專利名稱：基板上隔墊物制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及液晶顯示技術領域，特別是涉及一種基板上隔墊物制造方法。
背景技術：
彩色濾光片是液晶顯示器的重要組成部分，也是影響顯示效果的關鍵組件。參照圖1，彩色濾光片包括玻璃基板10上形成的黑矩陣20、彩色濾光層21、平坦層30、導電層(也即公共電極)40。一般為了維持盒厚，防止液晶受擠壓變形而無法正常顯示，需要在陣列基板和彩色濾光片基板之間，分布一些隔墊物。早期的液晶面板采用一種球形隔墊物，這種隔墊物無法固定，有可能在長時間使用過程中因分布不均而導致在某一區(qū)域聚集，無法起到維持盒厚的作用；并且，球形隔墊物分布在像素區(qū)域時，會降低開口率。因此目前主流的方法是采用光刻法制作隔墊物來維持盒厚。其制作方法是將隔墊 物感光材料涂布于彩色濾光片表面，經(jīng)過曝光、顯影工藝制作出隔墊物。該方法制作的隔墊物只分布在TFT器件和柵線、數(shù)據(jù)線上方，不但位置固定，而且不會降低開口率。但是目前制備隔墊物的技術中，通常需要經(jīng)過掩膜板曝光來實現(xiàn)光刻膠的圖形化，掩膜板成本高，不但提高了成品彩色濾光片的成本，而且還要承擔對位不精確可能造成不良的風險。

發(fā)明內(nèi)容
(一 )要解決的技術問題本發(fā)明要解決的技術問題是在保證產(chǎn)品良率的情況下如何降低基板上隔墊物的制造成本。( 二 )技術方案為了解決上述技術問題，本發(fā)明提供一種基板上隔墊物制造方法，其包括以下過程:在基板上涂布一層光刻膠，放入烤箱烘烤，所述烤箱中設有冷卻觸點，所述冷卻觸點的溫度低于烘烤溫度，冷卻觸點接觸光刻膠，一段時間后將冷卻觸點移走，光刻膠在與冷卻觸點接觸的位置形成突起；將基板移出烤箱，對基板上的光刻膠進行無掩膜板的低曝光量曝光和顯影，以去除突起以外的光刻膠，基板上保留的突起即為隔墊物。其中，還包括以下過程在所述冷卻觸點移走之后，繼續(xù)對光刻膠進行烘烤。其中，還包括以下過程根據(jù)隔墊物厚度要求，采用干刻法降低隔墊物厚度。其中，所述光刻膠為正性光刻膠。其中，所述光刻膠的涂布厚度為2. Oiim 7. Oii m。其中，所述光刻膠的曝光能量為5mJ/cm2 190mJ/cm2。其中，所述烤箱的溫度為50°C 180°C，所述冷卻觸點的溫度為10°C 110°C ;所述冷卻觸點接觸光刻膠的時間為3s 60s ;所述光刻膠繼續(xù)烘烤的時間為IOs 180s。
其中，所述冷卻觸點由觸點頂部和觸點底部構成，所述觸點頂部和觸點底部的連接處形成有能阻擋光刻膠升高的臺階。(三)有益效果上述技術方案所提供的基板上隔墊物制造方法，提供一定的溫度差在正性光刻膠表面，形成表面張力梯度，使光刻膠向需要形成隔墊物的區(qū)域流動，使需要形成隔墊物的區(qū)域膜厚增大，其他部位膜厚變小，再經(jīng)過無掩膜板的低曝光量曝光、顯影后得到隔墊物圖形；由于通過溫度差導致表面流動來實現(xiàn)圖形化，因此無需使用掩膜板，顯著降低了成本；節(jié)省了量產(chǎn)中掩膜板對位時間，提高了生產(chǎn)效率；避免了掩膜板對位不精確造成的不良，提聞了良品率。


圖I是本發(fā)明實施例中在彩膜基板上涂布隔墊物光刻膠后的截面示意圖；圖2是本發(fā)明實施例中使用冷卻觸點在光刻膠上形成隔墊物的截面示意圖；圖3是本發(fā)明實施例中光刻膠上冷卻觸點移走后的截面示意圖；圖4是本發(fā)明實施例中彩膜基板形成所需隔墊物后的截面示意圖。其中，10 :玻璃基板；20 :黑矩陣；21 :彩色濾光層；30 :平坦層；40 :導電層；50 :光刻膠;51 :隔墊物；60 :冷卻觸點。
具體實施例方式下面結合附圖和實施例，對本發(fā)明的具體實施方式
作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。為了降低液晶顯示器制作過程中基板間隔墊物的制造成本，以及提高產(chǎn)品良率，本發(fā)明提供了一種基板上隔墊物制造方法，其具體過程為通過旋涂或刮涂等涂布方式在基板上涂布一層光刻膠，放入烤箱烘烤，溫度為50°C 150°C ;將低于烤箱溫度的冷卻觸點接觸光刻膠，冷卻觸點溫度為10°C 110°C，接觸3s 60s后將冷卻觸點脫離光刻膠，繼續(xù)烘烤IOs 180s ;將基板移出烤箱冷卻后，在低曝光量條件下對整片光刻膠進行無掩膜板曝光，之后顯影即可得到隔墊物圖形。本實施例中，在冷卻觸點移走之后，繼續(xù)對光刻膠進行烘烤的目的是將光刻膠中的溶劑揮發(fā)掉，使突起的形狀固定。若不繼續(xù)烘烤，由于光刻膠中有殘存的溶劑，光刻膠涂層干燥程度不夠，在做液晶成盒段工藝時隔墊物形狀容易被破壞。并且，繼續(xù)烘烤時烤箱溫度無需改變，光刻膠的形狀依然可以保持。原因是經(jīng)過一段時間的烘烤，光刻膠涂層下層溶劑已經(jīng)大部分揮發(fā)，流動性較差，恢復初始形狀需要較長時間，這段時間足以使光刻膠涂層干燥定型；并且溫度差的消失是一個過程，在冷卻觸點離開光刻膠涂層表面后，仍然存在溫度差，也就仍然存在表面張力梯度，可以繼續(xù)維持光刻膠形狀。此外，通過曝光、顯影之后得到的隔墊物，若不能滿足基板之間的厚度要求，也可以采用干刻法降低隔墊物厚度。上述方法中，隔墊物光刻膠選用正性光刻膠，這是因為光刻膠的曝光不使用掩膜板，曝光后的光刻膠需要經(jīng)顯影液顯影去除，選用負性光刻膠不能實現(xiàn)該目的。根據(jù)通常的基板間的距離和低曝光量對光刻膠的感光程度，光刻膠的涂布厚度在2. 0 ii m 7. 0 ii m即可，優(yōu)選3. 6 ii m 4. 7 ii m。曝光能量選擇在5mJ/cm2 19OmJ/cm2之間，優(yōu)選8mJ/cm2 76mJ/cm2,更優(yōu)選10mJ/cm2 46mJ/cm2,曝光能量的選擇與光刻膠的涂布厚度相關,曝光能量的優(yōu)選值能夠實現(xiàn)光刻膠的有效曝光和節(jié)能的統(tǒng)一。低溫的冷卻觸點與高溫的光刻膠相接觸，冷卻觸點附近的光刻膠被冷卻，表面張力增大，在表面形成了表面張力梯度，光刻膠在表面張力梯度的作用下開始表面流動，表面張力低的部位開始向表面張力高的部位流動，從而在冷卻觸點部位聚集。為了增強光刻膠向冷卻觸點的聚集，優(yōu)選將冷卻觸點設置為由觸點頂部和觸點底部構成，觸點頂部和觸點底部的連接處形成有能阻擋光刻膠升高的臺階，臺階的設置能夠限定光刻膠聚集的高度。并且，冷卻觸點的數(shù)量和位置根據(jù)設計的隔墊物的數(shù)量和位置設定，當基板尺寸較大時，可以相應設置較多個冷卻觸點，以形成較多個隔墊物實現(xiàn)基板的支撐；隔墊物應避開基板上的像素區(qū)域，相對應的，冷卻觸點的位置也應避開基板的像素區(qū)域而設定。在液晶顯示器的制作過程中，隔墊物既可以制作在彩膜基板上，也可以制作在陣列基板上，本實施例以彩膜基板為例，來說明隔墊物的制作過程。

如圖I所示，提供一制作完成的彩膜基板，包括玻璃基板10、黑矩陣20、彩色濾光層21、平坦層30和導電層40，在導電層40上涂布一層正性光刻膠50，膜厚為3. 9 y m ;將彩膜基板放入烘箱烘烤，烘烤溫度為90°C，12s后將溫度為65°C的冷卻觸點60自上而下的接觸光刻膠50,由于冷卻觸點60在光刻膠50表面形成溫度差,繼而形成表面張力梯度，即冷卻觸點60附近表面張力大于其他區(qū)域，由于液體表面張力低的區(qū)域有向表面張力高的區(qū)域流動的趨勢，冷卻觸點60附近膜厚增加，如圖2所示；接觸19s后，冷卻觸點60附近膜厚達到6. 2 ii m，冷卻觸點60脫離光刻膠50，對光刻膠50繼續(xù)烘烤110s，如圖3所示；從烘箱中取出彩膜基板，曝光，曝光能量為23mJ/cm2，顯影后即得到隔墊物圖形，隔墊物51厚為
3.75iim，如圖4所示。為了滿足設計的基板間厚度要求，用干刻工藝將隔墊物51減薄至3. 6i!m，完成隔墊物的制作。由以上實施例可以看出，本發(fā)明實施例提供一定的溫度差在正性光刻膠表面，形成表面張力梯度，使光刻膠向需要形成隔墊物的區(qū)域流動，使需要形成隔墊物的區(qū)域膜厚增大，其他部位膜厚變小，再經(jīng)過無掩膜板的低曝光量曝光、顯影后得到隔墊物圖形；由于通過溫度差導致表面流動來實現(xiàn)圖形化，因此無需使用掩膜板，顯著降低了成本；節(jié)省了量產(chǎn)中掩膜板對位時間，提高了生產(chǎn)效率；避免了掩膜板對位不精確造成的不良，提高了良品率。以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明技術原理的前提下，還可以做出若干改進和替換，這些改進和替換也應視為本發(fā)明的保護范圍。
權利要求
1.ー種基板上隔墊物制造方法，其特征在于，包括以下過程 在基板上涂布ー層光刻膠，放入烤箱烘烤，所述烤箱中設有冷卻觸點，所述冷卻觸點的溫度低于烘烤溫度，冷卻觸點接觸光刻膠，一段時間后將冷卻觸點移走，繼續(xù)進行烘烤，光刻膠在與冷卻觸點接觸的位置形成突起； 將基板移出烤箱，對基板上的光刻膠進行無掩膜板的低曝光量曝光和顯影，以去除突起以外的光刻膠，基板上保留的突起即為隔墊物。
2.如權利要求I所述的基板上隔墊物制造方法，其特征在于，還包括以下過程在所述冷卻觸點移走之后，繼續(xù)對光刻膠進行烘烤。
3.如權利要求I所述的基板上隔墊物制造方法，其特征在于，還包括以下過程根據(jù)隔墊物厚度要求，采用干刻法降低隔墊物厚度。
4.如權利要求I所述的基板上隔墊物制造方法，其特征在于，所述光刻膠為正性光刻膠。
5.如權利要求I所述的基板上隔墊物制造方法，其特征在于，所述光刻膠的涂布厚度為 2. O μ m 7. O μ m。
6.如權利要求5所述的基板上隔墊物制造方法，其特征在于，所述光刻膠的曝光能量為 5mJ/cm2 190mJ/cm2。
7.如權利要求2所述的基板上隔墊物制造方法，其特征在干，所述烤箱的溫度為50°C 180°C，所述冷卻觸點的溫度為10°C 110°C ;所述冷卻觸點接觸光刻膠的時間為3s 60s ;所述光刻膠繼續(xù)烘烤的時間為IOs 180s。
8.如權利要求I所述的基板上隔墊物制造方法，其特征在于，所述冷卻觸點由觸點頂部和觸點底部構成，所述觸點頂部和觸點底部的連接處形成有能阻擋光刻膠升高的臺階。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種隔墊物制造方法，包括在基板上涂布一層光刻膠，放入烤箱烘烤，烤箱中設有冷卻觸點，冷卻觸點溫度低于烘烤溫度，冷卻觸點接觸光刻膠，一段時間后冷卻觸點移走，光刻膠在與冷卻觸點接觸的位置形成突起；將基板移出烤箱，對基板上的光刻膠進行無掩膜板的低曝光量曝光和顯影，以去除突起以外的光刻膠，基板上保留的突起即為隔墊物。本發(fā)明提供一定的溫度差在正性光刻膠表面，形成表面張力梯度，使光刻膠向形成隔墊物的區(qū)域流動，該區(qū)域膜厚增大，其他部位膜厚變小，再經(jīng)低曝光量曝光、顯影后得到隔墊物圖形，無需使用掩膜板，降低成本；節(jié)省了量產(chǎn)中掩膜板對位時間，提高生產(chǎn)效率；避免了掩膜板對位不精確造成的不良，提高良品率。
文檔編號G03F7/38GK102681261SQ201110366968
公開日2012年9月19日 申請日期2011年11月17日 優(yōu)先權日2011年11月17日
發(fā)明者周偉峰, 李琳, 舒適, 薛建設, 趙吉生 申請人:京東方科技集團股份有限公司