專利名稱：光刻機進行工程光刻露光時的對準方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種半導體生產過程中使用的露光裝置。
背景技術：
目前,光刻機在進行第一層工程光刻露光時候，主要依靠設備本身機械精度以及對NOTCH(OF)側的檢知來保證光刻圖形和本硅片之間的精度誤差。這種誤差隨著設備的老化以及其他種種原因會變得較大，尤其是圖形和硅片本身之間的旋轉誤差(WAFER ROTATION)，從而影響之后各工程對當前層的對準。

發(fā)明內容
本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種光刻機進行工程光刻露光時的對準方法， 它可以減少第一層工程光刻露光時候的圖形旋轉誤差。為了解決以上技術問題，本發(fā)明提供了一種光刻機進行工程光刻露光時的對準方法；包括以下步驟在光刻機的載片臺上安裝攝像頭，使其與載片臺的先對位置固定；硅片被送上載片臺，攝像頭對其進行影像捕捉；計算出硅片和載片臺之間的旋轉量；升起安裝在載片臺中央帶有真空吸附的頂針，通過其沿圓周方向的運動進行對硅片旋轉量的補正； 降下頂針，光刻機進行工作。本發(fā)明的有益效果在于通過在光刻機的載片臺加裝一個攝像頭，通過光學影像識別的方法計算硅片的旋轉量；并通過載片臺上的頂針的運動來進行補償，從而減少第一層工程光刻露光時候的圖形旋轉誤差。


下面結合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明作進一步詳細說明。圖I是光刻機進行第一層工程光刻露光時的對準機構不意圖。圖2是本發(fā)明所述采集自CXD攝像頭的NOTCH影像示意圖。圖3是本發(fā)明所述采集自C⑶攝像頭的OF影像示意圖。圖4是本發(fā)明所述光刻機載片臺上的頂針示意圖。
具體實施例方式本發(fā)明提出一種方法，通過在光刻機的載片臺NOTCH(OF)側加裝一個C⑶攝像頭，攝像頭位置與光刻機的載片臺位置為相對固定位置。通過光學影像捕捉的方式檢知 NOTCH(OF)。I. NOTCH情況從捕捉到的影像中可以測量得到硅片邊界與影像邊界的2個交界點(圖2中的A點和B點)以及NOTCH的頂點(圖2中的C點)與基準位置(圖2中虛線表示的位置)的距離(圖2中的X，Y，Z)，從而通過預設的算法來計算出硅片與載片臺之間的旋轉誤差。通過載片臺上的3根頂針(圖4)的沿圓周方向的的運動來進行補償。
2. OF情況從捕捉到的影像中可以測量得到硅片邊界與影像邊界的2個交界點 (圖3中的A點和B點)與基準位置(圖3中虛線表示的位置)的距離(圖2中的X，Y)， 從而通過預設的算法來計算出硅片語于載片臺之間的旋轉誤差。通過載片臺上的3根頂針 (圖4)的沿圓周方向的的運動來進行補償。本發(fā)明所述方法包括以下步驟(I)按照本發(fā)明要求在光刻機的載片臺上加裝CCD攝像頭，確保其與載片臺的先對固定位置。(2)當硅片被送上載片臺的時候且完成NOTCH(OF)測粗對準后，攝像頭對其進行影像捕捉。(3)通過預設的算法計算出硅片和載片臺之間的旋轉量。(4)升起安裝在載片臺中央的3根頂針(帶有真空吸附)，通過其沿圓周方向的運動進行對硅片旋轉量的補正。(5)降下頂針，光刻機進行后續(xù)工作。本發(fā)明并不限于上文討論的實施方式。以上對具體實施方式
的描述旨在于為了描述和說明本發(fā)明涉及的技術方案。基于本發(fā)明啟示的顯而易見的變換或替代也應當被認為落入本發(fā)明的保護范圍。以上的具體實施方式
用來揭示本發(fā)明的最佳實施方法，以使得本領域的普通技術人員能夠應用本發(fā)明的多種實施方式以及多種替代方式來達到本發(fā)明的目的。
權利要求
1.一種光刻機進行工程光刻露光時的對準方法；其特征在于，包括以下步驟在光刻機的載片臺上安裝攝像頭，使其與載片臺的先對位置固定；硅片被送上載片臺，攝像頭對其進行影像捕捉；計算出硅片和載片臺之間的旋轉量；升起安裝在載片臺中央帶有真空吸附的頂針，通過其沿圓周方向的運動進行對硅片旋轉量的補正；降下頂針，光刻機進行工作。
2.如權利要求I所述的光刻機進行工程光刻露光時的對準方法，其特征在于，所述在光刻機的載片臺上安裝的攝像頭為CCD攝像頭。
3.如權利要求I所述的光刻機進行工程光刻露光時的對準方法，其特征在于，在載片臺中央帶有真空吸附的頂針為3根。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種光刻機進行工程光刻露光時的對準方法；包括以下步驟在光刻機的載片臺上安裝攝像頭，使其與載片臺的先對位置固定；硅片被送上載片臺，攝像頭對其進行影像捕捉；計算出硅片和載片臺之間的旋轉量；升起安裝在載片臺中央帶有真空吸附的頂針，通過其沿圓周方向的運動進行對硅片旋轉量的補正；降下頂針，光刻機進行工作。本發(fā)明通過在光刻機的載片臺加裝一個攝像頭，通過光學影像識別的方法計算硅片的旋轉量；并通過載片臺上的頂針的運動來進行補償，從而減少第一層工程光刻露光時候的圖形旋轉誤差。
文檔編號G03F7/20GK102608879SQ201110025058
公開日2012年7月25日 申請日期2011年1月24日 優(yōu)先權日2011年1月24日
發(fā)明者婁迪 申請人:上海華虹Nec電子有限公司