專利名稱：液晶顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及ー種液晶顯示裝置，尤其是涉及ー種具備由光的照射賦予取向膜取向控制功能的液晶顯示面板的液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
在液晶顯示裝置中，設(shè)置有矩陣狀地形成有像素電極及薄膜晶體管(TFT)等的TFT基板，和與TFT基板對置并在與TFT基板的像素電極對應(yīng)的位置形成有彩色濾光片等的對置基板，在TFT基板和對置基板之間夾持液晶。而且，通過逐個像素控制液晶分子的光透射率而形成圖像。由于液晶顯示裝置扁平且輕量，因而在從TV等大型顯示裝置到手機或 DSC (Digital Still Camera)等各種各樣的領(lǐng)域中用途廣泛。另一方面,在液晶顯示裝置中有視角特性問題。視角特性是在從正面或者斜方向看畫面時，有亮度變化或色度變化的現(xiàn)象。關(guān)于視角特性，通過水平方向的電場使液晶分子動作的IPS(In Plane Switching)方式具有優(yōu)異的特性。作為對液晶顯示裝置中使用的取向膜進行取向處理，即賦予取向控制功能的方法，作為現(xiàn)有技術(shù)有采用摩擦處理的方法。采用該摩擦進行的取向處理，是通過用布擦拭取向膜來進行取向處理的方法，但是，另一方面，也有不接觸取向膜而賦予取向控制功能的所謂光取向法的手法。由于IPS方式中，預(yù)傾角越小，性能越優(yōu)異，所以光取向法較有利。另ー方面，在液晶顯示裝置中，控制TFT基板和對置基板之間的間隔很重要。TFT基板和對置電極之間的間隔大多是采取通過在對置基板上形成柱狀襯墊，而在TFT基板上形成支承柱狀襯墊的底座來進行控制的方法。近年來，多用采用觸摸面板的液晶顯示裝置。當觸摸液晶顯示裝置吋，液晶顯示面板上的TFT基板和對置基板之間的間隔會發(fā)生變化，或柱狀襯墊和底座之間的位置關(guān)系會發(fā)生錯離。這樣會發(fā)生，在圖像上出現(xiàn)滲色現(xiàn)象，或出現(xiàn)色斑的觸摸不良。在專利文獻I中，記載有在液晶顯示裝置中，使底座的面積小于柱狀襯墊的面，使柱狀襯墊和底座的位置關(guān)系不發(fā)生變動的結(jié)構(gòu)?，F(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻專利文獻I (日本)特開2007-164134號公報

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題在使用柱狀襯墊的情況下，在柱狀襯墊和在TFT上形成的底座之間也形成有用于使液晶初期取向的取向膜。當用手指等觸摸液晶顯示裝置時，就會在柱狀襯墊和底座之間施加應(yīng)力，刮削取向膜，會產(chǎn)生出現(xiàn)刮削屑的現(xiàn)象。這樣的刮削屑會引起顯示區(qū)域上的亮點的發(fā)生。在專利文獻I中沒有記載該問題點和對策。
有時光取向膜以兩層結(jié)構(gòu)形成。即，上層由容易通過紫外線引起光取向且以包含環(huán)丁烷的聚酰胺酸酯為前體的材料形成，下層由機械強度強且以不包含環(huán)丁烷的聚酰胺酸為前體的材料形成。[化學式I]為包含環(huán)丁烷的聚酰胺酸酯的結(jié)構(gòu)式。(化學式I)
權(quán)利要求
1.ー種液晶顯示裝置，該裝置在由掃描線和視頻信號線圍成的區(qū)域形成像素，所述掃描線在第一方向上延伸且在第二方向上排列，所述視頻信號線在第二方向上延伸且在第一方向上排列，在所述像素上形成有形成在絕緣膜上的像素電極，在所述像素電極上形成經(jīng)由TFT供給視頻信號的TFT基板和與所述TFT對置的對置基板，在所述TFT基板和所述對置基板之間夾持液晶層，其中， 在所述對置基板上形成有用于保持其與所述TFT基板的間隔的柱狀襯墊， 在所述TFT基板上形成有與所述柱狀襯墊的前端對置的底座，且以覆蓋所述底座、所述像素電極、所述絕緣膜的方式形成取向膜， 所述取向膜被實施了光取向處理， 所述底座的上端比所述像素電極的上端高， 所述取向膜由以聚酰胺酸為前體的下取向膜和以聚酰胺酸酯為前體的上取向膜形成，在設(shè)所述下取向膜的膜厚為Pl，所述上取向膜的膜厚為P2吋， 所述底座上的p2/pl比所述絕緣膜上的p2/pl小。
2.按照權(quán)利要求I所述的液晶顯示裝置，其中，在所述底座上，p2/(pl+P2)為O.3以下。
3.按照權(quán)利要求I所述的液晶顯示裝置，其中，在所述底座上，p2/(pl+P2)為O.2以下。
4.按照權(quán)利要求I所述的液晶顯示裝置，其中，在所述底座上，p2/(pl+P2)為O.I以下。
5.按照權(quán)利要求I所述的液晶顯示裝置，其中，在所述底座上，P2為30nm以下。
6.按照權(quán)利要求I所述的液晶顯示裝置，其中，在所述底座上，P2為20nm以下。
7.按照權(quán)利要求I所述的液晶顯示裝置，其中，在所述底座上，P2為IOnm以下。
8.按照權(quán)利要求I所述的液晶顯示裝置，其中，所述底座形成于所述掃描線上，作為底座的構(gòu)成要素，包含與像素電極相同的材料、或者與所述TFT的半導體層相同的材料、或者與所述視頻信號線相同的材料。
9.按照權(quán)利要求I所述的液晶顯示裝置，其中，所述底座形成于所述視頻信號線上，作為構(gòu)成底座的材料，包含與像素電極相同的材料、或者與所述TFT的半導體層相同的材料。
10.ー種液晶顯示裝置的制造方法，該液晶顯示裝置，在由掃描線和視頻信號線圍成的區(qū)域形成像素，所述掃描線是在第一方向上延伸且在第二方向上排列的掃描線，所述視頻信號線是在第二方向上延伸且在第一方向上排列的視頻信號線，在所述像素上形成有形成在絕緣膜上的像素電極，在所述像素電極上形成經(jīng)由TFT供給視頻信號的TFT基板和與所述TFT對置的對置基板，在所述TFT基板和所述對置電極之間夾持液晶層，其中， 在所述對置基板上形成用于保持其與所述TFT基板的間隔的柱狀襯墊， 在所述TFT基板上形成與所述柱狀襯墊的前端對置的底座，且以覆蓋所述底座、所述像素電極、所述絕緣膜的方式形成取向膜， 所述取向膜被實施光取向處理， 所述底座的上端比所述像素電極的上端高， 所述取向膜由以聚酰胺酸為前體的下取向膜和以聚酰胺酸酯為前體的上取向膜形成， 設(shè)所述底座的上端和所述像素電極的上端的高度之差為所述底座的高度h，設(shè)所述底座的最狹窄部的寬度為W吋，a = h/w, 設(shè)所述底座上的取向膜的膜厚為q2，所述像素區(qū)域中的絕緣膜上的取向膜的膜厚為ql 時，b = q2/ql, 設(shè)取向膜材料中的聚酰胺酸酯的量為X，聚酰胺酸的量為I的情況下， c = x/ u+y)， 在設(shè)所述像素區(qū)域中的絕緣膜上的取向膜的膜厚為d時，所述C為C < 80/(b(d+40))且 O. 2 く c < O. 8。
11.按照權(quán)利要求10所述的液晶顯示裝置的制造方法，其中，所述c為O.3 < c < O. 7。
12.按照權(quán)利要求10所述的液晶顯示裝置的制造方法，其中，所述c為c< 60/(b(d+40))。
全文摘要
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置及其制造方法，具體涉及在使用光取向的IPS方式的液晶顯示裝置中，防止取向膜被柱狀襯墊刮削。在形成于對置基板(200)上的柱狀襯墊(204)與TFT基板(100)接觸的部分形成比像素電極(108)高的底座(114)。在像素電極(108)及底座(114)上涂布二層結(jié)構(gòu)的取向膜(113)時，由于流平效果，從而底座(114)上的取向膜(113)變薄。在該狀態(tài)下進行光取向時，底座上的光分解的上配向膜(112)消失，機械強度大的下取向膜(111)殘留。因此，能夠防止取向膜的刮削。另一方面，由于在像素電極(108)上，上取向膜(112)原本就厚，所以能夠確保用于使液晶取向的規(guī)定的膜厚。
文檔編號G02F1/1337GK102654691SQ20121005312
公開日2012年9月5日 申請日期2012年3月2日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月3日
發(fā)明者園田英博, 國松登, 富岡安, 松森正樹, 金子壽輝 申請人:株式會社日立顯示器