專利名稱：液晶裝置、液晶裝置的驅(qū)動(dòng)方法以及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶裝置、液晶裝置的驅(qū)動(dòng)方法以及電子設(shè)備。本申請(qǐng)要求對(duì)2010年3月29日申請(qǐng)的日本專利申請(qǐng)第2010-074992號(hào)和2010 年3月30日申請(qǐng)的日本專利申請(qǐng)第2010-077499號(hào)的優(yōu)先權(quán)，并在此援引其內(nèi)容。
背景技術(shù)：
當(dāng)前已知在像素電極和對(duì)置電極之間配置液晶層的液晶裝置。像素電極與薄膜晶體管(以下稱為TFT)等開(kāi)關(guān)元件電氣連接。開(kāi)關(guān)元件根據(jù)來(lái)自掃描線的掃描信號(hào)的輸入控制導(dǎo)通截止。開(kāi)關(guān)元件在導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)對(duì)像素電極施加來(lái)自數(shù)據(jù)線的電壓。通過(guò)該電壓， 在像素電極和對(duì)置電極之間施加電場(chǎng)，并由該電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)液晶層。在通常的液晶裝置中，例如，采用使對(duì)各像素電極施加的驅(qū)動(dòng)電壓的極性按每個(gè)掃描線或數(shù)據(jù)線或者按圖像信號(hào)的每個(gè)幀反相的反相驅(qū)動(dòng)(交流驅(qū)動(dòng))。即，液晶層被交流驅(qū)動(dòng)。為了交流驅(qū)動(dòng)液晶層，例如，將對(duì)置電極保持在規(guī)定的對(duì)置電極電位，在連續(xù)的兩個(gè)幀期間將像素電極的電位在相對(duì)于對(duì)置電極電位的高電位(正極性)和低電位(負(fù)極性) 之間切換。這樣，由于對(duì)液晶層的施加電場(chǎng)的方向反相，因此，可以減少液晶層的電荷的不平衡。如果減少電荷的不平衡，則可以減少由于電荷的不平衡而對(duì)液晶層施加的直流電壓分量，抑制顯示缺陷的發(fā)生。即，抑制正負(fù)極性的電量的平衡由于直流電壓分量而崩潰， 在正負(fù)極性的期間由于液晶裝置的透過(guò)率變化而引起的顯示圖像的閃爍難以發(fā)生。此外， 由直流電壓分量對(duì)液晶層恒定地施加電場(chǎng)而導(dǎo)致的恒定的圖案顯示(余像)難以發(fā)生。但是，在單純只進(jìn)行反相驅(qū)動(dòng)中，直流電壓分量的施加沒(méi)有完全解決，依然發(fā)生顯示缺陷。艮口， 即使進(jìn)行反相驅(qū)動(dòng)，也會(huì)發(fā)生直流電壓分量對(duì)液晶層的施加和電荷的不平衡，必須對(duì)這些采取對(duì)策。但是，如果將對(duì)置電極電位和高電位的電位差設(shè)為與對(duì)置電極電位和低電位的電位差相同并驅(qū)動(dòng)液晶裝置，則已知會(huì)產(chǎn)生直流電壓分量。該直流電壓分量被認(rèn)為是由于下述的兩個(gè)現(xiàn)象而產(chǎn)生的。第1現(xiàn)象是在開(kāi)關(guān)元件從導(dǎo)通狀態(tài)向截止?fàn)顟B(tài)切換時(shí)，通過(guò)分配溝道區(qū)域的電荷并對(duì)像素電極充電，像素電極的電位發(fā)生變化的現(xiàn)象(也稱為場(chǎng)穿透或下推、穿透)。具體地，在寄生電容和存儲(chǔ)電容中蓄積的電荷在開(kāi)關(guān)元件截止的定時(shí)被再分配而導(dǎo)致的像素電極的電壓降低現(xiàn)象。第2現(xiàn)象是由于在液晶層的像素電極一側(cè)和對(duì)置電極一側(cè)的電氣特性是非對(duì)稱而產(chǎn)生電荷的不平衡的現(xiàn)象。對(duì)于由第1現(xiàn)象引起的直流電壓分量的產(chǎn)生，如果預(yù)先測(cè)定或者推定由于開(kāi)關(guān)元件的寄生電容而導(dǎo)致的像素電極的電位的變動(dòng)量，并以抵消由于該變動(dòng)量而導(dǎo)致的正負(fù)極性的電量的變動(dòng)的方式設(shè)定對(duì)置電極電位，則可以消除。作為消除由于第2現(xiàn)象而導(dǎo)致的直流電壓分量的產(chǎn)生的技術(shù)，有日本特開(kāi)2007-219356號(hào)公報(bào)所公開(kāi)的技術(shù)。日本特開(kāi)2007-219356號(hào)公報(bào)的液晶裝置具備在第1無(wú)機(jī)取向膜和第2無(wú)機(jī)取向膜之間夾持的傾斜垂直取向模式的液晶以及電壓施加部件。第2無(wú)機(jī)取向膜的厚度比第1 無(wú)機(jī)取向膜的厚度厚。電壓施加部件施加規(guī)定的電壓，以致在第1無(wú)機(jī)取向膜一側(cè)成為第 1電位，在第2無(wú)機(jī)取向膜一側(cè)成為比第1電位低的第2電位。在日本特開(kāi)2007-219356號(hào)公報(bào)的技術(shù)中，通過(guò)使在第1無(wú)機(jī)取向膜一側(cè)和在第2 無(wú)機(jī)取向膜一側(cè)的電位不同，期待能夠緩和由于第1無(wú)機(jī)取向膜一側(cè)和第2無(wú)機(jī)取向膜一側(cè)的厚度的差異而造成的電荷不平衡的效果。但是，產(chǎn)生電荷的不平衡的原因被認(rèn)為并不是在第1無(wú)機(jī)取向膜一側(cè)和第2無(wú)機(jī)取向膜一側(cè)的厚度的差異，因此，從根據(jù)液晶裝置的構(gòu)成來(lái)有效減少直流電壓分量的觀點(diǎn)看，日本國(guó)特開(kāi)2007-219356號(hào)公報(bào)的技術(shù)還有改善的余地。此外，提出了針對(duì)上述兩個(gè)現(xiàn)象的液晶裝置的驅(qū)動(dòng)方法。例如，在日本特開(kāi) 2002-189460號(hào)公報(bào)中，公開(kāi)了使成為反相驅(qū)動(dòng)中的極性反相的基準(zhǔn)的對(duì)置電極電位預(yù)先偏移以修正第1現(xiàn)象(場(chǎng)穿透)和第2現(xiàn)象(由于元件基板和對(duì)置基板的電氣特性差而造成的電壓偏移)所帶來(lái)的影響的技術(shù)。具體地，在日本特開(kāi)2002-189460號(hào)公報(bào)中，在初始階段，通過(guò)規(guī)定的測(cè)量條件測(cè)量由于第1現(xiàn)象而造成的電壓變動(dòng)量和由于第2現(xiàn)象而造成的電壓變動(dòng)量，并將它們相加的值作為一定的修正電壓，加到對(duì)置電極的設(shè)定電位(V。。m)。在日本特開(kāi)2002-189460號(hào)公報(bào)的技術(shù)中，通過(guò)向?qū)χ秒姌O電位加入將由于第1 現(xiàn)象和第2現(xiàn)象而造成的電壓變動(dòng)量相加而獲得的修正電壓，可以抑制由于直流電壓分量的產(chǎn)生而導(dǎo)致的顯示品質(zhì)的降低。但是，在相對(duì)于第1現(xiàn)象的修正電壓，第2現(xiàn)象的修正電壓具有某個(gè)程度的大小時(shí)，對(duì)置電極電位向正負(fù)的任意一方顯著偏移。即，當(dāng)對(duì)第2現(xiàn)象的修正電壓大時(shí)，驅(qū)動(dòng)電壓的正負(fù)的振幅差變大。因此，有發(fā)生閃爍等顯示缺陷的情況。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明正是鑒于這樣的問(wèn)題而提出的，其目的在于提供能夠謀求抑制閃爍等顯示缺陷的發(fā)生并提高顯示品質(zhì)的液晶裝置、液晶裝置的驅(qū)動(dòng)方法以及電子設(shè)備。在本發(fā)明中，為了達(dá)成上述目的，采用以下的方式。本發(fā)明的第1液晶裝置具備像素電極；與上述像素電極電氣連接的開(kāi)關(guān)元件；與上述像素電極相對(duì)配置并被施加對(duì)置電極電位的對(duì)置電極；在上述像素電極和上述對(duì)置電極之間設(shè)置的液晶層；在上述液晶層和上述像素電極之間設(shè)置的第1取向膜；在上述第1 取向膜和上述像素電極之間設(shè)置的由氧化硅構(gòu)成的第1電介質(zhì)層；在上述液晶層和上述對(duì)置電極之間設(shè)置的第2取向膜；以及在上述第2取向膜和上述對(duì)置電極之間設(shè)置的由氧化硅構(gòu)成的厚度比上述第1電介質(zhì)層薄的第2電介質(zhì)層。對(duì)上述像素電極經(jīng)由上述開(kāi)關(guān)元件交替地施加相對(duì)于上述對(duì)置電極電位的高電位和低電位。當(dāng)將使上述高電位和上述低電位的平均電位只偏移對(duì)上述像素電極施加上述高電位時(shí)由于上述開(kāi)關(guān)元件的寄生電容而產(chǎn)生的上述像素電極的電位的變化量和對(duì)上述像素電極施加上述低電位時(shí)由于上述寄生電容而產(chǎn)生的上述像素電極的電位的變化量的平均值的量的電位設(shè)為基準(zhǔn)電位時(shí)，上述對(duì)置電極電位比上述基準(zhǔn)電位低。
在這樣的在像素電極和第1取向膜之間設(shè)置第1電介質(zhì)層并且在對(duì)置電極和第2 取向膜之間設(shè)置厚度比第1電介質(zhì)層薄的第2電介質(zhì)層的構(gòu)成中，容易在對(duì)置電極一側(cè)蓄積電荷。在本發(fā)明中，由于對(duì)置電極電位比基準(zhǔn)電位低，因此，與向?qū)χ秒姌O施加基準(zhǔn)電位的情況相比，對(duì)像素電極施加高電位時(shí)，相對(duì)于對(duì)置電極電位的像素電極的電位差的絕對(duì)值變高。同樣，對(duì)像素電極施加低電位時(shí)，相對(duì)于對(duì)置電極電位的像素電極的電位差的絕對(duì)值變低。因此，可以增加從液晶層的對(duì)置電極一側(cè)向像素電極一側(cè)移動(dòng)的電荷，并減少?gòu)囊壕拥南袼仉姌O一側(cè)向?qū)χ秒姌O一側(cè)移動(dòng)的電荷減少。因此，可以使電荷移動(dòng)以抵消由于第1電介質(zhì)層和第2電介質(zhì)層的厚度的差異而造成的電荷的不平衡，可以減少該電荷的不平衡?；鶞?zhǔn)電位是使平均電位只偏移施加高電位時(shí)由于開(kāi)關(guān)元件的寄生電容而造成的像素電極的電位的變化量和施加低電位時(shí)由于寄生電容而造成的像素電極的電位的變化量的平均值的量的電位。因此，當(dāng)向?qū)χ秒姌O施加基準(zhǔn)電位時(shí)，可以避免由于場(chǎng)穿透而造成的電荷的不平衡。對(duì)于這樣的基準(zhǔn)電位，由于如上所述地設(shè)定了對(duì)置電極電位，因此，由于場(chǎng)穿透而造成的電荷的不平衡以及由于第1電介質(zhì)層和第2電介質(zhì)層的厚度的差異而造成的電荷的不平衡都可減少。這樣，在本發(fā)明的液晶裝置中，電荷的不平衡被減少，因此可以抑制閃爍、余像的發(fā)生。本發(fā)明的第2液晶裝置具備像素電極；與上述像素電極電氣連接的開(kāi)關(guān)元件；與上述像素電極相對(duì)配置并被施加對(duì)置電極電位的對(duì)置電極；在上述像素電極和上述對(duì)置電極之間設(shè)置的液晶層；在上述液晶層和上述像素電極之間設(shè)置的第1取向膜；在上述第1 取向膜和上述像素電極之間設(shè)置的由氧化硅構(gòu)成的第1電介質(zhì)層；在上述液晶層和上述對(duì)置電極之間設(shè)置的第2取向膜；以及在上述第2取向膜和上述對(duì)置電極之間設(shè)置的由氧化硅構(gòu)成的厚度比上述第1電介質(zhì)層厚的第2電介質(zhì)層。對(duì)上述像素電極經(jīng)由上述開(kāi)關(guān)元件交替地施加相對(duì)于上述對(duì)置電極電位的高電位和低電位。當(dāng)將使上述高電位和上述低電位的平均電位只偏移對(duì)上述像素電極施加上述高電位時(shí)由于上述開(kāi)關(guān)元件的寄生電容而產(chǎn)生的上述像素電極的電位的變化量和對(duì)上述像素電極施加上述低電位時(shí)由于上述寄生電容而產(chǎn)生的上述像素電極的電位的變化量的平均值的量的電位設(shè)為基準(zhǔn)電位時(shí)，上述對(duì)置電極電位比上述基準(zhǔn)電位高。在這樣的在像素電極和第1取向膜之間設(shè)置第1電介質(zhì)層并且在對(duì)置電極和第2 取向膜之間設(shè)置厚度比第1電介質(zhì)層厚的第2電介質(zhì)層的構(gòu)成中，容易在像素電極一側(cè)蓄積電荷。在本發(fā)明中，由于對(duì)置電極電位比基準(zhǔn)電位高，因此，與向?qū)χ秒姌O施加基準(zhǔn)電位的情況相比，對(duì)像素電極施加高電位時(shí)，相對(duì)于對(duì)置電極電位的像素電極的電位差的絕對(duì)值變低。同樣，對(duì)像素電極施加低電位時(shí)，相對(duì)于對(duì)置電極電位的像素電極的電位差的絕對(duì)值變高。因此，可以減少?gòu)囊壕拥膶?duì)置電極一側(cè)向像素電極一側(cè)移動(dòng)的電荷，并增加從液晶層的像素電極一側(cè)向?qū)χ秒姌O一側(cè)移動(dòng)的電荷。因此，可以使電荷移動(dòng)以抵消由于第 1電介質(zhì)層和第2電介質(zhì)層的厚度的差異而造成的電荷的不平衡，可以減少該電荷的不平 此外，由于相對(duì)于基準(zhǔn)電位設(shè)定了對(duì)置電極電位，因此，基于與第1液晶裝置同樣的理由，由于場(chǎng)穿透而造成的電荷的不平衡以及由于第1電介質(zhì)層和第2電介質(zhì)層的厚度的差異而造成的電荷的不平衡都可減少。這樣，在本發(fā)明的液晶裝置中，電荷的不平衡被減少，因此可以抑制閃爍、余像的發(fā)生。本發(fā)明的第3液晶裝置具備元件基板，其具備多個(gè)掃描線和多個(gè)數(shù)據(jù)線以及與上述掃描線和上述數(shù)據(jù)線的交點(diǎn)對(duì)應(yīng)設(shè)置的開(kāi)關(guān)元件和像素電極；與上述元件基板相對(duì)配置的具備對(duì)置電極的對(duì)置基板；在上述元件基板和上述對(duì)置基板之間夾持的液晶層；在上述元件基板的上述液晶層的一側(cè)設(shè)置的第1取向膜；在上述對(duì)置基板的上述液晶層的一側(cè)設(shè)置的第2取向膜；在上述像素電極和上述第1取向膜之間設(shè)置的膜厚度比上述液晶層薄且電阻率比上述液晶層高的由SiO2構(gòu)成的第1電介質(zhì)膜；以及在上述對(duì)置電極和上述第2 取向膜之間設(shè)置的膜厚度比上述第1電介質(zhì)膜薄且電阻率比上述液晶層高的由SiO2構(gòu)成的第2電介質(zhì)膜。對(duì)上述對(duì)置電極施加被設(shè)定為降低由于上述開(kāi)關(guān)元件的寄生電容而引起的閃爍的對(duì)置電極電位。對(duì)上述像素電極在以上述對(duì)置電極電位為基準(zhǔn)將高位的電壓設(shè)為正極性、低位的電壓設(shè)為負(fù)極性時(shí)交替地施加上述正極性的電壓和上述負(fù)極性的電壓。在由上述正極性的電壓被施加的第1期間和上述負(fù)極性的電壓被施加的第2期間構(gòu)成的規(guī)定期間中，上述第1期間的長(zhǎng)度被設(shè)定為比上述第2期間的長(zhǎng)度長(zhǎng)。根據(jù)該液晶裝置，由于對(duì)置電極電位被預(yù)先偏移地設(shè)定為降低由于開(kāi)關(guān)元件的寄生電容而造成的閃爍，因此，加入了對(duì)第1現(xiàn)象的修正。此外，由于規(guī)定期間中第1期間的長(zhǎng)度被設(shè)定為比第2期間的長(zhǎng)度長(zhǎng)，因此，也加入了對(duì)第2現(xiàn)象的修正。該修正是基于本發(fā)明者發(fā)現(xiàn)通過(guò)在元件基板一側(cè)的像素電極和第1取向膜之間配置膜厚度比液晶層薄且電阻率比液晶層高的由氧化硅(SiO2)構(gòu)成的第1電介質(zhì)膜、并在對(duì)置基板一側(cè)的對(duì)置電極和第2取向膜之間配置膜厚度比上述第1電介質(zhì)膜薄且電阻率比液晶層高的由氧化硅(SiO2) 構(gòu)成的第2電介質(zhì)膜，實(shí)效電壓波形向電位的正方向偏移。關(guān)于這一點(diǎn)，也可以根據(jù)本發(fā)明者進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)結(jié)果確認(rèn)。即，通過(guò)在元件基板一側(cè)的像素電極和第1取向膜之間配置膜厚度比對(duì)置基板一側(cè)的對(duì)置電極和第2取向膜之間的第2電介質(zhì)膜厚的第1電介質(zhì)膜，與第 1電介質(zhì)膜的膜厚度和第2電介質(zhì)膜的膜厚度相同的情況相比，V。。m向正方向偏移(偏移后的對(duì)置電極電位從偏移前的對(duì)置電極電位向正方向偏離)變得明確。這樣，由于預(yù)先確定了 V-偏移的偏離方向，因此，與現(xiàn)有技術(shù)的向哪兒偏離不確定的情況相比，可以可靠地進(jìn)行對(duì)v。。m偏移的修正。因此，可以提供抑制閃爍等顯示缺陷的發(fā)生并提高顯示品質(zhì)的液晶
直O(jiān)本發(fā)明的第4液晶裝置具備元件基板，其具備多個(gè)掃描線和多個(gè)數(shù)據(jù)線以及與上述掃描線和上述數(shù)據(jù)線的交點(diǎn)對(duì)應(yīng)設(shè)置的開(kāi)關(guān)元件和像素電極；與上述元件基板相對(duì)配置的具備對(duì)置電極的對(duì)置基板；在上述元件基板和上述對(duì)置基板之間夾持的液晶層；在上述元件基板的上述液晶層的一側(cè)設(shè)置的第1取向膜；在上述對(duì)置基板的上述液晶層的一側(cè)設(shè)置的第2取向膜；在上述像素電極和上述第1取向膜之間設(shè)置的膜厚度比上述液晶層薄且電阻率比上述液晶層高的由SiO2構(gòu)成的第1電介質(zhì)膜；以及在上述對(duì)置電極和上述第2 取向膜之間設(shè)置的膜厚度比上述第1電介質(zhì)膜厚且電阻率比上述液晶層高的由SiO2構(gòu)成的第2電介質(zhì)膜。對(duì)上述對(duì)置電極施加被設(shè)定為降低由于上述開(kāi)關(guān)元件的寄生電容而引起的閃爍的對(duì)置電極電位。對(duì)上述像素電極在以上述對(duì)置電極電位為基準(zhǔn)將高位的電壓設(shè)為正極性、低位的電壓設(shè)為負(fù)極性時(shí)交替地施加上述正極性的電壓和上述負(fù)極性的電壓。在由上述正極性的電壓被施加的第1期間和上述負(fù)極性的電壓被施加的第2期間構(gòu)成的規(guī)定期間中，上述第1期間的長(zhǎng)度被設(shè)定為比上述第2期間的長(zhǎng)度短。根據(jù)該液晶裝置，由于對(duì)置電極電位被預(yù)先偏移地設(shè)定為降低由于開(kāi)關(guān)元件的寄生電容而造成的閃爍，因此，加入了對(duì)第1現(xiàn)象的修正。此外，規(guī)定期間中第1期間的長(zhǎng)度被設(shè)定為比第2期間的長(zhǎng)度短，因此，也加入了對(duì)第2現(xiàn)象的修正。該修正是基于本發(fā)明者發(fā)現(xiàn)通過(guò)在元件基板一側(cè)的像素電極和第1取向膜之間配置膜厚度比液晶層薄且電阻率比液晶層高的由氧化硅(SiO2)構(gòu)成的第1電介質(zhì)膜、并在對(duì)置基板一側(cè)的對(duì)置電極和第2 取向膜之間配置膜厚度比上述第1電介質(zhì)膜厚且電阻率比液晶層高的由氧化硅(SiO2)構(gòu)成的第2電介質(zhì)膜，實(shí)效電壓波形向電位的負(fù)方向偏移。關(guān)于這一點(diǎn)，也可以根據(jù)本發(fā)明者進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)結(jié)果確認(rèn)。即，通過(guò)在元件基板一側(cè)的像素電極和第1取向膜之間配置膜厚度比對(duì)置基板一側(cè)的對(duì)置電極和第2取向膜之間的第2電介質(zhì)膜薄的第1電介質(zhì)膜，與第1 電介質(zhì)膜的膜厚度和第2電介質(zhì)膜的膜厚度相同的情況相比，Vcoffl向負(fù)方向偏移(偏移后的對(duì)置電極電位從偏移前的對(duì)置電極電位向負(fù)方向偏離)變得明確。這樣，由于預(yù)先確定了 V-偏移的偏離方向，因此，與現(xiàn)有技術(shù)的向哪兒偏離不確定的情況相比，可以可靠地進(jìn)行V。。m偏移的修正。因此，可以提供抑制閃爍等顯示缺陷的發(fā)生并提高顯示品質(zhì)的液晶裝置。本發(fā)明的第1、第2液晶裝置，其特征在于，上述第1電介質(zhì)層和第2電介質(zhì)層的厚度都比上述液晶層薄，并且電阻率都比上述液晶層高。這樣，對(duì)液晶層施加的電場(chǎng)難以妨礙第1電介質(zhì)層、第2電介質(zhì)層。本發(fā)明的第1、第2、第3、第4液晶裝置，其特征在于，上述像素電極由鋁構(gòu)成，上述對(duì)置電極由銦錫氧化物構(gòu)成。這樣，可以構(gòu)成反射型的液晶裝置，可以提高像素的開(kāi)口率、實(shí)現(xiàn)液晶裝置的薄型化等。此外，與像素電極和對(duì)置電極由相同的材料(例如ΙΤ0)構(gòu)成的情況相比，能夠明確V。。m向負(fù)方向或者正方向偏移，元件基板和對(duì)置基板的特性的非對(duì)稱性變得顯著。關(guān)于這一點(diǎn)，也可以根據(jù)本發(fā)明者進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)結(jié)果確認(rèn)。因此，與像素電極和對(duì)置電極例如由ITO 構(gòu)成的情況相比，由于夾持液晶層的元件基板和對(duì)置基板的特性差而造成的直流電壓分量顯著地產(chǎn)生。因此，可抑制閃爍等顯示缺陷的發(fā)生，提高顯示品質(zhì)。本發(fā)明的第1液晶裝置，其特征在于，當(dāng)上述第1電介質(zhì)層的厚度是75nm，上述第2電介質(zhì)層的厚度是300nm時(shí)，上述對(duì)置電極電位和上述低電位的電位差的絕對(duì)值對(duì)上述對(duì)置電極電位和上述高電位的電位差的絕對(duì)值的比率被設(shè)定為43. 5/56.5以上且 46. 5/53. 5以下的范圍。這樣，可以有效地減少由于第1電介質(zhì)層和第2電介質(zhì)層的厚度的差異而導(dǎo)致的電荷的不平衡。本發(fā)明的第2液晶裝置，其特征在于，當(dāng)上述第1電介質(zhì)層的厚度是300nm，上述第 2電介質(zhì)層的厚度是75nm時(shí)，上述對(duì)置電極電位和上述低電位的電位差的絕對(duì)值對(duì)上述對(duì)置電極電位和上述高電位的電位差的絕對(duì)值的比率被設(shè)定為53. 5/46. 5以上且56. 5/43. 5 以下的范圍。這樣，可以有效地減少由于第1電介質(zhì)層和第2電介質(zhì)層的厚度的差異而導(dǎo)致的電荷的不平衡。
本發(fā)明的第一液晶裝置的驅(qū)動(dòng)方法，該液晶裝置具備像素電極；與上述像素電極電氣連接的開(kāi)關(guān)元件；與上述像素電極相對(duì)配置并被施加對(duì)置電極電位的對(duì)置電極；在上述像素電極和上述對(duì)置電極之間設(shè)置的液晶層；在上述液晶層和上述像素電極之間設(shè)置的第1取向膜；在上述第1取向膜和上述像素電極之間設(shè)置的由氧化硅構(gòu)成的第1電介質(zhì)層；在上述液晶層和上述對(duì)置電極之間設(shè)置的第2取向膜；以及在上述第2取向膜和上述對(duì)置電極之間設(shè)置的由氧化硅構(gòu)成的厚度比上述第1電介質(zhì)層薄的第2電介質(zhì)層。該驅(qū)動(dòng)方法對(duì)上述像素電極經(jīng)由上述開(kāi)關(guān)元件交替地施加相對(duì)于上述對(duì)置電極電位的高電位和低電位，并在將使上述高電位和上述低電位的平均電位只偏移對(duì)上述像素電極施加上述高電位時(shí)由于上述開(kāi)關(guān)元件的寄生電容而產(chǎn)生的上述像素電極的電位的變化量和對(duì)上述像素電極施加上述低電位時(shí)由于上述寄生電容而產(chǎn)生的上述像素電極的電位的變化量的平均值的量的電位設(shè)為基準(zhǔn)電位時(shí)，使上述對(duì)置電極電位比上述基準(zhǔn)電位低。這樣，由于如上所述地設(shè)定對(duì)置電極電位，因此，由于場(chǎng)穿透而造成的電荷的不平衡以及由于第1電介質(zhì)層和第2電介質(zhì)層的厚度的差異而造成的電荷的不平衡都可以減少。本發(fā)明的第二液晶裝置的驅(qū)動(dòng)方法，該液晶裝置具備元件基板，其具備多個(gè)掃描線和多個(gè)數(shù)據(jù)線以及與上述掃描線和上述數(shù)據(jù)線的交點(diǎn)對(duì)應(yīng)設(shè)置的開(kāi)關(guān)元件和像素電極； 與上述元件基板相對(duì)配置的具備對(duì)置電極的對(duì)置基板；在上述元件基板和上述對(duì)置基板之間夾持的液晶層；在上述元件基板的上述液晶層的一側(cè)設(shè)置的第1取向膜；在上述對(duì)置基板的上述液晶層的一側(cè)設(shè)置的第2取向膜；在上述像素電極和上述第1取向膜之間設(shè)置的膜厚度比上述液晶層薄且電阻率比上述液晶層高的由3102構(gòu)成的第1電介質(zhì)膜；以及在上述對(duì)置電極和上述第2取向膜之間設(shè)置的膜厚度比上述第1電介質(zhì)膜薄且電阻率比上述液晶層高的由SiO2構(gòu)成的第2電介質(zhì)膜。該驅(qū)動(dòng)方法對(duì)上述對(duì)置電極施加被設(shè)定為降低由于上述開(kāi)關(guān)元件的寄生電容而引起的閃爍的對(duì)置電極電位，并在以上述對(duì)置電極電位為基準(zhǔn)將高位的電壓設(shè)為正極性、低位的電壓設(shè)為負(fù)極性時(shí)，對(duì)上述像素電極交替地施加上述正極性的電壓和上述負(fù)極性的電壓，在由上述正極性的電壓被施加的第1期間和上述負(fù)極性的電壓被施加的第2期間構(gòu)成的規(guī)定期間中，將上述第1期間的長(zhǎng)度設(shè)定為比上述第2期間的長(zhǎng)度長(zhǎng)。根據(jù)本發(fā)明的第二液晶裝置的驅(qū)動(dòng)方法，由于對(duì)置電極電位被預(yù)先偏移地設(shè)定為降低由于開(kāi)關(guān)元件的寄生電容而造成的閃爍，因此，加入了對(duì)第1現(xiàn)象的修正。此外，由于規(guī)定期間中第1期間的長(zhǎng)度被設(shè)定為比第2期間的長(zhǎng)度長(zhǎng)，因此，也加入了對(duì)第2現(xiàn)象的修正。該修正是基于本發(fā)明者發(fā)現(xiàn)通過(guò)在元件基板一側(cè)的像素電極和第1取向膜之間配置膜厚度比液晶層薄且電阻率比液晶層高的由氧化硅(SiO2)構(gòu)成的第1電介質(zhì)膜并在對(duì)置基板一側(cè)的對(duì)置電極和第2取向膜之間配置膜厚度比上述第1電介質(zhì)膜薄且電阻率比液晶層高的由氧化硅(SiO2)構(gòu)成的第2電介質(zhì)膜，實(shí)效電壓波形向電位的正方向偏移。關(guān)于這一點(diǎn)，也可以根據(jù)本發(fā)明者進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)結(jié)果確認(rèn)。因此，可以抑制閃爍等顯示缺陷的發(fā)生，并提高顯示品質(zhì)。本發(fā)明的第三液晶裝置的驅(qū)動(dòng)方法，該液晶裝置具備元件基板，其具備多個(gè)掃描線和多個(gè)數(shù)據(jù)線以及與上述掃描線和上述數(shù)據(jù)線的交點(diǎn)對(duì)應(yīng)設(shè)置的開(kāi)關(guān)元件和像素電極； 與上述元件基板相對(duì)配置的具備對(duì)置電極的對(duì)置基板；在上述元件基板和上述對(duì)置基板之間夾持的液晶層；在上述元件基板的上述液晶層的一側(cè)設(shè)置的第1取向膜；在上述對(duì)置基板的上述液晶層的一側(cè)設(shè)置的第2取向膜；在上述像素電極和上述第1取向膜之間設(shè)置的膜厚度比上述液晶層薄且電阻率比上述液晶層高的由3102構(gòu)成的第1電介質(zhì)膜；以及在上述對(duì)置電極和上述第2取向膜之間設(shè)置的膜厚度比上述第1電介質(zhì)膜厚且電阻率比上述液晶層高的由SiO2構(gòu)成的第2電介質(zhì)膜。該驅(qū)動(dòng)方法對(duì)上述對(duì)置電極施加被設(shè)定為降低由于上述開(kāi)關(guān)元件的寄生電容而引起的閃爍的對(duì)置電極電位，并在以上述對(duì)置電極電位為基準(zhǔn)將高位的電壓設(shè)為正極性、低位的電壓設(shè)為負(fù)極性時(shí)，對(duì)上述像素電極交替地施加上述正極性的電壓和上述負(fù)極性的電壓，在由上述正極性的電壓被施加的第1期間和上述負(fù)極性的電壓被施加的第2期間構(gòu)成的規(guī)定期間中，將上述第1期間的長(zhǎng)度設(shè)定為比上述第2期間的長(zhǎng)度短。根據(jù)本發(fā)明的第三液晶裝置的驅(qū)動(dòng)方法，由于對(duì)置電極電位被預(yù)先偏移地設(shè)定為降低由于開(kāi)關(guān)元件的寄生電容而造成的閃爍，因此，加入了對(duì)第1現(xiàn)象的修正。此外，由于規(guī)定期間中第1期間的長(zhǎng)度被設(shè)定為比第2期間的長(zhǎng)度短，因此，也加入了對(duì)第2現(xiàn)象的修正。該修正是基于本發(fā)明者發(fā)現(xiàn)通過(guò)在元件基板一側(cè)的像素電極和第1取向膜之間配置膜厚度比液晶層薄且電阻率比液晶層高的由氧化硅(SiO2)構(gòu)成的第1電介質(zhì)膜并在對(duì)置基板一側(cè)的對(duì)置電極和第2取向膜之間配置膜厚度比上述第1電介質(zhì)膜厚且電阻率比液晶層高的由氧化硅(SiO2)構(gòu)成的第2電介質(zhì)膜，實(shí)效電壓波形向電位的負(fù)方向偏移。關(guān)于這一點(diǎn)，也可以根據(jù)本發(fā)明者進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)結(jié)果確認(rèn)。因此，可以抑制閃爍等顯示缺陷的發(fā)生，并提高顯示品質(zhì)。此外，上述第二液晶裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，當(dāng)上述第1電介質(zhì)膜的膜厚度和上述第2電介質(zhì)膜的膜厚度的比率為1/4時(shí)，也可以將上述第1期間的長(zhǎng)度和上述第2 期間的長(zhǎng)度的比率設(shè)定為43. 5/56. 5以上且46. 5/53. 5以下的范圍。根據(jù)該液晶裝置的驅(qū)動(dòng)方法，由于變成與閃爍容限對(duì)應(yīng)的最佳時(shí)間分配比率，因此，可有效進(jìn)行對(duì)第2現(xiàn)象的修正。相反，如果第1期間的長(zhǎng)度和第2期間的長(zhǎng)度的比率比 43. 5/56. 5小，則存在第1期間的長(zhǎng)度過(guò)長(zhǎng)而不能有效修正的情況。此外，如果第1期間的長(zhǎng)度和第2期間的長(zhǎng)度的比率比46. 5/53. 5大，則存在第1期間的長(zhǎng)度過(guò)短而不能有效修正的情況。此外，上述第三液晶裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，當(dāng)上述第1電介質(zhì)膜的膜厚度和上述第2電介質(zhì)膜的膜厚度的比率為4/1時(shí)，將上述第1期間的長(zhǎng)度和上述第2期間的長(zhǎng)度的比率設(shè)定為53. 5/46. 5以上且56. 5/43. 5以下的范圍。根據(jù)該液晶裝置的驅(qū)動(dòng)方法，由于變成與閃爍容限對(duì)應(yīng)的最佳時(shí)間分配比率，因此，可有效進(jìn)行對(duì)第2現(xiàn)象的修正。相反，如果第1期間的長(zhǎng)度和第2期間的長(zhǎng)度的比率比 53. 5/46. 5小，則存在第1期間的長(zhǎng)度過(guò)長(zhǎng)而不能有效修正的情況。此外，如果第1期間的長(zhǎng)度和第2期間的長(zhǎng)度的比率比56. 5/43. 5大，則存在第1期間的長(zhǎng)度過(guò)短而不能有效修正的情況。本發(fā)明的電子設(shè)備，其特征在于，具備上述的液晶裝置。根據(jù)該電子設(shè)備，由于具備上述的液晶裝置，因此，可提供能夠抑制閃爍等顯示缺陷的發(fā)生并提高顯示品質(zhì)的電子設(shè)備。


圖1是涉及本發(fā)明的液晶裝置的概略結(jié)構(gòu)的方框圖。圖2是表示液晶面板的概略結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖3是表示液晶面板的電路結(jié)構(gòu)的圖。圖4是放大第1實(shí)施方式的液晶面板的截面構(gòu)造的示意圖。圖5A是驅(qū)動(dòng)電壓的說(shuō)明圖。圖5B是對(duì)置電極電位的說(shuō)明圖。圖6是表示使第1電介質(zhì)層和第2電介質(zhì)層的厚度的比率不同時(shí)的最佳基準(zhǔn)電位的隨時(shí)間變化的比較的曲線圖。圖7是表示第1實(shí)施方式中的對(duì)置電極電位的確定方法的說(shuō)明圖。圖8是放大第2實(shí)施方式的液晶面板的截面構(gòu)造的示意圖。圖9是表示第2實(shí)施方式中的對(duì)置電極電位的確定方法的說(shuō)明圖。圖10是涉及本發(fā)明的第3實(shí)施方式的液晶裝置的概略結(jié)構(gòu)的方框圖。圖11是表示涉及第3實(shí)施方式的液晶面板的概略結(jié)構(gòu)的圖。圖12是像素的等價(jià)電路圖。圖13是涉及第3實(shí)施方式的從對(duì)置基板一側(cè)觀察元件基板和在其上形成的各構(gòu)成要素的液晶面板的俯視圖。圖14是表示涉及第3實(shí)施方式的液晶面板的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。圖15A是表示涉及第3實(shí)施方式的柵極電壓和驅(qū)動(dòng)電壓波形的圖。圖15B是表示液晶層的實(shí)效電壓波形的圖。圖15C是表示從圖15B開(kāi)始經(jīng)過(guò)某一程度的驅(qū)動(dòng)時(shí)間后的液晶層的實(shí)效電壓波形的圖。圖16是表示涉及第3實(shí)施方式的經(jīng)過(guò)時(shí)間和Vcom偏移的關(guān)系的圖。圖17是表示涉及第3實(shí)施方式的時(shí)間比率和V。。m偏移的關(guān)系的圖。圖18是表示指定值為“+1”時(shí)的掃描信號(hào)體系的時(shí)序圖。圖19是表示數(shù)據(jù)信號(hào)體系的第1字段的時(shí)序圖。圖20是表示數(shù)據(jù)信號(hào)體系的第2字段的時(shí)序圖。圖21是表示在指定值為“+1”時(shí)各行的寫入狀態(tài)以及通過(guò)連續(xù)的幀的經(jīng)過(guò)時(shí)間的圖。圖22是表示涉及第4實(shí)施方式的液晶面板的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。圖23A是表示涉及第4實(shí)施方式的柵極電壓和驅(qū)動(dòng)電壓波形的圖。圖2 是表示液晶層的實(shí)效電壓波形的圖。圖23C是從圖2 開(kāi)始經(jīng)過(guò)某一程度的驅(qū)動(dòng)時(shí)間后的液晶層的實(shí)效電壓波形的圖。圖M是表示涉及第4實(shí)施方式的經(jīng)過(guò)時(shí)間和Vcom偏移的關(guān)系的圖。圖25是表示涉及第4實(shí)施方式的時(shí)間比率和V。。m偏移的關(guān)系的圖。圖沈是表示指定值為“ -1”時(shí)的掃描信號(hào)體系的時(shí)序圖。圖27是表示指定值為“-1”時(shí)各行的寫入狀態(tài)以及通過(guò)連續(xù)的幀的經(jīng)過(guò)時(shí)間的圖。
圖觀是表示電子設(shè)備的一個(gè)例子即投影機(jī)的概略結(jié)構(gòu)的示意圖。
具體實(shí)施例方式以下參照

本發(fā)明的實(shí)施方式。在說(shuō)明所采用的附圖中，為了便于理解特征部分，圖中的構(gòu)造的尺寸、比例有與實(shí)際的構(gòu)造不同的情況。另外，對(duì)于實(shí)施方式中相同的構(gòu)成要素，付與相同的符號(hào)進(jìn)行圖示，并省略其詳細(xì)說(shuō)明。另外，本發(fā)明的技術(shù)范圍并不限于下述的實(shí)施方式。在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)可以進(jìn)行各種變形。第1實(shí)施方式圖1是表示涉及本發(fā)明的液晶裝置的概略結(jié)構(gòu)的方框圖，圖2是表示液晶面板的概略結(jié)構(gòu)的俯視圖，圖3是表示液晶面板的電路構(gòu)成的圖。圖1所示的液晶裝置201具備液晶面板202、電壓生成電路210和處理電路211。 液晶面板202例如是有源矩陣驅(qū)動(dòng)的反射型液晶面板，其詳細(xì)構(gòu)成在后面描述。電壓生成電路210包含DC/DC變換器等。電壓生成電路210由處理電路211控制， 并如下所述地進(jìn)行工作。電壓生成電路210生成由液晶裝置201的各部分使用的多個(gè)電平的直流電壓。電壓生成電路210生成向液晶面板202的對(duì)置電極施加的對(duì)置電極電位V·， 并向液晶面板202提供。電壓生成電路210生成上述各種電壓所需要的電力從例如液晶裝置201的內(nèi)部或外部的電源提供。處理電路211由與數(shù)據(jù)信號(hào)Vid的輸出一起控制液晶面板202的操作等的電路模塊構(gòu)成。處理電路211通過(guò)例如FPC(柔性印刷電路)基板與液晶面板202連接。處理電路211包含控制電路212、顯示數(shù)據(jù)處理電路213、時(shí)鐘發(fā)生電路214、幀存儲(chǔ)器215和DA變換器216。在控制電路212中內(nèi)置有定時(shí)信號(hào)發(fā)生電路217，在定時(shí)信號(hào)發(fā)生電路217上附屬有時(shí)鐘發(fā)生電路214。控制電路212控制定時(shí)信號(hào)發(fā)生電路217、顯示數(shù)據(jù)處理電路213和電壓生成電路210。時(shí)鐘發(fā)生電路214生成成為各部分的控制操作的基準(zhǔn)的時(shí)鐘信號(hào)，并向定時(shí)信號(hào)發(fā)生電路217輸出。定時(shí)信號(hào)發(fā)生電路217生成用于與從外部裝置(省略圖示)提供的垂直同步信號(hào)Vs、水平同步信號(hào)Hs和點(diǎn)時(shí)鐘信號(hào)D。lk同步控制液晶面板202的各種控制信號(hào)。 定時(shí)信號(hào)發(fā)生電路217將作為上述控制信號(hào)生成的控制信號(hào)Ctel_x、觸發(fā)信號(hào)Dy、時(shí)鐘信號(hào) Cly向液晶面板202輸入。在顯示數(shù)據(jù)處理電路213上附屬有幀存儲(chǔ)器215和DA變換器216。顯示數(shù)據(jù)處理電路213由控制電路212控制，并如下所述地進(jìn)行動(dòng)作。顯示數(shù)據(jù)處理電路213將從外部裝置提供的顯示數(shù)據(jù)Video存儲(chǔ)在幀存儲(chǔ)器215中。顯示數(shù)據(jù)處理電路213在與液晶面板 202的驅(qū)動(dòng)同步地從幀存儲(chǔ)器215中讀出顯示數(shù)據(jù)Video的同時(shí)，由DA變換器216將顯示數(shù)據(jù)Video變換成模擬的數(shù)據(jù)信號(hào)Vid(驅(qū)動(dòng)電壓)。另外，顯示數(shù)據(jù)Video規(guī)定液晶面板 202的像素的灰度，以垂直同步信號(hào)Vs的提供定時(shí)為契機(jī)，提供1幀的量，并且以水平同步信號(hào)Hs的提供定時(shí)為契機(jī)，提供1行的量。本實(shí)施方式中的垂直同步信號(hào)Vs雖然采用頻率120Hz (周期為8. 33毫秒)，但是， 本發(fā)明的適用范圍并不限定垂直同步信號(hào)Vs的頻率。對(duì)于點(diǎn)時(shí)鐘信號(hào)D。lk，設(shè)為規(guī)定提供顯示數(shù)據(jù)Video中1個(gè)像素量的期間。即，控制電路212與顯示數(shù)據(jù)Video的提供同步地控制各部分。
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如圖2所示，液晶面板202具有元件基板220和對(duì)置基板221。液晶面板202的中央部成為顯示區(qū)域202A。顯示區(qū)域202A的周邊部成為黑顯示區(qū)域202B。在顯示區(qū)域202A中， 多個(gè)像素被排列成正方格子形。在此，雖然說(shuō)明了在顯示區(qū)域202A中排列有1920X1080 個(gè)像素，但是，本發(fā)明的適用范圍并不限定液晶面板202的像素?cái)?shù)。在以下的說(shuō)明中，存在將1920個(gè)像素排列的方向稱為水平掃描方向、將1080個(gè)像素排列的方向稱為垂直掃描方向的情況。在元件基板220上設(shè)置有與水平掃描方向大致平行的多個(gè)掃描線222。在元件基板220上設(shè)置有與垂直掃描方向大致平行的多個(gè)數(shù)據(jù)線223。掃描線222和數(shù)據(jù)線223在元件基板220中被設(shè)置在彼此不同的層，不相互導(dǎo)通。掃描線222和數(shù)據(jù)線223所包圍的各區(qū)域成為一個(gè)像素。在此所說(shuō)的像素是調(diào)制光的調(diào)制要素的最小單位，在通過(guò)兩個(gè)以上的基本色的加法混色顯示彩色圖像時(shí)，也稱為子像素。在掃描線222和數(shù)據(jù)線223的各交叉點(diǎn)附近，設(shè)置有與各像素一一對(duì)應(yīng)的開(kāi)關(guān)元件。開(kāi)關(guān)元件由TFT構(gòu)成。在黑顯示區(qū)域202B的周邊部以包圍黑顯示區(qū)域202B的方式設(shè)置有第1密封材料 224和第2密封材料225。對(duì)置基板221與元件基板220通過(guò)第1密封材料2M貼合。第1 密封材料2 具有開(kāi)口，第2密封材料225被設(shè)置為堵塞該開(kāi)口。在元件基板220和對(duì)置基板221之間的第1密封材料2M所包圍的區(qū)域中注入圖示省略的液晶層。在該區(qū)域中注入液晶層之后，通過(guò)第2密封材料225堵塞第1密封材料2M的開(kāi)口，從而將液晶層封在元件基板220和對(duì)置基板221之間。在顯示區(qū)域202A的外側(cè)中，在元件基板220和對(duì)置基板221重合的區(qū)域，在此是在對(duì)置基板221的4個(gè)角附近，設(shè)置有基板間導(dǎo)通端子部226。由電壓生成電路210生成的對(duì)置電極電位V。。m被提供給元件基板220，并經(jīng)由基板間導(dǎo)通端子部2 提供給對(duì)置基板 221。在顯示區(qū)域202A的外側(cè)，設(shè)置有后述的掃描線驅(qū)動(dòng)電路(圖示省略)和數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路(圖示省略)。多個(gè)掃描線222與掃描線驅(qū)動(dòng)電路電氣連接。多個(gè)數(shù)據(jù)線223與數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路電氣連接。在元件基板220的邊緣部，設(shè)置了連接端子部227。在連接端子部 227，設(shè)置有圖示省略的多個(gè)連接端子。各個(gè)連接端子的一端通過(guò)繞回布線等與掃描線驅(qū)動(dòng)電路或數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路電氣連接。各連接端子的另一端經(jīng)由上述FPC基板與處理電路211 電氣連接。掃描線驅(qū)動(dòng)電路和數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路被安裝在設(shè)置在元件基板220上的安裝端子部。如圖3所示，向掃描線驅(qū)動(dòng)電路231輸入上述的由定時(shí)信號(hào)發(fā)生電路217生成的觸發(fā)信號(hào)^和時(shí)鐘信號(hào)Cly。觸發(fā)信號(hào)Dy是規(guī)定各幀的開(kāi)始定時(shí)的信號(hào)。時(shí)鐘信號(hào)Cly是規(guī)定在各幀的期間中向各掃描線提供掃描信號(hào)的定時(shí)的信號(hào)。掃描線驅(qū)動(dòng)電路231根據(jù)觸發(fā)信號(hào)Dy和時(shí)鐘信號(hào)Cly按線順序向多個(gè)掃描線222提供掃描信號(hào)Gl G1080。當(dāng)向掃描線222提供了掃描信號(hào)時(shí)，與該掃描線222連接的開(kāi)關(guān)元件234變成導(dǎo)通。數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路232由采樣信號(hào)輸出電路233和與數(shù)據(jù)線223分別對(duì)應(yīng)設(shè)置的η 溝道型的TFT構(gòu)成。數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路232向與所選擇的掃描線222連接的像素提供規(guī)定該像素的灰度的灰度數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)信號(hào)Vid作為例如包含與1條掃描線222連接的各像素用的灰度數(shù)據(jù)的串行數(shù)據(jù)，向數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路232輸入。向采樣信號(hào)輸出電路233輸入由定時(shí)信號(hào)發(fā)生電路217生成的控制信號(hào)Ctel_x。采樣信號(hào)輸出電路233按照控制信號(hào)Ctel_x，將構(gòu)成上述的串行數(shù)據(jù)的各像素用的灰度數(shù)據(jù)作為并行數(shù)據(jù)，在由控制信號(hào)Ctel_x規(guī)定的定時(shí)提供給數(shù)據(jù)線223。例如，為了向i行j列的像素寫入灰度數(shù)據(jù)，在向第i行掃描線222提供掃描信號(hào)的定時(shí)，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路232在第j 列數(shù)據(jù)線223上向i行j列的像素提供灰度數(shù)據(jù)。附屬于i行j列的像素的開(kāi)關(guān)元件234 接收掃描信號(hào)而導(dǎo)通，經(jīng)由開(kāi)關(guān)元件234將灰度數(shù)據(jù)寫入像素電極235。圖4是放大液晶面板的截面構(gòu)造的示意圖。在圖4中，為了便于說(shuō)明，在一個(gè)截面圖上示意性地示出了液晶面板中的像素開(kāi)口部、像素TFT部、掃描線引出部、基板間導(dǎo)通端子部和安裝端子部的各部的截面構(gòu)造。此外，在圖4中，作為像素TFT部，將包含開(kāi)關(guān)元件的溝道長(zhǎng)度方向的截面構(gòu)造和與溝道長(zhǎng)度方向正交的截面構(gòu)造一起顯示。如圖4所示，液晶面板202具備元件基板220、與其相對(duì)配置的對(duì)置基板221和在這些基板間夾持的液晶層228。液晶層2 是例如由介電各向異性是負(fù)的液晶材料構(gòu)成的 VA模式的液晶層。液晶層228的厚度例如是ieOOnm以上、2000nm以下。在本實(shí)施方式中， 從光源等射出的光通過(guò)對(duì)置基板221入射到液晶層228，在元件基板220的表面層反射，從與相對(duì)于液晶面板202的光入射一側(cè)相同的一側(cè)射出。在以下的液晶面板202的截面構(gòu)造的說(shuō)明中，各種構(gòu)成要素的厚度是液晶層228的厚度方向的尺寸。元件基板220是以元件基板本體240為基體，在元件基板本體240上面層疊包含掃描線222、數(shù)據(jù)線223、電容線259等各種布線的多個(gè)布線層、包含開(kāi)關(guān)元件234的元件層和包含像素電極235的電極層等的層疊構(gòu)造。元件基板本體240由玻璃基板或藍(lán)寶石基板、硅基板等構(gòu)成。在元件基板本體240 上面設(shè)置有掃描線222。掃描線222例如由硅化鎢(WSi)構(gòu)成。掃描線222的厚度例如是 ISOnm以上且220nm以下。掃描線222具有遮光性，設(shè)置有從液晶層228的厚度方向平面看時(shí)與開(kāi)關(guān)元件234的大致整體重疊的區(qū)域。這樣，光難以從掃描線222 —側(cè)向開(kāi)關(guān)元件 234入射。在包含掃描線222上的元件基板本體MO的大致整個(gè)面，設(shè)置有例如由氧化硅構(gòu)成的第1層間絕緣膜對(duì)1。第1層間絕緣膜241通過(guò)例如在原料氣體中使用了正硅酸乙酯 (以下稱為TE0S)的CVD法等形成。第1層間絕緣膜241的厚度例如是380nm以上且420nm 以下。在第1層間絕緣膜241上面的像素TFT部，設(shè)置有開(kāi)關(guān)元件234。開(kāi)關(guān)元件234包含半導(dǎo)體層M2、柵極絕緣膜243和柵極電極M4。半導(dǎo)體層242例如由多晶硅構(gòu)成，包含高濃度雜質(zhì)區(qū)域、低濃度雜質(zhì)區(qū)域和溝道區(qū)域。高濃度雜質(zhì)區(qū)域被設(shè)置在溝道長(zhǎng)度方向的溝道區(qū)域的兩側(cè)，高濃度雜質(zhì)區(qū)域的一方是源極區(qū)域，另一方是漏極區(qū)域。半導(dǎo)體層242是在開(kāi)關(guān)元件234的導(dǎo)通狀態(tài)下電子變成載流子的N溝道型的半導(dǎo)體層。半導(dǎo)體層242的厚度例如是大約40nm。柵極絕緣膜243設(shè)置在半導(dǎo)體層242的上面。柵極絕緣膜243例如由氧化硅構(gòu)成， 通過(guò)熱氧化法等形成。柵極絕緣膜M3的厚度例如是43nm以上且56nm以下。柵極電極244例如由導(dǎo)電性的多晶硅構(gòu)成，在與從液晶層228的厚度方向平面看的溝道區(qū)域重疊的區(qū)域形成。柵極電極M4的厚度例如是15nm以上且105nm以下。設(shè)置有貫通第1層間絕緣膜241和柵極絕緣膜243而通到掃描線222的第1接觸孔Mfe M5c。柵極電極M4的一部分被埋入第1接觸孔Mfe、245b的內(nèi)側(cè)，與掃描線222電氣連接。第1接觸孔M5c被設(shè)置在掃描線引出部，在第1接觸孔M5c的內(nèi)側(cè)埋入用于將掃描線222與掃描線驅(qū)動(dòng)電路231連接的導(dǎo)電部M6。在包含開(kāi)關(guān)元件234上的元件基板本體240上的大致整個(gè)面，設(shè)置有第2層間絕緣膜M7。第2層間絕緣膜247與第1層間絕緣膜241 —樣由例如氧化硅構(gòu)成，并通過(guò)CVD 法等形成。第2層間絕緣膜M7的厚度例如是^Onm以上且320nm以下。形成有貫通第2層間絕緣膜247而通到半導(dǎo)體層242的高濃度雜質(zhì)區(qū)域的第2接觸孔M8a、248b。在像素TFT部的第2層間絕緣膜247上面設(shè)置有存儲(chǔ)電容M9。存儲(chǔ)電容249包含電容下部電極250、電容絕緣膜251和電容上部電極252。電容下部電極250的一部分被埋入第2接觸孔MSa的內(nèi)側(cè)，與半導(dǎo)體層242的高濃度雜質(zhì)區(qū)域(漏極區(qū)域)電氣連接。此外，電容下部電極250的一部分與像素電極235電氣連接。電容下部電極250例如由導(dǎo)電性的多晶硅構(gòu)成，其厚度例如是95nm以上且105nm 以下。電容上部電極252與電容下部電極250夾著電容絕緣膜251相對(duì)配置。電容上部電極252例如通過(guò)從下層開(kāi)始依次層疊氮化鈦層(例如厚度是47nm以上且53nm以下)、鋁層(例如厚度是142nm以上且158nm以下)、氮化鈦層(例如厚度是97nm以上且103nm以下)的三層構(gòu)造的膜構(gòu)成。電容上部電極252的電位在驅(qū)動(dòng)液晶層2 時(shí)，被保持在例如對(duì)置電極電位VOT。電容上部電極252具有遮光性，被設(shè)置在從液晶層228的厚度方向平面看時(shí)與開(kāi)關(guān)元件234的大致整體重疊的區(qū)域。這樣，光難以從液晶層2 —側(cè)向開(kāi)關(guān)元件234入射。當(dāng)對(duì)像素電極235施加驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)，存儲(chǔ)電容249與像素電極235 —起被充電。這樣，由于在開(kāi)關(guān)元件234處的泄漏而造成的電量的減少量占在像素電極235中保持的電量的比例變低，因此，可以減少泄漏的影響。電容絕緣膜251例如由氧化硅構(gòu)成，并通過(guò)熱氧化法等形成。電容絕緣膜251的厚度例如是3nm以上且5nm以下。從增大存儲(chǔ)電容M9的電容的觀點(diǎn)看，在可確保膜的可靠性的范圍內(nèi)優(yōu)選地將電容絕緣膜251的厚度設(shè)定得薄。在包含存儲(chǔ)電容249上的元件基板本體240上的大致整個(gè)面，設(shè)置有第3層間絕緣膜253。第3層間絕緣膜253通過(guò)利用在原料氣體中采用TEOS的等離子CVD法形成的氧化硅膜(以下稱為P-TEOS膜)構(gòu)成。第3層間絕緣膜253的厚度例如是380nm以上且 420nm以下。在第3層間絕緣膜253上面設(shè)置有數(shù)據(jù)線223、像素電極用的中繼電極254、基板間導(dǎo)通端子用的中繼電極255以及安裝端子用的中繼電極256。本實(shí)施方式的數(shù)據(jù)線223 通過(guò)從下層開(kāi)始順序地層疊鈦層(例如厚度是19nm以上且21nm以下)、氮化鈦層(例如厚度是47nm以上且53nm以下)、鋁層(例如厚度是332nm以上且368nm以下)、氮化鈦層 (例如厚度是142nm以上且158nm以下)的四層構(gòu)造的膜構(gòu)成。上述的第2接觸孔MSb貫通第3層間絕緣膜253。數(shù)據(jù)線223的一部分被埋入第2接觸孔MSb的內(nèi)側(cè)，與半導(dǎo)體層 242的高濃度雜質(zhì)區(qū)域的一方(源極區(qū)域)電氣連接。數(shù)據(jù)線223根據(jù)需要在第3層間絕緣膜253上繞回，與安裝端子用的中繼電極256電氣連接。設(shè)置有貫通第3層間絕緣膜253而通到電容下部電極250的第3接觸孔257。像素電極用的中繼電極254的一部分被埋入第3接觸孔257的內(nèi)側(cè)，與電容下部電極250電氣連接。上述的第1接觸孔M5c貫通第2層間絕緣膜247和第3層間絕緣膜253。在第1 接觸孔M5c內(nèi)埋入的導(dǎo)電部246根據(jù)需要，在第3層間絕緣膜253上繞回布線，并與安裝端子用的中繼電極電連接。導(dǎo)電部246和與數(shù)據(jù)線223電氣連接的中繼電極256被連接到其它中繼電極?；彘g導(dǎo)通端子用的中繼電極255被設(shè)置在例如第3層間絕緣膜253上面的基板間導(dǎo)通端子部。導(dǎo)電部對(duì)6、中繼電極2M 256和數(shù)據(jù)線223在上述的四層構(gòu)造的膜形成之后，通過(guò)將該膜圖案化而一并形成。在包含數(shù)據(jù)線223上和中繼電極2M 256上的元件基板本體240上的大致整個(gè)面，設(shè)置有第4層間絕緣膜258。第4層間絕緣膜258例如由P-TEOS膜構(gòu)成。在第4層間絕緣膜258上，通過(guò)CMP法等被平坦化。第4層間絕緣膜258被形成使該膜上平坦化的厚度。第4層間絕緣膜258的厚度根據(jù)底層的凹凸而部分不同，在最薄部是大約600nm，在最厚部是大約2500nm。在第4層間絕緣膜258的上面，設(shè)置有電容線259、像素電極用的第2中繼電極 260、基板間導(dǎo)通端子用的第2中繼電極261和安裝端子用的第2中繼電極沈2。電容線259 在第4層間絕緣膜258上繞回，與基板間導(dǎo)通端子用的第2中繼電極沈1電氣連接。此外， 電容線259通過(guò)圖示省略的多層布線與存儲(chǔ)電容249的電容上部電極252電氣連接。電容線259通過(guò)例如從下層開(kāi)始順序地層疊鋁層(例如厚度是315nm以上且385nm以下)和氮化鈦層(例如厚度是135nm以上且165nm以下)的兩層構(gòu)造的膜而構(gòu)成。貫通第4層間絕緣膜258形成第4接觸孔 ^3c。第4接觸孔通到像素電極用的中繼電極254。像素電極用的第2中繼電極沈0的一部分被埋入第4接觸孔
的內(nèi)側(cè)，與像素電極用的中繼電極254電氣連接。第4接觸孔沈北通到基板間導(dǎo)通端子用的中繼電極255?；彘g導(dǎo)通端子用的第 2中繼電極的一部分被埋入第4接觸孔沈北的內(nèi)側(cè)，與基板間導(dǎo)通端子用的中繼電極 255電氣連接。第4接觸孔通到安裝端子用的中繼電極256。安裝端子用的第2中繼電極 262的一部分被埋入第4接觸孔的內(nèi)側(cè)，與安裝端子用的中繼電極256電氣連接。電容線259、第2中繼電極260 262在形成了上述兩層構(gòu)造的膜之后，通過(guò)將該膜圖案化而
一并形成。在包含電容線259上以及第2中繼電極沈0 262上的元件基板本體240上的大致整個(gè)面，設(shè)置有第5層間絕緣膜沈4。第5層間絕緣膜264通過(guò)例如從下層開(kāi)始層疊 P-TEOS膜265和硼硅酸鹽玻璃膜266的兩層構(gòu)造的膜而構(gòu)成。也可以替代硼硅酸鹽玻璃膜 266而采用NSG (非摻雜硅酸鹽玻璃)、PSG(磷硅酸鹽玻璃)、BPSG (硼磷硅酸鹽玻璃)等硅酸鹽玻璃膜。P-TEOS膜265與第4層間絕緣膜258同樣，被形成為使該膜上平坦化的厚度。 P-TEOS膜265的厚度根據(jù)底層的凹凸而部分不同，在最薄部是大約600nm，在最厚部是大約 llOOnm。硼硅酸鹽玻璃膜的厚度例如是55nm以上且95nm以下。在第5層間絕緣膜264的上面設(shè)置有像素電極235。像素電極235呈島狀，并對(duì)每個(gè)像素設(shè)置。像素電極235例如由鋁構(gòu)成，其厚度例如是ISOnm以上且220nm以下。貫通第5層間絕緣膜沈4形成第5接觸孔267a ^7c。第5接觸孔通到像素電極用的第
182中繼電極沈0。像素電極235的一部分被埋入第5接觸孔的內(nèi)側(cè)，與像素電極用的第2中繼電極沈0電氣連接。在像素電極235的周邊部設(shè)置有平坦化膜沈8。在顯示區(qū)域202A中，平坦化膜沈8 被形成為埋在多個(gè)像素電極235之間。平坦化膜268例如由P-TEOS膜構(gòu)成，其厚度例如是 180nm以上且220nm以下。在顯示區(qū)域202A中的像素電極235上和平坦化膜268上，設(shè)置有增反射膜沈9。 增反射膜269例如通過(guò)從下層開(kāi)始順序地層疊P-TEOS膜和通過(guò)等離子CVD法形成的氮化硅膜的兩層構(gòu)造的膜而構(gòu)成。P-TEOS膜的厚度是例如67nm以上且83nm以下，氮化硅膜的厚度例如是58nm以上且72nm以下。在增反射膜沈9的上面，形成有第1電介質(zhì)層270。第1電介質(zhì)層270與液晶層 228相比，厚度變薄，其厚度例如是MOnm以上且300nm以下。第1電介質(zhì)層270由電阻率比液晶層2 高的材質(zhì)即氧化硅構(gòu)成。由于第1電介質(zhì)層270的厚度比液晶層2 薄，并且電阻率比液晶層228高，因此，對(duì)液晶層2 施加的電場(chǎng)難以妨礙第1電介質(zhì)層270。本實(shí)施方式的第1電介質(zhì)層270由厚度是大約300nm的P-TEOS膜構(gòu)成，形成比下述的第1取向膜271更致密的膜質(zhì)。此外，厚度比后述的第2電介質(zhì)層284厚。在第1電介質(zhì)層270的上面，設(shè)置有第1取向膜271。第1取向膜271限制電場(chǎng)未被施加狀態(tài)的液晶層2 的取向狀態(tài)。第1取向膜271由實(shí)施取向處理的膜構(gòu)成。本實(shí)施方式的第1取向膜271由氧化硅構(gòu)成，并例如通過(guò)斜方蒸鍍法、斜方濺射法形成。第1取向膜271的厚度例如是40nm以上且80nm以下。在基板間導(dǎo)通端子部的平坦化膜268的上面，設(shè)置有基板間導(dǎo)通端子272?；彘g導(dǎo)通端子272例如由銦錫氧化物(ITO)構(gòu)成，其厚度例如是135nm以上、165nm以下。上述的第5接觸孔貫通第1電介質(zhì)層270、增反射膜沈9以及平坦化膜沈8，通到基板間導(dǎo)通端子用的第2中繼電極沈1?；彘g導(dǎo)通端子272的一部分被埋入第5接觸孔的內(nèi)側(cè)，與基板間導(dǎo)通端子用的第2中繼電極電氣連接。在安裝端子部的電介質(zhì)層的上面，設(shè)置有安裝端子273。安裝端子273與掃描線驅(qū)動(dòng)電路231或數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路232的端子電氣連接。安裝端子273例如由銦錫氧化物膜構(gòu)成，其厚度例如是135nm以上且165nm以下。上述的第5接觸孔貫通平坦化膜沈8，通到安裝端子用的第2中繼電極沈2。安裝端子273的一部分被埋入第5接觸孔的內(nèi)側(cè)，與安裝端子用的第2中繼電極沈2電氣連接。對(duì)置基板221以具有透光性的對(duì)置基板本體280作為基體而構(gòu)成。在對(duì)置基板本體280上，設(shè)置有遮光膜觀1。遮光膜281被設(shè)置在從液晶層2 的厚度方向平面看與開(kāi)關(guān)元件234的大致整體重疊的區(qū)域。在包含遮光膜281上的對(duì)置基板本體280上的大致整個(gè)面，設(shè)置有對(duì)置電極觀2。 對(duì)置電極282例如由銦錫氧化物等透明導(dǎo)電材料構(gòu)成。對(duì)置電極282的厚度例如是120nm 以上且ieOnm以下。對(duì)置電極282在基板間導(dǎo)通端子部中經(jīng)由圖示省略的導(dǎo)電部件，與基板間導(dǎo)通端子272電連接。在對(duì)置電極282的上面形成有第2電介質(zhì)層觀4。第2電介質(zhì)層觀4的厚度比液晶層228的厚度薄，也比第1電介質(zhì)270的厚度薄。第2電介質(zhì)層觀4的厚度例如是60nm 以上且90nm以下。第2電介質(zhì)層觀4由電阻率比液晶層228高的材質(zhì)即氧化硅構(gòu)成。由于第2電介質(zhì)層觀4的厚度比液晶層2 薄，并且電阻率比液晶層2 高，因此，對(duì)液晶層 2 施加的電場(chǎng)難以妨礙第2電介質(zhì)層觀4。本實(shí)施方式的第2電介質(zhì)層觀4由厚度是大約75nm的P-TEOS膜構(gòu)成，形成比下述的第2取向膜觀3致密的膜質(zhì)。在第2電介質(zhì)層觀4的上面設(shè)置有第2取向膜觀3。第2取向膜283與第1取向膜271 —起限制電場(chǎng)未被施加的狀態(tài)的液晶層228的取向狀態(tài)。本實(shí)施方式的第1取向膜 271和第2取向膜283是垂直取向膜。第2取向膜283與第1取向膜271同樣，由氧化硅構(gòu)成，并例如通過(guò)斜方蒸鍍法、斜方濺射法形成。第2取向膜觀3的厚度例如是40nm以上且 80nm以下。接著，參照?qǐng)D5A、圖5B說(shuō)明向像素電極235施加的電位(驅(qū)動(dòng)電壓)以及向?qū)χ秒姌O282施加的電位(對(duì)置電極電位)。此外，根據(jù)上述的液晶裝置201的構(gòu)成，還對(duì)涉及本發(fā)明的液晶裝置的驅(qū)動(dòng)方法一起說(shuō)明。圖5A是表示柵極電壓和驅(qū)動(dòng)電壓的圖，圖5B是表示實(shí)效電壓的圖。另外，在圖 5A、圖5B中，橫軸表示從驅(qū)動(dòng)開(kāi)始后的經(jīng)過(guò)時(shí)間，縱軸表示電位。在圖5B中圖示了忽略了泄漏影響的實(shí)效電壓的波形。如圖5A所示，在顯示規(guī)定的灰度時(shí)對(duì)像素電極235施加的驅(qū)動(dòng)電壓Vd與柵極電壓Vg的上升同步，并交替地切換為高電位Vh(例如12V)和低電位Vl(例如2V)。高電位Vh 和低電位\例如按每一幀切換。如圖5B所示，當(dāng)柵極電壓Ve上升時(shí)，開(kāi)關(guān)元件234導(dǎo)通，像素電極235被充電。像素電極235的電位，即對(duì)液晶層2 施加的實(shí)效電壓Vef，大約上升到高電位VH。當(dāng)開(kāi)關(guān)元件234截止時(shí)，由于稱為場(chǎng)穿透的現(xiàn)象(第1現(xiàn)象)，實(shí)效電壓Vef降低。 詳細(xì)地，由于在開(kāi)關(guān)元件234的柵極電極244和溝道區(qū)域等的寄生電容中蓄積的電荷被分配給源極區(qū)域、漏極區(qū)域，流向像素電極235，因此，產(chǎn)生電壓下降義。實(shí)際上，在開(kāi)關(guān)元件 234為截止?fàn)顟B(tài)的期間，也產(chǎn)生由于泄漏而造成的電壓下降。接著，當(dāng)柵極電壓Ve上升時(shí)，驅(qū)動(dòng)電壓Vd變成低電位\，像素電極235被放電，實(shí)效電壓Vef下降到低電位\。然后，在開(kāi)關(guān)元件234截止時(shí)，產(chǎn)生由于場(chǎng)穿透而引起的電壓下降V2。實(shí)際上，在開(kāi)關(guān)元件234為截止?fàn)顟B(tài)的期間，也產(chǎn)生由于泄漏而造成的電壓上升。在通常的液晶裝置中，對(duì)置電極被保持在規(guī)定電位，液晶層2 被交流驅(qū)動(dòng)。該規(guī)定電位被預(yù)先設(shè)定為加入由于場(chǎng)穿透或泄漏而造成的實(shí)效電壓Vef的變動(dòng)而取得相對(duì)于實(shí)效電壓Vef的規(guī)定電位的正極性(高電位)側(cè)和負(fù)極性(低電位)側(cè)的平衡。加入了場(chǎng)穿透的上述的規(guī)定電位變成使高電位Vh和低電位\的平均電位Vm只偏移施加高電位Vh時(shí)的實(shí)效電壓Vef的變化量的絕對(duì)值(電壓下降V1)和施加低電位\時(shí)的實(shí)效電壓Vef的變化量的絕對(duì)值(電壓下降％)的平均值的量的電位(基準(zhǔn)電位VST)。基準(zhǔn)電位Vst用下述的式⑴表示。典型地，電壓下降V2與電壓下降V1大致相同，基準(zhǔn)電位Vst 成為比平均電位Vm只低電壓下降V1的電位。Vm-Vst = (V^V2)/2式(1)為了求出這樣的基準(zhǔn)電位Vst，例如，測(cè)量在多個(gè)幀上連續(xù)地顯示規(guī)定的灰度時(shí)的實(shí)效電壓VEF。然后，通過(guò)搜索使在1個(gè)幀期間的正極性的電位的時(shí)間平均值V+與在1個(gè)幀期間的負(fù)極性的電位的時(shí)間平均值V—相等的基準(zhǔn)電位而求出。正極性的電位的時(shí)間平均值V+用下述的式(2)表示，負(fù)極性的電位的時(shí)間平均值V—用下述的式(3)表示。式O)、式(3)中的T表示1個(gè)幀期間的長(zhǎng)度。V+ = ζ (VEF -VST)dt^ (2)V— =〔 (VST - Vep )dt式(3)如果將對(duì)置電極電位設(shè)定為這樣的基準(zhǔn)電位Vst，則認(rèn)為可以取得在正負(fù)極性上的電平衡，但實(shí)際上，由于元件基板220和對(duì)置基板221的構(gòu)造的差異，導(dǎo)致在液晶層2 殘留電荷的不平衡。在本發(fā)明中，當(dāng)在像素電極235和第1取向膜271之間設(shè)置第1電介質(zhì)層270并且在對(duì)置電極282和第2取向膜283之間設(shè)置厚度比第1電介質(zhì)層270薄的第2 電介質(zhì)層284時(shí)，將對(duì)置電極電位Vot設(shè)定為比上述的基準(zhǔn)電位Vst低。這樣，可以抵消由于第1電介質(zhì)層270和第2電介質(zhì)層觀4的厚度的差異而導(dǎo)致的電氣特性的非對(duì)稱性，可以減少電荷的不平衡。圖6是表示使第1電介質(zhì)層和第2電介質(zhì)層的厚度的比不同時(shí)的最佳基準(zhǔn)電位的經(jīng)時(shí)變化的比較的曲線圖。在圖6的曲線圖中，繪制了實(shí)驗(yàn)例1的數(shù)據(jù)以及實(shí)驗(yàn)例2的數(shù)據(jù)。實(shí)驗(yàn)例1是關(guān)于第1液晶裝置1的數(shù)據(jù)，實(shí)驗(yàn)例2是關(guān)于第2液晶裝置的數(shù)據(jù)。在實(shí)驗(yàn)例1中，第2電介質(zhì)層觀4的厚度(75nm)相對(duì)第1電介質(zhì)層270的厚度(300nm)為1/4。 第2液晶裝置除了第2電介質(zhì)層的厚度(300nm)相對(duì)第1電介質(zhì)層的厚度(75nm)為4/1 這一點(diǎn)之外，是與第1液晶裝置1相同的構(gòu)成。在實(shí)驗(yàn)時(shí)，在各液晶裝置中將對(duì)置電極電位設(shè)定為基準(zhǔn)電位(以下稱為初始基準(zhǔn)電位Vsta)，使各液晶裝置連續(xù)地顯示規(guī)定的灰度。然后，測(cè)量各液晶裝置的實(shí)效電壓Vef的時(shí)間變化，并使用該測(cè)量結(jié)果在各時(shí)刻求出最佳化在正負(fù)極性上的電平衡時(shí)的基準(zhǔn)電位 (以下稱為最佳基準(zhǔn)電位Vstb)。然后，對(duì)于各液晶裝置，求出從驅(qū)動(dòng)開(kāi)始以后的各時(shí)刻的從初始基準(zhǔn)電位Vsta到最佳基準(zhǔn)電位Vstb的電位變化量(V)。將該電位變化量在以下的說(shuō)明中稱為^·偏移。Vot偏移用下述的式(4)表示。V·偏移=Vsta-Vstb式⑷在圖6的曲線圖中，橫軸表示從驅(qū)動(dòng)開(kāi)始后的經(jīng)過(guò)時(shí)間，縱軸表示在各時(shí)刻的Vot 偏移。根據(jù)圖6的曲線圖可知，第2液晶裝置偏移(實(shí)驗(yàn)例2)隨著時(shí)間經(jīng)過(guò)而減少， 在經(jīng)過(guò)3600秒后收斂為大約-0. 5V。第1液晶裝置1的Vot偏移(實(shí)驗(yàn)例1)與實(shí)驗(yàn)例1 相反，隨著時(shí)間經(jīng)過(guò)而增加，在經(jīng)過(guò)3600秒后收斂為大約0.5V。據(jù)此，如果第1、第2電介質(zhì)層的厚度相同，則推測(cè)為Vot偏移大致為0。即，可知在第1液晶裝置中，由于第1電介質(zhì)層的厚度比第2電介質(zhì)層的厚度大，因此，Vot偏移向正方向變化。此外，可知在第2液晶裝置中，由于第1電介質(zhì)層的厚度比第2電介質(zhì)層的厚度薄，因此，Vot偏移向負(fù)方向變化。第 1液晶裝置1由于收斂后的最佳基準(zhǔn)電位Vstb比初始基準(zhǔn)電位Vsta低，因此將對(duì)置電極電位 Vot設(shè)定為比初始基準(zhǔn)電位Vsta低，從而可以使Vot偏移的值接近第1電介質(zhì)層和第2電介質(zhì)層厚度相同時(shí)的值(大致為0)。這意味著可以減少第1電介質(zhì)層70和第2電介質(zhì)層84 的厚度的差異對(duì)液晶層觀的電荷的不平衡造成的影響。這樣的知識(shí)在探索從減少電荷的不平衡的觀點(diǎn)看最佳的對(duì)置電極電位Vot上非常有用。詳細(xì)地，為了確定最佳的對(duì)置電極電位，求出如上述的實(shí)驗(yàn)例1的使液晶裝置1連續(xù)地顯示規(guī)定的灰度、經(jīng)過(guò)規(guī)定的驅(qū)動(dòng)時(shí)間后的Vot偏移的收斂值。然后，將對(duì)置電極電位變更為多個(gè)電平，同時(shí)求出相對(duì)于各電平的對(duì)置電極電位的Vot偏移的收斂值。這樣，由于得到對(duì)置電極電位和Vot偏移的對(duì)應(yīng)關(guān)系，因此，可以求出Vot偏移的絕對(duì)值最小時(shí)的對(duì)置電極電位，作為最佳值。為了用該方法獲得最佳的對(duì)置電極電位，必須求出各對(duì)置電極電位的 Vot偏移的收斂值。為了對(duì)于一個(gè)條件求出收斂值，必須將液晶裝置驅(qū)動(dòng)10分鐘至數(shù)小時(shí)左右，因此，通常的話測(cè)量需要時(shí)間。如果使用上述的知識(shí)，則如接著所說(shuō)明的，可以減少求出上述的Vot偏移的收斂值的次數(shù)，可以減少在求出對(duì)置電極電位的最佳值上需要的時(shí)間。圖7是表示對(duì)置電極電位的確定方法的一個(gè)例子的說(shuō)明圖。在圖7中，橫軸表示對(duì)置電極電位和基準(zhǔn)電位的差(Vot-Vst),縱軸表示經(jīng)過(guò)規(guī)定的驅(qū)動(dòng)時(shí)間后的Vot偏移的收斂值。圖7中的符號(hào)Pl表示第1次的測(cè)量點(diǎn)，符號(hào)P2表示第 2次的測(cè)量點(diǎn)，符號(hào)P3表示第3次的測(cè)量點(diǎn)，符號(hào)P4表示第4次的測(cè)量點(diǎn)，符號(hào)P5表示第 5次的測(cè)量點(diǎn)。在此，雖然說(shuō)明了進(jìn)行5次測(cè)量的例子，但是，對(duì)于測(cè)量次數(shù)沒(méi)有特別限定。如圖7所示，將第1次的測(cè)量點(diǎn)Pl設(shè)定在(Vot-Vst)為0以下的區(qū)域。根據(jù)上述的知識(shí)，在第1電介質(zhì)層270的厚度比第2電介質(zhì)層84的厚度大的構(gòu)成中，由于在Vot比 Vst低的區(qū)域，Vot偏移成為最小，因此，可省略對(duì)(Vot-Vst)為正的區(qū)域的探索。一般，如果(Vot-Vst)增加，則Vot偏移也增加，因此，在第1次的測(cè)量結(jié)果為負(fù)時(shí)， 可知在與測(cè)量點(diǎn)Pl相比(Vot-Vst)大的區(qū)域，VOT偏移成為最小，可以省略與測(cè)量點(diǎn)Pl相比 (Vcom-Vst)小的范圍的探索。將第2次的測(cè)量點(diǎn)P2設(shè)定在與測(cè)量點(diǎn)Pl相比(Vot-Vst)大的范圍即(Vcqm-Vst)為負(fù)的區(qū)域內(nèi)即可。此外，在第1次的測(cè)量結(jié)果為正時(shí)，將第2次的測(cè)量點(diǎn)P2設(shè)定在與測(cè)量點(diǎn)Pl相比 (Vcom-Vst)小的范圍即可。這樣，如果使用上述的知識(shí)，則基于第1次的測(cè)量結(jié)果，可以確定使參數(shù)(Vot-Vst)變化的正負(fù)方向。因此，可以減少測(cè)量的次數(shù)，減少測(cè)量所需的時(shí)間。在本例中，將測(cè)量點(diǎn)P2設(shè)定在預(yù)料在測(cè)量點(diǎn)Pl的測(cè)量結(jié)果為正、Vot偏移為負(fù)的情況下(Vot-Vst)足夠小的區(qū)域。然后，使用測(cè)量點(diǎn)P1、測(cè)量點(diǎn)P2的測(cè)量結(jié)果，求出Vot偏移相對(duì)(Vot-Vst)的斜率。如果使用該斜率，則可以推定Vot偏移大致為0的(Vot-Vst)的值。根據(jù)該推定結(jié)果，在測(cè)量點(diǎn)PI、Ρ2之間設(shè)定測(cè)量點(diǎn)Ρ3。以下，同樣使用直到上一次的測(cè)量結(jié)果，可推定Vot偏移大致為0的(Vot-Vst)的值，并且隨著探索范圍的縮小，可以求出νωΜ偏移大致為0的(Vot-Vst)的值。對(duì)于基準(zhǔn)電位 Vst，可以通過(guò)測(cè)量由于場(chǎng)穿透而造成的實(shí)效電壓的降低量等求出，從而求出Vot偏移大致為 0的對(duì)置電極電位νωΜ的最佳值。另外，對(duì)于對(duì)置電極電位Vot的最佳值，也可以根據(jù)Vot偏移的測(cè)量值推定。將對(duì)置電極電位Vot設(shè)定為使得基準(zhǔn)電位Vst和對(duì)置電極電位Vot的差(Vst-Vot)成為驅(qū)動(dòng)電壓 Vd的雙振幅(Vh-VJ的χ%。當(dāng)對(duì)液晶層2 施加電壓時(shí)，單位時(shí)間在液晶層228內(nèi)變動(dòng)的電荷量相當(dāng)于在液晶層2 流過(guò)的電流，因此，當(dāng)像素電極235的電位是正極性時(shí)，從對(duì)置基板221 —側(cè)向元件基板220 —側(cè)移動(dòng)的電荷量q+用下述的式( 表示。此外，當(dāng)像素電極235的電位是負(fù)極性時(shí)，從元件基板220 —側(cè)向?qū)χ没?21 —側(cè)移動(dòng)的電荷量q_用下述的式(6)表示。式(5)、式(6)中的R表示液晶層228的阻抗值。
(T1 + X 廠
| (1 + χ) · idt = —I0 VEFdt式(5)q =〔(1 - χ). idt = ^^〔 VEFdt式(6)如果電荷量q+與電荷量q—相同，則理論上電荷的不平衡消失。如果將電荷量q+與電荷量q-相同的條件用于式(5)、式(6)，則得到下述的式(7)所示的關(guān)系式。式(7)中的 δ V是從第1電介質(zhì)層270的厚度比第2電介質(zhì)層觀4的厚度大的構(gòu)成中的Vot偏移的收斂值減去第1、第2電介質(zhì)層的厚度相同的構(gòu)成中的Vot偏移的收斂值后的值(在圖6中是 SV1K式(7)中的E是圖5所示的驅(qū)動(dòng)電壓Vd的單振幅，是(Vh-VJ/2。χ = δ V/2E式(7)在圖6所示的實(shí)驗(yàn)例1中，由于SV1是0.5乂，E是5V，因此，χ為0.05。由于 (Vst-Vcom)是χ · (Vh-Vl)，因此為0. 5V。即，為了消除由于第1電介質(zhì)層270和第2電介質(zhì)層觀4的厚度的差異而造成的電荷的不平衡，可知將對(duì)置電極電位Vot設(shè)定為只比基準(zhǔn)電位Vst低0. 5V即可。在抑制閃爍、余像的發(fā)生方面，Vcom偏移所容許的范圍可知在實(shí)驗(yàn)中是士0. 15V，將(Vst-Vcom)設(shè)定在0.35V以上且0.65V以下的范圍內(nèi)即可。即，當(dāng)?shù)?電介質(zhì)層 270的厚度為300nm，第2電介質(zhì)層284的厚度為75nm時(shí)，如果負(fù)極性的電壓相對(duì)正極性的電壓的比率(Hot)/(Vh-Vot)被設(shè)定在43. 5/56. 5以上且46. 5/53. 5以下的范圍內(nèi)，則可在實(shí)質(zhì)上抑制閃爍、余像的發(fā)生。在以上的這樣構(gòu)成的液晶裝置201中，由于對(duì)置電極電位Vot比基準(zhǔn)電位Vst低， 因此，由于場(chǎng)穿透而造成的電荷的不平衡以及由于第1電介質(zhì)層270和第2電介質(zhì)層284 的厚度的差異而造成的電荷的不平衡都可以減少。因此，可以避免液晶層228的調(diào)制作用由于在正負(fù)極性的電位施加期間電荷的不平衡而變化，可以抑制圖像的閃爍的發(fā)生。此外， 可以避免由于電荷的不平衡而造成的液晶層228的調(diào)制作用被固定、固定的圖形被顯示的情況(余像)的發(fā)生。此外，根據(jù)涉及本發(fā)明的液晶裝置的驅(qū)動(dòng)方法，根據(jù)上述的理由，由于對(duì)置電極電位Vot比基準(zhǔn)電位Vst低，因此，由于場(chǎng)穿透而造成的電荷的不平衡以及由于第1電介質(zhì)層 70和第2電介質(zhì)層84的厚度的差異而造成的電荷的不平衡都可以減少。第2實(shí)施方式接著，參照?qǐng)D8、圖9，對(duì)涉及本發(fā)明的第2液晶裝置的第2實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。圖 8是放大第2實(shí)施方式的液晶面板的截面構(gòu)造的示意圖，圖9是表示在第2實(shí)施方式中的對(duì)置電極電位的確定方法的說(shuō)明圖。圖8所示的液晶面板202B除了第1電介質(zhì)層270B的厚度比第2電介質(zhì)層的厚度小這一點(diǎn)以外，采用與第1實(shí)施方式的液晶面板202相同的構(gòu)成。第1電介質(zhì)層270B 的厚度例如是60nm以上且90nm以下，第2電介質(zhì)層的厚度例如是MOnm以上且360nm 以下。在本實(shí)施方式中，第1電介質(zhì)層270B和第2電介質(zhì)層觀48都由P-TEOS膜構(gòu)成，第 1電介質(zhì)層270B的厚度是75nm，第2電介質(zhì)層的厚度是300nm。如圖6所示，在第2實(shí)施方式的液晶裝置中，由于第1電介質(zhì)層270B的厚度比第 2電介質(zhì)層的厚度小，因此，VeQM偏移向負(fù)方向變化。由于收斂后的最佳基準(zhǔn)電位Vstb 比初始基準(zhǔn)電位Vsta低，因此，第2液晶裝置可以通過(guò)將對(duì)置電極電位Vot設(shè)定為比初始基準(zhǔn)電位Vsta高，使Vot偏移的值接近第1電介質(zhì)層和第2電介質(zhì)層厚度相同時(shí)的值(大致為 0)。這意味著可以減少第1電介質(zhì)層270和第2電介質(zhì)層觀4的厚度的差異對(duì)液晶層2 的電荷的不平衡造成的影響。在第2實(shí)施例中為了確定對(duì)置電極電位，如圖9所示，將第1次的測(cè)量點(diǎn)Pl設(shè)定在(Vot-Vst)為0以上的區(qū)域。在第1電介質(zhì)層270B的厚度比第2電介質(zhì)層284B的厚度小的構(gòu)成中，由于在Vot比Vst高的區(qū)域，Vkjm偏移成為最小，因此，對(duì)于(Vkm-Vst)為負(fù)的區(qū)域，可以省略探索。一般地，如果(Vot-Vst)增加，則Vot偏移也增加，因此，當(dāng)?shù)?次的測(cè)量結(jié)果為負(fù)時(shí)，可知在與測(cè)量點(diǎn)Pl相比(Vot-Vst)大的區(qū)域，Vot偏移成為最小，可以省略與測(cè)量點(diǎn)Pl 相比(Vot-Vst)小的范圍的探索。此外，當(dāng)?shù)?次的測(cè)量結(jié)果為正時(shí)，將第2次的測(cè)量點(diǎn)Ρ2設(shè)定在與測(cè)量點(diǎn)Pl相比 (Vcom-Vst)小的范圍，S卩(Vot-Vst)為正的區(qū)域內(nèi)即可。這樣，如果使用上述的知識(shí)，則根據(jù)第 1次的測(cè)量結(jié)果，可以確定使參數(shù)(Vot-Vst)變化的正負(fù)方向。因此，可以減少測(cè)量的次數(shù)， 減少測(cè)量所需的時(shí)間。在本例中，在測(cè)量點(diǎn)Pl的測(cè)量結(jié)果為負(fù)，將測(cè)量點(diǎn)Ρ2設(shè)定在(Vot-Vst)足夠大的區(qū)域(預(yù)料νωΜ偏移為正的區(qū)域)。然后，使用測(cè)量點(diǎn)Ρ1、測(cè)量點(diǎn)Ρ2的測(cè)量結(jié)果，求出νωΜ 偏移相對(duì)(Vot-Vst)的斜率。如果使用該斜率，則可推定Vot偏移大約為0的(Vot-Vst)的值。根據(jù)該推定結(jié)果，將測(cè)量點(diǎn)Ρ3設(shè)定在測(cè)量點(diǎn)Ρ1、Ρ2之間。以下，同樣使用直到上一次的測(cè)量結(jié)果，推定Vot偏移大約為0的(Vot-Vst)的值， 并且通過(guò)縮小探索范圍，求出Vot偏移大致為0的(Vot-Vst)的值。對(duì)于基準(zhǔn)電位Vst，可以通過(guò)測(cè)量由于場(chǎng)穿透而造成的實(shí)效電壓的降低量等求出，然后求出νωΜ偏移大致為0的對(duì)置電極電位Vot的最佳值。此外，如在第1實(shí)施方式中所說(shuō)明的，對(duì)于對(duì)置電極電位Vot的最佳值，也可以根據(jù)Vot偏移的測(cè)量值推定。在圖6所示的實(shí)驗(yàn)例2中，由于δ V2是-0. 5V，E是5V，因此，χ 為-0. 05，(Vst-Vot)為-0. 5V。即，為了消除由于第1電介質(zhì)層270和第2電介質(zhì)層284的厚度的差異而造成的電荷的不平衡，可知將對(duì)置電極電位Vot設(shè)定為只比基準(zhǔn)電位Vst高0. 5V 即可。在抑制閃爍、余像的發(fā)生方面，如果增加Vot偏移所容許的范圍，則將(Vst-Vot)設(shè)定在-0. 65V以上且-0. 35V以下的范圍內(nèi)即可。即，當(dāng)?shù)?電介質(zhì)層270的厚度是75nm，第 2電介質(zhì)層觀4的厚度是300nm時(shí)，如果負(fù)極性的電壓相對(duì)正極性的電壓的比率(VfVeJ/ (Vh-Vcom)被設(shè)定在53. 5/46. 5以上且56. 5/43. 5以下的范圍內(nèi)，則可在實(shí)質(zhì)上抑制閃爍、余像的發(fā)生。第3實(shí)施方式圖10是表示涉及本發(fā)明的第3實(shí)施方式的液晶裝置100的概略構(gòu)成的方框圖。液晶裝置100由液晶面板100A、處理電路150、電壓生成電路160和操作器170構(gòu)成。液晶面板100A、處理電路150、電壓生成電路160與第1實(shí)施方式中的大致相同。操作器170例如由用戶等操作，并將與其操作相應(yīng)的指定值Q在例如從“0”到 “+10”的范圍中輸出。具體地，當(dāng)操作器170被搭載在電子設(shè)備中時(shí)，通過(guò)其操作面板和遙控器等操作部設(shè)置為能夠操作。另外，根據(jù)該指定值Q，如以后所述地使第2啟動(dòng)脈沖Dyb 的輸出定時(shí)前后移動(dòng)。圖11是表示涉及第3實(shí)施方式的液晶面板100A的概略構(gòu)成的圖。圖12是像素的等價(jià)電路圖。如圖11所示，液晶面板100A是在顯示區(qū)域70的周邊內(nèi)置掃描線驅(qū)動(dòng)電路130和數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路140的構(gòu)成。在顯示區(qū)域70中，480行的掃描線61被設(shè)置為在行(X)方向上延伸。此外，在顯示區(qū)域70中，640列的數(shù)據(jù)線62被設(shè)置為在列⑴方向上延伸。各
24數(shù)據(jù)線62與各掃描線61被配置為彼此保持電絕緣。此外，與480行的掃描線61和640列的數(shù)據(jù)線62交叉的位置對(duì)應(yīng)形成有多個(gè)像素70a。具體地，多個(gè)像素70a被排列成縱480 行X橫640列的矩陣狀。另外，在本實(shí)施例中，實(shí)際上多個(gè)像素70a被排列成縱1080行X橫1920列的矩陣狀，成為FHD (全HD)的分辨率，但是，為了便于說(shuō)明，將分辨率設(shè)為VGA (視頻圖形陣列)。 此外，作為分辨率，并不限于此，也可以是例如XGA(擴(kuò)展圖形陣列)、SXGA(高級(jí)XGA)等分辨率。圖12表示與i行及其相鄰下1行的(i+Ι)行和j列及其相鄰右1列的(j+Ι)列的交叉處對(duì)應(yīng)的2X2共計(jì)4像素量的構(gòu)成。另外，i、(i+1)表示像素排列的行，在此為1 以上且480以下的整數(shù)。此外，j、(j+l)表示像素排列的列，在此為1以上且640以下的整數(shù)。在掃描線61和數(shù)據(jù)線62的各交叉點(diǎn)附近，設(shè)置有與各像素70a —一對(duì)應(yīng)的開(kāi)關(guān)元件 40。該開(kāi)關(guān)元件由薄膜晶體管(以下稱為TFT)構(gòu)成。具體地，多個(gè)像素70a各自包含η溝道型的TFT 40和液晶電容120。在此，由于各像素70a是彼此相同的構(gòu)成，因此，以位于i行j列的像素為代表進(jìn)行說(shuō)明。該i行j列的像素的TFT 40的柵極電極41與第i行的掃描線61連接。另一方面，TFT 40的源極電極與第j列的數(shù)據(jù)線62連接，其漏極電極與液晶電容120的一端即像素電極12連接。此外，液晶電容120的另一端與對(duì)置電極22連接。該對(duì)置電極22在全部像素中是共用的，并按時(shí)間被施加一定的對(duì)置電極電位Vcom。另外，雖然在后面描述詳細(xì)的情形，但對(duì)置電極電位Vcom成為從基準(zhǔn)值只偏移了用于補(bǔ)償前述的第1現(xiàn)象的直流電壓分量的修正電壓量的值。液晶面板100A采用元件基板10和對(duì)置基板20的一對(duì)基板保持一定的間隙貼合并且在該間隙中密封液晶的構(gòu)成。其中，在元件基板10上，掃描線61、數(shù)據(jù)線62、TFT 40和像素電極12與掃描線驅(qū)動(dòng)電路130、數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路140 —起形成。另一方面，在對(duì)置基板 20上形成有對(duì)置電極22。然后，這些電極形成面以彼此相對(duì)的方式保持一定的間隙貼合。 因此，液晶電容120通過(guò)像素電極12和對(duì)置電極22夾持液晶120a而構(gòu)成。另外，在本實(shí)施方式中，如果在液晶電容120中保持的電壓實(shí)效值接近零，則通過(guò)液晶電容120的光的透過(guò)率變成最小，成為黑色顯示。另一方面，隨著在液晶電容120中保持的電壓實(shí)效值變大，透過(guò)的光量增加，最終成為透過(guò)率最大的白色顯示。即，液晶面板 100A被設(shè)定成常黑模式。在該構(gòu)成中，當(dāng)在對(duì)掃描線61施加選擇電壓、使TFT 40導(dǎo)通的同時(shí)，經(jīng)由數(shù)據(jù)線 62和導(dǎo)通狀態(tài)的TFT 40向像素電極12提供與灰度(亮度)相應(yīng)的電壓的數(shù)據(jù)信號(hào)Vid 時(shí)，可以使與施加選擇電壓的掃描線61和提供數(shù)據(jù)信號(hào)Vid的數(shù)據(jù)線62交叉的位置處對(duì)應(yīng)的液晶電容120保持與灰度相應(yīng)的電壓實(shí)效值。另外，當(dāng)掃描線61成為非選擇電壓時(shí)，TFT 40截止(非導(dǎo)通)，但是，此時(shí)的截止阻抗沒(méi)有理想地變成無(wú)限大，因此，在液晶電容120中蓄積的電荷泄漏很多。為了減少該截止泄漏的影響，存儲(chǔ)電容50對(duì)每個(gè)像素形成。該存儲(chǔ)電容50的一端與像素電極12 (TFT 40 的漏極)連接。另一方面，存儲(chǔ)電容50的另一端在全部像素中與電容線64共同連接。該電容線64按時(shí)間保持為一定的電位，例如與對(duì)置電極22相同的對(duì)置電極電位。掃描線驅(qū)動(dòng)電路130分別向第1、2、3.....480行的掃描線61提供掃描信號(hào)G1、G2、G3.....G480。掃描線驅(qū)動(dòng)電路130將對(duì)所選擇的掃描線61的掃描信號(hào)設(shè)為與電壓相
當(dāng)?shù)腍電平，將對(duì)除此以外的掃描線61的掃描信號(hào)設(shè)為與非選擇電壓(接地電位)相當(dāng)?shù)?L電平。數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路140由采樣信號(hào)輸出電路142和與各數(shù)據(jù)線62分別對(duì)應(yīng)設(shè)置的 η溝道型的TFT 40構(gòu)成。數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路140向所選擇的掃描線61中的各像素70a提供規(guī)定這些像素的灰度的數(shù)據(jù)信號(hào)Vid(驅(qū)動(dòng)電壓)。圖13是涉及第3實(shí)施方式的從對(duì)置基板20的一側(cè)觀察元件基板10和在其上形成的各構(gòu)成要素的液晶面板100A的俯視圖。圖14是表示涉及第3實(shí)施方式的液晶面板 100A的概略構(gòu)成的截面圖。另外，在圖13中，為了方便，省略了掃描線驅(qū)動(dòng)電路130、數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路140等各種驅(qū)動(dòng)電路的圖示。此外，在圖14中，為了方便，省略了液晶層和密封材料71的圖示。此外，在圖14中，符號(hào)Tal是第1取向基底膜(第1電介質(zhì)膜)38A的膜厚度，符號(hào)Ta2是第2取向基底膜(第2電介質(zhì)膜)38B的膜厚度。如圖13所示，在元件基板10的中央形成有顯示區(qū)域70。在該顯示區(qū)域70的邊緣部設(shè)置有框狀的遮光區(qū)域74，并以包圍該遮光區(qū)域74的方式設(shè)置有密封材料71。通過(guò)該密封材料71使元件基板10和對(duì)置基板20貼合，并在兩個(gè)基板和密封材料71所包圍的區(qū)域內(nèi)封入液晶層(未圖示)。然后，設(shè)置在密封材料71上的液晶注入口通過(guò)密封部72密封。在密封材料71的外側(cè)，雖然未圖示，但安裝有向掃描線61提供掃描信號(hào)的掃描線驅(qū)動(dòng)電路130和向數(shù)據(jù)線62提供圖像信號(hào)的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路140。在元件基板10的端部設(shè)置有與外部電路連接的多個(gè)連接端子75。雖然未圖示，但在這樣的連接端子75中形成有從驅(qū)動(dòng)電路延伸的布線。在密封材料71的四個(gè)角設(shè)置有電氣連接元件基板10和對(duì)置基板 20的基板間導(dǎo)通部73。該基板間導(dǎo)通部73也經(jīng)由布線與連接端子75電氣連接。如圖14所示，液晶面板100A具備元件基板10、與其相對(duì)配置的對(duì)置基板20和在這些基板之間夾持的液晶層。元件基板10具備由玻璃、石英等透光性材料構(gòu)成的基板本體11、在其內(nèi)側(cè)(液晶層一側(cè))形成的TFT 40、像素電極12以及覆蓋像素電極12的第1取向基底膜38A和第1 取向膜13等。對(duì)置基板20具備由玻璃、石英等透光性材料構(gòu)成的基板本體21、在其內(nèi)側(cè)(液晶層一側(cè))形成的遮光膜對(duì)、覆蓋該遮光膜M的對(duì)置電極22以及覆蓋該對(duì)置電極22的第2 取向基底膜38B和第2取向膜23等。在元件基板10上設(shè)置有像素電極12，在其上側(cè)設(shè)置有第1取向膜13。像素電極 12例如由鋁(Al)等導(dǎo)電性膜構(gòu)成。在對(duì)置基板20的整個(gè)面上設(shè)置有對(duì)置電極22，在其上側(cè)設(shè)置有第2取向膜23。該對(duì)置電極22例如由ITO膜等透明導(dǎo)電性膜構(gòu)成。對(duì)置電極22的厚度例如為120nm以上且 160nm以下。此外，第2取向膜23的膜厚度例如為40nm以上且80nm以下。在這樣相對(duì)配置的元件基板10和對(duì)置基板20之間，在通過(guò)前述的密封材料71包圍的空間封入液晶，形成液晶層。液晶層在未施加來(lái)自像素電極12的電場(chǎng)的狀態(tài)下通過(guò)取向膜成為規(guī)定的取向狀態(tài)。另外，液晶層的液晶也可以是扭曲向列的液晶或垂直取向用的液晶。
在元件基板10上，除了上述的像素電極12和第1取向膜13之外，包含這些的各種構(gòu)成形成層疊構(gòu)造。該層疊構(gòu)造從下開(kāi)始按順序由包含掃描線61的第1層、包含了包含柵極電極41的TFT 40等的第2層、包含存儲(chǔ)電容50的第3層、包含數(shù)據(jù)線62等的第4 層、包含電容線64等的第5層、包含上述的像素電極12和取向膜(第1取向膜1 等的第 6層(最上層)構(gòu)成。在第1層和第2層之間設(shè)置有基底絕緣膜30，在第2層和第3層之間設(shè)置有第1 層間絕緣膜31，在第3層和第4層之間設(shè)置有第2層間絕緣膜32，在第4層和第5層之間設(shè)置有第3層間絕緣膜33，在第5層和第6層之間設(shè)置有第4層間絕緣膜34以及第5層間絕緣膜35。通過(guò)這些絕緣膜，防止前述的各要素之間短路。此外，在這些各種絕緣膜上，還設(shè)置有例如電氣連接TFT 40的半導(dǎo)體層44中的高濃度源極區(qū)域和數(shù)據(jù)線62的接觸孔等。 以下對(duì)于這些各要素從下開(kāi)始按順序地進(jìn)行說(shuō)明。在第1層設(shè)置有例如由硅化鎢(WSi)構(gòu)成的掃描線61。該掃描線61的膜厚度(Z 方向(液晶面板100A的厚度方向)的厚度)例如為ISOnm以上、220nm以下。該掃描線61 具有遮光性，并形成為大致埋入未形成像素電極12的區(qū)域。因此，掃描線61具有遮擋從其下側(cè)入射到TFT 40的光的功能。在第2層設(shè)置有包含柵極電極41的TFT 40。TFT 40具有LDD (輕摻雜漏極)構(gòu)造。作為其構(gòu)成要素，具備上述的柵極電極41 ；根據(jù)來(lái)自例如由導(dǎo)電性的多晶硅膜構(gòu)成的柵極電極41的電場(chǎng)形成溝道的半導(dǎo)體層44的溝道區(qū)域；包含使柵極電極41和半導(dǎo)體層44 絕緣的熱氧化的柵極絕緣膜43的柵極絕緣膜42 ；半導(dǎo)體層44的低濃度源極區(qū)域和低濃度漏極區(qū)域以及高濃度源極區(qū)域和高濃度漏極區(qū)域。另外，柵極電極41的膜厚度例如為15nm 以上且105nm以下。半導(dǎo)體層44的膜厚度例如為40nm左右。熱氧化的柵極絕緣膜43的膜厚度例如為^nm以上且35nm以下。柵極絕緣膜42的膜厚度例如為43nm以上且56nm 以下。在掃描線61的上面且TFT 40的下面，設(shè)置有例如由正硅酸乙酯(TEOS)構(gòu)成的基底絕緣膜30。該基底絕緣膜30的膜厚度例如為380nm以上且420nm以下?；捉^緣膜30 具有將TFT 40與掃描線61層間絕緣的功能。此外，該基底絕緣膜30在元件基板10的整個(gè)面上形成。在第3層設(shè)置有存儲(chǔ)電容50。該存儲(chǔ)電容50通過(guò)將作為與TFT 40的高濃度漏極區(qū)域和像素電極12連接的像素電位一側(cè)電容電極的下部電容電極51和作為固定電位一側(cè)電容電極的上部電容電極53經(jīng)由電容絕緣膜52相對(duì)配置而形成。根據(jù)該存儲(chǔ)電容50，可以顯著地提高像素電極12的電位保持特性。下部電容電極51起到作為例如由導(dǎo)電性的多晶硅膜構(gòu)成的像素電位一側(cè)電容電極的功能。該下部電容電極51的膜厚度例如為95nm以上且105nm以下。此外，該下部電容電極51除了具有像素電位一側(cè)電容電極的功能以外，還具有中繼連接像素電極12和TFT 40的高濃度漏極區(qū)域的功能。上部電容電極53由例如由氮化鈦(TiN)構(gòu)成的層(例如，膜厚度為47nm以上且 53nm以下)、由鋁(Al)構(gòu)成的層(例如，膜厚度為142nm以上且158nm以下)和由氮化鈦 (TiN)構(gòu)成的層(例如，膜厚度為97nm以上且103nm以下)的三層構(gòu)造構(gòu)成。該上部電容電極53起到作為存儲(chǔ)電容50的固定電位一側(cè)電容電極的功能。然后，上部電容電極53采用與下部電容電極51相同的形狀，并與下部電容電極51同樣構(gòu)成島狀的電極。為了將上部電容電極53設(shè)為固定電位，將其與設(shè)為固定電位的電容線64電氣連接。此外，上部電容電極53具有遮擋從上側(cè)入射到TFT 40的光的功能。電容絕緣膜52例如由HTO(高溫氧化物)膜構(gòu)成。該電容絕緣膜52的膜厚度例如為3nm以上且5nm以下。另外，電容絕緣膜52從使存儲(chǔ)電容50增大的觀點(diǎn)看，只要充分地獲得膜的可靠性，則越薄越好。此外，電容絕緣膜52也可以構(gòu)成為二層構(gòu)造、三層構(gòu)造或者更多層的層疊構(gòu)造。在TFT 40或柵極電極41和中繼電極的上面且存儲(chǔ)電容50的下面，形成有例如由正硅酸乙酯(TEOS)構(gòu)成的第1層間絕緣膜31。該第1層間絕緣膜31的膜厚度例如為 280nm以上且320nm以下。在該第1層間絕緣膜31上，電氣連接TFT 40的高濃度源極區(qū)域和后述的數(shù)據(jù)線 62的接觸孔31a貫通后述的第2層間絕緣膜32被開(kāi)孔。此外，在第1層間絕緣膜31上，電氣連接TFT 40的高濃度漏極區(qū)域和構(gòu)成存儲(chǔ)電容50的下部電容電極51的接觸孔31b被開(kāi)孔。在第4層設(shè)置有數(shù)據(jù)線62。該數(shù)據(jù)線62被形成為例如從下層開(kāi)始按順序具有由鈦(Ti)構(gòu)成的層(例如，膜厚度為19nm以上且21nm以下)、由氮化鈦(TiN)構(gòu)成的層(例如，膜厚度為47nm以上且53nm以下)、由鋁(Al)構(gòu)成的層(例如，膜厚度為332歷以上且 368以下)和由氮化鈦(TiN)構(gòu)成的層(例如，膜厚度為142nm以上且158nm以下)的四層構(gòu)造的膜。此外，在該第4層上，作為與數(shù)據(jù)線62相同的膜，形成有電容線用中繼層(圖示省略)、第1中繼電極63和二連接觸孔部66。這些當(dāng)從俯視看時(shí)并沒(méi)有形成為具有與數(shù)據(jù)線 62連續(xù)的平面形狀，而是形成為各者間在圖案上被割裂。這些電容線用中繼層、第1中繼電極63和二連接觸孔部66作為與數(shù)據(jù)線62相同的膜形成，因此，從下層開(kāi)始按順序具有由 Ti構(gòu)成的層、由TiN構(gòu)成的層、由Al構(gòu)成的層和由TiN構(gòu)成的層的四層構(gòu)造。二連接觸孔部66被設(shè)置在顯示區(qū)域70的外側(cè)，并用圖示省略的布線繞回后，從元件基板10的表層引出，與掃描線驅(qū)動(dòng)電路130連接。在存儲(chǔ)電容50的上面且數(shù)據(jù)線62的下面，形成有由例如NSG、PSG、BSG、BPSG等硅酸鹽玻璃膜、氮化硅膜、氧化硅膜等或者優(yōu)選地通過(guò)使用TEOS氣體的等離子CVD法形成的膜(以下稱為P-TE0S)構(gòu)成的第2層間絕緣膜32。該第2層間絕緣膜32的膜厚度例如為380nm以上且420nm以下。在該第2層間絕緣膜32上，電氣連接TFT 40的高濃度源極區(qū)域和數(shù)據(jù)線62的上述的接觸孔31a被開(kāi)孔，并且電氣連接上述電容線用中繼層和存儲(chǔ)電容50的上部電容電極53的接觸孔(圖示省略)被開(kāi)孔。在第5層形成有電容線64。該電容線64被形成為例如從下層開(kāi)始按順序具有由鋁(Al)構(gòu)成的層(例如，膜厚度為315nm以上且385nm以下)和由氮化鈦(TiN)構(gòu)成的層 (例如，膜厚度為135nm以上且165nm以下)的兩層構(gòu)造的膜。該電容線64在第3層間絕緣膜33上形成。第3層間絕緣膜33的表面通過(guò)實(shí)施CMP (化學(xué)機(jī)械拋光)處理等平坦化處理來(lái)平坦化。此外，在第5層，作為與這樣的電容線64相同的膜，形成有第2中繼電極65。該第 2中繼電極65具有經(jīng)由后述的接觸孔33a中繼第1中繼電極63和像素電極12間的電氣連接的功能。另外，在這些電容線64和第2中繼電極65之間，并不是在平面形狀上連續(xù)地形成，而是形成為兩者間在圖案上割裂。第2中繼電極65與電容線64同樣具有下層為由 Al構(gòu)成的層、上層為由TiN構(gòu)成的層的兩層構(gòu)造。這樣，電容線64和第2中繼電極65包含光反射性能較優(yōu)的鋁并且包含光吸收性能較優(yōu)的氮化鈦，因此，可獲得作為遮光層的功能。 即，可在其上側(cè)遮擋對(duì)于TFT 40的半導(dǎo)體層44的入射光的行進(jìn)。在數(shù)據(jù)線62的上面且電容線64等的下面，形成有例如由P-TE0S構(gòu)成的第3層間絕緣膜33。該第3層間絕緣膜33的膜厚度例如為570nm以上且630nm以下。在該第3層間絕緣膜33上，用于電氣連接上述的電容線64和電容線用中繼層的接觸孔(圖示省略) 以及用于電氣連接第2中繼電極65和第1中繼電極63的接觸孔33a被分別開(kāi)孔。最后，在第6層，如上所述，像素電極12被形成為矩陣狀。該像素電極12例如由鋁(Al)構(gòu)成，其膜厚度例如為180nm以上且220nm以下。另外，作為與上述像素電極12相同的膜，在周邊區(qū)域形成有例如由P-TEOS構(gòu)成的平坦化膜36。該平坦化膜36的膜厚度例如為ISOnm以上且220nm以下。在像素電極12和平坦化膜36的上面，形成有第1取向基底膜38A(第1電介質(zhì)膜)。該第1取向基底膜38A是膜厚度比液晶層薄且電阻率比液晶層高的由氧化硅(SiO2) 構(gòu)成的電介質(zhì)膜。該第1取向基底膜38A的膜厚度Tal例如為240nm以上且360nm以下 (在本實(shí)施方式中是300nm)。此外，在第1取向基底膜38A的上面形成有第1取向膜13。 該第1取向膜13的膜厚度例如為40nm以上且80nm以下。在元件部以外的周邊區(qū)域(例如，安裝端子部和上下導(dǎo)通端子部)的第1取向基底膜38A的上面形成有例如由ITO膜構(gòu)成的電極片39。該電極片39的膜厚度例如為135nm 以上且165nm以下。電極片39的一部分被埋設(shè)在貫穿第4層間絕緣膜34、第5層間絕緣膜 35、平坦化膜36和第1取向基底膜38A的接觸孔34b內(nèi)，與電容線64電氣連接。然后，在像素電極12和平坦化膜36的下面，例如從下層開(kāi)始按順序形成有由 P-TEOS構(gòu)成的第4層間絕緣膜34(例如，膜厚度為350nm以上且850nm以下)和由BSG、 NSG等硅酸鹽玻璃構(gòu)成的第5層間絕緣膜35 (例如，膜厚度為55nm以上且95nm以下)。在這些第4層間絕緣膜34和第5層間絕緣膜35上，用于電氣連接像素電極12和上述的第2 中繼電極65間的接觸孔3 被開(kāi)孔。在像素電極12和TFT 40之間經(jīng)由該接觸孔3 和第2中繼電極65以及前述的接觸孔33a、第1中繼電極63、接觸孔32a、下部電容電極51和接觸孔31b電氣連接。另外， 第5層間絕緣膜35的表面通過(guò)如前所述地實(shí)施CMP處理等平坦化處理而平坦化。這樣，可以降低由于在其下方存在的各種布線、元件等形成的高低差而造成的液晶層的取向不良。另一方面，在對(duì)置基板20的一側(cè)，在對(duì)置電極22和第2取向膜23之間形成有第 2取向基底膜38B (第2電介質(zhì)膜)。該第2取向基底膜38B是膜厚度比上述第1取向基底膜38A薄且電阻率比液晶層高的由氧化硅(SiO2)構(gòu)成的電介質(zhì)膜。該第2取向基底膜38B 的膜厚度Ta2例如為60nm以上且90nm以下(在本實(shí)施方式中是75nm) (Ta2 < Tal)。但是，在現(xiàn)有的液晶裝置中，為了抑制閃爍、顯示圖像的余像等顯示缺陷，采用了例如使對(duì)各像素電極施加的驅(qū)動(dòng)電壓的極性對(duì)每個(gè)掃描線或數(shù)據(jù)線或者對(duì)圖像信號(hào)的每個(gè)幀反相的反相驅(qū)動(dòng)(交流驅(qū)動(dòng))。這是為了通過(guò)反相驅(qū)動(dòng)抑制對(duì)液晶層施加直流電壓分量和基板間的電荷的不平
29衡，以消除閃爍等。但是，即使單純地進(jìn)行反相驅(qū)動(dòng)，也會(huì)發(fā)生對(duì)液晶層施加直流電壓分量和電荷的不平衡，依然發(fā)生顯示缺陷。作為該顯示缺陷的發(fā)生源，已知為下述的兩個(gè)現(xiàn)象。第1現(xiàn)象如上所述，是由于場(chǎng)穿透現(xiàn)象(也稱為下推、穿越)而造成的電壓下降。 這可以通過(guò)補(bǔ)償與電壓下降量相當(dāng)?shù)闹绷麟妷簛?lái)修正。相對(duì)地，第2現(xiàn)象是由于元件基板和對(duì)置基板的電氣特性差而產(chǎn)生的電荷的不平衡。為了進(jìn)行補(bǔ)償，需要施加剛好抵消電荷的不平衡的多余的電流電壓。這里，使用圖15A 圖15C說(shuō)明第1現(xiàn)象和第2現(xiàn)象。圖15A是表示柵極電壓和驅(qū)動(dòng)電壓波形的圖。圖15B是表示液晶層的實(shí)效電壓波形的圖。圖15C是表示從圖15B開(kāi)始經(jīng)過(guò)某一程度的驅(qū)動(dòng)時(shí)間后的液晶層的實(shí)效電壓波形的圖。另外，在圖15A 圖15C中， 橫軸表示經(jīng)過(guò)時(shí)間，縱軸表示電位。如圖15A所示，驅(qū)動(dòng)電壓波形Vd的電位與柵極電壓Ve的上升同步，并交替地切換高電位EH (例如12V)和低電位EL (例如2V)。如圖15B所示，當(dāng)柵極電壓Ve上升時(shí)，開(kāi)關(guān)元件導(dǎo)通，像素電極12被充電。液晶層的實(shí)效電壓波形Vu的電位大致從低電位EL上升到高電位EH。但是，在開(kāi)關(guān)元件由薄膜晶體管構(gòu)成時(shí)，當(dāng)開(kāi)關(guān)元件截止時(shí)，產(chǎn)生穿越電壓。S卩，由于在開(kāi)關(guān)元件的柵極電極41和溝道區(qū)域等的電容中蓄積的電荷流向像素電極12，因此，產(chǎn)生電壓下降V1 (穿越電壓)。此外，由于在開(kāi)關(guān)元件截止的狀態(tài)下，泄漏電流流過(guò)溝道區(qū)域， 也產(chǎn)生電壓下降V2。這樣，接著在柵極電壓上升時(shí)，實(shí)效電壓波形Vu的電位變成比高電位 EH只低電壓下降V1J2的量。接著，當(dāng)柵極電壓Ve上升時(shí)，驅(qū)動(dòng)電壓波形V變成低電位，像素電極12被放電。如果這樣，則液晶層的實(shí)效電壓波形Vu的電位下降到低電位EL。然后，當(dāng)開(kāi)關(guān)元件截止時(shí)， 由于穿越電壓產(chǎn)生電壓下降V3,此外由于泄漏電流產(chǎn)生電壓上升。對(duì)置電極22的電位被保持在對(duì)置電極電位V。。ml。對(duì)置電極電位V。。ml被預(yù)先設(shè)定為取得實(shí)效電壓波形Vu相對(duì)對(duì)置電極電位v。。ml的高電位側(cè)和低電位側(cè)的平衡。對(duì)置電極電位Vcoml被設(shè)定為加入電壓下降V1 V3、電壓上升V4, —般地，成為與高電位EH和低電位 EL的中間電位EM(例如7V)不同的值。例如，以實(shí)效電壓波形Vu和對(duì)置電極電位V。。ml的差的時(shí)間積分值的絕對(duì)值在驅(qū)動(dòng)電壓波形Vd是高電位EH的期間和是低電位EL的期間大致相等的方式最佳化的值被設(shè)定為對(duì)置電極電位V。。ml。如圖15C所示，只在某一程度的期間驅(qū)動(dòng)了液晶層之后的實(shí)效電壓波形多從驅(qū)動(dòng)一開(kāi)始后的實(shí)效電壓波形Vu開(kāi)始偏移。另外，雖然實(shí)效電壓波形Vu有向電位的正負(fù)方向的任意一個(gè)方向偏移的情況，但是，圖15C圖示了向正方向偏移的狀態(tài)。對(duì)于偏移的實(shí)效電壓波形V⑵考慮以取得正負(fù)的平衡的方式最佳化的對(duì)置電極電位V。。m2。偏移后的對(duì)置電極電位V。。m2成為從偏移前的對(duì)置電極電位V。。ml向正方向偏離。在此，在現(xiàn)有的技術(shù)中，實(shí)效電壓波形向電位的正負(fù)方向的哪一個(gè)方向偏移是不確定的。即，偏移后的對(duì)置電極電位火-成為從偏移前的對(duì)置電極電位V。。ml向正負(fù)方向的哪一個(gè)方向偏離是不確定的。但是，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)通過(guò)在元件基板10 —側(cè)的像素電極12和第1取向膜13之間配置膜厚度比液晶層薄且電阻率比液晶層高的由氧化硅(SiO2)構(gòu)成的第1取向基底膜 (第1電介質(zhì)膜)38A并在對(duì)置基板20 —側(cè)的對(duì)置電極22和第2取向膜23之間配置膜厚度比上述第1電介質(zhì)膜38A薄且電阻率比液晶層高的由氧化硅(SiO2)構(gòu)成的第2取向基底膜(第2電介質(zhì)膜)38B，以取得正負(fù)平衡的方式最佳化的實(shí)效電壓波形向電位的正方向偏移(V。。m向正方向偏移)。關(guān)于這一點(diǎn)，也可以根據(jù)本發(fā)明者進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)結(jié)果確認(rèn)。圖16是表示通過(guò)本發(fā)明人進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)得到的經(jīng)過(guò)時(shí)間和V。。m偏移的關(guān)系的圖。另外，在圖16中，橫軸表示經(jīng)過(guò)時(shí)間，縱軸表示V。。m偏移。在此，V。。m偏移設(shè)為偏移前的對(duì)置電極電位V。。ml和偏移后的對(duì)置電極電位V。。m2的差，即V。。m2-V。。ml的值。此外，在圖16中，“▲” 表示元件基板10 —側(cè)的第1電介質(zhì)膜38A的膜厚度Tal (300nm)比對(duì)置基板20 —側(cè)的第 2電介質(zhì)膜38B的膜厚度Ta2 (75nm)厚的狀態(tài)(Tal > Ta2)。此外，當(dāng)V。。m偏移為0時(shí)，表示第1電介質(zhì)膜38A的膜厚度Tal和第2電介質(zhì)膜38B的膜厚度Ta2相同的狀態(tài)(Tal = Ta2)。此外，在圖7中，測(cè)量施加振幅為5V的矩形波時(shí)的V。。m偏移。如圖16所示，元件基板10 —側(cè)的第1電介質(zhì)膜38A的膜厚度Tal比對(duì)置基板20 一側(cè)的第2電介質(zhì)膜38B的膜厚度Ta2厚的狀態(tài)“▲”的V。。m偏移量隨著經(jīng)過(guò)時(shí)間變長(zhǎng)而增加。該V-偏移的增加梯度隨著經(jīng)過(guò)時(shí)間變長(zhǎng)而變緩。此外，該V。。m偏移量在增加梯度變緩的狀態(tài)下成為+0.5V左右。V。。m偏移方向在經(jīng)過(guò)時(shí)間的整個(gè)范圍中，與第1電介質(zhì)膜38A 的膜厚度Tal和第2電介質(zhì)膜38B的膜厚度Ta2相同的狀態(tài)(V。。m偏移為0)相比，向正方向偏移。當(dāng)V。。m偏移變大到某一程度以上時(shí)，在低電位一側(cè)的期間和高電位一側(cè)的期間，液晶層的調(diào)制作用的差變大。如果這樣，則在所顯示的圖像中，可以看出在低電位一側(cè)的期間調(diào)制的光的光量和在高電位一側(cè)的期間調(diào)制的光的光量的差異，產(chǎn)生圖像的閃爍。本發(fā)明人根據(jù)來(lái)自實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的知識(shí)而深思熟慮的結(jié)果，想到將對(duì)第1現(xiàn)象的修正和對(duì)第2現(xiàn)象的修正分開(kāi)進(jìn)行修正是有效的。即，作為第1現(xiàn)象的修正方法，是與驅(qū)動(dòng)電壓無(wú)關(guān)地施加一定的修正電壓的方法，同時(shí)，作為第2現(xiàn)象的修正方法，是根據(jù)由于其特性差而引起的直流電壓分量的方向和大小，使保持正極性的期間的長(zhǎng)度的比例比保持負(fù)極性的期間的長(zhǎng)度的比例長(zhǎng)的方法。另一方面，為了探索閃爍的經(jīng)時(shí)變化成為最小的極性時(shí)間比率(以下簡(jiǎn)稱為探索)，需要大量的時(shí)間。例如，為了探索時(shí)的調(diào)整，每1次測(cè)量點(diǎn)需要10分鐘到60分鐘左右的通電時(shí)間。但是，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)通過(guò)在元件基板10 —側(cè)的像素電極12和第1取向膜13之間配置膜厚度比液晶層薄且電阻率比液晶層高的由氧化硅(SiO2)構(gòu)成的第1取向基底膜 (第1電介質(zhì)膜)38A并在對(duì)置基板20 —側(cè)的對(duì)置電極22和第2取向膜23之間配置膜厚度比上述第1電介質(zhì)膜薄且電阻率比液晶層高的由氧化硅(SiO2)構(gòu)成的第2取向基底膜 (第2電介質(zhì)膜)38B，V。。m向正方向偏移，因此，可以縮短探索所需要的時(shí)間。圖17是表示通過(guò)本發(fā)明人進(jìn)行的探索得到的時(shí)間比率(占空比)和火 偏移的關(guān)系的圖。另外，在圖17中，橫軸表示占空比(正極性電壓的施加時(shí)間和負(fù)極性電壓的施加時(shí)間的時(shí)間比率)，縱軸表示V。。m偏移(V。。m2-V。。ml)。在此，將橫軸和縱軸的交點(diǎn)設(shè)為占空比 50 50，將橫軸的右側(cè)設(shè)為正極性電壓的施加時(shí)間變長(zhǎng)的方向。此外，將縱軸的上側(cè)設(shè)為 V。。m偏移為正的方向。此外，在圖17中，符號(hào)Pl表示第一次(最初)的測(cè)量點(diǎn)，符號(hào)P2表示第二次的測(cè)量點(diǎn)，符號(hào)P3表示第三次的測(cè)量點(diǎn)，符號(hào)P4表示第四次的測(cè)量點(diǎn)，符號(hào)P5表示第五次(最后)的測(cè)量點(diǎn)。此外，在圖17中，雖然通過(guò)共計(jì)5次的測(cè)量進(jìn)行探索，但是，并不限定于該次數(shù)，可以根據(jù)需要變更測(cè)量次數(shù)。如圖17所示，將第1次的測(cè)量點(diǎn)Pl配置在占空比為50%以上的區(qū)域。關(guān)于這一點(diǎn)，通過(guò)上述的實(shí)驗(yàn)結(jié)果可以明確當(dāng)在元件基板10 —側(cè)的像素電極12和第1取向膜13之間配置上述的電介質(zhì)膜時(shí)，V。。m偏移方向向正方向偏離。即，由于變成右下的線以及第5次的測(cè)量點(diǎn)P5變得比占空比50%大，因此，至少在除去占空比比50%小的區(qū)域的范圍內(nèi)(占空比為50%以上的區(qū)域內(nèi))進(jìn)行測(cè)量即可。因此，不必將第1次的測(cè)量點(diǎn)Pl配置在占空比比50%小的區(qū)域，可以減少測(cè)量頻率。接著，將第2次的測(cè)量點(diǎn)P2配置在夾著橫軸占空比比第1次的測(cè)量點(diǎn)Pl大的區(qū)域。這樣，根據(jù)第1次的測(cè)量結(jié)果，可以確定使參數(shù)(占空比)變化的正負(fù)方向。即，不必將第2次的測(cè)量點(diǎn)P2配置在占空比比第1次的測(cè)量點(diǎn)Pl小的一側(cè)，可以減少測(cè)量頻率。此外，通過(guò)繪制第1次的測(cè)量點(diǎn)Pl和第2次的測(cè)量點(diǎn)P2，可以近似地算出右下的線的斜率。接著，將第3次的測(cè)量點(diǎn)P3沿著近似算出的斜率配置在第1次的測(cè)量點(diǎn)Pl和橫軸之間。此外，將第4次的測(cè)量點(diǎn)P4沿著近似算出的斜率配置在第2次的測(cè)量點(diǎn)P2和橫軸之間。這樣，在推定V。。m偏移大概為0的(V。。m2-V。。ml)的值的同時(shí)，縮小探索范圍。通過(guò)繪制第3次的測(cè)量點(diǎn)P3和第4次的測(cè)量點(diǎn)P4，可以近似地算出與閃爍的容限對(duì)應(yīng)的V。。m偏移。然后，將第5次的測(cè)量點(diǎn)P5配置在橫軸上。具體地，第5次的測(cè)量點(diǎn)P5成為近似地連接測(cè)量點(diǎn)Pl P4的直線與橫軸的交點(diǎn)。根據(jù)以上所述，可以算出閃爍的經(jīng)時(shí)變化成為最小的極性時(shí)間比率。因此，根據(jù)該調(diào)整方法，可以減少測(cè)量頻率，從而縮短探索所需要的時(shí)間。液晶裝置的驅(qū)動(dòng)方法以下說(shuō)明的液晶裝置的驅(qū)動(dòng)方法是本發(fā)明者為了具體地實(shí)現(xiàn)想到內(nèi)容而在深思熟慮和創(chuàng)意的基礎(chǔ)上創(chuàng)造的。圖18是指定值Q為“+1”時(shí)的掃描信號(hào)體系的時(shí)序圖。此外，在本實(shí)施方式中，將多個(gè)掃描線61分為第1掃描線群和第2掃描線群，在1個(gè)幀中，交替地選擇第1掃描線群的任意一條掃描線61和第2掃描線群的任意一條掃描線61，并且在1個(gè)幀中選擇各掃描線 61兩次。使用所謂倍速區(qū)域掃描反相驅(qū)動(dòng)。首先，說(shuō)明掃描線61的驅(qū)動(dòng)方法。圖18是在啟動(dòng)脈沖和時(shí)鐘信號(hào)的關(guān)系中表示由掃描線驅(qū)動(dòng)電路130輸出的掃描信號(hào)Gl G480的時(shí)序圖。在此，幀是指使液晶面板100A 顯示1個(gè)圖像所需的期間。此外，在1幀的期間(規(guī)定期間)中，將從第1啟動(dòng)脈沖Dya被輸出到第2啟動(dòng)脈沖Dyb被輸出為止的期間設(shè)為第1場(chǎng)(第1期間)，將從第2啟動(dòng)脈沖Dyb 被輸出到下一個(gè)第1啟動(dòng)脈沖Dya被輸出為止的期間設(shè)為第2場(chǎng)(第2期間)。此外，1個(gè)掃描線61在1個(gè)幀的期間，在每一場(chǎng)都被選擇1次，即，被兩次選擇。本實(shí)施方式的垂直同步信號(hào)Vs如上所述是頻率120Hz，因此，對(duì)于1個(gè)幀的期間， 固定在8. 33毫秒?？刂齐娐?52(參照?qǐng)D1)將占空比為50%的時(shí)鐘信號(hào)在整個(gè)1個(gè)幀的期間進(jìn)行與掃描線61數(shù)量相等的480周期量輸出。另外，將時(shí)鐘信號(hào)的1周期量的期間記為H。此外，控制電路152將具有時(shí)鐘信號(hào)的1周期量的脈沖寬度的啟動(dòng)脈沖在各個(gè)時(shí)鐘信號(hào)上升為H電平時(shí)分別如下地輸出。即，控制電路152將第1啟動(dòng)脈沖Dra在1個(gè)幀的期間的最初(第1場(chǎng)的最初)輸出。另一方面，由于指定值Q是正的值，因此，控制電路 152將第2啟動(dòng)脈沖Dyb比從輸入第1啟動(dòng)脈沖Dya開(kāi)始輸出了時(shí)鐘信號(hào)的240周期量的定時(shí)Tm遲“QXH”輸出。因此，如圖18所示，當(dāng)指定值Q是“+1”時(shí)，第2啟動(dòng)脈沖Dyb在比定時(shí)Tm延遲了時(shí)鐘信號(hào)的1周期量的定時(shí)Tm(+1)處輸出。在此，啟動(dòng)脈沖被交替地輸出，另一方面，第1啟動(dòng)脈沖Dya的輸出定時(shí)與指定值Q 無(wú)關(guān)而不改變。因此，如果對(duì)于每1幀(8. 33毫秒)特定所輸出的第1啟動(dòng)脈沖Dya，則必然也可以特定規(guī)定第2場(chǎng)的開(kāi)始的第2啟動(dòng)脈沖Dyb。掃描線驅(qū)動(dòng)電路130根據(jù)這樣的啟動(dòng)脈沖和時(shí)鐘信號(hào)，輸出下一次的操作信號(hào)。 即，掃描線驅(qū)動(dòng)電路130在被提供了第1啟動(dòng)脈沖Dya時(shí)，每當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)變化為L(zhǎng)電平時(shí)，依次將掃描信號(hào)Gl G480設(shè)為H電平。另一方面，掃描線驅(qū)動(dòng)電路130在被提供了第2啟動(dòng)脈沖Dyb時(shí)，每當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)變化為H電平時(shí)，將掃描信號(hào)Gl G480依次設(shè)為H電平。由于第1啟動(dòng)脈沖Dya在1個(gè)幀的期間(第1場(chǎng))的最初被提供，因此，以該第1 啟動(dòng)脈沖Dya的提供為契機(jī)的掃描線61的選擇不隨指定值Q變化。此外，以該第1啟動(dòng)脈沖Dya的提供為契機(jī)的掃描線61的選擇由于在時(shí)鐘信號(hào)是L電平的期間執(zhí)行，因此，在整個(gè)
第1場(chǎng)和第2場(chǎng)，以第1行的掃描線61為起始點(diǎn)，向畫面下方向以第2、3、4.....480行的
順序在時(shí)鐘信號(hào)的半周期的期間執(zhí)行。另一方面，第2啟動(dòng)脈沖Dyb由于在第2場(chǎng)的最初被提供，因此，以該啟動(dòng)脈沖為契機(jī)的掃描線61的選擇根據(jù)指定值Q在整體上前后變化。即，以該第2啟動(dòng)脈沖Dyb的提供為契機(jī)的掃描線61的選擇由于在時(shí)鐘信號(hào)是H電平的期間執(zhí)行，因此，從某一幀的第2場(chǎng)
開(kāi)始直到下一幀的第1場(chǎng)，以第1行的掃描線61為起始點(diǎn)，向畫面下方向以第2、3、4.....
480行的順序，在以第1啟動(dòng)脈沖Dya的提供為契機(jī)的選擇的空隙中執(zhí)行。即，某一幀的第 2場(chǎng)的第1 240行的選擇例如在指定值Q為“+1”時(shí)成為比定時(shí)Tm整體延遲了時(shí)鐘信號(hào)的1周期量的關(guān)系。圖19是數(shù)據(jù)信號(hào)Vid體系的第1場(chǎng)的時(shí)序圖。圖20是數(shù)據(jù)信號(hào)Vid體系的第2 場(chǎng)的時(shí)序圖。接下來(lái)以圖19和圖20為中心對(duì)數(shù)據(jù)線62的驅(qū)動(dòng)方法進(jìn)行說(shuō)明。數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路140的采樣信號(hào)輸出電路142按照控制電路152的控制信號(hào)，選擇任意一條掃描線61，并在提供該掃描線61的操作信號(hào)為H電平的整個(gè)期間，將依次單獨(dú)
地成為H電平的采樣信號(hào)Si、S2、S3.....S640向各個(gè)數(shù)據(jù)線62輸出。另外，控制信號(hào)實(shí)
際上是啟動(dòng)脈沖或時(shí)鐘信號(hào)，省略說(shuō)明。掃描信號(hào)為H電平的期間實(shí)際上比時(shí)鐘信號(hào)的一半周期的期間窄許多。在這種情況下，如圖19所示，在第1場(chǎng)中，在掃描信號(hào)G(i+M0)變成H電平之后，掃描信號(hào)Gi變成 H電平。此外，如圖20所示，在第2場(chǎng)中，在掃描信號(hào)Gi變成H電平之后，掃描信號(hào) G(i+240)變成H電平。此外，顯示數(shù)據(jù)處理電路156(參照?qǐng)D10)與由采樣信號(hào)輸出電路142輸出的采樣信號(hào)Sl S640 —起，將所選擇的掃描線61的1行量像素的顯示數(shù)據(jù)Video變換成如下所述的極性的數(shù)據(jù)信號(hào)Vid。即，顯示數(shù)據(jù)處理電路156將時(shí)鐘信號(hào)為L(zhǎng)電平時(shí)選擇的像素行的像素的數(shù)據(jù)信號(hào)Vid變換成正極性(+)，將時(shí)鐘信號(hào)為H電平時(shí)選擇的像素行的像素的數(shù)據(jù)信號(hào)Vid變換成負(fù)極性(_)。換言之，顯示數(shù)據(jù)處理電路156將以第1啟動(dòng)脈沖Dya的提供為契機(jī)選擇的像素行的像素的數(shù)據(jù)信號(hào)Vid變換成正極性(+)，將以第2啟動(dòng)脈沖Dyb的提供為契機(jī)選擇的像素行的像素的數(shù)據(jù)信號(hào)Vid變換成負(fù)極性(_)。在此，正極性⑴和負(fù)極性㈠是指將基準(zhǔn)電壓V。的高位側(cè)設(shè)為正極性⑴，低位側(cè)設(shè)為負(fù)極性(-)。此外，在此雖然將基準(zhǔn)電位設(shè)定為0V，但并不限于此。此外，對(duì)置電極電位V。。m被設(shè)定為與基準(zhǔn)電壓V。相比向負(fù)極性㈠側(cè)偏移。具體地，對(duì)置電極電位V。。m被設(shè)定成例如從大約-0. IV到-0. 2V的范圍內(nèi)的電壓值。這是因?yàn)榍笆龅牡?現(xiàn)象(場(chǎng)穿透)所造成的電壓變動(dòng)量是大約-0. IV到-0. 2V，因此，將其作為修正電壓，使對(duì)置電極電位V。。m的設(shè)定值從基準(zhǔn)電壓V。偏移。即，以降低第1現(xiàn)象造成的影響的方式使對(duì)置電極電位V。。m偏移。此外，優(yōu)選地，第1現(xiàn)象的修正電壓對(duì)每個(gè)液晶面板100A單獨(dú)測(cè)量而求出。具體地，當(dāng)交替地施加與相同灰度相當(dāng)?shù)恼拓?fù)極性的驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)，求出閃爍變得足夠小的對(duì)置電極電位V。。m，根據(jù)該值和基準(zhǔn)電壓V。的差求出修正電壓。此外，優(yōu)選地，此時(shí)的驅(qū)動(dòng)電壓是與容易看出閃爍的中間灰度相當(dāng)?shù)碾妷?。這樣，修正電壓被求出，并設(shè)定在控制電路152 (參照?qǐng)D11)或電壓生成電路160 中。然后，電壓生成電路160生成偏移了修正電壓量的對(duì)置電極電位V。。m，并提供給液晶面板100A的對(duì)置電極22。接著對(duì)驅(qū)動(dòng)方法的整體進(jìn)行說(shuō)明。首先，在圖10中，控制電路152使幀存儲(chǔ)器157存儲(chǔ)從外部裝置提供的顯示數(shù)據(jù) Video。然后，在液晶面板100A中，當(dāng)某個(gè)像素行的掃描線61被選擇時(shí)，以存儲(chǔ)速度的成倍的速度讀出該像素行的顯示數(shù)據(jù)Video。然后，通過(guò)DA變換器158變換成模擬的數(shù)據(jù)信號(hào) Vid0同時(shí)，與顯示數(shù)據(jù)Video的讀出一起，經(jīng)由控制信號(hào)控制采樣信號(hào)輸出電路142，以使采樣信號(hào)Sl S640依次變成H電平。如圖18所示，當(dāng)指定值Q是例如“+1”時(shí)，第2啟動(dòng)脈沖Dyb在比定時(shí)Tm在時(shí)間上向后延遲了時(shí)鐘信號(hào)的1周期量的定時(shí)被輸出。因刺，如果指定值Q是“+1 ”，則第1場(chǎng)的期間變成時(shí)鐘信號(hào)的241周期量，而第2場(chǎng)的期間變成時(shí)鐘信號(hào)的239周期量。此外，在第1場(chǎng)中，掃描線61按第240、1、241、2、242、3.....480行的順序進(jìn)行選
擇。因此，控制電路152首先控制掃描線驅(qū)動(dòng)電路130，以選擇第240行的掃描線61。另一方面，控制電路152對(duì)顯示數(shù)據(jù)處理電路156以倍速讀出在幀存儲(chǔ)器157中存儲(chǔ)的與第240 行相當(dāng)?shù)娘@示數(shù)據(jù)Video。然后，通過(guò)DA變換器158從顯示數(shù)據(jù)Video生成負(fù)極性的數(shù)據(jù)信號(hào)Vid，同時(shí)，與數(shù)據(jù)信號(hào)Vid的讀出一起，如圖19所示，控制采樣信號(hào)輸出電路142，以致采樣信號(hào)Sl S640按照順序單獨(dú)地變成H電平。當(dāng)采樣信號(hào)Sl S640按順序變成H 電平時(shí)，TFT 40按順序?qū)?，向圖像信號(hào)線提供的數(shù)據(jù)信號(hào)Vid被采樣給第1 640列的數(shù)據(jù)線62。另一方面，當(dāng)掃描線61被選擇時(shí)，由于掃描信號(hào)G240變成H電平，因此，位于第 240行的像素的TFT 40全部導(dǎo)通。因此，被采樣給數(shù)據(jù)線62的數(shù)據(jù)信號(hào)Vid的負(fù)極性電壓
直接向像素電極12施加。這樣，在第240行，向1、2、3、4.....639、640列的像素的液晶電
容120寫入與由顯示數(shù)據(jù)Video指定的灰度相應(yīng)的負(fù)極性電壓并保持。以下，在第1場(chǎng)中， 同樣的電壓寫入操作按第1、241、2、242、3.....480行的順序執(zhí)行。這樣，對(duì)于第1 241行的像素，與灰度相應(yīng)的正極性電壓被寫入，對(duì)于第242 480行的像素，與灰度相應(yīng)的負(fù)極性電壓被寫入，并且被分別保持。另一方面，在第2場(chǎng)中，掃描線61按照第1、242、2、243、3、244、...、239、480行的
順序被選擇，同時(shí)，同一行的寫入極性被反相。因此，對(duì)于第1 241行的像素，與灰度相應(yīng)的負(fù)極性電壓被寫入，對(duì)于第242 480行的像素，與灰度相應(yīng)的正極性電壓被寫入，并且被分別保持。圖21是在指定值Q是“+1”時(shí)示出各行的寫入狀態(tài)以及經(jīng)過(guò)連續(xù)的幀的經(jīng)過(guò)時(shí)間的圖。另外，對(duì)最上段的掃描線61的寫入，即正極性保持期間的開(kāi)始時(shí)刻，準(zhǔn)確地說(shuō)是在提供了第1啟動(dòng)脈沖Dya后延遲了時(shí)鐘信號(hào)的半周期的定時(shí)，但是，在圖21中進(jìn)行了簡(jiǎn)化，與第1啟動(dòng)脈沖Dya—致。如圖21所示，在第1場(chǎng)中，在第240、241、242.....480行的像素處進(jìn)行負(fù)極性的
寫入，在第1、2、3.....239行的像素處進(jìn)行正極性的寫入，并保持到下一次寫入為止。另
一方面，在第2場(chǎng)中，在第1、2、3.....239行的像素處進(jìn)行負(fù)極性的寫入，在第M0J41、
242.....480行的像素處進(jìn)行正極性的寫入，并同樣保持到下一次寫入為止。即，在各場(chǎng)中，
可以掌握寫入正極性的掃描線61和寫入負(fù)極性的掃描線61被選擇了 2條。這樣，當(dāng)指定值Q是“+1”時(shí)，第2啟動(dòng)脈沖Dyb的輸出定時(shí)延遲。因此，通過(guò)以第2 啟動(dòng)脈沖Dyb的提供為契機(jī)的選擇而寫入的負(fù)極性電壓的保持時(shí)間比通過(guò)以第1啟動(dòng)脈沖 Dya的提供為契機(jī)的選擇而寫入的正極性電壓的保持時(shí)間短。即，如果指定值Q是正的值， 則隨著其絕對(duì)值變大，通過(guò)以第2啟動(dòng)脈沖Dyb的提供為契機(jī)的選擇而寫入的負(fù)極性電壓的保持時(shí)間比通過(guò)以第1啟動(dòng)脈沖Dya的提供為契機(jī)的選擇而寫入的正極性電壓的保持時(shí)間短。因此，對(duì)液晶電容120施加的負(fù)極性的電壓實(shí)效值變得低于正極性的電壓實(shí)效值。即，正極性電壓被施加的第1場(chǎng)與負(fù)極性電壓被施加的第2場(chǎng)相比變長(zhǎng)。因此， 1個(gè)幀中正極性電壓的施加時(shí)間被設(shè)定得比負(fù)極性電壓的施加時(shí)間長(zhǎng)，因此，可以有效進(jìn)行與V。。m偏移對(duì)應(yīng)的修正。時(shí)間比率的確定方法V。。m偏移被認(rèn)為是由于電流的極性差造成電荷被蓄積而引起電位差而發(fā)生的。蓄積電荷量和電流(電壓、電阻)的關(guān)系式在將正極性電壓的施加時(shí)間比率設(shè)為(1+X)、負(fù)極性電壓的施加時(shí)間比率設(shè)為(I-X)、施加時(shí)間設(shè)為τ時(shí)成為以下的式(8)、式(9)。在此，將正的蓄積電荷量設(shè)為q+，將負(fù)的蓄積電荷量設(shè)為q-，將電流設(shè)為i，將電壓設(shè)為V，將電阻設(shè)為R。
權(quán)利要求
1.一種液晶裝置，其特征在于，具備 像素電極；與上述像素電極電氣連接的開(kāi)關(guān)元件；與上述像素電極相對(duì)配置并被施加對(duì)置電極電位的對(duì)置電極；在上述像素電極和上述對(duì)置電極之間設(shè)置的液晶層；在上述液晶層和上述像素電極之間設(shè)置的第1取向膜；在上述第1取向膜和上述像素電極之間設(shè)置的由氧化硅構(gòu)成的第1電介質(zhì)層；在上述液晶層和上述對(duì)置電極之間設(shè)置的第2取向膜；以及在上述第2取向膜和上述對(duì)置電極之間設(shè)置的由氧化硅構(gòu)成的厚度比上述第1電介質(zhì)層薄的第2電介質(zhì)層；其中，對(duì)上述像素電極經(jīng)由上述開(kāi)關(guān)元件交替地施加相對(duì)于上述對(duì)置電極電位的高電位和低電位；當(dāng)將使上述高電位和上述低電位的平均電位只偏移對(duì)上述像素電極施加上述高電位時(shí)由于上述開(kāi)關(guān)元件的寄生電容而產(chǎn)生的上述像素電極的電位的變化量和對(duì)上述像素電極施加上述低電位時(shí)由于上述寄生電容而產(chǎn)生的上述像素電極的電位的變化量的平均值的量的電位設(shè)為基準(zhǔn)電位時(shí)，上述對(duì)置電極電位比上述基準(zhǔn)電位低。
2.一種液晶裝置，其特征在于，具備 像素電極；與上述像素電極電氣連接的開(kāi)關(guān)元件；與上述像素電極相對(duì)配置并被施加對(duì)置電極電位的對(duì)置電極；在上述像素電極和上述對(duì)置電極之間設(shè)置的液晶層；在上述液晶層和上述像素電極之間設(shè)置的第1取向膜；在上述第1取向膜和上述像素電極之間設(shè)置的由氧化硅構(gòu)成的第1電介質(zhì)層；在上述液晶層和上述對(duì)置電極之間設(shè)置的第2取向膜；以及在上述第2取向膜和上述對(duì)置電極之間設(shè)置的由氧化硅構(gòu)成的厚度比上述第1電介質(zhì)層厚的第2電介質(zhì)層；其中，對(duì)上述像素電極經(jīng)由上述開(kāi)關(guān)元件交替地施加相對(duì)于上述對(duì)置電極電位的高電位和低電位；當(dāng)將使上述高電位和上述低電位的平均電位只偏移對(duì)上述像素電極施加上述高電位時(shí)由于上述開(kāi)關(guān)元件的寄生電容而產(chǎn)生的上述像素電極的電位的變化量和對(duì)上述像素電極施加上述低電位時(shí)由于上述寄生電容而產(chǎn)生的上述像素電極的電位的變化量的平均值的量的電位設(shè)為基準(zhǔn)電位時(shí)，上述對(duì)置電極電位比上述基準(zhǔn)電位高。
3.一種液晶裝置，其特征在于，具備元件基板，其具備多個(gè)掃描線和多個(gè)數(shù)據(jù)線以及與上述掃描線和上述數(shù)據(jù)線的交點(diǎn)對(duì)應(yīng)設(shè)置的開(kāi)關(guān)元件和像素電極；與上述元件基板相對(duì)配置的具備對(duì)置電極的對(duì)置基板； 在上述元件基板和上述對(duì)置基板之間夾持的液晶層； 在上述元件基板的上述液晶層的一側(cè)設(shè)置的第1取向膜； 在上述對(duì)置基板的上述液晶層的一側(cè)設(shè)置的第2取向膜；在上述像素電極和上述第1取向膜之間設(shè)置的膜厚度比上述液晶層薄且電阻率比上述液晶層高的由SiO2構(gòu)成的第1電介質(zhì)膜；以及在上述對(duì)置電極和上述第2取向膜之間設(shè)置的膜厚度比上述第1電介質(zhì)膜薄且電阻率比上述液晶層高的由SiA構(gòu)成的第2電介質(zhì)膜；其中，對(duì)上述對(duì)置電極施加被設(shè)定為降低由于上述開(kāi)關(guān)元件的寄生電容而引起的閃爍的對(duì)置電極電位；對(duì)上述像素電極在以上述對(duì)置電極電位為基準(zhǔn)將高位的電壓設(shè)為正極性、低位的電壓設(shè)為負(fù)極性時(shí)交替地施加上述正極性的電壓和上述負(fù)極性的電壓；在由上述正極性的電壓被施加的第1期間和上述負(fù)極性的電壓被施加的第2期間構(gòu)成的規(guī)定期間中，上述第1期間的長(zhǎng)度被設(shè)定為比上述第2期間的長(zhǎng)度長(zhǎng)。
4.一種液晶裝置，其特征在于，具備元件基板，其具備多個(gè)掃描線和多個(gè)數(shù)據(jù)線以及與上述掃描線和上述數(shù)據(jù)線的交點(diǎn)對(duì)應(yīng)設(shè)置的開(kāi)關(guān)元件和像素電極；與上述元件基板相對(duì)配置的具備對(duì)置電極的對(duì)置基板； 在上述元件基板和上述對(duì)置基板之間夾持的液晶層； 在上述元件基板的上述液晶層的一側(cè)設(shè)置的第1取向膜； 在上述對(duì)置基板的上述液晶層的一側(cè)設(shè)置的第2取向膜；在上述像素電極和上述第1取向膜之間設(shè)置的膜厚度比上述液晶層薄且電阻率比上述液晶層高的由SiO2構(gòu)成的第1電介質(zhì)膜；以及在上述對(duì)置電極和上述第2取向膜之間設(shè)置的膜厚度比上述第1電介質(zhì)膜厚且電阻率比上述液晶層高的由SW2構(gòu)成的第2電介質(zhì)膜；其中，對(duì)上述對(duì)置電極施加被設(shè)定為降低由于上述開(kāi)關(guān)元件的寄生電容而引起的閃爍的對(duì)置電極電位；對(duì)上述像素電極在以上述對(duì)置電極電位為基準(zhǔn)將高位的電壓設(shè)為正極性、低位的電壓設(shè)為負(fù)極性時(shí)交替地施加上述正極性的電壓和上述負(fù)極性的電壓；在由上述正極性的電壓被施加的第1期間和上述負(fù)極性的電壓被施加的第2期間構(gòu)成的規(guī)定期間中，上述第1期間的長(zhǎng)度被設(shè)定為比上述第2期間的長(zhǎng)度短。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶裝置，其特征在于，上述第1電介質(zhì)層和第2電介質(zhì)層的厚度都比上述液晶層薄，并且電阻率都比上述液晶層尚ο
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶裝置，其特征在于，上述第1電介質(zhì)層和第2電介質(zhì)層的厚度都比上述液晶層薄，并且電阻率都比上述液晶層尚ο
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶裝置，其特征在于，上述像素電極由鋁構(gòu)成，上述對(duì)置電極由銦錫氧化物構(gòu)成。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶裝置，其特征在于，上述像素電極由鋁構(gòu)成，上述對(duì)置電極由銦錫氧化物構(gòu)成。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶裝置，其特征在于，上述像素電極由鋁構(gòu)成，上述對(duì)置電極由銦錫氧化物構(gòu)成。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶裝置，其特征在于，上述像素電極由鋁構(gòu)成，上述對(duì)置電極由銦錫氧化物構(gòu)成。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶裝置，其特征在于，當(dāng)上述第1電介質(zhì)層的厚度是75nm，上述第2電介質(zhì)層的厚度是300nm時(shí)， 上述對(duì)置電極電位和上述低電位的電位差的絕對(duì)值相對(duì)上述對(duì)置電極電位和上述高電位的電位差的絕對(duì)值的比率被設(shè)定為43. 5/56. 5以上且46. 5/53. 5以下的范圍。
12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶裝置，其特征在于，當(dāng)上述第1電介質(zhì)層的厚度是300nm，上述第2電介質(zhì)層的厚度是75nm時(shí)， 上述對(duì)置電極電位和上述低電位的電位差的絕對(duì)值相對(duì)上述對(duì)置電極電位和上述高電位的電位差的絕對(duì)值的比率被設(shè)定為53. 5/46. 5以上且56. 5/43. 5以下的范圍。
13.一種液晶裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，上述液晶裝置具備像素電極；與上述像素電極電氣連接的開(kāi)關(guān)元件；與上述像素電極相對(duì)配置并被施加對(duì)置電極電位的對(duì)置電極；在上述像素電極和上述對(duì)置電極之間設(shè)置的液晶層；在上述液晶層和上述像素電極之間設(shè)置的第1取向膜；在上述第1取向膜和上述像素電極之間設(shè)置的由氧化硅構(gòu)成的第1電介質(zhì)層；在上述液晶層和上述對(duì)置電極之間設(shè)置的第2取向膜；以及在上述第2取向膜和上述對(duì)置電極之間設(shè)置的由氧化硅構(gòu)成的厚度比上述第1電介質(zhì)層薄的第2電介質(zhì)層；上述驅(qū)動(dòng)方法對(duì)上述像素電極經(jīng)由上述開(kāi)關(guān)元件交替地施加相對(duì)于上述對(duì)置電極電位的高電位和低電位；當(dāng)將使上述高電位和上述低電位的平均電位只偏移對(duì)上述像素電極施加上述高電位時(shí)由于上述開(kāi)關(guān)元件的寄生電容而產(chǎn)生的上述像素電極的電位的變化量和對(duì)上述像素電極施加上述低電位時(shí)由于上述寄生電容而產(chǎn)生的上述像素電極的電位的變化量的平均值的量的電位設(shè)為基準(zhǔn)電位時(shí)，使上述對(duì)置電極電位比上述基準(zhǔn)電位低。
14.一種液晶裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，上述液晶裝置具備元件基板，其具備多個(gè)掃描線和多個(gè)數(shù)據(jù)線以及與上述掃描線和上述數(shù)據(jù)線的交點(diǎn)對(duì)應(yīng)設(shè)置的開(kāi)關(guān)元件和像素電極；與上述元件基板相對(duì)配置的具備對(duì)置電極的對(duì)置基板；在上述元件基板和上述對(duì)置基板之間夾持的液晶層；在上述元件基板的上述液晶層一側(cè)設(shè)置的第1取向膜；在上述對(duì)置基板的上述液晶層一側(cè)設(shè)置的第2取向膜； 在上述像素電極和上述第1取向膜之間設(shè)置的膜厚度比上述液晶層薄且電阻率比上述液晶層高的由SiO2構(gòu)成的第1電介質(zhì)膜；以及在上述對(duì)置電極和上述第2取向膜之間設(shè)置的膜厚度比上述第1電介質(zhì)膜薄且電阻率比上述液晶層高的由SW2構(gòu)成的第2電介質(zhì)膜；上述驅(qū)動(dòng)方法對(duì)上述對(duì)置電極施加被設(shè)定為降低由于上述開(kāi)關(guān)元件的寄生電容而引起的閃爍的對(duì)置電極電位；對(duì)上述像素電極在以上述對(duì)置電極電位為基準(zhǔn)將高位的電壓設(shè)為正極性、低位的電壓設(shè)為負(fù)極性時(shí)交替地施加上述正極性的電壓和上述負(fù)極性的電壓；在由上述正極性的電壓被施加的第1期間和上述負(fù)極性的電壓被施加的第2期間構(gòu)成的規(guī)定期間中，將上述第1期間的長(zhǎng)度設(shè)定為比上述第2期間的長(zhǎng)度長(zhǎng)。
15.一種液晶裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，上述液晶裝置具備元件基板，其具備多個(gè)掃描線和多個(gè)數(shù)據(jù)線以及與上述掃描線和上述數(shù)據(jù)線的交點(diǎn)對(duì)應(yīng)設(shè)置的開(kāi)關(guān)元件和像素電極；與上述元件基板相對(duì)配置的具備對(duì)置電極的對(duì)置基板；在上述元件基板和上述對(duì)置基板之間夾持的液晶層；在上述元件基板的上述液晶層一側(cè)設(shè)置的第1取向膜；在上述對(duì)置基板的上述液晶層一側(cè)設(shè)置的第2取向膜； 在上述像素電極和上述第1取向膜之間設(shè)置的膜厚度比上述液晶層薄且電阻率比上述液晶層高的由SiO2構(gòu)成的第1電介質(zhì)膜；以及在上述對(duì)置電極和上述第2取向膜之間設(shè)置的膜厚度比上述第1電介質(zhì)膜厚且電阻率比上述液晶層高的由SW2構(gòu)成的第2電介質(zhì)膜；上述驅(qū)動(dòng)方法對(duì)上述對(duì)置電極施加被設(shè)定為降低由于上述開(kāi)關(guān)元件的寄生電容而引起的閃爍的對(duì)置電極電位；對(duì)上述像素電極在以上述對(duì)置電極電位為基準(zhǔn)將高位的電壓設(shè)為正極性、低位的電壓設(shè)為負(fù)極性時(shí)交替地施加上述正極性的電壓和上述負(fù)極性的電壓；在由上述正極性的電壓被施加的第1期間和上述負(fù)極性的電壓被施加的第2期間構(gòu)成的規(guī)定期間中，將上述第1期間的長(zhǎng)度設(shè)定為比上述第2期間的長(zhǎng)度短。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的液晶裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，當(dāng)上述第1電介質(zhì)膜的膜厚度和上述第2電介質(zhì)膜的膜厚度的比率為1/4時(shí)，將上述第1期間的長(zhǎng)度和上述第2期間的長(zhǎng)度的比率設(shè)定為43. 5/56. 5以上且46. 5/53. 5以下的范圍。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的液晶裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，當(dāng)上述第1電介質(zhì)膜的膜厚度和上述第2電介質(zhì)膜的膜厚度的比率為4/1時(shí)，將上述第1期間的長(zhǎng)度和上述第2期間的長(zhǎng)度的比率設(shè)定為53. 5/46. 5以上且56. 5/43. 5以下的范圍。
18.一種電子設(shè)備，其特征在于，具備權(quán)利要求1所述的液晶裝置。
19.一種電子設(shè)備，其特征在于，具備權(quán)利要求2所述的液晶裝置。
20.一種電子設(shè)備，其特征在于，具備權(quán)利要求3所述的液晶裝置。
21.一種電子設(shè)備，其特征在于，具備權(quán)利要求4所述的液晶裝置。
全文摘要
本發(fā)明涉及液晶裝置、液晶裝置的驅(qū)動(dòng)方法和電子設(shè)備。該液晶裝置對(duì)像素電極經(jīng)由開(kāi)關(guān)元件交替地施加相對(duì)于對(duì)置電極電位的高電位和低電位，并在將使上述高電位和上述低電位的平均電位只偏移對(duì)上述像素電極施加上述高電位時(shí)由于上述開(kāi)關(guān)元件的寄生電容而產(chǎn)生的上述像素電極的電位的變化量和對(duì)上述像素電極施加上述低電位時(shí)由于上述寄生電容而產(chǎn)生的上述像素電極的電位的變化量的平均值的量的電位設(shè)為基準(zhǔn)電位時(shí)，上述對(duì)置電極電位比上述基準(zhǔn)電位低。
文檔編號(hào)G02F1/1343GK102207642SQ20111007647
公開(kāi)日2011年10月5日 申請(qǐng)日期2011年3月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月29日
發(fā)明者吉田升平, 西田雅一 申請(qǐng)人:精工愛(ài)普生株式會(huì)社