專利名稱：光波導(dǎo)裝置和光波導(dǎo)裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光波導(dǎo)裝置，并且更具體地涉及一種可以減小光程長度和雙折射率的波動的光波導(dǎo)裝置。
背景技術(shù)：
在制造光通信系統(tǒng)中使用的諸如光學(xué)開關(guān)和光學(xué)調(diào)制器的光波導(dǎo)裝置中，有助于集成化和批量生產(chǎn)的PLC(平面光波導(dǎo)線路)技術(shù)是有效的。PLC技術(shù)是一種用于通過與半導(dǎo)體集成電路制造過程相同的微制造技術(shù)在基板上形成微小光波導(dǎo)管的技術(shù)。具體地，例如，如圖4A中所示，首先，折射率低的二氧化硅膜作為下包覆層22形成在硅基板21上，接下來，如圖4B中所示，折射率高的二氧化硅膜23被層疊在下包覆層22上。然后，如圖4C 中所示，通過光刻技術(shù)，高折射率的二氧化硅膜^被圖案化為光波導(dǎo)芯體。進(jìn)一步地，如圖 4D中所示，變成上包覆層M的低折射率二氧化硅膜被層疊，并且如圖4E中所示，該二氧化硅膜通過熱處理被回熔。另外，可以通過磷、硼、鍺等的摻雜任意設(shè)定二氧化硅膜的折射率。 通過以上過程，具有不同形狀的光波導(dǎo)管可以形成在基板上。在光波導(dǎo)裝置中，使用光波導(dǎo)的干涉儀通常應(yīng)用于各種光學(xué)通信裝置并在各種光學(xué)通信裝置中使用。圖5示出了為基本干涉儀的馬赫-曾德爾干涉儀的光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。構(gòu)成干涉儀的兩個光波導(dǎo)管25和沈在雙向耦合器部件之間的長度不同。圖6示出了用于從偏振光重新獲得相位信息的90度光學(xué)混合干涉儀的通常的光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，光信號被分離到所述偏振光中。在該裝置中，使光信號分支的兩個光波導(dǎo)臂27和觀具有相等的光程長度，并且位于使局部振蕩光分支的兩個光波導(dǎo)臂四和30之間，光波導(dǎo)臂30的光程長度比光波導(dǎo)臂四的光程長度長λΛ4η)。這里，η是光波導(dǎo)的等效折射率，而λ是光信號的波長。具體地，在制造上述干涉儀裝置中，需要非常準(zhǔn)確地控制各個光程長度。然而，在實(shí)際制造過程中，光程長度的有效值可能與其設(shè)計(jì)值偏離。能夠從光波導(dǎo)的等效折射率和實(shí)際長度來確定光程長度。這里，通過畫在光掩模上的光波導(dǎo)芯體圖案的圖案化的精度來確定光波導(dǎo)的物理長度，并且可以通過當(dāng)前的光刻技術(shù)水平充分控制光波導(dǎo)的物理長度。另一方面，光波導(dǎo)的等效折射率由于制造過程的各種干擾而出現(xiàn)波動，并且該等效折射率可能是光程長度波動的一個因素。在上包覆層的熱處理期間會產(chǎn)生膜應(yīng)力，這作為導(dǎo)致這種等效折射率波動的主要因素。例如，如圖4Ε所示，光波導(dǎo)芯體通常通過在高溫下使層疊在光波導(dǎo)芯體上的上包覆層M回熔以將所述芯體嵌入包覆層中而形成。這里，當(dāng)通過熱處理進(jìn)行回熔時，上包覆層 24往往使其表面面積最小，使得其在動態(tài)方面變得穩(wěn)定。光波導(dǎo)芯體23受到由回熔產(chǎn)生的應(yīng)力。當(dāng)來自上包覆層的應(yīng)力強(qiáng)時，光波導(dǎo)芯體的光學(xué)特性改變并引起雙折射，因此，光波導(dǎo)的等效折射率出現(xiàn)波動。
此外，如果光波導(dǎo)芯體材料的軟化溫度不足以高于熱處理過程中的處理溫度，則光波導(dǎo)芯體可能會變形。因?yàn)閺?qiáng)烈需要小尺寸光波導(dǎo)裝置，因此必須以小半徑拉制光波導(dǎo)的彎曲部分。因此，芯體和包覆層的折射率必須形成為彼此顯著不同，使得可以不會發(fā)生彎曲損耗。為了實(shí)現(xiàn)該目的，通常，增加摻雜到芯體材料的雜質(zhì)的濃度以提高芯體的折射率。 為被摻雜用于提高折射率的典型雜質(zhì)的鍺和磷還具有如下效果鍺和磷使芯體材料的軟化溫度降低。因此，如果在上包覆層M的熱處理溫度下不能充分保持光波導(dǎo)芯體23的硬度， 則光波導(dǎo)芯體23由于上包覆層M的回熔產(chǎn)生的應(yīng)力(由箭頭所示)如圖7所示變形，因此所述光波導(dǎo)芯體的等效折射率出現(xiàn)波動。例如，當(dāng)上包覆層通過熱處理軟化和流動時，芯體由于將芯體拉向上包覆層的流動方向的應(yīng)力而變形。此時，如7A所示，如果波導(dǎo)芯體與其它光波導(dǎo)管基本上絕緣，則從兩側(cè)將近似兩側(cè)對稱的應(yīng)力增加到光波導(dǎo)芯體，因此所述光波導(dǎo)芯體將近似兩側(cè)對稱地變形。此外，這種應(yīng)力造成光波導(dǎo)芯體出現(xiàn)雙折射。另一方面，如圖7B所示，如果另一個光波導(dǎo)芯體或類似物繞著光波導(dǎo)芯體布置， 則在由箭頭所示的左側(cè)方向和右側(cè)方向不會相等地產(chǎn)生從上包覆層施加到所述光波導(dǎo)芯體中的每一個的應(yīng)力。沒有布置另一個波導(dǎo)管的一側(cè)或遠(yuǎn)離另一個波導(dǎo)管的一側(cè)受到較大的力，并且光波導(dǎo)芯體朝向所述方向變形。在該圖的情況下，所述光波導(dǎo)芯體和另一個光波導(dǎo)芯體被強(qiáng)烈拉向彼此分離的方向，并且光波導(dǎo)芯體產(chǎn)生變形和雙折射。因此，光波導(dǎo)芯體所發(fā)生的變形和雙折射的大小根據(jù)光波導(dǎo)芯體中的位置關(guān)系而不同。例如，在諸如圖5的馬赫-曾德爾干涉儀的結(jié)構(gòu)中，從上包覆層施加到已經(jīng)給定光程長度差的光波導(dǎo)芯體25和沈的應(yīng)力受到光波導(dǎo)芯體的相互存在的影響。在這種情況下， 如果一對光波導(dǎo)芯體25和沈與其它光波導(dǎo)管絕緣，雖然所述光波導(dǎo)芯體的變形方向如圖 7B中所示而不同，但是變形量和雙折射率幾乎為同一水平。因此，相對光程長度差幾乎沒有變化。然而，因?yàn)楣獠▽?dǎo)裝置被構(gòu)造用于實(shí)現(xiàn)各種功能，通常，幾乎不存在僅這兩個光波導(dǎo)芯體基本上絕緣或與其它光波導(dǎo)芯體以規(guī)則間隔布置的情況。為此，根據(jù)光波導(dǎo)芯體與該光波導(dǎo)芯體周圍的其它光波導(dǎo)芯體之間的位置關(guān)系，被加到光波導(dǎo)芯體的應(yīng)力和由這種應(yīng)力產(chǎn)生的變形量改變。即，光波導(dǎo)所產(chǎn)生的等效折射率的波動將根據(jù)光波導(dǎo)芯體在整個光波導(dǎo)裝置中的布局而變化。因?yàn)檫@種變化量受到制造干擾因素的影響，因此，難以預(yù)先正確地估算這種變化量，因此這使得制造量降低。例如，日本專利申請公開文獻(xiàn)第2003-315573號(以下稱為“專利文獻(xiàn)1”)中公開了解決這種問題的技術(shù)。專利文獻(xiàn)1中所述的技術(shù)具有如圖8所示的以下結(jié)構(gòu)，其中當(dāng)光波導(dǎo)芯體23由光波導(dǎo)芯層的膜形成時，只有沿光波導(dǎo)芯體23的相鄰部分被移除，而在該相鄰部分旁邊的周邊區(qū)域31被留下。因此，因?yàn)樯习矊覯的將應(yīng)力施加到光波導(dǎo)芯體 23的區(qū)域減小，因此施加給光波導(dǎo)芯體23的應(yīng)力基本上減小，并因此可以有效地防止光波導(dǎo)芯體23變形。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示例性目的是提供一種光波導(dǎo)裝置，該光波導(dǎo)裝置能夠減小來自周邊和基板到光波導(dǎo)芯層的應(yīng)力，并且能夠抑制由光波導(dǎo)芯層的變形或雙折射率變化引起的光程長度的波動。
根據(jù)本發(fā)明的示例性方面的光波導(dǎo)裝置包括形成在基板上的下包覆層；形成在下包覆層上的芯層；至少一對提部，所述至少一對提部沿布置在每一對所述提部之間的光波導(dǎo)芯層成行布置；和遮蓋光波導(dǎo)芯層和提部的上包覆層。此外，根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性方面的光波導(dǎo)裝置的制造方法包括以下步驟 在基板上形成下包覆層；在下包覆層上形成光波導(dǎo)和至少一對提部，所述至少一對提部沿布置在每一對所述提部之間的光波導(dǎo)芯層成行步驟；以及形成遮蓋光波導(dǎo)芯層和提部的上
包覆層。


當(dāng)參照附時，圖本發(fā)明的示例性特征和優(yōu)點(diǎn)將從以下詳細(xì)說明變得清楚呈現(xiàn)，其中圖IA是顯示了本發(fā)明的第一和第二實(shí)施例的光波導(dǎo)裝置結(jié)構(gòu)的頂視圖；圖IB是顯示了本發(fā)明的第一和第二實(shí)施例的光波導(dǎo)裝置結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖2是顯示本發(fā)明的第三實(shí)施例的光波導(dǎo)裝置結(jié)構(gòu)的頂視圖；圖3是顯示本發(fā)明的第四實(shí)施例的光波導(dǎo)裝置結(jié)構(gòu)的頂視圖；圖4A是顯示由PLC技術(shù)制造的光波導(dǎo)裝置的第一剖視圖；圖4B是顯示由PLC技術(shù)制造的光波導(dǎo)裝置的第二剖視圖；圖4C是顯示由PLC技術(shù)制造的光波導(dǎo)裝置的第三剖視圖；圖4D是顯示由PLC技術(shù)制造的光波導(dǎo)裝置的第四剖視圖；圖4E是顯示由PLC技術(shù)制造的光波導(dǎo)裝置的第五剖視圖；圖5是顯示馬赫-曾德干涉儀的頂視圖；圖6是顯示90-度光學(xué)混合干涉儀的結(jié)構(gòu)的頂視圖；圖7A是顯示普通結(jié)構(gòu)的光波導(dǎo)芯層在施加應(yīng)力的情況下的剖視圖；圖7B是顯示普通結(jié)構(gòu)的兩個光波導(dǎo)芯層在施加應(yīng)力的情況下的剖視圖；圖8是顯示施加到專利文獻(xiàn)1中的光波導(dǎo)芯層的應(yīng)力的抑制作用的剖視圖；和圖9是顯示實(shí)際上為專利文獻(xiàn)1中的光波導(dǎo)芯層的應(yīng)力的剖視圖。
具體實(shí)施例方式接下來，參照

本發(fā)明的示例性實(shí)施例。(第一實(shí)施例)圖IA是顯示本發(fā)明的第一實(shí)施例的光波導(dǎo)裝置結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖IB是沿圖IA 的線A-A'截得的剖視圖。參照圖IA和圖1B，下包覆層2形成在基板1上。此外，光波導(dǎo)芯體3形成在下包覆層2上。該光波導(dǎo)裝置包括沿光波導(dǎo)芯體3成行布置的至少一對提部，所述光波導(dǎo)芯體布置在每一對提部之間。在該實(shí)施例中，兩對提部4、5沿光波導(dǎo)芯體3成行布置，并且光波導(dǎo)芯體3布置在每一對提部4、5之間。進(jìn)一步地，上包覆層6遮蓋光波導(dǎo)芯體3和提部4、5。在圖IB中所示的這種波導(dǎo)裝置中，在熱處理中，提部4、5阻止遮蓋光波導(dǎo)芯體3 的上包覆層6流動。因此，施加在光波導(dǎo)芯體3上的應(yīng)力以及與此相關(guān)的變形和雙折射不再受到存在于相鄰區(qū)域中的其它光波導(dǎo)芯體的影響，并且光的傳播方向幾乎保持恒定。進(jìn)一步地，因?yàn)楦鱾€提部4、5具有壁狀結(jié)構(gòu)，因此與下包覆層2和上包覆層6接觸的區(qū)域受到限制。為此，由構(gòu)成提部4、5或光波導(dǎo)芯體3的膜與基板1之間的熱膨脹系數(shù)差造成的應(yīng)力非常小。另外，因?yàn)樘岵?、5本身的體積有限，因此，由提部4、5本身的熱膨脹產(chǎn)生的應(yīng)力對光波導(dǎo)芯體3的影響非常小。如上所述，在該實(shí)施例中，因?yàn)閺闹苓吅突?施加到光波導(dǎo)芯體3的應(yīng)力減小， 因此光波導(dǎo)芯體3的變形和雙折射率的波動難以發(fā)生。為此，可以有效地抑制光程長度的波動。在圖IA和圖IB中，已經(jīng)顯示了其中兩個提部設(shè)置在光波導(dǎo)芯體3的每一側(cè)的實(shí)例。然而，即使通過一個提部設(shè)置在在光波導(dǎo)芯體3的每一側(cè)的結(jié)構(gòu)以及三個或更多個提部設(shè)置在光波導(dǎo)芯體3的每一側(cè)的結(jié)構(gòu)，也可以獲得基本上類似的效果。然而，當(dāng)提部的數(shù)量增加時，上包覆層的流動易于均衡，因此這是優(yōu)選的。(第二實(shí)施例)根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例，在圖IA和圖IB中，布置在光波導(dǎo)芯體3的兩側(cè)成對形成的提部4的寬度形成為彼此相同，并且提部4中的每一個與光波導(dǎo)芯體3之間的間隔形成為彼此相等。類似地，提部5的寬度和提部5與光波導(dǎo)芯體3之間的間隔也被設(shè)定為彼此相等。在第二實(shí)施例中，如上所述，由于采用其中提部4和5對稱地布置在光波導(dǎo)芯體3 的兩側(cè)的結(jié)構(gòu)，因此可以通過相對簡單的設(shè)計(jì)有效地防止施加到光波導(dǎo)芯體3的應(yīng)力偏向一側(cè)。(第三實(shí)施例)根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例，在圖1A、圖IB中，光波導(dǎo)芯體3和布置在光波導(dǎo)芯體3 的兩側(cè)的提部4、5的所有寬度都相同，并且所述光波導(dǎo)芯體3和所述提部的任意相鄰兩個之間的間隔也形成為相等。根據(jù)第三實(shí)施例，因?yàn)榭梢允股习矊覯的遮蓋光波導(dǎo)芯體3和布置在該光波導(dǎo)芯體的兩側(cè)的提部的一部分的流動適當(dāng)?shù)鼐猓虼丝梢杂行У胤稚⒐獠▽?dǎo)芯體3周圍的應(yīng)力并且防止應(yīng)力的偏移。(所述第四實(shí)施例)圖2是根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的馬赫-曾德爾干涉儀的俯視圖。該馬赫-曾德爾干涉儀具有光波導(dǎo)芯體7、8。第一提部9形成在光波導(dǎo)芯體7、8中的每一個的兩側(cè)，第二提部10進(jìn)一步形成在第一提部9的外側(cè)。為圖2中所示結(jié)構(gòu)的馬赫-曾德爾干涉儀可以通過以下圖4A-E中所示的通常PLC 技術(shù)的過程制造而成。例如，在硅基板21上，為下包覆層的低折射率的二氧化硅膜22通過化學(xué)氣相沉積方法以IOym厚度形成。接下來，層疊為光波導(dǎo)芯層的5 μ m厚的高折射率二氧化硅膜23。然后，通過光刻法將高折射率二氧化硅膜23圖案化為光波導(dǎo)芯體7、8。第一提部9和第二提部10也通過使高折射率二氧化硅膜23圖案化而形成。這里，例如，假設(shè)波導(dǎo)芯體7，8、第一提部9和第二提部10的寬度都為5 μ m。然后，層疊為上包覆層M的厚 10 μ m的低折射率二氧化硅膜，并接著通過熱處理使該低折射率二氧化硅膜回熔。通過此操作，波導(dǎo)芯體7，8、第一提部9和第二提部10被遮蓋。通過此過程能夠?qū)崿F(xiàn)預(yù)定的光波導(dǎo)。同時，光波導(dǎo)芯體7、8和第一提部9中的每一個都被布置成使得所述光波導(dǎo)芯體以及第一提部之間的間隔例如為100 μ m。確定此間隔使得不會產(chǎn)生透射光，從而使得在波導(dǎo)芯體7和8與第一提部9之間進(jìn)行耦合，同時獲得上包覆層M的平坦性。第一提部9和第二提部10被布置成使得該第一提部與第二提部之間的間隔也為100 μ m。根據(jù)該實(shí)施例，在包括多個光波導(dǎo)管的組合的光波導(dǎo)裝置中，可以減小施加到各個光波導(dǎo)芯體的應(yīng)力。進(jìn)一步地，通過同時形成光波導(dǎo)芯體和提部，可以簡化該過程。(第五實(shí)施例)圖3是根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例的90度光學(xué)混合干涉儀的俯視圖。提部15設(shè)置在構(gòu)成該90度光學(xué)混合干涉儀的各個光波導(dǎo)臂部11-14的兩側(cè)。圖3中所示的90度光學(xué)混合干涉儀的制造方法類似于第二實(shí)施例的制造方法。根據(jù)該實(shí)施例，提部僅設(shè)置在光程長度會波動的光波導(dǎo)芯體的多個部分的兩側(cè)， 并且尤其需要嚴(yán)格地抑制雙折射率的增加。通過形成如上所述的結(jié)構(gòu)，可以簡化的提部的布置。以上所述的整個示例性實(shí)施例或部分示例性實(shí)施例可以被描述為但不限于以下補(bǔ)充附注。(補(bǔ)充附注1)一種光波導(dǎo)裝置，包括下包覆層，所述下包覆層形成在基板上；光波導(dǎo)芯體，所述光波導(dǎo)芯體形成在所述下包覆層上；至少一對提部，所述至少一對提部沿布置在每一對所述提部之間的所述光波導(dǎo)芯體成行布置；和上包覆層，所述上包覆層遮蓋所述光波導(dǎo)芯體和所述提部。(補(bǔ)充附注2)根據(jù)補(bǔ)充附注1所述的光波導(dǎo)裝置，其中，每一對所述提部具有相等的寬度并距離所述光波導(dǎo)芯體相等的距離。(補(bǔ)充附注3)根據(jù)補(bǔ)充附注1或2所述的光波導(dǎo)裝置，其中，所有所述提部和所述光波導(dǎo)芯體都具有相等的寬度和相等的間隔。(補(bǔ)充附注4)根據(jù)補(bǔ)充附注1-3中任一項(xiàng)所述的光波導(dǎo)裝置，其中，所述提部和所述光波導(dǎo)芯體由相同的層形成。(補(bǔ)充附注5)根據(jù)補(bǔ)充附注1-4中任一項(xiàng)所述的光波導(dǎo)裝置，其中，所述提部與所述光波導(dǎo)芯體至少分離至少不會使沿所述光波導(dǎo)芯體傳播的光耦合的距離。(補(bǔ)充附注6)一種光波導(dǎo)裝置的制造方法，包括以下步驟在基板上形成下包覆層；在所述下包覆層上形成光波導(dǎo)芯體和至少一對提部，所述至少一對提部沿布置在每一對所述提部之間的所述光波導(dǎo)芯體成行布置；以及形成遮蓋所述光波導(dǎo)芯體和所述提部的上包覆層。(補(bǔ)充附注7)根據(jù)補(bǔ)充附注6所述的光波導(dǎo)裝置的制造方法，其中，每一對所述提部具有相等的寬度并距離所述光波導(dǎo)芯體相等的距離。(補(bǔ)充附注8)根據(jù)補(bǔ)充附注6或7所述的光波導(dǎo)裝置的制造方法，其中，所有所述提部和所述光波導(dǎo)芯體具有相等的寬度和相等的間隔。(補(bǔ)充附注9)根據(jù)補(bǔ)充附注6-8中任一項(xiàng)所述的光波導(dǎo)裝置的制造方法，其中，所述提部和所述光波導(dǎo)芯體由相同的層形成。(補(bǔ)充附注10)根據(jù)補(bǔ)充附注6-9中任一項(xiàng)所述的光波導(dǎo)裝置的制造方法，其中，所述提部與所述光波導(dǎo)芯體至少分離不會使沿所述光波導(dǎo)芯體傳播的光耦合的距離。在上述專利文獻(xiàn)1中所述的技術(shù)可以減小來自遮蓋光波導(dǎo)芯體部分的上包覆層的應(yīng)力。然而，在該技術(shù)中具有以下問題。當(dāng)二氧化硅膜或類似物形成在晶片狀硅基板上時，由于基板與膜之間的熱膨脹系數(shù)差而使得熱處理之后的晶片會產(chǎn)生翹曲。來自基板的由這種翹曲產(chǎn)生的應(yīng)力出現(xiàn)在整個晶片中，并且會增加光波導(dǎo)芯體的雙折射率。當(dāng)考慮這種應(yīng)力在圖5中所示的馬赫-曾德爾干涉儀結(jié)構(gòu)上的影響時，因?yàn)閮蓚€光波導(dǎo)管25 J6被布置成彼此靠近大約幾十微米，因此來自基板的應(yīng)力以同樣的方式被添加到兩個波導(dǎo)部分。因此，即使光波導(dǎo)管25和沈的光程長度已經(jīng)改變，因?yàn)樽兓繋缀跸嗤坏窒?，因此光程長度差幾乎沒有變化。另一方面，與光程長度差不同，應(yīng)力對定向耦合器部件的光耦合強(qiáng)度的影響沒有被抵消。為了避免此現(xiàn)象，需要盡可能地防止構(gòu)成包覆層的膜在膜與硅基板之間產(chǎn)生雙金屬效應(yīng)。為此，添加諸如硼和磷的雜質(zhì)以降低膜的軟化溫度并使該膜的熱膨脹系數(shù)接近基板的熱膨脹系數(shù)。然而，在圖8的結(jié)構(gòu)中，大多數(shù)光波導(dǎo)芯層材料不僅作為光波導(dǎo)芯體23而且還作為周邊區(qū)域31保留在晶片上，而沒有被蝕刻。GSG(鍺-硅酸鹽玻璃)通常用作光波導(dǎo)芯層材料，這是因?yàn)榭梢匀菀椎乜刂艷SG的折射率。應(yīng)力非常強(qiáng)的這種GSG膜在圖8的結(jié)構(gòu)中會導(dǎo)致晶片翹曲，這增加了不能被忽視的雙折射率。進(jìn)一步地，因?yàn)楣獠▽?dǎo)芯體部分的周邊區(qū)域31的體積較大，因此該周邊區(qū)域在熱處理中膨脹。因此，如圖9所示，光波導(dǎo)芯體部分本身受到來自此周邊區(qū)域31的應(yīng)力(如箭頭所示)的強(qiáng)烈影響。當(dāng)光波導(dǎo)芯體周圍的周邊區(qū)域31的形狀相同時，應(yīng)力以相等的方式被增加。然而，在實(shí)際的光波導(dǎo)裝置中，這種情況很少。很難預(yù)測由于如上所述來自光波導(dǎo)芯體的周邊區(qū)域31的應(yīng)力而產(chǎn)生的芯體的變形和類似情況。因此，難以避免制造產(chǎn)量由于變形而下降。相反，本發(fā)明的效果的一個實(shí)例是提供一種光波導(dǎo)裝置，該光波導(dǎo)裝置能夠減小來自周邊和基板的至光波導(dǎo)芯體的應(yīng)力，并且能夠防止由光波導(dǎo)芯體的變形或雙折射率變化引起的光程長度的波動。雖然已經(jīng)參照本發(fā)明的示例性實(shí)施例具體地顯示并說明了本發(fā)明，但是本發(fā)明不局限于這些實(shí)施例。本領(lǐng)域的技術(shù)人員要理解的是在不背離如權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和保護(hù)范圍的情況下可以在形式和細(xì)節(jié)上對本發(fā)明做各種改變。
權(quán)利要求
1.一種光波導(dǎo)裝置，包括下包覆層，所述下包覆層形成在基板上；光波導(dǎo)芯體，所述光波導(dǎo)芯體形成在所述下包覆層上；至少一對提部，所述至少一對提部沿布置在每一對所述提部之間的所述光波導(dǎo)芯體成行布置；和上包覆層，所述上包覆層遮蓋所述光波導(dǎo)芯體和所述提部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光波導(dǎo)裝置，其中，每一對所述提部具有相等的寬度并距離所述光波導(dǎo)芯體相等的距離。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光波導(dǎo)裝置，其中，所有所述提部和所述光波導(dǎo)芯體具有相等的寬度和相等的間隔。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光波導(dǎo)裝置，其中，所述提部和所述光波導(dǎo)芯體由相同的層或同一層形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光波導(dǎo)裝置，其中，所述提部與所述光波導(dǎo)芯體至少分離不會使沿所述光波導(dǎo)芯體傳播的光耦合的距離。
6.一種光波導(dǎo)裝置的制造方法，包括以下步驟在基板上形成下包覆層；在所述下包覆層上形成光波導(dǎo)芯體和至少一對提部，所述至少一對提部沿布置在每一對所述提部之間的所述光波導(dǎo)芯體成行布置；以及形成遮蓋所述光波導(dǎo)芯體和所述提部的上包覆層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光波導(dǎo)裝置的制造方法，其中，每一對所述提部具有相等的寬度并距離所述光波導(dǎo)芯體相等的距離。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光波導(dǎo)裝置的制造方法，其中，所有所述提部和所述光波導(dǎo)芯體具有相等的寬度和相等的間隔。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光波導(dǎo)裝置的制造方法，其中，所述提部和所述光波導(dǎo)芯體由相同的層或同一層形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光波導(dǎo)裝置的制造方法，其中，所述提部與所述光波導(dǎo)芯體至少分離不會使沿所述光波導(dǎo)芯體傳播的光耦合的距離。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種光波導(dǎo)裝置，包括形成在基板上的下包覆層；形成在下包覆層上的光波導(dǎo)芯體；至少一對堤部，所述至少一對堤部沿布置在每一對所述堤部之間的光波導(dǎo)芯體成行布置；和遮蓋光波導(dǎo)芯體和堤部的上包覆層。
文檔編號G02B6/13GK102298171SQ20111016733
公開日2011年12月28日 申請日期2011年6月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月22日
發(fā)明者渡邊真也 申請人:日本電氣株式會社