專利名稱：曝光裝置、曝光方法以及器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于曝光裝置、移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、圖案形成裝置及曝光方法、以及器件制造方法，詳言之，關(guān)于制造半導(dǎo)體元件、液晶顯示元件等電子器件時(shí)在光刻工序中所使用的曝光裝置，適合用于該曝光裝置、使用編碼器系統(tǒng)測(cè)量移動(dòng)體位置的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，具備該移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的圖案形成裝置，及在光刻工序中所使用的曝光方法，以及使用前述曝光裝置或曝光方法的器件制造方法。
背景技術(shù)：
以往，在制造半導(dǎo)體元件(集成電路等)、液晶顯示元件等電子器件(微型器件) 的光刻工序中，主要使用步進(jìn)重復(fù)方式的投影曝光裝置(所謂步進(jìn)機(jī))、步進(jìn)掃描方式的投影曝光裝置(所謂掃描步進(jìn)機(jī)(也稱掃描機(jī)))等。以此種曝光裝置進(jìn)行晶片的曝光時(shí)，會(huì)在晶片周邊部產(chǎn)生不會(huì)被曝光的部分 (即，無法用作為產(chǎn)品(芯片)的區(qū)域)。但該不被曝光的部分(區(qū)域)的存在，在用以將形成有圖案的晶片表面進(jìn)行平坦化而所使用的化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)工序中是一問題。因此， 先前也在晶片周邊部中進(jìn)行一種使從有效曝光區(qū)域突出一部分的照射(shot)區(qū)域(以下， 稱「周邊照射」)中、無法用作為器件的部分曝光的周邊曝光(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。然而，在進(jìn)行此種不同于使標(biāo)線片圖案轉(zhuǎn)印形成至晶片上的曝光的周邊曝光時(shí)， 生產(chǎn)率會(huì)降低該周邊曝光所需時(shí)間相當(dāng)?shù)牧?。另一方面，作為提升生產(chǎn)率的手法，提出了各種雙晶片載臺(tái)型的曝光裝置，在雙晶片載臺(tái)型的曝光裝置中，設(shè)置多臺(tái)用以保持晶片的晶片載臺(tái)，例如設(shè)置2臺(tái)，采用使用該2 個(gè)晶片載臺(tái)同時(shí)并行處理不同動(dòng)作的處理手法。最近，也提出了采用了液浸曝光法的雙晶片載臺(tái)型的曝光裝置(例如，參照專利文獻(xiàn)2)?？墒?，器件規(guī)則(實(shí)用最小線寬)日漸微細(xì)化，隨此，曝光裝置被要求更高精度的重迭性能。因此，預(yù)計(jì)晶片對(duì)準(zhǔn)的主流的增強(qiáng)型全晶片對(duì)準(zhǔn)(EGA)的取樣照射數(shù)也將進(jìn)一步增加，即使是雙晶片載臺(tái)型的曝光裝置也有生產(chǎn)率降低的擔(dān)心。又，步進(jìn)機(jī)、掃描機(jī)等的曝光裝置中，例如保持晶片的載臺(tái)的位置測(cè)量，一般是使用激光干涉儀來進(jìn)行的。然而，隨著半導(dǎo)體元件的高集成化而使圖案微細(xì)化，由此所要求的性能也日漸嚴(yán)格，時(shí)至今日，因激光干涉儀的光束路上的環(huán)境氣氛的溫度變化及/或溫度梯度的影響所產(chǎn)生的空氣波動(dòng)造成的測(cè)量值短期變動(dòng)漸漸無法忽視。因此，最近受到注目的是比干涉儀不易受空氣波動(dòng)影響的高分辨率的編碼器，而發(fā)明人等也提出了一種將該編碼器用于晶片載臺(tái)等的位置測(cè)量的曝光裝置(例如，參照專利文獻(xiàn)3等)。然而，與上述專利文獻(xiàn)3的實(shí)施形態(tài)中所記載的曝光裝置同樣地，在晶片載臺(tái)上面設(shè)置標(biāo)尺(光柵)的情形，由于編碼器讀頭的數(shù)量多，因此其配置幾乎無自由度、且布局 (layout)非常困難。[專利文獻(xiàn)1]日本特開2006-278820號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)2]美國專利第7，161，659號(hào)說明書[專利文獻(xiàn)3]國際公開第2007/097379號(hào)小冊(cè)子

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明第1觀點(diǎn)的第1曝光裝置，用曝光光束使物體曝光，其具備移動(dòng)體，保持該物體并沿著包含彼此正交的第1軸及第2軸的既定平面移動(dòng)；測(cè)量系統(tǒng)，從進(jìn)行該曝光的曝光位置在與該第1軸平行的方向離開而配置，進(jìn)行對(duì)該物體的既定測(cè)量；以及周邊曝光系統(tǒng)，在與該第1軸平行的方向與該測(cè)量系統(tǒng)分離而配置，使該物體周邊的照射區(qū)域的至少一部分曝光。據(jù)此，在保持物體的移動(dòng)體沿與既定平面內(nèi)的第1軸平行的方向移動(dòng)期間，物體的周邊照射區(qū)域的至少一部分被周邊曝光系統(tǒng)曝光。如此，能與物體(移動(dòng)體)從測(cè)量系統(tǒng)朝向曝光位置的移動(dòng)、或物體(移動(dòng)體)往其相反方向的移動(dòng)(例如，移動(dòng)體從曝光位置往物體更換位置的移動(dòng))并行地進(jìn)行周邊曝光，不同于獨(dú)立進(jìn)行周邊曝光的情形，幾乎不會(huì)使生產(chǎn)率降低。本發(fā)明第2觀點(diǎn)的第2曝光裝置，用曝光光束使物體曝光，其具備移動(dòng)體，能保持物體并在包含彼此正交的第1軸及第2軸的既定平面內(nèi)移動(dòng)；以及周邊曝光系統(tǒng)，設(shè)在進(jìn)行該曝光的曝光位置、與在平行于該第1軸的方向與該曝光位置分離而配置的該物體的更換位置之間，使該物體上與進(jìn)行該曝光的區(qū)域不同的周邊區(qū)域的至少一部分曝光；與從該曝光位置及該更換位置的一方至另一方的該移動(dòng)體的移動(dòng)動(dòng)作并行地，進(jìn)行該周邊區(qū)域的曝光動(dòng)作的至少一部分。根據(jù)此曝光裝置，與前述移動(dòng)體從曝光位置、及前述更換位置的一方往另一方的移動(dòng)動(dòng)作并行地，進(jìn)行使用周邊曝光系統(tǒng)的周邊區(qū)域的曝光動(dòng)作的至少一部分。因此，不同于獨(dú)立進(jìn)行周邊曝光的情形，幾乎不會(huì)使生產(chǎn)率降低。本發(fā)明第3觀點(diǎn)的第3曝光裝置，用能量束使物體曝光以在該物體上形成圖案，其具備第1移動(dòng)體，保持物體并在包含彼此正交的第1軸及第2軸的既定平面內(nèi)移動(dòng)；第2 移動(dòng)體，保持物體并在該平面內(nèi)與該第1移動(dòng)體獨(dú)立地移動(dòng)；標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)，其具有關(guān)于與該第2軸平行的方向位置不同的多個(gè)檢測(cè)區(qū)域，檢測(cè)該第1及第2移動(dòng)體上分別裝載的該物體上的標(biāo)記；以及控制裝置，與對(duì)保持于該第1及第2移動(dòng)體的一方的物體的曝光并行地，一邊使該第1及第2移動(dòng)體的另一方移動(dòng)于與該第1軸平行的方向、一邊由該標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)檢測(cè)該另一方移動(dòng)體所保持的物體上的不同的多個(gè)標(biāo)記并測(cè)量其位置信息。據(jù)此，通過控制裝置，與對(duì)第1及第2移動(dòng)體的一方所保持的物體進(jìn)行曝光并行地，一邊將第1及第2移動(dòng)體的另一方移動(dòng)于與第1軸平行的方向、一邊對(duì)該另一方的移動(dòng)體所保持的物體上的不同的多個(gè)標(biāo)記由標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)加以檢測(cè)并測(cè)量其位置信息。因此， 能與一方移動(dòng)體所保持的物體的曝光并行地，在另一方的移動(dòng)體從標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)的多個(gè)檢測(cè)區(qū)域的附近位置(例如進(jìn)行移動(dòng)體所保持的物體的更換的位置附近)朝向曝光位置在第 1軸方向上移動(dòng)的期間，檢測(cè)另一方移動(dòng)體所保持的物體上的多個(gè)標(biāo)記、例如所有標(biāo)記的位
12置信息。其結(jié)果，能實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)率的提升與重迭精度的提升。本發(fā)明第4觀點(diǎn)的第4曝光裝置，用能量束使物體曝光以在該物體上形成圖案，其具備第1移動(dòng)體，保持物體并在包含彼此正交的第1軸及第2軸的既定平面內(nèi)移動(dòng)；第2 移動(dòng)體，保持物體并在該平面內(nèi)與該第1移動(dòng)體獨(dú)立地移動(dòng)；平面馬達(dá)，在該平面內(nèi)驅(qū)動(dòng)該第1及第2移動(dòng)體；以及控制裝置，控制該平面馬達(dá)，并在該第1移動(dòng)體所保持的物體的曝光結(jié)束時(shí)，使該第1移動(dòng)體沿著位于進(jìn)行該曝光的曝光位置的與該第2軸平行方向的一側(cè)的第1返回路徑，移動(dòng)至進(jìn)行該第1移動(dòng)體上物體的更換的第1更換位置，且在該第2移動(dòng)體所保持的物體的曝光結(jié)束時(shí)，使該第2移動(dòng)體沿著位于該曝光位置的與該第2軸平行方向的另一側(cè)的第2返回路徑，移動(dòng)至進(jìn)行該第2移動(dòng)體上物體的更換的第2更換位置。此場合，第1更換位置與第2更換位置可以相同、也可以不同。據(jù)此，根據(jù)控制裝置，對(duì)在平面內(nèi)驅(qū)動(dòng)第1、第2移動(dòng)體的平面馬達(dá)進(jìn)行控制，且在第ι移動(dòng)體所保持的物體的曝光結(jié)束時(shí)，第1移動(dòng)體沿著位于曝光位置的平行于第2軸的方向的一側(cè)的第1返回路徑移動(dòng)至進(jìn)行第1移動(dòng)體上物體的更換的第1更換位置，且在第2 移動(dòng)體所保持的物體的曝光結(jié)束時(shí)，第2移動(dòng)體沿著位于曝光位置的平行于第2軸的方向的另一側(cè)的第2返回路徑移動(dòng)至進(jìn)行第2移動(dòng)體上物體的更換的第2更換位置。因此，對(duì)于第1移動(dòng)體從與第2軸平行的方向的一側(cè)、對(duì)于第2移動(dòng)體則從與第2軸平行的方向的另一側(cè)，分別安裝配線、配管用的纜線，由此能防止這些纜線的纏繞、且極力縮短其長度。本發(fā)明第5觀點(diǎn)的第5曝光裝置，用能量束使物體曝光以在該物體上形成圖案， 其具備第1移動(dòng)體，保持物體并在包含彼此正交的第1軸及第2軸的既定平面內(nèi)移動(dòng)；第 2移動(dòng)體，保持物體并在該平面內(nèi)與該第1移動(dòng)體獨(dú)立地移動(dòng)；平面馬達(dá)，用以在該平面內(nèi)驅(qū)動(dòng)該第1及第2移動(dòng)體；光學(xué)構(gòu)件，射出該能量束；液浸裝置，對(duì)該光學(xué)構(gòu)件與該第1、第 2移動(dòng)體的一方之間供應(yīng)液體以形成液浸區(qū)域；以及控制裝置，控制該平面馬達(dá)，以為了在該一方的移動(dòng)體所保持的物體的曝光結(jié)束后，使該液浸區(qū)域從該一方的移動(dòng)體轉(zhuǎn)移至另一方的移動(dòng)體，而進(jìn)行在使該第1移動(dòng)體與該第2移動(dòng)體在與該第1軸平行的方向接近至既定距離以下的接近狀態(tài)、與使兩移動(dòng)體分離的分離狀態(tài)之間的切換，并使從該另一方的移動(dòng)體分離的該一方的移動(dòng)體，沿著在與該第2軸平行的方向位于曝光位置的一側(cè)的返回路徑，移動(dòng)至進(jìn)行該第1、第2移動(dòng)體上物體的更換的更換位置。此處，接近至既定距離以下的接近狀態(tài)中，包含使第1移動(dòng)體與第2移動(dòng)體在與第 1軸平行的方向接觸的狀態(tài)、即包含第1移動(dòng)體與第2移動(dòng)體的分離距離為零的狀態(tài)。本說明書中，在明示為接觸狀態(tài)時(shí)當(dāng)然如此，但在未特別明示的情形時(shí)，也使用接近狀態(tài)這樣的用語，作為包含上述分離距離為零的狀態(tài)、即包含接觸狀態(tài)的概念。據(jù)此，由控制裝置控制平面馬達(dá)，以在一方移動(dòng)體所保持的物體的曝光結(jié)束后，為了將液浸區(qū)域從一方的移動(dòng)體移動(dòng)至另一方的移動(dòng)體，而進(jìn)行在使兩移動(dòng)體在與第1軸平行的方向接近至既定距離以下的接近狀態(tài)、與使兩移動(dòng)體分離的分離狀態(tài)之間的切換，并使與另一方的移動(dòng)體分離的一方的移動(dòng)體，沿在與第2軸平行的方向位于曝光位置的一側(cè)的返回路徑，移動(dòng)至進(jìn)行第1、第2移動(dòng)體上物體的更換的更換位置。因此，與使一方的移動(dòng)體沿著在與第2軸平行的方向位于曝光位置的一側(cè)的返回路徑移動(dòng)至更換位置、使另一方的移動(dòng)體沿在與第2軸平行的方向位于曝光位置的另一側(cè)的返回路徑移動(dòng)至更換位置的情形等相比較，能將兩移動(dòng)體在與第2軸平行的方向的移動(dòng)范圍設(shè)定得較窄。
本發(fā)明第6觀點(diǎn)的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，實(shí)質(zhì)沿既定平面驅(qū)動(dòng)移動(dòng)體，其具備編碼器系統(tǒng)，具有讀頭，此讀頭對(duì)具有在與該既定平面平行的面內(nèi)以彼此正交的第1、第2方向?yàn)橹芷诜较虻?維光柵的標(biāo)尺照射檢測(cè)光，并接收來自該標(biāo)尺的光，該編碼器系統(tǒng)根據(jù)該讀頭的測(cè)量值，測(cè)量在包含該第1、第2方向的該既定平面內(nèi)的至少2自由度方向的該移動(dòng)體的位置信息；以及驅(qū)動(dòng)裝置，根據(jù)該編碼器系統(tǒng)的測(cè)量信息，沿該既定平面驅(qū)動(dòng)該移動(dòng)體。根據(jù)此系統(tǒng)，根據(jù)如下編碼器系統(tǒng)的測(cè)量信息，由驅(qū)動(dòng)裝置沿既定平面驅(qū)動(dòng)移動(dòng)體，該編碼器系統(tǒng)具有對(duì)具備2維光柵的標(biāo)尺照射檢測(cè)光、并接收來自標(biāo)尺的反射光的讀頭，根據(jù)讀頭的測(cè)量值測(cè)量移動(dòng)體在包含第1、第2方向的前述既定平面內(nèi)的至少2自由度方向的位置信息。因此，與使用包含多個(gè)分別測(cè)量移動(dòng)體在第1、第2方向的位置信息的一維讀頭的編碼器系統(tǒng)的情形相比較，能大幅提升讀頭配置的自由度，使布局更為容易。例如，僅使用1個(gè)標(biāo)尺，就能測(cè)量移動(dòng)體在與既定平面平行的面內(nèi)的2自由度方向的位置。本發(fā)明第7觀點(diǎn)的圖案形成裝置，其具備裝載物體并保持該物體能實(shí)質(zhì)沿移動(dòng)面移動(dòng)的移動(dòng)體；用以在該物體上生成圖案的圖案化裝置；以及為了對(duì)該物體形成圖案而驅(qū)動(dòng)該移動(dòng)體的本發(fā)明的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。據(jù)此，通過對(duì)利用本發(fā)明移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)以良好精度驅(qū)動(dòng)的移動(dòng)體上的物體由圖案化裝置生成圖案，由此能以良好精度在物體上形成圖案。本發(fā)明第8觀點(diǎn)的第6曝光裝置，由能量束的照射來對(duì)物體形成圖案，其具備對(duì)該物體照射該能量束的圖案化裝置；以及本發(fā)明的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)；為使該能量束與該物體相對(duì)移動(dòng)，使用該移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)進(jìn)行裝載該物體的移動(dòng)體的驅(qū)動(dòng)。據(jù)此，為了從圖案化裝置對(duì)物體照射的能量束與前述物體的相對(duì)移動(dòng)，利用本發(fā)明移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)以良好精度對(duì)裝載前述物體的移動(dòng)體進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。因此，可通過掃描曝光以良好精度在物體上形成圖案。本發(fā)明第9觀點(diǎn)的第7曝光裝置，用能量束使物體曝光，其具備移動(dòng)體，可保持該物體且實(shí)質(zhì)沿既定平面可動(dòng)；測(cè)量裝置，在該既定平面內(nèi)關(guān)于第1方向、與該能量束所照射的曝光位置分離而配置照射測(cè)量光束的測(cè)量位置，測(cè)量該物體的位置信息；編碼器系統(tǒng)，在該既定平面內(nèi)在關(guān)于與該第1方向正交的第2方向的該移動(dòng)體兩側(cè)分別配置以該第1方向?yàn)殚L邊方向且具有2維光柵的標(biāo)尺，并將具有能與該2個(gè)標(biāo)尺分別對(duì)向至少1個(gè)讀頭且關(guān)于該第2方向位置不同的多個(gè)讀頭的一對(duì)讀頭單元配置成能與該移動(dòng)體對(duì)向，根據(jù)與該一對(duì)標(biāo)尺同時(shí)對(duì)向的2個(gè)讀頭的輸出，測(cè)量在該既定平面內(nèi)的3自由度方向的該移動(dòng)體的位置信息；以及驅(qū)動(dòng)裝置，根據(jù)由該測(cè)量裝置測(cè)量的該物體的位置信息、以及由該編碼器系統(tǒng)測(cè)量的該移動(dòng)體的位置信息，驅(qū)動(dòng)該移動(dòng)體。根據(jù)此曝光裝置，由測(cè)量裝置，在既定平面內(nèi)在第1方向與曝光位置分離而配置的測(cè)量光束所照射的測(cè)量位置，測(cè)量移動(dòng)體上物體的位置信息，由編碼器系統(tǒng)根據(jù)與2個(gè) (一對(duì))標(biāo)尺同時(shí)對(duì)向的2個(gè)讀頭的輸出，測(cè)量在前述既定平面內(nèi)的3自由度方向的前述移動(dòng)體的位置信息，并使用驅(qū)動(dòng)裝置，根據(jù)由測(cè)量裝置測(cè)量的物體的位置信息、與由編碼器系統(tǒng)測(cè)量的移動(dòng)體的位置信息，以良好精度驅(qū)動(dòng)移動(dòng)體。因此，能以高精度使移動(dòng)體所保持的物體曝光。此外，與使用包含分別測(cè)量移動(dòng)體在第1、第2方向的位置信息的多個(gè)1維讀頭的編碼器系統(tǒng)的情形相比較，讀頭等的布局較容易。本發(fā)明第10觀點(diǎn)的第8曝光裝置，用能量束使物體曝光，其具備移動(dòng)體，可保持該物體且實(shí)質(zhì)沿既定平面可動(dòng)；測(cè)量裝置，在該既定平面內(nèi)關(guān)于第1方向、與該能量束所照射的曝光位置分離而配置照射測(cè)量光束的測(cè)量位置，測(cè)量該物體的位置信息；編碼器系統(tǒng)， 在該既定平面內(nèi)、以和該第1方向正交的第2方向?yàn)殚L邊方向且具有2維光柵的一對(duì)標(biāo)尺被配置成能與該移動(dòng)體對(duì)向，且能與該一對(duì)標(biāo)尺分別對(duì)向至少1個(gè)讀頭且關(guān)于該第1方向位置不同的多個(gè)讀頭被分別配置在該移動(dòng)體兩側(cè)，根據(jù)與該一對(duì)標(biāo)尺同時(shí)對(duì)向的2個(gè)讀頭的輸出，測(cè)量在該既定平面內(nèi)的3自由度方向的該移動(dòng)體的位置信息；以及驅(qū)動(dòng)裝置，根據(jù)由該測(cè)量裝置測(cè)量的該物體的位置信息、以及由該編碼器系統(tǒng)測(cè)量的該移動(dòng)體的位置信息，驅(qū)動(dòng)該移動(dòng)體。據(jù)此，由測(cè)量裝置，在既定平面內(nèi)關(guān)于第1方向與曝光位置分離而配置的測(cè)量光束所照射的測(cè)量位置，測(cè)量移動(dòng)體上的物體的位置信息，由編碼器系統(tǒng)根據(jù)與一對(duì)標(biāo)尺同時(shí)對(duì)向的2個(gè)讀頭的輸出，測(cè)量在前述既定平面內(nèi)的3自由度方向的前述移動(dòng)體的位置信息，由驅(qū)動(dòng)裝置，根據(jù)由測(cè)量裝置測(cè)量的物體的位置信息、與由編碼器系統(tǒng)測(cè)量的移動(dòng)體的位置信息，以良好精度驅(qū)動(dòng)移動(dòng)體。因此，能以高精度使移動(dòng)體所保持的物體曝光，與使用包含多個(gè)分別測(cè)量移動(dòng)體在第1、第2方向的位置信息的1維讀頭的編碼器系統(tǒng)的情形相比較，移動(dòng)體上讀頭的配置更為容易。本發(fā)明第11觀點(diǎn)的第1器件制造方法，其包含使用本發(fā)明第1至第8曝光裝置的任一曝光裝置使物體曝光的動(dòng)作；以及使曝光后的物體顯影的動(dòng)作。本發(fā)明第12觀點(diǎn)的第1曝光方法，用曝光光束使物體曝光，其包含在沿著包含彼此正交的第1軸及第2軸的既定平面移動(dòng)的移動(dòng)體上裝載該物體的步驟；使用從進(jìn)行該曝光的曝光位置在該既定平面內(nèi)與該第1軸平行的方向分離而配置且進(jìn)行對(duì)該物體的既定測(cè)量的測(cè)量系統(tǒng)的、與該第1軸平行方向分離而配置的周邊曝光系統(tǒng)，在沿著與該第1軸平行的方向使裝載該物體的移動(dòng)體移動(dòng)期間，使該物體的周邊照射區(qū)域的至少一部分曝光的步驟。據(jù)此，在裝載有物體的移動(dòng)體沿與既定平面內(nèi)的第1軸平行的方向移動(dòng)期間，物體的周邊照射區(qū)域的至少一部分被周邊曝光系統(tǒng)曝光。如此，能與物體(移動(dòng)體)從測(cè)量系統(tǒng)朝向曝光位置的移動(dòng)、或物體(移動(dòng)體)往其相反方向的移動(dòng)(例如，移動(dòng)體從曝光位置往物體更換位置的移動(dòng))并行地進(jìn)行周邊曝光，不同于獨(dú)立進(jìn)行周邊曝光的情形，幾乎不會(huì)使生產(chǎn)率降低。本發(fā)明第13觀點(diǎn)的第2曝光方法，用曝光光束使物體曝光，其包含將物體保持于能在包含彼此正交的第1軸及第2軸的既定平面內(nèi)移動(dòng)的移動(dòng)體的步驟；以及使用配置在進(jìn)行該曝光的曝光位置、與在平行于該第1軸的方向從該曝光位置分離而配置的該物體的更換位置之間，使該物體上與進(jìn)行該曝光的區(qū)域不同的周邊區(qū)域的至少一部分曝光的周邊曝光系統(tǒng)，與該移動(dòng)體從該曝光位置、及該更換位置的一方往另一方的移動(dòng)動(dòng)作并行地，進(jìn)行該周邊區(qū)域的曝光動(dòng)作的至少一部分的步驟。根據(jù)此曝光方法，與前述移動(dòng)體從曝光位置、及前述更換位置的一方往另一方的移動(dòng)動(dòng)作并行地，進(jìn)行使用周邊曝光系統(tǒng)的周邊區(qū)域的曝光動(dòng)作的至少一部分。因此，不同于獨(dú)立進(jìn)行周邊曝光的情形，幾乎不會(huì)使生產(chǎn)率降低。本發(fā)明第14觀點(diǎn)的第3曝光方法，用能量束使物體曝光以在該物體上形成圖案， 其包含與對(duì)分別保持物體、在包含彼此正交的第1軸及第2軸的既定平面內(nèi)獨(dú)立移動(dòng)的第1及第2移動(dòng)體的一方所保持的該物體進(jìn)行曝光的動(dòng)作并行地，一邊使該第1及第2移動(dòng)體的另一方移動(dòng)于與該第1軸平行的方向、一邊由具有關(guān)于與該第2軸平行的方向位置不同的多個(gè)檢測(cè)區(qū)域的標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)，檢測(cè)該另一方移動(dòng)體所保持的物體上的不同的多個(gè)標(biāo)記，并測(cè)量其位置信息的步驟。據(jù)此，在對(duì)第1及第2移動(dòng)體的一方所保持的物體進(jìn)行的曝光并行地，一邊將第1 及第2移動(dòng)體的另一方移動(dòng)于與第1軸平行的方向、一邊對(duì)該另一方的移動(dòng)體所保持的物體上不同的多個(gè)標(biāo)記由標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)(具有在與第2軸平行的方向位置不同的多個(gè)檢測(cè)區(qū)域)加以檢測(cè)并測(cè)量其位置信息。因此，能與一方移動(dòng)體所保持的被曝光物體的曝光并行地，在另一方的移動(dòng)體從標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)的多個(gè)檢測(cè)區(qū)域的附近位置(例如進(jìn)行移動(dòng)體所保持的物體的更換的位置附近)朝向曝光位置在第1軸方向上移動(dòng)的期間，檢測(cè)另一方移動(dòng)體所保持的物體上的多個(gè)標(biāo)記、例如所有標(biāo)記的位置信息。其結(jié)果，能實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)率的提升與重迭精度的提升。本發(fā)明第15觀點(diǎn)的第4曝光方法，用能量束使物體曝光以在該物體上形成圖案， 其包含通過控制用以驅(qū)動(dòng)分別保持物體并在包含彼此正交的第1軸及第2軸的既定平面內(nèi)獨(dú)立移動(dòng)的第1及第2移動(dòng)體的平面馬達(dá)，在該第1移動(dòng)體所保持的物體的曝光結(jié)束時(shí)， 使該第1移動(dòng)體沿著位于進(jìn)行該曝光的曝光位置的與該第2軸平行方向的一側(cè)的第1返回路徑，移動(dòng)至進(jìn)行該第1移動(dòng)體上的物體的更換的第1更換位置，且在該第2移動(dòng)體所保持的物體的曝光結(jié)束時(shí)，使該第2移動(dòng)體沿位于該曝光位置的與該第2軸平行方向的另一側(cè)的第2返回路徑，移動(dòng)至進(jìn)行該第2移動(dòng)體上的物體的更換的第2更換位置的步驟。據(jù)此，通過控制在平面內(nèi)驅(qū)動(dòng)第1、第2移動(dòng)體的平面馬達(dá)，在第1移動(dòng)體所保持的物體的曝光結(jié)束時(shí)，第1移動(dòng)體沿著位于曝光位置的平行于第2軸的方向的一側(cè)的第1返回路徑移動(dòng)至進(jìn)行第1移動(dòng)體上物體的更換的第1更換位置，且在第2移動(dòng)體所保持的物體的曝光結(jié)束時(shí)，第2移動(dòng)體沿著位于曝光位置的平行于第2軸的方向的另一側(cè)的第2返回路徑移動(dòng)至進(jìn)行第2移動(dòng)體上物體的更換的第2更換位置。因此，對(duì)于第1移動(dòng)體從與第2軸平行的方向的一側(cè)、對(duì)于第2移動(dòng)體則從與第2軸平行的方向的另一側(cè)，分別安裝配線、配管用的纜線，由此能防止這些纜線的纏繞、且極力縮短其長度。本發(fā)明第16觀點(diǎn)的第5曝光方法，用能量束使物體曝光，其包含用移動(dòng)體保持該物體的動(dòng)作；通過本發(fā)明的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)該移動(dòng)體，用該能量束使該物體曝光的動(dòng)作。據(jù)此，由本發(fā)明的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)以良好精度驅(qū)動(dòng)保持物體的移動(dòng)體，用能量束使物體曝光，因此能進(jìn)行對(duì)物體的高精度的曝光。本發(fā)明第17觀點(diǎn)的第6曝光方法，用能量束使物體曝光，其包含用能實(shí)質(zhì)沿既定平面移動(dòng)的移動(dòng)體保持物體的動(dòng)作；在該既定平面內(nèi)、關(guān)于第1方向與該能量束照射的曝光位置分離而配置且測(cè)量光束照射的測(cè)量位置，測(cè)量該移動(dòng)體上物體的位置信息的動(dòng)作； 由編碼器系統(tǒng)測(cè)量在該既定平面內(nèi)3自由度方向的該移動(dòng)體的位置信息的動(dòng)作，該編碼器系統(tǒng)在該既定平面內(nèi)與該第1方向正交的第2方向分離地、在該移動(dòng)體上配置以該第1方向?yàn)殚L邊方向且具有2維光柵的一對(duì)標(biāo)尺，且將具有能與該一對(duì)標(biāo)尺中的各個(gè)標(biāo)尺分別對(duì)向至少1個(gè)讀頭且關(guān)于該第2方向位置不同的多個(gè)讀頭的一對(duì)讀頭單元配置成能與該移動(dòng)體對(duì)向；以及根據(jù)該測(cè)量的位置信息與該編碼器系統(tǒng)的測(cè)量信息驅(qū)動(dòng)該移動(dòng)體，用該能量
16束使該物體曝光的動(dòng)作。據(jù)此，在既定平面內(nèi)關(guān)于第1方向與曝光位置分離而配置的測(cè)量光束所照射的測(cè)量位置，測(cè)量移動(dòng)體上物體的位置信息，由編碼器系統(tǒng)測(cè)量在既定平面內(nèi)的3自由度方向的移動(dòng)體的位置信息。并根據(jù)所測(cè)量的位置信息、與編碼器系統(tǒng)的測(cè)量信息驅(qū)動(dòng)移動(dòng)體，用能量束使物體曝光。因此，能以高精度使物體曝光。本發(fā)明第18觀點(diǎn)的第7曝光方法，用能量束使物體曝光，其包含用能實(shí)質(zhì)沿既定平面移動(dòng)的移動(dòng)體保持物體的動(dòng)作；在該既定平面內(nèi)，關(guān)于第1方向與該能量束照射的曝光位置分離而配置且測(cè)量光束照射的測(cè)量位置，測(cè)量該移動(dòng)體上物體的位置信息的動(dòng)作； 由編碼器系統(tǒng)測(cè)量在該既定平面內(nèi)3自由度方向的該移動(dòng)體的位置信息的動(dòng)作，該編碼器系統(tǒng)在該既定平面內(nèi)以和該第1方向正交的第2方向?yàn)殚L邊方向且具有2維光柵的一對(duì)標(biāo)尺配置成能與該移動(dòng)體對(duì)向，且將能與該一對(duì)標(biāo)尺分別對(duì)向至少1個(gè)讀頭且關(guān)于該第1方向位置不同的多個(gè)讀頭，分別配置在該移動(dòng)體兩側(cè)；根據(jù)該測(cè)量的位置信息與該編碼器系統(tǒng)的測(cè)量信息驅(qū)動(dòng)該移動(dòng)體，用該能量束使該物體曝光。據(jù)此，在既定平面內(nèi)關(guān)于第1方向與曝光位置分離而配置的測(cè)量光束所照射的測(cè)量位置，測(cè)量移動(dòng)體上物體的位置信息，由編碼器系統(tǒng)測(cè)量在既定平面內(nèi)的3自由度方向的移動(dòng)體的位置信息。并根據(jù)所測(cè)量的位置信息與編碼器系統(tǒng)的測(cè)量信息驅(qū)動(dòng)移動(dòng)體，用能量束使物體曝光。因此，能以高精度使物體曝光。本發(fā)明第19觀點(diǎn)的第2器件制造方法，其包含以本發(fā)明第1至第7曝光方法的任一曝光方法使物體曝光以形成圖案的動(dòng)作；以及使形成有前述圖案的物體顯影的動(dòng)作。


圖1是概略顯示第1實(shí)施形態(tài)的曝光裝置構(gòu)成的圖。圖2是顯示晶片載臺(tái)的俯視圖。圖3是顯示測(cè)量載臺(tái)的俯視圖。圖4是用以說明干涉儀系統(tǒng)的圖。圖5是顯示載臺(tái)裝置及各種測(cè)量裝置的俯視圖。圖6是用以說明編碼器系統(tǒng)的讀頭、對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)及周邊曝光單元等的配置的圖。圖7是用以說明多點(diǎn)AF系統(tǒng)及面位置測(cè)量系統(tǒng)的Z讀頭的配置的圖。圖8是用以說明周邊曝光用主動(dòng)掩模的圖。圖9㈧及圖9(B)是用以分別說明微反射鏡的ON狀態(tài)及OFF狀態(tài)的圖。圖10是顯示圖1的曝光裝置中控制系統(tǒng)的主要構(gòu)成的方塊圖。圖11是用以說明晶片的照射圖的圖。圖12是用以說明晶片的對(duì)準(zhǔn)照射區(qū)域的圖。圖13是用以說明作為周邊曝光的對(duì)象的區(qū)域的圖。圖14是顯示對(duì)晶片載臺(tái)上的晶片進(jìn)行步進(jìn)掃描方式的曝光的狀態(tài)的晶片載臺(tái)及測(cè)量載臺(tái)的狀態(tài)的圖。圖15是顯示晶片的卸載時(shí)(測(cè)量載臺(tái)到達(dá)進(jìn)行kc-BCHK(間歇)位置時(shí))的兩載臺(tái)的狀態(tài)的圖。圖16是顯示晶片的裝載時(shí)的兩載臺(tái)的狀態(tài)的圖。
圖17是顯示從由干涉儀進(jìn)行的載臺(tái)伺服控制切換至由編碼器進(jìn)行的載臺(tái)伺服控制時(shí)(晶片載臺(tái)移動(dòng)至進(jìn)行Pri-BCHK的前半處理的位置時(shí))的兩載臺(tái)的狀態(tài)的圖。圖18是顯示使用對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALl、AL22、AL23，同時(shí)檢測(cè)附設(shè)于3個(gè)第1對(duì)準(zhǔn)照射區(qū)域的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記時(shí)的晶片載臺(tái)與測(cè)量載臺(tái)的狀態(tài)的圖。圖19是顯示在進(jìn)行焦點(diǎn)校準(zhǔn)前半的處理時(shí)晶片載臺(tái)與測(cè)量載臺(tái)的狀態(tài)的圖。圖20顯示使用對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1、AL2, AL24，同時(shí)檢測(cè)附設(shè)于5個(gè)第2對(duì)準(zhǔn)照射區(qū)域的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記時(shí)的晶片載臺(tái)與測(cè)量載臺(tái)的狀態(tài)的圖。圖21是顯示在進(jìn)行I^ri-BCHK后半的處理及焦點(diǎn)校準(zhǔn)后半的處理的至少一方時(shí)的晶片載臺(tái)與測(cè)量載臺(tái)的狀態(tài)的圖。圖22是顯示使用對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1、AL2, AL24，同時(shí)檢測(cè)附設(shè)于5個(gè)第3對(duì)準(zhǔn)照射區(qū)域的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記時(shí)的晶片載臺(tái)與測(cè)量載臺(tái)的狀態(tài)的圖。圖23是顯示使用對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1、AL22、AL23，同時(shí)檢測(cè)附設(shè)于3個(gè)第4對(duì)準(zhǔn)照射區(qū)域的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記時(shí)的晶片載臺(tái)與測(cè)量載臺(tái)的狀態(tài)的圖。圖M是顯示焦點(diǎn)映射結(jié)束時(shí)的晶片載臺(tái)與測(cè)量載臺(tái)的狀態(tài)的圖。圖25㈧ 圖25(F)是分別用以說明周邊曝光的進(jìn)行過程的圖。圖沈是顯示通過周邊曝光所曝光的所有區(qū)域的圖。圖27是概略顯示第2實(shí)施形態(tài)的曝光裝置的構(gòu)成的圖。圖28是顯示晶片載臺(tái)的俯視圖。圖四是顯示圖27的曝光裝置所具備的載臺(tái)裝置及干涉儀的配置的俯視圖。圖30是顯示圖27的曝光裝置所具備的載臺(tái)裝置及傳感器單元的配置的俯視圖。圖31是顯示編碼器讀頭與對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的配置的俯視圖。圖32是顯示第2實(shí)施形態(tài)的曝光裝置的控制系統(tǒng)的主要構(gòu)成的方塊圖。圖33是用以說明由分別包含多個(gè)讀頭的多個(gè)編碼器所進(jìn)行的晶片臺(tái)的XY平面內(nèi)的位置測(cè)量及讀頭切換(連接)的圖。圖34是顯示編碼器構(gòu)成的一例的圖。圖35是顯示對(duì)晶片進(jìn)行步進(jìn)掃描方式的曝光時(shí)的晶片載臺(tái)及測(cè)量載臺(tái)的狀態(tài)的圖。圖36是顯示晶片卸載時(shí)晶片載臺(tái)及測(cè)量載臺(tái)的狀態(tài)的圖。圖37是顯示晶片裝載時(shí)晶片載臺(tái)及測(cè)量載臺(tái)的狀態(tài)的圖。圖38是顯示從由干涉儀進(jìn)行的載臺(tái)伺服控制切換至由編碼器進(jìn)行的載臺(tái)伺服控制時(shí)，晶片載臺(tái)及測(cè)量載臺(tái)的狀態(tài)以及編碼器讀頭的配置的圖。圖39是用以說明晶片對(duì)準(zhǔn)時(shí)的晶片載臺(tái)及測(cè)量載臺(tái)的狀態(tài)的圖。圖40是顯示第3實(shí)施形態(tài)的曝光裝置所具備的載臺(tái)裝置及傳感器單元的配置的俯視圖。圖41是顯示第3實(shí)施形態(tài)的曝光裝置的控制系統(tǒng)的主要構(gòu)成的方塊圖。圖42是概略顯示第4實(shí)施形態(tài)的曝光裝置的構(gòu)成的圖。圖43㈧是顯示圖42的晶片載臺(tái)WSTl的側(cè)視圖、圖43(B)是顯示晶片載臺(tái)WSTl 的俯視圖。圖44㈧是顯示圖42的晶片載臺(tái)WST2的側(cè)視圖、圖44⑶是顯示晶片載臺(tái)WST2的俯視圖。 圖45是用以說明構(gòu)成圖42的晶片載臺(tái)裝置所具備的測(cè)量系統(tǒng)的、編碼器系統(tǒng)及面位置測(cè)量系統(tǒng)等讀頭的配置等的圖。
0097]圖46是用以說明構(gòu)成測(cè)量系統(tǒng)的干涉儀系統(tǒng)的構(gòu)成的圖。0098]圖47是顯示第2實(shí)施形態(tài)的曝光裝置的控制系統(tǒng)的主要構(gòu)成的方塊圖。0099]圖48是用以說明使用晶片載臺(tái)WSTl、WST2的并行處理動(dòng)作的圖其1)。0100]圖49是用以說明使用晶片載臺(tái)WSTl、WST2的并行處理動(dòng)作的圖其2)。0101]圖50是用以說明使用晶片載臺(tái)WSTl、WST2的并行處理動(dòng)作的圖其3)。0102]圖51是用以說明使用晶片載臺(tái)WST1、WST2的并行處理動(dòng)作的圖其4)。0103]圖52是用以說明使用晶片載臺(tái)WSTl、WST2的并行處理動(dòng)作的圖其5)。0104]圖53是用以說明使用晶片載臺(tái)WSTl、WST2的并行處理動(dòng)作的圖其6)。0105]圖54是用以說明使用晶片載臺(tái)WSTl、WST2的并行處理動(dòng)作的圖其7)。0106]圖55是用以說明使用晶片載臺(tái)WSTl、WST2的并行處理動(dòng)作的圖其8)。0107]圖56是用以說明使用晶片載臺(tái)WSTl、WST2的并行處理動(dòng)作的圖其9)。0108]圖57是用以說明使用晶片載臺(tái)WSTl、WST2的并行處理動(dòng)作的圖其 10)。0109]圖58是用以說明使用晶片載臺(tái)WSTl、WST2的并行處理動(dòng)作的圖其 11)。0110]圖59是用以說明使用晶片載臺(tái)WSTl、WST2的并行處理動(dòng)作的圖其⑵。0111]圖60是用以說明使用晶片載臺(tái)WSTl、WST2的并行處理動(dòng)作的圖其⑶。0112]圖61是用以說明使用晶片載臺(tái)WST1、WST2的并行處理動(dòng)作的圖其 14)。0113]圖62是用以說明使用晶片載臺(tái)WSTl、WST2的并行處理動(dòng)作的圖其比)。0114]圖63是用以說明使用晶片載臺(tái)WSTl、WST2的并行處理動(dòng)作的圖其 16)。0115]圖64是用以說明使用晶片載臺(tái)WSTl、WST2的并行處理動(dòng)作的圖其 17)。0116]圖65是用以說明使用晶片載臺(tái)WSTl、WST2的并行處理動(dòng)作的圖其⑶。0117]圖66是用以說明使用晶片載臺(tái)WSTl、WST2的并行處理動(dòng)作的圖其⑶。0118]圖67是用以說明使用晶片載臺(tái)WSTl、WST2的并行處理動(dòng)作的圖其 20)。0119]圖68是用以說明使用晶片載臺(tái)WSTl、WST2的并行處理動(dòng)作的圖其 21)。0120]圖69是用以說明使用晶片載臺(tái)WSTl、WST2的并行處理動(dòng)作的圖其⑵。0121]圖70是用以說明使用晶片載臺(tái)WSTl、WST2的并行處理動(dòng)作的圖其 2；3)。0122]圖71是用以說明使用晶片載臺(tái)WST1、WST2的并行處理動(dòng)作的圖其撾)。0123]圖72是用以說明使用晶片載臺(tái)WSTl、WST2的并行處理動(dòng)作的圖其邪)。0124]圖73是用以說明使用晶片載臺(tái)WSTl、WST2的并行處理動(dòng)作的圖其 26)。0125]圖74是用以說明使用晶片載臺(tái)WSTl、WST2的并行處理動(dòng)作的圖其 27)。0126]圖75是用以說明使用晶片載臺(tái)WSTl、WST2的并行處理動(dòng)作的圖其觀)。0127]圖76是用以說明使用晶片載臺(tái)WSTl、WST2的并行處理動(dòng)作的圖其㈨)。
具體實(shí)施例方式《第1實(shí)施形態(tài)》以下，根據(jù)圖1 圖沈說明本發(fā)明的第1實(shí)施形態(tài)。圖1概略顯示第一實(shí)施形態(tài)的曝光裝置100的構(gòu)成。此曝光裝置100，是步進(jìn)掃描方式的投影曝光裝置、也即是所謂的掃描機(jī)。如后述般，本實(shí)施形態(tài)中設(shè)有投影光學(xué)系統(tǒng) PL,以下，將與此投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX平行的方向設(shè)為Z軸方向、將在與該Z軸方向正交的面內(nèi)標(biāo)線片與晶片相對(duì)掃描的方向設(shè)為Y軸方向、將與Z軸及Y軸正交的方向設(shè)為 X軸方向，且將繞X軸、Y軸、及Z軸的旋轉(zhuǎn)(傾斜)方向分別設(shè)為ΘΧ、0y、及ΘΖ方向來進(jìn)行說明。曝光裝置100，具備照明系統(tǒng)10、標(biāo)線片載臺(tái)RST、投影單元PU、具有晶片載臺(tái)WST 及測(cè)量載臺(tái)MST的載臺(tái)裝置50、以及它們的控制系統(tǒng)等。圖1中，在晶片載臺(tái)WST上載置有晶片W。照明系統(tǒng)10，例如美國專利申請(qǐng)公開第2003/0025890號(hào)說明書等所揭示，包含光源和照明光學(xué)系統(tǒng)，該照明光學(xué)系統(tǒng)具有包含光學(xué)積分器等的照度均一化光學(xué)系統(tǒng)、以及標(biāo)線片遮簾(均未圖標(biāo))。照明系統(tǒng)10，由照明光(曝光用光)IL，以大致均一的照度來照明被標(biāo)線片遮簾(屏蔽系統(tǒng))規(guī)定的標(biāo)線片R上的狹縫狀照明區(qū)域IAR。此處，作為照明光 IL，例如使用ArF準(zhǔn)分子激光光束(波長193nm)。在標(biāo)線片載臺(tái)RST上例如通過真空吸附固定有標(biāo)線片R，該標(biāo)線片R在其圖案面 (圖1的下面)形成有電路圖案等。標(biāo)線片載臺(tái)RST，能利用包含例如線性馬達(dá)等的標(biāo)線片載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)11 (在圖1中未圖示、參照?qǐng)D10)而在XY平面內(nèi)微幅驅(qū)動(dòng)，且能以既定的掃描速度驅(qū)動(dòng)于既定掃描方向(圖1的圖面內(nèi)左右方向即Y軸方向)。由標(biāo)線片激光干涉儀(以下稱為「標(biāo)線片干涉儀」)116，通過移動(dòng)鏡15 (實(shí)際上，設(shè)有具有與Y軸方向正交的反射面的Y移動(dòng)鏡(或后向反射器)、以及具有與χ軸方向正交的反射面的X移動(dòng)鏡)，例如以0. 25nm左右的分辨率，總是檢測(cè)標(biāo)線片載臺(tái)RST在XY平面內(nèi)的位置信息(包含ΘΖ方向的位置(以下，也適當(dāng)?shù)赜涊d為ΘΖ旋轉(zhuǎn)(或ΘΖ旋轉(zhuǎn)量)、 或偏搖(或偏搖量))的信息)。標(biāo)線片干涉儀116的測(cè)量值，被傳送至主控制裝置20 (在圖1中未圖示，參照?qǐng)D10)。投影單元PU，配置于標(biāo)線片載臺(tái)RST的圖1下方。投影單元PU，包含鏡筒40、以及收納在鏡筒40內(nèi)的投影光學(xué)系統(tǒng)PL。作為投影光學(xué)系統(tǒng)PL，例如使用由沿與Z軸方向平行的光軸AX排列的多個(gè)光學(xué)元件(透鏡元件)所構(gòu)成的折射光學(xué)系統(tǒng)。投影光學(xué)系統(tǒng)PL， 例如是兩側(cè)遠(yuǎn)心且具有既定投影倍率(例如1/4倍、1/5倍、或1/8倍等)。因此，當(dāng)通過照明系統(tǒng)10照明標(biāo)線片R上的照明區(qū)域IAR時(shí)，由通過圖案面大致配置成與投影光學(xué)系統(tǒng)PL 的第1面(物體面)一致的標(biāo)線片R的照明光IL，使該照明區(qū)域IAR內(nèi)的標(biāo)線片R的電路圖案縮小像(電路圖案的一部分縮小像)通過投影光學(xué)系統(tǒng)PL (投影單元PU)形成于一區(qū)域(以下還稱為曝光區(qū)域)IA，其中，該區(qū)域IA是與配置于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的第2面(像面)側(cè)的、表面涂布有抗蝕劑(感應(yīng)劑)的晶片W上的前述照明區(qū)域IAR共軛的區(qū)域。于是，通過標(biāo)線片載臺(tái)RST與晶片載臺(tái)WST的同步驅(qū)動(dòng)，使標(biāo)線片R相對(duì)于照明區(qū)域IAR(照明光IL)在掃描方向(Y軸方向)上進(jìn)行相對(duì)移動(dòng)，且使晶片W相對(duì)于曝光區(qū)域(照明用光 IL)在掃描方向(Y軸方向)上進(jìn)行相對(duì)移動(dòng)，由此對(duì)晶片W上的一個(gè)照射區(qū)域(區(qū)劃區(qū)域) 進(jìn)行掃描曝光，以將標(biāo)線片R的圖案轉(zhuǎn)印于該照射區(qū)域。即，本實(shí)施形態(tài)中，通過照明系統(tǒng) 10、標(biāo)線片R及投影光學(xué)系統(tǒng)PL將圖案生成于晶片W上，通過由照明光IL對(duì)晶片W上的感應(yīng)層(抗蝕劑層)的曝光將該圖案形成于晶片W上。在本實(shí)施形態(tài)的曝光裝置100中，為了進(jìn)行液浸方式的曝光，設(shè)有局部液浸裝置8。局部液浸裝置8，包含例如液體供應(yīng)裝置5、液體回收裝置6(圖1中皆未圖示，參照?qǐng)D 10)、液體供應(yīng)管31A、液體回收管31B、及嘴(nozzle)單元32等。嘴單元32，如圖1所示， 以圍繞保持構(gòu)成投影光學(xué)系統(tǒng)PL的最接近像面?zhèn)?晶片W側(cè))的光學(xué)元件、此處是透鏡 (以下，也稱「前端透鏡」)191的鏡筒40下端部周圍的方式，懸吊支承于保持投影單元PU 的未圖標(biāo)的主機(jī)架(main frame)。本實(shí)施形態(tài)中，如圖1所示，嘴單元32被設(shè)定為其下端面與前端透鏡191的下端面大致同一面。又，嘴單元32，具備液體Lq的供應(yīng)口及回收口、晶片W與此對(duì)向配置且設(shè)有回收口的下面、與液體供應(yīng)管31A及液體回收管31B分別連接的供應(yīng)流路及回收流路。液體供應(yīng)管31A與液體回收管31B，如圖5所示，在俯視時(shí)(從上方觀看)，相對(duì)X軸方向及Y軸方向大致傾斜45°，相對(duì)通過投影單元PU的中心(投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX，本實(shí)施形態(tài)中也與前述曝光區(qū)域IA的中心一致)且與Y軸平行的直線 (基準(zhǔn)軸)LVtl成對(duì)稱配置。液體供應(yīng)管31A連接于液體供應(yīng)裝置5 (圖1中未圖示，參照?qǐng)D10)、液體回收管 31B連接于液體回收裝置6(圖1中未圖示，參照?qǐng)D10)。此處，在液體供應(yīng)裝置5中，具備儲(chǔ)存液體的液體槽(tank)、加壓泵、溫度控制裝置、以及用以控制液體流量的閥等。在液體回收裝置6中，具備儲(chǔ)存所回收液體的液體槽、吸引泵、用以控制液體流量的閥等。主控制裝置20(參照?qǐng)D10)，控制液體供應(yīng)裝置5以通過液體供應(yīng)管31A將液體 Lq供應(yīng)至前端透鏡191與晶片W之間，并控制液體回收裝置6以通過液體回收管31B從前端透鏡191與晶片W之間回收液體Lq。此時(shí)，主控制裝置20以供應(yīng)的液體Lq的量與回收的液體Lq的量總是相等的方式，控制液體供應(yīng)裝置5與液體回收裝置6。因此，前端透鏡 191與晶片W之間，總是交替保持有一定量的液體Lq (參照?qǐng)D1)，據(jù)此形成液浸區(qū)域14 (參照?qǐng)D14等)。又，在后述測(cè)量載臺(tái)MST位于投影單元PU下方的情形時(shí)，也能同樣地在前端透鏡191與測(cè)量臺(tái)之間形成液浸區(qū)域14。本實(shí)施形態(tài)中，作為上述液體，使用可使ArF準(zhǔn)分子激光光束(波長193nm的光) 透射的純水(以下，除特別需要的情況外，僅記載為「水」)。又，水對(duì)ArF準(zhǔn)分子激光光束的折射率η大致為1. 44，在水中，照明光IL的波長被短波長化成193nmX 1/n =約134nm。載臺(tái)裝置50，如圖1所示，具備配置在底盤12上方的晶片載臺(tái)WST與測(cè)量載臺(tái) MST、測(cè)量這些載臺(tái)WST、MST的位置信息的測(cè)量系統(tǒng)200(參照?qǐng)D10)、及驅(qū)動(dòng)載臺(tái)WST、MST 的載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)124(參照?qǐng)D10)等。測(cè)量系統(tǒng)200，如圖10所示，包含干涉儀系統(tǒng)118、編碼器系統(tǒng)150及面位置測(cè)量系統(tǒng)180等。晶片載臺(tái)WST及測(cè)量載臺(tái)MST，以固定于各自底面的未圖示的非接觸軸承、例如以空氣軸承，隔著數(shù)μ m程度的間隙支承于底盤12上。又，載臺(tái)WST、MST，可通過例如包含線性馬達(dá)等的載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)124(參照?qǐng)D10)，在XY平面內(nèi)獨(dú)立驅(qū)動(dòng)。晶片載臺(tái)WST，包含載臺(tái)本體91、與搭載于該載臺(tái)本體91上的晶片臺(tái)WTB。晶片臺(tái) WTB及載臺(tái)本體91，可通過例如包含線性馬達(dá)及Z調(diào)平機(jī)構(gòu)機(jī)構(gòu)(包含音圈馬達(dá)等)(皆未圖標(biāo))的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，相對(duì)底盤12驅(qū)動(dòng)于6自由度方向(Χ、Υ、Ζ、ΘΧ、0y、ΘΖ)。在晶片臺(tái)WTB上面中央，設(shè)有以真空吸附等方式保持晶片W的晶片保持具(未圖示)。在晶片保持具(晶片的載置區(qū)域)外側(cè)，如圖2所示，設(shè)有其中央部形成有比晶片保持具大一圈的圓形開口、且具有矩形狀外形(輪廓)的板件(撥液板)28。此板件觀的表面施有對(duì)液體Lq的撥液化處理。此外，板件觀被設(shè)置成其表面全部(或一部分)與晶片W的表面同一面高。板件觀，具有具有中央形成有前述開口的矩形外形(輪廓)的第1撥液區(qū)域觀^ 與設(shè)在該第1撥液區(qū)域28a周圍的矩形框狀的第2撥液區(qū)域^b。又，本實(shí)施形態(tài)，如前述所述，使用水作為液體Lq，因此，以下將第1及第2撥液區(qū)域^a、28b分別還稱為第1及第 2撥水板^a、^b。在第1撥水板^a的+Y側(cè)端部設(shè)有測(cè)量板件30。在此測(cè)量板件30上，在中央設(shè)有基準(zhǔn)標(biāo)記FM，并以夾著該基準(zhǔn)標(biāo)記FM的方式設(shè)有一對(duì)空間像測(cè)量狹縫(slit)圖案(狹縫狀的測(cè)量用圖案)SL。并對(duì)應(yīng)各空間像測(cè)量狹縫圖案SL，設(shè)有用以將透射這些空間像測(cè)量狹縫圖案SL的照明光IL，導(dǎo)向晶片載臺(tái)WST的外部(設(shè)于后述測(cè)量載臺(tái)MST的受光系統(tǒng))的送光系統(tǒng)(未圖標(biāo))。第2撥水板^b，在其上面的X軸方向(圖2中紙面內(nèi)左右方向)的一側(cè)與另一側(cè)區(qū)域，分別形成有Y標(biāo)尺39Yi、3OT2。Y標(biāo)尺39Yi、39Y2，分別由例如以X軸方向?yàn)殚L邊方向的光柵線38以既定間距沿與Y軸平行的方向(Y軸方向)配置的、以Y軸方向?yàn)橹芷诜较虻姆瓷湫凸鈻?例如繞射光柵)所構(gòu)成。同樣的，在第2撥水板28b上面的Y軸方向(圖2中的紙面內(nèi)上下方向)一側(cè)與另一側(cè)區(qū)域，分別形成有X標(biāo)尺39&、39)(2。X標(biāo)尺39Χρ39Χ2，分別由例如以Y軸方向?yàn)殚L邊方向的光柵線37以既定間距沿與X軸平行的方向(X軸方向)配置的、以X軸方向?yàn)橹芷诜较虻姆瓷湫凸鈻?例如繞射光柵)所構(gòu)成。各標(biāo)尺，是將上述繞射光柵的刻度，以例如 138nm 4 μ m間的間距、例如1 μ m的間距刻于例如薄板狀玻璃所制作而成。這些標(biāo)尺被前述撥液膜(撥水膜)所覆蓋。又，圖2中，為便于圖示，光柵的間距被顯示成比實(shí)際間距大得多。其它圖中也同樣。此外，為保護(hù)繞射光柵，也可以用具備撥水性的低熱膨脹率的玻璃板，以其表面與晶片表面同高(面位置)的方式來覆蓋繞射光柵。此處，作為玻璃板，可使用厚度與晶片相同程度、例如厚度為Imm的玻璃板。又，在各標(biāo)尺的端部附近，分別設(shè)有用以決定后述編碼器讀頭(head)與標(biāo)尺間的相對(duì)位置的定位圖案(未圖示)。此定位圖案由例如反射率不同的光柵線構(gòu)成，當(dāng)編碼器讀頭在此定位圖案上進(jìn)行掃描時(shí)，編碼器的輸出信號(hào)的強(qiáng)度會(huì)變化。因此，預(yù)先定一閾值，并檢測(cè)輸出信號(hào)的強(qiáng)度超過該閾值的位置。以該檢測(cè)出的位置為基準(zhǔn)，設(shè)定編碼器讀頭與標(biāo)尺間的相對(duì)位置。在晶片臺(tái)WTB的-Y端面、-X端面，如圖2及圖4等所示，形成有后述干涉儀系統(tǒng)所使用的反射面17a、反射面17b。測(cè)量載臺(tái)MST，如圖1所示，具有由未圖標(biāo)的線性馬達(dá)等驅(qū)動(dòng)于XY平面內(nèi)的載臺(tái)本體92、與搭載在載臺(tái)本體92上的測(cè)量臺(tái)MTB。測(cè)量載臺(tái)MST，其構(gòu)成為能通過未圖標(biāo)的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)相對(duì)底盤12驅(qū)動(dòng)于至少3自由度方向(X、Y、θ ζ)。又，圖10中，包含晶片載臺(tái)WST的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)與測(cè)量載臺(tái)MST的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，顯示為載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)124。在測(cè)量臺(tái)MTB(及載臺(tái)本體92)上設(shè)有各種測(cè)量用構(gòu)件。作為此測(cè)量用構(gòu)件，例如圖3所示，設(shè)有照度不均傳感器94、空間像測(cè)量器96、波面像差測(cè)量器98、照度監(jiān)測(cè)器(未圖示)等。又，在載臺(tái)本體92上，以對(duì)向于前述一對(duì)送光系統(tǒng)(未圖標(biāo))的配置，設(shè)有一對(duì)受光系統(tǒng)(未圖標(biāo))。本實(shí)施形態(tài)中，構(gòu)成如下空間像測(cè)量裝置45(參照?qǐng)D10)在晶片載臺(tái)WST與測(cè)量載臺(tái)MST關(guān)于Y軸方向接近至既定距離以內(nèi)的狀態(tài)(含接觸狀態(tài))下，用各送光系統(tǒng)(未圖標(biāo))引導(dǎo)透射了晶片載臺(tái)WST上的測(cè)量板件30的各空間像測(cè)量狹縫圖案 SL的照明光IL，并通過測(cè)量載臺(tái)MST內(nèi)的各受光系統(tǒng)(未圖標(biāo))的受光元件加以受光。在測(cè)量臺(tái)MTB的-Y側(cè)端面，如圖3所示，在X軸方向上延設(shè)有基準(zhǔn)桿(以下，簡稱為「FD桿」)46。此FD桿46，由全動(dòng)態(tài)裝配構(gòu)造以動(dòng)態(tài)方式支承于測(cè)量載臺(tái)MST上。由于 FD桿46為標(biāo)準(zhǔn)器(測(cè)量基準(zhǔn))，因此作為其材料采用低熱膨脹率的光學(xué)玻璃陶瓷、例如首德公司W(wǎng)krodur (商品名)等。在FD桿46的長邊方向一側(cè)與另一側(cè)端部附近，以相對(duì)中央線CL成對(duì)稱的配置，分別形成有以Y軸方向?yàn)橹芷诜较虻幕鶞?zhǔn)光柵(例如繞射光柵)52。 又，在FD桿46的上面，形成有多個(gè)基準(zhǔn)標(biāo)記M。作為各基準(zhǔn)標(biāo)記M，例如使用可由后述一次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)、二次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)來檢測(cè)的尺寸的2維標(biāo)記。此外，F(xiàn)D桿46的表面及測(cè)量臺(tái)MTB的表面也被撥液膜(撥水膜)所覆蓋。在測(cè)量臺(tái)MTB的+Y側(cè)端面及-X側(cè)端面，形成有與晶片臺(tái)WTB同樣的反射面19a 及反射面19b (參照?qǐng)D3)。本實(shí)施形態(tài)的曝光裝置100，如圖6所示，在前述基準(zhǔn)軸LVtl上，設(shè)有其檢測(cè)中心在從投影單元PU的中心(投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX)往-Y側(cè)相隔既定距離的位置的一次 (primary)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALl。一次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALl固定在未圖示的主機(jī)架下面。夾著一次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1，在X軸方向一側(cè)與另一側(cè)，分別設(shè)有其檢測(cè)中心相對(duì)該基準(zhǔn)軸LVtl配置成大致對(duì)稱的二次(secondary)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)Al^pAU2與AL23、AL24。二次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AU1 AL24，通過未圖示的可動(dòng)式支承構(gòu)件固定在主機(jī)架(未圖標(biāo))下面，可使用驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)Go1Neo4(參照?qǐng)D10)在X軸方向上調(diào)整這些檢測(cè)區(qū)域的相對(duì)位置。又，圖6等所示的通過一次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng) ALl的檢測(cè)中心且與X軸平行的直線(基準(zhǔn)軸)LA，與來自后述干涉儀127的測(cè)長光束B6 的光軸一致。本實(shí)施形態(tài)中，作為各對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)(ALl、AL2i AL24)使用例如圖像處理方式的 FIA (Field Image Alignment，場像對(duì)準(zhǔn))系統(tǒng)。來自各對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALl、AI^1 AU4的攝影信號(hào)，經(jīng)由未圖標(biāo)的信號(hào)處理系統(tǒng)供應(yīng)至主控制裝置20。其次，說明用以測(cè)量晶片載臺(tái)WST及測(cè)量載臺(tái)MST的位置信息的干涉儀系統(tǒng) 118(參照?qǐng)D10)的構(gòu)成等。干涉儀系統(tǒng)118，如圖4所示，包含晶片載臺(tái)WST的位置測(cè)量用的Y干涉儀16、X干涉儀126、127、128、及Z干涉儀43A、43B、以及測(cè)量載臺(tái)MST的位置測(cè)量用的Y干涉儀18及 X干涉儀130等。Y干涉儀16及3個(gè)X干涉儀126、127、128，對(duì)晶片臺(tái)WTB的反射面17a、 17b分別照射干涉儀光束(測(cè)長光束^4 41、842)、85 51、852)、86、87。而后，Y干涉儀 16、及3個(gè)X干涉儀126、127、128，接收各自的反射光，測(cè)量晶片載臺(tái)WST在XY平面內(nèi)的位置信息，將此測(cè)量到的位置信息供應(yīng)至主控制裝置20。此處，例如X干涉儀1 將包含一對(duì)測(cè)長光束B5i、B\ (關(guān)于通過投影光學(xué)系統(tǒng)PL 的光軸AX(本實(shí)施形態(tài)中也與前述曝光區(qū)域IA的中心一致)且與X軸平行的直線(基準(zhǔn)軸LH(參照?qǐng)D5等))成對(duì)稱)的至少3個(gè)與X軸平行的測(cè)長光束照射于反射面17b。又， Y干涉儀16將包含一對(duì)測(cè)長光束B4p B42 (關(guān)于前述基準(zhǔn)軸LVtl成對(duì)稱)及B3 (參照?qǐng)D1) 的至少3個(gè)與Y軸平行的測(cè)長光束照射于反射面17a及后述移動(dòng)鏡41。如前所述，在本實(shí)施形態(tài)中，作為上述各干涉儀，除一部分(例如干涉儀128)外，使用具有多個(gè)測(cè)長軸的多軸干涉儀。因此，主控制裝置20根據(jù)Y干涉儀16、與X干涉儀1 或127的測(cè)量結(jié)果，除了計(jì)算晶片臺(tái)WTB(晶片載臺(tái)WST)的X、Y位置外，還計(jì)算θ χ方向的位置(以下，也適當(dāng)記載為ΘΧ旋轉(zhuǎn)(或ΘΧ旋轉(zhuǎn)量)、或縱搖(或縱搖量))、θ y方向的位置(以下，也適當(dāng)記載為θ y旋轉(zhuǎn)(或θ y旋轉(zhuǎn)量)、或橫搖(或橫搖量))、及θ Z旋轉(zhuǎn)(即偏搖量)。此外，如圖1所示，在載臺(tái)本體91的-Y側(cè)側(cè)面，安裝有具有凹形反射面的移動(dòng)鏡 41。移動(dòng)鏡41，由圖2可知，其X軸方向的長度被設(shè)定為比晶片臺(tái)WTB的反射面17a長。與移動(dòng)鏡41對(duì)向地設(shè)有一對(duì)Z干涉儀43A、43B(參照?qǐng)D1及圖4)。Z干涉儀43A、 43B，經(jīng)由移動(dòng)鏡41對(duì)固定在例如用以支承投影單元PU的主機(jī)架(未圖標(biāo))的固定鏡47A、 47B分別照射2個(gè)測(cè)長光束B1、B2。并分別接收各自的反射光，測(cè)量測(cè)長光束B1、B2的光路長。根據(jù)其結(jié)果，主控制裝置20算出晶片載臺(tái)WST的4自由度(Y、Z、9y、θ ζ)方向的位置。本實(shí)施形態(tài)中，晶片載臺(tái)WST (晶片臺(tái)WTB)在XY平面內(nèi)的位置(含θ ζ方向的旋轉(zhuǎn)信息)，主要是使用后述編碼器系統(tǒng)加以測(cè)量。干涉儀系統(tǒng)118是在晶片載臺(tái)WST位于編碼器系統(tǒng)的測(cè)量區(qū)域外(例如，在圖5等所示的卸載位置UP及裝載位置LP附近)時(shí)使用。 此外，在編碼器系統(tǒng)測(cè)量結(jié)果的長期變動(dòng)(例如因標(biāo)尺的經(jīng)時(shí)變形等造成)的修正(較正) 時(shí)、或編碼器系統(tǒng)的輸出異常時(shí)作為備用等而輔助性地使用。當(dāng)然，也可以并用干涉儀系統(tǒng) 118與編碼器系統(tǒng)，來控制晶片載臺(tái)WST(晶片臺(tái)WTB)的位置。干涉儀系統(tǒng)118的Y干涉儀18、X干涉儀130，如圖4所示，通過對(duì)測(cè)量臺(tái)MTB的反射面19a、19b照射干涉儀光束(測(cè)長光束)并接收各自的反射光，測(cè)量測(cè)量載臺(tái)MST的位置信息(例如，至少包含X軸及Y軸方向的位置、與θ ζ方向的旋轉(zhuǎn)信息)，將該測(cè)量結(jié)果供應(yīng)至主控制裝置20。其次，說明測(cè)量晶片載臺(tái)WST在XY平面內(nèi)的位置信息(含ΘΖ方向的旋轉(zhuǎn)信息) 的編碼器系統(tǒng)150(參照?qǐng)D10)的構(gòu)成等。編碼器系統(tǒng)150的主要構(gòu)成已揭示于例如美國專利申請(qǐng)公開第2008/0088843號(hào)說明書等。在曝光裝置100中，如圖5所示，在嘴單元32的+X側(cè)、+Y側(cè)、-X側(cè)及一次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALl的-Y側(cè)，分別配置有4個(gè)讀頭單元62A、62B、62C及62D。又，在讀頭單元62C、62A各自的-Y側(cè)、且與一次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALl大致相同的Y位置，分別設(shè)有讀頭單元62E、62F。讀頭單元62A 62F，通過支承構(gòu)件，以懸吊狀態(tài)固定于保持投影單元PU的主機(jī)架(未圖標(biāo))。讀頭單元62A，如圖6所示，配置在嘴單元32的+X側(cè)，具備沿X軸方向以間隔TO 配置在前述基準(zhǔn)軸LH上的多個(gè)(此處為4個(gè))Y讀頭6 655、以及配置在從基準(zhǔn)軸LH 向-Y方向相距既定距離的嘴單元32的-Y側(cè)位置的Y讀頭65lt)此處，Y讀頭65^6 的X 軸方向的間隔也被設(shè)定為與WD大致相等。讀頭單元62C，如圖6所示，構(gòu)成為與讀頭單元 62A成左右對(duì)稱，且配置為關(guān)于前述基準(zhǔn)軸LVtl成對(duì)稱。讀頭單元62C具備關(guān)于基準(zhǔn)軸LVtl 與Y讀頭6 65:成對(duì)稱配置的5個(gè)Y讀頭64: 645。以下，適當(dāng)?shù)貙讀頭65: 655、 64! 645分別還記載為Y讀頭65、64。讀頭單元62A構(gòu)成使用前述Y標(biāo)尺39A測(cè)量晶片載臺(tái)WST (晶片臺(tái)WTB)在Y軸方向的位置(Y位置)的多眼(此處為5眼)Y線性編碼器(以下，適當(dāng)?shù)暮喎Q為「Y編碼器」 或「編碼器」)70A(參照?qǐng)D10)。同樣地，讀頭單元62C構(gòu)成使用前述Y標(biāo)尺3OT2測(cè)量晶片載臺(tái)WST (晶片臺(tái)WTB)的Y位置的多眼(此處為5眼)Y編碼器70C(參照?qǐng)D10)。此處，讀頭單元62C、62A分別具備的5個(gè)Y讀頭64i、6\(i、j = 1 幻中相鄰的Y讀頭(正確而言，是各Y讀頭所發(fā)出的測(cè)量光束在標(biāo)尺上的照射點(diǎn))在X軸方向的間隔WD，被設(shè)定為比Y 標(biāo)尺3講2、391在乂軸方向的寬度(正確而言，是光柵線38的長度)稍微窄。因此，在曝光時(shí)等，各5個(gè)Y讀頭65」、6<中，至少有各1個(gè)讀頭總是與對(duì)應(yīng)的Y標(biāo)尺39Yp3OT2對(duì)向。讀頭單元62B，如圖6所示，配置在嘴單元32 (投影單元PU)的+Y側(cè)，具備在前述基準(zhǔn)軸LVtl上沿Y軸方向以間隔WD配置的多個(gè)、此處為4個(gè)X讀頭6 668。此外，讀頭單元62D配置在一次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALl的-Y側(cè)，具備在基準(zhǔn)軸LVtl上以間隔WD配置的多個(gè)、此處為4個(gè)X讀頭66i 664。以下，適當(dāng)?shù)貙讀頭66i 6 還記載為X讀頭66。讀頭單元62B構(gòu)成使用前述X標(biāo)尺39 測(cè)量晶片載臺(tái)WST (晶片臺(tái)WTB)在X軸方向的位置(X位置)的多眼(此處為4眼)X線性編碼器(以下，簡稱「X編碼器」或「編碼器」)70B (參照?qǐng)D10)。又，讀頭單元62D構(gòu)成使用前述X標(biāo)尺39 測(cè)量晶片載臺(tái)WST (晶片臺(tái)WTB)的X位置的多眼(此處為4眼)X線性編碼器70D(參照?qǐng)D10)。此處，讀頭單元62B、62D所分別具備的4個(gè)X讀頭66: 664、6化 6 中、相鄰接的X讀頭66(正確而言，X讀頭所發(fā)出的測(cè)量光束在標(biāo)尺上的照射點(diǎn))在Y軸方向的間隔WD，被設(shè)定為比前述X標(biāo)尺39)^39 的Y軸方向?qū)挾?正確而言，是光柵線37的長度) 窄。因此，在曝光時(shí)或晶片對(duì)準(zhǔn)時(shí)等，讀頭單元62B、62D分別具備的各4個(gè)X讀頭66、即8 個(gè)X讀頭66中的至少1個(gè)讀頭，總是與對(duì)應(yīng)的X標(biāo)尺39 或39 對(duì)向。又，讀頭單元62B 中的最靠近-Y側(cè)的X讀頭6 與讀頭單元62D中的最靠近+Y側(cè)的X讀頭664間的間隔，被設(shè)定為比晶片臺(tái)WTB的Y軸方向?qū)挾日?，以由于晶片載臺(tái)WST在Y軸方向的移動(dòng)，而能在該 2個(gè)X讀頭間進(jìn)行切換(連接)。讀頭單元62E，如圖6所示，配置在二次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AU1的-X側(cè)，具備在前述基準(zhǔn)軸 LA上以和間隔WD大致相同間隔配置的3個(gè)Y讀頭67i 673、以及從基準(zhǔn)軸LA向+Y方向相距既定距離配置于二次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AI^1的+Y側(cè)的Y讀頭674。此處，Y讀頭673、674間的X 軸方向間隔也設(shè)定為WD。以下，將Y讀頭67i 674還適當(dāng)?shù)赜涊d為Y讀頭67。讀頭單元62F，關(guān)于前述基準(zhǔn)軸LVtl,與讀頭單元62E為對(duì)稱，具備與上述4個(gè)Y讀頭674 67i關(guān)于基準(zhǔn)軸LVtl成對(duì)稱配置的4個(gè)Y讀頭GS1 684。以下，將Y讀頭GS1 684 還適當(dāng)?shù)赜涊d為Y讀頭68。在后述對(duì)準(zhǔn)動(dòng)作之際等，Y讀頭67p、6\(p、q= 1 4)中的至少各1個(gè)會(huì)分別對(duì)向于Y標(biāo)尺3OT2、39Ylt)由該Y讀頭67p、6\( SP，由這些Y讀頭67p、6\構(gòu)成的Y編碼器70E、 70F)測(cè)量晶片載臺(tái)WST的Y位置(及θ ζ旋轉(zhuǎn))。又，本實(shí)施形態(tài)中，在后述二次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的基準(zhǔn)線測(cè)量時(shí)等，與二次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng) AL21,AL24在X軸方向上相鄰的Y讀頭673、682，分別與FD桿46的一對(duì)基準(zhǔn)光柵52對(duì)向，通過與該一對(duì)基準(zhǔn)光柵52對(duì)向的Y讀頭673、682，以各基準(zhǔn)光柵52的位置測(cè)量出FD桿46的 Y位置。以下，將由分別對(duì)向于一對(duì)基準(zhǔn)光柵52的Y讀頭673、6&構(gòu)成的編碼器稱為Y編碼器70E2、70F2，并為與此識(shí)別，而將由對(duì)向于前述Y標(biāo)尺3OT2、39Yi的Y讀頭67、68構(gòu)成的 Y編碼器70E、70F，稱為Y編碼器TOE1^OF10上述編碼器70A 70F的測(cè)量值被供應(yīng)至主制裝置20，主控制裝置20根據(jù)編碼器 70A 70D中的3個(gè)、或70B.70D,TOE1^OF1中的3個(gè)的測(cè)量值，控制晶片載臺(tái)WST的XY平面內(nèi)位置，并根據(jù)編碼器70E2、70F2W測(cè)量值，控制FD桿46(測(cè)量載臺(tái)MST)的θζ方向旋轉(zhuǎn)(偏搖)。又，圖5中，省略了測(cè)量載臺(tái)MST的圖示，且由保持在測(cè)量載臺(tái)MST與前端透鏡191 之間的水Lq形成的液浸區(qū)域用符號(hào)14加以顯示。此外，圖5中，符號(hào)UP、LP分別表示關(guān)于基準(zhǔn)軸LVtl設(shè)定成對(duì)稱的、進(jìn)行從晶片臺(tái)WTB卸下晶片的卸載位置、以及進(jìn)行往晶片臺(tái)WTB 上裝載晶片的裝載位置。又，也可將卸載位置UP與裝載位置LP設(shè)定為同一位置。本實(shí)施形態(tài)的曝光裝置100，如圖5及圖7所示，設(shè)有與例如美國專利第 5，448，332號(hào)說明書等所揭示的相同構(gòu)成的、由照射系統(tǒng)90a及受光系統(tǒng)90b構(gòu)成的斜入射方式的多點(diǎn)焦點(diǎn)位置檢測(cè)系統(tǒng)(以下，簡稱為「多點(diǎn)AF系統(tǒng)」)90。本實(shí)施形態(tài)中，作為其一例，在前述讀頭單元62E的-X端部的+Y側(cè)配置照射系統(tǒng)90a，并以與其相對(duì)的狀態(tài)在前述讀頭單元62F的+X端部的+Y側(cè)配置受光系統(tǒng)90b。又，多點(diǎn)AF系統(tǒng)90被固定在用以保持前述投影單元PU的主機(jī)架下面。此多點(diǎn)AF系統(tǒng)90 (90a、90b)的多個(gè)檢測(cè)點(diǎn)，沿X軸方向以既定間隔配置在被檢測(cè)面上。本實(shí)施形態(tài)中，多個(gè)檢測(cè)點(diǎn)例如配置成一行M列(M為檢測(cè)點(diǎn)的總數(shù))或2行N列(N = M/2)的矩陣狀。圖5及圖7中，并未個(gè)別圖示檢測(cè)光束分別照射的多個(gè)檢測(cè)點(diǎn)，而顯示成在照射系統(tǒng)90a及受光系統(tǒng)90b之間延伸于X軸方向的細(xì)長檢測(cè)區(qū)域(光束區(qū)域)AF。 由于此檢測(cè)區(qū)域AF在X軸方向的長度被設(shè)定成與晶片W的直徑同程度，因此通過僅在Y軸方向掃描晶片W —次，即能測(cè)量晶片W的大致全面的Z軸方向位置信息(面位置信息)。如圖7所示，多點(diǎn)AF系統(tǒng)90 (90a、90b)的檢測(cè)區(qū)域AF兩端部附近，以關(guān)于基準(zhǔn)軸 LVtl成對(duì)稱的配置，設(shè)有各一對(duì)的Z位置測(cè)量用面位置傳感器的讀頭(以下，簡稱為「Z讀頭」)72a、72b及72c、72d。Z讀頭7 72d固定在未圖標(biāo)的主機(jī)架下面。作為Z讀頭7 72d，使用與例如在⑶驅(qū)動(dòng)裝置等中所使用的光拾取器(pick up)相同的光學(xué)式變位傳感器的讀頭。Z讀頭7 72d從上方對(duì)晶片臺(tái)WTB照射測(cè)量光束，接收其反射光來測(cè)量晶片臺(tái)WTB在照射點(diǎn)的面位置。又，本實(shí)施形態(tài)中，Z讀頭的測(cè)量光束采用可被構(gòu)成前述Y標(biāo)尺39Yi、3OT2的反射型繞射光柵反射的構(gòu)成。進(jìn)而，前述讀頭單元62A、62C，如圖6及圖7所示，在與各自具備的5個(gè)Y讀頭65」、 64,(1, j = 1 5)相同的X位置、但錯(cuò)開Y位置處，分別具備5個(gè)Z讀頭76j、74i(i、j = 1 5)。此處，分別屬于讀頭單元62A、62C的外側(cè)的3個(gè)Z讀頭763 765、71 743，從基準(zhǔn)軸LH往+Y方向相隔既定距離配置成與基準(zhǔn)軸LH平行。又，分別屬于讀頭單元62A、62C 的最內(nèi)側(cè)的Z讀頭76ρ745配置在投影單元PU的+Y側(cè)，其余Z讀頭762、744則分別配置在 Y讀頭652、644的-Y側(cè)。此外，分別屬于讀頭單元62A、62C的5個(gè)Z讀頭76」、74 ;配置成彼此相對(duì)基準(zhǔn)軸LVtl成對(duì)稱。再者，作為各Z讀頭76p74i，采用與前述Z讀頭7 72d相同的光學(xué)式變位傳感器的讀頭。讀頭單元62A、62C分別具備的5個(gè)Z讀頭76」、7<中、相鄰Z讀頭(正確而言，各Z 讀頭發(fā)出的測(cè)量光束在標(biāo)尺上的照射點(diǎn))的X軸方向的間隔，被設(shè)定為與Y讀頭65、64的X 軸方向的間隔WD相等。因此，在曝光時(shí)等，與Y讀頭65」、6<同樣地，各5個(gè)的Z讀頭76」、 74,中、至少各有1個(gè)總是與對(duì)應(yīng)的Y標(biāo)尺39Yp3OT2對(duì)向。上述Z讀頭72a 72CU71 745、76i 765，如圖10所示，通過信號(hào)處理選擇裝置160連接于主控制裝置20。主控制裝置20通過信號(hào)處理選擇裝置160，從Z讀頭7 72(1,7^ 745、76i 765中選擇任意的Z讀頭使其為工作狀態(tài)，并通過信號(hào)處理選擇裝置160接收該呈工作狀態(tài)的Z讀頭所檢測(cè)出的面位置信息。本實(shí)施形態(tài)中，包含Z讀頭7 72(1,7^ 745、76i 765、以及信號(hào)處理選擇裝置160構(gòu)成用以測(cè)量晶片載臺(tái)WST的Z軸方向及相對(duì)XY平面的傾斜方向的位置信息的面位置測(cè)量系統(tǒng)180。再者，本實(shí)施形態(tài)的曝光裝置100，如圖5所示，在多點(diǎn)AF系統(tǒng)的檢測(cè)區(qū)域(光束區(qū)域)AF與讀頭單元62C、62A之間，配置有延伸于X軸方向的周邊曝光單元51。周邊曝光單元51，通過未圖示的支承構(gòu)件以懸吊狀態(tài)支承于未圖標(biāo)的主機(jī)架下面。周邊曝光單元51具有射出與照明光IL大致同一波長的光的未圖示的光源、以及射入來自該光源的光的周邊曝光用主動(dòng)掩模(以下，適宜地簡稱為主動(dòng)掩模)51a(參照?qǐng)D 8)。又，取代來自光源的光，例如也可使用光纖將照明光IL導(dǎo)至主動(dòng)掩模51a。周邊曝光單元51 (主動(dòng)掩模51a)，如圖5所示，其長度被設(shè)定為比晶片W的直徑長一些。主動(dòng)掩模51a，舉一例而言，如圖8所示，在X軸方向兩端具有一對(duì)可變成形掩模 VM1、VM2。作為各可變成形掩模VM1、VM2，舉一例而言，使用包含在XY平面內(nèi)配置成矩陣狀的多個(gè)微反射鏡虬“參照?qǐng)D9(A)、圖9(B))的微反射鏡陣列。此微反射鏡陣列是在以CMOS 工藝制作的集成電路上以MEMS技術(shù)形成可動(dòng)式的微反射鏡而成的。各微反射鏡Mu，可使鏡面(反射面)繞既定軸(例如與微反射鏡的對(duì)角線一致的軸)傾斜既定角度范圍士 θ (θ 為例如3度(或12度))，并通過驅(qū)動(dòng)設(shè)置在鏡面下部的電極而具有「ON」(-Θ)與「OFF」 (+θ)的2個(gè)狀態(tài)。即，各可變成形掩模具備作為基部的基板、形成在該基板上的可動(dòng)式微反射鏡Mu、以及使各微反射鏡ON、OFF的電極。各微反射鏡Mu，根據(jù)供應(yīng)至電極的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，舉一例而言，設(shè)定為如圖9(A)所示的將來自光源的光朝向晶片W反射的狀態(tài)(或姿勢(shì))、與如圖9(B)所示的將來自光源的光朝向不射入晶片W的既定方向反射的狀態(tài)(或姿勢(shì))的任一者。以下，將前者稱為微反射鏡Mij的ON狀態(tài)(或ON姿勢(shì))、將后者稱為微反射鏡Mi,」的OFF狀態(tài)(或OFF姿勢(shì))。主控制裝置20，將各微反射鏡Mij單獨(dú)地控制成ON狀態(tài)(或ON姿勢(shì))及OFF狀態(tài) (或OFF姿勢(shì))的任一者。因此，根據(jù)本實(shí)施形態(tài)的周邊曝光單元51，在晶片W的X軸方向中心與周邊曝光單元51的長邊方向中心大致一致的狀態(tài)下，使晶片載臺(tái)WST移動(dòng)于Y軸方向，由此能使晶片W的X軸方向兩端部附近的任意位置曝光而形成任意圖案。S卩，周邊曝光單元51，可形成用以使在X軸方向上分離的周邊曝光的2個(gè)照射區(qū)域，且至少能在X軸方向上變更其位置。圖10中，顯示了曝光裝置100的控制系統(tǒng)的主要構(gòu)成。此控制系統(tǒng)是以由統(tǒng)籌控制裝置全體的微電腦(或工作站)組成的主控制裝置20為中心構(gòu)成。又，圖10中，前述照度不均傳感器94、空間像測(cè)量器96及波面像差測(cè)量器98等，設(shè)于測(cè)量載臺(tái)MST的各種傳感器集中顯示為傳感器群99。其次，根據(jù)圖14 圖M說明本實(shí)施形態(tài)的曝光裝置100中、使用晶片載臺(tái)WST與測(cè)量載臺(tái)MST的并行處理動(dòng)作。又，以下的動(dòng)作中，由主控制裝置20以前述方式進(jìn)行局部液浸裝置8的液體供應(yīng)裝置5及液體回收裝置6的各閥的開閉控制，投影光學(xué)系統(tǒng)PL的前端透鏡191的射出面?zhèn)瓤偸潜凰錆M。然而，以下為使說明易于理解，省略了關(guān)于液體供應(yīng)裝置5及液體回收裝置6的控制的說明。此外，以下的動(dòng)作說明是使用多個(gè)圖進(jìn)行，但各圖的相同構(gòu)件上，有的附有符號(hào)、有的則未附有符號(hào)。即，各圖中，記載的符號(hào)雖有不同，但不
27論有無符號(hào)，這些圖都是相同構(gòu)成。以上說明所使用的各圖也同樣。此處，在并行處理動(dòng)作的說明之前，先說明成為曝光對(duì)象的晶片W上形成的照射區(qū)域的尺寸及排列，即說明晶片W的照射圖(shot map)等。圖11中顯示了晶片W的俯視圖。晶片W的涂有抗蝕劑的有效曝光區(qū)域(圖11中是對(duì)應(yīng)圓形外形的內(nèi)部區(qū)域)被區(qū)劃為多數(shù)個(gè)照射區(qū)域Sj (圖11中，j = 1 76)。舉一例而言，照射區(qū)域Sj是將分別形成2 個(gè)同一器件(芯片)的2個(gè)照射區(qū)域。本實(shí)施形態(tài)中，假設(shè)在圖12中涂黑的16個(gè)照射區(qū)域(S2、S4、S6、S18、S20、S22、 S24、S26、S51、S53、S55、S57、S59、S71、S73、S75)被操作員指定為晶片對(duì)準(zhǔn)(EGA =Enhanced Global Alignment)的取樣照射區(qū)域(對(duì)準(zhǔn)照射區(qū)域)。上述16個(gè)取樣照射區(qū)域之中、3個(gè)照射區(qū)域(S71、S73、S75)是第1 (first)對(duì)準(zhǔn)照射區(qū)域、5個(gè)照射區(qū)域(S51、S53、S55、S57、 S59)是第2 (second)對(duì)準(zhǔn)照射區(qū)域、5個(gè)照射區(qū)域(S18、S20、S22、S24、S26)是第3 (third) 對(duì)準(zhǔn)照射區(qū)域、3個(gè)照射區(qū)域(S2、S4、S6)是第4(fourth)對(duì)準(zhǔn)照射區(qū)域。又，本實(shí)施形態(tài)中，如圖13所示，晶片W的12個(gè)周邊照射區(qū)域(Si、S7、S8、S16、 S17、S27、S50、S60、S61、S69、S70、S76)中的晶片 W 的邊緣側(cè)的一半?yún)^(qū)域(Sla、S7a、S8a、 S16a、S17a、S27a、S50a、S60a、S61a、S69a、S70a、S76a)，分別為周邊曝光的對(duì)象區(qū)域(以下， 稱周邊曝光區(qū)域)。以下所說明的使用兩個(gè)載臺(tái)WST、MST的并行處理動(dòng)作，除了關(guān)于周邊曝光的部分外，全體都是以和例如國際公開第2007/097379號(hào)小冊(cè)子(及與此對(duì)應(yīng)的美國專利申請(qǐng)公開第2008/0088843號(hào)說明書)所揭示的并行處理動(dòng)作相同的順序進(jìn)行。圖14中，顯示了對(duì)晶片載臺(tái)WST上所載置的晶片W進(jìn)行步進(jìn)掃描方式的曝光的狀態(tài)。此曝光，是根據(jù)開始前所進(jìn)行的晶片對(duì)準(zhǔn)(EGA Enhanced Global Alignment)等的結(jié)果，反復(fù)進(jìn)行如下動(dòng)作來進(jìn)行將晶片載臺(tái)WST移動(dòng)至為了進(jìn)行晶片W上各照射區(qū)域的曝光的掃描開始位置(加速開始位置)的照射間移動(dòng)、以及以掃描曝光方式將形成于標(biāo)線片 R的圖案轉(zhuǎn)印至各照射區(qū)域的掃描曝光。此外，曝光是以從位于晶片W上的-Y側(cè)的照射區(qū)域、至位于+Y側(cè)的照射區(qū)域的順序進(jìn)行。又，是在投影單元PU與晶片W之間形成有液浸區(qū)域14的狀態(tài)下進(jìn)行。上述曝光中，晶片載臺(tái)WST的XY平面內(nèi)位置(含ΘΖ方向的位置(ΘΖ旋轉(zhuǎn)))，是由主控制裝置20根據(jù)2個(gè)Y編碼器70A、70C與2個(gè)X編碼器70B、70D中的一方的合計(jì)3 個(gè)編碼器的測(cè)量結(jié)果加以控制。此處，2個(gè)X編碼器70B、70D是由分別對(duì)向于X標(biāo)尺39&、 39 的2個(gè)X讀頭66所構(gòu)成，2個(gè)Y編碼器70A、70C則由分別對(duì)向于Y標(biāo)尺的Y 讀頭65、64所構(gòu)成。此外，晶片載臺(tái)WST的Z位置與旋轉(zhuǎn)(橫搖)，是根據(jù)由分別對(duì)向于晶片臺(tái)WTB表面的X軸方向一側(cè)與另一側(cè)端部的、分別屬于讀頭單元62C、62A的Z讀頭 74,.76,.的測(cè)量值加以控制。晶片載臺(tái)WST的θ χ旋轉(zhuǎn)(縱搖)是根據(jù)Y干涉儀16的測(cè)量值加以控制。又，在包含Z讀頭74i、76j的3個(gè)以上的Z讀頭對(duì)向于晶片臺(tái)WTB的第2撥水板28b表面的情形時(shí)，也可根據(jù)Z讀頭74”76」及其它1個(gè)Z讀頭的測(cè)量值，控制晶片載臺(tái) WST的Z軸方向位置、θ y旋轉(zhuǎn)(橫搖)及θ x旋轉(zhuǎn)(縱搖)。無論如何，晶片載臺(tái)WST的 Z軸方向位置、θ y旋轉(zhuǎn)及θ χ旋轉(zhuǎn)的控制(即晶片W的焦點(diǎn)調(diào)平控制)是根據(jù)事先進(jìn)行的焦點(diǎn)映射的結(jié)果進(jìn)行的。在圖14所示的晶片載臺(tái)WST的位置處，雖有X讀頭665(圖14中以圓圈圍繞顯示)對(duì)向于X標(biāo)尺39 ，卻無對(duì)向于X標(biāo)尺39 的X讀頭66。因此，主控制裝置20，使用1個(gè)X 編碼器70B與2個(gè)Y編碼器70A、70C來實(shí)施晶片載臺(tái)WST的位置(Χ、Υ、θ ζ)控制。此處， 當(dāng)晶片載臺(tái)WST從圖14所示位置往-Y方向移動(dòng)時(shí)，X讀頭6 脫離X標(biāo)尺39 (不再對(duì)向)，取而代之，X讀頭664(圖14中以虛線的圓圍繞顯示)對(duì)向于X標(biāo)尺39 。因此，主控制裝置20切換為使用1個(gè)X編碼器70D與2個(gè)Y編碼器70A、70C的晶片載臺(tái)WST的位置 (及速度)控制(以下，適當(dāng)?shù)胤Q載臺(tái)控制)。此外，當(dāng)晶片載臺(tái)WST位于如圖14所示的位置時(shí)，Z讀頭743、763(圖14中以圓圈圍繞顯示)分別對(duì)向于Y標(biāo)尺3OT2、39Ylt)因此，主控制裝置20，使用Z讀頭743、7~實(shí)施晶片載臺(tái)WST的位置(Ζ、θ y)控制。此處，當(dāng)晶片載臺(tái)WST從圖14所示位置往+X方向移動(dòng)時(shí)，Z讀頭743、7~脫離對(duì)應(yīng)的Y標(biāo)尺，取而代之，Z讀頭744、764(圖中以虛線圓圈圍繞顯示)分別對(duì)向于Y標(biāo)尺39Y2、39Ylt)于是，主控制裝置20切換為使用Z讀頭744、7~的載臺(tái)控制。如前所述，主控制裝置20，根據(jù)晶片載臺(tái)WST的位置坐標(biāo)，不停地切換所使用的編碼器與Z讀頭，來進(jìn)行載臺(tái)控制。又，與使用上述測(cè)量器類的晶片載臺(tái)WST的位置測(cè)量分開獨(dú)立地，總是進(jìn)行使用干涉儀系統(tǒng)118的晶片載臺(tái)WST的位置(X、Y、Ζ、θ χ、θ y、θ ζ)測(cè)量。此處，使用構(gòu)成干涉儀系統(tǒng)118的X干涉儀1沈、127或1 測(cè)量晶片載臺(tái)WST的X位置與θ ζ旋轉(zhuǎn)量(偏搖量)，使用Y干涉儀16測(cè)量Y位置、θ χ旋轉(zhuǎn)量及θ ζ旋轉(zhuǎn)量，使用Z干涉儀43Α、4!3Β測(cè)量Y 位置、Z位置、θ y旋轉(zhuǎn)量及θ ζ旋轉(zhuǎn)量。X干涉儀126、127及128，是根據(jù)晶片載臺(tái)WST的 Y位置而使用任意1個(gè)。在曝光中，如圖14所示，使用X干涉儀126。干涉儀系統(tǒng)118的測(cè)量結(jié)果，除了縱搖量(9 1旋轉(zhuǎn)量)外，輔助性地、或在后述備用(back up)時(shí)、或者無法進(jìn)行使用編碼器系統(tǒng)150及/或面位置測(cè)量系統(tǒng)180的測(cè)量時(shí)等，利用于晶片載臺(tái)WST的位置控制。當(dāng)晶片W的曝光結(jié)束時(shí)，主控制裝置20將晶片載臺(tái)WST朝向卸載位置UP驅(qū)動(dòng)。此時(shí)，在曝光中原本彼此分離的晶片載臺(tái)WST與測(cè)量載臺(tái)MST，會(huì)接觸或隔著300 μ m程度的分離距離而接近，移至并列(scrum)狀態(tài)。此處，測(cè)量臺(tái)MTB上的FD桿46的-Y側(cè)面與晶片臺(tái)WTB的+Y側(cè)面接觸或接近。在保持此并列狀態(tài)的情形下，兩載臺(tái)WST、MST往-Y方向移動(dòng)，由此，形成在投影單元PU下的液浸區(qū)域14移動(dòng)至測(cè)量載臺(tái)MST上。例如圖15、圖16 中顯示了移動(dòng)后的狀態(tài)。當(dāng)晶片載臺(tái)WST進(jìn)一步往-Y方向移動(dòng)而脫離有效行程區(qū)域(晶片載臺(tái)WST在曝光時(shí)及晶片對(duì)準(zhǔn)時(shí)移動(dòng)的區(qū)域)時(shí)，構(gòu)成編碼器系統(tǒng)150的所有X讀頭、Y讀頭及面位置測(cè)量系統(tǒng)180的所有Z讀頭會(huì)脫離晶片臺(tái)WTB上的對(duì)應(yīng)的標(biāo)尺。因此，無法進(jìn)行根據(jù)編碼器系統(tǒng)150及面位置測(cè)量系統(tǒng)180的測(cè)量結(jié)果的載臺(tái)控制。因此，主控制裝置20在無法進(jìn)行根據(jù)編碼器系統(tǒng)150及面位置測(cè)量系統(tǒng)180的測(cè)量結(jié)果的載臺(tái)控制之前一刻，從根據(jù)兩系統(tǒng)150、180的測(cè)量結(jié)果的載臺(tái)控制切換為根據(jù)干涉儀系統(tǒng)118的測(cè)量結(jié)果的載臺(tái)控制。此處，使用3個(gè)X干涉儀126、127、128中的X干涉儀128。之后，圖15所示，晶片載臺(tái)WST解除與測(cè)量載臺(tái)MST的并列狀態(tài)，移動(dòng)至卸載位置 UP。移動(dòng)后，主控制裝置20將晶片臺(tái)WTB上的晶片W卸下。接著，主控制裝置20，如圖16 所示，將晶片載臺(tái)WST驅(qū)動(dòng)于+X方向使其移動(dòng)至裝載位置LP，在晶片臺(tái)WTB上裝載下一晶片W。與這些動(dòng)作并行地，主控制裝置20實(shí)施進(jìn)行如下動(dòng)作的kc-BCHK ( 二次基準(zhǔn)線檢查)被測(cè)量載臺(tái)MST支承的FD桿46在XY平面內(nèi)的位置調(diào)整、與4個(gè)二次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AU1 ΑΙΛ的基準(zhǔn)線測(cè)量。Sec-BCHK是在每次晶片更換時(shí)間歇性地進(jìn)行。此處，為測(cè)量FD桿46 的02旋轉(zhuǎn)量，使用前述￥編碼器70&、7(^2。其次，主控制裝置20，如圖17所示，驅(qū)動(dòng)晶片載臺(tái)WST，將測(cè)量板件30上的基準(zhǔn)標(biāo)記FM定位于一次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALl的檢測(cè)視野內(nèi)，進(jìn)行用以決定對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1、AI^ ΑΙΛ的基準(zhǔn)線測(cè)量的基準(zhǔn)位置的Pri-BCHK(—次基準(zhǔn)線檢查)的前半處理。此時(shí)，如圖17所示，2個(gè)Y讀頭6&、673與1個(gè)X讀頭66i(圖中以圓圈圍繞顯示) 分別與Y標(biāo)尺39Yp3OT2與X標(biāo)尺39 對(duì)向。于是，主控制裝置20從干涉儀系統(tǒng)118切換為使用編碼器系統(tǒng)150(編碼器70EP70FP70D)的載臺(tái)控制。除晶片載臺(tái)WST的θ x旋轉(zhuǎn)量的測(cè)量外，再次輔助性地使用干涉儀系統(tǒng)118。又，使用3個(gè)X干涉儀126、127、128中的 X干涉儀127。其次，主控制裝置20根據(jù)上述3個(gè)編碼器的測(cè)量值，一邊管理晶片載臺(tái)WST的位置、一邊開始晶片載臺(tái)WST往+Y方向的移動(dòng)，以移動(dòng)至用以檢測(cè)3個(gè)第1對(duì)準(zhǔn)照射區(qū)域中所附設(shè)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置。于是，當(dāng)晶片載臺(tái)WST到達(dá)圖18所示位置時(shí)，主控制裝置20使晶片載臺(tái)WST停止。 在此之前，主控制裝置20在Z讀頭7 72d的全部或一部分與晶片臺(tái)WTB對(duì)向的時(shí)間點(diǎn)或之前的時(shí)間點(diǎn)，使這些Z讀頭7 72d工作(ON)，開始晶片載臺(tái)WST的Z位置及傾斜量 (07旋轉(zhuǎn)量)的測(cè)量。晶片載臺(tái)WST停止后，主控制裝置20使用一次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1、二次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL22、 AL23，大致同時(shí)且單獨(dú)地檢測(cè)附設(shè)于3個(gè)第1對(duì)準(zhǔn)照射區(qū)域的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(參照?qǐng)D18中的星標(biāo)記)，將上述3個(gè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1、AU2、AL23的檢測(cè)結(jié)果與該檢測(cè)時(shí)上述3個(gè)編碼器的測(cè)量值關(guān)聯(lián)起來儲(chǔ)存于未圖標(biāo)的內(nèi)存中。如上所述，本實(shí)施形態(tài)中，在進(jìn)行第1對(duì)準(zhǔn)照射區(qū)域的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記檢測(cè)的位置處，完成向測(cè)量載臺(tái)MST與晶片載臺(tái)WST的接觸狀態(tài)(或接近狀態(tài))的移行，從該位置起，由主控制裝置20開始在該接觸狀態(tài)(或接近狀態(tài))下的兩載臺(tái)WST、MST往+Y方向的移動(dòng)(朝向用以檢測(cè)5個(gè)第2對(duì)準(zhǔn)照射區(qū)域中所附設(shè)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置的步進(jìn)移動(dòng))。在此兩載臺(tái) WST、MST往+Y方向的移動(dòng)開始前，主控制裝置20，如圖18所示，開始多點(diǎn)AF系統(tǒng)(90a、90b) 的檢測(cè)光束對(duì)晶片臺(tái)WTB的照射。據(jù)此，在晶片臺(tái)WTB上形成多點(diǎn)AF系統(tǒng)的檢測(cè)區(qū)域。于是，在上述兩載臺(tái)WST、MST往+Y方向的移動(dòng)中，當(dāng)兩載臺(tái)WST、MST到達(dá)圖19所示位置時(shí)，主控制裝置20進(jìn)行用以求出在晶片臺(tái)WTB的中央線與基準(zhǔn)軸LVtl —致狀態(tài)下的 Z讀頭72a、72b、72c、72d的測(cè)量值(晶片臺(tái)WTB在X軸方向的一側(cè)與另一側(cè)端部的面位置信息)、與由多點(diǎn)AF系統(tǒng)(90a、90b)所測(cè)得的測(cè)量板件30表面的檢測(cè)結(jié)果(面位置信息) 的關(guān)系的、焦點(diǎn)校準(zhǔn)(calibration)的前半處理。此時(shí)，液浸區(qū)域14形成在FD桿46上面。接著，當(dāng)兩載臺(tái)WST、MST在保持接觸狀態(tài)(或接近狀態(tài))的情形下進(jìn)一步往+Y方向移動(dòng)，到達(dá)圖20所示位置時(shí)，使用5個(gè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1、AL2, AL24，大致同時(shí)且單獨(dú)地檢測(cè)(參照?qǐng)D20中的星標(biāo)記)附設(shè)于5個(gè)第2對(duì)準(zhǔn)照射區(qū)域的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，將上述5個(gè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1、AIA ΑΙΛ的檢測(cè)結(jié)果、與該檢測(cè)時(shí)正測(cè)量晶片載臺(tái)WST的XY平面內(nèi)位置的3個(gè)編碼器的測(cè)量值關(guān)聯(lián)起來儲(chǔ)存于未圖標(biāo)的內(nèi)存中。此時(shí)，主控制裝置20，根據(jù)與X標(biāo)尺39 對(duì)向的X讀頭線性編碼器70D)及Y線性編碼器TOE1JOF1的測(cè)量值，控制晶片載臺(tái) WST的XY平面內(nèi)的位置。又，主控制裝置20，在上述5個(gè)第2對(duì)準(zhǔn)照射區(qū)域中所附設(shè)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的檢測(cè)結(jié)束后，再次開始接觸狀態(tài)(或接近狀態(tài))下的兩載臺(tái)WST、MST往+Y方向的移動(dòng)的同時(shí)，如圖20所示，使用Z讀頭7 72d與多點(diǎn)AF系統(tǒng)(90a、90b)，開始用以檢測(cè)晶片W表面在 Z軸方向的位置信息(面位置信息)的焦點(diǎn)映像。接著，在此焦點(diǎn)映射的開始后、至兩載臺(tái)WST、MST到達(dá)圖21所示位置的期間，主控制裝置20，依據(jù)由Y線性編碼器TOE1JOF1所測(cè)量的晶片載臺(tái)WST的Y位置，單獨(dú)地控制構(gòu)成周邊曝光單元51的2個(gè)可變成形掩模VMl、VM2的各微反射鏡Mij的ON、OFF,由此，如圖 25 (A)、圖 25 (B)、圖 25 (C)所示，使周邊曝光區(qū)域 S70a 及 S76a、S61a 及 S69a、S50a 及 S60a 依序曝光。此情況下，主控制裝置20使用周邊曝光單元51，可以使各周邊曝光區(qū)域全面曝光，也可以形成既定圖案。其次，當(dāng)兩載臺(tái)WST、MST到達(dá)圖21所示測(cè)量板件30被配置在投影光學(xué)系統(tǒng)PL正下方的位置時(shí)，主控制裝置20，在不將用于晶片載臺(tái)WST在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸方向的位置(Z位置)控制的Z讀頭切換為Z讀頭74”76」的情形下，在持續(xù)以由Z讀頭72a、72b、 72c、72d所測(cè)量的面位置信息為基準(zhǔn)的晶片載臺(tái)WST (測(cè)量板件30)的Z位置控制的狀態(tài)下，進(jìn)行下述焦點(diǎn)校準(zhǔn)的后半處理。即，主控制裝置20，一邊以使用Z讀頭7 72d測(cè)量的面位置信息為基準(zhǔn)控制測(cè)量板件30 (晶片載臺(tái)WST)在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸方向的位置 (Z位置)、一邊使用空間像測(cè)量裝置45，以例如國際公開第2005/1M834號(hào)小冊(cè)子(及與此對(duì)應(yīng)的美國專利申請(qǐng)公開第2008/030715號(hào)說明書)等所揭示的Z方向掃描測(cè)量方式，測(cè)量標(biāo)線片R或形成在標(biāo)線片載臺(tái)RST上未圖標(biāo)的標(biāo)記板上的測(cè)量標(biāo)記的空間像，根據(jù)該測(cè)量結(jié)果測(cè)定投影光學(xué)系統(tǒng)PL的最佳焦點(diǎn)位置。主控制裝置20，在上述Z方向掃描測(cè)量中， 與擷取來自空間像測(cè)量裝置45的輸出信號(hào)同步地，擷取用以測(cè)量晶片臺(tái)WTB在X軸方向一側(cè)與另一側(cè)端部的面位置信息的一對(duì)Z讀頭743、7~的測(cè)量值。并將對(duì)應(yīng)投影光學(xué)系統(tǒng)PL 的最佳焦點(diǎn)位置的Z讀頭743、7~的值儲(chǔ)存于未圖標(biāo)的內(nèi)存中。又，在焦點(diǎn)校準(zhǔn)的后半處理中，之所以以使用Z讀頭7 72d測(cè)量的面位置信息為基準(zhǔn)，來控制測(cè)量板件30 (晶片載臺(tái)WST)在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸方向的位置(Z位置)，是因?yàn)榻裹c(diǎn)校準(zhǔn)的后半處理在前述焦點(diǎn)映像途中進(jìn)行。又，主控制裝置20相繼于上述焦點(diǎn)校準(zhǔn)的后半處理，進(jìn)行如下的I^ri-BCHK的后半處理。即，主控制裝置20，使用空間像測(cè)量裝置45，和例如美國專利申請(qǐng)公開第 2002/0041377號(hào)說明書等所揭示的方法同樣地，通過使用一對(duì)空間像測(cè)量狹縫圖案SL的狹縫掃描方式的空間像測(cè)量動(dòng)作，分別測(cè)量由投影光學(xué)系統(tǒng)PL投影的標(biāo)線片R上的一對(duì)測(cè)量標(biāo)記的投影像(空間像)，并將該測(cè)量結(jié)果(與晶片臺(tái)WTB的XY位置對(duì)應(yīng)的空間像強(qiáng)度)儲(chǔ)存于內(nèi)存中。在此I^ri-BCHK的后半處理時(shí)，晶片臺(tái)WTB在XY平面內(nèi)的位置是根據(jù)與X標(biāo)尺39 對(duì)向的X讀頭664 (編碼器70D)、以及與Y標(biāo)尺39Yi、39Y2對(duì)向的2個(gè)Y讀頭 673、682 (編碼器TOE1^OF1)(或Y讀頭65」、6< (編碼器70A、70C))加以控制。又，主控制裝置20根據(jù)前述Pri-BCHK的前半處理的結(jié)果與Pri-BCHK的后半處理的結(jié)果，算出一次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALl的基準(zhǔn)線。與此同時(shí)，主控制裝置20根據(jù)前述焦點(diǎn)校準(zhǔn)的前半處理及后半處理的結(jié)果，求出在多點(diǎn)AF系統(tǒng)(90a、90b)的代表性檢測(cè)點(diǎn)處的偏置 (offset)，儲(chǔ)存于內(nèi)部內(nèi)存中。然后，主控制裝置20在曝光時(shí)，在讀出焦點(diǎn)映射的結(jié)果所得的映射信息時(shí)，在該映射信息上加上偏置量。又，在圖21的狀態(tài)下，持續(xù)進(jìn)行前述焦點(diǎn)映射。通過上述接觸狀態(tài)(或接近狀態(tài))下的兩載臺(tái)WST、MST往+Y方向的移動(dòng)，當(dāng)晶片載臺(tái)WST到達(dá)圖22所示位置時(shí)，主控制裝置20使晶片載臺(tái)WST在該位置處停止，且關(guān)于測(cè)量載臺(tái)MST則持續(xù)使其往+Y方向移動(dòng)。接著，主控制裝置20使用5個(gè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALl、 ΑΙΛ ΑΙΛ大致同時(shí)且單獨(dú)地檢測(cè)附設(shè)于5個(gè)第3對(duì)準(zhǔn)照射區(qū)域的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(參照?qǐng)D22 中的星標(biāo)記)，并將上述5個(gè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1、AIA ΑΙΛ的檢測(cè)結(jié)果與該檢測(cè)時(shí)上述3個(gè)編碼器的測(cè)量值關(guān)聯(lián)起來儲(chǔ)存于內(nèi)部內(nèi)存中。又，在此時(shí)間點(diǎn)，也持續(xù)進(jìn)行焦點(diǎn)映射。另一方面，在上述晶片載臺(tái)WST停止起經(jīng)過既定時(shí)間后，測(cè)量載臺(tái)MST與晶片載臺(tái) WST從接觸(或接近狀態(tài))移至分離狀態(tài)。移轉(zhuǎn)為該分離狀態(tài)后，主控制裝置20在測(cè)量載臺(tái)MST到達(dá)等待至曝光開始為止的曝光開始等待位置時(shí)，使其停止于該位置。接著，主控制裝置20開始晶片載臺(tái)WST朝向用以檢測(cè)附設(shè)于3個(gè)第4對(duì)準(zhǔn)照射區(qū)域的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置的往+Y方向的移動(dòng)。此時(shí)，持續(xù)進(jìn)行焦點(diǎn)映射。另一方面，測(cè)量載臺(tái) MST在上述曝光開始等待位置處等待。前述焦點(diǎn)校準(zhǔn)結(jié)束后，兩載臺(tái)WST、MST開始往+Y方向移動(dòng)，在到達(dá)圖23所示位置的期間，主控制裝置20依據(jù)由Y線性編碼器TOE1JOF1所測(cè)量的晶片載臺(tái)WST的Y位置，單獨(dú)地控制構(gòu)成周邊曝光單元51的2個(gè)可變成形掩模VM1、VM2的各微反射鏡Mij的0N、0FF， 由此，如圖25 (D)、圖25 (E)所示，使周邊曝光區(qū)域S17a及S27a、S8a及S16a依序曝光。此情況下，主控制裝置20也可使用周邊曝光單元51，可以使各周邊曝光區(qū)域全面曝光，或可以形成既定圖案。接著，當(dāng)晶片載臺(tái)WST到達(dá)圖23所示位置時(shí)，主控制裝置20立即使晶片載臺(tái)WST 停止，使用一次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1、二次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ΑΙΛ、AL23，大致同時(shí)且單獨(dú)地檢測(cè)附設(shè)于晶片 W上的3個(gè)第4對(duì)準(zhǔn)照射區(qū)域的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(參照?qǐng)D23中的星標(biāo)記)，將上述3個(gè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng) AL1、AL22、AL23的檢測(cè)結(jié)果與該檢測(cè)時(shí)4個(gè)編碼器(例如7(^、70氏、7( 、700)中的3個(gè)編碼器的測(cè)量值關(guān)聯(lián)起來儲(chǔ)存于未圖標(biāo)的內(nèi)存中。在此時(shí)間點(diǎn)，焦點(diǎn)映射也是持續(xù)進(jìn)行的，測(cè)量載臺(tái)MST則在上述曝光開始等待位置處維持等待狀態(tài)。接著，主控制裝置20使用以此方式所得的合計(jì)16個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的檢測(cè)結(jié)果和所對(duì)應(yīng)的編碼器的測(cè)量值，進(jìn)行例如日本特開昭61-0444 號(hào)公報(bào)等所揭示的統(tǒng)計(jì)運(yùn)算，算出晶片W上所有照射區(qū)域在由編碼器系統(tǒng)的上述4個(gè)編碼器TOE1JOE2JOBJOD的測(cè)量軸所規(guī)定的坐標(biāo)系統(tǒng)上的排列信息(坐標(biāo)值)。其次，主控制裝置20，一邊使晶片載臺(tái)WST再次往+Y方向移動(dòng)、一邊持續(xù)進(jìn)行焦點(diǎn)映射。在此晶片載臺(tái)WST往+Y方向的移動(dòng)中，主控制裝置20依據(jù)由Y線性編碼器70Ei、 TOF1所測(cè)量的晶片載臺(tái)WST的Y位置，單獨(dú)地控制構(gòu)成周邊曝光單元51的2個(gè)可變成形掩模VMl、VM2的各微反射鏡Mij的ON、OFF,由此，如圖25 (F)所示，使周邊曝光區(qū)域Sla及 S7a依序曝光。此情況下，主控制裝置20也可使用周邊曝光單元51，可以使各周邊曝光區(qū)域全面曝光，也可形成既定圖案。據(jù)此，晶片W的周邊曝光結(jié)束，如圖沈所示，周邊曝光區(qū)域 Sla、S7a、S8a、S16a、S17a、S27a、S50a、S60a、S61a、S69a、S70a、S76a 分別成為已曝光的區(qū)域。
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接著，晶片載臺(tái)WST進(jìn)一步往+Y方向移動(dòng)，如圖M所示，當(dāng)來自多點(diǎn)AF系統(tǒng)(90a、 90b)的檢測(cè)光束脫離晶片W表面時(shí)，結(jié)束焦點(diǎn)映射。之后，主控制裝置20使晶片載臺(tái)WST移動(dòng)至晶片W上的為進(jìn)行第1照射的曝光的掃描開始位置(曝光開始位置)，在該移動(dòng)途中，在維持晶片載臺(tái)WST的Z位置、θ y旋轉(zhuǎn)及 θ χ旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)下，將用以控制晶片載臺(tái)WST的Z位置、θ y旋轉(zhuǎn)的控制的Z讀頭，從Z讀頭 72a 72d切換為Z讀頭74”74」。該切換后，主控制裝置20立刻根據(jù)前述晶片對(duì)準(zhǔn)(EGA) 的結(jié)果及最新的5個(gè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1、AIA ΑΙΛ的基準(zhǔn)線等，以液浸曝光方式進(jìn)行步進(jìn)掃描方式的曝光，將標(biāo)線片圖案依序轉(zhuǎn)印至晶片W上的多個(gè)照射區(qū)域。之后，反復(fù)進(jìn)行同樣動(dòng)作。如以上的詳細(xì)說明，根據(jù)本實(shí)施形態(tài)的曝光裝置100，在晶片載臺(tái)WST在Y軸方向上直線移動(dòng)的期間，使用多個(gè)檢測(cè)點(diǎn)在X軸方向以既定間隔設(shè)定的多點(diǎn)AF系統(tǒng)(90a、90b) 檢測(cè)晶片W表面的面位置信息，由檢測(cè)區(qū)域沿X軸方向排列成一列的多個(gè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1、 AIA 々1^4檢測(cè)晶片W上彼此位置相異的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，并進(jìn)一步使用周邊曝光單元51進(jìn)行晶片W的周邊曝光。即，晶片載臺(tái)WST(晶片W)僅僅以直線方式通過多點(diǎn)AF系統(tǒng)(90a、90b) 的多個(gè)檢測(cè)點(diǎn)(檢測(cè)區(qū)域AF)、多個(gè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1、AIA ΑΙΛ的檢測(cè)區(qū)域、以及周邊曝光單元51的下方，就結(jié)束晶片W的大致全面的面位置信息的檢測(cè)、晶片W上待檢測(cè)的所有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(例如，EGA中的對(duì)準(zhǔn)照射區(qū)域的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記)的檢測(cè)、以及晶片W的周邊曝光這樣的 3個(gè)動(dòng)作。因此，與對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的檢測(cè)動(dòng)作、面位置信息(焦點(diǎn)信息)的檢測(cè)動(dòng)作、以及周邊曝光動(dòng)作無關(guān)系地(分別)進(jìn)行的情形相較，能大幅提升生產(chǎn)率。即，能使周邊曝光動(dòng)作所需時(shí)間大致重迭于晶片對(duì)準(zhǔn)動(dòng)作時(shí)間，因此周邊曝光動(dòng)作幾乎不會(huì)使生產(chǎn)率降低。又，根據(jù)本實(shí)施形態(tài)，能利用包含測(cè)量的短期穩(wěn)定性良好的編碼器70A 70F等的編碼器系統(tǒng)150，在不受空氣波動(dòng)等的影響的情形下，以高精度測(cè)量晶片臺(tái)WTB在XY平面內(nèi)的位置信息，且能利用包含Z讀頭7 72CU71 745、及76工 765等的面位置測(cè)量系統(tǒng) 180，在不受空氣波動(dòng)等的影響的情形下，以高精度測(cè)量晶片臺(tái)WTB在與XY平面正交的Z軸方向的位置信息。此場合，編碼器系統(tǒng)150及上述面位置測(cè)量系統(tǒng)180這兩者，都直接測(cè)量晶片臺(tái)WTB上面，因此能簡單且直接地進(jìn)行晶片臺(tái)WTB、以及晶片W的位置控制。又，根據(jù)本實(shí)施形態(tài)，在前述焦點(diǎn)映射時(shí)，由主控制裝置20使面位置測(cè)量系統(tǒng)180 與多點(diǎn)AF系統(tǒng)(90a、90b)同時(shí)工作，將多點(diǎn)AF系統(tǒng)(90a、90b)的檢測(cè)結(jié)果，換算為以面位置測(cè)量系統(tǒng)180的測(cè)量結(jié)果為基準(zhǔn)的數(shù)據(jù)。因此，通過預(yù)先取得此換算數(shù)據(jù)，之后，僅利用面位置測(cè)量系統(tǒng)180測(cè)量晶片臺(tái)WTB在Z軸方向的位置信息、及相對(duì)XY平面的傾斜方向的位置信息，就能在不需取得晶片W的面位置信息的情形下，進(jìn)行晶片W的面位置控制。因此， 本實(shí)施形態(tài)中，雖然前端透鏡191與晶片W表面間的工作距離窄，但是，尤其無障礙地，能以良好精度實(shí)施曝光時(shí)的晶片W的焦點(diǎn)調(diào)平控制。又，根據(jù)本實(shí)施形態(tài)，如上所述，由于能以高精度控制晶片臺(tái)WTB、進(jìn)而晶片W的面位置，因此能進(jìn)行幾乎沒有因面位置控制誤差引起的曝光不良的高精度的曝光，據(jù)此，能將圖案的像在不伴隨因散焦造成的像模糊的情形下，形成于晶片W上。又，根據(jù)本實(shí)施形態(tài)，以Y軸方向?yàn)闇y(cè)量方向的多個(gè)Y讀頭64、65的X軸方向配置間隔，比Y標(biāo)尺39A、39Y2的X軸方向?qū)挾日?，以X軸方向?yàn)闇y(cè)量方向的多個(gè)X讀頭66的Y 軸方向配置間隔則比X標(biāo)尺39&、39)(2的Y軸方向?qū)挾日Ｒ虼?，在使晶片臺(tái)WTB(晶片載臺(tái)WST)移動(dòng)時(shí)，能一邊依序切換多個(gè)Y讀頭64、65、一邊根據(jù)對(duì)Y標(biāo)尺39A或3OT2照射檢測(cè)光(光束)的Y線性編碼器70A或70C的測(cè)量值測(cè)量晶片臺(tái)WTB (晶片載臺(tái)WST)的Y位置，并與此并行地，一邊依序切換多個(gè)X讀頭66、一邊根據(jù)對(duì)X標(biāo)尺39 或39 照射檢測(cè)光 (光束)的X線性編碼器70B或70D的測(cè)量值，測(cè)量晶片臺(tái)WTB (晶片載臺(tái)WST)的X位置。又，上述實(shí)施形態(tài)，雖然例示了從進(jìn)行晶片W的曝光的曝光位置(投影單元PU下方的形成有液浸區(qū)域14的位置)向Y軸方向分離配置對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)(AL1、AI^ AL4)及多點(diǎn)AF 系統(tǒng)90、以及周邊曝光單元51的情形，但本發(fā)明不限定于此。例如，對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)(AL1、AI^ AL24)及多點(diǎn)AF系統(tǒng)90的一方可以不配置在上述位置。此場合，也能為了進(jìn)行使用另一方的測(cè)量裝置的晶片測(cè)量，而與將晶片載臺(tái)WST朝向曝光位置在Y軸方向上移動(dòng)并行地，進(jìn)行晶片的周邊曝光。因此，能使周邊曝光所需時(shí)間重迭于其它處理時(shí)間，所以能提升生產(chǎn)率?；蛘?，也可不將對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)(AL1、AU1 AL24)及多點(diǎn)AF系統(tǒng)(90a、90b)這雙方配置在上述位置。不過，在此場合，將對(duì)晶片進(jìn)行某種測(cè)量的測(cè)量裝置，配置在與上述對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)(ALUU1 AL4)及多點(diǎn)AF系統(tǒng)(90a、90b)相同的位置。又，上述實(shí)施形態(tài)中，例示了如下情形用于測(cè)量晶片載臺(tái)WST的Y軸方向位置的一對(duì)Y標(biāo)尺39Yi、39 、與用于測(cè)量X軸方向位置的一對(duì)X標(biāo)尺39 、39 被設(shè)在晶片臺(tái)WTB 上，并與此對(duì)應(yīng)，一對(duì)讀頭單元62A、62C夾著投影光學(xué)系統(tǒng)PL被配置在X軸方向的一側(cè)與另一側(cè)，2個(gè)讀頭單元62B、62D夾著投影光學(xué)系統(tǒng)PL被配置在Y軸方向的一側(cè)與另一側(cè)。 然而，不限于此，也可以將Y軸方向位置測(cè)量用的Y標(biāo)尺39Yp3OT2及X軸方向位置測(cè)量用的X標(biāo)尺39)^39 中，至少一方以僅為1個(gè)而非為一對(duì)的方式，設(shè)在晶片臺(tái)WTB上，或者， 也可以將一對(duì)讀頭單元62A、62C及2個(gè)讀頭單元62B、62D中，至少一方僅設(shè)置1個(gè)。又，標(biāo)尺的延設(shè)方向及讀頭單元的延設(shè)方向并不限于上述實(shí)施形態(tài)的X軸方向、Y軸方向那樣的正交方向，只要是彼此交叉的方向即可。又，上述實(shí)施形態(tài)中，讀頭單元62A 62D雖然具有以既定間隔配置的多個(gè)讀頭， 但不限于此，也可采用單一讀頭，該單一讀頭具備對(duì)Y標(biāo)尺或X標(biāo)尺的在間距方向細(xì)長延伸的區(qū)域射出光束的光源、以及接收光束在Y標(biāo)尺或X標(biāo)尺(繞射光柵)的反射光(繞射光) 的、在Y標(biāo)尺或X標(biāo)尺的間距方向上無間隙排列的多數(shù)個(gè)受光元件。又，上述實(shí)施形態(tài)，雖然針對(duì)將本發(fā)明適用于具備晶片載臺(tái)WST、測(cè)量載臺(tái)MSTJi 準(zhǔn)系統(tǒng)(AL1、AL2! AL24)、多點(diǎn)AF系統(tǒng)(90a、90b)、Z傳感器、干涉儀系統(tǒng)118及編碼器系統(tǒng)(70A 70F)等的全部的曝光裝置的情形作了說明，但本發(fā)明不限定于此。例如，本發(fā)明也可適用于未設(shè)置有測(cè)量載臺(tái)MST等的曝光裝置。本發(fā)明，只要是在上述各構(gòu)成部分中具備晶片載臺(tái)(移動(dòng)體)及其以外的一部分的構(gòu)成部分的話，即能適用。即，只要是在離開進(jìn)行晶片W的曝光的曝光位置的、與上述對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)(ALl、AL2i AL4)及多點(diǎn)AF系統(tǒng)(90a、 90b)相同位置處，設(shè)有對(duì)晶片進(jìn)行某種測(cè)量的測(cè)量裝置的話，即能適用本發(fā)明。又，上述實(shí)施形態(tài)中，雖然例示了周邊曝光單元51被配置在對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)(AL1、 AIA AL4M及多點(diǎn)AF系統(tǒng)(90a、90b))的投影單元PU側(cè)的情形，但不限于此，周邊曝光單元也可配置在對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)(AL1、AI^ AL4)(及多點(diǎn)AF系統(tǒng)(90a、90b))的卸載位置UP及裝載位置LP側(cè)。又，上述實(shí)施形態(tài)中，雖然例示了在晶片載臺(tái)WST從裝載位置LP朝向曝光位置 (投影單元PU)前進(jìn)的進(jìn)路中進(jìn)行晶片W的周邊曝光的情形，但不限于此，也可在從曝光位置(投影單元PU)朝向卸載位置UP的回路中進(jìn)行周邊曝光，或者，也可在進(jìn)路與回路的兩方進(jìn)行一片晶片的周邊曝光。又，上述實(shí)施形態(tài)中，雖然例示了使用能對(duì)在X軸方向分離的2個(gè)為進(jìn)行周邊曝光的照射區(qū)域進(jìn)行照射的周邊曝光單元51的情形，但周邊曝光單元的構(gòu)成不限定于此。不過，周邊曝光單元的多個(gè)照射區(qū)域，最好能與上述周邊曝光單元51同樣地，至少在X軸方向上其位置可變。又，上述實(shí)施形態(tài)中，針對(duì)如下情形作了說明晶片載臺(tái)WST(晶片W)僅僅以直線方式通過多點(diǎn)AF系統(tǒng)(90a、90b)的多個(gè)檢測(cè)點(diǎn)(檢測(cè)區(qū)域AF)、多個(gè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALl、AU1 AL24的檢測(cè)區(qū)域、以及周邊曝光單元51的下方，就結(jié)束晶片W大致全面的面位置信息的檢測(cè)、晶片W上待檢測(cè)的所有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的檢測(cè)、以及晶片W的周邊曝光這3個(gè)動(dòng)作。但不限于此，也可與晶片載臺(tái)WST (晶片W)從裝載位置至曝光位置的移動(dòng)并行地，僅進(jìn)行周邊曝光動(dòng)作的至少一部分。此場合，在進(jìn)一步并行進(jìn)行測(cè)量動(dòng)作(含標(biāo)記檢測(cè)等)的至少一部分的情形時(shí)，能進(jìn)一步謀求生產(chǎn)率的提升。即，只要在晶片載臺(tái)WST(晶片W)從裝載位置至曝光位置的移動(dòng)中進(jìn)行周邊曝光動(dòng)作的至少一部分的話即足夠，其它事項(xiàng)并非必須。又，上述實(shí)施形態(tài)中，測(cè)量系統(tǒng)200雖包含干涉儀系統(tǒng)118與編碼器系統(tǒng)150這雙方，但不限于此，測(cè)量系統(tǒng)可以僅包含干涉儀系統(tǒng)118與編碼器系統(tǒng)150中的一方?！兜?實(shí)施形態(tài)》以下，根據(jù)圖27 圖39說明本發(fā)明的第2實(shí)施形態(tài)。圖27中，概略顯示了第2實(shí)施形態(tài)的曝光裝置500的構(gòu)成。曝光裝置500是步進(jìn)掃描方式的投影曝光裝置、即所謂的掃描機(jī)。曝光裝置500，具備照明系統(tǒng)10、標(biāo)線片載臺(tái)RST、投影單元PU、具有晶片載臺(tái)WST 及測(cè)量載臺(tái)MST的載臺(tái)裝置50、以及它們的控制系統(tǒng)等。圖27中，晶片載臺(tái)WST上載置有晶片W。曝光裝置500，與前述第1實(shí)施形態(tài)的曝光裝置100相比較，除了取代前述晶片臺(tái) WTB使用晶片臺(tái)WTB’，且編碼器系統(tǒng)150的構(gòu)成不同之外，與第1實(shí)施形態(tài)的曝光裝置100 同樣構(gòu)成。以下，以不同點(diǎn)為中心進(jìn)行說明，且針對(duì)與前述第1實(shí)施形態(tài)相同或同等的構(gòu)成部分使用相同符號(hào)并簡化或省略其說明。此外，為簡化說明，與晶片W的周邊曝光及焦點(diǎn)調(diào)平控制相關(guān)聯(lián)的構(gòu)成等，省略其說明。載臺(tái)裝置50，與前述第1實(shí)施形態(tài)同樣地，如圖27所示，具備配置在底盤12上的晶片載臺(tái)WST及測(cè)量載臺(tái)MST。載臺(tái)裝置50進(jìn)一步具備用以測(cè)量兩載臺(tái)WST、MST的位置信息的測(cè)量系統(tǒng)200、以及用以驅(qū)動(dòng)兩載臺(tái)WST、MST的載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)IM等(圖27中皆未圖示，參照?qǐng)D32)。測(cè)量系統(tǒng)200，如圖32所示，包含干涉儀系統(tǒng)118及編碼器系統(tǒng)150等。晶片載臺(tái)WST包含載臺(tái)本體91、與搭載在該載臺(tái)本體91上的晶片臺(tái)WTB’。晶片臺(tái)WTB’及載臺(tái)本體91，可通過包含例如線性馬達(dá)及Z調(diào)平機(jī)構(gòu)(含音圈馬達(dá)等)的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，相對(duì)底盤12被驅(qū)動(dòng)于6自由度方向(Χ、Υ、Ζ、ΘΧ、0y、ΘΖ)。在晶片臺(tái)WTB’的上面中央，設(shè)有以真空吸附等方式保持晶片W的晶片保持具(未圖示)。在晶片保持具(晶片的載置區(qū)域)外側(cè)，如圖觀所示，設(shè)有中央形成有比晶片保持具大一圈的圓形開口、且具有矩形狀外形(輪廓)的板件(撥液板)28’。板件觀’的表面施有對(duì)液體Lq的撥液化處理。此外，板件觀’被設(shè)置成其表面全部或一部分與晶片W的表
面同一面高。
板件觀’位于晶片臺(tái)WTB的X軸方向中央，具備具有在其中央形成有上述圓形開口的矩形外形(輪廓)的第1撥液區(qū)域^a’、以及在X軸方向夾著該第1撥液區(qū)域’位于晶片臺(tái)WTB的+X側(cè)端部、-X側(cè)端部的長方形的一對(duì)第2撥液區(qū)域^b’。又，本第2實(shí)施形態(tài)，由于使用水作為液浸用的液體Lq，因此，以下將第1及第2撥液區(qū)域^a’、28b’還分別稱為第1及第2撥水板28a\28b'。在第1撥水板^a’的+Y側(cè)端部附近設(shè)有測(cè)量板件30，在此測(cè)量板件30上形成有基準(zhǔn)標(biāo)記FM、以及夾著該基準(zhǔn)標(biāo)記FM的一對(duì)空間像測(cè)量狹縫圖案(狹縫狀的測(cè)量用圖案) SL0對(duì)應(yīng)各空間像測(cè)量狹縫圖案SL，設(shè)有用以將透射這些空間像測(cè)量狹縫圖案SL的照明光 IL,導(dǎo)向晶片載臺(tái)WST外部，具體而言，導(dǎo)向設(shè)于測(cè)量臺(tái)MTB (及載臺(tái)本體92)的前述受光系統(tǒng)(未圖標(biāo))的送光系統(tǒng)(未圖標(biāo))。即，在本第2實(shí)施形態(tài)中，也構(gòu)成為在晶片載臺(tái)WST 與測(cè)量載臺(tái)MST在Y軸方向接近至既定距離以內(nèi)的狀態(tài)(含接觸狀態(tài))下，將透射晶片載臺(tái)WST上的測(cè)量板件30的各空間像測(cè)量狹縫圖案SL的照明光IL用各送光系統(tǒng)(未圖標(biāo)) 加以導(dǎo)引，并由測(cè)量載臺(tái)MST內(nèi)的各受光系統(tǒng)(未圖標(biāo))的受光元件加以受光的空間像測(cè)量裝置45 (參照?qǐng)D32)。在一對(duì)第2撥水板^b’上形成有供后述編碼器系統(tǒng)用的移動(dòng)標(biāo)尺。詳言之，在一對(duì)第2撥水板^b'上分別形成有移動(dòng)標(biāo)尺39A、39B。移動(dòng)標(biāo)尺39A、39B分別由將例如以 Y軸方向?yàn)橹芷诜较虻睦@射光柵與以X軸方向?yàn)橹芷诜较虻睦@射光柵組合而成的反射型二維繞射光柵所構(gòu)成。二維繞射光柵的光柵線的間距，在Y軸方向及X軸方向的任一方向，皆設(shè)定為例如lym。又，圖觀中，為便于圖示，光柵的間距顯示得比實(shí)際間距大。關(guān)于其他圖中也同樣。此場合，為保護(hù)繞射光柵，與前述同樣地，由具備撥水性的例如低熱膨漲率的玻璃板加以覆蓋也是有效的。又，在各第2撥水板^b’的移動(dòng)標(biāo)尺端附近，分別設(shè)有用以決定后述編碼器讀頭與移動(dòng)標(biāo)尺間的相對(duì)位置的、與前述同樣構(gòu)成的未圖標(biāo)的定位圖案。如圖28所示，在晶片臺(tái)WTB’的-Y端面、-X端面形成有反射面17a、反射面17b。 如圖四所示，干涉儀系統(tǒng)118 (參照?qǐng)D32)的Y干涉儀16、以及3個(gè)X干涉儀1 1 對(duì)這些反射面17a、17b分別照射干涉儀光束(測(cè)長光束)BljtjSpBhjej 等。Y干涉儀16及3個(gè)X干涉儀126 128接收各反射光，測(cè)量晶片載臺(tái)WST在XY平面內(nèi)的位置信息，并將所測(cè)量的位置信息供應(yīng)至主控制裝置20。本第2實(shí)施形態(tài)中，主控制裝置20也可根據(jù)Y干涉儀16及X干涉儀126或127的測(cè)量結(jié)果，除了算出晶片臺(tái)WTB’ (晶片載臺(tái)WST) 的X、Y位置外，還可算出θ χ方向的旋轉(zhuǎn)信息(即縱搖)、θ y方向的旋轉(zhuǎn)信息(即橫搖) 及θ ζ方向的旋轉(zhuǎn)信息(即偏搖)。又，如圖27所示，在載臺(tái)本體91的-Y側(cè)側(cè)面安裝有具有凹形狀反射面的移動(dòng)鏡 41。構(gòu)成干涉儀系統(tǒng)118的一部分的一對(duì)Z干涉儀43Α、43Β，通過移動(dòng)鏡41對(duì)固定鏡 47Α、47Β分別照射2個(gè)測(cè)長光束Bi、Β2，并接收各自的反射光，測(cè)量測(cè)長光束Bi、Β2的光路長。根據(jù)該結(jié)果，主控制裝置20算出晶片載臺(tái)WST的4自由度(Y、Z、9y、θ ζ)方向的位置。本第2實(shí)施形態(tài)中，晶片載臺(tái)WST(晶片臺(tái)WTB’)的XY平面內(nèi)的位置信息(含θζ方向的旋轉(zhuǎn)信息)，主要是使用后述編碼器系統(tǒng)150(參照?qǐng)D32)加以測(cè)量。干涉儀系統(tǒng)118 是在晶片載臺(tái)WST位于編碼器系統(tǒng)的測(cè)量區(qū)域外(例如，圖30所示的卸載位置UP或裝載位置LP附近)時(shí)使用。又，在修正(校正)編碼器系統(tǒng)的測(cè)量結(jié)果的長期變動(dòng)(例如因標(biāo)尺的經(jīng)時(shí)變形等造成)的情形時(shí)，或者在編碼器系統(tǒng)的輸出異常時(shí)作為備用等而輔助性地使用。當(dāng)然，也可并用干涉儀系統(tǒng)118與編碼器系統(tǒng)來控制晶片載臺(tái)WST(晶片臺(tái)WTB’)的位置。又，圖32中，也將晶片載臺(tái)WST的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)與測(cè)量載臺(tái)MST的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)顯示成載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)124。本第2實(shí)施形態(tài)的曝光裝置500，如圖30及圖31所示，配置有在基準(zhǔn)軸LVtl上、在從光軸AX向-Y側(cè)相隔既定距離的位置處具有檢測(cè)中心的一次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1。夾著一次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1、在X軸方向的一側(cè)與另一側(cè)，分別設(shè)有檢測(cè)中心關(guān)于基準(zhǔn)軸LVtl配置成大致對(duì)稱的二次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL2p AL22、與AL23、AL24。其次，說明用以測(cè)量晶片載臺(tái)WST的XY平面內(nèi)的位置信息(含ΘΖ方向的旋轉(zhuǎn)信息)的編碼器系統(tǒng)150(參照?qǐng)D32)的構(gòu)成等。曝光裝置500中，如圖30所示，在嘴單元32的+X側(cè)、-X側(cè)配置有一對(duì)讀頭單元 62A，、62B，。這些讀頭單元62A，、62B，通過支承構(gòu)件以懸吊狀態(tài)被固定于保持投影單元PU 的主機(jī)架(未圖標(biāo))。讀頭單元62A，及62B，，如圖31所示，分別具備在基準(zhǔn)軸LH上以間隔WD配置的多個(gè)(此處為4個(gè))2維讀頭(以下，簡稱為「讀頭」或「2D讀頭」)16 16 及16+ 1644、以及配置在從基準(zhǔn)軸LH向-Y方向相距既定距離的嘴單元32的-Y側(cè)位置的讀頭165i 及1645。又，讀頭165”1652間、及讀頭1644、1645間的X軸方向間隔也設(shè)定為WD。以下，根據(jù)需要，將讀頭165i 16 及讀頭161 1645還分別記載為讀頭165及讀頭164。讀頭單元62A，構(gòu)成使用前述移動(dòng)標(biāo)尺39A測(cè)量晶片載臺(tái)WST(晶片臺(tái)WTB，)的X 軸方向位置(X位置)及Y軸方向位置(Y位置)的多眼(此處為5眼)XY線性編碼器(以下，適當(dāng)?shù)睾喎Q為「XY編碼器」或「編碼器」)170A (參照?qǐng)D32)。同樣，讀頭單元62B’構(gòu)成 使用前述移動(dòng)標(biāo)尺39B測(cè)量晶片載臺(tái)WST(晶片臺(tái)WTB’)的X位置及Y位置的多眼(此處為5眼)XY編碼器170B(參照?qǐng)D32)。此處，讀頭單元62A’、62B’所分別具備的5個(gè)讀頭 165、164(正確而言，是讀頭165、164所發(fā)出的測(cè)量光束(編碼器光束)在移動(dòng)標(biāo)尺上的照射點(diǎn))的X軸方向間隔WD，被設(shè)定為比移動(dòng)標(biāo)尺39A、39B的X軸方向?qū)挾嚷哉?。此處，移?dòng)標(biāo)尺的寬度，是指繞射光柵(或其形成區(qū)域)的寬度，更正確而言，是指利用讀頭可進(jìn)行位置測(cè)量的范圍。本第2實(shí)施形態(tài)，如圖30所示，進(jìn)而在讀頭單元62B’、62A’的-Y側(cè)相隔既定距離分別設(shè)有讀頭單元62C’、62D’。讀頭單元62C’及62D’，通過支承構(gòu)件以懸吊狀態(tài)被固定于保持投影單元PU的主機(jī)架(未圖標(biāo))。讀頭單元62C’，如圖31所示，具備在二次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AU1的-X側(cè)在基準(zhǔn)軸LA上以和間隔WD大致相同間隔配置的3個(gè)讀頭167i 1673、以及在+Y方向離基準(zhǔn)軸LA既定距離的二次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ΑΙΛ的+Y側(cè)配置的讀頭1674。又，讀頭1673、1674間的X軸方向間隔被設(shè)定成略窄于WD。讀頭單元62D’關(guān)于前述基準(zhǔn)軸LVtl與讀頭單元62C’為對(duì)稱，具備關(guān)于基準(zhǔn)軸LVtl與上述4個(gè)讀頭1674 167i對(duì)稱配置的4個(gè)讀頭168i 1684。以下，視需要，將讀頭167i 1674及讀頭IeS1 1684還分別稱為讀頭167及讀頭168。在對(duì)準(zhǔn)動(dòng)作之際等，讀頭167、168的至少各1個(gè)會(huì)分別對(duì)向于移動(dòng)標(biāo)尺39B、39A。 艮口，讀頭167、168所發(fā)出的測(cè)量光束(編碼器光束)中、至少各1個(gè)測(cè)量光束總是照射于移動(dòng)標(biāo)尺39B、39A。通過讀頭167、168 (即，由這些讀頭167、168構(gòu)成的XY編碼器170C、170D) 測(cè)量晶片載臺(tái)WST的X位置、Y位置及θ z旋轉(zhuǎn)。又，本第2實(shí)施形態(tài)中，在二次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的基準(zhǔn)線測(cè)量時(shí)等，與二次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ΑΙΑ、 AL24在X軸方向相鄰接的讀頭1673、16&分別對(duì)向于FD桿46的一對(duì)基準(zhǔn)光柵52，利用與該一對(duì)基準(zhǔn)光柵52對(duì)向的讀頭1673、16 ，分別以基準(zhǔn)光柵52的位置測(cè)量FD桿46的Y位置。以下，將由分別對(duì)向于一對(duì)基準(zhǔn)光柵52的讀頭1673、16 構(gòu)成的編碼器稱為Y線性編碼器(也適當(dāng)?shù)睾喎Q為「Y編碼器」或「編碼器」)170G、170H(參照?qǐng)D32)。又，由于構(gòu)成編碼器170C、170D的一部分的讀頭1673、16&對(duì)向于一對(duì)基準(zhǔn)光柵52，因此著眼于非為2D讀頭、而是具有Y讀頭的功能，而如上那樣稱呼為Y編碼器170G、170H。以下，為方便起見，假設(shè)除XY編碼器170C、170D之外有Y編碼器170G、170H的前提下進(jìn)行說明。上述各編碼器，將其測(cè)量值供應(yīng)至主控制裝置20。主控制裝置20根據(jù)XY編碼器 170A、170B或170C、170D的測(cè)量值，控制晶片臺(tái)WTB在XY平面內(nèi)的位置(含θ z方向的旋轉(zhuǎn)(偏搖))，并根據(jù)Y編碼器170G、170H的測(cè)量值控制FD桿46 (測(cè)量載臺(tái)MST)的θ z方向的旋轉(zhuǎn)。在圖32中，顯示了曝光裝置500的控制系統(tǒng)的主要構(gòu)成。此控制系統(tǒng)是以由統(tǒng)籌控制裝置全體的微電腦(或工作站)組成的主控制裝置20為中心所構(gòu)成。本第2實(shí)施形態(tài)的曝光裝置500，由于采用了前述晶片臺(tái)WTB’上的移動(dòng)標(biāo)尺的配置及前述讀頭的配置，因此如圖33等的例示，在晶片載臺(tái)WST的有效行程范圍(即，為進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)及曝光動(dòng)作而移動(dòng)的范圍)內(nèi)，移動(dòng)標(biāo)尺39A、39B、與讀頭165、164(讀頭單元62A’、 62B’ )或讀頭168、167(讀頭單元62D’、62C’ ) 一定會(huì)分別對(duì)向。又，圖33中，用實(shí)線圓圈圍繞顯示與對(duì)應(yīng)的移動(dòng)標(biāo)尺對(duì)向的、用于位置測(cè)量的讀頭。將此進(jìn)一步詳述，主控制裝置20在將標(biāo)線片R的圖案轉(zhuǎn)印至晶片W上的步進(jìn)掃描方式的曝光動(dòng)作中，使用讀頭單元62A，、62B，的各5個(gè)讀頭165、164中與移動(dòng)標(biāo)尺39A、39B 分別對(duì)向的各1個(gè)讀頭165、164的測(cè)量值，來控制晶片載臺(tái)WST在XY平面內(nèi)的位置及旋轉(zhuǎn) (θζ方向的旋轉(zhuǎn))。又，主控制裝置20在晶片對(duì)準(zhǔn)時(shí)，使用分別與移動(dòng)標(biāo)尺39Α、39Β對(duì)向的讀頭單元 62D，、62C，的讀頭168、167(編碼器170D、170C)的測(cè)量值，控制晶片載臺(tái)WST在XY平面內(nèi)的位置及旋轉(zhuǎn)(θ ζ方向的旋轉(zhuǎn))。又，主控制裝置20在如圖33中以涂白箭頭所示將晶片載臺(tái)WST驅(qū)動(dòng)于X軸方向時(shí)，將測(cè)量該晶片載臺(tái)WST的X位置及Y位置的讀頭165、164，如圖33中用箭頭ei所示，依序切換為相鄰的讀頭165、164。例如從用實(shí)線圓圈所圍的讀頭1642切換為用虛線圓圈所圍的讀頭1643(及從用實(shí)線圓圈所圍的讀頭16 切換為用虛線圓圈所圍的讀頭1653)。艮口， 本第2實(shí)施形態(tài)中，為順暢地進(jìn)行此讀頭165、164的切換(接續(xù))，如前所述，將讀頭單元 62A，、62C，所具備的相鄰讀頭165、164的間隔WD，設(shè)定為比移動(dòng)標(biāo)尺39A、39B的X軸方向?qū)挾日?br> 其次，關(guān)于編碼器170A 170D的構(gòu)成等，代表性地以圖34中放大顯示的編碼器 170B為例加以說明。圖34中，顯示了對(duì)移動(dòng)標(biāo)尺39B照射檢測(cè)光(測(cè)量光束)的讀頭單元 62B，的1個(gè)2D讀頭164。讀頭164，如圖34所示，包含對(duì)設(shè)在晶片臺(tái)WTB’上面的-X側(cè)端部的移動(dòng)標(biāo)尺 (移動(dòng)光柵)39B照射激光光束的光源16 ；與光源16 間的位置關(guān)系固定且使在移動(dòng)標(biāo)尺39B所產(chǎn)生的繞射光聚集的固定標(biāo)尺1641^164 及164b3、164b4 ；使由固定標(biāo)尺1641^、 164b2及固定標(biāo)尺164b3、164b4分別聚光的繞射光干涉的索引標(biāo)尺(index scale) 16 ；以及檢測(cè)由索引標(biāo)尺16 干涉的光的檢測(cè)器164d。又，光源16 的姿勢(shì)在設(shè)計(jì)上被設(shè)定成從光源16 射出的激光光束的光軸與XY平面垂直。固定標(biāo)尺1641^164、是由形成有以Y軸方向?yàn)橹芷诜较虻睦@射光柵的板件所構(gòu)成的透射型的相位光柵。另一方面，固定標(biāo)尺16仙3、164134則是由形成有以X軸方向?yàn)橹芷诜较虻睦@射光柵的板件所構(gòu)成的透射型的相位光柵。索引標(biāo)尺164c，是由形成有以Y軸方向?yàn)橹芷诜较虻睦@射光柵及以X軸方向?yàn)橹芷诜较虻睦@射光柵的透射型二維光柵。此外， 檢測(cè)器164d包含例如4分割檢測(cè)器或CXD。固定標(biāo)尺164bi，使移動(dòng)標(biāo)尺39B的以Y軸方向?yàn)橹芷诜较虻睦@射光柵所產(chǎn)生的-1 次繞射光繞射而生成+1次繞射光，此+1次繞射光朝向索引標(biāo)尺164c。又，固定標(biāo)尺164b2， 則使移動(dòng)標(biāo)尺39B的以Y軸方向?yàn)橹芷诜较虻睦@射光柵所產(chǎn)生的+1次繞射光繞射而生成-1次繞射光，此-1次繞射光朝向索引標(biāo)尺16如。此處，在固定標(biāo)尺164bi、164b2生成的+1次繞射光、_1次繞射光，在索引標(biāo)尺16 上的同一位置處彼此重迭。即，+1次繞射光與-1次繞射光在索引標(biāo)尺16 上相干涉。另一方面，固定標(biāo)尺164b3，使移動(dòng)標(biāo)尺39B的以X軸方向?yàn)橹芷诜较虻睦@射光柵所產(chǎn)生的-1次繞射光繞射而生成+1次繞射光，此+1次繞射光朝向索引標(biāo)尺16如。又，固定標(biāo)尺164b4則使移動(dòng)標(biāo)尺39B的以X軸方向?yàn)橹芷诜较虻睦@射光柵所產(chǎn)生的+1次繞射光繞射而生成-1次繞射光，此-1次繞射光朝向索引標(biāo)尺16如。此處，在固定標(biāo)尺164b3、164b4生成的+1次繞射光、_1次繞射光，在索引標(biāo)尺16 上的同一位置處彼此重迭。即，+1次繞射光與-1次繞射光在索引標(biāo)尺16 上相干涉。此場合，根據(jù)從光源16 射出的激光光束的波長與移動(dòng)標(biāo)尺(移動(dòng)光柵)39B的間距，決定在移動(dòng)標(biāo)尺的各光柵產(chǎn)生的繞射光的繞射角度，另外，通過適當(dāng)決定激光光束的波長與固定標(biāo)尺164bi 164b4的間距，決定在移動(dòng)標(biāo)尺(移動(dòng)光柵)39B所產(chǎn)生的士1次繞射光的外觀上彎折角度。此處，在讀頭164(編碼器170B)中，在檢測(cè)器164d上出現(xiàn)二維花樣(方格花樣)。 此二維花樣會(huì)隨晶片載臺(tái)WST的Y軸方向位置及X軸方向位置而變化，因此通過將此變化由構(gòu)成檢測(cè)器164d的至少一部分的4分割元件或CCD等加以測(cè)定，即能測(cè)量晶片載臺(tái)WST 的Y軸方向及X軸方向位置。又，也可使索引標(biāo)尺16 以Z軸為中心微量旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生波紋(moire)，并將該波紋用于晶片載臺(tái)WST的測(cè)量。由上述說明可知，由于在編碼器170B中，與干涉儀系統(tǒng)118的各干涉儀不同地，干涉的2個(gè)光束的光路長極短且大致相等，因此能幾乎忽視空氣波動(dòng)的影響。其它的編碼器 170AU70CU70D也與編碼器170B同樣構(gòu)成。作為各編碼器，使用分辨率為例如0. Inm程度的編碼器。本第2實(shí)施形態(tài)的曝光裝置500，在后述曝光動(dòng)作時(shí)等，晶片載臺(tái)WST(晶片臺(tái) WTB’)在XY平面內(nèi)的位置(含ΘΖ方向的旋轉(zhuǎn))是由主控制裝置20根據(jù)與移動(dòng)標(biāo)尺39Α、 39Β分別對(duì)向的2個(gè)讀頭165、164構(gòu)成的2個(gè)編碼器170Α、170Β的測(cè)量值、及各種修正信息(此修正信息包含由干涉儀系統(tǒng)118測(cè)量的編碼器在非測(cè)量方向上的晶片載臺(tái)WST的位置信息(含傾斜信息)所對(duì)應(yīng)的各編碼器的載臺(tái)位置起因誤差修正信息；移動(dòng)標(biāo)尺的特性信息(例如，光柵面的平面度、及/或光柵形成誤差等)；及移動(dòng)標(biāo)尺的阿貝(abbe)偏離量(阿貝誤差修正信息)等)加以控制。此處，所謂載臺(tái)位置起因誤差修正信息，是表示對(duì)編碼器讀頭的、在該非測(cè)量方向 (本第2實(shí)施形態(tài)中，指X軸方向及Y軸方向以外的方向，例如ΘΧ方向、方向、θ z方向及Z軸方向等)的晶片載臺(tái)WST的位置(縱搖量、橫搖量、偏搖量及Z位置等)，對(duì)編碼器測(cè)量值產(chǎn)生的影響的程度的信息。又，載臺(tái)位置起因誤差修正信息，是通過大略以下述方式預(yù)先取得。S卩，主控制裝置20，使晶片載臺(tái)WST變化為不同的多個(gè)姿勢(shì)，對(duì)于各姿勢(shì)，根據(jù)干涉儀系統(tǒng)118的測(cè)量結(jié)果在維持晶片載臺(tái)WST的姿勢(shì)的狀態(tài)下，一邊從讀頭165、164對(duì)移動(dòng)標(biāo)尺39Α、39Β的特定區(qū)域照射檢測(cè)光、一邊使晶片載臺(tái)WST在Z軸方向以既定行程范圍移動(dòng)，在該移動(dòng)中對(duì)編碼器的測(cè)量結(jié)果進(jìn)行取樣。據(jù)此，獲得針對(duì)各姿勢(shì)的、對(duì)應(yīng)晶片載臺(tái) WST在與移動(dòng)面正交的方向(Ζ軸方向)上的位置的編碼器測(cè)量值的變化信息(誤差特性曲線)。接著，主控制裝置20根據(jù)此取樣結(jié)果、也即對(duì)于各姿勢(shì)的與晶片載臺(tái)WST在Z軸方向上的位置相應(yīng)的編碼器測(cè)量值的變化信息，進(jìn)行既定運(yùn)算，據(jù)以求出與晶片載臺(tái)WST的非測(cè)量方向的位置信息相應(yīng)的編碼器測(cè)量值的修正信息。因此，能以簡單的方法，決定用以修正關(guān)于非測(cè)量方向的讀頭與移動(dòng)標(biāo)尺的相對(duì)變化所引起的編碼器測(cè)量誤差的載臺(tái)位置起因誤差修正信息。又，本第2實(shí)施形態(tài)，在針對(duì)構(gòu)成同一讀頭單元的多個(gè)讀頭，例如針對(duì)構(gòu)成讀頭單元62Β的多個(gè)讀頭164決定上述修正信息的場合，從各讀頭164對(duì)對(duì)應(yīng)標(biāo)尺39Β的同一特定區(qū)域照射檢測(cè)光后，進(jìn)行上述編碼器測(cè)量結(jié)果的取樣，根據(jù)該取樣結(jié)果，決定與移動(dòng)標(biāo)尺 39Β對(duì)向的各讀頭164(各編碼器)的修正信息，因此，就結(jié)果而言，通過使用此修正信息還能夠修正因讀頭傾倒所產(chǎn)生的幾何學(xué)誤差。換言之，主控制裝置20，在以對(duì)應(yīng)同一移動(dòng)標(biāo)尺的多個(gè)編碼器為對(duì)象求出前述修正信息時(shí)，考慮使晶片載臺(tái)WST往Z軸方向移動(dòng)時(shí)作為對(duì)象的編碼器讀頭的傾倒所產(chǎn)生的幾何學(xué)誤差，來求出作為前述對(duì)象的編碼器的修正信息。 因此，本第2實(shí)施形態(tài)中，也不會(huì)產(chǎn)生因多個(gè)讀頭的傾倒角不同所引起的余弦誤差。又，即使讀頭164不產(chǎn)生傾倒，在產(chǎn)生例如因讀頭光學(xué)特性(遠(yuǎn)心聚焦等)等引起編碼器產(chǎn)生測(cè)量誤差的情形時(shí)，通過同樣地求出前述修正信息，也能防止測(cè)量誤差的發(fā)生、以及晶片載臺(tái) WST的位置控制精度降低。即，本第2實(shí)施形態(tài)中，以補(bǔ)償因讀頭單元而產(chǎn)生的編碼器系統(tǒng)測(cè)量誤差(以下，也稱讀頭起因誤差)的方式驅(qū)動(dòng)晶片載臺(tái)WST。又，也可根據(jù)讀頭單元的特性信息(例如，含讀頭傾倒、及/或光學(xué)特性等)，算出例如編碼器系統(tǒng)測(cè)量值的修正信肩、ο又，移動(dòng)標(biāo)尺的特性信息，是標(biāo)尺面(正確而言，繞射光柵表面、及在繞射光柵被玻璃護(hù)蓋覆蓋情形時(shí)，包含該玻璃護(hù)蓋的面)的凹凸(含傾斜)、及/或光柵形成誤差(光柵間距及/或光柵線的彎曲)等信息，是預(yù)先加以測(cè)量的。又，阿貝偏離量是指晶片臺(tái)WTB’上各移動(dòng)標(biāo)尺的面(繞射光柵表面)的高度(Z 位置)、與包含曝光中心(前述曝光區(qū)域IA的中心，在本第2實(shí)施形態(tài)中與投影光學(xué)系統(tǒng) PL的光軸AX—致)的基準(zhǔn)面高度之差。當(dāng)晶片載臺(tái)WST的基準(zhǔn)面高度與各移動(dòng)標(biāo)尺的面 (繞射光柵表面)高度有誤差(或間隙)時(shí)，在晶片載臺(tái)WST繞與XY平面平行的軸(X軸或Y軸)旋轉(zhuǎn)(縱搖或橫搖)時(shí)會(huì)在編碼器測(cè)量值上產(chǎn)生所謂的阿貝誤差。此處，所謂基準(zhǔn)面，是指成為由干涉儀系統(tǒng)118測(cè)量的晶片載臺(tái)WST的Z軸方向位移的基準(zhǔn)的面，且是成為關(guān)于Z軸方向的晶片W上各照射區(qū)域的位置對(duì)準(zhǔn)(位置控制)的基準(zhǔn)的面(本第2實(shí)施形態(tài)中，與投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面一致)。此外，大致以下述方式預(yù)先取得阿貝偏離量。S卩，在進(jìn)行晶片載臺(tái)WST的驅(qū)動(dòng)的批處理的開始前，例如在裝置啟動(dòng)時(shí)等，作為測(cè)量在XY平面內(nèi)的晶片載臺(tái)WST的位置信息的編碼器系統(tǒng)的一連串校準(zhǔn)的1種，進(jìn)行為取得前述各移動(dòng)標(biāo)尺(繞射光柵)表面的阿貝偏離量的校準(zhǔn)處理。即，主控制裝置20，就每一編碼器系統(tǒng)的移動(dòng)標(biāo)尺，根據(jù)測(cè)量在繞射光柵周期方向的晶片載臺(tái)WST相對(duì)XY平面的傾斜角的干涉儀系統(tǒng)118的測(cè)量值，在繞射光柵周期方向上相對(duì)XY平面使晶片載臺(tái)WST傾斜角度α，根據(jù)該傾斜前后的編碼器系統(tǒng)測(cè)量值與使用干涉儀系統(tǒng)118測(cè)量的前述角度α的信息，算出繞射光柵表面的阿貝偏離量。接著，主控制裝置20將算出的信息儲(chǔ)存于內(nèi)存內(nèi)。其次，根據(jù)圖35 圖39，說明說明本第2實(shí)施形態(tài)的曝光裝置500中，使用晶片載臺(tái)WST與測(cè)量載臺(tái)MST的平行處理動(dòng)作。又，以下的動(dòng)作中，由主控制裝置20以前述方式進(jìn)行局部液浸裝置8的液體供應(yīng)裝置5及液體回收裝置6的各閥的開閉控制，投影光學(xué)系統(tǒng)PL的前端透鏡191的正下方總是被水充滿。不過，以下為使說明易于理解，省略關(guān)于液體供應(yīng)裝置5及液體回收裝置6的控制的說明。此外，之后的動(dòng)作說明將使用多個(gè)圖進(jìn)行， 但各圖中的同一構(gòu)件有的賦有符號(hào)、有的則未賦予符號(hào)。即，各圖中記載的符號(hào)雖不同，但各圖不論有無符號(hào)，皆為相同構(gòu)成。之前說明所使用過的各圖也同樣。圖35中，顯示了正在對(duì)載置于晶片載臺(tái)WST上的晶片W進(jìn)行步進(jìn)掃描方式的曝光的狀態(tài)。此曝光是根據(jù)開始前進(jìn)行的晶片對(duì)準(zhǔn)(例如EGA)等的結(jié)果，反復(fù)進(jìn)行如下動(dòng)作來進(jìn)行將晶片載臺(tái)WST移動(dòng)至為進(jìn)行晶片W上各照射區(qū)域的曝光的掃描開始位置(加速開始位置)的照射間移動(dòng)、以及將形成于標(biāo)線片R的圖案以掃描曝光方式轉(zhuǎn)印至各照射區(qū)域的掃描曝光。又，曝光是以從位于晶片W上-Y側(cè)的照射區(qū)域至位于+Y側(cè)的照射區(qū)域的順序進(jìn)行。上述曝光動(dòng)作中，晶片載臺(tái)WST (晶片臺(tái)WTB’)在XY平面內(nèi)的位置(含θ z方向的旋轉(zhuǎn))，是由主控制裝置20，根據(jù)與移動(dòng)標(biāo)尺39A、39B分別對(duì)向的2個(gè)讀頭165、164所構(gòu)成的2個(gè)編碼器170A、170B的測(cè)量值、以及用以修正編碼器測(cè)量值的前述各種修正信息(載臺(tái)位置起因誤差修正信息、移動(dòng)標(biāo)尺的特性信息及阿貝誤差修正信息等)加以控制。此外， 上述曝光動(dòng)作中，晶片載臺(tái)WST的旋轉(zhuǎn)(橫搖)及θ x旋轉(zhuǎn)(縱搖)，是由主控制裝置 20，根據(jù)前述X干涉儀126 (或Z干涉儀43Α、43Β)及Y干涉儀16的測(cè)量值加以管理。又，關(guān)于晶片載臺(tái)WST的Z軸方向位置(Ζ位置)、θ y旋轉(zhuǎn)(橫搖)及θ x旋轉(zhuǎn)(縱搖)的至少1 個(gè)、例如Z位置及θ y旋轉(zhuǎn)，也可使用其它傳感器、如檢測(cè)晶片臺(tái)WTB’上面的Z位置的傳感器、例如CD驅(qū)動(dòng)裝置等中所使用的光拾取器相同的光學(xué)式變位傳感器的讀頭等加以測(cè)量。 無論如何，此曝光中的晶片載臺(tái)WST(晶片臺(tái)WTB’)的Z軸方向位置、θ y旋轉(zhuǎn)及ΘΧ旋轉(zhuǎn)的控制(晶片W的焦點(diǎn)調(diào)平控制)，是由主控制裝置20，根據(jù)事先測(cè)量的晶片面位置信息的測(cè)量結(jié)果、與編碼器系統(tǒng)150及/或干涉儀系統(tǒng)118的測(cè)量結(jié)果進(jìn)行。上述步進(jìn)掃描方式的曝光動(dòng)作中，當(dāng)晶片載臺(tái)WST移動(dòng)于X軸方向時(shí)，隨著該移動(dòng)，進(jìn)行前述讀頭的切換。如此，主控制裝置20根據(jù)晶片載臺(tái)WST的位置坐標(biāo)，適當(dāng)切換使用的編碼器來進(jìn)行載臺(tái)控制。又，與使用上述編碼器系統(tǒng)的晶片載臺(tái)WST的位置測(cè)量分開獨(dú)立地，總是進(jìn)行使用干涉儀系統(tǒng)118的晶片載臺(tái)WST的位置(Χ、Υ、Ζ、ΘΧ、0y、θ ζ)測(cè)量。例如，對(duì)于X干涉儀126、127及128，根據(jù)晶片載臺(tái)WST的Y位置使用其中1個(gè)。例如曝光中，如圖35所示， 輔助性地使用X干涉儀126。當(dāng)晶片W的曝光結(jié)束時(shí)，主控制裝置20將晶片載臺(tái)WST朝向卸載位置UP驅(qū)動(dòng)。此時(shí)，在曝光中原本彼此分離的晶片載臺(tái)WST與測(cè)量載臺(tái)MST，接觸或例如隔著300 μ m程度的分離距離接近，移轉(zhuǎn)至并列狀態(tài)。此處，測(cè)量臺(tái)MTB上的FD桿46的-Y側(cè)端面與晶片臺(tái) WTB的+Y側(cè)端面接觸或接近。通過在保持此并列狀態(tài)的情形下兩載臺(tái)WST、MST往-Y方向移動(dòng)，形成在投影單元PU下的液浸區(qū)域14移動(dòng)至測(cè)量載臺(tái)MST上。在移動(dòng)至上述并列狀態(tài)后，晶片載臺(tái)WST進(jìn)一步往-Y方向移動(dòng)而脫離效行程區(qū)域 (晶片載臺(tái)WST在曝光及晶片對(duì)準(zhǔn)時(shí)移動(dòng)的區(qū)域)時(shí)，構(gòu)成編碼器系統(tǒng)150的所有讀頭脫離晶片臺(tái)WTB’上的對(duì)應(yīng)移動(dòng)標(biāo)尺。因此，無法進(jìn)行根據(jù)編碼器系統(tǒng)150的測(cè)量結(jié)果的載臺(tái)控制。在其前一刻，主控制裝置20切換為根據(jù)干涉儀系統(tǒng)118的測(cè)量結(jié)果的載臺(tái)控制。此處，使用3個(gè)X干涉儀126、127、128中的X干涉儀128。之后，如圖36所示，晶片載臺(tái)WST解除與測(cè)量載臺(tái)MST的并列狀態(tài)，移動(dòng)至卸載位置UP。移動(dòng)后，主控制裝置20卸下晶片臺(tái)WTB’上的晶片W。接著，如圖37所示，將晶片載臺(tái)WST驅(qū)動(dòng)于+X方向使其移動(dòng)至裝載位置LP，將下一片晶片W裝載于晶片臺(tái)WTB’上。與這些動(dòng)作平行，主控制裝置20實(shí)施進(jìn)行如下動(dòng)作的Sec-BCHK( 二次基準(zhǔn)線檢查)被測(cè)量載臺(tái)MST所支承的FD桿46在XY平面內(nèi)的位置調(diào)整、與4個(gè)二次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng) AIA ΑΙΛ的基準(zhǔn)線測(cè)量。此處，為測(cè)量FD桿46在θ z方向的旋轉(zhuǎn)信息，使用前述Y編碼器 170G、170H。其次，主控制裝置20驅(qū)動(dòng)晶片載臺(tái)WST，如圖38所示，將測(cè)量板件30上的基準(zhǔn)標(biāo)記FM定位于一次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALl的檢測(cè)視野內(nèi)，進(jìn)行用以決定對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1、AI^ ΑΙΛ的基準(zhǔn)線測(cè)量的基準(zhǔn)位置的Pri-BCHK的前半處理。此時(shí)，如圖38所示，2個(gè)讀頭16 、1672 (圖中以圓圈圍繞顯示)分別與移動(dòng)標(biāo)尺 39A、39B對(duì)向。于是，主控制裝置20從干涉儀系統(tǒng)118切換為使用編碼器系統(tǒng)150(編碼器170D、170C)的載臺(tái)控制。干涉儀系統(tǒng)118，再次被輔助性地使用。又，使用3個(gè)X干涉儀 126、127、128 中的 X 干涉儀 127。之后，主控制裝置20使用一次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALl與二次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AU1 AL&實(shí)施晶片對(duì)準(zhǔn)(EGA)(參照?qǐng)D39中的星標(biāo)記)。又，本第2實(shí)施形態(tài)，在開始如圖39所示的晶片對(duì)準(zhǔn)之前，晶片載臺(tái)WST與測(cè)量載臺(tái)MST移至并列狀態(tài)。主控制裝置20，一邊保持并列狀態(tài)、一邊將兩載臺(tái)WST、MST驅(qū)動(dòng)于 +Y方向。之后，液浸區(qū)域14的水從測(cè)量臺(tái)MTB上移動(dòng)至晶片臺(tái)WTB，上。與晶片對(duì)準(zhǔn)(EGA)并行地，主控制裝置20，實(shí)施使用空間像測(cè)量裝置45測(cè)量針對(duì)
42晶片臺(tái)WTB’的XY位置的標(biāo)線片上標(biāo)記的投影像強(qiáng)度分布的Pri-BCHK的后半處理。以上作業(yè)結(jié)束后，主控制裝置20解除兩載臺(tái)WST、MST的并列狀態(tài)。接著，如圖35 所示，進(jìn)行步進(jìn)掃描方式的曝光，將標(biāo)線片圖案轉(zhuǎn)印至新的晶片W上。之后，反復(fù)執(zhí)行相同動(dòng)作。如以上的說明，根據(jù)本第2實(shí)施形態(tài)的曝光裝置500，在晶片載臺(tái)WST的上面X軸方向兩端部設(shè)有具有2維光柵的一對(duì)移動(dòng)標(biāo)尺39A、39B，在投影單元PU(嘴單元32)的X 軸方向兩側(cè)配置有當(dāng)晶片載臺(tái)WST位于為進(jìn)行曝光動(dòng)作的移動(dòng)范圍時(shí)，至少1個(gè)讀頭165、 164能總是對(duì)向于移動(dòng)標(biāo)尺39A、39B的一對(duì)讀頭單元62A，、62B，。據(jù)此，主控制裝置20能使用這些讀頭165、164、即使用編碼器170A、170B高精度地測(cè)量步進(jìn)掃描方式的曝光動(dòng)作中的晶片載臺(tái)WST在XY平面內(nèi)的位置信息(含ΘΖ方向的旋轉(zhuǎn)信息)。因此，根據(jù)本第2 實(shí)施形態(tài)，與國際公開第2007/097379號(hào)小冊(cè)子中作為一實(shí)施形態(tài)所揭示的曝光裝置相比較，編碼器讀頭的布局容易。又，在本第2實(shí)施形態(tài)的晶片臺(tái)WTB’上面的+Y側(cè)端部的區(qū)域、即液浸區(qū)域14頻繁通過的區(qū)域，無需配置標(biāo)尺即可，因此即使該區(qū)域發(fā)生液體殘存、或者雜質(zhì)附著等狀況， 也不會(huì)有編碼器系統(tǒng)測(cè)量精度降低的擔(dān)心。又，根據(jù)本第2實(shí)施形態(tài)的曝光裝置500，對(duì)于分別屬于在曝光時(shí)分別對(duì)向于移動(dòng)標(biāo)尺39Α、39Β而用于晶片載臺(tái)WST的X軸方向及Y軸方向、以及θ ζ方向位置測(cè)量的讀頭單元62Α，、62Β，中的各5個(gè)讀頭165i 1655、 1645，在X軸方向上，將相鄰讀頭的間隔WD設(shè)定為考慮了移動(dòng)標(biāo)尺39A、39B的X軸方向?qū)挾?例如76mm)的所期望的間隔例如 70mm，且根據(jù)空閑空間(本第2實(shí)施形態(tài)中，是指嘴單元32周圍的空閑空間)，將位于最靠近投影單元PU中心的讀頭165ρ1645 &Υ位置，配置成與其它(其余4個(gè))讀頭不同。據(jù)此，能進(jìn)行依據(jù)空閑空間的讀頭單元62Α’、62Β’的各5個(gè)讀頭165、164的配置，且由于空間效率的提升而能使裝置全體小型化。除此之外，能無障礙地進(jìn)行讀頭單元62Α’、62Β’的各 5個(gè)讀頭165、164各自之間的接續(xù)(使用讀頭的切換)。因此利用包含分別具有讀頭單元 62Α，、62Β，的XY編碼器170Α、170Β的編碼器系統(tǒng)150，曝光時(shí)，能在不受空氣波動(dòng)影響的情形下高精度的測(cè)量晶片載臺(tái)WST在XY平面內(nèi)的位置。又，根據(jù)本第2實(shí)施形態(tài)的曝光裝置500，主控制裝置20在曝光時(shí)等，在驅(qū)動(dòng)晶片載臺(tái)WST時(shí)，根據(jù)編碼器系統(tǒng)150 (編碼器170Α、170Β)的測(cè)量值、與用以修正各編碼器測(cè)量值的修正信息(載臺(tái)位置起因誤差修正信息(含讀頭起因誤差的修正信息)、移動(dòng)標(biāo)尺的特性信息及阿貝誤差修正信息等的至少1個(gè))，高精度地控制晶片載臺(tái)WST的XY平面內(nèi)的位置(含θ ζ方向的旋轉(zhuǎn))。又，根據(jù)本第2實(shí)施形態(tài)的曝光裝置500，根據(jù)通過在每次更換晶片時(shí)進(jìn)行的前述對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的基準(zhǔn)線測(cè)量所得的最新基準(zhǔn)線、與晶片對(duì)準(zhǔn)(EGA)的結(jié)果，反復(fù)進(jìn)行將晶片載臺(tái)WST移動(dòng)至為進(jìn)行晶片W上各照射區(qū)域的曝光的掃描開始位置(加速開始位置)的照射間移動(dòng)動(dòng)作、以及以掃描曝光方式將形成于標(biāo)線片R的圖案轉(zhuǎn)印至各照射區(qū)域的掃描曝光動(dòng)作，由此，能將標(biāo)線片R的圖案以良好精度(重迭精度)轉(zhuǎn)印至晶片W上的多個(gè)照射區(qū)域。再者，本第2實(shí)施形態(tài)中，由于能通過液浸曝光實(shí)現(xiàn)高析像度的曝光，因此就此點(diǎn)而言， 也能將微細(xì)圖案以良好精度轉(zhuǎn)印至晶片W上。進(jìn)一步地，在本第2實(shí)施形態(tài)的曝光裝置500中，實(shí)際上，在與前述第1實(shí)施形態(tài)相同的位置，設(shè)有周邊曝光單元51、多點(diǎn)AF系統(tǒng)(90a、90b)等。因此，根據(jù)曝光裝置500， 與第1實(shí)施形態(tài)的曝光裝置100同樣地，僅僅使晶片載臺(tái)WST (晶片W)以直線方式通過多點(diǎn)AF系統(tǒng)(90a、90b)的多個(gè)檢測(cè)點(diǎn)(檢測(cè)區(qū)域AF)、多個(gè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1、AU1 AL&的檢測(cè)區(qū)域、以及周邊曝光單元51的下方，就結(jié)束晶片W的大致全面的面位置信息的檢測(cè)、與晶片W上待檢測(cè)的所有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(例如在EGA的對(duì)準(zhǔn)照射區(qū)域的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記)的檢測(cè)、以及晶片W的周邊曝光這3個(gè)動(dòng)作。因此，與無關(guān)系地(分別)進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的檢測(cè)動(dòng)作、面位置信息(焦點(diǎn)信息)的檢測(cè)動(dòng)作、以及周邊曝光動(dòng)作的情形相比較，能大幅提升生產(chǎn)率。又，在本第2實(shí)施形態(tài)的曝光裝置500中，可設(shè)置與前述第1實(shí)施形態(tài)同樣的面位置測(cè)量系統(tǒng)。因此，能進(jìn)行與前述第1實(shí)施形態(tài)相同的焦點(diǎn)映射、及使用該焦點(diǎn)映射的結(jié)果的晶片W的面位置控制。因此，本實(shí)施形態(tài)中，雖然前端透鏡191與晶片W表面間的工作距離窄，但是，尤其能無障礙地，以良好精度實(shí)施曝光時(shí)的晶片W的焦點(diǎn)調(diào)平控制。又，在上述第2實(shí)施形態(tài)中，針對(duì)曝光裝置500具備如下構(gòu)成的編碼器系統(tǒng)的情形作了說明在晶片載臺(tái)WST上配置移動(dòng)標(biāo)尺39A、39B (標(biāo)尺構(gòu)件)，并與此對(duì)向地，在晶片載臺(tái)WST外部、即在保持投影單元PU的主機(jī)架(未圖標(biāo))下方配置讀頭單元62A’ 62D’。 然而，不限于此，也可如其次的第3實(shí)施形態(tài)那樣，在晶片載臺(tái)WST上設(shè)置編碼器讀頭，在晶片載臺(tái)WST外部設(shè)置標(biāo)尺構(gòu)件?！兜?實(shí)施形態(tài)》圖40是顯示第3實(shí)施形態(tài)的曝光裝置所具備的載臺(tái)裝置及傳感器單元的配置的俯視圖。此第3實(shí)施形態(tài)的曝光裝置，與前述第2實(shí)施形態(tài)的曝光裝置相比較，僅編碼器系統(tǒng)的構(gòu)成相異，其它部分的構(gòu)成則相同。因此，以下以差異點(diǎn)的編碼器系統(tǒng)為中心進(jìn)行說明。此外，針對(duì)與前述第2實(shí)施形態(tài)相同或同等的構(gòu)成部分使用相同符號(hào)并簡化或省略其說明。如圖40所示，本第3實(shí)施形態(tài)中，在晶片臺(tái)WTB，上面的一對(duì)第2撥水板^b，上，取代移動(dòng)標(biāo)尺39A、39B，在與反射面17b平行的方向上以一定間隔WD分別設(shè)有2D讀頭17 1726,17^ 1746。各 2D 讀頭 17 172^174: 1746 使用與前述 2D 讀頭 164、165、167、 168相同構(gòu)成的讀頭。2D讀頭17 17 與2D讀頭17(-171，關(guān)于晶片臺(tái)WTB，的中央線成對(duì)稱配置。以下，適當(dāng)?shù)貙?D讀頭17 1726、2D讀頭17‘ 1746分別還簡稱為讀頭 172、174。另一方面，在嘴單元32的+X側(cè)、-X側(cè)，分別靠近地、并分別以X軸方向?yàn)殚L邊方向配置有一對(duì)固定標(biāo)尺39A，、39B，。固定標(biāo)尺39A，、39B，，如圖40所示，具有如下形狀在長方形的長邊方向一端部一側(cè)的一部分形成有矩形狀缺口部，在一端部的另一側(cè)設(shè)有與該缺口部相同形狀的延設(shè)部。此場合，固定標(biāo)尺39A’，具有如下形狀以X軸方向?yàn)殚L邊方向、 以大致接觸于嘴單元32的+X側(cè)面的狀態(tài)配置，在其-X端部的+Y側(cè)的一部分形成有矩形狀缺口部，而在-X端部的-Y側(cè)設(shè)有與該缺口部相同形狀的延設(shè)部。延設(shè)部比嘴單元32略突出于-Y側(cè)。固定標(biāo)尺39B’具有與固定標(biāo)尺39A’左右對(duì)稱的形狀，關(guān)于基準(zhǔn)線LVtl配置成對(duì)稱。固定標(biāo)尺39A’、39B’在保持投影單元PU的主機(jī)架(未圖標(biāo))背面被固定成與XY 平面平行。固定標(biāo)尺39A，、39B’的長度，與前述移動(dòng)標(biāo)尺39A、39B相比略短，在其下面(-Z 側(cè)的面)形成有前述反射型的二維繞射光柵。本第3實(shí)施形態(tài)中，進(jìn)一步地，如圖40所示，在固定標(biāo)尺39A，、39B，的-Y側(cè)相隔既定距離(例如與固定標(biāo)尺39A’的寬度大致相同尺寸)，以X軸方向?yàn)殚L邊方向分別配置有長方形的固定標(biāo)尺39D’、39C’。固定標(biāo)尺39D’、39C’關(guān)于前述基準(zhǔn)線LVtl為對(duì)稱配置。又， 固定標(biāo)尺39D，、39C，分別靠近二次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ΑΙΛ、ΑΙΛ配置。固定標(biāo)尺39D，、39C，與XY平面平行地被固定在保持投影單元PU的主機(jī)架(未圖標(biāo))背面。固定標(biāo)尺39D’、39C’的長度與前述固定標(biāo)尺39A’、39B’相比較略短，在其下面(-Z側(cè)的面)形成有前述反射型的二維繞射光柵。此外，在FD桿46上面，取代前述一對(duì)基準(zhǔn)光柵52設(shè)有一對(duì)2D讀頭176。2D讀頭17 17 構(gòu)成使用前述固定標(biāo)尺39A，或39D，測(cè)量晶片載臺(tái)WST (晶片臺(tái)WTB，)的X位置及Y位置的多眼(此處為6眼)XY編碼器170A’(參照?qǐng)D41)。同樣地，2D讀頭171 1746構(gòu)成使用前述固定標(biāo)尺39B，或39C，，測(cè)量晶片載臺(tái)WST (晶片臺(tái) WTB')的X位置及Y位置的多眼(此處為5眼)XY編碼器170B’(參照?qǐng)D41)。在曝光動(dòng)作時(shí)等，讀頭172、174至少各1個(gè)分別對(duì)向于固定標(biāo)尺39A，、39B，。艮口， 讀頭172、174所發(fā)出的測(cè)量光束(編碼器光束)中、至少各1個(gè)測(cè)量光束總是會(huì)照射于固定標(biāo)尺39A’、39B’。利用此讀頭172、174(即，由這些讀頭172,174構(gòu)成的編碼器170A，、 170B’ )測(cè)量晶片載臺(tái)WST的X位置、Y位置及θ ζ旋轉(zhuǎn)。又，在對(duì)準(zhǔn)動(dòng)作時(shí)等，讀頭174、172至少各1個(gè)分別對(duì)向于固定標(biāo)尺39C，、39D，。 艮口，讀頭174、172所發(fā)出的測(cè)量光束(編碼器光束)中，至少各1個(gè)測(cè)量光束總是會(huì)照射于固定標(biāo)尺39C，、39D，。由此讀頭174、172( S卩，由這些讀頭174、172構(gòu)成的編碼器170B，、 170A’)測(cè)量晶片載臺(tái)WST的X位置、Y位置及θ ζ旋轉(zhuǎn)。又，本第3實(shí)施形態(tài)中，在二次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的基準(zhǔn)線測(cè)量時(shí)等，F(xiàn)D桿46上的一對(duì)2D 讀頭176對(duì)向于固定標(biāo)尺39C，、39D，，利用該一對(duì)2D讀頭176測(cè)量FD桿46的X、Y位置及 θ ζ旋轉(zhuǎn)。以下，將由分別對(duì)向于固定標(biāo)尺39C，、39D’的一對(duì)2D讀頭176所構(gòu)成的編碼器稱為編碼器170C，、170D，(參照?qǐng)D41)。上述4個(gè)編碼器170A’ 170D’將其測(cè)量值供應(yīng)至主控制裝置20。主控制裝置 20根據(jù)編碼器170A，、170B’的測(cè)量值，控制晶片臺(tái)WTB，在XY平面內(nèi)的位置(含θ z方向的旋轉(zhuǎn)(偏搖))，并根據(jù)編碼器170C，、170D’的測(cè)量值控制FD桿46的Χ、Υ、θ ζ方向的位置。其它部分的構(gòu)成，與前述第2實(shí)施形態(tài)相同。根據(jù)以此方式構(gòu)成的本第3實(shí)施形態(tài)的曝光裝置，與前述第2實(shí)施形態(tài)的曝光裝置500同樣的各部的控制動(dòng)作，是由主控制裝置20進(jìn)行，據(jù)此，即能獲得與第1實(shí)施形態(tài)同等的效果。又，上述第2、第3實(shí)施形態(tài)中，作為編碼器讀頭，舉一例而言，針對(duì)使用如圖34所示構(gòu)成的2D讀頭的情形做了說明，但不限于此，也可組合2個(gè)1維讀頭來構(gòu)成2維讀頭。 艮口，本說明書中所說的2維讀頭，包含將2個(gè)1維讀頭組合而成的讀頭。上述第1 第3實(shí)施形態(tài)中，雖然針對(duì)將本發(fā)明適用于具備晶片載臺(tái)與測(cè)量載臺(tái)的曝光裝置的情形做了說明，但不限于此，本發(fā)明也能適用于僅具備單一晶片載臺(tái)的曝光裝置、或者例如美國專利第6，590，634號(hào)說明書、美國專利第5，969，441號(hào)說明書、美國專利第6，208，407號(hào)說明書等所揭示的具備多個(gè)晶片載臺(tái)的多載臺(tái)型、例如雙載臺(tái)型的曝光裝置等。此場合，曝光裝置的控制裝置，可設(shè)計(jì)成與對(duì)2個(gè)晶片載臺(tái)的一方所保持的晶片進(jìn)行曝光的動(dòng)作并行地，一邊使另一方的晶片載臺(tái)至少在Y軸方向上移動(dòng)、一邊控制配置在進(jìn)行對(duì)晶片的對(duì)準(zhǔn)測(cè)量等測(cè)量的區(qū)域(測(cè)量站)與進(jìn)行對(duì)晶片的曝光的區(qū)域(曝光站)間的移動(dòng)路徑中的周邊曝光單元，進(jìn)行在朝向曝光位置移動(dòng)途中通過周邊曝光單元下方的另一方的晶片載臺(tái)所保持的晶片的周邊部照射區(qū)域的至少一部分的周邊曝光。此外，也可在測(cè)量站上的測(cè)量動(dòng)作中開始周邊曝光動(dòng)作。此場合，周邊曝光動(dòng)作是在測(cè)量動(dòng)作結(jié)束后且曝光開始前結(jié)束。又，也可將周邊曝光單元與對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)(AL1、AI^1 AL25)等一起配置于測(cè)量站，而在測(cè)量動(dòng)作中進(jìn)行周邊曝光動(dòng)作。又，關(guān)于測(cè)量站與曝光站間的晶片載臺(tái)的位置控制(含進(jìn)行周邊曝光動(dòng)作的至少一部的期間中)，雖然可使用任何測(cè)量裝置進(jìn)行，但較佳為使用上述編碼器系統(tǒng)或干涉儀系統(tǒng)進(jìn)行。又，雙載臺(tái)型的曝光裝置中，可在去路(即，從測(cè)量站往曝光站的晶片載臺(tái)的移動(dòng)路徑)上進(jìn)行周邊曝光動(dòng)作，也可在回路(即，從曝光站往測(cè)量站(卸載位置)的晶片載臺(tái)的移動(dòng)路徑)進(jìn)行周邊曝光動(dòng)作，也可將一片晶片的周邊曝光動(dòng)作分開在去路與回路進(jìn)行。此外，將上述第2、第3實(shí)施形態(tài)適用于雙載臺(tái)型的曝光裝置的場合，也可不設(shè)置周邊曝光單元，而僅采用具有前述2D讀頭(2D編碼器)的編碼器系統(tǒng)作為至少一方的晶片載臺(tái)的位置測(cè)量裝置。即，上述第2、第3實(shí)施形態(tài)，只要是具有前述2D讀頭的編碼器系統(tǒng)的話即可，關(guān)于該編碼器系統(tǒng)以外的構(gòu)成、程序(sequence)(載臺(tái)移動(dòng)與測(cè)量動(dòng)作并行進(jìn)行等)可任意組合而采用，但非必須。又，上述第2、第3實(shí)施形態(tài)中，測(cè)量系統(tǒng)200雖包含干涉儀系統(tǒng)118與編碼器系統(tǒng) 150這雙方，但不限于此，測(cè)量系統(tǒng)可僅包含干涉儀系統(tǒng)118與編碼器系統(tǒng)150的一方。其次，說明關(guān)于雙載臺(tái)型曝光裝置的本發(fā)明的第4實(shí)施形態(tài)?！兜?實(shí)施形態(tài)》以下，根據(jù)圖42 圖76說明本發(fā)明的第4實(shí)施形態(tài)。此處，與前述第1實(shí)施形態(tài)、 及/或第2實(shí)施形態(tài)相同或同等的構(gòu)成部分使用相同符號(hào)，并簡化或省略其說明。圖42中，概略顯示了第4實(shí)施形態(tài)的曝光裝置1000的構(gòu)成。曝光裝置1000是步進(jìn)掃描方式的投影曝光裝置，是所謂的掃描機(jī)。如后所述，本第4實(shí)施形態(tài)中，也設(shè)有投影光學(xué)系統(tǒng)PL，因此，以下將與此投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX平行的方向設(shè)為Z軸方向、將在與此正交的面內(nèi)標(biāo)線片與晶片相對(duì)掃描的方向設(shè)為Y軸方向、并設(shè)與Z軸及Y軸正交的方向?yàn)閄軸方向，將繞X軸、Y軸及Z軸的旋轉(zhuǎn)(傾斜)方向分別設(shè)為θ χ、θ y及θ ζ方向來進(jìn)行說明。曝光裝置1000，具備照明系統(tǒng)10、用以保持由來自照明系統(tǒng)10的照明光IL照明的標(biāo)線片R的標(biāo)線片載臺(tái)RST、包含將從標(biāo)線片R射出的照明光IL照射于晶片上的投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影單元PU、包含2個(gè)晶片載臺(tái)WST1、WST2的載臺(tái)裝置1050、局部液浸裝置8、 以及它們的控制系統(tǒng)等。晶片載臺(tái)WST1、WST2上，分別保持有晶片W1、W2。載臺(tái)裝置1050，如圖42所示，具備配置在底盤12上的2個(gè)晶片載臺(tái)WSTl、WST2、 用以測(cè)量兩晶片載臺(tái)WST1、WST2的位置信息的測(cè)量系統(tǒng)200(參照?qǐng)D47)、及驅(qū)動(dòng)晶片載臺(tái) WSTl、WST2的載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)124(參照?qǐng)D47)等。測(cè)量系統(tǒng)200，如圖47所示，包含干涉儀系統(tǒng)118、編碼器系統(tǒng)150及面位置測(cè)量系統(tǒng)180等。晶片載臺(tái)WST1、WST2，通過各自具備的例如空氣滑件(后述)隔著數(shù)ym程度的間隙被懸浮支承在底盤12上。而且，可通過構(gòu)成載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)124的后述平面馬達(dá)，獨(dú)立地沿底盤12上面(移動(dòng)導(dǎo)引面)在XY平面內(nèi)驅(qū)動(dòng)晶片載臺(tái)WST1、WST2。晶片載臺(tái)WST1，如圖42及圖43(A)所示，包含載臺(tái)本體91A、與搭載于載臺(tái)本體 91八上的晶片臺(tái)訂81。載臺(tái)本體9認(rèn)，如圖43仏)所示，具備與埋在底盤12內(nèi)部的定子152 一起構(gòu)成平面馬達(dá)151的可動(dòng)子56、與一體設(shè)在該可動(dòng)子56下半部周圍的具有多個(gè)空氣軸承的空氣滑件(air slider) 54ο可動(dòng)子56是由磁石單元構(gòu)成，該磁石單元包含由例如相鄰磁極面的極性彼此不同地排列成矩陣狀的多個(gè)平板磁石構(gòu)成的平板狀磁性體?？蓜?dòng)子56具有厚度較薄的長方體的形狀。另一方面，定子152是由具有在底盤12內(nèi)部排列成矩陣狀的多個(gè)電樞線圈(驅(qū)動(dòng)線圈)57的電樞單元構(gòu)成。作為電樞線圈57，在本第4實(shí)施形態(tài)中，設(shè)有X驅(qū)動(dòng)線圈及Y驅(qū)動(dòng)線圈。并且，由包含多個(gè)X驅(qū)動(dòng)線圈及Y驅(qū)動(dòng)線圈的電樞單元構(gòu)成的定子152、與由前述磁石單元構(gòu)成的可動(dòng)子56，構(gòu)成電磁力驅(qū)動(dòng)方式(羅倫茲力驅(qū)動(dòng)方式)的動(dòng)磁型平面馬達(dá) 151。多個(gè)電樞線圈57，被由構(gòu)成底盤12上面的非磁性體所構(gòu)成的平板狀構(gòu)件58所覆蓋。平板狀構(gòu)件58的上面構(gòu)成晶片載臺(tái)WSTl及WST2的移動(dòng)導(dǎo)引面、且構(gòu)成來自空氣滑件 54所具備的空氣軸承的加壓空氣的受壓面。晶片臺(tái)WTBl具有由較厚的薄長方體(厚板狀)構(gòu)件構(gòu)成的臺(tái)本體34、安裝在該臺(tái)本體34的+Y側(cè)側(cè)面(正確而言，是通過全動(dòng)態(tài)裝配構(gòu)造，以動(dòng)態(tài)方式支承于臺(tái)本體34) 的FD桿46、以及固定在臺(tái)本體34的-Y側(cè)側(cè)面的測(cè)量部138這3部分。以下，除特別需要的情形外，將臺(tái)本體34與FD桿46與測(cè)量部138作為全體稱為晶片臺(tái)WTB1。此處，從上方觀察，臺(tái)本體；34具有與可動(dòng)子56相同形狀及大小的外形。晶片臺(tái)WTBl是透過構(gòu)成載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)124的一部分的未圖示的Z調(diào)平機(jī)構(gòu)(例如，包含音圈馬達(dá)等)搭載于載臺(tái)本體91Α之上。利用Z調(diào)平機(jī)構(gòu)可將晶片臺(tái)WTBl相對(duì)載臺(tái)本體91Α微驅(qū)動(dòng)于Z軸方向、θ χ方向及9y方向。因此，晶片WTBl可通過包含平面馬達(dá) 151與Z調(diào)平機(jī)構(gòu)的載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)124(參照?qǐng)D47)，相對(duì)底盤12驅(qū)動(dòng)于6自由度方向(X、 Υ、Ζ、θ X、θ y、θ ζ) ο在晶片臺(tái)WTBl上面的中央，設(shè)有以真空吸附等方式保持晶片的晶片保持具(未圖示)。在晶片保持具(晶片的載置區(qū)域)外側(cè)，如圖43(B)所示，設(shè)有板件觀，該板件觀在其中央形成有比晶片保持具大一圈的圓形開口、且具有矩形狀外形(輪廓)。板件觀的表面施有對(duì)液體Lq的撥液化處理。又，板件觀被設(shè)定成其表面大致全部與晶片Wl的表面大致同一面高。此外，F(xiàn)D桿46及測(cè)量部138是以各自的表面與板件觀表面大致同一面高的方式安裝于臺(tái)本體34。又，在板件觀的+Y側(cè)端部附近的X軸方向大致中央形成有長方形開口，在此開口內(nèi)部埋有測(cè)量板件30。此外，在測(cè)量板件30的一對(duì)空間像測(cè)量狹縫圖案SL各自的下方的晶片臺(tái)WTBl內(nèi)部，對(duì)應(yīng)上述一對(duì)空間像測(cè)量狹縫圖案SL設(shè)有一對(duì)空間像測(cè)量裝置45Α(參照?qǐng)D47)，該空間像測(cè)量裝置45Α包含含物鏡等的光學(xué)系統(tǒng)、與受光元件(例如光電倍增管等)。作為空間像測(cè)量裝置45A，使用與例如美國專利申請(qǐng)公開第2002/0041377號(hào)說明書等所揭示的裝置相同構(gòu)成的裝置。測(cè)量板件30的表面與板件觀大致同一面高。進(jìn)一步地，在板件觀上面的X軸方向一側(cè)與另一側(cè)(圖43(B)中的左右兩側(cè))的區(qū)域，形成有移動(dòng)標(biāo)尺39A、39B。移動(dòng)標(biāo)尺39A、39B分別由例如以Y軸方向?yàn)橹芷诜较虻墓鈻排c以X軸方向?yàn)橹芷诜较虻墓鈻沤M合而成的反射型二維光柵(例如繞射光柵)所構(gòu)成。二維光柵的光柵線的間距，在Y軸方向及X軸方向的任一方向皆為例如Ιμπι。此外，圖 43(B)中，為便于圖示，光柵的間距顯示得比實(shí)際間距大。其它圖中也同樣。移動(dòng)標(biāo)尺39Α、 39Β被撥液膜(撥水膜)所覆蓋。又，為保護(hù)繞射光柵，由具備撥水性的低熱膨漲率的玻璃板加以覆蓋也是有效的。 此處，作為玻璃板，可使用厚度與晶片同程度、例如厚度Imm的玻璃板，將該玻璃板以其表面與晶片面相同高度(面位置)的方式，設(shè)在臺(tái)本體34(晶片臺(tái)WTB1)上面。此外，在板件觀的各移動(dòng)標(biāo)尺的端附近，分別設(shè)有為決定后述編碼器讀頭與標(biāo)尺間的相對(duì)位置的未圖標(biāo)的定位圖案。此定位圖案是由例如反射率不同的光柵線構(gòu)成，當(dāng)編碼器讀頭在此定位圖案上進(jìn)行掃描時(shí)，編碼器輸出信號(hào)的強(qiáng)度會(huì)變化。因此，預(yù)先定一閾值，并檢測(cè)輸出信號(hào)的強(qiáng)度超過該閾值的位置。以此檢測(cè)出的位置為基準(zhǔn)，設(shè)定編碼器讀頭與標(biāo)尺間的相對(duì)位置。如以上所述，本第4實(shí)施形態(tài)中，由于由板件觀自身構(gòu)成標(biāo)尺，因此使用低熱膨漲率的玻璃板作為板件觀。然而，并不限于此，也可將由形成有光柵的例如低熱膨漲率的玻璃板等所構(gòu)成的標(biāo)尺構(gòu)件，以不致產(chǎn)生局部伸縮的方式，利用例如板彈簧(或真空吸附)等固定在晶片臺(tái)WTBl的上面?；蛘撸部梢杂傻蜔崤驖q率的材料形成晶片臺(tái)WTB1，此場合，可將移動(dòng)標(biāo)尺直接形成在該晶片臺(tái)WTBl的上面。FD桿46，如圖43(B)所示，其構(gòu)成與前述第1實(shí)施形態(tài)相同。形成于FD桿46的一對(duì)基準(zhǔn)光柵52的間隔為距離L。測(cè)量部138是以X軸方向?yàn)殚L邊方向的長方體狀。在測(cè)量部138上設(shè)有后述各種測(cè)量用構(gòu)件。晶片載臺(tái)WST2，如圖42、圖44(A)及圖44(B)等所示，包含載臺(tái)本體91Β與晶片臺(tái) WTB2,構(gòu)成為與上述晶片載臺(tái)WSTl相同。通過由可動(dòng)子56與定子152構(gòu)成的平面馬達(dá)151 驅(qū)動(dòng)晶片載臺(tái)WST2。晶片臺(tái)WTB2，如圖44㈧及圖44⑶所示，與前述晶片臺(tái)WTBl同樣地，具有臺(tái)本體；34、分別安裝在該臺(tái)本體34的+Y側(cè)側(cè)面、-Y側(cè)側(cè)面的FD桿46、以及測(cè)量部138這3部分。不過，晶片載臺(tái)WST2的測(cè)量部138所具備的各種測(cè)量用構(gòu)件，與晶片載臺(tái)WSTl的測(cè)量部138所具備的各種測(cè)量用構(gòu)件不同。即，本第4實(shí)施形態(tài)中，多種類的測(cè)量用構(gòu)件被分散配置在晶片載臺(tái)WST1、WST2分別具備的測(cè)量部138中。又，將包含晶片臺(tái)WTB2的測(cè)量板件 30所構(gòu)成的一對(duì)空間像測(cè)量裝置，以下，記載為空間像測(cè)量裝置45B。作為上述測(cè)量用構(gòu)件，如圖43(B)所示，可使用與前述相同的照度不均傳感器94、 具有在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面上接收照明光IL的既定面積的受光部的照度監(jiān)測(cè)器97、以及如圖44(B)所示的波面像差測(cè)量器98、以及空間像測(cè)量器等。本第4實(shí)施形態(tài)中，作為測(cè)量用構(gòu)件，也可使用例如測(cè)量投影光學(xué)系統(tǒng)PL的透射率的透射率測(cè)量器、及/或觀察前述局部液浸裝置8、例如嘴單元32 (或者前端透鏡191)等的測(cè)量器等。再者，也可將與測(cè)量用構(gòu)件不同的構(gòu)件，例如用以清掃嘴單元32、前端透鏡 191等的清掃構(gòu)件等搭載于任一晶片載臺(tái)。此外，本第4實(shí)施形態(tài)中，與經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)PL與液體(水)Lq利用曝光用光 (照明光)IL來進(jìn)行使晶片W曝光的液浸曝光相對(duì)應(yīng)地，在使用照明光IL的測(cè)量所使用的上述照度不均傳感器94、照度監(jiān)測(cè)器97及波面像差測(cè)量器98以及空間像測(cè)量器中，經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)PL及水來接收照明光IL。又，各傳感器可僅將例如光學(xué)系統(tǒng)等的一部分搭載于晶片臺(tái)，也可將傳感器全體配置于晶片臺(tái)。前述空間像測(cè)量裝置45A、45B也同樣。又，雖省略圖示，但從晶片載臺(tái)WSTl的-X側(cè)端部、至設(shè)于底盤12的-X側(cè)的可移動(dòng)于Y軸方向的第1纜線梭(未圖標(biāo))，連接有未圖標(biāo)的配線配管用纜線。同樣地，從晶片載臺(tái)WST2的+X側(cè)端部、至設(shè)在底盤12的+X側(cè)的可移動(dòng)于Y軸方向的第2纜線梭(未圖標(biāo))，連接有未圖標(biāo)的配線配管用纜線。通過這些纜線，進(jìn)行對(duì)設(shè)于兩晶片載臺(tái)WST1、WST2 的Z調(diào)平機(jī)構(gòu)及測(cè)量用構(gòu)件等的電力供應(yīng)，以及對(duì)空氣滑件的加壓空氣的供應(yīng)等。本第4實(shí)施形態(tài)的曝光裝置1000中，雖然在圖42中考慮到避免圖面的錯(cuò)綜復(fù)雜而省略了圖示，但實(shí)際上，如圖45所示，配置有在通過投影單元PU的中心(投影光學(xué)系統(tǒng) PL的光軸AX，本第4實(shí)施形態(tài)中也與前述曝光區(qū)域IA的中心一致)且與Y軸平行的直線、 也即在基準(zhǔn)軸LVtl上，在-Y側(cè)與光軸AX相隔既定距離的位置處具有檢測(cè)中心的一次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALl。此外，夾著一次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1，在X軸方向的一側(cè)與另一側(cè)，分別設(shè)有檢測(cè)中心關(guān)于基準(zhǔn)軸LVtl呈大致對(duì)稱配置的二次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL2p AL22、與AL23、AL24。即，5個(gè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng) AL1、AIA ΑΙΛ以其檢測(cè)中心在X軸方向上位于不同位置，即沿X軸方向所配置。作為一次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALl及4個(gè)二次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AU1 ΑΙΛ的每一個(gè)，使用例如圖像處理方式的FIA(Field Image Alignment)系統(tǒng)。分別來自一次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALl及4個(gè)二次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AIA ΑΙΛ的攝影信號(hào)，經(jīng)由未圖標(biāo)的對(duì)準(zhǔn)信號(hào)處理系統(tǒng)被供應(yīng)至圖47的主控制裝置20。接著，說明用以測(cè)量晶片載臺(tái)WSTl及WST2的位置信息的干涉儀系統(tǒng)118的構(gòu)成寸。在晶片臺(tái)WTBl的+X側(cè)的面(+X端面)及-X側(cè)的面(-X端面)分別施有鏡面加工， 形成有如圖43(B)所示的反射面27a、27c。此外，在晶片臺(tái)WTBl的+Y側(cè)的面(+Y端面)、 也即FD桿46的+Y端面，及晶片臺(tái)WTBl的-Y側(cè)的面(_Y端面)、也即測(cè)量部138的-Y端面，分別形成有反射面27b、27d。同樣地，在晶片臺(tái)WTB2的+X端面、-X端面、+Y端面(FD桿的+Y端面)及-Y端面 (也即測(cè)量部的-Y端面)，分別施有鏡面加工，形成有如圖44(B)所示的反射面27e、27g、 27f,27h0干涉儀系統(tǒng)118，如圖46所示，包含4個(gè)Y干涉儀206、207、208、209、與6個(gè)X干涉儀217、218、226、227、228、229。在底盤12的+Y側(cè)，在X軸方向的不同位置上配置有Y干涉儀206、207、208。在底盤12的-Y側(cè)，與Y干涉儀207對(duì)向地配置有Y干涉儀209。在底盤12的-X側(cè)，在Y軸方向上以既定間隔配置有X干涉儀217、218。又，在底盤12的+X側(cè)， 在Y軸方向的不同位置上配置有X干涉儀226、227、228、229。其中，X干涉儀227、2沘是分別與X干涉儀217、218對(duì)向配置。詳言之，Y干涉儀207，如圖46所示，是以前述基準(zhǔn)軸LVtl為關(guān)于Y軸方向的實(shí)質(zhì)
49測(cè)長軸的多軸干涉儀。Y干涉儀207將與Y軸平行的至少3條測(cè)長光束照射于晶片臺(tái)WTBl 的反射面27b (或晶片臺(tái)WTB2的反射面27f)，接收這些的反射光，測(cè)量在各測(cè)長光束照射點(diǎn)的反射面27b (或27f)的Y軸方向位置信息。這些位置信息被送至主控制裝置20 (參照?qǐng)D 47)。主控制裝置20根據(jù)由Y干涉儀207測(cè)量的位置信息，算出晶片臺(tái)WTBl (或WTB2)在 Y軸方向的位置(Y位置)、θ ζ旋轉(zhuǎn)量(偏搖量)及θ χ旋轉(zhuǎn)量(縱搖量)。Y干涉儀206、208、209與Y干涉儀207同樣地，被用于測(cè)量晶片臺(tái)WTBl (或WTB2) 的Y位置、縱搖量及偏搖量。Y干涉儀206、208分別具有與基準(zhǔn)軸LVtl平行的Y軸方向的實(shí)質(zhì)測(cè)長軸LVi、LV2。此外，Y干涉儀209以基準(zhǔn)軸LVtl為實(shí)質(zhì)測(cè)長軸，將至少3條測(cè)長光束照射于晶片臺(tái)WTBl的反射面27d、或晶片臺(tái)WTB2的反射面27h。X干涉儀217、227是以前述基準(zhǔn)軸LH為關(guān)于X軸方向的實(shí)質(zhì)測(cè)長軸的多軸干涉儀。即，X干涉儀217將與X軸平行的多條測(cè)長光束照射于晶片臺(tái)WTBl的反射面27c，接收各自的反射光，測(cè)量在各測(cè)長光束照射點(diǎn)的反射面27c的X軸方向位置信息。同樣地，X干涉儀227將與X軸平行的多條測(cè)長光束照射于晶片臺(tái)WTB2的反射面27e，接收各自的反射光，測(cè)量在測(cè)長光束照射點(diǎn)的反射面27e的X軸方向位置信息。這些位置信息被送至主控制裝置20。主控制裝置20根據(jù)由X干涉儀217、227測(cè)量的位置信息，分別算出晶片臺(tái)WTB1、 WTB2的X位置、以及θ y旋轉(zhuǎn)量(橫搖量)。X干涉儀218、2觀是由與X干涉儀217、227同樣的多軸干涉儀構(gòu)成，分別用于測(cè)量晶片臺(tái)WTB1、WTB2的X位置、及ey旋轉(zhuǎn)量(橫搖量)。其余的X干涉儀226、229皆是由與X干涉儀217、227同樣的多軸干涉儀構(gòu)成，皆用于測(cè)量晶片臺(tái)WTBl及WTB2的X位置、及ey旋轉(zhuǎn)量(橫搖量)。又，X干涉儀229以前述基準(zhǔn)軸LA為測(cè)長軸。如以上所述，通過包含Y干涉儀206、207、208、209及X干涉儀217、218、226、227、 2觀、2四的干涉儀系統(tǒng)118的使用，能測(cè)量晶片臺(tái)WTB1、WTB2的5自由度(X、Y、θ χ、θ y、 θ ζ)方向的位置信息。此外，多軸干涉儀、例如各X干涉儀，可通過傾斜45°地設(shè)于晶片載臺(tái)WST1、WST2的反射面，將激光光束照射于設(shè)在用以保持投影單元PU的主機(jī)架的一部分的未圖示的反射面，來檢測(cè)晶片載臺(tái)WST1、WST2的Z位置。接著，說明用以測(cè)量晶片載臺(tái)WSTl及WST2的XY平面內(nèi)的位置信息(含θ z旋轉(zhuǎn)的信息)的編碼器系統(tǒng)150的構(gòu)成等。本第4實(shí)施形態(tài)的曝光裝置1000中，如圖45所示，在前述液浸區(qū)域14(嘴單元 32)的+X側(cè)，-X側(cè)，以X軸方向?yàn)殚L邊方向配置有編碼器系統(tǒng)150的2個(gè)讀頭單元162A、 162B。這些讀頭單元162A、162B，在圖45等中考慮到避免圖面的錯(cuò)綜復(fù)雜而省略了圖示，但實(shí)際上，通過支承構(gòu)件，以懸吊狀態(tài)固定于保持前述投影單元PU的主機(jī)架。讀頭單元162B、162A，分別具備在X軸方向以間隔WD配置的多個(gè)(此處為5個(gè))2 維編碼器讀頭(以下，簡稱為2D讀頭)16仏165」(i、j = 1 5)。詳言之，讀頭單元162B及 162A，分別具備除投影單元PU的周邊外、在前述基準(zhǔn)軸LH上以間隔WD配置的多個(gè)(此處為4個(gè))2D讀頭(161 1644或16 1655)，以及在投影單元PU周邊、配置于從基準(zhǔn)軸 LH在-Y方向上相距既定距離的位置、即配置在嘴單元32的-Y側(cè)位置的1個(gè)2D讀頭(1645 或165》。讀頭單元162A、162B也分別具備后述5個(gè)Z讀頭。此處，所謂2D讀頭，是在彼此正交的二軸方向、此處為X軸方向及Y軸方向上具有感度，即以正交二軸方向(X軸方向及Y軸方向)為測(cè)量方向的編碼器讀頭。作為2D讀頭，可使用與例如前述第2、第3實(shí)施形態(tài)中采用的2D讀頭相同構(gòu)成的2D讀頭(例如圖34所示讀頭)。讀頭單元162A構(gòu)成使用前述移動(dòng)標(biāo)尺39A，測(cè)量晶片載臺(tái)WST1、WST2的X軸方向位置(X位置)及Y軸方向位置(Y位置)的多眼(此處為5眼)2維編碼器(以下，適當(dāng)?shù)睾喎Q為「編碼器」)170A(參照?qǐng)D47)。同樣地，讀頭單元162B構(gòu)成使用前述移動(dòng)標(biāo)尺39B， 測(cè)量晶片載臺(tái)WST1、WST2的X位置及Y位置的多眼(此處為5眼)2維編碼器170B (參照?qǐng)D47)。此處，讀頭單元162A及162B所分別具備的5個(gè)2D讀頭或165」)(即，測(cè)量光束)在X軸方向的間隔WD，被設(shè)定為比移動(dòng)標(biāo)尺39A、39B(正確而言，是2維光柵)的X 軸方向?qū)挾嚷哉?。又，?Y方向上與2D讀頭1643、1653相距既定距離的位置，配置有2D讀頭166” 164。2D讀頭166^16 是以關(guān)于基準(zhǔn)軸LVtl彼此對(duì)稱的配置設(shè)置。2D讀頭166ρ1662，實(shí)際上，是通過支承構(gòu)件，以懸吊狀態(tài)固定于保持前述投影單元PU的主機(jī)架。2D讀頭WhUeei，分別使用前述移動(dòng)標(biāo)尺39Α、39Β構(gòu)成測(cè)量晶片載臺(tái)WST1、WST2 的X位置及Y位置的2維編碼器170E、170F (參照?qǐng)D47)。在后述周邊曝光動(dòng)作時(shí)等，2D讀頭166ρ1662分別對(duì)向于移動(dòng)標(biāo)尺39Β、39Α，由此2D讀頭166:、1662 (即，2維編碼器170Ε、 170F)測(cè)量晶片載臺(tái)WSTl或WST2的X、Y位置及θ ζ旋轉(zhuǎn)量。本第4實(shí)施形態(tài)中，進(jìn)一步在-Y側(cè)與2D讀頭Ie^uee1相距既定距離處，分別設(shè)有讀頭單元162C、162D。讀頭單元162C及162D，在圖45等中考慮到避免圖面的錯(cuò)綜復(fù)雜而省略了圖示，但實(shí)際上，是通過支承構(gòu)件，以懸吊狀態(tài)固定于主機(jī)架。讀頭單元162D，具備在與屬于讀頭單元162Β的5個(gè)2D讀頭6‘ 645相同的X位置分別配置的5個(gè)2D讀頭167i 1675。詳言之，讀頭單元162D，具備配置在二次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AU1的-X側(cè)、在前述基準(zhǔn)軸LA上以間隔WD配置的4個(gè)2D讀頭167i 1674，以及在+X 側(cè)與最內(nèi)側(cè)(+X側(cè))的2D讀頭1674相距距離WD、且在-Y側(cè)相距基準(zhǔn)軸LA既定距離的二次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AI^1的-Y側(cè)位置處所配置的1個(gè)2D讀頭1675。讀頭單元162C，關(guān)于基準(zhǔn)軸LVtl與讀頭單元162D為對(duì)稱，具備與上述5個(gè)2D讀頭 1675 167i關(guān)于基準(zhǔn)軸LVtl對(duì)稱配置的5個(gè)2D讀頭IeS1 16&。在后述對(duì)準(zhǔn)動(dòng)作時(shí)等， 2D讀頭167^168,^4 = 1 5)至少各有1個(gè)分別對(duì)向于移動(dòng)標(biāo)尺39B、39A，利用此2D讀頭167、168( S卩，由這些2D讀頭167、168構(gòu)成的2維編碼器170D、170C(參照?qǐng)D47))測(cè)量晶片載臺(tái)WSTl或WST2的X、Y位置及θ ζ旋轉(zhuǎn)量。此處，與二次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AI^、AL24在X軸方向相鄰的2D讀頭1674、16&的X軸方向間隔，被設(shè)定為與前述距離L大致相等。又，本第4實(shí)施形態(tài)中，以和例如國際公開第2007/097379號(hào)小冊(cè)子等所揭示的 Sec-BCHK(間隔)相同順序，定期地進(jìn)行二次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ΑΙΑ ΑΙΛ的基準(zhǔn)線測(cè)量。在此二次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AU1 ΑΙΛ的基準(zhǔn)線測(cè)量時(shí)，上述2個(gè)2D讀頭1674、16&分別與FD桿46的一對(duì)基準(zhǔn)光柵52對(duì)向，利用與該一對(duì)基準(zhǔn)光柵52對(duì)向的2D讀頭1674、1682，以各自的基準(zhǔn)光柵52的位置測(cè)量出FD桿46的Y位置。以下，將由與一對(duì)基準(zhǔn)光柵52分別對(duì)向的2D 讀頭1674、1682所構(gòu)成的編碼器稱為Y線性編碼器(也適當(dāng)?shù)睾喎Q為「Y編碼器」或「編碼器」)170G、170H(參照?qǐng)D47)。上述編碼器170A 170H以例如0. Inm程度的分辨率測(cè)量晶片載臺(tái)WSTl (或WST2) 的位置坐標(biāo)，將該測(cè)量值供應(yīng)至主控制裝置20。主控制裝置20根據(jù)編碼器170A及170B、或170C及170D、或170E及170F的測(cè)量值，控制晶片載臺(tái)WSTl (或WST2)在XY平面內(nèi)的位置(含92旋轉(zhuǎn))，并根據(jù)￥編碼器1706、170!1的測(cè)量值控制？0桿46(晶片載臺(tái))的θζ旋轉(zhuǎn)。本第4實(shí)施形態(tài)中，作為上述2D讀頭164ρ 165」、166:、1662、167p、168q,使用例如具有配置于X軸方向及Y軸方向的2對(duì)固定標(biāo)尺，用各對(duì)固定標(biāo)尺將從2維光柵(移動(dòng)標(biāo)尺 39A、39B)發(fā)出的正交2軸方向的同一次數(shù)的繞射光，分別聚光于共通的索引標(biāo)尺的3光柵繞射干涉方式的編碼器。不過，并不限于此，若用單一讀頭能測(cè)量晶片臺(tái)的XY 2維方向的位置的話，可使用任何構(gòu)成的2D讀頭。本第4實(shí)施形態(tài)的曝光裝置1000中，如圖45所示，設(shè)有由照射系統(tǒng)90a及受光系統(tǒng)90b構(gòu)成的多點(diǎn)AF系統(tǒng)。此處，舉一例而言，在前述讀頭單元162D的+Y側(cè)配置有照射系統(tǒng)90a，并以和此對(duì)峙的狀態(tài)，在前述讀頭單元162C的+Y側(cè)配置有受光系統(tǒng)90b。照射系統(tǒng)90a與受光系統(tǒng)90b關(guān)于基準(zhǔn)軸LVtl成對(duì)稱的配置。圖45中，并未單獨(dú)圖示檢測(cè)光束分別照射的多個(gè)檢測(cè)點(diǎn)，而顯示成在照射系統(tǒng) 90a及受光系統(tǒng)90b之間延伸于X軸方向的細(xì)長檢測(cè)區(qū)域(光束區(qū)域)AF。由于此檢測(cè)區(qū)域AF的X軸方向的長度被設(shè)定成比晶片(W1、W2)的直徑略長，因此僅通過在Y軸方向上掃描晶片一次，即能測(cè)量晶片W的大致全面的Z軸方向位置信息(面位置信息)。此外，關(guān)于 Y軸方向，檢測(cè)區(qū)域AF被配置在液浸區(qū)域14(曝光區(qū)域IA)與對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)(ALl、AL2i、AL22、 AL23、AL24)的檢測(cè)區(qū)域之間，因此能用多點(diǎn)AF系統(tǒng)與對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)并行進(jìn)行其檢測(cè)動(dòng)作。多點(diǎn) AF系統(tǒng)設(shè)在保持投影單元PU的主機(jī)架等。關(guān)于通過多點(diǎn)AF系統(tǒng)(90a、90b)的檢測(cè)區(qū)域AF的Y軸方向中心的X軸方向直線 LF,以和前述一對(duì)讀頭單元162C、162D大致對(duì)稱的配置，設(shè)有一對(duì)讀頭單元162E、162F。讀頭單元162E、162F固定在未圖標(biāo)的主機(jī)架下面。讀頭單元162E、162F關(guān)于基準(zhǔn)軸LVtl成對(duì)稱的配置。讀頭單元162F，具有與屬于前述讀頭單元162D的2D讀頭167i 1675關(guān)于直線 LF對(duì)稱配置的5個(gè)Z讀頭Hl1 1715。又，讀頭單元162E，具有與屬于前述讀頭單元162C 的2D讀頭IeS1 16 關(guān)于直線LF對(duì)稱配置的5個(gè)Z讀頭173i 17；35。此場合，Z讀頭 Hll 1715與Z讀頭17 1731;關(guān)于基準(zhǔn)線LVtl成對(duì)稱。作為Z讀頭Hl1 1715及Z讀頭173i 17 ，使用對(duì)晶片臺(tái)WTBl或WTB2、具體而言對(duì)移動(dòng)標(biāo)尺39A、39B從上方照射光，接收其反射光來測(cè)量在該光的照射點(diǎn)的晶片臺(tái)WTBl 或WTB2表面的Z軸方向位置信息的傳感器讀頭，舉一例而言，例如使用在CD驅(qū)動(dòng)裝置等中所使用的光拾取器那樣的構(gòu)成的光學(xué)式變位傳感器讀頭。進(jìn)一步地，前述讀頭單元162B、162A，在與各自具備的5個(gè)Y讀頭16<、165」(i、j = 1 5)相同的X位置，不過錯(cuò)開Y位置之處，分別具備5個(gè)Z讀頭74i、76j(i、j = 1 5)。 此處，分別屬于讀頭單元162A、162B的外側(cè)4個(gè)Z讀頭7 765、71 744，是在+Y方向相距基準(zhǔn)軸LH既定距離，配置成與基準(zhǔn)軸LH平行。又，分別屬于讀頭單元162A、162B的最內(nèi)側(cè)的Z讀頭76i、745，則配置在投影單元PU的+Y側(cè)。而且，分別屬于讀頭單元162B、162A 的5個(gè)Z讀頭74”76」(i、j = 1 5)，配置成彼此關(guān)于基準(zhǔn)軸LVtl對(duì)稱。上述Z讀頭Hl1 1715、Z讀頭173丨 1735、Z讀頭74丨 745及Z讀頭76丨 765，如圖47所示，經(jīng)由信號(hào)處理選擇裝置160連接于主控制裝置20。主控制裝置20，經(jīng)由信號(hào)處理選擇裝置160從Z讀頭Hl1 1715、Z讀頭173i 17!35、Z讀頭7+ 745及Z讀頭76i 7β5中選擇任意的Z讀頭使其為工作狀態(tài)，經(jīng)由信號(hào)處理選擇裝置160接收用該設(shè)為工作狀態(tài)的Z讀頭檢測(cè)出的面位置信息。本第4實(shí)施形態(tài)中，包含Z讀頭Hl1 1715、Ζ 讀頭173i 1735、Z讀頭71 745及Z讀頭76i 765、與信號(hào)處理選擇裝置160，構(gòu)成用于測(cè)量晶片臺(tái)WTBl (或WTB2)的Z軸方向及相對(duì)XY平面的傾斜方向位置信息的面位置測(cè)量系統(tǒng)180。進(jìn)一步地，本第4實(shí)施形態(tài)的曝光裝置1000中，如圖45所示，在前述2D讀頭166” 16 彼此之間，配置了具有延伸于X軸方向的周邊曝光用主動(dòng)掩模51a的周邊曝光單元 51 (參照?qǐng)D8)。周邊曝光單元51，通過未圖示的支承構(gòu)件以懸吊狀態(tài)被支承在未圖標(biāo)的主機(jī)架下面。在此周邊曝光單元51中，通過對(duì)構(gòu)成周邊曝光用主動(dòng)掩模的一對(duì)可變成形掩模 VMU VM2的各微反射鏡進(jìn)行ON狀態(tài)與OFF狀態(tài)的切換，由此能使位于周邊曝光單元51下方的晶片Wl (或W2)上的周邊照射的任意區(qū)域曝光。又，也可由延伸于X方向的單一可變成形掩模構(gòu)成周邊曝光單元51的周邊曝光用主動(dòng)掩模51a。此外，也可取代來自光源的光， 例如使用光纖將照明光IL導(dǎo)至周邊曝光用主動(dòng)掩模。使用此周邊曝光單元51，可在晶片Wl或W2的X軸方向中心與周邊曝光單元51的長邊方向中心大致一致的狀態(tài)下，使晶片載臺(tái)WSTl或WST2移動(dòng)于Y軸方向，由此能使晶片 Wl或W2的任意周邊曝光區(qū)域(例如，參照?qǐng)D13的區(qū)域Sla、S7a、S8a、S16a、S17a、S27a、 S50a、S60a、S61a、S69a、S70A、S76a)曝光，形成任意圖案。圖47中，顯示了曝光裝置1000的控制系統(tǒng)的主要構(gòu)成。此控制系統(tǒng)，是以由統(tǒng)籌控制裝置全體的微電腦(或工作站)組成的主控制裝置20為中心構(gòu)成。又，圖47中，前述照度不均傳感器94、照度監(jiān)測(cè)器97及波面像差測(cè)量器98等各種傳感器，集中顯示成傳感器群99。接著，根據(jù)圖48 圖76說明使用晶片載臺(tái)WST1、WST2的并行處理動(dòng)作。又，以下的動(dòng)作中，由主控制裝置20控制液體供應(yīng)裝置5與液體回收裝置6，將液體Lq供應(yīng)至投影光學(xué)系統(tǒng)PL的前端透鏡191正下方，并從前端透鏡191正下方加以回收，將一定量的液體Lq保持在前端透鏡191與晶片臺(tái)WTBl及/或WTB2之間，據(jù)以總是形成液浸區(qū)域14。不過，以下為使說明易于理解，省略關(guān)于液體供應(yīng)裝置5及液體回收裝置6的控制的說明。此夕卜，之后的動(dòng)作說明將使用多個(gè)圖進(jìn)行，但各圖中的同一構(gòu)件有的有賦予符號(hào)、有的則未賦予符號(hào)。即，各圖中記載的符號(hào)雖不同，但各圖不論有無符號(hào)，皆為相同構(gòu)成。之前說明中所使用的各圖也同樣。又，圖48 圖76中，為便于圖示，僅顯示液浸區(qū)域14而省略了投影單元PU (投影光學(xué)系統(tǒng)PL)及局部液浸裝置8 (嘴單元3 等的圖標(biāo)。圖48中，顯示了在液浸區(qū)域14(投影單元PU)下方，對(duì)晶片載臺(tái)WST2上所保持的晶片W2進(jìn)行步進(jìn)掃描方式的曝光，與此并行地，在左側(cè)的裝載位置，完成在晶片搬送機(jī)構(gòu) (未圖示)與晶片載臺(tái)WSTl間的晶片更換、及晶片保持具的冷卻與其它為進(jìn)行曝光的準(zhǔn)備作業(yè)(以下，稱Pit作業(yè))時(shí)的狀態(tài)。此時(shí)，晶片臺(tái)WTBl的位置，是根據(jù)Y涉儀208與X干涉儀229的測(cè)量值由主控制裝置20加以管理。又，此時(shí)，晶片臺(tái)WTB2在XY平面內(nèi)的位置 (含θ ζ方向的旋轉(zhuǎn)量)，是根據(jù)屬于與晶片臺(tái)WTB2的移動(dòng)標(biāo)尺39Α、39Β分別對(duì)向的讀頭單元162Α、162Β的2D讀頭16\、16< (即2維編碼器170Α、170Β)的測(cè)量值，由主控制裝置 20加以控制。又，曝光中的晶片臺(tái)WTB2在Z軸方向的位置、及ey方向的旋轉(zhuǎn)(橫搖)，是根據(jù)與晶片臺(tái)WTB2表面的X軸方向一側(cè)與另一側(cè)端部(移動(dòng)標(biāo)尺39B、39A)分別對(duì)向的一對(duì)Z 讀頭74”76」的測(cè)量值，由主控制裝置20加以控制。又，曝光中的晶片臺(tái)WTB2在θχ方向的旋轉(zhuǎn)(縱搖)，是根據(jù)Y干涉儀207的測(cè)量值由主控制裝置20加以控制。此曝光中的晶片臺(tái)WTB2在Z軸方向的位置、θ y旋轉(zhuǎn)及ΘΧ旋轉(zhuǎn)的控制(晶片W的焦點(diǎn)調(diào)平控制)，是根據(jù)事先進(jìn)行的焦點(diǎn)映射的結(jié)果進(jìn)行。再者，除晶片臺(tái)WTB2的Z軸方向之外的5自由度方向的位置，也由干涉儀207、227加以測(cè)量。上述曝光動(dòng)作，是由主控制裝置20根據(jù)事先進(jìn)行的晶片對(duì)準(zhǔn)(例如EGA)的結(jié)果及對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1、AIA ΑΙΛ的最新的基準(zhǔn)線等，反復(fù)進(jìn)行將晶片載臺(tái)WST2移動(dòng)至為進(jìn)行晶片W2上各照射區(qū)域的曝光的掃描開始位置(加速開始位置)的照射間移動(dòng)、以及以掃描曝光方式將形成于標(biāo)線片R的圖案轉(zhuǎn)印至各照射區(qū)域的掃描曝光動(dòng)作，來進(jìn)行。此外，晶片 W2上的曝光對(duì)象照射區(qū)域的行數(shù)為偶數(shù)行，上述曝光是以所謂的完全交互掃描，以從位于圖48的左上的照射區(qū)域至位于左下的照射區(qū)域的順序進(jìn)行。如上所述，在對(duì)晶片臺(tái)WTB2上的晶片W2的步進(jìn)掃描方式的曝光持續(xù)進(jìn)行的期間， 由主控制裝置20，如圖49所示地開始使晶片載臺(tái)WSTl往+X方向的驅(qū)動(dòng)。接著，晶片載臺(tái) WST1，如圖50所示，移動(dòng)至能將測(cè)量板件30上的基準(zhǔn)標(biāo)記FM定位于一次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALl的視野(檢測(cè)區(qū)域)內(nèi)的位置。此移動(dòng)途中，主控制裝置20，將晶片臺(tái)WTBl在XY平面內(nèi)的位置控制，從根據(jù)前述干涉儀208、229的測(cè)量值的控制，切換為根據(jù)分別屬于與晶片臺(tái)WTBl 的移動(dòng)標(biāo)尺39B、39A對(duì)向的讀頭單元162D、162C的2D讀頭167p、168, (p、q = 1 5)、即2 維編碼器170D、170C的測(cè)量值的控制。接著，當(dāng)晶片載臺(tái)WSTl移動(dòng)至圖50所示位置時(shí)，主控制裝置20，在開始對(duì)新晶片 Wl的晶片對(duì)準(zhǔn)(及其它前處理測(cè)量)之前，先實(shí)施Y干涉儀209及X干涉儀229、以及2維編碼器170D、170C的重置(原點(diǎn)的再設(shè)定)。干涉儀209、2四及2維編碼器170D、170C的重置結(jié)束時(shí)，主控制裝置20，使用一次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALl檢測(cè)晶片載臺(tái)WSTl的測(cè)量板件30上的基準(zhǔn)標(biāo)記FM。之后，主控制裝置20， 檢測(cè)以一次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALl的指針中心為基準(zhǔn)的基準(zhǔn)標(biāo)記FM的位置，將該檢測(cè)結(jié)果、與在檢測(cè)時(shí)的編碼器170C、170D的測(cè)量值，對(duì)應(yīng)儲(chǔ)存于內(nèi)存。接著，主控制裝置20開始晶片載臺(tái)WSTl往+Y方向的掃描，如圖51所示，使其移動(dòng)至對(duì)準(zhǔn)區(qū)域。之后，主控制裝置20使用編碼器170C、170D (及干涉儀209、229)，一邊測(cè)量晶片載臺(tái)WST2的位置坐標(biāo)、一邊開始增強(qiáng)型全晶片對(duì)準(zhǔn)(EGA)。詳言之，主控制裝置20 使晶片載臺(tái)WSTl移動(dòng)于X軸方向，并且一邊使其在Y軸方向上步進(jìn)移動(dòng)、一邊在每一步進(jìn)位置上使用包含一次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALl的至少1個(gè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，檢測(cè)附設(shè)于晶片Wl上特定的多個(gè)照射區(qū)域(取樣照射區(qū)域)的多個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的一部分，將其檢測(cè)結(jié)果與在檢測(cè)時(shí)的編碼器 170CU70D的測(cè)量值，關(guān)聯(lián)起來儲(chǔ)存于未圖標(biāo)的內(nèi)存。圖51中，顯示了使用一次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1、二次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AU2、AL23、AL24，大致同時(shí)且單獨(dú)地檢測(cè)附設(shè)于4個(gè)取樣照射區(qū)域的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的狀態(tài)(參照?qǐng)D51中的星標(biāo)記)。此時(shí)，對(duì)晶片載臺(tái)WST2上所保持的晶片W2的步進(jìn)掃描方式的曝光仍持續(xù)進(jìn)行。主控制裝置20，在對(duì)上述晶片載臺(tái)WSTl的+Y方向的掃描開始后，晶片載臺(tái)WSTl 移動(dòng)于+Y方向，在多點(diǎn)AF系統(tǒng)(90a、90b)的檢測(cè)光束開始照射到晶片Wl上為止的期間， 使與移動(dòng)標(biāo)尺39B、39A分別對(duì)向的2個(gè)Z讀頭171p、173,(例如1713、1733)與多點(diǎn)AF系統(tǒng)(90a、90b) —起工作(0N)，開始焦點(diǎn)映射。此處，本第4實(shí)施形態(tài)中的焦點(diǎn)映射是指如下處理在Z讀頭171p、17;\與多點(diǎn)AF 系統(tǒng)(90a、90b)同時(shí)工作的狀態(tài)下，在晶片載臺(tái)WSTl (或WST2)往+Y方向行進(jìn)的期間(參照?qǐng)D51 圖55)，以既定取樣間隔，擷取由Z讀頭171p、17;\測(cè)量的晶片臺(tái)WTBl (或WTB2) 表面(板件觀表面，具體而言，是移動(dòng)標(biāo)尺39B、39A表面)在Z軸方向的位置信息(面位置信息)、以及由多點(diǎn)AF系統(tǒng)(90a、90b)檢測(cè)的在多個(gè)檢測(cè)點(diǎn)的晶片Wl (或W2)表面在Z軸方向的位置信息(面位置信息)，將該擷取的各面位置信息與各取樣時(shí)的編碼器170C、170D 的測(cè)量值這三者，以彼此對(duì)應(yīng)的方式逐次儲(chǔ)存于未圖標(biāo)的內(nèi)存。焦點(diǎn)映射的開始后，主控制裝置20根據(jù)編碼器170C、170D的測(cè)量值使晶片載臺(tái) WSTl在+Y方向移動(dòng)既定距離，且在-X方向移動(dòng)既定距離，如圖52所示，將其定位于5個(gè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1、AIA ΑΙΛ能大致同時(shí)且單獨(dú)地檢測(cè)附設(shè)于晶片W上的5個(gè)取樣照射區(qū)域的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置。接著，主控制裝置20，使用5個(gè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1、AIA ΑΙΛ大致同時(shí)且單獨(dú)地檢測(cè)5個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(參照?qǐng)D52中的星標(biāo)記)，將上述5個(gè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALl Λ12, AL& 的檢測(cè)結(jié)果與該檢測(cè)時(shí)的編碼器170C、170D的測(cè)量值，關(guān)聯(lián)起來儲(chǔ)存于未圖標(biāo)的內(nèi)存。此時(shí)，前述晶片載臺(tái)WSTl側(cè)的焦點(diǎn)映射、以及對(duì)晶片載臺(tái)WST2上的晶片W2的步進(jìn)掃描方式的曝光仍持續(xù)進(jìn)行。其次，主控制裝置20根據(jù)編碼器170C、170D的測(cè)量值，使晶片載臺(tái)WSTl在+Y方向移動(dòng)既定距離、且在+X方向移動(dòng)既定距離，如圖53所示，將其定位于5個(gè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1、 AIA 々1^4能大致同時(shí)且單獨(dú)地檢測(cè)附設(shè)于晶片W上的5個(gè)取樣照射區(qū)域的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置。之后，主控制裝置20使用5個(gè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1、AIA ΑΙΛ大致同時(shí)且單獨(dú)地檢測(cè)5個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(參照?qǐng)D53中的星標(biāo)記)，將上述5個(gè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALl、AIA AL&的檢測(cè)結(jié)果與該檢測(cè)時(shí)的編碼器170C、170D的測(cè)量值，關(guān)聯(lián)起來儲(chǔ)存于未圖標(biāo)的內(nèi)存。此時(shí)，前述晶片載臺(tái)WSTl側(cè)的焦點(diǎn)映射、及對(duì)晶片載臺(tái)WST2的晶片W2的步進(jìn)掃描方式的曝光仍持續(xù)進(jìn)行。接著，主控制裝置20根據(jù)編碼器170C、170D的測(cè)量值，使晶片載臺(tái)WSTl在+Y方向移動(dòng)既定距離、且在-X方向移動(dòng)既定距離，如圖M所示，將其定位于5個(gè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1、 AIA 々1^4能大致同時(shí)且單獨(dú)地檢測(cè)附設(shè)于晶片W上的5個(gè)取樣照射區(qū)域的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置。之后，主控制裝置20使用5個(gè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALl、AIA ΑΙΛ大致同時(shí)且單獨(dú)地檢測(cè)5個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(參照?qǐng)DM中的星標(biāo)記)，將上述5個(gè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALl、AIA ΑΙΛ的檢測(cè)結(jié)果與該檢測(cè)時(shí)的編碼器170C、170D的測(cè)量值，關(guān)聯(lián)起來儲(chǔ)存于未圖標(biāo)的內(nèi)存。此時(shí)，來自X干涉儀218的測(cè)長光束將開始照到晶片臺(tái)WTBl的反射面27c，因此，主控制裝置20根據(jù)此時(shí)的 X干涉儀229的測(cè)量值(或編碼器170C、170D的測(cè)量值)，預(yù)設(shè)X干涉儀218。據(jù)此，之后， 也能使用X干涉儀218測(cè)量晶片臺(tái)WTBl的X位置及θ y方向的旋轉(zhuǎn)量(橫搖量)。此時(shí)， 前述晶片載臺(tái)WSTl側(cè)的焦點(diǎn)映射、及對(duì)晶片載臺(tái)WST2上的晶片W2的步進(jìn)掃描方式的曝光仍持續(xù)進(jìn)行。接著，主控制裝置20根據(jù)編碼器170C、170D的測(cè)量值，使晶片載臺(tái)WST在+Y方向移動(dòng)既定距離、且在+X方向移動(dòng)既定距離，如圖陽所示，將其定位于對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1、AL&能大致同時(shí)且單獨(dú)地檢測(cè)在晶片W上最后2個(gè)取樣照射區(qū)域上所附設(shè)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置。之后，主控制裝置20使用2個(gè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1、AL23，大致同時(shí)且單獨(dú)地檢測(cè)2個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(參照?qǐng)D55中的星標(biāo)記)，將上述2個(gè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1、AL&的檢測(cè)結(jié)果與該檢測(cè)時(shí)的編碼器170C、170D的測(cè)量值，關(guān)聯(lián)起來儲(chǔ)存于未圖標(biāo)的內(nèi)存。此時(shí)，對(duì)晶片載臺(tái)WST2上的晶片W2的步進(jìn)掃描方式的曝光結(jié)束。不過，在此時(shí)間點(diǎn)，前述晶片載臺(tái)WSTl側(cè)的焦點(diǎn)映射仍持續(xù)進(jìn)行。在晶片載臺(tái)WST2到達(dá)對(duì)晶片W2的曝光結(jié)束位置之前，由于來自X干涉儀226的測(cè)長光束將開始照到晶片臺(tái)WTB2的反射面27e，因此，主控制裝置20根據(jù)X干涉儀227的測(cè)量值(或編碼器170A、170B的測(cè)量值)預(yù)設(shè)X干涉儀226。在上述曝光結(jié)束之前，主控制裝置20使用周邊曝光單元51開始對(duì)晶片Wl的掃描曝光方式的周邊曝光(周邊掃描曝光)(參照?qǐng)D陽)。在開始此周邊曝光的時(shí)間點(diǎn)，由圖55 可知，由于2D讀頭166^166:對(duì)向于移動(dòng)標(biāo)尺39A、39B，因此，之后，主控制裝置20根據(jù)2D 讀頭Iee2Uee1、即編碼器170E、170F的測(cè)量值，也開始晶片載臺(tái)WSTi在XY平面內(nèi)位置信息的測(cè)量。接著，主控制裝置20，一邊持續(xù)進(jìn)行周邊掃描曝光、一邊使晶片載臺(tái)WST2及晶片載臺(tái)WSTl移動(dòng)至如圖56所示的第1并列開始位置。在此之前，用于晶片載臺(tái)WSTl在XY 平面內(nèi)位置信息的測(cè)量的編碼器，已從編碼器170C、170D切換為編碼器170E、170F。于是，當(dāng)晶片載臺(tái)WST1、WST2到達(dá)第1并列開始位置時(shí)，主控制裝置20使多點(diǎn)AF 系統(tǒng)(90a、90b)(及Z讀頭171p、173q)的工作停止(OFF)，結(jié)束焦點(diǎn)映射，將針對(duì)多點(diǎn)AF系統(tǒng)(90a、90b)的各檢測(cè)點(diǎn)的面位置信息，換算為以同時(shí)擷取的由Z讀頭171p、17;\測(cè)量的面位置信息為基準(zhǔn)的數(shù)據(jù)。此時(shí)的換算，是以和例如國際公開第2007/097379號(hào)小冊(cè)子所揭示的方法相同的方法進(jìn)行。如上方式，預(yù)先取得上述換算數(shù)據(jù)，由此，例如在曝光時(shí)等，利用前述Z讀頭74” 76j測(cè)量晶片臺(tái)WTBl表面(分別形成標(biāo)尺39B、39A的區(qū)域上的點(diǎn))，算出晶片臺(tái)WTBl的Z 位置與相對(duì)XY平面的傾斜量(主要是9y旋轉(zhuǎn)量)。通過使用此算出的晶片臺(tái)WTBl的Z 位置與相對(duì)XY平面的傾斜與前述換算數(shù)據(jù)，就能在不實(shí)際取得晶片表面的面位置信息的情形下，進(jìn)行晶片W上面的面位置控制。在上述焦點(diǎn)映射結(jié)束的時(shí)間點(diǎn)，EGA也已結(jié)束，因此主控制裝置20，使用至此為止所得的與多個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的檢測(cè)結(jié)果對(duì)應(yīng)的上述2個(gè)編碼器170C、170D的測(cè)量值、以及預(yù)先測(cè)量的二次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AUn的基準(zhǔn)線，以例如美國專利第4，780’ 617號(hào)說明書等所揭示的 EGA方式進(jìn)行統(tǒng)計(jì)運(yùn)算，來算出在以上述2個(gè)編碼器170CU70DQ個(gè)讀頭單元162C、162D) 的測(cè)量軸所規(guī)定的坐標(biāo)系統(tǒng)(例如，以一次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALl的檢測(cè)中心為原點(diǎn)的XY坐標(biāo)系統(tǒng) (對(duì)準(zhǔn)坐標(biāo)系統(tǒng)))上的晶片Wl上所有照射區(qū)域的排列(位置坐標(biāo))。如以上所述，本第4實(shí)施形態(tài)中，主控制裝置20 —邊使晶片載臺(tái)WSTl移動(dòng)于+Y 方向、一邊在X軸方向以鋸齒狀來回移動(dòng)，將晶片載臺(tái)WSTl定位于該移動(dòng)路徑上的多處，且在每次定位時(shí)，同時(shí)使用5個(gè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1、AIA ΑΙΛ中的至少2個(gè)來檢測(cè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。因此，根據(jù)本第4實(shí)施形態(tài)，與使用單一對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)依序檢測(cè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的情形等相比較，能以極短時(shí)間獲得在晶片Wl上的多個(gè)取樣照射區(qū)域的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置信息。因此，即使是在以晶片Wl上所有照射區(qū)域?yàn)槿诱丈鋮^(qū)域的情形時(shí)，也能以短時(shí)間進(jìn)行測(cè)量。而且，在兩晶片載臺(tái)WST1、WST2移動(dòng)至第1并列開始位置的狀態(tài)下，成為在晶片臺(tái) WTBl的中央線與基準(zhǔn)軸LVtl大致一致、且晶片臺(tái)WTB2的中央線從基準(zhǔn)軸LVtl在+X側(cè)錯(cuò)開既定距離(第1偏置量)的狀態(tài)下，晶片臺(tái)WTB2的-Y端面(測(cè)量部138的-Y端面)與晶片臺(tái)WTBl的+Y端面(FD桿46的+Y端面)接觸(或隔著例如300 μ m程度的間隙接近)的并列狀態(tài)。即，在此并列狀態(tài)下，由于構(gòu)成晶片臺(tái)WTB2的一部分的測(cè)量部138的-Y側(cè)端與構(gòu)成晶片臺(tái)WTBl的一部分的FD桿46的+Y側(cè)端接觸(或接近)，因此，能以晶片載臺(tái)WSTl 的+Y側(cè)的面與晶片載臺(tái)WST2的-Y側(cè)的面一部分對(duì)向的狀態(tài)，晶片載臺(tái)WSTl與晶片載臺(tái) WST2通過FD桿46及測(cè)量部138關(guān)于Y軸方向接觸(或接近)。晶片臺(tái)WTB2的測(cè)量部138的Y軸方向長度、與晶片臺(tái)WTBl的FD桿46的Y軸方向長度的合計(jì)，被設(shè)定為在測(cè)量部138與FD桿46接觸的狀態(tài)下，能阻止晶片載臺(tái)WSTl與晶片載臺(tái)WST2接觸(正確而言，是晶片載臺(tái)WSTl的空氣滑件M的+Y側(cè)端、與晶片載臺(tái)WST2 的空氣滑件M的-Y側(cè)端接觸)程度的長度。主控制裝置20，在維持上述并列狀態(tài)的情形下，根據(jù)編碼器170E、170F的測(cè)量值將晶片載臺(tái)WSTl驅(qū)動(dòng)于+Y方向的同時(shí)，根據(jù)干涉儀207、226的測(cè)量值，如圖57中的涂白粗箭頭所示，將晶片載臺(tái)WST2驅(qū)動(dòng)于+Y方向且+X方向。在此兩晶片載臺(tái)WST1、WST2的移動(dòng)中，周邊掃描曝光仍持續(xù)進(jìn)行。隨著晶片載臺(tái)WST1、WST2在維持并列狀態(tài)的情形下在上述的各自移動(dòng)方向上移動(dòng)，原本在前端透鏡191與晶片臺(tái)WTB2之間形成的液浸區(qū)域14，從晶片臺(tái)WTB2上移動(dòng)至晶片臺(tái)WTBl上。圖57中，顯示了在此移動(dòng)途中，液浸區(qū)域14從晶片臺(tái)WTB2上經(jīng)由該晶片臺(tái)WTB2的測(cè)量部138、及晶片臺(tái)WTBl的FD桿46，轉(zhuǎn)移至晶片臺(tái)WTBl的臺(tái)本體34上的前一刻的兩晶片載臺(tái)WST1、WST2的狀態(tài)。當(dāng)液浸區(qū)域14往晶片臺(tái)WTBl (臺(tái)本體34)上的移動(dòng)完成，晶片載臺(tái)WSTl到達(dá)圖 58所示位置(測(cè)量板件30位于投影光學(xué)系統(tǒng)PL正下方的位置)時(shí)，主控制裝置20使兩晶片載臺(tái)WST1、WST2往+Y方向的驅(qū)動(dòng)力成為零。據(jù)此，晶片載臺(tái)WSTl停止，晶片載臺(tái)WST2， 如圖58中以涂白粗箭頭所示，開始被驅(qū)動(dòng)于+X方向。接著，主控制裝置20，使用包含晶片載臺(tái)WSTl的測(cè)量板件30的前述空間像測(cè)量裝置45A，測(cè)量利用投影光學(xué)系統(tǒng)PL投影的標(biāo)線片R上的一對(duì)測(cè)量標(biāo)記的投影像(空間像)。 例如，與前述美國專利申請(qǐng)公開第2002/0041377號(hào)說明書等所揭示的方法同樣地，以使用一對(duì)空間像測(cè)量狹縫圖案SL的狹縫掃描方式的空間像測(cè)量動(dòng)作，分別測(cè)量一對(duì)測(cè)量標(biāo)記的空間像，將該測(cè)量結(jié)果(對(duì)應(yīng)晶片臺(tái)WTBl的XY位置的空間像強(qiáng)度)儲(chǔ)存于內(nèi)存。在此標(biāo)線片R上的一對(duì)測(cè)量標(biāo)記的空間像測(cè)量處理時(shí)，晶片臺(tái)WTBl在XY平面內(nèi)的位置，是根據(jù)與X標(biāo)尺39B、39A對(duì)向的2個(gè)2D讀頭16<、165」(編碼器170B、170A)加以控制。又，在開始晶片載臺(tái)WST2往+X方向的驅(qū)動(dòng)開始前，在來自Y干涉儀207的測(cè)長光束照到晶片臺(tái)WTB2的反射面27f的階段，來自Y干涉儀206的測(cè)長光束也開始照到反射面27f。因此，主控制裝置20，在緊接著來自Y干涉儀206的測(cè)長光束開始照到反射面27f 之后，根據(jù)Y干涉儀207的測(cè)量值預(yù)設(shè)Y干涉儀206。在進(jìn)行了此預(yù)設(shè)的時(shí)間點(diǎn)后，晶片臺(tái) WTB2的位置，如圖58所示，是根據(jù)干涉儀206、226的測(cè)量值由主控制裝置20加以控制。另一方面，在晶片載臺(tái)WST1、WST2移動(dòng)至圖58所示位置的階段，來自X干涉儀217 的測(cè)長光束開始照到晶片臺(tái)WTBl的反射面27c，且來自Y干涉儀207的測(cè)長光束也開始照到晶片臺(tái)WTBl的反射面27b。于是，主控制裝置20根據(jù)X干涉儀218的測(cè)量值預(yù)設(shè)X干涉儀217，并根據(jù)Y干涉儀209的測(cè)量值預(yù)設(shè)Y干涉儀207?；蛘撸骺刂蒲b置20根據(jù)編碼器 170B、170A的測(cè)量值預(yù)設(shè)干涉儀207、217。無論如何，在此時(shí)間點(diǎn)以后，主控制裝置20使用干涉儀207、217測(cè)量晶片臺(tái)WTBl的位置信息。當(dāng)然，晶片臺(tái)WTBl的XY平面內(nèi)的位置控制是根據(jù)編碼器170B、170A的測(cè)量值進(jìn)行。之后，主控制裝置20，與上述空間像測(cè)量動(dòng)作并行地，使晶片載臺(tái)WST2移動(dòng)至圖 59所示位置。然后，當(dāng)空間像測(cè)量動(dòng)作結(jié)束時(shí)，主控制裝置20，根據(jù)使用前述一次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALl 檢測(cè)晶片載臺(tái)WSTl的測(cè)量板件30上的基準(zhǔn)標(biāo)記FM時(shí)的檢測(cè)結(jié)果與上述空間像的測(cè)量結(jié)果，算出一次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALl的基準(zhǔn)線。此時(shí)，前述晶片Wl的周邊曝光仍持續(xù)進(jìn)行。接著，主控制裝置20，如圖60所示，一邊持續(xù)進(jìn)行晶片Wl的周邊曝光、一邊使晶片載臺(tái)WSTl移動(dòng)至對(duì)晶片Wl的曝光開始位置，并開始晶片載臺(tái)WST2朝向圖61所示右側(cè)裝載位置的-Y方向的移動(dòng)。在晶片Wl的曝光開始的時(shí)間點(diǎn)，周邊曝光已結(jié)束。上述晶片Wl的曝光動(dòng)作，是由主控制裝置20根據(jù)事先進(jìn)行的晶片對(duì)準(zhǔn)(前述 EGA)的結(jié)果及對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1、AIA AL&的最新的基準(zhǔn)線等，反復(fù)進(jìn)行將晶片載臺(tái)WSTl移動(dòng)至為進(jìn)行晶片Wl上各照射區(qū)域的曝光的掃描開始位置(加速開始位置)的照射間移動(dòng)、 以及以掃描曝光方式將形成于標(biāo)線片R的圖案轉(zhuǎn)印至各照射區(qū)域的掃描曝光動(dòng)作，來進(jìn)行。此外，晶片Wl上的曝光對(duì)象照射區(qū)域的行數(shù)為偶數(shù)行，上述曝光是以所謂的完全交互掃描，以從位于圖60的右上的照射區(qū)域至位于右下的照射區(qū)域的順序進(jìn)行。又，晶片Wl的曝光動(dòng)作中，晶片臺(tái)WTBl在XY平面內(nèi)的位置(含θζ方向的旋轉(zhuǎn))， 是根據(jù)屬于與移動(dòng)標(biāo)尺39Α、39Β分別對(duì)向的讀頭單元162Α、162Β的2D讀頭16\、16< (即 2維編碼器170Α、170Β)的測(cè)量值，由主控制裝置20加以控制。此外，曝光中的晶片臺(tái)WTBl 在Z軸方向的位置、及θ y方向的旋轉(zhuǎn)(橫搖)，是根據(jù)與晶片臺(tái)WTBl表面的X軸方向一側(cè)與另一側(cè)端部(移動(dòng)標(biāo)尺39B、39A)分別對(duì)向的一對(duì)Z讀頭74i、76j的測(cè)量值，由主控制裝置20加以控制。又，曝光中的晶片臺(tái)WTBl在ΘΧ方向的旋轉(zhuǎn)(縱搖)，是根據(jù)Y干涉儀 207的測(cè)量值由主控制裝置20加以控制。此曝光中的晶片臺(tái)WTBl在Z軸方向的位置、θ y 旋轉(zhuǎn)及θ χ旋轉(zhuǎn)的控制(晶片W的焦點(diǎn)調(diào)平控制)，是根據(jù)前述焦點(diǎn)映射的結(jié)果進(jìn)行。再者，除晶片臺(tái)WTBl的Z軸方向之外的5自由度方向的位置，也由干涉儀207、217加以測(cè)量。由圖60清楚可知，在晶片載臺(tái)WST2朝向右側(cè)裝載位置的移動(dòng)途中，來自X干涉儀 226的測(cè)長光束將不再照到晶片臺(tái)WTB2的反射面27e，但在此之前，在來自X干涉儀226的測(cè)長光束照得到反射面27e時(shí)，來自X干涉儀227的測(cè)長光束開始照到反射面27e。于是， 主控制裝置20，根據(jù)X干涉儀226的測(cè)量值預(yù)設(shè)X干涉儀227的測(cè)量值。當(dāng)晶片載臺(tái)WST2從圖60所示位置進(jìn)一步移動(dòng)于-Y方向時(shí)，來自X干涉儀228的測(cè)長光束開始照到反射面27e。于是，主控制裝置20，在來自X干涉儀227的測(cè)長光束照得到反射面27e的期間，根據(jù)X干涉儀227的測(cè)量值預(yù)設(shè)X干涉儀228的測(cè)量值。當(dāng)晶片載臺(tái)WST2進(jìn)一步往-Y方向移動(dòng)時(shí)，來自X干涉儀229的測(cè)長光束開始照到反射面27e。于是，主控制裝置20，在來自X干涉儀228的測(cè)長光束照得到反射面27e的期間，根據(jù)X干涉儀228的測(cè)量值預(yù)設(shè)X干涉儀229的測(cè)量值。主控制裝置20，以上述方式，一邊切換用于位置控制的X干涉儀、一邊與將晶片載臺(tái)WST2向右側(cè)裝載位置進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的動(dòng)作并行地，持續(xù)進(jìn)行對(duì)晶片Wl的步進(jìn)掃描方式的曝光動(dòng)作。而且，如圖61所示，當(dāng)晶片載臺(tái)WST2到達(dá)右側(cè)裝載位置時(shí)，主控制裝置20，在右側(cè)裝載位置處開始Pit作業(yè)。
圖62中，顯示了在右側(cè)裝載位置處進(jìn)行Pit作業(yè)(晶片搬送機(jī)構(gòu)(未圖示)與晶片載臺(tái)WST2間的晶片更換、及晶片保持具的冷卻及其它為進(jìn)行曝光的準(zhǔn)備作業(yè))，與此并行地，在投影單元PU下方對(duì)晶片載臺(tái)WSTl上所保持的晶片Wl進(jìn)行步進(jìn)掃描方式的曝光的狀態(tài)。此時(shí)，晶片臺(tái)WTB2的位置，是根據(jù)Y干涉儀206與X干涉儀229的測(cè)量值由主控制裝置20加以管理。如以上所述，在對(duì)晶片臺(tái)WTBl上的晶片Wl的步進(jìn)掃描方式的曝光持續(xù)進(jìn)行的期間，由主控制裝置20，如圖63所示，開始結(jié)束Pit作業(yè)的晶片載臺(tái)WST2往-X方向的驅(qū)動(dòng)。 接著，晶片載臺(tái)WST2，如圖64所示，移動(dòng)至測(cè)量板件30上的基準(zhǔn)標(biāo)記FM被定位于一次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALl的視野(檢測(cè)區(qū)域)內(nèi)的位置。此移動(dòng)途中，由主控制裝置20將晶片臺(tái)WTB2在 XY平面內(nèi)的位置控制，從根據(jù)前述干涉儀206、229的測(cè)量值的控制，切換為根據(jù)屬于與晶片臺(tái)WTB2的移動(dòng)標(biāo)尺39B、39A分別對(duì)向的讀頭單元162D、162C的2D讀頭167^168,30 2 維編碼器170D、170C的測(cè)量值的控制。接著，當(dāng)晶片載臺(tái)WST2移動(dòng)至圖64所示位置時(shí)，主控制裝置20，在開始對(duì)新的晶片W2的晶片對(duì)準(zhǔn)(及其它前處理測(cè)量)之前，實(shí)施Y干涉儀209及X干涉儀229、以及2維編碼器170D、170C的重置(原點(diǎn)的再設(shè)定)。干涉儀209、229的重置結(jié)束后，控制裝置20使用一次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALl檢測(cè)晶片載臺(tái) WST2的測(cè)量板件30上的基準(zhǔn)標(biāo)記FM0接著，主控制裝置20，檢測(cè)以一次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALl的指針中心為基準(zhǔn)的基準(zhǔn)標(biāo)記FM的位置，將該檢測(cè)結(jié)果、與檢測(cè)時(shí)的編碼器170C、170D的測(cè)量值對(duì)應(yīng)儲(chǔ)存于內(nèi)存。接著，主控制裝置20，開始晶片載臺(tái)WST2往+Y方向的掃描，如圖65所示，使其移動(dòng)至對(duì)準(zhǔn)區(qū)域。主控制裝置20，一邊使用編碼器170C、170D (及干涉儀209、229)測(cè)量晶片載臺(tái)WST2的位置坐標(biāo)、一邊開始與前述相同的EGA。圖65中，顯示了由主控制裝置20使用一次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1，二次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL22、 AL23，大致同時(shí)且單獨(dú)地檢測(cè)附設(shè)于3個(gè)取樣照射區(qū)域的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的狀態(tài)(參照?qǐng)D65中的星標(biāo)記)。此時(shí)，對(duì)晶片載臺(tái)WSTl上所保持的晶片Wl的步進(jìn)掃描方式的曝光仍持續(xù)進(jìn)行。主控制裝置20，在開始上述晶片載臺(tái)WST2向+Y方向的掃描后，在晶片載臺(tái)WST2 移動(dòng)于+Y方向、多點(diǎn)AF系統(tǒng)(90a、90b)的檢測(cè)光束開始照到晶片Wl上的期間內(nèi)，使Z讀頭171p、17;\與多點(diǎn)AF系統(tǒng)(90a、90b) —起工作(ON)，開始與前述相同的焦點(diǎn)映射。焦點(diǎn)映射開始后，主控制裝置20根據(jù)編碼器170C、170D的測(cè)量值，使晶片載臺(tái) WST2在+Y方向移動(dòng)既定距離、且在+X方向移動(dòng)既定距離，將其定位于圖66所示位置。之后，主控制裝置20使用5個(gè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1、AIA ΑΙΛ，大致同時(shí)且單獨(dú)地檢測(cè)5個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(參照?qǐng)D66中的星標(biāo)記)，將上述5個(gè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALl、AIA AL&的檢測(cè)結(jié)果與該檢測(cè)時(shí)的編碼器170C、170D的測(cè)量值，關(guān)聯(lián)起來儲(chǔ)存于未圖標(biāo)的內(nèi)存。此時(shí)，前述晶片載臺(tái)WST2 側(cè)的焦點(diǎn)映射、及對(duì)晶片載臺(tái)WSTl上的晶片Wl的步進(jìn)掃描方式的曝光仍持續(xù)進(jìn)行。其次，主控制裝置20根據(jù)編碼器170C、170D的測(cè)量值，使晶片載臺(tái)WST在+Y方向移動(dòng)既定距離、且在-X方向移動(dòng)既定距離，將其定位于圖67所示位置。之后，主控制裝置 20使用5個(gè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1、AI^ AL、，大致同時(shí)且單獨(dú)地檢測(cè)5個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(參照?qǐng)D67中的星標(biāo)記)，將上述5個(gè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1、AIA ΑΙΛ的檢測(cè)結(jié)果與該檢測(cè)時(shí)的編碼器170C、 170D的測(cè)量值，關(guān)聯(lián)起來儲(chǔ)存于未圖標(biāo)的內(nèi)存。此時(shí)，前述晶片載臺(tái)WST2側(cè)的焦點(diǎn)映射、及對(duì)晶片載臺(tái)WSTl上的晶片Wl的步進(jìn)掃描方式的曝光仍持續(xù)進(jìn)行。接著，主控制裝置20根據(jù)編碼器170C、170D的測(cè)量值，使晶片載臺(tái)WST2在+Y方向移動(dòng)既定距離、且在+X方向移動(dòng)既定距離，將其定位于圖68所示位置。之后，主控制裝置20使用5個(gè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1、AIA AL24，大致同時(shí)且單獨(dú)地檢測(cè)5個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(參照?qǐng)D 68中的星標(biāo)記)，將上述5個(gè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1、AIA AL&的檢測(cè)結(jié)果與該檢測(cè)時(shí)的編碼器 170CU70D的測(cè)量值，關(guān)聯(lián)起來儲(chǔ)存于未圖標(biāo)的內(nèi)存。此時(shí)，由于來自X干涉儀228的測(cè)長光束開始照到晶片臺(tái)WTB2的反射面27e，因此，主控制裝置20根據(jù)此時(shí)的X干涉儀229的測(cè)量值，預(yù)設(shè)X干涉儀228。據(jù)此，之后，也能由X干涉儀2 測(cè)量晶片臺(tái)WTB2的X位置及 9y方向的旋轉(zhuǎn)量(橫搖量)。此時(shí)，前述晶片載臺(tái)WST2側(cè)的焦點(diǎn)映射、及對(duì)晶片載臺(tái)WSTl 上的晶片Wl的步進(jìn)掃描方式的曝光仍持續(xù)進(jìn)行。接著，主控制裝置20根據(jù)編碼器170C、170D的測(cè)量值，使晶片載臺(tái)WST2在+Y方向移動(dòng)既定距離、且在-X方向移動(dòng)既定距離，將其定位于圖69所示位置。之后，主控制裝置20使用2個(gè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1、AL22，大致同時(shí)且單獨(dú)地檢測(cè)2個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(參照?qǐng)D69中的星標(biāo)記)，將上述2個(gè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALl、AL22的檢測(cè)結(jié)果與該檢測(cè)時(shí)的編碼器170C、170D的測(cè)量值，關(guān)聯(lián)起來儲(chǔ)存于未圖標(biāo)的內(nèi)存。此時(shí)，對(duì)晶片載臺(tái)WSTl上的晶片Wl的步進(jìn)掃描方式的曝光結(jié)束。不過在此時(shí)間點(diǎn)，前述晶片載臺(tái)WST2側(cè)的焦點(diǎn)映射仍持續(xù)進(jìn)行。在晶片載臺(tái) WSTl到達(dá)對(duì)晶片Wl的曝光結(jié)束位置前，由于來自X干涉儀226的測(cè)長光束開始照射到晶片臺(tái)WTBl的反射面27a，因此主控制裝置20根據(jù)X干涉儀217的測(cè)量值(或編碼器170A、 170B的測(cè)量值)，預(yù)設(shè)X干涉儀226。在上述曝光結(jié)束前，主控制裝置20使用周邊曝光單元51開始對(duì)晶片W2的周邊掃描曝光(參照?qǐng)D69)。在開始此周邊曝光的時(shí)間點(diǎn)，由圖69可知，2D讀頭Iee2Uee1對(duì)向于移動(dòng)標(biāo)尺39A、39B，所以，之后，主控制裝置20根據(jù)2D讀頭16化、166i、即編碼器170E、170F 的測(cè)量值，也開始晶片載臺(tái)WST2在XY平面內(nèi)的位置信息的測(cè)量。接著，主控制裝置20，一邊持續(xù)進(jìn)行周邊掃描曝光、一邊使晶片載臺(tái)WSTl及晶片載臺(tái)WST2移動(dòng)至圖70所示的第2并列開始位置。在此之前，在晶片載臺(tái)WST2的XY平面內(nèi)的位置信息測(cè)量中所使用的編碼器，已從編碼器170C、170D切換為編碼器170E、170F。而且，當(dāng)晶片載臺(tái)WST1、WST2到達(dá)第2并列開始位置時(shí)，主控制裝置20結(jié)束焦點(diǎn)映射，將多點(diǎn)AF系統(tǒng)(90a、90b)針對(duì)各檢測(cè)點(diǎn)的面位置信息，以和前述同樣的方式換算為以同時(shí)擷取的由Z讀頭171p、17;\測(cè)得的面位置信息為基準(zhǔn)的數(shù)據(jù)。在上述焦點(diǎn)映射結(jié)束的時(shí)間點(diǎn)，由于EGA也已結(jié)束，因此，主控制裝置20使用與至此為止所得的多個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的檢測(cè)結(jié)果對(duì)應(yīng)的上述2個(gè)編碼器170C、170D的測(cè)量值、以及預(yù)先測(cè)量的二次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AUn的基準(zhǔn)線，以EGA方式進(jìn)行統(tǒng)計(jì)運(yùn)算，來算出在以上述2個(gè)編碼器O個(gè)讀頭單元)的測(cè)量軸所規(guī)定的坐標(biāo)系統(tǒng)(例如，以一次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALl的檢測(cè)中心為原點(diǎn)的XY坐標(biāo)系統(tǒng)(對(duì)準(zhǔn)坐標(biāo)系統(tǒng)))上的晶片Wl上所有照射區(qū)域的排列(位置坐標(biāo))°此處，在兩晶片載臺(tái)WST1、WST2移動(dòng)至第2并列開始位置的狀態(tài)下，成為在晶片臺(tái) WTB2的中央線與基準(zhǔn)軸LVtl大致一致、且晶片臺(tái)WTBl的中央線從基準(zhǔn)軸LVtl在-X側(cè)錯(cuò)開既定距離(第2偏置量)的狀態(tài)下，晶片臺(tái)WTBl的-Y端面(測(cè)量部138的-Y端面)與晶片臺(tái)WTB2的+Y端面(FD桿46的+Y端面)接觸(或隔著例如300 μ m程度的間隙接近)的并列狀態(tài)。即，在此并列狀態(tài)中，由于構(gòu)成晶片臺(tái)WTBl的一部分的測(cè)量部138的-Y側(cè)端與構(gòu)成晶片臺(tái)WTB2的一部分的FD桿46的+Y側(cè)端接觸(或接近)，因此，能以晶片載臺(tái)WST2 的+Y側(cè)的面與晶片載臺(tái)WSTl的-Y側(cè)的面一部分對(duì)向的狀態(tài)，晶片載臺(tái)WST2與晶片載臺(tái) WSTl通過FD桿46及測(cè)量部138在Y軸方向接觸(或接近)。此處，第2偏置量被定為與前述第1偏置量相同距離。晶片臺(tái)WTBl的測(cè)量部138的Y軸方向長度、與晶片臺(tái)WTB2的FD桿46的Y軸方向長度的合計(jì)，被設(shè)定為能在測(cè)量部138與FD桿46接觸的狀態(tài)下，阻止晶片載臺(tái)WST2與晶片載臺(tái)WSTl接觸(正確而言，是晶片載臺(tái)WST2的空氣滑件M的+Y側(cè)端、與晶片載臺(tái)WSTl 的空氣滑件M的-Y側(cè)端接觸)程度的長度。主控制裝置20，在維持上述并列狀態(tài)的情形下，根據(jù)編碼器170E、170F的測(cè)量值， 將晶片載臺(tái)WST2驅(qū)動(dòng)于+Y方向，與此驅(qū)動(dòng)同時(shí)，根據(jù)干涉儀207、226的測(cè)量值，如圖71中的涂白粗箭頭所示，將晶片載臺(tái)WSTl驅(qū)動(dòng)于+Y方向且-X方向。在此兩晶片載臺(tái)WST1、WST2 的移動(dòng)中，周邊掃描曝光仍持續(xù)進(jìn)行。隨著晶片載臺(tái)WST1、WST2在保持并列狀態(tài)的情形下在上述各自的移動(dòng)方向上移動(dòng)的動(dòng)作，原本形成在前端透鏡191與晶片臺(tái)WTBl之間的液浸區(qū)域14，從晶片臺(tái)WTBl上移至晶片臺(tái)WTB2上。圖71中，顯示了在此移動(dòng)途中，液浸區(qū)域14從晶片臺(tái)WTBl上經(jīng)由該晶片臺(tái)WTBl的測(cè)量部138、及晶片臺(tái)WTB2的FD桿46，移動(dòng)至晶片臺(tái)WTB2的臺(tái)本體34上的前一刻的兩晶片載臺(tái)WST1、WST2的狀態(tài)。當(dāng)液浸區(qū)域14往晶片臺(tái)WTB2 (臺(tái)本體34)上的移動(dòng)結(jié)束，晶片載臺(tái)WST2到達(dá)圖 72所示位置(測(cè)量板件30位于投影光學(xué)系統(tǒng)PL下方的位置)時(shí)，主控制裝置20使兩晶片載臺(tái)WST1、WST2往+Y方向的驅(qū)動(dòng)力為零。據(jù)此，晶片載臺(tái)WST2停止，晶片載臺(tái)WST1，如圖 72中的涂白粗箭頭所示，開始往-X方向的驅(qū)動(dòng)。接著，主控制裝置20，使用包含晶片載臺(tái)WST2的測(cè)量板件30的前述空間像測(cè)量裝置45B，與前述同樣地測(cè)量利用投影光學(xué)系統(tǒng)PL投影的標(biāo)線片R上的一對(duì)測(cè)量標(biāo)記的投影像(空間像)。此空間像的測(cè)量處理時(shí)，晶片臺(tái)WTB2在XY平面內(nèi)的位置，是根據(jù)與X標(biāo)尺 39A、39B對(duì)向的2個(gè)2D讀頭16\、16<(編碼器170B、170A)加以控制。又，開始晶片載臺(tái)WSTl往-X方向的驅(qū)動(dòng)前，在來自Y干涉儀207的測(cè)長光束仍照得到晶片臺(tái)WTBl的反射面27b的階段，來自Y干涉儀208的測(cè)長光束也開始照到反射面27b。于是，主控制裝置20，緊接著在來自Y干涉儀208的測(cè)長光束開始照到反射面27b 之后，根據(jù)Y干涉儀207的測(cè)量值預(yù)設(shè)Y干涉儀208。在進(jìn)行了此預(yù)設(shè)的時(shí)間點(diǎn)后，晶片臺(tái) WTBl的位置，如圖72所示，是根據(jù)干涉儀208、226的測(cè)量值由主控制裝置20加以控制。另一方面，在晶片載臺(tái)WST1、WST2移動(dòng)至圖72所示位置的階段，來自X干涉儀 227的測(cè)長光束將照到晶片臺(tái)WTB2的反射面27e，且來自Y干涉儀207的測(cè)長光束也將照到晶片臺(tái)WTBl的反射面27f。于是，主控制裝置20根據(jù)X干涉儀228的測(cè)量值預(yù)設(shè)X干涉儀227，并根據(jù)Y干涉儀209的測(cè)量值預(yù)設(shè)Y干涉儀207。或者，主控制裝置20根據(jù)編碼器170B、170A的測(cè)量值預(yù)設(shè)干涉儀207、227。無論如何，在此時(shí)間點(diǎn)后，主控制裝置20，使用干涉儀207、227測(cè)量晶片臺(tái)WTBl的位置信息。當(dāng)然，晶片臺(tái)WTB2在XY平面內(nèi)的位置控制是根據(jù)編碼器170B、170A的測(cè)量值進(jìn)行。之后，主控制裝置20，與上述空間像測(cè)量動(dòng)作并行地，使晶片載臺(tái)WSTl移至圖73所示位置。當(dāng)空間像測(cè)量結(jié)束時(shí)，主控制裝置20，根據(jù)使用前述一次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALl檢測(cè)晶片載臺(tái)WST2的測(cè)量板件30上的基準(zhǔn)標(biāo)記FM時(shí)的檢測(cè)結(jié)果與上述空間像的測(cè)量結(jié)果，算出一次對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALl的基準(zhǔn)線。此時(shí)，前述晶片W2的周邊曝光仍持續(xù)進(jìn)行。接著，主控制裝置20，如圖73所示，一邊持續(xù)進(jìn)行晶片W2的周邊曝光、一邊使晶片載臺(tái)WST2移至對(duì)晶片W2的曝光開始位置，并開始朝向圖75所示的左側(cè)裝載位置將晶片載臺(tái)WSTl在-Y方向上移動(dòng)。之后，主控制裝置20以和前述同樣地，開始對(duì)晶片W2的曝光。在開始此晶片W2 的曝光的時(shí)間點(diǎn)，周邊曝光已結(jié)束。從圖74清楚可知，在晶片載臺(tái)WSTl朝向左側(cè)裝載位置的移動(dòng)途中，來自X干涉儀 226的測(cè)長光束將不再照到晶片臺(tái)WTBl的反射面27a，但在此之前，在來自X干涉儀226的測(cè)長光束照得到反射面27a時(shí)，來自X干涉儀217的測(cè)長光束開始照到反射面27c。因此， 根據(jù)X干涉儀2 的測(cè)量值預(yù)設(shè)X干涉儀217的測(cè)量值。當(dāng)晶片載臺(tái)WSTl從圖74所示位置進(jìn)一步往-Y方向移動(dòng)時(shí)，來自X干涉儀218的測(cè)長光束開始照到反射面27c。于是，主控制裝置20，在來自X干涉儀217的測(cè)長光束照得到反射面27c的期間，根據(jù)X干涉儀217的測(cè)量值預(yù)設(shè)X干涉儀218的測(cè)量值。當(dāng)晶片載臺(tái)WSTl進(jìn)一步往-Y方向移動(dòng)時(shí)，來自X干涉儀229的測(cè)長光束開始照到反射面27a。于是，主控制裝置20，在來自X干涉儀218的測(cè)長光束照得到反射面27c的期間，根據(jù)X干涉儀218的測(cè)量值預(yù)設(shè)X干涉儀229的測(cè)量值。主控制裝置20，以上述方式，一邊切換用于位置控制的X干涉儀、一邊與將晶片載臺(tái)WSTl朝左側(cè)裝載位置驅(qū)動(dòng)的動(dòng)作并行地，持續(xù)進(jìn)行對(duì)晶片W2的步進(jìn)掃描方式的曝光動(dòng)作。之后，如圖75所示，當(dāng)晶片載臺(tái)WSTl到達(dá)左側(cè)裝載位置時(shí)，主控制裝置20在左側(cè)裝載位置處開始Pit作業(yè)。圖76中，顯示了在左側(cè)裝載位置處，作為Pit作業(yè)的一部分進(jìn)行晶片搬送機(jī)構(gòu) (未圖示)與晶片載臺(tái)WSTl間的晶片更換，與此并行地，在投影單元PU的下方，對(duì)晶片載臺(tái) WST2上所保持的晶片W2進(jìn)行步進(jìn)掃描方式的曝光的狀態(tài)。之后，由主控制裝置20反復(fù)實(shí)施使用上述晶片載臺(tái)WST1、WST2的并行動(dòng)作。如以上所做的詳細(xì)說明，根據(jù)本第4實(shí)施形態(tài)的曝光裝置1000，由主控制裝置20， 與對(duì)晶片載臺(tái)WST1、WST2的一方所保持的晶片(Wl或W2)進(jìn)行曝光的動(dòng)作并行地，一邊使晶片載臺(tái)WST1、WST2的另一方移動(dòng)于Y軸方向、一邊也移動(dòng)于X軸方向，將該另一方的晶片載臺(tái)所保持的晶片上的不同多個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記依序定位于對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1、AIA ΑΙΛ的檢測(cè)區(qū)域(多個(gè)檢測(cè)區(qū)域)，依序檢測(cè)位于對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1、AIA ΑΙΛ的檢測(cè)區(qū)域內(nèi)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置信息。因此，能與對(duì)一方的晶片載臺(tái)WST所保持的晶片進(jìn)行曝光的動(dòng)作并行地，在另一方的晶片載臺(tái)從對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1、AIA ΑΙΛ的檢測(cè)區(qū)域附近的位置(例如進(jìn)行晶片載臺(tái)所保持晶片的更換的位置附近)向曝光位置(投影單元PU的正下方，曝光區(qū)域IA)在Y軸方向上移動(dòng)的期間，檢測(cè)該另一方的晶片載臺(tái)所保持的晶片上的多個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記、例如所有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置信息。其結(jié)果，能實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)率的提升與重迭精度的提升。又，由主控制裝置 20控制周邊曝光單元51，將與照明光IL大致相同波長的能量束照射于朝向曝光位置移動(dòng)
62途中，通過周邊曝光單元51下方的另一方的晶片載臺(tái)所保持的晶片周邊部的照射區(qū)域的至少一部分。因此，能在不使生產(chǎn)率降低的情形下，實(shí)現(xiàn)成品率的提升。又，本第4實(shí)施形態(tài)的曝光裝置1000中，由主控制裝置20進(jìn)行對(duì)晶片載臺(tái)WSTl、 WST2的一方所保持的晶片(Wl或W2)的曝光的動(dòng)作并行地，在晶片載臺(tái)WST1、WST2的另一方的裝載位置處，進(jìn)行Pit作業(yè)、即晶片搬送機(jī)構(gòu)(未圖示)與該另一方的晶片載臺(tái)之間的晶片更換、及晶片保持具的冷卻及其它為進(jìn)行曝光的準(zhǔn)備作業(yè)。因此，能在不使生產(chǎn)率降低的情形下，進(jìn)行晶片保持具的冷卻等作業(yè)。又，根據(jù)本第4實(shí)施形態(tài)，由主控制裝置20控制在XY平面內(nèi)驅(qū)動(dòng)晶片載臺(tái)WST1、 WST2的平面馬達(dá)151，并在對(duì)晶片載臺(tái)WSTl所保持的晶片Wl的曝光結(jié)束時(shí)，使晶片載臺(tái) WSTl沿位于曝光位置的X軸方向一側(cè)(-χ側(cè))的第1返回路徑移動(dòng)至進(jìn)行晶片載臺(tái)WSTl 上的晶片Wl的更換的左側(cè)裝載位置，且在晶片載臺(tái)WST2所保持的晶片W2的曝光結(jié)束時(shí)， 使晶片載臺(tái)WST2沿位于曝光位置的X軸方向另一側(cè)(+X側(cè))的第2返回路徑移動(dòng)至進(jìn)行晶片載臺(tái)WST2上的晶片W2的更換的右側(cè)裝載位置。因此，對(duì)晶片載臺(tái)WSTl從X軸方向的一側(cè)、對(duì)晶片載臺(tái)WST2則從X軸方向的另一側(cè)分別連接配線配管用的纜線，由此能防止這些纜線的纏繞，并且也能盡量縮短其長度。又，本第4實(shí)施形態(tài)的曝光裝置1000中，主控制裝置20，在晶片Wl的曝光結(jié)束時(shí)， 維持晶片載臺(tái)WSTl的測(cè)量部138與晶片載臺(tái)WST2的FD桿46接近或接觸的并列狀態(tài)，將晶片載臺(tái)WST2驅(qū)動(dòng)于+Y方向的同時(shí)將晶片載臺(tái)WSTl驅(qū)動(dòng)于+Y方向且-X方向，將液浸區(qū)域14從晶片載臺(tái)WSTl上轉(zhuǎn)移至晶片載臺(tái)WST2上。在轉(zhuǎn)移完液浸區(qū)域14后，主控制裝置 20，在晶片載臺(tái)WST2的測(cè)量板件30位于投影光學(xué)系統(tǒng)PL正下方的位置處，使兩晶片載臺(tái) WSTUWST2往+Y方向的驅(qū)動(dòng)力為零。據(jù)此，晶片載臺(tái)WST2停止，晶片載臺(tái)WSTl如圖72中的涂白粗箭頭所示，開始往-X方向的移動(dòng)，沿上述第1返回路徑朝左側(cè)裝載位置移動(dòng)。為了能以良好效率開始此晶片載臺(tái)WSTl沿第1返回路徑的移動(dòng)，在第2并列開始位置處，以晶片臺(tái)WTB2的中央線與基準(zhǔn)軸LVtl大致一致、且晶片臺(tái)WTBl的中央線在-X側(cè)離基準(zhǔn)軸LVtl 既定距離(第2偏置量)的狀態(tài)，開始兩晶片載臺(tái)WST1、WST2的并列狀態(tài)。另一方面，主控制裝置20，在晶片W2的曝光結(jié)束時(shí)，與前述同樣地，維持晶片載臺(tái) WST2的測(cè)量部138與晶片載臺(tái)WSTl的FD桿46接近或接觸的并列狀態(tài)，將晶片載臺(tái)WSTl 驅(qū)動(dòng)于+Y方向的同時(shí)將晶片載臺(tái)WST2驅(qū)動(dòng)于+Y方向且+X方向，將液浸區(qū)域14從晶片載臺(tái)WST2上轉(zhuǎn)移至晶片載臺(tái)WSTl上。在轉(zhuǎn)移完液浸區(qū)域14后，主控制裝置20，在晶片載臺(tái) WSTl的測(cè)量板件30位于投影光學(xué)系統(tǒng)PL下方的位置處，使兩晶片載臺(tái)WST1、WST2往+Y 方向的驅(qū)動(dòng)力為零。據(jù)此，晶片載臺(tái)WSTl停止，晶片載臺(tái)WST2，如圖58中的涂白粗箭頭所示，開始往+X方向的移動(dòng)，沿上述第2返回路徑朝向右側(cè)裝載位置移動(dòng)。為了能以良好效率開始此晶片載臺(tái)WST2沿第2返回路徑的移動(dòng)，在第1并列開始位置處，以晶片臺(tái)WTBl的中央線與基準(zhǔn)軸LVtl大致一致、且晶片臺(tái)WTB2的中央線在+X側(cè)離基準(zhǔn)軸LVtl既定距離(第 1偏置量)的狀態(tài)，開始兩晶片載臺(tái)WST1、WST2的并列狀態(tài)。由上述說明可知，本第4實(shí)施形態(tài)的曝光裝置1000中，以在一方的晶片載臺(tái)上的晶片的曝光結(jié)束后，能最佳效率開始該一方的晶片載臺(tái)朝向?qū)?yīng)裝載位置的沿返回路徑的移動(dòng)的方式，即，以該一方的晶片載臺(tái)的移動(dòng)路徑最短、且所需時(shí)間最短的方式，設(shè)定有晶片載臺(tái)WST1、WST2的并列開始時(shí)的X軸方向偏置量。
又，上述第4實(shí)施形態(tài)中，雖然以能夠最佳效率開始保持曝光完成的晶片的晶片載臺(tái)朝向?qū)?yīng)裝載位置沿返回路徑的移動(dòng)的方式，設(shè)定有晶片載臺(tái)WST1、WST2的并列開始時(shí)的X軸方向偏置量，但也可取代此方式、或與此方式一起，以能夠最佳效率地開始下一曝光對(duì)象的晶片的曝光的方式，設(shè)定晶片載臺(tái)WST1、WST2的并列開始時(shí)的X軸方向的偏置量。在一方的晶片載臺(tái)上的晶片曝光結(jié)束后，能使該一方的晶片載臺(tái)朝向?qū)?yīng)裝載位置沿返回路徑的移動(dòng)以最佳效率開始的兩晶片載臺(tái)的并列、或能使下一曝光對(duì)象的晶片的曝光的開始以最佳效率進(jìn)行的兩晶片載臺(tái)的并列，可稱為最佳效率的并列。又，上述第4實(shí)施形態(tài)中，雖然針對(duì)如下情形作了說明，即為了在兩晶片載臺(tái) WSTUWST2間進(jìn)行液浸區(qū)域14的移交，而采用兩晶片載臺(tái)WST1、WST2在Y軸方向接觸或接近的Y方向并列，但不限于此，也可為了在兩晶片載臺(tái)WST1、WST2間進(jìn)行液浸區(qū)域14的轉(zhuǎn)移，而采用兩晶片載臺(tái)WST1、WST2在X軸方向接觸或接近的X方向并列。此場合，在并列開始時(shí)，可使兩晶片載臺(tái)WST1、WST2關(guān)于Y軸方向偏置。又，與上述第4實(shí)施形態(tài)同樣地采用Y方向并列的情形時(shí)，還可以考慮如下情形 機(jī)構(gòu)部的一部分從晶片載臺(tái)WST1、WST2的Y軸方向側(cè)面比其它部分突出于外側(cè)。在此種情形下，最好是將測(cè)量部及FD桿的Y軸方向尺寸、及/或并列時(shí)的偏置量等，設(shè)定為該等突出部不致于與另一方的晶片載臺(tái)的一部分接觸程度的長度。又，上述第4實(shí)施形態(tài)中，雖然針對(duì)固定的測(cè)量部及FD桿等相對(duì)臺(tái)本體34的突出部設(shè)置于晶片載臺(tái)WSTl及WST2的情形做了說明，但不限于此，在突出部是以在兩晶片載臺(tái) WST1、WST2之間進(jìn)行液浸區(qū)域的轉(zhuǎn)移為主目的的場合，此突出部也可為可動(dòng)。此場合，例如， 突出部僅在兩晶片載臺(tái)WST1、WST2的并列時(shí)呈大致水平狀態(tài)，并列時(shí)以外、S卩非使用時(shí)，可以折迭放置。此外，上述第4實(shí)施形態(tài)中，雖然測(cè)量部及FD桿兼用作突出部，但不限于此， 也可對(duì)于晶片載臺(tái)WSTl及WST2設(shè)置專用的固定突出部。又，上述第4實(shí)施形態(tài)中，針對(duì)如下情形作了說明，即在曝光結(jié)束后，為了將液浸區(qū)域14從一方的晶片載臺(tái)移交至另一方的晶片載臺(tái)，在進(jìn)行使兩晶片載臺(tái)WST1、WST2在Y 軸方向接近至既定距離以下的接近狀態(tài)(并列狀態(tài))、與使兩晶片載臺(tái)WST1、WST2分離的分離狀態(tài)(并列解除狀態(tài))的切換后，晶片載臺(tái)WSTl沿位于曝光位置的-X側(cè)的第1返回路徑移動(dòng)至進(jìn)行晶片載臺(tái)WSTl上的晶片Wl的更換的第1更換位置，晶片載臺(tái)WST2沿位于曝光位置的+X側(cè)的第2返回路徑移動(dòng)至進(jìn)行晶片載臺(tái)WST2上的晶片W2的更換的第2更換位置。即，針對(duì)第1更換位置與第2更換位置不同的情形作了說明。但不限于此，第1更換位置與第2更換位置可以相同。此場合，主控制裝置20，也可采用如下構(gòu)成控制平面馬達(dá)，使得在位于曝光位置的一方的晶片載臺(tái)所保持的晶片的曝光結(jié)束后，為了將液浸區(qū)域 14從一方的晶片載臺(tái)轉(zhuǎn)移至另一方的晶片載臺(tái)，而進(jìn)行使兩晶片載臺(tái)WST1、WST2在Y軸方向接近至既定距離以下的接近狀態(tài)(并列狀態(tài))、與使兩晶片載臺(tái)WST1、WST2分離的分離狀態(tài)(并列解除狀態(tài))的切換，并使從另一方的晶片載臺(tái)分離的一方的晶片載臺(tái)，沿在X軸方向上位于曝光位置的一側(cè)的返回路徑移動(dòng)至進(jìn)行兩晶片載臺(tái)WST1、WST2上的晶片更換的更換位置。此場合，與使一方的晶片載臺(tái)沿在X軸方向上位于曝光位置一側(cè)的返回路徑移動(dòng)至更換位置、使另一方的晶片載臺(tái)沿在X軸方向上位于曝光位置另一側(cè)的返回路徑移動(dòng)至更換位置的情形等相比較，能將兩晶片載臺(tái)在X軸方向上的移動(dòng)范圍設(shè)定得較窄。又，上述第4實(shí)施形態(tài)中，是以前述晶片載臺(tái)WST1、WST2的移動(dòng)路徑為前提，利用平面馬達(dá)將晶片載臺(tái)WST1、WST2沿XY平面獨(dú)立驅(qū)動(dòng)。然而，不一定需要使用平面馬達(dá)，視移動(dòng)路徑的不同，也可使用線性馬達(dá)等。又，上述第4實(shí)施形態(tài)中，并非一定設(shè)置周邊曝光單元51。即使是此種場合，也能獲得上述各種效果。又，上述第4實(shí)施形態(tài)中，由主控制裝置20，在與對(duì)晶片載臺(tái)WST1、WST2的一方所保持的晶片(Wl或W2)進(jìn)行曝光的動(dòng)作并行地，一邊使晶片載臺(tái)WST1、WST2的另一方移動(dòng)于Y軸方向、一邊利用對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1、AIA ΑΙΛ檢測(cè)該另一方的晶片載臺(tái)所保持的晶片上的不同多個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，可以僅測(cè)量該位置信息。即，從曝光位置至晶片更換位置的移動(dòng)路徑，兩晶片載臺(tái)WST1、WST2中是可以相同。此外，上述晶片載臺(tái)WST1、WST2的另一方，可以不往X軸方向移動(dòng)，而一邊往Y軸方向移動(dòng)、一邊檢測(cè)該另一方的晶片載臺(tái)所保持的晶片上的不同的多個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記即可。又，在另一方的晶片載臺(tái)的上述往Y軸方向的移動(dòng)中無須進(jìn)行周邊曝光。再者，也無須利用平面馬達(dá)驅(qū)動(dòng)晶片載臺(tái)WST1、WST2。另一方面，上述第4實(shí)施形態(tài)中，可僅僅是由主控制裝置20，控制在XY平面內(nèi)驅(qū)動(dòng)晶片載臺(tái)WST1、WST2的平面馬達(dá)151，并在晶片載臺(tái)WSTl所保持的晶片Wl的曝光結(jié)束時(shí)，使晶片載臺(tái)WSTl沿位于曝光位置的X軸方向一側(cè)(-X側(cè))的第1返回路徑移動(dòng)至進(jìn)行晶片載臺(tái)WSTl上的晶片Wl的更換的左側(cè)裝載位置，且在晶片載臺(tái)WST2所保持的晶片 W2的曝光結(jié)束時(shí)，使晶片載臺(tái)WST2沿位于曝光位置的X軸方向另一側(cè)(+X側(cè))的第2返回路徑移動(dòng)至進(jìn)行晶片載臺(tái)WST2上的晶片W2的更換的右側(cè)裝載位置。即，與對(duì)晶片載臺(tái) WSTU WST2的一方所保持的晶片(Wl或W2)進(jìn)行曝光的動(dòng)作并行地，可以不進(jìn)行對(duì)晶片載臺(tái)WST1、WST2的另一方所保持的晶片的周邊曝光，也可以不對(duì)該晶片上的不同的多個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置信息進(jìn)行測(cè)量。此外，平面馬達(dá)可以是移動(dòng)線圈型。又，上述第4實(shí)施形態(tài)中，測(cè)量系統(tǒng)200雖包含干涉儀系統(tǒng)118與編碼器系統(tǒng)150 這雙方，但不限于此，測(cè)量系統(tǒng)可僅包含干涉儀系統(tǒng)118與編碼器系統(tǒng)150的一方。特別是在僅包含編碼器系統(tǒng)的情形時(shí)，該編碼器系統(tǒng)可以不是包含2D讀頭的2維編碼器。又，上述第1、第4實(shí)施形態(tài)各自中，雖然例示了使用微反射鏡陣列構(gòu)成周邊曝光單元51的情形，但不限于此，只要是能用和照明光IL大致相同波長的光使晶片上任意位置 (區(qū)域)自由曝光的話，周邊曝光單元的構(gòu)成并無限定。例如，可使用微反射鏡陣列以外的空間光調(diào)制器來構(gòu)成周邊曝光單元。此外，也可使用標(biāo)線片與投影光學(xué)系統(tǒng)PL來構(gòu)成周邊曝光單元。再者，在周邊曝光中，可轉(zhuǎn)印與通常曝光中轉(zhuǎn)印至照射區(qū)域的相同圖案，但也可轉(zhuǎn)印不同圖案。此場合，例如轉(zhuǎn)印圖案密度等最好是相同、或不致極端相異。不過，線寬可較粗。又，上述第1 第4實(shí)施形態(tài)所說明的編碼器讀頭、Z讀頭、干涉儀等的各測(cè)量裝置的配置、構(gòu)成等僅為一例，本發(fā)明當(dāng)然不限定于此。例如讀頭單元所分別具備的讀頭數(shù)量不限于上述數(shù)量，只要在多個(gè)標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)(上述各實(shí)施形態(tài)中，是對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1、AIA AL24)的兩外側(cè)分別有讀頭即足夠，其數(shù)量并無限制。只要在用多個(gè)標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)的各個(gè)系統(tǒng)檢測(cè)晶片W上的特定對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記時(shí)，至少各有1個(gè)讀頭能對(duì)向于一對(duì)標(biāo)尺即可。又，上述各實(shí)施形態(tài)中，雖然針對(duì)將多個(gè)標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)的兩外側(cè)各側(cè)的多個(gè)讀頭中、位于最內(nèi)側(cè)的2 個(gè)讀頭的Y位置，設(shè)為與其它讀頭不同的情形作了說明，但不限于此，可以將任一讀頭的Y 位置設(shè)為不同。只要根據(jù)空閑空間，將任意讀頭的Y位置設(shè)為與其它讀頭的Y位置不同即可?；蛘?，若多個(gè)標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)的兩外側(cè)有充分的空閑空間時(shí)，可將所有讀頭配置在同一 Y 位置。又，標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)(對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng))的數(shù)量也不限于5個(gè)，雖然關(guān)于第2方向(上述各實(shí)施形態(tài)中為X軸方向)檢測(cè)區(qū)域的位置不同的標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)有2個(gè)以上較佳，但其數(shù)量并無特別限制。又，上述各實(shí)施形態(tài)中，不設(shè)置干涉儀系統(tǒng)而僅設(shè)置編碼器系統(tǒng)的情形時(shí)，也可作成利用Z讀頭對(duì)晶片臺(tái)的θ χ方向的位置信息也進(jìn)行測(cè)量。又，上述第1、第2及第4實(shí)施形態(tài)各自中，可如第3實(shí)施形態(tài)、或例如美國專利申請(qǐng)公開第2006/0227309號(hào)說明書等所揭示，使用如下編碼器系統(tǒng)，即在晶片臺(tái)設(shè)置有編碼器讀頭、且在晶片臺(tái)上方與此對(duì)向地配置有形成有一維或二維光柵(例如繞射光柵)的標(biāo)尺。此場合，可將Z讀頭也配置于晶片臺(tái)上，將上述標(biāo)尺表面兼作為來自Z讀頭的測(cè)量光束所照射的反射面。此外，也可使用除X軸方向及/或Y軸方向外，將Z軸方向也作為測(cè)量方向的所謂兼具編碼器讀頭與Z讀頭的功能的讀頭。此場合，不需要Z讀頭。又，上述各實(shí)施形態(tài)中，雖將嘴單元32的下面設(shè)為與投影光學(xué)系統(tǒng)PL的前端光學(xué)元件的下端面大致同一面，但不限于此，例如也可將嘴單元32的下面，配置在比前端光學(xué)元件的射出面更靠近投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面(即晶片)之處。即，局部液浸裝置8不限于上述構(gòu)造，可使用例如歐洲專利申請(qǐng)公開第1420298號(hào)說明書、國際公開第2004/055803 號(hào)小冊(cè)子、國際公開第2004/057590號(hào)小冊(cè)子、國際公開第2005/(^9559號(hào)小冊(cè)子(對(duì)應(yīng)美國專利申請(qǐng)公開第2006/0231206號(hào)說明書)、國際公開第2004/086468號(hào)小冊(cè)子(對(duì)應(yīng)美國專利申請(qǐng)公開第2005/(^80791號(hào)說明書)、日本特開2004-2891 號(hào)公報(bào)(對(duì)應(yīng)美國專利第6，952，253號(hào)說明書)等所記載的構(gòu)造。又，例如國際公開第2004/019128號(hào)小冊(cè)子 (對(duì)應(yīng)美國專利申請(qǐng)公開第2005/0M8856號(hào)說明書)的揭示，除前端光學(xué)元件的像面?zhèn)裙饴吠?，也可以將前端光學(xué)元件物體面?zhèn)鹊墓饴芬灿靡后w加以充滿。再者，也可在前端光學(xué)元件表面的一部分(至少含與液體的接觸面)或全部，形成具有親液性及/或溶解防止功能的薄膜。又，雖然石英與液體的親和性高、且無需溶解防止膜，但對(duì)于螢石來說較佳為至少形成溶解防止膜。又，上述各實(shí)施形態(tài)中，使用純水(水)來作為液體，但本發(fā)明當(dāng)然不限于此。作為液體，可使用化學(xué)上穩(wěn)定、且照明光IL的透射率高的安全的液體，例如可使用氟系惰性液體。作為此氟系惰性液體，例如可使用氟羅麗娜(美國3M公司的商品名)。此氟系惰性液體在冷卻效果上也優(yōu)異。又，作為液體，也可使用對(duì)照明光IL的折射率比純水(折射率為1.44程度)高的、例如1.5以上的液體。作為此液體，例如有折射率約1.50的異丙醇、 折射率約1.61的甘油(glycerine)這樣的具有C-H鍵或O-H鍵的既定液體、己烷、庚烷、癸烷等既定液體(有機(jī)溶劑)、或折射率約1. 60的十氫萘(Decalin =Decahydronaphthalene) 等?；蛘?，也可以是混合上述液體中任意兩種類以上的液體而得到的液體，也可以是在純水中添加(混合)上述液體的至少一種而得到的液體。或者，作為液體，也可以是在純水中添加(混合泔、(^+、1(+、(1_、3042_、？042-等堿基或酸等而得到的液體。再者，也可以是在純水中添加(混合)A1氧化物等微粒子而得到的液體。上述液體能使ArF準(zhǔn)分子激光光束透射。 又，作為液體，最好是光的吸收系數(shù)較小，溫度依存性較少，并對(duì)涂布于投影光學(xué)系統(tǒng)(前端的光學(xué)部件)及/或晶片表面的感光材(或保護(hù)膜(頂層涂布膜)或反射防止膜等)較
66穩(wěn)定的液體。又，在將F2激光作為光源時(shí)，只要選擇全氟聚醚油O^omblin Oil)即可。再者，作為液體，也可使用對(duì)照明光IL的折射率高于純水的液體、例如折射率為1.6 1.8程度的液體。此外，也可使用超臨界流體作為液體。又，對(duì)于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的前端光學(xué)元件，可以用例如石英(二氧化硅)、或、氟化鈣(螢石)、氟化鋇、氟化鍶、氟化鋰、氟化鈉等的氟化合物的單結(jié)晶材料來形成，也可以用折射率高(例如1.6以上)于石英及螢石的材料來形成。作為折射率1. 6以上的材料，例如，可使用如國際公開第2005/059617號(hào)小冊(cè)子所揭示的藍(lán)寶石、二氧化鍺等，或者，也可使用如國際公開第2005/059618號(hào)小冊(cè)子所揭示的氯化鉀(折射率約1.75)等。又，上述各實(shí)施形態(tài)中，也可再利用回收的液體，此時(shí)，最好是能在液體回收裝置、 或回收管等中設(shè)置用以從回收的液體中除去雜質(zhì)的過濾器。此外，上述各實(shí)施形態(tài)中，雖然就曝光裝置為液浸型曝光裝置的情形作了說明，但并不限于此，也可采用于不經(jīng)由液體(水)進(jìn)行晶片W的曝光的干式曝光裝置。又，上述各實(shí)施形態(tài)中，雖然針對(duì)本發(fā)明適用于步進(jìn)掃描方式等的掃描型曝光裝置的情形作了說明，但不限于此，也能將本發(fā)明適用于步進(jìn)機(jī)等的靜止型曝光裝置。又，本發(fā)明也能適用于將照射區(qū)域與照射區(qū)域加以合成的步進(jìn)接合(step&stitch)方式的曝光裝置、接近(proximity)方式的曝光裝置、或反射鏡投影對(duì)準(zhǔn)機(jī)等。又，上述各實(shí)施形態(tài)的曝光裝置中的投影光學(xué)系統(tǒng)并不僅可為縮小系統(tǒng)，也可為等倍系統(tǒng)及放大系統(tǒng)的任一者，投影光學(xué)系統(tǒng)PL不僅可為折射系統(tǒng)，也可以是反射系統(tǒng)及反折射系統(tǒng)的任一者，其投影像也可以是倒立像與正立像的任一者。再者，經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)PL來照射照明光IL的曝光區(qū)域IA，雖然是在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的視野內(nèi)包含光軸AX的軸上區(qū)域，但例如如國際公開第2004/107011號(hào)小冊(cè)子所揭示那樣，也可以是與所謂在線型反折射系統(tǒng)同樣地，其曝光區(qū)域?yàn)椴缓廨SAX的離軸區(qū)域，該在線型反折射系統(tǒng)中，將具有多個(gè)反射面且至少形成一次中間像的光學(xué)系統(tǒng)(反射系統(tǒng)或反折射系統(tǒng))設(shè)于其一部分，并具有單一光軸。又，前述照明區(qū)域及曝光區(qū)域的形狀雖為矩形，但并不限于此，也可以是例如圓弧、梯形、或平行四邊形等。又，上述各實(shí)施形態(tài)之曝光裝置的光源，不限于ArF準(zhǔn)分子激光器，也可以使用 KrF準(zhǔn)分子激光器(輸出波長M8nm)、F2激光器(輸出波長157nm)、Ar2激光器(輸出波長126nm)、Kr2激光器(輸出波長146nm)等脈沖激光光源，或發(fā)出g線(波長436nm)、i 線(波長365nm)等發(fā)射亮線的超高壓水銀燈等。又，也可使用YAG激光器的諧波產(chǎn)生裝置等。另外，作為真空紫外光，可使用例如國際公開第1999/46835號(hào)小冊(cè)子(對(duì)應(yīng)美國專利第7，023，610號(hào)說明書)所揭示的諧波，其是將從DFB半導(dǎo)體激光器或纖維激光器振蕩的紅外區(qū)或可見區(qū)的單一波長激光光束，用涂布有例如鉺(或鉺及鐿兩者)的光纖放大器進(jìn)行放大，并使用非線形光學(xué)結(jié)晶將其轉(zhuǎn)換波長為紫外光而得到的。又，上述各實(shí)施形態(tài)中，作為曝光裝置的照明光IL，并不限于波長大于等于IOOnm 的光，當(dāng)然也可使用波長小于IOOnm的光。例如，本發(fā)明還合適地適用于在例如曝光波長 5 15nm的波長域、例如13. 5nm下設(shè)計(jì)的全反射縮小光學(xué)系統(tǒng)以及使用了反射型掩模的 EUV曝光裝置。此外，本發(fā)明也適用于使用電子射線或離子束等的帶電粒子射線的曝光裝置。又，上述各實(shí)施形態(tài)中，雖然使用了在光透射性的基板上形成有既定遮光圖案(或相位圖案，減光圖案)的光透射性掩模(標(biāo)線片)，但也可使用例如美國專利第 6，778，257號(hào)說明書所揭示的電子掩模來代替此標(biāo)線片，該電子掩模(也稱為可變成形掩模、主動(dòng)掩模、或圖像產(chǎn)生器，例如包含非發(fā)光型圖像顯示元件(空間光調(diào)制器)的一種的 DMD(Digital Micro-mirror Device)等)是根據(jù)待曝光圖案的電子數(shù)據(jù)來形成透射圖案、 反射圖案、或發(fā)光圖案。又，本發(fā)明也能適用于，例如國際公開第2001/035168號(hào)小冊(cè)子所揭示，通過將干涉紋形成于晶片上來在晶片上形成等間隔線圖案的曝光裝置(光刻系統(tǒng))。進(jìn)一步地，也能將本發(fā)明適用于例如日本特表2004-519850號(hào)公報(bào)(對(duì)應(yīng)美國專利第6，611，316號(hào)說明書)所揭示的曝光裝置，該曝光裝置中，將兩個(gè)標(biāo)線片圖案經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)在晶片上合成，通過一次的掃描曝光來對(duì)晶片上的一個(gè)照射區(qū)域大致同時(shí)進(jìn)行雙重曝光。又，在物體上形成圖案的裝置并不限于前述曝光裝置(光刻系統(tǒng))，例如也能將本發(fā)明適用于以噴墨式來將圖案形成于物體上的裝置。此外，上述各實(shí)施形態(tài)中待形成圖案的物體(能量束所照射的曝光對(duì)象的物體) 并不限于晶片，也可以是玻璃板、陶瓷基板、膜構(gòu)件、或者掩?；宓绕渌矬w。曝光裝置的用途并不限定于半導(dǎo)體制造用的曝光裝置，也可廣泛適用于例如用來制造將液晶顯示元件圖案轉(zhuǎn)印于方型玻璃板的液晶用曝光裝置，或用來制造有機(jī)EL、薄膜磁頭、攝影元件(CCD等)、微型機(jī)器及DNA芯片等的曝光裝置。又，除了制造半導(dǎo)體元件等微型器件以外，為了制造用于光曝光裝置、EUV (極遠(yuǎn)紫外線)曝光裝置、X射線曝光裝置及電子射線曝光裝置等中的標(biāo)線片或掩模，也能將本發(fā)明適用于用以將電路圖案轉(zhuǎn)印至玻璃基板或硅晶片等的曝光裝置。半導(dǎo)體元件等的電子器件，是經(jīng)由如下步驟來制造進(jìn)行器件的功能、性能設(shè)計(jì)的步驟，制造基于該設(shè)計(jì)步驟的標(biāo)線片的步驟，由從硅材料形成晶片的步驟，使用前述各實(shí)施形態(tài)的曝光裝置(圖案形成裝置)將標(biāo)線片的圖案轉(zhuǎn)印至晶片的光刻步驟，將曝光后的晶片加以顯影的顯影步驟，將殘存有抗蝕劑的部分以外部分的露出構(gòu)件由蝕刻加以去除的蝕刻步驟，去除經(jīng)蝕刻后不要的抗蝕劑的抗蝕劑除去步驟，器件組裝步驟(含切割步驟、接合步驟、封裝步驟)、及檢查步驟等。此場合，由于在光刻步驟中，使用上述各實(shí)施形態(tài)的曝光裝置實(shí)施前述曝光方法，在晶片上形成器件圖案，因此能以良好的生產(chǎn)性制造高集成度的器件。產(chǎn)業(yè)上的可利用性如以上的說明，本發(fā)明的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)適合于沿既定平面驅(qū)動(dòng)移動(dòng)體。又，本發(fā)明的圖案形成裝置適合于在晶片等物體上形成圖案。另外，本發(fā)明的曝光裝置、曝光方法、 及器件制造方法，適合用于制造半導(dǎo)體器件及液晶顯示元件等的電子器件等。
權(quán)利要求
1.一種曝光裝置，用能量束使物體曝光以在上述物體上形成圖案，其具備第1移動(dòng)體，保持物體并在包含彼此正交的第1軸及第2軸的既定平面內(nèi)移動(dòng)； 第2移動(dòng)體，保持物體并在上述平面內(nèi)與上述第1移動(dòng)體獨(dú)立地移動(dòng)； 標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)，具有于與上述第2軸平行的方向位置不同的多個(gè)檢測(cè)區(qū)域，檢測(cè)上述第1及第2移動(dòng)體上分別裝載的上述物體上的標(biāo)記；以及控制裝置，與對(duì)保持于上述第1及第2移動(dòng)體的一方的物體的曝光并行地，一邊使上述第1及第2移動(dòng)體的另一方移動(dòng)于與上述第1軸平行的方向、一邊用上述標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)檢測(cè)該另一方移動(dòng)體所保持的物體上的不同的多個(gè)標(biāo)記并測(cè)量其位置信息。
2.如權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其中，在上述第1、第2移動(dòng)體的與上述平面實(shí)質(zhì)上平行的一面，分別具有以平行于上述第1軸的方向及平行于上述第2軸的方向分別為周期方向的2維光柵，在平行于上述第2軸的方向以既定間隔配置有一對(duì)以平行于上述第1軸的方向?yàn)殚L邊方向的光柵部；并進(jìn)一步具備編碼器系統(tǒng)，其具備具有多個(gè)2維讀頭的第1讀頭部，在上述一方的移動(dòng)體所保持的物體的曝光動(dòng)作時(shí)，根據(jù)與上述一方的移動(dòng)體的上述一對(duì)光柵部分別對(duì)向的、 屬于上述第1讀頭部的讀頭的測(cè)量值，測(cè)量上述一方的移動(dòng)體在上述平面內(nèi)的位置信息， 上述多個(gè)2維讀頭是對(duì)向于與上述平面實(shí)質(zhì)平行的一面而配置于與上述第2軸平行的方向的不同位置。
3.如權(quán)利要求2所述的曝光裝置，其中，上述編碼器系統(tǒng)進(jìn)一步具備具有多個(gè)讀頭的第2讀頭部，在上述另一方的移動(dòng)體所保持的物體的標(biāo)記的檢測(cè)時(shí)，根據(jù)與上述另一方的移動(dòng)體的上述一對(duì)光柵部分別對(duì)向的、屬于上述第2讀頭部的讀頭的測(cè)量值，測(cè)量上述另一方的移動(dòng)體在上述平面內(nèi)的位置信息，上述多個(gè)讀頭是對(duì)向于與上述平面實(shí)質(zhì)平行的一面而配置于與上述第2軸平行的方向的不同位置。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的曝光裝置，其進(jìn)一步具備在與上述第1軸平行的方向從上述多個(gè)檢測(cè)區(qū)域分離而配置，且與上述物體的標(biāo)記的檢測(cè)動(dòng)作并行地進(jìn)行周邊曝光的周邊曝光系統(tǒng)。
5.一種曝光裝置，通過投影光學(xué)系統(tǒng)用能量束使物體曝光，其具備 分別保持物體的第1、第2移動(dòng)體；局部液浸裝置，包含在與上述第1、第2移動(dòng)體對(duì)向配置的下面?zhèn)染哂谢厥湛诘淖靻卧?，通過上述嘴單元將液體供應(yīng)至上述投影光學(xué)系統(tǒng)下，且從通過上述供應(yīng)的液體而形成于上述投影光學(xué)系統(tǒng)下的液浸區(qū)域通過上述回收口回收液體；底盤，其裝載裝載上述第1、第2移動(dòng)體的表面配置成與包含彼此正交的第1、第2方向的既定平面大致平行；驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，包含于上述底盤設(shè)有定子且于上述第1、第2移動(dòng)體設(shè)有可動(dòng)子的平面馬達(dá)，將上述第1、第2移動(dòng)體分別從通過上述投影光學(xué)系統(tǒng)與上述液浸區(qū)域進(jìn)行上述物體的曝光的曝光位置與進(jìn)行上述物體的更換的更換位置的一方移動(dòng)至另一方； 測(cè)量系統(tǒng)，包含測(cè)量上述第1、第2移動(dòng)體的位置信息的編碼器系統(tǒng)； 標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)，具有在上述第1方向與上述曝光位置不同且在上述第2方向位置彼此不同的多個(gè)檢測(cè)區(qū)域，檢測(cè)分別保持于上述第1、第2移動(dòng)體的物體的標(biāo)記；以及控制裝置，與保持于上述第1、第2移動(dòng)體的一方的物體的曝光并行地，根據(jù)以上述編碼器系統(tǒng)測(cè)量的位置信息控制上述平面馬達(dá)，以使保持于上述第1、第2移動(dòng)體的另一方的物體相對(duì)上述多個(gè)檢測(cè)區(qū)域移動(dòng)于上述第1方向；保持于上述一方移動(dòng)體的物體的曝光與通過上述標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)對(duì)多個(gè)標(biāo)記的檢測(cè)是并行地進(jìn)行，該多個(gè)標(biāo)記包含在保持于上述另一方移動(dòng)體的物體上位置在上述第1方向不同的標(biāo)記。
6.如權(quán)利要求5所述的曝光裝置，其中，接續(xù)于保持于上述一方移動(dòng)體的物體的曝光， 上述一方移動(dòng)體配置于上述投影光學(xué)系統(tǒng)下方的上述第1、第2移動(dòng)體，通過上述平面馬達(dá)相對(duì)上述嘴單元移動(dòng)；上述另一方移動(dòng)體取代上述一方移動(dòng)體配置于上述投影光學(xué)系統(tǒng)下方，且上述液浸區(qū)域一邊維持于上述投影光學(xué)系統(tǒng)下、一邊從上述一方移動(dòng)體移動(dòng)至上述另一方移動(dòng)體。
7.如權(quán)利要求6所述的曝光裝置，其中，上述第1、第2移動(dòng)體，以上述另一方移動(dòng)體接近配置于上述投影光學(xué)系統(tǒng)下方的上述一方移動(dòng)體的方式相對(duì)移動(dòng)，已接近的上述第1、第 2移動(dòng)體相對(duì)上述嘴單元移動(dòng)。
8.如權(quán)利要求7所述的曝光裝置，其中，上述第1、第2移動(dòng)體通過上述相對(duì)移動(dòng)而彼此接近或接觸配置，在此接近或接觸的狀態(tài)下相對(duì)上述嘴單元移動(dòng)。
9.如權(quán)利要求7所述的曝光裝置，其中，上述第1、第2移動(dòng)體在上述第1方向彼此接近，一邊維持在上述第1方向的位置關(guān)系、一邊相對(duì)上述嘴單元移動(dòng)。
10.如權(quán)利要求6所述的曝光裝置，其中，上述第1、第2移動(dòng)體，在相對(duì)上述嘴單元的上述第1、第2移動(dòng)體的移動(dòng)中，是在上述第1方向彼此接近且在上述第2方向偏離配置。
11.如權(quán)利要求10所述的曝光裝置，其中，上述第1、第2移動(dòng)體在上述第2方向的位置關(guān)系，在配置于上述投影光學(xué)系統(tǒng)下方的上述第1移動(dòng)體對(duì)上述第2移動(dòng)體的置換時(shí)、以及配置于上述投影光學(xué)系統(tǒng)下方的上述第2移動(dòng)體對(duì)上述第1移動(dòng)體的置換時(shí)是不同的。
12.如權(quán)利要求11所述的曝光裝置，其中，上述第1、第2移動(dòng)體，在上述第1移動(dòng)體對(duì)上述第2移動(dòng)體的置換時(shí)、以及上述第2移動(dòng)體對(duì)上述第1移動(dòng)體的置換時(shí)，在上述第2方向偏離配置成逆向。
13.如權(quán)利要求11所述的曝光裝置，其中，在上述第2移動(dòng)體對(duì)上述第1移動(dòng)體的置換中，上述第1移動(dòng)體相對(duì)配置于上述投影光學(xué)系統(tǒng)下方的上述第2移動(dòng)體于上述第2方向往一側(cè)偏離配置；在上述第1移動(dòng)體對(duì)上述第2移動(dòng)體的置換中，上述第2移動(dòng)體相對(duì)配置于上述投影光學(xué)系統(tǒng)下方的上述第1移動(dòng)體于上述第2方向往另一側(cè)偏離配置。
14.如權(quán)利要求13所述的曝光裝置，其中，上述第1移動(dòng)體在于上述第2方向位于上述曝光位置一側(cè)的第1返回路徑從上述投影光學(xué)系統(tǒng)下方移動(dòng)至上述更換位置；上述第2移動(dòng)體在于上述第2方向位于上述曝光位置另一側(cè)的第2返回路徑從上述投影光學(xué)系統(tǒng)下方移動(dòng)至上述更換位置。
15.如權(quán)利要求14所述的曝光裝置，其中，上述第1移動(dòng)體在上述第2方向從一側(cè)被連接纜線；上述第2移動(dòng)體在上述第2方向從另一側(cè)被連接纜線。
16.如權(quán)利要求6所述的曝光裝置，其中，上述第1、第2移動(dòng)體，從上述投影光學(xué)系統(tǒng)下方至上述更換位置的返回路徑彼此不同。
17.如權(quán)利要求16所述的曝光裝置，其中，上述第1移動(dòng)體，在于上述第2方向位于上述曝光位置一側(cè)的第1返回路徑移動(dòng)；上述第2移動(dòng)體，在于上述第2方向位于上述曝光位置另一側(cè)的第2返回路徑移動(dòng)。
18.如權(quán)利要求17所述的曝光裝置，其中，上述第1移動(dòng)體在上述第2方向從一側(cè)被連接纜線；上述第2移動(dòng)體在上述第2方向從另一側(cè)被連接纜線。
19.如權(quán)利要求6所述的曝光裝置，其中，上述第1、第2移動(dòng)體，在相對(duì)上述嘴單元的上述第1、第2移動(dòng)體的移動(dòng)中，是在上述第1方向彼此接近，與上述第2方向平行的側(cè)面對(duì)向配置；在相對(duì)上述嘴單元的上述第1、第2移動(dòng)體的移動(dòng)中對(duì)向的上述第1、第2移動(dòng)體的側(cè)面，在配置于上述投影光學(xué)系統(tǒng)下方的上述第1移動(dòng)體對(duì)上述第2移動(dòng)體的置換時(shí)、以及配置于上述投影光學(xué)系統(tǒng)下方的上述第2移動(dòng)體對(duì)上述第1移動(dòng)體的置換時(shí)是不同的。
20.如權(quán)利要求19所述的曝光裝置，其中，已接近的上述第1、第2移動(dòng)體，在上述第1 移動(dòng)體對(duì)上述第2移動(dòng)體的置換時(shí)、以及上述第2移動(dòng)體對(duì)上述第1移動(dòng)體的置換時(shí)，相對(duì)上述嘴單元在上述第1方向移動(dòng)于相同方向。
21.如權(quán)利要求19所述的曝光裝置，其中，上述第1移動(dòng)體在上述第2方向從一側(cè)被連接纜線，在于上述底盤上位于上述一側(cè)的第1返回路徑從上述投影光學(xué)系統(tǒng)下方移動(dòng)至上述更換位置；上述第2移動(dòng)體在上述第2方向從另一側(cè)被連接纜線，在于上述底盤上位于上述另一側(cè)的第2返回路徑從上述投影光學(xué)系統(tǒng)下方移動(dòng)至上述更換位置。
22.如權(quán)利要求21所述的曝光裝置，其中，上述第1、第2移動(dòng)體，在相對(duì)上述嘴單元的上述第1、第2移動(dòng)體的移動(dòng)中，是在上述第2方向偏離配置。
23.如權(quán)利要求22所述的曝光裝置，其中，上述第1、第2移動(dòng)體在上述第2方向的位置關(guān)系，在上述第1移動(dòng)體對(duì)上述第2移動(dòng)體的置換時(shí)、以及上述第2移動(dòng)體對(duì)上述第1移動(dòng)體的置換時(shí)，是不同的。
24.如權(quán)利要求5所述的曝光裝置，其中，上述多個(gè)檢測(cè)區(qū)域，配置于在上述第1方向與上述更換位置不同的位置。
25.如權(quán)利要求M所述的曝光裝置，其中，上述多個(gè)檢測(cè)區(qū)域，在上述第1方向配置于上述曝光位置與上述更換位置之間；上述第1、第2移動(dòng)體分別在從上述更換位置移動(dòng)至上述曝光位置的途中進(jìn)行上述物體的標(biāo)記檢測(cè)。
26.如權(quán)利要求25所述的曝光裝置，其中，上述更換位置在上述第2方向與上述曝光位置不同。
27.如權(quán)利要求5所述的曝光裝置，其中，上述平面馬達(dá)，是于上述第1、第2移動(dòng)體分別設(shè)有磁石單元作為上述可動(dòng)子的動(dòng)磁型。
28.如權(quán)利要求5所述的曝光裝置，其進(jìn)一步具備周邊曝光系統(tǒng)，上述周邊曝光系統(tǒng)配置于在上述第1方向與上述曝光位置不同的位置，使分別保持于上述第1、第2移動(dòng)體的物體的周邊區(qū)域至少一部分曝光；與上述標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)的檢測(cè)動(dòng)作并行地進(jìn)行上述周邊曝光系統(tǒng)的曝光動(dòng)作的至少一部分。
29.如權(quán)利要求5至觀中任一項(xiàng)所述的曝光裝置，其進(jìn)一步具備檢測(cè)裝置，以在上述第 1方向與上述曝光位置不同且在上述第2方向位置彼此不同的多個(gè)檢測(cè)點(diǎn)檢測(cè)上述物體在與上述既定平面正交的第3方向的位置信息。
30.如權(quán)利要求四所述的曝光裝置，其中，與保持于上述一方移動(dòng)體的物體的曝光并行地，進(jìn)行上述檢測(cè)裝置對(duì)保持于上述另一方移動(dòng)體的物體的位置信息的檢測(cè)。
31.如權(quán)利要求30所述的曝光裝置，其中，上述多個(gè)檢測(cè)點(diǎn)配置于在上述第1方向與上述更換位置不同的位置。
32.如權(quán)利要求31所述的曝光裝置，其中，上述多個(gè)檢測(cè)點(diǎn)在上述第1方向配置于上述曝光位置與上述更換位置之間；在上述第1、第2移動(dòng)體分別從上述更換位置移動(dòng)至上述曝光位置的途中通過上述檢測(cè)裝置檢測(cè)上述物體在上述第3方向的位置信息。
33.如權(quán)利要求31所述的曝光裝置，其中，上述檢測(cè)裝置的檢測(cè)動(dòng)作的至少一部分與上述標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)的檢測(cè)動(dòng)作并行地進(jìn)行。
34.如權(quán)利要求33所述的曝光裝置，其中，上述多個(gè)檢測(cè)點(diǎn)，配置于在上述第1方向與上述多個(gè)檢測(cè)區(qū)域不同的位置。
35.如權(quán)利要求5至28中任一項(xiàng)所述的曝光裝置，其中，上述編碼器系統(tǒng)，對(duì)與上述既定平面平行配置且具有二維光柵的標(biāo)尺，通過分別設(shè)于上述第1、第2移動(dòng)體的多個(gè)讀頭照射測(cè)量光束，以測(cè)量在上述既定平面內(nèi)的3自由度方向的上述第1移動(dòng)體的位置信息及上述第2移動(dòng)體的位置信息。
36.如權(quán)利要求35所述的曝光裝置，其中，上述標(biāo)尺于上述嘴單元周圍設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)，且于上述標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)周圍設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)，上述編碼器系統(tǒng)，在上述曝光與上述標(biāo)記檢測(cè)時(shí)分別測(cè)量上述第1、第2移動(dòng)體在上述3自由度方向的位置信息。
37.如權(quán)利要求36所述的曝光裝置，其中，上述第1、第2移動(dòng)體分別在上述標(biāo)尺下方移動(dòng)，與上述標(biāo)尺對(duì)向而用于上述位置信息的測(cè)量的上述多個(gè)讀頭的一個(gè)切換至其他讀頭。
38.如權(quán)利要求37所述的曝光裝置，其中，上述編碼器系統(tǒng)，亦測(cè)量上述第1、第2移動(dòng)體在與上述既定平面正交的第3方向的位置信息。
39.如權(quán)利要求35所述的曝光裝置，其進(jìn)一步具備檢測(cè)裝置，以在上述第1方向與上述曝光位置不同且在上述第2方向位置彼此不同的多個(gè)檢測(cè)點(diǎn)檢測(cè)上述物體在與上述既定平面正交的第3方向的位置信息。
40.如權(quán)利要求5至觀中任一項(xiàng)所述的曝光裝置，其中，上述第1、第2移動(dòng)體分別于其上面具有上述物體的裝載裝載區(qū)域與在上述第2方向分別配置于上述裝載裝載區(qū)域兩側(cè)且具有二維光柵的標(biāo)尺；上述編碼器系統(tǒng)，分別通過讀頭對(duì)上述2個(gè)標(biāo)尺照射測(cè)量光束，以測(cè)量上述第1、第2移動(dòng)體在上述既定平面內(nèi)的3自由度方向的位置信息。
41.如權(quán)利要求40所述的曝光裝置，其中，上述2個(gè)標(biāo)尺分別以上述第1方向?yàn)殚L邊方向設(shè)置；上述編碼器系統(tǒng)具有在上述第2方向位置彼此不同的多個(gè)讀頭。
42.如權(quán)利要求41所述的曝光裝置，其中，上述編碼器系統(tǒng)具有包含在上述第2方向配置于上述嘴單元兩側(cè)且與上述標(biāo)尺對(duì)向的讀頭的在上述第2方向位置彼此不同的多個(gè)讀頭，通過上述第1、第2移動(dòng)體分別移動(dòng)，上述多個(gè)讀頭中與上述標(biāo)尺對(duì)向而用于上述位置信息的測(cè)量的讀頭切換至其他讀頭。
43.如權(quán)利要求42所述的曝光裝置，其中，上述編碼器系統(tǒng)具有在上述第2方向隔著上述標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)配置的多個(gè)讀頭，在上述標(biāo)記檢測(cè)中測(cè)量在上述3自由度方向的上述第1、 第2移動(dòng)體的位置信息。
44.如權(quán)利要求43所述的曝光裝置，其中，上述編碼器系統(tǒng)，亦測(cè)量上述第1、第2移動(dòng)體在與上述既定平面正交的第3方向的位置信息。
45.如權(quán)利要求40所述的曝光裝置，其進(jìn)一步具備檢測(cè)裝置，以在上述第1方向與上述曝光位置不同且在上述第2方向位置彼此不同的多個(gè)檢測(cè)點(diǎn)檢測(cè)上述物體在與上述既定平面正交的第3方向的位置信息。
46.如權(quán)利要求6所述的曝光裝置，其中，上述第1、第2移動(dòng)體分別于其上面具有上述物體的裝載裝載區(qū)域、以及在與于相對(duì)上述嘴單元的上述第1、第2移動(dòng)體的移動(dòng)中對(duì)向的上述第1、第2移動(dòng)體端部平行的方向分別配置于上述裝載裝載區(qū)域兩側(cè)且具有二維光柵的標(biāo)尺；上述編碼器系統(tǒng)，分別通過讀頭對(duì)上述2個(gè)標(biāo)尺照射測(cè)量光束，以測(cè)量上述第1、第2移動(dòng)體在上述既定平面內(nèi)的3自由度方向的位置信息。
47.如權(quán)利要求46所述的曝光裝置，其中，上述第1、第2移動(dòng)體相對(duì)上述嘴單元移動(dòng)以使上述液浸區(qū)域橫越過上述對(duì)向的端部從上述一方移動(dòng)體移動(dòng)至上述另一方移動(dòng)體。
48.如權(quán)利要求47所述的曝光裝置，其中，上述2個(gè)標(biāo)尺分別設(shè)置成長邊方向與平行于上述對(duì)向的端部的方向正交；上述編碼器系統(tǒng)，具有在與上述對(duì)向的端部平行的方向位置彼此不同的多個(gè)讀頭。
49.如權(quán)利要求48所述的曝光裝置，其中，上述第1、第2移動(dòng)體，在相對(duì)上述嘴單元的上述第1、第2移動(dòng)體的移動(dòng)中，配置成上述對(duì)向的端部與上述第1方向交叉。
50.一種曝光方法，用能量束使物體曝光以在上述物體上形成圖案，其包含與對(duì)分別保持物體、在包含彼此正交的第1軸及第2軸的既定平面內(nèi)獨(dú)立移動(dòng)的第1 及第2移動(dòng)體的一方所保持的上述物體進(jìn)行曝光的動(dòng)作并行地，一邊使上述第1及第2移動(dòng)體的另一方移動(dòng)于與上述第1軸平行的方向、一邊利用具有于與上述第2軸平行的方向位置不同的多個(gè)檢測(cè)區(qū)域的標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)，檢測(cè)上述另一方移動(dòng)體所保持的物體上的不同的多個(gè)標(biāo)記，測(cè)量其位置信息的步驟。
51.一種曝光方法，通過投影光學(xué)系統(tǒng)用能量束使物體曝光，其包含將表面配置成與包含彼此正交的第1、第2方向的既定平面大致平行的底盤上所配置的第1、第2移動(dòng)體，分別通過于上述底盤設(shè)有定子且于上述第1、第2移動(dòng)體設(shè)有可動(dòng)子的平面馬達(dá)，從通過上述投影光學(xué)系統(tǒng)與液浸區(qū)域進(jìn)行上述物體的曝光的曝光位置與進(jìn)行上述物體的更換的更換位置的一方移動(dòng)至另一方的動(dòng)作，該液浸區(qū)域是通過在與上述第1、第 2移動(dòng)體分別對(duì)向配置的下面?zhèn)染哂谢厥湛诘淖靻卧獙⒁后w供應(yīng)至上述投影光學(xué)系統(tǒng)下而形成；以及與保持于上述第1、第2移動(dòng)體的一方的物體的曝光并行地，根據(jù)以編碼器系統(tǒng)測(cè)量的上述第1、第2移動(dòng)體的位置信息控制上述平面馬達(dá)，以使保持于上述第1、第2移動(dòng)體的另一方的物體，相對(duì)在上述第1方向與上述曝光位置不同且在上述第2方向位置彼此不同的標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)的多個(gè)檢測(cè)區(qū)域移動(dòng)于上述第1方向的動(dòng)作；保持于上述一方移動(dòng)體的物體的曝光與通過上述標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)對(duì)多個(gè)標(biāo)記的檢測(cè)是并行地進(jìn)行，該多個(gè)標(biāo)記包含在保持于上述另一方移動(dòng)體的物體上位置在上述第1方向不同的標(biāo)記。
52.如權(quán)利要求51所述的曝光方法，其中，接續(xù)于保持于上述一方移動(dòng)體的物體的曝光，上述一方移動(dòng)體配置于上述投影光學(xué)系統(tǒng)下方的上述第1、第2移動(dòng)體，通過上述平面馬達(dá)相對(duì)上述嘴單元移動(dòng)；上述另一方移動(dòng)體取代上述一方移動(dòng)體配置于上述投影光學(xué)系統(tǒng)下方，且上述液浸區(qū)域一邊維持于上述投影光學(xué)系統(tǒng)下、一邊從上述一方移動(dòng)體移動(dòng)至上述另一方移動(dòng)體。
53.如權(quán)利要求52所述的曝光方法，其中，上述第1、第2移動(dòng)體，以上述另一方移動(dòng)體接近配置于上述投影光學(xué)系統(tǒng)下方的上述一方移動(dòng)體的方式相對(duì)移動(dòng)，已接近的上述第1、 第2移動(dòng)體相對(duì)上述嘴單元移動(dòng)。
54.如權(quán)利要求53所述的曝光方法，其中，上述第1、第2移動(dòng)體通過上述相對(duì)移動(dòng)而彼此接近或接觸配置，在此接近或接觸的狀態(tài)下相對(duì)上述嘴單元移動(dòng)。
55.如權(quán)利要求53所述的曝光方法，其中，上述第1、第2移動(dòng)體在上述第1方向彼此接近，一邊維持在上述第1方向的位置關(guān)系、一邊相對(duì)上述嘴單元移動(dòng)。
56.如權(quán)利要求52所述的曝光方法，其中，上述第1、第2移動(dòng)體，在相對(duì)上述嘴單元的上述第1、第2移動(dòng)體的移動(dòng)中，是在上述第1方向彼此接近且在上述第2方向偏離配置。
57.如權(quán)利要求56所述的曝光方法，其中，上述第1、第2移動(dòng)體在上述第2方向的位置關(guān)系，在配置于上述投影光學(xué)系統(tǒng)下方的上述第1移動(dòng)體對(duì)上述第2移動(dòng)體的置換時(shí)、以及配置于上述投影光學(xué)系統(tǒng)下方的上述第2移動(dòng)體對(duì)上述第1移動(dòng)體的置換時(shí)是不同的。
58.如權(quán)利要求57所述的曝光方法，其中，上述第1、第2移動(dòng)體，在上述第1移動(dòng)體對(duì)上述第2移動(dòng)體的置換時(shí)、以及上述第2移動(dòng)體對(duì)上述第1移動(dòng)體的置換時(shí)，在上述第2方向偏離配置成逆向。
59.如權(quán)利要求57所述的曝光方法，其中，在上述第2移動(dòng)體對(duì)上述第1移動(dòng)體的置換中，上述第1移動(dòng)體相對(duì)配置于上述投影光學(xué)系統(tǒng)下方的上述第2移動(dòng)體于上述第2方向往一側(cè)偏離配置；在上述第1移動(dòng)體對(duì)上述第2移動(dòng)體的置換中，上述第2移動(dòng)體相對(duì)配置于上述投影光學(xué)系統(tǒng)下方的上述第1移動(dòng)體于上述第2方向往另一側(cè)偏離配置。
60.如權(quán)利要求59所述的曝光方法，其中，上述第1移動(dòng)體在于上述第2方向位于上述曝光位置一側(cè)的第1返回路徑從上述投影光學(xué)系統(tǒng)下方移動(dòng)至上述更換位置；上述第2移動(dòng)體在于上述第2方向位于上述曝光位置另一側(cè)的第2返回路徑從上述投影光學(xué)系統(tǒng)下方移動(dòng)至上述更換位置。
61.如權(quán)利要求60所述的曝光方法，其中，上述第1移動(dòng)體在上述第2方向從一側(cè)被連接纜線；上述第2移動(dòng)體在上述第2方向從另一側(cè)被連接纜線。
62.如權(quán)利要求52所述的曝光方法，其中，上述第1、第2移動(dòng)體，從上述投影光學(xué)系統(tǒng)下方至上述更換位置的返回路徑彼此不同。
63.如權(quán)利要求62所述的曝光方法，其中，上述第1移動(dòng)體，在于上述第2方向位于上述曝光位置一側(cè)的第1返回路徑移動(dòng)；上述第2移動(dòng)體，在于上述第2方向位于上述曝光位置另一側(cè)的第2返回路徑移動(dòng)。
64.如權(quán)利要求63所述的曝光方法，其中，上述第1移動(dòng)體在上述第2方向從一側(cè)被連接纜線；上述第2移動(dòng)體在上述第2方向從另一側(cè)被連接纜線。
65.如權(quán)利要求52所述的曝光方法，其中，上述第1、第2移動(dòng)體，在相對(duì)上述嘴單元的上述第1、第2移動(dòng)體的移動(dòng)中，是在上述第1方向彼此接近，與上述第2方向平行的側(cè)面對(duì)向配置；在相對(duì)上述嘴單元的上述第1、第2移動(dòng)體的移動(dòng)中對(duì)向的上述第1、第2移動(dòng)體的側(cè)面，在配置于上述投影光學(xué)系統(tǒng)下方的上述第1移動(dòng)體對(duì)上述第2移動(dòng)體的置換時(shí)、以及配置于上述投影光學(xué)系統(tǒng)下方的上述第2移動(dòng)體對(duì)上述第1移動(dòng)體的置換時(shí)是不同的。
66.如權(quán)利要求65所述的曝光方法，其中，已接近的上述第1、第2移動(dòng)體，在上述第1 移動(dòng)體對(duì)上述第2移動(dòng)體的置換時(shí)、以及上述第2移動(dòng)體對(duì)上述第1移動(dòng)體的置換時(shí)，相對(duì)上述嘴單元在上述第1方向移動(dòng)于相同方向。
67.如權(quán)利要求65所述的曝光方法，其中，上述第1移動(dòng)體在上述第2方向從一側(cè)被連接纜線，在于上述底盤上位于上述一側(cè)的第1返回路徑從上述投影光學(xué)系統(tǒng)下方移動(dòng)至上述更換位置；上述第2移動(dòng)體在上述第2方向從另一側(cè)被連接纜線，在于上述底盤上位于上述另一側(cè)的第2返回路徑從上述投影光學(xué)系統(tǒng)下方移動(dòng)至上述更換位置。
68.如權(quán)利要求67所述的曝光方法，其中，上述第1、第2移動(dòng)體，在相對(duì)上述嘴單元的上述第1、第2移動(dòng)體的移動(dòng)中，是在上述第2方向偏離配置。
69.如權(quán)利要求68所述的曝光方法，其中，上述第1、第2移動(dòng)體在上述第2方向的位置關(guān)系，在上述第1移動(dòng)體對(duì)上述第2移動(dòng)體的置換時(shí)、以及上述第2移動(dòng)體對(duì)上述第1移動(dòng)體的置換時(shí)，是不同的。
70.如權(quán)利要求51所述的曝光方法，其中，上述多個(gè)檢測(cè)區(qū)域，配置于在上述第1方向與上述更換位置不同的位置。
71.如權(quán)利要求70所述的曝光方法，其中，上述第1、第2移動(dòng)體分別在從上述更換位置移動(dòng)至上述曝光位置的途中，通過在上述第1方向配置于上述曝光位置與上述更換位置之間的上述多個(gè)檢測(cè)區(qū)域進(jìn)行上述物體的標(biāo)記檢測(cè)。
72.如權(quán)利要求71所述的曝光方法，其中，分別保持于上述第1、第2移動(dòng)體的物體的更換，是在于上述第2方向與上述曝光位置不同的上述更換位置進(jìn)行。
73.如權(quán)利要求51所述的曝光方法，其中，上述平面馬達(dá)，是于上述第1、第2移動(dòng)體分別設(shè)有磁石單元作為上述可動(dòng)子的動(dòng)磁型。
74.如權(quán)利要求51所述的曝光方法，其中，通過配置于在上述第1方向與上述曝光位置不同的位置的周邊曝光系統(tǒng)，使分別保持于上述第1、第2移動(dòng)體的物體的周邊區(qū)域至少一部分曝光，與上述標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)的檢測(cè)動(dòng)作并行地進(jìn)行上述周邊曝光系統(tǒng)的曝光動(dòng)作的至少一部分。
75.如權(quán)利要求51至74中任一項(xiàng)所述的曝光方法，其中，通過具有在上述第1方向與上述曝光位置不同且在上述第2方向位置彼此不同的多個(gè)檢測(cè)點(diǎn)的檢測(cè)裝置，檢測(cè)上述物體在與上述既定平面正交的第3方向的位置信息。
76.如權(quán)利要求75所述的曝光方法，其中，與保持于上述一方移動(dòng)體的物體的曝光并行地，進(jìn)行上述檢測(cè)裝置對(duì)保持于上述另一方移動(dòng)體的物體的位置信息的檢測(cè)。
77.如權(quán)利要求76所述的曝光方法，其中，上述多個(gè)檢測(cè)點(diǎn)配置于在上述第1方向與上述更換位置不同的位置。
78.如權(quán)利要求77所述的曝光方法，其中，在上述第1、第2移動(dòng)體分別從上述更換位置移動(dòng)至上述曝光位置的途中，通過在上述第1方向配置于上述曝光位置與上述更換位置之間的上述多個(gè)檢測(cè)點(diǎn)檢測(cè)上述物體在上述第3方向的位置信息。
79.如權(quán)利要求77所述的曝光方法，其中，上述檢測(cè)裝置的檢測(cè)動(dòng)作的至少一部分與上述標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)的檢測(cè)動(dòng)作并行地進(jìn)行。
80.如權(quán)利要求79所述的曝光方法，其中，上述多個(gè)檢測(cè)點(diǎn)，配置于在上述第1方向與上述多個(gè)檢測(cè)區(qū)域不同的位置。
81.如權(quán)利要求51至74中任一項(xiàng)所述的曝光方法，其中，上述編碼器系統(tǒng)，對(duì)與上述既定平面平行配置且具有二維光柵的標(biāo)尺，通過分別設(shè)于上述第1、第2移動(dòng)體的多個(gè)讀頭照射測(cè)量光束，以測(cè)量在上述既定平面內(nèi)的3自由度方向的上述第1移動(dòng)體的位置信息及上述第2移動(dòng)體的位置信息。
82.如權(quán)利要求81所述的曝光方法，其中，上述標(biāo)尺于上述嘴單元周圍設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)，且于上述標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)周圍設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)，上述編碼器系統(tǒng)，在上述曝光與上述標(biāo)記檢測(cè)時(shí)分別測(cè)量上述第1、第2移動(dòng)體在上述3自由度方向的位置信息。
83.如權(quán)利要求82所述的曝光方法，其中，上述第1、第2移動(dòng)體分別在上述標(biāo)尺下方移動(dòng)，與上述標(biāo)尺對(duì)向而用于上述位置信息的測(cè)量的上述多個(gè)讀頭的一個(gè)切換至其他讀頭。
84.如權(quán)利要求83所述的曝光方法，其中，亦通過上述編碼器系統(tǒng)，測(cè)量上述第1、第2 移動(dòng)體在與上述既定平面正交的第3方向的位置信息。
85.如權(quán)利要求81所述的曝光方法，其進(jìn)一步具備檢測(cè)裝置，以在上述第1方向與上述曝光位置不同且在上述第2方向位置彼此不同的多個(gè)檢測(cè)點(diǎn)檢測(cè)上述物體在與上述既定平面正交的第3方向的位置信息。
86.如權(quán)利要求51至74中任一項(xiàng)所述的曝光方法，其中，上述第1、第2移動(dòng)體分別于其上面在上述第2方向的上述物體的裝載裝載區(qū)域兩側(cè)設(shè)有具有二維光柵的標(biāo)尺；上述編碼器系統(tǒng)，分別通過讀頭對(duì)上述2個(gè)標(biāo)尺照射測(cè)量光束，以測(cè)量上述第1、第2移動(dòng)體在上述既定平面內(nèi)的3自由度方向的位置信息。
87.如權(quán)利要求86所述的曝光方法，其中，上述2個(gè)標(biāo)尺分別以上述第1方向?yàn)殚L邊方向設(shè)置；上述編碼器系統(tǒng)具有在上述第2方向位置彼此不同的多個(gè)讀頭。
88.如權(quán)利要求87所述的曝光方法，其中，上述編碼器系統(tǒng)具有包含在上述第2方向配置于上述嘴單元兩側(cè)且與上述標(biāo)尺對(duì)向的讀頭的在上述第2方向位置彼此不同的多個(gè)讀頭，通過上述第1、第2移動(dòng)體分別移動(dòng)，上述多個(gè)讀頭中與上述標(biāo)尺對(duì)向而用于上述位置信息的測(cè)量的讀頭切換至其他讀頭。
89.如權(quán)利要求88所述的曝光方法，其中，上述編碼器系統(tǒng)具有在上述第2方向隔著上述標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)配置的多個(gè)讀頭，在上述標(biāo)記檢測(cè)中測(cè)量在上述3自由度方向的上述第1、 第2移動(dòng)體的位置信息。
90.如權(quán)利要求89所述的曝光方法，其中，上述編碼器系統(tǒng)，亦測(cè)量上述第1、第2移動(dòng)體在與上述既定平面正交的第3方向的位置信息。
91.如權(quán)利要求86所述的曝光方法，其中，通過具有在上述第1方向與上述曝光位置不同且在上述第2方向位置彼此不同的多個(gè)檢測(cè)點(diǎn)的檢測(cè)裝置，檢測(cè)上述物體在與上述既定平面正交的第3方向的位置信息。
92.如權(quán)利要求52所述的曝光方法，其中，上述第1、第2移動(dòng)體分別于其上面在與于相對(duì)上述嘴單元的上述第1、第2移動(dòng)體的移動(dòng)中對(duì)向的上述第1、第2移動(dòng)體端部平行的方向的上述裝載區(qū)域兩側(cè)，設(shè)有具有二維光柵的標(biāo)尺；上述編碼器系統(tǒng)，分別通過讀頭對(duì)上述2個(gè)標(biāo)尺照射測(cè)量光束，以測(cè)量上述第1、第2移動(dòng)體在上述既定平面內(nèi)的3自由度方向的位置信息。
93.如權(quán)利要求92所述的曝光方法，其中，上述第1、第2移動(dòng)體相對(duì)上述嘴單元移動(dòng)以使上述液浸區(qū)域橫越過上述對(duì)向的端部從上述一方移動(dòng)體移動(dòng)至上述另一方移動(dòng)體。
94.如權(quán)利要求93所述的曝光方法，其中，上述2個(gè)標(biāo)尺分別設(shè)置成長邊方向與平行于上述對(duì)向的端部的方向正交；上述編碼器系統(tǒng)，具有在與上述對(duì)向的端部平行的方向位置彼此不同的多個(gè)讀頭。
95.如權(quán)利要求94所述的曝光方法，其中，上述第1、第2移動(dòng)體，在相對(duì)上述嘴單元的上述第1、第2移動(dòng)體的移動(dòng)中，配置成上述對(duì)向的端部與上述第1方向交叉。
96.一種器件制造方法，其包含使用如權(quán)利要求1至49中任一項(xiàng)所述的曝光裝置使物體曝光的動(dòng)作；以及使上述曝光后的物體顯影的動(dòng)作。
97.一種器件制造方法，其包含使用如權(quán)利要求50至95中任一項(xiàng)所述的曝光方法使物體曝光的動(dòng)作；以及使上述曝光后的物體顯影的動(dòng)作。
全文摘要
本發(fā)明公開一種曝光裝置、曝光方法以及器件制造方法。在晶片載臺(tái)(WST)在Y軸方向上直線移動(dòng)的期間，由多點(diǎn)AF系統(tǒng)(90)檢測(cè)在X軸方向以既定間隔設(shè)定的多個(gè)檢測(cè)點(diǎn)的晶片(W)表面的面位置信息，由沿X軸方向排列成一列的多個(gè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)(AL1、AL21～AL24)分別檢測(cè)晶片上彼此不同位置的標(biāo)記，由周邊曝光系統(tǒng)(51)使晶片的缺照射的一部分曝光。據(jù)此，與無關(guān)系地進(jìn)行標(biāo)記檢測(cè)動(dòng)作、面位置信息(焦點(diǎn)信息)的檢測(cè)動(dòng)作、以及周邊曝光動(dòng)作的場合相比較，能提升生產(chǎn)率。
文檔編號(hào)G03F7/20GK102566320SQ20121003744
公開日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2008年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月28日
發(fā)明者柴崎祐一 申請(qǐng)人:株式會(huì)社尼康