專利名稱：：曝光方法、曝光裝置以及維修方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及經(jīng)由液體以曝光用光使襯底曝光的曝光技術(shù)、使用此曝光技術(shù)的曝光裝置的維修技術(shù)、以及使用該曝光技術(shù)的組件制造技術(shù)。
背景技術(shù)：
：半導(dǎo)體組件及液晶顯示組件等微組件(電子組件)，是使用將形成于標(biāo)線片等掩膜上的圖案轉(zhuǎn)印至涂有抗蝕劑(光刻膠)等感光材料的晶片等襯底上、利用所謂的光刻法加以制造。在該光刻工序中，為了將掩膜上的圖案經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)轉(zhuǎn)印至襯底上，使用步進重復(fù)(step&i^peat)方式的縮小投影型曝光裝置(所謂的步進器(st印per))、及步進掃描(st印&SCan)方式的縮小投影型曝光裝置(所謂的掃描步進器(scanningstepper))等的曝光裝置。在這樣的曝光裝置中，為了對應(yīng)伴隨著半導(dǎo)體組件等高集成化導(dǎo)致的圖案微細化而年年要求提高的分辨率(解析力)的情況，進行了曝光用光的短波長化及投影光學(xué)系統(tǒng)的開口數(shù)(NA)的增加(大NA化)。然而，曝光用光的短波長化及大NA化雖能提高投影光學(xué)系統(tǒng)的分辨率，但卻會導(dǎo)致焦深的窄小化，因此如此下去的話焦深將變得過窄，有曝光動作時聚焦欲度不足之虞。因此，作為一種實質(zhì)上縮短曝光波長、且與在空氣中相比使焦深擴大的方法，開發(fā)了一種利用液浸法的曝光裝置(例如，參照專利文獻1)。該液浸法將投影光學(xué)系統(tǒng)的下面與襯底表面之間充滿水或有機溶媒等液體，在形成液浸區(qū)域的狀態(tài)下進行曝光。據(jù)此，利用曝光用光在液體中的曝光用光的波長為空氣中的1/n倍(η為液體的折射率，例如為1.21.6左右)的特性，來提高解像度且能將焦深擴大至約η倍。[專利文獻1]國際公開第99/49504號小冊子使用上述液浸法進行曝光處理時，一邊從規(guī)定的液體供應(yīng)機構(gòu)將液體供應(yīng)至投影光學(xué)系統(tǒng)與襯底間的液浸區(qū)域、一邊進行曝光，并以規(guī)定的液體回收機構(gòu)回收該液浸區(qū)域的液體。然而，在使用此液浸法的曝光中，抗蝕劑殘渣等的微小異物(微粒)有可能附著于與該液體接觸的部分，例如附著于液體供應(yīng)機構(gòu)及液體回收機構(gòu)的液體流路等液體接觸的部分。此種附著的異物，有可能會在之后的曝光時再次混入液體中而附著于曝光對象的襯底上，成為轉(zhuǎn)印圖案的形狀不良等缺陷的原因。因此，最好是能例如定期地、判斷幾乎不會導(dǎo)致曝光工序生產(chǎn)率(曝光裝置的運轉(zhuǎn)率)降低、在該液體所接觸部分的至少一部分是否有可能成為導(dǎo)致形狀不良等原因的異物的附著。最近，為了提高分辨率與感度等開發(fā)出了各種抗蝕劑。此外，有時還會在抗蝕劑上涂布反射防止用、及/或抗蝕劑保護用的表面涂層等，關(guān)于這些表面涂層等，還正在新開發(fā)出新的材料。然而，在這些材料中，也有些在干式曝光中不會產(chǎn)生問題，但在液浸法的曝光中卻有可能在抗蝕劑圖案階段產(chǎn)生形狀誤差等。如此，在實際經(jīng)過曝光工序及顯影工序后才發(fā)現(xiàn)該材料不適合用于液浸法時，該曝光工序等則成為無效而導(dǎo)致組件制造的效率降低。另外，當(dāng)在抗蝕劑、表面涂層膜等有異常(例如膜厚不均)的情形下進行液浸法的曝光時，易因與液體的接觸而產(chǎn)生剝離等，有可能在抗蝕劑圖案階段產(chǎn)生形狀誤差等。因此，在膜狀態(tài)異常的情形下仍進行液浸曝光時，該曝光工序及后續(xù)的工序都有可能成為無效
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明鑒于上述情況，其第1目的在于提供一種能有效地判定以液浸法進行曝光的曝光裝置中與接觸的部分是否有異常，即判定是否有例如可能造成應(yīng)轉(zhuǎn)印圖案的形狀不良等原因的異物附著的曝光技術(shù)、維修技術(shù)及組件制造技術(shù)。本發(fā)明的第2目的提供一種無需實際進行曝光即能判定曝光對象的襯底狀態(tài)是否適合液浸法的曝光的曝光技術(shù)及組件制造方法。本發(fā)明第1技術(shù)方案是一種曝光方法，其經(jīng)由光學(xué)構(gòu)件(2)及液體(1)用曝光用光(EL)使襯底(P)曝光，具有第1步驟(Si、S2)，在規(guī)定動作中、以光學(xué)方式觀察與液體接觸的液體接觸部至少一部分的被檢測部(68A68D)的狀態(tài)，將所得到的第1觀察信息進行存儲；第2步驟(S4、S5)，在規(guī)定動作后，以光學(xué)方式觀察被檢測部的狀態(tài)以獲得第2觀察信息；以及第3步驟(S6、S7)，比較第1觀察信息與第2觀察信息，以判定被檢測部有無異常。根據(jù)本發(fā)明的第1技術(shù)方案，僅需比較曝光前異物未附著狀態(tài)下的第1觀察信息與曝光后的第2觀察信息，即能有效率的判定例如是否有超過規(guī)定容許范圍的異物附著于該被檢查部(疏液部)，進而判定是否有異常。本發(fā)明第1技術(shù)方案的曝光方法，可進一步具有在第3步驟中發(fā)現(xiàn)異常時停止曝光動作遞第4步驟。據(jù)此，即能降低在之后的液浸法的曝光時異物混入液體中的概率。本發(fā)明第2技術(shù)方案是一種曝光方法，其經(jīng)由光學(xué)構(gòu)件(2)及液體(1)用曝光用光(EL)使襯底(P)曝光，包含在規(guī)定動作中檢測涉及上述液體接觸的液體接觸部(68A68D，25)的狀態(tài)的信息；根據(jù)上述檢測信息、以及涉及上述規(guī)定動作前的上述液體接觸部的狀態(tài)的基準(zhǔn)信息，檢測涉及上述液體接觸部的異常的信息。本發(fā)明第3技術(shù)方案是一種曝光裝置，其經(jīng)由光學(xué)構(gòu)件(2)及液體(1)以曝光用光(EL)使襯底(P)曝光，具備光學(xué)裝置(ALG，65)，以光學(xué)方式觀察接觸上述液體的液體接觸部的至少一部分的被檢測部(68A68D，25)的狀態(tài)；記憶裝置(58)，儲存上述光學(xué)裝置的觀察信息；以及控制裝置(57，C0NT)，比較由上述光學(xué)裝置(ALG，65)觀察上述被檢測部多次的觀察信息，以判定上述被檢測部有無異常。本發(fā)明第4技術(shù)方案是一種曝光裝置，其經(jīng)由光學(xué)構(gòu)件(2)及液體(1)用曝光用光(EL)使襯底(P)曝光，其具備光學(xué)裝置(ALG，65)，在規(guī)定動作中檢測涉及與上述液體接觸的液體接觸部(68A68D，25)的狀態(tài)的信息；以及控制裝置(57)，基于上述檢測信息、及涉及上述規(guī)定動作前的上述液體接觸部狀態(tài)的基準(zhǔn)信息，檢測涉及上述液體接觸部的異常的信息。本發(fā)明第5技術(shù)方案是一種維修方法，其用于維修經(jīng)由光學(xué)構(gòu)件(2)及液體(1)使襯底(P)曝光的曝光裝置，包含在規(guī)定動作中檢測涉及與上述液體接觸的液體接觸部(68A68D，25)的狀態(tài)的信息；以及基于上述檢測信息、及涉及上述規(guī)定動作前的上述液體接觸部狀態(tài)的基準(zhǔn)信息，檢測涉及上述液體接觸部的異常的信息。本發(fā)明第6技術(shù)方案是一種曝光方法，其用曝光用光(EL)經(jīng)由液體(1)使襯底(P)曝光，包含第1步驟(步驟2103的一部分)，僅對上述襯底上的部分區(qū)域供應(yīng)上述液體；第2步驟(步驟2103的一部分)，回收在上述第1步驟所供應(yīng)的上述液體的至少一部分，并檢測上述回收的液體狀態(tài)；第3步驟(步驟2105)，檢查上述襯底的膜的狀態(tài)；以及第4步驟(步驟2104，2106)，基于上述第2步驟與上述第3步驟中的至少一方的檢測結(jié)果，判定上述襯底有無異常根據(jù)本發(fā)明的第6技術(shù)方案，無需實際進行曝光就能容易地判定曝光對象襯底的狀態(tài)、及該襯底的膜狀態(tài)是否適合液浸法的曝光。本發(fā)明第7技術(shù)方案是一種曝光方法，其經(jīng)由光學(xué)構(gòu)件(2)及液體(1)用曝光用光(EL)使襯底(P)曝光，包含將上述光學(xué)構(gòu)件與物體之間充滿液體以形成液浸空間，且回收上述液浸空間的液體；檢測涉及上述回收的液體的信息；以及基于上述檢測信息來檢測涉及上述液體接觸的液體接觸部的異常的信息。本發(fā)明第8技術(shù)方案是一種曝光裝置(EX’)，其用曝光用光(EL)經(jīng)由液體(1)使襯底(P)曝光，具備液體供應(yīng)系統(tǒng)(212，212)，僅對上述襯底(P)上的一部分區(qū)域供應(yīng)上述液體(1)；第1檢測器(226)，回收用上述液體供應(yīng)系統(tǒng)所供應(yīng)的上述液體，并檢測上述回收液體的狀態(tài)；第2檢測器(ALG)，檢測上述襯底的膜的狀態(tài)；以及控制裝置(CONT)，基于上述第1檢測器及第2檢測器的至少一方的檢測結(jié)果，判定上述襯底有無異常。本發(fā)明第9技術(shù)方案是一種曝光裝置，其經(jīng)由光學(xué)構(gòu)件(2)及液體(1)用曝光用光(EL)使襯底(P)曝光，具備液浸機構(gòu)(10，20)，將上述光學(xué)構(gòu)件與物體之間充滿液體以形成液浸空間，且回收上述液浸空間的液體；檢測裝置(226)，檢測涉及上述回收液體的信息；以及控制裝置(CONT)，基于上述檢測信息來檢測涉及與上述液體接觸的液體接觸部的異常的信息。本發(fā)明第10技術(shù)方案是一種組件制造方法，其包含使用本發(fā)明的曝光方法或曝光裝置(EX、EX’)使襯底曝光(204)；使曝光后的襯底顯影(204)；以及加工顯影后的襯底(205)。上述本發(fā)明各規(guī)定要件后所附括號內(nèi)的符號，雖是對應(yīng)表示本發(fā)明實施方式的附圖中的構(gòu)件，但各符號僅為易于理解本發(fā)明而表示發(fā)明的要件，本發(fā)明并不受限于這些實施方式的構(gòu)成。圖1表示本發(fā)明曝光裝置的實施方式的一個例子的部分剖開的概略構(gòu)成圖。圖2是表示圖1中的噴嘴構(gòu)件30的立體圖。圖3是仰視圖2中的噴嘴構(gòu)件的透視圖。圖4是表示圖1中的對準(zhǔn)傳感器ALG的構(gòu)成例的圖。圖5是表示圖1的襯底載臺PST及測量載臺MST的俯視圖。圖6是表示使圖1中的測量載臺MST內(nèi)的測量臺MTB移動至投影光學(xué)系統(tǒng)PL下方的狀態(tài)的截面圖。圖7是表示圖1中的襯底載臺PST上的襯底保持具PH與投影光學(xué)系統(tǒng)PL及對準(zhǔn)傳感器ALG的相對移動路徑例的俯視圖。圖8是表示本發(fā)明第1實施方式的曝光方法的一個順序例的流程圖。圖9是表示根據(jù)本發(fā)明第2實施方式的一個曝光裝置例的概略構(gòu)成圖。圖10是表示圖9所示的噴嘴構(gòu)件的立體圖。圖11是表示在圖10所示的第1構(gòu)件上所形成的液體的供應(yīng)口及回收口的配置的俯視圖。圖12是沿圖10的XII-XII線的截面圖。圖13是表示圖9所示的襯底載臺及其上的襯底的俯視圖。圖14是表示襯底上的液浸區(qū)域所通過的區(qū)域的俯視圖。圖15是表示本發(fā)明第2實施方式的判定襯底膜是否良好的順序例的流程圖。圖16是表示微組件的工序的一個例子的流程圖。附圖標(biāo)記1液體；2光學(xué)元件；10液體供應(yīng)機構(gòu)；11液體供應(yīng)部；13、14供應(yīng)口；20液體回收機構(gòu)；21液體回收部；24回收口；25網(wǎng)狀過濾器；26洗凈液供應(yīng)部；29A29D回收口；30噴嘴構(gòu)件；31、32噴嘴構(gòu)件的第1構(gòu)件、第2構(gòu)件；65噴嘴觀察裝置；68A68G觀察對象部；ALG對準(zhǔn)傳感器；AR2液浸區(qū)域；CONT控制裝置；EL曝光用光；M掩膜；MTB測量臺；MST測量載臺；P襯底；PL投影光學(xué)系統(tǒng)。具體實施例方式《第1實施方式》以下，參照本發(fā)明的最佳的第1實施方式的一個例子。圖1是表示由本例的掃描型曝光裝置(所謂的掃描步進器)所構(gòu)成的曝光裝置的EX的概略構(gòu)成圖，在圖1中，曝光裝置EX具備用于支撐形成轉(zhuǎn)印用圖案的掩膜M的掩膜載臺RST，支撐曝光對象的襯底P的襯底載臺PST，以曝光用光EL照明掩膜載臺RST所支撐的掩膜M的照明光學(xué)系統(tǒng)IL，將利用曝光用光EL照明的掩膜M的圖案像投影至襯底載臺PST所支撐的襯底P上的投影區(qū)域ARl的投影光學(xué)系統(tǒng)PL，形成有對準(zhǔn)用基準(zhǔn)標(biāo)記等的測量載臺MST，統(tǒng)籌控制曝光裝置EX全體的動作的控制裝置C0NT，用于適用液浸法的液浸系統(tǒng)(液浸機構(gòu))，以及襯底P對準(zhǔn)用的離軸方式的、例如圖像處理方式的對準(zhǔn)傳感器ALG。本例的液浸系統(tǒng)，包含對襯底P上及測量載臺MST上供應(yīng)液體1的液體供應(yīng)機構(gòu)10、回收供應(yīng)給襯底P上及測量載臺MST上的液體1的液體回收機構(gòu)20。曝光裝置EX至少在將掩膜M的圖案像轉(zhuǎn)印至襯底P上的期間，通過液體供應(yīng)機構(gòu)10供應(yīng)的液體1在襯底P上的部分區(qū)域(含投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影區(qū)域ARl)、或襯底P上的部分區(qū)域及其周圍區(qū)域(局部的)形成液浸區(qū)域AR2。具體言之，曝光裝置EX采用在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)冉K端部的光學(xué)元件(例如底面大致平坦的透鏡或平行平面板等)2、與配置在該像面?zhèn)鹊囊r底P表面之間充滿液體1的局部液浸方式，以通過掩膜M的曝光用光EL，通過經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)PL及投影光學(xué)系統(tǒng)PL與襯底P間的液體1使襯底P曝光，將掩膜M的圖案轉(zhuǎn)印曝光至襯底P。另外，在本例中，使用形成包含從投影光學(xué)系統(tǒng)PL射出的曝光用光EL的光路空間的液浸空間的液浸空間形成構(gòu)件來進行液浸曝光。以下，取平行于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX的方向為Z軸，垂直于Z軸的平面內(nèi)沿掩膜M與襯底P的同步移動方向(掃描方向)為X軸，沿垂直于該掃描方向的方向(非掃描方向)取Y軸來進行說明。另外，繞X軸、Y軸及Z軸(傾斜)的方向分別設(shè)為ΘΧ、ΘΥ、及θZ方向。本文中的襯底，包含例如在硅晶片等的半導(dǎo)體晶片等的基材上涂有感光材(以下，適當(dāng)?shù)姆Q抗蝕劑)的襯底，所謂的感光膜包含涂有其它保護膜(面涂膜)等各種膜。掩膜包含在襯底上形成縮小投影的組件圖案的標(biāo)線片，例如在玻璃板等的透明板構(gòu)件上使用鉻等遮光膜形成規(guī)定的圖案。該透射型掩膜，并不限于以遮光膜形成圖案的二元掩膜，也包含例如半調(diào)型、或空間頻率調(diào)制型等的移相型掩膜等。在本實施方式中，襯底P使用例如在直徑200mm至300mm左右的圓板狀半導(dǎo)體晶片上，例如以未圖示的涂布顯影裝置涂以規(guī)定厚度(例如20nm左右)的感光性材料的抗蝕劑，并根據(jù)需要在其上涂以反射防止膜或面涂膜。首先，照明光學(xué)系統(tǒng)IL是用曝光用光EL照明掩膜載臺RST所支撐的掩膜M,具有使從未圖示的曝光用光源射出的光束照度均勻化的光學(xué)積分器、對來自光學(xué)積分器的曝光用光EL進行聚光的聚光透鏡、中繼透鏡系統(tǒng)、將由曝光用光EL產(chǎn)生的掩膜M上的照明區(qū)域設(shè)定為狹縫狀的可變視野光闌等。掩膜M上的規(guī)定照明區(qū)域通過照明光學(xué)系統(tǒng)IL以均勻照度分布的曝光用光EL加以照明。從照明光學(xué)系統(tǒng)IL射出的曝光用光EL使用例如從水銀燈射出的紫外線帶的亮線(i線等)、KrF準(zhǔn)分子激光(波長248nm)等的遠紫外光(DUV光)、或ArF準(zhǔn)分子激光(波長193nm)、F2激光(波長157nm)等的真空紫外光(VUV光)等。在本例中，曝光用光EL使用ArF準(zhǔn)分子激光。另外，掩膜載臺RST用于支撐掩膜M，能在未圖示的掩膜座上垂直于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX的平面內(nèi)、即XY平面內(nèi)進行2維移動及ΘΖ方向的微小旋轉(zhuǎn)。掩膜載臺RST，例如以線性馬達等的掩膜載臺驅(qū)動裝置RSTD加以驅(qū)動。掩膜載臺驅(qū)動裝置RSTD以控制裝置CONT加以控制。在掩膜載臺RST上設(shè)有反射鏡55A，在反射鏡55A的對向位置設(shè)有激光干涉儀56A。實際上，激光干涉儀56A構(gòu)成為具有3軸以上的測長軸的激光干涉儀系統(tǒng)。掩膜載臺RST(掩膜M)的2維方向位置以及旋轉(zhuǎn)角由激光干涉儀56A實時測量，測量結(jié)果輸出至控制裝置C0NT?？刂蒲b置CONT根據(jù)該測量結(jié)果驅(qū)動掩膜載臺驅(qū)動裝置RSTD，由此進行掩膜載臺RST所支撐的掩膜M的移動及定位。另外，反射鏡55A不僅是平面鏡也可包含角隅棱鏡(復(fù)歸反射器)，或者，也可取代反射鏡55A使用例如對掩膜載臺RST的端面(側(cè)面)施以鏡面加工所形成反射面。投影光學(xué)系統(tǒng)PL用于將掩膜M的圖案以規(guī)定投影倍率β(β例如1/4、1/5等的縮小倍率)投影曝光至襯底P上，由包含設(shè)于襯底P側(cè)(投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)?終端部的光學(xué)元件2的多個光學(xué)元件所構(gòu)成，這些等光學(xué)元件由鏡筒PK加以支撐。另外，投影光學(xué)系統(tǒng)PL不限于縮小系統(tǒng)，也可以是等倍系統(tǒng)及放大系統(tǒng)的任一個。此外，投影光學(xué)系統(tǒng)PL前端部的光學(xué)元件2以能裝拆(更換)的方式設(shè)于鏡筒ΡΚ，而液浸區(qū)域AR2的液體1則接觸于光學(xué)元件2。雖未圖標(biāo)，投影光學(xué)系統(tǒng)PL經(jīng)由防振機構(gòu)裝載于以3根支柱支撐的鏡筒平臺，但也可如國際公開第2006/038952號小冊子的所公開的，將投影光學(xué)系統(tǒng)PL懸吊支撐于投影光學(xué)系統(tǒng)PL上方配置的未圖標(biāo)的主框架構(gòu)件、或前述掩膜基座等。在本例中，使用純水作為液體1。純水不僅能使ArF準(zhǔn)分子激光穿透，例如從水銀燈射出的紫外線帶的亮線及KrF準(zhǔn)分子激光等的遠紫外線(DUV光)也能穿透。光學(xué)元件2用螢石(CaF2)形成。由于螢石與水的親和性高，因此能使光學(xué)元件2的液體接觸面2a大致完全與液體1接觸。另外，光學(xué)元件2也可以是與水的親和性高的石英等。另外，襯底P的抗蝕劑，作為一個例子是具有排斥液體1的疏液性的抗蝕劑。如前所述，也可根據(jù)需要在抗蝕劑上涂布保護用的面涂層。在本例中，將排斥液體1的性質(zhì)稱為疏液性。當(dāng)液體1為純水時，所謂疏液性即指疏水性。另外，在襯底載臺PST上部固定有例如以真空吸附方式保持襯底P的襯底保持具PH。此外，襯底載臺PST具備控制襯底保持具PH(襯底P)的Z方向位置(聚焦位置)及θX、θγ方向的傾斜角的Z載臺52，以及支撐此Z載臺52并移動的XY載臺53，此XY載臺53例如為經(jīng)由空氣軸承裝載在底座54上的與XY平面平行的導(dǎo)引面上(與投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面實質(zhì)上平行的面)。襯底載臺PST(Ζ載臺52及XY載臺53)，被例如線性馬達等的襯底載臺驅(qū)動裝置PSTD驅(qū)動。襯底載臺驅(qū)動裝置PSTD由控制裝置CONT控制。在本例中，將襯底保持具形成于能在Ζ、θX及θY方向可動的臺(table)，將其總稱為襯底保持具ΡΗ。此外，也可將臺與襯底保持具分開構(gòu)成，例如以真空吸附等方式將襯底保持具固定于臺。另外，Z載臺52，也可例如以襯底保持具PH(臺)、以及將此襯底保持具PH(臺)驅(qū)動于Ζ、θX及θY方向的致動器(例如音圈馬達等)來構(gòu)成。在襯底載臺PST上的襯底保持具PH上設(shè)有反射鏡55Β，在反射鏡55Β的對向位置設(shè)有激光干涉儀56Β。反射鏡55Β實際上如圖5所示，由X軸反射鏡55ΒΧ及Y軸反射鏡55ΒΥ所構(gòu)成，激光干涉儀56Β則由X軸激光干涉儀56ΒΧ及Y軸激光干涉儀56ΒΥ所構(gòu)成?；氐綀D1，襯底載臺PST上的襯底保持具PH(襯底P)的2維方向位置及旋轉(zhuǎn)角由激光干涉儀56Β實時測量，測量結(jié)果輸出至控制裝置C0NT?？刂蒲b置CONT根據(jù)該測量結(jié)果來驅(qū)動襯底載臺驅(qū)動裝置PSTD，以此進行襯底載臺PST所支撐的襯底P的移動及定位。另外，也可將激光干涉儀56Β設(shè)計成也能測量襯底載臺PST的Z軸方向位置、及ΘΧ、θY方向的旋轉(zhuǎn)信息，其詳細狀況例如已公開在特表2001-510577號公報(對應(yīng)國際公開第1999/28790號小冊子)。此外，也可取代反射鏡55Β，而使用將襯底載臺PST或襯底保持具PH的側(cè)面等予以鏡面加工所形成的反射鏡。另外，在襯底保持具PH上，以圍繞襯底P的方式設(shè)有可更換的環(huán)狀、平面的疏液性板件97。作為疏液處理，可以例舉使用具有疏液性材料的單層或多層的薄膜涂層處理。作為具有疏液性的材料，例如有四氟乙烯(鐵氟龍(注冊商標(biāo)))等的氟系樹脂材料、丙烯系樹脂材料、硅系樹脂材料、或聚乙烯等的合成樹脂材料。在板件97的上面與襯底保持具PH所保持的襯底P表面大致同高的平坦面。此處，襯底P的邊緣與板件97之間雖有0.1Imm的間隙，但本例中，由于襯底的抗蝕劑為疏液性且液體1具有表面張力，因此幾乎不會產(chǎn)生液體1流入該間隙的情形，即使進行襯底P周緣附近的曝光，也能將液體1保持在板件97與投影光學(xué)系統(tǒng)PL之間。另外，也可在襯底保持具PH設(shè)置用以將流入至板件97與襯底P間的間隙的液體1排出至外部的吸引裝置(未圖標(biāo))。因此，襯底P的抗蝕劑(或面涂層)不一定必須具有疏液性。此外，本例中雖在襯底保持具PH上設(shè)有板件97，但也可對圍繞襯底P的襯底保持具PH的上面施以疏液處理而形成為平坦面。[液體的供應(yīng)及回收機構(gòu)的說明]其次，圖1的液體供應(yīng)機構(gòu)10將規(guī)定液體1供應(yīng)至襯底P上，其具備可送出液體1的液體供應(yīng)部11、以及一端部連接于液體供應(yīng)部11的供應(yīng)管12。液體供應(yīng)部11，具備收容液體1的儲液槽、過濾部、以及加壓泵等。另外，液體供應(yīng)裝置11不需具備儲液槽、過濾部、加壓泵等的全部，至少一部分例如可以用設(shè)置曝光裝置EX的工廠等的設(shè)備來代用。液體回收機構(gòu)20回收供應(yīng)給襯底P上的液體1，具備可回收液體1的液體回收部21、一端部連接于液體回收部21的回收管22、連結(jié)于回收管22的供應(yīng)管27、以及連接于供應(yīng)管27的端部供應(yīng)規(guī)定洗凈液的洗凈液供應(yīng)部26。在回收管22及供應(yīng)管27的途中分別設(shè)計閥23及28。液體回收部21例如具備真空泵等的真空系統(tǒng)(吸引裝置)、以及收容所回收液體1的儲液槽等。洗凈液供應(yīng)部26，具備收容洗凈液體的儲液槽、以及加壓泵等。關(guān)閉回收管22側(cè)的閥23、打開供應(yīng)管27側(cè)的閥28，即能從洗凈液供應(yīng)部26經(jīng)由回收管27將洗凈液供應(yīng)至回收管22。此外，液體回收機構(gòu)20不需具備真空系統(tǒng)、儲液槽等的全部，至少一部分例如可以用設(shè)置曝光裝置EX的工廠等的設(shè)備來代用。作為洗凈液，可使用不同于液體1的水與稀釋劑的混合液、Y-丁丙酯(Y-Butyrolactone)、或異丙醇(IPA)等的溶劑。不過，也可使用液體1來作為該洗凈液。另外，也可將來自洗凈液供應(yīng)部26的供應(yīng)管27連接于與液體供應(yīng)部11連通的供應(yīng)管12。在這種情況下，可與液體1的供應(yīng)流路(例如供應(yīng)管12等)分開獨立的將洗凈液供應(yīng)至液浸區(qū)域(液浸空間)。此外，例如將液體供應(yīng)部11所供應(yīng)的液體1用作為洗凈液的情況下，洗凈液供應(yīng)部26及供應(yīng)管27并不一定需要設(shè)置。在投影光學(xué)系統(tǒng)PL終端部的光學(xué)元件2附近，配置有作為流路形成構(gòu)件的噴嘴構(gòu)件30。噴嘴構(gòu)件30是在襯底P(襯底載臺PST)上方圍繞光學(xué)元件2周圍設(shè)置的環(huán)狀構(gòu)件，經(jīng)由未圖示的支撐構(gòu)件被支撐于立柱機構(gòu)(未圖示)。在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影區(qū)域ARl位于襯底P上的狀態(tài)，噴嘴構(gòu)件30具備配置成與該襯底P表面對向的第1供應(yīng)口13與第2供應(yīng)口14(參照圖3)。另外，噴嘴構(gòu)件30在其內(nèi)部具有供應(yīng)流路82A、82B(參照圖3)。供應(yīng)流路82A的一端連接于第1供應(yīng)口13，在該供應(yīng)流路82A的中間，經(jīng)由供應(yīng)流路82B連接于第2供應(yīng)口14(參照圖3)，供應(yīng)流路82A的另一端部則經(jīng)由供應(yīng)管12連接于液體供應(yīng)部11。另外，噴嘴構(gòu)件30具備配置成與襯底P表面對向的矩形框狀回收口24(參照圖3)。圖2是噴嘴構(gòu)件30的概略立體圖。如圖2所示，噴嘴構(gòu)件30是圍繞投影光學(xué)系統(tǒng)PL終端部的光學(xué)元件2周圍設(shè)置的環(huán)狀構(gòu)件，舉一例而言，具備第1構(gòu)件31、與配置在第1構(gòu)件31上部的第2構(gòu)件32。第1、第2構(gòu)件31及32分別為板狀構(gòu)件，在其中央部具有能配置投影光學(xué)系統(tǒng)PL(光學(xué)元件2)的貫通孔31A及32A。圖3是從底面(下面)觀察圖2的噴嘴構(gòu)件30中、下層的第1構(gòu)件31的透視圖。在圖3中，形成于其上的第2構(gòu)件32的供應(yīng)流路82A、82B以及連接于供應(yīng)流路82A的供應(yīng)管12，用雙點鏈線表示。另外，噴嘴構(gòu)件30的第1構(gòu)件31，具備形成在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光學(xué)元件2的+X方向側(cè)、將液體1供應(yīng)至襯底P上的第1供應(yīng)口13，以及形成在光學(xué)元件2的-X方向側(cè)、將液體1供應(yīng)至襯底P上的第2供應(yīng)口14。供應(yīng)口13及14配置成在X方向(襯底P的掃描方向)夾著投影區(qū)域AR1。另外，供應(yīng)口13及14分別是貫通第1構(gòu)件31的貫通孔，雖在Y方向為細長的矩形，但也可以是從投影區(qū)域ARl的中心往外側(cè)擴張的圓弧狀等。另外，在第1構(gòu)件31，形成有配置成圍繞投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光學(xué)元件2(投影區(qū)域ARl)的矩形(也可是圓形等)框狀的回收口24、以及用于連通回收口24與回收管22的回收流路84?；厥湛?4形成于第1構(gòu)件31底面的槽狀凹部，且相對光學(xué)元件2設(shè)置在比供應(yīng)口13、14更外側(cè)。供應(yīng)口13、14與襯底P間的間隙、以及回收口24的與襯底P間的間隙，例如設(shè)置成大致相同。此外，還嵌有覆蓋回收口24的網(wǎng)狀過濾器25(為形成有多個小孔成網(wǎng)眼狀的多孔構(gòu)件)。充滿液體1的液浸區(qū)域AR2形成在用回收口24所圍矩形(亦可以是圓形等)區(qū)域的內(nèi)側(cè)以便覆蓋投影區(qū)域AR1，且在掃描曝光時局部地形成在襯底P上的一部分(或包含襯底P上的一部分)。圖2的噴嘴構(gòu)件30的第1構(gòu)件31、第2構(gòu)件32、以及圖3的網(wǎng)狀過濾器25，分別是由易與液體1親和的親液性材料、例如不銹鋼(SUS)或鈦等所形成。因此，在圖1中，液浸區(qū)域AR2中的液體1，在通過設(shè)于噴嘴構(gòu)件30的回收口24的網(wǎng)狀過濾器25后，經(jīng)回收流路84及回收管22圓滑地被回收至液體回收部21。此時，在抗蝕劑殘渣等異物中，大于網(wǎng)狀過濾器25的網(wǎng)眼的異物將會殘留在其表面。在圖3中，本例的液體的回收口24雖為矩形或圓形框狀，但也可如雙點連線所示，使用由為了在X方向夾著供應(yīng)口13、14所設(shè)置的2個矩形(或圓弧狀等)回收口29A及29B、以及為了在Y方向夾著光學(xué)元件2所設(shè)置的2個矩形(或圓弧狀等)回收口29C及29D所構(gòu)成的回收口，在各回收口29A29D配置網(wǎng)狀過濾器。另外，回收口29A29D的數(shù)量可為任意。此外，也可例如國際公開第2005/122218號小冊子所公開的，使用雙重的回收口29A29D與回收口24來回收液浸區(qū)域AR2的液體1。進而，也可在供應(yīng)口13、14配置用于防止液浸區(qū)域AR2內(nèi)的異物進入噴嘴構(gòu)件30內(nèi)部的狀過濾器。相反地，例如在回收管22內(nèi)附著異物的可能性低時，并不一定必須設(shè)置網(wǎng)狀過濾器。另外，上述實施方式所使用的噴嘴構(gòu)件30并不限于上述構(gòu)造，也可使用例如歐洲專利申請公開第1420298號說明書、國際公開第2004/055803號小冊子、國際公開第2004/057589號小冊子、國際公開第2004/057590號小冊子、國際公開第2005/029559號小冊子(對應(yīng)美國專利申請公開第2006/0231206號)所記載的流路形成構(gòu)件等。另外，在本例中，液體的供應(yīng)口13、14與回收口24雖設(shè)置在同一噴嘴構(gòu)件30上，但供應(yīng)口13、14與回收口24也可設(shè)于不同構(gòu)件。此外，在圖1中，也可使供應(yīng)口13及14分別連通于不同的液體供應(yīng)部，從供應(yīng)口13及14以能彼此獨立控制控制量的狀態(tài)將液體1供應(yīng)至液浸區(qū)域AR2。另外，供應(yīng)口13、14也可不與襯底P對向配置。進而，噴嘴構(gòu)件30的下面雖設(shè)定為比投影光學(xué)系統(tǒng)PL的下端面(射出面)更接近像面?zhèn)?襯底側(cè))，但也可例如將噴嘴構(gòu)件30的下面設(shè)定為與投影光學(xué)系統(tǒng)PL的下端面相同高度(Z位置)。此外，也可將噴嘴構(gòu)件30的一部分(下端部)以不遮蔽曝光用光EL的方式潛入到投影光學(xué)系統(tǒng)PL(光學(xué)元件2)的下側(cè)。如上所述，圖1的噴嘴構(gòu)件30分別構(gòu)成液體供應(yīng)機構(gòu)10及液體回收機構(gòu)20的一部分。即，噴嘴構(gòu)件30是本例的液浸機構(gòu)的一部分。另外，設(shè)于回收管22及供應(yīng)管27的閥23及28分別開閉回收管22及供應(yīng)管27的流路，其動作用控制裝置CONT控制。在回收管22的流路開放期間，液體回收部21能通過回收口22從液浸區(qū)域AR2吸引回收液體1，在閥28為關(guān)閉狀態(tài)下，用閥23封閉回收管22的流路時，即停止經(jīng)由回收口24吸引回收液體1。之后，通過打開閥28，即能從洗凈液供應(yīng)部26經(jīng)供應(yīng)管27、回收管22及網(wǎng)狀過濾器25而通過噴嘴構(gòu)件30的回收口24流過洗凈液。另外，也可將液浸機構(gòu)的一部分、例如至少將噴嘴構(gòu)件30懸吊支撐于保持投影光學(xué)系統(tǒng)PL的主框架(例如含前述鏡筒平臺)，或不同于主框架的其它框架構(gòu)件也可?；蛘撸缜八霎?dāng)投影光學(xué)系統(tǒng)PL以懸吊方式支撐時，可與投影光學(xué)系統(tǒng)PL—體地懸吊支撐噴嘴構(gòu)件30，也可與投影光學(xué)系統(tǒng)PL分開獨立的將噴嘴構(gòu)件30設(shè)于測量框架，若為后者的話，投影光學(xué)系統(tǒng)PL可不以懸吊方式支撐。在圖1中，液體供應(yīng)部11及洗凈液供應(yīng)部26的液體供應(yīng)由控制裝置CONT控制?？刂蒲b置CONT能分別獨立控制液體供應(yīng)部11及洗凈液供應(yīng)部26對襯底P上每單位時間的液體供應(yīng)量。從液體供應(yīng)部11送出的液體1經(jīng)由供應(yīng)管12及噴嘴構(gòu)件30的供應(yīng)流路82A、82B，從噴嘴構(gòu)件30(第1構(gòu)件31)下面與襯底P對向設(shè)置的供應(yīng)口13、14(參照圖3)被供應(yīng)至襯底P上。另外，液體回收部21的液體回收動作由控制裝置CONT控制?？刂蒲b置CONT能控制液體回收部21每單位時間的液體回收量。從噴嘴構(gòu)件30(第1構(gòu)件31)下面與襯底P對向設(shè)置的回收口24經(jīng)由網(wǎng)狀過濾器25回收的襯底P上的液體1經(jīng)噴嘴構(gòu)件30的回收流路84及回收管22被回收至液體回收部21。[對準(zhǔn)傳感器ALG的說明]接著，參照圖4說明本例的圖像處理方式的對準(zhǔn)傳感器ALG的構(gòu)成。對準(zhǔn)傳感器ALG為離軸方式的FIA(FieldImageAlignment)系統(tǒng)，在收容光學(xué)系統(tǒng)的密封的框體140外部，具備供應(yīng)寬波長帶(例如400SOOnm程度)照明光的光源(例如鹵素?zé)?141。從光源141供應(yīng)的照明光，經(jīng)聚光光學(xué)系統(tǒng)(未圖標(biāo))及由光纖構(gòu)成的光導(dǎo)142而被導(dǎo)至框體140內(nèi)，從光導(dǎo)142的射出端射出的大致可見光帶的照明光ILA，經(jīng)聚光透鏡143后射入反射可見光而使紅外光透射的分色鏡144。被分色鏡144反射的照明光ILA，經(jīng)照明視野光闌145及透鏡系統(tǒng)146后射入棱鏡147。棱鏡147具有使上方射入的光線全部透射、而將下方射入的光線全部加以反射的性質(zhì)，照明光ILA在透射過棱鏡147后，經(jīng)透鏡系統(tǒng)148射入到紅外光反射板149。紅外光反射板149表面形成有指針標(biāo)記IM，具有背面反射紅外光且使可見光透射的特性、形成有紅外光反射膜的光透射性襯底。通過紅外光反射板149的照明光ILA，透過物鏡150照明基P上所形成的對準(zhǔn)標(biāo)記AM(或基準(zhǔn)標(biāo)記等)。來自對準(zhǔn)標(biāo)記AM(或基準(zhǔn)標(biāo)記等)因照明光ILA的照射所產(chǎn)生的反射光(含衍射光，也稱為ILA)，透射過物鏡150、紅外光反射板149、透鏡系統(tǒng)148，被棱鏡147全反射后，經(jīng)透鏡系統(tǒng)151射入到使可見光透射、紅外光反射的分色鏡152。透射過分色鏡152的反射光ILA，經(jīng)未圖示的聚光透鏡射入到XY分歧用的半棱鏡154，被半棱鏡154反射的光在作為X方向用攝像元件的(XD155上形成標(biāo)記像，而透射過半棱鏡154的光則在作為Y方向用的攝像元件的(XD156上形成標(biāo)記像。另外，該對準(zhǔn)傳感器ALG具備用于照明指針標(biāo)記IM的光源、射出例如波長為870nm的照明光的LED(發(fā)光二極管)157。從LED157射出的紅外線帶的照明光ILB，經(jīng)聚光透鏡158、分色鏡144、照明視野光闌145、透鏡系統(tǒng)146、棱鏡147及透鏡系統(tǒng)148而照明紅外光反射板149。被紅外光反射板149的紅外光反射面反射的照明光ILB，照明形成在紅外光反射板149上面的指針標(biāo)記IM。照明指針標(biāo)記IM后的照明光ILB，通過透鏡系統(tǒng)148、棱鏡147、透鏡系統(tǒng)151后，被分色鏡152反射而在指針標(biāo)記用攝像元件的(XD153上形成指針標(biāo)記IM的像。X方向及Y方向用的(XD155及156，分別具備在圖1的襯底載臺PST上對應(yīng)X方向及Y方向的方向的細長區(qū)域2維配置的多個像素，用于X軸及Y軸對準(zhǔn)標(biāo)記的(或基準(zhǔn)標(biāo)記)的位置檢測。指針標(biāo)記用的(XD153具備對應(yīng)指針標(biāo)記IM的像例如于框狀區(qū)域2維配置的多個像素，用于對準(zhǔn)標(biāo)記或基準(zhǔn)標(biāo)記的位置檢測時，作為X方向、Y方向位置基準(zhǔn)的指針標(biāo)記的位置檢測。(XD155、156、153的攝像信號被供應(yīng)至數(shù)據(jù)處理裝置57，在標(biāo)記檢測時，數(shù)據(jù)處理裝置57從被供應(yīng)的攝像信號，檢測出被檢測標(biāo)記相對指針標(biāo)記IM在X方向、Y方向的偏移量，將檢測結(jié)果送出至圖1的控制裝置CONT內(nèi)的對準(zhǔn)控制部。如以上所述，對準(zhǔn)傳感器ALG雖被用于被檢測標(biāo)記的位置檢測，在本例中，如后所述，用于判定構(gòu)成曝光裝置EX的構(gòu)件中、利用液浸法進行曝光時有可能接觸液體1的部分的液體接觸部的至少一部分(觀察對象部)是否有異常，而使用由對準(zhǔn)傳感器ALG所拍攝的被檢測部的像的圖像數(shù)據(jù)。即，也將對準(zhǔn)傳感器ALG用作以光學(xué)方式觀察觀察對象部的狀態(tài)的裝置。作為此用途的攝像元件，可使用X方向及Y方向用的(XD155及156中的任一個。對準(zhǔn)傳感器ALG的異常判定時的分辨率(此處，對應(yīng)CXD155(或156)的1像素的物體在物體面的大小)，可例如是數(shù)10μm程度，由于對準(zhǔn)時的分辨率遠細于此，因此不會有問題。此時，為進行異常判定所拍攝的圖像數(shù)據(jù)，儲存至連接于數(shù)據(jù)處理裝置57的由磁盤裝置等所構(gòu)成的圖像存儲器58。此外，由于對準(zhǔn)傳感器ALG的視野在-Z方向，因此由對準(zhǔn)傳感器ALG進行異常判定的液體接觸部為襯底保持具PH(襯底載臺PST)上的板件97上面、板件97與襯底P間的區(qū)域、襯底P上面、以及測量載臺MST上面(后述板件101上面)。另外，在用于吸引流入板件97與襯底P間的槽部的液體的吸引裝置的一部分設(shè)置在襯底保持具PH內(nèi)的情況下，該槽部內(nèi)部(形成有吸引口的部分)也為液體接觸部，會有在該內(nèi)部易殘留異物的情形。因此，可例如圖7所示，將板件97與襯底P間的區(qū)域中，包含以等角度間隔配置的多處(例如4處)區(qū)域的區(qū)域作為對準(zhǔn)傳感器ALG的觀察對象部68A、68B、68C、68D。另外，在本例中，如圖1所示，用于檢測掩膜M上的對準(zhǔn)標(biāo)記及測量載臺MST上對應(yīng)的規(guī)定基準(zhǔn)標(biāo)記的位置的圖像處理方式的對準(zhǔn)傳感器(掩膜對準(zhǔn)系統(tǒng))90(例如，所謂的標(biāo)線片對準(zhǔn)顯微鏡)配置在掩膜載臺RST的上方。對準(zhǔn)傳感器90可經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)PL觀察投影光學(xué)系統(tǒng)PL像面上的物體(異物等)像。因此，也可使用掩膜側(cè)的對準(zhǔn)傳感器90，來作為該液體接觸部的異常判定之用。另外，也可在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的側(cè)面附近設(shè)置與對準(zhǔn)傳感器ALG及90不同的例如分光計(例如對被檢測部照射寬頻帶的照明光，并測量不同波長的反射率分布的裝置)等的觀察裝置，以此分光計檢測該液體接觸部中觀察對象部的變化(對應(yīng)有無異物的反射率分布的變化等)。另外，如本例那樣使用準(zhǔn)分子激光的紫外脈沖光作為曝光用光EL的情況下，例如抗蝕劑殘渣中等的異物中有可能會有因該脈沖光的照射而發(fā)出熒光(本說明書中包含磷光)。因此，本例的對準(zhǔn)傳感器ALG(或?qū)?zhǔn)傳感器90)也根據(jù)需要用作檢測該等異物發(fā)出的熒光而產(chǎn)生的圖像的熒光顯微鏡。此時，例如在圖4的觀察用(XD155或156的入射面，設(shè)置插拔自由的僅能使檢測對象的熒光透射的熒光過濾器，而使用對準(zhǔn)傳感器ALG作為熒光顯微鏡時，也可將該熒光過濾器設(shè)于(XD155或156的入射面。此外，在本例中，雖然對準(zhǔn)傳感器(標(biāo)記檢測系統(tǒng))ALG、90分別為圖像處理方式，但并不限于此，也可是例如檢測因相干光束的照射而從標(biāo)記產(chǎn)生的衍射光等其它方式。另外，檢測液體接觸部狀態(tài)的光學(xué)裝置，并不限于對準(zhǔn)傳感器ALG、90、分光計、熒光顯微鏡，也可使用例如檢測從液體接觸部(異物等)產(chǎn)生的散射光的檢測系統(tǒng)等。[測量載臺的說明]在圖1中，測量載臺MST，具備Y方向細長的長方形、在X方向驅(qū)動的X載臺181，例如經(jīng)由空氣軸承裝載于其上的調(diào)平臺188，以及裝載于此調(diào)平臺188上作為測量單元的測量臺ΜΤΒ。作為一例，測量臺MTB經(jīng)由空氣軸承裝載于調(diào)平臺188上，但也可將測量臺MTB與調(diào)平臺188—體化。X載臺181例如經(jīng)由空氣軸承裝載于底座54上能在X方向移動自如。圖5是表示圖1中的襯底載臺PST及測量載臺MST的俯視圖，在此圖5中，為了在Y方向(非掃描方向)夾著底座54，與X軸平行地設(shè)有X軸固定件186及187，其內(nèi)面分別于X方向以規(guī)定排列配置有多個永久磁鐵，在固定件186及187之間分別經(jīng)由含線圈的移動件182及183，與Y軸方向大致平行地配置有在X方向移動自如的Y軸滑件180。并沿Y軸滑件180在Y方向移動自如地配置襯底載臺PST，由襯底載臺PST內(nèi)的移動件、與Y軸滑件180上的固定件(未圖示)構(gòu)成將襯底載臺PST在Y方向驅(qū)動的Y軸線性馬達，由與移動件182及183對應(yīng)的固定件186及187構(gòu)成分別將襯底載臺PST驅(qū)動于X方向的一對X軸線性馬達。這些X軸、Y軸線性馬達等相當(dāng)于圖1的襯底載臺驅(qū)動裝置PSTD。另外，測量載臺MST的X載臺181經(jīng)由在固定件186及187之間分別包含線圈的移動件184及185配置成能在X方向移動自如，由移動件184及185及與對應(yīng)的固定件186及187構(gòu)成分別將測量載臺MST驅(qū)動于X方向的一對X軸線性馬達。該X軸線性馬達等在圖1中表示為測量載臺驅(qū)動裝置TSTD。在圖5中，在X載臺181的-X方向端部，以和Y軸大致平行、在Z方向重迭且按順序?qū)ο蛴趦?nèi)面的方式，固定有截面形狀為“二”字形的固定件167和平板狀固定件171，所述固定件167為了在Z方向產(chǎn)生相同磁場而配置有多個永久磁鐵，所述固定件171包含大致沿X軸方向卷繞(排列)的線圈，配置于下方固定件167內(nèi)、于測量臺MTB的Y方向分離的2處分別固定有包含沿Y軸卷繞(排列)的線圈的移動件166Α及166Β，為了在Z方向夾著上方固定件171、在測量臺MTB固定有截面形狀為“二”字形的固定件170，所述固定件170配置有在Y方向以規(guī)定排列配置的多個永久磁鐵。由下方固定件167與移動件166Α及166Β分別構(gòu)成將測量臺MTB相對X載臺181微驅(qū)動于X方向及θζ方向的X軸音圈馬達168Α及168Β(參照圖1)，由上方的固定件171與移動件170構(gòu)成相對X載臺181將測量臺MTB驅(qū)動于Y方向的Y軸線性馬達169。另外，在測量臺MTB上的-X方向及+Y方向分別固定有X軸反射鏡55CX及Y軸反射鏡55CY，以和反射鏡55CX在-X方向?qū)ο虻姆绞脚渲糜蠿軸激光干涉儀56C。反射鏡55CX、55CY在圖1中作為反射鏡55C顯示。激光干涉儀56C是多軸激光干涉儀，由激光干涉儀56C隨時測量測量臺MTB的X方向位置、及θζ方向的旋轉(zhuǎn)角度等。另外，也可取代反射鏡55CX、55CY而使用例如對測量載臺MST的側(cè)面等施以鏡面加工所形成反射面。另一方面，在圖5中，Y方向位置測量用的激光干涉儀56BY共用于襯底載臺PST及測量載臺MST。即，X軸的2個激光干涉儀56BX及56C的光軸通過投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影區(qū)域ARl的中心(本例中與圖1的光軸AX—致)與X軸平行，Y軸激光干涉儀56BY的光軸則通過其投影區(qū)域的中心(光軸AX)與Y軸平行。因此，通常，為進行掃描曝光，在將襯底載臺PST移動至投影光學(xué)系統(tǒng)PL的下方時，激光干涉儀56BY的激光束照射于襯底載臺PST的反射鏡55BY，由激光干涉儀56BY測量襯底載臺PST(襯底P)的Y方向位置。此外，例如為測量投影光學(xué)系統(tǒng)PL的成像特性等，在將測量載臺MST的測量臺MTB移動至投影光學(xué)系統(tǒng)PL的下方時，激光干涉儀56BY的激光束照射于測量臺MTB的反射鏡55CY，由激光干涉儀56BY測量測量臺MTB的Y方向位置。如此，即能恒以投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影區(qū)域的中心為基準(zhǔn)，高精度地測量襯底載臺PST及測量臺MTB的位置，并能以高精度減少昂貴的激光干涉儀的數(shù)量，降低制造成本。此外，沿襯底載臺PST用的Y軸線性馬達及測量臺MTB用的Y軸線性馬達169，分別配置有光學(xué)方式等的線性編碼器(未圖標(biāo))，在激光干儀56BY的激光束未照射反射鏡55BY或55CY的期間，襯底載臺PST或測量臺MTB的Y方向位置則分別用上述線性編碼器來測量?；氐綀D1，測量臺MTB的2維方向位置及旋轉(zhuǎn)角用激光干涉儀56C及圖5的激光干涉儀56BY(或線性編碼器)來測量，測量結(jié)果被送至控制裝置C0NT?？刂蒲b置CONT根據(jù)該測量結(jié)果驅(qū)動測量載臺驅(qū)動裝置TSTD、線性馬達169、以及音圈馬達168A、168B，以此進行測量載臺MST中的測量臺MTB的移動或定位。另外，調(diào)平臺188，具備能分別以例如氣缸或音圈馬達方式控制Z方向位置的3個Z軸致動器，通常，以調(diào)平臺188控制測量臺MTB的Z方向位置、θχ方向、θy方向的角度，以使測量臺MTB的上面與投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面對焦。因此，在噴嘴構(gòu)件30附近，設(shè)有用以測量投影區(qū)域ARl內(nèi)及其附近的襯底P上面等被檢測面的位置的自動聚焦傳感器(未圖示)，根據(jù)此自動聚焦傳感器的測量值，由控制裝置CONT控制調(diào)平臺188的動作。再者，雖未圖示，還設(shè)有用以維持調(diào)平臺188相對X載臺181的X方向、Y方向、θζ方向的位置的致動器。另外，自動聚焦傳感器通過在其多個測量點分別測量被檢測面的Z方向位置信息，也檢測ΘΧ方向、方向的傾斜信息(旋轉(zhuǎn)角)，但亦可將該多個測量點的至少一部分設(shè)定在液浸區(qū)域AR2(或投影區(qū)域ARl)內(nèi)，或者，也可將全部設(shè)定在液浸區(qū)域AR2的外側(cè)。另外，例如能用激光干涉儀56B、56C測量被檢測面的Z軸、θx及θy方向的位置信息時，也可不設(shè)置能在襯底P的曝光動作中測量其Z軸方向的位置信息的自動聚焦傳感器，也可作成至少在曝光動作中使用激光干涉儀55B、55C的測量結(jié)果來進行被檢測面于Z軸、θχ及θy方向的位置控制。本例的測量臺MTB，具備用于進行涉及曝光的各種測量的測量器類(測量用構(gòu)件)。即，測量臺MTB具備固定線線馬達169的移動件等及反射鏡55C的測量臺本體159，以及固定在此上面、例如由石英玻璃等低膨脹率的光透射性材料所構(gòu)成的板件101。此板件101的全表面形成有以鉻膜所形成的遮光膜102(參照圖6)，隨處設(shè)有測量器用的區(qū)域、以及特開平5-21314號公報(對應(yīng)美國專利第5243195號)等所公開的形成有多個基準(zhǔn)標(biāo)記的基準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)域FM。如圖5所示，在板件101上的基準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)域FM，形成有圖1的掩膜用對準(zhǔn)傳感器90用的一對基準(zhǔn)標(biāo)記FMl、FM2、以及襯底用對準(zhǔn)傳感器ALG用的基準(zhǔn)標(biāo)記FM3。將這些基準(zhǔn)標(biāo)記的位置用對應(yīng)的對準(zhǔn)傳感器分別測量，就能測量出投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影區(qū)域ARl的投影位置與對準(zhǔn)傳感器ALG的檢測位置間的間隔(位置關(guān)系)的基準(zhǔn)線(baseline)量。在此基準(zhǔn)線量的測量時，在板件101上也形成液浸區(qū)域AR2。在板件101上的測量器用區(qū)域中，形成有各種測量用開口圖案。作為此測量用開口圖案，例如有空間像測量用開口圖案(例如狹縫狀開口圖案62X、62Y)、照明不均測量用針孔開口圖案、照度測量用開口圖案、以及液面像差測量用開口圖案等，在這些開口圖案底面?zhèn)鹊臏y量臺本體159內(nèi)，配置有由對應(yīng)測量器用光學(xué)系統(tǒng)及光電傳感器構(gòu)成的測量器。該測量器的一個例子，例如是特開昭57-117238號公報(對應(yīng)美國專利第4465368號說明書)等所公開的照度不均傳感器，例如特開2002-14005號公報(對應(yīng)美國專利申請公開第2002/0041377號說明書)等所公開的用于測量由投影光學(xué)系統(tǒng)PL所投影的圖案空間像(投影圖像)的光強度的空間像測量裝置61，例如特開平11-16816號公報(對應(yīng)美國專利申請公開第2002/0061469號說明書)等所公開的照度監(jiān)視器，以及例如國際公開第99/60361號小冊子(對應(yīng)歐洲專利第1079223號說明書)等所公開的波面像差測量器。另外，在本例中，對應(yīng)于進行經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)PL與液體1由曝光用光EL使襯底P曝光的液浸曝光，在利用曝光用光EL的測量中所使用的上述照度不均傳感器、照度監(jiān)視器、空間像測量器、波面像差測量器等，則經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)PL及液體1來接收曝光用光EL0因此，在板件101表面的遮光膜102上，除后述特定區(qū)域外，涂有疏液涂層103(參照圖6)。另外，在圖5中，在測量臺MTB上，主要具備以光學(xué)方式觀察圖1的噴嘴構(gòu)件30及光學(xué)元件2的狀態(tài)的噴嘴觀察裝置65。圖6是表示將圖5的測量臺MTB移動至投影光學(xué)系統(tǒng)PL底面?zhèn)鹊臓顟B(tài)的截面圖。在該圖6中，在X軸的開口圖案62Χ底面?zhèn)鹊臏y量臺本體159上，設(shè)有包含聚光透鏡63及光電檢測器64的空間像測量裝置61，光電檢測器64的光電轉(zhuǎn)換信號被供應(yīng)至數(shù)據(jù)處理裝置57。在這種情況下，疏液涂層103上面的大致全面為液浸曝光用液體有可能接觸的液體接觸部。然而，包含設(shè)于遮光膜102的開口圖案62Χ(及圖5的Y軸用開口圖案62Υ)的大致圓形區(qū)域103a，雖為了使曝光用光EL通過而除去了疏液涂層103，但圓形區(qū)域103a也是液體接觸部。因此，為了使用空間像測量裝置61測量投影光學(xué)系統(tǒng)PL的成像特性，而對圓形區(qū)域103a供應(yīng)圖1的液體1來作為液浸區(qū)域AR2時，若液體1中混入異物的話，該異物特別易于殘留在開口圖案62X的附近等。因此，在本例中，將該液體接觸部中除去了疏液涂層的圓形區(qū)域103a內(nèi)，作為用圖1的對準(zhǔn)傳感器ALG進行異常判定用的一個觀察對象部68G。另外，在圖6中，在遮光膜102上設(shè)有開口部102b，包含此開口部102b的圓形區(qū)域103b為了使曝光用光EL通過而除去了疏液涂層103。并于開口部102b底面的測量臺本體159內(nèi)，設(shè)置了包含由物鏡66及2維CXD構(gòu)成的2維攝像元件67的噴嘴觀察裝置65。攝像元件67的攝像信號供應(yīng)至數(shù)據(jù)處理裝置57，將從該攝像信號所得的圖像數(shù)據(jù)儲存至圖像存儲器58。噴嘴觀察裝置65的分辨率(與攝像元件67的一像素對應(yīng)的在物體面的物體的大小)，例如設(shè)定為小于數(shù)10μm程度。噴嘴觀察裝置65的觀察對象的液體接觸部為噴嘴構(gòu)件30的底面、供應(yīng)口13、14內(nèi)部、回收口24內(nèi)部(含網(wǎng)狀過濾器25)、以及光學(xué)元件2的底面，特別是在網(wǎng)狀過濾器25有附著異物的可能，因此，例如將網(wǎng)狀過濾器25底面作為噴嘴觀察裝置65的觀察對象部。因此，在圖6中，噴嘴觀察裝置65的物鏡66的物體面設(shè)定于網(wǎng)狀過濾器25的底面。另外，在噴嘴觀察裝置65還設(shè)有用來照明被檢測物的照明系統(tǒng)(未圖標(biāo))。此外，在本例中，雖將上述多個測量器的至少一個、基準(zhǔn)標(biāo)記、以及噴嘴觀察裝置65作為測量用構(gòu)件設(shè)置于測量臺MTB，但測量用構(gòu)件的種類、及/或數(shù)量等并不限于此。也可設(shè)置例如測量投影光學(xué)系統(tǒng)PL的透射率的透射率測量器等來作為測量用構(gòu)件。另外，也可僅將上述測量器或噴嘴觀察裝置65的一部分設(shè)于測量載臺MST，而將其它部分設(shè)于測量載臺MST外部。另外，也將不同于測量用構(gòu)件的構(gòu)件，例如用于清掃噴嘴構(gòu)件30、光學(xué)元件2等的清掃構(gòu)件等裝載于測量載臺MST。作為此清掃構(gòu)件，可使用例如具有將液體1或洗凈液對噴嘴構(gòu)件30等噴出的噴射噴嘴的洗凈裝置等。進而，也可不將測量用構(gòu)件及清掃構(gòu)件等設(shè)置于測量載臺MST。此時，測量載臺MST，例如在襯底P的更換時等，為維持前述液浸區(qū)域AR2而通過與襯底載臺PST的交換，與投影光學(xué)系統(tǒng)PL對向配置。另外，亦可將至少一個測量用構(gòu)件設(shè)于襯底載臺PST。[曝光步驟的說明]如圖7所示，于襯底P上區(qū)劃(設(shè)定)有多個照射區(qū)域SH。另外，為了便于說明，圖7中僅顯示部分照射區(qū)域SH。在圖1所示的曝光裝置EX中，控制裝置CONT—邊監(jiān)測激光干涉儀56B的輸出一邊移動襯底載臺PST，以相對投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX(投影區(qū)域ARl)使襯底P沿規(guī)定路徑前進，并以步進掃描(step&scan)方式順序地使多個照射區(qū)域曝光。即，用曝光裝置EX進行的掃描曝光時，在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的矩形投影區(qū)域ARl投影掩膜M的部分圖案像，掩膜M相對投影光學(xué)系統(tǒng)PL以速度V移動于X方向，與此同步的，襯底P經(jīng)由襯底載臺PST以速度β·ν(β為投影倍率)移動于X方向。在襯底P上的一個照射區(qū)的曝光結(jié)束后，利用襯底P的步進移動，移動至下一照射區(qū)的掃描開始位置，然后，以步進掃描方式一邊移動襯底P、一邊依序進行對各照射區(qū)域的掃描曝光處理。在襯底P的曝光處理中，控制裝置CONT驅(qū)動液體供應(yīng)機構(gòu)10，進行對襯底P上的液體供應(yīng)動作。從液體供應(yīng)機構(gòu)10的液體供應(yīng)部11送出的液體1在流通過供應(yīng)管12后，經(jīng)形成在噴嘴構(gòu)件30內(nèi)部的供應(yīng)流路82Α、82Β供應(yīng)至襯底P上。供應(yīng)至襯底P上的液體1，配合襯底P的動作流過投影光學(xué)系統(tǒng)PL的下面。例如，在一照射區(qū)域的曝光中襯底P移動于+X方向時，液體1向與襯底P相同的+X方向、以與襯底P大致相同速度，流過投影光學(xué)系統(tǒng)PL的下面。在此狀態(tài)下，從照明光學(xué)系統(tǒng)IL射出、通過掩膜M的曝光用光EL照射至投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)龋瑩?jù)此，掩膜M的圖案即透過投影光學(xué)系統(tǒng)PL及液浸區(qū)域AR2的液體1曝光在襯底P上。控制裝置CONT在曝光用光EL照射于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)葧r，即在襯底P的曝光動作中，進行用液體供應(yīng)機構(gòu)10對襯底P上的液體1的供應(yīng)。在曝光動作中持續(xù)以液體供應(yīng)機構(gòu)10供應(yīng)液體1而良好的形成液浸區(qū)域AR2。另一方面，控制裝置CONT在曝光用光EL照射于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)葧r，即在襯底P的曝光動作中，進行用液體回收機構(gòu)20對襯底P上的液體1的回收。在曝光動作中(曝光用光EL照射于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)葧r)，通過持續(xù)進行液體回收機構(gòu)20對襯底P上的液體1的回收，能抑制液浸區(qū)域AR2的擴大。在本例中，在曝光動作中，液體供應(yīng)機構(gòu)10用供應(yīng)口13、14同時進行從投影區(qū)域ARl的兩側(cè)對襯底P上的液體1的供應(yīng)。據(jù)此，從供應(yīng)口13、14供應(yīng)至襯底P上的液體1，能良好的擴散至投影光學(xué)系統(tǒng)PL終端部的光學(xué)元件2的下端面與襯底P之間、以及噴嘴構(gòu)件30(第1構(gòu)件31)下面與襯底P之間，形成至少比投影區(qū)域ARl大范圍的液浸區(qū)域AR2。另外，假設(shè)供應(yīng)口13及14連接于其它液體供應(yīng)部的情況下，也可就掃描方向，將從投影區(qū)域ARl前方供應(yīng)的每單位時間的液體供應(yīng)量，設(shè)定為多于從其相反側(cè)供應(yīng)的液體供應(yīng)量。另外，在可不在曝光動作中進行液體回收機構(gòu)20的液體1的回收動作，而在曝光結(jié)束后，開放回收管22的流路來回收襯底P上的液體1。舉一例而言，可僅在襯底P上的某一照射區(qū)域的曝光結(jié)束后、至下一照射區(qū)域的曝光開始前的部分期間(襯底P的步進移動期間的至少一部分)，用液體回收部21進行襯底P上液體1的回收?？刂蒲b置CONT在襯底P的曝光中，持續(xù)用液體供應(yīng)機構(gòu)10進行液體1的供應(yīng)。通過持續(xù)進行液體1的供應(yīng)，不僅能以液體1良好地將投影光學(xué)系統(tǒng)PL與襯底P之間予以充滿，也能防止產(chǎn)生液體1的振動(所謂的水錘現(xiàn)象)。以此方式，即能對襯底P的所有照射區(qū)域以液浸法進行曝光。另外，例如在襯底P的更換中，控制裝置CONT使測量載臺MST移動至與投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光學(xué)元件2對向的位置，在測量載臺MST上形成液浸區(qū)域AR2。此時，在使襯底載臺PST與測量載臺MST接近的狀態(tài)下移動，通過與一載臺的更換將另一載臺與光學(xué)元件2對向配置，來在襯底載臺PST與測量載臺MST之間移動液浸區(qū)域AR2?？刂蒲b置CONT在測量載臺MST上形成有液浸區(qū)域AR2的狀態(tài)下，使用裝載于測量載臺MST的至少一個測量器(測量構(gòu)件)，進行與曝光相關(guān)的測量(例如基準(zhǔn)線測量)。關(guān)于在襯底載臺PST與測量載臺MST之間移動液浸區(qū)域AR2的動作，以及襯底P更換中的測量載臺MST的測量動作的詳細情形，已公開在國際公開2005/074014號小冊子(對應(yīng)歐洲專利申請公開第1713113號說明書)、以及國際公開第2006/013806號小冊子等。此外，具備襯底載臺與測量載臺的曝光裝置，例如已公開于日本特開平11-135400號公報(對應(yīng)國際公開第1999/23692號小冊子)、特開2000-164504號公報(對應(yīng)美國專利第6897963號)。此處，在指定國及選擇國的國內(nèi)法令允許的范圍下，援用美國專利第6897963號的公開作為本說明書的一部分。[有無異常判定步驟的說明]如在上述的曝光步驟中，當(dāng)圖1的襯底P與液浸區(qū)域AR2的液體1接觸時，會有襯底P的一部分成分溶解至液體1中的情形。例如，作為襯底P上的感光性材料而使用化學(xué)增幅型抗蝕劑的情形時，該化學(xué)增幅型抗蝕劑包含基底樹脂、基底樹脂中所含的光酸產(chǎn)生劑(PAG:PhotoAcidGenerator)以及被稱為“Quencher”的胺系物質(zhì)。當(dāng)此種抗蝕劑接觸液體1時，抗蝕劑的一部分成分，具體而言，其中的PAG及胺系物質(zhì)等會有溶解至液體1中的情形。另外，在襯底P的基材本身(例如硅襯底)與液體1接觸時，也會因構(gòu)成該基材的不同，而有該基材的部分成分(硅等)溶解至液體1中的可能性。這樣，接觸襯底P后的液體1，有可能包含由襯底P產(chǎn)生的雜質(zhì)及抗蝕劑殘渣等所構(gòu)成的微粒等的微小異物。另外，液體1亦有可能包含大氣中的塵埃及雜質(zhì)等的微小異物。因此，用液體回收機構(gòu)20回收的液體1，有可能包含各種雜質(zhì)等的異物。因此，液體回收部21將回收的液體1排出至外部。另外，亦可將回收后液體1的至少一部分用內(nèi)部處理裝置加以凈化后，將該凈化后的液體1送會至液體供應(yīng)部11予以再利用。另外，混入液浸區(qū)域AR2的液體1中的上述微粒等的異物中，比設(shè)于圖1中的噴嘴構(gòu)件30的回收口24的網(wǎng)狀過濾器25的網(wǎng)眼大的異物等，有可能附著而殘留在包含網(wǎng)狀過濾器25表面(外面)等的上述液體接觸部。這些殘留的異物，有可能在襯底P的曝光時，再次混入液浸區(qū)域AR2的液體1。當(dāng)混入液體1的異物附著于襯底P上時，有可能導(dǎo)致將形成于襯底P的圖案產(chǎn)生形狀不良等的缺陷。因此，本例的曝光裝置EX，用下述方式判定液體接觸部有無異常，S卩，在此是否附著于超過液體接觸部中預(yù)先決定的多個觀察對象部(被檢測部)的容許范圍的異物。以下，參照圖8的流程圖說明依據(jù)本實施方式的曝光方法。[第1工序]首先，在曝光工序開始前，用圖1的對準(zhǔn)傳感器ALG及/或圖6的噴嘴觀察裝置65拍攝曝光裝置EX的液體接觸部中預(yù)先設(shè)定為觀察對象部的部分(Si)，將所得的第1圖像數(shù)據(jù)作為基準(zhǔn)觀察信息(基準(zhǔn)信息)儲存于圖像存儲器58(S2)。此時，在襯底保持具PH上，作為襯底P，例如已裝載有曝光對象的一批中起始的涂有抗蝕劑的晶片。圖7是圖1中襯底載臺PST的俯視圖，在圖7中，軌跡60A、60B、60C表示對準(zhǔn)傳感器ALG相對襯底載臺PST上的襯底保持具PH及襯底P的相對移動路徑。實際上，對準(zhǔn)傳感器ALG為靜止而襯底載臺PST(及測量載臺MST)移動，但為便于說明，在圖7中用對準(zhǔn)傳感器ALG在襯底載臺PST上相對移動的方式來表示。在這種情況下，如以上所述在本例中，設(shè)定有包含襯底P與板件97之間異物易附著區(qū)域的4個觀察對象部68A68D。另外，觀察對象部68A68D的形狀，實際上，與對準(zhǔn)傳感器ALG的矩形觀察視野相同，或?qū)⒃撚^察視野于X方向、Y方向連結(jié)多個而成的形狀。另外，在基準(zhǔn)線量的測量時，在圖5的襯底保持具PH與測量臺MTB連結(jié)的狀態(tài)下，在圖7中，對準(zhǔn)傳感器ALG對于襯底保持具PH沿軌跡60C相對移動，而在圖5的基準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)域FM上移動。此時，投影光學(xué)系統(tǒng)PL與板件97或101之間形成有液浸區(qū)域AR2，沿該軌跡60C的移動以極高速進行，因此異物有可能沿該軌跡60C殘留。因此，在本例中，沿該軌跡60C的板件97上的區(qū)域也設(shè)定有多處(此處，為2處)的觀察對象部68E、68F(形狀與觀察對象部68A相同)。此外，襯底P邊緣附近的照射區(qū)域的掃描曝光，由于液浸區(qū)域AR在一部分突出于襯底P外側(cè)的情形下移動，因此異物亦有可能堆積在襯底載臺PST(板件97)上面。因此，亦可在曝光時液浸區(qū)域AR移動的板件97上的區(qū)域設(shè)定至少一個觀察對象部。另外，如圖6所示，包含測量臺MTB上除去了疏液涂層103的開口圖案62X的區(qū)域，也被設(shè)定為對準(zhǔn)傳感器ALG的觀察對象部68G，而噴嘴構(gòu)件30的網(wǎng)狀過濾器25的底面則被設(shè)定為噴嘴觀察裝置65的觀察對象部。首先，將圖7的襯底保持具PH的觀察對象部68A68F及圖6的測量臺MTB上的觀察對象部68G按順序移動至對準(zhǔn)傳感器ALG的視野內(nèi)，拍攝該等觀察對象部68A68G的像，將所得的第1圖像數(shù)據(jù)分別儲存至圖像存儲器58。其次，將圖6的測量臺MTB在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的下方驅(qū)動于X方向、Y方向，用噴嘴觀察裝置65拍攝噴嘴構(gòu)件30的網(wǎng)狀過濾器25底面的大致全面的像，將所得的第1圖像數(shù)據(jù)(此處，為多個圖像數(shù)據(jù)的組合)儲存于圖像存儲器58。此時，可沿延長軌跡60C的圖5中測量臺MTB上的區(qū)域再設(shè)定觀察對象部。另外，除上述觀察對象部68A68G等之外，也可在襯底保持具PH上(含襯底P上)及測量臺MTB上設(shè)定任意數(shù)量、任意大小的觀察對象部。就這些觀察對象部分別所得的第1圖像數(shù)據(jù)，作為基準(zhǔn)觀察信息儲存至圖像存儲器58即可。此外，由圖7可知，軌跡60A大致沿著在襯底P所區(qū)劃的多個照射區(qū)域SH，近似于曝光時液浸區(qū)域AR2的移動路徑，但軌跡60B及60C則與曝光時液浸區(qū)域AR2的移動路徑不同。[第2工序]此處，與上述曝光工序的說明同樣地，進行襯底P的對準(zhǔn)、以及使用液浸法的掩膜M的圖案對襯底P的轉(zhuǎn)印曝光(S3)。此時，襯底P與圖1的投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影區(qū)域AR1，例如沿圖7的軌跡60A相對移動。另外，實際上，由于掩膜M及襯底P的掃描方向?qū)γ恳徽丈鋮^(qū)域反轉(zhuǎn)，因此軌跡60A成為更復(fù)雜的路徑。進而對同一批內(nèi)規(guī)定片數(shù)的襯底進行對準(zhǔn)及使用液浸法的曝光。在該規(guī)定片數(shù)襯底的曝光結(jié)束后，對下一襯底進行曝光前，拍攝上述觀察對象部68A等的像(S4)，將所得的第2圖像數(shù)據(jù)作為被檢測觀察信息儲存于圖像存儲器58(S5)。此時，圖7的襯底P的對準(zhǔn)(Alignment)用加強型全晶片對準(zhǔn)(EGA)方式進行，此方式用對準(zhǔn)傳感器ALG檢測位于從襯底P上選擇的多個照射區(qū)域內(nèi)的測量區(qū)域69A69H的對準(zhǔn)標(biāo)記，對檢測出的對準(zhǔn)標(biāo)記的位置信息進行統(tǒng)計處理來算出襯底P上各照射區(qū)域的位置信息。此EGA方式，已公開于例如日本特開昭61-44429號公報(對應(yīng)美國專利第4780617號說明書)。此時，為進行襯底P的對準(zhǔn)，而使對準(zhǔn)傳感器ALG相對襯底P沿軌跡60B移動按順序檢測測量區(qū)域69A69H的對準(zhǔn)標(biāo)記時，使用對準(zhǔn)傳感器ALG順序地拍攝位于最近位置的觀察對象部68A68D。并將所得到的第2圖像數(shù)據(jù)順序地儲存于圖4的圖像存儲器58。例如，使對準(zhǔn)傳感器ALG相對的從測量區(qū)域69A移動至測量區(qū)域69B時，使對準(zhǔn)傳感器ALG移動至位于其附近位置的觀察對象部68A上，即能在幾乎不增加對準(zhǔn)時間的情形下，獲得觀察對象部68A68D的第2圖像數(shù)據(jù)。另外，在本例中，在對準(zhǔn)動作中，即在對準(zhǔn)標(biāo)記的檢測動作中，雖將多個觀察對象部在最近的檢測對象的對準(zhǔn)標(biāo)記的檢測后，持續(xù)加以檢測出，但并不限于此，也可例如通過遺傳算法等，來決定出檢測時間最短的對準(zhǔn)標(biāo)記及觀察對象部知檢測順序。另外，在該襯底P的曝光前使對準(zhǔn)傳感器ALG沿軌跡60C相對移動以進行基準(zhǔn)線量的測量時，使用對準(zhǔn)傳感器ALG拍攝位于軌跡60C途中的觀察對象部68E、68F的像。進而，在例如使用圖6的空間像測量裝置61測量投影光學(xué)系統(tǒng)PL的成像特性時，先將空間像測量裝置61上的觀察對象部68G移動至對準(zhǔn)傳感器ALG的下方，經(jīng)由對準(zhǔn)傳感器ALG拍攝觀察對象部68G的像。并將以此方式所得的觀察對象部68E68G的第2圖像數(shù)據(jù)依序儲存至圖像存儲器58。另外，例如為進行基準(zhǔn)線量的測量、或為了將液浸區(qū)域AR2從襯底載臺PST移動至測量載臺MST而將測量臺MTB移動至投影光學(xué)系統(tǒng)PL下方時，如圖6所示，驅(qū)動測量臺MTB使噴嘴觀察裝置65在噴嘴構(gòu)件30的網(wǎng)狀過濾器25底面的大致全面移動，以拍攝網(wǎng)狀過濾器25的像，將所得到的第2圖像數(shù)據(jù)按順序儲存至圖像存儲器58。如此，在基準(zhǔn)線的測量時或投影光學(xué)系統(tǒng)PL的成像特性的測量時等，在加上求得測量臺MTB上的觀察對象部68G及噴嘴構(gòu)件30的網(wǎng)狀過濾器25的第2圖像數(shù)據(jù)，就能維持曝光工序的高效率。[第3工序]其次，在上述第2工序結(jié)束后，在圖1的控制裝置CONT的控制下，圖4(圖6)的數(shù)據(jù)處理裝置57，就各觀察對象部，從圖像存儲器58分別讀出第1工序所得到的第1圖像數(shù)據(jù)與第2工序所得的第2圖像數(shù)據(jù)并加以比較，來特定出該2個圖像數(shù)據(jù)的差異部(S6)。此時的差異部的特定，可通過例如就每一像素數(shù)據(jù)從第1圖像數(shù)據(jù)減去第2圖像數(shù)據(jù)而極高速地進行。而特定出的差異部，即可視為對應(yīng)的觀察對象部在液浸法曝光時因與液體1的接觸而附著的異物。于是，數(shù)據(jù)處理裝置57，就每一觀察對象部，在特定出的差異部超過規(guī)定大小(例如100μm方型)以上的情況下，或差分處理后圖像的亮度(絕對值)在規(guī)定值以上時，即辨別為發(fā)生了異常，并將異常發(fā)生位置(發(fā)生異常的觀察對象部的位置)、差異部數(shù)量及大小或亮度的差等的信息(異常內(nèi)容信息)送出至圖1的控制裝置CONT(S7)。另一方面，在該第3工序中，無論哪個觀察對象部其差異部皆在容許范圍內(nèi)的情況下，數(shù)據(jù)處理部57即判定為無異常，將此判定結(jié)果送出至控制裝置C0NT。此時，即直接進行對襯底P的曝光(S8)。然后，再次進行上述第2工序及第3工序。[第4工序]其次，在上述第3工序中，從數(shù)據(jù)處理裝置57送出有異常的判定結(jié)果及異常內(nèi)容信息至控制裝置CONT時，舉一例而言，控制裝置CONT即中止對襯底P的曝光(S9)。然后，取代襯底P，而將例如由硅襯底構(gòu)成的虛擬襯底(覆蓋構(gòu)件)裝載至圖7的襯底保持具PH上之后，進行液體接觸部的洗凈(SlO)。具體而言，關(guān)閉圖1的閥23而打開閥28，從洗凈液供應(yīng)部26經(jīng)供應(yīng)管27、回收管22、及回收流路84將洗凈液供應(yīng)至噴嘴構(gòu)件30的回收口24。在將此洗凈液供應(yīng)至襯底保持具PH(板件97)上及測量臺MTB上后，將所供應(yīng)的洗凈液用液體回收部21加以回收，由此進行液體接觸部的洗凈。此時，例如也可先在襯底保持具PH內(nèi)及測量臺MTB內(nèi)分別設(shè)置液體的吸引裝置，經(jīng)由這些吸引裝置回收該洗凈液。另外，也可通過例如超音波振蕩器等使洗凈液振動將其供應(yīng)至板件97或測量臺MTB上，也可同時進行洗凈液的供應(yīng)與回收來一邊形成液浸區(qū)域、一邊使襯底載臺PST或測量載臺MST相對該液浸區(qū)域移動。若為后者的情況，可將從液浸區(qū)域回收的洗凈液中的粒子數(shù)，以例如后述粒子計數(shù)器加以記數(shù)，視該計數(shù)來控制洗凈動作。再者，也可使用前述測量載臺MST的洗凈裝置來進行液體接觸部的洗凈。另外，當(dāng)虛擬襯底為硅襯底等那樣具有親液性的情況下，虛擬襯底的上面(表面)施有疏液處理。作為疏液處理，例如有涂布疏液性材料以形成疏液涂層的涂層處理。作為具有疏液性的材料，例如有氟系化合物、硅化合物、或聚乙烯等的合成樹月旨。另外，疏液涂層可以是單層膜、也可是由復(fù)數(shù)所構(gòu)成的膜。之后，再次使用對準(zhǔn)傳感器ALG及噴嘴觀察裝置65來獲得觀察對象部68A68G等的第2圖像數(shù)據(jù)(S4-S5)，將其與第1圖像數(shù)據(jù)進行比較(S6)來判定有無異常(S7)，在異常消失的時刻進行對襯底P的曝光(S8)。之后，動作即回到第2工序。此外，該第2工序中各觀察對象部的第2圖像數(shù)據(jù)的取得、以及進行該第3工序的圖像數(shù)據(jù)的比較的頻度可任意設(shè)定，可在例如每數(shù)批至數(shù)10批的曝光時進行。另外，例如根據(jù)襯底的膜(抗蝕劑膜及/或頂涂層膜等)的種類等，也可在每1批的曝光或同一批的多個襯底的曝光后進行。另外，也可隨著襯底的曝光處理片數(shù)的增加，慢慢縮短實施上述第2及第3工序的間隔。另夕卜，在該第1工序取得的各觀察對象部的第1圖像數(shù)據(jù)，可定期的予以更新。此時，可定期的實施前述第1工序，例如也可將前述液體接觸部的洗凈動作后取得的第2圖像數(shù)據(jù)(檢測信息)，作為第1圖像數(shù)據(jù)(基準(zhǔn)信息)加以儲存。通過設(shè)置上述有無異常的判定步驟，能降低在襯底P附著異物的狀態(tài)下進行曝光的概率，減少所轉(zhuǎn)印圖案的形狀不良等的缺陷，因此能使最終制造出的組件的合格率提高。本例的曝光裝置及曝光方法的動作以及優(yōu)點等，加以整理如下。Al)在本例中，由于就每一觀察對象部比較第1圖像數(shù)據(jù)與第2圖像數(shù)據(jù)，能更為有效判定有無異常、即有效率地判定異常的有無即有可能成為所轉(zhuǎn)印圖案的誤差的主要原因的異物有無附著。A2)在本例第3工序發(fā)現(xiàn)異常時，通過在該第4工序中止曝光、進行液體接觸部的洗凈，在下一以液浸法進行曝光時，降低異物混入液體中的概率。此外，在該第3工序中發(fā)現(xiàn)異常的觀察對象部，例如是圖6的測量臺MTB的空間像測量裝置61上的觀察對象部68G等的情況下，或所檢測出的異物大小較小、且數(shù)量少的情形，即預(yù)測即使直接進行曝光異物經(jīng)由液體附著于襯底P上的可能性較小的情況下，可直接進行襯底P的曝光。A3)在本例第3工序中所判定的有無異常，雖是在該觀察對象部的有無異物，除此之外，例如亦可在該觀察對象部以分光計測量的反射率分布的變化量大時，判定為有異常。A4)另外，在本例中，為了以光學(xué)方式觀察觀察對象部68A68G的狀態(tài)，而使用襯底P上的對準(zhǔn)標(biāo)記位置檢測用的圖像處理方式的對準(zhǔn)傳感器ALG。因此，能有效活用對準(zhǔn)傳感器ALG。A5)此外，在上述第2工序中，圖7的板件97與襯底P間的觀察對象部68A68G的第2圖像數(shù)據(jù)的取得，與使用對準(zhǔn)傳感器ALG進行襯底P上的規(guī)定多個對準(zhǔn)標(biāo)記的位置檢測時一起實施。另外，板件97上的2處觀察對象部68E、68F的第2圖像數(shù)據(jù)的取得，在使用對準(zhǔn)傳感器ALG測量基準(zhǔn)線量時實施。因此，曝光工序的效率幾乎不會降低。另外，觀察對象部68A68D的第2圖像數(shù)據(jù)的取得，亦可與使用對準(zhǔn)傳感器ALG的對準(zhǔn)動作分開實施。此時，當(dāng)進行液體接觸部的異常判定的間隔較長時，曝光工序的效率基本上不下降。A6)另外，在本例中，由于將設(shè)于噴嘴構(gòu)件30的液體回收口24的網(wǎng)狀過濾器25作為觀察對象部(液體接觸部的一部分)，因此在測量載臺MST上的圖6的測量臺MTB設(shè)有噴嘴觀察裝置65。因此，能以光學(xué)方式觀察無法用對準(zhǔn)傳感器ALG觀察的液體接觸部的狀態(tài)。此外，亦可將噴嘴觀察裝置65設(shè)于襯底載臺PST(襯底保持具PH)。A7)在本例中，將圖6的測量臺MTB上包含除去了疏液涂層103的開口圖案62X的圓形區(qū)域103a，也設(shè)定為對準(zhǔn)傳感器ALG的觀察對象部68G。由于該圓形區(qū)域103a在供應(yīng)液體時易附著異物，因此作為觀察對象部是非常適合的。該觀察對象部68G及圖7的襯底保持具PH上的觀察對象部68E、68F的觀察時，也可將該等觀察對象部移動至投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影區(qū)域，并預(yù)先照射曝光用光EL，以上述熒光顯微鏡來作為對準(zhǔn)傳感器ALG。在這種情況下，在觀察對象部68E68G內(nèi)的異物具有發(fā)出熒光的性質(zhì)時，通過對準(zhǔn)傳感器ALG檢測該熒光，即能容易的檢測出異物。以此方式檢測熒光時，在上述第1工序中，在得到觀察對象部68E68G的第1圖像數(shù)據(jù)時，也可照射曝光用光EL，將對準(zhǔn)傳感器ALG設(shè)定為熒光顯微鏡。A8)在本例中，作為以光學(xué)方式觀察液體接觸部的裝置，使用對準(zhǔn)傳感器ALG及噴嘴觀察裝置65，除此之外，也可使用上述分光計，也可并用分光計與攝像裝置。此外，也可使用攝像(圖像處理)方式以外的光學(xué)傳感器來進行液體接觸部的光學(xué)方式的檢測(觀察)。另外，在上述實施方式中，雖在襯底P的曝光動作后進行觀察對象部68A68D的第2圖像數(shù)據(jù)的取得，但該第2圖像數(shù)據(jù)的取得也可在曝光動作以外的其它動作之后實施。此外，在上述實施方式中，雖著眼于觀察對象部中特定出的差異部的大小及/或亮度(差)來判斷有無異常，但也可取代其，或與其組合，使用其它特征(例如，差異部的密度等)來判斷有無異常。此外，在上述實施方式中，雖在第1工序中以襯底保持具PH保持襯底P的狀態(tài)下取得觀察對象部的第1圖像數(shù)據(jù)，但并不限于此，也可例如在以襯底保持具PH保持前述虛擬襯底的狀態(tài)下取得觀察對象部的第1圖像數(shù)據(jù)。此時，可于第1工序及第2工序中，以襯底保持具PH上的觀察對象部不包含虛擬襯底及襯底P的方式，設(shè)定觀察對象部的位置及/或大小等。另外，在上述實施方式中，雖將取得觀察對象部的第1圖像數(shù)據(jù)的第1工序，設(shè)定為在曝光動作的前一刻實施，但不限于此，亦可與曝光動作無關(guān)的取得第1圖像數(shù)據(jù)。例如，可在曝光裝置的調(diào)整時、或保養(yǎng)維修等時取得第1圖像數(shù)據(jù)。再者，在上述實施方式中，雖將觀察對象部的第1圖像數(shù)據(jù)作為基準(zhǔn)信息加以儲存，但例如在使用前述熒光顯微鏡檢測觀察對象部的情形時，由于接收發(fā)自有機物等異物的熒光(磷光)，因此可在不使用該基準(zhǔn)信息的情形下檢測觀察對象部的異物。故也可不進行基準(zhǔn)信息(第1圖像數(shù)據(jù))的取得。另外，在上述實施方式中，雖作為曝光動作的一部分而進行前述異常判定(及液體接觸部的洗凈)，但也可與曝光動作分開，例如在維修保養(yǎng)時等獨立的進行前述異常判定。此外，在上述實施方式中，雖在多個觀察對象部同時進行第2及第3工序，但也可例如對多個觀察對象部的一部分，使用與其它觀察對象部不同的時序、及/或間隔來實施第2及第3工序。進而，在上述實施方式中，雖在襯底保持具PH(板件97)、噴嘴構(gòu)件30及測量臺MTB等設(shè)定了多個觀察對象部，但觀察對象部的位置及/或數(shù)量等，并不限于此，可任意設(shè)定?！兜?實施方式》接著，參照圖9圖15，說明本發(fā)明第2實施方式的曝光裝置EX’及曝光方法。在以下的說明中，與第1實施方式相同或同等的構(gòu)成部分賦予相同的符號，并簡化或省略其說明。圖9是表示本例的掃描型曝光裝置EX’的概略構(gòu)成圖，在該圖9中，曝光裝置EX’具備支撐掩膜M的掩膜載臺RST，支撐襯底P的襯底載臺PST，被曝光用光EL照明掩膜載臺RST所支撐的掩膜M的照明光學(xué)系統(tǒng)IL，將用曝光用光EL照明的掩膜M的圖案像投影至襯底載臺PST所支撐的襯底P的投影光學(xué)系統(tǒng)PL，統(tǒng)籌控制曝光裝置EX’全體的動作的控制裝置C0NT，為適用液浸法的液浸系統(tǒng)(液浸機構(gòu))，以及檢測襯底P上的對準(zhǔn)標(biāo)記以進行襯底P的對準(zhǔn)、例如圖像處理方式的對準(zhǔn)傳感器ALG。本例的液浸系統(tǒng)，包含對襯底P上供應(yīng)液體1的液體供應(yīng)機構(gòu)210，與用于回收供應(yīng)到襯底P上的液體1的液體回收機構(gòu)220。曝光裝置EX’與第1實施方式同樣地、采用局部液浸方式，經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)PL與襯底P間的液體1及投影光學(xué)系統(tǒng)PL，將通過掩膜M的曝光用光EL照射于襯底P，據(jù)此將掩膜M的圖案轉(zhuǎn)印曝光至襯底P。關(guān)于曝光裝置EX’所具備的照明光學(xué)系統(tǒng)IL、掩膜載臺RST、投影光學(xué)系統(tǒng)PL的構(gòu)造，由于與第1實施方式相同因此省略其說明。在本例的曝光裝置EX’中，也使用純水來作為液體1，但與第1實施方式不同的是并不具備測量載臺MST，各種測量功能如后所述設(shè)于襯底載臺。襯底載臺PST，具備經(jīng)由襯底保持具(未圖示)保持襯底P的Z載臺52、以及支撐Z載臺52的XY載臺53，例如經(jīng)由空氣軸承裝載在底座54上而能2維移動。在Z載臺52設(shè)有反射鏡55B，在反射鏡55B的對向位置設(shè)有激光干涉儀56B。Z載臺52(襯底P)的2維方向位置及旋轉(zhuǎn)角用激光干涉儀56B加以實時測量，測量結(jié)果輸出至控制裝置CONT。襯底載臺PST例如用線性馬達等的襯底載臺驅(qū)動裝置PSTD加以驅(qū)動。襯底載臺驅(qū)動裝置PSTD與第1實施方式一樣，由控制裝置CONT控制以進行襯底載臺PST(襯底P)的移動或定位。另外，在襯底載臺PST(Z載臺52)上，以圍繞襯底P的方式設(shè)有環(huán)狀的板件257。板件257具有與襯底保持具所保持的襯底P表面大致同高的平坦面257A。此處，襯底P的邊緣與板件257之間雖有例如0.1Imm程度的間隙，但在本例中，由于襯底的抗蝕劑為疏液性(具有排斥液體1的性質(zhì))且液體1具有表面張力，因此幾乎不會產(chǎn)生液體1流入該間隙的情形，即使進行襯底P周緣附近的曝光時，也能將液體1保持在板件257與投影光學(xué)系統(tǒng)PL之間。此外，在例如襯底保持具裝備有用以排出流入該間隔的液體的吸引機構(gòu)的情況下，襯底P的抗蝕劑(或面涂層)不一定必須具有疏液性。液體供應(yīng)機構(gòu)210將規(guī)定液體1供應(yīng)至襯底P上，其具備可送出液體1的第1液體供應(yīng)部211及第2液供應(yīng)部212，以及一端部分別連接于第1、第2液體供應(yīng)部211、212的第1、第2供應(yīng)管211A、212A。各第1、第2液體供應(yīng)部211、212，分別具備收容液體1的儲液槽及加壓泵等。另外，液體供應(yīng)機構(gòu)210不需具備儲液槽、過濾部、加壓泵等的全部，其至少一部分例如可用設(shè)置有曝光裝置EX’的工廠等的設(shè)備來代用。液體回收機構(gòu)220回收供應(yīng)至襯底P上的液體1，具備可回收液體1的液體回收部221，以及一端部連接于液體回收部221的回收管222(由第1第4回收管222A、222B、222C、222D所構(gòu)成，參照圖10)。在回收管222(222A222D)的途中設(shè)有閥224(由第1第4閥224A、224B、224C、224D所構(gòu)成，參照圖10)。液體回收部221例如具備真空泵等的真空系統(tǒng)(吸引裝置)，以及收容所回收液體1的儲液槽等。另外，液體回收機構(gòu)220不需具備真空系統(tǒng)、儲液槽等的全部，至少一部分例如可用設(shè)置有曝光裝置EX’的工廠等的設(shè)備來代用。此外，在回收管222途中經(jīng)由分歧管225連結(jié)有用以測量微粒子(異物)數(shù)的微粒計數(shù)器226。微粒計數(shù)器226例如從在回收管222中流動的液體中以規(guī)定取樣率抽出規(guī)定容量的液體，對抽出的液體照射激光束，對散射光的圖像進行圖像處理來測量該液體中的微粒數(shù)。所測量的微粒數(shù)供應(yīng)至控制裝置C0NT。微粒計數(shù)器226，可獨立的分別設(shè)于4個回收管222A222D，但也可代表性的僅設(shè)于1個回收管(例如回收管222A)。在4個回收管222A222D分別設(shè)置微粒計數(shù)器226的情況下，例如，可將以4個微粒計數(shù)器226所測量的微粒數(shù)的平均值作為微粒數(shù)的測量值。在投影光學(xué)系統(tǒng)PL終端部的光學(xué)元件2附近，配置有作為流路形成構(gòu)件的噴嘴構(gòu)件230。噴嘴構(gòu)件230是在襯底P(襯底載臺PST)上方圍繞光學(xué)元件2周圍設(shè)置的環(huán)狀構(gòu)件。噴嘴構(gòu)件30具備配置成與該襯底P表面對向的第1供應(yīng)口213與第2供應(yīng)口214(參照圖11)。另外，噴嘴構(gòu)件230在其內(nèi)部具有供應(yīng)流路282(282A、282B)。供應(yīng)流路282A的一端部連接于第1供應(yīng)口213，另一端部則經(jīng)由第1供應(yīng)管211A連接于第1液體供應(yīng)部211。供應(yīng)流路282B的一端部連接于第2供應(yīng)口214，另一端部則經(jīng)由第2供應(yīng)管212A連接于第2液體供應(yīng)部212。另外，噴嘴構(gòu)件230具備配置在襯底P(襯底載臺PST)上方、與該襯底P表面對向的4個回收口223(參照圖11)。圖10是噴嘴構(gòu)件230的概略立體圖。如圖10所示，噴嘴構(gòu)件230是圍繞投影光學(xué)系統(tǒng)PL終端部的光學(xué)元件2周圍設(shè)置的環(huán)狀構(gòu)件，具備第1構(gòu)件231、配置在第1構(gòu)件231上部的第2構(gòu)件232、與配置在第2構(gòu)件232上部的第3構(gòu)件233。第1第3構(gòu)件231233分別為板狀構(gòu)件，在其中央部具有能配置投影光學(xué)系統(tǒng)PL(光學(xué)元件2)的孔部231A233A。圖11是表示圖10的第1第3構(gòu)件231233中、配置在最下層的第1構(gòu)件231的圖。在圖11中，第1構(gòu)件231具備形成在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的-χ方向側(cè)、將液體1供應(yīng)至襯底P上的第1供應(yīng)口213，以及形成在+X方向側(cè)、將液體1供應(yīng)至襯底P上的第2供應(yīng)口214。第1供應(yīng)口213及214是分別貫通第1構(gòu)件231的貫通孔，俯視略呈圓弧狀。此夕卜，第1構(gòu)件231，具備形成在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的-X方向、-Y方向、+X方向、及+Y方向側(cè)，用于分別回收襯底P上的液體1的第1回收口223A、第2回收口223B、第3回收口223C、以及第4回收口223D。第1第4回收口223A223D也分別貫通第1構(gòu)件231的貫通孔，形成為俯視略呈圓弧狀，沿投影光學(xué)系統(tǒng)PL的周圍以大致等間隔、且相對投影光學(xué)系統(tǒng)PL比供應(yīng)口213、214設(shè)置在外側(cè)。供應(yīng)口213、214與襯底P間的距離、回收口223A223D與襯底P間的距離設(shè)為大致相同。也就是說，供應(yīng)口213、214的高度位置、回收口223A223D的高度位置設(shè)為大致相同?；氐綀D9，噴嘴構(gòu)件230的內(nèi)部具有連通于回收口223A223D(參照圖11)的回收流路284(284A、284B、284C、284D)。另外，回收流路284B、284D(未圖示)是用于連通圖11的掃描方向的回收口223B、223D與圖12的回收管222B、22D的流路?；厥樟髀?84A284D的另一端部，經(jīng)由圖10的回收管222A222D分別連通于液體回部221。在本例中，噴嘴構(gòu)件230分別構(gòu)成為液體供應(yīng)機構(gòu)210及液體回收機構(gòu)220的一部分。即，噴嘴構(gòu)件230為本例的液浸機構(gòu)的一部分。設(shè)于圖10的第1第4回收管222A222D的第1第4閥224A224D，是用于分別開關(guān)第1第4回收管222k222D的流路，其動作受圖9的控制裝置CONT控制。在回收管222(22A222D)的流路開放的期間，液體回收機構(gòu)220能從回收口223(223A223D)吸引回收液體1，當(dāng)用閥224(224A224D)關(guān)閉回收管222(22A222D)的流路時，經(jīng)由回收口223(223A223D)的液體1的吸引回收即停止。在圖9中，第1及第2液體供應(yīng)部211、212的液體供應(yīng)動作由控制裝置CONT控制。控制裝置CONT能分別獨立控制第1及第2液體供應(yīng)部211、212對襯底P上每單位時間的液體供應(yīng)量。從第1及第2液體供應(yīng)部211、212送出的液體1，經(jīng)供應(yīng)管211A、212A及噴嘴構(gòu)件230的供應(yīng)流路282A、282B，從噴嘴構(gòu)件230(第1構(gòu)件231)下面與襯底P對向設(shè)置的供應(yīng)口213、214(參照圖13)被供應(yīng)至襯底P上。另外，液體回收部221的液體回收動作由控制裝置CONT控制?？刂蒲b置CONT能控制液體回收部221每單位時間的液體回收量。從噴嘴構(gòu)件230(第1構(gòu)件231)下面與襯底P對向設(shè)置的回收口223回收的襯底P上的液體1，經(jīng)噴嘴構(gòu)件230的回收流路284及回收管222被回收至液體回收部221。相對投影光學(xué)系統(tǒng)PL外側(cè)的下面(朝向襯底P側(cè)的面)，由噴嘴構(gòu)件230中回收口223形成捕捉液體1的規(guī)定長度的液體捕捉面(傾斜面)270。捕捉面270施有親液處理。流出至回收口223外側(cè)的液體1會被捕捉面270捕捉。圖11是表示形成于圖10的噴嘴構(gòu)件230的第1及第2供應(yīng)口213、214及第1第4回收口223A223D，與投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影區(qū)域ARl的位置關(guān)系的俯視圖。在圖11中，投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影區(qū)域ARl設(shè)定為以Y方向為長邊方向的矩形。充滿液體1的液浸區(qū)域AR2形成在實質(zhì)上以4個回收口224A224D所圍大致圓形區(qū)域的內(nèi)側(cè)而包含投影區(qū)域AR1，且在掃描曝光時局部的形成在襯底P上的一部分(或包含襯底P上的一部分)。另外，第1及第2供應(yīng)口213、214在掃描方向(X方向)在其兩側(cè)形成為略呈圓弧的狹縫狀以便夾著投影區(qū)域AR1。供應(yīng)口213、214在Y方向的長度，至少比投影區(qū)域ARl在Y方向的長度長。液體供應(yīng)機構(gòu)210，能從2個供應(yīng)口213、214在投影區(qū)域ARl的兩側(cè)同時供應(yīng)液體1。另外，第1第4回收口223A223D圍繞供應(yīng)口213、214及投影區(qū)域ARl形成為圓弧狀的狹縫。在多個(4個)回收口223A223D中，回收口223A及223C于X方向(掃描方向)配置在其兩側(cè)收便夾著投影區(qū)域AR1，回收口223B及223D則在Y方向(非掃描方向)配置在其兩側(cè)以便夾著投影區(qū)域AR1?；厥湛?23A、223C在Y方向的長度，比供應(yīng)口213、214在Y方向的長度長?；厥湛?23B、223D也分別形成為與回收口223A、223C大致相同長度?；厥湛?23A223D分別經(jīng)由圖10的回收管222A222D連通于圖9的液體回收部221。此外，在本例中，回收口223的數(shù)目不限于4個，只要是配置成圍繞投影區(qū)域ARl及供應(yīng)口213、214的話，可為任意多個或僅設(shè)置1個。另外，上述實施方式所使用的噴嘴構(gòu)件230，不限于上述構(gòu)造，也可使用例如歐洲專利公開第1420298號說明書、國際公開第2004/055803號小冊子、國際公開第2004/057589號小冊子、國際公開第2004/057590號小冊子、國際公開第2005/029559號小冊子(對應(yīng)美國專利公開第2006/0231206號)中所記載的。另外，本例中液體的供應(yīng)口213、214與回收口223A223D雖設(shè)于同一噴嘴構(gòu)件230，但也可將供應(yīng)口213、214與回收口223A223D設(shè)于不同構(gòu)件。此外，也可例如國際公開第2005/122218號小冊子所公開的那樣，在噴嘴構(gòu)件230的外側(cè)設(shè)置液體回收用第2回收口(噴嘴部)。另外，供應(yīng)口213、214也可不與襯底P對向設(shè)置。進而，噴嘴構(gòu)件230的下面雖設(shè)定為與投影光學(xué)系統(tǒng)PL下端面(射出面)大致同高(Z位置)，但也可例如將噴嘴構(gòu)件230的下面設(shè)定為比投影光學(xué)系統(tǒng)PL下端面更靠近像面?zhèn)?襯底側(cè))。在這種情況下，為避免遮住曝光用光EL，可使噴嘴構(gòu)件230的一部分(下端部)潛至投影光學(xué)系統(tǒng)PL(光學(xué)元件2)的下側(cè)。圖13是從上方觀察襯底載臺PST的Z載臺52的俯視圖。在圖13中，在俯視呈矩形的Z載臺52的彼此垂直的2個緣部配置有反射鏡55B。在Z載臺52上的大致中央部保持襯底P，圍繞該襯底P周圍與Z載臺52—體設(shè)置具有與襯底P表面大致同高度的平坦面257A的環(huán)狀板件257。板件257的平坦面257的2個角部寬度較寬，在其中的一寬幅部，設(shè)有在相對規(guī)定位置進行掩膜M及襯底P的對準(zhǔn)時使用的基準(zhǔn)標(biāo)記FM。基準(zhǔn)標(biāo)記FM通過設(shè)在掩膜M上方的掩膜對準(zhǔn)系統(tǒng)90(參照圖9)，經(jīng)由掩膜M及投影光學(xué)系統(tǒng)PL加以檢測。也就是說，掩膜對準(zhǔn)系統(tǒng)90構(gòu)成所謂TTM(Thr0ughTheMask)方式的對準(zhǔn)系統(tǒng)。另外，本例的對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG是例如日本特開平7-183186號公報(對應(yīng)美國專利第5684569號)所公開的FIA(FieldImageAlignment)系統(tǒng)，即，具備用于照明形成有被檢測標(biāo)記的區(qū)域的照明系統(tǒng)、用以形成被檢測標(biāo)記像的成像光學(xué)系統(tǒng)、以及將該像予以光電轉(zhuǎn)換的攝像元件的離軸方式對準(zhǔn)傳感器。將來自對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG的攝像信號以圖9的控制裝置CONT內(nèi)的圖像處理部加以處理，即能求出被檢測標(biāo)記的像相對規(guī)定標(biāo)記的偏移量，也能求出該被檢測標(biāo)記的X坐標(biāo)、Y坐標(biāo)，根據(jù)該坐標(biāo)進行襯底P的對準(zhǔn)。另外，本例的該圖像處理部也具備根據(jù)對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG的攝像信號檢測襯底P表面(所拍攝的區(qū)域)的膜(抗蝕劑等)有無剝落的功能。此外，在本例的曝光裝置EX，的對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG附近，具備用于測量涂于襯底P的抗蝕劑等的膜厚的膜厚測量裝置261，此測量結(jié)果也供應(yīng)至控制裝置C0NT。膜厚測量裝置261，舉一例而言，根據(jù)激光束的干涉條紋(等厚干涉條紋等)狀態(tài)來測量膜厚。作為膜厚測量裝置261，也可使用檢測反射光的偏振狀態(tài)(橢圓偏振等)變化的橢偏儀(Ellipsometer)。另外，在板件257的平坦面257A中的另一寬幅部，設(shè)有光傳感器258。光傳感器258是檢測通過投影光學(xué)系統(tǒng)PL的曝光用光EL，由檢測曝光用光EL在投影光學(xué)系統(tǒng)PL像面?zhèn)鹊恼丈淞?照度)的照度傳感器，或檢測投影區(qū)域ARl的照度分布(照度不均)的照度不均傳感器構(gòu)成。在圖9中，在襯底P上設(shè)定有多個照射區(qū)域，控制裝置CONT順序地使襯底P上設(shè)定的多個照射區(qū)域曝光。在本例中，控制裝置CONT—邊監(jiān)測激光干涉儀56B的輸出一邊移動襯底載臺PST(XY載臺53)，以使投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX相對襯底P沿規(guī)定軌跡前進，按順序使多個照射區(qū)域曝光。即，在襯底P的掃描曝光時，在投影光學(xué)系統(tǒng)PL終端部正下方的矩形投影區(qū)域ARl投影掩膜M的部分圖案像，相對投影光學(xué)系統(tǒng)PL，掩膜M于X方向以速度V移動，襯底P則與此同步經(jīng)由XY載臺53在X方向以速度β·ν(β為投影倍率)移動。在對襯底P上的1個照射區(qū)域曝光結(jié)束后，通過襯底P的步進移動來移動至下一照射區(qū)域的掃描開始位置，接著，以步進掃描(St印&Scan)方式一邊移動襯底P、一邊按順序進行對各照射區(qū)域的掃描曝光處理。在襯底P的曝光處理中，控制裝置CONT驅(qū)動液體供應(yīng)機構(gòu)210進行對襯底P上的液體供應(yīng)動作。從液體供應(yīng)機構(gòu)210的第1、第2液體供應(yīng)部211、212分別出的液體1，在流過供應(yīng)管211A、212A后，經(jīng)形成在噴嘴構(gòu)件230內(nèi)部的供應(yīng)流路282A、282B被供應(yīng)至襯底P上。供應(yīng)至襯底P上的液體1配合襯底P的動作在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的下面流動。例如，在某一照射區(qū)域的曝光中襯底P往+X方向移動時，液體1往與襯底P同方向的+X方向，以與襯底P大致相同速度流過投影光學(xué)系統(tǒng)PL的下面。在此狀態(tài)下，從照明光學(xué)系統(tǒng)IL射出、通過掩膜M的曝光用光EL照射于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)?，?jù)此，掩膜M的圖案經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)PL及液浸區(qū)域AR2的液體1被曝光至襯底P?？刂蒲b置C0NT，至少在曝光用光EL照射于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)葧r，即在襯底P的曝光動作中，利用液體供應(yīng)機構(gòu)210進行對襯底P上的液體1的供應(yīng)。在曝光動作中用液體供應(yīng)機構(gòu)210持續(xù)進行液體1的供應(yīng)就能良好的形成液浸區(qū)域AR2。另一方面，控制裝置C0NT，至少在曝光用光EL照射于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)葧r，即在襯底P的曝光動作中，利用液體回收機構(gòu)220進行襯底P上液體1的回收。在曝光動作中(曝光用光EL照射于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)葧r)，通過用液體回收機構(gòu)220持續(xù)進行液體1的回收，能抑制液浸區(qū)域AR2的擴大。在本例中，在曝光動作中，液體供應(yīng)機構(gòu)210同時進行利用供應(yīng)口213、214從投影區(qū)域ARl兩側(cè)對襯底P上供應(yīng)液體1。據(jù)此，從供應(yīng)口213、214供應(yīng)至襯底P上的液體1能良好地擴散至投影光學(xué)系統(tǒng)PL終端部的光學(xué)元件2下端面與襯底P之間、以及噴嘴構(gòu)件230(第1構(gòu)件231)下面與襯底P之間，將液浸區(qū)域AR2形成為至少比投影區(qū)域ARl范圍大。另外，從投影區(qū)域ARl的掃描方向兩側(cè)對襯底P供應(yīng)液體1時，控制裝置CONT控制液體供應(yīng)機構(gòu)210的第1及第2液體供應(yīng)部211、212的液體供應(yīng)動作，在掃描方向，將從投影區(qū)域ARl前方供應(yīng)的每單位時間的液體供應(yīng)量設(shè)定為多于從其相反側(cè)供應(yīng)的液體供應(yīng)量。在這種情況下，例如因襯底P往+X方向移動，故相對投影區(qū)域往+X方向移動的液體量會增加，而有可能大量流至襯底P外側(cè)。但由于往+X方向移動的液體1會被設(shè)于噴嘴構(gòu)件230的+X側(cè)下面的捕捉面270捉住，因此能防止流出或飛散至襯底P周圍等的不良情形。另外，在掃描曝光中，可以不用液體回收機構(gòu)220進行液體1的回收，而在曝光結(jié)束后打開回收管222的流路，來回收襯底P上的液體1。舉一例而言，可僅在襯底P上的某一照射區(qū)域的曝光結(jié)束后、至下一照射區(qū)域的曝光開始前的部分期間(步進期間的至少一部分)，用液體回收機構(gòu)220進行襯底P上液體1的回收?？刂蒲b置C0NT，在襯底P的曝光中持續(xù)進行使用液體供應(yīng)機構(gòu)210的液體1的供應(yīng)。通過持續(xù)進行液體供應(yīng)機構(gòu)210的液體1的供應(yīng)，不僅能在投影光學(xué)系統(tǒng)PL與襯底P之間良好的充滿液體1，也能防止液體1的振動(所謂的水錘現(xiàn)象)的產(chǎn)生。以此方式，即能對襯底P的所有照射區(qū)域以液浸法進行曝光。在上述的曝光工序中，當(dāng)圖9的襯底P與液浸區(qū)域AR2的液體1接觸時，會有襯底P的基材(例如硅襯底)及/或涂布于此的材料的部分成分溶解至液體1中的情形。如前所述，例如，當(dāng)襯底P的感光材料使用化學(xué)增幅型抗蝕劑的情形時，該化學(xué)增幅型包含基底樹脂、基底樹脂中所含的光酸產(chǎn)生劑(PAG)以及被稱為“Quencher”的胺系物質(zhì)。當(dāng)這種抗蝕劑接觸液體1時，抗蝕劑的部分成分，具體而言，其中的PAG及胺系物質(zhì)等會有溶解至液體1中的情形。另外，在襯底P的基材本身與液體1接觸時，也會因構(gòu)成該基材的不同，而有該基材的部分成分(硅等)溶解至液體1中的可能性。這樣，接觸襯底P后的液體1，有可能包含由產(chǎn)生于襯底P的雜質(zhì)及抗蝕劑殘渣等所構(gòu)成的微粒等的微小異物。另外，液體1亦有可能包含大氣中的塵埃及雜質(zhì)等的微小異物。因此，用液體回收機構(gòu)220回收的液體1，有可能包含各種雜質(zhì)等的異物。因此，液體回收機構(gòu)220將回收的液體1排出至外部。另外，也可將回收后液體1的至少一部分以內(nèi)部處理裝置加以凈化后，將該凈化后的液體1送回到液體供應(yīng)機構(gòu)210。另外，混入液浸區(qū)域AR2的液體1中的上述微粒等的微小異物，有可能附著而殘留在襯底載臺PST上面。這些殘留的異物及溶解至液體1中的微粒等異物，有可能在襯底P曝光時，再次混入液浸區(qū)域AR2的液體1。當(dāng)混入液體1的異物附著于襯底P上時，有可能導(dǎo)致將形成于襯底P的圖案產(chǎn)生形狀不良等的缺陷。這樣從襯底P溶解至液體1中的異物的量，會因襯底P及其上的材料種類而變化。因此，在本例中，根據(jù)圖15的判定流程來判定襯底P的膜(抗蝕劑膜及/或面涂層)是否適合于液浸法進行的曝光。首先，在圖15的步驟2101中，以未圖示的涂布顯影裝置在曝光對象襯底的基材上涂布抗蝕劑。在其次的步驟2102中，在該抗蝕劑層上涂布面涂層(topcoat)0在下一步驟2103中，在將具有該抗蝕劑膜及面涂層的襯底P裝載于圖9的曝光裝置EX’的襯底載臺PST后，不照射曝光用光EL，而如圖12所示，在襯底P周緣部與投影光學(xué)系統(tǒng)PL之間從液體供應(yīng)機構(gòu)210供應(yīng)液體1以形成液浸區(qū)域AR2，相對液浸區(qū)域AR2經(jīng)由襯底載臺PST使襯底P在X方向、或Y方向移動。即，如圖13所示，例如使襯底P的包含邊緣部的-Y方向的周緣部260A在液浸區(qū)域AR2沿軌跡259A進行相對掃描。接著，通過沿圖13的軌跡259B使襯底P相對液浸區(qū)域AR2進行掃描，如圖14所示，襯底P的-X方向、+Y方向及+X方向的周緣部260B、260C、260D也在液浸區(qū)域AR2進行掃描。此時，在圖9中，以和從液體供應(yīng)機構(gòu)210供應(yīng)至液浸區(qū)域AR2的液體1的每單位時間供應(yīng)量大致相同的每單位時間回收量，利用液體回收機構(gòu)220的液體回收部221回收液浸區(qū)AR2的液體1。此回收時，在微粒計數(shù)器226以規(guī)定的取樣率計算所回收的液體中的微粒數(shù)，將計算結(jié)果供應(yīng)給控制裝置C0NT。在下一步驟2104中，控制裝置CONT判定微粒計數(shù)器226所供應(yīng)的微粒數(shù)是否在規(guī)定容許范圍內(nèi)，若在范圍內(nèi)時即移至步驟2105，將襯底P在液浸區(qū)域AR2所掃描的圖14所示周緣部260A260D的狀態(tài)用對準(zhǔn)傳感器ALG不經(jīng)由液體1進行拍攝。在其次的步驟2106中，控制裝置CONT根據(jù)用對準(zhǔn)傳感器ALG所拍攝的圖像，判定襯底P周緣部260A260D的區(qū)域、特別是邊緣部Pe或其附近區(qū)域的抗蝕劑膜及面涂層膜的狀態(tài)是否正常。更具體地說，控制裝置CONT判定抗蝕劑膜及面涂層膜的至少一部分的剝落量是否在容許范圍內(nèi)。當(dāng)該剝落量在容許范圍內(nèi)時，移至步驟2107使用液浸法進行經(jīng)由掩膜M對襯底P的曝光。另一方面，在步驟2104所回收的液體的微粒數(shù)超過容許范圍時，及/或步驟2106的材料剝落量超過容許范圍時，控制裝置CONT判定襯底P的抗蝕劑膜及/或面涂層膜不適合液浸法的曝光，移至步驟2108停止對襯底P的曝光，根據(jù)需要進行該抗蝕劑膜及/或面涂層膜不適合液浸法的曝光的原因分析。如上所述，根據(jù)本例，由于實施了步驟2101、2103、2105、2106，因此無須實際進行對襯底P的曝光，就能判定襯底P的膜是否適合液浸法的曝光。因此，能提高組件制造的生產(chǎn)率。另外，在本例中，由于在步驟2106中產(chǎn)生膜(此處，指膜的剝落量超過容許范圍的情形時)的異常時，有停止該襯底P的曝光的步驟(步驟2108)，因此其后的曝光不會有浪費的情形。另外，在本例中，由于具有對襯底P的抗蝕劑上涂布面涂層膜的步驟(步驟2102)，因此也能判定該面涂層是否適合液浸法的曝光。此外，在抗蝕劑膜上不需要面涂層膜時，可省略步驟2102。另外，也可在步驟2102與抗蝕劑保護用的面涂層一起、或代替之而涂布反射防止用的面涂層。另外，在步驟2103中用液浸區(qū)域AR2掃描的襯底P上的區(qū)域，包含襯底P邊緣部的至少一部分。由于在該邊緣部特別易產(chǎn)生抗蝕劑膜等膜的剝落，因此能確實判定該抗蝕劑膜等的膜材料有無因液浸法的曝光而剝落。另外，在本例中，由于實施步驟2101、2103、2104，計算所回收的液體中的微粒數(shù)，因此無須實際進行對襯底P的曝光，即能判定襯底P的抗蝕劑膜等膜材料是否適合液浸法的曝光，也能判定該抗蝕劑等溶解至液體中的量是否在容許范圍內(nèi)。本實施方式中，為檢測從液體回收機構(gòu)220的回收口223回收的液體1的異常，而測量液體1中所含微粒數(shù)，但也可取代或與其一起，例如測量所回收的液體1的電阻率、金屬離子、有機體碳(TOC:totalorganiccarbon)、氣泡數(shù)、生菌數(shù)、溶氧(DO:dissovedoxygen)(DN:dissovednitrogen)&貞·。另外，在圖15的判定順序中的步驟2105中，可取代用對準(zhǔn)傳感器ALG檢查襯底P的膜狀態(tài)，而在將襯底P裝載于圖9的襯底載臺PST上后，在圖13的膜厚測量裝置261的下方使襯底P移動于X方向、Y方向，在不供應(yīng)液體的干燥狀態(tài)下測量襯底P上最上層的膜厚分布(膜厚不均)。并判定該膜厚分布是否在容許范圍、即判定該膜涂布不均是否在容許范圍內(nèi)。據(jù)此，無須實際進行曝光就能容易的判定該膜的狀態(tài)(此處，指膜厚均一性)是否適合液浸法的曝光。此判定的結(jié)果，當(dāng)認為該膜厚的不均已超過容許范圍，在液浸法的曝光時易產(chǎn)生膜剝落、或易附著(殘留)氣泡時，即停止襯底P的曝光。在這種情況下，可剝?nèi)ピ撃ざ俅斡猛坎硷@影裝置在基材上再涂布抗蝕劑等。并在該抗蝕劑等的膜厚的偏差在容許范圍內(nèi)后進行曝光，就能防止液浸法的曝光工序成為浪費。此外，也可進行使用對準(zhǔn)傳感器ALG的襯底P膜狀態(tài)的檢查、與使用膜厚測量裝置261的膜狀態(tài)檢測的雙方。檢測襯底P的膜狀態(tài)的對準(zhǔn)傳感器ALG并不限于圖像處理方式。另外，當(dāng)可僅用對準(zhǔn)傳感器ALG或膜厚測量裝置261檢測襯底P的膜狀態(tài)時，對準(zhǔn)傳感器ALG與膜厚測量裝置261中不用于檢查的可不設(shè)于曝光裝置EX’。另外，在本實施方式中，在進行襯底P的曝光前，判定襯底P的膜(抗蝕劑膜及/或面涂層膜)是否適合液浸曝光，當(dāng)判定適合進行液浸曝光時(步驟2106為“肯定”時)，進行襯底P的液浸曝光。然而，若是僅判定襯底P的膜狀態(tài)或膜材料是否適合液浸曝光的話，也可在上述程序的步驟2106之后，不進行襯底P的曝光而進行襯底P的回收。此外，襯底P的膜材料若具有多種材料時，也可就各材料分別進行上述步驟21032106，實施選擇最佳材料的篩選(screening)處理。此外，在本實施方式中，也可取代襯底P而在襯底載臺PST上配置第1實施方式所說明的虛擬襯底，例如以微粒計數(shù)器測量從虛擬襯底上所形成的液浸區(qū)域AR2回收的液體中微粒數(shù)，來取得與噴嘴構(gòu)件230的異常相關(guān)的信息(有無異物等)。另外，在第1及第2實施方式中雖使用干涉儀系統(tǒng)(51、56、56A56C)來測量掩膜載臺RST、襯底載臺PST、及測量載臺MST的各位置信息，但并不限于此，例如亦可使用供檢測設(shè)于各載臺的標(biāo)尺(衍射光柵)的編碼器系統(tǒng)。在這種情況下，以混合干涉儀系統(tǒng)與編碼器系統(tǒng)的雙方的混合系統(tǒng)，使用干涉儀系統(tǒng)的測量結(jié)果來進行編碼器系統(tǒng)測量結(jié)果的校正(calibration)較佳。此外，也可切換使用干涉儀系統(tǒng)與編碼器系統(tǒng)、或使用雙方來進行載臺的位置控制。另外，在第1及第2實施方式中，可將襯底保持具PH與襯底載臺PST形成為一體，也可分別構(gòu)成襯底保持具PH與襯底載臺PST，例如通過真空吸附等方式將襯底保持具PH固定于襯底載臺PST。此外，也可將第1實施方式的本發(fā)明，適用于將各種測量器類(測量用構(gòu)件)搭載于襯底載臺PST的曝光裝置(不具備測量載臺MST的曝光裝置)。另外，也可將第2實施方式的本發(fā)明，適用于裝備了具有各種測量器類的測量載臺的曝光裝置。各種測量器類可僅將其一部分搭載于測量載臺MST或襯底載臺，其余則設(shè)在外部或其它構(gòu)件。另夕卜，也可將第2實施方式所示的微粒計數(shù)器226導(dǎo)入到第1實施方式的曝光裝置EX，以進行第2實施方式所說明的處理。另外，在第1及第2實施方式中，雖使用水(純水)作為液浸法所使用的液體1，但亦可以是水以外的液體。例如，在曝光用光EL的光源為F2激光(波長157nm)時，作為液體1例如可使用氟系油或全氟化聚醚(PFPE)等的氟系流體。另外，作為液體1，除此以外，還可使用對曝光用光EL具有穿透性且折射率盡可能的高，并且對投影光學(xué)系統(tǒng)PL及襯底P表面所涂的抗蝕劑安定的(例如杉木油、cedaroil)。此外，液體1，也可使用折射率高于石英或螢石者(折射率1.61.8左右)。進而，也可使用折射率高于石英或螢石的材料(例如1.6以上)來形成光學(xué)元件2。另外，半導(dǎo)體組件等的微組件，如圖16所示，經(jīng)微組件的功能、性能設(shè)計步驟(201)，根據(jù)此設(shè)計步驟制作掩膜(標(biāo)線片)的步驟(202)，制造襯底(組件的基材)的步驟(203)，包含使用前述實施方式的曝光裝置EX、EX’將掩膜的圖案曝光至襯底的工序、將曝光后的襯底予以顯影的工序、顯影后襯底的加熱及蝕刻工序等的襯底處理步驟(204)，組件組裝步驟(205)(包含切割工序、結(jié)合工序、封裝工序等的加工工序)，并經(jīng)檢查步驟(206)而制造，出廠。另外，作為上述各實施方式的襯底P，除了半導(dǎo)體組件制造用的半導(dǎo)體晶片以外，還能適用于顯示器組件用的玻璃襯底、薄膜磁頭用的陶瓷晶片、或在曝光裝置所使用的掩膜或標(biāo)線片的原版(合成石英、硅晶片)、以及薄片狀構(gòu)件等。此外，襯底P的形狀并限于圓形，亦可以是矩形等的其它形狀。另外，在上述各實施方式中，雖使用形成有轉(zhuǎn)印圖案的掩膜，但也可取代此掩膜，而使用例如美國專利第6778257號說明書所公開，根據(jù)應(yīng)曝光圖案的電子數(shù)據(jù)來形成透射圖案或反射圖案的電子掩膜。此電子掩膜，包含也被稱為可變成形掩膜(主動式掩膜或圖像產(chǎn)生器)，例如非發(fā)光型圖像顯示組件(空間光調(diào)制器)的一種的DMD(DigitalMicro-mirrorDevice)等)。DMD具有根據(jù)規(guī)定電子數(shù)據(jù)驅(qū)動的多個反射組件(微小面鏡)，多個反射組件在DMD表面排列成2維矩陣狀，且以像素單位被驅(qū)動而反射、偏向曝光用光。各反射組件可調(diào)整其反射面角度。DMD的動作可用控制裝置CONT來控制。控制裝置CONT根據(jù)與應(yīng)形成至襯底P上的圖案對應(yīng)的電子數(shù)據(jù)(圖案信息)驅(qū)動DMD的反射組件，將照明系統(tǒng)IL所照射的曝光用光用反射組件加以圖案化。通過DMD的使用，與使用形成有圖案的掩膜進行曝光的情形相比較，在圖案變更時，由于不須要掩膜更換作業(yè)及在掩膜載臺的掩膜位置對準(zhǔn)操作，因此能更為有效率的進行曝光動作。此外，使用電子掩膜的曝光裝置，可不設(shè)置掩膜載臺，而僅藉由襯底載臺使襯底移動于X軸及Y軸方向。另外，使用DMD的曝光裝置除上述美國專利外，還公開于例如日本特開平8-313842號公報、特開2004-304135號公報。此處，在指定國及選擇國的法令允許的范圍下，援用美國專利第6778257號公報的公開作為本文記載的一部分。另外，作為曝光裝置EX、EX’，除了使掩膜M與襯底P同步移動用掃描曝光掩膜M圖案的步進掃描方式的掃描型曝光裝置(掃描步進器)之外，還能適用于在掩膜M與襯底P靜止的狀態(tài)下使掩膜M的圖案一次曝光，并依序步進移動襯底P的步進重復(fù)方式的投影曝光裝置(步進器)。作為曝光裝置EX、EX’的種類，并不限于將半導(dǎo)體組件圖案曝光至襯底P的半導(dǎo)體組件制造用的曝光裝置，還能廣泛地適用于液晶顯示組件制造用或顯示器制造用的曝光裝置，或用于制造薄膜磁頭、微機器、MEMS、DNA芯片、攝像元件(CXD)，或標(biāo)線片、掩膜等的曝光裝置等。另外，本發(fā)明的曝光裝置以及適用于維修方法以及曝光方法的曝光裝置不一定具備投影光學(xué)系統(tǒng)。只要在能夠?qū)嵤┍景l(fā)明的范圍內(nèi)具備把來自光源的曝光用光導(dǎo)向襯底的光學(xué)構(gòu)件就足夠了。另外，照明光學(xué)系統(tǒng)、光源也可以與曝光裝置分別設(shè)置。另外，依照上述的曝光方式還可以省略掩膜載臺以及/或者襯底載臺。另外，本發(fā)明還能適用于例如特開平10-163099號公報、特開平10-214783號公報(對應(yīng)美國專利第6341007號、第6400441號、第6549269號及第6590634號說明書)、特表2000-505958號公報(對應(yīng)美國專利第5969441號說明書)或美國專利第6208407號說明書等所公開的具備多個襯底載臺的多載臺型曝光裝置。在這種情況下，對多個襯底載臺分別實施洗凈。關(guān)于多載臺型曝光裝置，在指定國及選擇國的國內(nèi)法令允許的范圍下，援用上述美國專利的公開作為本說明書記載的一部分。另外，上述各實施方式的投影光學(xué)系統(tǒng)雖將前端光學(xué)元件像面?zhèn)鹊墓饴房臻g(液浸空間)充滿液體，但也可采用例如國際公開第2004/019128號小冊子所公開的將前端光學(xué)元件的掩膜側(cè)光路空間以液體充滿的投影光學(xué)系統(tǒng)。此外，本發(fā)明還能適用于將投影光學(xué)系統(tǒng)與襯底間的液浸區(qū)域以其周圍的氣簾(aircurtain)來加以保持的液浸型曝光裝置。另外，本發(fā)明還能適用于例如國際公開第2001/035168號小冊子所公開的通過在襯底上形成干涉條紋，以在襯底上形成線與空間圖案(line&spacepattern)的曝光裝置。在這種情況下，經(jīng)由光學(xué)構(gòu)件與襯底P間的液體對襯底P照射曝光用光。在上述各實施方式中，不須將液體供應(yīng)部及/或液體回收部設(shè)于曝光裝置，而可代之以例如設(shè)置曝光裝置的工廠等的設(shè)備。另外，液浸曝光所需的曝光裝置及附屬設(shè)置的構(gòu)造，不限于上述構(gòu)造，也可使用例如歐洲專利公開第1420298號公報、國際公開第2004/055803號小冊子、國際公開第2004/057590號小冊子、國際公開第2005/029559小冊子(對應(yīng)美國專利公開第2006/0231206號)、國際公開第2004/086468小冊子(對應(yīng)美國專利公開第2005/0280791號)、特開2004-289126號公報(對應(yīng)美國專利第6952253號)等所記載的。關(guān)于液浸曝光裝置的液浸機構(gòu)及其附屬機器，在指定國及選擇國的法令允許的范圍下，援用上述美國專利或美國專利公開等的公開作為本說明書記載的一部分。在上述實施方式中，作為液浸法所使用的液體1，可使用對曝光用光的折透射率高于水，例如折射率為1.61.8左右的。此處，作為折射率高于純水(例如1.5以上)的液體1，例如有折射率約1.50的異丙醇(Isopropanol)、折射率約1.61的丙三醇(Glycerol)等具有C-H鍵、o-H鍵的規(guī)定液體，己烷、庚烷、癸烷等的規(guī)定液體(有機溶劑)、折射率約1.60的十氫奈(Decalin=Decahydronaphthalene)等?；蛘撸后w1也可以是這些規(guī)定液體中任意2種類以上液體的混合物，或于純水中添加(混合)上述液體。另外，作為液體1，也可以是在純水中添加(混合)礦、(^+、1(+、(1+、5042_、？042-等堿或酸。進而，也可以是在純水中添加(混合)Al氧化物等的微粒子。另外，作為液體1，以光的吸收系數(shù)小、溫度依存性少、且對投影光學(xué)系統(tǒng)PL、及/或襯底P表面所涂的感光材(及面涂膜或反射防止膜等)安定的材料較佳。作為液體1，也可使用超臨界流體。此外，可于襯底P設(shè)置隔離液體以保護感光材及基材的面涂層膜等。另外，也可取代氟化鈣(螢石)，而以例如石英(二氧化硅)、或氟化鋇、氟化鍶、氟化鋰、氟化鎂等的氟化合物的單結(jié)晶材料來形成投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光學(xué)元件(終端光學(xué)元件)2，或以折射率(例如1.6以上)高于石英及螢石的材料來形成。作為折射率1.6以上的材料，例如，可如國際公開第2005/059617號小冊子所公開的，使用藍寶石、二氧化鍺等，或者，也可如國際公開第2005/059618號小冊子所公開的，使用氯化鉀(折射率約1.75)等。使用液浸法的情況，可例如國際公開第2004/019128號小冊子(對應(yīng)美國專利公開第2005/0248856號)所公開的，除終端光學(xué)元件像面?zhèn)鹊墓饴吠?，也將終端光學(xué)元件的物體面?zhèn)裙饴酚靡后w充滿。進而，也可在終端光學(xué)元件表面的一部分(至少包含與液體的接觸面)或全部，形成具有親液性及/或溶解防止功能的薄膜。此外，石英雖與液體的親和性高，且也不須需溶解防止膜，但石英最少形成有溶解防止膜為佳。在上述各實施方式中，雖使用ArF準(zhǔn)分子激光來作為曝光用光EL的光源，也可如國際公開第1999/46835號小冊子(對應(yīng)美國專利7023610號)所公開的，使用包含DFB半導(dǎo)體激光或光纖激光等固體激光源、光纖放大器等的光放大部、以及波長轉(zhuǎn)換部等，輸出波長193nm的脈沖光的高諧波產(chǎn)生裝置。此外，在上述實施方式中，投影區(qū)域(曝光區(qū)域)雖為矩形，但亦可以是例如圓弧形、梯形、平行四邊形、或菱形等其它形狀。進而，例如特表2004-519850號公報(對應(yīng)美國專利第6611316號)所公開的，本發(fā)明也可適用于將2個標(biāo)線片圖案透過投影光學(xué)系統(tǒng)在晶片上合成，以1次掃描曝光在晶片上的1個照射區(qū)域大致同時雙重曝光的曝光裝置。如前所述，本發(fā)明并不限于上述實施方式，在不脫離本發(fā)明要旨范圍內(nèi)可取各種構(gòu)成。如以上所述，本案實施方式的曝光裝置EX、EX’，將包含本案申請專利范圍所舉的各構(gòu)成要素的各種子系統(tǒng)，以能保持規(guī)定機械精度、電氣精度、光學(xué)精度的方式，加以組裝制造。為確保上述各種精度，在此組裝的前后，對各種光學(xué)系統(tǒng)進行用于實現(xiàn)光學(xué)精度的調(diào)整，對各種機械系統(tǒng)進行用于實現(xiàn)機械精度的調(diào)整，對各種電氣系統(tǒng)則進行用于實現(xiàn)各種電氣精度的調(diào)整。各種子系統(tǒng)組裝至曝光裝置的步驟，包含各種子系統(tǒng)彼此間的機械連接、電氣回路的連接、氣壓回路的連接等。該各種子系統(tǒng)組裝至曝光裝置的步驟前，當(dāng)然有各個子系統(tǒng)的組裝步驟。各種子系統(tǒng)組裝至曝光裝置的步驟結(jié)束后，即進行綜合調(diào)整，以確保曝光裝置全體的各種精度。另外，曝光裝置的制造以在溫度及清潔度等受到管理的無塵室中進行為佳。關(guān)于本案說明書所公開的各種美國專利及美國專利申請公開等，除特別表示援用于此外，在指定國及選擇國的法令允許的范圍下，其公開也作為本文的一部分。根據(jù)本發(fā)明，由于能有效地判定以液浸法進行曝光的曝光裝置的液體接觸部的至少一部分是否有異常，因此在發(fā)現(xiàn)異常時，可中止曝光動作而通過洗凈等的進行，來減少其后的曝光時液浸區(qū)域的液體中的異物量，以高精度制造組件。此外，根據(jù)本發(fā)明，可不需實際進行曝光，就能容易的判定曝光對象襯底的狀態(tài)或該襯底的膜狀態(tài)是否適于曝光，能提高組件制造的生產(chǎn)率。因此，本發(fā)明能對包括我國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的精密機器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展有非常顯著的貢獻。權(quán)利要求1.一種經(jīng)由光學(xué)構(gòu)件及液體利用曝光用光使襯底曝光的曝光方法，其特征在于包括第1步驟，在規(guī)定動作中、以光學(xué)方式觀察與上述液體接觸的液體接觸部的至少一部分的被檢測部的狀態(tài)，將所得到的第1觀察信息進行儲存；第2步驟，在上述規(guī)定動作后，以光學(xué)方式觀察上述被檢測部的狀態(tài)以獲得第2觀察信息；以及第3步驟，比較上述第1觀察信息與上述第2觀察信息，來判定上述被檢測部有無異常。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光方法，其特征在于將上述光學(xué)構(gòu)件與上述襯底之間用液體充滿而形成液浸空間，利用上述曝光用光經(jīng)由上述光學(xué)構(gòu)件與上述液體使上述襯底曝光。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的曝光方法，其特征在于包括第4步驟，在上述第3步驟有異常時停止曝光動作。4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的曝光方法，其特征在于在上述第3步驟判定的有無異常是指上述被檢測部上有無異物。5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的曝光方法，其特征在于為了以光學(xué)方式觀察上述被檢測部的狀態(tài)而使用用于進行上述襯底上的位置對準(zhǔn)用標(biāo)記的位置檢測的圖像處理方式的對準(zhǔn)傳感器。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的曝光方法，其特征在于在使用上述對準(zhǔn)傳感器進行上述襯底上的位置對準(zhǔn)用標(biāo)記的位置檢測時，實施上述第2步驟。7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的曝光方法，其特征在于為了以光學(xué)方式觀察上述被檢測部的狀態(tài)而使用與上述光學(xué)構(gòu)件對向配置的載臺上所設(shè)的攝像裝置。8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的曝光方法，其特征在于上述液體接觸部至少在上述襯底的曝光中與上述液體接觸。9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項所述的曝光方法，其特征在于上述液體接觸部，包含將上述光學(xué)構(gòu)件與上述襯底之間用上述液體充滿而形成液浸空間的液浸空間形成構(gòu)件的至少一部分。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的曝光方法，其特征在于上述被檢測部，包含上述液浸空間形成構(gòu)件的上述液體的供應(yīng)口及回收口的至少一方。11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項所述的曝光方法，其特征在于上述液體接觸部，包含與上述光學(xué)構(gòu)件對向配置的可動構(gòu)件的至少一部分。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的曝光方法，其特征在于上述被檢測部，包含上述可動構(gòu)件的平坦面及/或測量部。13.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項所述的曝光方法，其特征在于在上述襯底的曝光動作后實施上述第2步驟。14.根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項所述的曝光方法，其特征在于包括在上述第3步驟有異常時洗凈上述液體接觸部的步驟。15.一種經(jīng)由光學(xué)構(gòu)件及液體用曝光用光使襯底曝光的曝光方法，其特征在于包括在規(guī)定動作中檢測涉及上述液體接觸的液體接觸部的狀態(tài)的信息；根據(jù)上述檢測信息、以及涉及上述規(guī)定動作前的上述液體接觸部的狀態(tài)的基準(zhǔn)信息，檢測涉及上述液體接觸部的異常的信息。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的曝光方法，其特征在于上述液體接觸部包含以上述液體充滿上述光學(xué)構(gòu)件與上述襯底之間而形成液浸空間的液浸空間形成構(gòu)件；與上述光學(xué)構(gòu)件對向配置的可動構(gòu)件；以及上述光學(xué)構(gòu)件中的至少一個。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的曝光方法，其特征在于由檢測上述襯底上標(biāo)記的標(biāo)記檢測系統(tǒng)來檢測關(guān)于上述可動構(gòu)件的狀態(tài)的信息。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的曝光方法，其特征在于上述檢測信息包含關(guān)于上述可動構(gòu)件的平坦面及/或測量部的信息。19.根據(jù)權(quán)利要求17或18所述的曝光方法，其特征在于上述可動構(gòu)件包含保持上述襯底的第1載臺；可獨立于上述第1載臺移動的第2載臺中的至少一方。20.根據(jù)權(quán)利要求16至19中任一項所述的曝光方法，其特征在于使用與上述液浸空間形成構(gòu)件及/或上述光學(xué)構(gòu)件對向配置的檢測器，來檢測涉及其狀態(tài)的信息。21.根據(jù)權(quán)利要求15至20中任一項所述的曝光方法，其特征在于依照涉及上述異常的信息來判斷曝光動作的中止或持續(xù)。22.根據(jù)權(quán)利要求15至21中任一項所述的曝光方法，其特征在于依照涉及上述異常的信息來判斷上述液體接觸部是否需保養(yǎng)。23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的曝光方法，其特征在于上述保養(yǎng)包含上述液體接觸部的洗凈及/或更換。24.根據(jù)權(quán)利要求15至23中任一項所述的曝光方法，其特征在于至少在上述規(guī)定動作之前檢測上述基準(zhǔn)信息。25.根據(jù)權(quán)利要求15至24中任一項所述的曝光方法，其特征在于上述基準(zhǔn)信息至少包含涉及與上述液體觸前的上述液體接觸部的狀態(tài)的信息。26.根據(jù)權(quán)利要求15至25中任一項所述的曝光方法，其特征在于上述規(guī)定動作至少包含上述襯底的曝光動作。27.—種經(jīng)由光學(xué)構(gòu)件及液體用曝光用光使襯底曝光的曝光裝置，其特征在于包括光學(xué)裝置，以光學(xué)方式觀察接觸上述液體的液體接觸部的至少一部分的被檢測部的狀態(tài)；記憶裝置，儲存上述光學(xué)裝置的觀察信息；以及控制裝置，比較由上述光學(xué)裝置觀察上述被檢測部多次的觀察信息，以判定上述被檢測部有無異常。28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的曝光裝置，其特征在于將上述光學(xué)構(gòu)件與上述襯底之間用液體充滿而形成液浸空間，用上述曝光用光經(jīng)由上述光學(xué)構(gòu)件與上述液體使上述襯底曝光。29.根據(jù)權(quán)利要求27或28所述的曝光裝置，其特征在于上述控制裝置在上述被檢測部有異常時中止曝光動作。30.根據(jù)權(quán)利要求27至29中任一項所述的曝光裝置，其特征在于上述光學(xué)裝置包含用于檢測上述襯底上的位置對準(zhǔn)用標(biāo)記的位置的圖像處理方式的對準(zhǔn)傳感器。31.根據(jù)權(quán)利要求27至30中任一項所述的曝光裝置，其特征在于還包括與上述光學(xué)構(gòu)件對向配置的載臺，上述光學(xué)裝置包含設(shè)置于上述載臺上的攝像裝置。32.根據(jù)權(quán)利要求27至31中任一項所述的曝光裝置，其特征在于上述光學(xué)裝置包含熒光顯微鏡，所述熒光顯微鏡檢測上述曝光用光照射于上述被檢測部時所產(chǎn)生的熒光。33.根據(jù)權(quán)利要求27至32中任一項所述的曝光裝置，其特征在于上述光學(xué)裝置包含分光計。34.根據(jù)權(quán)利要求27至33中任一項所述的曝光裝置，其特征在于上述液體接觸部至少在上述襯底的曝光中與上述液體接觸。35.根據(jù)權(quán)利要求27至34中任一項所述的曝光裝置，其特征在于上述液體接觸部包含將上述光學(xué)構(gòu)件與上述襯底之間用上述液體充滿以形成液浸空間的液浸空間形成構(gòu)件的至少一部分。36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的曝光裝置，其特征在于上述被檢測部包含上述液浸空間形成構(gòu)件的上述液體的供應(yīng)口及回收口的至少一方。37.根據(jù)權(quán)利要求27至36中任一項所述的曝光裝置，其特征在于上述液體接觸部包含與上述光學(xué)構(gòu)件對向配置的測量構(gòu)件的至少一部分。38.根據(jù)權(quán)利要求37所述的曝光裝置，其特征在于還包括設(shè)置上述測量構(gòu)件的載臺。39.根據(jù)權(quán)利要求27至38中任一項所述的曝光裝置，其特征在于包括洗凈上述被檢查部的洗凈構(gòu)件。40.一種經(jīng)由光學(xué)構(gòu)件及液體用曝光用光使襯底曝光的曝光裝置，其特征在于包括光學(xué)裝置，在規(guī)定動作中檢測涉及與上述液體接觸的液體接觸部的狀態(tài)的信息；以及控制裝置，基于上述檢測信息、及涉及上述規(guī)定動作前的上述液體接觸部狀態(tài)的基準(zhǔn)信息，檢測涉及上述液體接觸部的異常的信息。41.根據(jù)權(quán)利要求40所述的曝光裝置，其特征在于包括與上述光學(xué)構(gòu)件對向配置的可動構(gòu)件，上述液體接觸部包含上述可動構(gòu)件與上述光學(xué)構(gòu)件的至少一個。42.根據(jù)權(quán)利要求41所述的曝光裝置，其特征在于上述光學(xué)裝置包含檢測上述襯底上的標(biāo)記的標(biāo)記檢測系統(tǒng)，通過上述標(biāo)記檢測系統(tǒng)檢測涉及上述可動構(gòu)件的狀態(tài)的信息。43.根據(jù)權(quán)利要求41或42所述的曝光裝置，其特征在于上述光學(xué)裝置檢測涉及上述可動構(gòu)件的平坦面及/或測量部的信息。44.根據(jù)權(quán)利要求41至43中任一項所述的曝光裝置，其特征在于上述可動構(gòu)件包含保持上述襯底的第1載臺，以及可獨立于上述第1載臺移動的第2載臺的至少一個。45.根據(jù)權(quán)利要求40至44中任一項所述的曝光裝置，其特征在于包括將上述光學(xué)構(gòu)件與上述襯底之間充滿上述液體以形成液浸空間的液浸空間形成構(gòu)件，上述液體接觸部包含上述液浸空間形成構(gòu)件。46.根據(jù)權(quán)利要求45所述的曝光裝置，其特征在于上述光學(xué)裝置包含與上述液浸空間形成構(gòu)件及/或上述光學(xué)構(gòu)件對向配置的檢測器。47.根據(jù)權(quán)利要求40至46中任一項所述的曝光裝置，其特征在于上述光學(xué)裝置包含攝像裝置、熒光顯微鏡、及分光計的至少一個。48.根據(jù)權(quán)利要求40至47中任一項所述的曝光裝置，其特征在于上述控制裝置依照涉及上述異常的信息來判斷中止或持續(xù)曝光動作。49.根據(jù)權(quán)利要求40至48中任一項所述的曝光裝置，其特征在于包括用于維修上述液體接觸部的維修構(gòu)件，上述控制裝置依照涉及上述異常的信息來判斷是否需要進行上述維修。50.根據(jù)權(quán)利要求49所述的曝光裝置，其特征在于上述維修構(gòu)件包含洗凈上述液體接觸部的洗凈構(gòu)件。51.根據(jù)權(quán)利要求40至50中任一項所述的曝光裝置，其特征在于至少在上述規(guī)定動作之前檢測上述基準(zhǔn)信息。52.根據(jù)權(quán)利要求40至51中任一項所述的曝光裝置，其特征在于上述基準(zhǔn)信息至少包含涉及上述液體接觸前的上述液體接觸部的狀態(tài)的信息。53.一種用于維修經(jīng)由光學(xué)構(gòu)件及液體使襯底曝光的曝光裝置的維修方法，其特征在于包括在規(guī)定動作中檢測涉及與上述液體接觸的液體接觸部的狀態(tài)的信息；以及基于上述檢測信息、及涉及上述規(guī)定動作前的上述液體接觸部狀態(tài)的基準(zhǔn)信息，檢測涉及上述液體接觸部的異常的信息。54.根據(jù)權(quán)利要求53所述的維修方法，其特征在于上述液體接觸部包含將上述光學(xué)構(gòu)件與上述襯底之間充滿上述液體以形成液浸空間的液浸空間形成構(gòu)件、與上述光學(xué)構(gòu)件對向配置的可動構(gòu)件、以及上述光學(xué)構(gòu)件中的至少一個。55.根據(jù)權(quán)利要求54所述的維修方法，其特征在于上述檢測信息包含涉及上述可動構(gòu)件的平坦面及/或測量部的信息。56.根據(jù)權(quán)利要求54或55所述的維修方法，其特征在于上述檢測信息包含涉及上述液浸空間形成構(gòu)件的液體回收部的信息。57.根據(jù)權(quán)利要求53至56中任一項所述的維修方法，其特征在于依照涉及上述異常的信息來判斷是否需進行上述維修。58.根據(jù)權(quán)利要求57所述的維修方法，其特征在于上述維修包含上述液體接觸部的洗凈及/或更換。59.一種經(jīng)由光學(xué)構(gòu)件及液體用曝光用光使襯底曝光的曝光方法，其特征在于包括在規(guī)定動作中檢測涉及與上述液體接觸的液體接觸部的狀態(tài)的信息；以及基于上述檢測信息來檢測涉及上述液體接觸部的異常的信息。60.根據(jù)權(quán)利要求59所述的曝光方法，其特征在于上述檢測信息包含用熒光顯微鏡檢測上述液體接觸部所得到的信息。61.一種經(jīng)由光學(xué)構(gòu)件及液體用曝光用光使襯底曝光的曝光裝置，其特征在于包括光學(xué)裝置，檢測在規(guī)定動作中涉及與上述液體接觸的液體接觸部的狀態(tài)的信息；以及控制裝置，基于上述檢測信息來檢測涉及上述液體接觸部的異常的信息。62.根據(jù)權(quán)利要求61所述的曝光裝置，其特征在于上述光學(xué)裝置包含熒光顯微鏡。全文摘要本發(fā)明提供一種曝光方法、曝光裝置以及維修方法，經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)PL及液體1用曝光用光EL使襯底P曝光的曝光方法，具有第1步驟，在規(guī)定動作中、以光學(xué)方式觀察與上述液體接觸的液體接觸部的至少一部分的被檢測部的狀態(tài)，將所得到的第1觀察信息進行儲存；第2步驟，在上述規(guī)定動作后，以光學(xué)方式觀察上述被檢測部的狀態(tài)以獲得第2觀察信息；以及第3步驟，比較上述第1觀察信息與上述第2觀察信息，來判定上述被檢測部有無異常。文檔編號G03F7/20GK102109773SQ20111004412公開日2011年6月29日申請日期2007年5月22日優(yōu)先權(quán)日2006年5月22日發(fā)明者中野勝志申請人:株式會社尼康