專利名稱：光學成像的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種用于對基板進行光學成像的方法和設備。更具體地，本發(fā)明涉及一種用于對基板(諸如覆蓋有液體可固化光聚合物的薄板(web ))進行光學成像(例如，直接地)的方法和設備，其中，相對于基板對可旋轉(zhuǎn)光學工具(phototool)進行按壓和旋轉(zhuǎn)以創(chuàng)建用于形成適合于形成電路(諸如，用于印刷電路板(PCB )、平板顯示器和柔性電路)的圖像的成像基板。本發(fā)明還涉及一種用于對焊接掩模(solder mask)的至少一部分進行成像和曝光的方法和設備。更具體地，本發(fā)明涉及一種用于使用濕可固化光聚合物對諸如印刷電路板(PCB)的基板上的焊接掩模的至少一部分進行成像和曝光的方法和設備，其中，此后可在焊接掩模上方的區(qū)域發(fā)生成像處理。
背景技術：
盡管本領域中存在用于產(chǎn)生適合于形成諸如PCB的電路的細線的現(xiàn)有技術，但是這些技術中的許多技術具有多個顯著缺點。例如，許多先前的技術具有差的分辨率。另外，不能提供高分辨率的技術通常需要復雜的設備。另一問題在于先前的技術需要使用通常在聚酯(例如，Mylar (聚酯薄膜))膜上被支撐的干燥光聚合物膜。這些干燥膜的厚度對光學成像表面的分辨率和/或清晰度具有不利影響，這是由于其允許在光學成像處理期間發(fā)生不期望的底切(undercutting) (B卩，遮光)。還存在當將局部固化的干燥膜粘附到基板時的問題以及再次引起光學成像處理中的問題的污染問題。當大量使用時，干燥膜也是昂貴的。在US4，888，270和US4，954，421中描述了這樣的系統(tǒng)，其通過引用合并于此。目前，對于印刷電路成像的市場可被識別為具有兩種分開類型的光刻膠:(I)濕光刻膠，其通過多種手段而被涂覆在面板上，然后利用熱空氣進行預干燥以驅(qū)除溶劑。這剩下了可使用UV光進行光學成像的“干燥”表面。用于濕光刻膠的原材料是便宜的，但是處理成本(熱等)基本上增加到使用濕光刻膠的總體成本。

(2)干燥膜光刻膠，其開始作為被預干燥且被夾在兩個保護膜層之間而提供的液體涂層。用戶使用熱和壓力將干燥膜層壓在銅板上。在該處理中，移除了保護膜，這需要勞動力并且呈現(xiàn)出需要處理的填埋(landfill)問題。在現(xiàn)有技術中，通過光刻或通過激光直接成像(LDI)、使用UV光對濕光刻膠和干燥膜光刻膠進行曝光。今天，在印刷工業(yè)中對UV固化墨的使用在增長。這是由于從環(huán)保的立場來看，溶劑的避免是有吸引力的。在濕墨被印刷在移動的材料薄板之后立即使用諸如水銀放電燈的高功率燈來固化濕墨已成為習慣。然而，這樣的燈消耗大量的電力，產(chǎn)生顯著量的不期望熱并且還產(chǎn)生需要提取的臭氧。盡管這些類型的燈消耗了大量的功率，但是可用UV能量的量是總體輸出的小百分比。相比之下，與填充水銀鹵素的管子相比，UV LED具有較高的UV輸出百分比。它們沒有產(chǎn)生臭氧并且散熱是最小的，并且它們不需要大體積的管道。另外，由于當水銀鹵素燈被切斷然后再次接通時，水銀鹵素燈不會立即再點亮，因此即使線路可能已由于某種原因而停止，它們也可以依賴于部分功率而保持運行。由于來自水銀鹵素燈的輸出通常需要受制于變得非常熱的光閥，因此這還涉及熱管理。再者，使用具有或多或少的即刻啟動的LED節(jié)省了待機時的功率浪費，并且用于LED的總體電力是用于傳統(tǒng)水銀鹵素燈的電力的一小部分。LED的一個弱點在于，它們產(chǎn)生顯著較低的總體UV功率水平，但是它們高效地進行工作。這意味著試圖使用LED用于固化的打印機通常將需要較慢地運行其線路以允許有較長的時間用于對墨進行固化。關于慢固化的一個原因是稱為氧抑制的現(xiàn)象，從而在固化表面處的空氣的存在干擾了在UV光下墨進行固化的趨勢。為了避免該問題，一些打印機在固化區(qū)域中建立惰性氣體(例如，氮)的環(huán)境，這有效地防止氧干擾該處理。這是用于實現(xiàn)目的的昂貴手段。在此還參考通過引用合并于此的W02010/007405，其涉及使用與現(xiàn)有技術的光刻膠不同的光刻膠，在于該光刻膠由100%的固體構成，因此在相關處理中不涉及溶劑。在該處理中，將墨涂覆在面板上，但是在成像之前不對墨進行預干燥而是夾在純凈膜層的下方。在曝光于UV光期間，光刻膠僅在曝光的區(qū)域中硬化。在成像之后，剝離保護聚酯以再使用，并且從面板上洗刷掉未曝光的(液體)光刻膠。W02010/007405中的光刻膠也可以使用光刻或激光直接成像(LDI)來曝光。W02010/007405還單獨地涉及使用固定的且不可旋轉(zhuǎn)的光學工具。印刷電路板(PCB)的外表面通常涂覆有保護絕緣層，該保護絕緣層通過將其限制于特定區(qū)域(諸如電部件或焊盤)而輔助焊接。隨著部件和電路尺寸減小，對于焊接掩模的精確對準的需要變得越來越重要。需要使用激光直接成像(LDI)來應用相同的成像精度。然而，焊接掩?？赡苁窍鄬竦?例如，75微米)，因此使用激光器的曝光是緩慢的作業(yè)。由于購買和操作激光器是昂貴的，因此制造公司的主要商業(yè)決定是進行該額外投資。

在此還參考通過引用合并于此的W02010/007045，其涉及使用與現(xiàn)有方法不同的光聚合物，在于該光聚合物由100%的固體構成，因此在相關處理中不涉及溶劑。在W02010/007405中，將墨涂覆到面板上但是在成像之前不對墨進行預干燥而是夾在聚酯或其它UV透射材料層的下方。在曝光于UV光期間，光聚合物僅在曝光區(qū)域中硬化。在成像之后，剝離保護聚酯以再使用并且洗刷掉未曝光的(液體)光聚合物。W02010/007405中的光聚合物也可以使用光刻或激光直接成像(LDI)來曝光。W02010/007405還單獨地涉及使用光學工具對光聚合物進行曝光。本發(fā)明的至少一個方面的目的是避免或緩解上述問題中的至少一個或多個。本發(fā)明的至少一個方面的另一目的是提供用于對表面進行光學成像的改進方法。本發(fā)明的至少一個方面的又一目的是提供用于產(chǎn)生具有高分辨率和小軌跡寬度(即，細線)的電路的成本節(jié)約方法。本發(fā)明的至少一個方面的另一目的是提供用于產(chǎn)生適合于PCB、平板顯示器和柔性電路的高密度電路的成本節(jié)約方法。本發(fā)明的至少一個方面的另一目的是提供用于在大面積范圍內(nèi)以高分辨率和小軌跡寬度對表面進行光學成像的改進方法。本發(fā)明的至少一個方面的另一目的是提供用于對焊接掩模的至少一部分進行曝光的改進方法。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種用于對基板進行光學成像的方法，所述方法包括:設置基板；將液體光聚合物沉積到基板的至少一部分上以在基板上形成液體光聚合物層；設置可旋轉(zhuǎn)光學工具；以及相對于基板上的液體光聚合物膜旋轉(zhuǎn)光學工具；其中，在基板上形成固化光聚合物的成像圖案。本發(fā)明因此涉及使用可旋轉(zhuǎn)光學工具來通過相對于基板上的液體光聚合物膜按壓和旋轉(zhuǎn)光學工具對基板進行成像。因此可相對于光學工具對基板上的液體濕光聚合物膜進行局部卷繞和旋轉(zhuǎn)，這具有消除或移除液體光聚合物膜與通過其傳送輻射的光學工具之間的任何空氣(包括氧)的效果。在該光學成像處理中，在實際的成像處理之前也不存在預干燥，這與現(xiàn)有技術的處理是相對的。改進的光學成像處理基于如下原理:其中，在成像之前不對液體光聚合物(即，可以成像和固化的可印刷墨)進行預干燥，并且使用允許使用卷對卷(reel to reel)連續(xù)處理的可旋轉(zhuǎn)處理。光聚合物被成像的部分被硬化，然后可以用于形成電路。然后可以洗刷掉未曝光的仍為液體形式的光聚合物?；蹇梢允潜“宓男问?，并且可例如包括由諸如聚酯(例如，Melinex，商標)、聚酰亞胺(例如，Kapton,商標)和聚碳酸酯(例如,Lexan,商標)的塑料材料制成的電介質(zhì)或非金屬層(例如，膜)?；蹇?以是柔性的以允許發(fā)生卷對卷處理。在塑料材料的頂部，可存在可以是覆層形式的其它層。覆層可由諸如銅、銀、金等的傳導材料或者諸如Η)ΕΤ、ΙΤ0(氧化銦錫)或石墨烯(Graphene)的傳導聚合物構成?？墒褂萌魏芜m當?shù)募夹g(例如，富瑞凸版印刷(flexo)棍/絲網(wǎng)印刷(screen)棍/凸版印刷(letterpress)棍/凹版印刷(gravure)棍)來沉積液體光聚合物,諸如使用包括涂料輥和控制液體光聚合物沉積速率的可選的刮墨刀的輥單元。然而，可使用任何其它方法(諸如使用噴射、涂刷、輥和/或浸涂系統(tǒng))來沉積液體光聚合物。在施加液體光聚合物之前，可使用接觸清潔處理來清潔基板，以從基板的表面移除碎片和/或污染物。液體光聚合物可由100%的固體構成并且不包含溶劑。通常，可以以根據(jù)任意以下的厚度來沉積液體光聚合物:小于或等于大約150 μ m ;小于或等于大約125 μ m ;小于或等于大約100 μ m ;小于或等于大約75 μ m ;小于或等于大約50 μ m ;小于或等于大約25 μ m ;小于或等于大約10 μ m ;小于或等于大約5 μ m ;小于或等于大約I μ m ;小于或等于大約0.5 μ m或者小于或等于大約0.1 μ m。替選地，可以以任意以下范圍中的厚度來沉積液體光聚合物:大約177μπι至大約0.1ym;大約125μπι至大約0.1 μ m ;大約100 μ m至大約0.1 μ m ;大約75 μ m至大約0.1 μ m ;大約50 μ m至大約0.1 μ m ;大約25 μ m至大約0.1 μ m或者大約10 μ m至大約0.1 μ m。優(yōu)選地,液體光聚合物可具有大約5微米的厚度。薄液體光聚合物膜的使用允許在光學成像處理中使用低強度輻射(例如，UV光)。
可使用一連串輥相對于可旋轉(zhuǎn)光學工具的外表面來按壓和旋轉(zhuǎn)涂覆有液體光聚合物的基板?？尚D(zhuǎn)光學工具可以是旋轉(zhuǎn)鼓的形式。光學工具在每次回轉(zhuǎn)時建立圖像，因此可以連續(xù)方式工作?；迳系囊后w光聚合物的旋轉(zhuǎn)和按壓具有移除相對于液體光聚合物按壓的光學工具的部分之間的任何空氣(因此氧)的特定優(yōu)點。這改進了成像處理并且允許發(fā)生連續(xù)處理。可旋轉(zhuǎn)光學工具可包括純凈的并且特別地UV透射/半透射的管狀結構，其可由例如玻璃(例如，派熱克斯玻璃)、石英或任何其它適當?shù)腢V透射/半透射材料制成。在光學工具的中心(或基本上中心)處，可存在能夠例如在內(nèi)部光擋板的限制內(nèi)發(fā)出UV光的UV光源。UV光源可以是UV燈或優(yōu)選地是LED (例如，LED陣列)。也可使用任何其它類型的輻射。可使用在UV透射/半透射管狀結構附近的張緊器來張緊光學工具。光學工具的外表面可涂覆有保護泥釉涂層(slip coat)以防止一旦固化墨粘到光學工具的表面。通常，光學工具可以是可以以饋入基板的速度旋轉(zhuǎn)的可旋轉(zhuǎn)鼓，從而不會使得印刷圖像失真。在基板與旋轉(zhuǎn)光學工具接觸的短時間內(nèi)使得墨(即，液體光聚合物)固化。液體濕光聚合物因此可由UV光源來成像。UV輻射可具有大約200至400nm (例如，大約395nm)的波長，并且可具有與對曝光的液體光聚合物層進行固化匹配的強度。光學成像處理是極快的，這是由于在液體光聚合物層的下方?jīng)]有存有空氣和氧。特別優(yōu)選的UV光源可以是UVLED，這是由于它們產(chǎn)生非常小量的熱，具有長工作壽命，立即啟動，基本上沒有功率輸出衰落，具有低維護性并且可以產(chǎn)生高水平的UV光強度。因此，在根據(jù)本發(fā)明的便宜光學成像處理中，LED可用于印刷細線。替選光源可以是激光光源。在固化之后，然后基板可通過輥并且被輸送到例如顯影單元。在本發(fā)明的特定實施例中，可對輻射進行校準以改進光學成像處理的質(zhì)量和/或分辨率和/或清晰度。

基板可具有固化的圖像和殘留濕涂層(S卩，沒有利用UV光成像的區(qū)域)。在光學成像處理之后，可經(jīng)由洗刷過程使用例如堿溶液來移除尚未曝光于UV輻射的液體光聚合物。然后，可使用標準的化學蝕刻處理。例如，可使用酸或堿來產(chǎn)生具有覆有由聚合光聚合物覆蓋的所需金屬(例如，銅)電路的電介質(zhì)基板。然后可以移除聚合光聚合物以產(chǎn)生具有所需的導電電路的基板。如本發(fā)明中所述的設備也可以完全包含在迷你干凈空間中，這因此提供了光學成像處理中的顯著成本節(jié)約。使用如本發(fā)明中所述的方法，獲得適合于電路的高清細線。細線具有任意以下寬度:小于或等于大約200 μ m ;小于或等于大約150 μ m ;小于或等于大約140 μ m ;小于或等于大約130 μπι;小于或等于大約120 μπι;小于或等于大約110 μπι;小于或等于大約100 μ m ;小于或等于大約90 μ m ;小于或等于大約80 μ m ;小于或等于大約75 μ m ;小于或等于大約70 μ m ;小于或等于大約60 μ m ;小于或等于大約50 μ m ;小于或等于大約40 μ m ;小于或等于大約30 μ m ;小于或等于大約20 μ m ;小于或等于大約10 μ m ;或者小于或等于大約5μηι。替選地,細線可具有任意以下寬度:大于大約200 μ m ;大于大約150 μ m ;大于大約100 μ m ;大于大約75 μ m ;大于大約50 μ m ;大于大約20 μ m ;或者大于大約10 μ m。替選地，細線可具有任意以下寬度:大約0.1至200 μ m ;大約I至150 μ m ;大約I至IOOym ;大約20至100 μ m或者大約5至75 μ m。
本發(fā)明中的處理可用于形成多種電子部件，這些電子部件包括適合于電子市場的印刷電路板(PCB)、平板顯示器和柔性電路的電子部件。該方法還可包括多個涂覆頭和旋轉(zhuǎn)鼓。本發(fā)明因此涉及一種對覆蓋有液體可固化光聚合物(S卩，濕光刻膠)的基板進行光學成像的方法，其中，光學成像基板可用于形成諸如PCB、平板顯示器和柔性電路(例如，LCDTV)的電子電路。本發(fā)明還可涉及在電介質(zhì)上形成傳導圖像。與許多現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明因此涉及使用濕膜而不是昂貴的干燥膜(諸如Riston (商標))。與濕膜的使用相比，干燥膜是相當貴的。濕膜的使用還克服了對干燥膜進行預干燥的需要，因此導致完全可控的處理。使用如本發(fā)明中所述的方法，可獲得適合于電路的高清細線。細線可具有任意以下寬度:小于或等于大約200 μπι;小于或等于大約150 μπι;小于或等于大約140 μπι;小于或等于大約130 μπι;小于或等于大約120 μπι;小于或等于大約110 μπι;小于或等于大約100 μ m ;小于或等于大約90 μ m ;小于或等于大約80 μ m ;小于或等于大約75 μ m ;小于或等于大約70 μ m ;小于或等于大約60 μ m ;小于或等于大約50 μ m ;小于或等于大約40 μ m ;小于或等于大約30 μ m ;小于或等于大約20 μ m ;小于或等于大約10 μ m ;或者小于或等于大約5 μ m。替選地,細線可具有任意以下寬度:大約0.1至200 μ m ;大約I至150 μ m ;大約I至100 μ m;大約20至100 μ m或者大約5至75 μ m。細線可用在PCB和其它電部件(諸如平面屏幕顯示器)中。本發(fā)明的方法可具有增加的優(yōu)點，在于所有的步驟(諸如液體光聚合物的沉積和光學成像)可通過設備發(fā)生一遍。這種單步驟處理因此增加了通過設備的光學成像基板的吞吐，并且還提供了易于控制和監(jiān)視的設備。本發(fā)明的設 備具有多個優(yōu)點，諸如:(a)取代水銀鹵素燈的LED的使用節(jié)省了大量的功率并且顯著地減少了熱輸出。LED是更緊湊的并且具有即時啟動。(b)該設備允許裝配的生產(chǎn)線速度增加多倍，從而改善了生產(chǎn)輸出。LED系統(tǒng)的效率可以增加可能的倍率10。這允許在先前輸出過低以致無法以合理的生產(chǎn)線速度實現(xiàn)固化的情況下使用LED。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了根據(jù)第一方面形成的光學成像基板。光學成像基板可用于形成光學成像電路。通常，光學成像電路可以是可用在例如PCB、平板顯示器和柔性電路的制造中的電路。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提供了一種用于對基板進行成像的方法，所述方法包括:設置基板；將液體濕光聚合物沉積到基板的至少一部分上以在基板上形成液體濕光聚合物
膜層；將保護膜施加到基板上的液體濕光聚合物膜層上；使用直接成像單元；以及通過保護膜將來自直接成像單元的輻射直接施加到液體濕光聚合物上；其中，在基板上形成固化光聚合物的成像圖案。
本發(fā)明因此涉及一種用于對覆蓋有濕可固化光聚合物(即，濕光刻膠)的基板進行光學成像的方法，其中，光學成像基板可用于形成諸如PCB、平板顯示器和柔性電路的電路。本發(fā)明還可涉及在電介質(zhì)上形成電介質(zhì)圖像。與許多現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明因此涉及100%固體濕膜而不是諸如Riston (商標)的昂貴干燥膜的使用。與濕膜的使用相比，干燥膜是相當昂貴的。100%固體濕膜的使用還克服了對濕膜進行預先干燥的需要，因此導致完全可控的處理。在本發(fā)明中，在利用例如UV輻射對濕光聚合物膜進行成像和照射之前不存在預干燥步驟。這與在照射發(fā)生之前對濕膜進行預干燥的現(xiàn)有技術完全相反。通常，本發(fā)明在于提供改進的光學成像處理，其中，使用直接成像并且不需要光學工具。在液體濕光刻膠(即，可以被成像和固化的可印刷墨)上發(fā)生的實際成像處理之前也沒有預干燥步驟。基板可以是任意柔性材料并且可由諸如銅、銀、金等的傳導金屬或者諸如roET、ITO或石墨烯的傳導聚合物制成。替選地，基板可由非金屬材料或電介質(zhì)材料制成。在可選實施例中，基板可包括覆層，該覆層可包括傳導材料或由傳導材料構成?；蹇删哂斜怀练e到基板的一側(cè)或兩側(cè)上的液體濕光聚合物。在基板的兩側(cè)存在液體濕光聚合物的實施例中，然后還將保護膜沉積到兩個液體濕光聚合物層上。液體濕光聚合物被沉積并且保持為濕形式(即，可流動形式)直至成像。液體光聚合物的化學特性可與所需的固化特性匹配。直接利用一個或兩個直接成像單元(B卩，不使用光學工具)對基板的一側(cè)或兩側(cè)上的液體濕光聚合物進行成像。因此，使用任意適當?shù)墓獬上裱b置(例如，激光直接成像(LDI)單元)或任意其它適當?shù)臄?shù)字光成像裝置、利用直接寫入處理來對液體濕光聚合物進行成像。通常，可使用UV光。液體濕光聚合物的被成像的部分被硬化，然后可用于形成例如電路。一旦發(fā)生了成像，則可移除基板的一側(cè)或兩側(cè)上的保護膜。未曝光的光聚合物保持為液體形式并且可在洗刷處理中被洗刷掉。因此，能夠使用該處理對基板的一側(cè)或兩側(cè)同時進行成像。在直接寫入處理中的液體濕光聚合物的成像之前并且在將一個或多個膜沉積到液體濕光聚合物上之后，可存在中間處理，在該中間處理發(fā)生固化處理，該固化處理在未固化的液體濕光聚合物的區(qū)域附近形成固化光聚合物的框、邊和/或周界。未固化的液體濕光聚合物因此可被密封在外部的固化光聚合物的框(例如，類似于圖片框)內(nèi)以形成密封面板。在密封處理期間，可將保護膜密封到固化光聚合物并且該保護膜可與未固化的液體濕光聚合物相鄰且鄰接。這防止了液體濕光聚合物與保護膜之間的任何空氣和氧。密封區(qū)域可以是大約12至15_。密封面板可以是諸如單個移動面板(例如，封裝)的單個離散單元、或者是可以使用提供密封封裝的連續(xù)卷純凈膜(例如，聚合物膜)和以輸送器樣式移動面板的方法而形成的一連串密封面板。因此，可使用任何適當?shù)妮椛湓?例如，UV輻射源)在預曝光階段期間形成固化光聚合物的密封框、邊和/或周界，該輻射源能夠固化液體濕光聚合物并且形成未固化的液體濕光聚合物的包( pocket)。發(fā)光二極管(LED)可用于形成固化光聚合物的密封框、邊和/或周界。在該預曝光階段期間，可通過例如聚酯的純凈(或基本上純凈)膜層來將基板支撐在上表面和下表面上?？梢源蠹s0.5至2mJ并且通常為大約I至2mJ或者更具體地為大約1.SmJ的低功率來對面板的中心區(qū)域中的未固化濕液體光聚合物進行成像。薄濕液體光聚合物膜的使用允許在光學成像處理中使用低強度輻射(例如，UV光)。用于對濕液體光聚合物進行固化的輻射可以是對液體光聚合物進行固化的任意適當輻射。在特定實施例中，UV輻射可用于對曝光的液體(例如，濕)光聚合物進行聚合和/或硬化和/或設置。UV輻射可具有大約200至400nm的波長，并且可具有與對所使用的光聚合物進行固化匹配的強度(例如，大約395nm)。特別優(yōu)選的UV光源可以是UV LED，這是由于它們產(chǎn)生非常小量的熱，具有長的燈壽命，立即啟動，基本上沒有功率輸出的衰落，具有低維護性并且可以產(chǎn)生高水平的光強度。因此，LED可用于在根據(jù)本發(fā)明的便宜光學成像處理中印刷細線。替選光源可以是激光光源。在本發(fā)明的特定實施例中，可對輻射進行校準以改進光學成像處理的質(zhì)量和/或分辨率和/或清晰度。在成像之后，可在諸如碳酸鹽溶液的顯影溶液中對圖像進行顯影。然后，可使用卷繞處理移除膜層，然后可洗刷掉尚未被成像和硬化的濕光聚合物。可使用任意適當?shù)募夹g將濕液體光聚合物沉積到基板的第一和第二側(cè)中的僅一個或兩者。本發(fā)明因此 可涉及在例如前后對準中的單面或雙面曝光?？墒褂萌我膺m當?shù)募夹g以基本上均勻且連續(xù)的方式來沉積濕液體光聚合物。例如，可使用噴射、涂刷、輥和/或浸涂系統(tǒng)來沉積濕液體光聚合物層。優(yōu)選地，可使用一連串輥以及控制所沉積的濕液體光聚合物層的厚度的可選的刮墨刀來沉積濕液體光聚合物。在施加濕液體光聚合物之前，可使用接觸清潔處理來清潔基板，以從基板的表面移除殘片和/或污染物。濕液體光聚合物可由100%的固體構成并且不包含溶劑。通常，可以以根據(jù)任意以下的厚度來沉積濕液體光聚合物:小于或等于大約150 μ m ;小于或等于大約125 μ m ;小于或等于大約100 μ m ;小于或等于大約75 μ m ;小于或等于大約50 μ m ;小于或等于大約25 μ m ;小于或等于大約10 μ m ;小于或等于大約5 μ m ;小于或等于大約I μ m ;小于或等于大約0.5 μ m或者小于或等于大約0.1 μ m。替選地，可以以任意以下范圍中的厚度來沉積液體光聚合物:大約177 ym至大約0.1ym;大約125μπι至大約0.1 μ m ;大約100 μπι至大約0.Ιμπι;大約75μηι至大約0.Ιμπι;大約50μηι至大約0.1 μ m ;大約25 μ m至大約0.1 μ m或者大約10 μ m至大約0.1 μ m。優(yōu)選地,濕液體光聚合物可具有大約5微米的厚度。薄液體光聚合物膜的使用允許在光學成像處理中使用低強度輻射(例如，UV光)。膜可以是任何適當?shù)腢V透射材料，但是特別地，可由可以是光學上或基本上光學上純凈的聚酯制成。膜還可包括保護涂層以輔助耐化學性、脫離固化光聚合物以及免除由過度濕度水平弓I起的尺寸改變。本發(fā)明中的處理可用于形成多種電子部件，這些電子部件包括印刷電路板(PCB)、平板顯示器和柔性電路的電子部件。本發(fā)明的直接成像處理因此可使用UV透射光學純凈膜來將未固化的液體濕光聚合物設置在要成像的面板上方的固化框內(nèi)。與標準的光聚合物相比，本發(fā)明中的曝光是非?？斓牟⑶沂褂玫退降腢V能量。現(xiàn)有技術的標準光刻膠(包括其它可成像層，如焊接掩模)需要通常為50至SOmJ的能量的曝光以完成固化(交聯(lián))。已利用低至SmJ的曝光要求對一些昂貴的干燥膜進行了顯影。相比之下，可以僅利用大約1.SmJ的UV能量來對本發(fā)明的液體濕光聚合物進行曝光。需要在來自直接成像單元(例如，激光直接成像單元)的改進生產(chǎn)力方面來理解該意義。直接成像處理的使用還允許對打算要成像的面板進行小調(diào)整以稍微進行移動，使得所有成像面板完全相同而沒有由光學工具中的基部基板的拉伸而引起的變形。這利用標準的平版印刷系統(tǒng)無法實現(xiàn)。本發(fā)明的方法也可自包含在迷你干凈空間中，由于不需要大的工業(yè)干凈空間，因此這提供了光學成像處理中的顯著成本節(jié)約。使用如本發(fā)明中所述的方法，可獲得適合于電路的高清細線。細線可具有任意以下寬度:小于或等于大約200 μπι;小于或等于大約150 μπι;小于或等于大約140 μπι;小于或等于大約130 μπι;小于或等于大約120 μπι;小于或等于大約110 μπι;小于或等于大約100 μ m ;小于或等于大約90 μ m ;小于或等于大約80 μ m ;小于或等于大約75 μ m ;小于或等于大約70 μ m ;小于或等于大約60 μ m ;小于或等于大約50 μ m ;小于或等于大約40 μ m ;小于或等于大約30 μ m ;小 于或等于大約20 μ m ;小于或等于大約10 μ m ;或者小于或等于大約5 μ m。替選地,細線可具有任意以下寬度:大約0.1至200 μ m ;大約I至150 μ m ;大約I至100 μ m ;大約20至100 μ m或者大約5至75 μ m。細線可用在PCB和諸如平面屏幕顯示器的其它電部件中。本發(fā)明的方法可具有增加的優(yōu)點，在于，諸如液體光聚合物的沉積以及膜的沉積和移除的所有步驟都可通過設備發(fā)生一遍。例如，使用一連串輥將液體光聚合物沉積在基板的至少一側(cè)或兩側(cè)上、使用另外一連串輥沉積和移除膜以及將輻射施加到液體光聚合物以固化光聚合物層都可通過本發(fā)明的光學成像設備發(fā)生一遍。這種單步驟處理因此增加了通過設備的光學成像基板的吞吐，并且還提供了易于控制和監(jiān)視的設備。本發(fā)明因此基于多個獨特特征:1.在保護純凈覆蓋(例如，膜)下對濕光聚合物進行曝光。2.使用利用與稍后將用于成像的相同的濕光聚合物而創(chuàng)建的密封邊；3.借助于也兼作被曝光的封裝的一部分的純凈膜載體(例如，聚酯膜)來運送面板。本發(fā)明的處理還允許連續(xù)處理(對于效率來說是期望的)，而現(xiàn)有的方法包括分段式的制造步驟。本發(fā)明還具有多個優(yōu)點:1.由于沒有用于對光聚合物進行預干燥的熱，因此有大的能量節(jié)約。2.由于膜保護而使得光聚合物的表面處的氧被除去，因此曝光更快。這導致在通常緩慢循環(huán)的直接成像單元(例如，激光直接成像(LDI)單元)中非?？焖俚耐掏?。激光直接成像(LDI)單元成本大約為￡500k- ￡lm，并且花費在激光直接成像單元上的時間成本較聞。3.與昂貴的干燥膜相比，使用液體光聚合物節(jié)約了成本。4.由于液體光聚合物較薄(大約5微米)，因此可以印刷極其細微的細節(jié)。由于以較低功率(但是較快的速度)工作提高了圖像的精度，因此這促進了激光成像。
根據(jù)本發(fā)明的第四方面，提供了根據(jù)第一方面形成的光學成像基板。光學成像基板可用于形成光學成像電路。通常，光學成像電路可以是可用在例如PCB、平板顯示器和柔性電路的制造中的電路。根據(jù)本發(fā)明的第五方面，提供了用于對基板進行光學成像的設備，所述設備包括:能夠?qū)⒁后w濕光聚合物沉積到基板的表面上以形成液體濕光聚合物膜的裝置；能夠?qū)⒈Ｗo膜遞送到液體濕光聚合物膜上的裝置；直接成像單元，能夠通過保護膜將輻射施加到液體濕光聚合物上并且在基板上形成固化光聚合物的成像圖案。光學成像處理可如第一方面所定義的那樣。能夠?qū)⒁后w濕光聚合物沉積到基板的表面上以形成液體濕光聚合物膜的裝置可為一連串輥以及控制光聚合物沉積速率的可選的刮墨刀的形式。膜可經(jīng)由一連串輥來沉積。直接成像單元可以是激光直接成像(LDI)單元或任意其它適當?shù)臄?shù)字光成像裝置。在曝光之后，可使用另外一連串輥移除膜。

該設備還可包括用于執(zhí)行固化步驟的預曝光輻射單元，該固化步驟在未固化的液體濕光聚合物的區(qū)域附近形成固化光聚合物的框、邊和/或周界。預曝光輻射單元可包括發(fā)光二極管(LED)。該設備還可為卷對卷處理的形式，在該卷對卷處理中，以卷的形式遞送膜，展開該膜以建立液體濕光聚合物被沉積到其上的薄板，然后使用UV輻射進行成像。然后，該薄板繼續(xù)到達顯影單元以洗刷掉未固化的濕光聚合物，然后在被干燥之前到達清洗站(rinsestation),并且被帶到重繞站(rewind station)以重新形成為適合于用在任何隨后的處理中的卷。根據(jù)本發(fā)明的第六方面，提供了用于對基板進行光學成像的設備，所述設備包括:能夠?qū)⒁后w光聚合物沉積到基板的表面上以形成液體光聚合物膜的裝置；能夠允許將輻射傳送到基板上的液體光聚合物的可旋轉(zhuǎn)光學工具；能夠輸送包括相對于可旋轉(zhuǎn)光學工具按壓的液體光聚合物膜的基板的輸送裝置；其中，固化光聚合物的成像圖案形成在基板上。光學成像方法可如第一方面所定義的那樣。能夠?qū)⒁后w光聚合物沉積到基板的表面上以形成液體光聚合物膜的裝置可為一連串輥以及控制沉積的膜重量的可選的刮墨刀的形式。在處理期間，可相對于輸送的基板而按壓和旋轉(zhuǎn)可旋轉(zhuǎn)光學工具。該設備還可為卷對卷處理的形式，在該卷對卷處理中，以卷的形式遞送基板，對液體光聚合物進行沉積然后進行成像，然后以卷形式移除成像基板。根據(jù)本發(fā)明的第七方面，提供了一種用于成像的方法，所述方法包括:
設置具有曝光表面的基板；將電部件布置在基板的曝光表面上；利用焊接掩模層覆蓋基板的曝光表面和基板的曝光表面上的電部件；將液體濕光聚合物沉積到焊接掩模層上以形成液體濕光聚合物膜層；將UV透射或基本上UV透射的保護膜施加到液體濕光聚合物膜層上；設置第一成像單元；通過保護膜將來自第一成像單元的輻射施加到位于電部件上方或基本上位于電部件上方的液體濕光聚合物的區(qū)域上，其中，液體濕光聚合物的曝光區(qū)域被固化和硬化；移除保護膜；移除液體濕光聚合物膜的仍未固化的未曝光區(qū)域；施加來自第二成像單元的另外輻射，該第二成像單元對焊接掩模的未被液體濕光聚合物的固化部分覆蓋的且用作光掩模的部分進行固化；以及然后移除用作光掩模的固化且硬化的濕聚合物連同焊接掩模的未固化部分，該焊接掩模的未固化部分在固化且硬化的濕聚合物下方，被保護免于UV固化的第2階段；其中，能夠形成位于電部件上方或基本上位于電部件上方的通道或跡線。本發(fā)明因此涉及在首先使用液體濕可固化光聚合物來涂覆焊接掩模之后對基板(例如，印刷電路板)上的焊接掩模的一部分進行曝光的方法，其中，成像處理發(fā)生在焊接掩模上方的區(qū)域上。特別地，本發(fā)明在于提供了一種改進的成像處理，其中，使用第一成像階段(例如，利用激光直接成像單元)來遮掩印刷電路板(PCB)上的焊接掩模的至少一部分，其中，對濕液體光聚合物層進行固化以在焊接掩模的頂部創(chuàng)建圖像，此后，使用第二成像階段，將固化的液體光聚合物用作光掩模來產(chǎn)生焊接掩模本身中的圖像。本發(fā)明因此依賴于將濕液體光聚合物層沉積在焊接掩模層的頂部，然后對濕液體光聚合物層進行初始成像以創(chuàng)建光掩模，其中，然后可以利用第二成像階段對下方的焊接掩模進行成像?；蹇梢允怯∷㈦娐钒?。替選地，基板可以是任意其它平坦結構，其可以是柔性的并且可由諸如銅、銀、金、氧化銦錫(ITO)等的傳導材料制成。替選地，基板可由諸如也稱為PEDT的聚(乙烯二氧酚酊)、聚苯胺、聚吡咯或石墨烯的非金屬材料或電介質(zhì)材料制成。電部件可以是焊盤形式的任意類型的標準電部件?？墒褂萌魏芜m當?shù)氖侄?諸如任何形式的粘附和/或焊接)而將電部件附接到基板。焊接掩?？墒褂萌我膺m當?shù)氖侄?諸如噴射、涂刷、輥和/或浸涂系統(tǒng))來沉積。焊接掩模層優(yōu)選地是連續(xù)的并且可具有大約5 μ m至大約75 μ m的厚度。焊接掩?？捎扇我膺m當?shù)牟牧?諸如可聚合環(huán)氧樹脂液體)制成。可使用任意適當?shù)氖侄?諸如噴射、涂刷、輥和/或浸涂系統(tǒng))來沉積液體濕光聚合物層?？墒褂萌魏芜m當?shù)募夹g以基本上均勻且連續(xù)的方式來沉積濕液體光聚合物。濕液體光聚合物可由100%的固體制成并且不包含溶劑。通常，可以以根據(jù)任意以下的厚度來沉積濕液體光聚合物:小于或等于大約150 μ m ;小于或等于大約125 μ m ;小于或 等于大約100 μ m ;小于或等于大約75 μ m ;小于或等于大約50 μ m ;小于或等于大約25 μ m ;小于或等于大約10 μ m ;小于或等于大約5 μ m ;小于或等于大約I μ m ;小于或等于大約0.5 μ m或者小于或等于大約0.1 μ m。替選地，可以以任意以下范圍中的厚度來沉積濕液體光聚合物:大約177 ym至大約0.1ym;大約125 μ m至大約0.1 μ m ;大約100 μ m至大約0.1 μ m ;大約75 μ m至大約0.1 μ m ;大約50 μ m至大約0.1 μ m ;大約25 μ m至大約0.1 μ m或者大約10 μ m至大約0.1 μ m。優(yōu)選地,濕液體光聚合物可具有大約5微米的厚度。薄濕液體光聚合物的使用允許在光學成像處理中使用低強度輻射(例如，UV光)。UV透射或基本上UV透射的保護膜可以是任意適當?shù)娜嵝阅ぁＤた梢允侨我膺m當?shù)牟牧?，但是特別地，可由可以是UV光學或基本上光學純凈的聚酯制成。替選地，膜可以是UV半透射的。膜還可包括保護涂層，該保護涂層用于輔助化學光聚合物、脫離固化光聚合物以及免除由過度濕度水平引起的尺寸改變。膜移除(B卩，擠出)了可能對光學成像處理不利的、鄰近液體濕光聚合物的任何空氣(包括氧)。在本發(fā)明中，在利用例如UV輻射對濕光聚合物膜進行成像和照射之前也不存在預干燥步驟。這與在成像發(fā)生之前對濕膜進行預干燥的現(xiàn)有技術是完全相對的。通常，本發(fā)明在于提供一種改進的光學成像處理，其中，使用直接成像并且不需要光學工具。在發(fā)生在液體濕光聚合物(即，可以成像和固化的可印刷墨)上的實際成像處理之前也沒有預干燥。第一和第二成像單元可以是例如激光直接成像(LDI)單元的直接成像單元或任意其它適當?shù)臄?shù)字光成像裝置。通常，可使用UV光，但是也可使用可見光或其它波長的電磁輻射。對液體濕光聚合物的由第一成像單元成像的部分進行硬化。用于對濕液體光聚合物進行固化的輻射可以是對液體光聚合物進行固化的任意適當輻射。在特定實施例中，UV輻射可用于對曝光的液體(例如，濕)光聚合物進行聚合和/或硬化和/或設置。UV輻射可具有大約200至400nm的波長，并且可具有與對所使用的光引發(fā)劑進行固化匹配的特定波長(例如，大約254nm或355nm或365nm或375nm或395nm或405nm)。薄濕液體光聚合物膜的使用允許在光學成像處理中使用低強度輻射(例如，UV光)?？衫么蠹s0.5至2mJ并且通常為大約I至2mJ的低功率來 對液體濕光聚合物進行成像和固化。在來自第一成像單元的成像之后，可利用諸如剝離的任意手段來移除保護膜?？墒褂美缦此⑦^程來移除濕液體光聚合物膜的仍未固化的未曝光區(qū)域。來自對焊接掩模的未被液體濕光聚合物的固化部分覆蓋的部分進行固化的第二成像單元的另外輻射可以來自諸如UV光源的任意適當光源。在本發(fā)明的特定實施例中，可對輻射進行校準以改進光學成像處理的質(zhì)量和/或分辨率和/或清晰度。UV輻射可具有大約200至400nm的波長。因此，液體濕光聚合物的固化部分可被視為用作光掩模?？山?jīng)由另外的洗刷過程來移除焊接掩模的未固化部分。位于焊盤上方或基本上位于焊盤上方的通道或跡線可為適合于電路的高清晰度細線或管的形式。細線或管可具有任意以下的寬度或直徑:小于或等于大約200 μ m ;小于或等于大約150 μ m ;小于或等于大約140 μ m ;小于或等于大約130 μ m ;小于或等于大約120m ;小于或等于大約110 μ m ;小于或等于大約100 μ m ;小于或等于大約90 μ m ;小于或等于大約80 μ m ;小于或等于大約75 μ m ;小于或等于大約70 μ m ;小于或等于大約60 μ m ;小于或等于大約50 μ m ;小于或等于大約40 μ m ;小于或等于大約30 μ m ;小于或等于大約20 μπι ;小于或等于大約10 μ m ;或者小于或等于大約5 μ m。替選地，細線或管可具有任意以下的寬度或直徑:大約0.1至200 μ m ;大約I至150 μ m;大約I至IOOym ;大約20至100 μ m或者大約5至75 μ m。細線或管可與PCB和其它電部件結合使用。
本發(fā)明的方法也可自包含在迷你干凈空間中，由于不需要大的工業(yè)干凈空間，因此這提供了光學成像處理的顯著成本節(jié)約。本發(fā)明因此具有多個優(yōu)點:1.處理可以是沒有操縱因此具有提高的效率的連續(xù)高速處理。2.不需要干凈空間。3.處理在成像單元中使用最小量時間，從而提供了最大利用率。4.顯著的產(chǎn)量提高。5.低功耗。6.由于沒有用于對光聚合物進行預干燥的熱，因此有大的能量節(jié)約。7.由于膜保護而在濕液體光聚合物的表面處的空氣被排除，因此曝光較快速。這導致在通常緩慢循環(huán)的直接成像單元(例如，激光直接成像(LDI)單元)中非常迅速的吞吐。激光直接成像(LDI)單元成本大約為￡500k- ￡lm，并且花費在激光直接成像單元上的時間成本較高。8.與昂貴的干燥膜相比，使用液體光聚合物節(jié)約了成本。9.由于液體光聚合物較薄(大約5微米)，因此可以印刷極其細微的細節(jié)。由于以較低功率(但是較快的速度)工作提高了圖像的精度，因此這促進了激光成像。根據(jù)本發(fā)明的第八方面，提供了根據(jù)第一方面形成的成像基板。

光學成像基板可用于形成光學成像電路。通常，光學成像電路可以是電路。根據(jù)本發(fā)明的第九方面，提供了一種用于成像的設備，所述設備包括:能夠利用焊接掩模層覆蓋基板的曝光表面和基板的曝光表面上的電部件的裝置；能夠?qū)⒁后w濕光聚合物沉積到焊接掩模層上以形成液體濕光聚合物膜層的裝置；能夠?qū)V透射或基本上UV透射的保護膜施加到液體濕光聚合物膜層上的裝置；第一成像單元，能夠通過保護膜將液體濕光聚合物的一部分成像到位于電部件上方或基本上位于電部件上方的聚合物的區(qū)域上，其中，液體濕光聚合物的曝光區(qū)域被固化和硬化；第二成像單元，能夠?qū)附友谀５奈幢灰后w濕光聚合物的固化部分覆蓋的部分進行固化；以及其中，能夠形成位于電部件上方或基本上位于電部件上方的通道或跡線。該設備可用于執(zhí)行如之前所定義的光學成像處理。能夠覆蓋焊接掩模層和液體濕光聚合物的裝置可以是任意適當?shù)难b置，諸如噴射、涂刷、棍和/或浸涂系統(tǒng)。第一和第二成像單元可以是任意適當?shù)腢V光源。優(yōu)選地，成像單元可以是諸如激光直接成像(LDI)單元的直接成像單元或任意其它適當?shù)臄?shù)字光成像裝置。


現(xiàn)在將僅作為示例，參照附圖描述本發(fā)明的實施例，在附圖中:
圖1是根據(jù)本發(fā)明的包括可旋轉(zhuǎn)光學工具的設備的代表性側(cè)視圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的實施例的基板的截面?zhèn)纫晥D；圖3是根據(jù)本發(fā)明的實施例的、其上沉積有濕光聚合物層的、圖2所示的基板的截面?zhèn)纫晥D；圖4是根據(jù)本發(fā)明的實施例的、在光學成像處理中正使用可旋轉(zhuǎn)光學工具的、圖2和3所不的基板的截面?zhèn)纫晥D；圖5是根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的、包括可旋轉(zhuǎn)光學工具的設備的代表性側(cè)視圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明的實施例的、在光學成像處理中正使用可旋轉(zhuǎn)光學工具的、圖5所示的基板的截面?zhèn)纫晥D；圖7是根據(jù)本發(fā)明的實施例的、在預曝光模式下并且準備被成像的基板的截面?zhèn)纫晥D；圖8是預曝光模式下并且準備被成像的圖7所示的基板的頂視圖；圖9是示出 將發(fā)生通過直接激光成像進行的成像的情況的、圖7和8所示的基板的另一頂視圖；圖10是圖7至9所示的以及在處理的在碳酸鹽溶液中對直接寫入的圖像進行顯影的另一階段中的基板的又一頂視圖；圖11根據(jù)本發(fā)明的實施例的卷對卷成像設備的代表性側(cè)視圖；圖12是準備要被成像的并且使用圖11所示的卷對卷成像設備形成的兩個基板的頂視圖；圖13是準備要被成像的并且使用連續(xù)成像設備形成的兩個基板的頂視圖；圖14是根據(jù)本發(fā)明的實施例的印刷電路板(PCB)上的曝光電部件(例如，焊盤)的截面?zhèn)纫晥D；圖15是根據(jù)本發(fā)明的實施例的、沉積有焊接掩模層的、圖14所示的印刷電路板(PCB)的截面?zhèn)纫晥D；圖16是根據(jù)本發(fā)明的實施例的、沉積有濕液體光聚合物層的、圖15所示的印刷電路板(PCB)的截面?zhèn)纫晥D；圖17是根據(jù)本發(fā)明的實施例的、沉積有透明膜層的、圖16所示的印刷電路板(PCB)的截面?zhèn)纫晥D；圖18是根據(jù)本發(fā)明的實施例的、準備要利用激光直接成像單元(LDI)進行曝光的、圖17所示的印刷電路板(PCB)的截面?zhèn)纫晥D；圖19是根據(jù)本發(fā)明的實施例的、在利用激光直接成像單元(LDI)進行曝光之后的、圖18所示的印刷電路板(PCB)的截面?zhèn)纫晥D；圖20是根據(jù)本發(fā)明的實施例的、在來自激光直接成像單元(LDI)的曝光之后利用UV輻射曝光的、圖19所示的印刷電路板(PCB)的截面?zhèn)纫晥D；圖21是根據(jù)本發(fā)明的實施例的、示出了利用激光直接成像單元(LDI)固化的光聚合物用作焊接掩模上的光掩模的、圖20所示的印刷電路板(PCB)的截面?zhèn)纫晥D；以及圖22是根據(jù)本發(fā)明的實施例的、光掩模和未反應的焊接掩模已被剝落的、圖21所示的印刷電路板(PCB)的截面?zhèn)纫晥D。
具體實施例方式一般而言，本發(fā)明在于提供一種使用可旋轉(zhuǎn)光學工具的改進光學成像處理。在本發(fā)明的光學成像處理中，與現(xiàn)有技術的處理相對，在實際的成像處理之前也沒有預干燥。改進的光學成像處理基于如下原理:在成像之前沒有對液體光聚合物(即，可以被成像和固化的可印刷墨)進行預干燥，并且使用允許使用卷對卷連續(xù)處理的可旋轉(zhuǎn)光學工具。光聚合物的被成像的部分被硬化，然后可以用于形成電路。未曝光的光聚合物保持為液體形式，然后可以被洗刷掉。在現(xiàn)有技術中，存在許多由卷對卷生產(chǎn)方法制成的電路。柔性電路本身適合于該方法。逐漸地，對于“印刷電子”市場需要印刷電路的高輸出。卷對卷生產(chǎn)理想地適合于一個零件號(part number)的較長運行(高容量)。使用本發(fā)明的原理,可通過任意裝置(例如，輥涂機)利用液體光聚合物來涂覆材料薄板(例如，具有薄銅層的聚酯膜)、并且通過被固定在干凈旋轉(zhuǎn)鼓外部的光學工具來進行成像，該干凈旋轉(zhuǎn)鼓由輻射源(例如，可以是LED的UV光源)從內(nèi)部照亮。薄板將被保持為與可旋轉(zhuǎn)光學工具緊密接觸，并且該光學工具將隨著鼓的每次回轉(zhuǎn)而產(chǎn)生新曝光的圖像?，F(xiàn)在將在下文參照圖1至4更詳細地描述該處理。圖1表示根據(jù)本發(fā)明的光學成像設備，一般標記為100。圖1示出了點110處的基板(例如，材料薄板)首先從右手側(cè)被全部饋入。圖2是點110處的基板的截面?zhèn)纫晥D。這示出了基板包括第一層150,第一層150可例如是由塑料材料(諸如聚酯(例如,Melinex,商標)、聚酰亞胺(例如，Kapton,商標)和聚碳酸酯(例如，Lexan,商標))制成的電介質(zhì)或非金屬層。在第一層150上方可以是覆層152，覆層152可例如由諸如銅、銀、金等的傳導材料或諸如PDET、ITO或石墨烯的傳導聚合物制成。圖1示出了使用包括輥114的輥涂單元而涂覆有液體光聚合物的基板，輥114具有支撐薄板的加壓輥112。刮墨刀116控制來自輥114的液體光聚合物的沉積速率。輥涂單元113以基本上均勻且連續(xù)的方式來沉積液體光聚合物。然而，可以使用任意其它方法(諸如使用噴射、涂刷、輥和/或浸涂系統(tǒng))來沉積液體光聚合物。圖3是點118處的基板的截面圖并且示出了薄液體光聚合物層156已被沉積到基板上。如圖1所示，基板然后與輥130接觸并且相對于光學工具120的外表面122被滾動。光學工具120圍繞UV透射/半透射管狀結構131而延伸，該UV透射/半透射管狀結構131可由例如玻璃(例如，派熱克斯玻璃)、石英或任意其它適當?shù)腢V透射/半透射材料制成。UV透射/半透射管狀結構131可涂覆有保護/釋放涂層。在UV透射/半透射管狀結構131的中心處，存在在內(nèi)部光擋板126的限制內(nèi)通過光學工具120發(fā)出UV光的UV光源124。使用張緊器121來張緊光學工具120。光學工具120在每次回轉(zhuǎn)期間創(chuàng)建圖像，因此可以用于操作連續(xù)處理。圖4示出了點132處的基板和相對于基板上的薄液體光聚合物層156滾動的光學工具120的成像部160。然后，由UV光源124對基板進行成像。UV輻射具有大約200至400nm的波長，并且具有與對曝光的液體光聚合物層進行固化匹配的強度。由于液體光聚合物層下方?jīng)]有存有空氣因此存有最小量的氧，因此光學成像處理是極快的。在固化之后，基板然后通過輥134，并且在點136處，基板具有固化圖像和殘留的濕涂層(即，沒有利用UV光成像的區(qū)域)。在光學成像處理之后，經(jīng)由洗刷過程使用例如堿溶液來移除尚未曝光于UV輻射的液體光聚合物。 然后可使用標準的化學蝕刻處理。例如，可使用酸或堿來產(chǎn)生覆有由聚合光聚合物覆蓋的所需金屬(例如，銅)電路的電介質(zhì)基板。然后，可以移除聚合光聚合物以產(chǎn)生具有所需的導電電路的基板。如本發(fā)明中所述的設備還可以完全包含在迷你干凈空間中，這因此提供了光學成像處理中的顯著成本節(jié)約。使用如本發(fā)明中所述的方法，獲得適合于電路的高清細線。細線具有任意以下寬度:小于或等于大約200 μπι;小于或等于大約150 μπι;小于或等于大約140 μπι;小于或等于大約130 μ m ;小于或等于大約120m ;小于或等于大約110 μ m ;小于或等于大約100 μ m ;小于或等于大約90 μ m ;小于或等于大約80 μ m ;小于或等于大約75 μ m ;小于或等于大約70 μ m ;小于或等于大約60 μ m ;小于或等于大約50 μ m ;小于或等于大約40 μ m ;小于或等于大約30 μ m ;小于或等于大約20 μ m ;小于或等于大約10 μ m ;或者小于或等于大約5 μ m。替選地,細線具有任意以下寬度:大于大約200 μ m ;大于大約150 μ m ;大于大約IOOym ;大于大約75 μ m ;大于大約50 μ m ;大于大約20 μ m ;或大于大約10 μ m。替選地,細線具有任意以下寬度:大約0.1至200 μ m ;大約I至150 μ m ;大約I至100 μ m ;大約20至100 μ m或者大約5至75 μ m。優(yōu)選地，細線可具有大約5微米的寬度。本發(fā)明中的處理可用于形成多種電子部件，這些電子部件包括適合于在電子市場內(nèi)制造的印刷電路板(PCB)、平板顯示器和柔性電路的電子部件。盡管未示出，但是設備100可包括多個涂覆頭和旋轉(zhuǎn)鼓。圖5是根據(jù)本發(fā)明的另一光學成像設備的表示，一般被標記為200。設備200與圖1所示的設備100類似 ，僅有一些差別。圖5示出了存在從設備200的右手側(cè)饋入的基板210 (例如，材料薄板)。如之前所述，基板210可包括第一層，該第一層可以例如是由塑料材料(諸如聚酯(例如，Melinex,商標)、聚酰亞胺(例如，Kapton,商標)和聚碳酸酯(例如，Lexan，商標))制成的電介質(zhì)或非金屬層。在第一層上方可以是覆層，該覆層可例如由諸如銅、銀、金等的傳導材料或諸如PDET、ITO或石墨烯的傳導聚合物制成。圖5示出了使用包括輥214的輥涂單元213為基板210涂覆液體光聚合物以形成涂覆基板218。與圖1所示的設備100相比，設備200僅具有一個涂布輥214。UV墨槽216控制來自輥214的液體光聚合物的沉積速率。由輥涂單元213以基本上均勻且連續(xù)的方式沉積液體光聚合物。輥214可以是富瑞凸版印刷/絲網(wǎng)印刷/凸版印刷/凹版印刷輥。然而，可以使用任意其它方法(諸如使用噴射、涂刷、輥和/或浸涂系統(tǒng))來沉積液體光聚合物。圖5然后示出了涂覆基板218然后與張力輥230接觸并且相對于光學工具220的外表面222被滾動。光學工具220圍繞UV透射/半透射管狀結構231而延伸，該UV透射/半透射管狀結構231可由例如玻璃(例如，派熱克斯玻璃)、石英或任意其它適當?shù)腢V透射/半透射材料制成。UV透射/半透射管狀結構231可涂覆有保護/釋放涂層。在UV透射/半透射管狀結構231的中心處，存在在內(nèi)部光擋板226的限制內(nèi)將UV光發(fā)射到光學工具220上的UV光源224。光學工具220在每次回轉(zhuǎn)期間創(chuàng)建圖像，因此可以用于操作連續(xù)處理。圖5因此示出了由輥230與234之間的UV光源224對涂覆基板218進行成像，輥230和234相對于光學工具224的外表面滾動涂覆基板218，因此將基板210上的液體光聚合物曝光于UV輻射。在該處理期間，相對于光學工具的外表面按壓基板210上的液體光聚合物，這保證了在被曝光的液體光聚合物與UV輻射之間沒有空氣因此沒有氧。圖6是固化處理的放大視圖。這示出了 UV光源224，UV光源224朝向并通過UV透射/半透射管狀結構231將光輻射到基板210頂部的用于印刷圖像的UV墨252上。要注意的重要方面是，在夾在UV透射/半透射管狀結構231與基板210之間的墨之間的緊密接觸的區(qū)域中排除了空氣因此排除了氧。UV輻射具有大約200至400nm的波長并且具有與對曝光的液體光聚合物層進行固化匹配的強度。由于在液體光聚合物層下方?jīng)]有存有空氣和氧，因此光學成像處理極快。在固化之后，基板然后通過輥234，并且在點236處，基板210具有固化圖像和殘留濕涂層(即，沒有利用UV光成像的區(qū)域)，然后可以被饋入到另一打印單元238。在光學成像處理之后，經(jīng)由洗刷過程使用例如堿溶液來移除尚未被曝光于UV輻射的液體光聚合物。然后可使用化學蝕刻處理。例如，酸或堿可用于產(chǎn)生覆有由聚合光聚合物覆蓋的所需金屬(例如，銅)電路的電介質(zhì)基板。然后，可以移除聚合光聚合物以產(chǎn)生具有所需的導電電路的基板。本發(fā)明還在于提供了一種改進的成像處理，其中使用直接成像并且不需要光學工具。在本發(fā)明的成像處理中，與現(xiàn)有技術的處理相對，在實際成像處理之前也沒有預干燥處理。改進的成像處理基于如下原理:在成像之前沒有對液體濕光聚合物(即，可以被成像和固化的可印刷墨)進行預干燥，并且液體濕光聚合物位于(即，夾在)上部與下部UV透射(或基本上UV透射)膜之間。使用諸如任意適當?shù)墓獬上裱b置(例如，激光直接成像(LDI)單元或任意其它適當?shù)臄?shù)字光成像裝置)的直接寫入處理對液體濕光聚合物進行成像。光聚合物的被成像的部分被硬化，然后可以用于(例如，作為抗蝕劑或種子層)形成電路。膜然后可以被移除和再使用。未曝光的光聚合物仍為液體形式，然后可以被洗刷掉。能夠使用該處理來對基板的一側(cè)或兩側(cè)進行成像?，F(xiàn)在將在下文中參照圖1至6來更詳細地描述該處理。

圖7是本發(fā)明的濕光聚合物袋(pouch)的表不,一般標記為300。濕光聚合物袋300具有濕液體光聚合物層310。濕液體光聚合物優(yōu)選地由100%的固體構成并且不包含溶齊U。濕液體光聚合物層310的厚度可例如小于大約178 ym (0.007英寸)并且在該特定實施例中為大約5微米。濕液體光聚合物層310在光學成像之前沒有被預干燥。還示出了在濕液體光聚合物層310下方延伸的層312。層312是能夠被成像的基板材料，并且例如由諸如銅、銀、金等的傳導材料或諸如PEDOT、ITO或石墨烯的非金屬導體甚至電介質(zhì)材料制成。在濕液體光聚合物層310上方，存在是例如聚酯的純凈UV透射膜狀材料層316。用在本發(fā)明中的膜可涂覆有保護涂層以輔助耐化學性、脫離固化光聚合物以及免除由過度的濕度水平而引起的尺寸改變。位于層312下方的是例如是聚酯的另一純凈膜狀層318。如所示出的，在濕光聚合物袋100的兩端，存在已被曝光于輻射并且被固化從而導致一些膜與膜層壓的區(qū)域320、322的密封固化光聚合物區(qū)域313、314。圖8是濕光聚合物袋300的頂視圖。位于濕光聚合物袋的中間的是未被固化的濕液體光聚合物層310。在濕光聚合物袋300的邊緣附近，示出了密封邊緣320、322、324、326，即，邊。邊緣具有大約12至15mm的密封寬度。濕液體光聚合物層310因此可被視為被裝入且密封在袋或套中以準備好用于在隨后處理階段進行光學成像。濕液體光聚合物層310因此夾在層316、318之間。密封邊緣320、322、324、326在預曝光階段中被創(chuàng)建，其中濕光聚合物袋300由例如聚酯的純凈(或基本上純凈)膜層支撐在上表面和下表面上。由于未固化的濕液體光聚合物310被密封，因此這具有保持未固化的濕液體光聚合物被保護和干凈的優(yōu)點。由于光聚合物是濕的，濕光聚合物比固化的光聚合物成像快，因此這還允許更快的曝光。形成層316、318的膜還具有的優(yōu)點在于，當被放在濕光聚合物上時，其與濕光聚合物緊密接觸因此移除(即，擠出)了可能對光學成像處理不利的、鄰近光聚合物的任何空氣(包括氧)。顯然，在將層316、318沉積到濕光聚合物上期間，不應該形成有氣泡。形成層316、318的膜還可被再使用。圖9是示出可在濕液體光聚合物層310中發(fā)生成像(即，寫入)的濕光聚合物袋300的視圖。濕液體光聚合物層310可被光學成像為任何適當?shù)幕蛩璧膱D案。如圖9所示，圖像寫入可以以大約1.SmJ的低功率通過大約5至6微米的濕光聚合物而發(fā)生，與現(xiàn)有技術的處理相比，這允許更快的寫入速度且更詳細。圖10是光學成像處理中的下一階段的視圖，其中，在成像之后，可以在諸如碳酸鹽溶液的顯影溶液中對圖像進行顯影。然后可移除膜層316、318，并且然后可洗刷掉未被成像和硬化的濕光聚合物。圖11是根據(jù)本發(fā)明的卷對卷成像設備的表示，一般標記為400。在設備的右手側(cè)，存在能夠沿著設備400的長度移動基板414的一連串輥410、412、420、426。首先在清潔器單元(未示出)中清潔基板414。輥410、412將濕液體光聚合物沉積到基板414 (例如，銅面板)上。刮墨刀411、413可用于控制沉積的濕液體光聚合物的饋送和厚度。輥420、426用于將膜層418、424 (例如，聚酯膜)沉積到液體濕光聚合物上。其它輥416、422用于將膜418、424饋送到輥420、426上。在圖11所示的點428處，基板面板414因此具有夾在兩個膜層418、424之間的未固化濕液體光聚合物層。然后示出了具有兩個輻射源430、432的邊曝光單元，該邊曝光單元圍繞未固化的濕光聚合物層形成密封邊以創(chuàng)建濕光聚合物袋。圖12示出了這可以形成一連串密封濕光聚合物袋478、479。袋478具有沿著密封膜區(qū)域482、484的密封邊緣286、487、488、489。袋479具有沿著密封膜區(qū)域492、496的密封邊緣491、493、494,4980濕光聚合物袋478、479中的每個還分別具有未固化中心區(qū)域480、490。圖12還示出了在基板414、428中分別存在未曝光區(qū)域510和512。這些未曝光區(qū)域510和512(有時稱為“鼠嚙”)可用于形成 電連接。返回到圖11，然后，將具有其固化邊緣491、493、494、498的濕袋428傳遞到具有上部曝光單元430和下部曝光單元432的曝光設備中。上部和下部曝光單元430、432是直接成像單元，這表示不存在光學成像掩模(即，成像是無掩模的)。曝光單元430、432可以是分別直接寫入到濕光聚合物袋478、479中的未曝光區(qū)域410和412上的激光直接成像單元。然后，曝光的濕光聚合物袋428移動到遠離曝光設備的設備400中的區(qū)域434。然后，設備400的上部設置有一連串另外的輥450、456、458、460、462，并且設備400的下部上設置有一連串輥436、442、444、446、448，其可用于移動膜418、424。還存在可以用于對移除的膜進行清潔和干燥的UV后干燥和清潔器單元440、454。最終，移除了膜的曝光后且成像后的基板470被傳遞到顯影器單元(未示出)。本發(fā)明中的處理可用于形成多種電子部件，這些電子部件包括印刷電路板(PCB)、平板顯示器和柔性電路的電子部件。因此，該直接成像處理使用光學UV透射純凈膜來將未固化的液體濕光聚合物設置在要成像的基板(例如，面板)上的固化框內(nèi)。與標準光刻膠相比，本發(fā)明中的曝光是相當快的并且使用低水平的UV能量。在現(xiàn)有技術中，標準光刻膠(包括如焊接掩模的其它可成像層)通常需要50至SOmJ的能量來完成曝光(交聯(lián))。已利用低至SmJ的曝光要求對一些昂貴的干燥膜進行了顯影。相比之下，可以僅利用大約1.SmJ的UV能量對本發(fā)明的液體濕光聚合物進行曝光。需要在來自直接成像單元(例如，激光直接成像單元)的改進生產(chǎn)率方面來理解該意義。直接成像處理的使用還允許對打算要成像的面板進行小調(diào)整以稍微進行移動，使得所有成像的面板完全相同而沒有由光學工具中的基部基板的拉伸而引起的變形。這利用標準平版印刷系統(tǒng)無法實現(xiàn)。圖13是使用連續(xù)成像處理的設備600。本發(fā)明還在于提供了一種改進的成像處理，其中，使用第一成像階段(例如，利用激光直接成像單元)對印刷電路板(PCB)上的焊接掩模的至少一部分進行曝光，在第一成像階段中對濕液體光聚合物層 進行固化，此后進行另一成像步驟以在焊接掩模上方創(chuàng)建圖像。本發(fā)明因此依賴于焊接掩模層頂部的濕液體光聚合物層的沉積以及然后對濕液體光聚合物層進行初始成像，其中，直到稍后的成像階段才對下方的焊接掩模進行成像。圖14是基本上平坦且平面的基板710 (例如，印刷電路板)的視圖。在基板710的一側(cè)，存在從基板710的表面突出的一連串曝光電部件712 (例如，焊盤)。圖15示出了處理的第一階段，其中，以大約20 μπι的厚度來沉積焊接掩模714的層。焊接掩模是標準焊接掩模，因此是通常用于提供用于印刷電路板(PCB)中的銅跡線的永久保護涂層的聚合物層。焊接掩模因此可由環(huán)氧樹脂液體制成。一旦形成焊接掩模的材料沉積在基板710和電部件712上，將溶劑驅(qū)離焊接掩模材料以形成焊接掩模714的干燥層。使用諸如噴射、涂刷、浸涂的任何適當技術和/或使用輥甚至具有干燥膜的層壓來沉積焊接掩模714。圖16然后示出了在焊接掩模714的干燥層的頂部，使用諸如噴射、涂刷、浸涂的任何適當技術和/或使用輥來沉積光聚合物716的濕液體層。光聚合物716的濕液體層是UV可固化的并且以大約5微米的厚度來沉積。應注意，在該階段光聚合物716保持潮濕而沒有固化。本發(fā)明因此涉及一種對覆蓋有濕液體可固化光聚合物(即，濕光聚合物)的基板進行光學成像的方法。與許多現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明因此涉及使用濕膜而不是諸如Riston(商標)的昂貴干燥膜。與使用濕膜相比，干燥膜是相當貴的。濕膜的使用還克服了對濕膜進行預干燥的需要，因此導致完全可控的處理。如以下將說明的，光聚合物716的濕液體層結束用作“駐留”光學工具。如圖17所示，處理中的下一階段是在光聚合物716的濕液體層的頂部施加保護膜.118。膜718由任意適當?shù)牟牧现瞥?，但是特別地可由可以是UV透射或半透射的聚酯制成?？蛇x地，膜還可以是光學或基本上光學純凈的。膜還可選地包括保護涂層以輔助耐化學性、脫離固化光聚合物以及免除由過度濕度水平引起的尺寸改變。在替選實施例中，可取代膜718而使用諸如氮、氬或二氧化碳的惰性覆蓋。圖18然后示出了位于電部件712上方的激光直接成像(LDI)印刷頭720。激光直接成像(LDI)印刷頭720因此將對位于下方的區(qū)域722進行固化。這可以發(fā)生多次或者可以存在一連串印刷頭720以對如圖18所示的電部件712上方的區(qū)域進行固化。激光直接成像(LDI)印刷頭720不需要光掩模并且僅對光聚合物716的濕液體層的印刷頭720下方的部分進行成像并且使用諸如UV輻射的激光輻射。圖19示出了通過激光直接成像(LDI)印刷頭720進行照射之后，移除保護膜718并且利用標準洗刷過程洗刷掉保持濕的光聚合物716的濕液體層的未固化部分。這剩下了光聚合物716的濕液體層的固化且硬化后的部分722。在圖20中示出了處理中的下一階段，其中，在第二成像步驟中將來自UV光源(未示出)的準直UV光723引導到光聚合物716的濕液體層的固化區(qū)域722的頂部上和焊接掩模714的曝光部分上。圖21示出了光聚合物716的濕液體層的固化部分722因此用作關于下方的焊接掩模層714的光掩模，以及保護光聚合物716的濕液體層的固化部分722下方的焊接掩模的區(qū)域724并且不將其暴露于準直UV光723。最終，圖22示出了移除光聚合物716的濕液體層的固化部分722和焊接掩模層714的未反應部分724。利用含水和/或基于溶劑的化學溶液、使用洗刷過程來執(zhí)行脫模。在該移除之后，在固化焊接掩模728的區(qū)域之間形成通道726。在所形成的通道的底部是電部件712。位于焊盤上方或基本上位于焊盤上方的通道或跡線可為適合于電路的高清細線或管的形式。該方法的優(yōu)點在于，電路板制造者現(xiàn)在可以在激光直接成像單元(LDI)中高速高效地對其焊接掩模進行成像，從而實現(xiàn)所有強度的激光精度，同時最小化工作機器中的時間。同樣的途徑可以用于需要使用UV光來成像的任何厚涂層(墨、光反應聚合物)。盡管以上已描述了本發(fā)明的具體實施例，但是應理解，關于所描述的實施例的偏離仍可落入本發(fā)明的范圍內(nèi)。例如，可使用任何適當類型的可成像基板。另外，可使用任何適當?shù)囊后w光聚合物或其組合。所使用 的固化輻射可具有能夠?qū)褚后w光聚合物進行固化的任何適當波長。
權利要求
1.一種用于對基板進行光學成像的方法，所述方法包括: 設置基板； 將液體光聚合物沉積到所述基板的至少一部分上，以在所述基板上形成液體光聚合物膜層； 設置可旋轉(zhuǎn)光學工具；以及 相對于所述基板上的液體光聚合物膜旋轉(zhuǎn)所述光學工具； 其中，在所述基板上形成固化光聚合物的成像圖案。
2.根據(jù)權利要求1所述的用于對基板進行光學成像的方法，其中，在利用例如紫外輻射對濕光聚合物膜進行成像和照射之前不存在預干燥步驟。
3.根據(jù)權利要求1或2中任一項所述的用于對基板進行光學成像的方法，其中，所述可旋轉(zhuǎn)光學工具包括紫外透射/半透射管狀結構，諸如由例如玻璃(例如，派熱克斯玻璃)、石英或任何其它適當?shù)淖贤馔干?半透射材料制成的可旋轉(zhuǎn)鼓。
4.根據(jù)任意上述權利要求所述的用于對基板進行光學成像的方法，其中，在所述光學工具的中心(或基本上中心)處存在紫外光源，所述紫外光源能夠例如在內(nèi)部光擋板的限制內(nèi)發(fā)出紫外光。
5.根據(jù)權利要求4所述的用于對基板進行光學成像的方法，其中，所述紫外光源是發(fā)光二極管或基本上中心位于所述 光學工具中的發(fā)光二極管陣列。
6.根據(jù)任意上述權利要求所述的用于對基板進行光學成像的方法，其中，能夠使用一連串輥相對于所述可旋轉(zhuǎn)光學工具的外表面按壓和旋轉(zhuǎn)涂覆有所述液體光聚合物的基板，這具有消除或移除所述液體濕光聚合物膜與傳送輻射的所述光學工具之間的任何空氣(即，氧)的效果。
7.根據(jù)任意上述權利要求所述的用于對基板進行光學成像的方法，其中，所述可旋轉(zhuǎn)工具是旋轉(zhuǎn)鼓的形式。
8.根據(jù)任意上述權利要求所述的用于對基板進行光學成像的方法，其中，使用在紫外透射/半透射管狀結構附近的張緊器來張緊所述光學工具。
9.根據(jù)任意上述權利要求所述的用于對基板進行光學成像的方法，其中，紫外輻射具有大約200至400nm (例如，大約355nm或365nm或375nm或385nm或395nm或405nm)的波長，并且具有與對暴露的液體光聚合物層進行固化匹配的強度。
10.根據(jù)任意上述權利要求所述的用于對基板進行光學成像的方法，其中，所述基板是由塑料材料制成的電介質(zhì)或非金屬層(例如，膜)，所述塑料材料諸如為聚酯(例如，Melinex,商標)、聚酰亞胺(例如，Kapton,商標)和聚碳酸酯(例如，Lexan,商標)。
11.根據(jù)任意上述權利要求所述的用于對基板進行光學成像的方法，其中，所述基板是柔性的以允許發(fā)生卷到卷處理。
12.根據(jù)任意上述權利要求所述的用于對基板進行光學成像的方法，其中，在所述基板的頂部存在覆層形式的另一層。
13.根據(jù)權利要求11所述的用于對基板進行光學成像的方法，其中，所述覆層由諸如銅、銀、金等的傳導材料或者諸如TOET或氧化銦錫或石墨烯的傳導聚合物制成。
14.根據(jù)任意上述權利要求所述的用于對基板進行光學成像的方法，其中，在成像之后，所述基板具有固化圖像和殘留濕涂層區(qū)域(即，沒有利用紫外光成像的區(qū)域)，并且能夠經(jīng)由洗刷過程利用例如堿溶液移除尚未曝光于紫外輻射的液體光聚合物。
15.根據(jù)任意上述權利要求所述的用于對基板進行光學成像的方法，其中，在施加所述液體光聚合物之前，使用接觸清潔處理來清潔所述基板，以從所述基板的表面移除碎片和/或污染物。
16.根據(jù)任意上述權利要求所述的用于對基板進行光學成像的方法，其中，使用任何適當?shù)募夹g來沉積所述液體光聚合物，諸如使用包括涂料輥和控制所述液體光聚合物的沉積速率的可選的刮墨刀的輥單元。
17.根據(jù)任意上述權利要求所述的用于對基板進行光學成像的方法，其中，使用噴射、涂刷、輥、富瑞凸版印刷輥/絲網(wǎng)印刷輥/凸版印刷輥/凹版印刷輥和/或浸涂系統(tǒng)來沉積所述液體光聚合物。
18.根據(jù)任意上述權利要求所述的用于對基板進行光學成像的方法，其中，以根據(jù)任意以下的厚度來沉積所述液體光聚合物:小于或等于大約150 μ m ;小于或等于大約125 μ m ;小于或等于大約100 μ m ;小于或等于大約75 μ m ;小于或等于大約50 μ m ;小于或等于大約25 μ m ;小于或等于大約10 μ m ;小于或等于大約5 μ m ;小于或等于大約I μ m ;小于或等于大約0.5 μ m或者小于或等于大約0.1 μ m。
19.根據(jù)任意上述權利要求所述的用于對基板進行光學成像的方法，其中，以任意以下范圍中的厚度來沉積所述液體光聚合物:大約177 μ m至大約0.1 μ m ;大約125 μ m至大約0.1 μ m ;大約100 μ m 至大約0.1 μ m ;大約75 μ m至大約0.1 μ m ;大約50 μ m至大約0.1 μ m ;大約25 μ m至大約0.1 μ m或者大約10 μ m至大約0.1 μ m。
20.根據(jù)任意上述權利要求所述的用于對基板進行光學成像的方法，其中，在對所述液體光聚合物的一部分進行固化之后，將固化后的基板傳遞到輥并且輸送到例如顯影單元。
21.根據(jù)任意上述權利要求所述的用于對基板進行光學成像的方法，其中，以具有任意以下寬度的細線來獲得適合于電路的高清細線:小于或等于大約200 μ m ;小于或等于大約150 μ m ;小于或等于大約140 μ m ;小于或等于大約130 μ m ;小于或等于大約120 μ m ;小于或等于大約110 μ m;小于或等于大約100 μ m;小于或等于大約90 μ m;小于或等于大約80 μ m ;小于或等于大約75 μ m ;小于或等于大約70 μ m ;小于或等于大約60 μ m ;小于或等于大約50 μ m ;小于或等于大約40 μ m ;小于或等于大約30 μ m ;小于或等于大約20 μ m ;小于或等于大約10 μ m ;或者小于或等于大約5 μ m。
22.根據(jù)任意上述權利要求所述的用于對基板進行光學成像的方法，其中，以具有任意以下寬度的細線來獲得適合于電路的高清細線:大約0.1至200 μ m;大約I至150 μ m;大約I至100 μ m ;大約20至100 μ m或者大約5至75 μ m。
23.根據(jù)任意上述權利要求所述的用于對基板進行光學成像的方法，其中，所述處理用于形成多種電子部件，所述多種電子部件包括適合于在卷對卷市場內(nèi)制造的印刷電路板PCB、平板顯示器和柔性電路的電子部件。
24.根據(jù)權利要求1至23中任一項所形成的光學成像基板。
25.根據(jù)權利要求24所述的光學成像基板，其中，所述光學成像基板用于形成光學成像電路。
26.根據(jù)權利要求24所示的光學成像基板，其中，所述光學成像電路用于形成用在例如PCB、平坦顯示器和柔性電路的制造中的電路。
27.一種用于對基板進行光學成像的設備，所述設備包括: 能夠?qū)⒁后w光聚合物沉積到基板的表面上以形成液體光聚合物膜的裝置； 可旋轉(zhuǎn)光學工具，能夠允許將紫外輻射傳送到所述基板上的所述液體光聚合物上； 輸送裝置，能夠輸送所述基板，包括相對于所述可旋轉(zhuǎn)光學工具按壓的所述液體光聚合物膜； 其中，固化光聚合物的成像圖案形成在所述基板上。
28.根據(jù)權利要求27所述的設備，其中，所述設備用于執(zhí)行如權利要求1至23中任一項所限定的成像方法。
29.根據(jù)權利要求27和28中任一項所述的設備，其中，相對于所輸送的基板而按壓和旋轉(zhuǎn)所述可旋轉(zhuǎn)光學工具。
30.根據(jù)權利要求27至29中任一項所述的設備，其中，所述設備為卷對卷處理的形式，在所述卷對卷處理中，以卷的形式遞送所述基板，對所述液體光聚合物進行沉積然后由所述可旋轉(zhuǎn)光學工具進行成像，然后一旦發(fā)生了成像則以卷形式移除所述液體光聚合物。
31.根據(jù)權利要求2 7至30中任一項所述的設備，其中，能夠?qū)⒁后w光聚合物沉積到所述基板的表面上以形成液體光聚合物膜的裝置是輥以及控制膜重量沉積速率的可選的刮墨刀的形式。
32.一種用于對基板進行成像的方法，所述方法包括: 設置基板； 將液體濕光聚合物沉積到所述基板的至少一部分上，以在所述基板上形成液體濕光聚合物膜層； 將保護膜施加到所述基板上的液體濕光聚合物膜層上； 設置直接成像單元；以及 通過所述保護膜將來自所述直接成像單元的輻射直接施加到所述液體濕光聚合物上; 其中，在所述基板上形成固化光聚合物的成像圖案。
33.根據(jù)權利要求32所述的用于對基板進行成像的方法，其中，在利用例如紫外輻射對濕光聚合物膜進行成像和照射之前不存在預干燥步驟。
34.根據(jù)權利要求32或33中任一項所述的用于對基板進行成像的方法，其中，在所述液體濕光聚合物的光學成像中不使用光學工具。
35.根據(jù)權利要求32至34中任一項所述的用于對基板進行成像的方法，其中，將所述液體濕光聚合物沉積到所述基板的一側(cè)或兩側(cè)(即，第一側(cè)和第二側(cè))上。
36.根據(jù)權利要求32至35中任一項所述的用于對基板進行成像的方法，其中，所述基板由柔性材料制成或包括所述柔性材料。
37.根據(jù)權利要求32至36中任一項所述的用于對基板進行成像的方法，其中，所述基板由諸如銅、銀、金等的傳導材料制成，或者替選地由非金屬材料或電介質(zhì)材料制成，或再者能夠由諸如toet、氧化銦錫或石墨烯的傳導聚合物制成。
38.根據(jù)權利要求32至37中任一項所述的用于對基板進行成像的方法，其中，所述液體濕光聚合物是所述基板的一側(cè)或兩側(cè)上的薄膜的形式，并且利用一個或兩個直接成像單元對所述液體濕光聚合物直接進行成像。
39.根據(jù)權利要求32至38中任一項所述的用于對基板進行成像的方法，其中，所述直接成像單元是使用例如激光直接成像LDI單元的任何適當?shù)墓獬上裱b置或者任何其它適當?shù)臄?shù)字光成像裝置的直接寫入處理。
40.根據(jù)權利要求32至39中任一項所述的用于對基板進行成像的方法，其中，對所述液體濕光聚合物的被成像的部分進行硬化，然后能夠用于形成例如電路。
41.根據(jù)權利要求32至40中任一項所述的用于對基板進行成像的方法，其中，一旦發(fā)生了成像，則然后移除所述基板的一側(cè)或兩側(cè)上的保護膜，并且洗刷掉未曝光的保持為液體形式的光聚合物。
42.根據(jù)權利要求32至41中任一項所述的用于對基板進行成像的方法，其中，因此能夠?qū)λ龌宓囊粋?cè)或兩側(cè)進行光學成像。
43.根據(jù)權利要求32至42中任一項所述的用于對基板進行成像的方法，其中，在直接寫入處理中對所述液體濕光聚合物進行成像之前并且在將一個或多個膜沉積到所述液體濕光聚合物上之后，存在中間處理，在所述中間處理中發(fā)生固化處理，所述固化處理在未固化的液體濕光聚合物的區(qū)域附近形成固化光聚合物的框、邊和/或周界。
44.根據(jù)權利要求43所述的用于對基板進行成像的方法，其中，將所述未固化的液體濕光聚合物密封在外部固化光聚合物的框(例如，類似于圖片框)內(nèi)以形成密封面板，并且在密封處理期間，將所述保護膜密封到所述固化光聚合物。
45.根據(jù)權利要求44所述的用于對基板進行成像的方法，其中，所述密封面板是諸如單個移動面板(例如，袋)的單個離散單元、或者能夠使用提供密封封裝的純凈保護膜(例如，聚酯膜)的連續(xù)卷繞和以輸送器樣式移動所述面板的方法而形成的一連串密封面板。
46.根據(jù)權利要求42至44中任一項所述的用于對基板進行成像的方法，其中，在預曝光階段期間使用任何適 當?shù)妮椛湓磥硇纬晒袒饩酆衔锏拿芊饪?、邊?或周界，所述輻射源能夠固化所述液體濕光聚合物并且形成未固化液體濕光聚合物的袋。
47.根據(jù)權利要求42至44中任一項所述的用于對基板進行成像的方法，其中，使用例如紫外輻射的發(fā)光二極管LED來形成固化光聚合物的密封框、邊和/或周界。
48.根據(jù)權利要求32至47中任一項所述的用于對基板進行成像的方法，其中，以大約0.5至2mJ、大約I至2mJ或者大約1.8mJ的低功率來對所述濕液體光聚合物進行成像。
49.根據(jù)權利要求32至48中任一項所述的用于對基板進行成像的方法，其中，用于對所述濕液體光聚合物進行固化的輻射是對所述液體光聚合物進行固化的任意適當輻射，諸如激光發(fā)出的紫外輻射。
50.根據(jù)權利要求32至49中任一項所述的用于對基板進行成像的方法，其中，用于對所述濕液體光聚合物進行固化的輻射具有大約200至400nm的波長，并且通常是大約355nm或365nm或375nm或385nm或395nm或405nm的紫外光。
51.根據(jù)權利要求32至50中任一項所述的用于對基板進行成像的方法，其中，在成像之后，在諸如碳酸鹽溶液的顯影溶液中對所述圖像進行顯影，移除膜層，并且洗刷掉尚未被成像和硬化的濕光聚合物。
52.根據(jù)權利要求32至51中任一項所述的用于對基板進行成像的方法，其中，使用任意適當?shù)募夹g將所述濕液體光聚合物沉積到所述基板的第一側(cè)和第二側(cè)中的僅一側(cè)或兩側(cè)，所述技術包括噴射、涂刷、輥和/或浸涂系統(tǒng)的技術。
53.根據(jù)權利要求32至52中任一項所述的用于對基板進行成像的方法，其中，使用一連串輥來沉積所述濕液體光聚合物，從而允許在卷對卷處理中發(fā)生成像基板的形成。
54.根據(jù)權利要求32至53中任一項所述的用于對基板進行成像的方法，其中，在施加所述濕液體光聚合物之前，使用接觸清潔處理來清潔所述基板，以從所述基板的表面移除碎片和/或污染物。
55.根據(jù)權利要求32至54中任一項所述的用于對基板進行成像的方法，其中，以根據(jù)任意以下的厚度來沉積所述濕液體光聚合物:小于或等于大約150 μ m ;小于或等于大約125 μ m ;小于或等于大約100 μ m ;小于或等于大約75 μ m ;小于或等于大約50 μ m ;小于或等于大約25 μ m ;小于或等于大約10 μ m ;小于或等于大約5 μ m ;小于或等于大約I μ m ;小于或等于大約0.5 μ m或者小于或等于大約0.1 μ m。
56.根據(jù)權利要求32至55中任一項所述的用于對基板進行成像的方法，其中，以在任意以下范圍中的厚度來沉積所述液體光聚合物:大約177 μ m至大約0.1 μ m ;大約125 μ m至大約0.1 μ m ;大約100 μ m至大約0.1 μ m ;大約75 μ m至大約0.1 μ m ;大約50 μ m至大約0.1 μ m ;大約25 μ m至大約0.1 μ m或者大約10 μ m至大約0.1 μ m。
57.根據(jù)權利要求32至56中任一項所述的用于對基板進行成像的方法，其中，所述保護膜具有任意適當?shù)牟牧希T如光學上或基本上光學上純凈且對紫外輻射透射的聚酯膜。
58.根據(jù)權利要求32至57中任一項所述的用于對基板進行成像的方法，其中，所述保護膜包括保護涂層以輔助耐化學性、脫離固化光聚合物以及免除由過度濕度水平引起的尺寸改變。
59.根據(jù)權利要求32至58中任一項所述的用于對基板進行成像的方法，其中，所述方法用于形成多種電子部件，所述多種電子部件包括印刷電路板PCB、平板顯示器和柔性電路的電子部件。
60.根據(jù)權利要求32至59中任一項所述的用于對基板進行成像的方法，其中，能夠獲得具有任意以下寬度的、適合于電路的高清細線:小于或等于大約200μπι;小于或等于大約150 μ m ;小于或等于大約140 μ m ;小于或等于大約130 μ m ;小于或等于大約120 μ m ;小于或等于大約110 μ m;小于或等于大約100 μ m;小于或等于大約90 μ m;小于或等于大約80 μ m ;小于或等于大約75 μ m ;小于或等于大約70 μ m ;小于或等于大約60 μ m ;小于或等于大約50 μ m ;小于或等于大約40 μ m ;小于或等于大約30 μ m ;小于或等于大約20 μ m ;小于或等于大約10 μ m ;或者小于或等于大約5 μ m。
61.根據(jù)權利要求32至60中任一項所述的用于對基板進行成像的方法，其中，能夠獲得具有任意以下寬度的、適合于電路的高清細線:大約0.1至200 μ m ;大約I至150 μ m ;大約I至100 μ m ;大約20至100 μ m或者大約5至75 μ m。
62.根據(jù)權利要求32至61中任一項所述的用于對基板進行成像的方法，其中，諸如所述液體光聚合物的沉積以及所述保護膜的沉積和移除的所有步驟都通過設備發(fā)生一遍。
63.根據(jù)方法權利要求32至61中的任一項所形成的成像基板。
64.根據(jù)權利要求63所述的成像基板，其中，光學成像基板能夠用在印刷電路板PCB、平板顯示器和柔性電路的制造中。
65.一種用于對基板進行成像的設備，所述設備包括: 能夠?qū)⒁后w濕光聚合物沉積到所述基板的表面上以形成液體濕光聚合物膜的裝置；能夠?qū)⒈Ｗo膜遞送到所述液體濕光聚合物膜上的裝置； 直接成像單元，能夠?qū)⑤椛涫┘拥剿鲆后w濕光聚合物上并且在所述基板上形成固化光聚合物的成像圖案。
66.根據(jù)權利要求65所述的設備，其中，所述設備用于執(zhí)行權利要求32至64中任一項所限定的成像方法。
67.根據(jù)權利要求65或66中任一項所述的設備，其中，能夠?qū)⒁后w濕光聚合物沉積到所述基板的表面上以形成液體濕光聚合物膜的裝置是輥以及控制光聚合物沉積速率的可選的刮墨刀的形式。
68.根據(jù)權利要求65至67中任一項所述的設備，其中，所述液體濕光聚合物膜是經(jīng)由一連串輥而沉積的。
69.根據(jù)權利要求65至68中任一項所述的設備，其中，所述直接成像單元是激光直接成像LDI單元或任意其它適當?shù)臄?shù)字光成像裝置。
70.根據(jù)權利要求65至69中任一項所述的設備，其中，在曝光之后，使用另外一連串輥移除所述保護膜。
71.根據(jù)權利要求65至70中任一項所述的設備，其中，所述設備還包括用于執(zhí)行固化步驟的預曝光輻射單元，所述固化步驟在未固化液體濕光聚合物的區(qū)域附近形成固化光聚合物的框、邊和/或周界。
72.根據(jù)權利要求71所述的設備，其中，所述預曝光輻射單元包括發(fā)光二極管LED。
73.根據(jù)權利要求65至71中任一項所述的設備，其中，所述設備允許發(fā)生連續(xù)的卷對卷處理，在所述卷對卷處理中，以卷的形式將所述保護膜遞送到所述液體濕光聚合物上，然后一旦發(fā)生了成像則移除所述保護膜。
74.一種用于成像的方法，所述方法包括: 設置具有曝光表面的基板； 將電部件布置在所述基板的曝光表面上； 利用焊接掩模層覆蓋所述基板的曝光表面和所述基板的曝光表面上的所述電部件； 將液體濕光聚合物沉積到所述焊接掩模層上以形成液體濕光聚合物膜層； 將紫外透射或基本上紫外透射的保護膜施加到所述液體濕光聚合物膜層上； 設置第一成像單元； 通過所述保護膜將來自所述第一成像單元的輻射施加到位于所述電部件上方或基本上位于所述電部件上方的液體濕光聚合物的區(qū)域上，其中，所述液體濕光聚合物的曝光區(qū)域被固化和硬化； 移除所述保護膜； 移除所述液體濕光聚合物膜的仍未固化的未曝光區(qū)域； 施加來自第二成像單元的另外輻射，所述第二成像單元對所述焊接掩模的未被所述液體濕光聚合物的固化部分覆蓋的部分進行固化；以及 移除所述焊接掩模的未固化部分連同硬化的濕光聚合物膜； 其中，能夠形成位于所述電部件上方或基本上位于所述電部件上方的通道或跡線。
75.根據(jù)權利要求74所述的用于成像的方法，其中，所述基板是印刷電路板。
76.根據(jù)權利要求74或75中任一項所述的用于成像的方法，其中，使用噴射、涂刷、輥和/或浸涂系統(tǒng)或者任意其它方法來沉積所述焊接掩模。
77.根據(jù)權利要求74或75中任一項所述的用于成像的方法，其中，所述焊接掩模層是連續(xù)的并且具有大約5 μ m至大約75 μ m的厚度。
78.根據(jù)權利要求74至77中任一項所述的用于成像的方法，其中，所述焊接掩模由環(huán)氧樹脂液體制成。
79.根據(jù)權利要求74至78中任一項所述的用于成像的方法，其中，使用噴射、涂刷、輥和/或浸涂系統(tǒng)來沉積所述液體濕光聚合物層。
80.根據(jù)權利要求74至79中任一項所述的用于成像的方法，其中，使用任意適當?shù)募夹g以基本上均勻且連續(xù)的方式沉積所述液體濕光聚合物層。
81.根據(jù)權利要求74至80中任一項所述的用于成像的方法，其中，所述濕液體光聚合物由100%的固體制成并且不包含溶劑。
82.根據(jù)權利要求74至81中任一項所述的用于成像的方法，其中，以根據(jù)任意以下的厚度來沉積所述濕液體光聚合物:小于或等于大約150 μ m ;小于或等于大約125 μ m ;小于或等于大約100 μ m;小于或等于大約75 μ m;小于或等于大約50 μ m;小于或等于大約25 μ m ;小于或等于大約10 μ m ;小于或等于大約5 μ m ;小于或等于大約I μ m ;小于或等于大約0.5 μ m或者小于或等于大約0.1 μ m。
83.根據(jù)權利要求74至82中任一項所述的用于成像的方法，其中，以任意以下范圍中的厚度來沉積所述液體光聚合物:大約177 μ m至大約0.1 μ m ;大約125 μ m至大約0.1 μ m ;大約100 μπι至大約0.Ιμπι;大約75μηι至大約0.Ιμπι;大約50μηι至大約0.Ιμπι;大約25 μ m至大約0.1 μ m或者大約10 μ m至大約0.1 μ m。
84.根據(jù)權利要求74至83中任一項所述的用于成像的方法，其中，通過使用薄液體光聚合物膜允許在光學成像處理中使用低強度輻`射(例如，紫外光)。
85.根據(jù)權利要求74至84中任一項所述的用于成像的方法，其中，所述紫外透射或基本上紫外透射的保護膜由柔性聚酯膜制成。
86.根據(jù)權利要求74至85中任一項所述的用于成像的方法，其中，所述紫外透射或基本上紫外透射的保護膜包括保護涂層，以輔助耐化學性、脫離固化光聚合物以及防止由過度的濕度水平引起的尺寸改變。
87.根據(jù)權利要求74至86中任一項所述的用于成像的方法，其中，所述保護膜移除(即，擠出)可能對光學固化處理不利的、鄰近所述液體光聚合物的任何空氣(包括氧)。
88.根據(jù)權利要求74至87中任一項所述的用于成像的方法，其中，所述第一成像單元是例如激光直接成像LDI單元的直接成像單元或任意其它適當?shù)臄?shù)字光成像裝置。
89.根據(jù)權利要求74至88中任一項所述的用于成像的方法，其中，使用紫外輻射對曝光的液體(例如，濕)光聚合物進行聚合和/或硬化和/或設置。
90.根據(jù)權利要求89所述的用于成像的方法，其中，所述紫外輻射具有大約200至400nm的波長。
91.根據(jù)權利要求89所述的用于成像的方法，其中，通過使用薄濕液體光聚合物膜允許使用大約0.5至2mJ并且通常為大約I至2mJ的低強度輻射(例如，紫外光)。
92.根據(jù)權利要求74至91中任一項所述的用于成像的方法，其中，在來自所述第一成像單元的成像之后，通過剝離移除所述保護膜。
93.根據(jù)權利要求74至92中任一項所述的用于成像的方法，其中，使用洗刷過程移除所述液體濕光聚合物膜的仍未固化的未曝光區(qū)域。
94.根據(jù)權利要求74至93中任一項所述的用于成像的方法，其中，來自所述第二成像單元的另外輻射使用諸如紫外光源的任意適當光源，對所述焊接掩模的未被所述液體濕光聚合物的固化部分覆蓋的部分進行固化。
95.根據(jù)權利要求94所述的用于成像的方法，其中，對所述輻射進行校準以改進所述光學成像處理的質(zhì)量和/或分辨率和/或清晰度。
96.根據(jù)權利要求94或95中任一項所述的用于成像的方法，其中，所述紫外輻射具有大約200至400nm的波長。
97.根據(jù)權利要求74至96中任一項所述的用于成像的方法，其中，經(jīng)由另外的洗刷過程來移除所述焊接掩模的未固化部分。
98.根據(jù)權利要求74至97中任一項所述的用于成像的方法，其中，位于所述電部件上方或基本上位于所述電部件上方的通道或跡線為適合于電路的高清細線或管的形式。
99.根據(jù)權利要求74至98中任一項所述的用于成像的方法，其中，位于所述電部件上方或基本上位于所述電部件上方的通道或跡線具有任意以下的寬度或直徑:小于或等于大約200 μ m ;小于或等于大約150 μ m ;小于或等于大約140 μ m ;小于或等于大約130 μ m ;小于或等于大約120m ;小于或等于大約110 μ m ;小于或等于大約100 μ m ;小于或等于大約90 μ m ;小于或等于大約80 μ m ;小于或等于大約75 μ m ;小于或等于大約70 μ m ;小于或等于大約60 μ m ;小于或等于大約50 μ m ;小于或等于大約40 μ m ;小于或等于大約30 μ m ;小于或等于大約20 μ m ;小于或等于大約10 μ m ;或者小于或等于大約5 μ m。
100.根據(jù)權利要 求74至99中任一項所述的用于成像的方法，其中，位于所述電部件上方或基本上位于所述電部件上方的通道或跡線具有任意以下的寬度:大約0.1至200μπι;大約I至150 μ m ;大約I至100 μ m ;大約20至100 μ m或者大約5至75 μ m。細線可與印刷電路板PCB和其它電部件結合使用。
101.根據(jù)權利要求74至100中的任一項所形成的成像基板。
102.根據(jù)權利要求101所述的成像基板，用于形成例如電路的光學成像電路。
103.一種用于成像的設備，所述設備包括: 能夠利用焊接掩模層覆蓋基板的曝光表面和所述基板的曝光表面上的電部件的裝置； 能夠?qū)⒁后w濕光聚合物沉積到所述焊接掩模層上以形成液體濕光聚合物膜層的裝置； 能夠?qū)⒆贤馔干浠蚧旧献贤馔干涞谋Ｗo膜施加到所述液體濕光聚合物膜層上的裝置； 第一成像單元，能夠通過所述保護膜將所述液體濕光聚合物的一部分成像到位于所述電部件上方或基本上位于所述電部件上方的聚合物的區(qū)域上，其中，所述液體濕光聚合物的曝光區(qū)域被固化和硬化； 第二成像單元，能夠?qū)λ龊附友谀５奈幢凰鲆后w濕光聚合物的固化部分覆蓋的部分進行固化；以及 其中，能夠形成位于所述電部件上方或基本上位于所述電部件上方的通道或跡線。
104.根據(jù)權利要求103所述的用于成像的設備，其中，所述設備用于執(zhí)行如權利要求74至100中任一項所定義的成像方法。
105.根據(jù)權利要求103和104中任一項所述的用于成像的設備，其中，能夠覆蓋所述焊接掩模層和所述液體濕光聚合物的裝置為噴射、涂刷、輥和/或浸涂系統(tǒng)中的任意一個。
106.根據(jù)權利要求103至105中任一項所述的用于成像的設備，其中，所述第一成像單元和第二成像單元是適 當?shù)淖贤夤庠矗T如例如為激光直接成像LDI單元的直接成像單元或者任意其它適當?shù)臄?shù)字光成像裝置。
全文摘要
這里描述了一種用于光學成像的方法和設備。更具體地，描述了用于對覆蓋有濕可固化光聚合物的基板(例如，薄板)進行光學成像的方法和設備，其中，相對于基板按壓和旋轉(zhuǎn)可旋轉(zhuǎn)光學工具以創(chuàng)建成像基板，該成像基板用于形成適合于形成電路(諸如用于印刷電路板(PCB)、平板顯示器和柔性電路)的圖像。還描述了一種對覆蓋有濕可固化光聚合物的基板直接進行光學成像的方法和設備，其中，光學成像基板用于形成諸如電路的圖像，并且還描述了用于使用濕可固化光聚合物對印刷電路板(PCB)上的焊接掩模的至少一部分進行曝光的方法和設備，其中，此后可在焊接掩模上方的區(qū)域上發(fā)生成像處理。
文檔編號G03F7/20GK103229105SQ201180056461
公開日2013年7月31日 申請日期2011年11月11日 優(yōu)先權日2010年11月23日
發(fā)明者喬納森·肯尼特, 約翰·坎寧安, 羅伯特·吉卜森 申請人:彩虹科技系統(tǒng)有限公司