專利名稱：一種薄膜晶體管液晶顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及液晶顯示器制造領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管液晶顯示面板。
背景技術(shù)：
目前，在 TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜場(chǎng)效應(yīng)液晶顯示器)的生產(chǎn)工藝過程中，為了提高生產(chǎn)效率，很多產(chǎn)品在工藝設(shè)計(jì)上采用導(dǎo)電球 (Au ball，一般是在塑料材料外部包裹鎳(Ni)和金(Au)層)的技術(shù)，導(dǎo)電球可以代替?zhèn)鹘y(tǒng)的導(dǎo)電銀膠工藝，在起到導(dǎo)通彩膜公共電極與陣列基板公共電極作用的同時(shí)，還能減少工藝步驟，提高生產(chǎn)效率。在一般工藝設(shè)計(jì)過程中，導(dǎo)電球直接摻雜在封框膠中涂布，導(dǎo)電球在封框膠中形成分散粒子，在陣列基板與彩膜基板組裝成盒過程中，導(dǎo)電球粒子受到擠壓， 形成導(dǎo)通電極，類似于一般成盒工藝中的銀膠導(dǎo)電電極，導(dǎo)電電極的作用是導(dǎo)通彩膜公共電極與陣列基板公共電極。在目前TFT IXD的生產(chǎn)，運(yùn)輸過程中，不可避免的會(huì)產(chǎn)生瞬時(shí)電壓達(dá)到千伏量級(jí)的靜電，可以產(chǎn)生比較大的電流，在導(dǎo)電球受到擠壓的時(shí)候，也會(huì)產(chǎn)生一定的靜電，而玻璃基板屬于非導(dǎo)體，靜電很難釋放，靜電積累和靜電放電過程很容易造成鈍化層(PVX)被擊穿， 造成數(shù)據(jù)線引線與彩膜公共電極通過導(dǎo)電球?qū)?，形成短路，?dǎo)致形成數(shù)據(jù)線亮線或柵線売線。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的實(shí)施例提供一種薄膜晶體管液晶顯示面板，能夠防止導(dǎo)電球因靜電的積累和釋放擊穿鈍化層造成短路，保證了產(chǎn)品質(zhì)量。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案一種薄膜晶體管液晶顯示面板，包括TFT陣列基板和彩膜基板，所述TFT陣列基板和所述彩膜基板之間用含有導(dǎo)電球的封框膠粘合，所述封框膠中的導(dǎo)電球與所述TFT陣列基板上的鈍化層和/或所述彩膜基板上的公共電極層不相接觸。所述彩膜基板上與所述TFT陣列基板上的數(shù)據(jù)線引線區(qū)域相對(duì)應(yīng)的公共電極層被去除掉，以使得所述封框膠中的導(dǎo)電球與所述TFT陣列基板上的鈍化層和/或所述彩膜基板上的公共電極層不相接觸。所述彩膜基板上與所述TFT陣列基板上的數(shù)據(jù)線引線相對(duì)應(yīng)的公共電極層被去除掉，以使得所述封框膠中的導(dǎo)電球與所述TFT陣列基板上的鈍化層和/或所述彩膜基板上的公共電極層不相接觸。所述彩膜基板上與所述TFT陣列基板上的數(shù)據(jù)線引線區(qū)域相對(duì)應(yīng)的公共電極層的厚度薄于其他區(qū)域公共電極層的厚度，以使得所述封框膠中的導(dǎo)電球與所述TFT陣列基板上的鈍化層和/或所述彩膜基板上的公共電極層不相接觸。所述彩膜基板上與所述TFT陣列基板上的數(shù)據(jù)線引線相對(duì)應(yīng)的公共電極層的厚度薄于其他區(qū)域公共電極層的厚度，以使得所述封框膠中的導(dǎo)電球與所述TFT陣列基板上的鈍化層和/或所述彩膜基板上的公共電極層不相接觸。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的薄膜晶體管液晶顯示面板，通過增大封框膠區(qū)域的空間，使導(dǎo)電球與鈍化層和/或彩膜基板上的公共電極層不相接觸，進(jìn)而能夠防止導(dǎo)電球因靜電的積累和釋放擊穿鈍化層造成短路，保證了產(chǎn)品質(zhì)量。

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中薄膜晶體管液晶顯示面板數(shù)據(jù)線引線區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的薄膜晶體管液晶顯示面板數(shù)據(jù)線引線區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖一；圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的薄膜晶體管液晶顯示面板數(shù)據(jù)線引線區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖二；圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的薄膜晶體管液晶顯示面板數(shù)據(jù)線引線區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖三；圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的薄膜晶體管液晶顯示面板數(shù)據(jù)線引線區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖四。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。圖1為現(xiàn)有薄膜晶體管液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖，包括TFT陣列基板11和彩膜基板18，TFT陣列基板11和彩膜基板18通過摻雜導(dǎo)電球151的封框膠15相貼合。在TFT 陣列基板11邊緣的數(shù)據(jù)線引線區(qū)域，TFT陣列基板11上的數(shù)據(jù)線引線區(qū)域13與彩膜基板 18上的公共電極層16交疊部分涂有含導(dǎo)電球151的封框膠15，此時(shí)只有數(shù)據(jù)線引線區(qū)域 13上面的鈍化層14起隔離作用。在成盒工藝后，導(dǎo)電球151受到擠壓，導(dǎo)電球151與鈍化層14充分接觸，在陣列工藝中形成在數(shù)據(jù)線引線區(qū)域13上的鈍化層14的厚度約為0. 3um, 因此在數(shù)據(jù)信號(hào)與公共電極信號(hào)之間的電場(chǎng)作用下，導(dǎo)電球151容易擊穿鈍化層14，如圖1 中的位置19所示，進(jìn)而導(dǎo)電球151與數(shù)據(jù)線引線區(qū)域13的數(shù)據(jù)線引線電連接，造成彩膜基板公共電極16與該數(shù)據(jù)線引線短路，使該液晶顯示面板顯示不良。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的薄膜晶體管液晶顯示面板，如圖2所示，包括TFT陣列基板U和彩膜基板18，該TFT陣列基板11和彩膜基板18之間用含有導(dǎo)電球151的封框膠 15粘合。彩膜基板18上與TFT陣列基板11上的數(shù)據(jù)線引線區(qū)域13相對(duì)應(yīng)的公共電極層 161被去除掉，以使得封框膠15中的導(dǎo)電球151與TFT陣列基板11上的鈍化層14和/或彩膜基板18上的公共電極層16不相接觸。
4[0021]示例性的實(shí)現(xiàn)過程可以是，用掩模板對(duì)彩膜基板18的公共電極層16進(jìn)行構(gòu)圖工藝處理，使彩膜基板18上與TFT陣列基板11上的數(shù)據(jù)線引線區(qū)域13相對(duì)應(yīng)的公共電極層 161完全去除掉。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的薄膜晶體管液晶顯示面板，通過使彩膜基板上與TFT陣列基板上的數(shù)據(jù)線引線區(qū)域相對(duì)應(yīng)的公共電極層完全去除掉，從而增大封框膠區(qū)域的空間，使導(dǎo)電球與鈍化層和/或彩膜基板上的公共電極層不相接觸，能夠防止導(dǎo)電球因靜電的積累和釋放擊穿鈍化層造成短路，保證了產(chǎn)品質(zhì)量。本實(shí)用新型另一實(shí)施例提供的薄膜晶體管液晶顯示面板，如圖3所示，基本與上一實(shí)施例形態(tài)相同，只是彩膜基板18上與TFT陣列基板11上的數(shù)據(jù)線引線131相對(duì)應(yīng)的公共電極層被去除掉，以使得封框膠15中的導(dǎo)電球151與TFT陣列基板11上的鈍化層14 和/或所述彩膜基板18上的公共電極層16不相接觸。這樣，增大了封框膠中數(shù)據(jù)線引線對(duì)應(yīng)區(qū)域的空間，使導(dǎo)電球與鈍化層和/或彩膜基板上的公共電極層不相接觸，能夠防止導(dǎo)電球因靜電的積累和釋放擊穿鈍化層造成短路，保證了產(chǎn)品質(zhì)量。本實(shí)用新型又一實(shí)施例提供的薄膜晶體管液晶顯示面板，如圖4所示，包括TFT陣列基板11和彩膜基板18，該TFT陣列基板11和彩膜基板18之間用含有導(dǎo)電球151的封框膠15粘合。彩膜基板18上與TFT陣列基板11上的數(shù)據(jù)線引線區(qū)域13相對(duì)應(yīng)的公共電極層162的厚度薄于其他區(qū)域公共電極層16的厚度，以使得封框膠15中的導(dǎo)電球151與 TFT陣列基板11上的鈍化層14和/或彩膜基板18上的公共電極層16不相接觸。示例性的實(shí)現(xiàn)過程可以是，利用半透式掩模板或灰色掩模板對(duì)彩膜基板18的公共電極層16進(jìn)行構(gòu)圖工藝處理，使彩膜基板18上與TFT陣列基板11上的數(shù)據(jù)線引線區(qū)域 13相對(duì)應(yīng)的公共電極層162的厚度薄于其他區(qū)域公共電極層16的厚度。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的薄膜晶體管液晶顯示面板，通過使彩膜基板上與TFT陣列基板上的數(shù)據(jù)線引線區(qū)域相對(duì)應(yīng)的公共電極層的厚度薄于其他區(qū)域公共電極層的厚度， 從而增大封框膠區(qū)域的空間，使導(dǎo)電球與鈍化層和/或彩膜基板上的公共電極層不相接觸，能夠防止導(dǎo)電球因靜電的積累和釋放擊穿鈍化層造成短路，保證了產(chǎn)品質(zhì)量。本實(shí)用新型再一實(shí)施例提供的薄膜晶體管液晶顯示面板，如圖5所示，基本與上一實(shí)施例形態(tài)相同，只是彩膜基板18上與TFT陣列基板11上的數(shù)據(jù)線引線131相對(duì)應(yīng)的公共電極層162的厚度薄于其他區(qū)域公共電極層16的厚度，以使得封框膠15中的導(dǎo)電球 151與TFT陣列基板11上的鈍化層14和/或所述彩膜基板18上的公共電極層16不相接觸。這樣，增大了封框膠中數(shù)據(jù)線引線對(duì)應(yīng)區(qū)域的空間，使導(dǎo)電球與鈍化層和/或彩膜基板上的公共電極層不相接觸，能夠防止導(dǎo)電球因靜電的積累和釋放擊穿鈍化層造成短路，保證了產(chǎn)品質(zhì)量。以上所述，僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種薄膜晶體管液晶顯示面板，包括TFT陣列基板和彩膜基板，所述TFT陣列基板和所述彩膜基板之間用含有導(dǎo)電球的封框膠粘合，其特征在于，所述封框膠中的導(dǎo)電球與所述TFT陣列基板上的鈍化層和/或所述彩膜基板上的公共電極層不相接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管液晶顯示面板，其特征在于，所述彩膜基板上與所述TFT陣列基板上的數(shù)據(jù)線引線區(qū)域相對(duì)應(yīng)的公共電極層被去除掉，以使得所述封框膠中的導(dǎo)電球與所述TFT陣列基板上的鈍化層和/或所述彩膜基板上的公共電極層不相接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管液晶顯示面板，其特征在于，所述彩膜基板上與所述TFT陣列基板上的數(shù)據(jù)線引線相對(duì)應(yīng)的公共電極層被去除掉，以使得所述封框膠中的導(dǎo)電球與所述TFT陣列基板上的鈍化層和/或所述彩膜基板上的公共電極層不相接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管液晶顯示面板，其特征在于，所述彩膜基板上與所述TFT陣列基板上的數(shù)據(jù)線引線區(qū)域相對(duì)應(yīng)的公共電極層的厚度薄于其他區(qū)域公共電極層的厚度，以使得所述封框膠中的導(dǎo)電球與所述TFT陣列基板上的鈍化層和/或所述彩膜基板上的公共電極層不相接觸。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的薄膜晶體管液晶顯示面板，其特征在于，所述彩膜基板上與所述TFT陣列基板上的數(shù)據(jù)線引線相對(duì)應(yīng)的公共電極層的厚度薄于其他區(qū)域公共電極層的厚度，以使得所述封框膠中的導(dǎo)電球與所述TFT陣列基板上的鈍化層和/或所述彩膜基板上的公共電極層不相接觸。
專利摘要本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種薄膜晶體管液晶顯示面板，涉及薄膜晶體管液晶顯示器制造領(lǐng)域，能夠防止導(dǎo)電球因靜電的積累和釋放擊穿鈍化層造成短路，保證了產(chǎn)品質(zhì)量。該薄膜晶體管液晶顯示面板，包括TFT陣列基板和彩膜基板，所述TFT陣列基板和所述彩膜基板之間用含有導(dǎo)電球的封框膠粘合，所述封框膠中的導(dǎo)電球與所述TFT陣列基板上的鈍化層和/或所述彩膜基板上的公共電極層不相接觸。本實(shí)用新型實(shí)施例用于制造薄膜晶體管液晶顯示面板。
文檔編號(hào)G02F1/1339GK202149999SQ20112028849
公開日2012年2月22日 申請(qǐng)日期2011年8月10日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月10日
發(fā)明者姜文博, 王世君, 薛海林, 陳小川 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司