專利名稱：具有對由掩模引起的成像像差的校正的操作投射曝光設(shè)備的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及適配微光刻的投射曝光設(shè)備的方法。此外，本發(fā)明涉及操作微光刻的投射曝光設(shè)備的方法。最后，本發(fā)明涉及配備執(zhí)行上述兩個方法的微光刻的投射曝光設(shè)備。
背景技術(shù)：
在下文中被簡稱為投射曝光設(shè)備的、微光刻的投射曝光設(shè)備通常包括光源、處理 由光源發(fā)出的光線以形成照明光的照明系統(tǒng)、要被投射的物體(通常被稱為掩模母版或掩模)、將物場成像至像場上的投射物鏡(下文簡稱物鏡)、以及在其上進(jìn)行投射的另一物體(通常被稱為晶片)。掩?；蜓谀５闹辽僖徊糠治挥谖飯鲋?，且晶片或晶片的至少一部分位于像場中。如果掩模完全位于物場的區(qū)域中，并且在晶片和像場沒有相對運動的情況下曝光晶片，則該投射曝光設(shè)備通常被稱為晶片步進(jìn)曝光機(jī)(stepper)。如果僅掩模的一部分位于物場的區(qū)域中，且在晶片和像場的相對運動期間曝光晶片，則該投射曝光設(shè)備通常被稱為晶片掃描曝光機(jī)(scanner)。由掩模母版和晶片的相對運動限定的空間維度通常被稱為掃描方向。在晶片的曝光期間，利用照明系統(tǒng)的照明光照明掩模。照明的類型被表示為設(shè)置(setting)。在相干照明、具有0和I之間的O設(shè)置的非相干照明、環(huán)形照明、具有不同照明孔徑角的X或Y雙極設(shè)置、以及四極設(shè)置之間進(jìn)行區(qū)分。當(dāng)前的發(fā)展趨向自由形狀照明的方向，例如參照“IIlumination Optics for Source-Mask Optimization, Yasushi Mizuno等，Proc. SPIE 7640,764011 (2010)”。在該情況中，可以任何具有高空間分辨率的期望方式設(shè)定照明系統(tǒng)的出瞳中的照明光的強度。對于借助于微光刻曝光工藝而將制造的集成電路的集成密度，周期結(jié)構(gòu)具有關(guān)鍵
的重要性。所述結(jié)構(gòu)由節(jié)距(pitch)和結(jié)構(gòu)寬度來描述。通過要被曝光的光刻膠(resist)
的光刻膠閾值，可以將晶片上使用的結(jié)構(gòu)寬度自由地設(shè)定至某一程度。相對比地，最小的可
實現(xiàn)的節(jié)距Pitchmin由照明光的波長和物鏡的物方數(shù)值孔徑給定。對于具有預(yù)先確定的
2
O設(shè)置O的相干和非相干照明，滿足下式+要被成像的掩模上的結(jié)構(gòu)通常具有兩個優(yōu)選的方向。因此，在投射曝光設(shè)備的成像質(zhì)量的評估中，至少對H (水平)和V (垂直)結(jié)構(gòu)的最大可分辨節(jié)距加以區(qū)別。在該情況中，下文將承認(rèn)H結(jié)構(gòu)是指掩模的透光和不透光的區(qū)域的序列，其中所述區(qū)域中的每一單獨區(qū)域在關(guān)于掃描方向正交的方向上具有更大的范圍。在投射曝光設(shè)備中的晶片上最終可實現(xiàn)的集成密度實質(zhì)上依賴于以下參數(shù)(a)物鏡的焦深D0F，(b)像方數(shù)值孔徑NA，以及(c)照明光的波長X。為了投射曝光設(shè)備的可靠操作，對于期望的臨界尺寸CD (亦即在晶片上出現(xiàn)的最小結(jié)構(gòu)寬度)以及給定的數(shù)值孔徑NA，有必要保證由可能的離焦FV (焦點變化)和照明光的劑量的變化形成的最大可能的所謂處理窗口(process window)。在該情況下,NA和DOF是反比例的。為了進(jìn)一步減小臨界尺寸CD，通常傾向于朝著增加數(shù)值孔徑NA的方向發(fā)展。然而，這導(dǎo)致焦深DOF的減少，并因此導(dǎo)致處理窗口的減小。因此，存在對用于在減小臨界尺寸⑶的情況下增加或至少穩(wěn)定處理窗口的措施的需求。
·
當(dāng)前，通過兩類投射曝光設(shè)備實現(xiàn)節(jié)距和⑶的最佳分辨率。第一類投射曝光設(shè)備利用ArF激光器以具有偏振光的193nm波長\的照明光運行，并且，其以浸沒方式工作，即在晶片之前使用液體作為最后的介質(zhì)，或者以干的方式工作，即，在晶片之前使用氣體作為最后的介質(zhì)。將被照明的掩模成像至晶片上的關(guān)聯(lián)的物鏡通常為折射或折反射物鏡。后者以0. 8或I. 3或更高的像方數(shù)值孔徑工作。以示例的方式，參考 US20060139611A1，US 20090034061A1 或 US 20080151365A1。掩模母版通常為玻璃基底，且掩模母版的結(jié)構(gòu)通過所述基底上的由Cr、MoSi或其他材料構(gòu)成的結(jié)構(gòu)化層限定。第二類投射曝光設(shè)備利用弱X光輻射(在技術(shù)術(shù)語中稱為EUV，極紫外)源以13.5nm波長\的照明光運行。技術(shù)術(shù)語稱為所謂的EUV系統(tǒng)或EUV投射曝光設(shè)備。將被照明的掩模成像至晶片上的關(guān)聯(lián)物鏡是反射物鏡。后者以0. 2至0. 35,0. 9或更高的像方數(shù)值孔徑工作。例如，參考US20050088760A1或US 200801700310A1。掩模母版通常為玻璃基底，諸如ULETM或Zerodur ，在具有13. 5nm的波長\的光的情況下，掩模母版通過交替Mo和Si層的疊層而成為高反射，并且，掩模母版的結(jié)構(gòu)繼而由結(jié)構(gòu)化的Cr層或者由TaN或其他的材料構(gòu)成的結(jié)構(gòu)化的層限定。結(jié)構(gòu)化的層的厚度典型地為50-70nm。在“Polarization-induced astigmatism caused by topographic masks,Ruoff等，Proc SPIE 6730,67301T (2007)”中解釋的效應(yīng)在第一類投射曝光設(shè)備中出現(xiàn)。因此，照明光的TM-和TE-偏振分量分別導(dǎo)致H和V結(jié)構(gòu)的焦距的位置不同。波前像差(并且在該情況中尤其是像散(astigmatism) Z5、Z6)相應(yīng)地出現(xiàn)在掩模的偏振照明和通過物鏡的隨后成像的情況中。像散項Z5、Z6為澤尼克(Zernike)多項式,其指數(shù)(indexing)遵循條紋標(biāo)號(fringe notation),參考 “Handbook of Optical Systems (光學(xué)系統(tǒng)手冊)，Singer 等(eds. )，Wiley-Vch，2005”。這實質(zhì)上與照明光在掩模上衍射時基爾霍夫近似的失效以及偏振照明關(guān)聯(lián)，該掩模對于光而言表現(xiàn)為三維。上述文章具體描述了考慮這些效應(yīng)的通用基爾霍夫近似。這些效應(yīng)(在技術(shù)術(shù)語中稱為嚴(yán)格(rigorous))依賴于結(jié)構(gòu)寬度、限定掩模的結(jié)構(gòu)的材料(諸如Cr)、以及所述結(jié)構(gòu)在掩模區(qū)域中的照明光的光束路徑的方向上的厚度。因此，在第一類投射曝光設(shè)備中，需要校正波前的取決于結(jié)構(gòu)和取決于節(jié)距的像差(其由掩模的嚴(yán)格效應(yīng)引起(同義詞導(dǎo)致))的措施，并且，特別地，需要校正由掩模引起的取決于結(jié)構(gòu)和取決于節(jié)距的像散。在該情況中，由結(jié)構(gòu)或結(jié)構(gòu)寬度或節(jié)距引起的波前像差、或者所引起的波前的像差在下文中被理解為指僅由掩模的這種結(jié)構(gòu)化導(dǎo)致的像差。換言之，這是在已經(jīng)存在的物鏡的其他像差之外出現(xiàn)的像差。代替節(jié)距或結(jié)構(gòu)寬度引起的波前像差，也可以僅稱為節(jié)距或結(jié)構(gòu)寬度的波前像差。在第二類投射曝光設(shè)備中，掩模的照明以反射方式發(fā)生。因此，掩模的遠(yuǎn)心照明是不可能的，因為否則照明系統(tǒng)和物鏡會擋道。在第一類投射曝光設(shè)備的情況中，主光線角度CRA為主光線與遠(yuǎn)心光線的偏離。在第二類投射曝光設(shè)備的當(dāng)前情況中，主光線角度為照明光的主光線關(guān)于相對于物鏡的物平面的假想垂線的角度。在如US 20050088760A1中呈現(xiàn)的投射曝光設(shè)備的情況中，6°的CRA被用于0. 33的像方數(shù)值孔徑NA的情況中。在如US200801700310A1中呈現(xiàn)的投射曝光設(shè)備的情況中，在像方數(shù)值孔徑NA為0. 5的情況下使用15°的CRA。通常，使用的CRA隨著物鏡的數(shù)值孔徑NA增加而增加。對于以下描述的效應(yīng)，也參考“Maskdiffraction analysis and optimizationfor EUV masks (掩模衍射分析和對于EUV掩模的優(yōu)化)，Erdmann等，Proceedings of theSPIE - The International Society for Optical Engineering2009，vol. 7271，，。如下文中以更詳細(xì)的方式所示出的，不同于0°的CRA導(dǎo)致反射的照明光被掩模結(jié)構(gòu)的關(guān)于物鏡的物平面垂直的范圍(extent)遮擋(shadowing)。因此，這里呈現(xiàn)了掩模的純粹幾何學(xué)(topographical)效應(yīng)，該效應(yīng)由照明系統(tǒng)、掩模和物鏡的幾何三維布置決定。然而，與第一類投射曝光設(shè)備相比，所述效應(yīng)也影響非衍射照明光。精確地，對于EUV投射曝光設(shè)備而言，該效應(yīng)不能再被忽視，因為掩模上的結(jié)構(gòu)化 層的厚度為、=13. 5nm的照明光的波長的幾倍，且因此，與第一類投射曝光設(shè)備(工作在入=193nm的波長處)不同,可參考投影現(xiàn)象(shadow casting)。當(dāng)僅考慮非衍射照明光時，如果對于照明系統(tǒng)和物鏡的設(shè)計，假定掩模上的CRA的入射平面垂直于H結(jié)構(gòu)的單獨結(jié)構(gòu)的范圍(extent)，則對于H結(jié)構(gòu)，該遮擋被證明比對于V結(jié)構(gòu)達(dá)到更大的程度。假設(shè)掩模上的結(jié)構(gòu)寬度相同，則晶片上的H和V結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)寬度之間的差別的最大值依賴于它們作為物點的位置(在物鏡的物平面中考慮)，如在下文中所述。因此，H結(jié)構(gòu)通常被更寬地成像(依賴于它們在物鏡的物平面中的位置)。此外，對于H結(jié)構(gòu)，出現(xiàn)依賴于物點的位置的像偏移，其對應(yīng)于波前的場依賴性傾斜Z2、Z3。如果分析整個波前，則場依賴性畸變項Z2、Z3、離焦Z4和像散Z5、Z6作為像差出現(xiàn)。這些伴隨有高階波前像差，例如慧差z7、Z8和二級像散Z12、Z13O因此，在此第二類投射曝光設(shè)備中，同樣存在對校正波前的由掩模的嚴(yán)格效應(yīng)引起的依賴于結(jié)構(gòu)寬度和依賴于節(jié)距的像差的措施的需要，特別是存在對校正由掩模引起的依賴于結(jié)構(gòu)寬度和依賴于節(jié)距的像散的需要，對校正取決于物點的位置的依賴于結(jié)構(gòu)寬度和依賴于節(jié)距的畸變的需要，以及對校正依賴于結(jié)構(gòu)寬度和依賴于節(jié)距的焦點位置的需要。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提議，針對上面提及的投射曝光設(shè)備的兩種類型，在第一方法(下文中稱為“掩模波前優(yōu)化”MW0)中，提供波前操縱的可能性，或使用已經(jīng)存在的波前操縱可能性，以補償上面提及的效應(yīng)。這些操縱意圖考慮關(guān)于掩模的結(jié)構(gòu)的先驗信息，特別是掩模的結(jié)構(gòu)方向、節(jié)距和結(jié)構(gòu)寬度。在該情況下，波前的操縱被理解為指在為校正目的執(zhí)行的波前操縱之外執(zhí)行的操縱。投射曝光設(shè)備通常配備操縱可能性，該操縱可能性確保設(shè)備的功能性在設(shè)備的壽命中得到維持。這是因為，例如，將照明光應(yīng)用于物鏡的光學(xué)元件致使所述光學(xué)元件的發(fā)熱和退化，并因此致使所述光學(xué)元件的光學(xué)特性改變。光學(xué)特性的所述改變通常導(dǎo)致物鏡的成像性能的降低，并因此導(dǎo)致投射曝光設(shè)備的成像性能的降低。特別是，處理窗口因此變小。因此，物鏡的一些光學(xué)元件配備操縱可能性，該操縱可能性可全局地或局部地改變光學(xué)元件關(guān)于投射光學(xué)系統(tǒng)的其他光學(xué)元件的相對位置或它們的形狀，在折射光學(xué)元件的情況下，改變它們的折射率。通過示例，在EP 678768A2或在EP 1670041A1中，通過加熱改變透鏡的形狀或所述透鏡的折射率，使得其呈現(xiàn)與其原始效應(yīng)不同的光學(xué)效應(yīng)。WO 2008037496A2示出了通過引入扭矩也可以實現(xiàn)透鏡的形狀變化，該透鏡滿足更高的徑向階次(radial orders).在反射鏡的情況中，通過在所述反射鏡的從照明光移開的一側(cè)上施加力，可以實現(xiàn)反射鏡的或多或少的任意形式變化，例如參考US 20030234918A1。US 20090257032A1和W02009026970A1呈現(xiàn)了一種操縱器，通過光學(xué)元件中的施加電流的導(dǎo)體軌，該操縱器局部地產(chǎn)生溫度，并因此產(chǎn)生光學(xué)元件(特別是由石英玻璃構(gòu)成的平板)的折射率和形狀。EP 851304A2提供了一對非球面化的平板(稱為Alvarez板)，所述平板相對于彼此在預(yù)定的空間零位置不呈現(xiàn)光學(xué)效應(yīng)，但是在發(fā)生了相對于彼此的平移相對運動的情況 下，其呈現(xiàn)先前計算的光學(xué)效應(yīng)。此外，US20030063268A1以及US 6191898B1公開了投射光學(xué)系統(tǒng)中的光學(xué)元件的操縱，其中通過操縱器在光軸方向上或垂直于光軸的方向上位移光學(xué)元件，使得由相對于屬于投射光學(xué)系統(tǒng)的其它光學(xué)元件的該相對運動建立光學(xué)效應(yīng)。最后,WO 2007062794A1公開了投射光學(xué)系統(tǒng)的光學(xué)兀件的操縱,其中投射光學(xué)系統(tǒng)包含光軸。在該情況中，在五個空間自由度上移動光學(xué)元件沿著光軸方向的位移、垂直于光軸的兩個位移、以及關(guān)于不對應(yīng)于光軸的軸的兩個旋轉(zhuǎn)運動。如果上述操縱器之一作用的光學(xué)元件位于物鏡的瞳平面(pupil plane)中，則該光學(xué)元件對像場的每一個場點的波前的效應(yīng)是相同的。如果不是該情況，即光學(xué)元件不位于物鏡的瞳平面中，則所述對波前的效應(yīng)通常是場依賴性的，即由操縱器引起的波前變化依賴于所考慮的場點。因此，在這樣的情況中，其稱為以場依賴性方式作用的操縱器。特別地，利用上述操縱器中的一個作用在不布置在物鏡的瞳平面中的光學(xué)元件上，可校正物鏡的波前像差的場依賴性。本發(fā)明提出，在第二方法(在下文中稱為“源掩模波前優(yōu)化” SMW0)中，除了波前的操縱，還操縱照明掩模的照明光的設(shè)置，即特性。同樣地，這些操縱意圖考慮關(guān)于掩模的結(jié)構(gòu)的先驗信息，特別是結(jié)構(gòu)方向、節(jié)距及其結(jié)構(gòu)寬度。在該情況中，設(shè)置的操縱被理解為，執(zhí)行在可能已被照明系統(tǒng)執(zhí)行的照明光設(shè)置之外的變化的操縱。投射曝光設(shè)備的照明系統(tǒng)可配備操縱可能性，該操縱可能性允許環(huán)形設(shè)置(例如參照DE 102005034991A)、雙極或四極設(shè)置(參照US20070165202A1)、或自由形狀照明(例如參照 WO 2009100856A1 或“Illumination Optics for Source-Mask Optimization (用于源掩模優(yōu)化的照明光學(xué)系統(tǒng))，Yasushi Mizuno 等，Proc. SPIE 7640，754011(2010) ”。本發(fā)明提出，在第三方法(在下文中稱為“源掩模偏振波前優(yōu)化”SMPW0)中，除了波前和設(shè)置的操縱之外，還操縱照明光的偏振。同樣地，這些操縱意圖考慮關(guān)于掩模的結(jié)構(gòu)的先驗信息，特別是結(jié)構(gòu)方向、節(jié)距及其結(jié)構(gòu)寬度。在該情況中，偏振的操縱被理解為，在可能已由照明系統(tǒng)提供的照明光的偏振之外執(zhí)行的操縱。投射曝光設(shè)備的照明系統(tǒng)可配備操縱可能性，該操縱可能性影響照明光的偏振，例如參見 DE 102009016A1 或 WO 2009034109A2。
本發(fā)明的以下構(gòu)造不應(yīng)被認(rèn)為限制本發(fā)明。特別地，它們也可應(yīng)用到不歸于上述兩類中任一類的投射曝光設(shè)備。盡管與上面以詳細(xì)方式討論的兩類投射曝光設(shè)備相比，其嚴(yán)格掩模效應(yīng)不那么明顯，但其仍然存在。此外，本發(fā)明也被應(yīng)用于屬于上述兩類的交集的具有偏振照明的EUV系統(tǒng)。本發(fā)明的以下構(gòu)造應(yīng)被理解為MW0，并且為了簡潔，它們是編號且標(biāo)注的形式。第一形式針對掩模適配微光刻的投射曝光設(shè)備的方法，該掩模具有在不同的結(jié)構(gòu)方向中具有不同節(jié)距和/或不同結(jié)構(gòu)寬度的結(jié)構(gòu)，投射曝光設(shè)備包括-照明系統(tǒng)，用于利用照明光照明掩模和用于產(chǎn)生不同的照明設(shè)置， -物鏡，用于將位于物鏡的物平面中的掩模成像至位于物鏡的像平面中的晶片上，-所述物鏡包括具有不同的操縱器偏轉(zhuǎn)的操縱器，通過該操縱器可操縱物鏡的成像的波前，該方法的特征在于-在掩模的不同結(jié)構(gòu)方向中限定(define)掩模的多個不同節(jié)距和/或結(jié)構(gòu)寬度，-在照明系統(tǒng)中設(shè)定照明設(shè)置或自由形狀照明，-確定操縱器偏轉(zhuǎn)中的一個，該一個操縱器偏轉(zhuǎn)減少由限定的節(jié)距和/或限定的結(jié)構(gòu)寬度導(dǎo)致的波前像差，-偏轉(zhuǎn)操縱器至所確定的操縱器偏轉(zhuǎn)。通過根據(jù)第一形式的方法，偏轉(zhuǎn)物鏡的操縱器，使得不僅校正例如由物鏡的光學(xué)元件的位置、表面或材料公差引起的、或由物鏡的光學(xué)元件的變熱引起的波前像差，這些波前像差本質(zhì)上獨立于要被照明的掩模上的結(jié)構(gòu)。根據(jù)操縱器的偏轉(zhuǎn)的疊加原理，至少對于此一個操縱器，其偏轉(zhuǎn)的部分用于補償嚴(yán)格掩模效應(yīng)。投射曝光設(shè)備因此與掩模類型或一類掩模相協(xié)調(diào)?；诒环诸悶閷τ诠饪坦に囂貏e重要的結(jié)構(gòu)，進(jìn)行對節(jié)距和/或結(jié)構(gòu)寬度的限定。所述結(jié)構(gòu)可為具有特別小的焦深DOF或具有對集成電路的機(jī)能特別重要的幾何形狀的結(jié)構(gòu)，或者這兩個標(biāo)準(zhǔn)的結(jié)合被用于限定節(jié)距和/或結(jié)構(gòu)寬度。第二形式操作微光刻的投射曝光設(shè)備的方法，該投射曝光設(shè)備包含-照明系統(tǒng)，用于利用照明光照明掩模和用于產(chǎn)生不同的照明設(shè)置，-物鏡，用于將位于物鏡的物平面中的掩模成像至位于物鏡的像平面中的晶片上，-所述物鏡包括具有不同的操縱器偏轉(zhuǎn)的操縱器，通過該操縱器可操縱物鏡的成像的波前，該方法的特征在于-提供掩模，該掩模具有在不同的結(jié)構(gòu)方向上具有不同節(jié)距和/或不同結(jié)構(gòu)寬度的結(jié)構(gòu)，-在掩模的不同結(jié)構(gòu)方向中限定掩模的多個不同節(jié)距和/或結(jié)構(gòu)寬度，-在照明系統(tǒng)中設(shè)定照明設(shè)置或自由形狀照明，-確定操縱器偏轉(zhuǎn)中的一個，該一個操縱器偏轉(zhuǎn)減少由限定的節(jié)距和/或限定的結(jié)構(gòu)寬度導(dǎo)致的波前像差，-偏轉(zhuǎn)操縱器至所確定的操縱器偏轉(zhuǎn)。
通過根據(jù)第二形式的方法，將未先驗地與當(dāng)前被照明的掩模協(xié)調(diào)的投射曝光設(shè)備與當(dāng)前被照明的掩模協(xié)調(diào)，如與第一形式的情況一樣。第三形式針對掩模適配微光刻的投射曝光設(shè)備的方法，該掩模具有在不同的結(jié)構(gòu)方向上具有不同節(jié)距和/或不同結(jié)構(gòu)寬度的結(jié)構(gòu)，該投射曝光設(shè)備包括-照明系統(tǒng)，用于利用照明光照明掩模和用于產(chǎn)生不同的照明設(shè)置，-物鏡，用于將位于物鏡的物平面中的掩模成像至位于物鏡的像平面中的晶片上，-所述物鏡包括具有不同的操縱器偏轉(zhuǎn)的操縱器，通過操縱器可操縱物鏡的成像的波前，該方法的特征在于 -提供掩模，-在照明系統(tǒng)中設(shè)定照明設(shè)置或自由形狀照明，-確定由掩模引起的波前像差，-確定操縱器偏轉(zhuǎn)中的一個，該一個操縱器偏轉(zhuǎn)減少所確定的波前像差，-偏轉(zhuǎn)操縱器至所確定的操縱器偏轉(zhuǎn)。根據(jù)第三形式的方法不包括確定意在通過操縱器補償其波前像差的單個或幾個關(guān)鍵節(jié)距和/或結(jié)構(gòu)寬度。而是，通過操縱器減少掩模引起的整個波前像差。在該情況中，通過在理想物鏡的假定理想成像下對掩模的完全仿真來進(jìn)行掩模引起的波前像差的確定。為了該目的，例如可以使用能夠用于計算這種仿真的例如來自于Brion的Tachyon 平臺。第四形式根據(jù)第一形式或第二形式的方法，其特征在于-限定掩模的結(jié)構(gòu)方向中的第一結(jié)構(gòu)方向，-限定所述第一結(jié)構(gòu)方向的不同節(jié)距的兩個不同的節(jié)距Pl和P2、或不同結(jié)構(gòu)寬度的兩個不同的結(jié)構(gòu)寬度SI和S2，-確定不同的節(jié)距Pl和P2或不同的結(jié)構(gòu)寬度SI和S2的波前像差，-確定第一操縱器偏轉(zhuǎn)M1，該第一操縱器偏轉(zhuǎn)Ml減少節(jié)距Pl的或結(jié)構(gòu)寬度SI的波前像差，-在節(jié)距Pl和P2的或結(jié)構(gòu)寬度SI和S2的波前像差分別不同的情況下，確定第二操縱器偏轉(zhuǎn)M2，該第二操縱器偏轉(zhuǎn)M2減少節(jié)距P2的或結(jié)構(gòu)寬度S2的波前像差，以及限定節(jié)距Pl相對于P2的或結(jié)構(gòu)寬度SI與S2的相對權(quán)重a G
，以及將操縱器偏轉(zhuǎn)aMl+(l-a )M2 的值，-在節(jié)距Pl和P2的或結(jié)構(gòu)寬度SI和S2的波前像差分別不同的情況下，將操縱器偏轉(zhuǎn)Ml的值。通過根據(jù)第四形式的方法，使波前的校正依賴于節(jié)距和/或結(jié)構(gòu)寬度。通過權(quán)重a，可以確保對最終生產(chǎn)出的集成電路的功能重要的節(jié)距的波前、或特征結(jié)構(gòu)寬度的波前，盡可能好地校正所述波前。與獨立于結(jié)構(gòu)的波前的校正相比，該方法在集成電路的生產(chǎn)中最終產(chǎn)生更少的廢品。第五形式根據(jù)第一形式或第二形式的方法，其特征在于
-限定掩模的結(jié)構(gòu)方向中的第一結(jié)構(gòu)方向，-限定掩模的結(jié)構(gòu)方向中與第一結(jié)構(gòu)方向不同的第二結(jié)構(gòu)方向，-限定節(jié)距或結(jié)構(gòu)寬度，該節(jié)距或結(jié)構(gòu)寬度出現(xiàn)在掩模的第一結(jié)構(gòu)方向和第二結(jié)構(gòu)方向上，-確定對于第一結(jié)構(gòu)方向以及對于第二結(jié)構(gòu)方向的節(jié)距或結(jié)構(gòu)寬度的波前像差，-確定第一操縱器偏轉(zhuǎn)Ml，該第一操縱器偏轉(zhuǎn)減少第一結(jié)構(gòu)方向的節(jié)距或結(jié)構(gòu)寬度的波前像差，-在對于第一結(jié)構(gòu)方向以及對于第二結(jié)構(gòu)方向的節(jié)距或結(jié)構(gòu)寬度的波前像差不同的情況下，確定第二操縱器偏轉(zhuǎn)M2，該第二操縱器偏轉(zhuǎn)M2減少第二結(jié)構(gòu)方向的節(jié)距或結(jié)構(gòu)寬度的波前像差，以及限定結(jié)構(gòu)方向的相對權(quán)重a G
，以及將操縱器偏轉(zhuǎn)aMl+(l-a )M2 的值， -在對于第一結(jié)構(gòu)方向以及對于第二個結(jié)構(gòu)方向的節(jié)距或結(jié)構(gòu)寬度的波前像差相同的情況下，將操縱器偏轉(zhuǎn)Ml的值。通過根據(jù)第五形式的方法，使波前的校正依賴于結(jié)構(gòu)方向。通過權(quán)重，可以確保對最終生產(chǎn)出的集成電路的功能重要的結(jié)構(gòu)方向，盡可能好地校正波前。與獨立于結(jié)構(gòu)方向的波前校正相比，這在集成電路的生產(chǎn)中產(chǎn)生更少的廢品。第六形式根據(jù)第一形式或第二形式的方法，其特征在于-操縱器布置在物鏡的瞳平面中；-操縱器可以高達(dá)光瞳直徑的5倍的空間分辨的方式影響波前的相位，8 G
；-選定(fix)節(jié)距中的第一節(jié)距或結(jié)構(gòu)寬度中的第一結(jié)構(gòu)寬度；-選定所述第一節(jié)距或所述第一結(jié)構(gòu)寬度的第n衍射級；-選定節(jié)距中的第二節(jié)距或結(jié)構(gòu)寬度中的第二結(jié)構(gòu)寬度；-選定所述第二節(jié)距或所述第二結(jié)構(gòu)寬度的第m衍射級；-使得所述第一節(jié)距或所述第一個結(jié)構(gòu)寬度的第n衍射級以及所述第二節(jié)距或所述第二結(jié)構(gòu)寬度的第m衍射級彼此分開至少光瞳直徑的8倍；-確定第一節(jié)距或第一結(jié)構(gòu)寬度的波前像差以及第二節(jié)距或第二結(jié)構(gòu)寬度的波前
像差;-確定第一操縱器偏轉(zhuǎn)Ml，該第一操縱器偏轉(zhuǎn)Ml減少第一節(jié)距或第一結(jié)構(gòu)寬度在其第n衍射級的位置處的波前像差的相位誤差，且該第一操縱器偏轉(zhuǎn)Ml使得波前的相位在光瞳的其他位置處不變；-確定第二操縱器偏轉(zhuǎn)M2，該第二操縱器偏轉(zhuǎn)M2減少第二節(jié)距或第二結(jié)構(gòu)寬度在其第m衍射級的位置處的波前像差的相位誤差，且該第二操縱器偏轉(zhuǎn)M2使得波前的相位在光瞳的其他位置處不變；-將操縱器偏轉(zhuǎn)M1+M2的值。通過操縱器，波前的相位的高達(dá)光瞳直徑的5倍的空間分辨率在這里意圖被理解為以下意思對于光瞳直徑為I的情況，其意圖指，在每一情況中，在光瞳的具有至少距離S的兩個點處的相位可在所述兩個點中的第一個點處被操縱器影響，而獨立于所述兩個點中的第二個點。在光瞳直徑不等于I的情況中，相應(yīng)地進(jìn)行對光瞳直徑的縮放。換言之操縱器局部地對波前的相位作用，并使得相位在其他位置處不變。例如在US20090257032A1和W02009026970A1中公開這樣的操縱器。在該情況中，不變不一定被理解為100%的不變。在光瞳的任何期望位置處可將波前的相位影響P的值、并在該情況中在光瞳的任何其他點處、將相位影響不大于O I爐或者甚至不大于0.05f的值的操縱器，也意圖被理解為上述含義中的空間分辨。例如在W02008037496A2和US 20030234918A1中公開了這種操縱器。 根據(jù)第六形式的方法利用以下事實不同節(jié)距或不同結(jié)構(gòu)寬度的衍射級在物鏡的瞳平面中可被空間地分開。通常，由光瞳的一組位置給定固定選擇的衍射級m。對于o=0的傳統(tǒng)照明，這是一點設(shè)置，而對于增加的O，存在具有增加的半徑的圓。從而，在第一和第二衍射級之間的距離由在來自第一衍射級的第一點和來自第二衍射級的第二點之間的最小距離限定。單獨衍射級的位置和距離依賴于O設(shè)置、結(jié)構(gòu)寬度、節(jié)距和物鏡，并因此可以在啟動投射曝光設(shè)備之前被確定。對于非傳統(tǒng)照明，例如雙極或四極照明，衍射級是否分開的事實依賴于結(jié)構(gòu)方向相對于極的相對取向以及極的范圍(extent)。在環(huán)形照明的情況中，通常不采用第六形式，因為在該情況中的衍射級通常不再分開。因此，在這個或一些其他的瞳平面中，可以提供能校正波前的相位像差的操縱器，該波前的相位像差由在彼此分開的各自固定選擇的衍射級的區(qū)域中的各個節(jié)距或結(jié)構(gòu)寬度引起。這預(yù)示著操縱器可利用足夠用于該目的空間分辨率進(jìn)行光瞳的波前校正。因為精確地位于物鏡的分辨率極限附近的節(jié)距或結(jié)構(gòu)寬度對于光刻工藝是最重要的，例如，在需要高集成密度的閃存的制造中，較低的、尤其是第二至第五衍射級的無像差干涉至關(guān)重要。這通過根據(jù)第六形式的方法來確保。也可以通過關(guān)于波前像差檢查不同結(jié)構(gòu)方向的不同節(jié)距或結(jié)構(gòu)寬度、以及執(zhí)行加權(quán)，而以組合的方式實現(xiàn)根據(jù)第四形式至第六形式中的一個的方法。在通常的方式中，針對成對不同的m個節(jié)距、成對不同的n個結(jié)構(gòu)寬度、I個不同結(jié)構(gòu)方向的有限集，來執(zhí)行該方法。在該情況中，確定總共I (m+n)個波前像差，并限定權(quán)重Ct1，…，a1(m+n)，其中
=1。因為結(jié)構(gòu)方向僅純粹在幾何上影響嚴(yán)格掩模效應(yīng)，所以I = 2通常是足夠的，因為H和V之外的結(jié)構(gòu)方向的影響可以從H和V的影響解析地得出。第七形式微光刻的投射曝光設(shè)備，該投射曝光設(shè)備包含-照明系統(tǒng)，用于利用照明光照明掩模和用于提供不同的照明設(shè)置或自由形狀照明，-物鏡，用于將位于物鏡的物平面中的掩模成像至位于物鏡的像平面中的晶片上，-物鏡包括具有不同的操縱器偏轉(zhuǎn)的操縱器，通過該操縱器可操縱物鏡的成像的波前；其特征在于-投射曝光設(shè)備包含用于控制操縱器的控制器，-控制器包含用于存儲分配表的存儲器，該分配表將操縱器偏轉(zhuǎn)分配給一組不同節(jié)距和/或結(jié)構(gòu)寬度。根據(jù)第一形式的方法，可針對掩?；蛞活愌谀＿m配根據(jù)第七形式的投射曝光設(shè)備，或者可根據(jù)來自第二形式的方法操作根據(jù)第七形式的投射曝光設(shè)備。因為根據(jù)第一形式的適配或根據(jù)第二形式的操作僅僅需要關(guān)于掩模的結(jié)構(gòu)和節(jié)距的信息，所以要被偏轉(zhuǎn)的操縱器偏轉(zhuǎn)同樣僅依賴于掩模的結(jié)構(gòu)和節(jié)距。從而，可以以存儲在控制器的存儲器中的分配表(同義詞查找表)的形式存儲節(jié)距和結(jié)構(gòu)寬度對操縱器偏轉(zhuǎn)的分配。本發(fā)明的以下構(gòu)造應(yīng)被理解為SMW0，并且為了簡潔，它們繼續(xù)連續(xù)編號。第八形式根據(jù)第一形式或第二形式或第四形式或第五形式中的任一形式所述的用于針對掩模適配或用于針對掩模操作用于微光刻的投射曝光設(shè)備的方法，該掩模具有在不同的結(jié)構(gòu)方向中具有不同節(jié)距和/或不同結(jié)構(gòu)寬度的結(jié)構(gòu)，其特征在于除了操作器偏轉(zhuǎn)之外，還確定照明設(shè)置中的變化或自由形狀照明中的變化，使得 由于照明設(shè)置中的變化或自由形狀照明中的變化以及具有操作器偏轉(zhuǎn)的操縱器的偏轉(zhuǎn)，由不同的節(jié)距和/或不同的結(jié)構(gòu)寬度導(dǎo)致的波前像差被減少至少與根據(jù)第一形式所述的方法中的程度一樣的程度。通過根據(jù)第八形式的方法，不僅借助于操縱器減少了由不同的節(jié)距和/或不同的結(jié)構(gòu)寬度引入的波前的像差，而且設(shè)置也被附加地用作校正波前的自由度。結(jié)果，實現(xiàn)了至少不是更差且在許多情況中是更好的波前校正。例如，在雙極設(shè)置的情況中，這可由于以下事實而實現(xiàn)通過極的寬度的縮小，實現(xiàn)了光瞳中的衍射級的更好的分離。繼而，可以針對來自先驗更大的節(jié)距組的節(jié)距而執(zhí)行根據(jù)第五形式的方法。第九形式根據(jù)第七形式的用于微光刻的投射曝光設(shè)備，其特征在于-照明系統(tǒng)的操縱器，通過該操縱器，可改變照明設(shè)置或自由形狀照明，-第二操縱器可以通過控制器控制，-控制器包含用于存儲分配表的存儲器，該分配表將照明設(shè)置或自由形狀照明分配給一組不同的節(jié)距和/或結(jié)構(gòu)寬度。可以根據(jù)第八形式的方法針對掩?；蛞活愌谀＿m配根據(jù)第九形式的投射曝光設(shè)備或操作根據(jù)第九形式的投射曝光設(shè)備。因為根據(jù)第八形式的適配或操作僅需要關(guān)于掩模的結(jié)構(gòu)和節(jié)距的信息，所以要被偏轉(zhuǎn)的操縱器偏轉(zhuǎn)、以及要被設(shè)定的設(shè)置或自由形狀照明中的變化同樣僅依賴于關(guān)于掩模的結(jié)構(gòu)和節(jié)距的信息。從而，可以以分配表(同義詞查找表)的形式存儲節(jié)距和結(jié)構(gòu)寬度對操縱器偏轉(zhuǎn)和設(shè)置或自由形狀照明的分配，并將其存儲在控制器的存儲器中。本發(fā)明的以下構(gòu)造應(yīng)該理解為SMPW0，并且為了簡潔，它們繼續(xù)連續(xù)編號。第十形式根據(jù)第一形式或第二形式中的任一項、或第四形式至第六形式中的任一項、或第八形式所述的用于針對掩模適配或用于針對掩模操作用于微光刻的投射曝光設(shè)備的方法，該掩模具有在不同的結(jié)構(gòu)方向中具有不同節(jié)距和/或不同結(jié)構(gòu)寬度的結(jié)構(gòu)，其特征在于-除操縱器偏轉(zhuǎn)以及照明設(shè)置中的改變或自由形狀照明中的改變之外，還確定照明光的偏振中的改變，使得由于照明設(shè)置中的改變或自由形狀照明中的改變、以及具有操縱器偏轉(zhuǎn)的操縱器的偏轉(zhuǎn)、以及照明光的偏振中的改變，由不同的節(jié)距和/或不同的結(jié)構(gòu)寬度導(dǎo)致的波前像差被減少至少與根據(jù)第八形式的方法中的程度一樣的程度。通過根據(jù)第十形式的方法，不僅借助于操縱器以及設(shè)置或自由形狀照明減少由不同的節(jié)距和/或不同的結(jié)構(gòu)寬度引起的波前像差，而且還附加地使用照明光的偏振作為校正波前的自由度。結(jié)果，實現(xiàn)了至少不是更差且在許多情況中是更好的波前校正。第^^一形式根據(jù)上述形式中的任一個的方法，其特征在于-物鏡包含另一操縱器，該另一操縱器校正波前像差的場依賴性。第十二形式 根據(jù)上述形式中的任一個的用于微光刻的投射曝光設(shè)備，其特征在于-物鏡包含另一操縱器，該另一操縱器不位于物鏡的瞳平面中，-該另一操縱器可以通過控制器控制，-控制器包含用于儲存分配表的存儲器，該分配表將用于另一操縱器的偏轉(zhuǎn)分配給一組不同的節(jié)距和/或結(jié)構(gòu)寬度。


在以下示例實施例的基礎(chǔ)上，利用示例實施例的附圖來說明本發(fā)明。圖la、lb、lc :在CRA > 0°的情況中，在掩模處發(fā)生嚴(yán)格效應(yīng)的示意圖；圖2a、2b :在偏振照明的情況中，在掩模處發(fā)生嚴(yán)格效應(yīng)的示意圖；圖3 :對于具有不同節(jié)距的H和V結(jié)構(gòu)的相位誤差；圖4 :在不同結(jié)構(gòu)方向上的總波前像差；圖5a V結(jié)構(gòu)的最佳焦點相對于H結(jié)構(gòu)的位移；圖5b :在無波前補償?shù)那闆r下，對于三個結(jié)構(gòu)的離焦和臨界尺寸的關(guān)系的示例；圖5c :在具有波前補償?shù)那闆r下，對于三個結(jié)構(gòu)的離焦和臨界尺寸的關(guān)系的示例；圖5d:在無波前補償和具有波前補償?shù)那闆r下，對于三個結(jié)構(gòu)的最佳焦點的位置；圖5e :在投射系統(tǒng)光瞳中補償波前；圖5f :在無波前補償和具有波前補償?shù)那闆r下，最佳焦點的位置的比較；圖6a V結(jié)構(gòu)的焦點相對于H結(jié)構(gòu)的位移導(dǎo)致的處理窗口的縮??；圖6b :不同節(jié)距的衍射級在物鏡的光瞳中的位置；圖6c :不同節(jié)距導(dǎo)致的不同處理窗口 ；圖6d :在物鏡的光瞳中的、根據(jù)本發(fā)明的波前操縱之后導(dǎo)致的不同節(jié)距的處理窗
n ；圖7 :具有操縱器的用于微光刻的投射曝光設(shè)備的物鏡；圖8 :具有附加地影響偏振的操縱器和附加地影響設(shè)置的操縱器的投射曝光設(shè)備;圖9a、9b :由于CRA>0°的遮擋效應(yīng)的不可避免性、以及用于6°的CRA的EUV物鏡的設(shè)計的圖示。
具體實施例方式圖I示出了在掩模處嚴(yán)格效應(yīng)的發(fā)生，其對上述第二類投射曝光設(shè)備是至關(guān)重要的。圖Ia示出了在CRA大于0°的情況中，在掩模處的嚴(yán)格效應(yīng)的發(fā)生。左側(cè)的示意圖101示出了在掩模的H結(jié)構(gòu)104的情況中照明光的入射，這里以三維的形式示出。H結(jié)構(gòu)位于載體103上，該載體103對于\ =13. 5nm的照明光的波長是高反射的，且其由交替的Mo和Si層構(gòu)成。垂直于所述載體的表面的維度在這里表不為z,其對應(yīng)于其中由鉻Cr構(gòu)成的H結(jié)構(gòu)104的厚度大約為60nm的維度。H結(jié)構(gòu)在y方向中的范圍大于x方向中的范圍。如果照明光105的光線以相對于方向z的P >0° (例如￠=6°或￠=15° )照射到掩模上，那么針對反射光線出現(xiàn)遮擋效應(yīng)，如這里的中斷線所示出的。該效應(yīng)不會出現(xiàn)在V結(jié)構(gòu)106的情況中，在右側(cè)的示意圖102中示出。結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)寬度，例如右側(cè)示意圖中的V結(jié)構(gòu)106的結(jié)構(gòu)寬度，這里為其在y方向中的范圍107。節(jié)距為在兩個V結(jié)構(gòu)之間的距離，這里顯示為y方向中的108。 圖Ib示出了場依賴性，即對要被成像在物鏡的像場中的結(jié)構(gòu)的位置的依賴性，在CRA > 0°的情況中，對H結(jié)構(gòu)113和V結(jié)構(gòu)114相對于物平面112的垂線(orthogonal)111的位置的依賴性。僅在￠=0°的方位角(對應(yīng)于圖Ia的照明)處，入射照明光115才能看到(see)如在圖Ia中所示的結(jié)構(gòu)。在關(guān)于掃描方向的方位角小> 0°，照明光115采用兩個角度CRA和方位角(K在圖Ib中，116為掩模的三維視圖，該掩模位于物鏡的物平面中。112僅僅示出了所述物平面的一個維度；更精確而言，后者112為投射曝光設(shè)備的掃描方向。圖Ic示出了從物鏡的物平面內(nèi)的視點的遮擋效應(yīng)。照明光121從左手側(cè)入射在疊層122上，并在疊層122中反射，并且可以看出，在右手側(cè)的結(jié)構(gòu)123處，遮擋124出現(xiàn)，同樣地，遮擋124完全是幾何性質(zhì)的，并依賴于在疊層中的照明光的反射的有效位置。圖2a示出了在掩模處的嚴(yán)格效應(yīng)的發(fā)生，其對上述第一類投射曝光設(shè)備是至關(guān)重要的。通過布置在掩模載體132上的Cr結(jié)構(gòu)133，入射的照明光131被衍射為衍射級134、135?；诮Y(jié)構(gòu)方向，定義單獨偏振方向TE和TM。在TE偏振的情況中，照明光的電場矢量平行于結(jié)構(gòu)方向振蕩；而在TM偏振的情況中，照明光的電場矢量垂直于結(jié)構(gòu)方向振蕩。對于基爾霍夫近似，零級和較高衍射級之間的相位差為零或至少是固定的。如果較高衍射級各自具有與零衍射級相比單獨的相位差，則出現(xiàn)像差。因此，在基爾霍夫近似中，未預(yù)見由掩模引起的像差。在嚴(yán)格計算時，這種較高衍射級的單獨相位差出現(xiàn)，而且其對于TE和TM也可以不同。因為H和V線條(給定相同的照明偏振(例如，關(guān)于掃描方向垂直))有時“看到(see)” TE，有時“看到” TM，所以這些相位差是不同的。對于H線條的偏振是TE偏振，而相應(yīng)地對于V線條的是TM偏振。因此，兩種結(jié)構(gòu)引起不同的像差，如不同的焦點偏移，其最終具有如像散的效應(yīng)。圖2b定量地示出了圖2a的效應(yīng)。在兩個圖中，照明光的單獨衍射級在橫坐標(biāo)上列出。在左手邊的圖中，單獨衍射級相對于入射振幅的相對振幅示出在縱坐標(biāo)上。在非偏振光(在圖中表示為“基爾霍夫”)、TE偏振和TM偏振之間沒有出現(xiàn)差別。右手邊的圖以納米為單位示出了 TM與TE的相位差。這里可看出在TE和TM之間的重大差別。針對垂直入射在掩模上的相干照明計算了這兩個圖中所確定的值，其中，結(jié)構(gòu)寬度為200nm、節(jié)距為2000nm。針對上述第二類投射曝光設(shè)備中的EUV投射曝光設(shè)備，圖3示出了對于如圖I中不出的H和V結(jié)構(gòu)的相位誤差。橫坐標(biāo)O在-I和I之間變化,并表不物鏡的入瞳中的歸一化的光瞳坐標(biāo)?？v坐標(biāo)表示相對于0衍射級的、O =0的、以nm為單位的相位誤差。比較了100nm、200nm、300nm和500nm的節(jié)距。可容易地看出，對于IOOnm的最小的節(jié)距，僅-2、-I、0、1、2衍射級通過物鏡。針對V結(jié)構(gòu)，波前的相位在其徑向分量方面對應(yīng)于偶函數(shù)，并且對于每個節(jié)距分別具有兩個變形(inflection)點。因為與較大節(jié)距相比，小節(jié)距的衍射級在光瞳中位于更外面，因此變形點也位于更外面。在節(jié)距小于IOOnm的情況(在這里未示出)中，可能出現(xiàn)僅_1、0、1衍射級通過物鏡的情形。從而，這種節(jié)距的波前的相位不再具有任何變形點?？偟膩碚f，波前的相位誤差可被展開為澤尼克多項式Z4、Z9……，并且一般地具有二次i的Z”除V結(jié)構(gòu)的相位誤差之外，H結(jié)構(gòu)的相位誤差還經(jīng)歷傾斜、Z2, Z3以及諸如Z7、Z8......的較高次項。對于每一節(jié)距，可通過根據(jù)第一形式、第二形式或第三形式至第六形式中的任一 形式的操縱器來校正波前的相位。在該情況中，如果所述操縱器位于物鏡的瞳平面中(如在第六形式中一樣)，則是有利的。在根據(jù)第四形式多個節(jié)距同時可能加權(quán)的校正的情況中，根據(jù)第六形式的空間分辨操縱器是有利的，這是因為由單獨節(jié)距的相位誤差的迭加產(chǎn)生的波前在其徑向分量上先驗地具有多個變形點。在圖4中，假定該多個結(jié)構(gòu)關(guān)于其方位均勻地分布，迭加掩模的多個結(jié)構(gòu)的共同相位誤差。在左手邊的示圖中，示出了在物鏡的入瞳中的歸一化的光瞳坐標(biāo)的迭加相位誤差。迭加相位誤差在右手邊的示圖中展開為澤尼克多項式。這種復(fù)雜的光瞳分布可有利地通過根據(jù)第六形式的空間分辨操縱器來校正。上述圖示應(yīng)用于物鏡的物場的固定選擇的物點，且對于其他的物點可導(dǎo)出相似的圖示。因此，這些圖示應(yīng)該被理解為依賴于要被成像的物點的位置。換言之，由不同的節(jié)距引起的波前像差具有場分布，且波前像差有利地由根據(jù)第十二形式的第二操縱器(其不位于物鏡的瞳平面中)來校正。如上面已經(jīng)示出的，主要在由不同的節(jié)距引起的波前像差中發(fā)現(xiàn)影響焦點的項。在這個方面，參考圖3中第一列的相位分布，其全部都是偶函數(shù)，并因此對應(yīng)于旋轉(zhuǎn)對稱的光瞳的相位誤差。焦點被證明不僅依賴于節(jié)距，也依賴于要被成像的結(jié)構(gòu)寬度。圖5a示出了與V結(jié)構(gòu)關(guān)聯(lián)的最佳焦點位置和與H結(jié)構(gòu)關(guān)聯(lián)的最佳焦點位置的比較，伴隨具有200nm的寬度的隔離結(jié)構(gòu)的成像并利用偏振照明。橫坐標(biāo)和縱坐標(biāo)都以微米為單位。橫坐標(biāo)的原點被定義為V結(jié)構(gòu)的像的寬度最大的那一點。虛線曲線示出了在像平面離焦的情況下V結(jié)構(gòu)的像的寬度降低。實線曲線示出了在像平面離焦的情況下H結(jié)構(gòu)的像的寬度降低。H結(jié)構(gòu)的像的最大寬度相對于V結(jié)構(gòu)的像的寬度為最大的位置位于+60nm的離焦處。因為在這兩個最大值處虛線曲線和實線曲線的導(dǎo)數(shù)為零，所以這兩個最大值分別是將V結(jié)構(gòu)和H結(jié)構(gòu)成像的最佳焦點位置。明顯地，這兩個最佳焦點之間相差60nm。圖5b至5f給出了與不同結(jié)構(gòu)、取向、節(jié)距尺寸相關(guān)聯(lián)的最佳焦點位置的另一示例，并示出了減少這些位置之間的差別的措施。
圖5b示出了三個Bossung曲線，即作為針對三個給定結(jié)構(gòu)的離焦的函數(shù)的三個線寬(臨界尺寸⑶)的變化的曲線具有90nm的節(jié)距尺寸的45nm的V結(jié)構(gòu)(曲線45p90V)、具有350nm的節(jié)距尺寸的90nm的V結(jié)構(gòu)(曲線90p350V)、和具有350nm的節(jié)距尺寸的90nm的H結(jié)構(gòu)(曲線90p350H)。針對VUV投射光學(xué)系統(tǒng)，計算相對于離焦的臨界尺寸的變化△ CD，如圖5b中示出的，該VUV投射光學(xué)系統(tǒng)具有NA=L 35的像方數(shù)值孔徑和193nm的照明光波長。照明設(shè)置為y偏振的部分相干設(shè)置，其具有部分相干因子O =0. 2,參考Alfred Kwok-KitWong 的“Resolution Enhancement Techniques in Optical Lithography (光刻中的分辨率增強技術(shù))，SPIE Press, Bellingham Washington, 2001”中的照明設(shè)置的技術(shù)詳細(xì)資料。三個結(jié)構(gòu)由交替的相移掩模給出，該交替的相移掩模具有由IOOnm的Cr層給出的不透光部分和192nm的蝕刻深度。選擇模擬的空間像(aerial image)的光刻膠閾值,使得45p90V節(jié)距被按尺寸(on size)印制，即產(chǎn)生的像在零離焦處具有45nm的⑶。如圖5a中一樣，圖5b中的橫坐標(biāo)為離焦量。與圖5a相比，離焦以納米為單位，而不是以微米為單位。縱坐標(biāo)示出了選擇的三個結(jié)構(gòu)的在零離焦處的各自CD以納米為單位的臨界尺寸的偏離A CD。相對于Onm的歸一化值給出CD，并且還相對于Onm的歸一化焦點 位置給出離焦。三個星號表示三個結(jié)構(gòu)的各自最佳焦點位置。明顯地，這些位置不相同。圖5d的表的上面一行示出了這些最佳焦點位置相對于圖5b中選擇的原點的數(shù)值。它們在大約74nm的最小區(qū)間中。該區(qū)間的寬度可被理解為光刻工藝的不穩(wěn)定性的度量，即區(qū)間越小，關(guān)于焦點變化的CD變化就越穩(wěn)定。圖5f 以圖形示出了最佳焦點位置。如果這三種類型的結(jié)構(gòu)45p90V、90p350V和90p350H要被同時成像，則可以改變投射光學(xué)系統(tǒng)的波前，以補償掩模的嚴(yán)格效應(yīng)，參考第一類投射曝光設(shè)備的上述討論。如果圖5e的相位分布被加到波前上，則這三種結(jié)構(gòu)的最佳焦點大致落入共同的位置，如在圖5c中示出的，并被量化在圖5d的表格的第二行中。顯然，上述74nm的區(qū)間縮小至0. 4nm，這意味著所有三種結(jié)構(gòu)均成像在它們最理想的焦點位置處。圖5f以圖形示出了在圖5e的波前應(yīng)用之前和之后的三個最佳焦點位置。圖5e的波前由對I. 35的光瞳直徑歸一化的60nm Z5、70nm Z9和60nmZ12的迭加構(gòu)成，其可由如在 EP678768A2、EP 1670041A1、W02008037496A2、US 20030234918A1、US20090257032A1和 TO2009026970A1，EP 851304A2、US 20030063268A1 和 WO 2007062794A1
中所描述的一個或多個操縱器來產(chǎn)生。顯然，作為副效應(yīng)，圖5e的波前的應(yīng)用也導(dǎo)致空間像中的重要⑶變化，然而，其可通過掩模母版上的線寬的適當(dāng)變化來補償。圖6a示出了 EUV投射曝光設(shè)備的兩個處理窗口，橫坐標(biāo)示出了以nm為單位的離焦(同義詞焦點變化FV)，而縱坐標(biāo)示出了強度閾值IT。針對將V結(jié)構(gòu)在它們的寬度上以真實按比例(true to scale)的方式成像的光刻膠閾值、o = 0. 5的照明設(shè)置和32nm的結(jié)構(gòu)寬度，示出了處理窗口。掩模的結(jié)構(gòu)由具有80nm的厚度的層制造。CRA具有6°的角度，且物鏡的物方數(shù)值孔徑NA=O. 3。上面的窗口示出了對于64nm的節(jié)距的處理窗口，而下面的窗口示出了對于150nm的節(jié)距的處理窗口。發(fā)現(xiàn)，H對V結(jié)構(gòu)的相對離焦主要出現(xiàn)在150nm的節(jié)距處，并導(dǎo)致處理窗口的位移，而對于64nm的節(jié)距的處理窗口不被影響，或僅被輕微地影響。H和V結(jié)構(gòu)的共同處理窗口(對應(yīng)于上述兩個處理窗口的交集)因此減小。作為根據(jù)上述形式I至形式6中的任一形式的操縱器的設(shè)置的結(jié)果，盡管不必要增加處理窗口，但是用于校正要被最關(guān)鍵地成像的節(jié)距的波前像差的操縱器的偏轉(zhuǎn)最終在要被制造的集成電路的生產(chǎn)中導(dǎo)致較少的廢品。在根據(jù)第六、第八或第十形式的方法的情況中，甚至可以增大處理窗口，因為H和V結(jié)構(gòu)的波前像差可彼此獨立地被校正。在集成電路的制造和晶片的曝光過程中，通過使用晶片的光刻膠已經(jīng)預(yù)先確定了固定的光刻膠閾值。從而，處理窗口(關(guān)于它們的縱坐標(biāo))不再由強度閾值IT限定，而是由劑量D來限定，劑量D仍然可以在制造過程中設(shè)定。然而，因為所述劑量與用于固定選擇的光刻膠的強度閾值IT是反比例的，因此在該情況中，處理窗口也具有與圖6a中示出的形式一樣的形式并且，出現(xiàn)上面所述的相同問題。圖6b不出了 EUV投射曝光設(shè)備的物鏡的光瞳。設(shè)定光瞳坐標(biāo)的橫坐標(biāo)和縱坐標(biāo)的最大值分別為0. 32，其對應(yīng)于物鏡的物方數(shù)值孔徑。位于光瞳中的較小圓代表通過光瞳的衍射級。較小的圓的直徑對應(yīng)于0.3的O設(shè)定。具有20nm范圍的周期V結(jié)構(gòu)通過物鏡成像。在左手邊的示圖中，周期對應(yīng)于40nm的節(jié)距p40 ;在中間的示圖中，周期對應(yīng)于60nm的節(jié)距p60 ;以及在右手邊的示圖中，周期對應(yīng)于80nm的節(jié)距p80。可以容易地注意到，在40nm的節(jié)距的情況中，即在左手邊的示圖的情況中，僅0衍射級和部分的_1和+1衍射級通 過光瞳。它們之間的距離對應(yīng)于大約0. 12。因此，第六形式的5對應(yīng)于大約0. 12，亦即大約為光瞳直徑的六分之一。如果節(jié)距的范圍增加,則其他衍射級可通過光瞳,但是在60nm的節(jié)距的情況中，它們之間的距離減少直到衍射級重疊，例如在右手邊的示圖中，并且，此時滿足S =0。圖6c示出了在圖6b的三種節(jié)距的情況中嚴(yán)格效應(yīng)(已經(jīng)論述過)產(chǎn)生的各自離焦。它們由6°的CRA的情況中的50nm的結(jié)構(gòu)層厚度所導(dǎo)致，并且以不同的程度影響單獨的衍射級。因此，對于不同的節(jié)距出現(xiàn)不同的離焦。針對40nm的節(jié)距出現(xiàn)-6nm的離焦，針對60nm的節(jié)距出現(xiàn)-2 Inm的離焦，并且對于80nm的節(jié)距出現(xiàn)_35nm的離焦。這些值相關(guān)于對于Onm的離焦的基準(zhǔn)(reference)，在沒有由掩模引起的波前像差的情況下物鏡的焦點的位置對應(yīng)于該基準(zhǔn)。針對這三個節(jié)距，在-2Inm的離焦的情況中獲得70nm的最佳焦深DOF0最好的強度閾值IT可設(shè)定為0. 218，且作為結(jié)果的共同處理窗口具有0. 002微米的范圍。圖6d示出了在通過操縱器對波前的相位進(jìn)行了根據(jù)本發(fā)明的操縱之后的處理窗口，該操縱器作用在物鏡的位于物鏡的瞳平面中的光學(xué)元件上。因為來自圖6b和6c的三種節(jié)距的衍射級不是分離的(disjoint)，所以這里不能使用根據(jù)第六形式的方法，即使對于40nm和60nm的節(jié)距的衍射級都滿足5 >0。因此，依照對要被成像的集成電路的重要性，將單獨節(jié)距分等級，或者使這三種節(jié)距的共同處理窗口最大化。這是圖6d中的情況。如果使用上述操縱器中的一個，該一個操縱器作用于物鏡的位于物鏡的瞳平面中的光學(xué)元件，并且其以澤尼克多項式Z9的-0. 7nm操縱波前的相位，則單獨節(jié)距基本上不再相對于彼此離焦。強度閾值IT略微增加至0. 219，導(dǎo)致在焦深增加至72nm的情況中具有0. 003 u m的范圍的共同處理窗口。圖7示出了用于將物場701成像至像場702的第一類中的投射曝光設(shè)備700。投射設(shè)備700包含物鏡710。作為示例，示出了位于物場中的兩個場點703和704，通過物鏡將兩個場點成像至像平面702中。物鏡包含諸如透鏡711、反射鏡712和平板713的光學(xué)元件。操縱器721作用于透鏡之一上，該操縱器可位移，彎曲，加熱和/或冷卻透鏡。第二操縱器722以相同方式作用于反射鏡712上，且第三操縱器723用于將平板713更換為另一非球面化的平板(在這里未示出)，或其用于局部加熱固定安裝的平板713。作用在透鏡711、反射鏡712上或以加熱方式作用在平板713上的操縱器優(yōu)選是第五形式的含意中的空間分辨的，且透鏡或反射鏡或平板分別位于物鏡710的瞳平面中。物鏡的另一操縱器(例如其同樣為上述類型中的一個，這里未示出)，操縱物鏡的另一光學(xué)元件。該光學(xué)元件不位于物鏡的瞳平面中。在預(yù)定的像方數(shù)值孔徑的情況中，由孔徑限制的最大光束從兩個場點703和704出現(xiàn)。所述光束的最外面的光線這里以虛線的形式示出。這些最外面的光線確定分別與場點703和704關(guān)聯(lián)的波前的界限。為了本發(fā)明的照明的目的，假定這些波前是球面的。波前傳感器和/或其它傳感器和/或預(yù)測模塊形成確定單元770，其提供關(guān)于通過物鏡之后的像差或波前的信息。所述其它傳感器例如為空氣壓力傳感器、用于測量物鏡中的溫度的傳感器、或測量透鏡上或反射鏡后側(cè)上的溫度的傳感器。操縱器721、722、723由控制器730控制，且操縱器721、722、723抵消例如由投射曝光設(shè)備的光學(xué)元件的變熱引起的波前像差，諸如由確定單元所確定。根據(jù)第七形式，控制器730具有存儲器740，用于存儲根據(jù)第七形式的分配表，該分配表將操縱器721、722、723中的至少一個的操縱器偏轉(zhuǎn)分配至一組不同的節(jié)距和/或結(jié)構(gòu)寬度。當(dāng)將投射曝光設(shè)備與掩模協(xié)調(diào)時，確定對集成電路的功能·關(guān)鍵的節(jié)距，且根據(jù)分配表偏轉(zhuǎn)操縱器721、722、723中的至少一個，以補償由所述節(jié)距引起的波前像差。由所述節(jié)距引起的波前像差的場分布由另一操縱器補償。圖8示出了投射曝光設(shè)備801。通過投射曝光設(shè)備的照明光的路線由箭頭示意性地示出。照明系統(tǒng)803照明掩模802。在照明系統(tǒng)803中，照明設(shè)置或自由形狀照明可由照明系統(tǒng)的操縱器812來設(shè)定。衍射光學(xué)元件DOE (其設(shè)定雙極、四極或環(huán)形設(shè)置)、或空間光調(diào)制器SLM (實施為多反射鏡陣列，并設(shè)定自由形狀照明)被用作操縱器。此外，照明光的偏振也可由照明系統(tǒng)的另一操縱器813來設(shè)定。在控制器811中，依照根據(jù)第八形式的方法，根據(jù)掩模的節(jié)距或結(jié)構(gòu)寬度，與操縱器偏轉(zhuǎn)一起，所述設(shè)置或自由形狀照明以及照明光的偏振(根據(jù)第十形式)也被操縱。圖9a示出了 EUV投射曝光設(shè)備?？砂l(fā)現(xiàn)照明系統(tǒng)901、掩模902和物鏡903的幾何布置要求CRA >0°。圖9b來自于現(xiàn)有技術(shù)并示出了 EUV投射曝光設(shè)備的物鏡903，在圖9b中，使用了0°的主光線角度CRA，主光線CR由904表示。
權(quán)利要求
1.針對掩模適配微光刻的投射曝光設(shè)備的方法，該掩模具有在不同的結(jié)構(gòu)方向中具有不同節(jié)距和/或不同結(jié)構(gòu)寬度的結(jié)構(gòu)，所述投射曝光設(shè)備包括 照明系統(tǒng)，利用照明光照明所述掩模和產(chǎn)生不同的照明設(shè)置， 物鏡，將位于所述物鏡的物平面中的所述掩模成像至位于所述物鏡的像平面中的晶片上， 所述物鏡包括具有不同的操縱器偏轉(zhuǎn)的操縱器，通過所述操縱器，能夠操縱所述物鏡的成像的波前， 所述方法的特征在于 在所述掩模的不同結(jié)構(gòu)方向中限定所述掩模的多個不同節(jié)距和/或結(jié)構(gòu)寬度， 設(shè)定所述照明系統(tǒng)中的照明設(shè)置或自由形狀照明， 確定所述操縱器偏轉(zhuǎn)中的ー個，所述ー個操縱器偏轉(zhuǎn)減少由所限定的節(jié)距和/或所限定的結(jié)構(gòu)寬度導(dǎo)致的波前像差， 將所述操縱器偏轉(zhuǎn)至所確定的操縱器偏轉(zhuǎn)。
2.操作微光刻的投射曝光設(shè)備的方法，所述投射曝光設(shè)備包含 照明系統(tǒng)，利用照明光照明所述掩模和產(chǎn)生不同的照明設(shè)置， 物鏡，將位于所述物鏡的物平面中的掩模成像至位于所述物鏡的像平面中的晶片上， 所述物鏡包括具有不同的操縱器偏轉(zhuǎn)的操縱器，通過所述操縱器能夠操縱所述物鏡的成像的波前， 所述方法的特征在于 提供掩模，所述掩模具有在不同的結(jié)構(gòu)方向中具有不同節(jié)距和/或不同結(jié)構(gòu)寬度的結(jié)構(gòu)， 在所述掩模的不同結(jié)構(gòu)方向中限定所述掩模的多個不同節(jié)距和/或結(jié)構(gòu)寬度， 設(shè)定所述照明系統(tǒng)中的照明設(shè)置或自由形狀照明， 確定所述操縱器偏轉(zhuǎn)中的ー個，所述ー個操縱器偏轉(zhuǎn)減少由所限定的節(jié)距和/或所限定的結(jié)構(gòu)寬度導(dǎo)致的波前像差， 將所述操縱器偏轉(zhuǎn)至所確定的操縱器偏轉(zhuǎn)。
3.針對掩模適配微光刻的投射曝光設(shè)備的方法，該掩模具有在不同的結(jié)構(gòu)方向中具有不同節(jié)距和/或不同結(jié)構(gòu)寬度的結(jié)構(gòu)，所述投射曝光設(shè)備包括 照明系統(tǒng)，利用照明光照明所述掩模和產(chǎn)生不同的照明設(shè)置， 物鏡，將位于所述物鏡的物平面中的所述掩模成像至位于所述物鏡的像平面中的晶片上， 所述物鏡包括具有不同的操縱器偏轉(zhuǎn)的操縱器，通過所述操縱器能夠操縱所述物鏡的成像的波前， 所述方法的特征在于 提供掩模， 設(shè)定所述照明系統(tǒng)中的照明設(shè)置或自由形狀照明， 確定由所述掩模引起的波前像差， 確定所述操縱器偏轉(zhuǎn)中的ー個，所述ー個操縱器偏轉(zhuǎn)減少所確定的波前像差， 將所述操縱器偏轉(zhuǎn)至所確定的操縱器偏轉(zhuǎn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的方法，其特征在于 限定所述掩模的結(jié)構(gòu)方向中的第一結(jié)構(gòu)方向， 限定所述第一結(jié)構(gòu)方向的不同節(jié)距的兩個不同的節(jié)距Pl和P2、或不同結(jié)構(gòu)寬度的兩個不同的結(jié)構(gòu)寬度SI和S2， 確定所述不同的節(jié)距Pl和P2或所述不同的結(jié)構(gòu)寬度SI和S2的波前像差， 確定第一操縱器偏轉(zhuǎn)Ml，該第一操縱器偏轉(zhuǎn)Ml減少節(jié)距Pl或結(jié)構(gòu)寬度SI的波前像差， 在所述節(jié)距Pl和P2或所述結(jié)構(gòu)寬度SI和S2的波前像差不同的情況下，確定第二操縱器偏轉(zhuǎn)M2，該第二操縱器偏轉(zhuǎn)M2減少所述節(jié)距P2或所述結(jié)構(gòu)寬度S2的波前像差，以及限定所述節(jié)距Pl相對于P2的或所述結(jié)構(gòu)寬度SI相對于S2的相對權(quán)重a e [O, I]，以及將所述操縱器偏轉(zhuǎn)α Μ1+(1-α )Μ2的值， 在所述節(jié)距Pl和Ρ2的波前像差或所述結(jié)構(gòu)寬度SI和S2的波前像差相同的情況下，將所述操縱器偏轉(zhuǎn)Ml的值。
5.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的方法，其特征在于 限定所述掩模的結(jié)構(gòu)方向中的第一結(jié)構(gòu)方向， 限定所述掩模的結(jié)構(gòu)方向中的與所述第一結(jié)構(gòu)方向不同的第二結(jié)構(gòu)方向， 限定在所述掩模的第一結(jié)構(gòu)方向中以及在所述掩模的第二結(jié)構(gòu)方向中出現(xiàn)的節(jié)距或結(jié)構(gòu)覽度， 確定針對所述第一結(jié)構(gòu)方向以及針對所述第二個結(jié)構(gòu)方向的所述節(jié)距或所述結(jié)構(gòu)寬度的波前像差， 確定第一操縱器偏轉(zhuǎn)Μ1，該第一操縱器偏轉(zhuǎn)減少所述第一結(jié)構(gòu)方向的節(jié)距或結(jié)構(gòu)寬度的波前像差， 在針對所述第一結(jié)構(gòu)方向以及針對所述第二個結(jié)構(gòu)方向的節(jié)距或結(jié)構(gòu)寬度的波前像差不同的情況下，確定第二操縱器偏轉(zhuǎn)M2，該第二操縱器偏轉(zhuǎn)M2減少所述第一結(jié)構(gòu)方向的節(jié)距或結(jié)構(gòu)寬度的波前像差，且限定所述結(jié)構(gòu)方向的相對權(quán)重a e [O，1]，并且將所述操縱器偏轉(zhuǎn)αΜ1+(1-α)Μ2的值， 在針對所述第一結(jié)構(gòu)方向以及針對所述第二結(jié)構(gòu)方向的節(jié)距或結(jié)構(gòu)寬度的波前像差相同的情況下，將所述操縱器偏轉(zhuǎn)Ml的值。
6.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的方法，其特征在于 所述操縱器布置在所述物鏡的瞳平面中； 所述操縱器能夠以高達(dá)光瞳直徑的S倍的空間分辨的方式影響所述波前的相位，δ e [O, O. 5]； 限定所述節(jié)距中的第一節(jié)距或所述結(jié)構(gòu)寬度中的第一結(jié)構(gòu)寬度； 限定所述第一節(jié)距或所述第一結(jié)構(gòu)寬度的第η衍射級； 限定所述節(jié)距的第二節(jié)距或所述結(jié)構(gòu)寬度的第二結(jié)構(gòu)寬度； 限定所述第二節(jié)距或所述第二結(jié)構(gòu)寬度的第m衍射級； 使得所述第一節(jié)距或所述第一結(jié)構(gòu)寬度的第η衍射級以及所述第二節(jié)距或所述第二結(jié)構(gòu)寬度的第m衍射級彼此分開了至少所述光瞳直徑的δ倍； 確定所述第一節(jié)距或所述第一結(jié)構(gòu)寬度的波前像差以及所述第二結(jié)構(gòu)寬度或所述第ニ節(jié)距的波前像差； 確定第一操縱器偏轉(zhuǎn)Ml，該第一操縱器偏轉(zhuǎn)Ml減少所述第一節(jié)距或所述第一結(jié)構(gòu)寬度在其第η衍射級的位置處的波前像差的相位誤差，且該第一操縱器偏轉(zhuǎn)Ml使得在所述光瞳的其他位置處波前的相位不變； 確定第二操縱器偏轉(zhuǎn)M2，該第二操縱器偏轉(zhuǎn)M2減少所述第二節(jié)距或所述第二結(jié)構(gòu)寬度在其第m衍射級的位置處的波前像差的相位誤差，且該第二操縱器偏轉(zhuǎn)M2使得在所述光瞳的其他位置處波前的相位不變； 將所述操縱器偏轉(zhuǎn)M1+M2的值。
7.微光刻的投射曝光設(shè)備，該投射曝光設(shè)備包含 照明系統(tǒng)，利用照明光照明掩模和提供不同的照明設(shè)置或自由形狀照明， 物鏡，將位于所述物鏡的物平面中的掩模成像至位于所述物鏡的像平面中的晶片上， 所述物鏡包括具有不同的操縱器偏轉(zhuǎn)的操縱器，通過所述操縱器能夠操縱所述物鏡的成像波前； 其特征在于 所述投射曝光設(shè)備包含用于控制所述操縱器的控制器， 所述控制器包含用于儲存分配表的存儲器，該分配表將操縱器偏轉(zhuǎn)分配給ー組不同的節(jié)距和/或結(jié)構(gòu)寬度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1、2、4或5中的任一項所述的針對掩模適配微光刻的投射曝光設(shè)備或操作微光刻的投射曝光設(shè)備的方法，該掩模具有在不同的結(jié)構(gòu)方向中具有不同節(jié)距和/或不同結(jié)構(gòu)寬度的結(jié)構(gòu)， 其特征在于 除了操作器偏轉(zhuǎn)之外，還確定所述照明設(shè)置中的變化或所述自由形狀照明中的變化，使得通過所述照明設(shè)置中的變化或所述自由形狀照明中的變化以及具有所述操作器偏轉(zhuǎn)的所述操縱器的偏轉(zhuǎn)，將由所述不同節(jié)距和/或所述不同結(jié)構(gòu)寬度導(dǎo)致的波前像差減少至少與根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法相同的程度。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的微光刻的投射曝光設(shè)備，其特征在于 所述照明系統(tǒng)的操縱器，通過該操縱器能夠改變所述照明設(shè)置或所述自由形狀照明， 能夠通過所述控制器控制所述第二操縱器， 所述控制器包含用于儲存分配表的存儲器，該分配表將照明設(shè)置或自由形狀照明分配給ー組不同的節(jié)距和/或結(jié)構(gòu)寬度。
10.根據(jù)權(quán)利要求1、2、4-6或8中的任一項所述的針對掩模適配微光刻的投射曝光設(shè)備或操作微光刻的投射曝光設(shè)備的方法，該掩模具有在不同的結(jié)構(gòu)方向中具有不同節(jié)距和/或不同結(jié)構(gòu)寬度的結(jié)構(gòu)， 其特征在于 除操縱器偏轉(zhuǎn)以及所述照明設(shè)置中的改變或所述自由形狀照明中的改變之外，還確定所述照明光的偏振中的改變，使得通過所述照明設(shè)置中的改變或所述自由形狀照明中的改變、以及具有所述操縱器偏轉(zhuǎn)的所述操縱器的偏轉(zhuǎn)、以及所述照明光的偏振中的改變，將由所述不同節(jié)距和/或所述不同結(jié)構(gòu)寬度導(dǎo)致的波前像差減少至少與根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法相同的程度。
11.根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項所述的方法，其特征在于 所述物鏡包含另ー操縱器，該另ー操縱器校正所述波前像差的場依賴性。
12.根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項所述的微光刻的投射曝光設(shè)備，其特征在于 所述物鏡包含另ー操縱器，該另ー操縱器不位于所述物鏡的瞳平面中， 能夠通過所述控制器控制所述另ー操縱器， 所述控制器包含用于儲存分配表的存儲器，該分配表將用于所述另ー操縱器的偏轉(zhuǎn)分配給ー組不同的節(jié)距和/或結(jié)構(gòu)寬度。
全文摘要
本發(fā)明涉及針對掩模適配微光刻的投射曝光設(shè)備的方法，該掩模具有在不同的結(jié)構(gòu)方向具有不同節(jié)距和/或不同結(jié)構(gòu)寬度的結(jié)構(gòu)，其中通過微光刻的投射曝光設(shè)備的操縱器減小由掩模引起的波前像差。
文檔編號G03F7/20GK102834776SQ201180016812
公開日2012年12月19日 申請日期2011年3月17日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月30日
發(fā)明者J.羅夫 申請人:卡爾蔡司Smt有限責(zé)任公司