專利名稱：一種液晶顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種液晶顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
信息化社會越來越需要輕薄便攜式的顯示設(shè)備，而當前最成熟的產(chǎn)品就是液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display, IXD) 了。IXD通常包括用于顯示畫面的液晶顯示面板和用于向液晶顯示面板提供信號的電路部份。該液晶顯示面板通常包括第一基板和第二基板，它們通過框膠彼此粘接并由間隙隔開，而液晶材料注入到第一基板和第二基板之間的間隙中。所述第一基板例如為薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)陣列基板，其上面形成有多條柵極線和多條數(shù)據(jù)線，其中多條柵極線相互平行且以固定的間隔彼此分開，并沿著第一方向延伸，而多條數(shù)據(jù)線也相互平行且以固定的間隔彼此分開，并沿著基本上垂直于第一方向的第二方向延伸；所述TFT陣列基板上還包括通過所述柵極線和數(shù)據(jù)線的相互交叉限定出的多個像素區(qū)域，設(shè)置在每個像素區(qū)域中的多個像素電極，以及與像素電極連接的薄膜晶體管(TFT)；所述TFT能夠響應(yīng)提供給相應(yīng)的每條柵極線的信號而將來自相應(yīng)的數(shù)據(jù)線的信號發(fā)送給對應(yīng)的每個像素電極，進而控制液晶分子的轉(zhuǎn)向。如圖1-圖6所示，現(xiàn)有技術(shù)中液晶顯示裝置的薄膜晶體管陣列基板的制作方法包括如圖1所示，提供第一基板1，所述第一基板包括柵極區(qū)2，所述柵極區(qū)是經(jīng)淀積第一晶體硅層后，經(jīng)過光刻和刻蝕等步驟形成；參見圖2，在所述第一基板上形成第一保護層3，在第一保護層3上形成硅島4 ；參見圖3，在第一保護層3表面上形成第一電極層，經(jīng)過光刻和刻蝕等步驟在第一電極層上形成像素電極5;參見圖4，在硅島4和像素電極5上形成數(shù)據(jù)線層，經(jīng)過光刻和刻蝕等步驟在數(shù)據(jù)線層上形成數(shù)據(jù)線6 ；參見圖5，在像素電極5和數(shù)據(jù)線6上形成第二保護層7，經(jīng)過光刻和刻蝕等步驟得到第二保護層過孔；參見圖6，在所述第二保護層7上形成第二電極層，經(jīng)過光刻和刻蝕等步驟在第二電極層上形成共同電極8，共同電極8與像素電極5構(gòu)成存儲電容。經(jīng)發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，目前的液晶顯示裝置的制造過程中，可以通過改善其薄膜晶體管陣列基板的生產(chǎn)工藝，使得液晶顯示裝置的生產(chǎn)效率進一步提高，生產(chǎn)成本進一步降低。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種液晶顯示裝置的制造方法，減少了光刻次數(shù)，降低了生產(chǎn)成本，提高了產(chǎn)品的生產(chǎn)效率。
為解決上述問題，本發(fā)明實施例提供了如下技術(shù)方案一種液晶顯示裝置的制作方法，其特征在于，包括提供第一基板，所述第一基板包括柵極區(qū)、存儲電容區(qū)、位于所述柵極區(qū)和存儲電容區(qū)表面上的第一保護層以及位于所述第一保護層上的非晶硅層和數(shù)據(jù)線層；在所述非晶硅層和數(shù)據(jù)線層上形成硅島和數(shù)據(jù)線，所述硅島和數(shù)據(jù)線是在同一光刻過程中形成的；在所述第一保護層和數(shù)據(jù)線表面上形成第二保護層，在所述第二保護層上形成過孔；在所述第二保護層表面上形成電極層，在所述電極層上形成像素電極和共同電極，所述像素電極和共同電極在同一光刻過程中形成。優(yōu)選的，所述形成硅島和數(shù)據(jù)線的光刻過程中采用的掩模版為半灰階掩模版。優(yōu)選的，所述形成硅島和數(shù)據(jù)線的過程具體為在所述數(shù)據(jù)線層上形成光刻膠層，利用半灰階掩模版進行光刻，在光刻膠層上形成第一數(shù)據(jù)線圖形和硅島圖形，所述第一數(shù)據(jù)線圖形處為部分曝光；以具有第一數(shù)據(jù)線圖形和硅島圖形的光刻膠層為掩膜，去除所述硅島圖形下方的數(shù)據(jù)線層和非晶硅層材料，形成硅島；去除所述光刻膠層中的第一數(shù)據(jù)線圖形下方剩余的光刻膠，在所述光刻膠層上形成第二數(shù)據(jù)線圖形；以具有第二數(shù)據(jù)線圖形的光刻膠層為掩膜，去除所述第二數(shù)據(jù)線圖形下方的數(shù)據(jù)線層材料和部分非晶硅層材料，形成溝道，得到數(shù)據(jù)線。優(yōu)選的，形成所述硅島的過程中，去除所述硅島圖形下方的數(shù)據(jù)線層和非晶硅層材料的過程具體為采用濕法腐蝕工藝去掉數(shù)據(jù)線層材料，采用干法刻蝕工藝去掉非晶硅層材料。優(yōu)選的，形成第二數(shù)據(jù)線圖形的具體過程為采用干法刻蝕工藝去除所述第一數(shù)據(jù)線圖形下方剩余的光刻膠，形成第二數(shù)據(jù)線圖形。優(yōu)選的，形成數(shù)據(jù)線的過程中，去除所述第二數(shù)據(jù)線圖形下方的數(shù)據(jù)線層材料和部分非晶硅層材料的過程具體為采用濕法腐蝕工藝去除所述第二數(shù)據(jù)線圖形下方的數(shù)據(jù)線層材料；采用干法刻蝕工藝去除所述第二數(shù)據(jù)線圖形下方的部分非晶硅層材料。采用上述任一項方法制作的液晶顯示裝置，所述像素電極和共同電極均位于所述第二保護層表面上。優(yōu)選的，所述像素電極和共同電極的制作材料相同。優(yōu)選的，所述像素電極和共同電極的制作材料為氧化銦錫。所述像素電極和所述存儲電容區(qū)以及二者之間的第一保護層和第二保護層構(gòu)成存儲電容，所述像素電極和存儲電容區(qū)為所述存儲電容的兩個極板，所述第一保護層和第二保護層為存儲電容兩極板間的介質(zhì)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述技術(shù)方案具有以下優(yōu)點本發(fā)明實施例所提供的技術(shù)方案，所述硅島和數(shù)據(jù)線是在同一光刻過程中形成的，以及像素電極和共同電極也是在同一光刻過程中形成的，即硅島、數(shù)據(jù)線、像素電極和共同電極的形成總共需要兩張掩模版、兩次光刻過程，而傳統(tǒng)工藝中硅島、數(shù)據(jù)線、像素電極和共同電極的形成要分別利用一張掩模版、經(jīng)過一次光刻過程，即總共需要四張掩模版、 四次光刻過程?？梢?，本發(fā)明實施例所提供的技術(shù)方案較傳統(tǒng)工藝要減少了兩次光刻過程， 少用了兩張掩模版，從而大大降低了生產(chǎn)成本，提高了液晶顯示裝置的生產(chǎn)效率。


為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1-圖6為現(xiàn)有技術(shù)薄膜晶體管陣列基板制作方法的剖面圖；圖7-圖16為本發(fā)明實施例公開的液晶顯示裝置的制作方法的剖面圖。
具體實施例方式正如背景技術(shù)部分所述，傳統(tǒng)的生產(chǎn)液晶顯示裝置的方法還有進一步提高效率節(jié)約成本的空間，發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，可以將生產(chǎn)液晶顯示裝置過程中制造薄膜晶體管陣列基板的工藝加以改進，進而提高液晶顯示裝置的生產(chǎn)效率?；谏鲜鲅芯康幕A(chǔ)上，本發(fā)明實施例提供了一種液晶顯示裝置及其制造方法， 該方法包括提供第一基板，所述第一基板包括柵極區(qū)、存儲電容區(qū)、位于所述柵極區(qū)和存儲電容區(qū)表面上的第一保護層以及位于所述第一保護層上的非晶硅層和數(shù)據(jù)線層；在所述非晶硅層和數(shù)據(jù)線層上形成硅島和數(shù)據(jù)線，所述硅島和數(shù)據(jù)線是在同一光刻過程中形成的；在所述第一保護層和數(shù)據(jù)線表面上形成第二保護層，在所述第二保護層上形成過孔；在所述第二保護層表面上形成電極層，在所述電極層上形成像素電極和共同電極，所述像素電極和共同電極在同一光刻過程中形成。本發(fā)明實施例所提供的技術(shù)方案，較傳統(tǒng)的工藝減少了兩次光刻，少用了兩塊掩模版，提高了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本。以上是本申請的核心思想，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例， 而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施例的限制。其次，本發(fā)明結(jié)合示意圖進行詳細描述，在詳述本發(fā)明實施例時，為便于說明，表示裝置件結(jié)構(gòu)的剖面圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護的范圍。此外，在實際制作中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。實施例一本實施例公開了一種液晶顯示裝置的制造方法，各步驟的剖面圖如圖7-圖16所示，包括步驟一、如圖7所示，提供第一基板101，所述第一基板101可以為玻璃基板或其它材料的基板。所述第一基板包括柵極區(qū)102、存儲電容區(qū)103、位于所述柵極區(qū)102和存儲電容區(qū)103表面上的第一保護層104以及位于所述第一保護層上的非晶硅層201和數(shù)據(jù)線層 202。所述柵極區(qū)102和存儲電容區(qū)103的制作過程具體為采用化學氣相淀積方式形成晶體硅層，即首先將第一基板放入反應(yīng)腔中，氣體先驅(qū)物傳輸?shù)降谝换灞砻孢M行吸附作用和反應(yīng)，然后將反應(yīng)的副產(chǎn)物移除，得到晶體硅層。 但是晶體硅層的形成并不僅限于化學氣相淀積方式，還可以利用物理氣相淀積等方式形成，在此不做詳細描述。然后再在所述晶體硅層上旋涂光刻膠，形成光刻膠層，利用具有柵極區(qū)圖形和存儲電容區(qū)圖形的掩模版進行光刻，經(jīng)顯影后，在光刻膠層上形成柵極區(qū)圖形和存儲電容區(qū)圖形，以具有柵極區(qū)圖形和存儲電容區(qū)圖形的光刻膠層為掩膜，經(jīng)干法刻蝕或濕法腐蝕等工藝得到柵極區(qū)102和存儲電容區(qū)103。本實施例中所述“柵極區(qū)圖案”為在光刻膠層表面上的二維的柵極區(qū)圖案，圖案區(qū)域只限于光刻膠層表面而不向表面下延伸，不具有立體形狀；所述“柵極區(qū)圖形”為具有立體形狀的三維圖形，該圖形的厚度為硅化物層的厚度。在柵極區(qū)102和存儲電容區(qū)103上面是采用化學氣相淀積的方式形成的非晶硅層 201，在非晶硅層201上面是采用化學氣相淀積方式形成的數(shù)據(jù)線層202，非晶硅層201和數(shù)據(jù)線層202還可以通過物理氣相淀積的方式形成，本實施例采用化學氣相淀積的方式，但不限制采用其他淀積方式，依具生產(chǎn)體條件而定。步驟二，在非晶硅層201和數(shù)據(jù)線層202上形成硅島105和數(shù)據(jù)線106。硅島105 和數(shù)據(jù)線106是在非晶硅層201和數(shù)據(jù)線層202上經(jīng)過同一光刻過程形成的。本實施例形成硅島105和數(shù)據(jù)線106的光刻采用半灰階掩模版，也可以采用普通掩模版。半灰階掩模版與普通掩模版不同在半灰階掩模版的部分曝光區(qū)域有微縫，曝光時，不是像普通掩模版一樣在曝光區(qū)域直接曝光，而是經(jīng)由微縫曝光，與一般曝光比起來， 經(jīng)由微縫的曝光會降低光量并因回折的效果使部分光刻膠被曝光而剩下薄層的光刻膠，使非曝光、全面曝光、部分曝光三領(lǐng)域的掩模版集成為一張掩模版，使用該掩模版時，在經(jīng)由全面曝光在光刻膠層上形成的圖形部分做第一回刻蝕后，去除光刻膠層上部分曝光區(qū)域處剩余的光刻膠，在部分曝光的區(qū)域形成圖形，再經(jīng)由此圖形做第二回刻蝕?？梢?，本來需要兩張掩模版的工程，因半灰階掩模版，僅用一張即可進行，使工程簡單化。硅島105和數(shù)據(jù)線106的形成過程，各步驟的剖面圖如圖8-圖13所示，包括如圖8所示，在數(shù)據(jù)線層202上采用旋涂光刻膠，形成光刻膠層203，為了保證曝光精度，還可在光刻膠層203和數(shù)據(jù)線層202之間形成抗反射層(圖中未顯示)，以減少不必要的反射。之后，如圖9所示，將具有硅島圖形和數(shù)據(jù)線圖形的半灰階掩模版204覆蓋于光刻膠層203上進行曝光，在所述光刻膠層203上形成數(shù)據(jù)線圖案和硅島圖案，經(jīng)顯影后，
6硅島圖案區(qū)域內(nèi)的光刻膠被完全去除掉，形成硅島圖形；數(shù)據(jù)線圖案區(qū)域內(nèi)的光刻膠被部分去除，形成第一數(shù)據(jù)線圖形，所述第一數(shù)據(jù)線圖形采用部分曝光，其厚度優(yōu)選為光刻膠層 203厚度的1/4左右。如圖10所示，以具有硅島圖形和第一數(shù)據(jù)線圖形的光刻膠層203為掩膜，采用濕法腐蝕工藝去除硅島圖形下方的數(shù)據(jù)線層材料，形成數(shù)據(jù)線層開口，再采用干法刻蝕工藝去掉數(shù)據(jù)線層開口下方的非晶硅層材料，形成硅島105。如圖11所示，以干法刻蝕工藝去除第一數(shù)據(jù)線圖形下方剩余的光刻膠，暴露出第一數(shù)據(jù)線圖形下方的數(shù)據(jù)線層材料，在光刻膠層203上形成第二數(shù)據(jù)線圖形。如圖12所示， 以具有第二數(shù)據(jù)線圖形的光刻膠層203為掩膜，經(jīng)濕法腐蝕工藝去除第二數(shù)據(jù)線圖形下方的數(shù)據(jù)線層金屬，形成數(shù)據(jù)線區(qū)域的數(shù)據(jù)線層開口。在刻蝕掉數(shù)據(jù)線層后還要進行過刻，即將數(shù)據(jù)線區(qū)域的數(shù)據(jù)線層開口下方的非晶硅層刻蝕掉一定厚度，具體刻蝕掉的非晶硅層的厚度如何，由具體情況而定。本實施例中采用干法刻蝕工藝去除數(shù)據(jù)線區(qū)域的數(shù)據(jù)線層開口下方的部分非晶硅層材料，形成溝道，得到數(shù)據(jù)線106。所述溝道會把數(shù)據(jù)線106斷開，一部分數(shù)據(jù)線稱為源極，另一部分數(shù)據(jù)線稱為漏極。之后，如圖13所示，去除光刻膠層203。本實施例形成硅島105和數(shù)據(jù)線106的步驟只需一次光刻過程，而傳統(tǒng)工藝需要經(jīng)過兩次光刻過程分別形成硅島和數(shù)據(jù)線，所以本實施例形成硅島105和數(shù)據(jù)線106的步驟要比傳統(tǒng)工藝節(jié)省一次光刻過程。步驟三、如圖14所示，在所述第一保護層104和數(shù)據(jù)線106表面上淀積第二保護層107，第二保護層107采用化學氣相淀積的方式形成，也可以采用物理氣相淀積的方式形成，經(jīng)過光刻和刻蝕等步驟在第二保護層107上形成過孔。步驟四、如圖15所示，在第二保護層107表面上形成像素電極108和共同電極 109，像素電極108與存儲電容區(qū)103以及兩者之間的第一保護層104和第二保護層107構(gòu)成存儲電容，所述存儲電容區(qū)103代替原共同電極在存儲電容中的作用，成為了與像素電極108相對應(yīng)的存儲電容極板，即像素電極108和存儲電容區(qū)103為存儲電容的兩個極板， 而位于像素電極108和存儲電容區(qū)103之間的第一保護層104和第二保護層107為存儲電容的兩極板間的介質(zhì)。需要說明的是，本實施例中的像素電極108和共同電極109都設(shè)置在第二保護層107表面上，制作材料都采用氧化銦錫，利用一張具有像素電極圖形和共同電極圖形的掩模版進行光刻，同時形成。傳統(tǒng)工藝像素電極和共同電極是分別經(jīng)一次光刻過程形成的，即總共需要兩次光刻過程，所以本實施例中像素電極108和共同電極109的形成較傳統(tǒng)工藝要節(jié)省了一次光刻過程。之后，如圖16所示，提供第二基板110，所述第二基板包括油墨層111和黑色矩陣 112。最后，將洗凈后的第一基板101和第二基板110涂布上配向膜溶液，并摩擦走向， 然后在第一基板101四周涂上封框膠，并散布間隔物于其上作支撐點，再將第一基板101和第二基板110組合，以封框膠封合形成空的盒，將此空的盒基板裁切斷、裂片、取得最終顯示裝置產(chǎn)品所需的尺寸，檢查后，以真空方式注入液晶材料并加以封合；此外，還可以先注入液晶，進行裁切斷片后再封合。
本實施例所提供的一種液晶顯示裝置的制造方法，其中，硅島105和數(shù)據(jù)線106是利用一張半灰階掩模版，通過一次光刻過程同時形成的；像素電極108和共同電極109是利用一張具有像素電極圖形和共同電極圖形的掩模版，通過一次光刻過程同時形成的。而傳統(tǒng)工藝下，硅島和數(shù)據(jù)線需要兩張掩模版，兩次光刻過程形成，像素電極108和共同電極 109也需要兩張掩模版，兩次光刻過程形成。可見本實施例要比傳統(tǒng)工藝減少了兩次光刻過程，少用了兩張掩模版，從而大大降低了生產(chǎn)成本，提高了液晶顯示裝置的生產(chǎn)效率。實施例二 本實施例公開了一種液晶顯示裝置，如圖16所示，包括第一基板101，在第一基板101之上包括有柵極區(qū)102和存儲電容區(qū)103，覆蓋在柵極區(qū)102和存儲電容區(qū)103之上的第一保護層104，在所述第一保護層104之上的硅島 105，在所述硅島105上有數(shù)據(jù)線106，覆蓋在第一保護層104和數(shù)據(jù)線106表面上的第二保護層107，在所述第二保護層107之上的像素電極108和共同電極109，所述像素電極108 和共同電極109設(shè)置在第二保護層107表面上。相對第一基板設(shè)置的第二基板110，在第二基板110上設(shè)置有油墨層111和黑色矩陣112，第二基板110與第一基板101通過框膠粘接在一起，由間隙隔開。填充在第一基板101和第二基板110的間隙中的液晶層113，本實施例選用的液晶層的液晶為扭曲向列(Twisted Nematic, TN)型液晶。本實施例中的像素電極108和共同電極109設(shè)置在同一層上，故在制作的時候可以采用一張掩模版，在一次光刻過程中形成，并且像素電極108和存儲電容區(qū)103以及二者之間的第一保護層104和第二保護層107構(gòu)成存儲電容，從而使形成硅島105步驟和形成數(shù)據(jù)線106的步驟之間省掉形成像素電極108的步驟而不會影響顯示裝置的功能，則硅島 105和數(shù)據(jù)線106可以在同一次光刻過程中形成，相對于傳統(tǒng)工藝又要節(jié)省一次光刻過程。本說明書中各個部分采用遞進的方式描述，每個部分重點說明的都是與其他部分的不同之處，各個部分之間相同相似部分互相參見即可。對所公開的實施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。 對這些實施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會被限制于本文所示的實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置的制作方法，其特征在于，包括提供第一基板，所述第一基板包括柵極區(qū)、存儲電容區(qū)、位于所述柵極區(qū)和存儲電容區(qū)表面上的第一保護層以及位于所述第一保護層上的非晶硅層和數(shù)據(jù)線層；在所述非晶硅層和數(shù)據(jù)線層上形成硅島和數(shù)據(jù)線，所述硅島和數(shù)據(jù)線是在同一光刻過程中形成的；在所述第一保護層和數(shù)據(jù)線表面上形成第二保護層，在所述第二保護層上形成過孔；在所述第二保護層表面上形成電極層，在所述電極層上形成像素電極和共同電極，所述像素電極和共同電極在同一光刻過程中形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述方法，其特征在于，所述形成硅島和數(shù)據(jù)線的光刻過程中采用的掩模版為半灰階掩模版。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述方法，其特征在于，所述形成硅島和數(shù)據(jù)線的過程具體為在所述數(shù)據(jù)線層上形成光刻膠層，利用半灰階掩模版進行光刻，在光刻膠層上形成第一數(shù)據(jù)線圖形和硅島圖形，所述第一數(shù)據(jù)線圖形處為部分曝光；以具有第一數(shù)據(jù)線圖形和硅島圖形的光刻膠層為掩膜，去除所述硅島圖形下方的數(shù)據(jù)線層和非晶硅層材料，形成硅島；去除所述光刻膠層中的第一數(shù)據(jù)線圖形下方剩余的光刻膠，在所述光刻膠層上形成第二數(shù)據(jù)線圖形；以具有第二數(shù)據(jù)線圖形的光刻膠層為掩膜，去除所述第二數(shù)據(jù)線圖形下方的數(shù)據(jù)線層材料和部分非晶硅層材料，形成溝道，得到數(shù)據(jù)線。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述方法，其特征在于，形成所述硅島的過程中，去除所述硅島圖形下方的數(shù)據(jù)線層和非晶硅層材料的過程具體為采用濕法腐蝕工藝去掉數(shù)據(jù)線層材料，采用干法刻蝕工藝去掉非晶硅層材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述方法，其特征在于，形成第二數(shù)據(jù)線圖形的具體過程為采用干法刻蝕工藝去除所述第一數(shù)據(jù)線圖形下方剩余的光刻膠，形成第二數(shù)據(jù)線圖形。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述方法，其特征在于，形成數(shù)據(jù)線的過程中，去除所述第二數(shù)據(jù)線圖形下方的數(shù)據(jù)線層材料和部分非晶硅層材料的過程具體為采用濕法腐蝕工藝去除所述第二數(shù)據(jù)線圖形下方的數(shù)據(jù)線層材料；采用干法刻蝕工藝去除所述第二數(shù)據(jù)線圖形下方的部分非晶硅層材料。
7.采用權(quán)利要求1-6任一項所述的方法制作的液晶顯示裝置，其特征在于，所述像素電極和共同電極均位于所述第二保護層表面上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述液晶顯示裝置，其特征在于，所述像素電極和共同電極的制作材料相同。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述液晶顯示裝置，其特征在于，所述像素電極和共同電極的制作材料為氧化銦錫。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述液晶顯示裝置，其特征在于，所述像素電極和所述存儲電容區(qū)以及二者之間的第一保護層和第二保護層構(gòu)成存儲電容，所述像素電極和存儲電容區(qū)為所述存儲電容的兩個極板，所述第一保護層和第二保護層為存儲電容兩極板間的介質(zhì)。
全文摘要
本發(fā)明實施例公開了一種液晶顯示裝置的制作方法，包括提供第一基板，所述第一基板包括柵極區(qū)、存儲電容區(qū)、位于所述柵極區(qū)和存儲電容區(qū)表面上的第一保護層以及位于所述第一保護層上的非晶硅層和數(shù)據(jù)線層，在所述非晶硅層和數(shù)據(jù)線層上形成硅島和數(shù)據(jù)線，在所述第一保護層和數(shù)據(jù)線表面上形成第二保護層并在第二保護層上形成過孔，在所述第二保護層表面上形成電極層，在所述電極層上形成像素電極和共同電極。本發(fā)明所述生產(chǎn)液晶顯示裝置的方法，硅島和數(shù)據(jù)線通過一次光刻過程同時形成，像素電極和共同電極也是通過一次光刻過程同時形成，較傳統(tǒng)工藝減少了兩次光刻過程，少用了兩張掩模板，大大降低了生產(chǎn)成本，提高了液晶顯示裝置的生產(chǎn)效率。
文檔編號G02F1/1362GK102253522SQ20111022625
公開日2011年11月23日 申請日期2011年8月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月8日
發(fā)明者何基強, 李建華, 李林, 林建偉, 洪勝寶, 胡君文, 謝凡 申請人:信利半導(dǎo)體有限公司