專利名稱：一種提供浸沒式光刻機掃描路徑的工作結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微電子領(lǐng)域，尤其涉及一種提供浸沒式光刻機掃描路徑的工作結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體的快速發(fā)展，55nm制程及以下工藝，業(yè)界均勻采用浸沒式 (i_ersion)光刻機。由于i_ersion光刻機在曝光時會用純水以提高分辨率,而使用純水曝光時會引入更多的粒子(particles),其來源主要在娃片邊緣時娃片背面的particles。這是由于曝光時的particles來源主要是曝光在硅片邊緣時引入的，曝光時引入的particle主要是曝光到娃片的邊緣(wafer edge)時，由于純水會擴散到wafer背面；由于通常wafer背面是particle的主要來源，因此該particle會被純水帶到wafer正面而影響曝光質(zhì)量。如圖I中所示，圖I中包括一硅片I，該硅片包括多個晶圓(wafer) 2，傳統(tǒng)掃描路徑結(jié)構(gòu)是從wafer頂部以“S”型曝光，但該掃描路徑的工作結(jié)構(gòu)由于過早曝光到wafer edge位子,從而引入particle,這樣會引起再接下來的曝光過程中一直受到particle的影響從 而使得第一排一下的dies均受到純水中particles的影響,使得wafer因曝光問題引起產(chǎn)品良率低下。

發(fā)明內(nèi)容
針對上述存在的問題，本發(fā)明的目的是提供一種提供浸沒式光刻機掃描路徑的工作結(jié)構(gòu)。該硅片中的晶圓分為兩個區(qū)域，并且該兩個區(qū)域為螺旋掃描工作路徑結(jié)構(gòu)，以確保硅片的絕大部分位置免受particles影響，以達(dá)到曝光質(zhì)量從而提升產(chǎn)品良率。本發(fā)明的目的是通過下述技術(shù)方案實現(xiàn)的
一種提供浸沒式光刻機掃描路徑的工作結(jié)構(gòu)，包括一娃片，所述娃片置于浸沒式光刻機的曝光鏡頭下方，其特征在于，所述硅片包括多個晶圓，所述多個晶圓還包括底部抗反射層和光刻膠；所述多個晶圓包括中心掃描路徑區(qū)域的晶圓和外圍掃描路徑區(qū)域的晶圓，所述中心掃描路徑區(qū)域和所述外圍掃描路徑均為螺旋掃描路徑結(jié)構(gòu)。上述的提供浸沒式光刻機掃描路徑的工作結(jié)構(gòu)，其中，在所述硅片和所述曝光鏡頭之間充滿了液體。上述的提供浸沒式光刻機掃描路徑的工作結(jié)構(gòu)，其中，所述液體為純水。上述的提供浸沒式光刻機掃描路徑的工作結(jié)構(gòu)，其中，在所述光刻膠的表面還還包括頂部涂層。上述的提供浸沒式光刻機掃描路徑的工作結(jié)構(gòu)，其中，所述中心掃描路徑區(qū)域為逆時針螺旋掃描路徑結(jié)構(gòu)，所述外圍掃描路徑區(qū)域為順時針螺旋掃描路徑結(jié)構(gòu)。與已有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果在于
將硅片上的晶圓劃分成兩個掃描路徑區(qū)域，且將該兩個掃描路徑區(qū)域設(shè)定為螺旋掃描工作結(jié)構(gòu)，從而可以實現(xiàn)對硅片上的晶圓依次進(jìn)行曝光，通過該方式，避免了由于過早曝光到wafer edge位子,從而引入particles,使得其它晶圓受到污染進(jìn)而影響到以后的曝光過程。


圖I是現(xiàn)有技術(shù)中的提供浸沒式光刻機掃描路徑工作結(jié)構(gòu)的示意圖。圖2是本發(fā)明的一個實施例中的一種提供浸沒式光刻機掃描路徑的工作結(jié)構(gòu)的示意圖。
具體實施例方式下面結(jié)合原理圖和具體操作實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。參看圖2中所示，本發(fā)明的一種提供浸沒式光刻機掃描路徑的工作結(jié)構(gòu)具體包括
一娃片1，所述娃片包括多個晶圓2,在娃片I的襯底表面包括底部抗反射層(圖中未標(biāo)示)、光刻膠(圖中未標(biāo)示);為了防止浸沒式光刻膠的揮發(fā)物對光刻機鏡頭損傷，還可以在所述光刻膠的表面還包括一層頂部涂層(圖中未標(biāo)示)，該頂部涂層是可以完全溶解在顯影液體中的疏水涂層。頂部涂層還可以是一層頂部抗反射涂層(TARC)，其被涂布在光刻膠的表面的，用于減少光的反射的物質(zhì)。將娃片I置于光刻機的晶圓掃描工作臺上，并利用(卡盤)Chuck,對娃片I進(jìn)行真空吸附，在曝光過程中，將娃片I置于光刻機的曝光鏡頭下方，在娃片I和曝光鏡頭之間充滿了液體，最佳地，該液體是純水，純水可以減小對光刻膠穩(wěn)定性影響的同時，增大鏡頭的數(shù)值孔徑，從而很好地實現(xiàn)光刻效果。在曝光前，對光刻機的掃描路徑進(jìn)行劃分，將硅片I上的晶圓劃分為中心掃描路徑區(qū)域21和外圍掃描路徑區(qū)域22，在本發(fā)明的一個實施例中，將該中心掃描路徑區(qū)域21中的中心位置定義為掃描的起始位置，以螺旋方式進(jìn)行掃描，并且外圍掃描路徑區(qū)域22也以螺旋方式進(jìn)行掃描直至到硅片的邊緣。如圖2中所示，在中心掃描路徑區(qū)域21中的工作結(jié)構(gòu)是以所述硅片的中心位置為起始位置，在中心掃描以逆時針的螺旋擴張的方式進(jìn)行掃描，在外圍掃描路徑區(qū)域22中則以順時針的螺旋工作路徑對位于外圍掃描路徑區(qū)域22中的晶圓進(jìn)行曝光。通過以上實施方式，避免了由于過早曝光到wafer edge位子，從而引入 particles，使得其它晶圓受到污染進(jìn)而影響到以后的曝光過程。以上對本發(fā)明的具體實施例進(jìn)行了詳細(xì)描述，但本發(fā)明并不限制于以上描述的具體實施例，其只是作為范例。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，任何等同修改和替代也都在本發(fā)明的范疇之中。因此，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍下所作出的均等變換和修改，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種提供浸沒式光刻機掃描路徑的工作結(jié)構(gòu)，包括一娃片，所述娃片置于浸沒式光刻機的曝光鏡頭下方，其特征在于，所述硅片包括多個晶圓，所述多個晶圓還包括底部抗反射層和光刻膠；所述多個晶圓包括中心掃描路徑區(qū)域的晶圓和外圍掃描路徑區(qū)域的晶圓，所述中心掃描路徑區(qū)域和所述外圍掃描路徑均為螺旋掃描路徑結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求I所述的提供浸沒式光刻機掃描路徑的工作結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述硅片和所述曝光鏡頭之間充滿了液體。
3.如權(quán)利要求2所述的提供浸沒式光刻機掃描路徑的工作結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述液體為純水。
4.如權(quán)利要求I所述的提供浸沒式光刻機掃描路徑的工作結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述光刻膠的表面還還包括頂部涂層。
5.如權(quán)利要求I所述的提供浸沒式光刻機掃描路徑的工作結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述中心掃描路徑區(qū)域為逆時針螺旋掃描路徑結(jié)構(gòu)，所述外圍掃描路徑區(qū)域為順時針螺旋掃描路徑結(jié)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種提供浸沒式光刻機掃描路徑的工作結(jié)構(gòu)，包括一硅片，所述硅片置于浸沒式光刻機的曝光鏡頭下方，其特征在于，所述硅片包括多個晶圓，所述多個晶圓還包括底部抗反射層和光刻膠；所述多個晶圓包括中心掃描路徑區(qū)域的晶圓和外圍掃描路徑區(qū)域的晶圓，所述中心掃描路徑區(qū)域和所述外圍掃描路徑均為螺旋掃描路徑結(jié)構(gòu)。本發(fā)明將待曝光的硅片中的晶圓分為兩個區(qū)域，并且該兩個區(qū)域為螺旋掃描工作路徑結(jié)構(gòu)，以確保硅片的絕大部分位置免受particles影響，以達(dá)到曝光質(zhì)量從而提升產(chǎn)品良率。
文檔編號G03F7/20GK102707576SQ20121015781
公開日2012年10月3日 申請日期2012年5月21日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月21日
發(fā)明者蔡恩靜 申請人:上海華力微電子有限公司