專利名稱:液晶性涂布液的制造方法以及光學(xué)各向異性薄膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及成為光學(xué)各向異性薄膜的形成材料的液晶性涂布液的制造方法。
技術(shù)背景
包含溶致液晶性化合物的液晶性涂布液可用于例如光學(xué)各向異性薄膜的制造。以下,有時(shí)將“液晶性涂布液”僅記作“涂布液”。
具體而言,溶致液晶性化合物在涂布液中形成超分子締合體,通過(guò)該締合體,涂布液顯示出液晶相。一邊對(duì)該涂布液施加剪切力一邊將其流延在基材上而形成涂膜時(shí),該涂膜中的超分子締合體的長(zhǎng)軸沿流延方向取向。像這樣將涂布液流延而形成涂膜的方法通常稱為“溶液流延法”。此后,通過(guò)干燥前述涂膜,可得到由前述取向了的溶致液晶性化合物構(gòu)成的薄膜。該薄膜能夠作為光學(xué)各向異性薄膜利用。
在上述光學(xué)各向異性薄膜的制造中,優(yōu)選使用顯示出穩(wěn)定的液晶相的涂布液。
專利文獻(xiàn)1中公開(kāi)了在液體中溶致液晶性化合物不溶解、其形成晶體,由此阻礙了液晶相的顯現(xiàn)的內(nèi)容。為了使該溶致液晶性化合物不形成晶體,在專利文獻(xiàn)1中公開(kāi)了包括以下工序的液晶涂布液的制造方法準(zhǔn)備包含溶劑和溶致液晶性化合物的晶體的前處理液的工序;和將前處理液加熱處理至前述晶體的熔點(diǎn)以上而得到各向同性溶液的工序; 和將各向同性溶液冷卻處理至顯現(xiàn)出液晶相的溫度以下的工序。
根據(jù)上述專利文獻(xiàn)1中公開(kāi)的方法,能夠得到顯示出穩(wěn)定的液晶相的涂布液,因此,通過(guò)利用溶液流延法進(jìn)行制膜,能夠制造出光學(xué)各向異性薄膜。
然而,即使在溶致液晶性化合物不形成晶體的情況下,涂布液中有時(shí)也會(huì)包含微晶。由包含前述微晶的涂布液形成的光學(xué)各向異性薄膜存在光散射大且透明性低的問(wèn)題。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1 日本特開(kāi)2009-139806號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問(wèn)題
本發(fā)明的目的在于,提供實(shí)質(zhì)上不包含微晶的液晶性涂布液的制造方法。
用于解決問(wèn)題的方案
對(duì)于在涂布液中包含微晶的原因,本發(fā)明人等進(jìn)行了深入的研究。
涂布液是通過(guò)使溶致液晶性化合物在溶劑中分散等而得到的。然而,使用100%純度的溶致液晶性化合物實(shí)際上是困難的。因此,所使用的溶致液晶性化合物中含若干的雜質(zhì)。本發(fā)明人等查明該雜質(zhì)就是微晶的成因物質(zhì),從而完成了本發(fā)明。
本發(fā)明的液晶性涂布液的制造方法包括以下工序加熱工序,將包含含雜質(zhì)的溶致液晶性化合物與溶劑的處理液加熱;和析出工序,將前述加熱工序后的處理液冷卻至不足40°C的溫度使析出物析出;和除去工序,將前述析出物從處理液中除去。
上述液晶性涂布液的制造方法使溶致液晶性化合物所含的雜質(zhì)的大部分以析出物的形式析出,將其從處理液中除去。因此,能夠抑制在所得到的液晶性涂布液中包含起因于雜質(zhì)的微晶。
關(guān)于本發(fā)明的優(yōu)選的涂布液的制造方法,前述雜質(zhì)在前述溶劑在中是難溶的,前述溶致液晶性化合物在前述溶劑在中是可溶的。
關(guān)于本發(fā)明的其他優(yōu)選的涂布液的制造方法,前述析出工序中析出物以前述雜質(zhì)的微晶作為核而析出。
關(guān)于本發(fā)明的其他優(yōu)選的涂布液的制造方法,前述溶劑為水性溶劑,前述溶致液晶性化合物為下述式(1)所示的芳香族雙偶氮系化合物。
[化學(xué)式1]
權(quán)利要求
1.一種液晶性涂布液的制造方法,其包括以下工序加熱工序,將包含含雜質(zhì)的溶致液晶性化合物與溶劑的處理液加熱;和析出工序,將所述加熱工序后的處理液冷卻至不足40°c的溫度使析出物析出;和除去工序,將所述析出物從處理液中除去。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶性涂布液的制造方法,其中,所述雜質(zhì)在所述溶劑中是難溶的,所述溶致液晶性化合物在所述溶劑中是可溶的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的液晶性涂布液的制造方法,其中,在所述析出工序中,析出物以所述雜質(zhì)的微晶作為核而析出。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3中的任一項(xiàng)所述的涂布液的制造方法,其中,所述溶劑為水性溶劑,所述溶致液晶性化合物為下述式(1)所示的芳香族雙偶氮系化合物,Q1表示取代或無(wú)取代的芳基;Q2表示取代或無(wú)取代的亞芳基;R1獨(dú)立地表示氫原子、取代或無(wú)取代的烷基、取代或無(wú)取代的乙?;?、取代或無(wú)取代的苯甲?;⑷〈驘o(wú)取代的苯基;M表示抗衡離子;m表示0 2的整數(shù);η表示0 6的整數(shù);m和η中至少有一個(gè)不為 0且1彡m+n彡6。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4中的任一項(xiàng)所述的液晶性涂布液的制造方法,其中,所述除去工序包括使用孔徑ι μ m以下的過(guò)濾器過(guò)濾所述處理液的工序。
6.根據(jù)權(quán)利要求1 4中的任一項(xiàng)所述的液晶性涂布液的制造方法,其中,所述除去工序包括對(duì)所述處理液進(jìn)行離心分離的工序。
7.一種光學(xué)各向異性薄膜,其為將通過(guò)權(quán)利要求1 6中的任一項(xiàng)所述的制造方法得到的液晶性涂布液涂覆在展開(kāi)面而形成涂膜,通過(guò)使該涂膜固化而得到的。
全文摘要
本發(fā)明提供一種實(shí)質(zhì)上不包含微晶的液晶性涂布液的制造方法。本發(fā)明的液晶性涂布液的制造方法具有以下工序加熱工序,將包含含雜質(zhì)的溶致液晶性化合物與溶劑的處理液加熱;和析出工序,將所述加熱工序后的處理液冷卻至不足40℃的溫度使析出物析出;和除去工序,將所述析出物從處理液中除去。
文檔編號(hào)G02F1/13363GK102523755SQ201180003771
公開(kāi)日2012年6月27日 申請(qǐng)日期2011年5月19日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月3日
發(fā)明者松田祥一, 梅本徹, 龜山忠幸 申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社