Tft陣列基板及其液晶面板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種TFT陣列基板及其液晶面板，包括基板、位于所述基板表面上用于接收外部信號的多個襯墊、位于所述基板表面上并與所述襯墊對應設置的多個第一短路棒、位于所述基板表面上連接所有所述第一短路棒的第二短路棒，以及多個位于所述基板表面上且電連接所述襯墊及與其對應設置的第一短路棒的ESD器件。本發(fā)明在實現(xiàn)陣列基板制造過程中防靜電功能的同時，避免了測試時可能存在的因ITO刻蝕不干凈而造成短路棒及其相應襯墊之間短路進而引起的顯示異常問題。
【專利說明】TFT陣列基板及其液晶面板
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示領域，特別涉及一種TFT陣列基板，以及相應的液晶面板。
【背景技術】
[0002]近年，無論是在信息通訊設備還是普通的電器設備中都普遍采用液晶顯示面板。在液晶面板或者是陣列基板的制作過程中容易有靜電的積累，若不能夠很好的解決靜電問題易對產(chǎn)品造成嚴重的破壞。針對陣列基板制造過程中的FOG (柔性線路板與玻璃線路板的連接裝置)pad (襯墊)及測試pad，傳統(tǒng)的防靜電保護方式是通過短路棒連接形成一個短路環(huán)的方式來防靜電。如圖1所示，I表示FOG pad或者測試pad, 2表示與所有短路棒連接的短路環(huán)，該方案通過多個短路棒將所有的pad連接在一起，也即短路在一起。當靜電引起的大電流聚集在某一個FOG pad或者測試pad上時，電流即會通過相應的短路棒流至短路環(huán)上，進而分流到所有與該短路環(huán)相連的短路棒上，從而將該pad上的電流量降到一個很低的值，起到了釋放靜電的作用，保護了該pad不被損壞。陣列基板制作完成之后，即要對基板進行電學性質的測試，要分別對每個pad輸入獨立的信號以檢測基板的良率。因此，我們將沿線條3的方向切割玻璃基板，使每個pad成為獨立的信號接收端，在壓接驅動電路板以后才能夠正常顯示。
[0003]但是，在陣列基板制造過程中，所制作的短路棒會出現(xiàn)相互之間短路的問題。以ITO (氧化銦錫)作為制作短路棒的材料為例，若ITO刻蝕有殘留，那么切割后仍然會存在短路棒互相之間短路現(xiàn)象，那么在測試階段，由于每個短路棒分別連接至與其一一對應的pad，兩個相鄰的pad之間就存在了短路風險，其結果將造成測試時基板的顯示異常甚至無法點亮。如圖2所示，兩個相鄰pad 11、12，其各自對應短路棒41、42，因為刻蝕不干凈，在沿切割線3切割后，雖然padll和padl2不再共同連接至短路環(huán)2上，但他們仍然是互相短路的。那么在測試階段，在padll或者padl2中任意一個pad上施加測試信號，都會得到顯示異常的提醒。

【發(fā)明內容】

[0004]本發(fā)明解決的技術問題是在實現(xiàn)陣列基板制造過程中防靜電功能的同時，避免了測試時可能存在的因ITO刻蝕不干凈而造成短路棒及其相應pad之間短路進而引起的顯示異常問題。
[0005]為解決上述問題，本發(fā)明提供一種TFT陣列基板，包括:
基板；
位于所述基板表面上的多個襯墊，所述襯墊用于接收外部信號；
位于所述基板表面上的多個第一短路棒，所述第一短路棒與所述襯墊對應設置；
位于所述基板表面上的一第二短路棒，用于將所有所述第一短路棒連接在一起；所述陣列基板還包括多個位于所述基板表面上的ESD器件，每一個所述襯墊通過一個所述ESD器件電連接與其對應設置的第一短路棒。[0006]進一步地，所述ESD器件是基于TFT的單向或雙向ESD器件。
[0007]進一步地，所述襯墊包括第一襯墊和第二襯墊。
[0008]進一步地,所述第一襯墊是FOG襯墊。
[0009]進一步地，所述第二襯墊是測試襯墊。
[0010]進一步地，所述第一短路棒包括第一子短路棒和第二子短路棒，所述第一子短路棒與所述第一襯墊對應設置，所述第二子短路棒與所述第二襯墊對應設置。
[0011]進一步地，所述ESD器件包括第一 ESD器件和第二 ESD器件，所述第一 ESD器件電連接所述第一襯墊和第一子短路棒，所述第二 ESD器件電連接所述第二襯墊和第二子短路棒。
[0012]進一步地，所述第一 ESD器件或者第二 ESD器件是一級ESD器件。
[0013]進一步地，所述第一 ESD器件或者第二 ESD器件是多級ESD器件。
[0014]進一步地，所述第二 ESD器件是兩級ESD器件。
[0015]進一步地，所述第一短路棒或者第二短路棒是氧化銦錫。
[0016]本發(fā)明還提供了一種TFT液晶面板，包括:一彩色濾光基板、一與所述彩色濾光基板相對設置的TFT陣列基板、一夾在所述彩色濾光基板與所述TFT陣列基板之間液晶層，
所述彩色濾光基板包括一第一透明基板、位于所述第一透明基板面向所述液晶層一側的黑色矩陣層，以及一位于所述黑色矩陣層面向所述液晶層一側的彩色濾光膜層；
所述TFT陣列基板包括一與所述第一透明基板相對設置的第二透明基板、位于所述第二透明基板面向所述液晶層表面上的TFT陣列像素區(qū)域，以及外圍區(qū)域；
所述液晶層根據(jù)施加在所述彩色濾光基板與所述TFT陣列基板間的電壓大小控制其間的液晶分子的排列方式，進而產(chǎn)生不同灰階；
所述TFT陣列基板包括:
位于所述第二透明基板表面上的多個襯墊，所述襯墊用于接收外部信號；
位于所述第二透明基板表面上的多個第一短路棒，所述第一短路棒與所述襯墊對應設
置；
位于所述第二透明基板表面上的一第二短路棒，用于將所有所述第一短路棒連接在一
起;
多個位于所述第二透明基板表面上的ESD器件，每一個所述襯墊通過一個所述ESD器件電連接與其對應設置的第一短路棒。
[0017]進一步地，所述ESD器件是基于TFT的單向或雙向ESD器件。
[0018]進一步地，所述襯墊包括第一襯墊和第二襯墊。
[0019]進一步地,所述第一襯墊是FOG襯墊。
[0020]進一步地，所述第二襯墊是測試襯墊。
[0021]進一步地，所述第一短路棒包括第一子短路棒和第二子短路棒，所述第一子短路棒與所述第一襯墊對應設置，所述第二子短路棒與所述第二襯墊對應設置。
[0022]進一步地，所述ESD器件包括第一 ESD器件和第二 ESD器件，所述第一 ESD器件電連接所述第一襯墊和第一子短路棒，所述第二 ESD器件電連接所述第二襯墊和第二子短路棒。
[0023]進一步地，所述第一 ESD器件或者第二 ESD器件是一級ESD器件。[0024]進一步地，所述第一 ESD器件或者第二 ESD器件是多級ESD器件。
[0025]進一步地，所述第二 ESD器件是兩級ESD器件。
[0026]進一步地，所述第一短路棒或者第二短路棒是氧化銦錫。
[0027]相對于現(xiàn)有技術，本發(fā)明具有以下優(yōu)點:本發(fā)明提供了一種TFT陣列基板及其液晶面板，能起到陣列基板切割前的靜電防護作用，同時又能避免切割后、測試時可能存在的因ITO刻蝕不干凈而造成短路棒及其相應襯墊之間短路，進而避免了引起顯示異常問題。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0028]圖1是現(xiàn)有技術中陣列基板防靜電結構的示意圖；
圖2是現(xiàn)有技術中陣列基板切割示意圖；
圖3是本發(fā)明實施例一的陣列基板的示意圖；
圖4是圖3中基板邊緣襯墊部分的局部示意圖；
圖5是本發(fā)明實施例一中基于TFT的一級單向ESD器件原理圖；
圖6是本發(fā)明實施例一中基 于TFT的一級雙向ESD器件原理圖；
圖7是本發(fā)明實施例一中短路棒之間互相短路時的不意圖；
圖8是本發(fā)明實施例二的基板局部示意圖；
圖9是本發(fā)明實施例三中基于TFT的兩級雙向ESD器件的原理圖；
圖10是本發(fā)明實施例四中TFT液晶面板的立體圖。
【具體實施方式】
[0029]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】做詳細的說明。
[0030]在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實施，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施例的限制。
[0031]實施例一
請參閱圖3和圖4。其中，圖3顯示了本發(fā)明提供的一種TFT陣列基板，所述陣列基板102包括顯示區(qū)101和除所述顯示區(qū)域101以外的非顯示區(qū)。所述非顯示區(qū)包括IC (集成電路)驅動芯片103，用于將接收的各種信號傳入陣列基板，以控制顯示的灰階；襯墊區(qū)域104，用于接收外部信號，并將所述信號相應傳輸給所述IC驅動芯片；以及其他走線(圖中未示出)。圖4是圖3中所述陣列基板102邊緣處襯墊區(qū)域104的局部放大圖。
[0032]參閱圖4,本發(fā)明所述的TFT陣列基板,包括:
基板I ;
位于基板I表面上的多個襯墊2，襯墊2用于接收外部信號；這里的襯墊2可以是FOG襯墊，也可以是測試襯墊，也可以是其他用于接收外部信號的襯墊。不同種類的襯墊對應連接不同的外部電路，接收相應的、不同種類的外部信號。例如，當襯墊2是IC (集成電路)襯墊時，所述的外部信號即是IC信號，外部的IC驅動電路通過所述IC襯墊將IC信號輸入陣列基板，從而控制顯示面板工作；
位于基板I表面上的多個第一短路棒3，第一短路棒3與襯墊2對應設置；這里所述的對應設置是指，每一個所述襯墊2都有且只有一個第一短路棒3與其一一對應設置。
[0033]位于基板I表面上的一第二短路棒4,用于將所有第一短路棒3連接在一起； 所述陣列基板還包括多個位于基板I表面上的ESD(Electro-Static discharge,靜電
釋放)器件5，每一個襯墊2通過一個ESD器件5電連接與其對應設置的第一短路棒3。
[0034]這里的基板1，可以是玻璃，也可以是塑料或者其他可用于支撐的透明材料。襯墊2是一個信號的接收端，也即外部信號通過襯墊2傳入陣列基板中，進而按照人們的需求點亮面板。
[0035]ESD器件5可以是基于TFT (Thin Film Transistor,薄膜晶體管)的單向或雙向ESD器件。下面結合ESD器件5的結構說明本發(fā)明如何在避免所述襯墊2之間互相短路的同時，實現(xiàn)有大電流時的靜電防護功能。圖5顯示了基于TFT的一級單向ESD器件的原理圖。參閱圖4、圖5，TFT的源極S和柵極G連接在一起。源極S與襯墊2電連接，漏極D與第一短路棒3電連接，柵極G同時也與襯墊2電連接。
[0036]ESD器件5的工作原理與TFT的工作原理相同。具體地，當襯墊2上積聚了大量靜電，產(chǎn)生了大電流時，也即TFT的柵極有了大電流，那么TFT導通，此時電流即從源極S流過漏極D，也即襯墊2上的電流通過ESD器件5流至第一短路棒3，進而流向與所有第一短路棒3相連的第二短路棒4，從而實現(xiàn)了靜電的釋放。
[0037]優(yōu)選地，本實施例中的ESD器件5是基于TFT的雙向ESD器件。圖6顯示了基于TFT的一級雙向ESD器件的原理圖。ESD器件5由TFTl和TFT2構成，TFTl的源極SI與柵極Gl連接在一起，TFT2的源極S2與柵極G2連接在一起，且TFTl的源極SI與TFT2的漏極D2連接于A端，TFTl的漏極Dl與TFT2的源極S2連接于B端。同時參閱圖4、圖6，將ESD器件5的A端電連接至襯墊2，將B端電連接至第一短路棒3。
[0038]具體地，當某一個襯墊2上因積聚大量靜電而產(chǎn)生大電流時，與該襯墊2電連接的TFTl的柵極上有了大電流，TFTl導通，電流從TFTl的源極SI流過漏極Dl，也即該襯墊2上的電流通過與其電連接的ESD器件5流至第一短路棒3，進而流向與所有第一短路棒3相連的第二短路棒4上，并進一步流至與第二短路棒4相連的其他第一短路棒3上。此時，與其他的第一短路棒3各自相應電連接的ESD器件5的B端有了大電流?；谕瑯拥脑?，該大電流會通過所述各自ESD器件5的TFT2流至相應電連接的襯墊2上。這樣，積聚在一個襯墊2上的靜電就被分攤到了其他的襯墊2上，減小了某一個襯墊2上的靜電量，從而實現(xiàn)了靜電釋放。
[0039]因此，無論采用哪種類型的ESD器件5，只要在襯墊2上有大電流時，ESD器件5導通，分別電連接至ESD器件5兩端的襯墊2與第一短路棒3導通，可以起到ESD保護的作用。
[0040]然而，當切割陣列基板后，尤其是當測試時，襯墊2上只是存在一個較小的電流，ESD器件5關斷，分別電連接至ESD器件5兩端的襯墊2與第一短路棒3之間處于斷路狀態(tài)。此時，即使各個第一短路棒3之間因ITO刻蝕不干凈而形成短路，也不會影響到襯墊2，測試可以正常進行。
[0041]具體地，同時參見圖7，當由于短路棒的制備材料ITO刻蝕不干凈等原因而造成相鄰的兩個第一短路棒31、32短路時，在沿切割線6切割陣列基板之后，由于與所述第一短路棒31、32分別電連接的ESD器件51、52各自的TFT是關斷的，所述襯墊21和第一短路棒31是斷開的，所述襯墊22和第一短路棒32也是斷開的。因此，第一短路棒31、32之間的短路并不會像現(xiàn)有技術中那樣，造成與其相應的襯墊21、22之間的短路，襯墊21和22還是各自獨立、正常地接收信號、傳遞信號，這樣避免了后續(xù)測試過程中的顯示不良問題。
[0042]如前所述，襯墊2可以是不同種類的襯墊，例如包括第一襯墊、第二襯墊、第三襯墊……根據(jù)需求分成幾種不同類型。ESD器件5也可以是不同種類的器件，例如包括第一ESD器件，第二 ESD器件、第三ESD器件……ESD器件5可以是一級ESD器件，也可以是多級ESD器件，同樣根據(jù)需要來設計。本實施例中，僅以一級ESD器件舉例說明ESD器件5是如何在有靜電積聚時釋放靜電，無靜電時保持襯墊2與第一短路棒3之間斷路的，但不限于僅采用一級ESD器件，也可以采用多級ESD器件實現(xiàn)上述目的。
[0043]實施例二
本實施例是在實施例一的基礎上進一步得到的實施例。請參閱圖8，本實施例與實施例一的不同之處在于，襯墊2包括第一襯墊21和第二襯墊22。為了方便描述,第一短路棒3也相應地包括第一子短路棒31和第二子短路棒32，第一子短路棒31與第一襯墊21對應設置，第二子短路棒32與第二襯墊22對應設置。優(yōu)選地，第一襯墊21是FOG襯墊。進一步地，第二襯墊22是測試襯墊。
[0044]ESD器件5包括第一 ESD器件51和第二 ESD器件52，第一 ESD器件51電連接第一襯墊21和與其對應設置的第一子短路棒31，第二 ESD器件52電連接第二襯墊22和與其對應設置的第二子短路棒32。本實施例中，第一 ESD器件51電連接FOG襯墊21和第一子短路棒31，第二 ESD器件52電連接測試襯墊22和第二子短路棒32。
[0045]需要說明的是，第一 ESD器件51或第二 ESD器件52是基于TFT的單向或者雙向ESD器件，優(yōu)選地采用雙向的ESD器件。第一 ESD器件51或第二 ESD器件52可以是一級ESD器件，也可以是多級E SD器件，根據(jù)需要來設計。
[0046]實施例三
本實施例是在實施例二的基礎上進一步得到的。與實施例二的不同之處在于，本實施例中，由于FOG襯墊21比起測試襯墊22而言更易受到靜電危害，因此電連接FOG襯墊21和第一子短路棒31的第一 ESD器件51采用一級雙向ESD器件，起到了更快放電的作用；電連接測試襯墊22和第二子短路棒32的第二 ESD器件52采用多級ESD器件，優(yōu)選地，第二ESD器件52采用兩級雙向ESD器件。
[0047]請參閱圖9，圖9是基于TFT的兩級雙向ESD器件的原理圖。所述兩級雙向ESD器件由兩個一級雙向ESD器件串聯(lián)形成的。同時參閱圖8、圖9，將所述第二 ESD器件52的A端與測試襯墊22電連接，B端與第二子短路棒32電連接。
[0048]當某個測試襯墊22上因為積聚了大量靜電而產(chǎn)生大電流時，與所述測試襯墊22對應的第二 ESD器件52導通，分別電連接至所述第二 ESD器件52兩端的測試襯墊22與第二子短路棒32導通，由此起到了 ESD靜電保護的作用。
[0049]具體地，當某個測試襯墊22上積聚大量靜電而形成電流時，Gl打開，電流由A點流至O點，此時G4也被打開，電流從O點流至B點，也即電流流至了與該測試襯墊22相應的第二子短路棒32上，并進一步流向第二短路棒4。連接至第二短路棒4的其他第二子短路棒32上有了電流之后，其各自相應的第二 ESD器件52的G2被打開，電流從B端流至O端，繼而G3也被打開，電流從O端流至A端，也即流到了各自相應的測試襯墊22上。
[0050]由此，積聚在一個測試襯墊22上的靜電就被分攤到了其他的測試襯墊22上，減小了某一個測試襯墊22上的靜電量，從而實現(xiàn)了靜電釋放。
[0051]需要說明的是，在本實施例中，由于電連接FOG襯墊21和第一子短路棒31的第一ESD器件51采用的是一級雙向ESD器件，因此，流至第二短路棒4上的電流不僅會分攤到多個測試襯墊22上，也會分攤到多個FOG襯墊21上。此外，當FOG襯墊21上因為大量的靜電積聚而產(chǎn)生大電流時，第一 ESD器件51是如何起到ESD保護作用的，由于在前述實施例中已經(jīng)展開說明，此處不再贅述。由此實現(xiàn)了基板上所有襯墊共同分攤某一個襯墊上積聚的靜電的效果。
[0052]作為本實施例的一個變形，形成所述第二 ESD器件52的兩級雙向ESD器件也可以由兩個一級雙向ESD器件并聯(lián)形成的。更一般地，形成所述第二 ESD器件52的多級雙向ESD器件也可以由多個一級雙向ESD器件串聯(lián)或者并聯(lián)形成?；谒鲆患壔蚨嗉夒p向ESD器件的結構或者連接方式都是現(xiàn)有技術。在此不再贅述，皆屬于本領域一般技術人員知曉或可以直接推出的內容范圍內。
[0053]以上所有實施例中所述的第一短路棒3或第二短路棒4，包括第一子短路棒31和第二子短路棒32，是由透明導電材料制作形成的。優(yōu)選地，是由氧化銦錫刻蝕形成的。
[0054]實施例四
如圖10所示，本發(fā)明還提供一種TFT液晶面板，包括:一彩色濾光基板6、一與所述彩色濾光基板6相對設置的TFT陣列基板7、一夾在所述彩色濾光基板6與所述TFT陣列基板7之間液晶層8，
所述彩色濾光基板6包括一第一透明基板61、位于所述第一透明基板61面向液晶層8 —側的黑色矩陣層62，以及一位于所述黑色矩陣層62面向液晶層8 一側的彩色濾光膜層63 ；
所述TFT陣列基板7包括一與所述第一透明基板61相對設置的第二透明基板71、位于所述第二透明基板71面向液晶層8表面的TFT陣列像素區(qū)域72，以及外圍區(qū)域73 ；
所述液晶層8根據(jù)施加在所述彩色濾光基板6與所述TFT陣列基板7之間的電壓大小控制其間的液晶分子的排列方式，進而產(chǎn)生不同灰階；
所述TFT陣列基板7包括前文所述的一種TFT陣列基板。
[0055]綜上，本發(fā)明提供一種TFT陣列基板及其液晶面板，在實現(xiàn)陣列基板制造過程中防靜電功能的同時，避免了測試階段可能存在的因ITO刻蝕不干凈而造成短路棒及其相應的襯墊之間的短路進而引起的顯示異常問題。
[0056]本發(fā)明雖然已以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領域技術人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，都可以利用上述揭示的方法和技術內容對本發(fā)明技術方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術方案的內容，依據(jù)本發(fā)明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術方案的保護范圍。
【權利要求】
1.一種TFT陣列基板，包括:
基板； 位于所述基板表面上的多個襯墊，所述襯墊用于接收外部信號； 位于所述基板表面上的多個第一短路棒，所述第一短路棒與所述襯墊對應設置； 位于所述基板表面上的一第二短路棒，用于將所有所述第一短路棒連接在一起；所述陣列基板還包括多個位于所述基板表面上的ESD器件，每一個所述襯墊通過一個所述ESD器件電連接與其對應設置的第一短路棒。
2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述ESD器件是基于TFT的單向或雙向ESD器件。
3.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述襯墊包括第一襯墊和第二襯墊。
4.如權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第一襯墊是FOG襯墊。
5.如權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第二襯墊是測試襯墊。
6.如權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第一短路棒包括第一子短路棒和第二子短路棒，所述第一子短路棒與所述第一襯墊對應設置，所述第二子短路棒與所述第二襯墊對應設置。
7.如權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述ESD器件包括第一ESD器件和第二ESD器件，所述第一 ESD器件電連接所述第一襯墊和第一子短路棒，所述第二 ESD器件電連接所述第二襯墊和第二子短路棒。
8.如權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述第一ESD器件或者第二 ESD器件是一級ESD器件。`
9.如權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述第一ESD器件或者第二 ESD器件是多級ESD器件。
10.如權利要求9所述的陣列基板，其特征在于，所述第二ESD器件是兩級ESD器件。
11.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一短路棒或者第二短路棒是氧化銦錫。
12.—種TFT液晶面板，包括:一彩色濾光基板、一與所述彩色濾光基板相對設置的TFT陣列基板、一夾在所述彩色濾光基板與所述TFT陣列基板之間液晶層， 所述彩色濾光基板包括一第一透明基板、位于所述第一透明基板面向所述液晶層一側的黑色矩陣層，以及一位于所述黑色矩陣層面向所述液晶層一側的彩色濾光膜層； 所述TFT陣列基板包括一與所述第一透明基板相對設置的第二透明基板、位于所述第二透明基板面向所述液晶層表面上的TFT陣列像素區(qū)域，以及外圍區(qū)域； 所述液晶層根據(jù)施加在所述彩色濾光基板與所述TFT陣列基板間的電壓大小控制其間的液晶分子的排列方式，進而產(chǎn)生不同灰階； 其特征在于，所述TFT陣列基板包括: 位于所述第二透明基板表面上的多個襯墊，所述襯墊用于接收外部信號； 位于所述第二透明基板表面上的多個第一短路棒，所述第一短路棒與所述襯墊對應設置； 位于所述第二透明基板表面上的一第二短路棒，用于將所有所述第一短路棒連接在一起;多個位于所述第二透明基板表面上的ESD器件，每一個所述襯墊通過一個所述ESD器件電連接與其對應設置的第一短路棒。
13.如權利要求12所述的TFT液晶面板，其特征在于，所述ESD器件是基于TFT的單向或雙向ESD器件。
14.如權利要求13所述的TFT液晶面板，其特征在于，所述襯墊包括第一襯墊和第二襯墊。
15.如權利要求14所述的TFT液晶面板，其特征在于，所述第一襯墊是FOG襯墊。
16.如權利要求14所述的TFT液晶面板，其特征在于，所述第二襯墊是測試襯墊。
17.如權利要求14所述的TFT液晶面板，其特征在于，所述第一短路棒包括第一子短路棒和第二子短路棒，所述第一子短路棒與所述第一襯墊對應設置，所述第二子短路棒與所述第二襯墊對應設置。
18.如權利要求17所述的TFT液晶面板，其特征在于，所述ESD器件包括第一ESD器件和第二 ESD器件，所述第一 ESD器件電連接所述第一襯墊和第一子短路棒，所述第二 ESD器件電連接所述第二襯墊和第二子短路棒。
19.如權利要求18所述的TFT液晶面板，其特征在于，所述第一ESD器件或者第二 ESD器件是一級ESD器件。
20.如權利要求18所述的TFT液晶面板，其特征在于，所述第一ESD器件或者第二 ESD器件是多級ESD器件。
21.如權利要求20所述的TFT液晶面板，其特征在于，所述第二ESD器件是兩級ESD器件。
22.如權利要求12所述的TFT液晶面板，其特征在于，所述第一短路棒或者第二短路棒是氧化銦錫。
【文檔編號】G02F1/1362GK103676370SQ201210349680
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2012年9月19日 優(yōu)先權日:2012年9月19日
【發(fā)明者】岳明彥 申請人:上海中航光電子有限公司