專利名稱：制造集成電路元件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制造的方法，特別是涉及一種與光罩相關(guān)的半導(dǎo)體制造的方法。
背景技術(shù)：
制造集成電路元件需要一系列的光罩，其中光罩的圖案投影至半導(dǎo)體基材上以形成圖案。因?yàn)榧呻娐吩膹?fù)雜度增加以及成品電路的幾何面積縮小，量產(chǎn)前需要先試制以驗(yàn)證。試制時(shí)，要使用能夠減少成本與材料，且使得量產(chǎn)速度較先前為快的方式進(jìn)行。·量產(chǎn)時(shí)，在光罩上制造多個(gè)相同圖案，用于在半導(dǎo)體基材的多個(gè)晶粒上，形成多個(gè)相同圖案。這些晶粒位于半導(dǎo)體基材的同一層。此方法可以使多個(gè)晶粒同時(shí)曝光。試制時(shí)常見的方法是使用多層光罩(Multi-Layer Masks, MLMs)，多層光罩包含多個(gè)圖案，這些圖案間彼此不同以分別對(duì)應(yīng)半導(dǎo)體基材的不同層結(jié)構(gòu)，而非形成多個(gè)相同圖案。使用多層光罩的一圖案，圖案化半導(dǎo)體基材的第一層結(jié)構(gòu)后，再將多層光罩相對(duì)于半導(dǎo)體基材移動(dòng)，以圖案化半導(dǎo)體基材的第二層結(jié)構(gòu)。舉例但并非限制，多層光罩包含四個(gè)圖案，用在半導(dǎo)體基材上形成四個(gè)圖案，這些圖案分別位于一晶粒的四個(gè)不同層，且一次只能圖案化一晶粒。使用多層光罩雖然使得產(chǎn)量減少，但因?yàn)楣庹值闹圃熨M(fèi)用下降，此技術(shù)仍具有優(yōu)勢(shì)。多層光罩出現(xiàn)在美國(guó)專利先前技術(shù)6，710，851及5，995，200，因此將二案合并以作為參考。此二案描述多層光罩的多個(gè)不同圖案，皆以周邊界以及間邊界分隔，但此多層光罩無法使用于量產(chǎn)，呈現(xiàn)于先前技術(shù)的問題亟待改善。由此可見，上述現(xiàn)有的制造集成電路元件的方法在方法與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決上述存在的問題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來謀求解決之道，但長(zhǎng)久以來一直未見適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，而一般方法又沒有適切的方法能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新的制造集成電路元件的方法，實(shí)屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一，亦成為當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。有鑒于上述現(xiàn)有的制造集成電路元件的方法存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識(shí)，并配合學(xué)理的運(yùn)用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新的制造集成電路元件的方法，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的制造集成電路元件的方法，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)過反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的制造集成電路元件的方法存在的缺陷，而提供一種新的制造集成電路元件的方法，所要解決的技術(shù)問題是使其量產(chǎn)前的試制能夠減少成本與材料，且使得量產(chǎn)速度較先前為快的方式進(jìn)行，非常適于實(shí)用。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種制造集成電路元件的方法，其中該集成電路元件具有多個(gè)層結(jié)構(gòu)，將該些層結(jié)構(gòu)至少區(qū)分為一第一子集和一第二子集，該制造集成電路元件的方法包括以下步驟為該第一子集制造至少一多層光罩，其中該多層光罩具有多個(gè)圖案，該些圖案彼此不同，以分別對(duì)應(yīng)該第一子集中的該些層結(jié)構(gòu)；為該第二子集制造至少一第一投產(chǎn)光罩，其中該第一投產(chǎn)光罩包含多個(gè)圖案，該些圖案彼此相同；使用該多層光罩和該第一投產(chǎn)光罩，進(jìn)行試制；在試制后，為該第一子集制造至少一第二投產(chǎn)光罩；以及使用該第一投產(chǎn)光罩和該第二投產(chǎn)光罩，制造該集成電路兀件。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的制造集成電路元件的方法，其中所述的多層光罩包含至少一間隙，介于該 多層光罩的該些圖案之間，該第一投產(chǎn)光罩包含至少一切割道，介于該第一投產(chǎn)光罩的該些圖案之間，且該間隙的寬度寬于該切割道之寬度。前述的制造集成電路元件的方法，其中所述的第二子集包含至少一有效區(qū)圖案。前述的制造集成電路元件的方法，其中所述的第二子集包含至少一多晶硅層圖案。前述的制造集成電路元件的方法，其中所述的第二子集包含至少一接觸層圖案。前述的制造集成電路元件的方法，其中所述的第二子集包含至少一金屬層圖案。前述的制造集成電路元件的方法，其中進(jìn)行該試制的步驟包含一次將該多層光罩的該些圖案其中之一，曝光至一晶圓的一子區(qū)域；以及一次將該投產(chǎn)光罩的該些圖案，曝光至一晶圓的一區(qū)域。前述的制造集成電路元件的方法，其中進(jìn)行該試制的步驟包含使用該多層光罩進(jìn)行一屏蔽式曝光；以及使用該投產(chǎn)光罩進(jìn)行一非屏蔽式曝光。前述的制造集成電路元件的方法，其中所述的多層光罩包含至少一間隙，介于該多層光罩的該些圖案之間，且該多層光罩的該些圖案均包含一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志組，該對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志組形成于該間隙上。前述的制造集成電路元件的方法，其中所述的第一投產(chǎn)光罩包含至少一切割道，介于該第一投產(chǎn)光罩的該些圖案之間，以及一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志組，形成于該切割道上，且重復(fù)形成于每一該些圖案的周圍，藉此使每一該些圖案均具有本身的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志組。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上技術(shù)方案可知，本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容如下為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種制造集成電路元件的方法。此集成電路元件具有多個(gè)層結(jié)構(gòu)，這些層結(jié)構(gòu)區(qū)分為第一子集和第二子集。制造集成電路元件的方法步驟如下I、為第一子集制造多層光罩，此多層光罩具有多個(gè)圖案，這些圖案彼此不同，以分別對(duì)應(yīng)第一子集的層結(jié)構(gòu)。2、為第二子集制造第一投產(chǎn)光罩，此第一投產(chǎn)光罩具有多個(gè)圖案，這些圖案彼此相同。
3、使用多層光罩和第一投產(chǎn)光罩進(jìn)行試制。4、試制后，為第一子集制造第二投產(chǎn)光罩。5、使用第一投產(chǎn)光罩和第二投產(chǎn)光罩，制造集成電路元件。另外，為達(dá)到上述目的，本發(fā)明還提供了一種混合式光罩組，其可圖案化半導(dǎo)體基材的層結(jié)構(gòu)，以制造集成電路元件，這些層結(jié)構(gòu)區(qū)分為第一子集和第二子集。混合式光罩組包含多層光罩和投產(chǎn)光罩。多層光罩包含多個(gè)圖案與間隙，多層光罩的圖案彼此不同以分別對(duì)應(yīng)第一子集。間隙分隔這些圖案。投產(chǎn)光罩也包含多個(gè)圖案與切割道。投產(chǎn)光罩的圖案彼此相同以對(duì)應(yīng)第二子集。切割道分隔這些圖案。其中，多層光罩的間隙的寬度寬于投產(chǎn)光罩的切割道的寬度。再者，為達(dá)到上述目的，本發(fā)明再提供了一種光罩，其可圖案化半導(dǎo)體基材，以制造集成電路元件。此光罩包含基板、光罩區(qū)、輸出圖案以及對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志組。其中，光罩區(qū)定義于基板，且此光罩區(qū)包含多個(gè)子光罩區(qū)與切割道。切割道分隔子光罩區(qū)。輸出圖案重復(fù)形 成于子光罩區(qū)。對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志組重復(fù)形成于子光罩區(qū)周圍的切割道，藉此使子光罩區(qū)具有本身的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志組。借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明制造集成電路元件的方法至少具有下列優(yōu)點(diǎn)及有益效果本發(fā)明的量產(chǎn)前的試制能夠減少成本與材料，且使得量產(chǎn)速度較先前為快的方式進(jìn)行，非常適于實(shí)用。綜上所述，本發(fā)明是有關(guān)于一種制造集成電路元件的方法，其包括以下步驟(I)為第一子集制造多層光罩，此多層光罩具有多個(gè)圖案，這些圖案彼此不同，以分別對(duì)應(yīng)第一子集的層結(jié)構(gòu)。(2)為第二子集制造第一投產(chǎn)光罩，此第一投產(chǎn)光罩具有多個(gè)圖案，這些圖案彼此相同。(3)使用多層光罩和第一投產(chǎn)光罩進(jìn)行試制。(4)試制后，為第一子集制造第二投產(chǎn)光罩。(5)使用第一投產(chǎn)光罩和第二投產(chǎn)光罩，制造集成電路元件。本發(fā)明在技術(shù)上有顯著的進(jìn)步，具有明顯的積極效果，誠為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。


圖I是本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的一種微影系統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施例圖。圖2是圖I微影系統(tǒng)中所使用的半導(dǎo)體晶圓其一實(shí)施例的俯視圖。圖3-6是依照本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的用于圖I微影系統(tǒng)的多個(gè)光罩的示意圖。圖7是使用圖I微影系統(tǒng)的方法及依照本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的圖3-6的光罩的流程圖。圖8是依照本發(fā)明另一較佳實(shí)施例使用于圖I微影系統(tǒng)的一種混合式光罩組的示意圖。100 :微影系統(tǒng)110:發(fā)光源120:照明系統(tǒng)130 :光罩
140 :接物鏡145 :光孔150 :基板臺(tái)160 :半導(dǎo)體基材162 :完整區(qū)域164 :不完整區(qū)域200 :光罩202 :有效區(qū)204 :切割道210 :多層光罩212-218:圖案220:間隙250 :光罩252 :切割道260 :光罩262 :切割道300-370 :步驟
具體實(shí)施例方式為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的制造集成電路元件的方法其具體實(shí)施方式
、方法、步驟、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。本發(fā)明揭露多個(gè)不同的實(shí)施例，用以施行多種不同的特色。組成元件以及配置的實(shí)施例將描述于下，以簡(jiǎn)化本揭露。以下提及的多個(gè)實(shí)施例皆為舉例，并非用以限定本發(fā)明。此外，本發(fā)明在實(shí)施例中重復(fù)使用多個(gè)元件符號(hào)，僅是為使實(shí)施例簡(jiǎn)明，而非規(guī)定在各·實(shí)施例或結(jié)構(gòu)之間有任何的相關(guān)性。下述實(shí)施例的第一特色和第二特色的構(gòu)造或配置，可能包含結(jié)合該二特色的實(shí)施例，也可能包含再結(jié)合另一特色的實(shí)施例，使得第一特色和第二特色之間沒有直接的關(guān)聯(lián)性，或使此二特色以不同的配置方法結(jié)合。請(qǐng)參照?qǐng)DI所示。實(shí)施例中，微影系統(tǒng)100包含發(fā)光源110，而發(fā)光源110可以是任何適當(dāng)?shù)墓庠?。例如，發(fā)光源Iio可以是波長(zhǎng)436納米的G線(G-Iine)或是356納米的I線(I-Iine)水銀燈、波長(zhǎng)248納米的氟化氪(KrF)準(zhǔn)分子激光、波長(zhǎng)193納米的氟化氬(ArF)準(zhǔn)分子激光、波長(zhǎng)157納米的氯(F2)準(zhǔn)分子激光，或是其它符合要求的波長(zhǎng)的光源(波長(zhǎng)約小于100納米)。發(fā)光源110含有一從紫外光(UV)、深紫外光(DUV)、極短紫外光(EUV)或X光中，所選取的光源。發(fā)光源包含一由電子束、離子束或等離子體中所選取的粒子源。微影系統(tǒng)100包含照明系統(tǒng)120，如聚光鏡。照明系統(tǒng)120包含透鏡以及其它透鏡組件。例如，照明系統(tǒng)120包含微透鏡系統(tǒng)、陰影遮罩或其它設(shè)計(jì)，用來導(dǎo)正由光源110發(fā)出至光罩的光線。在圖案化的過程中，提供微影系統(tǒng)100—光罩130。光罩130包含透明基板以及具有圖案的吸收層。透明基板可以使用熔娃石(SiO2),例如娃硼玻璃(borosilicate glass)和鈉I丐玻璃(soda-lime glass),也可以使用氟化I丐(calcium fluoride)或其他適當(dāng)材料。具有圖案的吸收層是經(jīng)過多次處理，并由多種材料構(gòu)成，例如由鉻(Cr)和氧化鐵(ironoxide)所制成的金屬膜，或由二娃化鑰(MoSi)、娃酸錯(cuò)(ZrSiO)、氮化娃(SiN)、氮化鈦(TiN)所制成的無機(jī)薄膜。進(jìn)入吸收區(qū)時(shí)，光束會(huì)部分地或全部地被阻擋。在吸收層制造孔道，可以使得光束穿越而不會(huì)被吸收層所吸收。光罩也可以結(jié)合其它解析度增強(qiáng)技術(shù)，如相移光罩(Phase Shift Mask, PSM)或光學(xué)鄰近校正術(shù)(Optical Proximity Correction,OPC)。微影系統(tǒng)100包含接物鏡140，其中接物鏡140包含透鏡元件。透鏡元件包含透明基層，或更包含多個(gè)涂層。透明基層是傳統(tǒng)的接物鏡，以熔硅石、氟化鈣(CaF2)、氟化鋰(LiF)、氟化鋇(BaF2)或其它適當(dāng)材料制成。透鏡元件所使用的材料，是以微影過程中的發(fā)光源波長(zhǎng)作為選擇，用來使得吸收和發(fā)散值達(dá)到最小。照明透鏡120及接物透鏡140都被稱為成像透鏡，可能另含有一些元件，如入射光瞳和出射光瞳，用來在半導(dǎo)體基材上形成光罩130所定義的圖案。
微影系統(tǒng)110包含光孔145，使發(fā)光源110散發(fā)的能量可以穿透。光孔145介于發(fā)光源110和半導(dǎo)體基材之間的任何位置。微影系統(tǒng)100可以更包含基板臺(tái)150，使半導(dǎo)體基材以平移或旋轉(zhuǎn)的方式與光罩130對(duì)準(zhǔn)。例如，半導(dǎo)體基材160被放置在基板臺(tái)150上，用來在微影過程中進(jìn)行曝光。半導(dǎo)體基材160包含基本半導(dǎo)體,如晶娃(crystal silicon)、多晶娃(polycrystallinesilicon)、無定型娃(amorphous silicon)、錯(cuò)(germanium)，以及鉆石(diamond);復(fù)合半導(dǎo)體，如碳化娃(silicon carbide)和砷化鎵(gallium arsenic);合金半導(dǎo)體，如鈔鍺(SiGe)、鎵鐘鱗(GaAsP)、鋁銦鐘(Al InAs)、鋁鎵紳(AlGaAs)、鎵銦鱗(GaInP)，或其它合金。微影過程中，光阻涂布層形成于半導(dǎo)體基材160。微影系統(tǒng)100可以使用多種不同配置。例如,光孔145可以被配置在光罩130和接物鏡140之間。微影系統(tǒng)100可以包含不同的元件和機(jī)構(gòu)，以進(jìn)行浸潤(rùn)式微影法。本發(fā)明可以與許多不同種類的微影系統(tǒng)一起運(yùn)作，包含掃描機(jī)、步進(jìn)機(jī)以及掃描步進(jìn)式系統(tǒng)。圖2說明標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體基材160，包含多個(gè)被稱為「區(qū)域」(field)的區(qū)塊。一區(qū)域可能包含多個(gè)晶粒。量產(chǎn)時(shí)，微影過程一次曝光晶圓的一區(qū)域。半導(dǎo)體基材160包含多個(gè)含有完整集成電路的完整區(qū)域162，以及多個(gè)排列在晶圓周圍區(qū)塊的不完整區(qū)域164。不完整區(qū)域164可能因?yàn)槭芟抻诰A的幾何圖形，而無法涵蓋完整的電路線圖。如果沒有具功能性的晶粒，則廢棄此區(qū)域。請(qǐng)參照?qǐng)D3所不，兀件符號(hào)200代表標(biāo)準(zhǔn)光罩，可用來作為圖I微影系統(tǒng)100的光罩130。光罩200包含四個(gè)相同圖案202，用以圖案化半導(dǎo)體基材的一區(qū)域。半導(dǎo)體基材上的電路層可能是有效區(qū)、多晶硅層、金屬層或是接觸層。切割道204分隔此四個(gè)相同圖案202。圖案的數(shù)量在此為一例子，而每一圖案實(shí)際上代表任何可能數(shù)量的晶粒。請(qǐng)參照?qǐng)D4所不，兀件符號(hào)210代表另一標(biāo)準(zhǔn)光罩,可用來作為圖I微影系統(tǒng)100的光罩130。光罩210為多層光罩，包含四個(gè)不同圖案212、214、216和218，分別對(duì)應(yīng)四個(gè)不同層，可以使區(qū)域的一子集曝光。例如，一區(qū)域包含八個(gè)晶粒，而圖案212、214、216和218皆各成像于兩個(gè)晶粒上，以間隙220分隔此四圖案。間隙220為標(biāo)準(zhǔn)多層光罩的一部分，用來屏蔽發(fā)射。因此，一次只能使得四個(gè)不同圖案212、214、216或218其中之一進(jìn)行曝光。圖案的數(shù)量在此僅為一個(gè)例子。在某些實(shí)施例中，光罩210包含屏蔽光罩，用來遮蔽光罩的另外三個(gè)圖案，使得僅有一圖案可以圖案化半導(dǎo)體基材160。請(qǐng)參照?qǐng)D5所示，元件符號(hào)250也代表標(biāo)準(zhǔn)光罩，可以用來作為圖I微影系統(tǒng)100的光罩130。光罩250包含四個(gè)相同圖案212，如圖4光罩220的圖案，用以圖案化基板的區(qū)域。切割道252分隔此四圖案212。圖案的數(shù)量?jī)H為一個(gè)例子，且每一圖案代表任何可能數(shù)量的晶粒。請(qǐng)參照?qǐng)D6所示，元件符號(hào)260也代表標(biāo)準(zhǔn)光罩，可用來作為圖I微影系統(tǒng)100的光罩130。光罩260包含四個(gè)相同圖案214，如圖4光罩220的圖案，用以圖案化基板的區(qū)域。切割道262分隔此四圖案214。圖案的數(shù)量?jī)H為一個(gè)例子，且每一圖案代表任何可能數(shù)量的晶粒。雖然沒有明示，另一光罩可以包含四個(gè)相同圖案216，而另一光罩則可包含四個(gè)相同圖案218。此二光罩皆包含切割道，以分隔相連的圖案。 請(qǐng)參照?qǐng)D7所示，元件符號(hào)300指明一標(biāo)準(zhǔn)方法，可使集成電路元件由試制而至量產(chǎn)。試制310是指設(shè)計(jì)集成電路元件及所使用的相關(guān)光罩，進(jìn)行測(cè)試和驗(yàn)證的過程。步驟320中，制造出至少一光罩，如圖4的多層光罩210。多層光罩包含多個(gè)不同圖案以對(duì)應(yīng)至不同層，而有減少費(fèi)用的因光罩費(fèi)用昂貴，故使用多層光罩可使費(fèi)用大為減少。如圖4，多層光罩有寬于切割道的間隙，可用以分隔多個(gè)不同圖案。傳統(tǒng)多層光罩的試制中，有些光罩會(huì)有多個(gè)相同圖案對(duì)應(yīng)同一層結(jié)構(gòu)，其間隙大小同于圖4的多層光罩210，這些光罩包含如有效區(qū)、多晶硅、金屬層或接觸層的圖案。步驟325制造如第3圖的光罩200的投產(chǎn)光罩，而非制造含有間隙的光罩。此光罩的優(yōu)點(diǎn)在于試制后，這些光罩可用于量產(chǎn)，而不需要購買及建造新的光罩。參照步驟330，使用多層光罩以及投產(chǎn)光罩進(jìn)行試制，稱為組合模式或混合式光罩組生產(chǎn)。試制時(shí)使用多層光罩，一圖案會(huì)對(duì)準(zhǔn)圖I的半導(dǎo)體基材160，且圖案會(huì)曝光于基板的子區(qū)域。重復(fù)此過程至圖案成像于整個(gè)晶圓表面，如圖2所繪示。使用投產(chǎn)光罩時(shí)，光罩將完全曝光于半導(dǎo)體基材160的區(qū)域。參照?qǐng)D3，光罩將一次在半導(dǎo)體基材上對(duì)準(zhǔn)并曝光此四個(gè)相同圖案202。參照步驟340，將決定試制的成功與否。若需修正光罩，則返回前面步驟重新制造新光罩，再以新光罩重復(fù)執(zhí)行試制的步驟320或325。若成功通過試制，則進(jìn)入量產(chǎn)步驟350。步驟360，在先前步驟中位于多層光罩的不同層結(jié)構(gòu)的圖案，將制造于不同的投產(chǎn)光罩。試制時(shí)使用的投產(chǎn)光罩可于量產(chǎn)時(shí)使用。制造出一套完整的投產(chǎn)光罩后，在步驟370則可使用此套投產(chǎn)光罩進(jìn)行量產(chǎn)。圖8繪示一混合式光罩組380，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可用于圖I的微影系統(tǒng)100。此混合式光罩組為投產(chǎn)光罩，如圖3的光罩200，根據(jù)本發(fā)明揭露的實(shí)施例，將更詳盡地描述于圖8?；旌鲜焦庹纸M380包含光罩區(qū)384,定義于基板382。光罩區(qū)384的圖案以微影系統(tǒng)，同時(shí)投影于半導(dǎo)體基材。光罩區(qū)384包含兩個(gè)以上的子光罩區(qū)，由切割道分隔。此例中，光罩區(qū)384包含四個(gè)子光罩區(qū)386、388、390和382。舉例來說，子光罩區(qū)386是由虛線386a、386b、386c、386d所標(biāo)示出的區(qū)域。子光罩區(qū)由切割道394分隔。如圖8繪示，每一子光罩區(qū)皆形成圖案387。在此用來說明的圖案中，包含兩個(gè)正方形及一個(gè)長(zhǎng)方形。一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志組396,如396a、396b和396c,形成于切割道及第一子光罩區(qū)386。重復(fù)復(fù)制此套對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志組396于切割道，其中切割道位于光罩區(qū)域384的其余子光罩區(qū)的周圍，切割道也包含區(qū)域398，此區(qū)域不可形成任何對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志組。本發(fā)明的實(shí)施例，提供一種制造集成電路元件的方法，利用此方法試制時(shí)，多層光罩的圖案彼此不同，分別對(duì)應(yīng)第一子集，投產(chǎn)光罩的圖案彼此相同對(duì)應(yīng)于第二子集，稱為第一投產(chǎn)光罩。試制時(shí)，使用多層光罩及投產(chǎn)光罩。試制后，制造第一子集的第二投產(chǎn)光罩。集成電路元件使用第一投產(chǎn)光罩和第二投產(chǎn)光罩進(jìn)行量產(chǎn)。本發(fā)明的另一實(shí)施例提供一混合式光罩組，用于半導(dǎo)體基材曝光多層圖案，以制造集成電路兀件?；旌鲜焦庹纸M包含多層光罩，對(duì)應(yīng)于第一子集，此多層光罩包含許多不同圖案，以間隙分隔。混合式光罩組更包含投產(chǎn)光罩，對(duì)應(yīng)于第二子集。每一投產(chǎn)光罩皆包含多個(gè)相同圖案，以切割道分隔。本發(fā)明的另一實(shí)施例提供一混合式光罩組，用于半導(dǎo)體基材上曝光多層圖案，以·制造集成電路元件?；旌鲜焦庹纸M包含基板；定義于基板的光罩區(qū)，而光罩區(qū)包含多個(gè)以切割道分隔的子光罩區(qū)；輸出圖案，形成于基板且重復(fù)于各子光罩區(qū)；對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志組，形成于切割道且重復(fù)于各子光罩區(qū)。本發(fā)明的混合式光罩組在不同例子中，可能包含4或6個(gè)子光罩區(qū)。前面已描述多個(gè)實(shí)施例的特征，使得熟習(xí)該技藝者，可以更詳細(xì)了解接下來的細(xì)節(jié)描述。熟習(xí)該技藝者可以更無困難地，使用本揭露作為其它步驟及結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)或修改的基礎(chǔ)，用以實(shí)現(xiàn)與此介紹，同目的或優(yōu)點(diǎn)的實(shí)施例。熟習(xí)該技藝者應(yīng)了解該同等的構(gòu)造，并未偏離本揭露的精神及范圍，任何熟習(xí)該技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種之更動(dòng)與潤(rùn)飾。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種制造集成電路元件的方法，其特征在于，其中該集成電路元件具有多個(gè)層結(jié)構(gòu)，將該些層結(jié)構(gòu)至少區(qū)分為一第一子集和一第二子集，該制造集成電路元件的方法包括以下步驟 為該第一子集制造至少一多層光罩，其中該多層光罩具有多個(gè)圖案，該些圖案彼此不同，以分別對(duì)應(yīng)該第一子集中的該些層結(jié)構(gòu)； 為該第二子集制造至少一第一投產(chǎn)光罩，其中該第一投產(chǎn)光罩包含多個(gè)圖案，該些圖案彼此相同； 使用該多層光罩和該第一投產(chǎn)光罩，進(jìn)行試制； 在試制后，為該第一子集制造至少一第二投產(chǎn)光罩；以及 使用該第一投產(chǎn)光罩和該第二投產(chǎn)光罩，制造該集成電路元件。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制造集成電路元件的方法，其特征在于其中所述的多層光罩包含至少一間隙，介于該多層光罩的該些圖案之間，該第一投產(chǎn)光罩包含至少一切割道，介于該第一投產(chǎn)光罩的該些圖案之間，且該間隙的寬度寬于該切割道之寬度。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制造集成電路元件的方法，其特征在于其中所述的第二子集包含至少一有效區(qū)圖案。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制造集成電路元件的方法，其特征在于其中所述的第二子集包含至少一多晶娃層圖案。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制造集成電路元件的方法，其特征在于其中所述的第二子集包含至少一接觸層圖案。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制造集成電路元件的方法，其特征在于其中所述的第二子集包含至少一金屬層圖案。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制造集成電路元件的方法，其特征在于其中進(jìn)行該試制的步驟包含 一次將該多層光罩的該些圖案其中之一，曝光至一晶圓的一子區(qū)域；以及 一次將該投產(chǎn)光罩的該些圖案，曝光至一晶圓的一區(qū)域。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制造集成電路元件的方法，其特征在于其中進(jìn)行該試制的步驟包含 使用該多層光罩進(jìn)行一屏蔽式曝光；以及 使用該投產(chǎn)光罩進(jìn)行一非屏蔽式曝光。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制造集成電路元件的方法，其特征在于其中所述的多層光罩包含至少一間隙，介于該多層光罩的該些圖案之間，且該多層光罩的該些圖案均包含一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志組，該對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志組形成于該間隙上。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制造集成電路元件的方法，其特征在于其中所述的第一投產(chǎn)光罩包含: 至少一切割道，介于該第一投產(chǎn)光罩的該些圖案之間，以及 一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志組，形成于該切割道上，且重復(fù)形成于每一該些圖案的周圍，藉此使每一該些圖案均具有本身的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志組。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種制造集成電路元件的方法，其包括以下步驟(1)為第一子集制造多層光罩，此多層光罩具有多個(gè)圖案，這些圖案彼此不同，以分別對(duì)應(yīng)第一子集的層結(jié)構(gòu)。(2)為第二子集制造第一投產(chǎn)光罩，此第一投產(chǎn)光罩具有多個(gè)圖案，這些圖案彼此相同。(3)使用多層光罩和第一投產(chǎn)光罩進(jìn)行試制。(4)試制后，為第一子集制造第二投產(chǎn)光罩。(5)使用第一投產(chǎn)光罩和第二投產(chǎn)光罩，制造集成電路元件。本發(fā)明的量產(chǎn)前的試制能夠減少成本與材料，且使得量產(chǎn)速度較先前為快的方式進(jìn)行，非常適于實(shí)用。
文檔編號(hào)G03F1/42GK102915945SQ20121029101
公開日2013年2月6日 申請(qǐng)日期2009年8月14日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月22日
發(fā)明者林豐隆, 吳冠良, 梁哲榮, 蔡飛國(guó) 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司