專利名稱：基板保持裝置、具備其之曝光裝置、元件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于保持處理基板的基板保持裝置及具備該裝置的曝光裝置以及元件制造方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體元件或液晶顯示元件，是借由將形成于掩模上的圖案轉(zhuǎn)印于感旋光性基板上、即所謂的微影方法來制造。此微影步驟所使用的曝光裝置，具有支撐掩模的掩模載臺(tái)與支撐基板的基板載臺(tái)，使掩模載臺(tái)與基板載臺(tái)一邊逐次移動(dòng)一邊通過投影光學(xué)系統(tǒng)將掩模的圖案轉(zhuǎn)印于基板。近年來，為對(duì)應(yīng)元件圖案的更高積體化，而期待投影光學(xué)系統(tǒng)具有更高分辨率。投影光學(xué)系統(tǒng)的分辨率，是所使用的曝光波長(zhǎng)越短、或投影光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑越大則會(huì)越提高。因此，曝光裝置所使用的曝光波長(zhǎng)逐年變短，投影光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑則逐漸增大。目前主流的曝光波長(zhǎng)雖為KrF準(zhǔn)分子激光的248nm，但波長(zhǎng)更短的ArF準(zhǔn)分子激光的193nm亦逐漸實(shí)用化。進(jìn)行曝光時(shí)，焦深(DOF)亦與分辨率同樣重要。分辨率R及焦深 δ分別以下式表示。R = Ic1 · λ /NA......... (1)δ = 士 1 · λ/NA2......(2)此處，λ為曝光波長(zhǎng)，NA為投影光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑，‘ k2是處理系數(shù)。從(1) 式、(2)式可知，為了提高分辨率R，而縮短曝光波長(zhǎng)λ、增大數(shù)值孔徑NA時(shí)，即會(huì)使焦深δ變窄。若焦深δ變得過窄，即難以使基板表面與投影光學(xué)系統(tǒng)的像面一致，有進(jìn)行曝光動(dòng)作時(shí)焦點(diǎn)裕度不足的缺點(diǎn)。因此，作為實(shí)質(zhì)上縮短曝光波長(zhǎng)且擴(kuò)大焦深的方法，例如已提出一種國(guó)際公開第99/49504號(hào)公報(bào)所揭示的液浸法。此液浸法，是以水或有機(jī)溶媒等液體充滿投影光學(xué)系統(tǒng)下面與基板表面間來形成液浸區(qū)域，利用液體中的曝光用光的波長(zhǎng)為在空氣中的1/η倍(η為液體折射率，通常是1. 2 1. 6左右)，來提高分辨率，且將焦深放大至約η倍。然而，如圖18所示，對(duì)基板P進(jìn)行液浸曝光時(shí)，會(huì)產(chǎn)生液浸區(qū)域AR2’(覆蓋投影光學(xué)系統(tǒng)的投影區(qū)域AR1’)的一部分或全部形成于基板P外側(cè)的情形。此時(shí)，由于基板P周圍的基板載臺(tái)PST’上面與液體接觸，因此容易使形成該基板載臺(tái)PST’上面的構(gòu)件(或其被膜)產(chǎn)生劣化或破損。當(dāng)產(chǎn)生此種劣化或破損時(shí)，由于需進(jìn)行基板載臺(tái)PST’的交換或修復(fù)等維修作業(yè)，因此會(huì)使曝光裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)率降低。在將液浸區(qū)域AR2’ 一部分形成于基板P外側(cè)的狀態(tài)下使基板P邊緣區(qū)域曝光時(shí)， 液體即有可能會(huì)通過基板與基板載臺(tái)間的間隙等回流至基板背面?zhèn)?，滲入基板與基板載臺(tái) (基板保持具)之間。此時(shí)，會(huì)產(chǎn)生基板載臺(tái)無法良好地保持基板的可能性。例如，由于滲入基板背面與基板載臺(tái)間的液體會(huì)產(chǎn)生異物的作用，因此有可能導(dǎo)致所支撐的基板的平坦度劣化?；蛞嗄芟胍姇?huì)因所滲入的液體氣化而形成附著痕跡(即水痕)。由于該水痕亦產(chǎn)生異物的作用，因此可能導(dǎo)致所支撐的基板的平坦度劣化。亦有可能因滲入基板與基板載臺(tái)間的液體氣化時(shí)的氣化熱，而使基板載臺(tái)產(chǎn)生熱變形等不良情形。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明有鑒于上述情形，其目的是提供能容易執(zhí)行維修作業(yè)的基板保持裝置、曝光裝置以及使用該曝光裝置的元件制造方法。又，本發(fā)明的目的是提供適用于液浸曝光裝置的撥液片。再者，本發(fā)明的目的是提供能防止液體滲入基板背面?zhèn)鹊幕灞３盅b置、曝光裝置、以及使用該曝光裝置的元件制造方法。為解決上述問題，本發(fā)明采用了對(duì)應(yīng)實(shí)施例所示的圖1 圖17的下述構(gòu)成。不過， 付加于各要素的包含括號(hào)的符號(hào)僅是該要素的例示，而并非限定各要素。根據(jù)本發(fā)明的第1態(tài)樣，提供一種基板保持裝置(PH)，用以保持處理基板(P)，其特征在于，具備基材(PHB)；第1保持部(PHl)，形成于基材(PHB)，用以吸附保持處理基板 (P)；以及第2保持部(PH2)，形成于基材(PHB)，用以將板體(T)吸附保持于被第1保持部 (PHl)吸附保持的處理基板(P)附近。根據(jù)本發(fā)明，能使配置在第1保持部所吸附保持的處理基板附近的板體容易拆裝于第2保持部。借此，例如該板體劣化、破損時(shí)，能容易地僅將該板體與新板體交換。由于板體是被第2保持部吸附保持的構(gòu)造，因此能防止局部力量加在板體或基材等。因此，能抑制板體或基材的變形。本申請(qǐng)案中的用語「處理基板」，是指被施以包含曝光處理的各種流程處理的基板，其包含半導(dǎo)體元件制造用的半導(dǎo)體晶圓、液晶顯示(IXD)用基板、薄膜磁頭用的陶瓷晶圓、以及將感旋光性材料的光致抗蝕劑涂布于用在各種用途(在曝光裝置所使用的掩?；驑?biāo)線片的原版(合成石英、硅晶圓)等)的基板。根據(jù)本發(fā)明的第2態(tài)樣，提供一種曝光裝置(EX)，用以將圖案像投影于處理基板 ⑵上，以使處理基板⑵曝光，其特征在于，具備第1板體(Tl)；第2板體(T2)；以及基板保持裝置(PH)，其具備第1保持部(PHl)，吸附保持處理基板(P)；第2保持部(PH2)， 是將第1板體(Tl)吸附保持于第1保持部(PHl)所吸附保持的處理基板(P)附近；以及第 3保持部(PH3)，是將第2板體(T2)吸附保持于第1保持部(PHl)所吸附保持的處理基板 ⑵附近。根據(jù)本發(fā)明，能使配置于第1保持部所吸附保持的處理基板體附近的第1、第2板體容易拆裝于第2、第3保持部。因此，例如當(dāng)該第1、第2板體破損時(shí)，能容易地與新板體交換。亦能僅將第1板體及第2板體中的任一方交換，或能在多個(gè)板體中僅將任意的板體交換。由于形成基板保持裝置上面的第1、第2板體被第2、第3保持部吸附保持的構(gòu)造，因此能防止局部力量加在第1、第2板體或基材等。因此，能抑制第1、第2板體或基材的變形。根據(jù)本發(fā)明，提供一種元件制造方法，其特征在于使用了上述的曝光裝置(EX)。根據(jù)本發(fā)明，由于能良好地進(jìn)行曝光處理及測(cè)量處理，因此能提供具有所需要性能的元件。根據(jù)本發(fā)明的第3態(tài)樣，提供一種撥液片(T、Tl、T2)，使用于曝光裝置(EX)，該曝光裝置是通過液體(LQ)將曝光用光(EL)照射于基板保持裝置(PH)所保持的處理基板(P) 上，借此使處理基板(P)曝光，其特征在于該撥液片吸附保持于基板保持裝置(PH)，且在被基板保持裝置(PH)吸附保持的處理基板(P)附近，形成有其表面具撥液性的平坦部(Ta、 Td)。根據(jù)本發(fā)明，由于能在處理基板附近形成該表面具撥液性的平坦部，因此使處理基板的邊緣區(qū)域曝光時(shí)，亦能良好地維持液浸區(qū)域。例如當(dāng)該撥液片的撥液性劣化時(shí)，僅借由與新?lián)芤浩粨Q，即能維持形成于處理基板附近的平坦部表面的潑液性能。因此，能抑制液體殘留于基板保持裝置上，且即使液體殘留亦能圓滑地回收該液體。因此，能防止因殘留的液體的氣化，而例如產(chǎn)生放置基板的環(huán)境(溫度、濕度)變動(dòng)而引起基板或基板保持裝置熱變形、或使測(cè)量基板位置信息等各種測(cè)量用光的光路變動(dòng)、或形成液體的附著痕跡(即水痕)等不良情形。根據(jù)本發(fā)明的第4態(tài)樣，提供一種基板保持裝置(PH)，保持通過液體(LQ)來照射曝光用光(EL)的處理基板(P)，其特征在于，具備基材(PHB)；第1保持部(PHl)，形成于基材(PHB)，用以保持處理基板(P)；第2保持部(PH2)，形成于基材(PHB)，用以將板體(T) 保持于第1保持部(PHl)所保持的處理基板(P)附近；以及液體回收口(61，161，181)，形成于基材(PHB)，用以回收從保持于第1保持部(PHl)的處理基板(P)與保持于第2保持部 (PH2)的板體(T)的間隙(A)滲入的液體(LQ)。根據(jù)本發(fā)明，能使配置于第1保持部所保持的處理基板體附近的板體容易拆裝于第2保持部。因此，例如當(dāng)該板體劣化、破損時(shí)，能容易地僅將該板體與新板體交換。由于可借由液體回收口回收從保持于第1保持部的處理基板與保持于第2保持部的板體的間隙滲入的液體，因此能抑制液體回流至基板背面?zhèn)鹊牟涣记樾?。根?jù)本發(fā)明的第5態(tài)樣，提供一種基板保持裝置(PH)，保持通過液體(LQ)來照射曝光用光(EL)的處理基板(P)，其特征在于，具備基材(PHB)；第1保持部(PHl)，形成于基材(PHB)，用以保持處理基板(P)；以及第2保持部(PH2)，形成于基材(PHB)，用以將板體 (T)保持于第1保持部(PHl)所保持的處理基板(P)附近，保持于第2保持部(PH2)的板體 (T)，具有第1面(Ta)，是與處理基板(P)的表面(Pa)大致同一面高；以及第2面(Tj)，是在保持于第1保持部(PHl)的處理基板(P)周緣部與其處理基板(P)背面對(duì)向。根據(jù)本發(fā)明，能使配置于第1保持部所保持的處理基板體附近的板體容易拆裝于第2保持部。因此，例如當(dāng)該板體劣化、破損時(shí)，能容易地僅將該板體與新板體交換。由于板體具有與處理基板表面大致同一面高的第1面，因此即使將形成于處理基板上的液浸區(qū)域一部分配置于板體上，亦能良好地維持液浸區(qū)域。再者，由于板體具有在處理基板周緣部與處理基板背面對(duì)向的第2面，因此能防止從保持于第1保持部的處理基板與保持于第2 保持部的板體之間隙滲入的液體回流至基板背面?zhèn)鹊牟涣记樾巍８鶕?jù)本發(fā)明，提供一種曝光裝置(EX)，其特征在于具備上述所記載的基板保持裝置(PH)，通過液體(LQ)將曝光用光(EL)照射于該基板保持裝置(PH)所保持的處理基板 (P)，借此使該處理基板(P)曝光。根據(jù)本發(fā)明，能使配置于第1保持部所保持的處理基板體附近的板體容易拆裝于第2保持部。據(jù)此，例如當(dāng)該板體劣化、破損時(shí)，能容易地與新板體交換。由于防止液體滲入基板的背面?zhèn)?，因此能在以基板保持裝置良好地保持基板的狀態(tài)下以良好精度進(jìn)行曝光。根據(jù)本發(fā)明，提供一種元件制造方法，其特征在于使用上述所記載的曝光裝置 (EX)。根據(jù)本發(fā)明，由于能良好地進(jìn)行曝光處理及測(cè)量處理，因此能提供具有所欲性能的元件。根據(jù)本發(fā)明的第6態(tài)樣，提供一種基板載臺(tái)(PST)，保持曝光用光照射的處理基板 (P)并移動(dòng)，其特征在于，具備基材(PHB)；第1保持部(PHl)，形成于該基材(PHB)，將該處理基板(P)保持成能拆裝；以及第2保持部(PH2)，形成于該基材(PHB)，將該板體(T)于第 1保持部所保持的處理基板附近保持成能拆裝。根據(jù)本發(fā)明，由于在基板載臺(tái)上，板體是以能拆裝的方式保持于設(shè)于基材的第2保持部，因此能以良好狀態(tài)保持板體，使板體的交換作業(yè)較為容易。根據(jù)本發(fā)明的第7態(tài)樣，提供一種曝光方法，是以既定圖案來使處理基板(P)曝光，其特征在于，包含將該處理基板(P)，以既定間隙(A)設(shè)置于設(shè)有平坦面(Ta)的基板保持具(PH)上處理基板(P)與平坦面(Ta)間的步驟；通過液體(LQ)將曝光用光照射于該處理基板來使處理基板曝光的步驟；以及該曝光的處理基板的曝光處理結(jié)束后，將從間隙 (A)滲入的液體(LQ)回收的步驟。根據(jù)本發(fā)明的曝光方法，能防止因液體回收動(dòng)作的振動(dòng)等而影響曝光動(dòng)作。


圖1是顯示本發(fā)明的曝光裝置一實(shí)施例的概略構(gòu)成圖。
圖2是顯示基板保持具一實(shí)施例的側(cè)截面圖。
圖3是顯示基板保持具一實(shí)施例的俯視圖。
圖4是基板載臺(tái)的俯視圖。
圖5是圖2的主要部位放大圖。
圖6是顯示基板及板構(gòu)件從基板保持具離開的狀態(tài)的圖。
圖7是顯示曝光步驟一例的流程圖。
圖8是顯示對(duì)基板保持具進(jìn)行拋光處理的狀況的示意圖。
圖9是顯示從基板保持具的液體回收口回收液體的狀態(tài)的示意圖。
圖10是顯示基板保持具的另一實(shí)施例(第2實(shí)施例)的圖。
圖11是顯示基板保持具的另一實(shí)施例(第3實(shí)施例)的圖。
圖12是顯示基板保持具的另一實(shí)施例(第4實(shí)施例)的圖。
圖13是顯示基板保持具的另一實(shí)施例(第5實(shí)施例)的圖。
圖14是顯示基板保持具的另一實(shí)施例(第6實(shí)施例)的俯視圖。
圖15是第6實(shí)施例的基板保持具的側(cè)截面圖。
圖16是顯示曝光裝置的另一實(shí)施例的示意圖。
圖17是顯示半導(dǎo)體元件的制造步驟一例的流程圖。
圖18是用以說明公知技術(shù)的課題的示意圖。
符號(hào)說明
10 液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)
20 液體回收機(jī)構(gòu)
31 第1空間
32 第2空間
40 第1真空系統(tǒng)
42第1周壁部(第1外壁部)
46第1支撐部
60第2真空系統(tǒng)
61第2吸引口(液體回收口)
62第2周壁部(第2外壁部)
63第3周壁部(第3外壁部)
66第2支撐部
93移動(dòng)鏡(反射鏡)
94干涉儀
160，180回收用真空系統(tǒng)
161，181液體回收口
182，192斜面
300基準(zhǔn)部
ARl投影區(qū)域
AR2液浸區(qū)域
EL曝光用光
EX曝光裝置
LQ液體
P基板(處理基板)
PH基板保持具(基板保持裝置)
PHl第1保持部
PH2第2保持部
PH3第3保持部
PHB基材
PL投影光學(xué)系統(tǒng)
PST基板載臺(tái)
T板構(gòu)件(板體、撥水板)
Ta表面(平坦部、第1面)
Tb背面
具體實(shí)施例方式以下，雖參照?qǐng)D式說明本發(fā)明的曝光裝置，但本發(fā)明不限定于此。<第1實(shí)施例>圖1是顯示本發(fā)明的曝光裝置的第1實(shí)施例的概略構(gòu)成圖。圖1中，曝光裝置EX， 具有掩模載臺(tái)MST，能支撐掩模M并移動(dòng)；基板載臺(tái)PST，具有保持基板P的基板保持具 (基板保持裝置)PH，能移動(dòng)基板保持具PH所保持的基板P ；照明光學(xué)系統(tǒng)IL，是以曝光用光EL照明支撐于掩模載臺(tái)MST的掩模M ；投影光學(xué)系統(tǒng)PL，是將以曝光用光EL照明的掩模 M的圖案像投影于支撐在基板載臺(tái)PST的基板P ；以及控制裝置C0NT，統(tǒng)籌控制曝光裝置EX 整體的動(dòng)作。
本實(shí)施例的曝光裝置EX是一適用液浸法的液浸曝光裝置，其用以在實(shí)質(zhì)上縮短曝光波長(zhǎng)來提高分辨率且在實(shí)質(zhì)上放大焦深，其具備將液體LQ供應(yīng)至基板P上的液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10、以及回收基板P上的液體LQ的液體回收機(jī)構(gòu)20。本實(shí)施例中，液體LQ使用純水。曝光裝置EX，至少在將掩模M的圖案像轉(zhuǎn)印于基板P上的期間，借由從液體供應(yīng)機(jī)構(gòu) 10所供應(yīng)的液體LQ，將大于投影區(qū)域ARl且小于基板P的液浸區(qū)域AR2局部地形成于基板 P (包含投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影區(qū)域ARl)上的至少一部分。具體而言，曝光裝置EX，使液體LQ充滿投影光學(xué)系統(tǒng)PL像面?zhèn)惹岸瞬康墓鈱W(xué)元件2與基板P表面(曝光面)之間，通過此投影光學(xué)系統(tǒng)PL與基板P間的液體LQ及投影光學(xué)系統(tǒng)PL，將掩模M的圖案像投影于基板保持具PH所保持的基板P上，借此使基板曝光。此處，本實(shí)施例是以使用掃描型曝光裝置(即掃描步進(jìn)機(jī))作為曝光裝置EX的情形為例來說明，該掃描型曝光裝置，是一邊使掩模M與基板P往掃描方向的彼此互異的方向(反方向)同步移動(dòng)，一邊將形成于掩模M的圖案曝光于基板P。以下說明中，將與投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX —致的方向設(shè)為Z軸方向、將在垂直于Z軸方向的平面內(nèi)掩模M與基板P同步移動(dòng)的方向(掃描方向)設(shè)為X軸方向、將垂直于Z軸方向及X軸方向的方向 (非掃描方向)設(shè)為Y軸方向。將繞X軸、Y軸、及Z軸周圍的旋轉(zhuǎn)(傾斜)方向分別設(shè)為 ΘΧ、ΘΥ、以及ΘΖ方向。此外，此處所謂「基板」，是指施以包含曝光處理的各種流程處理的處理基板，其包含于半導(dǎo)體晶圓上涂布感旋光性材料的光致抗蝕劑。「掩?！拱靡孕纬煽s小投影于基板上的元件圖案的標(biāo)線片。照明光學(xué)系統(tǒng)IL，以曝光用光照明支撐于掩模載臺(tái)MST的掩模M，其具有射出曝光用光EL的曝光用光源、使從曝光用光源射出的曝光用光EL的照度均一化的光學(xué)積分器、 使來自光學(xué)積分器的曝光用光EL聚光的聚光透鏡、中繼透鏡系統(tǒng)、將曝光用光EL所形成的掩模M上的照明區(qū)域設(shè)定成狹縫狀的可變視野光柵等。掩模M上的既定照明區(qū)域，借由照明光學(xué)系統(tǒng)IL以均一照度分布的曝光用光EL來照明。作為從照明光學(xué)系統(tǒng)IL射出的曝光用光EL，例如使用從水銀燈射出的亮線(g線、h線、i線)及KrF準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng)M8nm) 等遠(yuǎn)紫外光(DUV光)，或ArF準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng)193nm)及F2激光(波長(zhǎng)157nm)等真空紫外光(VUV光)等。本實(shí)施例是使用ArF準(zhǔn)分子激光。如上所述，本實(shí)施例的液體LQ是純水，即使曝光用光EL是ArF準(zhǔn)分子激光亦能透射。純水亦能使亮線(g線、h線、i線)及 KrF準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng)M8nm)等遠(yuǎn)紫外光(DUV光)透射。掩模載臺(tái)MST，能保持掩模M并移動(dòng)，借由例如真空吸附(或靜電吸附)方式來固定掩模M。掩模載臺(tái)MST，能在垂直于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX的平面內(nèi)、亦即在XY平面內(nèi)進(jìn)行2維移動(dòng)，且能微幅旋轉(zhuǎn)于θ Z方向。掩模載臺(tái)MST是由線性馬達(dá)等的掩模載臺(tái)驅(qū)動(dòng)裝置MSTD所驅(qū)動(dòng)。掩模載臺(tái)驅(qū)動(dòng)裝置MSTD由控制裝置CONT所控制。于掩模載臺(tái)MST上，設(shè)有與掩模載臺(tái)MST —起移動(dòng)的移動(dòng)鏡91。在與移動(dòng)鏡91對(duì)向的位置設(shè)置激光干涉儀92。移動(dòng)鏡91，用以測(cè)量掩模載臺(tái)MST位置的激光干涉儀92用的反射鏡。掩模載臺(tái)MST上的掩模M的2維方向(XY方向)位置、及ΘΖ方向的旋轉(zhuǎn)角(視情形不同有時(shí)亦包含θ X、θ Y方向的旋轉(zhuǎn)角)，借由激光干涉儀92以實(shí)時(shí)方式測(cè)量。激光干涉儀92的測(cè)量結(jié)果輸出至控制裝置C0NT?？刂蒲b置C0NT，即根據(jù)激光干涉儀92的測(cè)量結(jié)果來驅(qū)動(dòng)掩模載臺(tái)驅(qū)動(dòng)裝置MSTD，借此控制支撐于掩模載臺(tái)MST的掩模M位置。投影光學(xué)系統(tǒng)PL，是以既定的投影倍率β將掩模M的圖案投影曝光于基板P。投影光學(xué)系統(tǒng)PL是以多個(gè)光學(xué)元件(包含設(shè)于基板P側(cè)前端部的光學(xué)元件幻構(gòu)成，此等光學(xué)元件是以鏡筒I3K支撐。本實(shí)施例中，投影光學(xué)系統(tǒng)PL，是投影倍率β例如為1/4、1/5、 或1/8的縮小系統(tǒng)。此外，投影光學(xué)系統(tǒng)PL亦可為等倍系統(tǒng)及放大系統(tǒng)的任意一個(gè)。投影光學(xué)系統(tǒng)PL，亦可包含折射元件與反射元件的折反射系統(tǒng)、不包含反射元件的折射系統(tǒng)、不包含折射元件的反射系統(tǒng)的任意一個(gè)。本實(shí)施例的投影光學(xué)系統(tǒng)PL前端部的光學(xué)元件2， 置成能拆裝于(交換)鏡筒ΡΚ，液浸區(qū)域AR2的液體LQ接觸于光學(xué)元件2?；遢d臺(tái)PST，具有吸附保持基板P的基板保持具PH以及保持于基板保持具PH的板構(gòu)件Τ，其能在底座BP上2維移動(dòng)于XY平面內(nèi)，并能微幅旋轉(zhuǎn)于ΘΖ方向。再者，基板載臺(tái)PST，亦能移動(dòng)于Z軸方向、ΘΧ方向、以及ΘΥ方向。亦即，保持于基板保持具PH的基板 P，能移動(dòng)于Z軸方向、θ X、θ Y方向(傾斜方向)、2維方向(XY方向)、以及θ Z方向。基板載臺(tái)PST，由包含線性馬達(dá)等的基板載臺(tái)驅(qū)動(dòng)裝置PSTD所驅(qū)動(dòng)。基板載臺(tái)驅(qū)動(dòng)裝置PSTD是由控制裝置CONT控制。借此，保持于基板保持具PH的基板P在Z軸方向的位置(焦點(diǎn)位置)、傾斜方向的位置、XY方向的位置、以及ΘΖ方向的位置，即借由控制裝置 CONT通過基板載臺(tái)驅(qū)動(dòng)裝置PSTD來控制。此外，基板載臺(tái)PST的移動(dòng)機(jī)構(gòu)，例如揭示于特開平94463號(hào)或特開昭59-101835號(hào)公報(bào)。于基板保持具PH設(shè)有與基板保持具PH —起相對(duì)投影光學(xué)系統(tǒng)PL而移動(dòng)的移動(dòng)鏡93。在與移動(dòng)鏡93對(duì)向的位置設(shè)有激光干涉儀94。移動(dòng)鏡93，用以測(cè)量基板載臺(tái)PST (基板保持具PH)位置的激光干涉儀94用的反射鏡。基板載臺(tái)PST的2維方向位置、以及θ Z 方向的旋轉(zhuǎn)角，借由激光干涉儀94以實(shí)時(shí)方式測(cè)量。借由以激光干涉儀94測(cè)量基板載臺(tái) PST的位置，來測(cè)量基板P的2維方向位置及ΘΖ方向的旋轉(zhuǎn)角。雖未圖標(biāo)，曝光裝置ΕΧ， 具備例如特開平8-37149號(hào)所揭示的焦點(diǎn)位準(zhǔn)檢測(cè)系統(tǒng)，其用以檢測(cè)基板載臺(tái)PST的基板保持具PH所保持的基板P表面位置信息。焦點(diǎn)位準(zhǔn)檢測(cè)系統(tǒng)，是檢測(cè)基板P表面的Z軸方向位置信息、及基板P的θ X及θ γ方向的傾斜信息。激光干涉儀94的測(cè)量結(jié)果輸出至控制裝置C0NT。焦點(diǎn)位準(zhǔn)檢測(cè)系統(tǒng)的受光結(jié)果亦輸出至控制裝置C0NT?？刂蒲b置C0NT，根據(jù)焦點(diǎn)位準(zhǔn)檢測(cè)系統(tǒng)的檢測(cè)結(jié)果驅(qū)動(dòng)基板載臺(tái)驅(qū)動(dòng)裝置PSTD，以控制基板P的焦點(diǎn)位置及傾斜角，使基板P表面一致于投影光學(xué)系統(tǒng)PL 的像面?？刂蒲b置C0NT，根據(jù)激光干涉儀94的測(cè)量結(jié)果，在激光干涉儀94所規(guī)定的2維坐標(biāo)系統(tǒng)內(nèi)、通過基板載臺(tái)驅(qū)動(dòng)裝置PSTD來驅(qū)動(dòng)基板載臺(tái)PST，借此來控制基板P在X軸方向及Y軸方向的位置。于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的前端附近設(shè)有基板對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)95，其用以檢測(cè)基板P上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記或設(shè)于基板載臺(tái)PST上的后述基準(zhǔn)標(biāo)記PFM。本實(shí)施例的基板對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)95，例如采用特開平4-65603號(hào)公報(bào)(對(duì)應(yīng)美國(guó)專利第5，493，403號(hào))所揭示的FIA(Field Image Alignment (場(chǎng)像對(duì)準(zhǔn)))方式，其使基板載臺(tái)PST靜止并將來自鹵素?zé)舻陌咨獾日彰饔霉庹丈溆跇?biāo)記上，并以攝影元件在既定的攝影視野內(nèi)拍攝所獲得的標(biāo)記影像，再借由影像處理來測(cè)量標(biāo)記位置。于掩模載臺(tái)MST附近設(shè)有掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)96，其用以通過掩模M與投影光學(xué)系統(tǒng)PL 檢測(cè)設(shè)于基板保持具PH上的后述基準(zhǔn)標(biāo)記MFM。本實(shí)施例的掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)96，例如采用特開平7-176468號(hào)公報(bào)所揭示的VRA(Visual Reticule Alignment (目視標(biāo)線片對(duì)準(zhǔn)))方式，其對(duì)標(biāo)記照射光，將以CXD攝影機(jī)所拍攝的標(biāo)記的影像數(shù)據(jù)作影像處理來測(cè)量標(biāo)記位置。液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10，是用以將既定的液體LQ供應(yīng)至投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)龋渚邆淠芩统鲆后wLQ的液體供應(yīng)部11、及其一端部連接于液體供應(yīng)部11的供應(yīng)管13。液體供應(yīng)部11，具備用以收容液體LQ的槽、加壓泵、以及用以去除液體LQ中所含的異物或氣泡的過濾單元等。液體供應(yīng)部11的液體供應(yīng)動(dòng)作是由控制裝置CONT控制。將液浸區(qū)域AR2形成于基板P上時(shí)，液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10即將液體LQ供應(yīng)至基板P上。此外，亦可不將槽、加壓泵、及過濾單元等的至少一部分設(shè)于曝光裝置EX，而使用設(shè)有曝光裝置EX的工廠內(nèi)的設(shè)備來替代。液體回收機(jī)構(gòu)20，是用以回收投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)鹊囊后wLQ，其具備能回收液體I^Q的液體回收部21、及其一端部連接于液體回收部21的回收管23。液體回收部21， 例如具備真空泵等真空系統(tǒng)(吸引裝置)、將所回收的液體LQ與氣體分離的氣液分離器、 以及收容所回收的液體LQ的槽等。此外，可不將真空系統(tǒng)、氣液分離器、槽等全部設(shè)于曝光裝置EX，亦可使用配置有曝光裝置EX的工廠內(nèi)的設(shè)備。液體回收部21的液體回收動(dòng)作是由控制裝置CONT控制。為將液浸區(qū)域AR2形成于基板P上，液體回收機(jī)構(gòu)20是將液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10所供應(yīng)的基板P上的液體LQ回收既定量。構(gòu)成投影光學(xué)系統(tǒng)PL的多個(gè)光學(xué)元件中，在接觸于液體LQ的光學(xué)元件2附近配置有噴嘴構(gòu)件70。噴嘴構(gòu)件70，是于基板P (基板載臺(tái)PST)上方設(shè)置成包圍光學(xué)元件2側(cè)面的環(huán)狀構(gòu)件。于噴嘴構(gòu)件70與光學(xué)元件2間設(shè)有間隙，噴嘴構(gòu)件70，被既定的支撐機(jī)構(gòu)支撐成能在振動(dòng)上與光學(xué)元件2分離。構(gòu)成為能使液體LQ不滲入其間隙、且使氣泡不從其間隙混入于液體LQ中。噴嘴構(gòu)件70，例如以不銹鋼形成。噴嘴構(gòu)件70，具備設(shè)于基板P (基板載臺(tái)PST)上方、配置成與該基板P表面對(duì)向的供應(yīng)口 12。本實(shí)施例中，噴嘴構(gòu)件70具有2個(gè)供應(yīng)口 12A，12B。供應(yīng)口 12A，12B設(shè)于噴嘴構(gòu)件70的下面70A。于噴嘴構(gòu)件70內(nèi)部形成有使所供應(yīng)的液體LQ流至基板P上的供應(yīng)流路噴嘴構(gòu)件 70的供應(yīng)流路一端部連接于供應(yīng)管13另一端部，供應(yīng)流路另一端部則分別連接于供應(yīng)口 12A，12B。此處，形成于噴嘴構(gòu)件70內(nèi)部的供應(yīng)流路的另一端部，是從中途分歧成能分別連接于各多個(gè)0個(gè))供應(yīng)口 12A，12B。噴嘴構(gòu)件70，具備設(shè)于基板P (基板載臺(tái)PST)上方、配置成與該基板P表面對(duì)向的回收口 22。本實(shí)施例中，回收口 22，是于噴嘴構(gòu)件70下面70A形成為包圍投影光學(xué)系統(tǒng) PL的光學(xué)元件2 (投影區(qū)域ARl)及供應(yīng)口 12的環(huán)狀。于噴嘴構(gòu)件70內(nèi)部，形成有使通過回收口 22所回收的液體LQ流動(dòng)的回收流路。 噴嘴構(gòu)件70的回收流路一端部連接于回收管23的另一端部，回收流路另一端部則連接于回收口 22。此處，形成于噴嘴構(gòu)件70內(nèi)部的回收流路，具備對(duì)應(yīng)回收口 22的環(huán)狀流路、及將流動(dòng)于其環(huán)狀流路的液體LQ聚集的歧管流路。本實(shí)施例中，噴嘴構(gòu)件70，分別構(gòu)成各液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10及液體回收機(jī)構(gòu)20的一部分。構(gòu)成液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10的供應(yīng)口 12A，12B，分別設(shè)于隔著投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影區(qū)域 ARl的X軸方向兩側(cè)位置。構(gòu)成液體回收機(jī)構(gòu)20的回收口 22，相對(duì)投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影區(qū)域ARl設(shè)于液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10的液體供應(yīng)口 12A，12B外側(cè)。亦即，回收口 22，相對(duì)投影區(qū)域ARl設(shè)于從液體供應(yīng)口 12A，12B離開的位置。且本實(shí)施例的投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影區(qū)域ARl，設(shè)定成以Y軸方向?yàn)殚L(zhǎng)邊方向、以X軸方向?yàn)槎踢叿较虻母┮暢示匦?。液體供應(yīng)部11的動(dòng)作是由控制裝置CONT控制?？刂蒲b置CONT能控制液體供應(yīng)部11的每一單位時(shí)間的液體供應(yīng)量。將液體LQ供應(yīng)至基板P時(shí)，控制裝置CONT是從液體供應(yīng)部11送出液體LQ，通過供應(yīng)管13及形成于噴嘴構(gòu)件70內(nèi)部的供應(yīng)流路，將液體LQ從設(shè)于基板P上方的供應(yīng)口 12A，12B供應(yīng)至基板P上。液體1^，通過供應(yīng)口 12A，12B從投影區(qū)域ARl兩側(cè)供應(yīng)。液體回收部21的液體回收動(dòng)作是由控制裝置CONT控制?？刂蒲b置CONT能控制液體回收部21的每一單位時(shí)間的液體回收量。從設(shè)于基板P上方的回收口 22所回收的基板P上方的液體LQ，通過形成于噴嘴構(gòu)件70內(nèi)部的回收流路、及回收管23而回收至液體回收部21。此外，供應(yīng)口 12A，12B、以及回收口 22的數(shù)量、形狀、配置等，并不限于上述，只要是能以液體LQ充滿曝光用光EL的光路的構(gòu)造即可。投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光學(xué)元件2下面(液體接觸面)2A、及噴嘴構(gòu)件70下面(液體接觸面)70A具有親液性(親水性)。本實(shí)施例中，由于光學(xué)元件2是以與純水的親和性高的螢石形成，因此能使純水與光學(xué)元件2的液體接觸面2A的大致全面密合。另一方面，由于液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10在本實(shí)施例中是供應(yīng)純水來作為液體LQ，因此能提高光學(xué)元件2的液體接觸面2A與液體LQ的密合性，能以液體LQ確實(shí)地充滿光學(xué)元件2與基板P間的光路。 此外，光學(xué)元件2亦可是與水的親和性高的石英。亦可對(duì)光學(xué)元件2的液體接觸面2A及噴嘴構(gòu)件70的液體接觸面70A施以親水化(親液化)處理，來更加提高與液體LQ的親和性。 作為親液化處理，可列舉將MgF2、A1203、SiO2等的親液性材料設(shè)于前述液體接觸面的處理。 或者，由于本實(shí)施例的液體LQ是極性較大的水，因此作為親液化處理(親水化處理)，亦可例如以酒精等極性較大的分子構(gòu)造的物質(zhì)來設(shè)置薄膜。亦可以具有與水親和性高的親水性的鈦來形成噴嘴構(gòu)件70。其次，參照?qǐng)D2、圖3、及圖4說明基板載臺(tái)PST (基板保持具PH)的一實(shí)施例。圖2 是吸附保持基板P及板構(gòu)件τ (將于后述)的基板保持具PH的側(cè)截面圖，圖3是從上方觀察基板保持具PH的俯視圖，圖4是從上方觀察基板載臺(tái)PST的俯視圖。圖2中，基板保持具PH，具備基材PHB、第1保持部PH1，形成于基材PHB，用以吸附保持基板P ；以及第2保持部PH2，形成于基材PHB，用以在吸附保持于第1保持部PHl的基板P附近吸附保持板構(gòu)件T。基板保持具PH的基材PHB能移動(dòng)。板構(gòu)件T是與基材PHB 不同的構(gòu)件，設(shè)置成能拆裝于基板保持具PH的基材PHB，而能加以更換。本實(shí)施例中，將于基材PHB吸附保持板構(gòu)件T的狀態(tài)稱為基板載臺(tái)PST。板構(gòu)件T，是于基板保持具PH上，配置在保持于第1保持部PHl的基板P附近，在保持于第ι保持部PHl的基板P的表面1 周圍，配置有保持于第2保持部PH2的板構(gòu)件T 的表面Ta。板構(gòu)件T的各表面Ta及背面Tb為平坦面(平坦部)。板構(gòu)件T是與基板P大致相同厚度。且保持于第2保持部PH2的板構(gòu)件T的表面Ta (平坦面)、與保持于第1保持部PHl的基板P的表面1 為大致同一面高。亦即，保持于第2保持部PH2的板構(gòu)件T，是在保持于第1保持部PHl的基板P周圍，形成與該基板P的表面1 大致同一面高的平坦面 Ta。此外，本實(shí)施例中，當(dāng)在基板載臺(tái)PST的上面保持基板P時(shí)，在包含所保持的板構(gòu)件T的平坦面Ta與所保持的基板P的表面1 的大致全區(qū)域，形成為全平坦面(full flat面)。
如圖3及圖4所示，基板保持具PH的基材PHB形成為俯視呈矩形，在該基板保持具PH中基材PHB的彼此垂直的兩側(cè)面，分別形成有用以測(cè)量基材PHB (基板保持具PH)位置的激光干涉儀94用的移動(dòng)鏡93。如圖4所示，板構(gòu)件T的外形是以沿基材PHB的形狀的方式形成為俯視呈矩形，其中央部具有能配置基板P的大致圓形孔部TH。亦即，板構(gòu)件T是大致環(huán)狀構(gòu)件，配置成包圍基板保持具PH的第1保持部PHl所保持的基板P。保持于第2保持部PH2的板構(gòu)件T的表面Ta，是配置于第1保持部PHl所保持的基板P周圍，形成為包圍該基板P。此外，圖4中，板構(gòu)件T的外形雖以與基材PHB的外形大致一致的方式形成為俯視呈矩形，但亦能將板構(gòu)件T作成較基材PHB大。此時(shí)，由于矩形板構(gòu)件T的周緣部超出基材 PHB的外側(cè)面，因此能防止液體附著于干涉儀用反射鏡面(形成于基材PHB的外側(cè)面)。如圖2及圖3所示，基板保持具PH的第1保持部PHl，具備形成于基材PHB上的凸?fàn)畹?支撐部46、于基材PHB上形成為包圍第1支撐部46周圍的環(huán)狀第1周壁部42、以及形成于第1周壁部42內(nèi)側(cè)的基材PHB上的第1吸引口 41。第1支撐部46是在第1周壁部42內(nèi)側(cè)形成多個(gè)且相同形狀。本實(shí)施例中，第1支撐部46包含多個(gè)支撐銷。第1吸引口 41用以吸附保持基板P，其在第1周壁部42內(nèi)側(cè)，分別設(shè)于基材PHB上面中第1支撐部 46以外的多個(gè)既定位置。本實(shí)施例中，第1吸引口 41是于第1周壁部42內(nèi)側(cè)配置多個(gè)且相同形狀。第1周壁部42，對(duì)應(yīng)基板P的形狀而形成大致圓環(huán)狀。第1周壁部42的上面 42A，形成為與基板P背面1 的邊緣區(qū)域?qū)ο颉８鞯?吸引口 41是通過流路45連接于第1真空系統(tǒng)40。第1真空系統(tǒng)40，一用以使基材PHB、第1周壁部42、以及基板P背面所包圍的第1空間31成為負(fù)壓，其包括真空泵。如上所述，第1支撐部46包含支撐銷，本實(shí)施例的第1保持部PHl構(gòu)成所謂銷夾頭機(jī)構(gòu)的一部分。第1周壁部42，發(fā)揮包圍第1空間31 (包含第1支撐部46)的外壁部的功能， 控制裝置C0NT，驅(qū)動(dòng)第1真空系統(tǒng)40，借由吸引基材PHB、第1周壁部42、以及基板P所包圍的第1空間31內(nèi)部的氣體(空氣)來使此第1空間31成為負(fù)壓，以將基板P吸附保持于第1支撐部46?；灞３志逷H的第2保持部PH2，具備大致圓環(huán)狀的第2周壁部62，以包圍第1 保持部PHl的第1周壁部42的方式形成于基材PHB上；環(huán)狀第3周壁部63，設(shè)于第2周壁部62外側(cè)，以包圍第2周壁部62的方式形成于基材PHB上；凸?fàn)畹?支撐部66，形成于第 2周壁部62與第3周壁部63間的基材PHB上；以及第2吸引口 61，形成于第2周壁部62 與第3周壁部63間的基材PHB上。第2周壁部62相對(duì)第1空間31設(shè)于第1周壁部42外側(cè)，第3周壁部63則設(shè)于第2周壁部62的更外側(cè)。第2支撐部66是在第2周壁部62與第3周壁部之間形成有多個(gè)且相同形狀。本實(shí)施例中，第2支撐部66包含多個(gè)支撐銷。第 2吸引口 61，用以吸附保持板構(gòu)件T，其在第2周壁部62與第3周壁部63間，分別設(shè)于除基材PHB上面中第2支撐部66以外的多個(gè)既定位置。本實(shí)施例中，第2吸引口 61在第2 周壁部62與第3周壁部63之間配置多個(gè)且相同形狀。第2周壁部62，對(duì)應(yīng)板構(gòu)件T的孔部TH而形成為大致圓環(huán)狀。第3周壁部63，是對(duì)應(yīng)板構(gòu)件T的外形而形成為大致矩形圓環(huán)狀。第2周壁部62的上面62A，是在板構(gòu)件T的孔部TH附近的內(nèi)側(cè)邊緣區(qū)域，形成為與板構(gòu)件T的背面Tb對(duì)向。第3周壁部63的上面63A，是在板構(gòu)件T的外側(cè)邊緣區(qū)域，形成為與板構(gòu)件T的背面Tb對(duì)向。
此外，圖中第1周壁部42、第2周壁部62、及第3周壁部63的各上面雖具有較寬的寬度，但實(shí)際上低于2mm，例如0. Imm左右的寬度。各第2吸引口 61是通過流路65連接于第2真空系統(tǒng)60。第2真空系統(tǒng)60，是一用以使基材PHB、第1、第2周壁部62，63、以及板構(gòu)件T所包圍的第2空間32成為負(fù)壓，其包括真空泵。如上所述，第2支撐部66包含支撐銷，本實(shí)施例的第2保持部PH2是構(gòu)成所謂銷夾頭機(jī)構(gòu)的一部分。第2、第3周壁部62，63，具有包圍第2空間32 (包含第2支撐部 66)的外壁部的功能，控制裝置C0NT，驅(qū)動(dòng)第2真空系統(tǒng)60，借由吸引基材PHB、第2、第3周壁部62，63、以及板構(gòu)件T所包圍的第2空間32內(nèi)部的氣體(空氣)，來使此第2空間32 成為負(fù)壓，以將板構(gòu)件T吸附保持于第2支撐部66。此外，本實(shí)施例中，雖于基板P的吸附保持采用銷夾頭機(jī)構(gòu)，但亦可采用其它夾頭機(jī)構(gòu)。同樣地，雖于板構(gòu)件T的吸附保持采用銷夾頭機(jī)構(gòu)，但亦可采用其它夾頭機(jī)構(gòu)。本實(shí)施例中，雖于基板P及板構(gòu)件T的吸附保持采用真空吸附機(jī)構(gòu)，但亦可使用靜電吸附機(jī)構(gòu)等的其它機(jī)構(gòu)來保持至少一方。使第1空間31成為負(fù)壓的第1真空系統(tǒng)40、與使第2空間32成為負(fù)壓的第2真空系統(tǒng)60彼此獨(dú)立?？刂蒲b置C0NT，能個(gè)別控制第1真空系統(tǒng)40及第2真空系統(tǒng)60的各動(dòng)作，并能分別獨(dú)立進(jìn)行第1真空系統(tǒng)40對(duì)第1空間31的吸引動(dòng)作、與第2真空系統(tǒng)60 對(duì)第2空間32的吸引動(dòng)作。例如，能在將板構(gòu)件T保持于第2保持部PH2的狀態(tài)下進(jìn)行基板P的更換。控制裝置C0NT，能分別控制第1真空系統(tǒng)40與第2真空系統(tǒng)60，來使第1空間31的壓力與第2空間32的壓力彼此互異。如圖2及圖4所示，保持于第1保持部PHl的基板P外側(cè)的邊緣部，與設(shè)于該基板 P周圍的板構(gòu)件τ內(nèi)側(cè)(孔部TH側(cè))的邊緣部間，形成有0. 1 1. Omm左右的間隙A。本實(shí)施例的間隙A為0. 3mm左右。借由將基板P的邊緣部與板構(gòu)件T的邊緣部的間隙A設(shè)定為0. 1 1. Omm左右、亦即借由將孔部TH的內(nèi)徑作成較基板P的外徑大0. 2 2. Omm左右， 如此，即使將液體LQ的液浸區(qū)域AR2形成于間隙A上時(shí)，因液體LQ的表面張力，使液體LQ 幾乎不會(huì)流入間隙A，即使欲曝光基板P的邊緣區(qū)域E時(shí)，亦能借由板構(gòu)件T將液體LQ保持于投影光學(xué)系統(tǒng)PL下。如圖4所示，于本實(shí)施例的基板P形成有用以進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)的缺口部NT。根據(jù)基板P的外形(缺口部NT的形狀)來設(shè)定板構(gòu)件T的形狀，以將缺口部NT的基板P與板構(gòu)件T的間隙亦設(shè)定成0. 1 1. Omm左右。亦即，在包含缺口部NT的基板P的邊緣部全區(qū)與板構(gòu)件T之間，確保0. 1 1. Omm左右的間隙A。具體而言，于板構(gòu)件T設(shè)有朝向孔部TH內(nèi)側(cè)突出的突起部150，來對(duì)應(yīng)基板P的缺口部NT的形狀。于第2保持部PH2的第2周壁部 62及其上面62A，形成有對(duì)應(yīng)板構(gòu)件T的突起部150形狀的凸部62N。突起部150具有間隙調(diào)整部的功能，其是用以縮小第1保持部PHl所保持的基板P的缺口部NT表面1 與板構(gòu)件T的表面Ta的間隙。此外，此處的突起部150雖是板構(gòu)件T的一部分且形成為一體，但亦可將板構(gòu)件T與突起部150分別設(shè)置，而能對(duì)板構(gòu)件T更換突起部150。于第1保持部PHl的第1周壁部42及其上面42A,形成有對(duì)應(yīng)第2周壁部62的凸部62N及基板P的缺口部NT形狀的凹部42N。第1周壁部42的凹部42N，設(shè)置于與第2周壁部62的凸部62N對(duì)向的位置，在凹部42N與凸部62N間形成有既定間隙。此外，此處作為基板P的缺口部雖以缺口部NT為例進(jìn)行了說明，但若無缺口部時(shí)，或是于基板P形成定向平面部(orientation flat部)來作為缺口部時(shí)，亦可將各板構(gòu)件 T、第1周壁部42、及第2周壁部62形成為對(duì)應(yīng)基板P外形的形狀，而在基板P與其周圍的板構(gòu)件T間確保既定間隙。此外，若于基板P無缺口部NT時(shí)，或缺口部NT非常小時(shí)，亦可不于板構(gòu)件設(shè)置突起部150。此時(shí)亦可不設(shè)置凹部42N與凸部62N。形成于基材PHB上的第2吸引口 61，具有液體回收口的功能，其用以回收從保持于第1保持部PHl的基板P、與保持于第2保持部PH2的板構(gòu)件T間的間隙A滲入的液體LQ。 如上所述，第2保持部PH2，是將板構(gòu)件T保持成于板構(gòu)件T的背面Tb側(cè)形成第2空間32， 第2吸引口 61，形成于第2保持部PH2所保持的板構(gòu)件T的背面Tb側(cè)，其亦具有將從間隙 A滲入板構(gòu)件T背面Tb側(cè)的第2空間32的液體LQ回收的功能。圖5是保持基板P及板構(gòu)件T的基板保持具PH的主要部位放大截面圖。圖5中， 在基板P的側(cè)面PC、和與其側(cè)面Pc對(duì)向的板構(gòu)件T的側(cè)面Tc間，如上所述確保了 0. 1 1.0mm左右的間隙A。第1周壁部42的上面42A及第2周壁部62的上面62A為平坦面。于圖5雖未圖標(biāo)，但第3周壁部63的上面63A亦為平坦面。本實(shí)施例中，第1保持部PHl中的第1支撐部46，形成為與第1周壁部42相同高度，或形成為稍微高于第1周壁部42。亦即，第1保持部PHl中、第1支撐部46的上面46A 在Z軸方向的位置，是與第1周壁部42上面42A在Z軸方向的位置相同，或稍微高于在第 1周壁部42上面42A在Z軸方向的位置。借此，當(dāng)使第1空間31成為負(fù)壓時(shí)，即能使基板 P的背面1 與第1周壁部42的上面42A緊貼。且基板P的背面1 是支撐于第1支撐部 46的上面46A。借由基板P的背面1 與第1周壁部42的上面42A彼此緊貼，假設(shè)即使液體LQ從間隙A滲入基板P的背面1 側(cè)，亦能防止液體LQ通過基板P的背面1 與第1周壁部42的上面42A間而滲入第1空間31。第2保持部PH2中，第2支撐部66，形成為稍微高于第2周壁部62。換言之，第 2保持部PH2的第2周壁部62，形成為低于第2支撐部66。亦即，第2保持部PH2中、第2 支撐部66上面66A在Z軸方向的位置，稍微高于第2周壁部62上面62A在Z軸方向的位置，借此，即使在使第2空間32成為負(fù)壓、而使板構(gòu)件T吸附保持于第2支撐部66上的狀態(tài)中，板構(gòu)件T的背面Tb與第2周壁部62的上面62A間亦會(huì)形成既定間隙。間隙B較間隙A小，低于50 μ m，例如為數(shù)11111(例如311111)左右。雖未于圖5圖標(biāo)，但第3周壁部63， 形成為稍微低于第2支撐部66，或形成為與第2支撐部66大致相同的高度，當(dāng)使第2空間 32成為負(fù)壓時(shí)，能使第3周壁部63的上面63A與基板P的背面1 緊貼。由于板構(gòu)件T的背面1 與第2周壁部62的上面62A的間隙相當(dāng)微小，因此能維持第2空間32的負(fù)壓。此外，亦能以使板構(gòu)件T的背面Tb與第2周壁部62的上面62A緊貼的方式，來決定第2支撐部66的高度與第2周壁部62的高度。亦能以使在板構(gòu)件T的背面Tb與第3 周壁部63的上面63A間形成非常小的間隙的方式，來決定第2支撐部66的高度與第3周壁部63的高度。在第1周壁部42與第2周壁部62之間形成有間隙C。此處，環(huán)狀第1周壁部42 (第 1保持部PHl)的外徑形成為小于基板P的外徑。借此，基板P周緣部即超出于第1周壁部 42外側(cè)例如0. 5 1. 5mm左右，間隙C即較間隙A大例如1. 5 2. 5mm左右。圖5中，基板P的厚度Dp是與板構(gòu)件T的厚度Dt大致相同。且第1周壁部42的上面42A、第1支撐部46的上面46A、第2支撐部66的上面66A、第2周壁部62的上面62A、 以及第3周壁部63的上面63A，雖有微小的高度差距，但大致為相同高度，保持于第1保持部PHl的基板P的表面Pa、與保持于第2保持部PH2的板構(gòu)件T的表面Ta為大致同一面
尚ο本實(shí)施例的板構(gòu)件T是以石英(玻璃)形成。且如圖4所示，于板構(gòu)件T的表面 Ta的既定位置設(shè)有具備基準(zhǔn)標(biāo)記MFM，PFM的基準(zhǔn)部300，該基準(zhǔn)標(biāo)記MFM，PFM是用以規(guī)定基板P相對(duì)通過投影光學(xué)系統(tǒng)PL的掩模M的圖案像的位置。此等基準(zhǔn)標(biāo)記MFM，PFM,例如是使用鉻等既定材料，以既定位置關(guān)形成于由石英所構(gòu)成的板構(gòu)件T上。基準(zhǔn)標(biāo)記PFM是由基板對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)95檢測(cè)，基準(zhǔn)標(biāo)記MFM則是由掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)96檢測(cè)。此外，基準(zhǔn)標(biāo)記MFM 與基準(zhǔn)標(biāo)記PFM亦可僅設(shè)其中之一。于板構(gòu)件T的表面Ta的既定位置，設(shè)有用作為焦點(diǎn)位準(zhǔn)檢測(cè)系統(tǒng)的基準(zhǔn)面的基準(zhǔn)板400。且基準(zhǔn)部300上面及基準(zhǔn)板400上面，是與第1保持部PHl所保持的基板P的表面 1 為大致同一面高。在由石英構(gòu)成的板構(gòu)件T的表面(平坦部)Ta、背面Tb、以及側(cè)面Tc各面被覆有撥液性材料。撥液性材料，亦被覆于具有基準(zhǔn)標(biāo)記MFM，PFM的基準(zhǔn)部300上及基準(zhǔn)板400， 使基準(zhǔn)部300上面及基準(zhǔn)板400上面亦具有撥液性。作為撥液性材料，例如可列舉聚四氟乙烯等氟系列樹脂材料、或丙烯酸系列樹脂材料等。借由將此等撥液性材料涂布于由石英構(gòu)成的板構(gòu)件T，而能使板構(gòu)件T的表面Ta、背面Tb、及側(cè)面Tc各面對(duì)液體LQ具有撥液性。本實(shí)施例中，在由石英構(gòu)成的板構(gòu)件T被覆有日本旭硝子公司制的「賽特布」(氟樹脂， Cytop)。為使板構(gòu)件T具撥液性，亦可將由上述撥液性材料構(gòu)成的薄膜貼于板構(gòu)件T。亦可使用對(duì)液體W為非溶解性的材料來作為用以使材料具撥液性的撥液性材料。亦可以撥液性材料(氟系列材料等)來形成板構(gòu)件T本身?；蛞嗫梢圆讳P鋼等形成板構(gòu)件T，再對(duì)其表面Ta、背面Tb、及側(cè)面Tc的至少一部分施以撥液處理。此外，亦可在板構(gòu)件T的既定位置設(shè)置開口，使光學(xué)傳感器的上面從該開口露出。此種光學(xué)傳感器，例如有特開昭57-117238號(hào)公報(bào)所揭示的照度不均傳感器、特開 2002-14005號(hào)公報(bào)(對(duì)應(yīng)美國(guó)專利公開2002/0041377號(hào))所揭示的空間像測(cè)量傳感器、以及特開平11-16816號(hào)公報(bào)(對(duì)應(yīng)美國(guó)專利公開2002/0061469號(hào))所揭示的照射量傳感器 (照度傳感器)等。設(shè)置此等光學(xué)傳感器時(shí)，亦要使光學(xué)傳感器的上面、板構(gòu)件T的表面Ta 及基板P的表面1 大致為同一面高。此等光學(xué)傳感器的上面，亦被覆撥液性材料使其具撥液性。于基板P的表面1 (曝光面)涂布光致抗蝕劑(感光材料)。本實(shí)施例中，感光材料是ArF準(zhǔn)分子激光用的感光材料，具有撥液性(撥水性，接觸角80° 85° )。本實(shí)施例中，基板P的側(cè)面Pc是經(jīng)過撥液化處理(撥水化處理)。具體而言，于基板P的側(cè)面 Pc亦涂布有具撥液性的上述感光材料。借此，表面Ta能更確實(shí)防止液體LQ從具撥液性的板構(gòu)件T與基板P側(cè)面Pc的間隙A滲入。再者，在基板P的背面1 亦涂布有上述感光材料來施以撥液化處理。此外，作為用以使基板P的背面1 或側(cè)面Pc具有撥液性的材料，并不限于上述感光材料，亦可是既定的撥液性材料。例如，有時(shí)雖有將被稱為上涂層的保護(hù)層 (從液體保護(hù)感光材料的膜)涂布于感光材料(涂布于基板P的曝光面的表面Pa)上層的情形，但當(dāng)此上涂層的形成材料(例如氟系列樹脂材料)具有撥液性(撥水性)時(shí)，亦可將此上涂層形成材料涂布于基板P的側(cè)面Pc或背面1 。當(dāng)然，亦可涂布感光材料或上涂層形成用材料以外的具有撥液性的材料。此外，基板P的表面1 并非必須具撥液性，亦能使用與液體LQ的接觸角為60 80°左右的光致抗蝕劑。基板P的側(cè)面Pc或背面1 亦非必須施以撥液化處理。亦即，基板P的表面Pa、背面1 、側(cè)面Pc亦可不具撥液性，亦可視需要使該等面中的至少一面具撥液性?；灞３志逷H的基材PHB的至少一部分表面，亦施有撥液化處理而具撥液性。本實(shí)施例中，基板保持具PH的基材PHB中第1保持部PHl的第1周壁部42上面42A、第1支撐部46的上面46A、以及側(cè)面(與第2周壁部62對(duì)向的面)42B具有撥液性。第2保持部 PH2的第2周壁部62上面62A、第2支撐部66的上面66A、以及側(cè)面(與第1周壁部42對(duì)向的面)62B具有撥液性。作為基板保持具PH的撥液化處理，能列舉涂布如上述的氟系列樹脂材料或丙烯酸系列樹脂材料等的撥液性材料、或貼附由前述撥液性材料構(gòu)成的薄膜的處理。此外，亦可將基材PHB全體(包含基板保持具PH的第1周壁部42及第2周壁部62) 以具有撥液性的材料(氟系列樹脂材料等)來形成。為使基板保持具PH或板構(gòu)件T具撥液性，亦可涂布上述感光材料或上涂層形成材料。此外，亦可將使用于基板保持具PH的撥液化處理的材料(氟系列樹脂材料或丙烯酸系列樹脂材料等)涂布于基板P的背面1 或側(cè)面Pc。若在加工上或精度上難以使基材PHB表面具撥液性時(shí)，基材PHB的任何表面區(qū)域亦可不具撥液性。于基材PHB設(shè)有孔部56H，用以配置使基板P相對(duì)基材PHB升降的第1升降構(gòu)件 56?？撞?6H設(shè)于第1周壁部42內(nèi)側(cè)(亦即第1空間31內(nèi)側(cè))的3處(參照?qǐng)D3)?？刂蒲b置C0NT，通過未圖標(biāo)的驅(qū)動(dòng)裝置控制第1升降構(gòu)件56的升降動(dòng)作。于基材PHB設(shè)有孔部57H，用以配置使板構(gòu)件T相對(duì)基材PHB升降的第2升降構(gòu)件57。本實(shí)施例中，孔部57H設(shè)于第2周壁部62與第3周壁部63間(亦即第2空間32內(nèi)側(cè))的4處(參照?qǐng)D幻?？刂蒲b置C0NT，通過未圖標(biāo)的驅(qū)動(dòng)裝置控制第2升降構(gòu)件57的升降動(dòng)作。如圖6所示，第1升降構(gòu)件56，能在保持基板P的背面1 的狀態(tài)下上升。借由第 1升降構(gòu)件56保持基板P的背面1 并上升，而能使基板P與第1保持部PHl分離。同樣地，第2升降構(gòu)件57，能在保持板構(gòu)件T的背面Tb的狀態(tài)下上升。如上所述，由于板構(gòu)件T 是不同于基材PHB的構(gòu)件，且設(shè)置成能拆裝于基板保持具PH的基材PHB，因此借由第2升降構(gòu)件57保持板構(gòu)件T的背面Tb并上升，而能使板構(gòu)件T與第2保持部PH2分離。當(dāng)交換板構(gòu)件T時(shí)，控制裝置C0NT，是在解除第2保持部PH2對(duì)板構(gòu)件T的吸附保持后，使第2升降構(gòu)件57上升。第2升降構(gòu)件57，即在保持板構(gòu)件T的背面Tb的狀態(tài)下上升。接著，未圖標(biāo)的搬送臂，進(jìn)入借由第2升降構(gòu)件57而上升的板構(gòu)件T與基板保持具PH 的基材PHB間，來支撐板構(gòu)件T的背面Tb。然后，搬送臂即從基板保持具PH的基材PHB (第 2保持部PH2)搬出板構(gòu)件T。另一方面，將新板構(gòu)件T安裝于基板保持具PH的基材PHB上時(shí)，控制裝置C0NT， 使用搬送臂將新板構(gòu)件T搬入基板保持具PH的基材PHB上。此時(shí)，第2升降構(gòu)件57已上升，搬送臂即將板構(gòu)件T移至已上升的第2升降構(gòu)件57。第2升降構(gòu)件57保持搬送臂所移交的板構(gòu)件T而下降。在使第2升降構(gòu)件57下降、并使板構(gòu)件T設(shè)置于第2保持部PH2上后，控制裝置CONT即驅(qū)動(dòng)第2真空系統(tǒng)60，使第2空間32成為負(fù)壓。借此，板構(gòu)件T即被吸附保持于第2保持部PH2。此外，板構(gòu)件T對(duì)基材PHB的定位，可于基材PHB與板構(gòu)件T的至少一方設(shè)置機(jī)械基準(zhǔn)，并使用該機(jī)械基準(zhǔn)，或設(shè)置專用的對(duì)準(zhǔn)傳感器，再使用該傳感器亦可。例如，預(yù)先在各基材PHB與板構(gòu)件T設(shè)置標(biāo)記，并以光學(xué)方式檢測(cè)各標(biāo)記，根據(jù)該檢測(cè)結(jié)果調(diào)整基材PHB與板構(gòu)件T的相對(duì)位置，借此使板構(gòu)件T吸附保持于基材PHB的既定位置。當(dāng)搬出已結(jié)束曝光處理的基板P時(shí)，控制裝置C0NT，在解除第1保持部PHl對(duì)基板 P的吸附保持后，使第1升降構(gòu)件56上升。第1升降構(gòu)件56，是在保持基板P的背面1 的狀態(tài)下上升。接著，未圖標(biāo)的搬送臂，進(jìn)入借由第1升降構(gòu)件56而上升的基板P與基板保持具PH的基材PHB間，來保持基板P的背面此。然后，搬送臂即從基板保持具PH的基材 PHB (第1保持部PHl)搬出(卸載)基板P。另一方面，若將待進(jìn)行曝光處理的新基板P搬入基板保持具PH的基材PHB上時(shí)， 控制裝置C0NT，即使用搬送臂將新基板P搬入(裝載)于基板保持具PH的基材PHB上。此時(shí)，第1升降構(gòu)件56已上升，搬送臂即將基板P移至已上升的第1升降構(gòu)件56。第1升降構(gòu)件56保持搬送臂所移交的基板P而下降。在使第1升降構(gòu)件56下降、并將基板P設(shè)置于第1保持部PHl后，控制裝置CONT即驅(qū)動(dòng)第1真空系統(tǒng)40，使第1空間31成為負(fù)壓。借此，基板P即吸附保持于第1保持部PH1。如上所述，控制裝置C0NT，由于能獨(dú)立進(jìn)行第1真空系統(tǒng)40的吸附動(dòng)作與第2真空系統(tǒng)60的吸附動(dòng)作，因此能獨(dú)立且以個(gè)別的時(shí)間點(diǎn)，來執(zhí)行隨基板P搬入及搬出的第1 保持部PHl的吸附保持及吸附保持解除動(dòng)作、與隨板構(gòu)件T搬入及搬出的第2保持部PH2 的吸附保持及吸附保持解除動(dòng)作。本實(shí)施例中，為使板構(gòu)件T能拆裝于基材PHB而設(shè)置了第2升降構(gòu)件57，因此能圓滑地進(jìn)行板構(gòu)件T的更換作業(yè)(搬出作業(yè))。此外，本實(shí)施例中，板構(gòu)件T雖使用第2升降構(gòu)件57而能自動(dòng)交換的構(gòu)成，但亦能省略第2升降構(gòu)件57。此時(shí)，是由作業(yè)員等在已解除板構(gòu)件T的吸附的狀態(tài)下實(shí)施板構(gòu)件 T的交換。其次，參照?qǐng)D7的流程圖說明使用上述曝光裝置EX來使基板P曝光的方法。其前提為，在使用如上述基板載臺(tái)PST上的光學(xué)傳感器來使基板P曝光前，測(cè)量通過液體LQ的投影光學(xué)系統(tǒng)PL的成像特性，并根據(jù)該測(cè)量結(jié)果，進(jìn)行投影光學(xué)系統(tǒng)PL的成像特性調(diào)整(校準(zhǔn))處理。使用基板對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)95及掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)96等，來測(cè)量基板對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)95的檢測(cè)基準(zhǔn)位置與圖案像的投影位置的位置關(guān)系(基線量)。此處，本實(shí)施例中的曝光裝置EX，是使掩模M與基板P—邊沿X軸方向(掃描方向)移動(dòng)一邊將掩模M的圖案像投影曝光于基板P，在進(jìn)行掃描曝光時(shí)，通過液浸區(qū)域AR2 的液體LQ及投影光學(xué)系統(tǒng)PL，使掩模M的一部分圖案像投影于投影區(qū)域ARl內(nèi)，并與掩模M 以速度V沿-X方向(或+X方向)的移動(dòng)同步，基板P相對(duì)投影區(qū)域ARl以速度β · ν(β 為投影倍率)沿+X方向(或-X方向)移動(dòng)。如圖4所示，于基板P上將多個(gè)照射區(qū)域Sl S24設(shè)定成矩陣狀，在對(duì)1個(gè)照射區(qū)域的曝光結(jié)束后，借由基板P的步進(jìn)移動(dòng)使次一照射區(qū)域移動(dòng)至加速開始位置，之后，即以步進(jìn)掃描方式一邊移動(dòng)基板P —邊依序?qū)Ω髡丈鋮^(qū)域 Sl SM進(jìn)行掃描曝光處理。
將基板P裝載于基板保持具PH (將板構(gòu)件T吸附保持于第2保持部PH2)后，控制裝置C0NT，即使用基板對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)95，在不通過液體的狀態(tài)下依序檢測(cè)形成于基板P上的多個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記AM(步驟SAl)?；鍖?duì)準(zhǔn)系統(tǒng)95在檢測(cè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記AM時(shí)的基板載臺(tái)PST (基板保持具PH)位置，是由激光干涉儀94來測(cè)量。借此，能測(cè)量在激光干涉儀94所規(guī)定的坐標(biāo)系統(tǒng)內(nèi)的各對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記AM的位置數(shù)據(jù)。使用基板對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)95及激光干涉儀94所檢測(cè)出的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記AM位置數(shù)據(jù)的檢測(cè)結(jié)果，即輸出至控制裝置C0NT?；鍖?duì)準(zhǔn)系統(tǒng)95，是于被激光干涉儀94規(guī)定的坐標(biāo)系統(tǒng)內(nèi)具有檢測(cè)基準(zhǔn)位置，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記AM位置數(shù)據(jù)，是被檢測(cè)出以作為與其檢測(cè)基準(zhǔn)位置的偏差。其次，控制裝置C0NT，根據(jù)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記AM位置數(shù)據(jù)的檢測(cè)結(jié)果，借由運(yùn)算處理(EGA 處理)求出基板P上的多個(gè)照射區(qū)域Sl S24的各位置數(shù)據(jù)(步驟SA》。本實(shí)施例中，是借由例如特開昭61-444 號(hào)公報(bào)所揭示的所謂EGA (Enhanced Global Alignment，增強(qiáng)型全晶圓對(duì)準(zhǔn))方式來求出照射區(qū)域Sl S24的位置數(shù)據(jù)。當(dāng)結(jié)束如上所述的處理后，控制裝置C0NT，即移動(dòng)基板載臺(tái)PST，使形成于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)鹊囊航^(qū)域AR2移動(dòng)至基板P上。借此，將液浸區(qū)域AR2形成于投影光學(xué)系統(tǒng)PL與基板P之間。接著，將液浸區(qū)域AR2形成于基板P上后，即對(duì)基板P的各多個(gè)照射區(qū)域依序投影圖案像來進(jìn)行液浸曝光(步驟SA3)。更具體而言，是根據(jù)在步驟SA2所求的各照射區(qū)域Sl SM位置數(shù)據(jù)、及控制裝置CONT所儲(chǔ)存的基板對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)95的檢測(cè)基準(zhǔn)位置與圖案像的投影位置的位置關(guān)系(基線量)，來移動(dòng)基板載臺(tái)PST，并一邊使基板P 上的各照射區(qū)域Sl SM與圖案像對(duì)齊，一邊進(jìn)行各照射區(qū)域的液浸曝光處理。當(dāng)結(jié)束基板P上的各照射區(qū)域Sl S24的掃描曝光后，控制裝置C0NT，即在將液體LQ保持于投影光學(xué)系統(tǒng)PL像面?zhèn)鹊臓顟B(tài)下、或在將投影光學(xué)系統(tǒng)PL像面?zhèn)鹊囊后wLQ 回收后，將該已結(jié)束曝光處理的基板P從基板載臺(tái)PST卸載，并將處理前的基板裝載于基板載臺(tái)PST (步驟SA4)。此外，當(dāng)對(duì)設(shè)于基板P的邊緣區(qū)域E的照射區(qū)域Si、S4、S21、SM等進(jìn)行液浸曝光時(shí)、或如上所述通過液體LQ來測(cè)量基準(zhǔn)部300的基準(zhǔn)標(biāo)記MFM時(shí)，是將液體LQ的液浸區(qū)域 AR2 —部分或全部形成于板構(gòu)件T的表面Ta。當(dāng)于基板保持具PH上設(shè)有上述光學(xué)傳感器時(shí)，在使用該光學(xué)傳感器進(jìn)行通過液體LQ的測(cè)量時(shí)，亦將液體LQ的液浸區(qū)域AR2 —部分或全部形成于板構(gòu)件T的表面Ta。此種情形下，由于板構(gòu)件T的表面Ta具撥液性，因此使用液體回收機(jī)構(gòu)20即能良好地回收液體LQ，而能抑制液體LQ殘留于板構(gòu)件T上的不良情形的產(chǎn)生。當(dāng)液體LQ殘留于板構(gòu)件T上時(shí)，會(huì)因該殘留的液體LQ氣化而產(chǎn)生曝光精度劣化的不良情形，例如板構(gòu)件T變形，或因基板P所放置的環(huán)境(溫度、濕度)變動(dòng)，而使測(cè)量基板P位置數(shù)據(jù)等的各種測(cè)量光的光路隨的變動(dòng)等。殘留的液體氣化后，有可能會(huì)使液體的附著痕跡(即水痕)產(chǎn)生于板構(gòu)件T，而亦成為使基準(zhǔn)部300等的污染的要因。本實(shí)施例中，由于能防止液體LQ殘留于板構(gòu)件T上，因此能防止起因殘留的液體LQ造成曝光精度及測(cè)量精度劣化。欲使設(shè)于基板P的邊緣區(qū)域E的照射區(qū)域曝光時(shí)，雖形成于基板P上的液浸區(qū)域 AR2 —部分會(huì)形成于板構(gòu)件T上，但因基板P的表面1 與板構(gòu)件T的表面Ta為大致同一面高，且在基板P邊緣部與設(shè)于其周圍的板構(gòu)件T的表面Ta間幾乎沒有段差，因此能良好地維持液浸區(qū)域AR2的形狀，防止液浸區(qū)域AR2的液體LQ流出、或氣泡混入液浸區(qū)域AR2的液體LQ中等不良情形產(chǎn)生。欲使設(shè)于基板P的邊緣區(qū)域E的照射區(qū)域曝光時(shí)，液體LQ的液浸區(qū)域AR2雖會(huì)形成于間隙A上，但由于間隙A設(shè)定成低于既定值(本實(shí)施例中設(shè)定于0. 1 1. Omm左右)， 且基板P的表面1 及板構(gòu)件T的表面Ta具撥液性、形成間隙A的基板P的側(cè)面Pc與板構(gòu)件T的側(cè)面Tc亦具撥液性，因此借由液體LQ的表面張力，能抑制液浸區(qū)域AR2的液體LQ 通過間隙A而滲入基板P的背面1 側(cè)或板構(gòu)件T的背面Tb側(cè)。再者，本實(shí)施例中，由于在基板P的缺口部(切欠部)NT亦確保了基板P與板構(gòu)件T間的間隙，因此亦能防止液體LQ 從缺口部NT附近滲入。假設(shè)即使液體LQ通過間隙A而滲入基板P的背面1 側(cè)或板構(gòu)件T的背面Tb側(cè)時(shí)，由于板構(gòu)件τ的背面Tb具撥液性，且與該背面Tb對(duì)向的第2周壁部62上面62A亦具撥液性，因此能防止液體LQ通過間隙A滲入第2空間32。據(jù)此，能防止液體LQ通過位于第 2空間32內(nèi)側(cè)的第2吸引口 61而滲入第2真空系統(tǒng)60。由于基板P的背面1 、和與該背面1 對(duì)向的第1周壁部42上面42A緊貼，因此亦能防止液體LQ滲入第1空間31。借此， 能防止液體LQ通過位于第1空間31內(nèi)側(cè)的第1吸引口 41滲入第1真空系統(tǒng)40。欲使設(shè)于基板P的邊緣區(qū)域E的照射區(qū)域曝光時(shí)，有可能會(huì)因投影區(qū)域ARl超出基板P外側(cè)，使曝光用光EL照射于板構(gòu)件T的表面Ta，而因該曝光用光EL的照射使表面 Ta的撥液性劣化。特別是，當(dāng)被覆于板構(gòu)件T的撥液性材料為氟系列樹脂且曝光用光EL 是紫外光時(shí)，該板構(gòu)件T的撥液性則更容易劣化(易成為親液性)。本實(shí)施例中，由于板構(gòu)件T設(shè)置成能拆裝于第2保持部PH2，而能加以更換，因此控制裝置CONT能視板構(gòu)件T (表面Ta)的撥液性劣化程度，將具有該撥液性劣化的表面Ta的板構(gòu)件T與新(具有充分撥液性)板構(gòu)件T更換，借此能防止液體LQ從板構(gòu)件T與基板P之間隙滲入、或液體LQ殘留于板構(gòu)件T上等不良情形產(chǎn)生。作為更換板構(gòu)件T的時(shí)間點(diǎn)，是能以預(yù)先設(shè)定的既定間隔，例如就既定基板處理片數(shù)或就既定時(shí)間間隔等來更換板構(gòu)件T。或者，亦可借由實(shí)驗(yàn)或仿真預(yù)先求出曝光用光 EL的照射量(照射時(shí)間、照度)與板構(gòu)件T的撥液性等級(jí)的關(guān)系，并根據(jù)該所求出的結(jié)果， 來設(shè)定更換板構(gòu)件T的時(shí)間點(diǎn)。板構(gòu)件T的更換時(shí)間點(diǎn)，是視板構(gòu)件表面的撥液性劣化程度來決定。撥液性劣化的評(píng)估，例如能借由以顯微鏡或目視觀察表面、或?qū)⒁坏我后w滴于評(píng)估面再以顯微鏡或目視來觀察液體狀態(tài)、或測(cè)定液體的接觸角來加以進(jìn)行。將上述評(píng)估以與曝光用光等紫外線的累積照射量(累積脈沖數(shù))的關(guān)系預(yù)先儲(chǔ)存于控制裝置C0NT，借此， 控制裝置CONT能從該關(guān)系決定板構(gòu)件T的使用壽命、亦即更換時(shí)間(時(shí)期)。由于形成基板保持具PH上面的板構(gòu)件T是吸附保持于第2保持部PH2的構(gòu)成，因此與例如將板構(gòu)件T與基材PHB以螺栓等連結(jié)的構(gòu)造相較，能防止局部力量施加在板構(gòu)件 T或基材PHB。據(jù)此，能防止板構(gòu)件T或基材PHB的變形，而能良好地維持板構(gòu)件T或基板 P的平坦度。如上所述，本實(shí)施例的基板保持具PH中，第1周壁部42的上面42A、第1支撐部 46的上面46A、第2支撐部66的上面66A、第2周壁部62的上面62A、以及第3周壁部63 的上面63A，雖稍有高度的差距，但為大致相同的高度。且用以形成基板保持具PH上面的板構(gòu)件T，形成為能拆裝于第2保持部PH2的構(gòu)成。據(jù)此，如圖8的示意圖所示，在制造基板保持具PH時(shí)，即使對(duì)上述各上面42A、46A、62A、63A、66A進(jìn)行拋光處理等既定處理時(shí)，亦能以良好作業(yè)性處理各上面42A、46A、62A、63A、66A。例如，欲將第1保持部PHl形成為低于第2 保持部PH2的情形下，雖能圓滑地對(duì)第2保持部PH2上面施以上述拋光處理，但由于第1保持部PHl是相對(duì)第2保持部PH2凹陷，因此難以對(duì)第1保持部PHl進(jìn)行拋光處理。本實(shí)施例中，由于第1保持部PHl上面與第2保持部PH2上面為大致相同高度，因此能圓滑地對(duì)各第1保持部PHl上面與第2保持部PH2上面施以上述處理。進(jìn)行拋光處理時(shí)，由于能大致同時(shí)對(duì)各第1保持部PHl上面與第2保持部PH2上面施以拋光處理，因此能以良好作業(yè)性進(jìn)行處理。此外，上述實(shí)施例中，雖為了對(duì)板構(gòu)件T的表面Ta、側(cè)面Tc、及背面Tb的全面施以撥液性處理而被覆撥液性材料，但側(cè)面Tc及背面Tb亦能視需要選擇性地使其具撥液性。例如，亦可是僅對(duì)形成間隙A的區(qū)域(亦即板構(gòu)件T的側(cè)面Tc)、與形成間隙B的區(qū)域(亦即板構(gòu)件T的背面Tb中與第2周壁部62對(duì)向的上面62A的區(qū)域)進(jìn)行撥液化處理的構(gòu)成。 或者，由于若將間隙B作得充分小、或?qū)⒂靡赃M(jìn)行撥液化處理的涂布材料的撥液性(接觸角)作得充分大的話，液體LQ通過間隙A流入第2空間32的可能性即會(huì)降得更低，因此亦可是不對(duì)形成間隙B的板構(gòu)件T的背面Tb施以撥液化處理、而僅對(duì)板構(gòu)件T的側(cè)面Tc進(jìn)行撥液化處理的構(gòu)成。本實(shí)施例中，如圖9所示，設(shè)定第2保持部PH2的第2周壁部62與第2支撐部66 的高度，假設(shè)液體LQ從保持于第1保持部PHl的基板P與保持于第2保持部PH2的板構(gòu)件 T間的間隙A滲入時(shí)，從該間隙A滲入的液體LQ會(huì)被吸引至板構(gòu)件T的背面Tb側(cè)。換言之，設(shè)定第2保持部PH2的第2周壁部62上面62A、與第2支撐部66所吸附保持的板構(gòu)件 T背面Tb間的間隙，以使成從間隙A滲入的液體LQ，會(huì)因形成于板構(gòu)件T背面Tb側(cè)的第2 吸引口 61的吸引動(dòng)作被吸引至板構(gòu)件T背面Tb側(cè)。進(jìn)一步地，將支撐于第2支撐部66的板構(gòu)件T背面Tb和與其背面Tb的基材PHB上面的間隙F，以最佳的方式設(shè)定成從間隙A滲入的液體LQ，會(huì)因形成于板構(gòu)件T背面Tb側(cè)的第2吸引口 61的吸引動(dòng)作被吸引至板構(gòu)件 T背面Tb側(cè)。本實(shí)施例中，間隙F為50 μ m左右。由于基板P的背面1 與第1周壁部42 的上面42A為緊貼，因此當(dāng)通過第2吸引口 61吸引第2空間32內(nèi)的氣體時(shí)，于板構(gòu)件T的背面作與第2周壁部62的上面62A間的間隙，會(huì)產(chǎn)生從第2周壁部62外側(cè)向第2空間32 的氣流。借此，即使液浸區(qū)域AR2的液體LQ滲入間隙A，該滲入的液體LQ，亦不會(huì)轉(zhuǎn)向基板 P的背面1 側(cè)，而會(huì)通過間隙B流入形成于板構(gòu)件T的背面Tb側(cè)的第2空間32，并從形成于板構(gòu)件τ的背面Tb側(cè)的第2吸引口 61回收。本實(shí)施例中，間隙B，是于基板P外側(cè)沿基板P邊緣連續(xù)形成而包圍基板P。據(jù)此， 即使液體LQ從間隙A的任何位置(包含基板P的缺口部(切口部)NT附近)滲入，皆能使該液體LQ通過間隙B流入基板P外側(cè)的第2空間32，而從第2吸引口 61圓滑地回收。如此，即使液體LQ從間隙A滲入，該滲入的液體LQ亦不會(huì)轉(zhuǎn)向(不流入)基板P 的背面1 側(cè)，而會(huì)通過間隙B被吸引至板構(gòu)件T的背面Tb側(cè)，因此能防止因液體LQ轉(zhuǎn)向基板P的背面1 側(cè)使基板P平坦度劣化等不良情形產(chǎn)生。另一方面，板構(gòu)件T，由于更換頻率較基板P低，且相較于基板P較不要求高平坦度，因此即使液體LQ轉(zhuǎn)向板構(gòu)件T的背面Tb側(cè)亦無大礙。本實(shí)施例中，是兼用吸附保持板構(gòu)件T的第2吸引口 61與回收從間隙A滲入的液體LQ的液體回收口的構(gòu)成，且第2保持部PH2，至少在基板P的曝光中是一吸附保持板構(gòu)件T的構(gòu)成。據(jù)此，第2吸引口(液體回收口)61，至少在基板P的曝光中是一隨時(shí)回收從間隙A滲入的液體LQ的構(gòu)成。如此，能確實(shí)地防止從間隙A滲入的液體LQ轉(zhuǎn)向基板P的背面1 側(cè)。當(dāng)液體LQ滲入基板P的背面1 側(cè)時(shí)，雖有可能產(chǎn)生基板P與第1保持部PHl 因液體而吸附，而無法以第1升降構(gòu)件56圓滑地使基板P上升的不良情形，但借由防止液體LQ滲入基板P的背面1 側(cè)，而能防止如上述的不良情形產(chǎn)生。此外，本實(shí)施例中，如圖9所示，在連接于第2吸引口 61的流路65途中配置有多孔體68。能以多孔體68來捕捉通過第2吸引口 61回收、而流動(dòng)于流路65的液體LQ。借由此方式，能防止液體LQ流入第2真空系統(tǒng)60的不良情形。以多孔體68捕捉的液體LQ，是能使其在流路65內(nèi)氣化。由于通過第2吸引口 61回收的液體LQ是微量，因此以多孔體68 捕捉的液體LQ能在流路65內(nèi)氣化。此外，亦可將網(wǎng)構(gòu)件配置于流路65來代替多孔體68。 或在連接第2吸引口 61與第2真空系統(tǒng)60的流路65途中，設(shè)置將從第2吸引口 61回收的液體LQ與氣體分離的氣液分離器，借此亦能防止液體LQ流入第2真空系統(tǒng)60?；蛞嗫稍诹髀?5途中的既定區(qū)域設(shè)置較其它區(qū)域大的緩沖空間，并以此緩沖空間來捕捉液體LQ， 以防止液體U!流入第2真空系統(tǒng)60。本實(shí)施例中，借由使基板P的背面1 與第1周壁部42的上面42A緊貼，亦即，借由使基板P的背面1 與第1周壁部42的上面42A間的間隙D大致為零，而能確實(shí)防止從間隙A滲入的液體LQ，通過基板P的背面1 與第1周壁部42的上面42A間滲入第1空間 31側(cè)。另一方面，在基板P的背面1 與第1周壁部42的上面42A間形成間隙D時(shí)，借由將間隙B、間隙D、第1空間31的負(fù)壓以及第2空間32的負(fù)壓，設(shè)定成往間隙B的液體LQ吸引力會(huì)大于往間隙D的液體LQ吸引力，而能使從間隙A滲入的液體LQ圓滑地被吸引至板構(gòu)件T的背面Tb側(cè)，防止從間隙A滲入的液體LQ轉(zhuǎn)向基板P的背面1 側(cè)的不良情形。此外，上述實(shí)施例中，第2吸引口 61，雖于第2周壁部62與第3周壁部63間的基材PHB上面(與板構(gòu)件T的背面Tb對(duì)向的面)形成大致多個(gè)且相同形狀，但亦可將多個(gè)第 2吸引口 61中一部分的第2吸引口 61，例如于第2周壁部62與第3周壁部63間的基材 PHB上面中，于第2周壁部62附近、沿第2周壁部62形成多個(gè)狹縫狀。借此方式，能更圓滑地回收通過間隙B流入第2空間32的液體LQ。此外，上述實(shí)施例中，第2周壁部62雖形成為俯視呈圓環(huán)狀，且間隙B連續(xù)形成而包圍基板P，但亦可借由使第2周壁部62的高度局部不同，而將間隙B形成為不連續(xù)。上述實(shí)施例中，雖借由將第2周壁部62與第3周壁部63形成于基材PHB上，而形成用以吸附保持板構(gòu)件T的第2空間32，但亦可將環(huán)狀周壁部(第2外壁部)設(shè)置于第1 周壁部42外側(cè)的多處，借由分別使環(huán)狀周壁部所包圍的空間成為負(fù)壓，來將板構(gòu)件T保持于配置在該環(huán)狀周壁部外側(cè)的多個(gè)凸?fàn)顦?gòu)件(銷狀構(gòu)件)上。此時(shí)，借由將液體LQ的吸引口設(shè)于環(huán)狀周壁部外側(cè)，而能從該吸引口回收從間隙A滲入的液體LQ。特別是，借由使板構(gòu)件T的背面Tb和與其背面Tb的基材PHB上面的間隙F最佳化，能使從間隙A滲入的液體 LQ不會(huì)轉(zhuǎn)向基板P的背面1 側(cè)，而會(huì)通過設(shè)于板構(gòu)件T背面Tb側(cè)的吸引口被吸引回收。此外，上述實(shí)施例中，板構(gòu)件T與基板保持具PH雖能分離，但亦可將板構(gòu)件T與基板保持具PH —體形成。另一方面，借由將板構(gòu)件T與基板保持具PH作成彼此獨(dú)立的構(gòu)件、 且以第2保持部PH2保持板構(gòu)件T的構(gòu)成，而能容易地形成間隙B，且能圓滑地進(jìn)行用以使第2周壁部62的上面62A或第2支撐部66等具撥液性的處理。
上述實(shí)施例中，雖基板P厚度與板構(gòu)件T厚度為大致相同、且間隙B與間隙D的Z 軸相關(guān)位置為大致相同，但亦可是互異的位置。例如，間隙B在Z軸的位置，亦可是較間隙 D更高的位置。借此，能使從間隙A滲入的液體LQ在到達(dá)基板P背面(間隙D)之前，通過間隙B從第2吸引口 61加以回收，能更確實(shí)地防止液體LQ滲入基板P的背面1 側(cè)的第1 空間31。上述實(shí)施例中，第2周壁部62的上面62A和與該上面62A對(duì)向的板構(gòu)件T背面 Tb,雖相對(duì)XY平面為大致平行(亦即水平面)，但亦可在確保間隙B的狀態(tài)下使間隙B相對(duì) XY平面傾斜。上述實(shí)施例中，板構(gòu)件T的背面Tb與第2周壁部62的上面62A全區(qū)雖為對(duì)向，但亦可將第2周壁部62的直徑作成稍微小于板構(gòu)件T的孔部TH，或?qū)⑸厦?2A的寬度作成較大，使第2周壁部62的上面62A —部分與間隙A(或基板P的背面Pb)對(duì)向。上述實(shí)施例中，雖于第1周壁部42與第2周壁部62間形成有凹部而形成間隙C， 但第1周壁部42與第2周壁部62亦可連續(xù)。亦即，可設(shè)置一個(gè)寬廣周壁部來代替第1周壁部42與第2周壁部62。此時(shí)，亦可使第2空間的負(fù)壓與第1空間的負(fù)壓相異，以將從間隙 A滲入的液體LQ吸引至間隙B，或亦可于該周壁部上面設(shè)置段差或傾斜，以使該寬廣周壁部上面與基板P的背面1 的間隙B’，和該周壁部上面與板構(gòu)件T的背面Tb的間隙D’相異。此外，上述實(shí)施例中，雖以使用液浸曝光裝置(通過液體LQ使掩模M的圖案像投影于基板P)的情形為例進(jìn)行了說明，但當(dāng)然亦能適用于通常的干式曝光裝置(在不通過液體LQ的狀態(tài)下使掩模M的圖案像投影于基板P)。由于形成基板載臺(tái)PST上面的板構(gòu)件T， 是被第2保持部PH2吸附保持而能拆裝(能更換)于基材PHB，因此例如當(dāng)在板構(gòu)件T上或基準(zhǔn)部300有異物(不純物)附著、污染、或破損時(shí)等，能圓滑地與新板構(gòu)件更換?！吹?實(shí)施例〉其次，說明基板載臺(tái)PST(基板保持具PH)的第2實(shí)施例。以下說明中，對(duì)與上述第1實(shí)施例相同或同等的構(gòu)造部分賦予相同符號(hào)，簡(jiǎn)略或省略其說明。亦省略與第1實(shí)施例共通的變形例的說明。圖10中，于第2周壁部62與第3周壁部63間的基材PHB上面，設(shè)有包圍該第2周壁部62的俯視呈大致圓環(huán)狀的中間周壁部162。中間周壁部162，形成為稍微低于第2支撐部66，或形成為與第2支撐部66大致相同高度，中間周壁部162的上面162A與板構(gòu)件T 的背面Tb為大致緊貼。以基材PHB、中間周壁部162、第3周壁部63、以及板構(gòu)件T來形成第2空間32。通過流路65連接于第2真空系統(tǒng)60的第2吸引口 61，形成于對(duì)應(yīng)第2空間 32的基材PHB上面(中間周壁部162與第3周壁部63間的基材PHB上面)。第2真空系統(tǒng)60，是從第2吸引口 61吸引第2空間32的氣體，而使該第2空間32成為負(fù)壓，借此吸附保持板構(gòu)件T。借由以基材PHB、第2周壁部62、中間周壁部162、以及板構(gòu)件T，來形成不同于第 2空間32的空間167。于第2周壁部62與中間周壁部162間的基材PHB上面，設(shè)有用以回收從間隙A滲入的液體LQ的液體回收口 161。液體回收口 161，是于第2周壁部62與第3 周壁部63間的基材PHB上面中，于第2周壁部62附近、沿第2周壁部62形成多個(gè)狹縫狀。 液體回收口 161，是通過流路165連接于回收用真空系統(tǒng)160。控制裝置C0NT，能分別獨(dú)立控制第1真空系統(tǒng)40、第2真空系統(tǒng)60、以及回收用真空系統(tǒng)160的動(dòng)作。于第2周壁部62與中間周壁部162間設(shè)有支撐板構(gòu)件T的背面Tb的第2支撐部66，。此外，亦可不設(shè)置第2周壁部62與中間周壁部162間的第2支撐部66。亦可使中間周壁部162的上面162A與第2周壁部62的上面62A同樣地具撥液性。亦可于中間周壁部 162的上面162A與板構(gòu)件T的背面Tb間形成微小間隙。圖10所示的實(shí)施例中，在包含基板P曝光中的既定期間內(nèi)，控制裝置CONT，借由驅(qū)動(dòng)第1、第2真空系統(tǒng)40，60而使第1、第2空間31，32成為負(fù)壓，來將各基板P與板構(gòu)件T 吸附保持于第1、第2保持部PH1，PH2。此處，于基板P的曝光中，控制裝置CONT停止回收用真空系統(tǒng)160的驅(qū)動(dòng)。借由對(duì)基板P進(jìn)行液浸曝光，而有可能使液體積存于間隙A上或間隙A內(nèi)側(cè)。通過間隙A滲入的液體LQ，亦有可能積存于第1周壁部42與第2周壁部62間的空間168?？刂蒲b置CONT在結(jié)束基板P的曝光后，即如參照?qǐng)D6所說明般，將曝光結(jié)束的基板P與新基板P更換?？刂蒲b置C0NT，是在從第1保持部PHl拆下基板P之前，開始進(jìn)行回收用真空系統(tǒng)160的驅(qū)動(dòng)，通過間隙B及液體回收口 161來吸引回收積存于空間168等的液體LQ(此動(dòng)作，是接續(xù)圖7的步驟SA3)。雖亦可在更換基板P中持續(xù)回收用真空系統(tǒng)160的驅(qū)動(dòng)，但將新基板P裝載于基板保持部PHl時(shí)，為防止因振動(dòng)等造成基板P的偏移等，最好是先停止回收用真空系統(tǒng)160的驅(qū)動(dòng)。此外，由于在連接液體回收口 161與回收用真空系統(tǒng)160的流路165設(shè)有上述氣液分離器等，因此即使通過液體回收口 161來回收液體LQ，亦能防止液體LQ流入回收用真空系統(tǒng)160。如此，借由除了設(shè)置第2吸引口 61 (用以使基材PHB、中間周壁部162、第3周壁部 63、以及板構(gòu)件T所包圍的第2空間32成為負(fù)壓)以外，另外將回收從間隙A滲入的液體 LQ的液體回收口 161設(shè)于基材PHB上，而能分別獨(dú)立進(jìn)行使用第2吸引口 61的板構(gòu)件T的吸附保持動(dòng)作、與使用液體回收口 161的液體回收動(dòng)作。據(jù)此，由于能在基板P的曝光中停止回收用真空系統(tǒng)160的驅(qū)動(dòng)，因此能抑制隨著回收用真空系統(tǒng)160的驅(qū)動(dòng)所產(chǎn)生的振動(dòng)對(duì)曝光的影響、或曝光中的液浸區(qū)域AR2的變動(dòng)。此外，參照?qǐng)D10所說明的本實(shí)施例中，若隨著回收用真空系統(tǒng)160的驅(qū)動(dòng)所產(chǎn)生的振動(dòng)對(duì)曝光的影響、或曝光中的液浸區(qū)域AR2的變動(dòng)較小時(shí)，于基板P的曝光中亦可驅(qū)動(dòng)回收用真空系統(tǒng)160。借此方式，由于與第2真空系統(tǒng)60使第2空間成為負(fù)壓這點(diǎn)配合， 回收用真空系統(tǒng)160亦使空間167成為負(fù)壓，因此第2保持部PH2能更穩(wěn)定地吸附保持板構(gòu)件T。借由在基板P的曝光中驅(qū)動(dòng)回收用真空系統(tǒng)160，由于能通過間隙B及液體回收口 161，良好地回收在基板P的曝光中從間隙A滲入的液體LQ，因此能更確實(shí)地防止液體LQ滲入基板P的背面1 側(cè)的第1空間31。此時(shí)，亦可將基板P曝光中的液體回收口 161的吸引量(吸引力)，設(shè)成小于基板 P曝光后的液體回收口 161的吸引量(吸引力)小，來防止隨著回收用真空系統(tǒng)160的驅(qū)動(dòng)所產(chǎn)生的振動(dòng)對(duì)曝光的影響或曝光中的液浸區(qū)域AR2的變動(dòng)。此外，上述第1、第2實(shí)施例中，形成于第2保持部PH2的第2周壁部62的上面62A 與板構(gòu)件T背面Tb間的間隙B，由于會(huì)成為在通過吸引口 61，161 (形成于第2周壁部62 內(nèi)側(cè))回收從間隙A滲入的液體LQ時(shí)的回收口(回收嘴)，因此亦能發(fā)揮調(diào)整吸引口(61， 161)的液體回收量的功能。據(jù)此，最好是將間隙B的大小，適當(dāng)設(shè)定成使從間隙A滲入的液體LQ量增加，而不變動(dòng)液浸區(qū)域AR2的狀態(tài)?！吹?實(shí)施例〉
圖11是顯示第3實(shí)施例的圖。此外，與第1、第2實(shí)施例共通的構(gòu)造或變形例，簡(jiǎn)略或省略其說明。圖11中，保持于第2保持部PH2的板構(gòu)件T，具有表面(第1面)Ta，與保持于第1保持部PHl的基板P表面1 大致同一面高；側(cè)面Tc，與基板P的側(cè)面Pc對(duì)向； 液體承受面Tg，是沿側(cè)面Tc設(shè)置，與表面Ta大致平行；以及對(duì)向面(第2面)Tj，是在第1 保持部PHl所保持的基板P周緣部與該基板P的背面1 對(duì)向。與上述實(shí)施例同樣地，板構(gòu)件T的表面Ta，形成為包圍基板P的表面1^。板構(gòu)件T的對(duì)向面Tj，形成為沿基板P周緣部的圓環(huán)狀。亦即，保持于第2保持部PH2的板構(gòu)件T，是沿保持于第1保持部PHl的基板 P周緣形成表面jTa與對(duì)向面Tj。本實(shí)施例中，于基板P表面1 的邊緣與板構(gòu)件T表面Ta 的邊緣間亦形成間隙A，該間隙A為0. 1 1. 0mm。承受面Tg，是設(shè)于較基板P與板構(gòu)件T間的間隙A下方。對(duì)向面Tj，是設(shè)在于Z 軸方向(+Z軸)較承受面Tg高的位置。接著，以側(cè)面Tc、承受面Tg、以及連續(xù)于對(duì)向面Tj 并與側(cè)面Tc對(duì)向的內(nèi)側(cè)面Th，來形成能保持液體LQ的凹部170。凹部170，能保持從間隙 A滲入的液體LQ。且，從基板P表面1 邊緣與板構(gòu)件T表面Ta邊緣的間隙A滲入的液體 LQ，保持于以基板P的側(cè)面Pc、板構(gòu)件T的側(cè)面Tc、承受面Tg所形成的空間173。保持于第1保持部PHl的基板P的背面Pb、與保持于第2保持部PH2的板構(gòu)件T 的對(duì)向面Tj為非接觸狀態(tài)，在該基板P的背面1 與板構(gòu)件T的對(duì)向面Tj間形成既定間隙G。保持于第1保持部PHl的基板P的背面Pb、與保持于第2保持部PH2的板構(gòu)件T的對(duì)向面Tj間的間隙G間隔，設(shè)定成使液體LQ無法滲入。本實(shí)施例中，間隙G的間隔設(shè)定為 50 μ m左右。借此，即使液體LQ從間隙A滲入，亦能防止該液體LQ通過間隙G漏出至空間 173外側(cè)(基板P的背面1 側(cè))。與上述實(shí)施例同樣地，板構(gòu)件T的表面Ta、背面Tb、以及側(cè)面Tc具有撥液性。進(jìn)一步地，板構(gòu)件T的承受面Tg、內(nèi)側(cè)面Th、以及對(duì)向面Tj亦具有撥液性。基板P的表面Pa、 背面Pb、以及側(cè)面Pc亦具有撥液性。如上所述，間隙G的間隔，雖設(shè)定成使液體LQ無法滲入，但由于形成該間隙G的基板P背面1 及板構(gòu)件T對(duì)向面Tj均具撥液性，因此能更確實(shí)地防止液體LQ通過間隙G漏出板構(gòu)件T外側(cè)。此外，如上所述，為防止液體LQ從間隙G滲入，板構(gòu)件T的對(duì)向面Tj雖最好是具撥液性，但側(cè)面Pc、承受面Tg、內(nèi)側(cè)面Th并不一定要具撥液性，亦可適當(dāng)選擇性地使其具撥液性。與參照?qǐng)D10所說明的實(shí)施例同樣地，保持板構(gòu)件T的第2保持部PH2，具有設(shè)于第 2周壁部62與第3周壁部63間的中間周壁部162。以基材PHB、中間周壁部162、第3周壁部63、以及板構(gòu)件T來形成第2空間32。第2吸引口 61，形成于對(duì)應(yīng)第2空間32的基材 PHB上面，第2真空系統(tǒng)60 (于圖11未圖標(biāo))，借由從第2吸引口 61吸引第2空間32的氣體使該第2空間32成為負(fù)壓，來吸附保持板構(gòu)件T。以基材PHB、第2周壁部62、中間周壁部162、以及板構(gòu)件T來形成空間167。通過流路165連接于回收用真空系統(tǒng)160的液體回收口 161，形成于對(duì)應(yīng)空間167的基材PHB上面。板構(gòu)件T中，在與液體回收口 161對(duì)向的位置形成有能使液體LQ流通的流路171。流路171是一貫穿板構(gòu)件T的承受面Tg與背面Tb的孔。保持于空間173的液體LQ，通過流路171流至空間167。從基板P表面1 邊緣與板構(gòu)件T表面Ta邊緣間的間隙A滲入的液體LQ，通過回收口 172(形成于板構(gòu)件T的承受面Tg、且連接于流路171上端部)從空間167內(nèi)的液體回收口 161回收。圖11所示的實(shí)施例中，在包含基板P曝光中的既定期間內(nèi)，控制裝置CONT，借由驅(qū)動(dòng)第1、第2真空系統(tǒng)40，60 (于圖11未圖標(biāo))而使第1、第2空間31，32成為負(fù)壓，來將各基板P與板構(gòu)件T吸附保持于第1、第2保持部PH1，PH2。此處，于基板P的曝光中，控制裝置CONT停止回收用真空系統(tǒng)160的驅(qū)動(dòng)。例如，對(duì)基板P進(jìn)行液浸曝光中液體LQ從間隙A滲入時(shí)，該液體即積存于空間 173?？刂蒲b置CONT在結(jié)束基板P的曝光后，即如參照?qǐng)D6所說明的，將曝光結(jié)束的基板P 與新基板P更換。控制裝置C0NT，是在從第1支撐部46卸下基板P前，開始進(jìn)行回收用真空系統(tǒng)160的驅(qū)動(dòng)，通過液體回收口 161來吸引空間167的氣體，借此使空間167成為負(fù)壓。 借由使空間167成為負(fù)壓，而能將積存于空間173的液體LQ，從板構(gòu)件T的回收口 172流入流路171，并流至空間167側(cè)。接著，流至空間167的液體LQ，即通過形成于空間167的基材PHB上的液體回收口 161，被吸引回收。如此，能以板構(gòu)件T來保持從間隙A滲入的液體LQ。接著，能以基板P的更換中等既定時(shí)間點(diǎn)，通過形成于板構(gòu)件T的液體回收口 172來回收該液體LQ。由于是在基板P 的曝光中停止回收用真空系統(tǒng)160的驅(qū)動(dòng)，因此能防止隨著回收用真空系統(tǒng)160的驅(qū)動(dòng)所產(chǎn)生的振動(dòng)對(duì)曝光的影響或曝光中的液浸區(qū)域AR2的變動(dòng)。此外，雖亦可在更換基板P中持續(xù)回收用真空系統(tǒng)160的驅(qū)動(dòng)，但將新基板P裝載于基板保持部PHl時(shí)，為防止因振動(dòng)等造成基板P的偏移等，最好是先停止回收用真空系統(tǒng)160的驅(qū)動(dòng)。雖亦可在基板P的曝光時(shí)驅(qū)動(dòng)回收用真空系統(tǒng)160，但此時(shí)為了不影響曝光精度、或?yàn)榱耸挂航^(qū)域AR2不產(chǎn)生變動(dòng)，最好是將空間167的負(fù)壓設(shè)為較低。<第4實(shí)施例>圖12是顯示第4實(shí)施例的圖。此外，與第1實(shí)施例或其變形例共通的構(gòu)成或變形例，簡(jiǎn)略或省略其說明。圖12中，用以回收從間隙A(位于第1保持部PHl所保持的基板P 與第2保持部PH2所保持的板構(gòu)件T間)滲入的液體LQ的液體回收口 181，設(shè)于基材PHB 上、第1空間31及第2空間32外側(cè)。具體而言，液體回收口 181，設(shè)于第1保持部PHl的第1周壁部42與第2保持部PH2的第2周壁部62間的基材PHB上面，且設(shè)于大致與間隙 A對(duì)向的位置。液體回收口 181，從俯視觀之，是沿第1周壁部42(第2周壁部6 形成多個(gè)狹縫狀。形成于基材PHB的液體回收口 181，連接于回收用真空系統(tǒng)180。于基材PHB上面形成有斜面182，其用以將保持于第1保持部PHl的基板P與保持于第2保持部PH2的板構(gòu)件T間的液體LQ聚集于液體回收口 181。斜面182，具有從第 1周壁部42向液體回收口 181傾斜的第1斜面182A、以及從第2周壁部62向液體回收口 181傾斜的第2斜面182B。此外，本實(shí)施例中，第2周壁部62的上面62A大致緊貼于板構(gòu)件T的背面Tb。圖12所示的實(shí)施例中，在包含基板P曝光中的既定期間內(nèi)，控制裝置CONT，借由驅(qū)動(dòng)第1、第2真空系統(tǒng)40，60(于圖12未圖標(biāo))而使第1、第2空間31，32成為負(fù)壓，來將各基板P與板構(gòu)件T吸附保持于第1、第2保持部PH1，PH2。此處，于基板P的曝光中，控制裝置CONT停止回收用真空系統(tǒng)180的驅(qū)動(dòng)。例如，即使在基板ρ的液浸曝光中，液體LQ從間隙A滲入，由于第1周壁部42的上面42A與基板P的背面Pb、以及第2周壁部62的上面62A與板構(gòu)件T的背面Tb大致緊貼，且第1周壁部42的上面42A與第2周壁部62的上面62A分別施有撥液處理，因此從間隙A滲入的液體LQ，不會(huì)滲入基板P背面1 側(cè)的第1空間31及板構(gòu)件T背面Tb側(cè)的第2 空間32，而會(huì)積存于間隙A上、間隙A內(nèi)側(cè)、或第1周壁部42與第2周壁部62間的空間。 控制裝置CONT在結(jié)束基板P的曝光后，即如參照?qǐng)D6所說明般，將曝光結(jié)束的基板P與新基板P更換?？刂蒲b置C0NT，是在從第1支撐部46拆下基板P前，開始進(jìn)行回收用真空系統(tǒng)180的驅(qū)動(dòng)，而從液體回收口 181來吸引回收液體LQ。由于在基材PHB上形成有用以將液體LQ聚集于液體回收口 181的斜面182，因此能從液體回收口 181良好地回收液體LQ。由于在基板P的曝光中停止回收用真空系統(tǒng)180的驅(qū)動(dòng)，因此能抑制隨著回收用真空系統(tǒng)180的驅(qū)動(dòng)所產(chǎn)生的振動(dòng)對(duì)曝光的影響或曝光中液浸區(qū)域AR2的變動(dòng)。此外，相對(duì)基板P的側(cè)面Pc與板構(gòu)件T的側(cè)面Tc的間隙A，借由將第1周壁部42 與第2周壁部62的間隙C、亦即將基板P與板構(gòu)件T從周壁部42、62突出的寬度作成較大， 而能確實(shí)地防止液體LQ滲入基板P背面1 側(cè)的第1空間以及板構(gòu)件T背面Tb側(cè)的第2 空間32。雖亦可在更換基板P中持續(xù)回收用真空系統(tǒng)180的驅(qū)動(dòng)，但將新基板P裝載于基板保持部PHl時(shí)，為防止因振動(dòng)等造成基板P的偏移等，最好是先停止回收用真空系統(tǒng)180 的驅(qū)動(dòng)。雖亦可在基板P的曝光時(shí)驅(qū)動(dòng)回收用真空系統(tǒng)180，但此時(shí)為了不使曝光精度劣化、或使液浸區(qū)域AR2產(chǎn)生變動(dòng)，最好是預(yù)先將回收用真空系統(tǒng)180的吸引力設(shè)成較小。本實(shí)施例中，雖第2周壁部62的上面62A與板構(gòu)件T的背面Tb為大致緊貼，但亦可形成微小間隙B。此時(shí)，如第1實(shí)施例或第2實(shí)施例所述，最好是預(yù)先作成將滲入第2周壁部62內(nèi)的液體LQ回收的構(gòu)成?！吹?實(shí)施例〉圖13是顯示本發(fā)明的第5實(shí)施例的圖。第5實(shí)施例為第1實(shí)施例的變形例，與第 1實(shí)施例共通的部分，簡(jiǎn)略或省略其說明。圖13中，用以回收從間隙A滲入的液體LQ的液體回收口，是與圖9所示的實(shí)施例同樣地，兼用為第2吸引口 61 (為吸附保持板構(gòu)件T而形成于第2空間32內(nèi)側(cè))。于第1空間31及第2空間32外側(cè)的基材PHB上面，形成有從第 1周壁部42(第1空間31)向第2周壁部62(第2空間32)傾斜的斜面192。斜面192，是設(shè)于大致與間隙A對(duì)向的位置，具有將從間隙A滲入的液體LQ聚集于第2周壁部62側(cè)的功能。例如在基板P的曝光中，從間隙A滲入的液體LQ，通過第1周壁部42與第2周壁部62間的空間以及間隙B流入第2空間32，而從第2吸引口 61吸引回收。由于在第1周壁部42與第2周壁部62間的基材PHB上面形成有斜面192，而能將液體LQ聚集于第2周壁部62側(cè)，因此能從第2吸引口 61良好地吸引回收從間隙A滲入的液體LQ。圖13的實(shí)施例中，亦可如第2實(shí)施例般配置中間周壁部162，亦可如圖12的第4 實(shí)施例般在第1周壁部42與第2周壁部62間設(shè)置液體LQ的回收用流路。上述實(shí)施例中，雖使第2周壁部62的上面及側(cè)面具有撥液性，但在容許液體LQ滲入板構(gòu)件T的背面?zhèn)鹊那樾蜗?，亦不需使?周壁部62的上面及側(cè)面具有撥液性，相反地亦可使第2周壁部62的上面及側(cè)面具有親液性。此時(shí)，亦可在板構(gòu)件T的背面?zhèn)仍O(shè)置用以回收液體LQ的回收口。
上述實(shí)施例中，板構(gòu)件T雖是以一片板狀構(gòu)件形成，但亦可以多片板構(gòu)件T來形成基板載臺(tái)PST的上面。亦可于第2保持部PH2付加調(diào)整板構(gòu)件T的Z軸方向位置(高度) 或傾斜度的功能，來使板構(gòu)件T的表面Ta與基板P的表面1 為大致同一面高?！吹?實(shí)施例〉其次，說明基板載臺(tái)PST(基板保持具PH)的另一實(shí)施例，特別是對(duì)第1實(shí)施例的變形例進(jìn)行說明。以下說明中，與上述實(shí)施例相同或同等的構(gòu)成部分賦予相同符號(hào)，簡(jiǎn)略或省略其說明。圖14是本實(shí)施例的基板載臺(tái)PST的俯視圖，圖15是基板載臺(tái)PST(基板保持具 PH)的側(cè)截面圖。圖14及圖15中，基板保持具PH，具備基材PHB;第1保持部PH1，形成于基材PHB，用以吸附保持基板P ；第2保持部PH2，形成于基材PHB，在吸附保持于第1保持部 PHl的基板P附近吸附保持第1板構(gòu)件Tl ；以及第3保持部PH3，形成于基材PHB，在吸附保持于第1保持部PHl的基板P附近吸附保持第2板構(gòu)件T2。第1板構(gòu)件Tl與第2板構(gòu)件 T2，是與基材PHB不同的構(gòu)件，設(shè)置成能拆裝于基板保持具PH的基材PHB，而能進(jìn)行更換。第1板構(gòu)件Tl，配置在保持于第1保持部PHl的基板P附近。在保持于第1保持部PHl的基板P的表面1 附近，配置有保持于第2保持部PH2的第1板構(gòu)件Tl的表面Ta。 第1板構(gòu)件Tl的表面Ta及背面Tb為平坦面(平坦部)。第2板構(gòu)件T2的表面Td及背面 Te亦為平坦面(平坦部)。如圖14所示，第1板構(gòu)件Tl為大致圓環(huán)狀構(gòu)件，配置成包圍保持于第1保持部 PHl的基板P。保持于第2保持部PH2的第1板構(gòu)件Tl的表面Ta，配置于第1保持部PHl 所保持的基板P周圍，形成為包圍該基板P。亦即，第1板構(gòu)件Tl，是在保持于第1保持部 PHl的基板P周圍形成平坦面Ta。如圖14所示，第2板構(gòu)件T2的外形是以沿基材PHB的形狀的方式形成為俯視呈矩形，其中央部具有能配置基板P及第1板構(gòu)件Tl的大致圓形孔部TH2。亦即，第2板構(gòu)件T2大致環(huán)狀構(gòu)件，配置于第1保持部PHl所保持的基板P及第2保持部PH2所保持的第 1板構(gòu)件Tl周圍，且配置成包圍該基板P及第1板構(gòu)件Tl。第3保持部PH3所保持的第2 板構(gòu)件T2，相對(duì)第1保持部PHl所保持的基板P，于第1板構(gòu)件Tl外側(cè)形成平坦面Td。各第1板構(gòu)件Tl及第2板構(gòu)件T2，與基板P大致相同厚度。保持于第2保持部 PH2的第1板構(gòu)件Tl表面(平坦面)Ta、保持于第3保持部PH3的第2板構(gòu)件T2表面(平坦面)Td、以及保持于第1保持部PHl的基板P的表面1 為大致同一面高。亦即，第1板構(gòu)件Tl的表面及第2板構(gòu)件T2的表面，是于基板P周圍形成與基板P表面大致同一面高的平坦部。第1板構(gòu)件Tl的表面Ta及第2板構(gòu)件T2的表面Td對(duì)液體LQ具有撥液性。進(jìn)一步地，第1板構(gòu)件Tl的背面Tb及第2板構(gòu)件T2的背面Te亦對(duì)液體LQ具有撥液性?；灞３志逷H的基材PHB形成為俯視呈矩形，在該基板保持具PH中基材PHB的彼此垂直的兩側(cè)面，分別形成有用以測(cè)量基材PHB(基板保持具PH)的位置的激光干涉儀94 用移動(dòng)鏡93。亦即，本實(shí)施例中，基板載臺(tái)PST的上面，當(dāng)保持基板P時(shí)，在包含所保持的基板P的表面1 的大致全區(qū)域，亦形成為全平坦面(full flat面)。如圖15所示，基板保持具PH的第1保持部PH1，具備形成于基材PHB上的凸?fàn)畹?支撐部46、于基材PHB上形成為包圍第1支撐部46周圍的環(huán)狀第1周壁部42、以及形成于第1周壁部42內(nèi)側(cè)的基材PHB上的第1吸引口 41。各第1支撐部46及第1吸引口是在第1周壁部42內(nèi)側(cè)配置成多個(gè)且相同形狀。第1周壁部42的上面42A與基板P的背面 1 對(duì)向。各第1吸引口 41通過流路45連接于第1真空系統(tǒng)40?？刂蒲b置C0NT，驅(qū)動(dòng)第1 真空系統(tǒng)40，吸引以基材PHB、第1周壁部42、以及基板P所包圍的第1空間31內(nèi)部的氣體 (空氣)，使此第1空間31成為負(fù)壓，借此將基板P吸附保持于第1支撐部46?；灞３志逷H的第2保持部PH2，具備于基材PHB上形成為包圍第1保持部PHl 的第1周壁部42的大致圓環(huán)狀第2周壁部62、設(shè)于第2周壁部62外側(cè)并于基材PHB上形成為包圍第2周壁部62的環(huán)狀第3周壁部63、形成于第2周壁部62與第3周壁部63間的基材PHB上的凸?fàn)畹?支撐部66、以及形成于第2周壁部62與第3周壁部63間的基材 PHB上的第2吸引口 61。第2周壁部62是相對(duì)第1空間31設(shè)于第1周壁部42夕卜側(cè)，第3 周壁部63則設(shè)于第2周壁部62的更外側(cè)。各第2支撐部66及第2吸引口 61是在第2周壁部62與第3周壁部63間形成為多個(gè)且相同形狀。第2周壁部62的上面62A與第3周壁部63的上面63A與第1板構(gòu)件Tl的背面Tb對(duì)向。各第2吸引口 61，通過流路65連接于第2真空系統(tǒng)60?？刂蒲b置C0NT，驅(qū)動(dòng)第2真空系統(tǒng)60，吸引基材PHB、第2、第3周壁部 62，63、以及第1板構(gòu)件Tl所包圍的第2空間32內(nèi)部的氣體(空氣)，而使此第2空間32 成為負(fù)壓，借此將第1板構(gòu)件Tl吸附保持于第2支撐部66。基板保持具PH的第3保持部PH3，具備于基材PHB上形成為包圍第2保持部PH2 的第3周壁部63的大致圓環(huán)狀第4周壁部82、設(shè)于第4周壁部82外側(cè)并于基材PHB上形成為包圍第4周壁部82的環(huán)狀第5周壁部83、形成于第4周壁部82與第5周壁部83間的基材PHB上的凸?fàn)畹?支撐部86、以及形成于第4周壁部82與第5周壁部83間的基材 PHB上的第3吸引口 81。第4周壁部82相對(duì)第2空間32設(shè)于第3周壁部63夕卜側(cè)，第5周壁部83則設(shè)于第4周壁部82的更外側(cè)。各第3支撐部86及第3吸引口 81是在第4周壁部82與第5周壁部83間形成為多個(gè)且相同形狀。第4周壁部82的上面82A與第5周壁部 83的上面83A是與第2板構(gòu)件T2的背面Te對(duì)向。各第3吸引口 81，通過流路85連接于第3真空系統(tǒng)80。第3真空系統(tǒng)80，用以使基材PHB、第4、第5周壁部82，83、以及第2板構(gòu)件T2所包圍的第3空間成為負(fù)壓。第4、第5周壁部82，83，發(fā)揮包圍第3空間33 (包含第3支撐部86)外側(cè)的外壁部的功能，控制裝置C0NT，驅(qū)動(dòng)第3真空系統(tǒng)80，吸引基材PHB、 第4、第5周壁部82，83、以及第2板構(gòu)件T2所包圍的第3空間33內(nèi)部的氣體(空氣)，而使此第3空間33成為負(fù)壓，借此將第2板構(gòu)件T2吸附保持于第3支撐部86。用以使第1空間31成為負(fù)壓的第1真空系統(tǒng)40、用以使第2空間32成為負(fù)壓的第2真空系統(tǒng)60、以及用以使第3空間33成為負(fù)壓的第3真空系統(tǒng)80彼此獨(dú)立?？刂蒲b置C0NT，能個(gè)別控制第1真空系統(tǒng)40、第2真空系統(tǒng)60、及第3真空系統(tǒng)80的各動(dòng)作，并能分別獨(dú)立進(jìn)行第1真空系統(tǒng)40對(duì)第1空間31的吸引動(dòng)作、第2真空系統(tǒng)60對(duì)第2空間 32的吸引動(dòng)作、以及第3真空系統(tǒng)80對(duì)第3空間33的吸引動(dòng)作。例如，控制裝置C0NT，能分別控制第1真空系統(tǒng)40、第2真空系統(tǒng)60、以及第3真空系統(tǒng)80，來使第1空間31、第2 空間32、與第3空間33的壓力彼此互異。本實(shí)施例中，保持于第1保持部PHl的基板P外側(cè)的邊緣部、與設(shè)置于該基板P周圍的第1板構(gòu)件Tl內(nèi)側(cè)的邊緣部間，例如形成有0. 1 1. Omm左右的間隙。保持于第2保持部PH2的第1板構(gòu)件Tl外側(cè)的邊緣部、與設(shè)置于該第1板構(gòu)件Tl周圍的第2板構(gòu)件T2內(nèi)側(cè)的邊緣之間，例如形成有0. 1 1. Omm左右的間隙。與上述實(shí)施例同樣地，在配置于基板P周圍的第1板構(gòu)件Tl上，形成有對(duì)應(yīng)形成于基板P的缺口部NT (或定向平面部)的突起部150。第1周壁部42或第2周壁部62，亦具有對(duì)應(yīng)基板P的缺口部NT的形狀。與上述實(shí)施例同樣地，第1周壁部42的上面42A、第2周壁部62的上面62A、以及第3周壁部63的上面63A為平坦面。進(jìn)一步地，各第4周壁部82的上面82A、及第5周壁部83的上面83A亦為平坦面。第1保持部PHl中，第1支撐部46，形成為與第1周壁部42相同高度、或形成為稍微高于第1周壁部42，當(dāng)使第1空間31成為負(fù)壓時(shí)，能使基板P的背面1 與第1周壁部 42的上面42A緊貼。第2保持部PH2中，第2支撐部66，形成為稍微高于第2周壁部62，即使使第2空間32成為負(fù)壓，在第1板構(gòu)件Tl的背面Tb與與第2周壁部62的上面62A間亦形成既定的間隙B。第3周壁部63，形成為稍微低于第2支撐部66、或形成為與第2支撐部66大致相同高度，使第3周壁部63的上面63A與第1板構(gòu)件Tl的背面Tb緊貼。此外，能將第2支撐部66的高度與第2周壁部62的高度決定成第1板構(gòu)件Tl的背面1 與第2周壁部62的上面62A會(huì)緊貼。亦能將第2支撐部66的高度與第3周壁部 63的高度決定成第1板構(gòu)件Tl的背面Tb與第3周壁部63的上面63A間會(huì)形成較小間隙。第3保持部PH3中，第4支撐部86，形成為稍微高于第4周壁部82及第5周壁部 83、或形成為與第4周壁部82及第5周壁部83大致相同高度，使第4周壁部82的上面82A 及第5周壁部83的上面83A與第2板構(gòu)件T2的背面Te緊貼。此外，亦可在第4周壁部82 的上面82A及第5周壁部83的上面83A與第2板構(gòu)件T2的背面Te間形成既定的間隙。本實(shí)施例中，第1板構(gòu)件Tl與第2板構(gòu)件T2以不同材質(zhì)形成，第1板構(gòu)件Tl表面Ta的撥液性耐久性能，高于第2板構(gòu)件T2表面Td的撥液性耐久性能。本實(shí)施例中，配置于基板P周圍的第1板構(gòu)件Tl，例如以PTFE (poly tetrafluoro ethylene，聚四氟乙稀)等的氟系列樹脂材料形成。另一方面，第2板構(gòu)件T2，是以石英(玻璃)形成，于其表面Td、背面Te、以及側(cè)面(與第1板構(gòu)件Tl的面對(duì)向)Tf被覆撥液性材料。撥液性材料，與上述同樣地，可列舉四氟化聚乙稀等的氟系列樹脂材料，或丙烯酸系列樹脂材料等。接著借由將此等撥液性材料涂布(被覆)于由石英構(gòu)成的板構(gòu)件T，即能使第 2板構(gòu)件T2的各表面Td、背面Te、及側(cè)面Tf對(duì)液體LQ具有撥液性。接著，如圖14所示，于第2板構(gòu)件T2表面Td的既定位置設(shè)有具備基準(zhǔn)標(biāo)記MFM， PFM的基準(zhǔn)部300，該基準(zhǔn)標(biāo)記MFM，PFM是用以規(guī)定基板P對(duì)通過投影光學(xué)系統(tǒng)PL的掩模 M的圖案像位置于第2板構(gòu)件T2表面Td的既定位置設(shè)有用作為焦點(diǎn)位準(zhǔn)檢測(cè)系統(tǒng)的基準(zhǔn)面的基準(zhǔn)板400?；鶞?zhǔn)部300上面及基準(zhǔn)板400上面，是與第1保持部PHl所保持的基板P 表面1 大致同一面高。撥液性材料，亦被覆于具有基準(zhǔn)標(biāo)記MFM，PFM的基準(zhǔn)部300上及基準(zhǔn)板400，使基準(zhǔn)部300上面及基準(zhǔn)板400上面亦具撥液性。第1板構(gòu)件Tl中形成為圓環(huán)狀表面Ta的寬度Ht形成為至少較投影區(qū)域ARl大。 借此，當(dāng)曝光基板P的邊緣區(qū)域E時(shí)，曝光用光EL即不會(huì)照射到第2板構(gòu)件T2。借此，能抑制第2板構(gòu)件T2表面Td的撥液性劣化。且曝光用光EL所照射的第1板構(gòu)件Tl其形成材料本身即為撥液性材料(例如PTFE)，因此第1板構(gòu)件Tl表面Ta的撥液性耐久性能，高于第2板構(gòu)件T2表面Td的撥液性耐久性能。據(jù)此，即使照射曝光用光EL，其撥液性不會(huì)過度劣化，能長(zhǎng)期間維持撥液性。雖亦可考慮不以石英形成第2板構(gòu)件T2、而例如以PTFE來形成，但為了在第2板構(gòu)件T2形成基準(zhǔn)標(biāo)記MFM，PFM,最好還是以石英來作為第2板構(gòu)件 T2的形成材料。借由在第2板構(gòu)件T2的表面Td形成基準(zhǔn)標(biāo)記MFM，PFM,而能使基板載臺(tái) PST的上面成為全平坦面。因此，本實(shí)施例，是以石英形成曝光用光EL不照射的區(qū)域的第2 板構(gòu)件T2而在其表面Td形成基準(zhǔn)標(biāo)記MFM，PFM,并將撥液性材料被覆于形成有基準(zhǔn)標(biāo)記 MFM, PFM的第2板構(gòu)件T2，借此來形成具撥液性的全平坦面。此外，亦可僅將基準(zhǔn)標(biāo)記MFM 與基準(zhǔn)標(biāo)記PFM中的一方形成第2板構(gòu)件。此外，第1板構(gòu)件Tl表面Ta的寬度Ht，最好形成為大于形成于投影光學(xué)系統(tǒng)PL 像面?zhèn)鹊囊航^(qū)域AR2。借此，在對(duì)基板P的邊緣區(qū)域E進(jìn)行液浸曝光時(shí)，由于液浸區(qū)域AR2 配置于第1板構(gòu)件Tl的表面Ta上，而不是配置于第2板構(gòu)件T2上，因此能防止液浸區(qū)域 AR2的液體LQ滲入第1板構(gòu)件Tl與第2板構(gòu)件T2間的間隙的不良情形。與上述實(shí)施例同樣地，欲更換第1板構(gòu)件Tl時(shí)，使用設(shè)于第1板構(gòu)件Tl下的第2 升降構(gòu)件57，來使第1板構(gòu)件Tl升降。雖未圖標(biāo)，于第2板構(gòu)件T2下亦設(shè)有升降構(gòu)件，欲更換第2板構(gòu)件T2時(shí)，即使用該升降構(gòu)件來使第2板構(gòu)件T2升降。由于用以吸附保持第 1板構(gòu)件Tl的第2真空系統(tǒng)40、與用以吸附保持第2板構(gòu)件T2的第3真空系統(tǒng)60彼此獨(dú)立，因此能彼此獨(dú)立進(jìn)行第1板構(gòu)件Tl的吸附保持及吸附保持解除動(dòng)作、以及第2板構(gòu)件 T2的吸附保持及吸附保持解除動(dòng)作。據(jù)此，例如控制裝置C0NT，即能對(duì)應(yīng)各第1板構(gòu)件Tl 及第2板構(gòu)件T2的撥液性的劣化程度，以不同的時(shí)間點(diǎn)來執(zhí)行第1板構(gòu)件Tl的更換與第 2板構(gòu)件T2的更換。本實(shí)施例中，第1周壁部42的上面42A、第1支撐部46的上面46A、第2支撐部66 的上面66A、第2周壁部62的上面62A、第3周壁部63的上面63A、第3支撐部86的上面 86A、第4周壁部82的上面82A、以及第5周壁部83的上面83A，雖高度稍微有差距，但為大致相同高度。借此，對(duì)此等上面進(jìn)行拋光處理時(shí)的作業(yè)性亦非常良好。本實(shí)施例中，由PTFE等構(gòu)成的第1板構(gòu)件Tl形成為圓環(huán)狀，配置成包圍基板P周圍。雖石英構(gòu)成的第2板構(gòu)件T2形成為環(huán)狀、且配置成于第1板構(gòu)件Tl外側(cè)包圍該第1 板構(gòu)件Tl，但亦可以石英所構(gòu)成的第2板構(gòu)件T2來形成僅一部分小區(qū)域(包含具有基準(zhǔn)標(biāo)記MFM，PFM的基準(zhǔn)部300)，而以PTFE等所構(gòu)成的第1板構(gòu)件Tl來形成其它大部分區(qū)域。 其重點(diǎn)，最好是上面中曝光用光所照射的區(qū)域以例如PTFE等所構(gòu)成的板構(gòu)件來形成，包含基準(zhǔn)部300的區(qū)域則以石英所構(gòu)成的板構(gòu)件來形成。此外，此處雖以使用液浸曝光裝置(通過液體LQ將掩模M的圖案像投影于基板P) 的情形為例進(jìn)行了說明，但本實(shí)施例，亦能適用于通常的干式曝光裝置(不通過液體LQ使掩模M的圖案像投影于基板P)。由于形成基板載臺(tái)PST上面的第1、第2板構(gòu)件T1，T2，被第2、第3保持部ΡΗ2，ΡΗ3吸附保持而能拆裝(能更換)于基材ΡΗΒ，因此例如當(dāng)在板構(gòu)件上有異物(不純物)附著、污染等而欲更換時(shí)，即能與新板構(gòu)件更換。如第6實(shí)施例般使用第1板及第2板的構(gòu)成，能適用于第2至第5實(shí)施例。參照?qǐng)D14所說明的第6實(shí)施例中，基板保持具PH雖具有第1板構(gòu)件與第2板構(gòu)件的2個(gè)板構(gòu)件的構(gòu)成，但亦可具有3個(gè)以上的任意多個(gè)板構(gòu)件的構(gòu)成，此時(shí)，于基材PHB上設(shè)有對(duì)應(yīng)板構(gòu)件數(shù)量的吸附保持部。將多個(gè)板構(gòu)件吸附保持于基材PHB的構(gòu)成中，只要僅將多個(gè)板構(gòu)件中需更換的既定板構(gòu)件更換即可。
各板的材料亦不限于上述，亦可考量有無基準(zhǔn)部或撥液性能的耐久性等，來決定最適當(dāng)?shù)牟牧?。上述?shí)施例中，雖使第2周壁部62的上面及側(cè)面具有撥液性，但若是容許液體LQ 滲入板構(gòu)件T(T1，Τ2)的背面?zhèn)鹊那樾螘r(shí)，即不需使第2周壁部62的上面及側(cè)面具有撥液性，相反地可使第2周壁部62的上面或側(cè)面具親液性。此時(shí)，亦可在板構(gòu)件T(T1，D)的背面?zhèn)仍O(shè)置用以回收液體I^Q的回收口等。第6實(shí)施例中，第2 5周壁部雖形成為包圍第1周壁部42的環(huán)狀，但第2 5 周壁部的位置或形狀只要能吸附保持板構(gòu)件T(T1，T2)，能采用各種態(tài)樣。重點(diǎn)是將周壁部形成為在基材PHB與板構(gòu)件T (Tl，Τ2)的背面間能形成用以吸附保持板構(gòu)件Τ(Τ1，Τ2)的密閉空間(負(fù)壓空間)即可，例如，亦可將周壁部設(shè)置成在一個(gè)板構(gòu)件Τ(Τ1，Τ2)與基材PHB 間會(huì)形成多個(gè)密閉空間(負(fù)壓空間)。上述實(shí)施例中，板構(gòu)件T (Tl，Τ2)的厚度，雖與基板P大致相同厚度，但亦可與基板 P的厚度相異。此時(shí)，最好是將基板P的支撐部46或板構(gòu)件T(T1，D)的支撐部66(86)的高度，設(shè)定成吸附保持于基板保持具PH的基板P的表面與板構(gòu)件T(T1，Τ2)表面為大致同
一面高。上述實(shí)施例中，板構(gòu)件Τ，Tl，Τ2，雖以真空吸附方式保持于基材ΡΗΒ，但亦能使用靜電夾頭機(jī)構(gòu)、電磁夾頭機(jī)構(gòu)、磁力夾頭機(jī)構(gòu)等其它保持機(jī)構(gòu)。上述實(shí)施例中，曝光裝置ΕΧ，雖具備1個(gè)基板載臺(tái)PST的構(gòu)成，但本發(fā)明，亦能適用于具備2個(gè)基板載臺(tái)PST的曝光裝置。關(guān)于此點(diǎn)，參照著圖16來說明。圖16所示的曝光裝置ΕΧ，具備基板載臺(tái)PSTl，具有保持基板P的基板保持具ΡΗ， 能在保持基板P的狀態(tài)下進(jìn)行移動(dòng)；以及測(cè)量載臺(tái)PST2，設(shè)于與基板載臺(tái)PSTl并排的位置，具備上述基準(zhǔn)部300。于基板載臺(tái)PSTl上的基板保持具PH吸附保持有板構(gòu)件Τ。另一方面，測(cè)量載臺(tái)PST2測(cè)量專用的載臺(tái)且為不保持基板P的載臺(tái)，于該測(cè)量載臺(tái)PST2設(shè)有吸附保持具有基準(zhǔn)部300的板構(gòu)件Τ’的保持部。于測(cè)量載臺(tái)PST，借由前述保持部吸附保持有具有基準(zhǔn)部300的板構(gòu)件Τ’。雖未圖標(biāo)，于測(cè)量載臺(tái)PST2設(shè)有包含如上述的照度不均傳感器等的光學(xué)傳感器?；遢d臺(tái)PSTl及測(cè)量載臺(tái)PST2，借由包含線性馬達(dá)等的載臺(tái)驅(qū)動(dòng)裝置，而能在XY平面內(nèi)彼此獨(dú)立進(jìn)行2維移動(dòng)?；遢d臺(tái)PSTl及測(cè)量載臺(tái)PST2的XY方向位置，是由激光干涉儀來測(cè)量。圖16所示的實(shí)施例中，由于將液體LQ的液浸區(qū)域AR2形成于基板載臺(tái)PSTl上及測(cè)量載臺(tái)PST2上雙方，因此有可能在各基板載臺(tái)PSTl上的板構(gòu)件T上面及測(cè)量載臺(tái)PST2 上的板構(gòu)件Τ’上面附著異物、或形成液體LQ的附著痕跡(水痕)。不過，圖16所示的實(shí)施例中，亦能將各基板載臺(tái)PSTl及測(cè)量載臺(tái)PST2的板構(gòu)件Τ、Τ’更換。本發(fā)明亦能適用于具備保持基板的二個(gè)基板載臺(tái)的雙載臺(tái)型曝光裝置。雙載臺(tái)型曝光裝置的構(gòu)造及曝光動(dòng)作，例如揭示于特開平10-163099號(hào)及特開平10-214783號(hào)(對(duì)應(yīng)美國(guó)專利 6，341，007，6，400，441,6, 549，269 及 6，590，634)，特表 2000-505958 號(hào)(對(duì)應(yīng)美國(guó)專利5，969，441)或美國(guó)專利6，208，407，在本國(guó)際申請(qǐng)案的指定或選擇的國(guó)家法令所容許的范圍內(nèi)，援用該等文獻(xiàn)的揭示來作為本文記載的一部分。此外，在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)刃纬梢航^(qū)域AR2的機(jī)構(gòu)，并不限于上述實(shí)施例，而能使用各種形態(tài)的機(jī)構(gòu)。例如，能使用揭示于歐洲申請(qǐng)專利公開ΕΡ1420298 (Α2)公報(bào)的機(jī)構(gòu)。如上所述，本實(shí)施例的液體LQ使用純水。純水的優(yōu)點(diǎn)為能容易地在半導(dǎo)體制造工廠等處大量取得，且對(duì)基板P上的光致抗蝕劑或光學(xué)元件(透鏡)等無不良影響。純水除了對(duì)環(huán)境無不良影響外，由于雜質(zhì)的含有量極少，因此亦能期待有洗凈光學(xué)組件(設(shè)于基板P 的表面、以及投影光學(xué)系統(tǒng)PL前端面)的作用。又，從工廠等所供應(yīng)的純水純度較低時(shí)，亦可使曝光裝置具備超純水制造器。純水(水)對(duì)波長(zhǎng)為193nm左右的曝光用光EL的折射率η是大致1. 44，若使用 ArF準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng)193nm)來作為曝光用光EL的光源時(shí)，在基板P上則將波長(zhǎng)縮短為1/ η、亦即大約134nm左右，即可獲得高分辨率。再者，由于焦深與在空氣中相較放大約η倍、 亦即約1. 44倍左右，因此只要是能確保與在空氣中使用時(shí)相同程度的焦深時(shí)，即能更增加投影光學(xué)系統(tǒng)PL的數(shù)值孔徑，從此點(diǎn)來看亦能提高分辨率。此外，如上所述，使用液浸法時(shí)，有時(shí)投影光學(xué)系統(tǒng)PL的數(shù)值孔徑NA會(huì)成為 0. 9 1. 3。如上所述，投影光學(xué)系統(tǒng)PL的數(shù)值孔徑NA變大時(shí)，由于公知用作為曝光用光的任意偏極光有時(shí)會(huì)因偏光效果不同而使成像性能惡化，因此最好是使用偏光照明。此時(shí)， 最好是進(jìn)行配合掩模(標(biāo)線片)的線/空間(line and space)圖案的線圖案長(zhǎng)邊方向的直線偏光照明，而從掩模(標(biāo)線片)的圖案射出較多S偏光成分(TE偏光成分)、亦即沿線圖案長(zhǎng)邊方向的偏光方向成分的繞射光。由于在投影光學(xué)系統(tǒng)PL與涂布于基板P表面的光致抗蝕劑間充滿液體時(shí)，與在投影光學(xué)系統(tǒng)PL與涂布于基板P表面的光致抗蝕劑間充滿空氣(氣體)的情形相較，由于有助于提高對(duì)比的S偏光成分(TE偏光成分)的繞射光的光致抗蝕劑表面透射率會(huì)變高，因此即使投影光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑NA超過1. 0時(shí)，亦能得到高成像性能。若適當(dāng)組合相移掩?；蚺浜先缣亻_平6-188169號(hào)公報(bào)所揭示的線圖案長(zhǎng)邊方向的斜入射照明法(特別是偶極(dipole)照明法)等，則更具效果。特別是，直線偏光照明法與偶極照明法的組合，是當(dāng)線/空間圖案的周期方向限于既定一方向時(shí)、或孔圖案沿既定一方向密集形成時(shí)相當(dāng)有效。例如，并用直線偏光照明法及偶極照明法，來照明透射率6%的半透光(half-tone)型相移掩模(半間距45nm左右的圖案)時(shí)，將照明系統(tǒng)的瞳面中形成偶極的二光束的外接圓所規(guī)定的照明σ設(shè)為0.95、將其瞳孔平面的各光束半徑設(shè)為0. 125 σ、將投影光學(xué)系統(tǒng)PL的數(shù)值孔徑設(shè)為NA = 1. 2時(shí)，即能較使用任意偏極光將焦深(DOF)增加150nm左右。例如以ArF準(zhǔn)分子激光為曝光用光，使用1/4左右的縮小倍率的投影光學(xué)系統(tǒng)PL， 將微細(xì)的線/空間圖案(例如25 50nm左右的線/空間)曝光于基板P上時(shí)，依掩模M 構(gòu)造(例如圖案的細(xì)微度或鉻的厚度)的不同，借由波導(dǎo)效果(Wave guide)使掩模M發(fā)揮偏光板的作用，而使從掩模M射出S偏光成分(TE偏光成分)的繞射光多于使對(duì)比下降的P 偏光成分(TM偏光成分)的繞射光。此時(shí)，雖最好是使用上述直線偏光照明，但即使以任意偏極光來照明掩模M,而投影光學(xué)系統(tǒng)PL的數(shù)值孔徑NA如為0. 9 1. 3般較大的情形時(shí)， 亦能得至高解析性能。當(dāng)將掩模M上的極微細(xì)線/空間圖案曝光于基板P時(shí)，借由線柵(Wire Grid)效果雖亦有可能使P偏光成分(TM偏光成分)大于S偏光成分(TE偏光成分)，但例如以ArF 準(zhǔn)分子激光作為曝光用光，并使用1/4左右的縮小倍率的投影光學(xué)系統(tǒng)PL將較25nm大的線/空間圖案曝光于基板P上時(shí)，由于從掩模M射出S偏光成分(TE偏光成分)的繞射光多于P偏光成分(TM偏光成分)的繞射光，因此即使投影光學(xué)系統(tǒng)PL的數(shù)值孔徑NA如為 0. 9 1. 3般較大的情形時(shí)，亦能得到高解析性能。再者，除了與掩模(標(biāo)線片)的線圖案長(zhǎng)邊方向配合的直線偏光照明(S偏光照明)以外，如特開平6-53120號(hào)公報(bào)所揭示，將以光軸為中心的圓接線(周)方向直線偏光的偏光照明法與斜入射照明法組合亦具有效果。特別是，除了掩模(標(biāo)線片)的圖案沿既定一方向延伸的線圖案以外，在沿多個(gè)相異方向延伸的線圖案混合(周期方向相異的線/ 空間圖案混合)的情形下，同樣如特開平6-53120號(hào)公報(bào)所揭示，借由并用偏光照明法(沿以光軸為中心的圓的接線方向直線偏光)與輪帶照明法，即使投影光學(xué)系統(tǒng)PL的數(shù)值孔徑 NA較大時(shí)，亦能得到高成像性能。例如，在并用偏光照明法(沿以光軸為中心的圓的接線方向直線偏光)與輪帶照明法(輪帶比3/4)，來照明透射率6%的半透光型相移掩模(半間距63nm左右的圖案)的情形下，將照明σ設(shè)為0. 95、將投影光學(xué)系統(tǒng)PL的數(shù)值孔徑設(shè)為 NA = 1. 00時(shí)，較使用任意偏極光的情形能使焦深(DOF)增加250nm左右，當(dāng)半間距為55nm 左右的圖案且投影光學(xué)系統(tǒng)PL的數(shù)值孔徑為NA = 1. 2時(shí)，能使焦深增加IOOnm左右。本實(shí)施例中，將光學(xué)元件2安裝于投影光學(xué)系統(tǒng)PL前端，借由此透鏡能進(jìn)行投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光學(xué)特性的調(diào)整，例如像差(球面像差、慧形像差等)。此外，作為安裝于投影光學(xué)系統(tǒng)PL前端的光學(xué)元件，亦可是使用以調(diào)整投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光學(xué)特性的光學(xué)板。 或亦可是能使曝光用光EL透射的平行平面板。此外，因液體LQ流動(dòng)所產(chǎn)生的投影光學(xué)系統(tǒng)PL前端的光學(xué)元件與基板P間的壓力較大時(shí)，亦可不將該光學(xué)元件作成能更換的構(gòu)造，而是將光學(xué)元件堅(jiān)固地固定成不會(huì)因其壓力而移動(dòng)。本實(shí)施例中，投影光學(xué)系統(tǒng)PL與基板P間雖是以液體LQ充滿的構(gòu)成，但亦可是例如在將平行平面板所構(gòu)成的蓋玻片安裝于基板P表面的狀態(tài)下來充滿液體W的構(gòu)成。此時(shí)，蓋玻片亦可覆蓋板表面的一部分。本實(shí)施例的液體LQ雖是水，但亦可是水以外的液體。例如，曝光用光的光源為F2 激光時(shí)，由于此F2激光無法透射水，因此亦可使用能使F2激光透射的液體來作為液體LQ，例如過氟聚醚(PFPE，perfluoro-polyether)或氟系列油等氟系列流體亦可。此時(shí)，例如以包含氟的極性小的分子構(gòu)造物質(zhì)來形成薄膜，借此對(duì)與液體LQ接觸的部分進(jìn)行親液化處理。 作為液體LQ，其它亦能使用對(duì)曝光用光EL具透射性且折射率盡可能較高、并對(duì)涂布于投影光學(xué)系統(tǒng)PL與基板P表面的光致抗蝕劑較穩(wěn)定的液體(例如杉木油(cedar oil))。此時(shí)， 表面處理亦根據(jù)所使用的液體I^Q極性來進(jìn)行。亦能使用具有所欲折射率的各種流體來替代液體LQ1，LQ2的純水，例如，超臨界流體或高折射率氣體。作為上述各實(shí)施例的基板P，除了半導(dǎo)體元件制造用的半導(dǎo)體晶圓以外，亦能適用于顯示器元件用的玻璃基板、薄膜磁頭用的陶瓷晶圓、或在曝光裝置所使用的掩?；驑?biāo)線片的原版(合成石英、硅晶圓)等。曝光裝置EX，除了能適用于使掩模M與基板P同步移動(dòng)來對(duì)掩模M的圖案進(jìn)行掃描曝光的步進(jìn)掃描方式的掃描型曝光裝置(掃描步進(jìn)機(jī))以外，亦能適用于步進(jìn)重復(fù)方式的投影曝光裝置(步進(jìn)器)，其是在使掩模M與基板P靜止的狀態(tài)下，使掩模M的圖案一次曝光，并使基板P依序步進(jìn)移動(dòng)。作為曝光裝置EX，亦能適用下述曝光裝置，S卩在使第1圖案與基板P大致靜止的狀態(tài)下，使用投影光學(xué)系統(tǒng)(例如1/8縮小倍率且不含反射元件的折射型投影光學(xué)系統(tǒng)) 將第1圖案的縮小像一次曝光于基板P的方式的曝光裝置。此時(shí)，進(jìn)一步于其后，亦能適用于接合方式的曝光裝置，其是在使第2圖案與基板P大致靜止的狀態(tài)下，使用該投影光學(xué)系統(tǒng)使第2圖案的縮小像與第1圖案部分重疊而一次曝光于基板P。作為接合方式的曝光裝置，亦能適用于步進(jìn)接合方式的曝光裝置，其是在基板P上將至少2個(gè)圖案部分重疊而轉(zhuǎn)印，并依序移動(dòng)基板P。作為曝光裝置EX的種類，并不限于用以將半導(dǎo)體元件圖案曝光于基板P的半導(dǎo)體元件制造用曝光裝置，而亦能廣泛適用于液晶顯示元件制造用或顯示器制造用的曝光裝置、或用以制造薄膜磁頭、攝影元件(CCD)、標(biāo)線片、以及掩模等的曝光裝置等。上述實(shí)施例中，雖使用于具光透射性的基板上形成既定遮光圖案(或相位圖案， 減光圖案)的光透射性掩模(標(biāo)線片)，但亦可使用例如美國(guó)專利第6，778，257號(hào)公報(bào)所揭示的電子掩模來代替此標(biāo)線片，該電子掩模是根據(jù)欲曝光圖案的電子數(shù)據(jù)來形成透射圖案、反射圖案、或發(fā)光圖案。本發(fā)明亦能適用于，如國(guó)際公開第2001/035168號(hào)說明書所揭示，借由將干涉紋形成于晶圓W上、而在晶圓W上形成線/空間圖案的曝光裝置(微影系統(tǒng))。當(dāng)于基板載臺(tái)PST或掩模載臺(tái)MST使用線性馬達(dá)時(shí)，亦可采用使用了空氣軸承的氣浮型及使用了勞倫茲(Lorentz)力或電抗的磁浮型中的任一型。各載臺(tái)PST、MST，亦可是沿導(dǎo)件移動(dòng)的類型，或亦可是不設(shè)導(dǎo)件的無導(dǎo)件類型。于載臺(tái)使用線性馬達(dá)之例，是揭示于美國(guó)專利5，623，853及5，528，118，分別在本國(guó)際申請(qǐng)案的指定或選擇的國(guó)家法令所容許的范圍內(nèi)，援用此等文獻(xiàn)的記載內(nèi)容作為本文記載的一部分。于各載臺(tái)PST、MST的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)亦可使用平面馬達(dá)，其是使二維配置磁鐵的磁鐵單元與二維配置線圈的電樞單元對(duì)向，借由電磁力來驅(qū)動(dòng)各載臺(tái)PST、MST。此時(shí)，只要將磁鐵單元與電樞單元中的任一方連接于載臺(tái)PST、MST、將磁鐵單元與電樞單元中的另一方設(shè)置于載臺(tái)PST、MST移動(dòng)側(cè)即可。借由基板載臺(tái)PST的移動(dòng)所產(chǎn)生的反作用力，亦可使用框構(gòu)件以機(jī)械方式釋放至地面(接地)，使其不傳至投影光學(xué)系統(tǒng)PL。此反作用力的處理方法，例如，美國(guó)專利 5，528，118(特開平8-166475號(hào)公報(bào))所詳細(xì)揭示者，在本國(guó)際申請(qǐng)案的指定或選擇的國(guó)家法令所容許的范圍內(nèi)，援用該文獻(xiàn)的記載內(nèi)容作為本文記載的一部分。借由基板載臺(tái)MST的移動(dòng)所產(chǎn)生的反作用力，亦可使用框構(gòu)件以機(jī)械方式釋放至地面(接地)，使其不傳至投影光學(xué)系統(tǒng)PL。此反作用力的處理方法，例如，美國(guó)專利 5，874，820(特開平8-3302M號(hào)公報(bào))所詳細(xì)揭示的，在本國(guó)際申請(qǐng)案的指定或選擇的國(guó)家法令所容許的范圍內(nèi)，援用該文獻(xiàn)的揭示來作為本文記載的一部分。本申請(qǐng)案的實(shí)施例的曝光裝置EX，是借由組裝各種次系統(tǒng)(包含申請(qǐng)范圍中所列舉的各構(gòu)成要素)，以能保持既定的機(jī)械精度、電氣精度、光學(xué)精度的方式所制造。為確保此等各種精度，于組裝前后，進(jìn)行對(duì)各種光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行用以達(dá)成光學(xué)精度的調(diào)整、對(duì)各種機(jī)械系統(tǒng)進(jìn)行用以達(dá)成機(jī)械精度的調(diào)整、對(duì)各種電氣系統(tǒng)進(jìn)行用以達(dá)成電氣精度的調(diào)整。從各種次系統(tǒng)至曝光裝置的組裝制程，包含機(jī)械連接、電路的配線連接、氣壓回路的配管連接等。當(dāng)然，從各種次系統(tǒng)至曝光裝置的組裝制程前，有各次系統(tǒng)個(gè)別的組裝制程。當(dāng)各種次系統(tǒng)至曝光裝置的組裝制程結(jié)束后，即進(jìn)行綜合調(diào)整，以確保曝光裝置全體的各種精度。此外，曝光裝置的制造最好是在溫度及清潔度等皆受到管理的潔凈室進(jìn)行。半導(dǎo)體元件的微元件，如圖17所示，經(jīng)由下述步驟所制造，即進(jìn)行微元件的功能、性能設(shè)計(jì)的步驟201、根據(jù)此設(shè)計(jì)步驟制作掩模(標(biāo)線片)的步驟202、制造構(gòu)成元件基材的基板的步驟203、借由前述實(shí)施例的曝光裝置EX將掩模圖案曝光于基板的曝光處理步驟204、元件組裝步驟(包含切割步驟、接合步驟、封裝步驟)205、檢查步驟206等。根據(jù)本發(fā)明，能容易地進(jìn)行基板保持裝置或基板載臺(tái)、及曝光裝置的維修作業(yè)。且由于能防止曝光裝置運(yùn)轉(zhuǎn)率的降低，因此能提高元件的生產(chǎn)性。根據(jù)本發(fā)明，能容易地進(jìn)行液浸曝光裝置的維修作業(yè)。再者，能在防止液體滲入的狀態(tài)下良好地使基板曝光。
權(quán)利要求
1.一種基板保持裝置，用以保持處理基板，其特征在于，該基板保持裝置具備 基材；第1保持部，形成于該基材，用以吸附保持該處理基板；以及第2保持部，形成于該基材，用以將板體吸附保持于被該第1保持部吸附保持的該處理基板附近。
2.如權(quán)利要求1所述的基板保持裝置，其中，該板體，是于該處理基板附近，形成與該處理基板表面同一面高的平坦部。
3.如權(quán)利要求2所述的基板保持裝置，其中，該板體的平坦部，形成為包圍該處理基板。
4.如權(quán)利要求3所述的基板保持裝置，其中，該處理基板的邊緣與該板體的邊緣的間隙為0. 1 1. 0_。
5.如權(quán)利要求1所述的基板保持裝置，其中，該第1保持部，具有形成于該基材的凸?fàn)畹?支撐部與形成于該基材的第1外壁部，借由使該基材、該第1外壁部、以及該處理基板所包圍的第1空間成為負(fù)壓，將該處理基板吸附保持于該第1支撐部。
6.如權(quán)利要求5所述的基板保持裝置，其中，該第1支撐部包含多個(gè)支撐銷。
7 .如權(quán)利要求5所述的基板保持裝置，其中，該第1支撐部，形成為低于該第1外壁部。
8.如權(quán)利要求1所述的基板保持裝置，其中，該第2保持部，具有形成于該基材的凸?fàn)畹?支撐部與形成于該基材的第2外壁部，借由使該基材、該第2外壁部、以及該板體所包圍的第2空間成為負(fù)壓，來將該板體吸附保持于該第2支撐部。
9.如權(quán)利要求8所述的基板保持裝置，其中，該第2支撐部包含多個(gè)支撐銷。
10.如權(quán)利要求8所述的基板保持裝置，其具備 第1真空系統(tǒng)，用以使該第1空間成為負(fù)壓；以及第2真空系統(tǒng)，與第1真空系統(tǒng)獨(dú)立，用以使該第2空間成為負(fù)壓。
11.如權(quán)利要求1所述的基板保持裝置，其進(jìn)一步將該板體設(shè)置成能更換。
12.—種曝光裝置，其特征在于 具備權(quán)利要求11所述的基板保持裝置。
13.如權(quán)利要求12所述的曝光裝置，其中，通過液體將圖案像投影于該第1保持部所保持的處理基板上，借此使該處理基板曝光。
14.如權(quán)利要求13所述的曝光裝置，其中，該基材能移動(dòng)。
15.如權(quán)利要求14所述的曝光裝置，其中，于該基材形成有用以測(cè)量該基材位置的干涉儀用反射鏡。
16.如權(quán)利要求13所述的曝光裝置，其中，該板體表面對(duì)該液體具撥液性。
17.如權(quán)利要求13所述的曝光裝置，其中，該板體背面對(duì)該液體具撥液性。
18.如權(quán)利要求12所述的曝光裝置，其中，于該板體表面形成有用以規(guī)定該處理基板相對(duì)該圖案像的位置的基準(zhǔn)部。
19.如權(quán)利要求12所述的曝光裝置，其中，該板體是以石英形成。
20.如權(quán)利要求12所述的曝光裝置，其中，該板體與該處理基板大致相同厚度。
21.—種元件制造方法，其特征在于使用如權(quán)利要求12至20中任一項(xiàng)所述的曝光裝置。
22.—種基板保持裝置，能相對(duì)透過投影光學(xué)系統(tǒng)與藉由供應(yīng)至該投影光學(xué)系統(tǒng)的像面?zhèn)鹊囊后w而形成的液浸區(qū)域所照射的曝光用光，保持基板并移動(dòng)，其特征在于，該基板保持裝置具備保持部，保持該基板；平坦部，設(shè)置成包圍該保持部所保持的該基板；以及回收部，能回收從形成于該保持部所保持的該基板與該平坦部之間的間隙滲入的該液體；該回收部包含于途中配置有多孔體的流路。
23.—種基板保持裝置，能相對(duì)透過投影光學(xué)系統(tǒng)與藉由供應(yīng)至該投影光學(xué)系統(tǒng)的像面?zhèn)鹊囊后w而形成的液浸區(qū)域所照射的曝光用光，保持基板并移動(dòng)，其特征在于，該基板保持裝置具備保持部，保持該基板；平坦部，設(shè)置成包圍該保持部所保持的該基板；以及回收部，能回收從形成于該保持部所保持的該基板與該平坦部之間的間隙滲入的該液體；該回收部包含流路、透過該流路吸引該液體的吸引裝置、配置于該流路途中以防止該液體往該吸引裝置流入的構(gòu)件。
24.如權(quán)利要求23所述的基板保持裝置，其中，防止該液體流入的構(gòu)件，包含多孔體、 網(wǎng)構(gòu)件、氣液分離器或緩沖空間。
25.—種曝光裝置，其特征在于具備權(quán)利要求22至M中任一項(xiàng)所述的基板保持裝置。
26.—種元件制造方法，其特征在于 使用如權(quán)利要求25所述的曝光裝置。
全文摘要
一種基板保持裝置，用以保持處理基板，該基板保持裝置具備基材；第1保持部，形成于該基材，用以吸附保持該處理基板；以及第2保持部，形成于該基材，用以將板體吸附保持于被該第1保持部吸附保持的該處理基板附近。本發(fā)明的基板保持裝置，不僅板體的更換容易，且維修亦較容易。因此，適合用于液浸曝光。
文檔編號(hào)G03F9/00GK102290364SQ20111016742
公開日2011年12月21日 申請(qǐng)日期2005年6月8日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月9日
發(fā)明者柴崎祐一 申請(qǐng)人:尼康股份有限公司