專利名稱：導(dǎo)電元件及其制造方法、配線元件、信息輸入裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種導(dǎo)電元件及其制造方法、一種配線元件、一種信息輸入裝置、一種顯示裝置以及一種電子裝置。具體地，本發(fā)明涉及一種導(dǎo)電圖案部分形成在基板表面上的導(dǎo)電元件。
背景技術(shù)：
在過去，作為用來在由玻璃、塑料等形成的絕緣基板上以預(yù)定電路圖案形成導(dǎo)電層的方法，使用平版印刷的電路圖案形成方法已經(jīng)被廣泛地使用。在該電路圖案形成方法中，通常采用分步重復(fù)方法(step and repeat method)或與其相近的方法。具體地,在所述形成方法中，電路圖案通過“金屬層涂覆”一“光刻膠涂覆”一“曝光”一“顯影”一“去 除”一“光刻膠剝離”的處理來形成。結(jié)果，使用平版印刷的電路圖案形成方法具有很低的生產(chǎn)能力。因此，提出了使用絲網(wǎng)印刷的電路圖案形成方法來實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)能力的提高。使用絲網(wǎng)印刷的電路圖案形成方法是這樣的方法，其中，通過掩模使用刮板在絕緣基板上涂覆金屬漿等，預(yù)定電路圖案的導(dǎo)電層通過之后的烘焙形成。由于使用絲網(wǎng)印刷的電路圖案形成方法的生產(chǎn)能力是優(yōu)良的，所以，研究了與多種裝置相關(guān)的申請。例如，在日本未審查專利申請公開第2009-266025號中，公開了一種方法，其中，使用絲網(wǎng)印刷來形成觸摸面板的電極。此外，在日本未審查專利申請公開第2005-149807號中，公開了一種方法，其中，使用絲網(wǎng)印刷來形成圖像顯示裝置的電極。然而，存在以下問題，S卩，絲網(wǎng)印刷中的掩模是昂貴的，掩模的精確定位很復(fù)雜，并且掩模中的孔容易變得堵塞。結(jié)果，期望能夠?qū)崿F(xiàn)優(yōu)良的生產(chǎn)能力的除了絲網(wǎng)印刷以外的電路圖案形成方法。

發(fā)明內(nèi)容
因此，期望提供能夠?qū)崿F(xiàn)精確性和高的生產(chǎn)能力的導(dǎo)電元件及其制造方法、配線元件、信息輸入裝置、顯示裝置以及電子裝置。根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式，導(dǎo)電兀件設(shè)置有基板，具有第一波形表面和第二波形表面，以及層壓膜，形成在第一波形表面上并且兩層或多層層壓，并且層壓膜形成導(dǎo)電圖案，并且第一波形表面和第二波形表面滿足以下關(guān)系。0 ^ (Aml/ A ml) < (Am2/ A m2) ^1.8(這里，Aml:第一波形表面中振動的平均寬度，Am2 :第二波形表面中振動的平均寬度，Xml :第一波形表面的平均波長，X m2:第二波形表面的平均波長)根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式，導(dǎo)電元件的制造方法包括通過相對于具有第一波形表面和第二波形表面的基板的表面層壓的兩層或多層形成層壓膜，并且由于相對于形成在第一波形表面和第二波形表面中的第二波形表面上的層壓膜被去除而形成在第一波形表面上的層壓膜被保留來形成導(dǎo)電圖案部，其中，第一波形表面和第二波形表面滿足以下的關(guān)系0 ^ (Aml/入 ml) < (Am2/入 m2) ^1.8(這里，Aml:第一波形表面中振動的平均寬度，Am2 :第二波形表面中振動的平均寬度，Xml :第一波形表面的平均波長，X m2:第二波形表面的平均波長)在本發(fā)明中，優(yōu)選的是，第一波形表面和第二波形表面滿足以下的關(guān)系，并且第二波形表面的平均波長X m2為可見光波長或者更小。(Aml/入 ml) = 0,0 < (Am2/入 m2) ^1.8在本發(fā)明中，優(yōu)選的是，第一波形表面和第二波形表面滿足以下的關(guān)系，并且第一波形表面的平均波長Xml以及第二波形表面的平均波長X m2為可見光波長或者更小。0 < (Aml/ 入 ml) < (Am2/ 入 m2) ^1.8在本發(fā)明中，優(yōu)選的是，第一波形表面和第二波形表面滿足以下的關(guān)系，并且第二波形表面的平均波長入m2為100 ii m以上。(Aml/入 ml) = 0,0 < (Am2/入 m2) ^1.8在本發(fā)明中，優(yōu)選的是，第一波形表面和第二波形表面滿足以下的關(guān)系，并且第一波形表面的平均波長Xml以及第二波形表面的平均波長X m2為lOOym以上。0 < (Aml/ 入 ml) < (Am2/ 入 m2) ^1.8在本發(fā)明中，優(yōu)選的是，形成在第二波形表面的殘余膜為進(jìn)一步設(shè)置的層壓膜的一部分，并且層壓膜與殘余膜滿足以下的關(guān)系SI > S2(這里，SI :層壓膜的面積，S2 :殘余膜的面積)在以這種方式滿足所述關(guān)系的情況下，優(yōu)選的是，形成在第一波形表面上的層壓膜以連續(xù)的方式形成在第一波形表面上，而形成在第二波形表面上的殘余膜以不連續(xù)的方式形成在第二波形表面上。在本發(fā)明中，優(yōu)選的是，殘余膜形成在第二波形表面，并且為進(jìn)一步設(shè)置的層壓膜的一部分，并且層壓膜與殘余膜滿足以下的關(guān)系dl > d2 (這里，dl :層壓膜的厚度，d2 :殘余膜的厚度)在本發(fā)明中，優(yōu)選的是，層壓膜設(shè)置有導(dǎo)電層和形成在導(dǎo)電層上的功能層，并且功能層由與導(dǎo)電層不同的材料形成。優(yōu)選的是，層壓膜使用去除速率彼此不同的材料形成。優(yōu)選的是，導(dǎo)電層為包括氧化物半導(dǎo)體的透明導(dǎo)電層。優(yōu)選的是，氧化物半導(dǎo)體包括銦錫氧化物或者氧化鋅。優(yōu)選的是，導(dǎo)電層為無定形態(tài)和多晶態(tài)的混合物。優(yōu)選的是，導(dǎo)電層包括從由Ag、Al、Au、Pt、Pd、Ni、Cr、Nb、W、Mo、Ti和Cu組成的組中選擇的至少一種。優(yōu)選的是，功能層包括從由氧化物和過渡金屬化合物組成的組中選擇的至少一種。優(yōu)選的是，功能層包括從由Ag、Al、Au、Pt、Pd、Ni、Cr、Nb、W、Mo、Ti和Cu組成的組中選擇的至少一種。優(yōu)選的是，功能層包括為無定形態(tài)和多晶態(tài)的混合的層和為多晶態(tài)的層中的至少一種。在本發(fā)明中，如果導(dǎo)電元件應(yīng)用至配線元件、信息輸入裝置、顯示裝置或者電子裝置，那么是合適的。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，可以實(shí)現(xiàn)精度且高的生產(chǎn)能力。


圖IA是示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的一個(gè)配置實(shí)例的平面圖；圖IB是沿著圖IA中示出的線IB-IB的截面圖；圖IC是表示圖IB中示出的第一區(qū)域的一部分的放大的截面圖；圖ID是表示圖IB中示出的第二區(qū)域的一部分的放大的截面圖；圖2A是表示多個(gè)結(jié)構(gòu)體以二維方式排列的第二區(qū)域的放大的透視圖；圖2B是表示多個(gè)結(jié)構(gòu)體以二維方式排列的第二區(qū)域的放大的平面圖；圖3A是表示多個(gè)結(jié)構(gòu)體以一維方式排列的第二區(qū)域的放大的透視圖；圖3B是表示多個(gè)結(jié)構(gòu)體以一維方式排列的第二區(qū)域的放大的平面圖；圖4A是示出了用于制造基板的輥式母盤的一個(gè)配置實(shí)例的透視圖；圖4B是表示圖4A中示出的輥式母盤的一部分的放大透視圖；圖5A是表示輥式母盤的一部分的截面圖；圖5B是表示第二區(qū)域的一部分的放大透視圖；圖5C是示出了第二區(qū)域的一部分的放大的平面圖； 圖6是示出了輥式母盤曝光裝置的一個(gè)配置實(shí)例的概圖；圖7A至圖7C為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的用于描述導(dǎo)電元件的制造方法的一個(gè)實(shí)例的步驟示圖；圖8A至圖SC為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的用于描述導(dǎo)電元件的制造方法的一個(gè)實(shí)例的步驟示圖；圖9A至圖9C為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的用于描述導(dǎo)電元件的制造方法的一個(gè)實(shí)例的步驟示圖；圖IOA是示出根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的一個(gè)配置實(shí)例的平面圖；圖IOB是沿著圖IOA中示出的線XB-XB的截面圖；圖IOC是表示圖IOB中示出的第一區(qū)域的一部分的放大的截面圖；圖IOD是表示圖IOB中示出的第二區(qū)域的一部分的放大的截面圖；圖IlA是示出了用于制造基板的輥式母盤的一個(gè)配置實(shí)例的透視圖；圖IlB是表示圖IlA中示出的輥式母盤的一部分的放大的截面圖；圖12A是示出根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的一個(gè)配置實(shí)例的截面圖；圖12B是示出根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的一個(gè)變形實(shí)例的截面圖；圖13A是示出根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的一個(gè)配置實(shí)例的平面圖；圖13B是沿著圖13A中示出的線XIIIB-XIIIB的截面圖；圖13C是表示圖13B中示出的第一區(qū)域的一部分的放大的截面圖；圖13D是表示圖13B中示出的第二區(qū)域的一部分的放大的截面圖；圖14是示出根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施方式的液晶顯示器元件的一個(gè)配置實(shí)例的透視圖；圖15是示出根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施方式的設(shè)置有觸摸面板的顯示裝置的一個(gè)配置實(shí)例的透視圖；圖16A是示出根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施方式的觸摸面板的第一配置實(shí)例的透視圖；圖16B是示出了第一基板的一個(gè)配置實(shí)例的分解透視圖；圖17A是示出根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施方式的觸摸面板的第二配置實(shí)例的透視圖；圖17B是示出第一基板的一個(gè)配置實(shí)例的分解透視圖；圖18A是示出根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施方式的IC卡的一個(gè)配置實(shí)例的平面圖；圖18B是表示圖18A中示出的IC卡的一部分的放大的平面圖19A是示出根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施方式的顯示裝置的配置的一個(gè)實(shí)例的截面圖；圖19B是表示圖19A中示出的放大的配線區(qū)域的放大截面圖；圖19C是表示圖19A中示出的放大的非配線區(qū)域的放大截面圖；圖20A是示出根據(jù)參考實(shí)例的用在制造透明的導(dǎo)電片中的石英母版的形成表面的模型圖；圖2( 是示出根據(jù)參 考實(shí)例的透明導(dǎo)電片的導(dǎo)電或非導(dǎo)電高點(diǎn)的模型圖；圖21是示出根據(jù)實(shí)例的通過光學(xué)顯微鏡觀察的導(dǎo)電片的圖像的示圖；以及圖22是示出蝕刻時(shí)間與相對于初始表面電阻的倒數(shù)(虛擬厚度變化)之間關(guān)系的圖表。
具體實(shí)施例方式將參照附圖以下面的順序來描述本發(fā)明的實(shí)施方式。I.第一實(shí)施方式(通過利用存在與不存在波形表面在基板表面上形成導(dǎo)電圖案部的實(shí)例)2.第二實(shí)施方式(通過利用兩種波形表面的不同在基板表面上形成導(dǎo)電圖案部的實(shí)例)3.第三實(shí)施方式(在兩個(gè)基板表面上形成導(dǎo)電圖案部的實(shí)例)4.第四實(shí)施方式(結(jié)構(gòu)體是凹形的實(shí)例)5.第五實(shí)施方式(關(guān)于顯示裝置的應(yīng)用實(shí)例)6.第六實(shí)施方式(關(guān)于信息輸入裝置的應(yīng)用實(shí)例)7.第七實(shí)施方式(關(guān)于IC卡的應(yīng)用實(shí)例)8.第八實(shí)施方式(關(guān)于顯示裝置的應(yīng)用實(shí)例)〈I.第一實(shí)施方式>[導(dǎo)電元件的配置]圖IA是示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的ー個(gè)配置實(shí)例的平面圖。圖IB是沿著圖IA中示出的線IB-IB的截面圖。圖IC是表示圖IB中示出的第一區(qū)域的一部分的放大的截面圖。圖ID是表示圖IB中示出的第二區(qū)域的一部分的放大的截面圖。下面，將在導(dǎo)電兀件I的主表面的平面中彼此交叉的兩個(gè)方向設(shè)為X方向和Y方向，而將垂直于主平面的方向稱作Z方向。根據(jù)第一實(shí)施方式的導(dǎo)電元件I設(shè)置有基板2和層壓膜4，其中，基板2具有交替形成的第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2，層壓膜4形成在第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2中的第一區(qū)域R1中。層壓膜4以連續(xù)的方式形成在第一區(qū)域R1上以成為導(dǎo)電圖案部。導(dǎo)電圖案部例如為配線圖案、電極圖案等。優(yōu)選的是，層壓膜4為兩層或多層層壓的層壓膜并且包括至少ー個(gè)導(dǎo)電層4a。導(dǎo)電元件I例如為印刷基板、圖像顯示元件等。作為印刷基板，例如，存在剛性基板、柔性基板、剛性-柔性基板等。作為圖像顯示元件，例如，存在液晶顯示元件、電致發(fā)光(EL)元件(例如，有機(jī)EL元件和無機(jī)EL元件)等。(第一區(qū)域與第二區(qū)域)例如，平坦表面Spl形成在基板的第一區(qū)域R1中的表面上而層壓膜4以連續(xù)的方式形成在平坦表面Spl上。另ー方面，例如，波形表面Sw2形成在基板的第二區(qū)域R2中的表面中，并且存在層壓膜4不形成在波形表面Sw2上的狀態(tài)。由此，第二區(qū)域R2起到用來在相鄰的第一區(qū)域R1上形成的層壓膜4之間進(jìn)行絕緣的絕緣區(qū)域的作用。關(guān)于此，以連續(xù)的方式形成在第一區(qū)域R1上的層壓膜4朝向第一區(qū)域R1的延伸方向具有導(dǎo)電性并用作導(dǎo)電圖案部。
優(yōu)選的是，平坦表面Spl和波形表面Sw2滿足以下關(guān)系(Aml/ λ ml) = O, O < (Am2/ λ m2) ^1.8(這里，Aml:平坦表面Spl中振動的平均寬度，Am2 :波形表面Sw2中振動的平均寬度，λ ml :平坦表面Spl的平均波長，λ m2 :波形表面Sw2的平均波長)這里，由于可以假設(shè)平坦表面Spl為振動的平均寬度Aml是“O”的波形表面，故可以限定振動的平均寬度Aml和平坦表面Spl的平均波長λ ml以及上述比率(Aml/λ ml)。當(dāng)比率(Am2/ λ m2)大于I. 8吋，當(dāng)轉(zhuǎn)印波形表面Sw2時(shí)容易存在剝落缺陷且波形表面Sw2容易損壞。這里，波形表面Sw2的比率(Am2/Am2)確定如下。首先，切割導(dǎo)電元件I的橫截面以包括波形表面Sw2的振動的寬度處于其最大值的位置，并使用透射電子顯微鏡(TEM)對該橫截面進(jìn)行成像。接著，根據(jù)已經(jīng)成像的TEM照片來確定波形表面Sw2的波長λ 2和振動寬度Α2。通過在從導(dǎo)電元件I隨機(jī)選擇的10個(gè)位置處重復(fù)執(zhí)行這種測量并將測量值簡單地平均(算木平均)來確定波形表面Sw2的平均波長λ m2和振動的平均寬度Am2。接著，使用平均波長λ m2和振動的平均寬度Am2來確定波形表面Sw2的比率(Am2/ λ m2)。波形表面Sw2例如為波長為可見光波長或更短的ー維或者ニ維波形表面，并且具體地，為多個(gè)結(jié)構(gòu)體3以為可見光的波長或更短的排列節(jié)距ー維或ニ維排列的凹凸表面。當(dāng)波形表面Sw2朝向ー個(gè)方向切割以包括波形表面Sw2中的振動寬度處于其最大位置時(shí)，橫截面的形狀為三角形波形、正弦波形、二次曲線、或者二次曲線的一部分重復(fù)的波形、與這些相似的形式等。作為二次曲線，存在圓形、橢圓形、拋物線等。波形表面Sw2的平均波長λ m2優(yōu)選地在IOOnm以上的范圍內(nèi)。當(dāng)平均波長入m2小于IOOnm時(shí),存在波形表面Sw2的制造困難的趨勢。此外，波形表面Sw2的平均波長λ m2優(yōu)選地在100 μ m以下的范圍內(nèi)。當(dāng)平均波長λπι2超過IOOym時(shí)，對于在壓印和膜形成的期間步驟和覆蓋有問題，并且發(fā)生缺陷。優(yōu)選的是，層壓膜4或者層壓膜的一部分根本不作為殘余膜存在于第二區(qū)域R2中，但是如果達(dá)到第二區(qū)域R2起到絕緣區(qū)域作用的程度可以作為殘余膜存在。在第二區(qū)域R2中存在殘余膜的情況下，優(yōu)選的是，形成在第一區(qū)域R1中的層壓膜4和形成在第二區(qū)域R2中的殘余膜滿足以下關(guān)系SI > S2(這里，SI:層壓膜的面積，S2 :殘余膜的面積)在以這種方式滿足的該關(guān)系的情況下，優(yōu)選的是，層壓膜4以連續(xù)的方式形成在第一區(qū)域R1中而殘余膜以諸如島狀的非連續(xù)的方式形成在第二區(qū)域R2中。此外，在第二區(qū)域R2中存在殘余膜的情況下，優(yōu)選的是，形成在第一區(qū)域Rl中的層壓膜4和形成在第二區(qū)域R2中的殘余膜滿足以下關(guān)系dl > d2(這里，dl :層壓膜的厚度，d2 :殘余膜的厚度)
在以這種方式滿足該關(guān)系的情況下，優(yōu)選的是，殘余膜的厚度薄于層壓膜4的厚度至在實(shí)際中不表現(xiàn)出導(dǎo)電性且第二區(qū)域R2用作絕緣區(qū)域的程度。這里，如上所述，由于殘余膜并不用作導(dǎo)電圖案部，在圖IB和圖ID中省略了殘余膜的圖形表示。此外，在圖IA中，示出了以連續(xù)的方式形成在第一區(qū)域R1中層壓膜4(即，導(dǎo)電圖案部)具有線性形式的形狀的實(shí)例，但是導(dǎo)電圖案的形狀并不限于此，并且根據(jù)電路、元件等的設(shè)計(jì)可以設(shè)置為期望的形狀。下面，將依次描述構(gòu)成導(dǎo)電元件I的基板2、結(jié)構(gòu)體3和層壓膜4。
(基板)基板2例如為透明或者不透明的基板。作為基板2的材料，可以使用諸如塑料材料的有機(jī)材料或者諸如玻璃的無機(jī)材料。作為玻璃，例如，使用堿石灰玻璃、鉛玻璃、硬質(zhì)玻璃、石英玻璃、液晶玻璃等(“Handbook of Chemistry，，basic edition,P.丄-537,reference The Chemical societyof Japan edition)。作為塑料材料，考慮到諸如透明度、反射率和散射的光學(xué)特性以及諸如抗震性、耐熱性以及耐久性的其他各種特性，諸如聚甲基丙烯酸甲酷、甲基丙烯酸甲酯以及其他烷基(甲基)丙烯酸酯、諸如苯こ烯的具有こ烯基單體的共聚物的(甲基)丙烯酸樹脂，諸如聚碳酸酯、ニ甘醇ニ丙烯碳酸酯(diethylene glycol bis allyl carbonate,CR-39)的聚碳酸酯樹脂，諸如(溴化)雙酚A型的雙(甲基)苯烯酸酯的單聚合物或者共聚物、(溴化)雙酚A單(甲基)丙烯酸酯的尿烷-變性単體的聚合物或者共聚物的熱固化(甲基)丙烯酸樹脂，聚酷，特別是，聚對苯ニ甲酸こニ醇酯、聚こ烯汽油(polyethylenenaphthalate)以及不飽和聚酯、丙烯腈苯こ烯共聚物、聚氯こ烯、聚亞安酷、環(huán)氧樹脂、多芳基化合物、聚醚砜、聚醚酮、環(huán)烯烴共聚物(產(chǎn)品名稱arton和zeonor)等是優(yōu)選的。此外，考慮到耐熱性，還可以使用芳族聚酸胺基樹脂。在將塑料材料用作基板2的情況下，可以作為表面處理來設(shè)置內(nèi)涂層以進(jìn)ー步提高塑料表面的表面能量、涂覆特性、滑動特性、平坦表面特性等。作為內(nèi)涂層，例如，存在有機(jī)烷氧基金屬化合物、聚酯、丙烯酸變性的聚酯、聚亞安酯等。此外，可以對基板2的表面執(zhí)行的電暈放電或者UV輻射處理，以獲得與所設(shè)置的內(nèi)涂層相同的效果。在基板2為塑料膜的情況下，可以利用以下方法獲得基板2，例如，拉伸上述樹脂，或者在上述樹脂被溶劑稀釋以后以膜形沉積并被干燥等。此外，基板2的厚度例如約為25 μ m M 500 μ m。作為基板2的形狀，例如，存在膜形、板形或者塊形，但并不特別地限定于這些形狀。這里，片被限定為包括在膜中。(結(jié)構(gòu)體)波形表面Sw2例如為多個(gè)結(jié)構(gòu)體3排列在第二區(qū)域R2中的凹凸表面。結(jié)構(gòu)體3例如具有相對于基板I的表面的凸形。例如，結(jié)構(gòu)體3與基板2分開形成，或者與基板2整體地形成。在結(jié)構(gòu)體3和基板2分開形成的情況下，如必要，可以在結(jié)構(gòu)體3與基板2之間設(shè)置基層?；鶎邮窃诮Y(jié)構(gòu)體3的底部表面?zhèn)扰c結(jié)構(gòu)體3整體地形成的層，并通過固化具有與結(jié)構(gòu)體3等相同的能量線固化特性的復(fù)合樹脂形成。基層的厚度不具體地限定，并且如有必要能夠適當(dāng)?shù)剡x擇。優(yōu)選的是，結(jié)構(gòu)體3的縱橫比率(Hm/Pm)滿足以下關(guān)系。
O < (Hm/Pm) ^ I. 8(這里，Hm:結(jié)構(gòu)體3的平均高度，Pm :結(jié)構(gòu)體3的平均排列節(jié)距)當(dāng)比率(Hm/Pm)大于I. 8吋，當(dāng)轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)體3時(shí)容易存在剝落缺陷且結(jié)構(gòu)體3容易損壞。這里，結(jié)構(gòu)體3的縱橫比率(Hm/Pm)確定如下。首先，切割導(dǎo)電元件I的橫截面以包括結(jié)構(gòu)體3的高度處于其最大值的位置，并使用透射電子顯微鏡(TEM)對該橫截面進(jìn)行成像。接下來，根據(jù)已經(jīng)成像的TEM照片來確定結(jié)構(gòu)體3的排列節(jié)距P和高度H。通過在從導(dǎo)電元件I隨機(jī)選擇的10個(gè)位置處重復(fù)執(zhí)行這種測量并將所述測量值簡單地平均(算木平均)來確定結(jié)構(gòu)體3的平均排列節(jié)距Pm和平均高度H。接著，使用平均排列節(jié)距Pm和平均高度Hm來確定結(jié)構(gòu)體3的縱橫比率(Hm/Pm)作為多個(gè)結(jié)構(gòu)體3的排列，例如，可以使用ー維或者ニ維排列。作為結(jié)構(gòu)體3的排列，例如，可以使用規(guī)則的排列或者不規(guī)則的排列，并且優(yōu)選的是，根據(jù)母盤的制造方法，從上述排列中選擇適當(dāng)?shù)呐帕?。?yōu)選的是，考慮到降低導(dǎo)電元件表面中的光的反射，結(jié)構(gòu)體3的平均排列節(jié)距Pm為具有降低反射目的的光的波長帶或更小波長帶。具有降低反射目的的光的帶長波例如為紫外光的波長帶、可見光的波長帶或者紅外線的波長帶。這里，紫外光的波長帶為等于或者大于IOnm且等于或小于360nm的波長帶，可見光的波長帶為等于或大于360nm且等于或小于830nm的波長帶,而紅外光的波長帶是等于或大于830nm且等于或小于Imm的波長帶。具體地，平均排列節(jié)距Pm優(yōu)選地等于或大于180nm且等于或小于350nm，更優(yōu)選地等于或大于IOOnm且等于或小于320nm，并且更優(yōu)選地等于或大于IlOnm且等于或小于280nm。當(dāng)平均排列節(jié)距Pm小于180nm時(shí),存在結(jié)構(gòu)體3的制造困難的趨勢。另ー方面，當(dāng)平均排列節(jié)距Pm超過350nm時(shí)，容易發(fā)生可見光的衍射。下面，將參照圖2A至圖3B以具體的方式描述其中多個(gè)結(jié)構(gòu)體3以ー維方式或ニ維方式排列的第二區(qū)域R2。圖2A是表示多個(gè)結(jié)構(gòu)體以ニ維方式排列的第二區(qū)域的放大的透視圖。圖2B是表示多個(gè)結(jié)構(gòu)體以ニ維方式排列的第二區(qū)域的放大的平面圖。例如，多個(gè)結(jié)構(gòu)體3以ニ維的方式排列在第二區(qū)域R2中的軌道(軌跡，track) T的多行上。作為軌道T的形狀，可以使用線性形式、弧形形式等，可以使具有這些形狀的軌道T波動。排列在軌道T的多行上的多個(gè)結(jié)構(gòu)體3例如可以是預(yù)定方式的規(guī)則的排列圖案。作為結(jié)構(gòu)體3的排列圖案，存在諸如四方柵格形、六方柵格形等的柵格形圖案，并且該柵格形圖案可以彎曲。可以使結(jié)構(gòu)體3的高度在基板2的表面中以規(guī)則或不規(guī)則的方式變化。此外，結(jié)構(gòu)體3可以以隨機(jī)方式排列。作為結(jié)構(gòu)體3的具體形狀，例如，存在錐形、圓柱形、針形、半球形、橢圓半球形、多邊形等，但并不限于這些形狀并且可以采用其他形狀。作為錐形，例如，存在頂部被削尖的錐形，頂部是平坦的錐形，具有頂部為凸形或者凹形的彎曲表面的錐形等，但并不限于這些形狀。此外，錐形的圓錐形表面可以被彎曲成凹形或者凸形。在利用后述的輥式母盤曝光裝置(參見圖6)制造輥式母盤的情況下，優(yōu)選的是，采用具有頂部為凸形的彎曲的表面的橢圓錐形或頂部為平坦形狀的橢圓梯形錐形作為結(jié)構(gòu)體3的形狀，并且形成在其底部表面中的橢圓形的縱軸的方向與軌道T的延伸方向相匹配。圖3A是表示多個(gè)結(jié)構(gòu)體以ー維方式排列的第二區(qū)域的放大的透視圖；圖3B是表示多個(gè)結(jié)構(gòu)體以ー維方式排列的第二區(qū)域的放大的平面圖；多個(gè)結(jié)構(gòu)體3例如沿著軌道T以ー維的方式排列在第二區(qū)域R2中的軌道T的多行上。作為軌道T的形狀，可以使用線性形式、弧形形式等，并且可以使具有這些形狀的軌道波動。例如，結(jié)構(gòu)體3是朝向ー個(gè)方向延伸的柱形體，例如其截面形狀可以是三角形、曲線R附接至頂部的三角形、多邊形、半球形、橢圓半球形、拋物線形等，但并不限于這些形狀。作為結(jié)構(gòu)體3的具體形狀，例如，可以存在透鏡形、棱鏡形等，但并不限于這些形狀?？梢允菇Y(jié)構(gòu)體3的高度朝向軌道方向改變。此外，結(jié)構(gòu)體3在軌道方向上可以是不連續(xù)的。(層壓膜)例如，層壓膜4設(shè)置有形成在第一區(qū)域R1上的導(dǎo)電層4a以及形成在導(dǎo)電層4a上 的功能層4b。優(yōu)選的是，層壓膜4由去除速率不同的材料(具體地，具有不同去除速率的層壓膜)配置。作為導(dǎo)電層4a，例如，可以使用金屬層、透明導(dǎo)電層、金屬氧化物復(fù)合層、過渡金屬復(fù)合層等，但并不限于此。作為功能層4b的材料，優(yōu)選至少ー種與導(dǎo)電層4a不同的材料，此外，優(yōu)選的是，在去除過程中存在分解速率差。作為透明導(dǎo)電層，例如，可以使用無機(jī)物透明導(dǎo)電層。優(yōu)選的是，無機(jī)物透明導(dǎo)電層具有作為主要成分的透明氧化物半導(dǎo)體。作為透明氧化物半導(dǎo)體，例如，可以使用諸如SnO2> InO2> ZnO或CdO的ニ元化合物,包括作為ニ元化合物的組成元素的錫、銦、鋅、鎘中至少ー種元素的三元化合物(three-dimensional compound),或者多元(復(fù)合)氧化物。作為透明氧化物半導(dǎo)體的具體實(shí)例，例如，存在銦錫氧化物(ITO)、氧化鋅(ZnO)、鋁摻雜鋅氧化物(AZO (Al2O3, Zn0))、SZ0、氟摻雜錫氧化物(FTO)、氧化錫(SnO2)、鎵摻雜鋅氧化物(GZO)、銦鋅氧化物(IZ0(In203，ZnO))等。具體地，考慮到更高的可靠性、較低的電阻率等，銦錫氧化物(ITO)是優(yōu)選的?？紤]到提高導(dǎo)電性，優(yōu)選構(gòu)成透明氧化物復(fù)合膜的材料為無定形態(tài)和多晶態(tài)的混合物。作為金屬層的材料，例如，可以使用從由Ag、Al、Au、Pt、Pd、Ni、Cr、Nb、W、Mo、Ti和Cu組成的組中選擇的至少ー種。作為功能層4b，期望至少相對于導(dǎo)電層4a對蝕刻劑的溶解或蝕刻速率是不同的，并且期望具有這樣的狀態(tài)，例如，蝕刻劑的耐久性通過利用諸如SiO2的金屬氧化物層、過渡金屬化合物或者具有不同晶體狀態(tài)的膜使功能層4b成為多晶來改進(jìn)。優(yōu)選的是，功能層4b包括為無定形態(tài)和多晶態(tài)的混合物的層和具有多晶態(tài)的層中的至少ー種。此外，作為功能層4b，如果相對于導(dǎo)電層4a的溶解速率不同那么也可以使用金屬，并且如果與導(dǎo)電層4a材料類型不同，可以使用包括從組成Ag、Al、Au、Pt、Pd、Ni、Cr、Nb、W、Mo、Ti和Cu的組中選擇的至少ー種的材料。優(yōu)選的是，在第一區(qū)域Rl中的層壓膜4的表面電阻是5000Ω/□以下。當(dāng)超過5000Ω/ □吋，電阻便容易過度增加并且不能用作電極。[輥式母盤的配置]圖4A是示出了用于制造基板的輥式母盤的ー個(gè)配置實(shí)例的透視圖；圖4B是表示圖4A中示出的輥式母盤的一部分的放大的透視圖。輥式母盤11是用于如上所述在基板表面上形成結(jié)構(gòu)體3的母盤。例如，輥式母盤11具有圓柱形或圓筒形的形狀，并且多個(gè)第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2交替設(shè)置在圓柱表面或者圓筒表面上。在圖4A和圖4B中，示出了第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2在圓周方向上延伸并形成環(huán)形的情況，但是第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2的形狀不限于該實(shí)例，并且根據(jù)所需的導(dǎo)電圖案部的形狀(即，形成在第二區(qū)域中的層壓膜4的形狀)來進(jìn)行選擇。作為輥式母盤11的材料，例如，可以使用玻璃，但是材料不特別地限定。圖5A是表不棍式母盤的一部分的放大的截面圖。圖5B是不出了第二區(qū)域的一部分的放大的透視圖。圖5C是示出了第二區(qū)域的一部分的放大的平面圖。例如，為凹部的多個(gè)結(jié)構(gòu)體12以可見光的波長或者更小的節(jié)距設(shè)置在輥式母盤11的第二區(qū)域R2中，同吋，例如，為凹部的結(jié)構(gòu)體12未形成在第一區(qū)域R1中并且第一區(qū)域R1為平坦表面。輥式母盤11的第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2分別與基板2的第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2相對應(yīng)。即，形成在輥式母盤11的第一區(qū)域Rl上的平坦表面Spl用于形成基板2的第一區(qū)域Rl的平坦表面Spl。形成在輥式母盤11的第二區(qū)域R2上的波形表面Sw2用于形成基板2的第二區(qū)域R2的波形表面Sw2。具體地，輥式母盤11的波形表面Sw2具有與上述基板2的表面上的波形表面Sw2的凸凹形狀相反的形狀。即，輥式母盤11的結(jié)構(gòu)體12具有與上述基板2的表面上的結(jié)構(gòu)體3的凸凹形狀相反的形狀。 [曝光裝置的配置]圖6是示出了輥式母盤曝光裝置的ー個(gè)配置實(shí)例的概圖。下面，將參照圖6描述輥式母盤曝光裝置的配置。這里，輥式母盤曝光裝置例如可以配置有作為母盤的光盤記錄裝置。激光光源21是用于使作為膜粘附在作為記錄介質(zhì)的母盤11的表面上的光刻膠曝光的光源，并且例如，以波長λ = 266nm振蕩用于記錄的激光14。從激光源21發(fā)射的激光14在該狀態(tài)下作為平行光束前進(jìn)并且照向電光調(diào)制器(E0M)22。穿過電光調(diào)制器22的激光14被鏡23反射,并被引導(dǎo)至調(diào)制光學(xué)系統(tǒng)25。鏡23是利用偏振束分束器的配置并且具有偏振光一個(gè)分量被反射而偏振光的其他分量穿過的功能。光電ニ極管24接收穿過鏡23的偏振分量的光，并基于接收的光信號控制電光調(diào)制器22來執(zhí)行激光14的相位修正。在調(diào)制光學(xué)系統(tǒng)25中，激光14利用聚光透鏡26會聚在由玻璃(SiO2)等形成在聲光調(diào)制器(AOM) 27中。在通過被聲光調(diào)制器27進(jìn)行強(qiáng)度調(diào)制而發(fā)散之后，利用透鏡28使激光14成為平行光束。從調(diào)制光學(xué)系統(tǒng)發(fā)射的激光14被反射鏡31反射，并且以水平和平行的方式被引導(dǎo)至移動光學(xué)臺32。移動光學(xué)臺32設(shè)置有擴(kuò)束器33和物鏡34。在利用擴(kuò)束器33形成必要的光束形狀以后，引導(dǎo)至移動光學(xué)臺32的激光14經(jīng)由物鏡34照射母盤11上的光刻膠層。母盤11位于連接至主軸馬達(dá)35的旋轉(zhuǎn)臺36上。然后，當(dāng)母盤11旋轉(zhuǎn)且激光14在母盤11的高度方向上移動時(shí)，通過激光14間歇地照射光刻膠層來執(zhí)行光刻膠層曝光處理。所形成潛像基本上為長軸沿著圓周方向的橢圓形。利用移動光學(xué)臺32沿著箭頭R方向的移動來執(zhí)行激光14的移動。例如，曝光裝置設(shè)置有用來在光刻膠層上形成與預(yù)定的ニ維圖案(諸如四方柵格形狀或者六方柵格形狀)對應(yīng)的潛像的控制機(jī)構(gòu)37?？刂茩C(jī)構(gòu)37設(shè)置有格式器29和驅(qū)動器30。格式器29設(shè)置有極性反轉(zhuǎn)部，并且極性反轉(zhuǎn)部控制激光14對光刻膠層的照射時(shí)間。驅(qū)動器30通過接收來自極性反轉(zhuǎn)部的輸出來控制聲光調(diào)制器27。在輥式母盤曝光裝置中，對于每個(gè)軌道，記錄裝置的旋轉(zhuǎn)控制器與用于每個(gè)軌道的極性反轉(zhuǎn)格式器信號同步，以空間地連接ニ維圖案，產(chǎn)生一信號，并利用聲光調(diào)制器27來對該信號進(jìn)行強(qiáng)度調(diào)制。通過利用一定角速度(CAV)以適當(dāng)?shù)男D(zhuǎn)次數(shù)、適當(dāng)?shù)恼{(diào)制頻率以及適當(dāng)?shù)陌l(fā)送節(jié)距進(jìn)行圖案化，可以記錄諸如四方柵格形狀或六方柵格形狀的預(yù)定的
ニ維圖案。[導(dǎo)電元件的制造方法]下面，將參照圖7A至圖9C描述根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的導(dǎo)電元件I的制造方法的ー個(gè)實(shí)例。(光刻膠沉積處理)首先，如圖7A所示，準(zhǔn)備具有圓柱形或者圓筒形的輥式母盤11。輥式母盤11例如為玻璃母盤。接著，如圖7B所示，在輥式母盤11的表面上形成光刻膠層13。作為用于光刻膠層13的材料,例如,可以使用機(jī)光刻膠或者無機(jī)光刻膠。作為有機(jī)光刻膠，例如，可以使用酹醒清漆型光刻膠(novolac type resist)或者化學(xué)膨脹型光刻膠(chemicalamplification type resist)。此外,作為無機(jī)光刻膠,例如,可以使用金屬化合物中的一種、兩種或多種。(曝光處理)如圖7C所示，使用上述輥式母盤曝光裝置，當(dāng)輥式母盤11旋轉(zhuǎn)時(shí)將激光(曝光光束)14照射至光刻膠層13上。此時(shí)，激光14在激光14沿著輥式母盤11的高度方向(平行于具有圓柱形或者圓筒形的輥式母盤11的中心軸線的方向)移動時(shí)進(jìn)行照射。此時(shí)，只有與配線圖案之間的絕緣區(qū)域?qū)?yīng)的第二區(qū)域R2是形成潛像的曝光部，而與導(dǎo)電圖案部對應(yīng)的第一區(qū)域R1未被曝光并且為非曝光部。根據(jù)激光14的軌線的潛像15例如以可見光的波長或更小的節(jié)距形成。例如，潛像15被設(shè)置為使得在輥式母盤表面中存在多行軌道，并且形成諸如四方柵格形狀或六方柵格形狀的預(yù)定的ニ維圖案。潛像15例如為長軸方向在軌道的延伸方向上的橢圓形。(顯影處理)接著，例如，在輥式母盤11旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，將顯影液滴在光刻膠層13上，如圖8A所示，在光刻膠層13上執(zhí)行顯影處理。如圖所示，在使用正型光刻膠形成光刻膠層13的情況下，由干與非曝光部相比，在曝光部(利用激光14曝光)中相對于顯影液的溶解速率増大，所以在光刻膠層13中形成了根據(jù)潛像(曝光部)15的圖案。由此，在第二區(qū)域R2的光刻膠層13中形成了具有預(yù)定ニ維圖案(諸如四方柵格形狀或者六方柵格形狀)的開ロ部，同時(shí)開ロ部未形成在第一區(qū)域Rl的光刻膠層13中，并且保持了整個(gè)第一區(qū)域R1被光刻膠層13覆蓋的狀態(tài)。即，僅在第二區(qū)域R2中在輥式母盤表面上形成具有開ロ圖案的掩模。(蝕刻處理)接下來，利用作為掩模形成在輥式母盤11上的光刻膠層13的圖案(光刻膠圖案)對輥式母盤11的表面執(zhí)行輥 蝕刻處理。由此，經(jīng)由輥式母盤表面中的第二區(qū)域R2中的開ロ部執(zhí)行蝕刻處理，如圖8B所示，在第二區(qū)域R2中形成了諸如橢圓錐形或者圓形去頂錐形(長軸方向在軌跡的延伸方向上)的結(jié)構(gòu)體(凹部)12。另ー方面，在輥式母盤表面的第一區(qū)域R1中，由于整個(gè)區(qū)域都被光刻膠層13所覆蓋，所以未執(zhí)行蝕刻并保持了輥式母盤表面的平坦表面形狀。作為蝕刻方法，例如，可以使用干蝕刻。
(轉(zhuǎn)印處理)接著，例如，如圖SC所示，將涂覆有轉(zhuǎn)印材料15的諸如膜的基板2緊密地粘附至輥式母盤11，在轉(zhuǎn)印材料15被諸如紫外線的照射能量射線固化之后，去除變得與已經(jīng)固化的轉(zhuǎn)印材料15結(jié)合的基板2。由此，如圖9A所示，能夠獲得具有形成了平坦表面Spl的第一區(qū)域R1和形成了波形表面Sw2的第二區(qū)域R2的基板2。對于轉(zhuǎn)印材料15,例如,可以使用能量射線固化樹脂組合物(energy ray curingresin compound) 0能量射線固化樹脂組合物為能夠使用能量射線的照射而固化的樹脂組合物。作為能量射線，能量射線被表示為能夠成為用于諸如基團(tuán)、陽離子或者陰離子的聚合反應(yīng)的觸發(fā)，諸如電子射線、紫外線、紅外線、激光射線、可見光射線、電離輻射線(X射線、α射線、β射線、Y射線等)、微波射線、或者高頻射線。如果有必要，能量射線固化樹脂組合物可以與其他樹脂作為混合物使用，并可以與諸如熱固化樹脂組合物的另ー固化樹脂組合物作為混合物使用。此外，能量射線固化樹脂組合物可以為有機(jī)-無機(jī)混合材料。此外， 可以混合并使用兩種或者多種能量射線固化樹脂組合物。作為能量射線固化樹脂組合物，優(yōu)選使用利用紫外線固化的紫外線固化樹脂。紫外線固化樹脂例如為單官能単體、雙官能単體或者多官能単體，具體地，為以下示出的材料或者其混合物。作為單官能単體，例如可以使用，羧基酸(丙烯酸)、羥基化合物(丙烯酸-2-輕基こ酯(2-hydroxyethyl acrylate),丙烯酸_2_輕丙基酯(2-hydroxypropyl acrylate)、丙烯酸 4_ 輕丁酯(4-hydroxybutyl acrylate))、燒基、脂環(huán)族化合物(異丁基丙烯酸脂、聚丙烯酸叔丁酯(t-butyl acrylate)、丙烯酸異辛酯(iso-octyl acrylate)、丙烯酸十二酯(lauryl acrylate)、十八燒丙烯酸酯(stearylacrylate)、丙烯酸異辛酯(iso-bornyl acrylate)、環(huán)己基丙烯酸酯(cyclohexylacrylate)),其他官能性單體(丙烯酸2_甲氧基こ酉旨(2-methoxyethyl acrylate)、甲氧基こ烯基こニ醇丙烯酸酯(methoxyethylene glycol acrylate)、烯丙酸2_こ氧こ酯(2-ethoxyethyl acrylate)、丙烯酸氫糖酯(tetrahydrofurfuryl acrylate)、苯甲基丙烯酸酯(benzyl acrylate)、丙烯酸卡必酯(ethyl carbitol acrylate)、丙烯酸苯氧基こ基酯(phenoxyethyl acrylate)、丙烯酸-N, N-ニ甲胺基こ酯(N, N-dimethy Iaminoethy Iacrylate)、丙烯酸胺丙基ニ 甲基胺(N, N-dimethylaminopropyIacryI amide)、N, N-ニ甲基丙烯酰胺(N, N-dimethylacrylamide)、丙烯酰嗎啉、N-異丙基丙烯酰胺(N-isopropylacrylamide) > N, N-ニ こ基丙烯酸胺(N, N-diethyl acrylamide) > N-こ烯基卩比咯燒酮(N-vinyl pyrrolidone)、全氟辛基丙烯酸こ酯(2-(perf luorooctyl) ethyl acrylate)、3-全氟己基-2-輕丙基丙烯酸酯(3-perf luorohexyl-2-hydroxypropyl acrylate)、3_ 全氟辛基-2-甲基丙烯酸輕丙酯(3-perfluorooctyl-2_hydroxypropyl acrylate)、2_ 全氟癸基丙烯酸こ酯(2-(perf luorodecyl) ethyl acrylate)、2_ (全氟_3_甲基丁基)こ燒基丙烯酸酯(2_ (perf luoro-3-methylbutyl) ethyl acrylate)、2,4,6_ 三溴苯丙烯酸酯(2,4,6-tribromophenol acrylate)、2,4,6-三溴苯甲基丙烯酸酯(2,4,6-tribromophenolmethacrylate) >2-(2,4,6-三溴苯氧基こ燒基丙烯酸酯)(2_(2,4,6_tribromophenoxy)ethyl acrylate))、丙烯酸 2-こ基己酉旨(2-ethylhexyl acrylate)等。作為雙官能單體，例如，可以使用ニ縮三丙ニ醇ニ丙烯酸酯(tri (propyleneglycol) diacrylate)、三輕甲基丙燒ニ烯丙基醚(trimethylolpropane diallyl ether) >催化氨基丙烯酸酯(urethane acrylate)等。作為多官能單體，例如，可以使用三輕甲基丙燒三丙烯(trimethylolpropanetriacrylate)、雙李戍四醇五丙烯酸酯 O dipentaerythritolpentaacrylate,聚ニ李戍四醇六丙烯酸酯(dipentaerythritol hexaacrylate)、雙三輕甲基丙燒丙烯酸酯(ditrimetnyIolpropane tetraacrylate)作為起發(fā)劑，例如，可以使用2, 2-ニ甲氧基-1, 2苯基こ酮(2, 2-dimethoxy-l,2-diphenylethane-1-one)、I-輕務(wù)-環(huán)己基苯&酮(l-hydroxyl-cyclohexyiphenylketon)、2_ 輕基-2-甲基-I-苯基-I 丙酮(2-hydroxyl-2-methyl-l-phenlypropane-l_one)等。關(guān)于諸如紫外線固化樹脂的能量射線固化樹脂化合物，可以添加填充劑或功能性添加剤。作為填充劑，例如，可以使用無機(jī)微?；蛘哂袡C(jī)微粒。作為無機(jī)微粒，例如，可以使用諸如Si02、Ti02、Zr02、Sn02或Al2O3的金屬氧化物微粒。作為功能性添加劑，例如，可以使 用勻染劑(leveling agent)、表面調(diào)節(jié)劑、防起泡劑等。作為基板2的材料，例如，存在甲基異丁烯酸鹽(共)聚合物、聚碳酸酷、苯こ烯(共)聚合物、甲基甲基丙烯酸-苯こ烯共聚物、雙こ酸鹽纖維素、三こ酸纖維素、こ酸丁酸纖維素、聚酷、聚酰胺、聚酰亞胺、聚醚砜、聚砜、聚丙烯、聚亞甲基、聚氯こ烯、聚こ烯醇縮醛、聚醚酮、聚亞安酷、玻璃等?；?的形成方法并不受特別地限制，例如，可以使用注射成型方法、擠壓成型方法、澆鑄成型方法等。如果有必要，可以對基板表面執(zhí)行諸如電暈處理的表面處理。(層壓膜的沉積處理)接著，如圖9B中所示，通過基板表面上的第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2上層壓兩層或多層而形成層壓膜4。具體地，例如，層壓膜4由導(dǎo)電層4a和功能層4b依次層壓在基板表面上的第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2上而形成。作為層壓膜4的沉積方法，例如，除了諸如熱CVD、等離子CVD或光CVD的CVD方法(化學(xué)氣相沉積利用化學(xué)反應(yīng)從氣相沉積薄膜的技木)以外，可以使用諸如真空蒸發(fā)、等離子沉積、濺射或者離子鍍的PVD方法(物理蒸汽沉積在真空中物理氣化的材料凝結(jié)在基板上從而形成薄膜的技木)。此外，可以在加熱基板2的同時(shí)形成層壓膜4。(退火處理)接著，如果必要，對層壓膜4執(zhí)行退火處理。由此，層壓膜4或包含在層壓膜4中的無機(jī)透明導(dǎo)電層例如處于無定形態(tài)和多晶態(tài)的混合狀態(tài)。(層壓膜去除處理)接著，如圖9C中所示，對形成層壓膜4的基板表面執(zhí)行蝕刻處理。由此，層壓膜4保留在第一區(qū)域R1中，而層壓膜4在第二區(qū)域R2中被去除。具體地，例如，導(dǎo)電層4a和功能層4b保留在第一區(qū)域R1中，而導(dǎo)電層4a和功能層4b在第二區(qū)域R2中被去除。因此，形成在第一區(qū)域R1中的層壓膜4用作導(dǎo)電圖案部，而第二區(qū)域R2用作導(dǎo)電圖案部之間的絕緣區(qū)域。作為蝕刻處理，可以使用濕法蝕刻或者干法蝕刻，并且可以結(jié)合使用二者。作為濕法蝕刻的蝕刻液，例如，可以使用硫酸、鹽酸、硝酸、或者氯化鐵中的ー種或多種。此外，草酸，醋酸、磷酸和硝酸的混合物，以及硝酸鈰銨的水溶液可以用作蝕刻液。作為干法蝕刻，可以使用等離子蝕刻或者反應(yīng)離子蝕刻(RIE)。這里，作為去除，存在這樣的意義(I)層壓膜4從第二區(qū)域R2被完全取走，(2)層壓膜4在第二區(qū)域R2中處于不表現(xiàn)出導(dǎo)電性程度的非連續(xù)狀態(tài)(例如，孤島狀態(tài))，以及(3)在第二區(qū)域R2中層壓膜4的厚度薄到不表現(xiàn)出導(dǎo)電性的厚度。具體地，優(yōu)選的是，形成在平坦表面Spl上的層壓膜4保持為使得以連續(xù)的方式連接，而形成在波形表面Sw2上的層壓膜4利用諸如形成在平坦表面Spl和波形表面Sw2上的層壓膜4的膜特性、相態(tài)等的差異而實(shí)際上被去除。由此，導(dǎo)電圖案部可以選擇性地形成在平坦表面Spl和波形表面Sw2中的平坦表面Spl 上。此外，優(yōu)選的是，形成在平坦表面Spl上的層壓膜4保持為使得以連續(xù)的方式連接，而形成在波形表面Sw2上的層壓膜4利用諸如形成在平坦表面Spl和波形表面Sw2上的層壓膜4的膜特性、相態(tài)等的差異而被去除并處于諸如孤島狀態(tài)的非連續(xù)狀態(tài)。由此，導(dǎo)電圖案部可以選擇性地形成在平坦表面Spl和波形表面Sw2中的平坦表面Spl上。此外，優(yōu)選的是，利用諸如形成在平坦表面Spl和波形表面Sw2上的層壓膜4的膜特性、相態(tài)等的差異使形成在波形表面Sw2上的層壓膜4的厚度與形成在平坦表面Spl上的層壓膜4的厚度相比被極大地薄化。由此，導(dǎo)電圖案部可以選擇性地形成在平坦表面Spl和波形表面Sw2中的平坦表面Spl上。(清洗處理)接著，如果必要，對執(zhí)行了蝕刻處理的基板表面進(jìn)行清洗?；谝陨咸幚?，能夠獲得作為目標(biāo)的導(dǎo)電元件I。在第一實(shí)施方式中，層壓膜4由相對于具有平坦表面Spl和波形表面Sw2的基板表面而層壓的兩層或多層形成。然后，在平坦表面Spl和波形表面Sw2中，通過利用形成在平坦表面Spl和波形表面Sw2上層壓膜4的狀態(tài)的差異使形成在平坦表面Spl上的層壓膜4保留而形成在波形表面Sw2上層壓膜4被去除來形成導(dǎo)電圖案部。以這種方式，可以實(shí)現(xiàn)具有聞精度并且具有聞生廣能力的導(dǎo)電兀件I?！?.第二實(shí)施方式〉[導(dǎo)電元件的配置]圖IOA是示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的ー個(gè)配置實(shí)例的平面圖。圖IOB是沿著圖IOA中示出的線XB-XB的截面圖。圖IOC是表示圖IOB中示出的第一區(qū)域的一部分的放大的截面圖；圖IOD是表示圖IOB中示出的第二區(qū)域的一部分的放大的截面圖。根據(jù)第二實(shí)施方式的導(dǎo)電兀件I與第一實(shí)施方式的不同點(diǎn)在于，通過利用形成在第一區(qū)域R1中的第一波形表面Swl與形成在第二區(qū)域R2中的第二波形表面Sw2之間的差異(例如，振動的平均寬度的差異)改變形成在第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2中的層壓膜4的蝕刻速率來形成配線圖案等。(第一區(qū)域與第二區(qū)域)第一波形表面Swl形成在第一區(qū)域R1中的基板的表面中而層壓膜4以連續(xù)的方式形成在第一波形表面Swl上。另ー方面，第二波形表面Sw2形成在第二區(qū)域R2中的基板的表面中，并且存在層壓膜4未形成在第二波形表面Sw2上的狀態(tài)。第一波形表面Swl和第二波形表面Sw2例如為可見光波長或者更小的波形表面。因此，區(qū)域R2起到用來對形成在相鄰的第一區(qū)域R1上的層壓膜4進(jìn)行絕緣的絕緣區(qū)域的作用。關(guān)于此，以連續(xù)的方式形成在第一區(qū)域R1上的層壓膜4朝向第一區(qū)域R1的延伸方向具有導(dǎo)電性并且用作導(dǎo)電圖案部。
此外，優(yōu)選的是，波形表面Swl的平均波長λ ml和波形表面Sw2的平均波長λ m2在100 μ m以下的范圍內(nèi)。當(dāng)平均波長λ ml和平均波長λ m2超過100 μ m時(shí)，對于在壓印和膜形成的期間步驟和覆蓋存在問題，并且發(fā)生缺陷。優(yōu)選的是，層壓膜4被形成為跟隨第一結(jié)構(gòu)體S1的表面形狀以使得防反射作用不會因?yàn)榈谝粎^(qū)域Rl中的第一結(jié)構(gòu)體S1而受到妨礙，并且第一結(jié)構(gòu)體S1的表面形狀與層壓膜4具有基本上相似的形狀。這是因?yàn)橐种屏擞捎趯訅耗?的形狀而導(dǎo)致的折射率分布(refractive index profile)的變化,并且可以保持優(yōu)良的防反射特性或者透明特性。優(yōu)選的是，構(gòu)成層壓膜4的材料為無定形態(tài)和多晶態(tài)的混合物。這是因?yàn)椋诘谝唤Y(jié)構(gòu)體S1的高度很低的情況下，可以形成具有使得第一結(jié)構(gòu)體S1的防反射作用不受到妨礙的膜厚度的層壓膜4。即，這是因?yàn)?，能夠保持層壓?跟隨第一結(jié)構(gòu)體S1的形狀的形狀。優(yōu)選的是，第二波形表面Sw2的振動的平均寬度Am2相對于平均波長λ m2的比 率(Am2/Xm2)大于第一波形表面Swl的振動的平均寬度Aml相對于平均波長XmI的比率(Aml/Aml)0這是因?yàn)?，由此，光學(xué)特性和電選擇性的兼容性是可能的。具體地，優(yōu)選的是，比率(Aml/λ ml)和比率(Am2/λ m2)滿足以下關(guān)系O ^ (Aml/λ ml) < (Am2/λ m2) ^1.8(這里，Aml:第一波形表面Swl中振動的平均寬度，Am2 :第二波形表面Sw2中振動的平均寬度，λ ml :第一波形表面Swl的平均波長，Am2 :第二波形表面Sw2的平均波長)當(dāng)比率(Am2/ λ m2)大于I. 8吋，當(dāng)轉(zhuǎn)印波形表面Sw2時(shí)容易存在剝落缺陷且波形表面Sw2容易損壞。這里，以與第一實(shí)施方式中的波形表面Sw2相同的方式測量波形表面Swl的比率(Aml/λ ml)。可以獨(dú)立地選擇波形表面Swl和波形表面Sw2的形狀、波長和振動寬度。具體地說，例如，波形表面Swl和波形表面Sw2每個(gè)可以是ー維或者ニ維的分離的波形表面。此外，波形表面Swl和波形表面Sw2的波長和振動寬度每個(gè)可以獨(dú)立設(shè)為納米級或微米級的波長或者振動寬度。優(yōu)選的是，層壓膜4的任何部分都不會作為殘余膜而存在于第二區(qū)域R2中，但是如果達(dá)到第二區(qū)域R2起到絕緣區(qū)域作用的程度，則層壓膜4可以作為殘余膜而存在。在這種情況下，優(yōu)選的是，形成在第一區(qū)域R1中的層壓膜4的面積大于形成在第二區(qū)域R2中的層壓膜4或者層壓膜4的一部分。具體地，優(yōu)選的是，層壓膜4以連續(xù)的方式形成在第一區(qū)域R1中而層壓膜4或者層壓膜的一部分以諸如島狀的非連續(xù)的方式形成在第二區(qū)域R2中。此外，形成在第二區(qū)域R2中的層壓膜4或者層壓膜一部分的厚度薄于形成在第一區(qū)域R1中的層壓膜4的厚度至實(shí)際上不表現(xiàn)出導(dǎo)電性并且第二區(qū)域R2起到絕緣區(qū)域作用的程度。(結(jié)構(gòu)體)第一波形表面Swl例如為多個(gè)第一結(jié)構(gòu)體S1以可見光的波長或者更小的排列節(jié)距形成的凹凸表面。第二波形表面Sw2例如為多個(gè)第二結(jié)構(gòu)體32以可見光的波長或者更小的排列節(jié)距形成的凹凸表面。優(yōu)選的是，第一結(jié)構(gòu)體S1的平均縱橫比率(Hml/Pml)小于第二結(jié)構(gòu)體32的平均縱橫比率(Hm2/Pm2)。具體地，優(yōu)選的是，第一結(jié)構(gòu)體S1和第二結(jié)構(gòu)體32滿足以下關(guān)系。O < (Hml/Pml) < (Hm2/Pm2)彡 I. 8
(這里，Hml:第一結(jié)構(gòu)體S1的平均高度，Hm2 :第二結(jié)構(gòu)體32的平均高度，Pml :第一結(jié)構(gòu)體S1的平均排列節(jié)距，Pm2 :第二結(jié)構(gòu)體32的平均排列節(jié)距)當(dāng)比率(Hm2/Pm2)大于I. 8時(shí)，當(dāng)轉(zhuǎn)印第二結(jié)構(gòu)體32時(shí)存在容易剝落的缺陷并且第二結(jié)構(gòu)體32容易損壞。這里，以與第一實(shí)施方式中的結(jié)構(gòu)體3的縱橫比率(Hm/Pm)相同的方式測量第一結(jié)構(gòu)體S1的縱橫比率(Hml/Pml)與第二結(jié)構(gòu)體32的縱橫比率(Hm2/Pm2)。關(guān)于第一結(jié)構(gòu)體S1和第二結(jié)構(gòu) 體32，除了上述以外，可以與第一實(shí)施方式中的結(jié)構(gòu)體3相同。這里，第一結(jié)構(gòu)體S1和第二結(jié)構(gòu)體32的排列圖案、形狀等不必是相同的，并且兩個(gè)結(jié)構(gòu)體可以采用不同的排列圖案、形狀等。[輥式母盤的配置]圖IlA是示出了用于制造基板2的輥式母盤的ー個(gè)配置實(shí)例的透視圖。圖IlB是表示圖IlA中示出的輥式母盤的一部分的放大的截面圖。根據(jù)第二實(shí)施方式的輥式母盤11與第一實(shí)施方式的不同點(diǎn)在于，第一波形表面Swl和第二波形表面Sw2設(shè)置在第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2這兩個(gè)區(qū)域中。輥式母盤11的第一波形表面Swl例如基于第一結(jié)構(gòu)體1 而形成，第一結(jié)構(gòu)體U1具有以可見光的波長或者更小的節(jié)距排列的凹形。輥式母盤11的第二波形表面Sw2例如基于第二結(jié)構(gòu)體1 而形成，第二結(jié)構(gòu)體122具有以可見光的波長或者更小的節(jié)距排列的凹形。輥式母盤11的第一波形表面Swl和第二波形表面Sw2每個(gè)都具有為與基板2的第一波形表面Swl和第二波形表面Sw2的凹部與凸部的反轉(zhuǎn)的形狀。輥式母盤11的第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2分別對應(yīng)于基板2的第一區(qū)域R1和第ニ區(qū)域R2。即，具有形成在輥式母盤11的第一區(qū)域R1上的凹形的第一結(jié)構(gòu)體1 用于形成具有形成在基板2的第一區(qū)域R1中的凸形的第一結(jié)構(gòu)體具有形成在輥式母盤11的第ニ區(qū)域R2上的凹形的第二結(jié)構(gòu)體122用于形成具有形成在基板2的第二區(qū)域R2中的凸形的第二結(jié)構(gòu)體32。優(yōu)選的是，與第一結(jié)構(gòu)體1 的縱橫比率相比，第二結(jié)構(gòu)體122的縱橫比率更大。[導(dǎo)電元件的制造方法]在第二實(shí)施方式的蝕刻處理中，層壓膜4保留在第一區(qū)域R1中，而層壓膜4在第ニ區(qū)域R2中由于對形成層壓膜4的基板表面執(zhí)行蝕刻處理而被去除。具體地，優(yōu)選的是，利用諸如形成在第一波形表面Swl和第二波形表面Sw2上的層壓膜4的膜特性、相態(tài)等的差異，形成在第一波形表面Swl上的層壓膜4被保留為使得以連續(xù)的方式連接，而形成在第ニ波形表面Sw2上的層壓膜4在實(shí)際中被去除。由此，導(dǎo)電圖案部可以選擇性地形成在第一波形表面Swl和第二波形表面Sw2中的第一波形表面Swl上。此外，優(yōu)選的是，利用諸如形成在第一波形表面Swl和第二波形表面Sw2上的層壓膜4的膜特性、相態(tài)等的差異，形成在第一波形表面Swl上的層壓膜4被保留為使得以連續(xù)的方式連接，而形成在第二波形表面Sw2上的層壓膜4被去除并處于諸如孤島狀的非連續(xù)狀態(tài)。由此，導(dǎo)電圖案部可以選擇性地形成在第一波形表面Swl和第二波形表面Sw2中的第一波形表面Swl上。此外，優(yōu)選的是，利用諸如形成在第一波形表面Swl和第二波形表面Sw2上的層壓膜4的膜特性、相態(tài)等的差異使形成在第二波形表面Sw2上的層壓膜4的厚度與形成在第一波形表面Swl上的層壓膜4的厚度相比被極大地薄化。由此，導(dǎo)電圖案部可以選擇性地形成在第一波形表面Swl和第二波形表面Sw2中的第一波形表面Swl上。在第二實(shí)施方式中，由于第一結(jié)構(gòu)體S1和第二結(jié)構(gòu)體32形成在第一區(qū)域R1和第ニ區(qū)域R2兩個(gè)區(qū)域的每個(gè)中，因此可以提高導(dǎo)電元件I的防反射特性。在諸如這種配置的情況下，優(yōu)選的是，用作導(dǎo)電圖案部的第一區(qū)域R1的層壓膜4的形狀跟隨形成在第一區(qū)域R1中的第一結(jié)構(gòu)體S1的形狀。這是因?yàn)?，由此，能夠抑制防反射特性?或透明特性的作用的減小。已經(jīng)執(zhí)行調(diào)制(例如，幅度調(diào)制和/或頻率調(diào)制)的波形表面形成在基板表面上，并且可以通過形成在基板表面上的層壓膜4，根據(jù)基板2的波形表面的調(diào)制的差異來改變層壓膜4的狀態(tài)。因此，可以根據(jù)基板2的波形表面的調(diào)制的差異改變層壓膜4相對于蝕刻液體的溶解速率。即，可以利用基板2的波形表面的調(diào)制的差異在基板表面上形成期望的導(dǎo)電圖案部。
在使用納米結(jié)構(gòu)體在基板表面上形成波形表面的情況下，可以提高可見性和光學(xué)特性。可以實(shí)現(xiàn)期望的電阻而不使壞光學(xué)特性劣化。在由導(dǎo)電層形成的配線形成在基板表面(例如，數(shù)字式電阻觸摸面板、靜電電容式觸摸面板等)上的相關(guān)領(lǐng)域的信息輸入裝置中，由于導(dǎo)電層和基板的反射率不同，因此配線容易被看到且顯示質(zhì)量容易變差。另ー方面，在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的信息輸入裝置中，由于不考慮層壓膜4的存在或不存在都實(shí)現(xiàn)了低反射性和高透射性，因此可以抑制配線的可見性?！?.第三實(shí)施方式〉圖12A是示出根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的ー個(gè)配置實(shí)例的截面圖。根據(jù)第三實(shí)施方式的導(dǎo)電元件I與第一實(shí)施方式的不同點(diǎn)在于，通過將第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2設(shè)置在基板2的兩個(gè)主表面上并且層壓膜4以連續(xù)的方式僅形成在兩個(gè)區(qū)域中的第一區(qū)域R1中，導(dǎo)電圖案部形成在基板2的兩個(gè)表面上。此外，如圖12B所示，在基板2的第一區(qū)域R1中形成有通孔，通孔由諸如導(dǎo)電墨的導(dǎo)電材料填充，并且諸如形成在基板2的兩個(gè)表面上的電路的導(dǎo)電圖案部可以被電連接。在第三實(shí)施方式中，由于導(dǎo)電圖案部形成在基板2的兩個(gè)表面上，因此與第一實(shí)施方式相比，更多的電路等可以被安裝在導(dǎo)電元件I上?！?.第四實(shí)施方式〉圖13A是示出根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的ー個(gè)配置實(shí)例的平面圖。圖13B是沿著圖13A中示出的線XIIIB-XIIIB的截面圖；圖13C是表示圖13B中示出的第一區(qū)域的一部分的放大的截面圖；圖13D是表示圖13B中示出的第二區(qū)域的一部分的放大的截面圖。根據(jù)第四實(shí)施方式的導(dǎo)電元件I與第一實(shí)施方式的不同點(diǎn)在于，具有凹形的多個(gè)結(jié)構(gòu)體3被排列在基板表面上的第二區(qū)域R2中。除此之外，第四實(shí)施方式與第一實(shí)施方式相同。在第四實(shí)施方式中，由于在第一實(shí)施方式中具有凸形的結(jié)構(gòu)體的形狀在被反轉(zhuǎn)時(shí)變成為凹形，因此可以獲得與第一實(shí)施方式相同的效果。<5.第五實(shí)施方式〉圖14是示出根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施方式的液晶顯示器元件的ー個(gè)配置實(shí)例的透視圖。如圖14所示，液晶顯示元件是無源矩陣驅(qū)動型(也稱作簡單的矩陣驅(qū)動型)的顯示元件并且具有被設(shè)置為相對并以預(yù)定間隙分開的第一基板101和第二基板111以及被設(shè)置在第一基板101與第二基板111之間的液晶層121。 在第一基板101的兩個(gè)主表面中，具有線性形狀的第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2交替重復(fù)地設(shè)置在與第二基板111相対的ー個(gè)主表面上。關(guān)于第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2的第一基板101的表面配置與上述第一至第四實(shí)施方式中的任一個(gè)的導(dǎo)電元件中的基板的表面配置相同。例如，第一區(qū)域R1中的第一基板表面為多個(gè)結(jié)構(gòu)體以可見光的波長或者更小的排列節(jié)距形成的波形表面，并且殘余膜以諸如孤島狀態(tài)的非連續(xù)的方式形成。另ー方面，在第二區(qū)域R2中，不形成結(jié)構(gòu)體，第二區(qū)域R2為平坦表面，并且層壓膜以連續(xù)的方式形成。因此，在第一基板101的兩個(gè)主表面中,在與第二基板111相對的ー個(gè)主表面中，由以連續(xù)的方式形成的層壓膜形成的多個(gè)水平(X)電極(第一電極)102形成為帶狀。在第二基板111的兩個(gè)主表面中，具有線性形狀的第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2交替 重復(fù)地設(shè)置在與第一基板101相対的ー個(gè)主表面上。關(guān)于第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2的第ニ基板111的表面配置與上述第一至第四實(shí)施方式中的任一個(gè)的導(dǎo)電元件中的基板的表面配置相同。例如，第一區(qū)域R1中的第二基板表面為多個(gè)結(jié)構(gòu)體以可見光的波長或者更小的排列節(jié)距形成的波形表面，并且殘余膜以諸如孤島狀態(tài)的非連續(xù)的方式形成。另ー方面，在第二區(qū)域R2中，不形成結(jié)構(gòu)體，第二區(qū)域R2為平坦表面，并且層壓膜以連續(xù)的方式形成。因此，在第二基板111的兩個(gè)主表面中，在與第一基板101相對的ー個(gè)主表面中，由以連續(xù)的方式形成的層壓膜形成的多個(gè)垂直(Y)電極(第二電極)112形成為帶狀。第一基板101和第二基板111上的第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2為相互交叉的關(guān)系。即，第一基板101上的水平電極102和第二基板111上的垂直電極112是相互交叉的關(guān)系。在第五實(shí)施方式中，例如，可以利用存在或不存在波形表面或者存在或者不存在結(jié)構(gòu)體來制造液晶顯示元件的電極。此外，在例如波形表面的波長或者結(jié)構(gòu)體的排列節(jié)距為可見光的波長或者更小的情況下，可以提高液晶顯示元件的防反射特性和/或透明特性。此外，如在上述的第二實(shí)施方式中，縱橫比率等不同的結(jié)構(gòu)體可以形成在第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2的每個(gè)中。由此，可以進(jìn)ー步提高液晶顯示元件的防反射特性和/或透明特性。在諸如此的配置中，優(yōu)選的是，用作水平電極102和垂直電極112的第二區(qū)域R2中的透明層壓膜的形狀為跟隨形成在第二區(qū)域R2中的結(jié)構(gòu)體的形狀。這是因?yàn)?，由此，可以利用結(jié)構(gòu)體抑制防反射特性和/或透明特性的作用的減小。<6.第六實(shí)施方式>圖15是示出根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施方式的設(shè)置有觸摸面板的顯示裝置的ー個(gè)配置實(shí)例的透視圖。如圖15中所示，觸摸面板(信息輸入裝置)201設(shè)置在顯示裝置202上。顯示裝置202和觸摸面板201例如經(jīng)由粘結(jié)劑結(jié)合。此外，正面面板(表面構(gòu)件)203可以進(jìn)一步設(shè)置在觸摸面板201的表面上。觸摸面板201和正面面板(表面構(gòu)件)203例如經(jīng)由粘結(jié)劑結(jié)合。作為顯示裝置202，例如，可以使用諸如液晶顯示器、CRT (陰極射線管)顯示器、PDP (等離子顯示面板)、EL (電致發(fā)光)顯示器或者SED (表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射器顯示器)的各種類型的顯示裝置。觸摸面板201例如為電阻膜方法或者靜電電容方法的觸摸面板。作為電阻膜方法的觸摸面板，例如，存在矩陣電阻膜方法的觸摸面板。作為靜電電容方法的觸摸面板，例如，存在配線傳感器方法或者ITO柵格方法的投影式靜電電容方法。(第一配置實(shí)例)圖16A是示出根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施方式的觸摸面板的第一配置實(shí)例的透視圖。觸摸面板201是矩陣電阻膜方法的觸摸面板，并且設(shè)置有第一基板211和第二基板221，第一基板211和第二基板221被設(shè)置為相對并且經(jīng)由點(diǎn)間隔件(圖中省略)被預(yù)定的間隙分開。圖16B是示出了第一基板的ー個(gè)配置實(shí)例的分解透視圖。這里，由于第二基板221具有與第一基板211基本上相同的配置，因此省略了分解透視圖的描述。在第一基板211的兩個(gè)主表面中，具有線性形狀的第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2交替重復(fù)地設(shè)置在與第二基板221相対的ー個(gè)主表面上。關(guān)于第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2的第一基板211的表面配置與上述第一至第四實(shí)施方式中的任一個(gè)的導(dǎo)電元件中的基板的表面配置相同。例如，第一區(qū)域R1中的第一基板表面為多個(gè)結(jié)構(gòu)體以可見光的波長或者更小的排列節(jié)距形成的波形表面，并且殘余膜以諸如孤島狀態(tài)的非連續(xù)的方式形成。另ー方面，在第二區(qū)域R2中，不形成 結(jié)構(gòu)體，第二區(qū)域R2是平坦表面，并且層壓膜以連續(xù)的方式形成。因此，第一基板211的兩個(gè)主表面中，在與第二基板221相対的ー個(gè)主表面中，由以連續(xù)的方式形成的層壓膜形成的多個(gè)水平(X)電極(第一電極)212形成為帶狀。在第二基板221的兩個(gè)主表面中，具有線性形狀的第一區(qū)域Rl和第二區(qū)域R2交替重復(fù)地設(shè)置在與第一基板211相対的ー個(gè)主表面上。關(guān)于第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2的第二基板221的表面配置與上述第一至第四實(shí)施方式中的任一個(gè)的導(dǎo)電元件中的基板的表面配置相同。例如，第一區(qū)域R1中的第二基板表面為多個(gè)結(jié)構(gòu)體以可見光的波長或者更小的排列節(jié)距形成的波形表面，并且殘余膜以諸如孤島狀態(tài)的非連續(xù)的方式形成。另一方面，在第二區(qū)域R2中，不形成結(jié)構(gòu)體，第二區(qū)域R2是平坦表面，并且層壓膜以連續(xù)的方式形成。于是，在第二基板221的兩個(gè)主表面中，在與第二基板211相対的ー個(gè)主表面中，由以連續(xù)的方式形成的層壓膜形成的多個(gè)垂直(Y)電極(第二電極)222形成為帶狀。第一基板211和第二基板221上的第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2是相互交叉的關(guān)系。即，第一基板211上的水平電極212和第二基板221上的垂直電極222是相互交叉的關(guān)系。(第二配置實(shí)例)圖17A是示出根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施方式的觸摸面板的第二配置實(shí)例的透視圖。觸摸面板是具有ITO柵格方法的投影式靜電電容方法的觸摸面板，并且設(shè)置有重疊的第一基板231和第二基板241。圖17B是示出了第一基板的ー個(gè)配置實(shí)例的分解透視圖。這里，由于第二基板241具有與第一基板231基本上相同的配置，因此省略了對分解透視圖的描述。在第一基板231的兩個(gè)主表面中，具有線性形狀的第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2交替重復(fù)地設(shè)置在與第二基板241相対的ー個(gè)主表面上，并且相鄰的第一區(qū)域R1之間被第二區(qū)域R2分開。在第二基板241的兩個(gè)主表面中，具有線性形狀的第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2交替重復(fù)地設(shè)置在與第一基板231相対的ー個(gè)主表面上，并且相鄰的第一區(qū)域R1之間被第二區(qū)域R2分開。關(guān)于第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2的第一基板母盤231和第二基板241的表面配置與上述第一至第四實(shí)施方式中的任一個(gè)的導(dǎo)電元件中的基板的表面配置相同。在第一基板231的第一區(qū)域R1中，具有預(yù)定形狀的單元區(qū)域C1在X軸向方向上被重復(fù)地連接，而在第二區(qū)域R2中，具有預(yù)定形狀的単元區(qū)域C2在X軸向方向上被重復(fù)地連接。在第二基板241的第一區(qū)域R1中，具有預(yù)定形狀的單元區(qū)域C1在Y軸向方向上被重復(fù)地連接，而在第二區(qū)域R2中，具有預(yù)定形狀的単元區(qū)域C2在Y軸向方向上被重復(fù)地連接。作為單元區(qū)域C1和単元區(qū)域C2的形狀，例如，存在菱形、三角形、四邊形等，但并不限于這些形狀。第一區(qū)域R1中的第一基板 表面或者第二基板表面例如為多個(gè)結(jié)構(gòu)體以可見光的波長或者更小的排列節(jié)距形成的波形表面，并且例如殘余膜以諸如孤島狀態(tài)的非連續(xù)的方式形成。另ー方面，在第二區(qū)域R2中的第一基板表面或第二基板表面，不形成結(jié)構(gòu)體，第二區(qū)域R2是平坦表面，并且層壓膜以連續(xù)的方式形成。因此，在第一基板231的兩個(gè)主表面中，在與第二基板241相対的ー個(gè)主表面中，形成了由以連續(xù)的方式形成的層壓"膜形成的多個(gè)水平(X)電極(第一電極)232。此外，在第二基板241的兩個(gè)主表面中，在與第二基板231相対的ー個(gè)主表面中，形成了由以連續(xù)的方式形成的層壓膜形成的多個(gè)垂直(Y)電極(第二電極)242。水平電極232和垂直電極242具有與第二區(qū)域R2相同的形狀。第一基板231上的水平電極232和第二基板241上的垂直電極242是相互交叉的關(guān)系。在第一基板231和第二基板241重疊的狀態(tài)下,第一基板231上的第一區(qū)域R1和第ニ基板241上的第二區(qū)域R2重疊，并且第一基板231上的第二區(qū)域R2與第二基板241上的第一區(qū)域R1重疊。在第六實(shí)施方式中，例如，可以利用存在或不存在波形表面或者存在或不存在結(jié)構(gòu)體來制造觸摸面板201的電極。此外，在例如波形表面的波長或者結(jié)構(gòu)體的排列節(jié)距為可見光的波長或者更小的情況下，可以提高觸摸面板201的防反射特性和/或透明特性。此外，如在上述的第二實(shí)施方式中，縱橫比率等不同的結(jié)構(gòu)體可以形成在第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2的每個(gè)中。由此，可以進(jìn)ー步提高觸摸面板201的防反射特性和/或透明特性。在諸如此的配置中，優(yōu)選的是，用作電極的第一區(qū)域R1中的層壓膜的形狀跟隨形成在第一區(qū)域R1中的結(jié)構(gòu)體的形狀。這是因?yàn)椋纱?，可以利用結(jié)構(gòu)體抑制防反射特性和/或透明特性的作用的減小。<7.第七實(shí)施方式>圖18A是示出根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施方式的IC卡的ー個(gè)配置實(shí)例的平面圖。圖18B是表示圖18A中示出的IC卡的一部分的放大的平面圖。IC卡是所謂的非接觸式IC卡，并且設(shè)置有基板301、天線線圈302以及IC芯片303。天線線圈302的兩端相對于IC芯片303連接。此外，在基板301的兩個(gè)表面上設(shè)置有外涂層(圖中未示出)。作為基板301的形狀，可以使用膜形、片形或者板形，但是不特別限定這些形狀，并且可以根據(jù)IC卡I所需的特性來任意地選擇和使用。作為用于基板301的材料，考慮到耐用、方便等，優(yōu)選使用具有彈性的樹脂材料。作為這樣的樹脂材料，例如，可以使用PEN(聚こ烯萘ニ甲酸)、PET(聚こ烯對苯ニ酸鹽)、聚酰亞胺(PI)或者聚酯，但并不特定地限于此，并且可以根據(jù)IC卡所需的特性從在相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域中常用的樹脂材料中任意地選擇和使用。例如，第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2在基板301的ー個(gè)主表面上的外周部中以螺旋狀交替地形成。關(guān)于第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2的基板301的表面配置與上述第一至第四實(shí)施方式中的任一個(gè)的導(dǎo)電元件中的基板的表面配置相同。例如，第一區(qū)域R1中的基板表面為多個(gè)結(jié)構(gòu)體以極小節(jié)距形成的波形表面，并且殘余膜以諸如孤島狀態(tài)的非連續(xù)的方式形成。另ー方面，第二區(qū)域R2中的基板，不形成結(jié)構(gòu)體，第二區(qū)域R2是平坦表面，并且層壓膜以連續(xù)的方式形成。因此，由連續(xù)形成的層壓膜形成的天線線圈302被形成為跟隨基板301的ー個(gè)主表面上的外周部中的第二區(qū)域R2的形狀。這里，如在上述的第二實(shí)施方式中，縱橫比率等不同的結(jié)構(gòu)體可以形成在第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2的每個(gè)中。外涂層配置在IC卡的正面和背面上，并且例如，具有諸如PET (聚こ烯對苯ニ酸鹽)、PBT (聚丁烯對苯ニ酸鹽)、PEG(聚こ烯こニ醇)的聚合體材料，使得PET為主要成分，但并不特別地限于此，并且可以根據(jù)IC卡所需的特性從在相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域中常用的樹脂材料中任意地選擇和使用。天線線圈302為具有通過在基板301上纏繞多次形成的環(huán)線圈形狀的電磁感應(yīng)線圈，并且電磁感應(yīng)線圈的兩端均連接至IC芯片303。天線線圈302通過接收由讀/寫器產(chǎn)生的交變磁場而感生AC電壓，并且將AC電壓供給至IC芯片303。IC芯片303利用從天線線圈302供給的電源被驅(qū)動，并且控制IC卡I中的各個(gè)部分。例如，IC芯片303經(jīng)由天線線圈302執(zhí)行與讀/寫器之間的通信。具體地，IC芯片303與讀/寫器執(zhí)行相互認(rèn)證和數(shù)據(jù)的交換。在第七實(shí)施方式中，例如，可以利用存在或不存在波形表面或存在或不存在結(jié)構(gòu)體來制造IC卡的天線線圈302。因此，由于可以不用蝕刻等制造IC卡的天線線圈302，因此可以提聞IC卡的生廣力。<8.第八實(shí)施方式>圖19A是示出根據(jù)本發(fā)明的第八實(shí)施方式的顯示裝置的ー個(gè)配置的一個(gè)實(shí)例的截面圖。圖19B是表示圖19A中示出的放大的配線區(qū)域的放大的截面圖。圖19C是表示圖19A中示出的放大的非配線區(qū)域的放大的截面圖。在第八實(shí)施方式中，與第一實(shí)施方式相同的位置或者相対的位置用相同的參考標(biāo)號表示。顯示裝置400是所謂的微囊體電泳方法(microcapsule electrophoresis method)的電子紙，并且設(shè)置有第一導(dǎo)電元件401、與第一導(dǎo)電元件401相對設(shè)置的第二導(dǎo)電元件402以及設(shè)置在兩個(gè)元件之間的微囊體層(介質(zhì)層)403。這里，描述了本發(fā)明被應(yīng)用于關(guān)于微囊體電泳方法的電子紙的實(shí)例，但是電子紙并不限于該實(shí)例，并且如果存在介質(zhì)層設(shè)置在相對設(shè)置的導(dǎo)電元件之間的配置，便能夠應(yīng)用本發(fā)明。這里，除了液體或固體之外，諸如空氣的氣體可以包括在介質(zhì)中。此外，在介質(zhì)中，可以包括諸如囊體、涂料或顆粒的構(gòu)件。除了微囊體電泳方法，作為本發(fā)明能夠應(yīng)用的電子紙，例如還存在諸如扭曲球方法(twist ball method)、熱可寫方法、調(diào)色劑顯示方法、面內(nèi)式電泳方法或者電子微粒式電泳方法的電子紙。微囊體層403包括多個(gè)微囊體431。在微囊體中，例如，充有分散了黑色顆粒和白色顆粒的透明液體(分散溶液)。第一導(dǎo)電兀件401設(shè)置有基板2和層壓膜4,基板2在與第二導(dǎo)電兀件402相對的側(cè)面上具有平坦表面Spl和波形表面Sw2，層壓膜形成在基板2上的波形表面Sw2上。此夕卜，如果有必要，基板2可以經(jīng)由諸如粘結(jié)劑的粘結(jié)層411結(jié)合至諸如玻璃的支撐體412。第二導(dǎo)電元件402設(shè)置有基板2和層壓膜4，基板2在與第一導(dǎo)電元件401相対的側(cè)面上具有平坦表面Spl和波形表面Sw2，層壓膜形成在基板2上的波形表面Sw2上。根據(jù)電子紙400的驅(qū)動方法，第一導(dǎo)電元件401和第二導(dǎo)電元件402的層壓膜4以預(yù)定的電極圖案形狀形成。作為驅(qū)動方法，例如，存在簡單矩陣驅(qū)動方法、有源矩陣驅(qū)動方法、分段驅(qū)動方法(segment driving method)等。除此之外，第八實(shí)施方式與第一實(shí)施方式相同。[實(shí)例]下面，將使用實(shí)例來具體地描述本發(fā)明，但是本發(fā)明不僅限于這些實(shí)例。在實(shí)例(下面的比較實(shí)例和參考實(shí)例)中，利用四端電阻測量裝置(four endresistance measuring device)來測量導(dǎo)電片的表面電阻。這里，探測器頂端邊緣針的直徑為RlOO μ m,針節(jié)距為1mm。(參考實(shí)例I)(轉(zhuǎn)印處理) 首先，如圖20A所示，準(zhǔn)備石英母版，其中，平坦表面區(qū)域(第一區(qū)域)R1和納米結(jié)構(gòu)體形成區(qū)域(第二區(qū)域)R2以帶狀形成在形成表面上。接著，將紫外線固化樹脂涂覆至石英母版的形成表面上，具有易粘結(jié)層的PET片被粘結(jié)，并且當(dāng)照射紫外光并且執(zhí)行固化時(shí)去除PET片。由此，在PET片的表面上，具有凸形的多個(gè)納米結(jié)構(gòu)體形成在納米結(jié)構(gòu)體形成區(qū)域(第二區(qū)域)R2上，同時(shí)獲得在平坦表面區(qū)域(第一區(qū)域)Rl中形成平坦表面的光學(xué)片。結(jié)構(gòu)體的排列節(jié)距為250nm,結(jié)構(gòu)體的高度為200nm,結(jié)構(gòu)體的形狀為圓形去頂錐形，并且結(jié)構(gòu)體的排列為六方排列(six directional arrangement)。(沉積處理)接著，利用濺射方法在光學(xué)片的形成表面上形成ITO層。極限真空度為O. 00015Pa，沉積過程中真空度為O. 24Pa，形成過程中引入Ar氣和O2氣，并且其混合比率為Ar O2 = 200 13。此外，可以調(diào)節(jié)當(dāng)被換算為平坦表面時(shí)膜厚度為30nm的形成條件。這里，平板換算膜厚基本上等于波形表面的峰值部分的膜厚。(退火處理)接著，對形成了 ITO層的光學(xué)片在空氣中150°C下退火30分鐘。由此，促進(jìn)了 ITO層的多重結(jié)晶。接著，為了確認(rèn)促進(jìn)的狀態(tài)，通過以X射線衍射(XRD)測量ITO層來確認(rèn)In2O3峰值。(蝕刻處理)接著，將已經(jīng)執(zhí)行退火處理的光學(xué)片浸入PH值約為3的溶液中20秒。(清洗處理)接著，使用純凈水清洗已經(jīng)執(zhí)行蝕刻處理的光學(xué)片。由此，獲得了作為目標(biāo)的透明導(dǎo)電片。(導(dǎo)電/非導(dǎo)電的評估)利用檢測器用在圖20B中示出的點(diǎn)對根據(jù)如上所述獲得的參考實(shí)例I的透明導(dǎo)電片的表面的導(dǎo)電性或非導(dǎo)電性進(jìn)行評估。評估結(jié)果在表I中示出。表I示出了根據(jù)參考實(shí)例I的透明導(dǎo)電片的評估結(jié)果。表I
權(quán)利要求
1.一種導(dǎo)電元件，包括 基板，具有第一波形表面和第二波形表面；以及 層壓膜，形成在所述第一波形表面上，并且層壓有兩層或更多層， 其中，所述層壓膜形成導(dǎo)電圖案，并且 所述第一波形表面和所述第二波形表面滿足以下關(guān)系O ( (Aml/ λ ml) < (Am2/ λ m2)彡 I. 8 這里，Aml :所述第一波形表面中振動的平均寬度，Am2 :所述第二波形表面中振動的平均寬度，λ ml :所述第一波形表面的平均波長，λ m2:所述第二波形表面的平均波長。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的導(dǎo)電元件， 其中，所述第一波形表面和所述第二波形表面滿足以下關(guān)系(Aml/ λ ml) = O, O < (Am2/ λ m2) ^ I. 8,并且， 所述第二波形表面的平均波長λ m2為可見光的波長或者更小。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的導(dǎo)電元件， 其中，所述第一波形表面和所述第二波形表面滿足以下關(guān)系O < (Aml/ λ ml) < (Am2/λ m2)彡 I. 8，并且， 所述第一波形表面的平均波長λ ml與所述第二波形表面的平均波長λ m2為可見光的波長或者更小。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的導(dǎo)電元件， 其中，所述第一波形表面和所述第二波形表面滿足以下關(guān)系(Aml/ λ ml) = O, O < (Am2/ λ m2) ^ I. 8,并且， 所述第二波形表面的平均波長λ m2為100 μ m以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的導(dǎo)電元件， 其中，所述第一波形表面和所述第二波形表面滿足以下關(guān)系O < (Aml/ λ ml) < (Am2/λ m2)彡 I. 8，并且， 所述第一波形表面的平均波長λ ml與所述第二波形表面的平均波長λ m2為100 μ m以上。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的導(dǎo)電元件，進(jìn)一步包括 殘余膜，形成在所述第二波形表面上，并且為所述層壓膜的一部分， 其中，所述層壓膜和所述殘余膜滿足以下關(guān)系 SI > S2，這里，SI :所述層壓膜的面積，S2 :所屬殘余膜的面積。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的導(dǎo)電元件， 其中，形成在所述第一波形表面上的所述層壓膜以連續(xù)的方式形成在所述第一波形表面上，而形成在所述第二波形表面上的所述殘余膜以不連續(xù)的方式形成在所述第二波形表面上。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的導(dǎo)電元件，進(jìn)一步包括 殘余膜，形成在所述第二波形表面上，并且為所述層壓膜的一部分， 其中，所述層壓膜和所述殘余膜滿足以下關(guān)系 dl > d2 這里，dl :所述層壓膜的厚度，d2 :所述殘余膜的厚度。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的導(dǎo)電元件， 其中，所述層壓膜設(shè)置有導(dǎo)電層和形成在所述導(dǎo)電層上的功能層，并且， 所述功能層由與所述導(dǎo)電層不同的材料形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的導(dǎo)電元件， 其中，所述層壓膜使用彼此去除速率不同的材料形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的導(dǎo)電元件， 其中，所述導(dǎo)電層為包括氧化物半導(dǎo)體的透明導(dǎo)電層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的導(dǎo)電元件， 其中，所述氧化物半導(dǎo)體包括銦錫氧化物或氧化鋅。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的導(dǎo)電元件， 其中，所述導(dǎo)電層為無定形態(tài)和多晶態(tài)的混合物。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的導(dǎo)電元件， 其中，所述導(dǎo)電層包括從由Ag、Al、Au、Pt、Pd、Ni、Cr、Nb、W、Mo、Ti和Cu組成的組中選擇的至少一種。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的導(dǎo)電元件， 其中，所述功能層包括從由氧化物和過渡金屬化合物組成的組中選擇的至少一種。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的導(dǎo)電元件， 其中，所述功能層包括從由Ag、Al、Au、Pt、Pd、Ni、Cr、Nb、W、Mo、Ti和Cu組成的組中選擇的至少一種。
17.根據(jù)權(quán)利要求9所述的導(dǎo)電元件， 其中，所述功能層包括無定形態(tài)與多晶態(tài)混合的層和多晶態(tài)的層中的至少一種。
18.一種配線元件，包括 根據(jù)權(quán)利要求I至17中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電元件。
19.一種信息輸入裝置,包括 根據(jù)權(quán)利要求I至17中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電元件。
20.—種顯示裝置，包括 根據(jù)權(quán)利要求I至17中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電元件。
21.一種電子裝置，包括 根據(jù)權(quán)利要求I至17中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電元件。
22.—種導(dǎo)電元件的制造方法，包括 對于具有第一波形表面和第二波形表面的基板的表面，通過層壓兩層或更多層來形成層壓膜；以及 利用所述層壓膜來形成導(dǎo)電圖案部，其中，相對于從所述第一波形表面和所述第二波形表面去除形成在所述第二波形表面上的所述層壓膜，保留形成在所述第一波形表面上的所述層壓膜， 其中，所述第一波形表面和所述第二波形表面滿足以下關(guān)系O ≤ (Aml/ λ ml) < (Am2/ λ m2)≤ I. 8 這里，Aml :所述第一波形表面中振動的平均寬度，Am2 :所述第二波形表面中振動的平均寬度，λ ml :所述第一波形表面的平均波長，λ m2:所述第二波形表面的平均波長。
全文摘要
本發(fā)明涉及導(dǎo)電元件及其制造方法、配線元件、信息輸入裝置。導(dǎo)電元件包括基板，具有第一波形表面和第二波形表面；以及層壓膜，形成在第一波形表面上并且兩層或多層層壓，層壓膜形成導(dǎo)電圖案，并且第一波形表面和第二波形表面滿足以下關(guān)系0≤(Am1/λm1)＜(Am2/λm2)≤1.8這里，Am1第一波形表面中振動的平均寬度，Am2第二波形表面中振動的平均寬度，λm1第一波形表面的平均波長，Am2第二波形表面的平均波長。
文檔編號G02F1/167GK102630125SQ20121002667
公開日2012年8月8日 申請日期2012年2月7日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月7日
發(fā)明者林部和彌, 梶谷俊一 申請人:索尼公司