專利名稱：一種液晶顯示裝置及制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示裝置制造領(lǐng)域，尤其涉及一種液晶顯示裝置及制造方法。
背景技術(shù)：
信息化社會越來越需要輕薄便攜式的顯示設(shè)備，而當(dāng)前最成熟的產(chǎn)品就是液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display, IXD) 了。IXD通常包括用于顯示畫面的液晶顯示面板和用于向液晶顯示面板提供信號的電路部份。該液晶顯示面板通常包括第一基板和第二基板，它們通過框膠彼此粘接并由間隙隔開，而液晶材料注入到第一基板和第二基板之間的間隙中。所述第一基板例如為薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)陣列基板，其上面形成有多條柵極線和多條數(shù)據(jù)線，其中多條柵極線相互平行且以固定的間隔彼此分開，并沿著第一方向延伸，而多條數(shù)據(jù)線也相互平行且以固定的間隔彼此分開，并沿著基本上垂直于第一方向的第二方向延伸；所述TFT陣列基板上還包括通過所述柵極線和數(shù)據(jù)線的相互交叉限定出的多個像素區(qū)域，設(shè)置在每個像素區(qū)域中的多個像素電極，以及與像素電極連接的薄膜晶體管(TFT)；所述TFT能夠響應(yīng)提供給相應(yīng)的每條柵極線的信號而將來自相應(yīng)的數(shù)據(jù)線的信號發(fā)送給對應(yīng)的每個像素電極，進而控制液晶分子的轉(zhuǎn)向。圖1-圖7為目前較為主流的制造液晶顯示裝置的技術(shù)，其制造過程為參見圖1，提供第一基板1，在所述基板上形成柵極2，所述柵極2是經(jīng)淀積晶體硅層后，經(jīng)過光刻和刻蝕等步驟形成；參見圖2，在所述柵極2上形成硅島層，經(jīng)過光刻和刻蝕等步驟在所述硅島層上形成硅島3 ；參見圖3，在硅島3所在的硅島層上形成第一電極層，經(jīng)過光刻和刻蝕等步驟在第一電極層上形成像素電極4;參見圖4，在硅島3和像素電極4上形成數(shù)據(jù)線層，經(jīng)過光刻和刻蝕等步驟形成數(shù)據(jù)線5;參見圖5，在所述像素電極4和數(shù)據(jù)線5的表面上形成保護層6 ；參見圖6，在保護層6表面上形成第二電極層，經(jīng)過光刻和刻蝕等步驟在所述第二電極層上形成共同電極7，共同電極7與像素電極4以及兩者之間的保護層6構(gòu)成存儲電容；參見圖7，提供第二基板8，所述第二基板包括黑色矩陣9和油墨層10，將洗凈后的第一基板1和第二基板2涂布上配向膜溶液，并摩擦走向，然后注入液晶11，進行裁切斷片后再將第一基板1和第二基板2封合，得到液晶顯示裝置。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，實際生產(chǎn)中，液晶顯示裝置會出現(xiàn)顯示均勻度和開口率較低以及顯示出現(xiàn)斜紋的情況，最終產(chǎn)品的良率較低
發(fā)明內(nèi)容
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種液晶顯示裝置的制造方法，提高了顯示均勻度和開口率，避免了顯示出現(xiàn)斜紋的情況，最終提高了產(chǎn)品的良率。本發(fā)明實施例提供了如下技術(shù)方案一種液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，包括提供第一基板；在所述第一基板上形成保護層；在所述保護層表面上形成圖形化平坦層。優(yōu)選的，所述圖形化平坦層的制作材料為有機樹脂，所述有機樹脂具有高透過率的特性。優(yōu)選的，所述圖形化平坦層厚度為1 μ m-2. 5 μ m。優(yōu)選的，形成所述圖形化平坦層的具體過程為在所述保護層上旋涂有機樹脂，形成有機樹脂層，采用光刻工藝和刻蝕工藝在所述有機樹脂層上形成過孔，得到所述圖形化平坦層。優(yōu)選的，形成所述保護層之前還包括在所述第一基板上形成柵極和存儲電容區(qū)；在所述柵極和存儲電容區(qū)上形成硅島和數(shù)據(jù)線，所述硅島和所述數(shù)據(jù)線在同一光刻步驟中形成。優(yōu)選的，所述形成硅島和數(shù)據(jù)線的過程具體為在所述柵極和存儲電容區(qū)上形成硅島層，在所述硅島層上形成數(shù)據(jù)線層，在所述數(shù)據(jù)線層上形成光刻膠層，利用半灰階掩模版進行光刻，在光刻膠層上形成第一數(shù)據(jù)線圖形和硅島圖形，所述第一數(shù)據(jù)線圖形處為部分曝光；以具有第一數(shù)據(jù)線圖形和硅島圖形的光刻膠層為掩膜，采用刻蝕工藝去除硅島圖形下方的數(shù)據(jù)線層材料和硅島層材料，形成硅島；采用刻蝕工藝去除所述第一數(shù)據(jù)線圖形下方剩余的光刻膠，形成第二數(shù)據(jù)線圖形；以具有第二數(shù)據(jù)線圖形的光刻膠層為掩膜，采用刻蝕工藝去除第二數(shù)據(jù)線圖形下方的數(shù)據(jù)線層材料和部分硅島層材料，形成凹槽，得到數(shù)據(jù)線。優(yōu)選的，在所述圖形化平坦層表面上形成像素電極和共同電極，所述像素電極和共同電極在同一光刻過程中形成。優(yōu)選的，所述像素電極和共同電極的制作材料相同。優(yōu)選的，所述像素電極和共同電極的制作材料為氧化銦錫。優(yōu)選的，所述像素電極和所述存儲電容區(qū)以及二者之間的保護層和硅島所在的硅島層構(gòu)成存儲電容，所述像素電極和存儲電容區(qū)為所述存儲電容的兩個極板，所述保護層和硅島所在的硅島層為存儲電容兩極板間的介質(zhì)。一種采用上述任一項方法制作的液晶顯示裝置。與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述技術(shù)方案具有以下優(yōu)點本發(fā)明實施例所提供的技術(shù)方案，在原有第一基板上增加了圖形化平坦層，使得第一基板表面更加平整，后續(xù)形成的配向膜也會更加平整，繼而在摩擦走向的時候可以得到較好的配向凹槽，即配向凹槽的深度會更趨于一致、表面態(tài)也會更加相同，如此，第一基板和第二基板之間的液晶所處的環(huán)境便會一樣，其初始形態(tài)也會盡可能的保持一致。由此方法生產(chǎn)出來的液晶顯示裝置避免了斜紋的出現(xiàn)，而且顯示均勻度與開口率也有所提高， 最終生產(chǎn)良率也會有所提高。


為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1-圖7為現(xiàn)有技術(shù)生產(chǎn)液晶顯示裝置方法的剖面圖；圖8-圖13為本發(fā)明生產(chǎn)液晶顯示裝置方法的剖面圖。
具體實施例方式正如背景技術(shù)部分所述，現(xiàn)有技術(shù)下，實際生產(chǎn)的液晶顯示裝置會出現(xiàn)顯示均勻度和開口率較低以及顯示斜紋的情況，最終產(chǎn)品的良率較低。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，由于第一基板表面不夠平整，使得之后在第一基板上形成的配向膜表面也不夠平整，在摩擦走向時形成的配向凹槽深度不一致、表面態(tài)也不相同。配向凹槽深度不一致、表面態(tài)不相同又會使處于配向凹槽內(nèi)的液晶初始狀態(tài)不一致，而液晶初始狀態(tài)不一致又會導(dǎo)致顯示裝置的顯示出現(xiàn)斜紋、顯示均勻度和開口率較低的情況出現(xiàn)，最終會造成產(chǎn)品的良率較低?；谏鲜鲅芯康幕A(chǔ)上，本發(fā)明實施例提供了一種液晶顯示裝置及其制造方法， 該方法包括提供第一基板；在所述第一基板上形成保護層；在所述保護層上形成圖形化平坦層。該裝置為利用上述方法生產(chǎn)的液晶顯示裝置。本發(fā)明實施例所提供的技術(shù)方案，在原有第一基板上增加了圖形化平坦層，使得第一基板表面更加平整，后續(xù)形成的配向膜也會更加平整，繼而形成較好的配向凹槽，即深度會更趨于一致、表面態(tài)也會更加相同，如此，處于其內(nèi)的液晶初始形態(tài)可以盡可能的保持一致。由此方法生產(chǎn)出來的液晶顯示裝置避免了斜紋的出現(xiàn)，而且顯示均勻度與開口率也有所提高，最終提高了生產(chǎn)良率。以上是本申請的核心思想，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例， 而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施例的限制。其次，本發(fā)明結(jié)合示意圖進行詳細描述，在詳述本發(fā)明實施例時，為便于說明，表示裝置部件結(jié)構(gòu)的剖面圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護的范圍。此外，在實際制作中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。實施例一一種液晶顯示裝置的制造方法，該方法各步驟的剖面圖如圖8-圖13所示，具體的，該方法包括以下步驟步驟一、提供第一基板101，所述第一基板101可以為玻璃基板或其它材料的基板。步驟二、在所述第一基板101上形成保護層106，所述保護層106采用化學(xué)氣相淀積方式成層，但并不僅限于化學(xué)氣相淀積方式，還可以利用物理氣相淀積等方式成層，然后再經(jīng)光刻和刻蝕工藝形成過孔，得到保護層106。另外，在形成保護層106之前還包括如圖8所示，在所述第一基板101上形成柵極102和存儲電容區(qū)103，所述柵極102 和存儲電容區(qū)103的形成方式與現(xiàn)有技術(shù)類似，采用化學(xué)氣相淀積方式形成柵極層，即將第一基板放入反應(yīng)腔中，氣體先驅(qū)物傳輸?shù)降谝换灞砻孢M行吸附作用和反應(yīng)，然后將反應(yīng)的副產(chǎn)物移除，得到柵極層。但是柵極層的形成并不僅限于化學(xué)氣相淀積方式，還可以利用物理氣相淀積等方式形成，在此不做詳細描述。然后在所述柵極層上旋涂光刻膠，形成光刻膠層，利用具有柵極圖形和存儲電容區(qū)圖形的掩模版進行光刻，顯影后，在光刻膠層表面上形成柵極圖案和存儲電容區(qū)圖案，采用刻蝕工藝去除柵極圖案和存儲電容區(qū)圖案區(qū)域內(nèi)的光刻膠，在光刻膠層上形成柵極圖形和存儲電容區(qū)圖形，以具有柵極圖形和存儲電容區(qū)圖形的光刻膠層為掩膜，經(jīng)干法刻蝕或濕法腐蝕等刻蝕工藝在柵極層上形成柵極102和存儲電容區(qū)103。本實施例中所述“柵極圖案”為在光刻膠層表面上的二維的柵極區(qū)圖案，圖案區(qū)域只限于光刻膠層表面而不向表面下延伸，不具有立體形狀；所述“柵極圖形”為具有立體形狀的三維圖形，該圖形的厚度為光刻膠層的厚度。如圖9所示，在柵極102和存儲電容區(qū)103上淀積硅島層，形成硅島層的方式有多種，可以采用化學(xué)氣相淀積工藝，也可以采用物理氣相淀積等方式，本實施例中選擇前者， 即采用化學(xué)氣相淀積的方式形成硅島層。然后在所述硅島層表面內(nèi)形成硅島104，在硅島104上形成數(shù)據(jù)線層，并在數(shù)據(jù)線層表面內(nèi)形成數(shù)據(jù)線105。需要說明的是，由于形成硅島104的步驟和形成數(shù)據(jù)線105的步驟之間省掉了形成像素電極的步驟，所以可以在一次光刻過程中同時形成硅島104和數(shù)據(jù)線105。本實施例形成硅島104和數(shù)據(jù)線105的光刻采用Half Tone Mask (半灰階掩模版)，也可以采用普通Mask。Half Tone Mask與普通Mask不同在Half Tone Mask的部分曝光區(qū)域有微縫，曝光時，不是像普通Mask —樣在曝光區(qū)域直接曝光，而是經(jīng)由微縫曝光， 與一般曝光比起來，經(jīng)由微縫的曝光會降低光量并因回折的效果使部分光刻膠被曝光而剩下薄層的光刻膠，使非曝光、全面曝光、部分曝光三領(lǐng)域的Mask集成為一張Mask，使用該 Mask時，在經(jīng)由全面曝光在光刻膠層上形成的圖形部分做第一回刻蝕后，去除光刻膠層上部分曝光區(qū)域處剩余的光刻膠，在部分曝光的區(qū)域形成圖形，再經(jīng)由此圖形做第二回刻蝕?？梢姡緛硇枰?張Mask的工程，因Half Tone mask，僅用1張即可進行，使工程簡單化。本實施例形成硅島104和數(shù)據(jù)線105的光刻具體過程為先在柵極102和存儲電容區(qū)103上淀積硅島層，再在硅島層上淀積數(shù)據(jù)線層，之后在數(shù)據(jù)線層上旋涂光刻膠，形成光刻膠層，為了保證曝光精度，還可在光刻膠層和數(shù)據(jù)線層之間形成抗反射層，以減少不必要的反射。之后將具有硅島圖形和數(shù)據(jù)線圖形的Half Tone Mask覆蓋于光刻膠層上進行曝光，在所述光刻膠層表面上形成硅島圖案和數(shù)據(jù)線圖案，經(jīng)顯影后，數(shù)據(jù)線圖案區(qū)域內(nèi)的光刻膠會被去掉一部分，形成第一數(shù)據(jù)線圖形，所述第一數(shù)據(jù)線圖形處為部分曝光，第一數(shù)據(jù)線圖形厚的度優(yōu)選為光刻膠層厚度的1/4左右；硅島圖案區(qū)域內(nèi)的光刻膠會被全部去掉，形成硅島圖形，所述硅島圖形處為全曝光。以具有第一數(shù)據(jù)線圖形和硅島圖形的光刻膠層為掩膜，采用濕法腐蝕工藝去除硅島圖形下方的數(shù)據(jù)線層材料，形成數(shù)據(jù)線層開口，再采用干法刻蝕工藝去掉數(shù)據(jù)線層開口下方的硅島層材料，形成硅島 104。采用干法刻蝕工藝去除第一數(shù)據(jù)線圖形下方的光刻膠，形成第二數(shù)據(jù)線圖形，以具有第二數(shù)據(jù)線圖形的光刻膠層為掩膜，采用濕法刻蝕工藝去除數(shù)據(jù)線層材料和部分硅島層材料，形成凹槽，得到數(shù)據(jù)線105。所述凹槽會把數(shù)據(jù)線105斷開，一部分?jǐn)?shù)據(jù)線作為源極，另一部分?jǐn)?shù)據(jù)線作為漏極。本實施例形成硅島104和數(shù)據(jù)線105的步驟只需一次光刻過程，而傳統(tǒng)工藝需要經(jīng)過兩次光刻過程分別形成硅島和數(shù)據(jù)線，所以本實施例形成硅島104和數(shù)據(jù)線105的步驟要比傳統(tǒng)工藝節(jié)省一次光刻過程。如圖10所示，保護層106覆蓋在數(shù)據(jù)線105以及硅島104所在的硅島層上。步驟三、如圖11所示，在保護層106上形成圖形化平坦層107，圖形化平坦層107 設(shè)計的較厚，為ι μ m-2. 5 μ m,本實施例優(yōu)選為2 μ m。形成圖形化平坦層107的過程具體包括采用旋涂工藝在保護層106表面上涂布有機樹脂，形成機樹脂層，再利用光刻和刻蝕工藝在所述有機樹脂層上形成過孔，得到圖形化平坦層107。此外，還可以利用刮涂工藝形成有機樹脂層，可是旋涂工藝得到的有機樹脂層表面更加平整，所以為了取得更好的平坦化效果，本實施例采用旋涂工藝形成有機樹脂層，進而得到圖形化平坦層107。本實施例在原有液晶顯示裝置第一基板上增加了圖形化平坦層，使得第一基板表面更加平整，后續(xù)形成的配向膜也會更加平整，繼而形成較好的配向凹槽，即深度會更趨于一致、表面態(tài)也會更加相同，如此，處于配向凹槽內(nèi)的液晶初始形態(tài)可以盡可能的保持一致。由此方法生產(chǎn)出來的液晶顯示裝置避免了斜紋的出現(xiàn)，而且顯示均勻度與開口率也有所提高，最終提高了生產(chǎn)良率。在形成圖形化平坦層107之后，還包括如圖12所示，在圖形化平坦層107表面上形成像素電極108和共同電極109，像素電極108與存儲電容區(qū)103以及兩者之間的保護層106和硅島104所在的硅島層構(gòu)成存儲電容，所述存儲電容區(qū)103代替原共同電極109在存儲電容中的作用，成為了與像素電極 108相對應(yīng)的存儲電容極板，即像素電極108和存儲電容區(qū)103為存儲電容的兩個極板，而位于像素電極108和存儲電容區(qū)103之間的保護層106和硅島104所在的硅島層為存儲電容的兩極板間的介質(zhì)。需要說明的是，本實施例中的像素電極108和共同電極109都設(shè)置在圖形化平坦層107表面上，制作材料都采用氧化銦錫，利用一張具有像素電極圖形和共同電極圖形的Mask(掩模版)進行光刻，同時形成。傳統(tǒng)工藝像素電極和共同電極是分別經(jīng)一次光刻過程形成的，即總共需要兩次光刻過程，所以本實施例中像素電極108和共同電極109的形成較傳統(tǒng)工藝要節(jié)省了一次光刻過程。之后，如圖13所示，提供第二基板110，所述第二基板包括黑色矩陣111和油墨層 112，將洗凈后的第一基板101和第二基板110涂布上配向膜溶液，并摩擦走向，然后在第一基板101四周涂上封框膠，并散布間隔物于其上作支撐點，再將第一基板101和第二基板 110組合，以封框膠封合形成空的盒，將此空的盒基板裁切斷、裂片、取得最終顯示裝置產(chǎn)品所需的尺寸，檢查后，以真空方式注入液晶材料，形成液晶層113并加以封合；此外，還可以先注入液晶，形成液晶層113，進行裁切斷片后再封合。本實施例需要增加一次光刻過程在有機樹脂層上做出過孔，形成圖形化平坦層 107，然而在形成硅島104和數(shù)據(jù)線105的時候，本實施例要比傳統(tǒng)工藝節(jié)省一次光刻過程， 在形成像素電極108和共同電極109的時候又比傳統(tǒng)工藝節(jié)省一次光刻過程，所以本實施例制作液晶顯示裝置的方法要比傳統(tǒng)工藝節(jié)省一次光刻。實施例二 —種利用上述實施例所述方法生產(chǎn)得到的液晶顯示裝置，如圖13所示，該裝置包括第一基板101 ；設(shè)置在所述第一基板101上的柵極102和存儲電容區(qū)103 ；設(shè)置在柵極102和存儲電容區(qū)103上的硅島104，所述硅島104上覆蓋有數(shù)據(jù)線 105 ；覆蓋于數(shù)據(jù)線105和硅島104所在的硅島層表面上的保護層106 ；覆蓋于所述保護層106表面上的圖形化平坦層107，所述圖形化平坦層107厚度為2μπι，制作材料為有機樹脂，本實施例選用的制作圖形化平坦層107的有機樹脂具有高透過率的特性；圖形化平坦層107的存在可以使第一基板101的表面能夠更加平整；設(shè)置在圖形化平坦層107表面上的像素電極108和共同電極109，本實施例中的像素電極107和共同電極108設(shè)置在同一層上，故可以在一次光刻過程中形成，相對于傳統(tǒng)工藝要節(jié)省一次光刻過程，而且可以使形成硅島104步驟和形成數(shù)據(jù)線105的步驟之間省掉形成像素電極108的步驟，則硅島104和數(shù)據(jù)線105可以在同一次光刻過程中形成，相對于傳統(tǒng)工藝又要節(jié)省一次光刻過程。第二基板110，所述第二基板包括黑色矩陣111和油墨層112，第二基板110與第一基板101通過框膠粘接在一起，由間隙隔開；填充在第一基板101和第二基板110的間隙中的液晶層113，本實施例選用的液晶層的液晶為扭曲向列(Twisted Nematic, TN)型液晶。由于本實施例增加的圖形化平坦層107使第一基板表面更加平整，所以在之后涂布配向膜，摩擦走向而形成的配向凹槽的深度和表面態(tài)會趨于一致，進而使得在配向凹槽內(nèi)的液晶的初始態(tài)相同，由此避免了顯示橫紋的出現(xiàn)，提高了開口率和顯示均勻度，此種液
8晶顯示裝置的生產(chǎn)良率也就有所提高。本說明書中各個部分采用遞進的方式描述，每個部分重點說明的都是與其他部分的不同之處，各個部分之間相同相似部分互相參見即可。對所公開的實施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。 對這些實施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會被限制于本文所示的實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，包括提供第一基板；在所述第一基板上形成保護層；在所述保護層表面上形成圖形化平坦層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述方法，其特征在于，所述圖形化平坦層的制作材料為有機樹脂， 所述有機樹脂具有高透過率的特性。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述方法，其特征在于，所述圖形化平坦層厚度為1μ m-2. 5 μ m。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述方法，其特征在于，形成所述圖形化平坦層的具體過程為在所述保護層上旋涂有機樹脂，形成有機樹脂層，采用光刻工藝和刻蝕工藝在所述有機樹脂層上形成過孔，得到所述圖形化平坦層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述方法，其特征在于，形成所述保護層之前還包括在所述第一基板上形成柵極和存儲電容區(qū)；在所述柵極和存儲電容區(qū)上形成硅島和數(shù)據(jù)線，所述硅島和所述數(shù)據(jù)線在同一光刻步驟中形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述方法，其特征在于，所述形成硅島和數(shù)據(jù)線的過程具體為在所述柵極和存儲電容區(qū)上形成硅島層，在所述硅島層上形成數(shù)據(jù)線層，在所述數(shù)據(jù)線層上形成光刻膠層，利用半灰階掩模版進行光刻，在光刻膠層上形成第一數(shù)據(jù)線圖形和硅島圖形，所述第一數(shù)據(jù)線圖形處為部分曝光；以具有第一數(shù)據(jù)線圖形和硅島圖形的光刻膠層為掩膜，采用刻蝕工藝去除硅島圖形下方的數(shù)據(jù)線層材料和硅島層材料，形成硅島；采用刻蝕工藝去除所述第一數(shù)據(jù)線圖形下方剩余的光刻膠，形成第二數(shù)據(jù)線圖形；以具有第二數(shù)據(jù)線圖形的光刻膠層為掩膜，采用刻蝕工藝去除第二數(shù)據(jù)線圖形下方的數(shù)據(jù)線層材料和部分硅島層材料，形成凹槽，得到數(shù)據(jù)線。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述方法，其特征在于，在所述圖形化平坦層表面上形成像素電極和共同電極，所述像素電極和共同電極在同一光刻過程中形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述方法，其特征在于，所述像素電極和共同電極的制作材料相同。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述方法，其特征在于，所述像素電極和共同電極的制作材料為氧化銦錫。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述方法，其特征在于，所述像素電極和所述存儲電容區(qū)以及二者之間的保護層和硅島所在的硅島層構(gòu)成存儲電容，所述像素電極和存儲電容區(qū)為所述存儲電容的兩個極板，所述保護層和硅島所在的硅島層為存儲電容兩極板間的介質(zhì)。
11.一種采用權(quán)利要求1-10任一項所述的方法制作的液晶顯示裝置。
全文摘要
本發(fā)明實施例公開了一種液晶顯示裝置及其制造方法。該液晶顯示裝置的制造方法包括提供第一基板，在所述第一基板上形成保護層；在所述保護層上形成圖形化平坦層。一種利用該方法生產(chǎn)出來的液晶顯示裝置。本發(fā)明在原有液晶顯示裝置的第一基板基礎(chǔ)上增加了圖形化平坦層，由此方法生產(chǎn)出來的液晶顯示裝置避免了斜紋的出現(xiàn)，而且顯示均勻度與開口率也有所提高，最終提高了生產(chǎn)良率。
文檔編號G02F1/1343GK102253521SQ20111022622
公開日2011年11月23日 申請日期2011年8月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月8日
發(fā)明者何基強, 李林, 洪勝寶, 王雨寧, 胡君文, 謝凡 申請人:信利半導(dǎo)體有限公司