專(zhuān)利名稱(chēng)：混合式薄膜晶體管及其制造方法以及顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種混合式薄膜晶體管及其制造方法以及具有此混合式薄膜晶體管的顯示面板。
背景技術(shù)：
隨著現(xiàn)代信息科技的進(jìn)步，各種不同規(guī)格的顯示器已被廣泛地應(yīng)用在消費(fèi)者電子產(chǎn)品的屏幕之中，例如手機(jī)、筆記型計(jì)算機(jī)、數(shù)字相機(jī)以及個(gè)人數(shù)字助理(PDAs)等。在這些顯示器中，由于液晶顯示器(liquid crystal displays，IXD)及有機(jī)電激發(fā)光顯示器 (Organic Electroluminesence Display, OELD或稱(chēng)為0LED)具有輕薄以及消耗功率低的優(yōu)點(diǎn)，因此在市場(chǎng)中成為主流商品。LCD與OLED的工藝包括將半導(dǎo)體元件陣列排列于基板上，而半導(dǎo)體元件包含薄膜晶體管(thin film transistors，TFiTs)。傳統(tǒng)上來(lái)說(shuō)，薄膜晶體管包括非晶硅薄膜晶體管以及低溫多晶硅薄膜晶體管。非晶硅薄膜晶體管主要的缺點(diǎn)是通道層的載流子移動(dòng)率不夠高且較不穩(wěn)定，因此非晶硅薄膜晶體管無(wú)法應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)電路中。而低溫多晶硅薄膜晶體管相較于非晶硅薄膜晶體管而言具有較高的載流子移動(dòng)率，因而可以應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)電路中。但是低溫多晶硅薄膜晶體管的工藝較為復(fù)雜因此工藝成本較高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種混合式薄膜晶體管及其制造方法以及具有上述混合式薄膜晶體管的顯示面板，此混合式薄膜晶體管同時(shí)具有高載流子移動(dòng)率以及低工藝成本的優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明提出一種混合式薄膜晶體管，其包括第一薄膜晶體管以及第二薄膜晶體管。所述第一薄膜晶體管包括第一柵極、第一源極、第一漏極以及第一半導(dǎo)體層，第一半導(dǎo)體層位于第一柵極與第一源極及第一漏極之間，且第一半導(dǎo)體層包括結(jié)晶硅層。第二薄膜晶體管包括第二柵極、第二源極、第二漏極以及第二半導(dǎo)體層，第二半導(dǎo)體層位于第一柵極與第一源極及第一漏極之間，且第二半導(dǎo)體層包括金屬氧化物半導(dǎo)體材料。本發(fā)明提出一種混合式薄膜晶體管的制造方法，其包括在基板上形成第一薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管包括第一柵極、第一源極、第一漏極以及位于第一柵極與第一源極及第一漏極之間的第一半導(dǎo)體層，其中第一半導(dǎo)體層包括結(jié)晶硅層。在基板上形成第二薄膜晶體管，其包括第二柵極、第二源極、第二漏極以及位于第一柵極與第一源極及第一漏極之間的第二半導(dǎo)體層，其中第二半導(dǎo)體層包括金屬氧化物半導(dǎo)體材料。本發(fā)明提出一種顯示面板，其具有顯示區(qū)以及位于顯示區(qū)周?chē)闹苓呺娐穮^(qū)。此顯示面板包括像素陣列以及至少一驅(qū)動(dòng)元件。像素陣列位于顯示區(qū)中，且驅(qū)動(dòng)元件位于周邊電路區(qū)或顯示區(qū)的至少其中之一。特別是，所述驅(qū)動(dòng)元件為如上所述的混合式薄膜晶體管?；谏鲜?，本發(fā)明采用金屬氧化物薄膜晶體管與結(jié)晶硅薄膜晶體管組成混合式薄膜晶體管。此混合式薄膜晶體管相較于傳統(tǒng)非晶硅薄膜晶體管來(lái)說(shuō)具有較佳的載流子移動(dòng)率，而且此混合式薄膜晶體管的工藝復(fù)雜度相較于傳統(tǒng)低溫多晶硅薄膜晶體管的工藝復(fù)雜度較低。因此，本發(fā)明的混合式薄膜晶體管可以應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)電路、像素單元或是兩者之中， 而且工藝成本較低。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附附圖作詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖IA至圖IF是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的混合式薄膜晶體管的制造流程剖面示意圖；圖2A至圖2E是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的混合式薄膜晶體管的制造流程剖面示意圖；圖3A至圖3E是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的混合式薄膜晶體管的制造流程剖面示意圖；圖4A至圖4E是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的混合式薄膜晶體管的制造流程剖面示意圖；圖5A至圖5E是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的混合式薄膜晶體管的制造流程剖面示意圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的顯示面板的俯視示意圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的像素單元的等效電路圖。其中，附圖標(biāo)記100基板101緩沖層102絕緣層104第一半導(dǎo)體層104a結(jié)晶硅層104b硅層104c經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層106第二半導(dǎo)體層108蝕刻終止層110保護(hù)層112第一電極層113平坦層114發(fā)光層116第二電極層200顯示面板202、204驅(qū)動(dòng)電路Gl、G2柵極Si、S2源極Dl、D2漏極Tl、T2薄膜晶體管A顯示區(qū)B周邊電路區(qū)P像素單元SL掃描線(xiàn)DL數(shù)據(jù)線(xiàn)PL電源線(xiàn)GL信號(hào)線(xiàn)OLED電致發(fā)光元件SC電容器
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的混合式薄膜晶體管是由第一薄膜晶體管以及第二薄膜晶體管所構(gòu)成，其中第一薄膜晶體管的第一半導(dǎo)體層包括結(jié)晶硅層，且第二薄膜晶體管的第二半導(dǎo)體層包括金屬氧化物半導(dǎo)體材料。而第一薄膜晶體管以及第二薄膜晶體管可以分別為底部柵極型薄膜晶體管或是頂部柵極型薄膜晶體管。因此，以下列舉數(shù)個(gè)實(shí)施例以詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的混合式薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)及其制造方法。圖IA至圖IF是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的混合式薄膜晶體管的制造流程剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1A，其為本實(shí)施例的混合式薄膜晶體管的制造方法首先在基板100上形成第一柵極Gl以及第二柵極G2?；?00的材質(zhì)可為玻璃、石英、有機(jī)聚合物、或是不透光/ 反射材料(例如導(dǎo)電材料、金屬、晶圓、陶瓷、塑料或其它可適用的材料)、或是其它可適用的材料。形成第一柵極Gl以及第二柵極G2的方法例如先在基板100上沉積一層導(dǎo)電層， 之后利用光刻以及蝕刻程序圖案化所述導(dǎo)電層即可形成?；趯?dǎo)電性的考慮，第一柵極Gl 以及第二柵極G2的材質(zhì)一般是使用金屬材料。但，本發(fā)明不限于此，根據(jù)其它實(shí)施例，第一柵極Gl以及第二柵極G2也可以使用其它導(dǎo)電材料，例如合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或其它合適的材料)、或是金屬材料與其它導(dǎo)材料的堆棧層。請(qǐng)參照?qǐng)D1B，在基板100上形成絕緣層102，覆蓋第一柵極Gl以及第二柵極G2。 絕緣層102包含無(wú)機(jī)材料(例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合適的材料、或上述至少二種材料的堆棧層)、有機(jī)材料、或其它合適的材料、或上述的組合。
接著，在第一柵極Gl上方的絕緣層102上形成第一半導(dǎo)體層104，特別是，所述第一半導(dǎo)體層104包括結(jié)晶硅層10如。所述結(jié)晶硅層10 可包括多晶硅材料、微晶硅材料或是其它結(jié)晶形式的硅材料。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，第一半導(dǎo)體層104除了結(jié)晶硅層10 之外，第一半導(dǎo)體層104還可進(jìn)一步包括硅層104b及/或經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層l(Mc。在圖IA至圖IF的實(shí)施例中，第一半導(dǎo)體層104是包括了結(jié)晶硅層104a、硅層104b 以及經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層104c。上述的硅層104b可包括微晶硅材料或是非晶硅材料，即未經(jīng)過(guò)離子摻雜的硅材料。上述的經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層10 可包括摻雜P型雜質(zhì)的非晶硅材料或是摻雜N型雜質(zhì)的非晶硅材料。根據(jù)本實(shí)施例，形成結(jié)晶硅層104a、硅層104b以及經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層10 的方法例如是先沉積一層非晶硅材料，之后利用激光回火程序使非晶硅材料轉(zhuǎn)變成結(jié)晶硅材料。接著于結(jié)晶硅材料上依序形成硅層以及經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層之后，再以光刻以及蝕刻程序同時(shí)圖案化上述的膜層，即可形成島狀圖案的第一半導(dǎo)體層104。請(qǐng)參照?qǐng)D1C，在第二柵極G2上方的絕緣層102上形成第二半導(dǎo)體層106。特別是，上述第二半導(dǎo)體層106包括金屬氧化物半導(dǎo)體材料。根據(jù)本實(shí)施例，形成第二半導(dǎo)體層 106的方法可先沉積一層金屬氧化物半導(dǎo)體材料之后，再以光刻以及蝕刻程序圖案化。另外，第二半導(dǎo)體層106的半導(dǎo)體型態(tài)與第一半導(dǎo)體層104的經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層l(Mc的半導(dǎo)體型態(tài)互相互補(bǔ)。換言之，倘若經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層10 是摻雜P型雜質(zhì)的非晶硅材料，那么第二半導(dǎo)體層106的金屬氧化物半導(dǎo)體材料是選用N型金屬氧化物半導(dǎo)體材料。 N型金屬氧化物半導(dǎo)體材料例如是氧化銦鎵鋅andium-GalIium-Zinc Oxide, IGZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(Indium-Zinc Oxide, IZO)、氧化鎵鋅(Gallium-Zinc Oxide, GZ0)、氧化鋅錫(Zinc-Tin Oxide, ZT0)或氧化銦錫(Indium-Tin Oxide，ΙΤ0)。倘若經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層10 是摻雜N型雜質(zhì)的非晶硅材料，那么第二半導(dǎo)體層106的金屬氧化物半導(dǎo)體材料是選用P型金屬氧化物半導(dǎo)體材料。P型金屬氧化物半導(dǎo)體材料例如是氧化錫(SnO)、氧化銅鋁銦鎵(Cupper-Aluminum-GalliumHndium Oxide)、氧化錫鋁銦、氧化銅鍶(SrCu2O2)、 LaCuOS 或 LaCuOSe0請(qǐng)參照?qǐng)D1D，在第二半導(dǎo)體層106上形成蝕刻終止層108。所述蝕刻終止層108 是用來(lái)保護(hù)第二半導(dǎo)體層106在后續(xù)蝕刻程序免于遭到蝕刻氣體或是蝕刻液體的損害。因此，若后續(xù)蝕刻程序可控制得宜，也可省略蝕刻終止層108的制作。請(qǐng)參照?qǐng)D1E，在第一半導(dǎo)體層104上形成第一源極Sl以及第一漏極Dl，且在第二半導(dǎo)體層106上形成第二源極S2以及第二漏極D2。形成第一源極Si、第一漏極D1、第二源極S2以及第二漏極D2的方法例如是先沉積一層導(dǎo)電層，之后利用光刻以及蝕刻程序以圖案化所述導(dǎo)電層即可形成。在上述的圖案化程序之中，更包括移除位于第一源極Sl以及第一漏極Dl之間的經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層104c，而使得硅層104b甚至是結(jié)晶硅層10 暴露出來(lái)。而留在第一源極Si/第一漏極Dl與結(jié)晶硅層l(Mc之間的經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層l(Mc 則可作為歐姆接觸層。另外，因第二半導(dǎo)體層106上方形成有蝕刻終止層108，因此蝕刻終止層108在上述圖案化程序之中可以保護(hù)第二半導(dǎo)體層106免于遭到蝕刻程序的損壞。另外，基于導(dǎo)電性的考慮，第一源極Si、第一漏極D1、第二源極S2以及第二漏極D2的材質(zhì)一般是使用金屬材料。但，本發(fā)明不限于此，根據(jù)其它實(shí)施例，第一源極Si、第一漏極D1、第二源極S2以及第二漏極D2也可以使用其它導(dǎo)電材料，例如合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或其它合適的材料)、或是金屬材料與其它導(dǎo)材料的堆棧層。值得一提的是，在上述圖IA至圖IE的實(shí)施例中，雖然第一半導(dǎo)體層104是以結(jié)晶硅層104a、硅層104b以及經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層l(Mc的三層結(jié)構(gòu)為例來(lái)說(shuō)明，但本發(fā)明不限于此。根據(jù)其它實(shí)施例，在上述圖IA至圖IE的制造流程中，第一半導(dǎo)體層104也可以采用結(jié)晶硅層10 以及硅層104b的雙層結(jié)構(gòu)，或是結(jié)晶硅層10 以及經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層 104c的雙層結(jié)構(gòu)。在完成上述的步驟之后，所形成的混合式薄膜晶體管如圖IE所示，其包括第一薄膜晶體管Tl以及第二薄膜晶體管T2。第一薄膜晶體管Tl包括第一柵極G1、第一源極Si、 第一漏極Dl以及第一半導(dǎo)體層104，且第一半導(dǎo)體層104包括結(jié)晶硅層10如。在本實(shí)施例中，第一半導(dǎo)體層104還包括硅層104b以及經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層l(Mc。第二薄膜晶體管 T2包括第二柵極G2、第二源極S2、第二漏極D2以及第二半導(dǎo)體層106，且第二半導(dǎo)體層106 包括金屬氧化物半導(dǎo)體材料。上述的第一薄膜晶體管Tl以及第二薄膜晶體管T2皆屬于底部柵極型薄膜晶體管。上述的混合式薄膜晶體管可應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)電路中或是顯示面板的像素單元中。倘若上述的混合式薄膜晶體管要應(yīng)用于顯示面板的像素單元中，則在圖IE之后， 接著進(jìn)行如圖IF的步驟。請(qǐng)參照?qǐng)D1F，在基板100上形成保護(hù)層110，覆蓋第一薄膜晶體管Tl以及第二薄膜晶體管T2。保護(hù)層110可包含無(wú)機(jī)材料(例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合適的材料、或上述至少二種材料的堆棧層)、有機(jī)材料、或其它合適的材料、或上述的組合。之后， 在保護(hù)層110上形成第一電極層112，其與第二薄膜晶體管T2的第二漏極D2電性連接。第一電極層112的材質(zhì)例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者的堆棧層。接著，在保護(hù)層110上形成平坦層113，其暴露出第一電極層112。之后，在暴露出的第一電極層112上形成發(fā)光層114， 且于發(fā)光層114上形成第二電極層116。上述的第一電極層112、發(fā)光層114以及第二電極層116即構(gòu)成電致發(fā)光元件。而第一薄膜晶體管Tl以及第二薄膜晶體管T2則是用來(lái)控制所述電致發(fā)光元件的開(kāi)啟與關(guān)閉。圖2A至圖2E是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的混合式薄膜晶體管的制造流程剖面示意圖。在圖2A至圖2E的實(shí)施例中，與上述IA圖至圖IF的實(shí)施例相同的元件以相同的符號(hào)表示，且不再重復(fù)贅述。請(qǐng)參照?qǐng)D2A，本實(shí)施例的混合式薄膜晶體管的制造方法首先在基板 100上形成第一柵極Gl以及第二柵極G2。請(qǐng)參照?qǐng)D2B，在基板100上形成絕緣層102，覆蓋第一柵極Gl以及第二柵極G2。 之后，在第一柵極Gl上方的絕緣層102上形成第一半導(dǎo)體層104，特別是，所述第一半導(dǎo)體層104包括結(jié)晶硅層104a。所述結(jié)晶硅層10 可包括多晶硅材料、微晶硅材料或是其它結(jié)晶形式的硅材料。根據(jù)本實(shí)施例，第一半導(dǎo)體層104是包括了結(jié)晶硅層104a、硅層104b以及經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層10如。所述硅層104b可包括微晶硅材料或是非晶硅材料。所述經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層KMc可包括摻雜P型雜質(zhì)的非晶硅材料或是摻雜N型雜質(zhì)的非晶硅材料。請(qǐng)參照?qǐng)D2C，在第一半導(dǎo)體層106上形成第一源極Sl以及第一漏極Dl，且在第二柵極Gl兩側(cè)的絕緣層102上方形成第二源極S2以及第二漏極D2。請(qǐng)參照?qǐng)D2D，在第二柵極G2上方的絕緣層102上以及第二源極S2以及第二漏極 D2上形成第二半導(dǎo)體層106。第二半導(dǎo)體層106可為N型金屬氧化物半導(dǎo)體材料或是P型金屬氧化物半導(dǎo)體材料，其主要是根據(jù)第一半導(dǎo)體層104的經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層l(Mc的半導(dǎo)體型態(tài)而定。如此，即形成由第一薄膜晶體管Tl以及第二薄膜晶體管T2構(gòu)成的混合式薄膜晶體管。類(lèi)似地，上述的第一薄膜晶體管Tl以及第二薄膜晶體管T2皆屬于底部柵極型薄膜晶體管。上述的混合式薄膜晶體管可應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)電路之中或是顯示面板的像素單元中。值得一提的是，在上述圖2A至圖2D的實(shí)施例中，雖然第一半導(dǎo)體層104是以結(jié)晶硅層104a、硅層104b以及經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層l(Mc的三層結(jié)構(gòu)為例來(lái)說(shuō)明，但本發(fā)明不限于此。根據(jù)其它實(shí)施例，在上述圖2A至圖2D的制造流程中，第一半導(dǎo)體層104也可以采用結(jié)晶硅層10 以及硅層104b的雙層結(jié)構(gòu)，或是結(jié)晶硅層10 以及經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層 104c的雙層結(jié)構(gòu)。倘若上述的混合式薄膜晶體管要應(yīng)用于顯示面板的像素單元中，則在圖2D的步驟之后，接著進(jìn)行圖2E的步驟。也就是，在第一薄膜晶體管Tl以及第二薄膜晶體管T2上形成保護(hù)層110。之后，在保護(hù)層110上形成第一電極層112，其與第二薄膜晶體管T2的第二漏極D2電性連接。接著，在保護(hù)層110上形成平坦層113，其暴露出第一電極層112。之后，在暴露出的第一電極層112上形成發(fā)光層114，且于發(fā)光層114上形成第二電極層116。 上述的第一電極層112、發(fā)光層114以及第二電極層116即構(gòu)成電致發(fā)光元件。圖3A至圖3E是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的混合式薄膜晶體管的制造流程剖面示意圖。在圖3A至圖3E的實(shí)施例中，與上述IA圖至圖IF的實(shí)施例相同的元件以相同的符號(hào)表示，且不再重復(fù)贅述。請(qǐng)參照?qǐng)D3A，本實(shí)施例的混合式薄膜晶體管的制造方法首先在基板 100上形成緩沖層101，并且在緩沖層101上形成第一半導(dǎo)體層104。所述第一半導(dǎo)體層104 包括結(jié)晶硅層10 ，其可包括多晶硅材料、微晶硅材料或是其它結(jié)晶形式的硅材料。根據(jù)本實(shí)施例，第一半導(dǎo)體層104上還可進(jìn)一步包括硅層104b或是經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層l(Mc。上述的硅層104b可包括微晶硅材料或是非晶硅材料，即未經(jīng)過(guò)離子摻雜的硅材料。所述經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層10 可包括摻雜P型雜質(zhì)的非晶硅材料或是摻雜N型雜質(zhì)的非晶硅材料。 根據(jù)本實(shí)施例，形成結(jié)晶硅層10 以及硅層104b (或經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層I(Mc)的方法例如是先沉積一層非晶硅材料，之后利用激光回火程序使非晶硅材料轉(zhuǎn)變成結(jié)晶硅材料。接著于結(jié)晶硅材上形成硅層(或經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層)之后，再以光刻以及蝕刻程序同時(shí)圖案化上述的膜層，即可形成島狀圖案的第一半導(dǎo)體層104。請(qǐng)參照?qǐng)D:3B，在第一半導(dǎo)體層104上形成第一源極Sl以及第一漏極Dl，并且在緩沖層101上同時(shí)形成第二柵極G2。形成第一源極Si、第一漏極Dl以及第二柵極G2的方法例如是先沉積一層導(dǎo)電層，之后再以光刻以及蝕刻程序圖案化即可形成。類(lèi)似地，在上述的圖案化程序中，更進(jìn)一步移除位于第一源極Sl以及第一漏極Dl之間的硅層104b(或經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層104c)，以使結(jié)晶硅層10 暴露出來(lái)。請(qǐng)參照?qǐng)D3C，在緩沖層101上形成絕緣層102，其覆蓋第一半導(dǎo)體層106、第一源極Si、第一漏極Dl以及第二柵極G2。之后，在第二柵極G2上方的絕緣層102上形成第二半導(dǎo)體層106。第二半導(dǎo)體層106可為N型金屬氧化物半導(dǎo)體材料或是P型金屬氧化物半
10導(dǎo)體材料。倘若第一半導(dǎo)體層104中的經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層l(Mc的半導(dǎo)體型態(tài)是P型，那么第二半導(dǎo)體層106是采用N型金屬氧化物半導(dǎo)體材料。若第一半導(dǎo)體層104中的經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層10 的半導(dǎo)體型態(tài)是N型，那么第二半導(dǎo)體層106是采用P型金屬氧化物半導(dǎo)體材料。在本實(shí)施例中，在第二半導(dǎo)體層106上可包括形成蝕刻終止層108。類(lèi)似地，蝕刻終止層108可保護(hù)第二半導(dǎo)體層106免于遭到后續(xù)蝕刻工藝的損害。但，若后續(xù)蝕刻程序可控制得宜，也可省略蝕刻終止層108的制作。請(qǐng)參照?qǐng)D3D，在第一半導(dǎo)體層104上方的絕緣層102上形成第一柵極G1，且在第二半導(dǎo)體層106上形成第二源極S2以及第二漏極D2。形成第一柵極G1、第二源極S2以及第二漏極D2的方法例如是先沉積一層導(dǎo)電層，之后再以光刻以及蝕刻程序圖案化即可形成。在圖3D的步驟完成之后，即形成由第一薄膜晶體管Tl以及第二薄膜晶體管T2構(gòu)成的混合式薄膜晶體管。上述的第一薄膜晶體管Tl是屬于頂部柵極型薄膜晶體管且第二薄膜晶體管T2是屬于底部柵極型薄膜晶體管。上述的混合式薄膜晶體管可應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)電路中或是顯示面板的像素單元中。值得一提的是，在上述圖3A至圖3D的實(shí)施例中，雖然第一半導(dǎo)體層104是以結(jié)晶硅層10 以及硅層104b (或經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層104c)的雙層結(jié)構(gòu)為例來(lái)說(shuō)明，但本發(fā)明不限于此。根據(jù)其它實(shí)施例，在上述圖3A至圖3D的制造流程中，第一半導(dǎo)體層104也可以采用結(jié)晶硅層104a、硅層104b以及經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層l(Mc的三層結(jié)構(gòu)。倘若上述的混合式薄膜晶體管要應(yīng)用于顯示面板的像素單元中，則在圖3D之后， 接著進(jìn)行圖3E的步驟。也就是，在第一薄膜晶體管Tl以及第二薄膜晶體管T2上保護(hù)層 110。之后，在保護(hù)層110上形成第一電極層112，其與第二薄膜晶體管T2的第二漏極D2電性連接。接著，在保護(hù)層110上形成平坦層113，其暴露出第一電極層112。之后，在暴露出的第一電極層112上形成發(fā)光層114，且于發(fā)光層114上形成第二電極層116。上述的第一電極層112、發(fā)光層114以及第二電極層116即構(gòu)成電致發(fā)光元件。圖4A至圖4E是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的混合式薄膜晶體管的制造流程剖面示意圖。在圖4A至圖4E的實(shí)施例中，與上述IA圖至圖IF的實(shí)施例相同的元件以相同的符號(hào)表示，且不再重復(fù)贅述。請(qǐng)參照?qǐng)D4A，本實(shí)施例的混合式薄膜晶體管的制造方法首先在基板100上形成緩沖層101，并且在緩沖層101上形成第一半導(dǎo)體層104。所述第一半導(dǎo)體層 104包括結(jié)晶硅層104a，其可包括多晶硅材料、微晶硅材料或是其它結(jié)晶形式的硅材料。根據(jù)本實(shí)施例，第一半導(dǎo)體層104還可進(jìn)一步包括硅層104b或是經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層104c。 上述的硅層104b可包括微晶硅材料或是非晶硅材料，即未經(jīng)過(guò)離子摻雜的硅材料。所述經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層KMc可包括摻雜P型雜質(zhì)的非晶硅材料或是摻雜N型雜質(zhì)的非晶硅材料。請(qǐng)參照?qǐng)D4B，在第一半導(dǎo)體層104上形成第一源極Sl以及第一漏極Dl，并且在緩沖層101上同時(shí)形成第二源極S2以及第二漏極D2。形成第一源極Si、第一漏極D1、第二源極S2以及第二漏極D2的方法例如是先沉積一層導(dǎo)電層，之后再以光刻以及蝕刻程序圖案化即可形成。在上述的圖案化程序中，更進(jìn)一步移除位于第一源極Sl以及第一漏極Dl之間的硅層104b (或經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層104c)，以使結(jié)晶硅層10 暴露出來(lái)。請(qǐng)參照?qǐng)D4C，在第二源極S2以及第二漏極D2之間形成第二半導(dǎo)體層106。第二半導(dǎo)體層106可為N型金屬氧化物半導(dǎo)體材料或是P型金屬氧化物半導(dǎo)體材料，其主要是根據(jù)第一半導(dǎo)體層104的經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層l(Mc的半導(dǎo)體型態(tài)而定。接著，在緩沖層101 上形成絕緣層102，覆蓋第一源極Si、第一漏極Dl以及第二半導(dǎo)體層106。請(qǐng)參照?qǐng)D4D，在第一半導(dǎo)體層104上方的絕緣層102上形成第一柵極G1，且在第二半導(dǎo)體層106上方的絕緣層102上形成第二柵極G2。在圖4D的步驟完成之后，即形成由第一薄膜晶體管Tl以及第二薄膜晶體管T2構(gòu)成的混合式薄膜晶體管。上述的第一薄膜晶體管Tl以及第二薄膜晶體管T2都是屬于頂部柵極型薄膜晶體管。上述的混合式薄膜晶體管可應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)電路中或是顯示面板的像素單元中。值得一提的是，在上述圖4A至圖4D的實(shí)施例中，雖然第一半導(dǎo)體層104是以結(jié)晶硅層10 以及硅層104b (或經(jīng)過(guò)摻雜之非晶硅層104c)的雙層結(jié)構(gòu)為例來(lái)說(shuō)明，但本發(fā)明不限于此。根據(jù)其它實(shí)施例，在上述圖4A至圖4D的制造流程中，第一半導(dǎo)體層104也可以采用結(jié)晶硅層104a、硅層104b以及經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層l(Mc的三層結(jié)構(gòu)。倘若上述的混合式薄膜晶體管要應(yīng)用于顯示面板的像素單元中，則在圖4D的步驟之后，接著進(jìn)行圖4E的步驟。也就是，在第一薄膜晶體管Tl以及第二薄膜晶體管T2上保護(hù)層110。之后，在保護(hù)層110上形成第一電極層112，其與第二薄膜晶體管T2的第二漏極D2電性連接。接著，在保護(hù)層110上形成平坦層113，其暴露出第一電極層112。之后， 在暴露出的第一電極層112上形成發(fā)光層114，且于發(fā)光層114上形成第二電極層116。上述的第一電極層112、發(fā)光層114以及第二電極層116即構(gòu)成電致發(fā)光元件。圖5A至圖5E是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的混合式薄膜晶體管的制造流程剖面示意圖。在圖5A至圖5E的實(shí)施例中，與上述IA圖至圖IF的實(shí)施例相同的元件以相同的符號(hào)表示，且不再重復(fù)贅述。請(qǐng)參照?qǐng)D5A，本實(shí)施例的混合式薄膜晶體管的制造方法首先在基板100上形成第一柵極G1，并且在基板100上形成第二源極S2以及第二漏極D2。形成第一柵極G1、第二源極S2以及第二漏極D2的方法例如是先沉積一層導(dǎo)電層，之后再以光刻以及蝕刻程序圖案化即可形成。請(qǐng)參照?qǐng)D5B，在第二源極S2以及第二漏極D2之間形成第二半導(dǎo)體層106。第二半導(dǎo)體層106可為N型金屬氧化物半導(dǎo)體材料或是P型金屬氧化物半導(dǎo)體材料，其主要是根據(jù)第一半導(dǎo)體層104的經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層l(Mc的半導(dǎo)體型態(tài)而定。之后，在基板100 上形成絕緣層102，以覆蓋第一柵極Gl以及第二半導(dǎo)體層106。請(qǐng)參照?qǐng)D5C，在第一柵極Gl上方的絕緣層102上形成第一半導(dǎo)體層104。根據(jù)本實(shí)施例，第一半導(dǎo)體層104包括結(jié)晶硅層104a、硅層104b以及經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層l(Mc。請(qǐng)參照?qǐng)D5D，在第一半導(dǎo)體層104上形成第一源極Sl以及第一漏極Dl，并且在第二半導(dǎo)體層106上方的絕緣層102上形成第二柵極G2。形成第一源極Si、第一漏極Dl以及第二柵極G2的方法例如是先沉積一層導(dǎo)電層，之后再以光刻以及蝕刻程序圖案化即可。 在上述的圖案化程序中，更進(jìn)一步移除第一源極Sl以及第一漏極Dl之間的經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層104c，以使硅層104b甚至是結(jié)晶硅層10 暴露出來(lái)。在圖5D的步驟完成之后，即形成由第一薄膜晶體管Tl以及第二薄膜晶體管T2構(gòu)成的混合式薄膜晶體管。上述的第一薄膜晶體管Tl屬于底部柵極型薄膜晶體管，且第二薄膜晶體管T2屬于頂部柵極型薄膜晶體管。上述的混合式薄膜晶體管可應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)電路中或是顯示面板的像素單元中。值得一提的是，在上述圖5A至圖5D的實(shí)施例中，雖然第一半導(dǎo)體層104是以結(jié)晶硅層104a、硅層104b以及經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層l(Mc的三層結(jié)構(gòu)為例來(lái)說(shuō)明，但本發(fā)明不限于此。根據(jù)其它實(shí)施例，在上述圖5A至圖5D的制造流程中，第一半導(dǎo)體層104也可以采用結(jié)晶硅層10 以及硅層104b的雙層結(jié)構(gòu)，或是結(jié)晶硅層10 以及經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層 104c的雙層結(jié)構(gòu)。倘若上述的混合式薄膜晶體管要應(yīng)用于顯示面板的像素單元中，則在圖5D的步驟之后，接著進(jìn)行圖5E的步驟。也就是，在第一薄膜晶體管Tl以及第二薄膜晶體管T2上保護(hù)層110。之后，在保護(hù)層110上形成第一電極層112，其與第二薄膜晶體管T2的第二漏極D2電性連接。接著，在保護(hù)層110上形成平坦層113，其暴露出第一電極層112。之后， 在暴露出的第一電極層112上形成發(fā)光層114，且于發(fā)光層114上形成第二電極層116。上述的第一電極層112、發(fā)光層114以及第二電極層116即構(gòu)成電致發(fā)光元件。值得一提的是，在上述各實(shí)施例中，經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層的形成方式也可利用非摻雜工藝(non ion-implement process)而不以公知離子摻雜工藝來(lái)制作，也就是直接沉積具有摻雜物的非晶硅層。圖6是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的顯示面板的俯視示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D6，本實(shí)施例的顯示面板200具有顯示區(qū)A以及位于顯示區(qū)A周?chē)闹苓呺娐穮^(qū)B。在顯示面板200的顯示區(qū)A中設(shè)置有像素陣列，所述像素陣列包括多個(gè)像素單元P。根據(jù)一實(shí)施例，每一個(gè)像素單元P包括掃描線(xiàn)、數(shù)據(jù)線(xiàn)、與掃描線(xiàn)以及數(shù)據(jù)線(xiàn)電性連接的至少一主動(dòng)元件以及與主動(dòng)元件電性連接的電極層。另外，在周邊電路區(qū)B中則是設(shè)置有至少一驅(qū)動(dòng)電路202、204，其與像素單元P電性連接。驅(qū)動(dòng)電路202、204包括驅(qū)動(dòng)元件、導(dǎo)線(xiàn)等等元件，其可以提供像素單元P特定的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，以控制像素單元P顯示特定的影像。根據(jù)本實(shí)施例，所述驅(qū)動(dòng)電路包括設(shè)置在顯示區(qū)A的兩側(cè)邊處的柵極驅(qū)動(dòng)電路202以及源極驅(qū)動(dòng)電路204，然，本發(fā)明不限于此。根據(jù)其它實(shí)施例，驅(qū)動(dòng)電路202、204亦可僅設(shè)置在顯示區(qū)A的其中一側(cè)、或是設(shè)置在顯示區(qū)A的四
固絕絕乂 nJ寸寸。值得一提的是，在上述的顯示面板200中，驅(qū)動(dòng)電路202、204可采用如圖1E、圖 2D、圖3D、圖4D或圖5D所示的混合式薄膜晶體管作為其驅(qū)動(dòng)元件。由于上述圖1E、圖2D、 圖3D、圖4D或圖5D所示的混合式薄膜晶體管具有高載流子移動(dòng)率的特性，因此可應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)電路202、204中。另外，在上述的顯示面板200中，像素單元P中的主動(dòng)元件也可采用如圖1E、圖 2D、圖3D、圖4D或圖5D所示的混合式薄膜晶體管。換言之，每一個(gè)像素單元P可為如圖1F、 圖2E、圖3E、圖4E或圖5E所示，其包括混合式薄膜晶體管以及電致發(fā)光元件。更詳細(xì)來(lái)說(shuō)， 像素單元P的等效電路圖如圖7所示，像素單元P包括由第一薄膜晶體管Tl以及第二薄膜晶體管T2構(gòu)成的混合式薄膜晶體管。像素單元P還包括掃描線(xiàn)SL、數(shù)據(jù)線(xiàn)DL、電源線(xiàn)PL、 信號(hào)線(xiàn)GL、電容器SC以及電激發(fā)光元件0LED。第一薄膜晶體管Tl包括第一柵極G1、第一源極Si、第一漏極Dl以及第一半導(dǎo)體層(未標(biāo)示于圖7)。第二薄膜晶體管T2包括第二柵極G2、第二源極S2、第二漏極D2以及第二半導(dǎo)體層(未標(biāo)示于圖7)。第一柵極Gl與掃描線(xiàn)SL電性連接，且第一源極Sl與數(shù)據(jù)線(xiàn)DL電性連接。第二柵極G2與第一漏極Dl電性連接，第二源極S2與電源線(xiàn)PL電性連接，且第二漏極D2與電激發(fā)光元件OLED的一端電性連接。電激發(fā)光元件OLED的另一端與信號(hào)線(xiàn)GL(例如是接地線(xiàn))電性連接。電容器SC的一端與電源線(xiàn)PL電性連接，且另一端與第二柵極G2以及第一漏極Dl電性連接。換言之，在上述像素單元P中，第一薄膜晶體管Tl以及第二薄膜晶體管T2是作為像素單元P的驅(qū)動(dòng)元件。根據(jù)本實(shí)施例，在上述圖6的顯示面板200的周邊電路區(qū)B中，驅(qū)動(dòng)電路202、204 是采用如圖1E、圖2D、圖3D、圖4D或圖5D所示的混合式薄膜晶體管作為其驅(qū)動(dòng)元件。而且，在顯示面板20的顯示區(qū)A中，像素單元P是采用圖1F、圖2E、圖3E、圖4E或圖5E所示的結(jié)構(gòu)(即圖7的等效電路圖)。但，本發(fā)明不限于此。換言之，根據(jù)另一實(shí)施例，也可以?xún)H在顯示面板200的周邊電路區(qū)B中采用如圖 1E、圖2D、圖3D、圖4D或圖5D所示的混合式薄膜晶體管作為其驅(qū)動(dòng)元件，而像素單元P中的驅(qū)動(dòng)元件(主動(dòng)元件)是采用傳統(tǒng)的薄膜晶體管?；蛘呤牵瑑H在顯示面板200的顯示區(qū)A 中采用圖1F、圖2E、圖3E、圖4E或圖5E所示的像素單元結(jié)構(gòu)(即圖7的等效電路圖)，而周邊電路區(qū)B的驅(qū)動(dòng)電路202、204僅采用傳統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)元件(主動(dòng)元件)。綜上所述，本發(fā)明采用金屬氧化物薄膜晶體管與結(jié)晶硅薄膜晶體管組成混合式薄膜晶體管。此混合式薄膜晶體管相較于傳統(tǒng)非晶硅薄膜晶體管來(lái)說(shuō)具有較佳的載流子移動(dòng)率，而且此混合式薄膜晶體管的工藝復(fù)雜度相較于傳統(tǒng)低溫多晶硅薄膜晶體管的工藝復(fù)雜度較低。因此，本發(fā)明的混合式薄膜晶體管可以應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)電路、像素單元或是兩者之中， 而且工藝成本較低。當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種混合式薄膜晶體管，其特征在于，包括一第一薄膜晶體管與一第二薄膜晶體管；該第一薄膜晶體管，其包括一第一柵極、一第一源極以及一第一漏極；以及一第一半導(dǎo)體層，該第一半導(dǎo)體層位于該第一柵極以及該第一源極與該第一漏極之間，其中該第一半導(dǎo)體層包括一結(jié)晶硅層；以及該第二薄膜晶體管，其包括一第二柵極、一第二源極以及一第二漏極；以及一第二半導(dǎo)體層，該第二半導(dǎo)體層位于該第一柵極以及該第一源極與該第一漏極之間，其中該第二半導(dǎo)體層包括一金屬氧化物半導(dǎo)體材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合式薄膜晶體管，其特征在于，其中該第一半導(dǎo)體層的該結(jié)晶硅層包括一多晶硅材料或是一微晶硅材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合式薄膜晶體管，其特征在于，其中該第一半導(dǎo)體層還包括一硅層，其位于該結(jié)晶硅層上方，且該硅層包括一微晶硅材料或是一非晶硅材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合式薄膜晶體管，其特征在于，其中該第一半導(dǎo)體層還包括一經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層，其位于該結(jié)晶硅層上方，且該經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層包括摻雜P 型雜質(zhì)的非晶硅材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的混合式薄膜晶體管，其特征在于，其中該第二半導(dǎo)體層的該金屬氧化物半導(dǎo)體材料包括氧化銦鎵鋅、氧化鋅、氧化銦鋅、氧化鎵鋅、氧化鋅錫或氧化銦錫。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合式薄膜晶體管，其特征在于，其中該第一半導(dǎo)體層還包括一經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層，其位于該結(jié)晶硅層上方，且該經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層包括摻雜N 型雜質(zhì)的非晶硅材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的混合式薄膜晶體管，其特征在于，其中該第二半導(dǎo)體層的該金屬氧化物半導(dǎo)體材料包括氧化錫、氧化銅鋁銦鎵、氧化錫鋁銦、氧化銅鍶、LaCuOS或 LaCuOSe0
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合式薄膜晶體管，其特征在于，其中該第一薄膜晶體管以及該第二薄膜晶體管分別為一底部柵極型薄膜晶體管或是一頂部柵極型薄膜晶體管。
9.一種混合式薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，包括在一基板上形成一第一薄膜晶體管，其包括第一柵極、一第一源極、一第一漏極以及位于該第一柵極與該第一源極及該第一漏極之間的一第一半導(dǎo)體層，其中該第一半導(dǎo)體層包括一結(jié)晶硅層；以及在該基板上形成一第二薄膜晶體管，其包括一第二柵極、一第二源極、一第二漏極以及位于該第一柵極與該第一源極及該第一漏極之間的一第二半導(dǎo)體層，其中該第二半導(dǎo)體層包括一金屬氧化物半導(dǎo)體材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的混合式薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，其中形成該第一薄膜晶體管以及該第二薄膜晶體管的方法包括在該基板上形成該第一柵極以及該第二柵極；形成一絕緣層，覆蓋該第一柵極以及該第二柵極；在該第一柵極上方的該絕緣層上形成該第一半導(dǎo)體層，該第一半導(dǎo)體層包括該結(jié)晶硅層；在該第二柵極上方的該絕緣層上形成該第二半導(dǎo)體層；以及在該第一半導(dǎo)體層上形成該第一源極以及該第一漏極，且在該第二半導(dǎo)體層上形成該第二源極以及該第二漏極。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的混合式薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，其中該第一半導(dǎo)體層還包括位于該結(jié)晶硅層上的一硅層或是一經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層，該硅層包括一微晶硅材料或是一非晶硅材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的混合式薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，其中形成該經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層的方法包括沉積一具有摻雜物的非晶硅層。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的混合式薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，其中在形成該第二源極以及該第二漏極之前，還包括在該第二半導(dǎo)體層上形成一蝕刻終止層。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的混合式薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，其中形成該第一薄膜晶體管以及該第二薄膜晶體管的方法包括在該基板上形成該第一柵極以及該第二柵極； 形成一絕緣層，覆蓋該第一柵極以及該第二柵極；在該第一柵極上方的該絕緣層上形成該第一半導(dǎo)體層，該第一半導(dǎo)體層包括該結(jié)晶硅層；在該第一半導(dǎo)體層上形成該第一源極以及該第一漏極，且在該第二柵極兩側(cè)的該絕緣層上方形成該第二源極以及該第二漏極；以及在該第二柵極上方的該絕緣層上以及該第二源極以及該第二漏極上形成該第二半導(dǎo)體層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的混合式薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，其中該第一半導(dǎo)體層還包括位于該結(jié)晶硅層上的一硅層或是一經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層，且該硅層包括一微晶硅材料或是一非晶硅材料。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的混合式薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，其中形成該第一薄膜晶體管以及該第二薄膜晶體管的方法包括在該基板上形成該第一半導(dǎo)體層，該第一半導(dǎo)體層包括該結(jié)晶硅層；在該第一半導(dǎo)體層上形成該第一源極以及該第一漏極，且在該基板上形成該第二柵極；形成一絕緣層，覆蓋該第一半導(dǎo)體層、該第一源極、該第一漏極以及該第二柵極； 在該第二柵極上方的該絕緣層上形成該第二半導(dǎo)體層；以及在該第二半導(dǎo)體層上形成該第二源極以及該第二漏極。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的混合式薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，其中該第一半導(dǎo)體層還包括位于該結(jié)晶硅層上的一硅層或是一經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層，且該硅層包括一微晶硅材料或是一非晶硅材料。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的混合式薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，其中在形成該第二源極以及該第二漏極之前，更包括在該第二半導(dǎo)體層上形成一蝕刻終止層。
19.根據(jù)權(quán)利要求9所述的混合式薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，其中形成該第一薄膜晶體管以及該第二薄膜晶體管的方法包括在該基板上形成該第一半導(dǎo)體層，該第一半導(dǎo)體層包括該結(jié)晶硅層； 在該第一半導(dǎo)體層上形成該第一源極以及該第一漏極，且在該基板上形成該第二源極以及該第二漏極；在該第二源極以及該第二漏極之間形成該第二半導(dǎo)體層； 形成一絕緣層，覆蓋該第一源極、該第一漏極以及該第二半導(dǎo)體層；以及在該第一半導(dǎo)體層上方的該絕緣層上形成該第一柵極，且在該第二半導(dǎo)體層上方的該絕緣層上形成該第二柵極。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的混合式薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，其中該第一半導(dǎo)體層還包括位于該結(jié)晶硅層上的一硅層或是一經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層，且該硅層包括一微晶硅材料或是一非晶硅材料。
21.根據(jù)權(quán)利要求9所述的混合式薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，其中形成該第一薄膜晶體管以及該第二薄膜晶體管的方法包括在該基板上形成該第一柵極，并且在該基板上形成該第二源極以及該第二漏極； 在該第二源極以及該第二漏極之間形成該第二半導(dǎo)體層； 形成一絕緣層，覆蓋該第一柵極以及該第二半導(dǎo)體層；在該第一柵極上方的該絕緣層上形成該第一半導(dǎo)體層，該第一半導(dǎo)體層包括該結(jié)晶硅層；以及在該第一半導(dǎo)體層上形成該第一源極以及該第一漏極，并且在該第二半導(dǎo)體層上方的該絕緣層上形成該第二柵極。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的混合式薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，其中該第一半導(dǎo)體層還包括位于該結(jié)晶硅層上的一硅層或是一經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層，且該硅層包括一微晶硅材料或是一非晶硅材料。
23.—種顯示面板，其特征在于，其具有一顯示區(qū)以及位于該顯示區(qū)周?chē)囊恢苓呺娐穮^(qū)，該顯示面板包括一像素陣列，位于該顯示區(qū)中；以及至少一驅(qū)動(dòng)元件，位于該周邊電路區(qū)或該顯示區(qū)的至少一個(gè)中，所述驅(qū)動(dòng)元件根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合式薄膜晶體管。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的顯示面板，其特征在于，其中該像素陣列包括多個(gè)像素單元，該至少一驅(qū)動(dòng)元件位于該顯示區(qū)中而不位于該周邊電路區(qū)中，且每一像素單元中具有一電激發(fā)光元件，其與該驅(qū)動(dòng)元件電性連接。
25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的顯示面板，其特征在于，其中該像素陣列包括多個(gè)像素單元，且該至少一驅(qū)動(dòng)元件包括多個(gè)像素驅(qū)動(dòng)元件以及至少一電路驅(qū)動(dòng)元件，且每一像素單元包括一個(gè)像素驅(qū)動(dòng)元件以及與該像素驅(qū)動(dòng)元件電性連接的一電激發(fā)光元件；以及該電路驅(qū)動(dòng)元件位于該周邊電路區(qū)中。
26.根據(jù)權(quán)利要求23所述的顯示面板，其特征在于，其中該像素陣列包括多個(gè)像素單元，該至少一驅(qū)動(dòng)元件位于該周邊電路區(qū)中而不位于該顯示區(qū)中。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種混合式薄膜晶體管及其制造方法以及顯示面板?；旌鲜奖∧ぞw管包括第一薄膜晶體管以及第二薄膜晶體管。所述第一薄膜晶體管包括第一柵極、第一源極、第一漏極以及第一半導(dǎo)體層，第一半導(dǎo)體層位于第一柵極以及第一源極與第一漏極之間，且第一半導(dǎo)體層包括結(jié)晶硅層。第二薄膜晶體管包括第二柵極、第二源極、第二漏極以及第二半導(dǎo)體層，第二半導(dǎo)體層位于第一柵極以及第一源極與第一漏極之間，且第二半導(dǎo)體層包括金屬氧化物半導(dǎo)體材料。
文檔編號(hào)G02F1/1368GK102280491SQ201110215298
公開(kāi)日2011年12月14日 申請(qǐng)日期2011年7月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月2日
發(fā)明者謝秀春, 邱大維, 陳亦偉, 陳崇道 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司