專利名稱：一種液晶顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域,具體而言涉及ー種液晶顯示面板。
背景技術(shù)：
PVACPatterned Vertical Alignment,圖像垂直調(diào)整技術(shù))作為液晶 VA(VerticalAlignment，垂直調(diào)整技木)顯示中的ー種模式，其利用陣列基板側(cè)和彩色濾光片基板側(cè)的像素電極圖案形成的電場(chǎng)來(lái)控制液晶的指向?，F(xiàn)有技術(shù)中，PVA像素結(jié)構(gòu)通過(guò)陣列基板上設(shè)置的存儲(chǔ)電極來(lái)保持電位。一般的，存儲(chǔ)電極包括上下兩個(gè)存儲(chǔ)電極，如圖I所示，存儲(chǔ)電極邊緣的金屬傾斜角(metal taper)正常時(shí)應(yīng)較為平緩，以避免液晶顯示面板的顯示出現(xiàn)異常。但在實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中金屬傾斜 角易因刻蝕過(guò)程的誤差而出現(xiàn)異常，如圖2所示，此時(shí)存儲(chǔ)電極邊緣傾斜角從正常的平緩狀態(tài)變得陡峭，導(dǎo)致存儲(chǔ)電極橫向電場(chǎng)過(guò)大，使得存儲(chǔ)電極周圍的液晶分子的排列出現(xiàn)異常，進(jìn)而導(dǎo)致像素顯示產(chǎn)生偏移(disclination)的缺陷，影響液晶顯示面板的顯示品質(zhì)。綜上所述，有必要提供ー種液晶顯示面板，以解決上述問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明主要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供ー種液晶顯示面板，以避免因存儲(chǔ)電極的金屬傾斜角異常而導(dǎo)致的顯示異常的問(wèn)題。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是提供ー種液晶顯示面板，包括相對(duì)設(shè)置的陣列基板和彩色濾光片基板，陣列基板上設(shè)置有第一像素電極和存儲(chǔ)電扱，且存儲(chǔ)電極位于第一像素電極的下層，彩色濾光片基板上設(shè)置有第二像素電極，第二像素電極與第一像素電極在水平方向上交錯(cuò)設(shè)置；第一像素電極和第二像素電極的至少其中之一者在對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)電極邊緣的位置設(shè)置有多個(gè)不等長(zhǎng)的ITO狹縫。其中，第一像素電極對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)電極邊緣的位置設(shè)置有ITO狹縫。其中，第一像素電極為“》”型電極，ITO狹縫設(shè)置于“》”型電極的前端。其中，第一像素電極為“《”型電極，ITO狹縫設(shè)置于“《”型電極的前端。其中，第二像素電極對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)電極邊緣的位置設(shè)置有ITO狹縫。其中，第二像素電極為“》”型電極，ITO狹縫設(shè)置干“》”型電極的前端。其中，第二像素電極為“《”型電極，ITO狹縫設(shè)置干“《”型電極的前端。其中，存儲(chǔ)電極包括上存儲(chǔ)電極和下存儲(chǔ)電極，上存儲(chǔ)電極設(shè)置于下存儲(chǔ)電極上，第一像素電極設(shè)置于上存儲(chǔ)電極上。其中，ITO狹縫是相對(duì)于上存儲(chǔ)電極的邊緣處設(shè)置。其中，ITO狹縫是相對(duì)于下存儲(chǔ)電極的邊緣處設(shè)置。本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明通過(guò)在像素電極對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)電極邊緣的位置設(shè)置多個(gè)不等長(zhǎng)的ITO狹縫，用于增強(qiáng)電場(chǎng)場(chǎng)形，以有效地降低由于存儲(chǔ)電極的金屬傾斜角異常引發(fā)的橫向電場(chǎng)的干擾，避免了因存儲(chǔ)電極的金屬傾斜角異常而導(dǎo)致的顯示缺陷，提高了液晶顯示面板的顯示品質(zhì)。


圖I顯示具有正常的金屬傾斜角的存儲(chǔ)電極的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2顯示金屬傾斜角異常的存儲(chǔ)電極的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本發(fā)明液晶顯示面板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本發(fā)明液晶顯示面板的第一實(shí)施例中的第一像素電極的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本發(fā)明液晶顯示面板的第二實(shí)施例中的第一像素電極的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是本發(fā)明液晶顯示面板的第三實(shí)施例中的第二像素電極的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖7是本發(fā)明液晶顯示面板的第四實(shí)施例中的第二像素電極的結(jié)構(gòu)示意圖；圖8是本發(fā)明液晶顯示面板的第一和第二實(shí)施例的輸出模擬仿真圖；圖9是本發(fā)明液晶顯示面板的第三和第四實(shí)施例的輸出模擬仿真圖；圖10是現(xiàn)有液晶顯示面板的輸出模擬仿真圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。圖3是本發(fā)明液晶顯示面板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示,液晶顯示面板300為ー PVA顯示模式的面板，其包括陣列基板110、彩色濾光片基板120以及液晶層130。其中，陣列基板110與彩色濾光片基板120相對(duì)設(shè)置。陣列基板110上設(shè)置有第一像素電極111和存儲(chǔ)電極112，彩色濾光片基板120上設(shè)置有第二像素電極121。其中，第一像素電極111設(shè)置于存儲(chǔ)電極112上層，存儲(chǔ)電極112包括上存儲(chǔ)電極10和下存儲(chǔ)電極20，存儲(chǔ)電極10位于第一像素電極111的下層，上存儲(chǔ)電極10設(shè)置于下存儲(chǔ)電極20上方，且上存儲(chǔ)電極10的面積通常略小于下存儲(chǔ)電極20。需要說(shuō)明的是，液晶顯示面板300的第二像素電極121和第一像素電極111不是一個(gè)完整的ITO薄膜，而是被刻了一道道的狹縫(slit)，即ITO狹縫30，第二像素電極121與第一像素電極111在水平方向上交錯(cuò)設(shè)置，進(jìn)而通過(guò)施加在第一像素電極111和第二像素電極121之間的電場(chǎng)控制液晶層130中的液晶分子的指向。請(qǐng)參閱圖4所示，圖4是本發(fā)明液晶顯示面板300的第一實(shí)施例的第一像素電極111的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖4所示，第一像素電極111為“》”型電極，在“》”型電極的前端，即第一像素電極111對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)電極112邊緣的位置，設(shè)置有多個(gè)不等長(zhǎng)的ITO狹縫40。其中，ITO狹縫40的寬度與第一像素電極111上原有的ITO狹縫30相同，相鄰ITO狹縫40之間的長(zhǎng)度差為Ium至10um、lum至15um或其它適用于PVA模式的長(zhǎng)度差的取值范圍。本發(fā)明實(shí)施例中，第二像素電極121為“》”型電極，第二像素電極121的圖案可采用現(xiàn)有適用于PVA模式的液晶顯示面板的各種電極圖案，此處不再贅述。在陣列基板110與彩色濾光片基板120對(duì)盒后，多個(gè)不等長(zhǎng)的ITO狹縫40可改變存儲(chǔ)電極112對(duì)應(yīng)位置邊緣處的電場(chǎng)分布，增強(qiáng)電場(chǎng)場(chǎng)形，克服橫向電場(chǎng)的干擾，使得存儲(chǔ)電極112對(duì)應(yīng)位置邊緣處的液晶分子與其它位置的液晶分子取向一致，避免此處因金屬傾斜角異常而出現(xiàn)的顯示異常的現(xiàn)象。
請(qǐng)參閱圖5所示，圖5是本發(fā)明液晶顯示面板300的第二實(shí)施例的第一像素電極211的結(jié)構(gòu)示意圖。在本實(shí)施例中，第一像素電極211為“《”型電極，如圖5所示，在“《”型電極的前端，即第一像素電極211對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)電極112的上存儲(chǔ)電極10，下存儲(chǔ)電極20邊緣的位置，設(shè)置有多個(gè)不等長(zhǎng)的ITO狹縫40?！啊丁毙偷牡谝幌袼仉姌O211與上述“》”型的第一像素電極111結(jié)構(gòu)反向，工作原理以及實(shí)施效果相同，此處不再贅述。本發(fā)明實(shí)施例中，第二像素電極121為“《”型電極，第二像素電極121的圖案可采用現(xiàn)有適用于PVA模式的液晶顯示面板的各種“《”型電極圖案，此處不再贅述。請(qǐng)參閱圖6所示，圖6是本發(fā)明液晶顯示面板300的第三實(shí)施例中的第二像素電極321的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖6所示，第二像素電極321為“》”型電極，在“》”型電極的前端， 即第二像素電極321對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)電極112邊緣的位置，設(shè)置有多個(gè)不等長(zhǎng)的ITO狹縫40。本發(fā)明實(shí)施例中，第一像素電極111為“》”型電極，第一像素電極111的圖案可采用現(xiàn)有適用于PVA模式的液晶顯示面板的各種電極圖案，此處不再贅述。在陣列基板110與彩色濾光片基板120對(duì)盒后，多個(gè)不等長(zhǎng)的ITO狹縫40可改變存儲(chǔ)電極112對(duì)應(yīng)位置邊緣處的電場(chǎng)分布，增強(qiáng)電場(chǎng)場(chǎng)形，克服橫向電場(chǎng)的干擾，使得存儲(chǔ)電極112對(duì)應(yīng)位置邊緣處的液晶分子與其它位置的液晶分子取向一致，避免此處因金屬傾斜角異常而出現(xiàn)的顯示異常的現(xiàn)象。請(qǐng)參閱圖7所示，圖7是本發(fā)明液晶顯示面板300的第四實(shí)施例的第二像素電極421的結(jié)構(gòu)示意圖。在本實(shí)施例中，第二像素電極421為“《”型電極，如圖7所示，在“《”型電極的前端，即第二像素電極421對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)電極112的上存儲(chǔ)電極10，下存儲(chǔ)電極20邊緣的位置，設(shè)置有多個(gè)不等長(zhǎng)的ITO狹縫40?！啊丁毙偷牡诙袼仉姌O421與上述“》”型的第二像素電極321結(jié)構(gòu)反向，工作原理以及實(shí)施效果相同，此處不再贅述。本發(fā)明實(shí)施例中，第一像素電極111為“《”型電極，第一像素電極111的圖案可采用現(xiàn)有適用于PVA模式的液晶顯示面板的各種“《”型電極圖案，此處不再贅述。此外，應(yīng)理解，本發(fā)明還有其他的實(shí)施方式，例如另ー實(shí)施例中，第一像素電極111為圖4所示的“》”型電極，第二像素電極121為圖6所示的“》”型電極，且在此實(shí)施例中，第一像素電極和第二像素電極上的ITO狹縫40在水平方向上交錯(cuò)設(shè)置。又一實(shí)施例中，第一像素電極111為圖5所示的“《”型電極，第二像素電極121為圖7所示的“《”型電極，且在此實(shí)施例中，第一像素電極和第二像素電極上的ITO狹縫40在水平方向上交錯(cuò)設(shè)置。上述兩個(gè)實(shí)施例中，在陣列基板110與彩色濾光片基板120對(duì)盒后，第一像素電極111與第二像素電極121上的多個(gè)不等長(zhǎng)的ITO狹縫40改變了存儲(chǔ)電極112對(duì)應(yīng)位置邊緣處的電場(chǎng)分布，增強(qiáng)電場(chǎng)場(chǎng)形，克服橫向電場(chǎng)的干擾，使得存儲(chǔ)電極112對(duì)應(yīng)位置邊緣處的液晶分子與其它位置的液晶分子取向一致，避免此處因金屬傾斜角異常而出現(xiàn)的顯示異常的現(xiàn)象。
圖8是本發(fā)明液晶顯示面板的第一和第二實(shí)施例的輸出模擬仿真圖；圖9是本發(fā)明液晶顯示面板的第三和第四實(shí)施例的輸出模擬仿真圖；圖10是現(xiàn)有液晶顯示面板的輸出模擬仿真圖。對(duì)比圖8和圖10的輸出模擬仿真圖，在存儲(chǔ)電極112 (圖中黑色矩形)的邊緣，暗紋明顯減輕，即因存儲(chǔ)電極的金屬傾斜角異常而導(dǎo)致的顯示偏移現(xiàn)象減少，顯著改善了液晶顯示面板的穿透率以及顯示品質(zhì)。對(duì)比圖9和圖10的輸出模擬仿真圖，在存儲(chǔ)電極112 (圖中黑色矩形)的邊緣，暗紋減輕，即因存儲(chǔ)電極的金屬傾斜角異常而導(dǎo)致的顯示偏移現(xiàn)象有所減少，顯著改善了液晶顯示面板的穿透率以及顯示品質(zhì)。綜上所述，本發(fā)明通過(guò)在像素電極對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)電極邊緣的位置設(shè)置多個(gè)不等長(zhǎng)的ITO狹縫，用于增強(qiáng)電場(chǎng)場(chǎng)形，以有效地降低由于存儲(chǔ)電極的金屬傾斜角異常引發(fā)的橫向電場(chǎng)的干擾，避免了因存儲(chǔ)電極的金屬傾斜角異常而導(dǎo)致的顯不缺陷，提聞了液晶顯不面板的顯不品質(zhì)。 以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說(shuō)明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示面板,其包括 相對(duì)設(shè)置的陣列基板和彩色濾光片基板，所述陣列基板上設(shè)置有第一像素電極和存儲(chǔ)電極，且所述存儲(chǔ)電極位于所述第一像素電 極的下層，所述彩色濾光片基板上設(shè)置有第二像素電極，所述第二像素電極與所述第一像素電極在水平方向上交錯(cuò)設(shè)置； 其中，所述第一像素電極和所述第二像素電極的至少其中之一者在對(duì)應(yīng)于所述存儲(chǔ)電極邊緣的位置設(shè)置有多個(gè)不等長(zhǎng)的ITO狹縫。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述第一像素電極對(duì)應(yīng)于所述存儲(chǔ)電極邊緣的位置設(shè)置有所述ITO狹縫。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述第一像素電極為“》”型電極，所述ITO狹縫設(shè)置于所述“》”型電極的前端。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述第一像素電極為“《”型電極，所述ITO狹縫設(shè)置于所述“《”型電極的前端。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述第二像素電極對(duì)應(yīng)于所述存儲(chǔ)電極邊緣的位置設(shè)置有所述ITO狹縫。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述第二像素電極為“》”型電極，所述ITO狹縫設(shè)置于所述“》”型電極的前端。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述第二像素電極為“《”型電極，所述ITO狹縫設(shè)置于所述“《”型電極的前端。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任意一項(xiàng)所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述存儲(chǔ)電極包括上存儲(chǔ)電極和下存儲(chǔ)電極，所述上存儲(chǔ)電極設(shè)置于所述下存儲(chǔ)電極上，所述第一像素電極設(shè)置于所述上存儲(chǔ)電極上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述ITO狹縫是相對(duì)于所述上存儲(chǔ)電極的邊緣處設(shè)置。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述ITO狹縫是相對(duì)于所述下存儲(chǔ)電極的邊緣處設(shè)置。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種液晶顯示面板。該液晶顯示面板包括相對(duì)設(shè)置的陣列基板和彩色濾光片基板，陣列基板上設(shè)置有第一像素電極和存儲(chǔ)電極，且存儲(chǔ)電極位于第一像素電極的下層，彩色濾光片基板上設(shè)置有第二像素電極，第二像素電極與第一像素電極在水平方向上交錯(cuò)設(shè)置；第一像素電極和第二像素電極的至少其中之一者在對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)電極邊緣的位置設(shè)置有多個(gè)不等長(zhǎng)的ITO狹縫。本發(fā)明通過(guò)在像素電極對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)電極邊緣的位置設(shè)置多個(gè)不等長(zhǎng)的ITO狹縫，用于增強(qiáng)電場(chǎng)場(chǎng)形，以有效地降低由于存儲(chǔ)電極的金屬傾斜角異常引發(fā)的橫向電場(chǎng)的干擾，避免了因存儲(chǔ)電極的金屬傾斜角異常而導(dǎo)致的顯示缺陷，提高了液晶顯示面板的顯示品質(zhì)。
文檔編號(hào)G02F1/1343GK102759825SQ201210245460
公開(kāi)日2012年10月31日 申請(qǐng)日期2012年7月16日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月16日
發(fā)明者姚曉慧, 許哲豪 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司