專(zhuān)利名稱(chēng)：光刻設(shè)備和冷卻光刻設(shè)備中的部件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光刻設(shè)備和冷卻光刻設(shè)備中的部件的方法。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。例如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(ICs)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱(chēng)為掩?；蜓谀０娴膱D案化裝置用于生成待形成在所述IC的單層上的電路圖案?？梢詫⒃搱D案轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、一個(gè)或多個(gè)管芯)上。所述圖案的轉(zhuǎn)移通常是通過(guò)將圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)的層上。通常，單個(gè)襯底將包含連續(xù)形成圖案的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。公知的光刻設(shè)備包括所謂步進(jìn)機(jī)，在所述步進(jìn)機(jī)中，通過(guò)將整個(gè)圖案一次曝光到所述目標(biāo)部分上來(lái)輻射每一個(gè)目標(biāo)部分，以及所謂掃描器，在所述掃描器中，通過(guò)輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描所述圖案、同時(shí)沿與該方向平行或反向平行的方向掃描所述襯底來(lái)輻射每一個(gè)目標(biāo)部分。也可能通過(guò)將圖案壓印(imprinting)到襯底的方式從圖案化裝置將圖案轉(zhuǎn)移到襯底上。機(jī)器可以是具有相對(duì)高的折射率的液體中(例如水)填充投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間的空隙當(dāng)?shù)臋C(jī)器。在一個(gè)實(shí)施例中，液體是蒸餾水，但是也可以使用其他液體。其他的流體也是適用的，尤其是浸沒(méi)流體、不可壓縮的流體和/或具有較空氣高的折射率的流體，期望具有比水高的折射率。不包括氣體的流體是尤其想要的。其重點(diǎn)在于允許對(duì)較小特征進(jìn)行成像，因?yàn)槠毓廨椛湓谝后w中將具有較短的波長(zhǎng)。(液體的效果也可以認(rèn)為是提高系統(tǒng)的有效數(shù)值孔徑同時(shí)增加了焦深)其他的浸沒(méi)液體也有提到，包括含有懸浮的固體(例如，石英)顆粒的水，或具有納米顆粒懸浮物(例如具有最大尺寸為IOnm的顆粒)的液體。懸浮顆粒可以具有或不具有與其懸浮的液體類(lèi)似或相同的折射率。其他可能合適的液體包括烴，例如芳香烴、氟化烴和/或水溶液。除了電路圖案，圖案形成裝置可以用于形成其他圖案，例如濾色鏡圖案或點(diǎn)的矩陣。除了傳統(tǒng)的掩模，圖案形成裝置可以包括圖案化陣列，其包括形成電路或其他可應(yīng)用圖案的單個(gè)可控元件的陣列。這種“無(wú)掩?！毕到y(tǒng)相對(duì)于傳統(tǒng)的基于掩模的系統(tǒng)優(yōu)點(diǎn)在于，圖案可以更加迅速地并且以較少成本地提供和/或改變。因此，無(wú)掩模系統(tǒng)包括可編程圖案形成裝置(例如，空間光調(diào)制器，對(duì)比裝置等)?？删幊虉D案形成裝置被編程(例如電學(xué)方式或光學(xué)方式)以通過(guò)使用單個(gè)可控元件的陣列形成想要的圖案束?？删幊虉D案形成裝置的類(lèi)型包括微反射鏡陣列、液晶顯示器(LCD)陣列、光柵光閥陣列以及其他。正如PCT專(zhuān)利申請(qǐng)出版物第WO 2010/032224號(hào)和美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)出版物第US2011-0188016號(hào)中公開(kāi)的，代替?zhèn)鹘y(tǒng)的掩模，調(diào)制器可以配置成將襯底的曝光區(qū)域曝光至根據(jù)想要的圖案調(diào)制的多個(gè)束，兩篇專(zhuān)利通過(guò)參考全文并入。投影系統(tǒng)可以配置成將調(diào)制的束投影到襯底上并且可以包括透鏡的陣列以接受多個(gè)束。投影系統(tǒng)可以配置成在曝光區(qū)域的曝光期間相對(duì)于調(diào)制器移動(dòng)透鏡的陣列。
光刻設(shè)備可以是使用極紫外光(例如，具有5_20nm的波長(zhǎng))的EUV設(shè)備。

發(fā)明內(nèi)容
光刻設(shè)備中的多個(gè)部件可以具有施加至其上的不想要的熱負(fù)載。該負(fù)載可能是部件被投影束照射的結(jié)果，電流流動(dòng)的結(jié)果等。這種局部加熱是不期望的，因?yàn)檫@可以導(dǎo)致局部變形，并由此可以導(dǎo)致成像誤差。附加地，如果例如投影束通過(guò)的投影系統(tǒng)的頂板(例如與圖4和5中的微環(huán)境相關(guān)的結(jié)構(gòu))具有不均勻的溫度，則這可以導(dǎo)致折射系數(shù)的變化或偏離想要的形狀，因此直接導(dǎo)致可能的成像誤差。如果溫度變化是在襯底臺(tái)上，例如這可以導(dǎo)致襯底的變形并由此導(dǎo)致可能的成像誤差。在光刻設(shè)備中，可以使用在施加熱負(fù)載的附近內(nèi)的一個(gè)或多個(gè)溝道中流動(dòng)的冷卻液體?？梢栽诘陀谒霾考脑O(shè)定點(diǎn)溫度的溫度條件下供給冷卻介質(zhì)至部件。這導(dǎo)致快速的冷卻。然而，問(wèn)題在于管道內(nèi)至部件的冷卻介質(zhì)的低溫對(duì)管道通過(guò)的一個(gè)或多個(gè)部件的溫度具有不想要的影響。在另一系統(tǒng)中，可以在設(shè)定溫度條件下提供冷卻介質(zhì)。然而，在該布置中，對(duì)部件來(lái)說(shuō)達(dá)到設(shè)定點(diǎn)溫度是困難的。附加地或替換地，在管道內(nèi)從部件流出的冷卻介質(zhì)的溫度高于設(shè)定點(diǎn)溫度并且這不利地影響一個(gè)或其他部件(例如，一個(gè)或多個(gè)管道通過(guò)的部件)。期望提供一種用于光刻設(shè)備的冷卻系統(tǒng)。在實(shí)施例中，冷卻系統(tǒng)解決上述與冷卻介質(zhì)相關(guān)的問(wèn)題中的至少一個(gè)。根據(jù)本發(fā)明一方面，提供一種光刻設(shè)備，包括部件；局部冷卻器，用以提供局部冷卻負(fù)載至所述部件，所述局部冷卻器包括氣體通道，氣體通道包括所述部件上游的流量限制裝置并且配置成引導(dǎo)離開(kāi)流量限制裝置的氣流以冷卻所述部件的表面。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種冷卻光刻設(shè)備內(nèi)的部件的方法，包括步驟提供氣流通過(guò)氣體通道并且驅(qū)動(dòng)氣體通過(guò)流量限制裝置以膨脹并冷卻氣體；和引導(dǎo)膨脹并冷卻的氣體以冷卻將要被冷卻的部件的表面。


下面僅通過(guò)示例的方式，參考附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行描述，其中示意性附圖中相應(yīng)的標(biāo)記表示相應(yīng)的部件，在附圖中圖1示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光刻設(shè)備；圖2示意地示出局部冷卻器的實(shí)施例；圖3示意地示出局部冷卻器的實(shí)施例；圖4示出在用于圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)的上側(cè)(沿z方向)的內(nèi)部氣體環(huán)境和第一和第二平面元件；和圖5示出在支撐結(jié)構(gòu)下側(cè)(沿z方向)的內(nèi)部氣體環(huán)境和第一和第二平面元件。
具體實(shí)施例方式圖1示意地示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的光刻設(shè)備。所述設(shè)備包括_照射系統(tǒng)(照射器)IL，其配置用于調(diào)節(jié)輻射束B(niǎo) (例如紫外(UV)輻射或深紫外(DUV)輻射)。-支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺(tái))MT，其構(gòu)造用于支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA，并與配置用于根據(jù)特定的參數(shù)精確地定位圖案化裝置的第一定位裝置PM相連；-襯底臺(tái)(例如晶片臺(tái))WT，其構(gòu)造用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)W，并與配置用于根據(jù)特定的參數(shù)精確地定位襯底的第二定位裝置PW相連；和-投影系統(tǒng)(例如折射式投影透鏡系統(tǒng))PS，其配置成用于將由圖案化裝置MA賦予輻射束B(niǎo)的圖案投影到襯底W的目標(biāo)部分C(例如包括一根或多根管芯)上。照射系統(tǒng)可以包括各種類(lèi)型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型、靜電型或其它類(lèi)型的光學(xué)部件、或其任意組合，以引導(dǎo)、成形、或控制輻射。支撐結(jié)構(gòu)MT保持圖案形成裝置。支撐結(jié)構(gòu)以依賴(lài)于圖案化裝置的方向、光刻設(shè)備的設(shè)計(jì)以及諸如圖案化裝置是否保持在真空環(huán)境中等其他條件的方式保持圖案化裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以采用機(jī)械的、真空的、靜電的或其它夾持技術(shù)保持圖案化裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以是框架或臺(tái)，例如，其可以根據(jù)需要成為固定的或可移動(dòng)的。所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以確保圖案化裝置位于所需的位置上(例如相對(duì)于投影系統(tǒng))。這里使用的術(shù)語(yǔ)“掩模版”或“掩?！笨梢钥醋鞲鼮樯衔坏摹皥D案化裝置”同義。這里所使用的術(shù)語(yǔ)“圖案化裝置”應(yīng)該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標(biāo)部分上形成圖案的任何裝置。應(yīng)該注意的是，賦予輻射束的圖案可能不與襯底的目標(biāo)部分上的所需圖案精確地相同(例如，如果圖案包括相移特征或所謂的輔助特征)。通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標(biāo)部分上形成的器件中的特定的功能層相對(duì)應(yīng)，例如集成電路。圖案形成裝置可以是透射型的或反射型的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程LCD面板。掩模在光刻技術(shù)中是熟知的，并且包括諸如二元掩模類(lèi)型、交替型相移掩模類(lèi)型、衰減型相移掩模類(lèi)型和各種混合掩模類(lèi)型之類(lèi)的掩模類(lèi)型?？删幊谭瓷溏R陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，每一個(gè)小反射鏡可以獨(dú)立地傾斜，以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡矩陣反射的輻射束。這里使用的術(shù)語(yǔ)“投影系統(tǒng)”可以廣義地解釋為包括任意類(lèi)型的投影系統(tǒng)，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光學(xué)系統(tǒng)、或其任意組合，如對(duì)于所使用的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如使用浸沒(méi)液或使用真空之類(lèi)的其他因素所適合的。這里任何使用的術(shù)語(yǔ)“投影透鏡”可以認(rèn)為是與更上位的術(shù)語(yǔ)“投影系統(tǒng)”同義。如這里所示的，所述設(shè)備是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述設(shè)備可以是反射型的(例如，采用如上所述類(lèi)型的可編程反射鏡陣列，或采用反射式掩模)。光刻設(shè)備可以是具有兩個(gè)或更多臺(tái)(或操作臺(tái)或支撐結(jié)構(gòu))，例如兩個(gè)或更多襯底臺(tái)或一個(gè)或兩個(gè)襯底臺(tái)和一個(gè)或多個(gè)傳感器或測(cè)量臺(tái)的組合的類(lèi)型。在這種“多操作臺(tái)”機(jī)器中，可以并行地使用附加的臺(tái)，或可以在一個(gè)或更多個(gè)臺(tái)上執(zhí)行預(yù)備步驟的同時(shí)，將一個(gè)或更多個(gè)其它臺(tái)用于曝光。光刻設(shè)備可以具有兩個(gè)或多個(gè)圖案形成裝置(或操作臺(tái)或支撐結(jié)構(gòu))，其可以并行地以類(lèi)似的方式用于襯底、傳感器以及測(cè)量臺(tái)。所述光刻設(shè)備還可以是這種類(lèi)型，其中襯底的至少一部分可以由具有相對(duì)高的折射率的液體覆蓋(例如水)，以便填滿投影系統(tǒng)和襯底之間的空間。浸沒(méi)液體還可以施加到光刻設(shè)備的其他空間中，例如掩模和投影系統(tǒng)之間的空間。浸沒(méi)技術(shù)在本領(lǐng)域是熟知的用于提高投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑。這里使用的術(shù)語(yǔ)“浸沒(méi)”并不意味著必須將結(jié)構(gòu)(例如襯底)浸入到液體中，而僅意味著在曝光過(guò)程中液體位于投影系統(tǒng)和該襯底之間。這可以涉及或不涉及一個(gè)結(jié)構(gòu)(例如襯底)被浸入液體中。參考信號(hào)頂顯示用于實(shí)施浸沒(méi)技術(shù)的設(shè)備可以放置的位置。這種設(shè)備可以包括用于浸沒(méi)液體的供給系統(tǒng)和用于將液體限制在感興趣區(qū)域內(nèi)的密封部件。這種設(shè)備可以可選地布置成使得襯底臺(tái)被浸沒(méi)液體全部覆蓋。參照?qǐng)D1，照射器IL接收來(lái)自輻射源SO的輻射束。所述源和光刻設(shè)備可以是分開(kāi)的實(shí)體(例如當(dāng)該源為準(zhǔn)分子激光器時(shí))。在這種情況下，不會(huì)將該源考慮成形成光刻設(shè)備的一部分，并且通過(guò)包括例如合適的定向反射鏡和/或擴(kuò)束器的束傳遞系統(tǒng)BD的幫助，將所述輻射束從所述源SO傳到所述照射器IL。在其它情況下，所述源可以是所述光刻設(shè)備的組成部分(例如當(dāng)所述源是汞燈時(shí))?？梢詫⑺鲈碨O和所述照射器IL、以及如果需要時(shí)設(shè)置的所述束傳遞系統(tǒng)BD —起稱(chēng)作輻射系統(tǒng)。所述照射器IL可以包括用于調(diào)整所述輻射束的角強(qiáng)度分布的調(diào)整器AD。通常，可以對(duì)所述照射器IL的光瞳平面中的強(qiáng)度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別稱(chēng)為O -外部和O -內(nèi)部)進(jìn)行調(diào)整。此外，所述照射器IL可以包括各種其它部件，例如積分器IN和聚光器CO?？梢詫⑺稣丈淦鱅L用于調(diào)節(jié)所述輻射束，以在其橫截面中具有所需的均勻性和強(qiáng)度分布。與源SO類(lèi)似，照射器IL可以被看作或不被看作形成光刻設(shè)備的部分。例如，照射器IL可以是光刻設(shè)備的組成部分，或是與光刻設(shè)備分離的實(shí)體。在后一種情形中，光刻設(shè)備可以配置成允許照射器IL安裝其上。可選地，照射器IL是可拆卸的并且可以單獨(dú)地提供或設(shè)置(例如，通過(guò)光刻設(shè)備制造商或其他供應(yīng)商提供)。所述輻射束B(niǎo)入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺(tái)MT)上的所述圖案化裝置(例如，掩模MA)上，并且通過(guò)所述圖案化裝置MA來(lái)形成圖案。已經(jīng)穿過(guò)掩模MA之后，所述輻射束B(niǎo)通過(guò)投影系統(tǒng)PS，所述投影系統(tǒng)將輻射束聚焦到所述襯底W的目標(biāo)部分C上。通過(guò)第二定位裝置PW和位置傳感器IF(例如，干涉儀器件、線性編碼器、二維編碼器或電容傳感器)的幫助，可以精確地移動(dòng)所述襯底臺(tái)WT，例如以便將不同的目標(biāo)部分C定位于所述輻射束B(niǎo)的路徑中。類(lèi)似地，例如在從掩模庫(kù)中機(jī)械獲取或在掃描期間，可以將所述第一定位裝置PM和另一個(gè)位置傳感器IF(在圖1中沒(méi)有明確地示出)用于相對(duì)于所述輻射束B(niǎo)的路徑精確地定位掩模MA。通常，可以通過(guò)形成所述第一定位裝置PM的一部分的長(zhǎng)行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)的幫助來(lái)實(shí)現(xiàn)支撐結(jié)構(gòu)MT的移動(dòng)。類(lèi)似地，可以采用形成所述第二定位裝置PW的一部分的長(zhǎng)行程模塊和短行程模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)所述襯底臺(tái)WT的移動(dòng)。在步進(jìn)機(jī)的情況下(與掃描器相反)，支撐結(jié)構(gòu)MT可以僅與短行程致動(dòng)器相連，或可以是固定的。可以使用圖案形成裝置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記M1、M2和襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記P1、P2來(lái)對(duì)準(zhǔn)圖案形成裝置MA和襯底W。盡管所示的襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記占據(jù)了專(zhuān)用目標(biāo)部分，但是他們可以位于目標(biāo)部分之間的空間(這些公知為劃線對(duì)齊標(biāo)記)上。類(lèi)似地，在將多于一個(gè)的管芯設(shè)置在圖案形成裝置MA上的情況下，所述圖案形成裝置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可以位于所述管芯之間?？梢詫⑺镜脑O(shè)備用于以下模式中的至少一種中1.在步進(jìn)模式中，在將支撐結(jié)構(gòu)MT和襯底臺(tái)WT保持為基本靜止的同時(shí)，將賦予所述輻射束的整個(gè)圖案一次投影到目標(biāo)部分C上(即，單一的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底臺(tái)WT沿X和/或Y方向移動(dòng)，使得可以對(duì)不同目標(biāo)部分C曝光。在步進(jìn)模式中，曝光場(chǎng)的最大尺寸限制了在單一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標(biāo)部分C的尺寸。2.在掃描模式中，在對(duì)支撐結(jié)構(gòu)MT和襯底臺(tái)WT同步地進(jìn)行掃描的同時(shí)，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上(即，單一的動(dòng)態(tài)曝光)。襯底臺(tái)WT相對(duì)于支撐結(jié)構(gòu)MT的速度和方向可以通過(guò)所述投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來(lái)確定。在掃描模式中，曝光場(chǎng)的最大尺寸限制了單一的動(dòng)態(tài)曝光中的所述目標(biāo)部分的寬度(沿非掃描方向)，而所述掃描移動(dòng)的長(zhǎng)度確定了所述目標(biāo)部分的高度(沿所述掃描方向)。3.在另一個(gè)模式中，將用于保持可編程圖案化裝置的支撐結(jié)構(gòu)MT保持為基本靜止?fàn)顟B(tài)，并且在將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上的同時(shí)，對(duì)所述襯底臺(tái)WT進(jìn)行移動(dòng)或掃描。在這種模式中，通常采用脈沖輻射源，并且在所述襯底臺(tái)WT的每一次移動(dòng)之后、或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案化裝置。這種操作模式可易于應(yīng)用于利用可編程圖案化裝置(例如，如上所述類(lèi)型的可編程反射鏡陣列)的無(wú)掩模光刻中。也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。圖2示意地示出根據(jù)實(shí)施例的局部冷卻器100。局部冷卻器100使用焦耳-湯姆遜效應(yīng)。焦耳-湯姆遜效應(yīng)描述由于真實(shí)氣體的突然膨脹帶來(lái)的溫度改變。在膨脹期間許多氣體冷卻，例如二氧化碳和氮?dú)?以及空氣)。其他的氣體(例如氦氣和氫氣)升溫。在實(shí)施例中，使用二氧化碳。在實(shí)施例中，使用極清潔的干燥空氣(即，過(guò)濾并除濕后的空氣，通常稱(chēng)為XCDA并在光刻設(shè)備中廣泛使用)。所描述的實(shí)施例示出裝置被用作冷卻器。然而，本發(fā)明的實(shí)施例同等地應(yīng)用于加熱器(例如，以便補(bǔ)償襯底在浸沒(méi)設(shè)備中可能經(jīng)歷的由于浸沒(méi)液體的蒸發(fā)帶來(lái)的局部冷卻)。在膨脹期間升溫的氣體的一個(gè)示例是氦氣。該冷卻器相對(duì)于傳統(tǒng)的液體冷卻器的優(yōu)點(diǎn)在于，冷卻氣體可以被供給至將要被冷卻的部件120并在該將要被冷卻的部件和/或設(shè)備的溫度接近該部件和/或設(shè)備的設(shè)定點(diǎn)溫度時(shí)離開(kāi)該部件和/或設(shè)備。附加地，在已經(jīng)被用于冷卻之后的氣體可以在設(shè)備中再次使用。所述氣體可以被再次使用，例如用于清洗操作以從特定區(qū)域(例如，圍繞掩?；蛭恢脺y(cè)量系統(tǒng)的輻射束通過(guò)的區(qū)域的環(huán)境)驅(qū)除不想要的氣體和/或污染物。該氣體可以作為例如氣刀、非接觸密封或干燥站的部分再次被使用。再次使用可以需要例如通過(guò)用于冷卻投影系統(tǒng)的調(diào)節(jié)后的冷卻液體的溫度調(diào)節(jié)和/或過(guò)濾。如圖2所示，局部冷卻器包括氣體通道110和流量限制裝置115。當(dāng)氣體流過(guò)氣體通道110并通過(guò)流量限制裝置115，壓降升高。根據(jù)焦耳-湯姆遜效應(yīng)這導(dǎo)致氣體的突然膨脹和氣體的冷卻。然后冷卻后的氣體被引導(dǎo)以冷卻將要被冷卻的部件120的表面。在一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)引導(dǎo)冷卻后的氣體流過(guò)將要被冷卻的部件120的表面來(lái)實(shí)現(xiàn)。在一個(gè)實(shí)施例中，冷卻后的氣體被用于冷卻從將要被冷卻的部件120的表面提取熱的管道。通過(guò)冷卻后的氣體與將要被冷卻的部件120的表面的直接或間接接觸可以冷卻。在實(shí)施例中，局部冷卻器包括多于一個(gè)的具有相應(yīng)的流量限制裝置115的通道110。每個(gè)通道110的膨脹的氣體可以被引導(dǎo)至將要被冷卻的部件120的表面的不同區(qū)域。以此方式可以在不同位置應(yīng)用局部冷卻負(fù)載并且在合適的控制的情況下保持部件120的整個(gè)表面絕熱。在實(shí)施例中，多于一個(gè)的流量限制裝置115設(shè)置在通道110中。與部件120的表面接觸的氣體將通過(guò)該表面升溫，使得最靠近流量限制裝置115的冷卻負(fù)載大于較遠(yuǎn)離流量限制裝置115的冷卻負(fù)載。為了補(bǔ)償這并且允許將更加均勻的冷卻負(fù)載應(yīng)用至大的表面，多于一個(gè)流量限制裝置115可以串聯(lián)地設(shè)置使得氣體膨脹至少兩倍，由此被冷卻兩倍。這在圖2中通過(guò)點(diǎn)線形式的第二流量限制裝置115A示出。在氣體通道110中可以串聯(lián)地設(shè)置任意數(shù)量的流量限制裝置115U15A。提供冷卻控制器130以控制整個(gè)流量限制裝置115U15A上的氣體的壓降并由此控制局部冷卻負(fù)載的量。在如圖2所示的實(shí)施例中，流量限制裝置115U15A是可變的流量限制裝置。冷卻控制器130適于控制流量限制的量(例如氣體通過(guò)的狹縫或孔的尺寸)，并由此控制壓降的量。冷卻控制器130可以以任何方式控制壓降(例如，流量限制裝置115U15A的尺寸)的量。在實(shí)施例中，冷卻控制器130以前饋為基礎(chǔ)工作(其中，控制器了解期望將要應(yīng)用至將要被冷卻的部件120的表面的熱負(fù)載，并且可以預(yù)期隨后溫度的升高)。在實(shí)施例中，如圖2所示，冷卻控制器130以反饋方式控制壓降。在一個(gè)實(shí)施例中，控制是基于部件120的通過(guò)(表面)溫度傳感器140感測(cè)的(例如表面)溫度。因此，如果部件120的表面溫度升高高于特定(例如預(yù)定)值，則控制器130可以升高壓降(例如通過(guò)減小流量限制裝置的尺寸)，由此提高局部冷卻負(fù)載的量。相反，如果部件120的表面溫度升高，使得期望較低的冷卻負(fù)載，控制器130可以通過(guò)增大流量限制裝置115U15A的尺寸降低壓降，并由此減小局部冷卻負(fù)載的量。在圖2的實(shí)施例中，設(shè)置質(zhì)量流量控制器150，其沿通道110提供基本上恒定的氣體流動(dòng)。質(zhì)量流量控制器150 (其可以并入泵151)配置成提供特定的(例如預(yù)定的)氣體流量通過(guò)通道110。控制器130通過(guò)單獨(dú)調(diào)節(jié)可變流量限制裝置115控制冷卻負(fù)載的量。正如參照?qǐng)D3將要描述的，在實(shí)施例中，通過(guò)控制器130可以指導(dǎo)質(zhì)量流量控制器150以調(diào)整氣體流量的量。通過(guò)改變流量限制裝置115U15A的上游側(cè)的壓力，可以改變整個(gè)流量限制裝置115U15A的壓降的量。附加地，較高的質(zhì)量流速導(dǎo)致較高氣體流動(dòng)的熱傳遞系數(shù)和熱容量。如上所述，氣體可以是二氧化碳或XCDA或氮?dú)?，并且由?60供給。在通道末端的氣體到達(dá)出口 170，出口 170在要被冷卻的部件120的表面下游。在實(shí)施例中氣體處理系統(tǒng)180連接至出口 170。氣體處理系統(tǒng)180可以使用來(lái)自通道110的氣體。該使用可以為用作冷卻劑以外的其他用途。這種氣體使用的示例包括用以凈化不想要的氣體和/或顆粒(例如，來(lái)自微環(huán)境或來(lái)自測(cè)量系統(tǒng)的測(cè)量束通過(guò)的空間)的空間，用以形成兩個(gè)表面之間的非接觸密封，和/或干燥濕潤(rùn)或浸濕的表面。在實(shí)施例中，流出出口 170的氣體被循環(huán)至氣源160。在實(shí)施例中，流出出口 170的氣體被允許進(jìn)入光刻設(shè)備所處的環(huán)境中。出口 170可以連接至光刻設(shè)備的排氣系統(tǒng)外側(cè)。熱交換器190可以設(shè)置在流量限制裝置115U15A的上游。熱交換器190可以例如使用液體作為熱傳遞介質(zhì)。熱交換器190使得氣體的溫度充分接近設(shè)備的參照溫度，使得形成通道110的一個(gè)或多個(gè)管道將大體處于接近部件和/或設(shè)備的參照溫度的溫度。可以提供下游溫度傳感器200以測(cè)量部件120 (例如部件120的表面)下游的氣體通道110內(nèi)的氣體的溫度。冷卻控制器130可以監(jiān)測(cè)下游溫度傳感器200所測(cè)量的溫度。該溫度可以用于控制回路。例如，冷卻控制器130可以適于基于下游溫度傳感器200測(cè)量(例如以反饋方式)的溫度調(diào)節(jié)壓降。替換地或附加地，下游溫度傳感器200測(cè)量的溫度可以用于幫助確保部件120下游的氣體大體接近部件和/或設(shè)備的設(shè)定點(diǎn)溫度。在實(shí)施例中，提供壓力傳感器210測(cè)量流量限制裝置115U15A的上游的通道110內(nèi)的氣體壓力。壓力傳感器210的輸出可以提供至限制控制器(其可以是冷卻控制器130的部分)。當(dāng)壓力傳感器210測(cè)量的壓力超過(guò)特定值時(shí)限制控制器可以限制流量限制裝置115U15A的上游的通道110內(nèi)的氣體壓力。例如，限制控制器可以控制流量限制裝置115，115A的尺寸和/或指導(dǎo)質(zhì)量流量控制器150減小通道110內(nèi)氣體的質(zhì)量流量和/或驅(qū)動(dòng)(或被驅(qū)動(dòng))壓力調(diào)節(jié)器以調(diào)節(jié)流量限制裝置上游的通道110內(nèi)的氣體壓力。在實(shí)施例中，冷卻控制器130可以調(diào)節(jié)壓力調(diào)節(jié)器的壓力，由此控制整個(gè)流量限制裝置115U15A上的壓降。在實(shí)施例中，冷卻控制器130可以至少部分地基于壓力傳感器210測(cè)量的壓力控制質(zhì)量流量控制器150和/或流量限制裝置115U15A。如圖2所示，質(zhì)量流量控制器150可以發(fā)送信號(hào)至冷卻控制器130。該信號(hào)可以例如涉及系統(tǒng)的限制，例如有關(guān)到達(dá)的最大質(zhì)量流量的信息，或質(zhì)量流量控制器150不能增大質(zhì)量流量超過(guò)預(yù)定點(diǎn)(例如超過(guò)當(dāng)前速率)的信息。替換地或附加地，當(dāng)實(shí)現(xiàn)最大壓降以進(jìn)一步提高冷卻功率時(shí)可以提高質(zhì)量流量。冷卻控制器130可以使用來(lái)自一個(gè)或多個(gè)傳感器140、200、210的反饋以改變策略或提供反饋至系統(tǒng)限制已經(jīng)到達(dá)的使用者。圖3示出另一實(shí)施例。圖3的實(shí)施例與圖2中的實(shí)施例相同，除了下面描述的。在圖3的實(shí)施例中，冷卻控制器130控制質(zhì)量流量控制器150。通過(guò)調(diào)節(jié)質(zhì)量流量控制器150改變通過(guò)通道110的氣體流量至少部分地改變流量限制裝置115，115A上的壓降。在這樣的實(shí)施方式中，流量限制裝置115U15A可以是可變流量限制裝置(在這種情形中，通過(guò)改變質(zhì)量流量和流量限制裝置尺寸冷卻控制器130可以改變壓降)。在實(shí)施方式中，流量限制裝置115U15A可以是不變流量的限制裝置，使得僅通過(guò)改變通過(guò)流動(dòng)通道110的質(zhì)量流量控制壓降。流量限制裝置115U15A上游的壓力調(diào)節(jié)器可以用于改變流量限制裝置115U15A上游的氣體通道110內(nèi)的壓力。通過(guò)改變壓力調(diào)節(jié)器的設(shè)置，流量限制裝置115U15A上的壓降可以被改變。冷卻系統(tǒng)是非常靈活的并且具有相對(duì)簡(jiǎn)單的不涉及在偏離設(shè)定點(diǎn)溫度的溫度條件下冷卻介質(zhì)流動(dòng)的控制。系統(tǒng)的響應(yīng)時(shí)間可以比遭受熱慣性困擾的基于液體的閉回路冷卻系統(tǒng)好。也就是說(shuō)，因?yàn)橐后w較高的熱容量，加熱液體(以提取能量)的時(shí)間滯后大于加熱氣體的時(shí)間滯后。冷卻系統(tǒng)可以不像基于液體的冷卻系統(tǒng)那樣需要溫度調(diào)節(jié)設(shè)置。然而，基于液體的冷卻系統(tǒng)可以提取比本文所述的冷卻系統(tǒng)多的熱能。在實(shí)施例中，不需要用于將要循環(huán)的氣體的返回通道。這可以減少軟管束中的軟管數(shù)量。在所述體積和剛性以及動(dòng)態(tài)性能方面這是有利的。如上所述，在氣體已經(jīng)用于冷卻控制部件120的表面之后，氣體可以用于以有效的方式解決其他的問(wèn)題。附加地，光刻設(shè)備中的液體通常是不期望的。在特定區(qū)域中，必須避免存在液體。在其他區(qū)域中液體的泄露可以引起問(wèn)題，而氣體的泄露問(wèn)題較小。下文給出實(shí)現(xiàn)具有通道110的冷卻系統(tǒng)，通道110尺寸為1x200x300mm，氣體流速小于10m/s，對(duì)于100標(biāo)準(zhǔn)升每分鐘的流速(大氣壓力且(TC )雷諾數(shù)小于2200，對(duì)于XCDA熱傳遞系數(shù)大約100W/m2K而對(duì)于CO2熱傳遞系數(shù)大約65W/m2K。對(duì)于二氧化碳和空氣的數(shù)據(jù)顯示，在22°C條件下對(duì)于CO2的情形焦耳-湯姆遜系數(shù)為大約1. 080K/bar,而對(duì)于XCDA情形焦耳-湯姆遜系數(shù)為大約0. 237K/bar。這顯示，在具有大約4bar的壓降的上述區(qū)域(1x0. 2mx0. 3m)內(nèi)熱傳遞可以得到熱傳遞區(qū)域內(nèi)平均熱傳遞對(duì)于XCDA為大約50W/m2，對(duì)CO2為大約130W/m2。限制因素是氣流的熱容量，使得XCDA氣流的冷卻功率為大約2. 2W，而對(duì)于0)2大約11W。雖然上面示出由冷卻系統(tǒng)提取的熱量可以不那么大，但是這對(duì)于特定部件是有用的冷卻量，尤其是對(duì)于光刻設(shè)備中的上述軟管。冷卻系統(tǒng)100可以用于冷卻光刻設(shè)備中的任何部件。示例包括襯底臺(tái)WT的一部分，例如襯底臺(tái)WT的致動(dòng)器，尤其是適于與直徑為450nm或300nm(或同等的尺寸)的襯底W—起使用的襯底臺(tái)WT的致動(dòng)器。本發(fā)明不限于襯底的尺寸和/或形狀。用于大襯底W的襯底臺(tái)WT可以包括一個(gè)或多個(gè)操縱器以讓襯底W的表面變平，并且這種操縱器的尺寸可以使得通過(guò)其中流動(dòng)的電流應(yīng)用到操縱器的熱負(fù)載足夠低，以便通過(guò)上述的冷卻系統(tǒng)提取。冷卻系統(tǒng)可以用于局部地冷卻襯底，例如由用于襯底W的襯底支撐裝置的下側(cè)冷卻襯底。冷卻系統(tǒng)可以用于冷卻投影系統(tǒng)PS的部件，包括頂板。冷卻系統(tǒng)100可以用于冷卻光刻設(shè)備的部件，例如光刻設(shè)備的傳感器或臺(tái)(位置)編碼器。冷卻系統(tǒng)100可以用于冷卻使用圖案化陣列或調(diào)制器以圖案化投影束(例如，用于接收多個(gè)來(lái)自調(diào)制器的束的透鏡陣列)的光刻設(shè)備或EUV光刻設(shè)備的部件。在流量限制裝置115設(shè)置在所述部件上游的情況下用于提供氣體至(或離開(kāi))部件的一個(gè)或多個(gè)管道可以是柔性的。冷卻系統(tǒng)100可以用于冷卻下文參照?qǐng)D4和5描述的頂板。頂板可以通過(guò)支持結(jié)構(gòu)MT電動(dòng)機(jī)和/或投影束PB和/或掩模版基準(zhǔn)(其可以在測(cè)量期間通過(guò)激光器加熱并且隨后輻射熱至頂板)局部地加熱。在光刻投影設(shè)備中，期望在圖案形成裝置MA的區(qū)域內(nèi)保持受控制的內(nèi)部氣體環(huán)境?？梢钥刂茍D案形成裝置的區(qū)域內(nèi)的內(nèi)部氣體環(huán)境以防止污染物和/或具有可變性質(zhì)的空氣干擾輻射束和/或圖案形成裝置的敏感元件。通常內(nèi)部氣體環(huán)境基本上與外部區(qū)域隔離，但是優(yōu)選是封鎖密封的?？梢蕴峁┚哂羞M(jìn)入內(nèi)部氣體環(huán)境的出口的氣體供給系統(tǒng)并配置以在內(nèi)部氣體環(huán)境內(nèi)保持過(guò)壓。過(guò)壓驅(qū)動(dòng)氣體流出(例如,大體恒定的流量)內(nèi)部氣體環(huán)境(即，用于凈化環(huán)境)。氣體向外流動(dòng)幫助阻止污染物流入。氣體的向外流動(dòng)可以通過(guò)泄漏密封形成溝道，例如通過(guò)相對(duì)的流動(dòng)限制表面。附加地，期望測(cè)量系統(tǒng)的一個(gè)或多個(gè)編碼器和/或干涉儀束通過(guò)的路徑?jīng)]有污染物并且具有一個(gè)或多個(gè)大體恒定的性質(zhì)。圖4示出一個(gè)實(shí)施例，其示出如何在支撐結(jié)構(gòu)MT上面的區(qū)域內(nèi)實(shí)現(xiàn)內(nèi)部氣體環(huán)境4的控制。在該示例中的內(nèi)部氣體環(huán)境4位于一側(cè)上的圖案形成裝置MA和支撐結(jié)構(gòu)MT之間，照射系統(tǒng)IL的最終元件2 (和圍繞的硬件)位于另一側(cè)。因此，圖示的內(nèi)部氣體環(huán)境4是輻射束在照射到圖案形成裝置MA之前將通過(guò)的容積。在圖4和5示出的示例中，提供氣體供給系統(tǒng)5以經(jīng)由出口 7供給氣體至內(nèi)部氣體環(huán)境4?？梢砸跃哂惺芸刂频某煞趾?或以受控制的流速或流量供給氣體。該氣體可以來(lái)自冷卻系統(tǒng)的出口 170?？蛇x地，在內(nèi)部氣體環(huán)境4內(nèi)保持過(guò)壓。過(guò)壓導(dǎo)致氣體的向外流動(dòng)，如箭頭6示意地示出。氣體供給系統(tǒng)5和/或出口 7可以安裝在圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)MT(如圖所示)上或內(nèi)部和/或安裝在圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)MT上面和/或下面的元件上或內(nèi)部。例如，氣體供給系統(tǒng)5和/或出口 7可以安裝到照射系統(tǒng)IL的最終元件2上或內(nèi)部。替換地或附加地，氣體供給系統(tǒng)5和/或出口 7可以安裝在投影系統(tǒng)PS的第一元件3上或內(nèi)部。通過(guò)第一和第二平面元件8A、10A可以控制流量/速度的空間分布，如圖4所示。第一平面元件8A是例如給出第一流動(dòng)限制表面8B。第二平面元件IOA是例如給出第二流動(dòng)限制表面IOB。圖4的流動(dòng)限制表面8B、10B彼此面對(duì)并且被配置成抵制通過(guò)其之間的間隙的向內(nèi)和向外的氣體流動(dòng)。抵制向內(nèi)的氣體流動(dòng)有助于減小內(nèi)部氣體環(huán)境4的污染。抵制向外的氣體流動(dòng)有助于氣體供給系統(tǒng)5在內(nèi)部氣體環(huán)境4內(nèi)保持穩(wěn)定的過(guò)壓。流動(dòng)限制表面SB、IOB還給出氣體向外流動(dòng)通過(guò)的相對(duì)小的間隙。這導(dǎo)致氣體向外流動(dòng)速度增大。速度的增大抵消污染物向內(nèi)的擴(kuò)散。此外，基于下面的原因，較高的向外速度可以是有益的。例如，當(dāng)圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)MT沿第一方向Y移動(dòng)，其在其行蹤內(nèi)形成較低的壓力區(qū)域，其傾向于由環(huán)境氣體(例如空氣)填充，其期望保持在內(nèi)部氣體環(huán)境之外。當(dāng)隨后圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)MT沿相反方向掃描返回，期望的是，輸出的速度應(yīng)該至少比圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)MT的掃描速度高(并且期望地，高于掃描速度加上環(huán)境氣體向內(nèi)流入較低壓力區(qū)域的最大速度)以便減少或完全避免環(huán)境氣體嚴(yán)重地向內(nèi)流入內(nèi)部氣體環(huán)境。圖5示出與圖4的布置對(duì)應(yīng)的布置，除了內(nèi)部氣體環(huán)境4位于圖案形成裝置MA之下。因此圖示的內(nèi)部氣體環(huán)境4是輻射束在其抵達(dá)圖案形成裝置MA之后將通過(guò)的容積。內(nèi)部氣體環(huán)境4在一側(cè)由支撐結(jié)構(gòu)MT和圖案形成裝置MA包含或限制，并且在另一側(cè)上由投影系統(tǒng)PS的第一元件(及其周?chē)挠布?3(例如，(至少部分地透明的)可以通過(guò)上述的冷卻系統(tǒng)冷卻的頂板)包含或限制。在該示例中支撐結(jié)構(gòu)MT包括形成在其下部分內(nèi)的第一平面元件9A。第一平面元件9A具有第一流動(dòng)限制表面9B。投影系統(tǒng)PS的第一元件具有連接至其上表面的第二平面元件11A。第二平面元件IlA具有第二流動(dòng)限制表面11B。第二流動(dòng)限制表面IlB配置成面對(duì)第一流動(dòng)限制表面9B。在圖4的布置和圖5的布置中，箭頭6示意地表示來(lái)自氣體供給系統(tǒng)5的出口 7的氣流通過(guò)內(nèi)部氣體環(huán)境4的中心區(qū)域，并且流過(guò)流動(dòng)限制表面8B、9B、10B、11B之間的間隙至內(nèi)部氣體環(huán)境4的外部區(qū)域。雖然本專(zhuān)利詳述了光刻設(shè)備在制造ICs中的應(yīng)用，應(yīng)該理解到，這里描述的方法和設(shè)備可以有其它的應(yīng)用，例如制造集成光電系統(tǒng)、磁疇存儲(chǔ)器的引導(dǎo)和檢測(cè)圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCDs)、薄膜磁頭等。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該看到，在這種替代應(yīng)用的情況中，可以將其中使用的任意術(shù)語(yǔ)“晶片”或“管芯”分別認(rèn)為是與更上位的術(shù)語(yǔ)“襯底”或“目標(biāo)部分”同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進(jìn)行處理，例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并且對(duì)已曝光的抗蝕劑進(jìn)行顯影的工具)、量測(cè)工具和/或檢驗(yàn)工具中。在可應(yīng)用的情況下，可以將所述公開(kāi)內(nèi)容應(yīng)用于這種和其他襯底處理工具中。另外，所述襯底可以處理一次以上，例如為產(chǎn)生多層1C，使得這里使用的所述術(shù)語(yǔ)“襯底”也可以表示已經(jīng)包含多個(gè)已處理層的襯底。雖然上面詳述了本發(fā)明的實(shí)施例在光刻設(shè)備的應(yīng)用，應(yīng)該注意到，本發(fā)明可以有其它的應(yīng)用，例如壓印光刻，并且只要情況允許，不局限于光學(xué)光刻。在壓印光刻中，圖案形成裝置中的拓?fù)湎薅嗽谝r底上產(chǎn)生的圖案。可以將所述圖案形成裝置的拓?fù)溆∷⒌教峁┙o所述襯底的抗蝕劑層中，在其上通過(guò)施加電磁輻射、熱、壓力或其組合來(lái)使所述抗蝕劑固化。在所述抗蝕劑固化之后，所述圖案形成裝置從所述抗蝕劑上移走，并在抗蝕劑中留下圖案。這里使用的術(shù)語(yǔ)“輻射”和“束”包含全部類(lèi)型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例如具有約365、355、248、193、157或126nm的波長(zhǎng))和極紫外(EUV)輻射(例如具有在5-20nm范圍內(nèi)的波長(zhǎng))以及諸如離子束或電子束的粒子束。上面已經(jīng)描述了本發(fā)明的特定的實(shí)施例，但應(yīng)該理解本發(fā)明可以應(yīng)用到除上面所述以外的情形。例如，本發(fā)明的實(shí)施例可以采用包含描述以上公開(kāi)的方法的一個(gè)或多個(gè)機(jī)器可讀指令的計(jì)算機(jī)程序形式，或一個(gè)存儲(chǔ)所述的計(jì)算機(jī)程序的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)媒介(例如半導(dǎo)體存儲(chǔ)器、磁盤(pán)或光盤(pán))。此外，機(jī)器可讀指令可以嵌入到兩個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)程序中。所述兩個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)程序可以存儲(chǔ)在一個(gè)或多個(gè)不同的存儲(chǔ)器中和/或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)。本發(fā)明可以應(yīng)用于直徑為300nm或450nm或任何其他尺寸的襯底。這里所說(shuō)的任何控制器在一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)程序通過(guò)位于光刻設(shè)備的至少一個(gè)部件中的一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)處理器讀取時(shí)可以每一個(gè)或組合地操作。控制器可以每一個(gè)或組合地具有任何合適的配置用于接收、處理以及發(fā)送信號(hào)。一個(gè)或多個(gè)處理器配置成與至少一個(gè)控制器連通。例如，每一個(gè)控制器可以包括一個(gè)或多個(gè)處理器用于執(zhí)行包括用于上述方法的機(jī)器可讀指令的計(jì)算機(jī)程序?？刂破骺梢园〝?shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)用于存儲(chǔ)這種計(jì)算機(jī)程序，和/或硬件用于容納這種介質(zhì)。因而控制器可以根據(jù)一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)程序的機(jī)器可讀指令操作。本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例可以應(yīng)用于任何浸沒(méi)光刻設(shè)備，不管是那些以浴器的形式、僅在襯底的局部表面區(qū)域或以非限制狀態(tài)提供浸沒(méi)流體的浸沒(méi)光刻設(shè)備。在一非限制的配置中，浸沒(méi)流體可以在所述襯底和/或襯底臺(tái)的所述表面上流動(dòng)，使得整個(gè)未覆蓋的襯底和/或襯底臺(tái)的表面都被浸濕。在這種非限制浸沒(méi)系統(tǒng)中，液體供給系統(tǒng)不限制浸沒(méi)流體，或者提供一定比例的浸沒(méi)流體限制，但基本上不是完全的浸沒(méi)流體限制。在一個(gè)實(shí)施例中，光刻設(shè)備是多操作臺(tái)設(shè)備，包括位于投影系統(tǒng)的曝光側(cè)的兩個(gè)或多個(gè)臺(tái)，每個(gè)臺(tái)包括和/或保持一個(gè)或多個(gè)物體。在一個(gè)實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)臺(tái)可以保持輻射敏感襯底。在一個(gè)實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)臺(tái)可以保持傳感器以測(cè)量來(lái)自投影系統(tǒng)的輻射。在一個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)操作臺(tái)設(shè)備包括第一臺(tái)，配置成保持輻射敏感襯底(即，襯底臺(tái))和不配置成保持輻射敏感襯底的第二臺(tái)(下文一般地且非限制地稱(chēng)為測(cè)量臺(tái)和/或清潔臺(tái))。第二臺(tái)可以包括和/或可以保持一個(gè)或多個(gè)物體，而不是輻射敏感襯底。這種一個(gè)或多個(gè)物體可以包括選自下列的一個(gè)或多個(gè)用以測(cè)量來(lái)自投影系統(tǒng)的輻射的傳感器、一個(gè)或多個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，和/或清潔裝置(用以清潔，例如液體限制結(jié)構(gòu))。在一個(gè)實(shí)施例中，光刻設(shè)備可以包括編碼器系統(tǒng)用以測(cè)量設(shè)備的部件的位置、速度等。在一個(gè)實(shí)施例中，所述部件包括襯底臺(tái)。在一個(gè)實(shí)施例中，所述部件包括測(cè)量臺(tái)和/或清潔臺(tái)。編碼器系統(tǒng)可以附加地或替換地是此處描述的用于臺(tái)的干涉儀系統(tǒng)。編碼器系統(tǒng)包括與標(biāo)尺或格柵相關(guān)的或成對(duì)的傳感器、變換器或讀頭。在一個(gè)實(shí)施例中，可移動(dòng)的部件(例如襯底臺(tái)和/或測(cè)量臺(tái)和/或清潔臺(tái))具有一個(gè)或多個(gè)標(biāo)尺或格柵，和，光刻設(shè)備的所述部件相對(duì)于它們移動(dòng)的框架具有一個(gè)或多個(gè)傳感器、變換器或讀頭。一個(gè)或多個(gè)傳感器、變換器或讀頭與標(biāo)尺或格柵協(xié)同操作以確定部件的位置、速度等。在一個(gè)實(shí)施例中，光刻設(shè)備的所述部件相對(duì)于它們移動(dòng)的框架具有一個(gè)或多個(gè)標(biāo)尺或格柵，并且可移動(dòng)部件(例如，襯底臺(tái)和/或測(cè)量臺(tái)和/或清潔臺(tái))具有一個(gè)或多個(gè)傳感器、變換器或讀頭，其與標(biāo)尺或格柵協(xié)同操作以確定部件的位置、速度等。在允許的情況下術(shù)語(yǔ)“透鏡”可以表示不同類(lèi)型的光學(xué)構(gòu)件中的任何一種或其組合，包括折射式的、反射式的、磁性的以及靜電的光學(xué)構(gòu)件。上述說(shuō)明書(shū)是為了說(shuō)明而不是限制。因此，在不脫離權(quán)利要求的范圍的情況下對(duì)這里所描述的本發(fā)明進(jìn)行修改對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是顯而易見(jiàn)的。另外一個(gè)方面，本發(fā)明還提供以下技術(shù)方案1. 一種光刻設(shè)備，包括部件；局部冷卻器，用以提供局部冷卻負(fù)載至所述部件，所述局部冷卻器包括氣體通道，所述氣體通道包括所述部件上游的流量限制裝置并且配置成引導(dǎo)來(lái)自流量限制裝置的氣流以冷卻所述部件的表面。2.如前述技術(shù)方案I所述光刻設(shè)備，其中，所述氣體通道還包括位于所述部件下游的出口。3.如前述技術(shù)方案2所述的光刻設(shè)備，其中，氣體處理系統(tǒng)連接至所述出口并配置成使用來(lái)自所述通道的氣體主要用于作為冷卻劑以外的用途。4.如前述技術(shù)方案3所述的光刻設(shè)備，其中，氣體處理系統(tǒng)配置成使用來(lái)自通道的氣體以凈化不想要的氣體或污染物的空間或用以在兩個(gè)表面之間形成非接觸密封或用以干燥濕潤(rùn)表面。5.如前述技術(shù)方案1-4中任一項(xiàng)所述的光刻設(shè)備，其中，所述局部冷卻器還包括冷卻控制器，所述冷卻控制器適于控制在流量限制裝置上的氣體的壓降并由此控制所述部件上的局部冷卻負(fù)載的量。6.如前述技術(shù)方案5所述的光刻設(shè)備，其中，所述流量限制裝置是可變流量限制裝置，以及冷卻控制器配置成控制流量限制裝置的尺寸并由此控制壓降的量。7.如前述技術(shù)方案5或6所述的光刻設(shè)備,還包括質(zhì)量流量控制器,所述質(zhì)量流量控制器配置成提供特定氣流通過(guò)所述通道。8.如前述技術(shù)方案7所述的光刻設(shè)備，其中，所述質(zhì)量流量控制器配置成將氣體流量保持在基本上恒定的量。9.如前述技術(shù)方案7所述的光刻設(shè)備，其中，冷卻控制器配置成控制質(zhì)量流量控制器以調(diào)節(jié)氣流的量并由此控制壓降的量。10.如前述技術(shù)方案5-9中任一項(xiàng)所述的光刻設(shè)備，還包括壓力調(diào)節(jié)器，所述壓力調(diào)節(jié)器配置成調(diào)節(jié)流量限制裝置上游的通道內(nèi)的氣體壓力。11.如前述技術(shù)方案10所述的光刻設(shè)備，其中，冷卻控制器配置成改變壓力調(diào)節(jié)器的壓力設(shè)置并且由此改變流量限制裝置上的壓降。12.如前述技術(shù)方案5-11中任一項(xiàng)所述的光刻設(shè)備，還包括溫度傳感器，所述溫度傳感器用以感測(cè)所述部件的溫度。
13.如前述技術(shù)方案12所述的光刻設(shè)備,其中，冷卻控制器配置成基于由溫度傳感器感測(cè)的溫度以反饋方式調(diào)節(jié)壓降。14.如前述技術(shù)方案5-13中任一項(xiàng)所述的光刻設(shè)備，還包括下游溫度傳感器用以測(cè)量所述部件下游的所述通道內(nèi)的氣體溫度。15.如前述技術(shù)方案14所述的光刻設(shè)備，其中，冷卻控制器配置成基于由下游溫度傳感器測(cè)量的溫度調(diào)節(jié)壓降。16.如前述技術(shù)方案5-15中任一項(xiàng)所述的光刻設(shè)備，還包括壓力傳感器，所述壓力傳感器配置成測(cè)量流量限制裝置上游的通道內(nèi)的氣體壓力。17.如前述技術(shù)方案16所述的光刻設(shè)備，還包括限制控制器，所述限制控制器配置成在通過(guò)壓力傳感器測(cè)量的壓力超過(guò)特定值時(shí)限制流量限制裝置上游的通道內(nèi)的氣體壓力。18.如前述技術(shù)方案1-17中任一項(xiàng)所述的光刻設(shè)備，還包括熱交換器，所述熱交換器配置成將流量限制裝置上游的通道內(nèi)的氣體保持在特定溫度。19.如前述技術(shù)方案1-18中任一項(xiàng)所述的光刻設(shè)備，其中，所述部件是配置成支撐襯底的襯底臺(tái)的一部分。20.如前述技術(shù)方案1-18中任一項(xiàng)所述的光刻設(shè)備，其中，所述部件是投影系統(tǒng)的一部分。21.如前述技術(shù)方案1-18中任一項(xiàng)所述的光刻設(shè)備，其中，所述部件是投影系統(tǒng)的頂板。22.如前述技術(shù)方案1-21中任一項(xiàng)所述的光刻設(shè)備，配置成將來(lái)自流量限制裝置的下游的氣體釋放進(jìn)入所述設(shè)備。23. 一種冷卻光刻設(shè)備內(nèi)的部件的方法，包括步驟提供氣流通過(guò)氣體通道并且驅(qū)動(dòng)氣體通過(guò)流量限制裝置以膨脹并冷卻氣體；和引導(dǎo)被膨脹和冷卻的氣體以冷卻將要被冷卻的部件的表面。
權(quán)利要求
1.ー種光刻設(shè)備，包括 部件； 局部冷卻器，用以提供局部冷卻負(fù)載至所述部件，所述局部冷卻器包括 氣體通道，所述氣體通道包括所述部件上游的流量限制裝置并且配置成引導(dǎo)來(lái)自流量限制裝置的氣流以冷卻所述部件的表面。
2.如權(quán)利要求1所述光刻設(shè)備，其中，所述氣體通道還包括位于所述部件下游的出ロ。
3.如權(quán)利要求2所述的光刻設(shè)備，其中，氣體處理系統(tǒng)連接至所述出口并配置成使用來(lái)自所述通道的氣體主要用于作為冷卻劑以外的用途。
4.如權(quán)利要求3所述的光刻設(shè)備，其中，氣體處理系統(tǒng)配置成使用來(lái)自通道的氣體以凈化不想要的氣體或污染物的空間或用以在兩個(gè)表面之間形成非接觸密封或用以干燥濕潤(rùn)表面。
5.如權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的光刻設(shè)備，其中，所述局部冷卻器還包括冷卻控制器，所述冷卻控制器適于控制在流量限制裝置上的氣體的壓降并由此控制所述部件上的局部冷卻負(fù)載的量。
6.如權(quán)利要求5所述的光刻設(shè)備，其中，所述流量限制裝置是可變流量限制裝置，以及冷卻控制器配置成控制流量限制裝置的尺寸并由此控制壓降的量。
7.如權(quán)利要求5或6所述的光刻設(shè)備，還包括質(zhì)量流量控制器，所述質(zhì)量流量控制器配置成提供特定氣流通過(guò)所述通道。
8.如權(quán)利要求7所述的光刻設(shè)備，其中，所述質(zhì)量流量控制器配置成將氣體流量保持在基本上恒定的量。
9.如權(quán)利要求7所述的光刻設(shè)備，其中，冷卻控制器配置成控制質(zhì)量流量控制器以調(diào)節(jié)氣流的量并由此控制壓降的量。
10.如權(quán)利要求5-9中任一項(xiàng)所述的光刻設(shè)備，還包括壓カ調(diào)節(jié)器，所述壓カ調(diào)節(jié)器配置成調(diào)節(jié)流量限制裝置上游的通道內(nèi)的氣體壓力。
全文摘要
一種光刻設(shè)備包括部件和用以應(yīng)用局部冷卻負(fù)載至所述部件的局部冷卻器。局部冷卻器具有氣體通道，氣體通道包括在所述部件上游的流量限制裝置并且配置成引導(dǎo)流出流量限制裝置的氣體的流動(dòng)以冷卻所述部件的表面。
文檔編號(hào)G03F7/20GK103034068SQ20121036160
公開(kāi)日2013年4月10日 申請(qǐng)日期2012年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月7日
發(fā)明者F·J·J·范鮑克斯臺(tái)爾, A·J·范德奈特, L·H·范德霍伊維爾 申請(qǐng)人:Asml荷蘭有限公司