專利名稱：液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示裝置，特別是涉及一種施加與基板面平行的電場(chǎng)的橫向電場(chǎng)方式的液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
被稱為橫向電場(chǎng)方式或者IPS (In-Plane Switching :平面轉(zhuǎn)換)方式的液晶顯示裝置是使液晶分子在面板面上水平地取向而施加與面板面平行的電場(chǎng)(橫向電場(chǎng))、并使液晶分子在水平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)90度的液晶顯示裝置。在該IPS方式的液晶顯示裝置中，在形成影像信號(hào)線(漏極線)、掃描信號(hào)線(柵極線)以及薄膜晶體管、像素電極等的第一基板側(cè)還形成公共電極，通過由于施加到像素電極和公共電極的電壓差而產(chǎn)生的第一基板面內(nèi)方向的電場(chǎng)來驅(qū)動(dòng)液晶層。在具有該結(jié)構(gòu)的IPS方式的液晶顯示裝置中，例如，構(gòu)成為在通過透明導(dǎo)電膜形成的面狀公共電極的上層通過絕緣膜重疊配置線狀像素電極。因此，可知在
線狀電極的上層、相鄰的線狀電極之間的中間部分等中產(chǎn)生第一基板的法線方向的電場(chǎng)，因此液晶分子不與面板面水平而傾斜，從而顯示模式效率降低。作為使該顯示模式效率提高的方法，例如存在日本特開平9-258265號(hào)公報(bào)所述的液晶顯示裝置。在該日本特開平9-258265號(hào)公報(bào)所述的液晶顯示裝置中，構(gòu)成為在形成薄膜晶體管等的第一基板側(cè)的液晶面?zhèn)刃纬捎蓪娱g絕緣膜構(gòu)成的凸?fàn)铙w，覆蓋該凸?fàn)铙w表面而按每個(gè)像素形成像素電極和公共電極(相對(duì)電極)。特別是，構(gòu)成為在各像素所相對(duì)的一對(duì)邊緣部與其中心部中形成凸?fàn)铙w，將覆蓋一對(duì)邊緣部的凸?fàn)铙w的導(dǎo)電膜設(shè)為像素電極，將覆蓋中心部的凸?fàn)铙w的導(dǎo)電膜設(shè)為公共電極。并且，構(gòu)成為在像素電極的下層即形成像素電極的層間絕緣膜的下層配置有輸出影像信號(hào)的影像信號(hào)線。

發(fā)明內(nèi)容
如日本特開平9-258265號(hào)公報(bào)所述那樣，在通過液晶層內(nèi)突出的像素電極和公共電極對(duì)液晶層施加與第一基板的面內(nèi)方向平行的橫向電場(chǎng)的方式中，能夠?qū)σ壕邮┘永硐氲臋M向電場(chǎng)，但是，另一方面，在像素電極和公共電極及其附近無法控制液晶取向，因此可知開口率降低。因此，在以往的液晶顯示裝置中，配置成在液晶層內(nèi)突出的像素電極和公共電極與形成于像素端部的黑矩陣等遮光膜重疊。然而，在具有這種結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置中，在像素端部中相鄰的像素的像素電極接近地配置，因此在像素電極及其周邊產(chǎn)生由自身像素和相鄰像素的電位差引起的電場(chǎng)分布。該電位差在每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)中白色顯示時(shí)變得最大，在該情況下橫向電場(chǎng)分布產(chǎn)生偏差，因此擔(dān)心白色顯示的顯示模式效率降低。同樣地，在自身像素進(jìn)行黑色顯示且相鄰像素進(jìn)行白色顯示的情況下在每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)，黑色顯示時(shí)的亮度增加即黑色顯示時(shí)的透射率上升，因此擔(dān)心對(duì)比率降低。另外，作為減少像素區(qū)域內(nèi)所占的像素電極的形成區(qū)域的結(jié)構(gòu)，還存在以下結(jié)構(gòu)以跨過相鄰的像素的方式形成凸?fàn)铙w，在該凸?fàn)铙w的側(cè)壁面形成與每個(gè)像素對(duì)應(yīng)的像素電極。在該情況下，在一個(gè)凸?fàn)铙w的側(cè)壁面上通過凸?fàn)铙w來相對(duì)配置不同像素(相鄰的像素)的像素電極，因此相鄰的像素的像素電極被進(jìn)一步接近配置，期望得到其解決方法。本發(fā)明是鑒于這些問題點(diǎn)而完成的，本發(fā)明的目的在于提供一種即使形成了在液晶層內(nèi)豎立而成的電極時(shí)也能夠提高顯示模式效率的液晶顯示裝置。(I)為了解決上述問題，本申請(qǐng)的發(fā)明的液晶顯示裝置具備第二基板和第一基板，該第二基板具有在X方向上延伸且在Y方向上并列設(shè)置的掃描信號(hào)線以及在Y方向上延伸且在X方向上并列設(shè)置的影像信號(hào)線，該第一基板經(jīng)由液晶層與上述第二基板相對(duì)置，由上述掃描信號(hào)線和上述影像信號(hào)線包圍的像素區(qū)域被配置成矩陣狀，其特征在于，具有凸?fàn)铙w，其形成于與相鄰像素之間的像素邊界，從上述第二基板的液晶面?zhèn)韧怀?；第一電極，其包括形成于上述凸?fàn)铙w的側(cè)壁面的側(cè)壁面電極、以及從上述側(cè)壁面電極的上述凸?fàn)铙w的底面?zhèn)妊由於厣鲜龅诙宓囊壕?cè)面延伸的下端側(cè)電極，上述側(cè)壁面電極形成在隔著上述像素區(qū)域而相對(duì)的至少一對(duì)邊部上；以及第二電極，其包括第一線狀電極，其形成于上述第一基板側(cè)的上述像素區(qū)域內(nèi)，在上述第一電極的延伸方向上延伸；以及第二線狀電
極，其形成于上述第二基板側(cè)的上述像素區(qū)域內(nèi)，以經(jīng)由上述液晶層與上述第一線狀電極對(duì)峙的方式延伸，并且，上述像素區(qū)域至少包括以下區(qū)域上述第一電極和上述第二電極在第一方向上延伸的第一像素區(qū)域；以及上述第一電極和上述第二電極在第二方向上延伸的第二像素區(qū)域。(2)為了解決上述問題，本申請(qǐng)的發(fā)明的液晶顯示裝置具備第二基板，其具有在X方向上延伸且在Y方向上并列設(shè)置的掃描信號(hào)線以及在Y方向上延伸且在X方向上并列設(shè)置的影像信號(hào)線；以及第一基板，其經(jīng)由液晶層與上述第二基板相對(duì)置，由上述掃描信號(hào)線和上述影像信號(hào)線包圍的像素區(qū)域被配置成矩陣狀，其特征在于，具有凸?fàn)铙w，其形成于與相鄰像素之間的像素邊界，從上述第二基板的液晶面?zhèn)韧怀?；第一電極，其包括形成于上述凸?fàn)铙w的側(cè)壁面的側(cè)壁面電極、以及從上述側(cè)壁面電極的上述凸?fàn)铙w的底面?zhèn)妊由於厣鲜龅诙宓囊壕?cè)面延伸的下端側(cè)電極，上述側(cè)壁面電極形成在隔著上述像素區(qū)域而相對(duì)的至少一對(duì)邊部上；以及第二電極，其包括第一線狀電極，其形成于上述第一基板側(cè)的上述像素區(qū)域內(nèi)，在上述第一電極的延伸方向上延伸；以及第二線狀電極，其形成于上述第二基板側(cè)的上述像素區(qū)域內(nèi)，以經(jīng)由上述液晶層與上述第一線狀電極對(duì)峙的方式延伸，并且，從形成上述側(cè)壁面電極的上述第二基板側(cè)的下側(cè)邊緣部至上述第一基板側(cè)的上側(cè)邊緣部的上述第一電極的高度，形成為大于被該第一電極夾持的像素區(qū)域內(nèi)的上述液晶層的厚度。(3)為了解決上述問題，本申請(qǐng)的發(fā)明的液晶顯示裝置具備第二基板和第一基板，該第二基板具有在X方向上延伸且在Y方向上并列設(shè)置的掃描信號(hào)線以及在Y方向上延伸且在X方向上并列設(shè)置的影像信號(hào)線，該第一基板經(jīng)由液晶層與上述第二基板相對(duì)置，被上述掃描信號(hào)線和上述影像信號(hào)線包圍的像素區(qū)域被配置成矩陣狀，該液晶顯示裝置具備凸?fàn)铙w，其形成于與相鄰像素之間的像素邊界，從上述第二基板的液晶面?zhèn)韧怀?；第一電極，其包括形成于上述凸?fàn)铙w的側(cè)壁面的側(cè)壁面電極、以及從上述側(cè)壁面電極的上述凸?fàn)铙w的底面?zhèn)妊由於厣鲜龅诙宓囊壕?cè)面延伸的下端側(cè)電極，上述側(cè)壁面電極形成在隔著上述像素區(qū)域而相對(duì)的至少一對(duì)邊部上；以及第二電極，其由以下部分構(gòu)成第一線狀電極，其形成于上述第一基板側(cè)的上述像素區(qū)域內(nèi)，在上述第一電極的延伸方向上延伸；以及第二線狀電極，其形成于上述第二基板側(cè)的上述像素區(qū)域內(nèi)，以經(jīng)由上述液晶層與上述第一線狀電極對(duì)峙的方式延伸，并且具備第三電極，其形成在上述下端側(cè)電極的更下層，形成為與上述下端側(cè)電極隔著絕緣膜其至少一部分與上述下端側(cè)電極重疊，上述第三電極與上述第一電極進(jìn)行電連接。(4)為了解決上述問題，本申請(qǐng)的發(fā)明的液晶顯示裝置具備第二基板，其具有在X方向上延伸且在Y方向上并列設(shè)置的掃描信號(hào)線以及在Y方向上延伸且在X方向上并列設(shè)置的影像信號(hào)線；以及第一基板，其通過液晶層與上述第二基板相對(duì)置，由上述掃描信號(hào)線和上述影像信號(hào)線包圍的像素區(qū)域被配置成矩陣狀，其特征在于，具有凸?fàn)铙w，其形成于與相鄰像素之間的像素邊界，從上述第二基板的液晶面?zhèn)韧怀?；第一電極，其包括形成于上述凸?fàn)铙w的側(cè)壁面的側(cè)壁面電極、以及從上述側(cè)壁面電極的上述凸?fàn)铙w的底面?zhèn)妊由於厣鲜龅诙宓囊壕?cè)面延伸的下端側(cè)電極，上述側(cè)壁面電極形成在隔著上述像素區(qū)域而相對(duì)的至少一對(duì)邊部上；第二電極，其包括第一線狀電極，其形成于上述第一基板側(cè)的上述像素區(qū)域內(nèi)，在上述第一電極的延伸方向上延伸；以及第二線狀電極，其形成于上述第二基板側(cè)的上述像素區(qū)域內(nèi)，以經(jīng)由上述液晶層與上述第一線狀電極對(duì)峙的方式延伸，以
及第四電極，其形成于上述第一基板側(cè)而俯視觀察時(shí)與上述第一電極重疊配置，其中，對(duì)上述第四電極和上述第二電極提供相同信號(hào)。根據(jù)本發(fā)明，即使形成了在液晶層內(nèi)豎立而成的電極時(shí)，也能夠提高顯示模式效率。本發(fā)明的其它效果將根據(jù)說明書整體的記載而變得更清楚。


圖I是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式I的液晶顯示裝置的整體結(jié)構(gòu)的圖。圖2是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式I的液晶顯示裝置中的像素結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖3是圖2示出的B-B’線的截面圖。圖4是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式I的液晶顯示裝置中的壁狀電極的詳細(xì)結(jié)構(gòu)的圖。圖5是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式I的液晶顯示裝置中的模擬壁公共電極的電場(chǎng)分布的圖。圖6是用于說明以往的壁電極中的電場(chǎng)分布的圖。圖7是用于說明以往的公共電極中的電場(chǎng)分布的圖。圖8是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式I的模擬壁公共電極的定位精度的圖。圖9是表示本發(fā)明實(shí)施方式I的液晶顯示裝置中的壁基材附近的等電位面分布的圖。圖10是本發(fā)明實(shí)施方式I的液晶顯示裝置中的一個(gè)像素內(nèi)的透射率分布的測(cè)量值的圖。圖11是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式2的液晶顯示裝置中的液晶顯示面板的概要結(jié)構(gòu)的截面圖。圖12是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式2的液晶顯示裝置中的壁基材附近的等電位面分布的圖。
圖13是用于說明對(duì)實(shí)施方式I的液晶顯示裝置進(jìn)行了每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)壁基材附近處的等電位面分布的圖。圖14是表示對(duì)于本發(fā)明實(shí)施方式2的液晶顯示裝置中的液晶層厚度與壁像素電極高度之間的差的每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的對(duì)比率的圖。圖15是表示在實(shí)施方式I的液晶顯示裝置中在每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)在自身像素以及與該自身像素相鄰的相鄰像素中均進(jìn)行白色顯示的情況下的壁像素電極附近的等電位面分布的圖。圖16是表示在實(shí)施方式2的液晶顯示裝置中在每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)在自身像素中進(jìn)行白色顯示且在相鄰像素中進(jìn)行黑色顯示的情況下的壁像素電極附近的等電位面分布的圖。圖17是表示在實(shí)施方式2的液晶顯示裝置中形成比液晶層LC高2 μ m的壁基材WL而在每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)進(jìn)行白色顯示時(shí)的透射率分布的圖。圖18是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式3的液晶顯示裝置中的像素結(jié)構(gòu)的截面圖。圖19是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式4的液晶顯示裝置中的像素結(jié)構(gòu)的截面圖。圖20是用于說明在本發(fā)明實(shí)施方式4的液晶顯示裝置中在進(jìn)行每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)相鄰像素間的電位差變得最大的情況下的壁基材附近的等電位面分布的圖。圖21是用于說明在本發(fā)明實(shí)施方式4的液晶顯示裝置中在進(jìn)行每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)白色顯示像素與黑色顯示像素相鄰的情況下的壁基材附近的等電位面分布的圖。圖22是表示本發(fā)明實(shí)施方式4的液晶顯示裝置中的液晶層厚度與壁像素電極的高度之間的差以及進(jìn)行每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的白色顯示時(shí)的透射率與黑色顯示時(shí)的透射率的測(cè)量結(jié)果的圖。圖23是表示對(duì)于本發(fā)明實(shí)施方式4的液晶顯示裝置中的液晶層厚度與壁像素電極高度之間的差的進(jìn)行每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的對(duì)比率的圖。圖24是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式5的液晶顯示裝置中的像素結(jié)構(gòu)的截面圖。圖25是本發(fā)明實(shí)施方式5的液晶顯示裝置中的進(jìn)行每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的壁像素電極的附近的等電位面分布圖。圖26是本發(fā)明實(shí)施方式5的液晶顯示裝置中的進(jìn)行每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的壁像素電極的附近的等電位面分布圖。圖27是表示本發(fā)明實(shí)施方式5的液晶顯示裝置中的壁像素電極與線狀像素電極的間隔以及進(jìn)行每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的白色顯示時(shí)的透射率與黑色顯示時(shí)的透射率的測(cè)量結(jié)果的圖。圖28是表示對(duì)于本發(fā)明實(shí)施方式5的液晶顯示裝置中的壁像素電極與線狀像素電極之間的距離的進(jìn)行每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的對(duì)比率的圖。圖29是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式6的液晶顯示裝置的概要結(jié)構(gòu)的截面圖。圖30是本發(fā)明實(shí)施方式6的液晶顯示裝置中的自身像素與相鄰像素均顯示白色時(shí)的等電位面的分布。圖31是本發(fā)明實(shí)施方式6的液晶顯示裝置中的自身像素進(jìn)行白色顯示且相鄰像素進(jìn)行黑色顯示時(shí)的等電位面的分布。圖32是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式7的液晶顯示裝置的概要結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖33是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式7的其它液晶顯示裝置的概要結(jié)構(gòu)的截面圖。圖34是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式8的液晶顯示裝置的概要結(jié)構(gòu)的截面圖。圖35是表示對(duì)于本發(fā)明的模擬壁公共電極中的第一公共電極與第二公共電極的定位偏差的進(jìn)行每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的白色顯示像素的透射率的圖。圖36是表示在實(shí) 施方式I的液晶顯示裝置中第一公共電極與第二公共電極沒有產(chǎn)生定位偏差的情況以及產(chǎn)生3 μ m的定位偏差的情況下的像素內(nèi)的透射率分布的圖。圖37是本發(fā)明實(shí)施方式8的液晶顯示裝置中的第一公共電極與第二公共電極沒有產(chǎn)生定位偏差的情況下的模擬壁公共電極部分的放大圖。圖38是本發(fā)明實(shí)施方式8的液晶顯示裝置中的第一公共電極與第二公共電極產(chǎn)生定位偏差的情況下的模擬壁公共電極部分的放大圖。圖39是表示本發(fā)明實(shí)施方式8的液晶顯示裝置中的第一公共電極與第二公共電極沒有產(chǎn)生定位偏差的情況以及產(chǎn)生3 μ m的定位偏差的情況下的像素內(nèi)的透射率分布的圖。圖40是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式8的液晶顯示裝置中的第一公共電極與第二公共電極的定位位置偏移3μπι的情況下的進(jìn)行每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的白色顯示透射率的第二公共電極與液晶層的距離依賴性的圖。圖41是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式8的液晶顯示裝置中的從第二公共電極至液晶層為止的距離與驅(qū)動(dòng)電壓的關(guān)系的圖。圖42是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式9的液晶顯示裝置中的像素結(jié)構(gòu)的截面圖。圖43是本發(fā)明實(shí)施方式9的液晶顯示裝置中的第一公共電極與第二公共電極沒有產(chǎn)生定位偏差的情況下的模擬壁公共電極部分的放大圖。圖44是本發(fā)明實(shí)施方式9的液晶顯示裝置中的第一公共電極與第二公共電極產(chǎn)生定位偏差的情況下的模擬壁公共電極部分的放大圖。圖45是用于說明在本發(fā)明實(shí)施方式9的液晶顯示裝置中第一公共電極與第二公共電極的定位位置偏移3μπι的情況下的進(jìn)行每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的白色顯示透射率的第一公共電極與液晶層的距離依賴性的圖。圖46是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式9的液晶顯示裝置中的從第一公共電極至液晶層為止的距離與驅(qū)動(dòng)電壓的關(guān)系的圖。圖47是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式10的液晶顯示裝置的概要結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖48是圖47示出的C-C’線的截面圖。圖49是用于說明形成實(shí)施方式10的液晶顯示裝置中的壁像素電極的第一透明導(dǎo)電膜的結(jié)構(gòu)的圖。圖50是用于說明形成實(shí)施方式10的液晶顯示裝置中的第二公共電極和第四公共電極的第二透明導(dǎo)電膜的結(jié)構(gòu)的圖。
具體實(shí)施例方式下面，使用

本發(fā)明所應(yīng)用的實(shí)施方式。但是，在以下說明中，對(duì)同一結(jié)構(gòu)要素附加同一標(biāo)號(hào)而省略反復(fù)說明。另夕卜，X、Y、Z分別表不X軸、Y軸、Z軸。<實(shí)施方式1>
<整體結(jié)構(gòu)>圖I是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式I的液晶顯示裝置的整體結(jié)構(gòu)的圖，以下，根據(jù)圖I說明實(shí)施方式I的液晶顯示裝置的整體結(jié)構(gòu)。此外，在本申請(qǐng)的說明書中，將除了由濾色器CF、偏振板P0L1、P0L2等引起的吸收的影響、開口率的影響以外的透射率設(shè)為顯示模式效率。因而，在從背光單元側(cè)的偏振板POLl射出的直線偏振光的振動(dòng)方向入射到顯示面?zhèn)鹊钠癜錚0L2時(shí)，將旋轉(zhuǎn)90度的情況下的顯示模式效率設(shè)為100%。如圖I所示，實(shí)施方式I的液晶顯示裝置具有第一基板SU1，其與第二基板SU2相對(duì)地配置，形成有被稱為濾色器(著色層)、黑矩陣的遮光層等；第二基板SU2，其形成有作為壁狀像素電極的壁像素電極(第一電極)SE、薄膜晶體管TFT ;以及液晶顯示面板PNL，其由第一基板SUl與第二基板SU2所夾持的液晶層構(gòu)成。通過組合該液晶顯示面板PNL與作為該液晶顯示面板PNL的光源的未圖示的背光單元(背光裝置)來構(gòu)成液晶顯示裝置。第一基板SUl與第二基板SU2的固定和液晶的密封是使用在第一基板周邊部環(huán)狀地涂敷的密封材料SL來固定的，液晶也被密封。但是，在實(shí)施方式I的液晶顯示裝置中，在封入液晶的
區(qū)域內(nèi)的形成顯示像素(以下簡(jiǎn)稱為像素)的區(qū)域成為顯示區(qū)域AR。因而，即使在封入了液晶的區(qū)域內(nèi)，沒有形成像素而與顯示無關(guān)的區(qū)域不會(huì)成為顯示區(qū)域AR。另外，第一基板SUl的面積小于第二基板SU2的面積，使第二基板SU2的圖中下側(cè)邊部露出。在該第二基板SU2的邊部中搭載有半導(dǎo)體芯片構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路DR。該驅(qū)動(dòng)電路DR驅(qū)動(dòng)配置在顯示區(qū)域AR內(nèi)的各像素。此外，在以下說明中，在液晶顯示面板PNL的說明中，有時(shí)也稱為液晶顯示裝置。另外，作為第一基板SUl和第二基板SU2，例如通常將公知的玻璃基板用作基材，但是也可以是樹脂性的透明絕緣基板。在實(shí)施方式I的液晶顯示裝置中，在第二基板SU2的液晶側(cè)的面即顯示區(qū)域AR內(nèi)，形成有在圖I中在X方向上延伸且在Y方向上并列設(shè)置而從驅(qū)動(dòng)電路DR提供掃描信號(hào)的掃描信號(hào)線(柵極線)GL。另外，形成有在圖I中在Y方向上延伸且在X方向上并列設(shè)置而從驅(qū)動(dòng)電路提供影像信號(hào)(灰度信號(hào))的影像信號(hào)線(漏極線)DL。由相鄰的兩個(gè)漏極線DL與相鄰的兩個(gè)柵極線GL包圍的區(qū)域構(gòu)成像素，沿著漏極線DL和柵極線GL在顯示區(qū)域AR內(nèi)矩陣狀地配置多個(gè)像素。例如在圖I中圓圈A的等效電路圖A’所示，各像素具備根據(jù)來自柵極線GL的掃描信號(hào)來導(dǎo)通/截止驅(qū)動(dòng)的薄膜晶體管TFT ;通過導(dǎo)通后的該薄膜晶體管TFT被提供來自漏極線DL的影像信號(hào)的壁像素電極SE ;以及通過公共線CL被提供具有相對(duì)于影像信號(hào)的電位形成基準(zhǔn)的電位的公共信號(hào)的第一公共電極(第一線狀電極)CEl和第二公共電極(第二線狀電極)CE2。在圖I中圓圈A的等效電路圖A’中，示意性地呈線狀記載了第一公共電極CEl、第二公共電極CE2以及壁像素電極SE，后面詳細(xì)說明實(shí)施方式I的第一公共電極CEl和第二公共電極CE2以及壁像素電極SE的結(jié)構(gòu)。此外，以通過施加其偏壓而切換漏電極與源極電極的方式驅(qū)動(dòng)實(shí)施方式I的薄膜晶體管TFT，但是，為了方便起見，在本說明書中，將與漏極線DL相連接一側(cè)記載為漏電極，將與壁像素電極SE相連接一側(cè)記載為源極電極。在壁像素電極SE與第一和第二公共電極CEl、CE2之間產(chǎn)生具有與第二基板SU2的主面平行的成分的電場(chǎng)，通過該電場(chǎng)來驅(qū)動(dòng)液晶分子。可知這種液晶顯示裝置能夠進(jìn)行廣視角顯示，根據(jù)對(duì)液晶施加電場(chǎng)的特異性，被稱為IPS方式或者橫向電場(chǎng)方式。另外，在具有這種結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置中，通過在沒有對(duì)液晶施加電場(chǎng)的情況下使光透射率設(shè)為最小(黑色顯示)而通過施加電場(chǎng)來增加光透射率的常態(tài)黑色來進(jìn)行顯示。各漏極線DL和各柵極線GL在其端部中分別越過密封材料SL而延伸，并與驅(qū)動(dòng)電路DR相連接，該驅(qū)動(dòng)電路DR根據(jù)從外部系統(tǒng)通過撓性印刷電路板FPC輸入的輸入信號(hào)來生成影像信號(hào)、掃描信號(hào)等驅(qū)動(dòng)信號(hào)。但是，在實(shí)施方式I的液晶顯示裝置中，構(gòu)成為通過半導(dǎo)體芯片形成驅(qū)動(dòng)電路DR而搭載于第二基板SU2，但是也可以具有以下結(jié)構(gòu)，S卩將輸出影像信號(hào)的影像信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路與輸出掃描信號(hào)的掃描信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路中的任一個(gè)或者其兩個(gè)驅(qū)動(dòng)電路以帶載方式、COF(Chip On Film:覆晶薄膜)方式搭載在撓性印刷電路板FPC上，使其與第二基板SU2相連接?！聪袼氐脑敿?xì)結(jié)構(gòu)〉圖2是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式I的液晶顯示裝置中的像素結(jié)構(gòu)的俯視圖，圖3是圖2示出的B-B’線的截面圖，圖4是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式I的液晶顯示裝置中的壁
狀電極的詳細(xì)結(jié)構(gòu)的圖。但是，在圖2中，虛線表示第一公共電極(公共電極)CEl和第二公共電極(公共電極)CE2的輪廓，單點(diǎn)劃線表示本申請(qǐng)的發(fā)明的壁基材(凸?fàn)铙w、壁結(jié)構(gòu))WL的輪廓(外形)。如圖2所示，實(shí)施方式I的像素成為由在X方向上延伸且在Y方向上并列設(shè)置的漏極線(影像信號(hào)線)DL和在Y方向上延伸且在X方向上并列設(shè)置的柵極線(掃描信號(hào)線)GL包圍的區(qū)域，該像素在液晶顯示面板PNL的顯示區(qū)域AR內(nèi)被配置成矩陣狀。此時(shí)，實(shí)施方式I的像素構(gòu)成為在長(zhǎng)度方向(Y方向)的圖2中的上側(cè)區(qū)域(第一區(qū)域)和下側(cè)區(qū)域(第二區(qū)域)內(nèi)以相對(duì)于Y方向?qū)ΨQ的方式在不同方向上傾斜，在像素的中央部分中上側(cè)區(qū)域與下側(cè)區(qū)域進(jìn)行連接。但是，液晶分子的取向方向也在上側(cè)區(qū)域和下側(cè)區(qū)域內(nèi)以成為由圖中的箭頭AD所示的方向的方式初始取向。另外，在實(shí)施方式I的像素中，設(shè)為以下結(jié)構(gòu)，即使上側(cè)區(qū)域相對(duì)于Y方向朝向逆時(shí)針方向(第另一方面向)傾斜，使下側(cè)區(qū)域向順時(shí)針方向(第二方向)傾斜，但是也可以構(gòu)成為使朝向各自的反方向傾斜。這樣，在實(shí)施方式I的液晶顯示面板中，使一個(gè)像素在中央彎曲并且使液晶分子的取向方向設(shè)為由箭頭AD所示的方向(圖2中的縱向方向)。由此，在上側(cè)區(qū)域與下側(cè)區(qū)域接觸的彎曲部的上下，施加電壓時(shí)的液晶分子的旋轉(zhuǎn)方向變得相互相反。即，液晶分子在彎曲部的上側(cè)區(qū)域內(nèi)向逆時(shí)針方向旋轉(zhuǎn)，在彎曲部的下側(cè)區(qū)域內(nèi)向順時(shí)針方向旋轉(zhuǎn)。根據(jù)單軸取向模型，液晶層在保持平行取向的狀態(tài)下僅其方位旋轉(zhuǎn)，但是在包含取向方向的方位角方向上白色顯示發(fā)青，在其垂直方向上白色顯示發(fā)黃。因而，在實(shí)施方式I中，在一個(gè)像素內(nèi)形成旋轉(zhuǎn)方向相互相反的區(qū)域，由此能夠抵消視角方向上的著色而接近白色。另外，在實(shí)施方式I的液晶顯示面板PNL中，通過與漏極線DL重疊而形成的接觸孔CHl而成為半導(dǎo)體層的多晶硅膜(多晶硅層)PS進(jìn)行電連接，成為薄膜晶體管TFT的漏電極。如圖2中的左下角所示，該多晶硅膜PS通過未圖示的柵極絕緣膜與柵極線GL重疊，在該重疊區(qū)域內(nèi)，柵電極GT成為薄膜晶體管TFT的柵電極。另外，多晶硅膜PS的另一端側(cè)成為漏電極，通過接觸孔CH2與第一透明導(dǎo)電膜(第一導(dǎo)電膜)TCFl進(jìn)行電連接。此外，在實(shí)施方式I中，說明作為半導(dǎo)體層(半導(dǎo)體膜)而使用多晶硅層的情況，但是也可以構(gòu)成為使用非晶硅層、微結(jié)晶硅層等其它半導(dǎo)體層。第一透明導(dǎo)電膜TCFl沿著漏極線DL和柵極線GL形成為圓環(huán)狀，在圖2中由實(shí)線LI所示的外側(cè)邊緣部與由實(shí)線L2所示的內(nèi)側(cè)邊緣部之間的區(qū)域成為第一透明導(dǎo)電膜TCFl的形成區(qū)域。此時(shí)，第一透明導(dǎo)電膜TCFl中的沿著漏極線DL而延伸的部分被配置成接近各漏極線DL—側(cè)即外側(cè)邊緣與壁基材WL重疊。由此，沿著實(shí)施方式I的漏極線DL而形成的一對(duì)壁像素電極SE豎立形成以夾持像素區(qū)域。另外，在實(shí)施方式I的液晶顯示面板PNL中，以沿著柵極線GL而跨過該柵極線GL的方式，第二透明導(dǎo)電膜(第二導(dǎo)電膜)TCF2在X方向上延伸且在Y方向上并列設(shè)置，兼作公共線CL。另外，在像素區(qū)域的X方向的中間區(qū)域內(nèi)，形成第二公共電極CE2以連接形成于像素區(qū)域內(nèi)的上端側(cè)和下端側(cè)的第二 透明導(dǎo)電膜TCF2。此時(shí)，在第二公共電極CE2中，在像素區(qū)域的上側(cè)區(qū)域與下側(cè)區(qū)域內(nèi)，也形成為相對(duì)于Y方向傾斜，在上側(cè)區(qū)域與下側(cè)區(qū)域的中間部分中進(jìn)行電連接。即，在第二公共電極CE2中，也形成為在像素區(qū)域的上側(cè)區(qū)域與下側(cè)區(qū)域的中間部分中彎曲的形狀。具有這種結(jié)構(gòu)的第二公共電極CE2例如構(gòu)成為在以覆蓋第二基板SU2的液晶面?zhèn)鹊姆绞叫纬傻耐该鲗?dǎo)電膜上形成由點(diǎn)線L3、L4所示的開口區(qū)域而能夠成膜，在隔著一對(duì)壁像素電極SE的區(qū)域內(nèi)形成在中間部分中彎曲的線狀第二公共電極CE2。但是，后面詳細(xì)說明那樣，在實(shí)施方式I的液晶顯示面板PNL中，在經(jīng)由液晶層相對(duì)置的第一基板SUl的液晶面?zhèn)刃纬捎袑?duì)與第二公共電極CE2對(duì)峙的位置中提供相同電位的公共信號(hào)的第一公共電極CE1。另外,第一公共電極CEl與第二公共電極CE2例如在液晶顯示面板PNL的邊緣部等中通過公知的技術(shù)進(jìn)行電連接，對(duì)第一公共電極CEl和第二公共電極CE2提供相同電位的公共信號(hào)。此時(shí)，在實(shí)施方式I的液晶顯示面板PNL中，形成壁像素電極SE的第一透明導(dǎo)電膜TCFl和形成第二公共電極CE2的第二透明導(dǎo)電膜TCF2通過第三絕緣膜IL3而形成。因而，在圖2中由斜線所示的像素區(qū)域內(nèi)的上端側(cè)和下端側(cè)的區(qū)域內(nèi)，第一透明導(dǎo)電膜TCFl和第二透明導(dǎo)電膜TCF2通過第三絕緣膜IL3進(jìn)行重疊，在實(shí)施方式I中，構(gòu)成為將第一透明導(dǎo)電膜TCFl與第二透明導(dǎo)電膜TCF2重疊而成的區(qū)域(由斜線所示的區(qū)域SC)用作保持電容(累積電容)。另外，在實(shí)施方式I的第一透明導(dǎo)電膜TCFl中，在像素的上側(cè)區(qū)域與下側(cè)區(qū)域的中間部分中形成向圖2中的X方向突出的突出部，構(gòu)成為減少由上側(cè)區(qū)域與下側(cè)區(qū)域內(nèi)液晶分子的旋轉(zhuǎn)方向不同而引起的異常域。同樣地，構(gòu)成為在形成第二公共電極CE2的透明導(dǎo)電膜上也在像素的上側(cè)區(qū)域與下側(cè)區(qū)域的中間部分中形成向圖2中的X方向突出的突出部，從而減少異常區(qū)。在具有該結(jié)構(gòu)的實(shí)施方式I的液晶顯示面板PNL中，如圖3所示，第一基板SUl與第二基板SU2經(jīng)由液晶層LC相對(duì)置。在第一基板SUl的液晶面?zhèn)刃纬晌磮D示的柵極線GL，在第二基板SU2的液晶面?zhèn)鹊恼嫔闲纬傻谝唤^緣膜ILl以覆蓋該柵極線GL。此時(shí)，構(gòu)成為第一絕緣膜ILl在薄膜晶體管TFT的形成區(qū)域內(nèi)作為柵極絕緣膜而發(fā)揮功能。在第一絕緣膜ILl的上層形成漏極線DL，在第二基板SU2的整面上形成第二絕緣膜IL2以使得覆蓋該漏極線DL。豎立壁基材WL以使得在第二絕緣膜IL2的上層與漏極線DL重疊，在該壁基材WL的側(cè)壁面和頂端面以及壁基材WL附近的第二絕緣膜IL2的上層形成有構(gòu)成壁像素電極SE的第一透明導(dǎo)電膜TCF1。此時(shí)，如上所述，在實(shí)施方式I的壁像素電極WL中，形成有與一個(gè)壁基材WL的側(cè)壁面相鄰的像素的壁像素電極SE，該相鄰像素的壁像素電極SE構(gòu)成為經(jīng)由壁基材WL在柵極線GL的延伸方向上相對(duì)置。
在壁基材WL和壁像素電極SE的上層，在第二基板SU2的整面上形成第三絕緣膜IL3,以使得覆蓋該壁基材WL和壁像素電極SE，在該第二基板SU2的上層形成有第二公共電極CE2。另外，在第三絕緣膜IL3的上層，在第二基板SU2的整面上形成第二取向膜AL2，以使得覆蓋第二公共電極CE2，構(gòu)成為使液晶層LC的各液晶分子LCM向圖2中由箭頭所示的初始取向方向ADH取向。特別是，第二取向膜AL2為公知的光取向膜，是具有當(dāng)照射偏振光紫外線時(shí)使液晶分子LCM向與其振動(dòng)方向平行的方向取向的性質(zhì)的取向膜。在實(shí)施方式I中，將光取向膜用作第二取向膜AL2，由此能夠得到不需要摩擦法那樣的機(jī)械性摩擦的特別效果。其結(jié)果是，能夠在配置壁基材WL而產(chǎn)生凹凸的第二基板SU2表面上使液晶分子LCM取向。但是，也能夠應(yīng)用于使用摩擦法等的公知的取向膜。另外，在經(jīng)由液晶層LC相對(duì)置的第一基板SUl的液晶面?zhèn)仍谂c漏極線DL對(duì)峙的位置中形成有成為遮光膜的黑矩陣BM，形成有作為著色層的濾色器CF使得覆蓋該黑矩陣BM0濾色器CF按照每個(gè)像素區(qū)域至少著色紅色(R)、綠色(G)以及藍(lán)色(B)中的任一顏色，從而構(gòu)成RGB的彩色顯示用的單位像素。在濾色器CF的上層形成有外涂層(外涂膜、平坦化層)0C，在該外涂層OC的上層形成有第一公共電極CE1。在外涂層OC的上層形成第一取向膜ALl,使得覆蓋第一公共電極CE1。第一取向膜ALl構(gòu)成為在該第一取向膜ALl的液晶側(cè)面不形成較大突出的壁基材WL，因此也可以是光取向膜、使用摩擦法等的取向膜中的任一個(gè)。此時(shí)，實(shí)施方式I的第一公共電極CEl形成為經(jīng)由液晶層LC與第二公共電極CE2重疊，并且壁像素電極SE的配置方向的寬度形成為大于第二公共電極CE2。通過該結(jié)構(gòu)，在實(shí)施方式I中，在第一公共電極CEl與第二公共電極CE2重疊的區(qū)域內(nèi)的液晶層LC上形成成為相同電位的區(qū)域，構(gòu)成為在該區(qū)域內(nèi)形成外觀上成為壁電極(模擬壁電極)的模擬壁公共電極(第二電極)。在該情況下，在顯示圖像時(shí)，以模擬壁公共電極為中心，在圖3中的B側(cè)，在B側(cè)的壁像素電極SE與模擬壁公共電極之間產(chǎn)生與第二基板SU2的主面平行的電場(chǎng)，在B’側(cè)，在B’側(cè)的壁像素電極SE與模擬壁公共電極之間產(chǎn)生與第二基板SU2的主面平行的電場(chǎng)，通過該B側(cè)和B’側(cè)的電場(chǎng)，每個(gè)區(qū)域的液晶分子LCM與第二基板SU2的主面平行地旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)。另外，實(shí)施方式I的壁基材WL構(gòu)成為與第一透明導(dǎo)電膜TCFl中的主要成為壁像素電極SE的區(qū)域重疊。即，僅在對(duì)與第一公共電極CE1、第二公共電極CE2成對(duì)的液晶層LC施加電場(chǎng)的部分中形成壁基材WL，構(gòu)成為與第一透明導(dǎo)電膜TCFl重疊，因此構(gòu)成為壁基材WL不會(huì)延伸至柵極線GL附近。并且，構(gòu)成為在像素區(qū)域的柵極線GL側(cè)(Y方向側(cè))的邊部中也不會(huì)形成壁基材WL。這樣，壁結(jié)構(gòu)WL不會(huì)形成于柵極布線GL及其附近，形成在漏極布線DL的延伸方向上不跨越像素間的不連續(xù)的結(jié)構(gòu)。因而，在形成液晶層LC時(shí)，即使在使用真空封入法、滴下法等中的任一方的情況下，實(shí)施方式I的壁基材WL減少對(duì)液晶分子LCM的移動(dòng)帶來的阻礙而使液晶層LC的形成變得容易，因此不妨礙注入液晶。例如，在注入液晶層LC時(shí)，液晶分子LCM通過沒有形成壁基材WL的部分而移動(dòng)，形成液晶層LC。另外，壁基材WL具有保持液晶層LC而固定保持其厚度的功能。 此外，用于形成透明導(dǎo)電膜TCFl、TCF2的透明導(dǎo)電膜材料例如能夠使用ITO (Indium Tin Oxide :銦錫氧化物)以及氧化鋒類的 AZO (Aluminum doped Zinc Oxide 氧化鋅摻雜鋁)、GZO(GalIium doped Zinc Oxide :氧化鋅摻雜鎵)等，其中，透明導(dǎo)電膜TCFl、TCF2用于形成壁像素電極SE以及第一公共電極CEl、第二公共電極CE2。特別是，如圖4的放大圖所示，在實(shí)施方式I的壁像素電極SE中，壁基材WL的截面形狀為長(zhǎng)方形，構(gòu)成為形成于壁基材WL的頂端面的第二取向膜AL2與形成于第一基板SUl上的第一取向膜ALl接近或者抵接。此外，壁基材WL的側(cè)壁面為與第二基板SU2的主面垂直或者接近垂直的傾斜即可，因此壁基材WL的截面形狀可以是長(zhǎng)方形以外的形狀，例如也可以是梯形、二次曲面、四次曲面等形狀。另外，在實(shí)施方式I的像素結(jié)構(gòu)中,壁基材WL形成為跨過相鄰的像素，因此如圖4所示，在該壁基材WL的漏極線DL的并列設(shè)置方向(圖4中的B、B’方向)的側(cè)壁面上，相鄰的像素的壁像素電極SE以相對(duì)置的方式分別形成。即，在與相鄰的像素面對(duì)的側(cè)壁面即相對(duì)的一對(duì)側(cè)壁面上，分別形成有相鄰像素的壁像素電極SE。實(shí)施方式I的壁像素電極SE由以下部分構(gòu)成形成于壁基材WL的側(cè)壁面上的垂直部(側(cè)壁面電極)VP ;形成于壁基材WL的頂端面上而從垂直部VP頂端側(cè)的邊緣部沿頂端面延伸的頂端部TP ；以及從壁基材WL底面?zhèn)?第二基板SU2側(cè))的邊緣部沿下層的第二絕緣膜IL2表面在模擬壁公共電極側(cè)以
規(guī)定寬度延伸而成的平坦部(下端側(cè)電極)HP。此時(shí)，在壁基材WL的頂端面上分別形成有相鄰像素的頂端部TP，因此相鄰像素的壁像素電極SE最接近。因而，在實(shí)施方式I的液晶顯示面板PNL中，形成為與相鄰像素的頂端部TP的間隔相比向頂端部TP的相鄰方向的突出量(突出寬度)更小。此外，壁像素電極SE的結(jié)構(gòu)并不限定于此，例如，也可以是不形成頂端部TP而僅通過垂直部VP和平坦部HP形成壁像素電極SE的結(jié)構(gòu)。另外，在實(shí)施方式I的壁像素電極SE中，構(gòu)成為在壁基材WL的下層(接近第二基板SU2 —側(cè))形成漏極線DL、即在垂直部VP的邊緣部中的形成漏極線DL —側(cè)形成有平坦部HP，因此漏極線DL起到遮蔽對(duì)壁像素電極SE造成的影響這種效果。此外，在平坦部HP的前端即遠(yuǎn)離垂直部VP —側(cè)上與模擬壁公共電極之間的距離更接近，因此起到增強(qiáng)施加給液晶層LC的電場(chǎng)強(qiáng)度這種效果。這樣，在實(shí)施方式I的液晶顯示面板PNL中，形成為壁基材WL從第二基板SU2側(cè)至第一基板SUl側(cè)貫穿液晶層LC，并且其側(cè)壁面(斜面)形成垂直或者接近垂直的斜面，因此形成于壁基材WL上的壁像素電極SE能夠?qū)σ壕覮C施加與其層面內(nèi)平行的電場(chǎng)。由于施加與層面內(nèi)平行的電場(chǎng)，由此在液晶層上產(chǎn)生同樣的取向變化，因此得到高透射率，從而能夠提高顯示模式效率。<壁像素電極和模擬壁公共電極的電場(chǎng)分布>圖5是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式I的液晶顯示裝置中的模擬壁公共電極的電場(chǎng)分布的圖，圖6是用于說明以往的壁電極中的電場(chǎng)分布的圖，圖7是用于說明以往的公共電極中的電場(chǎng)分布的圖，圖8是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式I的模擬壁公共電極的定位精度的圖。如圖5所示，在實(shí)施方式I的液晶顯示面板PNL中，從顯示面?zhèn)扔^察以重疊的方式配置有形成于第一基板SUl的第一公共電極CEl以及形成于第二基板SU2的第二公共電極CE2。其結(jié)果是，在實(shí)施方式I的模擬壁公共電極中，在第一公共電極CEl與第二公共電極CE2附近，產(chǎn)生分別包圍第一公共電極CEl和第二公共電極CE2的等電位面El、E2。此時(shí)，在實(shí)施方式I中，構(gòu)成為對(duì)第一公共電極CEl和第二公共電極CE2提供相同的公共信號(hào)，因此產(chǎn)生同時(shí)包圍第一公共電極CEl和第二公共電極CE2的等電位面E3、即對(duì)第一基板SUl與第二基板SU2進(jìn)行連結(jié)的等電位面E3。此時(shí)的等電位面E3與形成圖6示出的壁狀的電極IWE的情況下的等電位面相同。并且，在第一公共電極CEl與第二公共電極CE2之間存在液晶層LC，因此由模擬壁公共電極形成的等電位面E3也能夠得到與設(shè)置了壁狀的電極IWE的情況相同的效果，模擬壁公共電極本身不會(huì)使透射率大大降低。因而，通過在像素端的壁基材WL上配置壁像素電極SE、在像素中央配置模擬壁公共電極的結(jié)構(gòu)，即使在WVGA對(duì)應(yīng)的液晶顯示面板PNL那樣、短邊方向的像素寬度較大的情況下，也能夠得到高透射率。另外，根據(jù)圖5示出的等電位面E3的形狀可知，在由模擬壁公共電極形成的等電位面E3中，在第一公共電極CEl與第二公共電極CE2之間的區(qū)域、即第一基板SUl與第二基板SU2之間的區(qū)域內(nèi)，相對(duì)于電 極寬度方向的等電位面E3的寬度也變小，因此能夠縮小無助于驅(qū)動(dòng)液晶分子的電極寬度。其結(jié)果，能夠提高顯示效率。但是，在實(shí)施方式I的液晶顯示面板PNL中，構(gòu)成為第一公共電極CEl的寬度大于(寬于)第二公共電極CE2。這是由于，考慮了具有濾色器CF的基板即第一基板SUl的加工精度相對(duì)低于第二基板SU2的情況。例如，如圖8所示，即使在第一公共電極CEl與第二公共電極CE2偏移的情況下，通過將第一公共電極CEl的寬度形成為較大，能夠形成等電位面E3，由此能夠形成模擬壁公共電極。但是，第一公共電極CEl與第二公共電極CE2的電極寬度并不限于不同寬度，也可以是相同寬度的結(jié)構(gòu)。更期望使第一公共電極CEl的寬度與第二公共電極CE2相同。即，第一公共電極CEl的寬度與第二公共電極CE2的寬度越窄，則以包圍圖5示出的第一公共電極CEl與第二公共電極CE2的方式分布的等電位面E3的分布也越窄，因此模擬壁公共電極附近的透射率增加。在對(duì)具有上述結(jié)構(gòu)的模擬壁公共電極僅設(shè)置第一公共電極CEl與第二公共電極CE2中的一個(gè)的情況下，無法得到與模擬壁公共電極相同的效果。圖7是表示僅在第二基板SU2 一側(cè)設(shè)置公共電極、即僅設(shè)置第二公共電極CE2的情況下的等電位面的圖，如該圖7所示，產(chǎn)生包圍第二公共電極CE2的同心圓狀的等電位面。在該情況下，第二公共電極CE2上的電場(chǎng)強(qiáng)度較弱，不會(huì)產(chǎn)生充分大的液晶取向變化，因此在其附近透射率明顯降低。另一方面，實(shí)施方式I的壁像素電極SE在壁基材WL的相對(duì)的側(cè)壁面上配置自身像素和相鄰像素的壁像素電極SE，因此在壁基材WL及其周邊產(chǎn)生由自身像素和相鄰像素的壁像素電極SE的電位差引起的電場(chǎng)。因此，在每列反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的情況下，在自身像素為白色顯示且相鄰像素為黑色顯示時(shí)，形成于同一壁基材WL上的壁像素電極SE之間的電位差變得最大。此時(shí)，在進(jìn)行白色顯示的像素內(nèi)的電場(chǎng)強(qiáng)度產(chǎn)生偏差的情況下，白色顯示的透射率降低。另外，在進(jìn)行黑色顯示的像素中產(chǎn)生漏電位的情況下，黑色顯示的透射率增加。在此，在實(shí)施方式I的結(jié)構(gòu)中，如圖3所示，使壁基材WL的高度形成為與液晶層LC的厚度大致相同，壁像素電極SE具有平坦部HP。通過該結(jié)構(gòu)，能夠減小由如下情況引起的橫向電場(chǎng)分布的偏差以及向相鄰像素的漏電場(chǎng)，該情況為來自構(gòu)成壁像素電極SE的垂直部VP的表面的電力線通過第二基板SU2到達(dá)形成于壁基材WL的相對(duì)面上的垂直部VP的表面，因此，能夠提高白色顯示的透射率，并且能夠降低黑色顯示的透射率。即，能夠提高顯示模式效率，并且得到高對(duì)比率。圖9是表示本發(fā)明實(shí)施方式I的液晶顯示裝置中的壁基材附近的等電位面分布的圖，特別是，圖9中的壁基材WL的中央為像素邊界，示出在其右側(cè)的像素(自身像素)中進(jìn)行白色顯示、在左側(cè)的像素(相鄰的像素)中進(jìn)行黑色顯示的狀態(tài)下的等電位面分布。另夕卜，圖9示出的等電位面分布相當(dāng)于在每列反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)中相鄰像素間的電位差變得最大的情況。在每列反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)中在相鄰像素中進(jìn)行白色顯示和黑色顯示的情況下，進(jìn)行白色顯示一側(cè)的等電位面EFl較大分布。另一方面，在進(jìn)行黑色顯示的像素中也形成等電位面EF2，但是在壁像素電極SE附近局部存在。得到這種等電位面EF1、EF2的分布的情況，表示來自圖中右側(cè)的白色顯示像素的壁像素電極SE的電場(chǎng)對(duì)黑色顯示像素的電場(chǎng)帶來的影響能夠減小，并且來自圖中左側(cè)的黑色顯示像素的壁像素電極SE的電場(chǎng)對(duì)白色顯示像素的電場(chǎng)帶來的影響能夠減小。作為具有該結(jié)構(gòu)的實(shí)施方式I的液晶顯示面板PNL，例如在液晶層LC上形成了包括室溫在內(nèi)的大溫度范圍內(nèi)使用 表示向列相的高電阻的液晶材料的液晶顯示面板。在該實(shí)施方式I的液晶顯示面板PNL中，在使用形成于壁基材WL上的壁像素電極SE來施加與液晶層LC的層平面即液晶顯示面板面平行的電場(chǎng)的情況下，液晶層LC成為接近單軸取向模型的取向狀態(tài)。在該情況下，使高透射率與無彩色并存，將液晶層的延遲Λ nd設(shè)為300nm左右即可。在實(shí)施方式I中，將液晶材料的雙折射率Λ η設(shè)為O. 09，將液晶層厚度設(shè)為3. 3 μ m，將液晶層的And設(shè)為300nm。此時(shí)，在形成壁基材WL的區(qū)域內(nèi)不存在液晶層LC，因此壁基材WL本身導(dǎo)致透射率降低。因此，在實(shí)施方式I中，構(gòu)成為將壁基材WL配置在像素端部的黑矩陣BM的下面。例如,在WVGA(Wide Video Graphics ArrayJ/"大影像圖像分辨率)對(duì)應(yīng)的像素的情況下，像素寬度(X方向的像素寬度)為30μπι左右。因而，在像素端部形成壁狀電極而一個(gè)電極提供影像信號(hào)且對(duì)另一個(gè)電極提供公共信號(hào)的以往壁電極結(jié)構(gòu)中，當(dāng)以30 μ m間隔來排列壁基材WL時(shí)電場(chǎng)強(qiáng)度分布變得不均勻而導(dǎo)致透射率降低。與此相對(duì)，在實(shí)施方式I的液晶顯示面板PNL中，構(gòu)成為在像素中央配置模擬壁公共電極，因此能夠補(bǔ)充像素中央的電場(chǎng)強(qiáng)度，從而能夠提高透射率。此外，如上所述，模擬壁公共電極由作為一對(duì)公共電極的第一公共電極CEl和第二公共電極CE2構(gòu)成。接著，圖10是表示本發(fā)明實(shí)施方式I的液晶顯示裝置中的一個(gè)像素內(nèi)的透射率分布的測(cè)量值的圖，以下，根據(jù)圖10，說明實(shí)施方式I的像素結(jié)構(gòu)的效果。但是，圖10示出的測(cè)量值的圖表Gl是以下情況像素寬度為30 μ m,是在從像素端起15 μ m的位置中形成模擬壁公共電極的像素的情況下從一個(gè)像素端至另一端側(cè)的白色顯示時(shí)的透射率(白色顯示透射率)的測(cè)量值，與進(jìn)行白色顯示的自身像素相鄰的像素進(jìn)行黑色顯示。這樣，相當(dāng)于在自身像素進(jìn)行白色顯示而與自身像素相鄰的相鄰像素進(jìn)行黑色顯示的情況下，在每列反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)中相鄰像素間(自身像素與相鄰像素之間)的電位差變得最大的情況。根據(jù)圖表Gl可知，在形成模擬壁公共電極的區(qū)域即從像素端部起15 μ m的部分中透射率降低，但是在其它部分中大致得到固定透射率。該結(jié)構(gòu)表示在除了模擬壁公共電極附近以外的像素內(nèi)將大致固定強(qiáng)度的電場(chǎng)(橫向電場(chǎng))施加到液晶層LC。并且，根據(jù)圖表Gl可知，在實(shí)施方式I的液晶顯示裝置中在每列反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)得到90%的透射率。另外，相鄰像素的黑色顯示透射率為O. 08%。但是，本申請(qǐng)的說明書中的透射率是排除濾色器、偏振板等的各部材的吸收和開口率的影響的值，是與液晶層的偏振光變換函數(shù)量對(duì)應(yīng)的值。與此相對(duì)，例如在像素寬度為30 μ m而在面狀的公共電極的上層通過絕緣膜形成線狀像素電極的IPS方式的液晶顯示裝置中，每列反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的透射率為76%左右，因此在實(shí)施方式I的液晶顯示裝置中，能夠大幅提高透射率。S卩，能夠大幅提高顯示模式效率。
如上所述，在實(shí)施方式I的液晶顯示裝置中，設(shè)為一個(gè)像素由兩個(gè)以上的傾斜的像素區(qū)域形成而各像素區(qū)域與柵極線GL的并列設(shè)置方向?qū)ΨQ的所謂多域結(jié)構(gòu)，并且構(gòu)成為壁像素電極SE由垂直部VP、平坦部HP以及頂端部TP形成，在俯視觀察不從相鄰像素的壁像素電極SE露出的范圍內(nèi)形成漏極線DL，并且在像素的邊緣部?jī)?nèi)形成的一對(duì)壁像素電極SE之間的區(qū)域內(nèi)形成模擬壁公共電極，因此即使是具有像素的短邊方向相對(duì)分離的結(jié)構(gòu)的像素，也能夠提高透射率。此外，在本申請(qǐng)的發(fā)明的實(shí)施方式I的液晶顯示裝置中，設(shè)為一個(gè)像素由兩個(gè)向不同方向傾斜的區(qū)域(上側(cè)區(qū)域和下側(cè)區(qū)域)形成的所謂多域結(jié)構(gòu)，但是并不限于此。例如，也可以是一個(gè)像素由三個(gè)以上的區(qū)域形成的多域結(jié)構(gòu)。特別是，在一個(gè)像素由三個(gè)以上的區(qū)域形成的情況下，還能夠設(shè)為各區(qū)域的傾斜角全部不同的結(jié)構(gòu)，但是，例如也可以是適當(dāng)?shù)嘏渲弥辽賰蓚€(gè)以上的傾斜角不同的區(qū)域的結(jié)構(gòu)。〈實(shí)施方式2>圖11是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式2的液晶顯示裝置中的液晶顯示面板的概要結(jié)構(gòu)的截面圖，以下，根據(jù)圖11說明實(shí)施方式2的液晶顯示裝置。但是，在實(shí)施方式2的液晶顯示面板中，僅被由一對(duì)壁像素電極SE包圍的區(qū)域即施加電場(chǎng)的液晶層LC的部分的結(jié)構(gòu)不同，其它結(jié)構(gòu)為與實(shí)施方式I相同的結(jié)構(gòu)。因而，在以下說明中，詳細(xì)說明被由該壁像素電極SE夾持的區(qū)域的結(jié)構(gòu)。此外，在實(shí)施方式2的像素結(jié)構(gòu)中，也說明在像素的中心部分中壁像素電極SE的平面內(nèi)的傾斜角不同的所謂多域結(jié)構(gòu)的情況，但是還能夠應(yīng)用于由直線狀壁像素電極SE和模擬壁公共電極構(gòu)成的所謂單域結(jié)構(gòu)中。如圖11所示，實(shí)施方式2的液晶顯示面板與實(shí)施方式I同樣地，在第二基板SU2的上層依次層疊形成有第一絕緣膜IL1、漏極線DL、第二絕緣膜IL2、壁基材WL以及壁像素電極SE。在此，在實(shí)施方式2的液晶顯示面板中，在由一對(duì)壁像素電極SE夾持而驅(qū)動(dòng)液晶分子LCM的每個(gè)區(qū)域(以下，簡(jiǎn)稱為透射區(qū)域)內(nèi)形成有第四絕緣膜(第一絕緣厚膜)IL4。即，構(gòu)成為在像素區(qū)域中的、沒有形成壁基材WL的區(qū)域內(nèi)形成有第四絕緣膜IL4。在實(shí)施方式2中，第四絕緣膜IL4形成為厚度不超過壁像素電極SE的高度H2。另夕卜，在實(shí)施方式2的結(jié)構(gòu)中，具有沿著包括壁基材WL的壁像素電極的形成區(qū)域的形狀的貫通槽形成于第四絕緣膜IL4，在該貫通槽的底面部露出的第二絕緣膜IL2的表面(露出面)上形成有壁基材WL和壁像素電極SE。由此，在實(shí)施方式2的液晶顯示面板PNL中，設(shè)為在第二基板SU2的液晶側(cè)面形成凹部(第一槽)而在該凹部的底面豎立壁基材WL和壁像素電極SE的結(jié)構(gòu)，設(shè)為將壁像素電極SE的高度形成為比液晶層厚度大到凹部的深度即第四絕緣膜IL4的膜厚量的結(jié)構(gòu)。此外，在實(shí)施方式2中，設(shè)為僅在第四絕緣膜IL4中設(shè)置貫通槽由此在第二基板SU2的表面(液晶側(cè)面)形成凹部的結(jié)構(gòu)，但是也可以設(shè)為形成兩個(gè)以上的薄膜層而在每個(gè)薄膜層上設(shè)置貫通槽等由此形成凹部的結(jié)構(gòu)。在第四絕緣膜IL4的上層形成有第三絕緣膜IL3使得覆蓋壁像素電極SE和壁基材WL的頂端面。在該第三絕緣膜IL3的上層形成有形成模擬壁公共電極的一個(gè)透明電極即第二公共電極CE2，在該第二公共電極CE2的上層形成有取向膜AL2。關(guān)于具有該結(jié)構(gòu)的第二基板SU2的形成，將壁基材WL形成于第二絕緣膜IL2上，將其高度H2預(yù)先形成為比液晶層LC的厚度Hl更高。之后，在壁基材WL上將構(gòu)成壁像素電極SE的垂直部VP、平坦部HP以及頂端部TP進(jìn)行圖案形成來形成之后，在包括壁像素電極SE和第二絕緣膜IL2的第二基板SU2的整面上形成第四絕緣膜IL4。接著，沿著包括壁基材WL的壁像素電極SE的形成區(qū)域，去除形成于壁基材WL和壁像素電極SE的上層的第四絕緣膜IL4，使構(gòu)成壁像素電極SE的頂端部TP、垂直部VP以及平坦部的一部分以及壁基材WL露出。之后，通過形成第三絕緣膜IL3、第二公共電極CE2以及第二取向膜AL2，能夠?qū)⒈谙袼仉姌OSE形成為比液晶層LC的厚度Hl高第四絕緣膜IL4的膜厚量。此時(shí)，將有機(jī)抗蝕劑等有機(jī)絕緣膜材料使用于第四絕緣膜IL4，由此能夠容易地使第四絕緣膜IL4的膜厚增加。另外，壁基材WL變得比液晶層LC的厚度Hl充分高。另一方面，第一基板SUl的結(jié)構(gòu)為與上述實(shí)施方式I的液晶顯不面板PNL的第一基板SUl相同的結(jié)構(gòu)。其結(jié) 果是，在實(shí)施方式I的液晶顯示面板PNL中，即使在將液晶層LC的厚度Hl設(shè)為與以往的液晶顯示面板PNL相同的厚度的情況下，也能夠使透射區(qū)域的液晶層LC的厚度Hl比壁像素電極SE的高度H2更小。即，成為使壁像素電極SE的高度H2形成為比液晶層LC的厚度Hl更大的結(jié)構(gòu)。接著，圖12是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式2的液晶顯示裝置中的壁基材附近的等電位面分布的圖，圖13是用于說明將實(shí)施方式I的液晶顯示裝置按每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)壁基材附近的等電位面分布的圖，以下，根據(jù)圖12以及圖13，詳細(xì)說明實(shí)施方式2的液晶顯示面板PNL的像素結(jié)構(gòu)。但是，圖12以及圖13示出的等電位面分布相當(dāng)于每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的相鄰像素間的電位差變得最大的情況。在每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)中相鄰的像素的電位反轉(zhuǎn)，因此在自身像素和相鄰像素均進(jìn)行白色顯示的情況下，相鄰像素間的電位差變得最大。此時(shí)，在實(shí)施方式2的液晶顯示面板PNL中，相鄰像素的壁像素電極SE形成于通過壁基材WL相對(duì)的位置。因此，在對(duì)相鄰的像素施加極性反轉(zhuǎn)的最大電壓的情況下即自身像素和相鄰像素均進(jìn)行白色顯示的情況下，產(chǎn)生每列反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)中的最大值兩倍左右的電位差，對(duì)相鄰像素的電位帶來的影響也增加。在此，圖13是表示實(shí)施方式2的液晶顯示裝置中的液晶層厚度Hl與壁像素電極SE的高度H2的差Hd( = H2-H1)以及每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的白色顯示時(shí)的透射率與黑色顯示時(shí)的透射率的測(cè)量結(jié)果的圖，以下，根據(jù)圖12以及圖13說明實(shí)施方式2的液晶顯示面板的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。但是，圖表G3是使壁像素電極SE的高度H2與液晶層厚度Hl的差Hd變化的情況下的白色顯示時(shí)的自身像素的透射率的測(cè)量值，圖表G4是使壁像素電極SE的高度H2與液晶層厚度Hl的差Hd變化的情況下的黑色顯示時(shí)的自身像素的透射率的測(cè)量值。根據(jù)圖表G3可知，在實(shí)施方式2的液晶顯示面板PNL中，通過改變壁基材WL的高度即改變壁像素電極SE的高度H2，能夠使每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的顯示特性變化。S卩，在壁像素電極SE的高度H2與液晶層厚度Hl的差Hd為Hd = O (零)μ m的情況下，相當(dāng)于在實(shí)施方式I的液晶顯示裝置中進(jìn)行了每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的情況，該情況下的白色顯示時(shí)的透射率成為74%左右。與此相對(duì)，可知在形成第四絕緣膜IL4而不使透射區(qū)域的液晶層厚度Hl變化而增加壁像素電極SE的高度H2的情況下，隨著壁像素電極SE的高度H2與液晶層厚度Hl的差Hd的增加，白色顯示時(shí)的透射率也增加(提高)。例如，在Hd = O. 5μπι時(shí)，透射率增加到82%左右，在Hd = Ι.Ομπι時(shí)，透射率增加到87%。并且，在增加Hd的情況下，在Hd = 2. O μ m以上的情況下透射率為89%左右，即使在增加Hd更大的情況下，透射率也為89%左右，在Hd = 2. O μ m的情況下透射率的增加飽和。同樣地，根據(jù)圖表G4可知，在壁像素電極SE的高度H2與液晶層厚度Hl的差Hd為Hd = 0(零)μ m的情況下，黑色顯示時(shí)的透射率成為O. 43%左右。另一方面，在Hd =0·5μπι時(shí)，透射率減少(提高)到O. 21%左右，在Hd = Ι.Ομπι時(shí)，減少到O. 14%。并且在增加Hd的情況下，在Hd = 2. O μ m以上的情況下，透射率為O. 08%左右，即使在增加Hd更大的情況下，透射率也為O. 08%左右，在Hd = 2. O μ m的情況下透射率的減少飽和。圖14是表示本發(fā)明實(shí)施方式2的液晶顯示裝置中的液晶層厚度Hl與壁像素電極SE的高度H2的差Hd( = H2-H1)以及每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的對(duì)比率的圖，特別是，為從圖13示出的黑色顯示時(shí)(黑暗顯示時(shí))和白色顯示時(shí)(明亮顯示時(shí))的顯示模式效率求出的對(duì)比率。根據(jù)圖14的圖表G5可知，在壁像素電極SE的高度H2與液晶層厚度Hl的差Hd為Hd = O (零)μ m的情況下，對(duì)比率為170左右。與此相對(duì)，在Hd = O. 5 μ m時(shí)提高到390，在Hd = I. O μ m時(shí)提高到650，在Hd = I. 5 μ m時(shí)提高到870，在Hd = 2. O μ m時(shí)提高到1000，在Hd = 2. 5μπι時(shí)提高到1020，在Hd = 3. O μ m時(shí)提高到1030。這樣，在實(shí)施方式2的液晶顯示裝置中，隨著壁像素電極SE的高度H2與液晶層厚度Hl的差Hd增加，對(duì)比率也增加，在壁像素電極SE的高度H2與液晶層厚度Hl的差Hd為Hd = 2 μ m附近，對(duì)比率的
增加達(dá)到最大，并且對(duì)比率到達(dá)1000 I。對(duì)比率是根據(jù)明亮顯示透射率(白色顯示時(shí)的透射率)與黑暗顯示透射率(黑色顯示時(shí)的透射率)的除法來計(jì)算出的，但是在實(shí)施方式2的液晶顯示裝置中，在壁像素電極SE的高度H2與液晶層厚度Hl的差Hd為Hd = 2 μ m附近，黑暗顯示透射率降低很多，明亮顯示透射率增加很多。因而，在實(shí)施方式2的結(jié)構(gòu)中，以壁像素電極SE的高度H2與液晶層厚度Hl的差Hd成為Hd = 2 μ m以上的方式形成第四絕緣膜IL4和壁像素電極SE，由此充分得到本申請(qǐng)的發(fā)明的效果，從而得到高對(duì)比率。因此，在實(shí)施方式2的液晶顯示裝置中，優(yōu)選以壁像素電極SE的高度H2與液晶層厚度Hl的差Hd成為Hd = 2μπι以上的方式，形成第四絕緣膜IL4和壁像素電極SE。圖17是表示在實(shí)施方式2的液晶顯示裝置中將壁基材WL形成為比液晶層LC高2μπι而在每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)進(jìn)行白色顯示時(shí)的透射率分布的圖。特別是，在用實(shí)線所示的圖表G6是表示在實(shí)施方式2的液晶顯示裝置中在每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)進(jìn)行白色顯示時(shí)的透射率分布的圖表。其它圖表G1、G2是作為比較對(duì)象而表示的圖表，圖表Gl是表示在實(shí)施方式I的液晶顯示裝置中通過每列反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)來進(jìn)行白色顯示時(shí)的透射率分布的圖表，圖表G2是表示在實(shí)施方式I的液晶顯示裝置中在每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)進(jìn)行白色顯示時(shí)的透射率分布的圖表。根據(jù)圖表G3可知，與實(shí)施方式I的液晶顯示裝置同樣地，在模擬壁公共電極結(jié)構(gòu)以外的部分中得到均勻的透射率。此時(shí)的透射率能夠與圖表Gl示出的實(shí)施方式I的液晶顯示裝置中在每列反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)進(jìn)行白色顯示時(shí)的透射率分布同樣地提高。即，在實(shí)施方式2的液晶顯示裝置中，以使壁基材WL變得比液晶層LC高2 μ m的方式形成第四絕緣膜IL4，由此即使在每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)中也能夠完全遮蔽相鄰像素電位。另一方面，在實(shí)施方式I的液晶顯示裝置中在每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)自身像素和與該自身像素相鄰的相鄰像素均進(jìn)行白色顯示的情況下，根據(jù)圖表G2可知，模擬壁公共電極附近的透射率降低，并且即使在模擬壁公共電極以外的部分中透射率也不固定，特別是在壁像素電極SE附近中透射率也降低。圖15示出此時(shí)的壁像素電極SE附近的等電位面分布，與圖9示出的每列反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)進(jìn)行白色顯示的像素的等電位面數(shù)量相比，每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的等電位面數(shù)量增力口。即，在圖15示出的等電位面分布中，進(jìn)行白色顯示的自身像素的等電位面數(shù)量為三個(gè)而成為相同數(shù)量，但是進(jìn)行黑色顯示的相鄰像素的等電位面數(shù)量增加一個(gè)至三個(gè)。另外，根據(jù)圖15可知，與圖9示出的每列反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)相比，進(jìn)行白色顯示的自身像素中的等電位面EFl的分布偏于壁結(jié)構(gòu)WL側(cè)、即在壁像素電極SE附近局部存在等電位面FE1。這是由于，在壁基材WL內(nèi)產(chǎn)生每列反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的大約兩倍的電位差而等電位面的間隔變窄導(dǎo)致的，液晶層LC中的等電位面EFl的分布間隔也縮小而形成偏于壁像素電極SE(壁基材WL) —側(cè)的分布。根據(jù)這種情況，認(rèn)為實(shí)施方式I的液晶顯示裝置中的每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的在圖表G6中出現(xiàn)的模擬壁公共電極附近的透射率降低是由于以下情況導(dǎo)致的，即相鄰像素電位的影響而像素內(nèi)的電場(chǎng)強(qiáng)度分布變得不均勻，從而無法充分驅(qū)動(dòng)液晶層LC中的液晶分子LCM，像素內(nèi)的各部分的透射率在同一電壓中不能求得最大值。其結(jié)果，在實(shí)施方式I的液晶顯示裝置中的每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)進(jìn)行白色顯示時(shí)無法得到充分的透射率，白色顯示透射率減少到75%，相鄰像素進(jìn)行白色顯示時(shí)的黑色顯示透射率也增加到O. 43%。與此相對(duì)，在實(shí)施方式2的液晶表裝置中，如圖12所示，可知白色顯示的等電位面
EFl在液晶層LC內(nèi)與圖9示出的白色顯示時(shí)的自身像素(圖中右側(cè))相同大小地?cái)U(kuò)大，而得到均勻的電場(chǎng)分布。另外，在圖中左側(cè)的相鄰像素中進(jìn)行黑色顯示且在圖中右側(cè)的自身像素中進(jìn)行白色顯示的情況下，如圖16所示，壁基材WL附近的等電位面分布中的作為相鄰像素的等電位面的黑色顯示像素的等電位面FE2與上述實(shí)施方式I的圖9示出的等電位面分布相同大小地在壁像素電極SE附近擴(kuò)大。另外，進(jìn)行白色顯示的自身像素的等電位面FEl也與圖9示出的等電位面EFl相同大小地在液晶層LC中擴(kuò)大而分布。其結(jié)果，在實(shí)施方式2的液晶顯示面板PNL中，即使在通過每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)而黑色顯示的像素與白色顯示的像素相鄰的情況下，也能夠提高白色顯示時(shí)的透射率。如上所述，在實(shí)施方式2的液晶顯示裝置中，在傾斜的兩個(gè)以上的像素區(qū)域內(nèi)形成一個(gè)像素，在像素的邊緣部配置壁像素電極SE，并且在與該壁像素電極SE之間的透射區(qū)域內(nèi)配置模擬壁公共電極，并且在透射區(qū)域內(nèi)形成第四絕緣膜IL4，由此壁像素電極SE的高度H2形成為大于液晶層的厚度H1。其結(jié)果，除了能夠得到上述實(shí)施方式I的液晶顯示裝置的效果以外，還能夠得到以下特別的效果即使在對(duì)一個(gè)壁基材WL形成相鄰像素的壁像素電極SE而以每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方式對(duì)相鄰的壁像素電極SE提供影像信號(hào)的情況下，也能夠擴(kuò)大液晶層中的等電位面分布，能夠提高白色顯示時(shí)和黑色顯示時(shí)的透射率。這樣，在實(shí)施方式2的液晶顯示裝置中，以每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的透射率的提高等為目的，以使壁像素電極SE的高度提高到大于液晶層LC的厚度，至少將第四絕緣膜IL4形成為較厚。并且，將實(shí)施方式2的液晶顯示面板厚度形成為大于實(shí)施方式I的液晶顯示面板厚度，由此將實(shí)施方式2的液晶層厚度形成為與實(shí)施方式I的液晶層厚度相同的厚度。〈實(shí)施方式3>圖18是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式3的液晶顯示裝置中的像素結(jié)構(gòu)的截面圖。在實(shí)施方式3的液晶顯示裝置中，僅在與在像素的邊緣部分中分別相對(duì)置的壁像素電極SE之間形成的第五絕緣膜IL5的結(jié)構(gòu)不同，其它結(jié)構(gòu)為與實(shí)施方式2的液晶顯示裝置相同的結(jié)構(gòu)。因而，在以下說明中，詳細(xì)說明第五絕緣膜IL5。如圖18所示，在實(shí)施方式3的液晶顯示裝置中，第一基板SUl的結(jié)構(gòu)也成為與實(shí)施方式I相同的結(jié)構(gòu)。在第二基板SU2中在液晶側(cè)的面依次形成有第一絕緣膜IL1、漏極線DL、第二絕緣膜IL2、壁基材WL以及壁像素電極SE。在此，在實(shí)施方式3的液晶顯示面板PNL中，以覆蓋壁基材WL和壁像素電極SE的方式，在第二基板SU2整面形成有第五絕緣膜(第二絕緣厚膜)IL5，在該第五絕緣膜IL5的上層在第二基板SU2的整面上形成有第三絕緣膜IL3。在該第三絕緣膜IL3的上層形成有構(gòu)成模擬壁公共電極的第二公共電極CE2，以覆蓋該第二公共電極CE2的方式在第二基板SU2的整面形成有第二取向膜AL2。此時(shí)，在實(shí)施方式3的液晶顯示面板PNL中，在第二基板SU2的整面形成的第五絕緣膜IL5的膜厚形成為在透 射區(qū)域以及除了該透射區(qū)域的區(qū)域內(nèi)形成不同膜厚。另外，與上述實(shí)施方式2的液晶顯示面板PNL同樣地，在實(shí)施方式3中透射區(qū)域的第五絕緣膜IL5的膜厚也形成為2. O μ m。但是，根據(jù)與實(shí)施方式2的液晶顯示裝置相同的理由，第五絕緣膜IL5的膜厚也可以在2. Oym以上。例如，在形成壁基材WL之后形成壁像素電極SE，之后，將具有低粘度的有機(jī)抗蝕劑等有機(jī)絕緣膜材料涂敷到第二基板SU2的整面，而使之固化，由此能夠形成這種第五絕緣膜IL5。即，使用具有低粘度的有機(jī)抗蝕劑等，由此使用旋涂器、狹縫式涂布器來涂敷到第二基板SU2的有機(jī)抗蝕劑在涂敷之后流動(dòng)而分布為在較高部分中較薄且在較低部分中較厚。因而，如本申請(qǐng)的發(fā)明的液晶顯示面板PNL那樣，在第二基板SU2的液晶面?zhèn)蓉Q立的壁基材WL的側(cè)面上形成壁像素電極SE的結(jié)構(gòu)中，在形成壁像素電極SE的附近，由于涂敷時(shí)的有機(jī)抗蝕劑的表面張力而第五絕緣膜IL5的膜厚達(dá)到壁基材WL的高度左右的厚度而變得非常厚，但是在從壁像素電極SE分離的區(qū)域即透射區(qū)域內(nèi)成為平坦且均勻的膜厚(例如
2μ m)。并且，在壁基材WL的頂端面上，該膜厚與其它絕緣膜同樣地形成為較薄。這樣，在實(shí)施方式3的液晶顯示面板PNL中，在僅涂敷具有低粘度的有機(jī)絕緣膜材料和使固化的工序中，能夠在期望位置形成第五絕緣膜IL5，因此能夠減少圖案形成所需的工序。其結(jié)果，得到能夠簡(jiǎn)化第二基板SU2即液晶顯示裝置的制造工序而能夠降低制造成本這種特別的效果。此外，也可以是以下結(jié)構(gòu)，即為了提高對(duì)第一基板SUl與第二基板SU2進(jìn)行粘貼的密封材料的密合性能等，去除形成于顯示區(qū)域AR的外側(cè)部分的第五絕緣膜IL5、取向膜AL2
坐寸ο如上所述，在實(shí)施方式3的液晶顯示裝置中，在像素的邊緣部中的在長(zhǎng)度方向上延伸的邊緣部中以接近的方式分別形成相鄰的像素的壁像素電極，并且在與該一對(duì)壁像素電極之間的透射區(qū)域內(nèi)形成模擬壁公共電極，并且在包括透射區(qū)域的第二基板的整面上涂敷具有低粘度的有機(jī)絕緣膜材料和使固化，由此形成第五絕緣膜IL5，壁像素電極SE的高度形成為大于液晶層的厚度。其結(jié)果，除了得到上述實(shí)施方式2的液晶顯示裝置的效果以夕卜，還能夠得到能夠簡(jiǎn)化與一對(duì)壁像素電極之間的透射區(qū)域內(nèi)形成的絕緣膜即第五絕緣膜IL5的形成所需的工序這種特別的效果?！磳?shí)施方式4>圖19是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式4的液晶顯示裝置中的像素結(jié)構(gòu)的截面圖。但是，在實(shí)施方式4的液晶顯示裝置中，僅作為用于對(duì)各像素的透射區(qū)域的液晶層厚度進(jìn)行調(diào)整的絕緣膜層而使用形成第一基板SUl的外涂層OC的結(jié)構(gòu)以及壁像素電極SE的高度不同，其它結(jié)構(gòu)為與實(shí)施方式I的液晶顯示裝置相同的結(jié)構(gòu)。因而，在以下說明中，詳細(xì)說明第一基板SUl的結(jié)構(gòu)。
如圖19所示，在實(shí)施方式4的第一基板SUl的液晶面?zhèn)壬?，在與相鄰像素之間的邊界部分對(duì)峙的位置上形成黑矩陣BM，以覆蓋該黑矩陣BM的方式形成有濾色器CF。此時(shí)，構(gòu)成為濾色器CF與RGB的各色對(duì)應(yīng)，在與黑矩陣BM重疊的區(qū)域內(nèi)RGB中的任一濾色器CF相鄰。另外，在濾色器CF的上層形成有外涂層0C。此時(shí)，在實(shí)施方式4的外涂層OC上，沿與壁基材WL對(duì)峙的區(qū)域形成有凹部(第二槽部)。即，對(duì)外涂膜OC進(jìn)行圖案形成，從與壁基材WL相對(duì)的部分中去除外涂膜0C，由此由貫通外涂層OC的貫通槽構(gòu)成的凹部形成于第一基板SUl的液晶面?zhèn)?。在該上層上以覆蓋外涂層OC和除去部分(凹部)的方式，在第一基板SUl的整面上形成有第一取向膜ALl。另一方面，在第二基板SU2的液晶面?zhèn)刃纬捎械谝唤^緣膜IL1，構(gòu)成為也作為在形成于第二基板SU2表面上的未圖示的柵電極(柵極線)與未圖示的薄膜晶體管的半導(dǎo)體層
之間形成的柵極絕緣膜而發(fā)揮功能。在該第一絕緣膜ILl的上層形成有第二公共電極CE2和漏極線DL，特別是，在實(shí)施方式4的液晶顯示面板PNL中，第二公共電極CE2和漏極線DL形成于同一層。另外，在漏極線DL的上層上，與上述實(shí)施方式I 3同樣地，以跨過漏極線DL的方式形成有壁基材WL。在該壁基材WL的側(cè)壁面上形成有形成壁像素電極SE的垂直部VP，在該垂直部VP的下端側(cè)沿著第一絕緣膜ILl的上表面形成有平坦部HP，在垂直部VP的上端側(cè)沿著壁基材WL的頂端面形成有頂端部TP。此時(shí)，在實(shí)施方式4的液晶顯示面板PNL中，也與上述實(shí)施方式2、3的液晶顯示面板PNL同樣地，以大于液晶層LC的厚度Hl的高度H2形成有壁基材WL。即，在實(shí)施方式4的液晶顯示面板PNL中，壁基材WL與實(shí)施方式I同樣地形成于漏極線DL的下層的絕緣膜(在實(shí)施方式4中第一絕緣膜ILl)上，但是將其高度H2預(yù)先形成為大于液晶層厚度Hl。在該壁像素電極SE的上層上，以覆蓋該壁像素電極SE和第二公共電極CE2等的方式，在第二基板SU2的整面上形成有第二取向膜AL2。通過該第二取向膜AL2，對(duì)液晶層LC的液晶分子LCM的初始取向進(jìn)行控制。在具有這種結(jié)構(gòu)的實(shí)施方式4的液晶顯示面板PNL中，通過對(duì)第一基板SUl與第二基板SU2進(jìn)行粘貼，在形成于外涂層OC的凹部的底面部分中以抵接或者接近的方式形成有壁像素電極SE的頂端部TP。該壁基材WL的頂端部以與沒有外涂層OC的部分接近的方式進(jìn)行組合，由此壁基材WL比液晶層厚度Hl僅高出外涂層OC的膜厚量。其結(jié)果，在實(shí)施方式4的液晶顯示面板PNL中，各像素的透射區(qū)域內(nèi)的液晶層LC的厚度也成為H1，能夠通過來自具有大于液晶層厚度Hl的高度H2的壁像素電極S的電場(chǎng)，來驅(qū)動(dòng)液晶分子LCM。此時(shí)，形成有漏極線DL、柵極線GL等各種布線、壁像素電極SE等的第二基板SU2的制造工序比第一基板SUl復(fù)雜。與此相對(duì)，在實(shí)施方式4的液晶顯示裝置中，在第一基板SUl—側(cè)形成進(jìn)入壁像素電極SE大小的凹部，由此構(gòu)成為壁電極高度H2形成為大于液晶層厚度Hl。因而，在實(shí)施方式4的液晶顯示裝置中，能夠得到減少制造第二基板SU2所需的工序數(shù)量而簡(jiǎn)化制造工序這種特別的效果。接著，在圖20是用于說明在本發(fā)明實(shí)施方式4的液晶顯示裝置中每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)相鄰像素間的電位差變得最大時(shí)壁基材附近的等電位面分布的圖，圖21是用于說明在本發(fā)明實(shí)施方式4的液晶顯示裝置中每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)白色顯示像素與黑色顯示像素相鄰的情況下的壁基材附近的等電位面分布的圖，以下，根據(jù)圖20以及圖21，說明實(shí)施方式4的壁像素電極SE的結(jié)構(gòu)的顯示動(dòng)作。但是，圖20以及圖21示出的等電位面分布與實(shí)施方式2、3同樣地，為Hd = H2-H1 = 2. Ομπι時(shí)的等電位面分布。根據(jù)圖20可知，即使在相鄰的像素間的電位差變得最大的情況即圖20中的右側(cè)的自身像素和左側(cè)的相鄰像素中也均進(jìn)行白色顯示的情況下，從通過一個(gè)壁基材WL相對(duì)置的壁像素電極SE起，分別分布在自身像素和相鄰像素中的等電位面FEl從壁電極SE向形成于像素的中心部的模擬壁公共電極一側(cè)較大地分布。即，與實(shí)施方式I的圖9示出的白色顯示的像素中的等電位面EFI相同大小地在壁像素電極SE附近等電位面EFl擴(kuò)大，因此能夠?qū)σ壕覮C施加均勻的電場(chǎng)(橫向電場(chǎng))，與實(shí)施方式2、3同樣地，能夠提高透射率。另外，如圖21所示，在每個(gè) 像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)中，在自身像素進(jìn)行白色顯示而相鄰像素進(jìn)行黑色顯示的情況下的等電位面分布中，在進(jìn)行黑色顯示的相鄰像素中，產(chǎn)生包圍漏極線DL和壁像素電極SE那樣的等電位面FE2。此時(shí)，等電位面FE2局部存在于壁像素電極SE附近，黑色透射率減少(提高)。另一方面，在進(jìn)行白色顯示的自身像素中，等電位面FEl從壁像素電極SE向形成于像素的中心部的模擬壁公共電極一側(cè)較大地分布，因此白色透射率也增加(提高)。接著，圖22是表示本發(fā)明實(shí)施方式4的液晶顯示裝置中的液晶層厚度Hl與壁像素電極SE的高度Η2的差Hd( = H2-H1)以及每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的白色顯示時(shí)的透射率和黑色顯示時(shí)的透射率的測(cè)量結(jié)果的圖，以下，根據(jù)圖22說明實(shí)施方式4的液晶顯示面板中的液晶層厚度Hl與壁像素電極SE的高度H2的差Hd以及透射率的關(guān)系。其中，圖表G7是使壁像素電極SE的高度H2與液晶層厚度Hl的差Hd變化的情況下的白色顯示時(shí)的自身像素的透射率的測(cè)量值，圖表G8是使壁像素電極SE的高度H2與液晶層厚度Hl的差Hd變化的情況下的黑色顯示時(shí)的自身像素的透射率的測(cè)量值。根據(jù)圖表G7可知，在實(shí)施方式4的液晶顯示面板PNL中，通過改變壁基材WL的高度即改變壁像素電極SE的高度H2，能夠提高像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的顯示特性。S卩，在壁像素電極SE的高度H2與液晶層厚度Hl的差Hd為Hd = O (零)μ m的情況下，相當(dāng)于在實(shí)施方式I的液晶顯示裝置中進(jìn)行像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的情況，白色顯示時(shí)的透射率為74%左右。與此相對(duì)，在壁像素電極SE即與壁基材WL對(duì)峙的外涂層OC部分設(shè)置凹部，并且在壁像素電極SE的高度H2形成為大于液晶層厚度Hl而不使透射區(qū)域的液晶層厚度Hl變化而增加壁像素電極SE的高度H2的情況下，可知隨著壁像素電極SE的高度H2與液晶層厚度Hl的差Hd的增加而白色顯示時(shí)的透射率也增加(提高)。例如，在Hd = O. 5 μ m時(shí)透射率增加到80%左右，之后，在Hd = I. O μ m時(shí)增加到84%，在Hd = I. 5 μ m時(shí)增加到87%，在 Hd = 2. Ομπι 時(shí)增加至Ij 88%，在 Hd = 2. 5μπι 時(shí)增加至 Ij 89%，在 Hd = 3. O μ m 時(shí)增加到89%。同樣地，根據(jù)圖表G8可知，在壁像素電極SE的高度H2與液晶層厚度Hl的差Hd為Hd = 0(零)μ m的情況下，黑色顯示時(shí)的透射率成為O. 43%左右。另一方面，在Hd = O. 5μπι時(shí)透射率減少到(提高)0. 23%左右，在Hd= Ι.Ομπι時(shí)減少到O. 16%，在Hd = I. 5μπι時(shí)減少到O. 11%，在Hd = 2. Ομπι時(shí)減少到O. 09%，在Hd = 2. 5μπι時(shí)減少到O. 08%，在Hd=3. Oym時(shí)減少到0. 08%。圖23是表示本發(fā)明實(shí)施方式4的液晶顯示裝置中的液晶層厚度Hl與壁像素電極SE的高度H2的差Hd( = H2-H1)以及每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的對(duì)比率的圖。但是，圖23是從圖22示出的黑色顯示時(shí)(黑暗顯示時(shí))和白色顯示時(shí)(明亮顯示時(shí))的顯示模式效率求出的對(duì)比率。根據(jù)圖23的圖表G9可知，在壁像素電極SE的高度H2與液晶層厚度Hl的差Hd為Hd = 0(零)μ m的情況下，對(duì)比率成為180左右。與此相對(duì)，在Hd = O. 5 μ m時(shí)提高到340，在Hd = I. O μ m時(shí)提高到540，在Hd = I. 5 μ m時(shí)提高到800，在Hd = 2. O μ m時(shí)提高到990，在Hd = 2. 5μπι時(shí)提高到1040，在Hd = 3. O μ m時(shí)提高到1050。這樣，在實(shí)施方式4的液晶顯示裝置中，也隨著壁像素電極SE的高度H2與液晶層厚度Hl的差Hd增加而對(duì)比率也增加，在壁像素電極SE的 高度H2與液晶層厚度Hl的差Hd為Hd = 2 μ m以上，對(duì)比率的增加達(dá)到最大，并且對(duì)比率大致到達(dá)1000 I。因而，在實(shí)施方式4的液晶顯示裝置中，以壁像素電極SE的高度H2與液晶層厚度Hl的差Hd為Hd = 2 μ m以上的方式，形成外涂層OC和壁像素電極SE，由此充分得到本申請(qǐng)的發(fā)明的效果，從而得到高對(duì)比率。因此，在實(shí)施方式4的液晶顯示裝置中，優(yōu)選以壁像素電極SE的高度H2與液晶層厚度Hl的差Hd為Hd = 2 μ m以上的方式，形成外涂層OC和壁像素電極SE。這樣，在實(shí)施方式4的液晶顯示面板PNL中，也與實(shí)施方式I的液晶顯示面板PNL同樣地，以壁像素電極SE的高度H2比液晶層厚度Hl高出2. Oym以上的方式，形成外涂層OC和壁像素電極SE，由此能夠一起提高白色透射率和黑色透射率。即，在實(shí)施方式4的結(jié)構(gòu)中，能夠有效地遮蔽與配置在同一壁基材WL上的相鄰像素對(duì)應(yīng)的壁像素電極SE的電位。此外，在實(shí)施方式4的液晶顯示裝置中，構(gòu)成為通過在第一基板SUl上設(shè)置凹部的結(jié)構(gòu)，將壁像素電極SE的高度Η2形成為大于液晶層厚度Η1，但是并不限定于此。例如，也可以構(gòu)成為將實(shí)施方式4的第一基板SUl與實(shí)施方式2或者實(shí)施方式3的第二基板SU2的結(jié)構(gòu)進(jìn)行組合的結(jié)構(gòu)。在該情況下，能夠得到以下特別的效果，即能夠?qū)⒌谒慕^緣膜IL4或者第五絕緣膜IL5的膜厚形成為較薄，并且也能夠使形成于外涂層OC上的凹部的深度減小?！磳?shí)施方式5>圖24是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式5的液晶顯示裝置中的像素結(jié)構(gòu)的截面圖。但是，在實(shí)施方式5的液晶顯示裝置中，除了通過作為壁狀像素電極的壁像素電極SEl和作為線狀像素電極的線狀像素電極SE2來形成形成于第二基板SU2上的像素電極的結(jié)構(gòu)以外的其它結(jié)構(gòu)為與實(shí)施方式I的液晶顯示裝置相同的結(jié)構(gòu)。因而，在以下說明中，詳細(xì)說明壁像素電極SEl和線狀像素電極SE2。如圖24所示，在實(shí)施方式5的第一基板SUl的液晶面?zhèn)鹊恼嫘纬捎械谝唤^緣膜IL1，在該第一絕緣膜ILl的上層以接近的方式形成有漏極線DL和線狀像素電極(第三電極)SE2。特別是，在實(shí)施方式5中，構(gòu)成為在壁像素電極(第一像素電極)SEl的下層配置線狀像素電極(第二像素電極)SE2，因此構(gòu)成為相鄰像素各自的線狀像素電極SE2夾持一個(gè)漏極線DL。即，構(gòu)成為在兩個(gè)線狀像素電極SE2之間配置一個(gè)漏極線DL。此時(shí)，線狀像素電極SE2的電位與壁像素電極SEl相同，因此構(gòu)成為壁像素電極SEl和線狀像素電極SE2均與自身像素內(nèi)的薄膜晶體管的源極電極進(jìn)行電連接，提供相同影像信號(hào)。在漏極線DL和線狀像素電極SE2的上層，與實(shí)施方式I同樣地，以覆蓋該漏極線DL和線狀像素電極SE2的方式在第二基板SU2的整面上形成有第二絕緣膜IL2。此時(shí)，在實(shí)施方式5的液晶顯示面板PNL中，優(yōu)選實(shí)施方式5的第二絕緣膜IL2的厚度厚于(大于)實(shí)施方式I的第二絕緣膜IL2的厚度。在第二絕緣膜IL2的上層形成有壁基材WL和壁像素電極SE，被由形成于第二基板SU2的整面上的第三絕緣膜IL3。在該第三絕緣膜IL3的上層形成有第二公共電極CE2，在該第二公共電極CE2的上表面形成有第二取向膜AL2。另外，在第二基板SU2的背面?zhèn)燃幢彻獾恼丈涿鎮(zhèn)扰渲糜械诙癜錚L2。另一方面，第一基 板SUl側(cè)的結(jié)構(gòu)為與實(shí)施方式I相同的結(jié)構(gòu)，在第一基板SUl的液晶面?zhèn)纫来涡纬捎泻诰仃嘊M、濾色器CF、外涂層0C、第一公共電極CEl以及第一取向膜ALl。接著，圖25以及圖26示出本發(fā)明實(shí)施方式5的液晶顯示裝置中每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的壁像素電極附近的等電位面分布圖，說明實(shí)施方式5的液晶顯示裝置的動(dòng)作。但是，圖25是圖中右側(cè)的自身像素和圖中左側(cè)的相鄰像素均進(jìn)行白色顯示的情況下的等電位面分布圖，圖26是在自身像素進(jìn)行白色顯示而相鄰像素進(jìn)行黑色顯示的情況下的等電位面分布圖。根據(jù)圖25可知，在實(shí)施方式5的液晶顯示面板PNL中，通過對(duì)壁像素電極SEl和線狀像素電極SE2施加影像信號(hào)，以包圍壁像素電極SEl和線狀像素電極SE2的方式形成等電位面EFl。此時(shí)，線狀像素電極SE2形成于比形成于壁像素電極SEl的基板(第二基板SU2)側(cè)上的平坦部HP更接近基板的層上。因而，能夠設(shè)為使由壁像素電極SEl和線狀像素電極SE2構(gòu)成的外觀上的像素電極(模擬壁像素電極)朝向液晶顯示面板PNL的厚度方向(Z方向)延伸的壁狀的像素電極。即，與上述實(shí)施方式2 4同樣地,能夠形成大于液晶層厚度的壁狀像素電極，從而能夠得到高遮蔽效果。其結(jié)果，不會(huì)受到施加到相鄰的像素的影像信號(hào)的影響，能夠通過與每個(gè)影像信號(hào)對(duì)應(yīng)的像素的電場(chǎng)來驅(qū)動(dòng)液晶層LC中的液晶分子LCM。另外，即使在自身像素的壁像素電極SEl和線狀像素電極SE2以及相鄰像素的壁像素電極SEl和線狀像素電極SE2之間產(chǎn)生最大電壓差的情況下，也與實(shí)施方式2 4的液晶顯示面板PNL同樣地，在自身像素和相鄰像素的任一個(gè)中，等電位面FEl均在液晶層LC中較大地分布。另外，根據(jù)圖26可知，即使在使自身像素進(jìn)行白色顯示且使相鄰像素進(jìn)行黑色顯示的情況下，在成為白色顯示的自身像素中以包圍壁像素電極SEl和線狀像素電極SE2的方式形成等電位面EF1。另外，在成為黑色顯示的相鄰像素中，在圖26中對(duì)漏極線DL也施加0V(零伏特)的電壓，因此以包圍壁像素電極SEl和線狀像素電極SE2以及漏極線DL的方式形成有等電位面EF2。因而，即使在白色顯示和黑色顯示的像素相鄰的情況下也能夠得到高遮蔽效果，不會(huì)受到施加到相鄰的像素的影像信號(hào)的影響，而能夠驅(qū)動(dòng)各像素的液晶層LC中的液晶分子LCM。接著，圖27是表示本發(fā)明實(shí)施方式5的液晶顯示裝置中的壁像素電極和線狀像素電極的間隔以及每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的白色顯示時(shí)的透射率和黑色顯示時(shí)的透射率的測(cè)量結(jié)果的圖，以下，根據(jù)圖27說明實(shí)施方式5的液晶顯示面板中的壁像素電極和線狀像素電極的間隔以及透射率的關(guān)系。但是，在圖27中，圖表GlO是使壁像素電極SEl和線狀像素電極SE2之間的間隔H3變化的情況下的白色顯示時(shí)的自身像素的透射率的測(cè)量值，圖表Gll是使壁像素電極SEl和線狀像素電極SE2之間的間隔H3變化的情況下的黑色顯示時(shí)的自身像素的透射率的測(cè)量值。此外，在第二絕緣膜IL2的膜厚(厚度)與壁像素電極SEl和線狀像素電極SE2的膜厚相比非常大的情況下，壁像素電極SEl與線狀像素電極SE2之間的間隔H3變得大致與第二絕緣膜IL2的膜厚相同。根據(jù)圖27的圖表GlO可知，在實(shí)施方式5的液晶顯示面板PNL中，也能夠通過改變壁像素電極SEl與線狀像素電極SE2的間隔H3即改變由壁像素電極SEl和線狀像素電極SE2構(gòu)成的模擬壁像素電極的高度H4，來提高像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的顯示特性。此時(shí)，即使在使模擬壁像素電極的高度H4( = H2+H3)變化的情況下，液晶層厚度Hl的高度大致與壁像素電極SEl的高度相同，與上 述實(shí)施方式2 4同樣地，液晶層厚度Hl不會(huì)變化，能夠提高像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的顯示特性。即，在模擬像素電極的高度H4與液晶層厚度Hl的差即壁像素電極SEl與線狀像素電極SE2的間隔H3為H3 = 0(零)μ m的情況下，變得與在實(shí)施方式I的液晶顯示裝置中進(jìn)行像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的情況相同，白色顯示時(shí)的透射率為80%左右。與此相對(duì)，在H3 =O. 5 μ m時(shí)透射率增加到83 %左右，之后，在H3 = I. O μ m時(shí)增加到88 %，在H3 = I. 5 μ m時(shí)增加到89%，在H3 = 2. O μ m時(shí)增加到90%，在H3 = 2. 5 μ m時(shí)增加到90%，在H3 = 3. O μ m時(shí)增加到90%。同樣地，根據(jù)圖表Gl I可知，在壁像素電極SEl與線狀像素電極SE2的間隔H3為H3=0(零)μ m的情況下，黑色顯示時(shí)的透射率成為O. 42%左右。另一方面，在H3 = O. 5μπι時(shí)透射率減少(提高)到O. 22%左右，在Η3 = Ι.Ομπι時(shí)減少到O. 14%，在Η3 = I. 5 μ m時(shí)減少到O. 10%，在H3 = 2. Ομπι時(shí)減少到O. 09%，在Η3 = 2. 5μπι時(shí)減少到O. 08%，在Η3=3. Oym時(shí)減少到O. 08%。圖28是表示本發(fā)明實(shí)施方式5的液晶顯示裝置中的壁像素電極SEl與線狀像素電極SE2的間隔Η3以及每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的對(duì)比率的圖。但是，圖28也是從圖27示出的黑色顯示時(shí)(黑暗顯示時(shí))和白色顯示時(shí)(明亮顯示時(shí))的顯示模式效率求出的對(duì)比率。根據(jù)圖28的圖表G12可知，在壁像素電極SEl與線狀像素電極SE2的間隔Η3為Η3=0(零)μ m的情況下，對(duì)比率成為190左右。與此相對(duì)，在H3 = O. 5 μ m時(shí)提高到390，在H3 = I. O μ m時(shí)提高到640，在H3 = I. 5 μ m時(shí)提高到830，在H3 = 2. O μ m時(shí)提高到1030，在H3 = 2. 5μπι時(shí)提高到1100，在Η3 = 3. O μ m時(shí)提高到1120。這樣，在實(shí)施方式5的液晶顯示裝置中，也隨著壁像素電極SEl與線狀像素電極SE2的間隔H3增加而對(duì)比率也增加，在壁像素電極SEl與線狀像素電極SE2的間隔H3為H3 = 2 μ m以上，對(duì)比率的增加達(dá)到最大，并且對(duì)比率到達(dá)1000 I。因而，在實(shí)施方式5的液晶顯示裝置中，以壁像素電極SEl與線狀像素電極SE2的間隔H3成為H3 = 2 μ m以上的方式形成第二絕緣膜IL2，由此充分得到本申請(qǐng)的發(fā)明的效果，在實(shí)施方式5的液晶顯示裝置中得到高對(duì)比率。因此，在實(shí)施方式5的液晶顯示裝置中，優(yōu)選以壁像素電極SEl與線狀像素電極SE2的間隔H3成為H3 = 2μπι以上的方式形成第二絕緣膜IL2。這樣，在實(shí)施方式5的液晶顯示面板PNL中，也與實(shí)施方式2 4的液晶顯示面板PNL同樣地，由壁像素電極SEl和線狀像素電極SE2構(gòu)成的模擬壁像素電極的高度Η4比液晶層厚度Hl高出2. O μ m以上的方式形成第二絕緣膜IL2，由此能夠得到與實(shí)施方式2 4的液晶顯示裝置相同的效果。并且，在實(shí)施方式5的液晶顯示裝置中，在與漏極線DL同一層上形成線狀像素電極SE2，并且僅將第二絕緣膜IL2形成為2. O μ m就能夠形成模擬壁像素電極，因此能夠得到不增加形成第二基板SU2所需的工序就能夠使模擬壁像素電極的高度H4大于液晶層厚度Hl這種特別的效果?！磳?shí)施方式6>圖29是用于說明本 發(fā)明實(shí)施方式6的液晶顯示裝置的概要結(jié)構(gòu)的截面圖。但是，實(shí)施方式6的液晶顯示裝置的除了形成于第一基板SUl上的第三公共電極CE3的結(jié)構(gòu)以外的其它結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式I的液晶顯示裝置相同。因而，在以下說明中，詳細(xì)說明第一基板SUl的結(jié)構(gòu)。根據(jù)圖29可知，在實(shí)施方式6的液晶顯示面板PNL中，在第一基板SUl的液晶面?zhèn)刃纬珊诰仃嘊M，在該黑矩陣BM的上層形成有濾色器CF。此時(shí)，在實(shí)施方式6的液晶顯示面板PNL中，在濾色器CF的上層且濾色器CF的邊界部分以與黑矩陣BM重疊的方式形成有由導(dǎo)電性薄膜構(gòu)成的第三公共電極(第四電極)CE3。此時(shí)，實(shí)施方式6的第三公共電極CE3在從顯示面?zhèn)然蛘弑趁鎮(zhèn)扔^察時(shí)，被形成于在與形成于第一基板SUl上的壁像素電極SE重疊的位置即與壁像素電極SE對(duì)峙的位置，與相鄰像素之間的第三公共電極CE3使用公共線進(jìn)行連接。但是，第三公共電極CE3的形狀并不限定于與壁像素電極SE對(duì)峙的區(qū)域，例如，與漏極線DL同樣地，也可以是沿著與相鄰像素的邊界部分向Y方向延伸的形狀。另外，與后述的第一公共電極CEl同樣地，構(gòu)成為對(duì)第三公共電極CE3提供成為影像信號(hào)的基準(zhǔn)的公共信號(hào)。并且，第三公共電極CE3與黑矩陣BM重疊地形成，因此并不限定于透明導(dǎo)電膜，也可以是不具有金屬薄膜等的透明性的其它導(dǎo)電性薄膜。在第三公共電極CE3的上層以覆蓋該第三公共電極CE3的方式在第一基板SUl的整面形成有外涂層0C。在該外涂層OC的上層形成第一公共電極CEl，該第一公共電極CEl形成模擬壁公共電極，以覆蓋該第一公共電極CEl的方式在第一基板SUl的整面形成有第一取向膜ALl。即，構(gòu)成為在與第一基板SUl的壁基材WL相對(duì)的部分的濾色器CF與外涂層OC之間配置第三公共電極CE3。另外，第二絕緣膜IL2與實(shí)施方式I的第二基板SU2同樣地，在其液晶面?zhèn)鹊恼嫔闲纬傻谝唤^緣膜IL1，在該第一絕緣膜ILl的上層形成漏極線DL，與未圖示的薄膜晶體管的漏電極進(jìn)行電連接。在該漏極線DL的上層以覆蓋該漏極線DL的方式在第二基板SU2的整面形成有第二絕緣膜IL2。在該第二絕緣膜IL2的上層形成有壁基材WL和壁像素電極SE，以覆蓋該壁基材WL和壁像素電極SE的方式在第二基板SU2的整面形成有第三絕緣膜IL3。在該第三絕緣膜IL3的上層形成第二公共電極CE2，以覆蓋其上表面和第三絕緣膜IL3的方式形成有第二取向膜AL2。另外，在第二基板SU2的背面?zhèn)燃幢彻獾恼丈涿鎮(zhèn)扰渲糜械诙癜錚L2。這樣，在實(shí)施方式6的液晶顯示裝置中，構(gòu)成為在像素邊界的第一基板SUl的側(cè)配置具有用于控制電位的結(jié)構(gòu)的第三公共電極CE3，由此相鄰像素電位通過形成于第一基板SUl及其表面上的濾色器CF、外涂層OC等來遮蔽對(duì)自身像素電位帶來影響的相鄰像素電位。圖30是本發(fā)明實(shí)施方式6的液晶顯示裝置中的自身像素和相鄰像素均進(jìn)行白色顯示時(shí)的等電位面的分布，圖31是本發(fā)明實(shí)施方式6的液晶顯示裝置中的自身像素進(jìn)行白色顯示而相鄰像素進(jìn)行黑色顯示時(shí)的等電位面的分布。但是，此時(shí)的漏極布線DL的電位為0(零)V。如圖30所示，在相鄰的像素均進(jìn)行白色顯示的情況下，與圖15示出的實(shí)施方式I的液晶顯示裝置同樣地，等電位面EFl相對(duì)于壁基材WL在圖中形成左右對(duì)稱的分布。另一方面，如自身像素進(jìn)行白色顯示而相鄰像素進(jìn)行黑色顯示的情況那樣，電位在第三公共電極CE3附近接近0V，由此如圖31所示那樣形成包括壁像素電極SE和第三公共電極CE3的等電位面EF2。此時(shí)，通過 從壁像素電極SE至第三公共電極CE3的區(qū)域即第一基板SUl的側(cè)的第一取向膜ALl和外涂層0C，形成等電位面FE2。因而，等電位面FE2抑制配置在圖31中的右側(cè)的進(jìn)行白色顯示的自身像素的壁像素電極SE的電位在濾色器CF、外涂層OC內(nèi)擴(kuò)大。其結(jié)果，除了能夠得到實(shí)施方式I的液晶顯示裝置中的效果以外，還能夠得到以下效果能夠抑制在每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)自身像素進(jìn)行白色顯示且相鄰像素進(jìn)行黑色顯示的情況下的黑色透射率的增加，即使在相鄰像素進(jìn)行白色顯示的情況下也能夠使相鄰像素的黑色顯示時(shí)的透射率降低(提高)至O. 09%。如上所述，在實(shí)施方式6的液晶顯示裝置中，構(gòu)成為在第一基板SUl的液晶面?zhèn)妊刂诨腤L以與該壁基材WL對(duì)峙的方式形成第三公共電極CE3，并且提供與第一公共電極CEl相同的公共信號(hào)。其結(jié)果，通過壁基材WL相對(duì)置的壁像素電極SE進(jìn)行黑色顯示等接近第三公共電極CE3的電壓，由此從壁像素電極SE至第三公共電極CE3上等電位面FE2被消除。即，在施加到與同一壁基材WL相對(duì)置的壁像素電極SE中的、至少一個(gè)壁像素電極SE的影像信號(hào)成為與公共信號(hào)大致相同的電壓的情況下，形成由該壁像素電極SE和第三公共電極CE3構(gòu)成的模擬壁像素電極。因而，除了能夠得到上述實(shí)施方式I的效果以外，還能夠得到能夠抑制在自身像素進(jìn)行白色顯示而相鄰像素進(jìn)行黑色顯示時(shí)黑色透射率增加這種特別的效果。此外，在實(shí)施方式6中，說明了在實(shí)施方式I的液晶顯示裝置中形成本申請(qǐng)的發(fā)明的第三公共電極CE3的情況，但是并不限于此，還能夠應(yīng)用于其它實(shí)施方式2 5的液晶顯示裝置，通過形成第三公共電極CE3，得到上述效果?！磳?shí)施方式7>圖32是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式7的液晶顯示裝置的概要結(jié)構(gòu)的截面圖，以下，根據(jù)圖32說明實(shí)施方式7的液晶顯示裝置。但是，實(shí)施方式7的液晶顯示裝置的除了第三公共電極CE3的形成位置以外的其它結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式6的液晶顯示裝置相同。因而，在以下說明中，詳細(xì)說明第三公共電極CE3。如圖32所示，在實(shí)施方式7的液晶顯示面板PNL中，也與實(shí)施方式I的液晶顯示面板PNL同樣地，在第一基板SUl的液晶面?zhèn)纫来涡纬捎泻诰仃嘊M、濾色器CF、外涂層0C。在此，在實(shí)施方式7的液晶顯示面板PNL中，在與第一公共電極CEl同一層即外涂層OC的上表面形成有第三公共電極CE3。另外，在第一公共電極CEl和第三公共電極CE3的上層以覆蓋該第一公共電極CEl和第三公共電極CE3的方式在第一基板SUl的整面上形成有第一取向膜ALl。此時(shí)，在實(shí)施方式7中，也與實(shí)施方式6的第三公共電極CE3同樣地，該第三公共電極CE3并不限定于透明導(dǎo)電膜，也可以是如鋁等金屬薄膜等那樣不具有透明性的導(dǎo)電性薄膜。但是，在實(shí)施方式7的液晶顯示面板PNL中，在第三公共電極CE3的上層僅形成第一取向膜AL1，因此優(yōu)選ITO等的耐腐食性等良好的導(dǎo)電性薄膜。這樣，在實(shí)施方式7的液晶顯示面板PNL中，第二公共電極CE2和第三公共電極CE3均形成于外涂層OC與第一取向膜ALl之間。因此，構(gòu)成為壁像素電極SE和第三公共電極CE3通過形成于壁像素電極SE的上層的第三絕緣膜IL3和第二取向膜AL2以及形成于第一基板SUl上的第一取向膜ALl而至少被接近配置，但是壁像素電極SE與第三公共電極CE3不進(jìn)行電連接。因而，在實(shí)施方式7的液晶顯示面板PNL中，也能夠通過第一基板SUl以及形成于其表面上的濾色器CF、外涂層OC等，遮 蔽相鄰像素電位對(duì)自身像素電位帶來的影響。因而，與實(shí)施方式6的液晶顯示面板PNL同樣地，除了得到實(shí)施方式I的液晶顯示裝置中的效果以外，也能夠得到能夠抑制在每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)自身像素進(jìn)行白色顯示而相鄰像素進(jìn)行黑色顯示的情況下的黑色透射率的增加這種特別的效果。并且，還能夠得到以下特別的效果在與第一公共電極CEl同樣地使用透明導(dǎo)電膜形成第三公共電極CE3的情況下，在第一公共電極CEl的形成工序中也能夠同時(shí)形成第三公共電極CE3，因此不追加用于形成第三公共電極CE3的新工序，而能夠形成第三公共電極 CE3。另外，在實(shí)施方式7的液晶顯示裝置中，并不限定于圖32示出的結(jié)構(gòu)，例如也可以是圖33示出的結(jié)構(gòu)。在圖33示出的實(shí)施方式7的其它液晶顯示裝置中，在第一基板SUl的液晶面?zhèn)刃纬珊诰仃嘊M，在該黑矩陣BM的上層形成有濾色器CF。在此，在實(shí)施方式7的其它液晶顯示裝置中，在濾色器CF的上層在同一層上形成第一公共電極CEl和第三公共電極CE3，在該第一公共電極CEl和第三公共電極CE3的上層，以分別覆蓋第一公共電極CEl和第三公共電極CE3的方式，在第一基板SUl的整面上依次形成有外涂層OC和第一取向膜AL1。即，在實(shí)施方式7的其它液晶顯示裝置中，構(gòu)成為第二公共電極CE2和第三公共電極CE3均形成于外涂層OC與第一取向膜ALl之間，因此除了得到上述實(shí)施方式7的液晶顯示裝置中的效果以外，還能夠得到以下特別的效果即使在產(chǎn)生對(duì)第一基板SUl與第二基板SU2進(jìn)行粘貼時(shí)的位置偏移、即對(duì)準(zhǔn)偏差的情況下，也能夠得到透射率的低減抑制效果。此夕卜，能夠使實(shí)施方式7的其它結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置中的對(duì)準(zhǔn)偏差的允許量增加的效果的詳細(xì)理由與上述第一公共電極CEl與第二公共電極CE2的對(duì)準(zhǔn)偏差相同?！磳?shí)施方式8>圖34是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式8的液晶顯示裝置的概要結(jié)構(gòu)的截面圖。但是，實(shí)施方式8的液晶顯示裝置僅與實(shí)施方式2的液晶顯示裝置中的第二公共電極CE2的形成位置不同，其它結(jié)構(gòu)為與實(shí)施方式2的液晶顯示裝置相同的結(jié)構(gòu)。因而，在以下說明中，詳細(xì)說明第二公共電極CE2。如圖34所示，實(shí)施方式8的液晶顯示裝置與實(shí)施方式2的液晶顯示裝置同樣地，在第二基板SU2的液晶側(cè)面依次形成有第一絕緣膜ILl、漏極線DL、第二絕緣膜IL2、壁基材WL。在從壁基材WL的頂端面至側(cè)壁面和壁基材WL附近的第二絕緣膜IL2的上表面形成有壁像素電極SE，并且在像素的B-B’方向的中心部分上形成有在像素的長(zhǎng)度方向上延伸的第二公共電極CE2。在被一對(duì)壁像素電極SE夾持的像素的透射區(qū)域內(nèi)，以覆蓋壁像素電極SE的平坦部HP的端部和第二公共電極CE2以及第二絕緣膜IL2的露出面的方式形成有第四絕緣膜IL4。另外，以覆蓋壁基材WL的頂端面的露出面、壁像素電極SE的露出面等的方式，在第二基板SU2的整面上依次形成有第三絕緣膜IL3和第二取向膜AL2。此時(shí)，在實(shí)施方式8的液晶顯示裝置中，第四絕緣膜IL4的膜厚也形成為比其它絕緣膜厚2. Ομπι以上，壁像素電極SE的高度形成為比液晶層LC的厚度大2. Ομπι以上。另一方面，在第一基板SUl的液晶面?zhèn)纫来螌盈B黑矩陣ΒΜ、濾色器CF、外涂層0C、第一公共電極CEl、第一取向膜ALl，該第一基板SUl與第二基板SU2經(jīng)由液晶層LC而相對(duì)置，形成實(shí)施方式8的液晶顯示面板PNL。此時(shí)，在實(shí)施方式8的液晶顯示裝置中，第四絕緣膜IL4的膜厚也形成為2. O μ m以上，因此能夠使壁像素電極SE的高度比液晶層LC的厚度大第四絕緣膜IL4的膜厚分即2. O μ m，因此能夠得到與實(shí)施方式2的液晶顯示裝置相同的效果。并且，實(shí)施方式8的液晶顯示裝 置構(gòu)成為在第四絕緣膜IL4的下層形成有第二公共電極CE2。即，在第二絕緣膜IL2與第四絕緣膜IL4之間形成有第二公共電極CE2。因而，在實(shí)施方式8的液晶顯示裝置中，如后述的效果的項(xiàng)所示那樣，也能夠得到以下特別的效果即使在隨著對(duì)第一基板SUl與第二基板SU2進(jìn)行粘貼而產(chǎn)生位置偏移的情況下，也能夠抑制隨著位置偏移產(chǎn)生的透射率降低。其結(jié)果，也能夠得到以下特別的效果能夠降低隨著對(duì)第一基板SUl與第二基板SU2進(jìn)行粘貼時(shí)的對(duì)準(zhǔn)偏差而產(chǎn)生的不良比例，從而能夠提高液晶顯示裝置的生產(chǎn)性。但是，在實(shí)施方式8的液晶顯示裝置中，說明了將本申請(qǐng)的發(fā)明應(yīng)用于實(shí)施方式2的液晶顯示裝置的情況，但是并不限定于此。例如，將實(shí)施方式3的液晶顯示裝置的第二公共電極CE2形成于第五絕緣膜IL5的下層，由此第一公共電極CEl與第二公共電極CE2的位置關(guān)系與實(shí)施方式8的液晶顯示裝置相同。因而，能夠得到與實(shí)施方式8相同的效果。<關(guān)于第一公共電極和第二公共電極位置偏移時(shí)的透射率的降低抑制效果>在安裝(粘貼)第一基板SUl和第二基板SU2時(shí)產(chǎn)生偏差(定位偏差)的情況下，第一公共電極CEl與第二公共電極CE2的位置關(guān)系也發(fā)生變化。例如，在圖3示出的實(shí)施方式I的液晶顯不裝置中，在第一基板SUl相對(duì)于第二基板SU2產(chǎn)生向B方向偏移的定位偏差的情況下，如上述圖8所示，第一公共電極CEl和第二公共電極CE2附近的等電位面分布向圖中的左右方向即模擬壁公共電極的并列設(shè)置方向傾斜，產(chǎn)生同時(shí)包圍第一公共電極CEl和第二公共電極CE2的等電位面E3。在該圖8示出的定位偏差中，第一公共電極CEl相對(duì)于第二基板SU2向圖8中的左方向產(chǎn)生對(duì)準(zhǔn)偏差，因此在第一公共電極CEl的圖8中的左側(cè)部與第二公共電極CE2重疊的面積減少。其結(jié)果，在模擬壁電極的圖8中的左側(cè)透射率降低。圖35是表示對(duì)于本發(fā)明的模擬壁公共電極中的第一公共電極CEl與第二公共電極CE2的定位偏差的每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的白色顯示像素的透射率的圖，圖表G13示出對(duì)于實(shí)施方式I的液晶顯示裝置中的第一基板SUl與第二基板SU2的定位偏差的白色顯示像素的透射率。根據(jù)圖表G13可知，在實(shí)施方式I的模擬壁電極結(jié)構(gòu)中，在沒有產(chǎn)生對(duì)準(zhǔn)偏差、即偏移量SH為O (零)μ m的情況下，透射率成為89%。另一方面，在偏移量SH為SH = O. 5 μ m時(shí)成為89%，在SH= LOym時(shí)成為89%，在SH= L 5 μ m時(shí)成為87%，在SH = 2. O μ m時(shí)成為83%，在SH = 2· 5μπι時(shí)成為78%，在SH = 3. O μ m時(shí)成為70%。這樣，在實(shí)施方式I的結(jié)構(gòu)中，在第一基板SUl與第二基板SU2沒有偏移的情況下白色顯示透射率為89%，但是隨著偏移增加而白色顯示透射率降低，在偏移3 μ m的情況下降低至70%。因而，在實(shí)施方式I的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選將隨著對(duì)第一基板SUl與第二基板SU2進(jìn)行粘貼而產(chǎn)生的定位偏差設(shè)為SH = I. 5 μ m以下。圖36是表不實(shí)施方式I的液晶顯不裝置的第一基板SUl與第二基板SU2沒有產(chǎn)生對(duì)準(zhǔn)偏差的情況以及對(duì)準(zhǔn)偏差為3μπι的情況下的像素內(nèi)的透射率分布的圖，用點(diǎn)線表示的圖表G16示出圖8示出的偏移量SH為SH = 3. O μ m的情況，用實(shí)線表示的圖表Gl 7示出SH = O μ m的情況。但是，圖36示出的像素的短邊方向的像素間距為30 μ m，是在其中心位置配置第一公共電極CEl和第二公共電極CE2的情況下的透射率分布。另外，圖表G16、G17的在每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)與自身像素和自身像素相鄰的像素(相鄰像素)均進(jìn)行白色顯示的情況下的透射率分布。根據(jù)圖表G17可知，在第一 基板SUl與第二基板SU2沒有產(chǎn)生定位偏差的情況下，在由第一公共電極CEl和第二公共電極CE2構(gòu)成的模擬壁公共電極的中心位置即15μ m附近區(qū)域內(nèi)透射率大大降低。然而，在除了模擬壁公共電極的形成區(qū)域以外的區(qū)域內(nèi)，其透射率大致為89%左右。另一方面，在產(chǎn)生與圖8對(duì)應(yīng)的偏移量SH = 3. O μ m的對(duì)準(zhǔn)偏差的情況下，第一公共電極CEl相對(duì)于第二基板SU2向左方向(從像素端部起的距離小的方向)產(chǎn)生對(duì)準(zhǔn)偏差，因此在等電位面E3產(chǎn)生傾斜。其結(jié)果，在從像素端部起的距離小的區(qū)域內(nèi)，第一公共電極CEl與第二公共電極CE2的重疊面積減少，因此如圖表G16所示，該區(qū)域內(nèi)的透射率降低至60%左右。與此相對(duì)，如圖37示出的本發(fā)明實(shí)施方式8的液晶顯示裝置中的模擬壁公共電極部分的放大圖所示，在實(shí)施方式8的液晶顯示裝置中，在第一公共電極CEl與第二公共電極CE2之間形成第一和第二取向膜AL1、AL2、液晶層LC以及第三絕緣膜IL3。因而，在沒有產(chǎn)生定位偏差的情況下，關(guān)于在第一公共電極CEl與第二公共電極CE2之間的產(chǎn)生的等電位面的分布，包圍第一公共電極CEl的等電位面El形成于包括液晶層LC的第一公共電極CEl的周邊，包圍第二公共電極CE2的等電位面E2形成于包括第三絕緣膜IL3的第二公共電極CE2的周邊。另外，同時(shí)包圍形成模擬壁公共電極的第一公共電極CEl以及第二公共電極CE2的等電位面E3以包括包含第一和第二取向膜AL1、AL2的液晶層LC以及第三絕緣膜IL3的方式形成。此時(shí)，在實(shí)施方式8的液晶顯示裝置中，液晶層LC的厚度形成為與實(shí)施方式I的液晶顯示裝置相同的厚度，因此等電位面E3形成為向液晶顯示面板PNL的厚度方向延長(zhǎng)。并且，寬度更大的第一公共電極CEl遠(yuǎn)離液晶層LC，由此分布在液晶層LC中的等電位面的寬度變窄而形成模擬壁公共電極。另一方面，在產(chǎn)生與上述圖8相同的定位偏差的情況下，如圖38所示，關(guān)于在第一公共電極CEl與第二公共電極CE2之間產(chǎn)生的等電位面分布，包圍第一公共電極CEl和第二公共電極CE2的等電位面E3向?qū)?zhǔn)偏差方向傾斜而形成。此時(shí)，在實(shí)施方式8的結(jié)構(gòu)中，根據(jù)圖38可知，等電位面E3的傾斜變小，這是由于，第一公共電極CEl與第二公共電極CE2的距離增加，由此即使是相同偏移量，等電位面E3的變化也變小。圖39是表示本發(fā)明實(shí)施方式8的液晶顯示裝置的第一基板SUl與第二基板SU2沒有產(chǎn)生對(duì)準(zhǔn)偏差的情況以及對(duì)準(zhǔn)偏差為3μπι的情況下的像素內(nèi)的透射率分布的圖，用點(diǎn)線表示的圖表G18示出偏移量SH為SH = 3. O μ m的情況，用實(shí)線表示的圖表G19示出沒有對(duì)準(zhǔn)偏差的情況(SH = O μ m時(shí))。根據(jù)圖39可知，在實(shí)施方式8的液晶顯示裝置中，第一基板SUl與第二基板SU2之間沒有產(chǎn)生對(duì)準(zhǔn)偏差的情況(圖表G19)以及產(chǎn)生SH = 3 μ m的對(duì)準(zhǔn)偏差的情況下(圖表G18)的像素內(nèi)的透射率分布不管是否產(chǎn)生對(duì)準(zhǔn)偏差均為大致相同。這是由以下情況引起的效果如圖38所示那樣，在第三絕緣膜IL3的下層形成第二公共電極CE2，由此等電位面E3的傾斜變小。圖35不出的圖表G15是表 不對(duì)于實(shí)施方式8的液晶顯不裝置中的第一公共電極CEl與第二公共電極CE2的定位偏差的每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的白色顯示像素的透射率的圖表。根據(jù)該圖表G15可知,在實(shí)施方式8的模擬壁電極結(jié)構(gòu)中,在沒有產(chǎn)生對(duì)準(zhǔn)偏差的(對(duì)準(zhǔn)偏差量SH = O μ m)情況下，透射率為88 %。另外，在偏移量SH為SH = O. 5 μ m時(shí)成為88%，在 SH = I. Oym 時(shí)成為 88%，在 SH = I. 5μπι 時(shí)成為 88%，在 SH = 2. Oym 時(shí)成為88%，在 SH = 2· 5μπι 時(shí)成為 87%，在 SH = 3. O μ m 時(shí)成為 86%。這樣，在實(shí)施方式8的結(jié)構(gòu)中，能夠得到以下特別的效果即使在偏移量SH為3. Oym時(shí)，透射率也成為86%，能夠?qū)㈦S著第一基板SUl與第二基板SU2的定位偏差的透射率的減少抑制為2%左右，不管第一基板SUl與第二基板SU2的定位偏差，大致得到固定的白色顯示透射率。圖40是用于說明第一基板SUl與第二基板SU2的對(duì)準(zhǔn)位置偏移3 μ m的情況下的每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的白色顯示透射率的第二公共電極CE2與液晶層LC的距離依賴性的圖。根據(jù)圖40的圖表G20可知，在第二公共電極CE2與液晶層LC接近的情況下白色顯示透射率為70%，但是隨著第二公共電極CE2與液晶層LC的距離K2的增加而增加，在K2 =0·5μπι時(shí)成為78%，在K2 = LOym時(shí)成為83%，在Κ2 = L 5 μ m時(shí)成為87 %，在Κ2 =2·0μπι時(shí)成為88%，在K2 = 5μπι時(shí)成為89%，在Κ2 = 3. Oym時(shí)成為89%。這樣，在第二公共電極CE2與液晶層LC的距離Κ2為Κ2 = 2. O μ m以上的情況下透射率成為88%以上，得到與第一基板SUl與第二基板SU2沒有偏移的情況相同的白色顯示透射率。圖41是用于說明從本發(fā)明實(shí)施方式8的液晶顯示裝置中的第二公共電極到達(dá)液晶層的距離與驅(qū)動(dòng)電壓的關(guān)系的圖，是表示在圖34示出的實(shí)施方式8的結(jié)構(gòu)中在使從第二公共電極到達(dá)液晶層的距離H5(在圖37中示出)變化的情況下用于進(jìn)行規(guī)定透射率的顯示(白色顯示)所需的壁像素電極SE與模擬壁公共電極之間的施加電壓(驅(qū)動(dòng)電壓)的圖。根據(jù)圖41的圖表G21可知，在第二公共電極CE2與液晶層LC的距離H5為H5 =0(零)μ m的情況下，驅(qū)動(dòng)電壓Vpc為VPC = 4. 5V。另外，在距離H5為H5 = O. 5 μ m時(shí)成為VPC = 4. 8V，之后，在 H5 = L Oym時(shí)成為 VPC = 4. 9V，在 Η5 = L 5 μ m 時(shí)成為 VPC = 5. 0V,在 H5 = 2. O μ m 時(shí)成為 VPC = 5. 0V，在 H5 = 2. 5 μ m 時(shí)成為 VPC = 5. IV，在 H5 = 3. O μ m時(shí)成為VPC = 5. IV。這樣，在實(shí)施方式8的結(jié)構(gòu)中，具有隨著第二公共電極CE2與液晶層LC的距離H5增加而驅(qū)動(dòng)電壓Vpc增加的趨勢(shì)。然而，驅(qū)動(dòng)電壓Vpc的增加存在飽和的趨勢(shì)，第二公共電極CE2與液晶層LC的距離H5在I. 5 μ m以上增加變緩慢。即，可知將第二公共電極CE2與液晶層LC的距離H5設(shè)為I. 5 μ m以上，由此能夠一邊抑制驅(qū)動(dòng)電壓Vpc的增加一邊得到高白色顯示透射率。因而，在實(shí)施方式8的液晶顯示裝置中，優(yōu)選第二公共電極CE2與液晶層LC的距離H5形成為I. 5 μ m以上。并且，優(yōu)選將驅(qū)動(dòng)電壓Vpc設(shè)為VPC = 5. OV左右。如上所述，在實(shí)施方式8的液晶顯示裝置中，構(gòu)成為在為了將壁像素電極SE的高度設(shè)為大于液晶層LC的厚度而設(shè)置的第四絕緣膜IL4的下層，形成作為形成模擬壁公共電極的一個(gè)公共電極的第二公共電極CE2，因此能夠增加作為形成模擬壁公共電極的另一個(gè)公共電極的第一公共電極CEl與第二公共電極CE2的間隔。其結(jié)果，能夠減小由隨著對(duì)形成第一公共電極CEl的第一基板SUl與形成第二公共電極CE2的第二基板SU2進(jìn)行粘貼等而產(chǎn)生的第一公共電極CEl與第二公共電極CE2的位置偏移引起的模擬壁公共電極中的電場(chǎng)分布的傾斜，因此除了能夠得到實(shí)施方式2的液晶顯示裝置中的效果以外，還能夠得到以下特別的效果能夠提高隨著第一公共電極CEl與第二公共電極CE2的位置偏移而產(chǎn)生的透射率，并且能夠提高顯示質(zhì)量。另外，在實(shí)施方式8的液晶顯示裝置中，能夠得到以下特別的效果壁像素電極SE與第二公共電極CE2形成于同一層，并且形成于第四絕緣膜IL4的上層，因此在與第二公共電極CE2同樣地使用透明導(dǎo)電膜來形成壁像素電極SE的情況下，能夠通過同一工序來形成第四絕緣膜IL4和第二公共電極CE2。此外，在實(shí)施方式8的液晶顯示裝置中，在為了將壁像素電極SE的高度形成為大于液晶層LC的厚度、即提高像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)中的透射率而設(shè)置的第四絕緣膜IL4的下層側(cè)(第四絕緣膜IL4在第二基板SU2—側(cè))形成有第二公共電極CE2。通過該結(jié)構(gòu)，將第一公共電極CEl與第二公共電極CE2的距離形成為大于液晶層LC的厚度，但是如實(shí)施方式I所示，即使是壁像素電極SE的高度與液晶層LC的厚度大致相同大小的液晶顯示裝置，將第一公共電極CEl與第二公共電極CE2之間的距離形成為大于液晶層LC的厚度，由此在進(jìn)行每列反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)的情況下，相對(duì)于對(duì)準(zhǔn)偏差也能夠得到與上述情況相同的效果。<實(shí)施方式9>圖42是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式9的液晶顯示裝置中的像素結(jié)構(gòu)的截面圖，除了第一公共電極CEl的形成位置以外的其它結(jié)構(gòu)為與實(shí)施方式4的液晶顯示裝置相同的結(jié)構(gòu)。因而，在以下說明中，詳細(xì)說明第一公共電極CEl和模擬壁公共電極。如圖42所示，實(shí)施方式9的液晶顯示裝置與實(shí)施方式4的液晶顯示裝置同樣地，在第二基板SU2的液晶面?zhèn)刃纬捎械谝唤^緣膜IL1、漏極線DL、第二公共電極CE2以及壁基材WL。另外，在從壁基材WL的頂端面至側(cè)壁面和壁基材WL附近的第二絕緣膜IL2的上表面形成壁像素電極SE，以覆蓋它們的露出面的方式形成第二絕緣膜IL2，在該第二絕緣膜IL2的上層形成第二取向膜AL2，形成有第二基板SU2。另一方面，在第一基板SUl的液晶面?zhèn)刃纬珊诰仃嘊M。以覆蓋該黑矩陣BM的方式形成有濾色器CF。在此，在實(shí)施方式9的液晶顯示面板PNL中，在濾色器CF的上層形成第一公共電極CEl,以覆蓋該第一公共電極CEl的方式形成有外涂層0C。此時(shí),在實(shí)施方式9的液晶顯示面板PNL中，也與實(shí)施方式4的外涂層OC同樣地，構(gòu)成為沿著形成壁基材WL的區(qū)域，貫通外涂層OC而使濾色器CF的上表面露出的凹部形成于外涂層0C。在該外涂層OC的上層，以覆蓋該外涂層OC以及所露出的濾色器CF的露出面的方式，在第二基板SU2的整面形成有第一取向膜ALl。具有該結(jié)構(gòu)的第一基板SUl和第二基板SU2經(jīng)由液晶層LC而相對(duì)置，以在形成于外涂層OC的凹部中進(jìn)入包括壁基材WL的壁像素電極SE的一個(gè)端部的方式，形成實(shí)施方式9的液晶顯示面板PNL。此時(shí)，在實(shí)施方式9的液晶顯示裝置中，外涂層OC以比較厚的膜厚(優(yōu)選2. O μ m以上的膜厚)形成，因此能夠?qū)⒈谙袼仉姌OSE的高度增加比液晶層LC的厚度大外涂層OC的膜厚量，從而能夠得到與實(shí)施方式4的液晶顯示裝置相同的效果。另外，實(shí)施方式9的液晶顯示裝置具有在外涂層OC的下層形成第一公共電極CEl的結(jié)構(gòu)。即，在外涂層OC與濾色器CF之間形成有第一公共電極CE1。因而，在實(shí)施方式9的液晶顯示裝置中，也能夠得到以下特別的效果如后述的效果的項(xiàng)所示，即使在由隨著對(duì)第一基板SUl與第二基板SU2進(jìn)行粘貼而產(chǎn)生的位置偏移引起第一公共電極CEl與第二公共電極CE2產(chǎn)生位置偏移的情況下，也 能夠抑制隨著該位置偏移而引起的透射率的降低。并且，能夠得到以下特別的效果能夠減小隨著第一基板SUl與第二基板SU2的定位偏差而產(chǎn)生的不良的比例，能夠提高生產(chǎn)性。<關(guān)于第一公共電極和第二公共電極位置偏移時(shí)的透射率的降低抑制效果>圖43是表示本發(fā)明實(shí)施方式9的液晶顯示裝置中的模擬壁公共電極部分的放大圖，圖44是表示圖43示出的模擬壁公共電極產(chǎn)生定位偏差的情況下的等電位面分布的圖。如圖43所示，在第一公共電極CEl與第二公共電極CE2之間形成有第一和第二取向膜AL1、AL2、液晶層LC以及外涂層0C。因而，在沒有產(chǎn)生定位偏差的情況下，包圍第一公共電極CEl的等電位面El形成于包括外涂層OC中的第一公共電極CEl的周邊，包圍第二公共電極CE2的等電位面E2形成于包括液晶層LC中的第二公共電極CE2的周邊。另外，同時(shí)包圍形成模擬壁公共電極的第一公共電極CEl和第二公共電極CE2的等電位面E3形成為包括包含第一和第二取向膜ALl、AL2的液晶層LC和外涂層0C。此時(shí)，實(shí)施方式9的液晶顯示裝置也與實(shí)施方式8同樣地，液晶層LC的厚度形成為與實(shí)施方式I的液晶顯示裝置相同的厚度，因此等電位面E3形成為在液晶顯示面板PNL的法線方向即厚度方向上延長(zhǎng)。并且，第一公共電極CEl形成于外涂層OC的下層，因此與實(shí)施方式I的液晶顯示裝置相比，作為寬度大一側(cè)的電極的第一公共電極CEl形成于從液晶層LC遠(yuǎn)離的位置，分布在液晶層LC中的等電位面E3的寬度變窄。另一方面，在產(chǎn)生與圖8相同的定位偏差的情況下，如圖44所示，在第一公共電極CEl與第二公共電極CE2之間產(chǎn)生的等電位面分布形成為包圍第一公共電極CEl和第二公共電極CE2的等電位面E3向?qū)?zhǔn)偏差方向傾斜。此時(shí)，在實(shí)施方式9的結(jié)構(gòu)中，根據(jù)圖44可知，等電位面E3的傾斜變小，這是由于，第一公共電極CEl與第二公共電極CE2的距離增力口，由此即使是相同偏移量，等電位面E3相對(duì)于液晶顯示面板PNL的法線方向的傾斜角也變小。圖35不出的圖表G14是表不對(duì)于實(shí)施方式9的液晶顯不裝置中的第一公共電極CEl與第二公共電極CE2的定位偏差的每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的白色顯示像素的透射率的圖表。根據(jù)該圖表G14可知,在實(shí)施方式9的模擬壁電極結(jié)構(gòu)中,在沒有產(chǎn)生對(duì)準(zhǔn)偏差的(對(duì)準(zhǔn)偏差量SH = O μ m)情況下，透射率成為87 %。另外，在偏移量SH為SH = O. 5 μ m時(shí)成為87%，在SH= LOym時(shí)成為87%，在SH= I. 5 μ m時(shí)成為87%，在SH = 2. O μ m時(shí)成為86%，在 SH = 5μπι 時(shí)成為 85%，在 SH = 3. O μ m 時(shí)成為 84%。這樣，在實(shí)施方式9的結(jié)構(gòu)中，也能夠得到以下特別的效果在偏移量SH為3. Oym時(shí)，透射率也成為84%，能夠?qū)㈦S著第一基板SUl與第二基板SU2的定位偏差產(chǎn)生的透射率的減少抑制為3%左右，不管第一基板SUl與第二基板SU2的定位偏差，大致得到固定的白色顯示透射率。圖45是用于說明在實(shí)施方式9的液晶顯示裝置中第一基板SUl與第二基板SU2的對(duì)準(zhǔn)位置偏移3 μ m的情況下的每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的白色顯示透射率的第一公共電極CEl與液晶層LC的距離依賴性的圖。根據(jù)圖45的圖表G22可知，在第一公共電極CEl與液晶層LC接近的情況下，白色顯示透射率為70%，但是隨著第一公共電極CEl與液晶層LC的距離Kl增加而增加，在Kl=O. 5μπι時(shí)成為77%，在Kl = L Oym時(shí)成為81%，在Kl = L 5 μ m時(shí)成為84%，在Kl =2. Oym時(shí)成為86%，在Kl = 2·5μπι時(shí)成為87%，在Kl = 3. Oym時(shí)成為88%。這樣，在第一公共電極CEl與液晶層LC的距離K l為Kl = 2. O μ m以上的情況下，透射率成為86%以上，得到與第一基板SUl與第二基板SU2沒有偏移的情況大致相同的白色顯示透射率。圖46是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式9的液晶顯示裝置中的從第一公共電極至液晶層為止的距離和驅(qū)動(dòng)電壓的關(guān)系的圖，是表示在圖42示出的實(shí)施方式9的結(jié)構(gòu)中在使從第一公共電極至液晶層為止的距離H6(圖43中示出)變化的情況下通過規(guī)定的透射率進(jìn)行顯示(白色顯示)所需的壁像素電極SE與模擬壁公共電極之間的施加電壓(驅(qū)動(dòng)電壓)的圖。根據(jù)圖46的圖表G23可知，在第一公共電極CEl與液晶層LC的距離H6為H6 =
O(零)μ m的情況下,驅(qū)動(dòng)電壓Vpc成為Vpc = 4. 5V。另外,在距離H6為H6 = O. 5 μ m時(shí)成為Vpc = 4.8￥，之后，在冊(cè)=Ι.Ομπι時(shí)成為Vpc = 4. 8V，在Η6 = 1·5μπι時(shí)成為Vpc=4. 9V，在 Η6 = 2. O μ m 時(shí)成為 Vpc = 5. 0V，在 H6 = 2. 5 μ m 時(shí)成為 Vpc = 5. 0V,在 H6 =3·0μπι 時(shí)成為 Vpc = 5. IV。這樣，在實(shí)施方式9的結(jié)構(gòu)中，也具有隨著第一公共電極CEl與液晶層LC的距離Η6增加而驅(qū)動(dòng)電壓Vpc增加的趨勢(shì)。然而，驅(qū)動(dòng)電壓Vpc的增加具有飽和的趨勢(shì)，第一公共電極CEl與液晶層LC的距離Η6在I. 5 μ m以上增加變緩慢。即，可知在實(shí)施方式9的液晶顯示裝置中，將第一公共電極CEl與液晶層LC的距離H6設(shè)為1.5μπι以上，一邊抑制驅(qū)動(dòng)電壓Vpc的增加一邊能夠得到高白色顯示透射率。因而，在實(shí)施方式9的液晶顯示裝置中，優(yōu)選第一公共電極CEl與液晶層LC的距離Η6形成為I. 5 μ m以上。并且，優(yōu)選將驅(qū)動(dòng)電壓Vpc設(shè)為VPC = 5. OV左右。此外，在實(shí)施方式9的液晶顯示裝置中，在外涂層OC的下層側(cè)(外涂層OC的第一基板SUl —側(cè))形成第一公共電極CEl,由此將第一公共電極CEl與第二公共電極CE2的距離形成為大于液晶層LC的厚度(與每個(gè)像素反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu))，但是，如實(shí)施方式I所示，即使是壁像素電極SE的高度與液晶層LC的厚度大致相同大小的液晶顯示裝置，將第一公共電極CEl與第二公共電極CE2之間的距離形成為大于液晶層LC的厚度，在通過每列反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的情況下，對(duì)于對(duì)準(zhǔn)偏差也能夠得到與上述相同的效果。<實(shí)施方式10>圖47是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式10的液晶顯示裝置的概要結(jié)構(gòu)的俯視圖，圖48是圖47示出的C-C’線的截面圖。另外，圖49是用于說明形成實(shí)施方式10的液晶顯示裝置中的壁像素電極的第一透明導(dǎo)電膜的結(jié)構(gòu)的圖，圖50是用于說明形成實(shí)施方式10的液晶顯示裝置中的第二公共電極和第四公共電極的第二透明導(dǎo)電膜的結(jié)構(gòu)的圖。但是，實(shí)施方式10的液晶顯示裝置的除了第四公共電極CE4和第六絕緣膜IL6的結(jié)構(gòu)以外的其它結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式I的液晶顯示裝置相同。因而，在以下說明中，詳細(xì)說明第四公共電極CE4和第六絕緣膜IL6的結(jié)構(gòu)。在實(shí)施方式I的液晶顯示裝置中，形成第二公共電極CE2的第二透明導(dǎo)電膜TCF2以及形成壁像素電極SE的第一透明導(dǎo)電膜TCFl在接近柵極線GL的像素端部(在圖2中用斜線表示的區(qū)域SC)中進(jìn)行重疊而形成保持電容，但是在該區(qū)域SC內(nèi)不對(duì)液晶層LC施加電場(chǎng)因此形成非開口部(非透射區(qū)域)。另一方面，在IPS方式等的液晶顯示裝置中，對(duì)平面(平板)狀的公共電極與狹縫狀(線狀)的像素電極進(jìn)行重疊，在開口部?jī)?nèi)形成保持電容。這樣，如果能夠?qū)⑹褂糜趯?duì)液晶層LC施加電壓的電極用作保持電容而兼用則能夠提高開口率，從而能夠提高透射率。與此相對(duì)，根據(jù)圖48 可知，在實(shí)施方式10的液晶顯示裝置中，第二公共電極CE2與第四公共電極CE4被配置在第一絕緣層ILl與第二絕緣層IL2之間，壁基材WL形成于第三絕緣層IL3上。并且，在該壁基材WL的上層形成有壁像素電極SE，該壁像素電極SE的平坦部分HP通過第四公共電極CE4和第二絕緣層IL2進(jìn)行重疊。該壁像素電極SE的平坦部分HP與第四公共電極CE4進(jìn)行重疊而得到的部分形成保持電容。特別是，在實(shí)施方式10的液晶顯示裝置中，將第四公共電極CE4配置成比壁像素電極SE的平坦部分HP更靠?jī)?nèi)側(cè)分布。如果該第四公共電極CE4分布在比壁像素電極SE的平坦部分HP更靠外側(cè)，則在接近配置的壁像素電極SE與第四公共電極CE4之間集中電場(chǎng)，施加到液晶層LC的電場(chǎng)大幅減弱，從而透射率降低。在實(shí)施方式10中，將第四公共電極CE4配置成比壁像素電極SE的平坦部分HP更靠?jī)?nèi)側(cè)，由此保持施加到液晶層LC的電場(chǎng)強(qiáng)度。在圖47中，虛線表示第一公共電極CEl與第二公共電極CE2的輪廓，單點(diǎn)劃線表示壁基材WL的輪廓。如上所述，將第二公共電極CE2配置在比壁像素電極SE更靠下層，因此接觸孔CH2貫通第二公共電極CE2，在圖47中接觸孔CH2的周圍也被表示第二公共電極CE2的邊界的虛線包圍。第二公共電極CE2與壁像素電極SE進(jìn)行重疊的部分起到保持電容的作用，在圖47中用斜線表示的部分為成為保持電容的部分。將該圖47示出的實(shí)施方式10的液晶顯示裝置與圖2進(jìn)行比較可知，實(shí)施方式10的保持電容的分布在接近柵極線GL一側(cè)位移，其結(jié)果，壁基材WL的分布也延長(zhǎng)至接近柵極線GL—側(cè)，使開口部(透射部)放大。在此，在圖47示出的實(shí)施方式10的液晶顯示裝置與圖2示出的實(shí)施方式I中保持電容的面積相同，盡管如此，在實(shí)施方式10的液晶顯示裝置中使開口部(透射部)放大的是由于在漏極線DL附近也配置了保持電容。S卩，如圖47所示，在實(shí)施方式10的液晶顯示裝置中也與實(shí)施方式I的液晶顯示裝置同樣地，像素區(qū)域成為被漏極線DL和柵極線GL包圍的區(qū)域。另外，構(gòu)成為像素區(qū)域由長(zhǎng)度方向(Y方向)的上側(cè)區(qū)域和下側(cè)區(qū)域構(gòu)成，該上側(cè)區(qū)域和下側(cè)區(qū)域以相對(duì)于Y方向?qū)ΨQ的方式在不同方向上傾斜，在像素的中央部分中上側(cè)區(qū)域與下側(cè)區(qū)域進(jìn)行連接。此時(shí)，在上側(cè)區(qū)域和下側(cè)區(qū)域內(nèi)，也以液晶分子的初始取向方向變得相同的方式，在用圖中的箭頭AD所示的方向上進(jìn)行初始取向處理。如圖48所示，實(shí)施方式10的液晶顯示裝置也構(gòu)成為形成濾色器等的第一基板SUl以及形成薄膜晶體管等的第二基板SU2經(jīng)由液晶層LC相對(duì)置。另外，在第一基板SUl的外側(cè)面(顯示面?zhèn)?配置第一偏振板PLl，在第二基板SU2的外側(cè)面(背面)配置有第二偏振板 PL2。與實(shí)施方式I的液晶顯示裝置同樣地，在第一基板SUl的液晶面?zhèn)纫来涡纬捎泻诰仃嘊M、濾色器CF、外涂層0C、第一公共電極CEl以及第一取向膜AL1。另一方面，在第二基板SU2的液晶面?zhèn)纫来涡纬捎械谝唤^緣膜IL1、漏極線DL、第二絕緣膜IL2以及第二公共電極CE2。此時(shí)，在實(shí)施方式10的液晶顯示裝置中，以至少與壁像素電極SE進(jìn)行重疊的方式，在與第二公共電極CE2同一層上形成有第四公共電極CE4。在第四公共電極CE4和第二公共電極CE2的上層，以覆蓋該第四公共電極CE4和第二公共電極CE2的方式在第二基板SU2的 整面形成有第六絕緣膜IL6。在該第六絕緣膜IL6的上層形成壁基材WL和壁像素電極SE的平坦部，在該壁基材WL的側(cè)壁面和頂端面上分別形成壁像素電極SE的垂直部和頂端部，以覆蓋它們的露出面的方式形成有第二取向膜AL2。特別是，在實(shí)施方式10的液晶顯示裝置中，如圖50所示，在第一基板SUl的整面上形成有第二透明導(dǎo)電膜TCF2，按照每個(gè)像素在其像素的透射區(qū)域內(nèi)的第二透明導(dǎo)電膜TCF2形成開口部0P2、0P3，被兩個(gè)開口部0P2、0P3夾持的區(qū)域形成第二公共電極CE2。另夕卜，被形成于第二透明導(dǎo)電膜TCF2的自身像素的開口部0P2與相鄰像素的未圖示的開口部0P3夾持的區(qū)域形成第四公共電極CE4。另外，如圖49所示，形成壁像素電極SE的第一透明導(dǎo)電膜TCFl沿著漏極線DL和柵極線GL而形成為圓環(huán)狀，外側(cè)邊緣部LI與內(nèi)側(cè)邊緣部(開口部OPl的邊緣部)L2之間的區(qū)域(陰影區(qū)域)成為第一透明導(dǎo)電膜TCFl的形成區(qū)域。此時(shí)，在實(shí)施方式10的液晶顯示裝置中，也與實(shí)施方式I的液晶顯示裝置同樣地，在像素的長(zhǎng)度方向上延伸的部分成為壁像素電極SE。此時(shí)，在實(shí)施方式10的液晶顯示裝置中，構(gòu)成為與實(shí)施方式I的液晶顯示裝置同樣地，在像素區(qū)域內(nèi)的上端側(cè)和下端側(cè)的區(qū)域內(nèi)，第一透明導(dǎo)電膜TCFl與第二透明導(dǎo)電膜TCF2通過第六絕緣膜IL6進(jìn)行重疊。并且，根據(jù)圖50可知，通過被形成于第二透明導(dǎo)電膜TCF2的自身像素的開口部0P2與相鄰像素的未圖示的開口部0P3夾持的區(qū)域的第二透明導(dǎo)電膜TCF2、即在相鄰像素之間的區(qū)域內(nèi)形成的第二透明導(dǎo)電膜TCF2形成第四公共電極CE4，構(gòu)成為該第四公共電極CE4經(jīng)由第六絕緣膜IL6與壁像素電極SE進(jìn)行重疊。通過該結(jié)構(gòu)，在實(shí)施方式10的液晶顯示裝置中，在圖47中用斜線表示的區(qū)域SC形成為沿著像素區(qū)域的邊緣部包圍像素的透射區(qū)域，該區(qū)域SC成為該像素的保持電容(累積電容)。即，在實(shí)施方式10的液晶顯示裝置中，與實(shí)施方式I的液晶顯示裝置同樣地，構(gòu)成為在由像素區(qū)域的上端部和下端部構(gòu)成的像素區(qū)域的短邊方向(Y方向)的邊部區(qū)域內(nèi)形成保持電容，并且在像素區(qū)域的長(zhǎng)度方向(X方向)的邊部上也形成保持電容。此時(shí)，以構(gòu)成壁像素電極SE的平坦部與第四公共電極CE4的重疊區(qū)域的面積變大的方式形成第四公共電極CE4和壁像素電極SE，由此保持電容也能夠變大。此外，在實(shí)施方式10中，構(gòu)成為在實(shí)施方式I的液晶顯示裝置構(gòu)成本申請(qǐng)的發(fā)明的第四公共電極CE4，但是并不限定于此。例如，在實(shí)施方式2 4以及實(shí)施方式6 9的液晶顯示裝置中形成第四公共電極CE4，由此能夠增加保持電容，因此能夠得到與實(shí)施方式10相同的效果。如上所述，在實(shí)施方式10的液晶表裝置中，構(gòu)成為利用壁像素電極SE來形成保持電容、即在長(zhǎng)度方向上延伸的壁像素電極SE與第六絕緣膜IL6由通過第六絕緣膜IL6進(jìn)行重疊的區(qū)域SC2形成的電容也用作保持電容。因而，在形成具有與實(shí)施方式I相同的電容的保持電容的情況下，能夠縮小在接近柵極線GL的像素端部中配置的保持電容的面積、即減小在像素區(qū)域的長(zhǎng)度方向的上端側(cè)和下端側(cè)形成的重疊區(qū)域SC的面積。其結(jié)果，能夠得到與實(shí)施方式I相同的效果，并且還能夠得到以下特別的效果不減小保持電容而能夠增加能夠驅(qū)動(dòng)液晶分子的透射區(qū)域，能夠?qū)㈤_口率從實(shí)施例I的63%增加至69%，在實(shí)施方式10中將透過率比實(shí)施方式I提高10%左右。此外，在實(shí)施方式2 4的發(fā)明中，構(gòu)成為在第一基板SUl或者第二基板SU2中的任一個(gè)基板上形成膜厚較厚的 薄膜層(厚膜層)，并且將壁像素電極形成為大于液晶層厚度，但是也可以構(gòu)成為在第一基板SUl和第二基板SU2中均形成厚膜層。以上，根據(jù)上述發(fā)明的實(shí)施方式來具體地說明了由本發(fā)明者進(jìn)行的發(fā)明，但是本發(fā)明并不限定于上述發(fā)明的實(shí)施方式，在不脫離其宗旨的范圍內(nèi)能夠進(jìn)行各種變更。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，具備第二基板和第一基板，該第二基板具有在X方向上延伸且在Y方向上并列設(shè)置的掃描信號(hào)線以及在Y方向上延伸且在X方向上并列設(shè)置的影像信號(hào)線，該第一基板經(jīng)由液晶層與上述第二基板相對(duì)置，并且由上述掃描信號(hào)線和上述影像信號(hào)線包圍的像素區(qū)域被配置成矩陣狀， 該液晶顯示裝置具有 凸?fàn)铙w，其形成于與相鄰像素之間的像素邊界，從上述第二基板的液晶面?zhèn)韧怀觯? 第一電極，其包括形成于上述凸?fàn)铙w的側(cè)壁面的側(cè)壁面電極、以及從上述側(cè)壁面電極的上述凸?fàn)铙w的底面?zhèn)妊由於厣鲜龅诙宓囊壕?cè)面延伸的下端側(cè)電極，上述側(cè)壁面電極形成在隔著上述像素區(qū)域而相對(duì)的至少一對(duì)邊部上；以及 第二電極，其包括第一線狀電極，其形成于上述第一基板側(cè)的上述像素區(qū)域內(nèi)，在上述第一電極的延伸方向上延伸；以及第二線狀電極，其形成于上述第二基板側(cè)的上述像素區(qū)域內(nèi)，以經(jīng)由上述液晶層與上述第一線狀電極對(duì)峙的方式延伸， 并且，上述像素區(qū)域至少包括以下區(qū)域上述第一電極和上述第二電極在第一方向上延伸的第一像素區(qū)域；以及上述第一電極和上述第二電極在第二方向上延伸的第二像素區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 上述第一基板具備與彩色顯示對(duì)應(yīng)的著色層；遮光膜，其至少形成在與上述著色層之間的區(qū)域；以及平坦化層，其形成在上述著色層和上述遮光膜的上層，使液晶側(cè)面平坦化， 上述第一線狀電極形成在比上述平坦化層更接近上述第一基板的層上。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 具有形成于上述第二基板的液晶面?zhèn)鹊牡谝唤^緣厚膜， 上述第二線狀電極形成在比上述第一絕緣厚膜更接近上述第一基板的層上。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 上述第一電極由沿該像素的邊緣部呈環(huán)狀的第一導(dǎo)電膜構(gòu)成， 上述第二線狀電極由第二導(dǎo)電膜構(gòu)成，該第二導(dǎo)電膜形成為覆蓋第二基板的液晶側(cè)面的整個(gè)面，具有在像素的短邊方向上并列而以隔著上述第二線狀電極的方式形成的兩個(gè)開口部， 上述第一導(dǎo)電膜與上述第二導(dǎo)電膜沿各像素的邊緣部重疊，該重疊區(qū)域呈包圍像素區(qū)域的環(huán)狀。
5.一種液晶顯示裝置，具備第二基板，其具有在X方向上延伸且在Y方向上并列設(shè)置的掃描信號(hào)線以及在Y方向上延伸且在X方向上并列設(shè)置的影像信號(hào)線；以及第一基板，其經(jīng)由液晶層與上述第二基板相對(duì)置，并且由上述掃描信號(hào)線和上述影像信號(hào)線包圍的像素區(qū)域被配置成矩陣狀， 該液晶顯示裝置的特征在于，具有 凸?fàn)铙w，其形成于與相鄰像素之間的像素邊界，從上述第二基板的液晶面?zhèn)韧怀觯? 第一電極，其包括形成在上述凸?fàn)铙w的側(cè)壁面的側(cè)壁面電極、以及從上述側(cè)壁面電極的上述凸?fàn)铙w的底面?zhèn)妊由於厣鲜龅诙宓囊壕?cè)面延伸的下端側(cè)電極，上述側(cè)壁面電極形成在隔著上述像素區(qū)域相對(duì)的至少一對(duì)邊部上；以及第二電極，其包括第一線狀電極，其形成于上述第一基板側(cè)的上述像素區(qū)域內(nèi)，在上述第一電極的延伸方向上延伸；以及第二線狀電極，其形成于上述第二基板側(cè)的上述像素區(qū)域內(nèi)，以經(jīng)由上述液晶層與上述第一線狀電極對(duì)峙的方式延伸， 并且，從形成上述側(cè)壁面電極的上述第二基板側(cè)的下側(cè)邊緣部至上述第一基板側(cè)的上側(cè)邊緣部的上述第一電極的高度，形成為大于被該第一電極夾持的像素區(qū)域內(nèi)的上述液晶層的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 具有第一絕緣厚膜，其形成于上述第二基板的液晶面?zhèn)龋灰约暗谝徊鄄?，其形成于上述第一絕緣厚膜上，并沿著上述像素區(qū)域的邊部， 上述側(cè)壁面電極底面?zhèn)鹊倪吘壊吭谏鲜龅谝徊鄄康酌嫔吓c上述下端側(cè)電極一體地連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 上述第一槽部由貫通槽構(gòu)成，該貫通槽貫通上述第一絕緣厚膜而下層的薄膜層表面露出， 在從上述第一槽部露出的下層的薄膜層表面上豎立設(shè)置上述凸?fàn)铙w，并且上述下端側(cè)電極沿從上述第一槽部露出的下層的薄膜層表面而形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 具有豎立設(shè)置上述凸?fàn)铙w的絕緣膜、以及以覆蓋上述絕緣膜和上述第一電極的方式形成的第二絕緣厚膜， 上述第二絕緣厚膜的被上述一對(duì)第一電極所夾持的區(qū)域的膜厚，形成為大于上述凸?fàn)铙w頂端部的膜厚， 上述第一電極的高度形成為大于被上述一對(duì)第一電極夾持的區(qū)域內(nèi)的上述液晶層的厚度。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 上述第一基板具備與彩色顯示對(duì)應(yīng)的著色層；遮光膜，其至少形成在與上述著色層之間的區(qū)域；以及平坦化層，其形成于上述著色層與上述遮光膜的上層，使液晶側(cè)面平坦化， 具有形成在上述平坦化層上而沿上述像素區(qū)域的邊部的第二槽部， 上述凸?fàn)铙w的頂端側(cè)被配置在上述第二槽部?jī)?nèi)。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 上述第一電極由沿該像素邊緣部呈環(huán)狀的第一導(dǎo)電膜構(gòu)成， 上述第二線狀電極由第二導(dǎo)電膜構(gòu)成，該第二導(dǎo)電膜形成為覆蓋第二基板的液晶側(cè)面的整個(gè)面，具有在像素的短邊方向上并列而以隔著上述第二線狀電極的方式形成的兩個(gè)開口部， 上述第一導(dǎo)電膜與上述第二導(dǎo)電膜沿各像素的邊緣部重疊，該重疊區(qū)域呈包圍像素區(qū)域的環(huán)狀。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 上述像素區(qū)域至少包括以下區(qū)域，上述第一電極和上述第二電極在第一方向上延伸的第一像素區(qū)域；以及上述第一電極和上述第二電極在第二方向上延伸的第二像素區(qū)域。
12.一種液晶顯示裝置，具備第二基板，其具有在X方向上延伸且在Y方向上并列設(shè)置的掃描信號(hào)線以及在Y方向上延伸且在X方向上并列設(shè)置的影像信號(hào)線；以及第一基板，其通過液晶層與上述第二基板相對(duì)置，被由上述掃描信號(hào)線和上述影像信號(hào)線包圍的像素區(qū)域被配置成矩陣狀， 該液晶顯示裝置的特征在于，具有 凸?fàn)铙w，其形成于與相鄰像素之間的像素邊界，從上述第二基板的液晶面?zhèn)韧怀觯? 第一電極，其包括形成于上述凸?fàn)铙w的側(cè)壁面的側(cè)壁面電極、以及從上述側(cè)壁面電極的上述凸?fàn)铙w底面?zhèn)妊由於厣鲜龅诙宓囊壕?cè)面延伸的下端側(cè)電極，上述側(cè)壁面電極形成在隔著上述像素區(qū)域相對(duì)的至少一對(duì)邊部上； 第二電極，其包括第一線狀電極，其形成于上述第一基板側(cè)的上述像素區(qū)域內(nèi)，在上述第一電極的延伸方向上延伸；以及第二線狀電極，其形成于上述第二基板側(cè)的上述像素區(qū)域內(nèi)，以經(jīng)由上述液晶層與上述第一線狀電極對(duì)峙的方式延伸；以及 第四電極，其形成于上述第一基板側(cè)而俯視觀察時(shí)與上述第一電極重疊配置， 對(duì)上述第四電極和上述第二電極提供相同的信號(hào)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 上述第一基板具備與彩色顯示對(duì)應(yīng)的著色層；遮光膜，其至少形成于與上述著色層之間的區(qū)域；以及平坦化層，其形成于上述著色層與上述遮光膜的上層，使液晶側(cè)面平坦化， 上述第四電極形成在比上述平坦化層更接近上述第一基板的層上。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 上述第一基板具備與彩色顯示對(duì)應(yīng)的著色層；遮光膜，其至少形成于與上述著色層之間的區(qū)域；以及平坦化層，其形成于上述著色層與上述遮光膜的上層，使液晶側(cè)面平坦化， 上述第四電極形成于比上述平坦化層更接近上述液晶層的層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 上述第一線狀電極形成在比上述平坦化層更接近上述第一基板的層上。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 上述第一線狀電極和上述第四電極形成于同一層。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 上述第一線狀電極和上述第四電極形成于不同層。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 上述第一電極由沿該像素的邊緣部呈環(huán)狀的第一導(dǎo)電膜構(gòu)成， 上述第二線狀電極由第二導(dǎo)電膜構(gòu)成，該第二導(dǎo)電膜形成為覆蓋第二基板的液晶側(cè)面整面，具有在像素短邊方向上并列而以隔著上述第二線狀電極的方式形成的兩個(gè)開口部， 上述第一導(dǎo)電膜與上述第二導(dǎo)電膜沿各像素的邊緣部重疊，該重疊區(qū)域呈包圍像素區(qū)域的環(huán)狀。
19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 上述像素區(qū)域至少包括以下區(qū)域上述第一電極和上述第二電極在第一方向上延伸的第一像素區(qū)域；以及，上述第一電極和上述第二電極在第二方向上延伸的第二像素區(qū)域。
全文摘要
本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置，具備第二基板以及與上述第二基板相對(duì)置的第一基板，像素區(qū)域被配置成矩陣狀，該液晶顯示裝置具有凸?fàn)铙w，其形成于像素邊界，從第二基板的液晶面?zhèn)韧怀觯坏谝浑姌O，其包括形成于凸?fàn)铙w的側(cè)壁面的側(cè)壁面電極以及從側(cè)壁面電極的底面?zhèn)妊由斓南露藗?cè)電極；以及第二電極，其包括形成于像素區(qū)域內(nèi)的第一線狀電極以及形成于第二基板側(cè)而與第一線狀電極對(duì)峙的第二線狀電極。
文檔編號(hào)G02F1/133GK102879955SQ20121024634
公開日2013年1月16日 申請(qǐng)日期2012年7月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月13日
發(fā)明者伊東理, 平塚崇人 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日本顯示器東