專利名稱：顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示裝置。更詳細(xì)地，涉及在像素中形成有保持電容的有源矩陣驅(qū)動型的顯示裝置。
背景技術(shù)：
近年來，已知作為開關(guān)元件具備TFT(Thin Film Transistor 薄膜晶體管)的有源矩陣型顯示裝置。該液晶顯示裝置具備液晶顯示面板等顯示面板，液晶顯示面板等顯示面板在互相相對的2片絕緣性基板之間配置有液晶層。在顯示面板的一方基板，柵極線(掃描信號線)和源極線(視頻信號線)設(shè)成格子狀，用于形成圖像的像素電極配置成矩陣狀。在柵極線和源極線的交點(diǎn)附近設(shè)有TFT，控制向像素電極的電壓施加。另外，在顯示面板的另一方基板，設(shè)有用于與像素電極之間施加電壓的共用電極，由像素電極和共用電極形成電容。在這樣的顯示裝置中，為了按1水平掃描期間1個(gè)地依次選擇各柵極線，以1垂直掃描期間為周期反復(fù)進(jìn)行掃描信號向各柵極線的施加。因此，儲存于由像素電極和共用電極所形成的各個(gè)液晶電容等電容中的電荷必須被保持大致1垂直掃描期間。但是，在僅以該電容不能保持該儲存的電荷的情況下，與該電容并列地設(shè)有保持電容。保持電容一般由像素電極或者與像素電極電連接的相對電極和保持電容配線形成。利用上述保持電容配線，能進(jìn)行使像素電極的像素電位上沖的電容耦合驅(qū)動。由此，能減小源極信號的電壓的振幅，能得到充分的對比度。公開了如下液晶顯示裝置(例如，參照專利文獻(xiàn)1。)作為這樣的電容耦合驅(qū)動，例如在使用有源矩陣基板的液晶顯示裝置中，分開提供包括開關(guān)元件的導(dǎo)通電位(Vgt)和截止電位(Vgb)在內(nèi)的原來的掃描信號(源極信號)和補(bǔ)償由寄生電容引起的電位下降和液晶的閾值電壓的2個(gè)偏置電位(Ve (+)、Ve (-))，從而能降低施加于開關(guān)元件的掃描信號的最大振幅，提高可靠性，并且實(shí)現(xiàn)成本的削減。另外，公開了如下液晶顯示裝置(例如，參照專利文獻(xiàn)2。)其共用電極線驅(qū)動電路的輸出可以為2值，所以其輸出電路的構(gòu)成變得簡單，通過使其中一方的電位可變而能實(shí)現(xiàn)亮度調(diào)節(jié)。然而，顯示裝置為了抑制液晶的劣化來維持顯示質(zhì)量而進(jìn)行交流驅(qū)動，通常，按每1行像素使像素電極的電位的極性反轉(zhuǎn)(也稱為IH (Horizontal 水平〕線反轉(zhuǎn))。此外，將與柵極線平行的方向設(shè)為水平(Horizontal)。在顯示裝置、特別是搭載光傳感器的機(jī)型等中，為了設(shè)為進(jìn)行上述的IH線反轉(zhuǎn)并且具有配置光傳感器電路等附加電路的空間的像素結(jié)構(gòu)，具有在奇數(shù)行的像素和偶數(shù)行的像素中共用的保持電容配線。公開了在這樣的奇數(shù)行的像素和偶數(shù)行的像素中共用保持電容配線的顯示裝置(例如，參照專利文獻(xiàn)3。)。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 特開平10-39277號公報(bào)
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專利文獻(xiàn)2 特開2001-83943號公報(bào)專利文獻(xiàn)3 國際公開第2009-041112號小冊子

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題在進(jìn)行IH線反轉(zhuǎn)的顯示裝置中，一個(gè)像素與其正上、正下的像素為不同極性。因此，受到上下像素的電位變動的影響的像素不會變化，無論是否輸入均勻顯示的信號，都不會產(chǎn)生由該影響引起的條紋等。因此，可以不進(jìn)行考慮到該影響的設(shè)計(jì)。另一方面，電容耦合中的像素電極的電位的上沖/下沖按每1行像素進(jìn)行。因此，在上述的進(jìn)行IH線反轉(zhuǎn)的顯示裝置中，不能利用在2行像素中共用的保持電容配線進(jìn)行電容耦合驅(qū)動。并且，在設(shè)為具有配置光傳感器電路等附加電路的空間的像素結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，為了進(jìn)行電容耦合驅(qū)動，如圖5所示，將保持電容配線M分割地配置。此外，圖6是在圖5所示的顯示裝置中利用電路標(biāo)識示意性示出有源矩陣基板上的像素的電路構(gòu)成的平面圖。圖7是示出現(xiàn)有的顯示裝置中的IH線反轉(zhuǎn)的概念圖。圖7中，1個(gè)+或者-分別與1個(gè)像素對應(yīng)，表示該像素中的像素電極的電位的極性。在上述的在2行像素中共用保持電容配線的顯示裝置中，具有應(yīng)用電容耦合驅(qū)動、減小源極信號的電壓的振幅來使對比度比提高的研究余地。另外，在分割圖5所示的保持電容配線M的顯示裝置中，在使像素的開口率和成品率充分優(yōu)良的方面具有研究余地。即，在顯示裝置中可期望如下情況在設(shè)為在2行像素中共用保持電容配線來充分防止像素的開口率降低和成品率降低的基礎(chǔ)上，能進(jìn)行電容耦合驅(qū)動。本發(fā)明是鑒于上述現(xiàn)狀而完成的，其目的在于提供如下顯示裝置在使保持電容配線在2行像素中共用來充分防止開口率降低和成品率降低的基礎(chǔ)上，能進(jìn)行電容耦合驅(qū)動。用于解決問題的方案本發(fā)明人對在保持電容部在2行像素中共用保持電容配線、充分防止開口率降低和成品率降低的基礎(chǔ)上能進(jìn)行電容耦合驅(qū)動的顯示裝置進(jìn)行各種討論的結(jié)果是著眼于顯示裝置中的像素電極的電位的極性。并且發(fā)現(xiàn)如下情況在上述顯示裝置中，按每共用保持電容配線的2行像素使像素電極的電位的極性反轉(zhuǎn)，由此能進(jìn)行使該2行像素的像素電極的電位變化的電容耦合驅(qū)動。因此，發(fā)現(xiàn)如下情況在得到進(jìn)行電容耦合驅(qū)動的優(yōu)點(diǎn)的同時(shí)，得到保持電容配線在2行像素中共用、削減保持電容配線占的面積來提高開口率的效果，并且也發(fā)現(xiàn)如下情況能利用保持電容配線的圖案的簡化使產(chǎn)品成品率提高，想到能很好地解決上述問題而達(dá)成了本發(fā)明。S卩，本發(fā)明是具有排列成η行m列的矩陣狀的像素以及設(shè)置成格子狀的m條源極線和η條柵極線的顯示裝置，其中，η和m分別表示2以上的整數(shù)，上述顯示裝置在奇數(shù)行的像素和偶數(shù)行的像素的邊界區(qū)域具有保持電容部，上述保持電容部具有在奇數(shù)行和偶數(shù)行的像素中共用的保持電容配線、絕緣膜、奇數(shù)行的像素用的相對電極以及偶數(shù)行的像素用的相對電極，在上述奇數(shù)行的像素中設(shè)有與該奇數(shù)行的像素用的相對電極電連接的像素電極，在上述偶數(shù)行的像素中設(shè)有與該偶數(shù)行的像素用的相對電極電連接的像素電極，按每共用上述保持電容配線的2行像素使像素電極的電位的極性反轉(zhuǎn)，并且，進(jìn)行通過使上述保持電容配線的電位變化而使該2行像素的像素電極的電位變化的電容耦合驅(qū)動。此外，所謂排列成矩陣狀的像素只要是在行方向和列方向配置多個(gè)的像素即可，也包含三角形排列的像素。本發(fā)明的顯示裝置按每共用上述保持電容配線的2行像素使像素電極的電位的極性反轉(zhuǎn)(也稱為2H線反轉(zhuǎn)。)，從而能以相同極性的電壓驅(qū)動共用保持電容配線的2行像素，因此，通過使保持電容配線的電位變化而能使該2行像素的像素電極的電位變化。換言之，能在不分割保持電容配線的情況下進(jìn)行電容耦合驅(qū)動。因此，能充分防止開口率降低。另外，能充分防止由分割的保持電容配線間的短路引起的成品率降低。而且，能得到進(jìn)行電容耦合驅(qū)動的優(yōu)點(diǎn)。上述電容耦合驅(qū)動中的像素電位用下式表示。Vpix = Vsl+Ccs/CpixX AVcs上述式中，Vpix是像素電位。Vsl是源極信號電壓。^是保持電容配線電壓。(；3是保持電容。Cpix是像素電容(=保持電容+液晶電容+寄生電容)。本發(fā)明的顯示裝置通過進(jìn)行電容耦合驅(qū)動，能比現(xiàn)有驅(qū)動進(jìn)一步減小Vsl振幅。另外，由于驅(qū)動器的限制，Vsl振幅具有界限，因此，通過進(jìn)行電容耦合驅(qū)動而能施加高電壓。因?yàn)槟苁┘痈唠妷?，能使液晶面板的透射率進(jìn)而液晶面板的亮度(顯示性能)提高。而且，不必進(jìn)行保持電容配線的2條分割，因此能避免由于該保持電容配線間漏泄而產(chǎn)生的成品率降低，由于這樣的成品率提高，能降低成本。上述保持電容部具有在奇數(shù)行和偶數(shù)行的像素中共用的保持電容配線、絕緣膜、奇數(shù)行的像素用的相對電極以及偶數(shù)行的像素用的相對電極。換言之，可以說1條上述保持電容配線形成2行像素的保持電容，按每2行像素設(shè)置以往按每1行像素設(shè)置的保持電容配線。因此，相對于平行存在多個(gè)的奇數(shù)行的像素和偶數(shù)行的像素的邊界區(qū)域隔一個(gè)地配置上述保持電容配線。因此，與保持電容配線按每像素配置的顯示裝置比較，能減少保持電容配線的設(shè)置面積，實(shí)現(xiàn)開口率的提高。另外，取代減少保持電容配線的設(shè)置面積，或者，在減少保持電容配線的設(shè)置面積的基礎(chǔ)上，如果使每條保持電容配線的配線寬度加寬，則能使電阻降低，實(shí)現(xiàn)串?dāng)_的抑制等。而且。由于保持電容配線的圖案的簡化，也能提高成品率?？梢哉f，本發(fā)明除了進(jìn)行電容耦合驅(qū)動的優(yōu)點(diǎn)，也得到了使用這樣的在奇數(shù)行和偶數(shù)行的像素中共用的保持電容配線的優(yōu)點(diǎn)。此外，在本發(fā)明中，優(yōu)選保持電容配線和相對電極的至少一方由金屬等遮光性的導(dǎo)電材料形成。另外，優(yōu)選上述保持電容配線分別隔著絕緣膜與奇數(shù)行的像素用的相對電極及偶數(shù)行的像素用的相對電極相對。上述相對電極稱作與保持電容配線相對的保持電容用電極。作為本發(fā)明的顯示裝置的優(yōu)選方式，可列舉如下方式本發(fā)明的顯示裝置具有奇數(shù)行的像素和偶數(shù)行的像素互相反轉(zhuǎn)的構(gòu)成。根據(jù)該方式，在像素彼此的邊界區(qū)域，奇數(shù)行的像素的相對電極和偶數(shù)行的像素的相對電極靠近，在奇數(shù)行和偶數(shù)行的像素中共用的保持電容配線的配置變得容易。因此，能更充分地發(fā)揮本發(fā)明的效果。作為本發(fā)明的顯示裝置的優(yōu)選方式，可列舉如下方式在未配置保持電容配線的奇數(shù)行的像素與偶數(shù)行的像素之間具有共同的附加電路。在本發(fā)明中，在具有上述像素結(jié)構(gòu)的顯示裝置中進(jìn)行電容耦合驅(qū)動，并且按每2行像素設(shè)置保持電容配線，所以能有效利用由此未配置保持電容配線的奇數(shù)行的像素與偶數(shù)行的像素之間的區(qū)域。例如，通過在該區(qū)域配置上述共同的附加電路，與在其它區(qū)域形成按每像素獨(dú)立的附加電路的情況相比能提高開口率。作為上述附加電路的種類，例如可列舉光傳感器用電路、存儲器電路。其中，優(yōu)選上述附加電路是光傳感器用電路的方式。上述的各方式可以在不脫離本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)適當(dāng)組合。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，在奇數(shù)行的像素和偶數(shù)行的像素中共用保持電容配線的顯示裝置中，能進(jìn)行電容耦合驅(qū)動，并且能減少保持電容配線的設(shè)置面積，實(shí)現(xiàn)開口率的提高。另外，由于保持電容配線的圖案的簡化，也能提高成品率。


圖1是示出實(shí)施方式1的顯示裝置中有源矩陣基板上的像素的電路構(gòu)成的平面示意圖。圖2是示出沿圖1的A-B線的截面構(gòu)成的截面示意圖。圖3是在實(shí)施方式1的顯示裝置中利用電路標(biāo)識示意性示出有源矩陣基板上的像素的電路構(gòu)成的平面圖。圖4是示出實(shí)施方式1的顯示裝置中的2H線反轉(zhuǎn)的概念圖。圖5是示出現(xiàn)有的顯示裝置中有源矩陣基板上的像素的電路構(gòu)成的平面示意圖。圖6是在現(xiàn)有的顯示裝置中利用電路標(biāo)識示意性示出有源矩陣基板上的像素的電路構(gòu)成的平面圖。圖7是示出現(xiàn)有的顯示裝置中的IH線反轉(zhuǎn)的概念圖。
具體實(shí)施例方式下面揭示實(shí)施方式，更詳細(xì)地說明本發(fā)明，但本發(fā)明不僅限于這些實(shí)施方式。例如，下面的實(shí)施方式涉及液晶顯示裝置，但本發(fā)明的顯示裝置不限于此。實(shí)施方式1本實(shí)施方式的液晶顯示裝置是具有排列成η行m列(η和m分別表示2以上的整數(shù)。)的矩陣狀的像素和設(shè)置成格子狀的m條源極線和η條柵極線的顯示裝置。本實(shí)施方式的液晶顯示裝置中的像素的驅(qū)動控制是在薄膜晶體管(TFT)、像素電極按每像素配置成矩陣狀的有源矩陣基板中進(jìn)行。圖1是示出實(shí)施方式1的顯示裝置中有源矩陣基板上的像素的電路構(gòu)成的平面示意圖。圖2是示出沿圖1的A-B線的截面構(gòu)成的截面示意圖。如圖1所示，在有源矩陣基板中，TFT和像素電極18按每像素配置。TFT具有如下構(gòu)成在由硅形成的TFT半導(dǎo)體層12和柵極線14隔著柵極絕緣膜重合的部分的一側(cè)，設(shè)有通過第一接觸孔31連接到源極線16的部分，在另一側(cè)設(shè)有通過第二接觸孔和第三接觸孔32,33連接到像素電極18的部分。當(dāng)通過柵極線14提供掃描信號時(shí)，TFT半導(dǎo)體層12導(dǎo)通，通過源極線16提供的圖像信號提供給像素電極18。在本實(shí)施方式中，如圖1所示，圖1中的上段所示的奇數(shù)行的像素和圖1中的中段所示的偶數(shù)行的像素具有互相反轉(zhuǎn)的構(gòu)成，以奇數(shù)行的像素和偶數(shù)行的像素的邊界線作為中心軸處于線對稱的關(guān)系。因此，在像素彼此的邊界區(qū)域，奇數(shù)行的像素的相對電極2 和偶數(shù)行的像素的相對電極22b靠近，在奇數(shù)行和偶數(shù)行的像素中共用的保持電容配線M的配置變得容易。在本實(shí)施方式中，在奇數(shù)行的像素中以和像素電極18的下端部重合的方式設(shè)有相對電極22a，在偶數(shù)行的像素中以和像素電極18的上端部重合的方式設(shè)有相對電極22b，保持電容配線M形成于和兩相對電極22a、22b重合的區(qū)域以及兩相對電極22a、22b間的區(qū)域。另外，在本實(shí)施方式中，相對電極22的配置按每像素偏移來防止保持電容的值出現(xiàn)偏差，因此保持電容配線M形成為寬出與相對電極22的配置精度對應(yīng)的富余部分(空隙)。另外，如圖2所示，本實(shí)施方式的有源矩陣基板具有從基板11側(cè)起由TFT半導(dǎo)體層12、柵極絕緣膜13、柵極線14、第一層間絕緣膜15、源極線16、第二層間絕緣膜17、像素電極18、取向膜19依次層疊而形成的結(jié)構(gòu)。另外，在與TFT半導(dǎo)體層12相同的階層，利用與TFT半導(dǎo)體層12相同的材料形成有相對電極22，在與柵極線14相同的階層，利用與柵極線14相同的材料形成有保持電容配線M，相對電極22和保持電容配線M隔著柵極絕緣膜13相對。TFT半導(dǎo)體層12和相對電極22能利用光刻同時(shí)形成。同樣，柵極線14和保持電容配線M能利用光刻同時(shí)形成。在本實(shí)施方式中，像素電極18按長方形形成，為了說明便利，將配置有像素電極18的基板面內(nèi)的區(qū)域稱為像素，將沿著其長邊的方向稱為縱向，將沿著其短邊的方向稱為橫向。柵極線14在像素的中央橫向延伸，源極線16在像素彼此之間縱向延伸，柵極線14、源極線16正交。柵極線14具有在其與源極線16正交的部分的附近分支的分支部14a，分支部Ha也隔著柵極絕緣膜13與TFT半導(dǎo)體層12重合。這樣，柵極線14和TFT半導(dǎo)體層12包含柵極線的分支部Ha在內(nèi)按每像素在2個(gè)位置重合，具有雙柵結(jié)構(gòu)。在圖1和圖2中，源極線16位于像素的右上，且利用貫穿第一層間絕緣膜15和柵極絕緣膜13的第一接觸孔31與TFT半導(dǎo)體層12電連接。TFT半導(dǎo)體層12沿著源極線16線狀延伸，在像素右端的中央附近形成與柵極線14及其分支部1 的重疊部(溝道)，在像素右端的靠下的位置向像素中央側(cè)彎曲。并且，TFT半導(dǎo)體層12位于像素的下端附近、靠右，且通過貫穿柵極絕緣膜13和第一層間絕緣膜15的第二接觸孔32與島狀的導(dǎo)電部沈電連接，島狀的導(dǎo)電部沈設(shè)于與源極線16相同的階層。島狀的導(dǎo)電部沈通過貫穿第二層間絕緣膜17的第三接觸孔33與像素電極18電連接。另外，在本實(shí)施方式中，如圖1所示，奇數(shù)行的像素的TFT半導(dǎo)體層和偶數(shù)行的像素的TFT半導(dǎo)體層一體化。在本實(shí)施方式中，相同列的像素的TFT半導(dǎo)體層12分別連接到共用的源極線16，所以奇數(shù)行的像素的TFT半導(dǎo)體層和偶數(shù)行的像素的TFT半導(dǎo)體層能一體化。例如，在圖1中，在圖1中的中段的像素和下段的像素中一體化的TFT半導(dǎo)體層12具有從第一接觸孔31向上方延伸、用于與圖1中的中段所示的偶數(shù)行的像素的像素電極18連接的部分；以及從第一接觸孔31向下方延伸、用于與圖1中的下段所示的奇數(shù)行的像素的像素電極18連接的部分。這樣，通過在奇數(shù)行的像素和偶數(shù)行的像素中共用第一接觸孔31，能減少接觸孔的數(shù)量，使開口率提高。另外，在本實(shí)施方式中，在圖1中的上段所示的奇數(shù)行的像素和圖1中的中段所示的偶數(shù)行的像素的邊界區(qū)域設(shè)有保持電容配線對，且在圖1中的中段所示的偶數(shù)行的像素與圖1中的下段所示的奇數(shù)行的像素之間設(shè)有第一接觸孔31，由此能實(shí)現(xiàn)開口率的提高。在本實(shí)施方式中，奇數(shù)行的像素的相對電極2 和偶數(shù)行的像素的相對電極22b沿著保持電容配線M的延伸方向互相平行地配置，但在使保持電容配線變細(xì)的情況、使其位于像素電極的長邊側(cè)的情況下，可以使兩相對電極與保持電容配線的延伸方向并排配置。在沿著保持電容配線的延伸方向互相平行的配置中，需要在兩相對電極間確保與電極的配置精度相應(yīng)的空隙，有時(shí)保持電容配線的細(xì)線化困難。與此相對，在使兩相對電極與保持電容配線的延伸方向并排配置的方式下，兩相對電極間的空隙不影響保持電容配線的配線寬度。另外，在本實(shí)施方式中，貫穿第一層間絕緣膜15和柵極絕緣膜13、電連接源極線16和TFT半導(dǎo)體層12的第一接觸孔31針對1個(gè)TFT半導(dǎo)體層12設(shè)置1個(gè)，但可以設(shè)為針對1個(gè)TFT半導(dǎo)體層設(shè)置多個(gè)的方式。由此，能有效地提高源極線和各TFT半導(dǎo)體層的電連接的可靠性。圖3是在實(shí)施方式1的顯示裝置中利用電路標(biāo)識示意性示出有源矩陣基板上的像素的電路構(gòu)成的平面圖。當(dāng)使用圖3說明實(shí)施方式1時(shí)，本實(shí)施方式涉及在奇數(shù)行(第N行)的像素和偶數(shù)行(第N+1行)的像素的邊界區(qū)域設(shè)有保持電容配線的方式。圖3中，GsL(N，N+l)表示用于第N行和第(N+1)行的像素的驅(qū)動的保持電容配線，GL(N)、GL(N+1)分別表示用于第N行、第(N+1)行的像素的驅(qū)動的柵極線，SL(M)、SL(M+1)、SL(M+2)分別表示用于第M列、第(M+1)列、第(M+2)列的像素的驅(qū)動的源極線。圖4是示出實(shí)施方式1的顯示裝置中的2H線反轉(zhuǎn)的概念圖。圖4中的1個(gè)+或者-分別與1個(gè)像素對應(yīng)，表示該像素中的像素電極的電位的極性。在實(shí)施方式1的液晶顯示裝置中，按每共用保持電容配線M的2行像素使像素電極的電位的極性反轉(zhuǎn)，由此能用相同極性的電壓驅(qū)動共用保持電容配線M的2行像素，因此，通過使保持電容配線M的電位變化，能使該2行像素的像素電極18的電位變化。因此，能進(jìn)行電容耦合驅(qū)動，并且能減少保持電容配線M的設(shè)置面積，實(shí)現(xiàn)開口率的提高。另外，由于保持電容配線M的圖案的簡化，也能提高成品率。作為實(shí)施方式1的變形例，可以為如下方式在圖1所示的奇數(shù)行的像素和偶數(shù)行的像素的邊界區(qū)域設(shè)有保持電容配線，且在該偶數(shù)行(第N+1行)的像素與其次的奇數(shù)行的像素(第N+2行)之間形成有光傳感器用電路的一部分作為附加電路。該光傳感器用電路周期性地反復(fù)進(jìn)行(1)初始化、(2)傳感、(3)讀出的循環(huán)。通過設(shè)置這樣的光傳感器用電路，能對本發(fā)明的顯示裝置賦予觸摸面板功能等。在實(shí)施方式1的變形例中，把以往對1行像素設(shè)置1條的保持電容配線變更為對2行像素設(shè)置1條的構(gòu)成，在由此產(chǎn)生的空間配置附加電路，換言之，在未配置保持電容配線的奇數(shù)行的像素與偶數(shù)行的像素之間配置共同的附加電路，所以可抑制由于設(shè)置附加電路引起的開口率降低。此外，本實(shí)施方式的液晶顯示裝置如果不脫離本發(fā)明的技術(shù)范圍和宗旨，可以進(jìn)行各種變更、修改。例如，在實(shí)施方式1中，相對電極配置于比保持電容配線靠下層，但可以位于比保持電容配線靠上層。在該情況下，相對電極可以與像素電極一體地形成。即，預(yù)先使要形成相對電極的區(qū)域的層間絕緣膜開口，在基板整個(gè)面形成導(dǎo)電膜，由此能利用該導(dǎo)電膜一體地形成層間絕緣膜上的像素電極和層間絕緣膜的開口部下的相對電極。另外，顯示模式可以如扭轉(zhuǎn)向列型(TN;Twisted Nematic)模式、垂直取向(VA ；Vertical Alignment)模式等那樣，像素電極和共用電極配置于不同的基板，也可以如面內(nèi)開關(guān)(IPS ；In-Plane-Switching)模式那樣，將像素電極和共用電極配置于一方基板。實(shí)施方式1的液晶顯示裝置可以是透射型液晶顯示裝置、反射型液晶顯示裝置、半透射型液晶顯示裝置的任一種。上述的實(shí)施方式中的各方式可以在不脫離本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)適當(dāng)組合。此外，本申請以2009年10月20日提交的日本專利申請2009-241320號為基礎(chǔ)，要求基于巴黎公約或進(jìn)入國的法規(guī)的優(yōu)先權(quán)。該申請的內(nèi)容的全部編入到本申請中作為參
眧。
附圖標(biāo)記說明
11基板
12 TFT半導(dǎo)體層
13柵極絕緣膜
14柵極線
14a分支部
15第一層間絕緣膜
16源極線
17第二層間絕緣膜
18像素電極
19取向膜
22相對電極
22a奇數(shù)行的像素的相對電極
22b偶數(shù)行的像素的相對電極
M保持電容配線
26導(dǎo)電部
31第一接觸孔
32第二接觸孔
33第三接觸孔
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，其特征在于，具有排列成η行m列的矩陣狀的像素以及設(shè)置成格子狀的m條源極線和η條柵極線，其中，η和m分別表示2以上的整數(shù)，該顯示裝置在奇數(shù)行的像素和偶數(shù)行的像素的邊界區(qū)域具有保持電容部，該保持電容部具有在奇數(shù)行和偶數(shù)行的像素中共用的保持電容配線、絕緣膜、奇數(shù)行的像素用的相對電極以及偶數(shù)行的像素用的相對電極，在該奇數(shù)行的像素中設(shè)有與該奇數(shù)行的像素用的相對電極電連接的像素電極，在該偶數(shù)行的像素中設(shè)有與該偶數(shù)行的像素用的相對電極電連接的像素電極，按每共用該保持電容配線的2行像素使像素電極的電位的極性反轉(zhuǎn)，并且，進(jìn)行通過使該保持電容配線的電位變化而使該2行像素的像素電極的電位變化的電容耦合驅(qū)動。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，上述顯示裝置具有奇數(shù)行的像素和偶數(shù)行的像素互相反轉(zhuǎn)的構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的顯示裝置，其特征在于，上述顯示裝置在未配置保持電容配線的奇數(shù)行的像素與偶數(shù)行的像素之間具有共同的附加電路。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其特征在于，上述附加電路是光傳感器用電路。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供在2行像素中共用保持電容配線而防止開口率降低和成品率降低的基礎(chǔ)上能進(jìn)行電容耦合驅(qū)動的顯示裝置。本發(fā)明的顯示裝置具有排列成n行m列(n和m分別表示2以上的整數(shù))的矩陣狀的像素以及設(shè)置成格子狀的m條源極線和n條柵極線，在奇數(shù)行的像素和偶數(shù)行的像素的邊界區(qū)域具有保持電容部，保持電容部具有在奇數(shù)行和偶數(shù)行的像素中共用的保持電容配線、絕緣膜、奇數(shù)行的像素用的相對電極以及偶數(shù)行的像素用的相對電極，在奇數(shù)行的像素中設(shè)有與奇數(shù)行的像素用的相對電極電連接的像素電極，在偶數(shù)行的像素中設(shè)有與偶數(shù)行的像素用的相對電極電連接的像素電極，按每共用保持電容配線的2行像素使像素電極的電位的極性反轉(zhuǎn)，并且，進(jìn)行通過使保持電容配線的電位變化而使2行像素的像素電極的電位變化的電容耦合驅(qū)動。
文檔編號G02F1/1368GK102576162SQ201080046988
公開日2012年7月11日 申請日期2010年6月4日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月20日
發(fā)明者伊奈惠一, 前田和宏, 吉田圭介, 海瀨泰佳 申請人:夏普株式會社