專利名稱：液晶裝置、液晶裝置的制造方法以及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶裝置、液晶裝置的制造方法以及電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
在液晶顯示面板等液晶裝置中，作為用于對液晶分子進(jìn)行取向限定的取向膜，使用了物理斜向蒸鍍法的無機(jī)取向膜的開發(fā)取得進(jìn)展。尤其是垂直取向(VA)模式下具有常黑特性的液晶裝置能夠獲得較高的對比度，所以很有希望。在VA模式的液晶裝置中使用例如包含介電常數(shù)各向異性為負(fù)的液晶分子的液晶層。液晶層由具備通常以矩陣狀配置的像素電極的第一基板和具有相對電極的第二基板夾持。像素電極和相對電極分別具備使液晶分子在基板的法線方向取向的取向膜。以下也將該法線方向記載為縱向。在將物理斜向蒸鍍法用于取向膜的形成的情況下，如果第一基板上存在臺階(凸部)，則在其陰影處會出現(xiàn)不形成取向膜的區(qū)域。于是，已知如下技術(shù)如專利文獻(xiàn)1所示， 從兩個(gè)方向進(jìn)行斜向蒸鍍，在成為陰影的區(qū)域也進(jìn)行蒸鍍，抑制顯示斑塊等。而且，由第一、第二基板夾持了液晶層的面板體由正交偏振(crossed nicols)配置的一對偏振板夾持。兩偏振板的吸收軸在第一基板的俯視圖上配置為相對于液晶分子傾斜的方向取45°的角度。將像素電極和相對電極設(shè)為同電位(沒有縱向電場)的情況下， 進(jìn)行黑顯示。在像素電極和相對電極之間施加了電壓(具有縱向電場)的情況下，進(jìn)行白顯示。 通過調(diào)整該電位差改變液晶分子的取向方向來進(jìn)行中間灰度的顯示。在相鄰的像素電極施加進(jìn)行黑顯示和白顯示的電壓的情況下，在進(jìn)行黑顯示和白顯示的像素電極間的間隙產(chǎn)生在俯視圖上與該間隙的較長方向交叉(正交)的電場(橫向電場)。橫向電場在與某一偏振板的吸收軸大致平行的方向產(chǎn)生，所以會在本來進(jìn)行白顯示的像素電極產(chǎn)生黑區(qū)域。而且，該黑區(qū)域不僅在像素電極間，還在白顯示部分內(nèi)產(chǎn)生條紋狀的黑區(qū)域，所以白顯示部的亮度降低，對比度降低。因此，存在顯示品質(zhì)劣化的問題。專利文獻(xiàn)2說明了如下方法通過在相對電極(共用電極)形成共用電極缺口部緩和橫向電場的方法。此外，還公知使用黑矩陣隱藏該區(qū)域的方法。專利文獻(xiàn)1 日本特開2010-26274號公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本特開2009-168924號公報(bào)然而，在專利文獻(xiàn)1中，沒有記載解決對于橫向電場產(chǎn)生的問題。此外，在專利文獻(xiàn)2中，通過形成共用電極缺口部，緩和了橫向電場，但存在需要形成具有具備共用電極缺口部的圖案的第二基板，制造工序增多的問題。除此之外，在使用專利文獻(xiàn)2記載的技術(shù)的情況下，需要進(jìn)行具有具備共用電極缺口部的圖案的第二基板和具備像素電極的第一基板的對位，但第一、第二基板大型化的情況下，對位變得困難。因此，存在應(yīng)對基板的大型化變得困難的問題。此外，在使用了黑矩陣的情況下，存在開口率本身降低的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決上述問題的至少一部分做出的，可以作為以下方式或適用例來實(shí)現(xiàn)。(適用例1)本適用例的液晶裝置，具有基板、介電常數(shù)各向異性為負(fù)的液晶層，所述基板具備第一像素電極；與所述第一像素電極在第一方向相鄰的第二像素電極；與所述第一像素在與所述第一方向交叉的第二方向相鄰的第三像素電極；第一取向膜，其設(shè)置于所述第一像素電極和所述第二像素電極之間的第一間隙，使所述液晶層中的液晶分子沿所述第二方向取向；第二取向膜，其設(shè)置于所述第一像素電極和所述第三像素電極之間的第二間隙，使所述液晶層中的液晶分子沿所述第一方向取向；以及第三取向膜，其覆蓋所述像素電極，并且設(shè)置于所述第一間隙和所述第二間隙，使所述液晶分子沿所述基板的法線取向，在所述第一間隙，具備所述第一取向膜與所述液晶相接的部分和所述第三取向膜與所述液晶相接的部分，并且在所述第二間隙，具備所述第二取向膜與所述液晶相接的部分和所述第三取向膜與所述液晶相接的部分。據(jù)此，在第一和第二像素電極間的第一間隙，具備使液晶分子沿作為間隙的較長方向即第二方向取向(水平取向)的第一取向膜，在第一和第三像素電極間的第二間隙，具備使液晶分子沿作為間隙的較長方向即第一方向取向(水平取向)的第二取向膜，在像素電極上具備使液晶分子沿基板的法線取向(水平取向)的第三取向膜。這樣，通過具有第一取向膜、第二取向膜、第三取向膜這三個(gè)取向膜，在第一和第二間隙，在俯視圖上沒有遺漏地具有取向膜，由此能夠消除使液晶分子取向的力不起作用的區(qū)域。在相鄰的像素電極間的電位差大(例如某像素電極為電源電位，相鄰的像素電極為接地電位)的情況下，在與像素電極間的間隙的較長方向交叉的方向產(chǎn)生電場(橫向電場)。通過具有使液晶分子沿間隙的較長方向水平取向的第一取向膜或第二取向膜，抑制由于橫向電場使得液晶分子與間隙的較長方向交叉而取向的向錯(cuò)。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)對比度高、且獲得鮮明的輪廓，所以能夠提供顯示品質(zhì)優(yōu)異的液晶裝置。在此，“上”定義從第一基板朝向液晶層的方向。(適用例2、上述適用例的液晶裝置，其特征在于，所述第一取向膜是使用從所述第二方向的物理斜向蒸鍍法的第一無機(jī)取向膜，所述第二取向膜是使用從所述第一方向的物理斜向蒸鍍法的第二無機(jī)取向膜，所述第三取向膜是使用從與所述第一方向和所述第二方向交叉的方向的物理斜向蒸鍍法的第三無機(jī)取向膜。根據(jù)上述適用例，能夠分別在像素電極間配置使液晶分子沿相鄰的像素電極間的間隙的較長方向水平取向的第一無機(jī)取向膜和第二無機(jī)取向膜。而且，從與第一方向和第二方向交叉的方向使用物理斜向蒸鍍法，能夠以自我調(diào)整的方式使第一無機(jī)取向膜(水平取向膜)或第二無機(jī)取向膜(水平取向膜)在像素電極之間(陰影)露出。因此，能夠抑制橫電場引起的向錯(cuò)的發(fā)生。在此，作為物理蒸鍍法，可以例示電子束蒸鍍法、電阻加熱蒸鍍法、濺射法、離子鍍法等方法。(適用例幻上述適用例的液晶裝置，其特征在于，所述第三取向膜，在所述像素電極上以覆蓋所述第一取向膜和第二取向膜的方式設(shè)置。根據(jù)上述適用例，在像素電極上，使液晶分子沿基板的法線垂直取向的第二取向膜覆蓋第一取向膜。即，在像素電極上，液晶分子沿基板的法線垂直取向。另一方面，在像素電極間的至少一部分區(qū)域，使液晶分子沿間隙的較長方向水平取向的第一取向膜露出。因此，能夠抑制由于相鄰的像素電極間的電場(橫電場)使得液晶分子與間隙的較長方向交叉地取向的向錯(cuò)的產(chǎn)生。(適用例4)本適用例的液晶裝置的制造方法，其特征在于，該液晶裝置具有基板、 介電常數(shù)各向異性為負(fù)的液晶層，所述基板具備第一像素電極；與所述第一像素電極在第一方向相鄰的第二像素電極；與所述第一像素在與所述第一方向交叉的第二方向相鄰的第三像素電極，所述液晶裝置的制造方法包括在所述第一像素電極和所述第二像素電極之間的第一間隙，形成使所述液晶層中的液晶分子沿所述第二方向取向的第一取向膜的工序；在所述第一像素電極和所述第三像素電極之間的第二間隙，形成使所述液晶層中的液晶分子沿所述第一方向取向的第二取向膜的工序；以及在所述第一間隙和所述第二間隙以及所述像素電極上，形成使所述液晶分子沿所述基板的法線取向的第三取向膜的工序，在所述第一間隙，具備所述第一取向膜與所述液晶相接的部分和所述第三取向膜與所述液晶相接的部分，并且在所述第二間隙，形成所述第二取向膜與所述液晶相接的部分和所述第三取向膜與所述液晶相接的部分。據(jù)此，包括在第一和第二像素電極間形成使液晶分子沿作為間隙的較長方向即第二方向取向(水平取向)的第一取向膜的工序(第一取向膜形成工序)，在第一和第三像素電極間形成使液晶分子沿作為間隙的較長方向即第一方向取向(水平取向)的第二取向膜(第二取向膜形成工序)，在像素電極上形成使液晶分子沿基板的法線取向(水平取向) 的第三取向膜的工序(第三取向膜形成工序)。通過包括形成第一取向膜、第二取向膜、第三取向膜這三個(gè)取向膜的工序，在第一和第二間隙，在俯視圖上沒有遺漏地具有取向膜，由此能夠消除使液晶分子取向的力不起作用的區(qū)域。在相鄰的像素電極間的電位差大(例如某像素電極為電源電位，相鄰的像素電極為接地電位)的情況下，在與像素電極間的間隙的較長方向交叉的方向產(chǎn)生電場(橫向電場)。通過使用形成使液晶分子沿間隙的較長方向水平取向的第一取向膜或第二取向膜的工序，能夠提供能夠抑制由于橫向電場使得液晶分子與間隙的較長方向交叉而取向的向錯(cuò)的液晶裝置的制造方法。(適用例幻上述適用例的液晶裝置的制造方法，其特征在于，所述第一取向膜使用從所述第二方向的物理斜向蒸鍍法形成，所述第二取向膜使用從所述第一方向的物理斜向蒸鍍法形成，所述第三取向膜使用從與所述第一方向和所述第二方向交叉的方向的物理斜向蒸鍍法形成。根據(jù)上述適用例，能夠分別在像素電極間配置使液晶分子沿相鄰的像素電極間的間隙的較長方向水平取向的第一無機(jī)取向膜和第二無機(jī)取向膜。第一取向膜通過從第二方向的物理斜向蒸鍍法在像素電極之間形成。第二取向膜通過從第一方向的物理斜向蒸鍍法在像素電極之間形成。而且，在從第一方向的物理斜向蒸鍍法中，通過像素電極作為自我調(diào)整掩膜發(fā)揮功能，沿成為像素電極的陰影的第二方向的部分保持在進(jìn)行了從第一方向的物理斜向蒸鍍法之后也沿第二方向取向的取向膜露出的狀態(tài)。
而且，通過使用物理斜向蒸鍍法從與第一方向和第二方向交叉的方向形成使液晶分子沿基板的法線垂直取向的第二取向膜，由此使第一取向膜在作為第一間隙的像素電極間(陰影)露出、使第二取向膜在作為第二取向膜的像素電極間(陰影)露出的狀態(tài)下，能夠在第一間隙、第二間隙、像素電極上形成第三取向膜。(適用例6)本適用例的電子設(shè)備，其特征在于，包括上述記載的液晶裝置。據(jù)此，該電子設(shè)備包括能夠再現(xiàn)鮮明的輪廓的液晶裝置，所以能夠提供畫質(zhì)優(yōu)異的電子設(shè)備。(適用例7)本適用例的電子設(shè)備，其特征在于，包括上述記載的液晶裝置的制造方法形成的液晶裝置。據(jù)此，該電子設(shè)備包括使用了用于獲得抑制了像素電極間的漏光的液晶裝置的制造工序的液晶裝置，所以能夠提供能夠再現(xiàn)鮮明的輪廓的電子設(shè)備。


圖1(a)是液晶裝置的俯視圖、(b)是圖1(a)的H_H'線截面圖。圖2是表示液晶裝置的電結(jié)構(gòu)的等價(jià)電路圖。圖3(a)是表示像素的結(jié)構(gòu)的俯視圖，(b)是圖3(a)的A-A'線截面圖。圖4(a)是表示像素電極和取向膜的對應(yīng)關(guān)系的俯視圖，(b)是圖4(a)中的A-A' 線截面圖，(c)是圖4(a)中的與A-A'線正交的B-B'線截面圖。圖5(a)是表示不施加電場的情況下的液晶分子的取向的立體圖，圖5(b)是表示施加了電場的情況下的液晶分子的取向的立體圖。圖6(a)是用于表示發(fā)生了向錯(cuò)的狀態(tài)的俯視圖，(b)是用于表示抑制了向錯(cuò)的狀態(tài)的俯視圖。圖7是表示具有圖6(a)的構(gòu)造的像素電極相鄰時(shí)進(jìn)行了白顯示和黑顯示時(shí)的光透過率與坐標(biāo)之間的關(guān)系、具有圖6(b)的構(gòu)造的像素電極相鄰時(shí)進(jìn)行了白顯示和黑顯示時(shí)的光透過率與坐標(biāo)之間的關(guān)系的曲線圖。圖8(a) (e)是用于說明液晶裝置的制造方法的工序截面圖以及俯視圖。圖9(a) (d)是用于說明液晶裝置的制造方法的工序截面圖以及俯視圖。圖10(a) (f)是用于說明電子設(shè)備的示意圖。標(biāo)號說明3a掃描線、3b電容線、6a數(shù)據(jù)線、10元件基板、IOa基板本體、11柵極絕緣膜、12層間絕緣膜、15像素電極、1 像素電極、1 像素電極、15c像素電極、16接觸孔、18取向膜、 20相對基板、23共用電極、四取向膜、30TFT、30薄膜晶體管、30a半導(dǎo)體層、30d漏極電極、 30e擴(kuò)張部、30g柵極電極、30s源極電極、36保持電容、40X第一方向取向膜、40 露出區(qū)域、40Y第二方向取向膜、40 露出區(qū)域、42垂直取向膜、50液晶層、52密封件、53分型部、 100液晶裝置、101數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路、102端子部、104掃描線驅(qū)動電路、105布線、106上下導(dǎo)通部、110偏振板、111偏振板、115液晶分子、117低亮度區(qū)域、230便攜電話、231天線部、 232聲音輸出部、233聲音輸入部、234操作部、240攝像機(jī)、240Y接收圖像部、242操作部、 243聲音輸入部、250計(jì)算機(jī)、251相機(jī)部、252操作部、260頭戴顯示器、261帶、262光學(xué)系統(tǒng)收納部、270投影機(jī)、271框體、272光源、273合成光學(xué)系統(tǒng)、274鏡、275鏡、276屏幕、280投影機(jī)、281光學(xué)系統(tǒng)、282框體、283屏幕、Gl像素。
具體實(shí)施例方式下面基于

將本發(fā)明具體化后的各實(shí)施方式。(液晶裝置的結(jié)構(gòu))使用圖1、圖2、圖3對本實(shí)施方式的液晶裝置的結(jié)構(gòu)中，對具備薄膜晶體管(Thin Film Transistor =TFT)作為像素的開關(guān)元件的有源矩陣型的液晶裝置進(jìn)行說明。圖1是表示液晶裝置的結(jié)構(gòu)的概略圖，圖1(a)是俯視圖，圖1(b)是圖1(a)的 H-H'線截面圖。圖2是表示液晶裝置的電結(jié)構(gòu)的等價(jià)電路圖。圖3(a)是表示像素的結(jié)構(gòu)的俯視圖，圖3(b)是圖3(a)的A-A'線截面圖。如圖1(a)和(b)所示，本實(shí)施方式的液晶裝置100具有作為基板的元件基板10、 相對基板20、由元件基板10和相對基板20夾持的液晶層50。在此，“上” (Z方向)定義為從元件基板10朝向液晶層50的方向。而且，作為第一方向的X方向定義為從作為第一像素電極的像素電極1 朝向作為第二像素電極的像素電極15b的方向，作為第二方向的Y方向定義為從像素電極1 朝向作為第三像素電極的像素電極15c的方向。在像素電極15a和像素電極15c之間的作為第一間隙的間隙的較長方向，形成有用于使液晶分子115在X方向水平取向的、在X方向延伸的、作為第一取向膜的第一方向取向膜40X。在像素電極15a和像素電極15b之間的作為第二間隙的間隙的較長方向，形成有用于使液晶分子115在Y方向水平取向的、在Y方向延伸的、作為第二取向膜的第二方向取向膜40Y。關(guān)于第一方向取向膜40X、第二方向取向膜40Y的詳細(xì)情況將后述。像素電極 (15a, 15b，15c)是用于便于表示像素電極15的相對位置關(guān)系而設(shè)置的標(biāo)號，除了表示相對的位置關(guān)系之外，與像素電極15等價(jià)。元件基板10比相對基板20大一圈，兩個(gè)基板經(jīng)由密封件52接合。而且，在其間隙封入包含具有負(fù)的電介質(zhì)各向異性的液晶分子115的液晶，構(gòu)成液晶層50。如圖1(a)所示，元件基板10沿其一邊具有數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路101。而且，排列有與之電連接的多個(gè)端子部102。在與元件基板10的該一邊交叉(正交)的兩個(gè)邊沿各自的邊設(shè)置有掃描線驅(qū)動電路104。而且，在俯視圖上，在夾持相對基板20的位置，與該一邊平行的邊上設(shè)置有連結(jié)兩個(gè)掃描線驅(qū)動電路104的多條布線105。在以框狀配置的密封件52的內(nèi)側(cè)同樣以框狀設(shè)置有分型部53。分型部53使用具有遮光性的金屬材料或者樹脂材料。如圖1 (b)所示，在元件基板10的液晶層50側(cè)的表面配置有按每個(gè)像素設(shè)置的像素電極15以及作為開關(guān)元件的TFT30、信號布線、覆蓋它們的取向膜18。在相對基板20的液晶層50側(cè)的表面具有分型部53、配置成覆蓋分型部53的共用電極23、配置成覆蓋共用電極23的取向膜四。取向膜18是后述的無機(jī)取向膜。而且，取向膜四例如是與像素電極15上的取向膜18(后述的垂直取向膜42)反向平行地取向的垂直取向膜，例如通過相對于相對基板20
8的基板法線具有45 65°程度的傾斜的物理斜向蒸鍍法蒸鍍二氧化硅(SiO2)來形成。關(guān)于取向膜18的詳細(xì)情況將后述。取向膜18例如組合了多種取向膜。設(shè)置于相對基板20的共用電極23如圖1 (a)所示通過設(shè)置于相對基板20的四角的上下導(dǎo)通部106電連接于元件基板10側(cè)的布線。圖2是表示液晶裝置的電結(jié)構(gòu)的等價(jià)電路圖。如圖2所示，液晶裝置100具有相互絕緣并正交的作為信號線的多條掃描線3a和多條數(shù)據(jù)線6a。此外，具有以相對于掃描線 3a按一定間隔平行設(shè)置的方式配置的電容線北。在由掃描線3a和數(shù)據(jù)線6a以及電容線北以格子狀劃分的區(qū)域，設(shè)置有像素電極 15、對像素電極15進(jìn)行開關(guān)控制的作為開關(guān)元件的TFT30、保持電容36，這些構(gòu)成像素。即， 像素以矩陣狀配置。掃描線3a電連接于TFT30的柵極，數(shù)據(jù)線6a電連接于TFT30的源極。像素電極 15電連接于TFT30的漏極。數(shù)據(jù)線6a連接于數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路101 (參照圖1)，將從數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路101供給的像素信號D1，D2，. . .，Dn供給到像素。掃描線3a連接于掃描線驅(qū)動電路104(參照圖1)， 將從掃描線驅(qū)動電路104供給的掃描信號SC1，SC2，...，SCm向各像素供給。從數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路101向數(shù)據(jù)線6a供給的圖像信號Dl Dn可以依次按線順序供給，也可以對相互相鄰的多條數(shù)據(jù)線6a彼此按組供給。掃描線驅(qū)動電路104對掃描線3a在預(yù)定的定時(shí)以脈沖方式按線順序供給掃描信號SCl SCm。液晶裝置100構(gòu)成為作為開關(guān)元件的TFT30通過掃描信號SCl SCm的輸入在一定期間設(shè)為導(dǎo)通狀態(tài)，由此從數(shù)據(jù)線6a供給的圖像信號Dl Dn以預(yù)定的定時(shí)寫入像素電極15。而且，經(jīng)由像素電極15寫入液晶層50的預(yù)定電平的圖像信號Dl Dn在像素電極15和隔著液晶層50相對配置的共用電極23之間保持一定期間。為了抑制保持的圖像信號Dl Dn由于泄漏而變動，在像素電極15和共用電極23 之間與液晶電容并列地連接有保持電容36。保持電容36設(shè)置在TFT30的漏極與電容線北之間。圖3(a)是表示像素的結(jié)構(gòu)的俯視圖，圖3(b)是圖3(a)的A-A'線截面圖。如圖3(a)所示，像素Gl具有設(shè)置于通過在相互絕緣的狀態(tài)下交叉的掃描線3a 和數(shù)據(jù)線6a劃分的區(qū)域的矩形狀的像素電極15，和對像素電極15的電位進(jìn)行開關(guān)控制的 TFT30。TFT30設(shè)置于掃描線3a和數(shù)據(jù)線6a的交叉點(diǎn)附近的掃描線3a上。TFT30具備具有夾著柵極而配置的源極、漏極以及由源極、漏極夾著的溝道的三個(gè)區(qū)域的半導(dǎo)體層30a， 在源極設(shè)置有從數(shù)據(jù)線6a延伸出的源極電極30s。此外，在漏極設(shè)置有俯視圖上大致四角形的漏極電極30d。漏極電極30d具有向像素電極15側(cè)擴(kuò)張的擴(kuò)張部30e。在像素電極15， 用于與漏極電極30d電連接的在俯視圖上呈大致圓形的接觸孔16設(shè)置在與漏極電極30d 重疊的位置。電容線北在半導(dǎo)體層30a的漏極側(cè)附近以與掃描線3a平行的方式設(shè)置。此外， 具有與漏極電極30d的擴(kuò)張部30e重疊的擴(kuò)寬部。如圖3(b)所示，在基板本體IOa上，首先配置使用了鋁等金屬布線材料的掃描線 3a、電容線3b。設(shè)置使用了氧化硅等絕緣體的柵極絕緣膜11，使得覆蓋這些掃描線3a、電容線3b。在覆蓋掃描線3a的柵極絕緣膜11上設(shè)置有半導(dǎo)體層30a。半導(dǎo)體層30a的厚度為大致50nm。覆蓋掃描線3a的部分為柵極，與之相對的掃描線3a發(fā)揮柵極電極30g的作用。即，TFT30成為底柵構(gòu)造。如上所述，以與半導(dǎo)體層30a的源極重疊方式設(shè)置有源極電極30s，同樣以與漏極重疊的方式設(shè)置漏極電極30d。配置使用了鋁等金屬布線材料的源極電極30s、漏極電極 30d。使用了這些金屬布線材料的掃描線3a、電容線3d、源極電極30s(數(shù)據(jù)線6a)、漏極電極30d的厚度為大致500 600nm。以覆蓋這些半導(dǎo)體層30a、源極電極30s、漏極電極30d的方式設(shè)置有層間絕緣膜 12。層間絕緣膜12為了緩和設(shè)置半導(dǎo)體層30a、源極電極30s、漏極電極30d的表面的階差， 以大致1 2 μ m程度的厚度設(shè)置。在覆蓋漏極電極30d的層間絕緣膜12具有使漏極電極30d和像素電極15導(dǎo)通的接觸孔16。像素電極15由ITOandium Tin Oxide 氧化銦錫)等透明導(dǎo)電膜構(gòu)成。以上說明了作為如圖1所示的液晶裝置100使用透過型液晶裝置的例子，但也可以是設(shè)置反射層的反射型的液晶裝置。通過使用反射型的液晶裝置，例如還能夠控制覆蓋 TFT30的區(qū)域的光，所以能夠提高開口率。此外，對作為圖3(b)所示的TFT30的底柵型的 TFT進(jìn)行了說明，但這也可以使用頂柵型的TFT。通過使用頂柵型的TFT，能夠先于其他構(gòu)成要素對用于TFT30的半導(dǎo)體層進(jìn)行熱處理，即不會將其他構(gòu)成要素暴露于高溫而能夠以高溫形成多晶硅，所以能夠?qū)⑦w移率優(yōu)異的多晶硅用于半導(dǎo)體層。此外，通過追加濾色片能夠進(jìn)行彩色顯示。具體而言，能夠?qū)⒆酉袼匦螤钤O(shè)為長方形，將RGB三色的子像素作為一個(gè)像素處理來實(shí)現(xiàn)。(取向膜的結(jié)構(gòu))下面說明取向膜的結(jié)構(gòu)。在此，上面記載了 TFT30等，所以省略說明，主要對取向膜與像素電極的對應(yīng)關(guān)系進(jìn)行說明。圖4(a)是表示本實(shí)施方式的像素電極與取向膜的對應(yīng)關(guān)系的俯視圖，圖4(b)是圖4(a)中的A-A'線截面圖，圖4(c)是與A-A'線正交的B-B' 線截面圖。在此，在基板本體IOa上形成的TFT30(參照圖3(b))等省略圖示。取向膜18 具備沿相鄰的兩個(gè)像素電極(15a，15c)之間的間隙的較長方向(X方向)形成的第一方向取向膜40X。第一方向取向膜40X具有使液晶分子115在X方向水平取向的性質(zhì)。而且，第一方向取向膜40X的一部分作為露出區(qū)域40 直接與液晶層50(參照圖1)接觸。此外，具有在元件基板上在相鄰的兩個(gè)像素電極1 和像素電極15b的間隙形成的第二方向取向膜40Y。第二方向取向膜40Y具有使液晶分子115在Y方向水平取向的性質(zhì)。而且，第二方向取向膜40Y的一部分作為露出區(qū)域40 直接與液晶層50(參照圖1) 接觸。S卩，像素電極15具有沿其一邊的第一方向取向膜40X，具有沿與其一邊不同方向 (此情況下正交)的邊的第二方向取向膜40Y。在像素電極15a上具有作為第三取向膜的垂直取向膜42。垂直取向膜42在與設(shè)置于相對基板20的共用電極23之間施加了電壓的情況下，具有如下性質(zhì)第一方向取向膜 40X和第二方向取向膜40Y交叉(本實(shí)施方式中設(shè)為將第一方向取向膜40X和第二方向取向膜40Y所成的角平分的45° )，使液晶分子115以依照元件基板10的方式水平取向。在未施加電場的情況下，具有如下性質(zhì)使液晶分子115沿基板本體IOa的法線大致垂直(預(yù)傾角量的偏差)地取向。具有這樣的取向性的第一方向取向膜40X、第二方向取向膜40Y、垂直取向膜42例如從相鄰的兩個(gè)像素電極(15a，15c)之間的間隙的較長方向看下去的方向，使用物理斜向蒸鍍法使成為取向膜材料的無機(jī)物飛來，形成作為第一無機(jī)取向膜的第一方向取向膜40X。而且，同樣地從兩個(gè)像素電極(15a，15b)之間的間隙的較長方向看下去的方向， 使用物理斜向蒸鍍法使成為取向膜材料的無機(jī)物飛來，形成在像素電極(15a，15b)之間的間隙以另外方向取向的作為第一無機(jī)取向膜的第二方向取向膜40Y。而且，列舉如下方法從第一方向取向膜40X和第二方向取向膜40Y通過像素電極 15隱藏的方向(例如第一方向取向膜40X和第二方向取向膜40Y所成的角的平分線方向) 通過物理斜向蒸鍍法使無機(jī)物飛來，形成作為第二無機(jī)取向膜的垂直取向膜42。關(guān)于詳細(xì)的制造方法將后述。取向膜18由第一方向取向膜40X、第二方向取向膜40Y、垂直取向膜42的三層構(gòu)成。為了作圖方便，將像素電極15間的間隙擴(kuò)大而在圖中示出。此外，像素電極15由第一方向取向膜40X、第二方向取向膜40Y、垂直取向膜42覆蓋。如上所述，在元件基板10上使用物理斜向蒸鍍法在成為像素電極15的陰影的區(qū)域形成第一方向取向膜40X露出的露出區(qū)域40fe。同樣地，形成第二方向取向膜40Y露出的露出區(qū)域40私。而且，在像素電極15上形成上述垂直取向膜42。(光的控制)下面說明使用上述液晶裝置100(參照圖1)控制透過光的強(qiáng)度的機(jī)構(gòu)。圖5(a) 是表示未施加電場的情況下的液晶分子的取向的立體圖，圖5(b)是表示施加了電場的情況下的液晶分子的取向的立體圖。如圖5(a)、(b)所示，液晶裝置100由以正交偏振配置的偏振板110，111夾持。以沿著圖4(a)中的像素電極15a和像素電極15b之間的間隙的較長方向(Y方向)的方式對齊偏振板110的吸收軸。此外，以沿著圖4(a)中的像素電極1 和像素電極 15c之間的間隙的較長方向(X方向)的方式對齊偏振板111的吸收軸。在像素電極15上，形成有垂直取向膜42，使得在像素電極15和共用電極23之間施加了電壓(施加了縱向電壓)時(shí)，液晶分子115依照在元件基板10的俯視圖上相對于偏振板110，111的吸收軸具有45°的角度的平面通過縱向電場取向。在像素電極15和共用電極23之間未施加電壓(未施加縱向電場)的狀態(tài)下，如圖5(a)所示，液晶分子115在液晶層50的內(nèi)部沿基板本體IOa的法線大致垂直(偏離預(yù)傾斜角量)地取向。因此，入射到入射側(cè)的偏振板110的光L幾乎不產(chǎn)生由液晶層50引起的延遲而到達(dá)出射側(cè)的偏振板111，在偏振板111被吸收，所以進(jìn)行黑顯示。在像素電極15和共用電極23之間施加了電壓(施加了縱向電壓)的狀態(tài)下，如圖5(b)所示，液晶分子115在液晶層50內(nèi)，相對于偏振板110，111的吸收軸具有45°的角度，以依照元件基板10的方式取向。即，在像素電極15和共用電極23之間施加了十分強(qiáng)的縱向電場，換言之液晶分子115與元件基板10大致平行地取向的程度電壓的情況下，液晶層50進(jìn)行與1/2波長板同等的動作，在偏光方向旋轉(zhuǎn)90°的狀態(tài)下光L到達(dá)偏振板111。因此，光L透過偏振板111。 因此，進(jìn)行白顯示(W)。中間灰度的顯示通過該電場的加減改變液晶分子的取向方向來進(jìn)行。(抑制向錯(cuò))下面使用圖6說明能夠抑制向錯(cuò)的構(gòu)造。圖6(a)是用于表示由于像素電極間的橫向電場產(chǎn)生了向錯(cuò)的狀態(tài)的俯視圖。圖 6(b)是表示通過使用本實(shí)施方式能夠抑制向錯(cuò)的俯視圖。關(guān)于詳細(xì)構(gòu)造、光的控制如上所述，此處使用簡化的附圖進(jìn)行說明。在像素電極15a和共用電極23之間施加白用的電壓(例如最大電壓)，像素電極 15b、像素電極15c與共用電極23同電位(未施加電壓例如接地電位)的情況下，正方形的像素電極1 使液晶分子115在其對角線方向)水平取向。而且，像素電極15b、像素電極15c使液晶分子115垂直取向(用◎表示)。在此情況下，在像素電極15a、像素電極15b、像素電極15c之間產(chǎn)生橫向電場。在產(chǎn)生了橫向電場的情況下，通過該橫向電場，液晶分子115在與本來的取向方向不同的方向取向(向錯(cuò))。而且，在本來應(yīng)該進(jìn)行白顯示的像素電極1 上，在此情況下， 在按照像素電極15a，15b的方向和按照像素電極15a，15c的方向產(chǎn)生亮度低的低亮度區(qū)域 117，對比度降低，而且輪廓顯現(xiàn)變淡。另一方面，在圖6(b)所示的構(gòu)造中，在像素電極1 和像素電極15c之間的間隙 (圖1)露出使液晶分子115在X方向(參照圖1(a))水平取向的露出區(qū)域40fe。此外，在像素電極1 和像素電極15c之間的間隙露出使液晶分子115在Y方向水平取向的露出區(qū)域40私。因此，位于像素電極15a和1 的間隙的液晶分子115沿該間隙的較長方向水平取向。同樣地，位于像素電極15a和15c的間隙的液晶分子115也沿該間隙的較長方向水平取向。即，通過設(shè)置露出區(qū)域40 和露出區(qū)域40 ，能夠防止向錯(cuò)引起的對比度的降低， 能夠顯現(xiàn)鮮明的輪廓。圖7是表示具有圖6(a)的構(gòu)造、相鄰的像素電極進(jìn)行白顯示和黑顯示時(shí)的光透過率和坐標(biāo)的關(guān)系以及具有圖6(b)的構(gòu)造、相鄰的像素電極進(jìn)行白顯示和黑顯示時(shí)的光透過率和坐標(biāo)的關(guān)系的曲線圖。該曲線圖使用X軸作為各自的坐標(biāo)，將圖6(b)所示的箭頭方向作為X方向。此外，透過率的絕對值例如隨著偏振板的透過率和/或液晶層的厚度等變化，所以在此使用滿足條件時(shí)的相對透過率，使用光透過率(Transmissivity)作為Y軸，Y軸的單位使用任意刻度(a. u.)。如圖7所示，在使用圖6(a)的構(gòu)造(Reference)的情況下，如虛線所示，在像素區(qū)域1 區(qū)域(白顯示區(qū)域)產(chǎn)生向錯(cuò)，白顯示區(qū)域的一部分在接近像素區(qū)域15c (黑顯示區(qū)域)的位置產(chǎn)生透過率的降低(虛線)。相對于此，在使用圖6(b)的構(gòu)造(This work)的情況下，液晶分子115由于露出區(qū)域40 的取向性沿該間隙的較長方向強(qiáng)制地水平取向。 因此，抑制在與該間隙的較長方向交叉的方向上產(chǎn)生的向錯(cuò)的產(chǎn)生。因此，如實(shí)線所示，抑制在像素電極1 區(qū)域(白顯示區(qū)域)的低亮度區(qū)域117(參照圖6(a))的產(chǎn)生，提高像素電極15a區(qū)域的亮度。
在此，針對像素電極1 區(qū)域(白顯示區(qū)域)的亮度提高率，使用圖7的曲線圖以通過圖6(a)的構(gòu)造和圖6(b)的構(gòu)造示出的像素電極15a區(qū)域(白顯示區(qū)域)的面積進(jìn)行了比較。在此情況下，最大亮度的白和最小亮度的黑相鄰的情況下，透過率大約提高了 25%。因此，與使用以往技術(shù)的情況相比，能夠?qū)崿F(xiàn)高對比度，能夠進(jìn)行鮮明的輪廓顯現(xiàn)。(液晶裝置的制造方法)下面使用

液晶裝置的制造方法。圖8、圖9是用于說明上述液晶裝置的制造方法的工序截面圖以及俯視圖。首先，在基板本體IOa上使用通常的制造方法形成TFT30、層間絕緣膜12、接觸孔 16等。到此為止的工序可以使用一般的CVD法、光刻法形成。圖8 (a)中示出完成了到此為止的工序后的工序截面圖。在以后的工序截面圖、俯視圖中，由于已經(jīng)說明了 TFT30、接觸孔 16等，因此省略記載。此外，因?yàn)橐呀?jīng)說明了電布線構(gòu)造，所以省略記載。下面形成像素電極15。關(guān)于像素電極15，ITO(銦錫氧化物)與其他透明電極相比，具有高透光率和低電阻，因此是優(yōu)選的材料，但例如也可以使用氧化錫、氧化鋅。此外， 作為像素電極15的成膜方法，可以使用反應(yīng)性磁控濺射法、真空蒸鍍法等。此外，溶膠、凝膠法等也正在進(jìn)行開發(fā)。像素電極15以上述方法成膜后，例如通過使用光刻法確定的圖案劃分，形成在層間絕緣膜12上。圖8(b)示出完成了到此為止的制造工序后的俯視圖，圖8(c)示出圖8(b) A-A'的線工序截面圖。圖8(b)中還示出圖8(a)與以后的附圖的對應(yīng)關(guān)系。像素電極15 形成在層間絕緣膜12上。而且，該像素電極15與將像素電極15以矩陣狀排列九個(gè)而圖示的像素電極15的一個(gè)對應(yīng)。如上所述，在圖8(c)中省略TFT30、接觸孔16等的記載。然后形成第一方向取向膜40X(第一取向膜形成工序)。第一方向取向膜40X使用氧化鋁(Al2O3)、氧化鈦(TiO2)、一氧化硅(SiO)等無機(jī)材料，使用物理斜向蒸鍍法形成。 相鄰的兩個(gè)像素電極(15a，15c)和X方向(參照圖1)平行，形成包括使無機(jī)材料以相對于元件基板10的基板法線成預(yù)定角度(例如80° 85° )飛來并生長得到的柱狀結(jié)晶的第一方向取向膜40X。作為物理斜向蒸鍍法，可以使用電子束蒸鍍、電阻加熱蒸鍍、濺射、離子鍍等方法。將上述物質(zhì)使用物理斜向蒸鍍法設(shè)為露出的狀態(tài)，由此可以得到按照基板本體 10a、沿X方向具有取向性的第一方向取向膜40X。圖8 (d)示出使用物理斜向蒸鍍法在元件基板10形成第一方向取向膜40X的狀態(tài)下的俯視圖，圖8(e)示出圖8(d)的B-B'線工序截面圖。然后，形成第二方向取向膜40Y(第二取向膜形成工序)。第二方向取向膜40Υ使基板本體IOa旋轉(zhuǎn)90°，以與Y方向平行的方式進(jìn)行。在此工序中，可以得到依據(jù)基板本體 10a、沿Y方向具有取向性的第二方向取向膜40Y。圖9(a)示出使用物理斜向蒸鍍法在基板本體IOa形成第二方向取向膜40Y的狀態(tài)下的俯視圖，圖9(b)示出圖9(a)的C-C'線工序截面圖。然后，形成垂直取向膜42 (第三取向膜形成工序)。關(guān)于垂直取向膜42，在基板本體IOa的俯視圖上從相鄰的兩個(gè)像素電極(15a，15b)的間隙和相鄰的兩個(gè)像素電極(15a， 15c)的間隙之間的角度(相對各個(gè)間隙成45° )的角度，相對于元件基板10的基板法線使二氧化硅(SiO2)傾斜45 65°程度，通過物理斜向蒸鍍法形成垂直取向膜42。
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圖9 (c)示出使用斜向蒸鍍法在基板本體1 Oa形成了垂直取向膜42的狀態(tài)下的俯視圖，圖9(d)示出圖9(c)的D-D'線工序截面圖。通過使用物理斜向蒸鍍法，在成為像素電極15的陰影的區(qū)域不形成垂直取向膜 42。換言之，在接近像素電極15、或者相接的區(qū)域，露出第一方向取向膜40X和第二方向取向膜40Y。即，相對于位于像素電極15間的間隙，能夠與較長方向平行地以自我調(diào)整(自對準(zhǔn))的方式形成水平取向膜。而且，使用具有共用電極23的相對基板20，夾持液晶層50從而形成液晶裝置 100，該共用電極23由另外形成的、覆蓋共用電極23的、與垂直取向膜42反向平行地垂直取向的取向膜四覆蓋。(電子設(shè)備)下面對包括具有本實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)的液晶裝置100的或者使用本實(shí)施方式的制造方法制作的液晶裝置的電子設(shè)備進(jìn)行說明。圖10中列舉出上述液晶裝置或包含使用上述液晶裝置的制造方法形成的液晶裝置的電子設(shè)備的例子。圖10(a)是表示便攜電話的適用例的示意圖，便攜電話230具備天線部231、聲音輸出部232、聲音輸入部233、操作部234、以及液晶裝置100。這樣也可以將本發(fā)明的液晶裝置作為便攜電話230的顯示部使用。圖10(b)是攝像機(jī)的適用例的示意圖， 攝像機(jī)240具備接收圖像部240Y、操作部M2、聲音輸入部M3、以及液晶裝置100。這樣本發(fā)明的液晶裝置可以作為電子取景器、顯示部使用。圖10(c)表示便攜型個(gè)人計(jì)算機(jī)的適用例的示意圖，計(jì)算機(jī)250具有相機(jī)部251、操作部252、以及液晶裝置100。這樣本發(fā)明的液晶裝置可以作為顯示部使用。圖10(d)是表示頭戴顯示器的適用例的示意圖，頭戴顯示器260具有帶沈1、光學(xué)系統(tǒng)收納部262以及液晶裝置110。這樣本發(fā)明的液晶裝置可以作為圖像顯示器使用。圖 10(e)是表示背投型投影機(jī)的適用例的示意圖，投影機(jī)270在框體271中具有光源272、合成光學(xué)系統(tǒng)273、鏡274、鏡275、屏幕276、以及液晶裝置100。這樣本發(fā)明的液晶裝置可以作為圖像顯示器使用。圖10(f)是表示正投型投影機(jī)(移動迷你投影機(jī))的適用例的示意圖，投影機(jī)280在框體觀2中具有光學(xué)系統(tǒng)觀1以及液晶裝置100，能夠?qū)D像顯示在屏幕 2830作為移動迷你投影機(jī)處理的情況下，當(dāng)代替屏幕283在白墻上放映時(shí)，可以省略屏幕觀3，能夠提供更容易便攜的移動迷你投影機(jī)。這樣本發(fā)明的液晶裝置可以作為圖像顯示器使用。不限于上述例子，本發(fā)明的液晶裝置可以適用于各種電子設(shè)備。例如，還可以用于帶顯示功能的傳真裝置、數(shù)碼相機(jī)的取景器、便攜型TV、DSP裝置、PDA、電子筆記本、電光布告牌、宣傳公告用顯示器等。上述液晶裝置、液晶裝置的制造方法、以及電子設(shè)備獲得如下效果。在使用圖6(b)所示的構(gòu)造的情況下，在像素電極1 和像素電極15b之間的間隙，使液晶分子115在依據(jù)該間隙的方向上水平取向的露出區(qū)域40 露出。此外，在像素電極1 和像素電極15c之間的間隙，使液晶分子115在依據(jù)該間隙的方向上水平取向的露出區(qū)域40 露出。因此，位于像素電極15a和1 的間隙的液晶分子115沿該間隙的較長方向水平取向。同樣地，位于像素電極1 和15c的間隙的液晶分子115也沿該間隙的較長方向水平取向。因此，能夠抑制由于橫向電場液晶分子115的取向方向朝向與該間隙的較長方向脫離的方向取向的現(xiàn)象的發(fā)生。即，通過設(shè)置露出區(qū)域40 和露出區(qū)域40 ， 能夠防止由向錯(cuò)引起的對比度的降低，能夠顯現(xiàn)鮮明的輪廓。如圖7的曲線圖所示，通過在像素電極15a區(qū)域(白色顯示區(qū)域)的面積上將現(xiàn)有技術(shù)和本實(shí)施方式相比較時(shí)，在最大亮度的白和最小亮度的黑相鄰的情況下，透過率提高了大約25%。因此，與使用現(xiàn)有技術(shù)的情況相比，能夠?qū)崿F(xiàn)高對比度，能夠顯現(xiàn)鮮明的輪廓。如圖8(d)、(e)所示，由于與相鄰的兩個(gè)像素電極(15a，15c)的間隙的較長方向在基板本體IOa的俯視圖上平行，以相對于元件基板10的基板法線成預(yù)定角度(例如80° 85° )的方式使無機(jī)材料飛來并進(jìn)行結(jié)晶生長，從而能夠以自我調(diào)整的方式獲得在該間隙的較長方向具有取向性的第一方向取向膜40X。如圖9(a)、(b)所示，由于與相鄰的兩個(gè)像素電極(15a，15b)的間隙的較長方向在基板本體IOa的俯視圖上平行，相對于元件基板10的基板法線成預(yù)定角度(例如80° 85° )的方式使無機(jī)材料飛來并進(jìn)行結(jié)晶生長，從而能夠以自我調(diào)整的方式獲得在該間隙的較長方向具有取向性的第二方向取向膜40Y。除此之外，像素電極15作為自我調(diào)整掩模發(fā)揮功能，所以可以留下在與像素電極(15a，15c)的間隙的較長方向取向的第一方向取向膜40X，在與像素電極(15a，15b)的間隙的較長方向獲得第二方向取向膜40Y，所以能夠形成在像素電極15間的較長方向取向的第一方向取向膜40X、第二方向取向膜40Y。如圖9(c)、(d)所示，通過使用物理斜方蒸鍍法，在成為像素電極15的陰影的區(qū)域不形成垂直取向膜42。換言之，在接近像素區(qū)域15、或者相接的區(qū)域露出第一方向取向膜 40X和第二方向取向膜40Y。即，相對于位于像素電極15間的間隙，能夠與較長方向平行地自我調(diào)整地形成水平取向膜。具備相對基板20 (參照圖1)的共用電極23和覆蓋共用電極23的取向膜四可以使用不具有圖案(整面)的構(gòu)造，所以能夠容易地進(jìn)行元件基板10和相對基板20的貼合。 尤其，在元件基板10和相對基板20變大時(shí)，不需要精密的對位(校準(zhǔn))，所以能夠提供容易制造、且具有高對比度的液晶裝置100。如(液晶裝置的制造方法)所示，第一方向取向膜40X和第二方向取向膜40Y能夠以大致相同的條件形成，所以不需要新的設(shè)備投資。因此能夠降低制造成本。如(液晶裝置的制造方法)所示，第一方向取向膜40X、第二方向取向膜40Y、垂直取向膜42將像素電極15作為自我調(diào)整掩模使用物理斜向蒸鍍法制造，所以能夠不增加光刻工序而進(jìn)行制造。因此，可以不使用高額的光掩模而進(jìn)行制造。此外，在元件基板10大型化的情況下，光掩模和元件基板10的校準(zhǔn)困難，自我調(diào)整式制造不需要校準(zhǔn)。此外，驅(qū)動電路、驅(qū)動條件可以以與現(xiàn)有技術(shù)相同的條件處理，所以不需要設(shè)計(jì)、 適用新的驅(qū)動電路等。因此，不需要追加新的制造方法、制造裝置而容易地形成液晶裝置 100。本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式，可以在上述實(shí)施方式上增加各種變更、改良等。變形例如下所述。(變形例)引用圖4進(jìn)行說明。在此，對在像素電極15的兩邊配置第一方向取向膜40X、第二方向取向膜40Y的例
15子進(jìn)行了說明，可以僅配置在某一方。在此情況下，能夠縮短制造工序，所以能夠壓縮制造所需的時(shí)間和成本。
權(quán)利要求
1.一種液晶裝置，其特征在于，具有基板、介電常數(shù)各向異性為負(fù)的液晶層， 所述基板具備 第一像素電極；與所述第一像素電極在第一方向相鄰的第二像素電極； 與所述第一像素在與所述第一方向交叉的第二方向相鄰的第三像素電極； 第一取向膜，其設(shè)置于所述第一像素電極和所述第二像素電極之間的第一間隙，使所述液晶層中的液晶分子沿所述第二方向取向；第二取向膜，其設(shè)置于所述第一像素電極和所述第三像素電極之間的第二間隙，使所述液晶層中的液晶分子沿所述第一方向取向；以及第三取向膜，其覆蓋所述像素電極，并且設(shè)置于所述第一間隙和所述第二間隙，使所述液晶分子沿所述基板的法線取向，在所述第一間隙，具備所述第一取向膜與所述液晶相接的部分和所述第三取向膜與所述液晶相接的部分，并且在所述第二間隙，具備所述第二取向膜與所述液晶相接的部分和所述第三取向膜與所述液晶相接的部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶裝置，其特征在于，所述第一取向膜是使用從所述第二方向的物理斜向蒸鍍法的第一無機(jī)取向膜， 所述第二取向膜是使用從所述第一方向的物理斜向蒸鍍法的第二無機(jī)取向膜， 所述第三取向膜是使用從與所述第一方向和所述第二方向交叉的方向的物理斜向蒸鍍法的第三無機(jī)取向膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的液晶裝置，其特征在于，所述第三取向膜，在所述像素電極上以覆蓋所述第一取向膜和第二取向膜的方式設(shè)置。
4.一種液晶裝置的制造方法，其特征在于，該液晶裝置具有基板、介電常數(shù)各向異性為負(fù)的液晶層，所述基板配置有第一像素電極；與所述第一像素電極在第一方向相鄰的第二像素電極；與所述第一像素在與所述第一方向交叉的第二方向相鄰的第三像素電極，所述液晶裝置的制造方法包括在所述第一像素電極和所述第二像素電極之間的第一間隙，形成使所述液晶層中的液晶分子沿所述第二方向取向的第一取向膜的工序；在所述第一像素電極和所述第三像素電極之間的第二間隙，形成使所述液晶層中的液晶分子沿所述第一方向取向的第二取向膜的工序；以及在所述第一間隙和所述第二間隙以及所述像素電極上，形成使所述液晶分子沿所述基板的法線取向的第三取向膜的工序，在所述第一間隙，具備所述第一取向膜與所述液晶相接的部分和所述第三取向膜與所述液晶相接的部分，并且在所述第二間隙，形成所述第二取向膜與所述液晶相接的部分和所述第三取向膜與所述液晶相接的部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶裝置的制造方法，其特征在于， 所述第一取向膜使用從所述第二方向的物理斜向蒸鍍法形成，所述第二取向膜使用從所述第一方向的物理斜向蒸鍍法形成， 所述第三取向膜使用從與所述第一方向和所述第二方向交叉的方向的物理斜向蒸鍍法形成。
6.一種電子設(shè)備，包括根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的液晶裝置。
7.一種電子設(shè)備，包括使用權(quán)利要求4或5所述的液晶裝置的制造方法形成的液晶裝
全文摘要
一種液晶裝置、液晶裝置的制造方法以及電子設(shè)備。本發(fā)明提供一種具有基板、介電常數(shù)各向異性為負(fù)的液晶層的液晶裝置，所述基板具備第一像素電極；與所述第一像素電極在第一方向相鄰的第二像素電極；與所述第一像素在與所述第一方向交叉的第二方向相鄰的第三像素電極；第一取向膜，其設(shè)置于所述第一像素電極和所述第二像素電極之間的第一間隙，使所述液晶層中的液晶分子沿所述第二方向取向；第二取向膜，其設(shè)置于所述第一像素電極和所述第三像素電極之間的第二間隙，使所述液晶層中的液晶分子沿所述第一方向取向；以及第三取向膜，其覆蓋所述像素電極，并且設(shè)置于所述第一間隙和所述第二間隙，使所述液晶分子沿所述基板的法線取向。
文檔編號G02F1/1333GK102445789SQ20111030231
公開日2012年5月9日 申請日期2011年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月8日
發(fā)明者田中孝昭 申請人:精工愛普生株式會社