專利名稱：陣列基板及液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及液晶顯示技術(shù)，尤其涉及一種陣列基板及液晶顯示器。
背景技術(shù)：
液晶顯示器是目前常用的平板顯示器，其中薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，簡稱TFT-LCD)由于具有體積小、功耗低、無輻射等優(yōu)點(diǎn)，而成為液晶顯示器中的主流產(chǎn)品。通常TFT-LCD包括液晶面板、驅(qū)動電路和背光源。 液晶面板是TFT-LCD中的主要部件，由陣列基板和彩膜基板對盒而成，其間填充有液晶層； 通過控制驅(qū)動電路提供的電壓使液晶分子有序發(fā)生偏轉(zhuǎn)，產(chǎn)生光的明暗變化，其中電壓的控制是由薄膜晶體管完成的?，F(xiàn)有陣列基板的結(jié)構(gòu)包括襯底基板，襯底基板上形成有縱橫交叉的數(shù)據(jù)線和柵線，數(shù)據(jù)線和柵線圍設(shè)形成矩陣形式排列的像素單元；每個像素單元包括TFT開關(guān)和像素電極；TFT開關(guān)包括柵電極、源電極、漏電極和有源層；柵電極連接?xùn)啪€，源電極連接數(shù)據(jù)線，漏電極連接像素電極，有源層形成在源電極和漏電極與柵電極之間。其中，數(shù)據(jù)線、柵線、TFT開關(guān)的柵電極、源電極、漏電極和有源層，以及像素電極可統(tǒng)稱為導(dǎo)電圖案。為保持各導(dǎo)電圖案的絕緣，可將同層設(shè)置的導(dǎo)電圖案間隔設(shè)置，或通過絕緣層間隔異層設(shè)置導(dǎo)電圖案，例如，柵線和柵電極上覆蓋柵極絕緣層，與TFT開關(guān)和數(shù)據(jù)線保持絕緣；TFT開關(guān)和數(shù)據(jù)線上覆蓋有鈍化層，與像素電極保持絕緣，像素電極可通過鈍化層過孔與漏電極相連。上述陣列基板的結(jié)構(gòu)是通過若干次薄膜沉積和光刻工藝形成圖案來完成的，一次光刻工藝形成一層圖案。要形成一層圖案，首先要在襯底基板上沉積一層薄膜；然后在薄膜表面涂覆一層光敏材料，通過掩膜板對光敏材料進(jìn)行曝光顯影；然后通過光刻工藝進(jìn)行刻蝕形成最終圖案；最后，將光敏感材料剝離，并形成下一層薄膜圖案。其中，每一層圖案都要在精確的位置準(zhǔn)確的罩在另一層圖案上；每層圖案可以具有相同或不同的材料，且厚度一般為幾百納米到幾個微米。通常，在陣列基板的制造過程中所用掩膜板的數(shù)量和次數(shù)越少，生產(chǎn)效率越高，生產(chǎn)成本就越低。目前，陣列基板的制作工藝已經(jīng)由原來的七次光刻工藝發(fā)展到四次光刻工藝，甚至還有少數(shù)廠商已經(jīng)開始使用三次光刻工藝。其中，為了減少光刻工藝的次數(shù)，一般采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩膜板，通過一次光刻工藝同時形成包括多個結(jié)構(gòu)的圖案。而通過一次光刻工藝將透明像素電極與其他圖案層一次成型是比較常見的工藝，例如通過一次光刻工藝同時形成透明像素電極和柵電極，或者同時形成透明像素電極和源電極與漏電極等。上述一次光刻工藝同時形成透明像素電極和柵電極，或透明像素電極和源電極與漏電極的過程一般是先沉積透明像素薄膜，然后在透明像素薄膜上直接沉積柵金屬薄膜或者源漏金屬薄膜；在上述薄膜上涂覆光刻膠，并經(jīng)曝光顯影形成光刻膠圖案；接下來，進(jìn)行刻蝕、灰化以及再刻蝕操作，并最終形成包括透明像素電極和柵電極，或者包括透明像素電極和源電極與漏電極的圖案。通常，業(yè)界會選擇透光性較好的氧化銦錫andium Tin Oxides ；簡稱為ΙΤ0)作為透明像素電極。根據(jù)ITO的制作工藝，ITO可分為非晶ITO和多晶ΙΤ0。而由于非晶ITO可以在常溫下制作，且具有制作工藝簡單、刻蝕速度快、生產(chǎn)效率高等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛采用。但是，在上述刻蝕過程中的高溫工藝或者退火工藝的作用下，非晶ITO會轉(zhuǎn)變成多晶ΙΤ0，透明像素薄膜的應(yīng)力也會由非晶ITO的壓應(yīng)力變?yōu)槎嗑TO的張應(yīng)力。透明像素薄膜應(yīng)力的改變往往會導(dǎo)致與相鄰薄膜間產(chǎn)生縫隙，即透明像素薄膜和柵金屬薄膜間，或者透明像素薄膜和源漏金屬薄膜間會產(chǎn)生縫隙，使柵金屬薄膜或源漏金屬薄膜與透明像素薄膜的粘附性變差，使最終形成的柵線、柵電極或源電極、漏電極易發(fā)生脫落，產(chǎn)生TFT的不良。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型提供一種陣列基板及液晶顯示器，以解決現(xiàn)有陣列基板中因制造過程中柵金屬薄膜或源漏金屬薄膜與透明像素薄膜間產(chǎn)生縫隙而導(dǎo)致的柵線、柵電極或源電極、漏電極易發(fā)生脫落的問題，以提高陣列基板的性能。本實(shí)用新型提供一種陣列基板，包括襯底基板，所述襯底基板上形成有導(dǎo)電圖案和絕緣層，所述絕緣層至少包括像素薄膜緩沖層，形成于像素電極和與所述像素電極相鄰的導(dǎo)電圖案之間。 如上所述陣列基板，其中，所述導(dǎo)電圖案和絕緣層還包括所述像素電極與柵線和柵電極；所述像素薄膜緩沖層，形成于所述像素電極與所述柵線和柵電極之間。如上所述陣列基板，其中，所述像素電極，形成在所述襯底基板上；所述柵線和柵電極，形成在所述像素薄膜緩沖層上；所述像素電極、所述像素薄膜緩沖層與所述柵線和柵電極一次成型。如上所述陣列基板，其中，所述導(dǎo)電圖案和絕緣層還包括柵絕緣層，形成于所述柵線和柵電極上方且覆蓋所述襯底基板；第一接觸過孔，形成于所述像素薄膜緩沖層和所述柵絕緣層上，且貫穿所述像素薄膜緩沖層和所述柵絕緣層；數(shù)據(jù)線，形成在所述柵絕緣層上；源電極和漏電極，形成在所述柵絕緣層上，所述漏電極通過所述第一接觸過孔與所述像素電極連接；有源層，形成于所述源電極和漏電極之上，并與所述源電極和漏電極連接；鈍化層，形成在所述有源層、所述源電極和漏電極上方且覆蓋所述襯底基板。如上所述陣列基板，其中，所述導(dǎo)電圖案和絕緣層還包括所述像素電極與漏電極；所述像素薄膜緩沖層，形成于所述像素電極與所述漏電極之間，且所述像素薄膜緩沖層上形成有第二接觸過孔；所述漏電極通過所述第二接觸過孔與所述像素電極連接。如上所述陣列基板，其中，所述漏電極，形成于所述像素薄膜緩沖層上方；所述像素薄膜緩沖層，形成于所述像素電極上方；所述像素電極、所述像素薄膜緩沖層和所述第二接觸過孔一次成型。如上所述陣列基板，其中，所述導(dǎo)電圖案和絕緣層還包括柵線和柵電極，形成在所述襯底基板上；柵絕緣層，形成于所述柵線和柵電極之上；有源層，形成于源電極和所述漏電極之上，并與所述源電極和所述漏電極連接；鈍化層，形成于所述有源層、所述源電極和所述漏電極上且覆蓋所述襯底基板；所述像素電極形成在所述柵絕緣層上。如上所述陣列基板，其中，所述像素薄膜緩沖層為厚度為1000 4000 A的無機(jī)絕緣層。
4[0018]如上所述陣列基板，其中，所述像素薄膜緩沖層為厚度為1500 5000 A的有機(jī)
絕緣層。本實(shí)用新型提供一種液晶顯示器，包括本實(shí)用新型提供的任一陣列基板。本實(shí)用新型提供的陣列基板及液晶顯示器，采用在像素電極和與像素電極相鄰的導(dǎo)電圖案之間設(shè)置像素薄膜緩沖層的技術(shù)方案，通過像素薄膜緩沖層的緩沖作用避免了陣列基板制造過程中透明像素電極薄膜發(fā)生應(yīng)力變化時，在像素電極和與像素電極相鄰的導(dǎo)電圖案之間形成縫隙，增加像素電極與其相鄰導(dǎo)電圖案之間的粘附性，解決相鄰導(dǎo)電圖案因與像素電極之間產(chǎn)生縫隙而在后續(xù)出現(xiàn)易于脫落的問題，并最終提高了陣列基板的性能。

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖2A為本實(shí)用新型實(shí)施例二提供的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖2B為圖2A中沿A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖2C為本實(shí)用新型實(shí)施例二的陣列基板的制作方法的流程圖；圖3A為本實(shí)用新型實(shí)施例三提供的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖;3B為圖3A中沿A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖3C為本實(shí)用新型實(shí)施例三的陣列基板的制作方法的流程圖。附圖標(biāo)記1-襯底基板；2-柵線；3-柵電極；[0030]4-柵絕緣層；5-數(shù)據(jù)線；6-有源層；[0031]7-源電極；8-漏電極；9-鈍化層；[0032] ο-第一接觸過孔；11-像素電極；20-像素薄膜緩沖層[0033]30-第二接觸過孔。
具體實(shí)施方式
為使本實(shí)用新型實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。實(shí)施例一圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，本實(shí)施例提供的陣列基板包括襯底基板1，襯底基板1上形成有導(dǎo)電圖案和絕緣層；其中，導(dǎo)電圖案包括數(shù)據(jù)線5、柵線2、TFT開關(guān)的柵電極3、源電極7、漏電極8和有源層6，以及像素電極11。其中，數(shù)據(jù)線5和柵線2縱橫交叉，圍設(shè)形成像素單元。像素單元包括TFT 開關(guān)和像素電極11 ；本實(shí)施例的絕緣層至少包括像素薄膜緩沖層(在圖1中未示出)，該像素薄膜緩沖層形成于像素電極11和與像素電極11相鄰的導(dǎo)電圖案之間，避免了在陣列基板制作過程中因像素電極薄膜的應(yīng)力變化使像素電極11和與像素電極11相鄰的導(dǎo)電圖案之間產(chǎn)生縫隙。當(dāng)像素電極的材料為非晶ITO時，由于在陣列基板的制作過程中，非晶ITO會因高溫工藝或者退火工藝的影響而變?yōu)槎嗑Е│?，使得透明像素薄膜的應(yīng)力由張應(yīng)力變?yōu)閴簯?yīng)力，導(dǎo)致其與其相鄰薄膜之間產(chǎn)生縫隙，降低透明像素薄膜與其相鄰薄膜之間的粘附力，并最終導(dǎo)致所形成的像素電極和像素電極相鄰的導(dǎo)電圖案之間的粘附力變差，相鄰導(dǎo)電圖案易于與像素電極發(fā)生脫落，產(chǎn)生TFT不良。本實(shí)施例的陣列基板，通過在陣列基板的制作工藝中形成設(shè)置于像素電極與其相鄰導(dǎo)電圖案之間的像素薄膜緩沖層，通過像素薄膜緩沖層的緩沖作用避免像素電極因應(yīng)力改變而在其與其相鄰導(dǎo)電圖案之間產(chǎn)生縫隙，克服了現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，保證了像素電極和與像素電極相鄰導(dǎo)電圖案之間的粘附力，提高了 TFT的良率。在上述技術(shù)方案中，對像素薄膜緩沖層的材料并不做限制。像素薄膜緩沖層可以采用有機(jī)絕緣材料也可以采用無機(jī)絕緣材料。其中，若為有機(jī)絕緣材料，例如可以采用苯并環(huán)丁烯樹脂(BCB)，其厚度通常為1500 5000 A ；若采用無機(jī)絕緣材料，例如可以采用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，其對應(yīng)的反應(yīng)氣體可以為硅烷(SiH4)，氨氣(NH3),氮?dú)?N2) 或二氯氫硅(SiH2Cl2)，氨氣(NH3),氮?dú)?N2),其厚度可以為1000 4000 A。進(jìn)一步，結(jié)合現(xiàn)有技術(shù)中為減少光刻工藝，最為常見的通過一次光刻工藝同時形成透明像素電極和柵電極，或者同時形成透明像素電極和源電極與漏電極的制作工藝，本實(shí)施例提供的陣列基板中的像素薄膜緩沖層設(shè)置于像素電極與柵線和柵電極之間，或者設(shè)置于像素電極與源電極和漏電極之間，并覆蓋整個襯底基板。下面實(shí)施例基于上述技術(shù)方案，將分別針對上述兩種情況來說明本實(shí)用新型陣列基板的結(jié)構(gòu)以及制造方法。實(shí)施例二圖2A為本實(shí)用新型實(shí)施例二提供的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖。圖2B為圖 2A中沿A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2A和圖2B所示，本實(shí)施例的陣列基板包括襯底基板1，襯底基板1上形成像素電極11、像素薄膜緩沖層20、柵線2、數(shù)據(jù)線5、柵電極3、 柵絕緣層4、有源層6、源電極7、漏電極8、鈍化層9和第一接觸過孔10。其中，像素電極11直接形成于襯底基板1上，像素薄膜緩沖層20形成在像素電極 11之上；柵線2和柵電極3形成在像素薄膜緩沖層20上；為了簡化制造工藝，像素電極11、 像素薄膜緩沖層20與柵線2和柵電極3可一次成型，即通過一次構(gòu)圖工藝同時形成像素電極U、像素薄膜緩沖層20與柵線2和柵電極3。進(jìn)一步，本實(shí)施例的陣列基板還包括柵絕緣層4、第一接觸過孔10、數(shù)據(jù)線5、有源層6、源電極7、漏電極8和鈍化層9。其中，柵絕緣層4形成在柵線2和柵電極3之上； 第一接觸過孔10形成在柵絕緣層4和像素薄膜緩沖層20上，并貫穿柵絕緣層4和像素薄膜緩沖層20，露出部分像素電極11。數(shù)據(jù)線5形成在柵絕緣層4上；有源層6、源電極7和漏電極8形成在柵絕緣層4上，其中，有源層6形成于源電極7和漏電極8之上，并分別與源電極7和漏電極8連接，以形成TFT溝道，源電極7與數(shù)據(jù)線5連接，漏電極8通過第一接觸過孔10與像素電極11連接。鈍化層9形成在有源層6、源電極7和漏電極8上方且覆蓋襯底基板1，即鈍化層9覆蓋襯底基板1上的所有圖案。本實(shí)施例的陣列基板，在像素電極與柵線和柵電極之間設(shè)置有像素薄膜緩沖層， 該結(jié)構(gòu)可以避免像素電極與柵線和柵電極之間產(chǎn)生縫隙，可以保證像素電極與柵線和柵電
6極之間的粘附力，防止柵線和柵電極發(fā)生脫落，進(jìn)而保證了 TFT的良率。圖2C為本實(shí)用新型實(shí)施例二的陣列基板的制作方法的流程圖。如圖2C所示，本實(shí)施例的陣列基板的制作流程包括步驟201，在襯底基板上，通過濺射或熱蒸發(fā)的方法沉積厚度約為300 1000 A 的透明像素薄膜，該透明像素薄膜的材料為非晶ΙΤ0。其中襯底基板通常為透明玻璃基板或
者石英。步驟202，采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(Plasma Chemical VaporDeposition ； 簡稱為PECVD)方法在透明像素薄膜上沉積厚度約為1000 4000 A的無機(jī)絕緣層薄膜， 或者通過旋涂方式涂敷厚度為1500 5000 A的有機(jī)絕緣層薄膜；上述有機(jī)絕緣層薄膜或無機(jī)絕緣層薄膜用以形成本實(shí)施例中的像素薄膜緩沖層。步驟203，在上述薄膜上采用濺射或熱蒸發(fā)的方法沉積上厚度約為3000 5000 A的柵金屬薄膜，其中，柵金屬薄膜可以選用鉻(Cr)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉬(Mo)等金屬或合金，其可以為單層結(jié)構(gòu)，也可以是由多層金屬組成多層結(jié)構(gòu)。步驟204，通過構(gòu)圖工藝對上述薄膜進(jìn)行構(gòu)圖，形成包括柵線、柵電極、像素薄膜緩沖層和像素電極的圖案。步驟205，在形成上述圖案的襯底基板上，采用PECVD方法沉積厚度約為3000 5000 A的柵絕緣層薄膜；其中，柵絕緣層薄膜可以采用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，其中在PECVD過程中所使用的反應(yīng)氣體可以為SiH4, NH3, N2或SiH2Cl2, NH3。 步驟206，通過構(gòu)圖工藝對上述薄膜進(jìn)行構(gòu)圖，形成包括柵絕緣層和第一接觸過孔的圖案；所述第一接觸過孔貫穿柵絕緣層和像素薄膜緩沖層，并露出部分像素電極。步驟207，在形成上述圖案的襯底基板上，采用濺射或熱蒸發(fā)方法沉積一層厚度約為2000 4000 A的源漏金屬薄膜；其中，該源漏金屬薄膜可以為鉻(Cr)、鎢(W)、鈦(Ti)、 鉭(Ta)、鉬(Mo)等金屬和合金，且其可以是一種單層結(jié)構(gòu)，也可以是一種多層結(jié)構(gòu)。步驟208、通過構(gòu)圖工藝對上述薄膜進(jìn)行構(gòu)圖，形成包括數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖案；其中，漏電極通過第一接觸過孔與像素電極連接。步驟209，在形成上述圖案的襯底基板上，采用濺射方法沉積一層厚度為300 1500 A的有源層薄膜；有源層薄膜通常為金屬氧化物半導(dǎo)體，可以選用非晶氧化銦鎵鋅 (a-IGZO)，也可以選用其他的金屬氧化物半導(dǎo)體材料。步驟210，通過構(gòu)圖工藝對上述薄膜進(jìn)行構(gòu)圖，形成包括有源層的圖案；其中，金屬氧化物半導(dǎo)體層放置在源電極和漏電極之上，在形成源電極和漏電極之后通過構(gòu)圖工藝形成有源層，避免了形成源電極和漏電極圖案時對金屬氧化物半導(dǎo)體層的損傷，有利于提高TFT的特性。步驟211，在形成上述圖案的襯底基板上，采用PECVD方法連續(xù)沉積一層厚度為 1000 4000 A約鈍化層薄膜，形成覆蓋整個襯底基板的鈍化層。通過上述步驟可形成本實(shí)施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)，但并不限于此，也可以采用其他制造工藝形成本實(shí)施例陣列基板的結(jié)構(gòu)。其中，上述構(gòu)圖工藝包括在薄膜上涂覆光刻膠、利用掩膜板對光刻膠進(jìn)行曝光顯影形成光刻膠圖案、對光刻膠圖案進(jìn)行刻蝕，以及去除剩余光刻膠以形成上述各步驟中的圖案。由于構(gòu)圖工藝為本領(lǐng)域技術(shù)人員的公知常識，且本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)本實(shí)施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)，理解并實(shí)現(xiàn)該構(gòu)圖工藝的過程，因此，本實(shí)施例不再贅述。本實(shí)施例的陣列基板，通過在制作過程中在透明像素薄膜和柵金屬薄膜之間沉積有機(jī)絕緣層薄膜或無機(jī)絕緣層薄膜，以對透明像素薄膜因受高溫或退火工藝的影響而發(fā)生應(yīng)力轉(zhuǎn)變時產(chǎn)生的縫隙進(jìn)行緩沖，保證了透明像素薄膜和柵金屬薄膜之間沒有縫隙，保證柵金屬薄膜與透明像素薄膜之間的粘附力，防止柵金屬薄膜發(fā)生脫落，進(jìn)而使得本實(shí)施例的陣列基板具有較高的良率。實(shí)施例三圖3A為本實(shí)用新型實(shí)施例三提供的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖。圖IBB為圖3A中沿A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3A和圖:3B所示，本實(shí)施例的陣列基板包括襯底基板1，襯底基板1上形成有柵線2、柵電極3、柵絕緣層4、有源層6、像素電極11、像素薄膜緩沖層20、源電極7、漏電極8、數(shù)據(jù)線5和鈍化層9。其中，像素薄膜緩沖層20形成于像素電極11與漏電極8之間；具體的像素電極11 位于像素薄膜緩沖層20下方，漏電極8形成于像素薄膜緩沖層20上方，且像素薄膜緩沖層上形成有第二接觸過孔30，漏電極8通過第二接觸過孔30與像素電極11連接。進(jìn)一步，在本實(shí)施例的陣列基板中，柵線2和柵電極3直接形成在襯底基板1上； 柵絕緣層4形成在柵線2和柵電極3上方且覆蓋襯底基板1 ；像素電極11形成在柵絕緣層 4上；有源層6形成在源電極7和漏電極8之上并分別與源電極7和漏電極8連接，以形成 TFT溝道；其中，數(shù)據(jù)線5與源電極7和漏電極8同層形成。鈍化層9覆蓋于形成數(shù)據(jù)線5、 源電極7和漏電極8等圖案的襯底基板1上。本實(shí)施例的陣列基板，在像素電極和漏電極之間設(shè)置有像素薄膜緩沖層。該像素薄膜緩沖層在陣列基板的制作過程中，可以對透明像素薄膜因高溫或退火工藝影響轉(zhuǎn)變應(yīng)力而產(chǎn)生的縫隙進(jìn)行緩沖，使得透明像素薄膜與源漏金屬薄膜之間沒有縫隙，保證源漏金屬薄膜與透明像素薄膜之間的粘附力，進(jìn)而使形成的漏電極與像素電極不易脫落，提高了本實(shí)施例陣列基板的良率。圖3C為本實(shí)用新型實(shí)施例三的陣列基板的制作方法的流程圖。如圖3C所示，該制作方法具體包括步驟301，在襯底基板上采用濺射或熱蒸發(fā)的方法沉積一層厚度約為1500 5000 A的柵金屬薄膜。其中，襯底基板可以為透明玻璃基板或者石英基板。柵金屬薄膜可以使用一種材料，例如鉻(Cr)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)等金屬或合金；也可以使用由多層金屬組合成的材料。步驟302，通過構(gòu)圖工藝對上述柵金屬薄膜進(jìn)行構(gòu)圖，形成包括柵線和柵電極的圖案。步驟303，在形成上述圖案的襯底基板上，采用PECVD方法連續(xù)沉積一層厚度約為 3000 5000 A的柵絕緣層薄膜，接著通過濺射或熱蒸發(fā)的方法沉積厚度約為300 1000 A的透明像素薄膜，即非晶ITO ；其中，柵絕緣層薄膜可以采用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，其中在PECVD過程中所使用的反應(yīng)氣體可以為SiH4, NH3, N2或S^Cl2, NH3。步驟304，在非晶ITO上，通過PECVD方法沉積一層厚度為1000 4000 A的無機(jī)絕緣層薄膜，或者旋涂方式涂敷厚度為1500 5000 A —層有機(jī)絕緣層薄膜；步驟305，通過構(gòu)圖工藝對上述薄膜進(jìn)行構(gòu)圖，形成包括柵絕緣層、像素電極、像素
8薄膜緩沖層和第二接觸過孔的圖案；步驟306，在形成上述圖案的襯底基板上，采用濺射或熱蒸發(fā)的方法沉積厚度為 3000 5000 A的源漏金屬薄膜；其中，源漏金屬薄膜可以選用鉻(Cr)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉭 (Ta)、鉬(Mo)等金屬或合金，其可以為單層結(jié)構(gòu)也可以是由多層金屬組成的多層結(jié)構(gòu)。步驟307、通過構(gòu)圖工藝對上述薄膜進(jìn)行構(gòu)圖，形成包括數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極的圖案；其中，漏電極通過第二接觸過孔和像素電極連接。步驟308，在形成上述圖案的襯底基板上，采用濺射方法沉積一層有源層薄膜；其中，有源層薄膜可以由厚度為1000 3000 A的半導(dǎo)體層薄膜和厚度為1000 3000 A 的歐姆接觸層薄膜組成。有源層薄膜通常為金屬氧化物半導(dǎo)體，可以選用非晶氧化銦鎵鋅 (a-IGZO)，也可以選用其他的金屬氧化物半導(dǎo)體材料。步驟309，通過構(gòu)圖工藝對上述薄膜進(jìn)行構(gòu)圖，形成包括有源層的圖案；其中，金屬氧化半導(dǎo)體層放置在源電極和漏電極之上，在形成源電極和漏電極之后通過構(gòu)圖工藝形成有源層，避免了形成源電極和漏電極圖案時對金屬氧化物半導(dǎo)體層的損傷，有利于提高 TFT的特性。步驟310，在形成上述圖案的襯底基板上，通過PECVD方法連續(xù)沉積一層厚度為 1000 4000 A的鈍化層薄膜，以形成覆蓋整個襯底基板的鈍化層。其中，鈍化層薄膜可以采用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，其中在PECVD過程中所使用的反應(yīng)氣體可以為SiH4, NH3, N2 或 SiH2Cl2, NH3O其中，上述構(gòu)圖工藝包括在薄膜上涂覆光刻膠、利用掩膜板對光刻膠進(jìn)行曝光顯影形成光刻膠圖案、對光刻膠圖案進(jìn)行刻蝕，以及去除剩余光刻膠以形成上述各步驟中的圖案。由于構(gòu)圖工藝為本領(lǐng)域技術(shù)人員的公知常識，且本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)本實(shí)施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)，理解并實(shí)現(xiàn)該構(gòu)圖工藝的過程，因此，本實(shí)施例不再贅述。通過上述步驟可形成本實(shí)施例的陣列基板，但并不限于此，也可以采用其他制造工藝形成本實(shí)施例的陣列基板結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例的陣列基板，通過在制作過程中在透明像素薄膜和源漏金屬薄膜之間沉積有機(jī)絕緣層薄膜或無機(jī)絕緣層薄膜，以對透明像素薄膜因受高溫或退火工藝的影響而發(fā)生應(yīng)力轉(zhuǎn)變時產(chǎn)生的縫隙進(jìn)行緩沖，保證了透明像素薄膜和源漏金屬薄膜之間沒有縫隙， 保證源漏金屬薄膜與透明像素薄膜之間的粘附力，防止源漏金屬薄膜發(fā)生脫落，進(jìn)而使得本實(shí)施例的陣列基板具有較高的良率。實(shí)施四本實(shí)用新型實(shí)施例三提供一種液晶顯示器，包括外框架、液晶面板和驅(qū)動電路等部件。其中液晶面板是由彩膜基板和本實(shí)用新型提供的陣列基板對盒而成，并在其間填充有液晶層。且其中的陣列基板可采以用本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板。其中關(guān)于陣列基板的結(jié)構(gòu)以及制造陣列基板的方法流程在本實(shí)施例中不再詳細(xì)論述，可以詳見本實(shí)用新型上述實(shí)施例。綜上所述，本實(shí)用新型的液晶顯示器由于具有本實(shí)用新型提供的陣列基板，因此， 同樣具有性能較好的優(yōu)點(diǎn)。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述方法實(shí)施例的全部或部分步驟可以通過程序指令相關(guān)的硬件來完成，前述的程序可以存儲于一計(jì)算機(jī)可讀取存儲介質(zhì)中，該程序
9在執(zhí)行時，執(zhí)行包括上述方法實(shí)施例的步驟；而前述的存儲介質(zhì)包括R0M、RAM、磁碟或者光盤等各種可以存儲程序代碼的介質(zhì)。 最后應(yīng)說明的是以上實(shí)施例僅用以說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案，而非對其限制； 盡管參照前述實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解: 其依然可以對前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本實(shí)用新型各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求1.一種陣列基板，包括襯底基板，所述襯底基板上形成有導(dǎo)電圖案和絕緣層，其特征在于，所述絕緣層至少包括像素薄膜緩沖層，形成于像素電極和與所述像素電極相鄰的導(dǎo)電圖案之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述導(dǎo)電圖案和絕緣層還包括所述像素電極與柵線和柵電極；所述像素薄膜緩沖層，形成于所述像素電極與所述柵線和柵電極之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于 所述像素電極，形成在所述襯底基板上；所述柵線和柵電極，形成在所述像素薄膜緩沖層上；所述像素電極、所述像素薄膜緩沖層與所述柵線和柵電極一次成型。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述導(dǎo)電圖案和絕緣層還包括 柵絕緣層，形成在所述柵線和柵電極上方且覆蓋所述襯底基板；第一接觸過孔，形成于所述像素薄膜緩沖層和所述柵絕緣層上，且貫穿所述像素薄膜緩沖層和所述柵絕緣層；數(shù)據(jù)線，形成在所述柵絕緣層上；源電極和漏電極，形成在所述柵絕緣層上，所述漏電極通過所述第一接觸過孔與所述像素電極連接；有源層，形成于所述源電極和漏電極之上，并與所述源電極和漏電極連接； 鈍化層，形成在所述有源層、所述源電極和漏電極上方且覆蓋所述襯底基板。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述導(dǎo)電圖案和絕緣層還包括所述像素電極與漏電極；所述像素薄膜緩沖層，形成于所述像素電極與所述漏電極之間，且所述像素薄膜緩沖層上形成有第二接觸過孔；所述漏電極通過所述第二接觸過孔與所述像素電極連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于 所述漏電極，形成于所述像素薄膜緩沖層上方； 所述像素薄膜緩沖層，形成于所述像素電極上方；所述像素電極、所述像素薄膜緩沖層和所述第二接觸過孔一次成型。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述導(dǎo)電圖案和絕緣層還包括 柵線和柵電極，形成在所述襯底基板上；柵絕緣層，形成于所述柵線和柵電極之上；有源層，形成于源電極和所述漏電極之上，并與所述源電極和所述漏電極連接； 鈍化層，形成于所述有源層、所述源電極和所述漏電極上且覆蓋所述襯底基板； 所述像素電極形成在所述柵絕緣層上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述像素薄膜緩沖層為厚度為1000 4000 A的無機(jī)絕緣層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述像素薄膜緩沖層為厚度為1500 5000 A的有機(jī)絕緣層。
10.一種包括權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的陣列基板的液晶顯示器。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種陣列基板及液晶顯示器。陣列基板包括襯底基板，所述襯底基板上形成有導(dǎo)電圖案和絕緣層，所述絕緣層至少包括像素薄膜緩沖層，形成于像素電極和與所述像素電極相鄰的導(dǎo)電圖案之間。本實(shí)用新型的陣列基板及液晶顯示器，可以解決現(xiàn)有陣列基板中因制造過程中柵金屬薄膜或源漏金屬薄膜與透明像素薄膜間產(chǎn)生縫隙而導(dǎo)致的柵線、柵電極或源電極、漏電極易發(fā)生脫落的問題，具有較佳的性能。
文檔編號G02F1/1362GK202009000SQ201020681700
公開日2011年10月12日 申請日期2010年12月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月16日
發(fā)明者劉圣烈, 劉翔, 薛建設(shè) 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司