專利名稱：液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示裝置，尤其涉及一種IPS方式的液晶顯示裝置中的形成在對(duì)置基板上的屏蔽用導(dǎo)電膜接地的取得方式。
背景技術(shù)：
在液晶顯示裝置中，設(shè)置有將像素電極及薄膜晶體管(TFT)等形成為矩陣狀的TFT基板、以及與TFT基板相對(duì)置并在與TFT基板的像素電極相對(duì)應(yīng)的位置形成有濾色片等的對(duì)置基板，在TFT基板與對(duì)置基板之間夾持有液晶。并且，通過(guò)對(duì)每個(gè)像素控制液晶分子的透光率來(lái)形成圖像。液晶顯示裝置平坦且重量輕，因此在TV等大型顯示裝置到便攜式電話、
DSC (Digital Still Camera)等各種領(lǐng)域中用途廣泛。另一方面，在液晶顯示裝置中，視場(chǎng)角特性成為問(wèn)題。視場(chǎng)角特性是在從正面觀看畫面的情況和從斜方向觀看畫面的情況中亮度改變、色度改變等的現(xiàn)象。視場(chǎng)角特性具有在通過(guò)水平方向的電場(chǎng)使液晶分子進(jìn)行動(dòng)作的IPS(In Plane Switching)方式下表現(xiàn)優(yōu)異的特性。在IPS方式中，像素電極和對(duì)置電極都形成在TFT基板上，在對(duì)置基板的內(nèi)側(cè)沒(méi)有形成電極。在這樣的結(jié)構(gòu)中，來(lái)自外部的電場(chǎng)侵入到液晶層，成為干擾而使像質(zhì)劣化。為了防止該情形，在“專利文獻(xiàn)I”中記載了以下結(jié)構(gòu)在對(duì)置基板的外側(cè)，通過(guò)濺射ITO (Indium Tin Oxide)等的方式等來(lái)形成外部導(dǎo)電膜,通過(guò)使其接地來(lái)屏蔽液晶顯示裝置的內(nèi)部。在“專利文獻(xiàn)I”中記載了通過(guò)導(dǎo)電物質(zhì)與金屬制的框架進(jìn)行連接的方法、通過(guò)線纜與周邊基板的接地端子進(jìn)行連接的方法等作為外部導(dǎo)電膜的接地的取得方式。在“專利文獻(xiàn)I”中存在對(duì)應(yīng)的美國(guó)專利U. S. Patent No. 6034757。專利文獻(xiàn)I :日本特開平9-105918號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
通過(guò)導(dǎo)電物質(zhì)直接與金屬制的框架進(jìn)行連接的方法在考慮將液晶顯示裝置嵌入到框架內(nèi)的精確度時(shí)，與外部導(dǎo)電膜之間需要比較大的連接面積。但是，在對(duì)置基板上配置有偏振片，很難充分地取得用于將外部導(dǎo)電膜與外部的接地端子進(jìn)行連接的面積。近年來(lái)，要求在將液晶顯示裝置的外形保持規(guī)定值的同時(shí)增大顯示區(qū)域，從而外部導(dǎo)電膜沒(méi)有被偏振片覆蓋的部分、即外部導(dǎo)電膜的露出面積進(jìn)一步變小。另一方面，通過(guò)線纜等將對(duì)置基板的外部導(dǎo)電膜與布線基板等的接地端子進(jìn)行連接的方法很難確保線纜與對(duì)置基板的外部導(dǎo)電膜的連接可靠性。本發(fā)明的課題在于在IPS方式的液晶顯示裝置中針對(duì)形成在對(duì)置基板上的外部導(dǎo)電膜以高可靠性取得接地。本發(fā)明用于解決如上所述的問(wèn)題，主要的方案如下。即，一種液晶顯示裝置，其在形成有像素電極和對(duì)置電極的TFT基板與形成有濾色片的對(duì)置基板之間夾持液晶層，在上述對(duì)置基板的外表面形成有透明電極的外部導(dǎo)電膜，在上述外部導(dǎo)電膜上配置有上偏振片，該液晶顯示裝置的特征在于，在上述TFT基板上形成用于接地的接地焊盤，將上述外部導(dǎo)電膜沒(méi)有被上偏振片覆蓋的部分與上述接地焊盤通過(guò)導(dǎo)電熱壓接帶進(jìn)行連接，在將與配置有上述導(dǎo)電熱壓接帶的上述對(duì)置基板的邊平行的方向定義為寬度方向的情況下，在將上述導(dǎo)電熱壓接帶的寬度設(shè)為wl、將上述導(dǎo)電熱壓接帶與上述外部導(dǎo)電膜粘合的寬度設(shè)為w2、將上述導(dǎo)電熱壓接帶與上述接地焊盤粘合的寬度設(shè)為w3時(shí)，w3 < w2 < wl。更為理想的是，液晶顯示裝置的特征在于，在將上述導(dǎo)電熱壓接帶的寬度設(shè)為wl、將上述導(dǎo)電熱壓接帶與上述外部導(dǎo)電膜粘合的寬度設(shè)為w2、將上述導(dǎo)電熱壓接帶與上述接地焊盤粘合的寬度設(shè)為w3時(shí)，I. 2w3 ^ w2 ^ 2. 4w3 < wl。根據(jù)本發(fā)明，在IPS方式的液晶顯示裝置中，能夠?qū)⑿纬稍趯?duì)置基板上的外部導(dǎo)電膜以高可靠性進(jìn)行接地，因此能夠?qū)崿F(xiàn)可靠性高、像質(zhì)優(yōu)秀的IPS方式的液晶顯示裝置。


圖I是應(yīng)用本發(fā)明的液晶顯示裝置的俯視圖。圖2是圖I的A-A截面圖。圖3是表示本發(fā)明的俯視圖。圖4是表示利用導(dǎo)電熱壓接帶進(jìn)行的連接的截面圖。圖5是在本發(fā)明中使用的熱壓接頭。圖6是表示導(dǎo)電熱壓接帶的形狀的圖。圖7是表示本發(fā)明的其它方式的俯視圖。圖8是表示比較例I的俯視圖。圖9是在比較例I中使用的熱壓接頭。圖10是表示比較例2的俯視圖。圖11是在比較例2中使用的熱壓接頭。圖12是表示比較例3的俯視圖。圖13是在比較例2中使用的熱壓接頭。圖14是表示比較例3的其它方式的俯視圖。圖15是IPS液晶顯示裝置的顯示區(qū)域的截面圖。附圖標(biāo)記的說(shuō)明10導(dǎo)電熱壓接帶11微粘結(jié)帶12導(dǎo)電性粘結(jié)片13雙面粘結(jié)帶15導(dǎo)電區(qū)域16粘結(jié)材料溢出區(qū)域20接地焊盤21接地布線30熱壓接頭401C 驅(qū)動(dòng)片50撓性布線板
60下偏振片70上偏振片100TFT 基板101柵電極
102柵極絕緣膜103半導(dǎo)體層104源電極105漏電極106無(wú)機(jī)鈍化膜107有機(jī)鈍化膜108對(duì)置電極109上部絕緣膜110像素電極111 通孔112 狹縫113取向膜150端子部200對(duì)置基板201濾色片202黑色矩陣203保護(hù)膜300液晶層301液晶分子
具體實(shí)施例方式在說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例之前，針對(duì)應(yīng)用本發(fā)明的IPS方式的液晶顯示裝置的構(gòu)造進(jìn)行說(shuō)明。圖15是表示IPS方式的液晶顯示裝置的顯示區(qū)域中的構(gòu)造的截面圖。對(duì)IPS方式的液晶顯示裝置的電極構(gòu)造提出了各種構(gòu)造，并已被實(shí)用化。圖15的構(gòu)造是當(dāng)前廣泛使用的構(gòu)造，簡(jiǎn)言之，在整個(gè)平面形成的對(duì)置電極108上隔著絕緣膜形成有梳齒狀的像素電極110。并且，通過(guò)像素電極110與對(duì)置電極108之間的電壓使液晶分子301旋轉(zhuǎn)，來(lái)對(duì)每個(gè)像素控制液晶層300的透光率，由此形成圖像。下面詳細(xì)說(shuō)明圖15的構(gòu)造。此外，本發(fā)明以圖15的結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行說(shuō)明，但是也能夠應(yīng)用于圖15以外的IPS類型的液晶顯示裝置。在圖15中，在由玻璃形成的TFT基板100上形成有柵電極101。覆蓋柵電極101而由SiN形成了柵極絕緣膜102。在柵極絕緣膜102上與柵電極101相對(duì)置的位置處由a-Si膜形成了半導(dǎo)體層103。a-Si膜形成TFT的溝道部，隔著溝道部在a_Si膜上形成源電極104和漏電極105。此外，在a-Si膜與源電極104或漏電極105之間形成未圖示的n+Si層。用于取得半導(dǎo)體層與源電極104或漏電極105的歐姆接觸。源電極104兼作影像信號(hào)線，漏電極105與像素電極110進(jìn)行連接。源電極104和漏電極105同時(shí)形成在同一層。覆蓋TFT并由SiN形成無(wú)機(jī)鈍化膜106。無(wú)機(jī)鈍化膜106保護(hù)TFT、尤其是其溝道部免受雜質(zhì)401影響。在無(wú)機(jī)鈍化膜106上形成有機(jī)鈍化膜107。有機(jī)鈍化膜107在保護(hù)TFT的同時(shí)還具有使表面平坦的作用，因此形成為較厚。厚度為I μ m至 4 μ m0在有機(jī)鈍化膜107上形成對(duì)置電極108。對(duì)置電極108通過(guò)將作為透明導(dǎo)電膜的ITOdndium Tin Oxide)濺射到整個(gè)顯示區(qū)域而形成。即，對(duì)置電極108呈面狀形成。在向整個(gè)面濺射而形成了對(duì)置電極108之后，通過(guò)蝕刻僅去除用于將像素電極110與漏電極105導(dǎo)通的通孔111。覆蓋對(duì)置電極108并由SiN形成上部絕緣膜109。在形成了上部絕緣膜109之后，通過(guò)蝕刻形成通孔111。以該上部絕緣膜109為抗蝕劑來(lái)蝕刻無(wú)機(jī)鈍化膜106形成通孔111。之后，覆蓋上部絕緣膜109和通孔111而通過(guò)濺射形成作為像素電極110的ΙΤ0。將所濺射的ITO圖案形成像素電極110。在圖15中，像素電極110形成為梳齒狀的電極，梳齒狀的電極與梳齒狀的電極之 間為圖15所示的狹縫112。向?qū)χ秒姌O108施加固定電壓，向像素電極110施加影像信號(hào)的電壓。當(dāng)對(duì)像素電極110施加電壓時(shí)，如圖15所示那樣產(chǎn)生電力線，使液晶分子301沿電力線的方向旋轉(zhuǎn)來(lái)控制來(lái)自背光燈的光的透射。由于對(duì)每個(gè)像素控制來(lái)自背光燈的透射，因此形成圖像。在像素電極110上形成有取向膜113。在圖15中，隔著液晶層300而設(shè)置了對(duì)置基板200。在對(duì)置基板200的內(nèi)側(cè)形成有濾色片201。濾色片201按每個(gè)像素形成有紅、綠、藍(lán)的濾色片201，形成彩色圖像。在濾色片201與濾色片201之間形成黑色矩陣202，使圖像的對(duì)比度提高。覆蓋濾色片201和黑色矩陣202形成了保護(hù)膜203。在保護(hù)膜203上形成有用于決定液晶的初始取向的取向膜113。對(duì)該取向膜113也實(shí)施了光取向處理。如上所說(shuō)明的那樣，在IPS方式液晶顯示裝置中，像素電極110和對(duì)置電極108都形成在TFT基板100上，在對(duì)置基板200的內(nèi)側(cè)沒(méi)有形成電極。因而，在該狀態(tài)下，來(lái)自外部的電場(chǎng)侵入到液晶層300或像素電極110，其成為干擾而使像質(zhì)劣化。 為了防止該情形，在IPS方式液晶顯示裝置，在對(duì)置基板200的外側(cè)通過(guò)ITO等透明導(dǎo)電膜形成外部導(dǎo)電膜210，通過(guò)使該外部導(dǎo)電膜210接地來(lái)屏蔽液晶顯示裝置的內(nèi)部。然而，如后面說(shuō)明的那樣，對(duì)置基板200表面的大部分被上偏振片70覆蓋，外部導(dǎo)電膜210露出的面積較小。因而，將外部導(dǎo)電膜210以高可靠性進(jìn)行接地成為較大的問(wèn)題。[實(shí)施例I]圖I是應(yīng)用本發(fā)明的、例如用于便攜式電話等中的液晶顯示裝置的俯視圖。在圖I中，在TFT基板100的上面通過(guò)未圖示的密封材料粘結(jié)對(duì)置基板200。TFT基板100與對(duì)置基板200相比形成為較大，僅TFT基板100的部分形成為端子部150。在對(duì)置基板200的外側(cè)形成有由ITO構(gòu)成的外部導(dǎo)電膜210。在ITO上粘貼有上偏振片70。如圖I所示，上偏振片70覆蓋對(duì)置基板200的大部分，外部導(dǎo)電膜210露出的面積是周邊的稍小寬度的部分。需要從該周邊的稍小的部分連接至形成在TFT基板100側(cè)的接地焊盤20來(lái)取得接地。在本發(fā)明中，使用導(dǎo)電熱壓接帶10取得在對(duì)置基板周邊露出的外部導(dǎo)電膜210與形成在TFT基板100上的接地焊盤20之間的連接。接地焊盤20通過(guò)接地布線21與連接在端子部150上的撓性布線板50的接地端子、或者形成在端子部150上的IC驅(qū)動(dòng)片40的接地端子相連接。圖2是圖I的A-A截面圖。在圖2中，在TFT基板100與對(duì)置基板200之間夾持有未圖示的液晶層。在TFT基板100的下側(cè)粘結(jié)有下偏振片60。在對(duì)置基板200的上側(cè)通過(guò)ITO形成有外部導(dǎo)電膜210。在外部導(dǎo)電膜210的上面粘貼有上偏振片70。為了屏蔽液晶顯示裝置的內(nèi)部，必須使外部導(dǎo)電膜210接地。接地焊盤20被形成在TFT基板100上，因此使用導(dǎo)電熱壓接帶10將對(duì)置基板200的外部導(dǎo)電膜210與TFT基板100的接地焊盤20進(jìn)行了連接。如圖2所示，對(duì)置基板200的外部導(dǎo)電膜210與TFT基板100的接地焊盤20具有與TFT基板的厚度相應(yīng)的臺(tái)階差。為了在這樣的形狀下進(jìn)行連接，而利用如圖4所示那樣的前端具有臺(tái)階差的熱壓接頭30將導(dǎo)電熱壓接帶10與對(duì)置基板200的外部導(dǎo)電膜210和TFT基板100的接地焊盤20進(jìn)行連接。在這樣的連接結(jié)構(gòu)中成為問(wèn)題的是對(duì)置基板200的外部導(dǎo)電膜210沒(méi)有被上偏振·片70覆蓋的部分的寬度dl較小，只有O. 9mm左右。并且，導(dǎo)電熱壓接帶10通過(guò)熱壓接頭30在120°C 140°C的溫度下進(jìn)行連接。當(dāng)這樣的熱壓接頭30接觸上偏振片70時(shí)，導(dǎo)致上偏振片70的端部被破壞。因而，上偏振片70與導(dǎo)電熱壓接帶10的間隔d2需要確保規(guī)定值，例如O. 4_左右。該O. 4mm的值是考慮作業(yè)容許度而得到的值。在這樣的結(jié)構(gòu)中，導(dǎo)電熱壓接帶10能夠與對(duì)置基板200的外部導(dǎo)電膜210進(jìn)行連接的寬度為O. 5mm左右。因而，對(duì)置基板200的外部導(dǎo)電膜210與導(dǎo)電熱壓接帶10的連接的可靠性尤為重要。在本發(fā)明中，通過(guò)使用如圖5所示的熱壓接頭30增大了對(duì)置基板200中的導(dǎo)電熱壓接帶10的導(dǎo)通面積和粘結(jié)面積。圖5的(a)是熱壓接頭30的截面圖，圖5的(b)是熱壓接頭30的仰視圖。在圖5的(b)中，與對(duì)置基板200的外部導(dǎo)電膜210進(jìn)行連接的部分的寬度是w2，大于與TFT基板100的接地焊盤20進(jìn)行連接的部分的寬度《3。能夠相應(yīng)地獲得外部導(dǎo)電膜210中的粘結(jié)面積。圖3是表示通過(guò)這樣連接有導(dǎo)電熱壓接帶10的部分的俯視圖。在圖3中，導(dǎo)電熱壓接帶10將對(duì)置基板200的外部導(dǎo)電膜210與TFT基板100的接地焊盤20進(jìn)行了連接。圖3中的導(dǎo)電熱壓接帶10是正方形，wl、w4例如都是3mm。當(dāng)然也存在wl和w4不同的情況。電性導(dǎo)通和粘結(jié)并不是在整個(gè)導(dǎo)電熱壓接帶上取得，而是僅在由熱壓接頭30進(jìn)行了壓接的部分進(jìn)行。即，通過(guò)圖3中的導(dǎo)通區(qū)域15取得了電性導(dǎo)通。如圖3所示，在導(dǎo)電熱壓接帶10的粘結(jié)以及電性導(dǎo)通中，在對(duì)置基板200的外部導(dǎo)電膜210處寬度為較寬的寬度w2，在TFT基板100的接地焊盤20處寬度為較窄的寬度w3。在本實(shí)施例中，w2是2mm、w3是1mm。這樣，為了在對(duì)置基板200中增大粘結(jié)力，需要設(shè)w2為《3的I. 2倍以上。更為優(yōu)選的是，w2為《3的兩倍以上。另一方面，粘結(jié)部分或?qū)ú糠种翆?dǎo)電熱壓接帶10的端部的距離g需要取O. 3mm以上。這是因?yàn)橛蔁釅航宇^30進(jìn)行的壓接作業(yè)的精確度為±0. 2mm左右，最低也要將熱壓接頭30的端部與導(dǎo)電熱壓接帶10的端部的距離g取O. Imm以上。在將wl設(shè)為3mm、將g取O. 3mm的情況下，w2為2. 4mm。此時(shí)，w3為Imm,因此w2變?yōu)閣3的2. 4倍。在圖3中，TFT基板100中的導(dǎo)電熱壓接帶10與接地焊盤20進(jìn)行連接，接地焊盤20通過(guò)接地布線21與撓性布線板50等進(jìn)行連接。另外，在圖3中，對(duì)置基板200的外部導(dǎo)電膜210露出的寬度dl是O. 9mm，導(dǎo)電熱壓接帶10的端部與上偏振片70的端部的距離d2是 O. 4mmο圖6是表示導(dǎo)電熱壓接帶10的例子的詳細(xì)圖。圖6中的導(dǎo)電熱壓接帶10在截面中被大致分為三個(gè)。即，從上開始按順序?yàn)槲⒄辰Y(jié)帶11(例如厚度85μπι)、導(dǎo)電性粘結(jié)片12 (例如厚度45 μ m)、雙面粘結(jié)帶13 (例如厚度30 μ m)。這些層中通過(guò)熱壓接而發(fā)揮粘結(jié)性和導(dǎo)電性的是作為導(dǎo)電性粘結(jié)片的層12。圖6中的雙面粘結(jié)帶13用于在對(duì)導(dǎo)電熱壓接帶10進(jìn)行熱壓接之前將導(dǎo)電熱壓接帶10臨時(shí)固定在TFT基板100或?qū)χ没?00上。在圖6中，雙面粘結(jié)帶13形成在整個(gè)寬度w5上，w5/wl在圖6中是1/3。當(dāng)熱壓接頭30接觸形成有雙面粘結(jié)帶13的區(qū)域時(shí)，雙面粘結(jié)帶13因擠壓而溢出到外側(cè)。圖7表示在使用了本發(fā)明的熱壓接頭30的情況下存在雙面粘結(jié)帶13溢出的區(qū)域 16的狀態(tài)。當(dāng)雙面粘結(jié)帶13溢出時(shí)，附著在熱壓接頭30上，會(huì)降低此后的作業(yè)效率、降低粘結(jié)精確度等。在本發(fā)明的連接方法中，如圖7所示，雙面粘結(jié)帶13溢出的量非常小，因此能夠?qū)⒆鳂I(yè)效率的下降、粘結(jié)精確度的下降抑制為非常小。<比較例1>圖8和圖9是針對(duì)本發(fā)明的比較例I。圖8是在液晶顯示裝置中配置有導(dǎo)電熱壓接帶10的部分的放大圖，是與實(shí)施例I的圖3對(duì)應(yīng)的部分。圖8與圖3的不同點(diǎn)在于導(dǎo)電熱壓接帶10的與對(duì)置基板200的外部導(dǎo)電膜210粘結(jié)或?qū)ǖ牟糠值膶挾扰c導(dǎo)電熱壓接帶10的寬度wl相同。圖9是用于進(jìn)行圖8所示的導(dǎo)電熱壓接帶10的連接的熱壓接頭30的形狀。圖9的(a)是截面圖，圖9的(b)是仰視圖。圖9與實(shí)施例中使用的熱壓接頭30的不同點(diǎn)在于在對(duì)置基板200側(cè)進(jìn)行壓接的頭30的寬度與導(dǎo)電熱壓接帶10的寬度wl相同。如果導(dǎo)電熱壓接帶10的與外部導(dǎo)電膜210粘結(jié)的部分的寬度較大，則對(duì)置基板200與導(dǎo)電熱壓接帶10的粘結(jié)可靠性提高，但是雙面粘結(jié)帶13溢出的量變大，相應(yīng)地粘結(jié)材料附著于熱壓接頭30的機(jī)會(huì)增加，從而壓接作業(yè)的作業(yè)性、或者壓接作業(yè)的作業(yè)精確度下降。<比較例2>圖10和圖11是針對(duì)本發(fā)明的比較例2。圖10是在液晶顯示裝置中配置有導(dǎo)電熱壓接帶10的部分的放大圖，是與實(shí)施例I的圖3對(duì)應(yīng)的部分。圖10與圖3的不同點(diǎn)在于對(duì)導(dǎo)電熱壓接帶10整體壓接熱壓接頭30，導(dǎo)電熱壓接帶10與對(duì)置基板200的外部導(dǎo)電膜210和TFT基板100的接地焊盤20進(jìn)行連接。圖11是用于進(jìn)行圖10所示的導(dǎo)電熱壓接帶10的連接的熱壓接頭30的形狀。圖11的(a)是截面圖，圖11的(b)是仰視圖。在圖11的(b)中，熱壓接頭30下面的外形與導(dǎo)電熱壓接帶10的外形相同。在圖10中，導(dǎo)電熱壓接帶10整體被粘結(jié)在對(duì)置基板200的外部導(dǎo)電膜210或者TFT基板100的接地焊盤20上，因此粘結(jié)、或者導(dǎo)通的可靠性變高。但是，如圖10所示，雙面粘結(jié)帶13從導(dǎo)電熱壓接帶10溢出的面積較大。這樣，粘結(jié)材料13附著于熱壓接頭30，使熱壓接的作業(yè)性以及熱壓接的作業(yè)精確度下降。<比較例3>
圖12、圖13以及圖14是針對(duì)本發(fā)明的比較例3。圖12是在液晶顯示裝置中配置有導(dǎo)電熱壓接帶10的部分的放大圖，是與實(shí)施例I的圖3對(duì)應(yīng)的部分。圖12與圖3的不同點(diǎn)在于以導(dǎo)電熱壓接帶10的中央的一定的寬度w3與對(duì)置基板200的外部導(dǎo)電膜210和TFT基板100的接地焊盤20進(jìn)行連接。圖13是用于進(jìn)行圖12所示的導(dǎo)電熱壓接帶10的連接的熱壓接頭30的形狀。圖13的(a)是截面圖，圖13的(b)是仰視圖。在圖13的(b)中，熱壓接頭30下面的外形為寬度wl的長(zhǎng)方形而非T字型。在本比較例中，該寬度例如是1_。在圖12中，導(dǎo)電熱壓接帶10與對(duì)置基板200的外部導(dǎo)電膜210僅以寬度wl進(jìn)行了連接。因而，無(wú)法充分地取得與對(duì)置基板200的外部導(dǎo)電膜210的粘結(jié)強(qiáng)度和導(dǎo)通的可靠性。圖14是表示比較例3的導(dǎo)電熱壓接帶10中的雙面粘結(jié)帶13的狀態(tài)的圖。本比較例在未考慮作業(yè)偏差的情況下形成導(dǎo)電熱壓接帶10的雙面粘結(jié)帶13不進(jìn)行壓接的結(jié)構(gòu)。 因而，雙面粘結(jié)帶13附著于熱壓接頭30而破壞壓接作業(yè)的作業(yè)性或壓接尺寸的精確度的情形較少。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，其在形成有像素電極和對(duì)置電極的TFT基板與形成有濾色片的對(duì)置基板之間夾持液晶層，在上述對(duì)置基板的外表面形成有透明電極的外部導(dǎo)電膜，在上述外部導(dǎo)電膜上配置有上偏振片，該液晶顯示裝置的特征在于， 在上述TFT基板上形成用于接地的接地焊盤， 將上述外部導(dǎo)電膜沒(méi)有被上偏振片覆蓋的部分與上述接地焊盤通過(guò)導(dǎo)電熱壓接帶進(jìn)行連接， 在將與配置有上述導(dǎo)電熱壓接帶的上述對(duì)置基板的邊平行的方向定義為寬度方向的情況下， 在將上述導(dǎo)電熱壓接帶的寬度設(shè)為wl、將上述導(dǎo)電熱壓接帶與上述外部導(dǎo)電膜粘合的寬度設(shè)為w2、將上述導(dǎo)電熱壓接帶與上述接地焊盤粘合的寬度設(shè)為《3時(shí)，w3 < 2 < I。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 在將上述導(dǎo)電熱壓接帶的寬度設(shè)為wl、將上述導(dǎo)電熱壓接帶與上述外部導(dǎo)電膜粘合的寬度設(shè)為w2、將上述導(dǎo)電熱壓接帶與上述接地焊盤粘合的寬度設(shè)為《3時(shí)，I. 2w3 ^ w2 ^ 2. 4w3 < wl。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 在上述導(dǎo)電熱壓接帶上形成有用于臨時(shí)固定在其一部分上的雙面粘結(jié)帶。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 上述液晶顯示裝置是IPS方式。
全文摘要
本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置。在IPS方式的液晶顯示裝置中，將形成在對(duì)置基板上的外部導(dǎo)電膜可靠地接地，并確保穩(wěn)定的屏蔽效果。通過(guò)導(dǎo)電熱壓接帶(10)將形成在對(duì)置基板(200)上的外部導(dǎo)電膜(210)與形成在TFT基板(100)上的接地焊盤(20)進(jìn)行連接。導(dǎo)電熱壓接帶(10)通過(guò)熱壓接頭(30)進(jìn)行連接，形成導(dǎo)電區(qū)域(15)。通過(guò)使對(duì)置基板(200)中的導(dǎo)電區(qū)域(15)的寬度(w2)大于TFT基板(100)中的導(dǎo)電區(qū)域(15)的寬度(w3)來(lái)防止對(duì)置基板(200)中的導(dǎo)電熱壓接帶(10)的剝離。由此，使對(duì)置基板(200)的外部導(dǎo)電膜(210)可靠地接地。
文檔編號(hào)G02F1/1343GK102902112SQ201210245438
公開日2013年1月30日 申請(qǐng)日期2012年7月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月29日
發(fā)明者並木智, 齋藤伴和, 井上孝一 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日本顯示器東