029]圖3為本申請實施例提供的未調整的機臺與通過本申請實施例提供的方案調整后的機臺的對比圖。
【具體實施方式】
[0030]本申請實施例通過提供一種預對位調試方法，用以解決現(xiàn)有技術不能使用同一曝光機臺對厚片和薄片作業(yè)的技術問題。
[0031]本申請實施例中的技術方案為解決上述問題，總體思路如下:
[0032]提供一種預對位調試方法，包括:
[0033]獲取一預設電壓值，所述預設電壓值為置放在所述電子設備的工作臺上的一薄片對應的第一電壓值與置放在所述電子設備的工作臺上的一厚片對應的第二電壓值的平均電壓值；
[0034]檢測獲得第一操作，響應所述第一操作，根據(jù)所述預設電壓值校正所述電子設備的第三電壓值，使得所述第三電壓值與所述預設電壓值之間的電壓差在一預設電壓范圍內；
[0035]檢測所述厚片在所述電子設備的工作臺上的平邊位置，獲得第一位置信息，檢測所述薄片在所述電子設備的工作臺上的平邊位置，獲得第二位置信息；
[0036]檢測獲得第二操作，響應所述第二操作，根據(jù)所述第一位置信息校正所述第二位置信息，使得校正后的所述第二位置信息與所述第一位置信息之間的角度差在一預設角度范圍內。
[0037]可見，本申請實施例由于采用根據(jù)厚片與薄片單獨在機臺作業(yè)的電壓平均值來調整機臺的電壓值，使得機臺的電壓值能夠同時滿足厚薄片作業(yè)，根據(jù)厚片在機臺上的平邊位置來調整薄片在機臺上的平邊位置，使得機臺的定位系統(tǒng)能夠同時對厚薄片的平邊定位，解決了現(xiàn)有技術中存在的不能使用制造厚片的機臺來作業(yè)薄片的技術問題，實現(xiàn)了對厚片與薄片兼容性作業(yè)的技術效果。
[0038]為了更好的理解上述技術方案，下面將結合說明書附圖以及具體的實施方式對上述技術方案進行詳細的說明。
[0039]本申請實施例提供了一種預對位調試方法，所述方法應用于曝光機臺在對利用半導體材料娃片制造薄片和厚片的過程中，本申請實施例中采用NikonStepper機臺，與NSR1755G7A硅片來舉例。在具體實施過程中，為了能夠實現(xiàn)本申請中提供的方法步驟，先使用已經(jīng)制造出來的成品薄片與厚片來作為完成本申請?zhí)峁┑膶ζ毓鈾C臺的調試過程。
[0040]在625— 675um厚片在曝光機臺的工作臺(OF Table)預對位能正常找平邊，而280um薄片產(chǎn)品無法檢測到平邊的情況下:
[0041]如圖1所示，本申請?zhí)峁┑念A對位調試方法，具體包括步驟:
[0042]步驟S1:獲取一預設電壓值，所述預設電壓值為置放在所述電子設備的工作臺上的一薄片對應的第一電壓值與置放在所述電子設備的工作臺上的一厚片對應的第二電壓值的平均電壓值；
[0043]步驟S2:檢測獲得第一操作，響應所述第一操作，根據(jù)所述預設電壓值校正所述電子設備的第三電壓值，使得所述第三電壓值與所述預設電壓值之間的電壓差在一預設電壓范圍內；
[0044]具體實施過程為，步驟SI與S2是為了優(yōu)化工作臺的電壓范圍。將厚片放置于曝光機臺上，檢查記錄OFADJ+與OFADJ —點電壓，放薄片于OF Table上，采用示波器監(jiān)測測試點波型，記錄A/B/C/D峰值電壓，計算出此時薄片的OFADJ+與OFADJ —點的電壓。將之前厚片記錄OFADJ+與OFADJ —點電壓值與薄片計算出的OFADJ+與OFADJ —點新電壓值相加后取平均值；通過計算出的平均電壓值對應TP15 (OFADJ+),TP16 (0FADJ—)測試點，校正曝光機臺的VR9 (OFADJ+),VRl2 (0FADJ ―)，使得其與計算出來的平均電壓相等，誤差控制在±20mV。
[0045]可見，本申請實施例中由于采用了檢測成品厚片與薄片在曝光機臺制造時需要的電壓值，再求出它們電壓值的平均電壓值，利用這個平均電壓值來調整曝光機臺的電壓值，解決了 了現(xiàn)有技術中曝光機臺的電壓測試點只能直接用于厚片的技術問題，實現(xiàn)了被調整后的曝光機臺的工作電壓值范圍能夠滿足厚薄片的電壓值的技術效果。
[0046]S3:檢測所述厚片在所述電子設備的工作臺上的平邊位置，獲得第一位置信息，檢測所述薄片在所述電子設備的工作臺上的平邊位置，獲得第二位置信息；
[0047]S4:檢測獲得第二操作，響應所述第二操作，根據(jù)所述第一位置信息校正所述第二位置信息，使得校正后的所述第二位置信息與所述第一位置信息之間的角度差在一預設角度范圍內。
[0048]在具體實施過程中，如圖2所示，由于薄厚片的規(guī)格不一樣，所以現(xiàn)有技術中不能在同一個機臺上對兩種圓片進行定位。步驟S3與S4是為了校正厚薄片在工作臺上平邊停留的位置。在厚片可以正常找到平邊的情況下，以厚片在工作上面停留時，平邊的位置為基準，當薄片被置放在工作臺上后，確認薄片在旋轉2圈內能正常停留，并探測到平邊，如果薄片的X向不平行，則修正曝光機臺的A-23PCB S3撥碼直至合格為止；如果采用的是光學去邊機臺，還得觀察去邊完后停留位置，需加修正曝光機臺的A-22PCB S8撥碼直至合格為止，可分別放入厚片、薄片進行輪流觀察平邊停止位置，確保兩種類型的硅片，停留位置相差角度小于20度。
[0049]可見，本申請中由于采用了通過檢測厚片在工作臺上面平邊的停留的位置，根據(jù)厚片的平邊停留位置來調整薄片在工作臺上面平邊停留的位置，或者采用反復對厚薄片都進行平邊調整的技術手段，解決了現(xiàn)有技術中不能利用同一曝光機臺來做得對厚薄片平邊檢測的技術問題，實現(xiàn)了確保工作臺預對位厚薄片的兼容性，厚薄片可正常檢測到平邊的技術效果。
[0050]在步驟S4之后，還包括:
[0051]步驟S5:檢測獲得第三操作，響應所述第三操作，生成用于延長所述電子設備的工作臺Y方向行程的第一指令，所述第三操作為拆卸所述電子設備的工作臺Y方向的氣缸行程檔板的操作。
[0052]在具體實施過程中，此步驟為，拆卸曝光機的工作臺支架的Y方向的氣缸行程檔板，當曝光機臺響應了這個一操作后，可將Y方向伸縮行程延長約2100um，薄片與厚片中心點均向Wafer Holder中心靠攏，差異可縮小在300um以內。
[0053]在步驟S5之后，還包括:
[0054]步驟S6:檢測獲得第四操作，響應所述第四操作，生成用于使所述薄片與所述厚片的預對位中心控制在一預設長度范圍內的第二指令，所述第四操作為調節(jié)所述電子設備的工作臺Y向預置滾輪間距的操作。
[0055]在具體實施過程中，其座架進行重新加工后，如圖3所示，由于薄片平邊距離為47000um，工作臺定位塊預置滾輪兩個中心間距是38000um，邊到邊距離為45500um ;所以平邊處的X方向定位中心在750um內，硬件定位很難做到這個精度，經(jīng)對定位塊Y方向預置滾輪間距進行改造；改造后的定位塊:兩個滾輪中心間距是34000um，邊到邊為40500um，由此可看出均縮短5000um,而平邊的X方向定位中心增大到3250um,改造后可將薄片與厚片預對位中心控制在IOOum以內，進入自動Search范圍內。
[0056]可見，本申請實施例中由于采用了拆卸工作臺的Y方向的氣缸行程檔板的技術手段，以及對Y向預置滾輪的間距進行調節(jié)，解決了現(xiàn)有技術中Y方向的定位長度不能調節(jié)的技術問題，實現(xiàn)了Y方向的間距能滿足厚薄片作業(yè)的技術效果。
[0057]在步驟S6之后，還包括:
[0058]步驟S7:當有一硅片需要被制作成為所述厚片或者薄片，并且所述硅片被置放在所述電子設備的工作臺上時，檢測獲得第五操作，響應所述第五操作，生成用于固定所述硅片的第三指令，所述第五操作為分別從所述電子設備工作臺的Y、x、T三個方向固定述硅片的操作。
[0059]在具體實施過程中，此步驟是對硅片進行定位優(yōu)化的過程。是在前面6個步驟的基礎上實現(xiàn)的，將一硅片置放在曝光機的工作臺上，在完成了平邊對位等一些列操作后，分別從Load Slider ARM接片時，以平邊部件壓縮空氣的小錘敲完后，氣流出來時硅片不晃動為佳；定位時，小錘、X、Y定位塊三個方向的伸縮時間要求一致，可調節(jié)氣柜WFLOW、WaferHolder小錘各自限流閥同步。
[0060]在步驟S7之后，還包括步驟S8:
[0061]對置放在所述電子設備的工作臺上的一薄片和一厚片分別進行檢測；
[0062]獲得預設次數(shù)內的檢測結果；
[0063]根據(jù)所述檢測結果，校正所述電子設備的軟件參數(shù)。
[0064]在具體實施過程中，通過本步驟現(xiàn)實對整個曝光機臺的軟件參數(shù)校正工作。對625—675um硅片進行厚片制作，再進行制作的280um薄片預對位專用Wafer，以60次為基準，平均值都要求小于5um，3Sigam要求小于10um。步驟:先選176USER.REGl菜單，對涂好光阻的280um薄片進行第一層曝光、顯影，再選176USER.EGA菜單，進入WLRPTW項測量預對位穩(wěn)定性，以60次為基準,重點關注3Sigma數(shù)值，同時也運行675um厚片Matching Wafer,兩者數(shù)據(jù)進行對批，進入Wafer Pre-Alignment Position項進行偏移值校正,直至兩種類型的娃片3Sigma數(shù)據(jù)均小于10um。
[0065]可見，本申請實施例中由于采用了在改造的工作臺上分別對厚片與薄片進行測試制作的技術手段，確保了通過本申請實施例提出的方案調整后的曝光機臺既可以實現(xiàn)對厚片進行預對位作業(yè)，也可以對薄片進行使用同一套刻參數(shù)對薄片進行預對位作業(yè)的技術問題，實現(xiàn)了厚硅片生產(chǎn)后，不做任何修改，穩(wěn)定的直接運行280um薄片產(chǎn)品的技術效果。[0066]本申請實施例中提供的一個或多個技術方案，至少具有如下技術效果或優(yōu)點:
[0067](I)由于在本申請實施例中，采用根據(jù)厚片與薄片單獨在機臺作業(yè)的電壓平均值來調整機臺的電壓值，使得機臺的電壓值能夠同時滿足厚薄片作業(yè)，根據(jù)厚片在機臺上的平邊位置來調整薄片在機臺上的平邊位置，使得機臺的定位系統(tǒng)能夠同時對厚薄片的平邊定位，解決了現(xiàn)有技術中存在的不能使用制造厚片的機臺來作業(yè)薄片的技術問題，實現(xiàn)了對厚片與薄片兼容性作業(yè)的技術效果。
[0068](2)由于在本申請實施例中，采用了檢測成品厚片與薄片在曝光機臺制造時需要的電壓值，再求出它們電壓值的平均電壓值，利用這個平均電壓值來調整曝光機臺的電壓值，解決了了現(xiàn)有技術中曝光機臺的電壓測試點只能直接用于厚片的技術問題，實現(xiàn)了被調整后的曝光機臺的工作電壓值范圍能夠滿足厚薄片的電壓值的技術效果。
[0069](3)由于在本申請實施例中，采用了通過檢測厚片在工作臺上面平邊的停留的位置，根據(jù)厚片的平邊停留位置來調整薄片在工作臺上面平邊停留的位置，或者采用反復對厚薄片都進行平邊調整的技術手段，解決了現(xiàn)有技術中不能利用同一曝光機臺來做得對厚薄片平邊檢測的技術問題，實現(xiàn)了確保工作臺預對位厚薄片的兼容性，厚薄片可正常檢測到平邊的技術效果。
[0070](4)由于在本申請實施例中，采用了拆卸工作臺的Y方向的氣缸行程檔板的技術手段，以及對Y向預置滾輪的間距進行調節(jié)，解決了現(xiàn)有技術中Y方向的定位長度不能調節(jié)的技術問題，實現(xiàn)了 Y方向的間距能滿足厚薄片作業(yè)的技術效果。
[0071](5)由于在本申請實施例中，采用了在改造的工作臺上分別對厚片與薄片進行測試制作的技術手段，確保了通過本申請實施例提出的方案調整后的曝光機臺既可以實現(xiàn)對厚片進行預對位作業(yè)，也可以對薄片進行使用同一套刻參數(shù)對薄片進行預對位作業(yè)的技術問題，實現(xiàn)了厚硅片生產(chǎn)后，不做任何修改，穩(wěn)定的直接運行280um薄片產(chǎn)品的技術效果。
[0072]顯然，本領域的技術人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權利要求及其等同技術的范圍之內，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內。
【權利要求】
1.一種預對位調試方法，應用于一電子設備，其特征在于，包括: 獲取一預設電壓值，所述預設電壓值為置放在所述電子設備的工作臺上的一薄片對應的第一電壓值與置放在所述電子設備的工作臺上的一厚片對應的第二電壓值的平均電壓值； 檢測獲得第一操作，響應所述第一操作，根據(jù)所述預設電壓值校正所述電子設備的第三電壓值，使得所述第三電壓值與所述預設電壓值之間的電壓差在一預設電壓范圍內； 檢測所述厚片在所述電子設備的工作臺上的平邊位置，獲得第一位置信息，檢測所述薄片在所述電子設備的工作臺上的平邊位置，獲得第二位置信息； 檢測獲得第二操作，響應所述第二操作，根據(jù)所述第一位置信息校正所述第二位置信息，使得校正后的所述第二位置信息與所述第一位置信息之間的角度差在一預設角度范圍內。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述檢測獲得第二操作，響應所述第二操作，根據(jù)所述第一位置信息校正所述第二位置信息之后，所述方法還包括: 檢測獲得第三操作，響應所述第三操作，生成用于延長所述電子設備的工作臺Y方向行程的第一指令，所述第三操作為拆卸所述電子設備的工作臺Y方向的氣缸行程檔板的操作。
3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，在所述檢測獲得第三操作，響應所述第三操作，生成用于延長所述電子設備的工作臺的Y方向行程的第一指令之后，所述方法還包括: 檢測獲得第四操作，響應所述第四操作，生成用于使所述薄片與所述厚片的預對位中心控制在一預設長度范圍內的第二指令，所述第四操作為調節(jié)所述電子設備的工作臺Y向預置滾輪間距的操作。
4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，在所述檢測獲得第四操作，響應所述第四操作，生成用于使所述薄片與所述厚片的預對位中心控制在一預設長度范圍內的第二指令之后，所述方法還包括: 當有一硅片需要被制作成為所述厚片或者薄片，并且所述硅片被置放在所述電子設備的工作臺上時，檢測獲得第五操作，響應所述第五操作，生成用于固定所述硅片的第三指令，所述第五操作為分別從所述電子設備工作臺的Y、X、T三個方向固定述硅片的操作。
5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，在所述檢測獲得第五操作，響應所述第五操作，生成用于固定所述硅片的第三指令之后，所述方法還包括: 對置放在所述電子設備的工作臺上的一薄片和一厚片分別進行檢測； 獲得預設次數(shù)內的檢測結果； 根據(jù)所述檢測結果，校正所述電子設備的軟件參數(shù)。
【文檔編號】G03F7/20GK103869630SQ201210546702
【公開日】2014年6月18日 申請日期:2012年12月14日 優(yōu)先權日:2012年12月14日
【發(fā)明者】殷瑞騰 申請人:北大方正集團有限公司, 深圳方正微電子有限公司