專利名稱：一種制造陣列基板的方法、陣列基板及液晶顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種制造陣列基板的方法、陣列基板及液晶顯示設(shè)備。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管(TFT,Thin Film Transistor)液晶顯不器(LCD, Liquid CrystalDisplay)的基本結(jié)構(gòu)包括陣列基板和彩膜(CF，Color Filter)基板。在分別形成包括有TFT器件和周邊電路的陣列基板，和包括有顏色層(包括紅R、綠G和藍(lán)B)的彩膜基板之后，將陣列基板和彩膜基板通過對盒工藝形成液晶 盒結(jié)構(gòu)，其間充滿液晶層，并在液晶盒周邊涂布封框膠加以密封。其中，彩膜基板也可以稱之為彩色濾光片?，F(xiàn)有技術(shù)中，對盒工藝處理之前，需要分別形成陣列基板和彩膜基板。其中，在基板上依次形成柵極層、柵極絕緣層、有源層、源漏電極層和保護(hù)層，形成完整的TFT陣列基板，然后在形成的保護(hù)層上形成過孔。而彩膜基板的形成過程如下如圖1所示的現(xiàn)有彩膜基板的俯視圖，該彩膜基板10包括像素區(qū)域11和周邊區(qū)域12，其中，像素區(qū)域11是指包含像素陣列用于顯示圖像的區(qū)域，除了像素區(qū)域11以外的區(qū)域則為周邊區(qū)域12。在周邊區(qū)域12中，一部分區(qū)域用于涂布封框膠，該區(qū)域被稱為封框膠涂布區(qū)域13。在將形成的陣列基板和彩膜基板進(jìn)行對盒工藝處理時(shí)，首先需要分別在陣列基板和彩膜基板上形成隔墊物，形成隔墊物之后，在將陣列基板和彩膜基板進(jìn)行對盒工藝處理時(shí)，由于對盒工藝處理過程中需要將陣列基板上的隔墊物圖案和彩膜基板上的隔墊物圖案進(jìn)行對齊，在對齊過程中，會存在偏差，所以需要增大黑矩陣(BM)的設(shè)計(jì)線寬度以避免對盒工藝過程中由于偏差造成的IXD漏光現(xiàn)象。但是，由于BM的設(shè)計(jì)線寬度增加，使得陣列基板的開口率降低，進(jìn)而使得LCD的顯示效果較差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種制造陣列基板的方法、陣列基板及液晶顯示設(shè)備，能夠較好地提高陣列基板的開口率，進(jìn)而提高顯示設(shè)備的顯示效果?！N制造陣列基板的方法，包括基于構(gòu)圖工藝在基板上形成包括源漏電極層和透明保護(hù)層的圖形；在形成所述透明保護(hù)層的基板上涂覆第一感光樹脂，基于構(gòu)圖工藝分別形成過孔和隔墊物；在形成過孔和隔墊物的基板上，基于構(gòu)圖工藝分別形成彩色濾光層和像素電極形成陣列基板，其中所述像素電極通過過孔和位于所述透明保護(hù)層下方的源漏電極層的漏極相連。一種陣列基板，包括在基板上形成的包括透明保護(hù)層的圖形；在所述透明保護(hù)層上設(shè)置有過孔和隔墊物，其中所述過孔和隔墊物是在透明保護(hù)層上涂覆第一感光樹脂形成的；在形成過孔和隔墊物的基板上，形成彩色濾光層和像素電極，其中所述像素電極通過過孔和位于所述透明保護(hù)層下方的源漏電極層的漏極相連。
一種液晶顯示設(shè)備，該液晶顯示設(shè)備包括上述陣列基板。采用上述技術(shù)方案，在形成透明保護(hù)層的基板上，涂覆第一感光樹脂，基于構(gòu)圖工藝分別形成過孔和隔墊物，然后形成彩色濾光層和像素電極，得到的陣列基板，能夠較好地提高陣列基板的開口率，進(jìn)而提高顯示設(shè)備的顯示效果，在進(jìn)行對盒工藝處理時(shí)，不需要進(jìn)行對準(zhǔn)操作，能夠較好地提高生產(chǎn)效率降低生產(chǎn)成本。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中，提出的彩膜基板俯視結(jié)構(gòu)圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例一中，提出的制造陣列基板的方法流程圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例一中，提出的在基板上形成保護(hù)層之后的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖； 圖4為本發(fā)明實(shí)施例一中，提出的在形成保護(hù)層的基板上涂覆第一感光材料的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5 圖6為本發(fā)明實(shí)施例一中，提出的形成過孔的基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本發(fā)明實(shí)施例一中，提出的形成隔墊物的基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為本發(fā)明實(shí)施例一中，提出的形成彩色濾光層的基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9為本發(fā)明實(shí)施例一中，提出的形成像素電極的基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖10為本發(fā)明實(shí)施例一中，提出的陣列基板結(jié)構(gòu)組成示意圖；圖11為本發(fā)明實(shí)施例二中，提出的形成像素電極的基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖12為本發(fā)明實(shí)施例二中，提出的形成彩色濾光層的基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖13為本發(fā)明實(shí)施例二中，提出的陣列基板結(jié)構(gòu)組成示意圖。
具體實(shí)施例方式針對現(xiàn)有技術(shù)中提出的陣列基板和彩膜基板在進(jìn)行對盒工藝處理時(shí)，需要進(jìn)行對齊操作，使得開口率差，進(jìn)而導(dǎo)致顯示設(shè)備的顯示效果較差的問題，本發(fā)明實(shí)施例這里通過在形成透明保護(hù)層的基板上，分別形成過孔、隔墊物、像素電極以及彩色濾光層，形成陣列基板，能夠較好地提高陣列基板的開口率，進(jìn)而提高顯示設(shè)備的顯示效果，在進(jìn)行對盒工藝處理時(shí)，不需要進(jìn)行對準(zhǔn)操作，能夠較好地提高生產(chǎn)效率降低生產(chǎn)成本。下面將結(jié)合各個(gè)附圖對本發(fā)明實(shí)施例技術(shù)方案的主要實(shí)現(xiàn)原理具體實(shí)施方式
及其對應(yīng)能夠達(dá)到的有益效果進(jìn)行詳細(xì)地闡述。需要說明的是，制造陣列基板涉及的構(gòu)圖工藝流程主要包括預(yù)處理、光刻膠涂覆、前烘、曝光、顯影、刻蝕和去膠等處理，具體包括在基板表面均勻地涂覆一層光刻膠，利用掩模板對涂覆光刻膠的基板進(jìn)行曝光處理以及進(jìn)行曝光處理后的顯影處理。其中曝光技術(shù)是光刻工藝過程中最重要的環(huán)節(jié)，其原理為將由光源發(fā)出的光束照射在掩膜板上，透過掩膜板在涂覆光刻膠的基板表面成像，即為曝光，這樣就可以實(shí)現(xiàn)通過曝光處理將掩膜板上的圖形成像在基板上。曝光處理可以為接近式曝光處理、接觸式曝光處理或者投影式曝光處理。本發(fā)明實(shí)施例這里提出的技術(shù)方案，基于構(gòu)圖工藝制造陣列基板時(shí)，所采用的構(gòu)圖工藝與現(xiàn)有技術(shù)基本相同，本發(fā)明實(shí)施例這里不再贅述。實(shí)施例一
本發(fā)明實(shí)施例一這里提出一種制造陣列基板的方法，如圖2所示，具體處理流程如下步驟201，基于構(gòu)圖工藝在基板上形成包括源漏電極層和透明保護(hù)層的圖形。其中，所用基板可以是玻璃基板。較佳地，在基于構(gòu)圖工藝在基板上形成包括源漏電極層和透明保護(hù)層的圖形之前，還包括基于構(gòu)圖工藝在基板上形成柵極層、柵絕緣層、有源層和源漏電極層的圖形，其中，柵絕緣層位于柵極層和有源層之間，有源層位于柵絕緣層和源漏電極層之間。
具體實(shí)施中，可以在玻璃基板上依次形成柵極層、柵絕緣層、有源層、源漏電極層和透明保護(hù)層。在柵極層設(shè)置有柵電極(簡稱柵極)、柵極掃描線(簡稱柵線)、存儲電容電極。在源漏電極層主要設(shè)置有源電極和漏電極。具體地，如圖3所示，首先可以在玻璃基板301上沉積一層?xùn)沤饘俦∧ぃ诔练e的柵金屬薄膜上均勻的涂覆一層光刻膠，將掩模板精確的對準(zhǔn)涂覆光刻膠的基板，利用對準(zhǔn)后的掩模板，對涂覆在基板上的光刻膠采取大于等于柵金屬層光強(qiáng)模式的光進(jìn)行曝光處理，這樣光就可以分別透過柵電極圖形區(qū)域、柵極掃描線圖形區(qū)域和存儲電容電極圖形區(qū)域上覆蓋的透光膜，從而實(shí)現(xiàn)將設(shè)置在掩膜板上的柵極掃描線圖形、柵電極圖形和存儲電容電極圖形顯影成像在柵金屬薄膜上，經(jīng)過上述的曝光處理之后，進(jìn)而對形成的圖形進(jìn)行刻蝕處理，從而就可以在沉積柵金屬薄膜的玻璃基板301上形成包含柵極、柵極掃描線和存儲電容電極的柵極層302。其中玻璃基板301上覆蓋的柵金屬薄膜可以但不限于為AINd、Al、Cu、Mo、Moff或Cr的單層膜,或者為AINd、Al、Cu、Mo、Moff或Cr之一或任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。具體地，在形成柵極層302的玻璃基板301上，沉積絕緣層金屬薄膜，利用掩模板，基于構(gòu)圖工藝，形成柵極絕緣層303。在形成柵極絕緣層303之后的玻璃基板301上，沉積有源層薄膜，基于構(gòu)圖工藝形成有源層304。然后沉積源漏電極層金屬薄膜，基于構(gòu)圖工藝形成包含源、漏極的源漏電極層305。其中，絕緣層薄膜可以但不限于為SiNx、Si0x或SiOxNy的單層膜，或者為SiNx、SiOx或SiOxNy之一或任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜；有源層薄膜可以但不限于為多晶硅。具體地，在形成源漏電極層305之后，沉積一層透明保護(hù)層薄膜，在沉積透明保護(hù)層金屬膜層的玻璃基板301上基于構(gòu)圖工藝形成透明保護(hù)層306。其中，透明保護(hù)層306薄膜為透明絕緣薄膜，例如可以是PVX膜。步驟202，在形成透明保護(hù)層的基板上涂覆第一感光樹脂，基于構(gòu)圖工藝分別形成過孔和隔墊物。其中，形成所述過孔和隔墊物的第一感光樹脂可以是正性光刻膠，隔墊物的截面形狀可以為圓形或多邊形。其中，如圖4所示，在形成透明保護(hù)層306的玻璃基板301上，均勻的涂覆一層正性光刻膠307，然后基于構(gòu)圖工藝，利用掩模板，對涂覆的正性光刻膠307進(jìn)行曝光處理，進(jìn)而對成像在透明保護(hù)層薄膜上的透明保護(hù)層圖形進(jìn)行刻蝕工藝，從而在透明保護(hù)層306上形成過孔308，過孔308的形狀可以為圓形、橢圓形或正方形。如圖5和圖6所示，所述形成的過孔308要穿透透明保護(hù)層306。這樣，后續(xù)再沉積像素電極材料時(shí)，像素電極可以通過過孔308和源漏電極層305的漏極相連。在形成過孔308之后，如圖6所示，經(jīng)過刻蝕之后，過孔區(qū)域的正性光刻膠已經(jīng)被去除，但是還有一部分正性光刻膠未進(jìn)行曝光顯影處理，此時(shí)，針對未進(jìn)行曝光顯影處理的正性光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成隔墊物309的圖案。隔墊物的圖案可以根據(jù)需要具體設(shè)置，其截面形狀可以但不限于是圓形或者是多邊形。較佳地，也可以在形成過孔的掩模板上一并形成隔墊物309的圖案，這樣，在進(jìn)行曝光處理時(shí)，利用一個(gè)掩模板，可以同時(shí)在透明保護(hù)層306上形成過孔308的圖案和隔墊物309的圖案，后續(xù)通過刻蝕，可以在透明保護(hù)層306上形成隔墊物309和過孔308。這樣，利用一個(gè)掩模板，經(jīng)過一次曝光顯影機(jī)刻蝕處理，就可以同時(shí)形成過孔308和隔墊物309，能夠較好的提高生產(chǎn)效率，節(jié)省使用掩模板的次數(shù)，提高制作陣列基板的精度。其中基于構(gòu)圖工藝處理形成過孔308的過程可以但不限于為使用正性光刻工藝。正性光刻工藝，是在基板上涂覆一層正性光刻膠，經(jīng)過曝光處理，曝光后的區(qū)域變得很容易在顯影液里融化，在顯影過程中將被曝光過的光刻膠從基板上除去，把與掩模板上相同的圖形復(fù)制到基板上。步驟203，在形成過孔和隔墊物的基板上，基于構(gòu)圖工藝分別形成彩色濾光層和像素電極形成陣列基板，其中所述像素電極通過過孔和位于所述透明保護(hù)層下方的源漏電極 層的漏極相連。需要說明的是，基于構(gòu)圖工藝分別形成彩色濾光層和像素電極時(shí)，二者并沒有先后順序，本發(fā)明實(shí)施例一這里，以先形成彩色濾光層，后形成像素電極為例來進(jìn)行詳細(xì)闡述。具體為在形成過孔和隔墊物的基板上，涂覆第二感光樹脂，基于構(gòu)圖工藝在涂覆第二感光樹脂的基板上形成彩色濾光層，在形成彩色濾光層的基板上沉積像素電極層材料，基于構(gòu)圖工藝形成像素電極。其中，第二感光樹脂可以是負(fù)性光刻膠。具體地，首先，形成彩色濾光層310。具體地，如圖8所示，彩色濾光層包括紅色像素層、綠色像素層和藍(lán)色像素層。如圖7所示，可以在形成過孔308和隔墊物309的玻璃基板301上涂布紅色像素層，通過曝光和顯影工藝形成紅色像素圖形，然后依次采用相同方法制備綠色像素圖形和藍(lán)色像素圖形，其中，該像素圖形的厚度通常為1. O 3. Oum。經(jīng)過刻蝕，形成彩色濾光層310。其中，由于在制造液晶顯示設(shè)備時(shí)，需要進(jìn)行對盒工藝然后填充液晶，所以要保證隔墊物309的厚度大于彩色濾光層310的厚度。彩色濾光層310和隔墊物309的正投影區(qū)域不重疊。形成彩色濾光層310時(shí)，涂覆的是負(fù)性光刻膠，所以在進(jìn)行曝光處理時(shí)，需要采用負(fù)性光刻工藝。負(fù)性光刻工藝，是指在基板上涂覆一層負(fù)性光刻膠，經(jīng)過曝光處理，未被曝光的區(qū)域變得很容易在顯影液里融化，在顯影過程中將未被曝光過的光刻膠從基板上除去，把與掩模板上相反的圖形復(fù)制到基板上。其次，形成像素電極311。具體地，如圖9所示，在形成過孔彩色濾光層之后，均勻地沉積一層像素電極材料，像素電極材料可以通過過孔308沉積，與源漏電極層的漏極連接?；跇?gòu)圖工藝在沉積的像素電極材料上形成像素電極311，形成的像素電極311通過過孔308與源漏電極層305的漏極連接。其中，像素電極層材料可以但不限于為ITO、IZO的單層膜，或者為ITO、IZO所構(gòu)成的復(fù)合膜。步驟204，在像素電極形成之后，本發(fā)明實(shí)施例一這里提出的陣列基板制作完成，后續(xù)可以使用該陣列基板進(jìn)行對盒工藝處理，填充液晶，形成液晶顯示設(shè)備。由于在制造陣列基板的過程中，在現(xiàn)有陣列基板的基礎(chǔ)之上，形成彩色濾光層和對盒工藝處理時(shí)需要的隔墊物，即一次形成彩膜基板的部分圖案。后續(xù)進(jìn)行對盒操作時(shí)，進(jìn)行對準(zhǔn)時(shí)，對準(zhǔn)精確度要求較低，不需要增大黑矩陣的設(shè)計(jì)線寬，因此不會造成漏光，提高了開口率，進(jìn)而提高了液晶顯示設(shè)備的顯示效果。提高了生產(chǎn)效率節(jié)省企業(yè)的生產(chǎn)成本。采用本發(fā)明實(shí)施例一上述提出的制造陣列基板的方法制造的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖，本發(fā)明實(shí)施例一這里提出的陣列基板包括在基板上形成的包括透明保護(hù)層的圖形；在所述透明保護(hù)層上設(shè)置有過孔和隔墊物，其中所述過孔和隔墊物是在透明保護(hù)層上涂覆第一感光樹脂形成的；在形成過孔和隔墊物的基板上，形成彩色濾光層和像素電極，其中所述像素電極通過過孔和位于所述透明保護(hù)層下方的源漏電極層的漏極相連。具體地，如圖10所示，為采用本發(fā)明實(shí)施例一上述提出的制造陣列基板的方法制造的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖，在基板301上依次形成的柵極層302、柵絕緣層303、有源層304、源漏電極層305和透明保護(hù)層306，其中所述源漏電極層305設(shè)置有源電極和漏電極(也可以稱之為源極和漏極)。在透明保護(hù)層306上形成過孔308和隔墊物309。其中，過孔308穿透透明保護(hù)層與源漏電極層305相連。具 體地，過孔308和隔墊物309是由涂覆在透明保護(hù)層306上的第一感光樹脂形成，所述第一感光樹脂為正性光刻膠。隔墊物309的截面形狀可以但不限于是圓形或者多邊形。在形成過孔308和隔墊物309之后，形成彩色濾光層310。其中隔墊物309的厚度大于彩色濾光層310的厚度，且所述隔墊物309的正投影區(qū)域和彩色濾光層310正投影區(qū)域不重疊。具體地，彩色濾光層310，是由涂覆在形成過孔和隔墊物的基板上的第二感光樹脂形成，第二感光樹脂可以是負(fù)性光刻膠。在彩色濾光層310上，形成像素電極311，像素電極通過過孔309與源漏電極層305的漏極連接。所述像素電極層材料為ITO、IZO的單層膜，或者為ITO、IZO所構(gòu)成的復(fù)合膜。相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例一這里還提供一種液晶顯示設(shè)備，包括上述陣列基板，該液晶顯不設(shè)備可以為液晶面板、液晶顯不器、液晶電視、OLED面板、OLED顯不器、OLED電視或電子紙等顯示裝置。實(shí)施例二本發(fā)明實(shí)施例二這里提出一種制作陣列基板的方法，其方法流程如下述步驟一基于構(gòu)圖工藝在基板上包括透明保護(hù)層的圖形。具體地，在形成透明保護(hù)層的圖形之前，還包括基于構(gòu)圖工藝在基板上形成柵極層、柵絕緣層、有源層和源漏電極層的圖形，其中，柵絕緣層位于柵極層和有源層之間，有源層位于柵絕緣層和源漏電極層之間。具體實(shí)施中，可以基于構(gòu)圖工藝在基板上依次形成柵極層、柵絕緣層、有源層、源漏電極層和透明保護(hù)層。其中，步驟一的詳細(xì)處理過程請參見上述實(shí)施例一中的詳細(xì)闡述，這里不再贅述。步驟二 在形成透明保護(hù)層的基板上涂覆第一感光樹脂，基于構(gòu)圖工藝分別形成過孔和隔墊物。其中，形成所述過孔和隔墊物的第一感光樹脂可以是正性光刻膠，隔墊物的截面形狀可以為圓形或多邊形。其中，步驟二的詳細(xì)處理流程，請參見上述實(shí)施例一中步驟202的詳細(xì)闡述，這里不再贅述。步驟三在形成過孔和隔墊物的基板上，基于構(gòu)圖工藝分別形成彩色濾光層和像素電極形成陣列基板，其中所述像素電極通過過孔和位于所述透明保護(hù)層下方的源漏電極層的漏極相連。需要說明的是，基于構(gòu)圖工藝分別形成彩色濾光層和像素電極時(shí)，二者并沒有先后順序，本發(fā)明實(shí)施例二這里，以先形成像素電極，后形成彩色濾光層為例來進(jìn)行詳細(xì)闡述。具體為在形成過孔和隔墊物的基板上，沉積像素電極層材料，基于構(gòu)圖工藝形成像素電極；在形成像素電極的基板上，涂覆第二感光樹脂；基于構(gòu)圖工藝在涂覆第二感光樹脂的基板上形成彩色濾光層。其中，第二感光樹脂可以是負(fù)性光刻膠。具體地，首先形成像素電極310。如圖11所示，在形成過孔308和隔墊物309之后，均勻地沉積一層像素電極材料，像素電極材料可以通過過孔308沉積，與源漏電極層305的漏極連接?；跇?gòu)圖工藝在沉積的像素電極材料上形成像素電極310，形成的像素電極310通過過孔308與源漏電極層305的漏極連接。其中，像素電極層材料可以但不限于為ΙΤ0、IZO的單層膜，或者為ITO、IZO所構(gòu)成的復(fù)合膜。其次形成彩色濾光層311。具體地，如圖12所示，彩色濾光層包括紅色像素層、綠色像素層和藍(lán)色像素層。如圖12所示，可以在像素電極310的玻璃基板301上涂布紅色像素層，通過曝光和顯影工藝形成紅色像素圖形，然后依次采用相同方法制備綠色像素圖形和藍(lán)色像素圖形，其中，該像素圖形的厚度通常為1. O 3. Oum。經(jīng)過刻蝕，形成彩色濾光層311。其中，由于在制造液晶顯示設(shè)備時(shí)，需要進(jìn)行對盒工藝然后填充液晶，所以要保證 隔墊物309的厚度大于彩色濾光層311的厚度。彩色濾光層311和隔墊物309的正投影區(qū)域不重疊。形成彩色濾光層311時(shí)，涂覆的是負(fù)性光刻膠，所以在進(jìn)行曝光處理時(shí)，需要采用負(fù)性光刻工藝。負(fù)性光刻工藝，是指在基板上涂覆一層負(fù)性光刻膠，經(jīng)過曝光處理，未被曝光的區(qū)域變得很容易在顯影液里融化，在顯影過程中將未被曝光過的光刻膠從基板上除去，把與掩模板上相反的圖形復(fù)制到基板上。步驟四，在像素電極形成之后，本發(fā)明實(shí)施例一這里提出的陣列基板制作完成，后續(xù)可以使用該陣列基板進(jìn)行對盒工藝處理，填充液晶，形成液晶顯示設(shè)備。相應(yīng)地，如圖13所示，為采用本發(fā)明實(shí)施例二上述提出的制造陣列基板的方法制造的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖，本發(fā)明實(shí)施例二這里提出的陣列基板包括在基板301上依次形成的柵極層302、柵絕緣層303、有源層304、源漏電極層305和透明保護(hù)層306，其中所述源漏電極層305設(shè)置有源電極和漏電極(也可以稱之為源極和漏極)。在透明保護(hù)層306上形成過孔308和隔墊物309。其中，過孔308穿透透明保護(hù)層與設(shè)置在源漏電極層305的漏極相連。具體地，形成在透明保護(hù)層306上面的過孔308和隔墊物309由涂覆在透明保護(hù)層306上的第一感光樹脂形成，第一感光樹脂可以為正性光刻膠。隔墊物309的截面形狀可以但不限于是圓形或者多邊形。在形成過孔308和隔墊物309之后，形成像素電極310，像素電極通過過孔309與源漏電極層305的漏極連接。所述像素電極層材料為ITO、IZO的單層膜，或者為ΙΤΟ、ΙΖΟ所構(gòu)成的復(fù)合膜。在形成像素電極之后，形成彩色濾光層311。其中隔墊物309的厚度大于彩色濾光層311的厚度，且所述隔墊物309的正投影區(qū)域和彩色濾光層311正投影區(qū)域不重疊。形成彩色濾光層311時(shí)，采用第二感光樹脂，其中第二感光樹脂可以是負(fù)性光刻膠。相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例二這里還提供一種液晶顯示設(shè)備，包括上述陣列基板，該液晶顯不設(shè)備可以為液晶面板、液晶顯不器、液晶電視、OLED面板、OLED顯不器、OLED電視或電子紙等顯示裝置。盡管已描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對這些實(shí)施例作出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實(shí)施例以及落入本發(fā)明范圍的所有變更和修改。
顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些 改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種制造陣列基板的方法，其特征在于，包括 基于構(gòu)圖工藝在基板上形成包括源漏電極層和透明保護(hù)層的圖形； 在形成所述透明保護(hù)層的基板上涂覆第一感光樹脂，基于構(gòu)圖工藝分別形成過孔和隔墊物； 在形成過孔和隔墊物的基板上，基于構(gòu)圖工藝分別形成彩色濾光層和像素電極形成陣列基板，其中所述像素電極通過過孔和位于所述透明保護(hù)層下方的源漏電極層的漏極相連。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在基于構(gòu)圖工藝在基板上形成包括源漏電極層和透明保護(hù)層的圖形之前，還包括 基于構(gòu)圖工藝在基板上形成柵極層、柵絕緣層、有源層和源漏電極層的圖形，其中，柵絕緣層位于柵極層和有源層之間，有源層位于柵絕緣層和源漏電極層之間。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述過孔和隔墊物的第一感光樹脂是正性光刻膠。
4.如權(quán)利要求Γ3任一所述的方法，其特征在于，所述隔墊物的厚度大于彩色濾光層的厚度，且所述隔墊物的正投影區(qū)域和彩色濾光層正投影區(qū)域不重疊。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述隔墊物的截面形狀為圓形或多邊形。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在形成過孔和隔墊物的基板上，基于構(gòu)圖工藝分別形成彩色濾光層和像素電極，包括 在形成過孔和隔墊物的基板上，涂覆第二感光樹脂； 基于構(gòu)圖工藝在涂覆第二感光樹脂的基板上形成彩色濾光層； 在形成彩色濾光層的基板上沉積像素電極層材料，基于構(gòu)圖工藝形成像素電極。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在形成過孔和隔墊物的基板上，基于構(gòu)圖工藝分別形成彩色濾光層和像素電極，包括 在形成過孔和隔墊物的基板上，沉積像素電極層材料，基于構(gòu)圖工藝形成像素電極； 在形成像素電極的基板上，涂覆第二感光樹脂； 基于構(gòu)圖工藝在涂覆第二感光樹脂的基板上形成彩色濾光層。
8.如權(quán)利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述第二感光樹脂是負(fù)性光刻膠。
9.如權(quán)利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述像素電極層材料為ITO、IZO的單層膜，或者為ITO、IZO所構(gòu)成的復(fù)合膜。
10.一種陣列基板，其特征在于，包括 在基板上形成的包括透明保護(hù)層的圖形； 在所述透明保護(hù)層上設(shè)置有過孔和隔墊物，其中所述過孔和隔墊物是在透明保護(hù)層上涂覆第一感光樹脂形成的； 在形成過孔和隔墊物的基板上，形成彩色濾光層和像素電極，其中所述像素電極通過過孔和位于所述透明保護(hù)層下方的源漏電極層的漏極相連。
11.如權(quán)利要求10所述的陣列基板，其特征在于，所述第一感光樹脂是正性光刻膠。
12.如權(quán)利要求10或11所述的陣列基板，其特征在于，所述隔墊物的厚度大于彩色濾光層的厚度，且所述隔墊物的正投影區(qū)域和彩色濾光層正投影區(qū)域不重疊。
13.如權(quán)利要求10所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極在彩色濾光層上面；或所述彩色濾光層在像素電極上面； 其中，形成彩色濾光層的材質(zhì)為第二感光樹脂。
14.一種液晶顯示設(shè)備，其特征在于，所述液晶顯示設(shè)備包括權(quán)利要求1(Γ13任一所述的陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種制造陣列基板的方法、陣列基板及液晶顯示設(shè)備，其中，該方法包括基于構(gòu)圖工藝在基板上形成包括源漏電極層和透明保護(hù)層的圖形；在形成所述透明保護(hù)層的基板上涂覆第一感光樹脂，基于構(gòu)圖工藝分別形成過孔和隔墊物；在形成過孔和隔墊物的基板上，基于構(gòu)圖工藝分別形成彩色濾光層和像素電極形成陣列基板，其中所述像素電極通過過孔和位于所述透明保護(hù)層下方的源漏電極層的漏極相連。采用上述技術(shù)方案，能夠較好地提高陣列基板的開口率，進(jìn)而提高顯示設(shè)備的顯示效果。
文檔編號G02F1/1339GK103021941SQ20121054050
公開日2013年4月3日 申請日期2012年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月13日
發(fā)明者舒適, 惠官寶, 齊永蓮, 徐傳祥, 劉陸 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司