專利名稱：偏振片的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制備偏振片的方法，所述偏振片為用在液晶顯示器中的光學(xué)膜。本申請要求于2010年5月觀日向韓國知識產(chǎn)權(quán)局(KIPO)提交的韓國專利申請第10-2010-0050582號的優(yōu)先權(quán)，該專利申請公開的內(nèi)容通過引用全部引入本文。
背景技術(shù)：
CRT(陰極射線管)是在現(xiàn)有技術(shù)領(lǐng)域中普遍使用的一種顯示器，并通常用作電視機(jī)、檢測裝置、信息終端裝置等的顯示屏。但其難以滿足對減小電子產(chǎn)品尺寸和重量的需求。為了替代CRT，人們已經(jīng)開發(fā)了小而輕的液晶顯示器，并且近來發(fā)展到足以作為平板顯示器，因此需求正逐漸增加。液晶顯示器的成像原理是利用液晶的光學(xué)各向異性和偏振性能。液晶具有瘦長型分子結(jié)構(gòu)，并且根據(jù)外加電場強(qiáng)度限制取決于分子排列取向的各向異性和在分子排列取向上變化的偏振性能。液晶顯示器包括作為基本元件的液晶面板，所述液晶面板包括一對透明絕緣基板和置于其間的液晶層。還有形成在透明絕緣基板的相對表面上的形成電場的電極。通過改變形成電場的電極之間的電場而人為地調(diào)節(jié)液晶分子的取向，從而造成光透射率的變化，以用于顯示各種圖像。在此情況中，偏振片被置于液晶面板的上部和下部以顯現(xiàn)液晶顯示器的液晶的取向變化。各個偏振片都透過與透射軸(transmission axis)平行的光的偏振分量。這兩個偏振片的透射軸的排列和液晶的排列決定了光的透射率。圖1為表示常規(guī)偏振片的示意圖。如該圖所示，偏振板1包括偏振層2，其中形成有改變光的偏振性的偏振軸，并用強(qiáng)張力拉伸作為偏振片的摻有碘的PVA(聚乙烯醇)而制備；在偏振層2的兩側(cè)形成的第一和第二 TAC膜(三乙酰纖維素膜)3和4以保護(hù)并支撐偏振層2 ；在第一 TAC膜3的一側(cè)上形成保護(hù)膜5，以防止偏振片1的表面受損；和用設(shè)置在第二 TAC膜4和剝離膜7之間的粘合劑6在第二 TAC膜4的一側(cè)上形成的剝離膜7。如圖2所示，如下制備偏振片1。首先，制備PVA膜、TAC膜(第一 TAC膜和第二 TAC膜)、保護(hù)膜和剝離膜的原料卷(圖2的(a))。接下來，進(jìn)行在清洗槽中清洗原料卷并在干燥箱中干燥原料卷的預(yù)處理步驟(圖2的(b))。然后，通過在拉伸PVA膜的同時在PVA 膜的兩側(cè)層壓第一 TAC膜和第二 TAC膜從而形成中間卷(圖2的(C))。隨后，通過在第一 TAC膜的表面上層壓保護(hù)膜，同時用在第二TAC膜和剝離膜之間設(shè)置粘合劑在第二TAC膜的表面上層壓剝離膜來形成偏振片卷(圖2的(d))。接著，在切邊壓力機(jī)(clipping press) 中用沖壓件(punch)將偏振片切割(cutting)成各種尺寸(圖2的(e))，以及進(jìn)行檢測和封裝步驟(圖2的(f))。參照圖3的流程圖描述根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的制備偏振片的方法。參照圖3，首先，制備例如PVA膜、第一 TAC膜、第二 TAC膜、保護(hù)膜和剝離膜的原料，并且進(jìn)行清洗和干燥原料的預(yù)處理步驟(Si)。然后，進(jìn)行在PVA膜的一側(cè)上層壓第一 TAC膜并在PVA膜的另一側(cè)上層壓第二 TAC膜的同時拉伸PVA膜的拉伸步驟(S2)。隨后，進(jìn)行用粘合劑涂覆第二 TAC膜的表面并在其上層壓剝離膜，同時將保護(hù)膜層壓在第一 TAC膜的表面上的涂覆和層壓步驟 (S3)。接下來，進(jìn)行在切邊壓力機(jī)中用沖壓件將其剪切(clipping)成各種尺寸的偏振片的沖壓剪切步驟(S4)，以及處理(磨制)每個剪切的偏振片的邊緣的研磨步驟(S5)。隨后， 進(jìn)行用肉眼檢測每個偏振片的檢測步驟(S6)以及進(jìn)行封裝每個產(chǎn)品的封裝步驟(S7)。裝運(yùn)通過上述步驟處理的產(chǎn)品。在沖壓剪切步驟(S4)中，為了在研磨步驟中研磨邊緣，將其剪切成尺寸大于最終
女口
廣 PFt ο但是，由于在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的偏振片的制備方法中用沖壓件剪切偏振片，所以要進(jìn)行加工切割表面的研磨步驟。進(jìn)而，由于在研磨步驟后要用肉眼檢測單個產(chǎn)品，因此該制備方法會花費(fèi)大量時間和成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個目的在于提供一種制備偏振片的方法，該方法簡化了偏振片的剪切和檢測，因而降低了制造成本。本發(fā)明的另一目的在于提供一種制備偏振片的方法，該方法通過改變光的偏振分量的角度，使其以預(yù)定角度相對于偏振片晶格的排列方向傾斜，來改善了偏振片的切割面和偏振片的均勻度。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種制備偏振片的方法，所述方法包括制備、清洗和干燥PVA膜、第一 TAC膜、第二 TAC膜、保護(hù)膜和剝離膜的預(yù)處理步驟；拉伸PVA膜同時在PVA膜的一側(cè)上層壓第一 TAC膜和在PVA膜的另一側(cè)上層壓第二 TAC膜的拉伸步驟；用粘合劑涂覆第二 TAC膜的表面并在其上層壓剝離膜，同時在第一 TAC膜的表面上層壓保護(hù)膜的涂覆和層壓步驟；檢測經(jīng)過了涂覆和層壓步驟的偏振片的檢測步驟；用激光將檢測過的偏振片切割并剪切成單個產(chǎn)品的激光剪切步驟；以及封裝用激光切割后的產(chǎn)品的封裝步馬聚ο所述激光剪切步驟包括在與晶格排列方向平行的方向上剪切偏振片的激光縱切 (laser slitting)步驟，以及通過在與晶格排列方向垂直的方向上切割偏振片來剪切在激光縱切步驟中切割后的偏振片的激光切割步驟。所述激光剪切步驟還可以包括通過在與晶格排列方向垂直的方向上切割偏振片來剪切偏振片的激光切割步驟，以及在與晶格排列方向平行的方向上剪切在激光切割步驟中切割后的偏振片的激光縱切步驟。在所述檢測步驟中，標(biāo)記在激光剪切步驟中要被剪裁(trimmed)的部分，以及在自動檢測偏振片的同時進(jìn)行缺陷標(biāo)記檢測?？梢栽诩す饧羟胁襟E的激光切割步驟前進(jìn)行缺陷標(biāo)記檢測。在激光剪切步驟中，當(dāng)激光束從激光束源中射出時，通過偏振調(diào)節(jié)單元，以相對于偏振片晶格排列方向的偏振旋轉(zhuǎn)角度傾斜在垂直或平行于偏振片切割方向上排列的線性偏振分量，從而剪裁偏振片。激光剪切步驟可以包括在與晶格排列方向(傳送前進(jìn)方向)平行的方向上剪切偏振片的激光縱切步驟，以及通過在與晶格排列方向垂直的方向上切割偏振片而剪切在激光縱切步驟中切割后的偏振片的激光切割步驟，并且在偏振旋轉(zhuǎn)角(α)在士30°至士60° 的范圍內(nèi)的狀態(tài)下剪切偏振片。激光剪切步驟還可以包括通過在與晶格排列方向垂直的方向上切割偏振片來剪切偏振片的激光切割步驟，以及在與晶格排列方向平行的方向上剪切在激光切割步驟中切割后的偏振片的激光縱切步驟，并且在偏振旋轉(zhuǎn)角(α)在士30°至士60°的范圍內(nèi)的狀態(tài)下剪切偏振片。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的制備偏振片的方法，自動檢測偏振片并用激光進(jìn)行標(biāo)記和剪切，從而可以省略研磨步驟。進(jìn)而，由于在用激光切割后立即實(shí)施封裝而略去研磨步驟， 因此能夠減少制造時間和降低制造成本。而且，通過改變偏振分量使其以預(yù)定角度相對于偏振片晶格的排列方向傾斜，可以改善偏振片切割表面的質(zhì)量和偏振片的均勻度。


圖1為表示常規(guī)偏振片的示意圖；圖2為表示制備偏振片的常規(guī)方法的示意圖；圖3為表示根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)制備偏振片的方法的流程圖；圖4為表示根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施方式的制備偏振片的方法的流程圖；圖5為表示用于根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施方式的制備偏振片的方法的RTS激光剪切機(jī)的一個示例的示意圖；圖6為表示用于根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施方式的制備偏振片的方法的RTS激光剪切機(jī)的另一個示例的示意圖；圖7為表示圖5或圖6的RTS激光剪切機(jī)的激光切割單元的示例的示意透視圖；圖8為表示圖7中所示的偏振調(diào)節(jié)單元的詳細(xì)透視圖；圖9為表示在圖8中所示的偏振調(diào)節(jié)單元與激光束之間關(guān)系的詳細(xì)透視圖；圖10和11為表示聚光頭、偏振片和激光束的線性偏振分量的放大透視圖；圖12為表示在晶格排列方向與在激光剪切步驟中發(fā)射的激光束的偏振分量成直角的狀態(tài)下切割偏振片的對比實(shí)施例的示圖；圖13為表示在如圖12所示狀態(tài)下切割的偏振片的切割表面的平面相片；圖14為表示如圖13所示切割的偏振片的切割表面的放大剖面圖；圖15為表示根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施方式通過在激光剪切步驟中發(fā)射的激光束 (具有傾斜45°的偏振分量)切割的偏振片的切割表面的平面相片；圖16為表示如圖15所示切割的偏振片的切割表面的放大剖面圖；圖17為表示根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施方式通過在激光剪切步驟中發(fā)射的激光束 (具有傾斜60°的偏振分量)切割的偏振片的切割表面的平面相片；圖18為表示根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施方式通過在激光剪切步驟中發(fā)射的激光束 (具有傾斜70°的偏振分量)切割的偏振片的切割表面的平面相片。
具體實(shí)施例方式
以下，將參考附圖詳述本發(fā)明的實(shí)施方式。
圖4是顯示了根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施方式的制備偏振片的方法的流程圖。如圖4 所示，制備偏振片的方法包括預(yù)處理步驟(SlO)，即制備、清洗和干燥PVA膜、第一 TAC膜、 第二 TAC膜、保護(hù)膜；拉伸步驟(S20)，即在所述PVA膜的一側(cè)層壓第一 TAC膜并在所述PVA 膜的另一側(cè)層壓第二 TAC膜的同時，拉伸PVA膜；涂覆和層壓步驟(S30)，即在用保護(hù)膜層壓第一 TAC膜的表面的同時，使用粘合劑涂覆所述第二 TAC膜的表面，并在其上層壓剝離膜；檢測步驟(S40)，即檢測經(jīng)過所述涂覆和層壓步驟的偏振片；激光剪切步驟(S50)，即用激光將檢測過的偏振片剪切為單個產(chǎn)品；以及封裝步驟(S70)，即封裝用激光切割后的產(chǎn)
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ΡΠ O在根據(jù)此實(shí)施方式的制備方法的各個步驟進(jìn)行的同時，將偏振片卷繞在卷軸上并從卷軸展開，并通過傳送帶和支撐卷軸傳送。每兩個或每三個步驟可以連續(xù)進(jìn)行，或者，可以連續(xù)進(jìn)行全部步驟。預(yù)處理步驟(SlO)、拉伸步驟(S20)以及涂覆和層壓步驟(S30)與根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的制備偏振片的方法一樣。涂覆和層壓步驟(S30)可以分解為涂覆步驟和層壓步驟。檢測步驟(S40)是使用自動檢測機(jī)對偏振片自動檢測的步驟，并標(biāo)記將要在激光剪切步驟(S50)中剪切的部分，以便激光剪切機(jī)(如下文中所述)進(jìn)行剪切，同時，在激光剪切步驟中區(qū)分無缺陷的產(chǎn)品和有缺陷的產(chǎn)品。激光剪切步驟(S50)包括激光縱切步驟(S52)，即在平行于晶格排列方向的方向 (傳送前進(jìn)方向)上剪切偏振片，以及激光切割步驟(S54)，即在垂直于晶格排列方向的方向上剪切在激光縱切步驟(S52)中切割后的偏振片。所述激光縱切步驟(S52)和激光切割步驟(S54)可以通過單獨(dú)的激光切割機(jī)和剪切機(jī)進(jìn)行，或者通過一個剪切機(jī)進(jìn)行。在此實(shí)施方式中，激光切割步驟(S54)和封裝步驟(S70)是通過使用一個RTS (卷對片(roll to sheet))激光剪切機(jī)進(jìn)行的。而且，激光縱切步驟(S52)是用單獨(dú)的激光剪切機(jī)進(jìn)行的。檢測步驟(S40)的缺陷標(biāo)記檢測是在激光切割步驟(S54)之前在RTS剪切機(jī)中進(jìn)行的。圖5是說明用于本發(fā)明的RTS激光剪切機(jī)的示例的示意圖。如圖5所示，RTS激光剪切機(jī)60包括展開單元61，其裝載了經(jīng)過激光縱切步驟(圖4中的S52)的偏振片卷； 張力調(diào)節(jié)單元(dancer unit)62，其用于在偏振片的停止和運(yùn)動期間進(jìn)行控制以維持張力恒定；進(jìn)給單元(infeed imit)63，其用于以設(shè)定的速度連續(xù)進(jìn)料偏振片，并測定在前進(jìn)方向上尺寸的準(zhǔn)確度；標(biāo)記檢測單元64，其具有連接于其上的攝像感應(yīng)器，以感應(yīng)在檢測步驟(圖4中的S40)中的標(biāo)記部分是否有缺陷標(biāo)記；激光切割單元65，其根據(jù)標(biāo)記線在寬度方向上切割偏振片；傳送帶66，其傳送切割后的偏振片；以及封裝傳送帶67，其用封裝容器封裝通過傳送帶66傳送的偏振片。所述激光切割單元65是用在二氧化碳激光頭中產(chǎn)生的激光束切割偏振片的單元，且由激光切割的偏振片通過傳送帶66和封裝傳送帶67傳送和封裝。因此，與現(xiàn)有技術(shù)不同的是，不需要單獨(dú)的研磨步驟，或在研磨步驟之后的單獨(dú)的檢測步驟。圖6是說明用于本發(fā)明的一個實(shí)施方式的RTS激光剪切機(jī)的另一個示例的示意圖。如圖6所示，RTS激光剪切機(jī)160包括展開單元161，其裝載經(jīng)過激光縱切步驟(圖4 中的S5》的偏振片卷；張力調(diào)節(jié)單元162，其用于在偏振片的停止和運(yùn)動期間進(jìn)行控制以維持張力恒定；進(jìn)給單元163，其用于以設(shè)定的速度連續(xù)進(jìn)料偏振片，并測定在前進(jìn)方向上尺寸的準(zhǔn)確度；標(biāo)記檢測單元164，其通過感應(yīng)在檢測步驟(圖4中的S40)中的標(biāo)記部分是否有缺陷標(biāo)記以進(jìn)行檢測；激光切割單元165，其根據(jù)標(biāo)記線在寬度方向上切割偏振片；測量單元166，其通過在切割前立即使用攝像頭實(shí)時測量正方度和尺寸；激光傳送帶167，其在激光切割期間吸收、固定和運(yùn)送偏振片；傾斜傳送帶168，其在激光切割以后在缺陷標(biāo)記處排出切割廢料；傳送帶169-1，其運(yùn)送切割后的偏振片；運(yùn)送單元169-2，其一片接一片地運(yùn)送切割后的偏振片；以及偏振板負(fù)載單元169-3，其將箱型封裝容器設(shè)置在傳送帶169-1 的下游一側(cè)上，并立即封裝切割后的偏振片。也就是說，本實(shí)施方式的RTS激光剪切機(jī)(圖6)用于通過使用攝像頭實(shí)時測量偏振片的正方度和尺寸，并在激光切割步驟(S54)中切割偏振片，在激光切割步驟(S54)以后通過傾斜傳送帶168排出帶有偏振片缺陷標(biāo)記的切割廢料，并將托架(carriages)(或箱型封裝容器)設(shè)置在傳送帶169-1(其運(yùn)送切割后的偏振片)的下游一側(cè)上，并立即封裝切割后的偏振片或在封裝步驟(S70)中將切割后的偏振片放于托架(或箱型封裝容器)中，以將其運(yùn)送至偏振板附著生產(chǎn)線上，在這里將切割后的偏振片運(yùn)送至附件庫以備用。如圖7和圖8所示，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的制備偏振片的方法中使用的RTS激光剪切機(jī)60 (或160)的激光切割單元65 (或165)包括支架103，激光束源105，聚光頭107， 偏振調(diào)節(jié)單元109，以及激光束變送器(transmitter) 111。在此，支架103構(gòu)成激光切割單元65 (或165)的外殼，并被設(shè)置在生產(chǎn)線上，作為處理要用激光切割單元65 (或165)切割的偏振片110的整個工藝的一部分。為此目的，在圖7所示的示例中通過運(yùn)送裝置113(如沿整個生產(chǎn)線安裝的傳送帶)將偏振片110放入支架103中，從而通過由安裝在支架103上方的聚光頭107發(fā)出的激光束B切割偏振片110。激光束源105是產(chǎn)生將要用于切割偏振片110的激光束B并向聚光頭107提供激光束B的部件，且其可以安裝在支架103的頂板112的一側(cè)上，以使其固定不動或者與頂板 112—起移動。激光束源105的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與常規(guī)激光發(fā)生器相同，因此，省略關(guān)于其內(nèi)部結(jié)構(gòu)的詳細(xì)說明。所述聚光頭107是使由激光束源105發(fā)射的激光束B照射至偏振片110的裝置， 其被裝配成固定在生產(chǎn)線的上游中的頂板112的部分上，或者被安裝成與頂板112 —起移動，或者可相對于頂板112移動，以切割偏振片110。偏振調(diào)節(jié)單元109是改變由激光束源105輸出的激光束B的線性偏振分量的角度的部件，其被安裝成設(shè)置在激光束源105和聚光頭107之間，優(yōu)選地，其被安裝成與激光束源105的輸出側(cè)相鄰，如圖7至9所示，且使由激光束源105輸出的激光束B的線性偏振分量P的角度傾斜，例如，使其相對于法線由垂直狀態(tài)傾斜為預(yù)定的偏振旋轉(zhuǎn)角α，如圖8和圖9所示。在此情況下，偏振旋轉(zhuǎn)角α是激光束B的線性偏振分量P(其與在相對于聚光頭107運(yùn)動時被切割的偏振片110的切割方向成直角或者平行)相對于要被傾斜的偏振片110的晶格L的排列方向旋轉(zhuǎn)的角度，優(yōu)選在士30°至士60°的范圍內(nèi)，且更優(yōu)選在士45°的范圍內(nèi)，如圖7至9所示。如圖12中的對比實(shí)施例所示，當(dāng)由相對于將要被切割的偏振片110移動的聚光頭107發(fā)出的激光束B的線性偏振分量P以所述線性偏振分量P垂直于晶格L的排列方向的狀態(tài)切割偏振片110時，如圖13和圖14所示，切割表面的質(zhì)量較差。據(jù)此，當(dāng)為了去除粘附到偏振片110最外層的膜保護(hù)層而在激光剪切步驟以后將清除膠帶粘附到膜保護(hù)層(保護(hù)膜)上時，由于偏振片110的表面不均勻(如圖14所示)，清除膠帶不能牢固地粘附，因此，不能徹底去除膜保護(hù)層。但是，如果將激光束B的線性偏振分量P相對于晶格的排列方向傾斜45°，就可以顯著地改進(jìn)偏振片切割表面的質(zhì)量，如圖15和圖16所示(本發(fā)明的一個實(shí)施方式)。特別地，當(dāng)偏振旋轉(zhuǎn)角為45°時，可以在不需檢查偏振片的晶格排列方向是否垂直或者平行于切割方向的情況下顯著地改進(jìn)切割表面的質(zhì)量。此外，如圖16所示，由于不僅均勻維持了切割表面，而且均勻維持了與切割表面相鄰的偏振片表面層，因此，特別地，在偏振片具有層疊結(jié)構(gòu)的情況下，當(dāng)將清除膠帶粘附于保護(hù)膜上以剝離形成表面層的保護(hù)膜時，會使所述清除膠帶與保護(hù)膜緊密接觸，且因此， 在剪切以后可以無差錯地用清除膠帶順利去除保護(hù)膜，從而改進(jìn)了工藝效率。切割表面的質(zhì)量取決于線性偏振分量傾斜的角度。當(dāng)偏振旋轉(zhuǎn)角α為45°時，切割表面的質(zhì)量最好，如圖16所示。當(dāng)偏振旋轉(zhuǎn)角α為30°或60°時，切割表面的質(zhì)量在容許限度內(nèi)，如圖17所示。但是，當(dāng)偏振旋轉(zhuǎn)角α小于30°或大于60°時，切割表面的質(zhì)量顯著變差，如圖18所示的在70°的情況下，而且，當(dāng)偏振旋轉(zhuǎn)角α為90°時，切割表面的質(zhì)量最差，如圖14所示。同時，偏振調(diào)節(jié)單元109可以是如圖7中所示的以模塊形式出售的現(xiàn)有偏振調(diào)節(jié)器件，且可以被制造成用于如圖8和圖9所示的使用目的的光學(xué)系統(tǒng)。在此情況下，偏振調(diào)節(jié)單元109包括主反光鏡109a，輔助反光鏡109b和支撐它們的支撐桿109c。所述主反光鏡109a被安裝成與激光束源105的激光束⑶輸出側(cè)相鄰，并反射由激光束源105輸出的激光束B，同時將激光束B旋轉(zhuǎn)偏振旋轉(zhuǎn)角α。在此情況下，激光束B 的旋轉(zhuǎn)應(yīng)該在與激光束B和線性偏振分量P形成的坐標(biāo)平面C相同的平面上進(jìn)行，以免偏離坐標(biāo)平面C。所述輔助反光鏡109b北安裝成與主反光鏡109a相鄰，并被設(shè)置在坐標(biāo)平面C上以反射激光束B，在垂直于坐標(biāo)平面C的方向上，以與主反光鏡109a成預(yù)定的偏振旋轉(zhuǎn)角 α反射。如圖7至圖9所示，激光束變送器111被裝配成將由偏振調(diào)節(jié)單元109輸出的激光束B ( S卩，其中由輔助反光鏡109b反射的偏振分量被傾斜的激光束B)傳送至聚光頭107。 為此目的，多個激光束變送器被安裝在激光束源105和聚光頭107之間，S卩，在偏振調(diào)節(jié)單元109和聚光頭107之間。激光剪切步驟(S50)是用激光束B剪切放置于剪切位置的偏振片110的步驟。如圖7中所示，在與晶格L的排列方向平行或者垂直的方向上切割偏振片110。如圖8和圖9 所示，，的由于用偏振調(diào)節(jié)單元109將激光束B的線性偏振分量P (其在由激光束源105輸出時排列在垂直或平行于偏振片110的切割方向上)相對于偏振片110的晶格L的排列方向旋轉(zhuǎn)了偏振旋轉(zhuǎn)角α，以使其傾斜，所以由激光束源105輸出的激光束B通過主反光鏡 109a反射，同時在由激光束B和線性偏振分量P形成的坐標(biāo)平面C上旋轉(zhuǎn)了偏振旋轉(zhuǎn)角α， 例如45°，且反射激光束B的線性偏振分量P相對于垂直線傾斜了偏振旋轉(zhuǎn)角α。為此目
8的，主反光鏡109a被設(shè)置成與水平線傾斜成偏振旋轉(zhuǎn)角α。隨后，由主反光鏡109a反射的激光束B通過輔助反光鏡109b再次反射，以進(jìn)入到垂直于坐標(biāo)平面C的方向上。因此，如圖9所示，將線性偏振分量P相對于垂直線傾斜了偏振旋轉(zhuǎn)角α。如圖7至圖9所示，將激光束B(其具有以上述方式傾斜了偏振旋轉(zhuǎn)角α的偏振分量P)在包括一個或多個反光鏡的激光束變送器111中反射，以到達(dá)聚光頭107，且當(dāng)激光束B由聚光頭107照射至偏振片110上時，將偏振分量P相對于偏振片110的切割方向傾斜了偏振旋轉(zhuǎn)角α，從而使其相對于偏振片110的晶格L的排列方向傾斜了士 a，S卩，當(dāng)如圖10所示晶格L垂直于切割方向排列時，其被傾斜了 + α，當(dāng)如圖11所示晶格L平行于切割方向排列時，其被傾斜了-α。當(dāng)激光剪切步驟(S50)由激光縱切步驟(S52)和激光切割步驟(S54)組成時，在所述激光縱切步驟(S5》中，在通過拉伸延長的晶格L的縱向(即與晶格L的排列方向平行的方向)上切割拉伸后的偏振片110，相反，在所述激光切割步驟(S54)中，在與晶格L的排列方向垂直的方向上切割已經(jīng)在與晶格L的排列方向平行的方向上切割過的偏振片110。同時，雖然未單獨(dú)顯示，在激光剪切步驟(S50)中，激光切割步驟(S54)可以先于激光縱切步驟(S52)進(jìn)行。在此情況下，在所述激光切割步驟(S54)中，首先在與晶格L的排列方向垂直的方向上切割偏振片110，而在隨后的激光縱切步驟(S52)中，在與晶格L的排列方向平行的方向上切割已經(jīng)在激光切割步驟(SM)中切割過的偏振片110。雖然參考目前被認(rèn)為是可行的實(shí)施方式已經(jīng)描述了本發(fā)明，但是，應(yīng)當(dāng)理解的是， 本發(fā)明并不限于所公開的實(shí)施方式，相反，本發(fā)明意圖涵蓋包含在所附的權(quán)利要求的實(shí)質(zhì)和范圍內(nèi)的各種變化方式和等同配置。因此，本發(fā)明的實(shí)際的技術(shù)保護(hù)范圍須通過所附權(quán)利要求的實(shí)質(zhì)來確定。
權(quán)利要求
1.一種制備偏振片的方法，該方法包括制備、清洗并干燥PVA膜、第一 TAC膜、第二 TAC膜、保護(hù)膜和剝離膜的預(yù)處理步驟；拉伸PVA膜同時在PAV膜的一側(cè)上層壓第一 TAC膜和在PAV膜的另一側(cè)上層壓第二 TAC膜的拉伸步驟；通過在第二 TAC膜的表面上涂覆粘合劑并在其上層壓剝離膜，同時在第一 TAC膜的表面上層壓保護(hù)膜，從而形成偏振片的涂覆和層壓步驟；檢測偏振片的檢測步驟；將檢測過的偏振片用激光剪切成為單個產(chǎn)品的激光剪切步驟；以及封裝用激光切割后的產(chǎn)品的封裝步驟。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備偏振片的方法，其特征在于，所述激光剪切步驟包括在與晶格排列方向平行的方向上縱切偏振片的激光縱切步驟，和在與晶格排列方向垂直的方向上切割縱切后的偏振片的激光切割步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備偏振片的方法，其特征在于，所述激光剪切步驟包括在與晶格排列方向垂直的方向上切割偏振片的激光切割步驟，和在與晶格排列方向平行的方向上縱切切割后的偏振片的激光縱切步驟。
4.根據(jù)權(quán)利要求2和3中任意一項(xiàng)所述的制備偏振片的方法，其特征在于，所述檢測步驟包括在激光剪切步驟中標(biāo)記要被剪切的部分，和在自動檢測偏振片的同時進(jìn)行缺陷標(biāo)記檢測。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備偏振片的方法，其特征在于，在激光切割步驟前進(jìn)行缺陷標(biāo)記檢測。
6.根據(jù)權(quán)利要求2或3中所述的制備偏振片的方法，其特征在于，所述激光切割步驟包括在切割前立即實(shí)時測量偏振片的正方度和尺寸。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備偏振片的方法，其特征在于，在激光切割步驟后排出在缺陷標(biāo)記處的切割廢料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備偏振片的方法，其特征在于，所述封裝步驟為在傳送帶的下游側(cè)立即封裝切割后的偏振片。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備偏振片的方法，其特征在于，在激光剪切步驟中，通過用偏振調(diào)節(jié)單元將當(dāng)激光束從激光束源中射出時垂直或平行于偏振片的切割方向排列的線性偏振分量相對于偏振片的晶格排列方向傾斜偏振旋轉(zhuǎn)角度，來剪切偏振片。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備偏振片的方法，其特征在于，激光剪切步驟包括在與晶格排列方向平行的方向(傳送前進(jìn)方向)上剪切偏振片的激光縱切步驟，以及通過在與晶格排列方向垂直的方向上切割偏振片而剪切在激光縱切步驟中切割后的偏振片的激光切割步驟，并且在偏振旋轉(zhuǎn)角(α)在士30°至士60°的范圍內(nèi)的狀態(tài)下剪切偏振片。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備偏振片的方法，其特征在于，激光剪切步驟包括通過在與晶格排列方向垂直的方向上切割偏振片來剪切偏振片的激光切割步驟，以及在與晶格排列方向平行的方向上剪切在激光切割步驟中切割后的偏振片的激光縱切步驟，并且在偏振旋轉(zhuǎn)角(α)在士30°至士60°的范圍內(nèi)的狀態(tài)下剪切偏振片。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種制備偏振片的方法，該方法包括制備、清洗并干燥PVA膜、第一TAC膜、第二TAC膜、保護(hù)膜和剝離膜；拉伸PVA膜同時層壓第一TAC膜、PVA膜和第二TAC膜；通過在第二TAC膜的表面上涂覆粘合劑并在其上層壓剝離膜，同時在第一TAC膜的表面上層壓保護(hù)膜，從而形成偏振片；檢測偏振片；將檢測過的偏振片用激光切割并剪切成為單個產(chǎn)品；以及封裝用激光切割后的產(chǎn)品。根據(jù)所述偏振片的制備方法，可以通過簡化偏振片的剪切和檢測來降低制造成本，并且改善了偏振片切割表面的質(zhì)量和偏振片的均勻度。
文檔編號G02B5/30GK102405426SQ201080002237
公開日2012年4月4日 申請日期2010年6月23日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月28日
發(fā)明者張應(yīng)鎮(zhèn), 樸鐘奭, 李世镕, 高蓮鎬, 黃晉燮 申請人:Lg化學(xué)株式會社, Ns有限公司