專(zhuān)利名稱(chēng)：電光裝置以及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及例如反射型液晶面板這樣的電光裝置以及使用該電光裝置投影圖像的投影機(jī)等的電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
例如反射型液晶面板構(gòu)成為一對(duì)元件基板和相對(duì)基板保持一定的間隙并且通過(guò)密封件貼合，并且在該間隙封入液晶。在元件基板中與相對(duì)基板相對(duì)的面，按每個(gè)像素以矩陣狀排列有反射性的像素電極。另一方面，在相對(duì)基板中與元件基板相對(duì)的面，以與所有像素電極相對(duì)的方式設(shè)置共用電極。在這樣的反射型液晶面板中，特別是顯示區(qū)域?qū)窃?英寸以下的例如應(yīng)用于投影機(jī)的光閥的液晶面板中，存在由于像素電極的有無(wú)產(chǎn)生的臺(tái)階差使得產(chǎn)生液晶取向的混亂和/或光學(xué)的散射等，使得對(duì)比度比變低的情況。為了消除此臺(tái)階差，在元件基板中，使用絕緣層覆蓋像素電極的表面，并且通過(guò)CMP(Chemical Mechanical Polishing 化學(xué)機(jī)械拋光)處理來(lái)平坦化。進(jìn)一步地，還提出了如下技術(shù)在排列有像素電極的有效顯示部的外側(cè)，與像素電極大致同密度地也設(shè)置對(duì)顯示不起作用的、與像素電極同一層的導(dǎo)電圖形，使得在有效顯示部的緣端部的內(nèi)側(cè)和外側(cè)在平坦度上難以產(chǎn)生差別(參照專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。專(zhuān)利文獻(xiàn)1日本特開(kāi)2006-267937號(hào)公報(bào)(參照?qǐng)D4)但是，反射型液晶面板中，作為元件基板使用完全沒(méi)有光透射性的硅基板的結(jié)構(gòu)很多。在如此構(gòu)成中，將通過(guò)紫外線(xiàn)固化的光固化性樹(shù)脂用于貼合元件基板和相對(duì)基板的密封件的情況下，為了固化該密封件，僅僅從相對(duì)基板側(cè)只照射光。如此，存在不能充分地固化密封件，或者為了照射固化所需充分的光亮而耗費(fèi)時(shí)間的問(wèn)題。一般認(rèn)為在將石英等具有至少透射紫外線(xiàn)的性質(zhì)的基板用于元件基板、并且也從元件基板的背面?zhèn)?與相對(duì)基板相反的一側(cè))照射光，也就是從基板兩面照射光的結(jié)構(gòu)中， 難以發(fā)生該問(wèn)題。但是，對(duì)于在上述元件基板中在要形成密封件的預(yù)定的部分形成上述導(dǎo)電圖形這一點(diǎn)上需要留意。也就是說(shuō)，在反射型液晶面板中所使用的像素電極，包括鋁等具有反射性的金屬層，所以即使從元件基板的背面?zhèn)日丈涔?，也通過(guò)在密封件的正下方形成的導(dǎo)電圖形反射，從元件基板的背面?zhèn)日丈涞墓怆y以到達(dá)密封件。如此，可能存在同樣的不能充分地使密封件固化等的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問(wèn)題做出的，其目的之一是提供在確保元件基板的相對(duì)面的平坦性的基礎(chǔ)上，除了從相對(duì)基板的觀(guān)察側(cè)照射的光之外，還能夠通過(guò)從元件基板的背面?zhèn)日丈涞墓馐姑芊饧袒募夹g(shù)。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的電光裝置，其特征在于，具備具有光透射性的、相互相對(duì)配置的相對(duì)基板和元件基板；被夾持在所述相對(duì)基板與所述元件基板之間的電光元件；將所述相對(duì)基板和所述元件基板相互貼合的密封件；在所述元件基板上的進(jìn)行圖像顯示的有效像素部排列、并且具有反射性的多個(gè)像素電極；與所述多個(gè)像素電極同一層，在俯視時(shí)設(shè)置在所述有效像素部與所述密封件之間的第一導(dǎo)電圖形；以及，與所述多個(gè)像素電極同一層，在俯視時(shí)與所述密封件重疊的第二導(dǎo)電圖形；所述第二導(dǎo)電圖形，俯視時(shí)的每單位面積的面積密度小于所述第一導(dǎo)電圖形的面積密度。重疊于密封件的第二導(dǎo)電圖形與設(shè)置在有效像素部與密封件之間的用于使元件基板的相對(duì)面平坦化的第一導(dǎo)電圖形相比，面積密度小，所以即使在從元件基板的背面?zhèn)日丈涔鈺r(shí)，通過(guò)第二導(dǎo)電圖形反射的光量也減少。因此，相應(yīng)地，通過(guò)第二導(dǎo)電圖形到達(dá)密封件的光量增多，所以在確保元件基板的平坦性的基礎(chǔ)上，還能夠通過(guò)從元件基板的背面?zhèn)日丈涞墓馐姑芊饧袒?。這里所述的光透射性，相對(duì)于相對(duì)基板和元件基板來(lái)說(shuō)意思稍微不同。即，相對(duì)基板一般位于觀(guān)察側(cè)，所以對(duì)于相對(duì)基板而言要求透射使得密封件固化的光分量例如紫外線(xiàn)分量并且透射可見(jiàn)光的性質(zhì)，與此相對(duì)，對(duì)于元件基板而言只要具有僅透射使得密封件固化的光分量的性質(zhì)就足夠。在上述構(gòu)成中，所述第二導(dǎo)電圖形可以包括俯視時(shí)在相對(duì)于所述密封件的延伸設(shè)置方向交叉的方向延伸設(shè)置的多個(gè)布線(xiàn)。如果這樣地構(gòu)成，則第二導(dǎo)電圖形在設(shè)置密封件的部分按縫隙狀開(kāi)口，所以能夠使從元件基板的背面?zhèn)日丈涞墓飧咝У氐竭_(dá)密封件。在此，可以具備連接于所述第二導(dǎo)電圖形、在所述密封件的外側(cè)形成的第三導(dǎo)電圖形。如果這樣地構(gòu)成，則容易通過(guò)第三導(dǎo)電圖形從外部向第二導(dǎo)電圖形施加電壓。此時(shí)，作為向第二導(dǎo)電圖形施加的電壓，優(yōu)選是向在所述相對(duì)基板中的與所述元件基板相對(duì)的相對(duì)面所形成的共用電極施加的共用電壓。由此，能夠避免向由共用電極和第二導(dǎo)電圖形所夾持的密封件施加直流分量。此外，優(yōu)選，在所述密封區(qū)域，具有電連接所述多個(gè)布線(xiàn)彼此的連接部。如果不具有連接部，則因布線(xiàn)電阻導(dǎo)致施加到密封件的電壓產(chǎn)生不均，通過(guò)設(shè)置連接部，能夠抑制這樣的不均。此外，在上述構(gòu)成中，優(yōu)選，所述像素電極設(shè)置為對(duì)應(yīng)于俯視多個(gè)掃描線(xiàn)和多個(gè)數(shù)據(jù)線(xiàn)時(shí)的交叉處，所述像素電極排列的間距等于所述多個(gè)掃描線(xiàn)或所述多個(gè)數(shù)據(jù)線(xiàn)的排列間隔，所述多個(gè)布線(xiàn)排列的間距等于所述像素電極排列的間距，進(jìn)一步優(yōu)選，所述多個(gè)布線(xiàn)的各自的寬度比俯視時(shí)的所述像素電極的一邊窄。由此，容易使第二導(dǎo)電圖形的面積密度小于所述第一導(dǎo)電圖形的面積密度。在上述構(gòu)成中，優(yōu)選，在具有相對(duì)于所述像素電極、所述第一導(dǎo)電圖形和所述第二導(dǎo)電圖形位于與所述相對(duì)基板相反側(cè)的下層導(dǎo)電圖形時(shí)，在俯視時(shí)，所述第二導(dǎo)電圖形相對(duì)于所述下層導(dǎo)電圖形重疊。根據(jù)該構(gòu)成，能夠防止來(lái)自元件基板的背面?zhèn)鹊恼丈涔獗幌聦硬季€(xiàn)圖形遮光。本發(fā)明除了電光裝置之外，還能夠作為包括該電光裝置的電子設(shè)備來(lái)定義。作為這樣的電子設(shè)備，可列舉對(duì)通過(guò)反射型液晶面板反射的光調(diào)制圖像放大投影的投影機(jī)。


圖1是表示本發(fā)明實(shí)施方式中的反射型液晶面板的構(gòu)成的圖。圖2是表示反射型液晶面板的電路構(gòu)成的圖。圖3是表示反射型液晶面板的像素的等效電路的圖。圖4是表示反射型液晶面板的像素構(gòu)成的俯視圖。
圖5是表示反射型液晶面板的像素構(gòu)成的俯視圖。圖6是表示反射型液晶面板的像素構(gòu)成的俯視圖。圖7是表示反射型液晶面板的像素構(gòu)成的部分剖面圖。圖8是用于說(shuō)明反射型液晶面板的元件基板的各區(qū)域的圖。圖9是表示各區(qū)域中的元件基板的電極的構(gòu)成的俯視圖。圖10是表示密封區(qū)域等中的元件基板的電極層疊結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖11是表示應(yīng)用了反射型液晶面板的投影機(jī)的構(gòu)成的圖。標(biāo)號(hào)說(shuō)明90密封件、100液晶面板、101元件基板、102相對(duì)基板、105液晶、108共用電極、 116 TFT、118像素電極、120液晶元件、131第一導(dǎo)電圖形、132第二導(dǎo)電圖形、133第三導(dǎo)電圖形、136、138、141、151布線(xiàn)、137縫隙、1100投影機(jī)
具體實(shí)施例方式實(shí)施方式以下，關(guān)于本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。此實(shí)施方式中的電光裝置，是作為后述的投影機(jī)的光閥使用的反射型的液晶面板。并且，本實(shí)施方式中液晶面板的特征部分在于密封件重疊的部分的布線(xiàn)的結(jié)構(gòu)，需要說(shuō)明該布線(xiàn)與有效顯示部中的導(dǎo)電層處于怎樣的關(guān)系，所以首先說(shuō)明液晶面板的結(jié)構(gòu)的概略情況。另外，以下的圖中，為了使得各層、各部材、 各區(qū)域等成為能夠辨認(rèn)的大小，有時(shí)使得比例尺不一樣。圖1 (A)是表示實(shí)施方式中的液晶面板100的結(jié)構(gòu)的立體圖，圖1⑶是圖1㈧中 H-h線(xiàn)剖斷的剖面圖。如這些圖中所示，液晶面板100具有如下結(jié)構(gòu)形成有像素電極118的元件基板 101和設(shè)置有共用電極108的相對(duì)基板102，通過(guò)包含間隔物(圖中省略)的密封件90 保持一定的間隙，以電極形成面互相相對(duì)的方式貼合，在此間隙中封入例如VA(Vertical Alignment 垂直取向)型液晶105。本實(shí)施方式中，在元件基板101以及相對(duì)基板102中，各自使用玻璃和/或石英等具有光透射性的基板。在元件基板101，在圖I(A)中的Y方向的尺寸比相對(duì)基板102長(zhǎng)，由于在進(jìn)深側(cè)(h側(cè))對(duì)齊的狀態(tài)下貼合，所以元件基板101的跟前側(cè)(H側(cè))的一邊從相對(duì)基板102伸出。在此伸出的區(qū)域，沿著X方向設(shè)置有多個(gè)端子107。并且，多個(gè)端子107構(gòu)成為連接到FPC(Flexible Printed Circuits 撓性印制電路)基板，從外部上級(jí)裝置被供給各種信號(hào)和/或各種電壓、影像信號(hào)。元件基板101中，在與相對(duì)基板102相對(duì)的面形成的像素電極118，詳細(xì)的情況如后所述，是將鋁等的反射性金屬層圖形化而成。在相對(duì)基板102中，在與元件基板101相對(duì)的面設(shè)置的共用電極108是ITOandium Tin Oxide 氧化銦錫)等的具有透明性的導(dǎo)電層。并且，密封件90，如后所述當(dāng)俯視時(shí)沿著相對(duì)基板102的內(nèi)緣形成為框緣狀，為了封入液晶105，在其一部分開(kāi)口。因此，在液晶105封入后，此開(kāi)口部分通過(guò)封閉件92封閉。 另外，在元件基板101的相對(duì)面以及相對(duì)基板102的相對(duì)面，各自設(shè)置在不施加電壓的狀態(tài)下使液晶分子沿著基板面的法線(xiàn)方向取向的取向膜，在圖I(B)中省略。關(guān)于圖I(B)中所示的元件基板101的區(qū)域a、b、c、d，參照?qǐng)D8進(jìn)行說(shuō)明。圖8是在圖1 (A)中從上方也就是從相對(duì)基板102俯視時(shí)示出元件基板101的俯視圖。圖8中，a是對(duì)顯示有作用的像素電極118以矩陣狀排列的有效顯示區(qū)域(有效像素部)，b是位于比有效顯示區(qū)域a靠外側(cè)并且位于形成密封件90的區(qū)域的內(nèi)側(cè)的無(wú)效顯示區(qū)域。c是與形成密封件90的區(qū)域重疊的密封區(qū)域，d是位于密封區(qū)域c的外側(cè)的密封外側(cè)區(qū)域，不包括排列有端子107的部分。并且，圖8中省略了密封件90的開(kāi)口部分以及封閉件92。接著，關(guān)于液晶面板100的電構(gòu)成參照?qǐng)D2進(jìn)行說(shuō)明。此處，圖2與圖8相反，示出在圖I(A)中從下方也就是從元件基板101的背面?zhèn)雀┮晻r(shí)的位置關(guān)系。如上所述，液晶面板100將元件基板101和相對(duì)基板102保持一定的間隙貼合，并且在此間隙中夾持有液晶105。元件基板101中在與相對(duì)基板102相對(duì)的相對(duì)面，在圖中沿著X方向設(shè)置作為多行的m行的掃描線(xiàn)112，另一方面沿著Y方向、且與各掃描線(xiàn)112相互保持電絕緣地設(shè)置作為多列的η列的數(shù)據(jù)線(xiàn)114。在元件基板101的有效顯示區(qū)域a，分別對(duì)應(yīng)于m行的掃描線(xiàn)112與η列的數(shù)據(jù)線(xiàn) 114的交叉處，設(shè)置作為開(kāi)關(guān)元件的一個(gè)例子的η溝道型TFT116和具有反射性的像素電極 118的組。TFT116的柵電極與掃描線(xiàn)112連接，源電極連接于數(shù)據(jù)線(xiàn)114，漏電極與像素電極118連接。因此，本實(shí)施方式中，在有效顯示區(qū)域a，按m行η列以矩陣狀排列像素電極 118。并且，圖2中，從背面?zhèn)瓤吹降脑?01的相對(duì)面，由于成為紙面進(jìn)深側(cè)，本應(yīng)該用虛線(xiàn)示出掃描線(xiàn)112、數(shù)據(jù)線(xiàn)114、TFT116、像素電極118等，但是由于很難分辨，所以各自都以實(shí)線(xiàn)示出。本實(shí)施方式中，為了區(qū)別數(shù)據(jù)線(xiàn)114，有時(shí)采用將圖2中從左側(cè)開(kāi)始依次稱(chēng)為第1、
2、3........(n-l)、n列的叫法。同樣地，為了區(qū)別掃描線(xiàn)112，有時(shí)采用將圖2中從上側(cè)
開(kāi)始依次稱(chēng)為第1、2、3........(m-l)、m行的叫法。數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路160，驅(qū)動(dòng)第1、2、3........η列的數(shù)據(jù)線(xiàn)114。詳細(xì)地，數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)
動(dòng)電路160，使通過(guò)端子107供給的影像信號(hào)通過(guò)同樣經(jīng)由端子107供給的各種控制信號(hào)，
分配并保持在第1、2、3........η列的數(shù)據(jù)線(xiàn)114、作為數(shù)據(jù)信號(hào)XI、Χ2、Χ3.......Xn供
給。另外，數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路160，如圖8所示，在無(wú)效顯示區(qū)域b中，在沿著設(shè)置有多個(gè)端子 107的一邊的區(qū)域設(shè)置。2個(gè)掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路170，從兩側(cè)驅(qū)動(dòng)第1、2、3........m行的掃描線(xiàn)112。詳細(xì)
地，掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路170，利用經(jīng)由端子107供給的各種控制信號(hào)分別生成掃描信號(hào)Y1、Y2、
Υ3........Ym，并從第1、2、3........m行的掃描線(xiàn)112的兩側(cè)供給。并且，掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電
路170，如圖8所示，在無(wú)效顯示區(qū)域b中，分別設(shè)置在與形成有數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路160的區(qū)域相鄰的2邊的區(qū)域。另一方面，相對(duì)基板102中，在與元件基板101相對(duì)的相對(duì)面，在整個(gè)面上設(shè)置具有透明性的共用電極108。對(duì)共用電極108，在元件基板101中，依次通過(guò)端子107、布線(xiàn) 107a以及與相對(duì)基板102之間的導(dǎo)通點(diǎn)94，施加電壓LCcom。并且，導(dǎo)通點(diǎn)94在俯視時(shí)，如圖8所示，位于在基板內(nèi)周緣形成的密封件90的框外的四角，通過(guò)銀糊劑等的導(dǎo)通材料實(shí)現(xiàn)與共用電極108的導(dǎo)通。圖3是表示有效顯示區(qū)域a中像素110的等效電路的圖，構(gòu)成為對(duì)應(yīng)于掃描線(xiàn)112和數(shù)據(jù)線(xiàn)114的交叉處，排列通過(guò)像素電極118和共用電極108夾持有液晶105的液晶元件120。在圖2中省略，實(shí)際上如圖3所示，相對(duì)于液晶元件120并聯(lián)設(shè)置了輔助電容(存儲(chǔ)電容)125。此輔助電容125，一端連接于像素電極118，另一端共同連接于電容線(xiàn)115。本實(shí)施方式中，對(duì)電容線(xiàn)115施加與共用電極108同樣的電壓LCcom。如上所述的構(gòu)成中，掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路170選擇某1行的掃描線(xiàn)，將該掃描線(xiàn)112設(shè)為H電平時(shí)，柵電極連接到該掃描線(xiàn)的TFT116變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，成為像素電極118與數(shù)據(jù)線(xiàn) 114電連接的狀態(tài)。因此，掃描線(xiàn)112為H電平時(shí)，如果數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路160將對(duì)應(yīng)于灰度的電壓的數(shù)據(jù)信號(hào)供給到數(shù)據(jù)線(xiàn)114，則該數(shù)據(jù)信號(hào)通過(guò)已經(jīng)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)的TFT116被施加到像素電極118。掃描線(xiàn)112變?yōu)長(zhǎng)電平時(shí)，TFT116變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)，施加到像素電極的電壓通過(guò)液晶元件120的電容性以及輔助電容125保持。掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路170，順序選擇從第1行到第m行的掃描線(xiàn)112，并且數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路160，對(duì)位于被選擇的掃描線(xiàn)112的1行的量的像素，通過(guò)數(shù)據(jù)線(xiàn)114供給數(shù)據(jù)信號(hào)，由此，對(duì)所有的液晶元件120施加、保持與灰度對(duì)應(yīng)的電壓。此工作在每1幀(每1個(gè)垂直掃描期間)反復(fù)進(jìn)行。液晶元件120中，液晶105的分子取向狀態(tài)相應(yīng)于在像素電極118以及共用電極 108之間產(chǎn)生的電場(chǎng)的強(qiáng)度而變化。 圖1 (A)中從相對(duì)基板102的頂面入射的光，經(jīng)過(guò)了省略圖示的偏振器、相對(duì)基板 102、共用電極108、液晶105這樣的路徑之后，通過(guò)像素電極118反射，沿著與之前逆向的路徑出射。此時(shí)，在液晶元件120中，出射光量相對(duì)入射光量的比率也就是反射率，隨著在液晶元件120施加、保持的電壓變高而變大。如此，液晶面板100中，反射率按每個(gè)液晶元件120變化，所以液晶元件120作為應(yīng)該顯示的圖像的最小單位的像素發(fā)揮功能。液晶元件120，在俯視時(shí)由像素電極118規(guī)定，所以像素電極118的排列區(qū)域是上述的有效顯示區(qū)域a。接著，關(guān)于元件基板101中的有效顯示區(qū)域a的元件結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。圖4 圖6是表示像素的構(gòu)成的俯視圖，圖7是圖4 圖6中的J-j線(xiàn)剖切的部分剖面圖。并且，圖4 圖6中，為了說(shuō)明從相對(duì)面俯視元件基板101時(shí)的結(jié)構(gòu)，省略層間絕緣膜等非導(dǎo)電性的圖示，并且圖4示出元件結(jié)構(gòu)中直到數(shù)據(jù)線(xiàn)層為止，圖5示出屏蔽電極層，圖6示出像素電極層。首先，如圖7所示，在作為元件基板101的基材的基板11，設(shè)置有基底絕緣膜40， 進(jìn)一步地在基底絕緣膜40設(shè)置包含多晶硅的半導(dǎo)體層30。半導(dǎo)體層30的表面，通過(guò)熱氧化的絕緣膜32覆蓋。關(guān)于半導(dǎo)體層30的平面形狀，形成為長(zhǎng)邊在圖4中的縱向即之后形成的數(shù)據(jù)線(xiàn)114延伸的方向延伸的矩形。掃描線(xiàn)112配設(shè)為在圖4中的橫向延伸并且在形成為矩形的半導(dǎo)體層30的中央部大致直行。其結(jié)果是，如圖4以及圖7所示，半導(dǎo)體層30中，與掃描線(xiàn)112重疊的部分成為溝道區(qū)域30a。半導(dǎo)體層30中，相對(duì)于溝道區(qū)域30a在圖7中的左方向(圖4的下方向)是源區(qū)域30s、在圖7中的右方向(圖4的上方向)是漏區(qū)域30d。其中，源區(qū)域30s通過(guò)在絕緣膜32以及第1層間絕緣膜41分別開(kāi)孔的接觸孔51連接到中繼電極61。漏區(qū)域30d也同樣地，通過(guò)在絕緣膜32以及第1層間絕緣膜41分別開(kāi)孔的接觸孔52連接到中繼電極62。中繼電極61、62，是分別將在第1層間絕緣膜41上成膜的導(dǎo)電性的多晶硅膜圖形化而成的。關(guān)于中繼電極61的平面形狀，是比接觸孔51大一圈的程度，隱藏在位于上層的數(shù)據(jù)線(xiàn)114的分支部分，所以在圖4中省略。另一方面，關(guān)于中繼電極62，是包括以覆蓋半導(dǎo)體層30的方式在圖4中的縱向延伸的部分以及以覆蓋掃描線(xiàn)112的方式在橫向延伸的部分的大致T形狀。圖7中，以覆蓋第1層間絕緣膜41或者中繼電極61、62的方式，使電介質(zhì)層34成膜。并且，電介質(zhì)層34是例如硅氧化膜。數(shù)據(jù)線(xiàn)114以及電容電極11 ，是將以覆蓋電介質(zhì)層34的方式形成的導(dǎo)電性的二層膜圖形化而成的。詳細(xì)而言，將作為下層而成膜的導(dǎo)電性的多晶硅膜以及作為上層而成膜的鋁膜的二層膜(數(shù)據(jù)線(xiàn)層21)圖形化而成。數(shù)據(jù)線(xiàn)114形成為在圖4中在半導(dǎo)體層30的左側(cè)相鄰處，在與掃描線(xiàn)112垂直的縱向上延伸，并且朝向半導(dǎo)體層30中的源區(qū)域30s (中繼電極61)分支，通過(guò)在電介質(zhì)層 34開(kāi)孔的接觸孔50連接到中繼電極61。因此，數(shù)據(jù)線(xiàn)114通過(guò)中繼電極61連接到源區(qū)域 30s。電容電極11 以覆蓋中繼電極62的方式成為大致T形狀，為了避開(kāi)與漏區(qū)域30d 相連的接觸孔53，成為一部分形成缺口的形狀。圖7中，以覆蓋數(shù)據(jù)線(xiàn)114、電容電極11 或者電介質(zhì)層34的方式，形成第2層間絕緣膜42。中繼電極71以及屏蔽電極72，是將以覆蓋第2層間絕緣膜42的方式形成的導(dǎo)電性的二層膜圖形化而成的。詳細(xì)而言，將作為下層而成膜的鋁膜以及作為上層而成膜的氮化鈦膜的二層膜(屏蔽電極層22)圖形化而成。中繼電極71，通過(guò)在第2層間絕緣膜42以及電介質(zhì)層34分別開(kāi)孔的接觸孔53連接到中繼電極62。并且，屏蔽電極72通過(guò)在第2層間絕緣膜42開(kāi)孔的接觸孔M連接到電容電極1Mb。屏蔽電極72的平面形狀，當(dāng)俯視時(shí)如圖5所示，以覆蓋數(shù)據(jù)線(xiàn)114和半導(dǎo)體層30 的方式在縱向延伸且在掃描線(xiàn)112的上方向右橫方向突出地形成。屏蔽電極72通過(guò)設(shè)置在該右橫方向的突出部分的接觸孔M連接于電容電極11恥。另一方面，中繼電極71的平面形狀，同樣如圖5所示，在掃描線(xiàn)112的上方，以與屏蔽電極72的右橫方向的突出部分相鄰的矩形，按每個(gè)像素形成為島狀。在圖7中，以覆蓋中繼電極71、屏蔽電極72或者第2層間絕緣膜42的方式形成第3層間絕緣膜43。像素電極118是將以覆蓋第3層間絕緣膜43的方式形成的鋁膜(像素電極層23)圖形化而成的，通過(guò)在第3層間絕緣膜43開(kāi)孔的接觸孔55連接到中繼電極 71。因此，像素電極118依次通過(guò)中繼電極71以及中繼電極62連接到漏區(qū)域30d。像素電極118的平面形狀，如圖6所示，為大致正方形，關(guān)于其配置，如圖5中虛線(xiàn)所示，正方形的各邊在俯視時(shí)處于被包含在掃描線(xiàn)112以及數(shù)據(jù)線(xiàn)114內(nèi)的位置關(guān)系。以覆蓋該像素電極118或者第3層間絕緣膜43的方式，通過(guò)以TEOS (Tetra Ethyl Ortho Silicate 原硅酸四乙酯)為原料的化學(xué)氣相生長(zhǎng)形成氧化硅膜。此時(shí)，氧化硅膜在像素電極118的表面也形成，但是通過(guò)CMP處理削除，所以結(jié)果如圖7所示，氧化硅膜36僅僅在相鄰的像素電極118彼此的間隙部分殘留。通過(guò)如此的處理，使元件基板101的相對(duì)面平坦化。然后，在平坦化后的表面形成包含無(wú)機(jī)材料的取向膜38。此取向膜38，在圖示中省略詳細(xì)情況，例如通過(guò)硅氧化物的斜向蒸鍍，使多個(gè)微小的柱狀結(jié)構(gòu)體在按同一方向傾斜的狀態(tài)下氣相生長(zhǎng)而得到。如此的構(gòu)成中，屏蔽電極72，沒(méi)有特別圖示，伸出到密封外側(cè)區(qū)域d為止。而且， 例如在圖2中通過(guò)端子107以及連接點(diǎn)107b，共同地被施加與共用電極108相同的電壓 LCcom0因此，有效顯示區(qū)域a中，即使數(shù)據(jù)線(xiàn)114由于數(shù)據(jù)信號(hào)的供給而使電壓變動(dòng)，在像素電極118中，特別是與截止?fàn)顟B(tài)的TFTl 16相關(guān)的像素電極118中，因電容耦合導(dǎo)致的電位變動(dòng)被抑制。進(jìn)一步地，俯視時(shí)來(lái)自相對(duì)基板102的入射光，在相鄰的像素電極118的間隙部分，不被像素電極118反射而進(jìn)入，但是由于半導(dǎo)體層30被屏蔽電極72覆蓋，所以不會(huì)由于來(lái)自相對(duì)面?zhèn)鹊倪M(jìn)入光而損傷TFT116的截止泄漏特性。并且，輔助電容125，由中繼電極62、電介質(zhì)層34和電容電極11 的層疊結(jié)構(gòu)而構(gòu)成。電容電極115b，按每個(gè)像素形成為獨(dú)立的島狀，通過(guò)接觸孔討連接到屏蔽電極72， 所以在各像素的范圍內(nèi)共同被施加電壓LCcom。因此，從等效電路來(lái)看，如圖3所示那樣。本實(shí)施方式中，在有效顯示區(qū)域a中，含有鋁的導(dǎo)電層，按照層疊的順序來(lái)說(shuō)，為構(gòu)成數(shù)據(jù)線(xiàn)114以及電容電極11 的數(shù)據(jù)線(xiàn)層21、構(gòu)成中繼電極71以及屏蔽電極72的屏蔽電極層22、和構(gòu)成像素電極118的像素電極層23共計(jì)3層。接著，對(duì)上述3層的導(dǎo)電圖形在無(wú)效顯示區(qū)域b、密封區(qū)域c以及密封外側(cè)區(qū)域d 怎樣構(gòu)成進(jìn)行說(shuō)明。圖9 (A)是將圖8中的L區(qū)域、也就是端子107排列的一邊附近，從有效顯示區(qū)域a 開(kāi)始到無(wú)效顯示區(qū)域b、密封區(qū)域c、密封外側(cè)區(qū)域d為止，部分地放大的俯視圖，示出俯視元件基板101的相對(duì)面時(shí)的像素電極層23的圖形形狀。如該圖所示并且如上所述，有效顯示區(qū)域a中，像素電極118以矩陣狀排列。在此， 設(shè)像素電極118的X方向的尺寸為fe、Y方向的尺寸為Wy。并且，本發(fā)明中由于像素電極 118為正方形，所以Wx等于Wy。另外，像素電極118的排列間距以對(duì)角線(xiàn)中心計(jì)算，設(shè)X方向的間距為1^、Y方向的間距為Py時(shí)，間距I3X與數(shù)據(jù)線(xiàn)114的排列間隔相等，間距Py與掃描線(xiàn)112的排列間隔相等。并且，由于像素電極118為正方形，所以I^x等于Py。并且，實(shí)施方式中，像素電極118為正方形，但在應(yīng)用于光閥以外的其他用途例如應(yīng)用于數(shù)碼相機(jī)的EVF(Electr0nic View Finder 電子取景器)等的情況下，構(gòu)成為1個(gè)點(diǎn)分割為例如R(紅)、G (綠)、B (藍(lán))的3個(gè)像素并且1個(gè)點(diǎn)成為正方形，所以像素電極118 為長(zhǎng)方形。因此，像素電極118的尺寸，不一定必須是Wx等于Wy，關(guān)于間距，也不一定必須是I3X等于Py。無(wú)效顯示區(qū)域b中，設(shè)置有將像素電極層23圖形化后的第一導(dǎo)電圖形131。該第一導(dǎo)電圖形131是使得X方向的尺寸為ffx、Y方向的尺寸為Wy的電極135即與像素電極 118相同尺寸的電極135按像素電極118的排列不變地進(jìn)行矩陣狀排列，并且將在縱向和橫向相鄰的電極135彼此在各邊中央附近連接并圖形化而成的。因此，電極135互相實(shí)現(xiàn)電導(dǎo)通。
當(dāng)然，第一導(dǎo)電圖形131和像素電極118不導(dǎo)通。在密封區(qū)域c，設(shè)置有將像素電極層23圖形化后的第二導(dǎo)電圖形132。第二導(dǎo)電圖形132具有在L區(qū)域設(shè)置為按間距的間隔相互平行地在相對(duì)于密封件的延伸設(shè)置方向垂直的方向(圖9(A)中Y方向)延伸的多條布線(xiàn)136。在此，多條布線(xiàn)136的各條在與無(wú)效顯示區(qū)域b的邊界分別連接于第一導(dǎo)電圖形131。此夕卜，布線(xiàn)136的線(xiàn)寬W3比像素電極118和電極135的尺寸fe窄。因此，第二導(dǎo)電圖形132具有多個(gè)以比像素電極118彼此或電極135彼此的間隙(I5x-Wx)寬的寬度 (Px-W3)開(kāi)口的縫隙137。換言之，在俯視時(shí)，在密封區(qū)域c中表示第二導(dǎo)電圖形132在每單位面積所占的面積的比例的面積密度，比在無(wú)效顯示區(qū)域b中第一導(dǎo)電圖形131的面積密度小，所以相應(yīng)地，第二導(dǎo)電圖形132的開(kāi)口率比第一導(dǎo)電圖形131的開(kāi)口率大。此外，第二導(dǎo)電圖形132包括在密封件的延伸設(shè)置方向(圖9㈧中X方向)上延伸、使多條布線(xiàn)136彼此短路的布線(xiàn)138。該布線(xiàn)138在圖9(A)的例子中是一條，但也可以是多條。在密封外側(cè)區(qū)域d，設(shè)置有將像素電極層23圖形化后的第三導(dǎo)電圖形133。該第三導(dǎo)電圖形133是使得與像素電極118相同尺寸的電極139按像素電極118的排列不變地進(jìn)行矩陣狀排列、并且將在縱向和橫向相鄰的電極139彼此在各邊中央附近連接并圖形化而成的，即，是與第一導(dǎo)電圖形131相同的基本圖形的重復(fù)。第三導(dǎo)電圖形133在密封區(qū)域c的邊界分別連接于布線(xiàn)136。另一方面，向第三導(dǎo)電圖形例如如圖2所示經(jīng)由端子107和包括在密封外側(cè)區(qū)域d中的連接點(diǎn)107c (在圖9 (A) 中省略)施加電壓LCcom。因此，還經(jīng)由第三導(dǎo)電圖形133向第二導(dǎo)電圖形132和第一導(dǎo)電圖形131施加電壓 LCcom0此外，在本實(shí)施方式中，從密封外側(cè)區(qū)域d，通過(guò)數(shù)據(jù)線(xiàn)層21和屏蔽電極層22的圖形化形成用于連接于在有效顯示區(qū)域a形成的各種電極等的布線(xiàn)和/或用于向在無(wú)效顯示區(qū)域b形成的數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路160以及掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路170供給信號(hào)等的布線(xiàn)。于是，下面特別對(duì)在密封區(qū)域c的附近將數(shù)據(jù)線(xiàn)層21和屏蔽電極層22圖形化后的布線(xiàn)進(jìn)行說(shuō)明。數(shù)據(jù)線(xiàn)層21和屏蔽電極層22與像素電極層23相比位于下層(參照?qǐng)D 7)。因此，當(dāng)對(duì)將數(shù)據(jù)線(xiàn)層21和屏蔽電極層22圖形化后的布線(xiàn)進(jìn)行總稱(chēng)時(shí)，有時(shí)稱(chēng)為下層導(dǎo)電圖形。圖9(B)是與圖9(A)同樣地放大了圖8的L區(qū)域的俯視圖，示出從元件基板101 的相對(duì)面俯視時(shí)屏蔽電極層22的圖形化后的形狀。如該圖所示，在密封區(qū)域c，將屏蔽電極層22圖形化后的多條布線(xiàn)141設(shè)置為在俯視時(shí)與構(gòu)成第二導(dǎo)電圖形132的布線(xiàn)136重疊。詳細(xì)而言，多條布線(xiàn)141按間距的間隔以在相對(duì)于密封件的延伸設(shè)置方向垂直的方向延伸的方式相互平行地設(shè)置，并且當(dāng)將布線(xiàn) 141的線(xiàn)寬設(shè)為W2時(shí)，以使得線(xiàn)寬W2變?yōu)椴季€(xiàn)136的線(xiàn)寬W3的方式使得線(xiàn)中心對(duì)齊而形成。在圖9(B)中，為了表示用實(shí)線(xiàn)示出的布線(xiàn)141的位置關(guān)系，用虛線(xiàn)表示將像素電極層23圖形化后的電極135、139等。將屏蔽電極層22圖形化后的布線(xiàn)141在圖9 (B)的無(wú)效顯示區(qū)域b中在途中終止，這是為了例如經(jīng)由接觸孔與設(shè)置在更下層的布線(xiàn)層等連接。實(shí)際上，布線(xiàn)141根據(jù)無(wú)效顯示區(qū)域b中的布線(xiàn)的用途、性質(zhì)等圖形化為各種形狀。同樣地，在密封外側(cè)區(qū)域d，布線(xiàn)141 成為與密封區(qū)域c同樣的形狀，但實(shí)際上根據(jù)用途等可圖形化為各種形狀。此外，多條布線(xiàn)141大多互相電獨(dú)立地使用，所以不設(shè)置第二導(dǎo)電圖形132的布線(xiàn) 138這樣的使布線(xiàn)彼此短路的布線(xiàn)。在密封區(qū)域c，在將屏蔽電極層22圖形化后的布線(xiàn)141的下層，以俯視時(shí)與布線(xiàn) 136,141雙方重疊的方式設(shè)置有將數(shù)據(jù)線(xiàn)層21圖形化后的多條布線(xiàn)151。詳細(xì)而言，關(guān)于多條布線(xiàn)151，也按間距的間隔以在相對(duì)于密封件的延伸設(shè)置方向垂直的方向延伸的方式相互平行地設(shè)置，并且當(dāng)將布線(xiàn)151的線(xiàn)寬設(shè)為Wl時(shí)以使得線(xiàn)寬Wl變?yōu)椴季€(xiàn)141的線(xiàn)寬W2的方式使線(xiàn)中心對(duì)齊而形成。因此，密封區(qū)域c中俯視時(shí)的布線(xiàn)151的形狀與布線(xiàn)141沒(méi)有區(qū)別，所以在圖9 (B) 中用括號(hào)括出。在無(wú)效顯示區(qū)域b和密封外側(cè)區(qū)域d，布線(xiàn)151在根據(jù)其用途等圖形化為各種形狀這一方面也與布線(xiàn)141同樣。圖10是在圖9㈧或⑶的K-k線(xiàn)處剖切時(shí)的部分剖面圖。圖9㈧和⑶僅示出元件基板101，在圖10中為了方便也示出相對(duì)基板102。如圖10所示，在元件基板101中形成在密封區(qū)域的第二導(dǎo)電圖形132(布線(xiàn)136) 設(shè)置在相對(duì)于下層導(dǎo)電圖形的布線(xiàn)141和布線(xiàn)151在上層重疊的位置。因此，在元件基板 101和相對(duì)基板102貼合時(shí)，從元件基板101的背面?zhèn)日丈鋪?lái)的光經(jīng)由縫隙137到達(dá)密封件 90。此外，在不構(gòu)成第一導(dǎo)電圖形131、第二導(dǎo)電圖形132以及第三導(dǎo)電圖形133的部分，即在無(wú)效顯示區(qū)域b、密封區(qū)域c以及密封外側(cè)區(qū)域d中不存在像素電極層23的部分， 通過(guò)與有效顯示區(qū)域a同樣的CMP處理埋入有氧化硅膜36。因此，元件基板101的相對(duì)面 (表面)不僅在有效顯示區(qū)域a還在其周邊區(qū)域平坦化。因此，根據(jù)本實(shí)施方式，在確保元件基板101的平坦性的基礎(chǔ)上，除了從相對(duì)基板 102的觀(guān)察側(cè)照射的光之外，還能夠通過(guò)從元件基板101的背面?zhèn)日丈涞墓猓姑芊饧袒?。在本?shí)施方式中，在密封外側(cè)區(qū)域d形成第三導(dǎo)電圖形133并實(shí)施CMP處理的理由如下。即，這是因?yàn)樵?01實(shí)際上在晶片上形成多個(gè)后通過(guò)切割一個(gè)一個(gè)分別切取，CMP處理在晶片階段執(zhí)行，所以在相鄰的元件基板彼此的邊界也殘留第三導(dǎo)電圖形133 與不殘留的情況相比，能夠進(jìn)一步確保平坦性。此外，在密封區(qū)域c中，密封件90成為由共用電極108和第二導(dǎo)電圖形132(布線(xiàn) 136)夾持的結(jié)構(gòu)。對(duì)第二導(dǎo)電圖形132依次經(jīng)由端子107、連接點(diǎn)107c以及第三導(dǎo)電圖形 133施加與共用電極108相同的電壓LCcom，所以施加于密封件90的電壓為零。因此，即使會(huì)通過(guò)施加直流而使保濕性劣化的成分包含于密封件90中，也能夠防止那樣的劣化。除此之外，第二導(dǎo)電圖形132使多條布線(xiàn)136分別在相對(duì)于密封件的延伸設(shè)置方向交叉的垂直方向延伸，并且在密封件的延伸設(shè)置方向并排排列，這些布線(xiàn)136彼此通過(guò)布線(xiàn)138短路。因此，在密封區(qū)域c中，不會(huì)向布線(xiàn)136施加因布線(xiàn)電阻而不同的電壓。此外，對(duì)第一導(dǎo)電圖形131也經(jīng)由第三導(dǎo)電圖形133和第二導(dǎo)電圖形132施加電壓LCcom，所以在無(wú)效顯示區(qū)域b也不會(huì)向液晶105施加直流分量。關(guān)于密封區(qū)域c，以端子107排列的一邊附近的L區(qū)域?yàn)槔M(jìn)行了說(shuō)明，關(guān)于設(shè)置有掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路170的例如M區(qū)域，則是將圖9A逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)90度后的內(nèi)容。此時(shí)，密封件的延伸設(shè)置方向?yàn)閅方向，所以在第二導(dǎo)電圖形132中，布線(xiàn)136的延伸方向成為X方向， 使這些布線(xiàn)136彼此短路的布線(xiàn)138的延伸方向?yàn)閅方向。布線(xiàn)136的排列間距與掃描線(xiàn) 112的排列間隔相等。此外，在本實(shí)施方式的液晶面板100中，在密封區(qū)域c中將像素電極層23圖形化后的布線(xiàn)136的線(xiàn)寬W3、將屏蔽電極層22圖形化后的布線(xiàn)141的線(xiàn)寬W2、以及將數(shù)據(jù)線(xiàn)層21圖形化后的布線(xiàn)151的線(xiàn)寬Wl分別設(shè)為W3 = W2 = W1，但只要是從相對(duì)面俯視時(shí)相互重疊、下層導(dǎo)電圖形不從布線(xiàn)136伸出的位置關(guān)系即可。只要滿(mǎn)足該位置關(guān)系，則可以是 W3 ^ W2 ^ W1 ο對(duì)下層導(dǎo)電圖形使用了將數(shù)據(jù)線(xiàn)層21和屏蔽電極層22圖形化后的結(jié)構(gòu)，但也可以采用構(gòu)成掃描線(xiàn)112的多晶硅膜和/或構(gòu)成中繼電極61、62的多晶硅膜。此外，本發(fā)明不限定于液晶面板，只要是在兩張基板間在由密封件包圍的顯示區(qū)域內(nèi)夾持電光物質(zhì)的顯示面板即可。例如，還可以應(yīng)用于有機(jī)EL面板、無(wú)機(jī)EL面板、電泳裝置等。即使是這樣的構(gòu)成，也可以獲得與上述實(shí)施方式、變形例大致同樣的作用效果。電子設(shè)備下面對(duì)應(yīng)用了上述實(shí)施方式的反射型液晶面板100的電子設(shè)備進(jìn)行說(shuō)明。圖11 是表示將液晶面板100作為光閥使用的投影機(jī)1100的構(gòu)成的俯視圖。如該圖所示，投影機(jī)1100是將實(shí)施方式的反射型液晶面板100與R(紅)、G(綠)、 B(藍(lán))的各色對(duì)應(yīng)的三板式。在投影機(jī)1100的內(nèi)部沿系統(tǒng)光軸PL配置有偏振照明裝置 1110。在該偏振照明裝置1110中，來(lái)自燈1112的出射光通過(guò)利用反射器1114進(jìn)行的反射成為大致平行的光束，入射到第一積分透鏡1120。通過(guò)該第一積分透鏡1120，來(lái)自燈1112 的出射光被分割為多個(gè)中間光束。該分割出的中間光束通過(guò)在光入射側(cè)具有第二積分透鏡的偏振變換元件1130，被變換為偏振方向大致統(tǒng)一的一種偏振光束(s偏振光束)，從偏振照明裝置1110出射。從偏振照明裝置1110出射的s偏振光束通過(guò)偏振分束器1140的s偏振光束反射面1141反射。在該反射光束中，藍(lán)色光(B)的光束在分色鏡1151的藍(lán)色光反射層被反射， 通過(guò)液晶面板100B調(diào)制。此外，透射了分色鏡1151的藍(lán)色光反射層的光束中，紅色光(R) 的光束在分色鏡1152的紅色光反射層被反射，通過(guò)液晶面板100R調(diào)制。另一方面，透射了分色鏡1151的藍(lán)色光反射層的光束中，綠色光(G)的光束透射分色鏡1152的紅色光反射層，通過(guò)液晶面板100G調(diào)制。在此，液晶面板100R、100G、100B與上述實(shí)施方式的液晶面板100同樣，通過(guò)供給的與R、G、B各色對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào)分別驅(qū)動(dòng)。S卩，該投影機(jī)1100中，液晶面板100構(gòu)成為對(duì)應(yīng)于R、G、B各色設(shè)置三組，相應(yīng)于與R、G、B各色對(duì)應(yīng)的影像信號(hào)分別被驅(qū)動(dòng)。通過(guò)液晶面板100R、100G、100B分別調(diào)制的紅色、綠色、藍(lán)色的光通過(guò)分色鏡 1152、1151、偏振分束器1140依次合成后，通過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)1160投影到屏幕1170。通過(guò)分色鏡1151、1152向液晶面板100R、100B、100G入射與R、G、B的各原色對(duì)應(yīng)的光束，所以不需要濾色器。
作為電子設(shè)備，除了參照?qǐng)D11說(shuō)明的投影機(jī)之外，還可列舉上述EVF、背投型電視機(jī)、頭戴式顯示器等。
權(quán)利要求
1.一種電光裝置，其特征在于， 具備具有光透射性的元件基板；具有光透射性，與所述元件基板相對(duì)配置的相對(duì)基板； 夾持在所述相對(duì)基板與所述元件基板之間的電光元件； 將所述相對(duì)基板和所述元件基板相互貼合的密封件；在所述元件基板上的進(jìn)行圖像顯示的有效像素部排列，并且具有反射性的多個(gè)像素電極；與所述多個(gè)像素電極同一層，俯視時(shí)設(shè)置在所述有效像素部與所述密封件之間的第一導(dǎo)電圖形；以及與所述多個(gè)像素電極同一層，俯視時(shí)與所述密封件重疊的第二導(dǎo)電圖形， 所述第二導(dǎo)電圖形，俯視時(shí)的每單位面積的面積密度小于所述第一導(dǎo)電圖形的面積密度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光裝置，其特征在于，所述第二導(dǎo)電圖形包括俯視時(shí)在相對(duì)于所述密封件的延伸設(shè)置方向交叉的方向延伸設(shè)置的多個(gè)布線(xiàn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電光裝置，其特征在于，具備連接于所述第二導(dǎo)電圖形、在所述密封件的外側(cè)形成的第三導(dǎo)電圖形。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電光裝置，其特征在于，具有在所述相對(duì)基板中的與所述元件基板相對(duì)的相對(duì)面形成、被施加預(yù)定的共用電壓的共用電極，向所述第二導(dǎo)電圖形經(jīng)由所述第三導(dǎo)電圖形施加所述共用電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電光裝置，其特征在于，所述第二導(dǎo)電圖形包括電連接所述多個(gè)布線(xiàn)彼此的連接部。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電光裝置，其特征在于，所述像素電極對(duì)應(yīng)于俯視多個(gè)掃描線(xiàn)與多個(gè)數(shù)據(jù)線(xiàn)時(shí)的交叉處來(lái)設(shè)置， 所述像素電極排列的間距等于所述多個(gè)掃描線(xiàn)或所述多個(gè)數(shù)據(jù)線(xiàn)的排列間隔， 所述多個(gè)布線(xiàn)排列的間距等于所述像素電極排列的間距。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電光裝置，其特征在于，所述多個(gè)布線(xiàn)的各自的寬度比俯視時(shí)的所述像素電極的一邊窄。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電光裝置，其特征在于，具有相對(duì)于所述像素電極、所述第一導(dǎo)電圖形和所述第二導(dǎo)電圖形位于與所述相對(duì)基板相反側(cè)的下層導(dǎo)電圖形，俯視時(shí)，所述第二導(dǎo)電圖形相對(duì)于所述下層導(dǎo)電圖形重疊。
9.一種電子設(shè)備，其特征在于，具有權(quán)利要求1 8中任一項(xiàng)所述的電光裝置。
全文摘要
本發(fā)明涉及電光裝置和電子設(shè)備，在元件基板的相對(duì)面的有效顯示區(qū)域(a)，具有反射性的像素電極(118)以預(yù)定間距按矩陣狀排列。在俯視時(shí)比有效顯示區(qū)域(a)靠外側(cè)且比密封區(qū)域(c)靠?jī)?nèi)側(cè)的無(wú)效顯示區(qū)域(b)，設(shè)置與像素電極(118)同一層的第一導(dǎo)電圖形(131)。在密封區(qū)域(c)設(shè)置與像素電極(118)同一層的第二導(dǎo)電圖形(132)。俯視時(shí)的第二導(dǎo)電圖形(132)的面積密度比第一導(dǎo)電圖形(131)的面積密度小。
文檔編號(hào)G02F1/1345GK102455535SQ20111031655
公開(kāi)日2012年5月16日 申請(qǐng)日期2011年10月18日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月18日
發(fā)明者原弘幸, 橫田智己 申請(qǐng)人:精工愛(ài)普生株式會(huì)社