專利名稱：液晶顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器和一種制造該液晶顯示器的方法，更具體地講，涉及 一種具有高透射率和無圖像缺陷特性的液晶顯示器和一種制造該液晶顯示器的方法。
背景技術(shù)：
透射率定義為透射的光的最大強度與入射在液晶面板上的光的強度之比，由于透 射率對最終產(chǎn)品的功耗和亮度有著決定性的影響，所以透射率是液晶面板的一個重要特 性。透射率可以隨著諸如濾色器特性、液晶驅(qū)動模式的類型、薄膜晶體管基底的開口率等多 個參數(shù)而變化。第10-2009-0024031號韓國專利申請公開披露了一種示例性液晶驅(qū)動模 式，該液晶驅(qū)動模式與傳統(tǒng)的液晶驅(qū)動模式相比具有進(jìn)一步提高的透射率，該韓國專利申 請公開通過引用包含于此。這種液晶驅(qū)動模式的特征在于初始垂直取向、水平電場和高電 壓驅(qū)動，并且這種液晶驅(qū)動模式被開發(fā)成實現(xiàn)了快速響應(yīng)特性和寬的視角特性。已知的是， 假設(shè)液晶的響應(yīng)速度被設(shè)定成與傳統(tǒng)驅(qū)動模式相關(guān)的水平，使用這種驅(qū)動模式的透射率比 傳統(tǒng)的液晶驅(qū)動模式提高了大約10%。這種新的液晶驅(qū)動模式對每個像素需要兩條數(shù)據(jù)線，因而這增加了數(shù)據(jù)驅(qū)動器通 道的數(shù)量。另外，這種液晶驅(qū)動模式在與如第10-2008-0025498號韓國專利申請公開中所 公開的結(jié)構(gòu)組合時會進(jìn)一步增加所需要的數(shù)據(jù)線的數(shù)量，所述結(jié)構(gòu)即通過同時接通兩條數(shù) 據(jù)線獲得驅(qū)動容限(driving margin)以進(jìn)行高分辨率快速驅(qū)動的結(jié)構(gòu)，其中，該韓國專利 申請公開通過引用包含于此。第10-2008-0056321號韓國專利申請公開了共數(shù)據(jù)線的引入，以將一個像 素所需的數(shù)據(jù)線的數(shù)量大大減少到一條，該韓國專利申請通過引用包含于此。在第 10-2008-0056321號韓國專利申請中，一個像素的兩個像素電極分別電容性地耦合到不同 的數(shù)據(jù)線。參照圖1，為了克服圖像品質(zhì)的下降，根據(jù)第10-2009-0043720號韓國專利申請的 液晶顯示器的構(gòu)造方式是，一個像素的兩個像素電極電容性地耦合到相鄰的兩條數(shù)據(jù)線， 以具有相同的電容，該韓國專利申請通過引用包含于此。參照圖1，第一像素電極Pl位于第二像素電極P2附近，以使區(qū)域A和區(qū)域B中的 透射率損失最小化。此外，如圖1中的C所示，第一像素電極Pl和第二像素電極P2之一不可避免地與 薄膜晶體管的漏電極疊置。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例提供了一種能夠使第一像素電極和相鄰數(shù)據(jù)線之間的寄生電容 與第二像素電極和相鄰數(shù)據(jù)線之間的寄生電容基本相同的液晶顯示裝置及一種制造該液 晶顯示裝置的方法。根據(jù)實施例，一種液晶顯示裝置包括形成在每個像素處的第一像素電極和第二像素電極。第一像素電極和第二像素電極形成在同一層上并且相互絕緣。在第一像素電極和 第二像素電極之間產(chǎn)生電場。第一像素電極被分成通過連接橋彼此電連接的兩個或更多的部分。連接橋由導(dǎo)電 層形成，該導(dǎo)電層不同于形成像素電極的導(dǎo)電層。第一像素電極電容性地耦合到相鄰的第一數(shù)據(jù)線的下部和相鄰的第二數(shù)據(jù)線的 上部。第二像素電極電容性地耦合到相鄰的第一數(shù)據(jù)線的上部和相鄰的第二數(shù)據(jù)線的 下部。像素電極與它們的相鄰數(shù)據(jù)線之間的距離和/或疊置面積被設(shè)計成使第一像素 電極和相鄰的第一數(shù)據(jù)線之間的寄生電容與第二像素電極和相鄰的第一數(shù)據(jù)線之間的寄 生電容基本相同，并使第一像素電極和相鄰的第二數(shù)據(jù)線之間的寄生電容與第二像素電極 和相鄰的第二數(shù)據(jù)線之間的寄生電容基本相同。


圖1是示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的薄膜晶體管基底的像素布局的平面圖；圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的薄膜晶體管基底的像素布局的平面圖；圖3是圖2中的E部分的放大的平面圖；圖4是具有突起部件PP的結(jié)構(gòu)和不具有突起部件的結(jié)構(gòu)之間就產(chǎn)生的織構(gòu)量進(jìn) 行對比的模擬示圖；圖5是圖2中的D部分的放大的平面圖；圖6是沿圖5中的I-J線截取的剖視圖；圖7是將根據(jù)圖2中示出的示例性實施例的薄膜晶體管基底的透射率與現(xiàn)有技術(shù) 的薄膜晶體管基底的透射率進(jìn)行對比的模擬示圖；圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的薄膜晶體管基底的像素布局的平面圖；圖9是沿圖8中的K-L線截取的剖視圖；圖10是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的薄膜晶體管基底的像素布局的平面 圖；圖11是沿圖10中的M-N線截取的剖視圖；圖12是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的薄膜晶體管基底的像素布局的平面 圖；圖13是沿圖12中的O-P線截取的剖視圖；圖14是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的薄膜晶體管基底的像素布局的平面 圖；圖15是沿圖14中的Q-R線截取的剖視圖。
具體實施例方式現(xiàn)在，將在下文中參照實施例和附圖來詳細(xì)地描述本發(fā)明。現(xiàn)在，將在下文中參照圖2至圖6來描述本發(fā)明的示例性實施例。圖2是示出了 根據(jù)示例性實施例的薄膜晶體管基底的像素布局的平面圖。
如圖2所示，第一薄膜晶體管Tl和第二薄膜晶體管T2形成在數(shù)據(jù)線Dn、Dn+Ι和 Dn+2與柵極線Gn和Gn+Ι交叉的每個像素處。對于每個像素，第一薄膜晶體管Tl的源電極從數(shù)據(jù)線DruDn+Ι和Dn+2延伸，漏電 極通過第三接觸孔CT3連接到第一像素電極Pl，柵電極從柵極線和&1+1延伸。第二薄 膜晶體管T2的源電極通過第五接觸孔CT5和第六接觸孔CT6交替地連接到第一共電壓線 Coml和第二共電壓線Com2，漏電極通過第四接觸孔CT4連接到第二像素電極P2，柵電極從 柵極線和&1+1延伸。分別向第一共電壓線Coml和第二共電壓線Com2施加每幀交替地 改變的兩個不同的電壓。在另一實施例中，第一薄膜晶體管Tl的源電極通過第五接觸孔和 第六接觸孔交替地連接到第一共電壓線Coml和第二共電壓線Com2。為了使線疊置最小化并使開口率最大化，第一共電壓線Coml和第二共電壓線 Com2可以位于像素電極Pl和P2與相鄰的柵極線&1+1之間，第五接觸孔CT5和第六接觸 孔CT6可以位于第三接觸孔CT3和第四接觸孔CT4之間。第二共電壓線Com2的與第五接 觸孔CT5和第六接觸孔CT6相鄰的一部分可以朝著相鄰的柵極線&1+1彎曲，以使第二共電 壓線Com2的這部分位于第一薄膜晶體管Tl的柵電極和第二薄膜晶體管T2的柵電極之間 的區(qū)域中，從而使形成有像素電極Pl和P2的區(qū)域最大化。第二薄膜晶體管T2的源電極通過第五接觸孔CT5、第六接觸孔CT6和接觸電極 (未用標(biāo)號標(biāo)出)電連接到第一共電壓線Coml或第二共電壓線Com2。結(jié)果，簡化了制造工 藝。第一像素電極Pl包括主干電極(backbone electrode) LBEl和RBEl及從主干電極 LBEl和RBEl延伸的多個分支電極(spine electrode) SEl。第二像素電極P2包括主干電極 LBE2和RBE2及從主干電極LBE2和RBE2延伸的多個分支電極SE2。多個分支電極SEl和 多個分支電極SE2彼此交替地設(shè)置，并且基本上平行于彼此延伸。在最終產(chǎn)品中，分支電極 SEl和SE2的延伸方向與偏振器(未示出)的透射軸的方向例如成銳角(如45° )或例如 成鈍角(如135° )，從而基于每個像素中的電場方向的平均方位角得到兩個疇(domain)。 從而，可以改善視角特性。此外，通過改變分支電極SEl和SE2之間的間隔來改變在分支電 極SEl和SE2之間產(chǎn)生的電場的強度，可以進(jìn)一步改善液晶顯示器的視角特性。第一像素電極Pl的左主干電極LBEl電容性地耦合到相鄰的左數(shù)據(jù)線Dn+Ι的下 部，第一像素電極Pl的右主干電極RBEl電容性地耦合到相鄰的右數(shù)據(jù)線Dn+2的上部，第 二像素電極P2的左主干電極LBE2電容性地耦合到相鄰的左數(shù)據(jù)線Dn+Ι的上部，第二像素 電極P2的右主干電極RBE2電容性地耦合到相鄰的右數(shù)據(jù)線Dn+2的下部。在這種情況下， 如果(1)第一像素電極Pl的左主干電極LBEl與相鄰的左數(shù)據(jù)線Dn+Ι疊置的部分在面積上 和第二像素電極P2的左主干電極LBE2與相鄰的左數(shù)據(jù)線Dn+Ι疊置的部分基本相同，(2) 第一像素電極Pl的右主干電極RBEl與相鄰的右數(shù)據(jù)線Dn+2疊置的部分在面積上和第二 像素電極P2的右主干電極RBE2與相鄰的右數(shù)據(jù)線Dn+2疊置的部分基本相同，并且(3)第 一像素電極Pl和第二像素電極P2形成在同一層上，那么第一像素電極Pl與相鄰的數(shù)據(jù)線 Dn+Ι和Dn+2之間的寄生電容和第二像素電極P2與相鄰的數(shù)據(jù)線Dn+Ι和Dn+2之間的寄生 電容基本相同，因此，即使施加到相鄰的數(shù)據(jù)線Dn+Ι和Dn+2中的一條數(shù)據(jù)線的電壓獨立于 施加到另一條數(shù)據(jù)線的電壓而變化，在第一像素電極Pl和第二像素電極P2之間施加的電 壓也沒有顯著的差別。然而，如果上面描述的面積完全相同，那么由于第一接觸孔CT1、第二接觸孔CT2和連接橋CB使得第一像素電極Pl的寄生電容比第二像素電極P2的寄生電容 稍微大些?？紤]到這點，可以調(diào)整疊置面積。第一像素電極Pl的左主干電極LBEl通過第一接觸孔CTl連接到連接橋CB，并且 第一像素電極Pl的右主干電極RBEl通過第二接觸孔CT2連接到連接橋CB，從而左主干電 極LBEl和右主干電極RBEl彼此電連接。在這種情況下，因為電場沒有被清楚地限定，所以 可以通過在透射率相對低的上疇和下疇之間的邊界區(qū)域形成連接橋CB來使透射率損失最 小化。因為與圖1中示出的現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu)相比，可以簡化像素電極和連接結(jié)構(gòu)的形 狀，所以通過上述結(jié)構(gòu)在將第一像素電極Pl的寄生電容和第二像素電極P2的寄生電容保 持為相等或基本相等的同時，可以使顯示區(qū)域中產(chǎn)生的織構(gòu)最少化。圖3是圖2中的E部分的放大的平面圖。如圖3所示，第二像素電極P2的分支電極SE2包括突起部件PP，該突起部件PP從 與連接橋CB相交的部分沿連接橋CB的延伸方向突出。突起部件PP的延伸方向與分支電 極SE2的從突起部件PP延伸的兩個部分的延伸方向分別成大于例如135°的鈍角。突起部 件PP大部分比連接橋CB要寬，并且突起部件PP與第一像素電極Pl的分支電極SEl得到 橫向電場。連接橋CB連接到第一像素電極Pl，向連接橋CB施加與第一像素電極Pl的電壓相 同的電壓。因此，在沒有突起部件PP的情況下，在連接橋CB與第一像素電極Pl交叉且與 第一像素電極Pl成銳角的區(qū)域不能充分地產(chǎn)生電場。因此，即使向該區(qū)域施加灰度電壓， 該區(qū)域處的液晶分子也仍然保持垂直取向，由此被識別為織構(gòu)。因此，根據(jù)示例性實施例， 可以形成突起部件PP而在突起部件PP和第一像素電極Pi之間產(chǎn)生電場，從而觀察不到織 構(gòu)。圖4是在第二像素電極P2的分支電極SE2處具有突起部件PP的結(jié)構(gòu)和不具有突 起部件PP的結(jié)構(gòu)之間就產(chǎn)生的織構(gòu)量進(jìn)行對比的模擬示圖。如在圖4中可以看出的，在具 有突起部件PP的區(qū)域G產(chǎn)生的標(biāo)識為黑色部分的織構(gòu)比不具有突起部件PP的區(qū)域F產(chǎn)生 的標(biāo)識為黑色部分的織構(gòu)少。圖5是圖2中的D部分的放大的平面圖。如圖5所示，一個像素的第二接觸孔CT2 和相鄰像素的第一接觸孔CTl相對于彼此布置在上部和下部。數(shù)據(jù)線Dn+Ι圍繞著第二接 觸孔CT2和第一接觸孔CTl彎曲，并圍繞著第一像素電極Pl的突起部件和第二像素電極P2 的突起部件彎曲，從而使開口率的減小最小化。以這種方式確定第二像素電極P2的寬度和 傾斜方向，即，第二像素電極P2可以與數(shù)據(jù)線Dn+Ι的圍繞著第一接觸孔CTl和第二接觸孔 CT2彎曲的邊緣疊置。因為像素電極區(qū)域的透射率相對于像素電極之間的間隔區(qū)域的透射 率較小，所以通過上述結(jié)構(gòu)可以使因接觸孔CTl和CT2造成的透射率損失最小化。如果第 一接觸孔CTl和第二接觸孔CT2不是上下布置而是并排布置，那么因為由于接觸孔CTl和 CT2使得開口面積減小得更多，所以透射率損失變得相對較大。如果數(shù)據(jù)線Dn+Ι的彎曲方 向顛倒，那么因為由于數(shù)據(jù)線Dn+Ι使得開口面積減小得更多，所以透射率損失也變得相對 較大。圖6是沿圖5中的I-J線截取的剖視圖。參照圖2和圖6，將描述根據(jù)示例性實施 例的薄膜晶體管基底。
第一導(dǎo)電圖案20形成在透明絕緣基底10上，第一導(dǎo)電圖案20包括柵極線&ι和 &1+1、第一薄膜晶體管Tl的柵電極和第二薄膜晶體管T2的柵電極、第一共電壓線Coml和 第二共電壓線Com2以及連接橋CB。第一導(dǎo)電圖案20可以是單層或多層。對于第一導(dǎo)電圖 案20，可以采用已知的或?qū)⒁赖乃蓄愋偷倪m合的結(jié)構(gòu)和材料。接著，第一絕緣層30形成在絕緣基底10和第一導(dǎo)電圖案20上。第一絕緣層30 可以是單層或多層，對于第一絕緣層30，可以采用已知的或?qū)⒁赖乃蓄愋偷倪m合的 結(jié)構(gòu)和材料。接著，包括第一薄膜晶體管Tl的溝道和第二薄膜晶體管T2的溝道的半導(dǎo)體圖案 40形成在第一絕緣層30上。半導(dǎo)體圖案40可以包括本征半導(dǎo)體層和厚度相對薄的歐姆半 導(dǎo)體層。半導(dǎo)體圖案40可以由非晶硅形成。然而，不局限于非晶硅，已知的或?qū)⒁赖?具有半導(dǎo)體特性的所有類型的適合的材料，例如多晶硅、氧化物半導(dǎo)體、有機化合物半導(dǎo)體 等，可以用作半導(dǎo)體圖案40的材料。接著，形成第二導(dǎo)電圖案50，第二導(dǎo)電圖案50包括數(shù)據(jù)線Dn、Dn+Ι和Dn+2、第一 薄膜晶體管Tl的源電極和漏電極以及第二薄膜晶體管T2的源電極和漏電極。第二導(dǎo)電圖 案50可以是單層或多層。對于第二導(dǎo)電圖案50，可以采用已知的或?qū)⒁赖乃蓄愋偷?適合的結(jié)構(gòu)和材料。如圖6所示，按照制造工藝，半導(dǎo)體圖案40可以形成在第二導(dǎo)電圖案50的整個下 表面下方。通過順序地堆疊半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電層，然后同時蝕刻這兩層來形成這種結(jié)構(gòu)。接著，第二絕緣層60形成在第二導(dǎo)電圖案50上。第二絕緣層60可以是單層或多 層。對于第二絕緣層60，可以使用已知的或?qū)⒁赖乃蓄愋偷倪m合的結(jié)構(gòu)和材料。隨后，濾色器層70形成在第二絕緣層60上。濾色器層70可以具有紅色過濾器、 綠色過濾器和藍(lán)色過濾器交替布置并且重復(fù)布置的結(jié)構(gòu)。各種類型的形狀和組合可以應(yīng)用 于濾色器層70。對于濾色器層70，可以使用已知的或?qū)⒁赖乃蓄愋偷倪m合的層結(jié)構(gòu) 和材料。接著，第三絕緣層80形成在濾色器層70上。第三絕緣層80可以由諸如SiNx或 SiOx的無機絕緣材料形成。對于第三絕緣層80，可以采用已知的或?qū)⒁赖乃蓄愋偷?適合的結(jié)構(gòu)和材料。接著，第三導(dǎo)電圖案90形成在第三絕緣層80上，第三導(dǎo)電圖案90包括第一像素 電極P1、第二像素電極P2、第一接觸孔CTl的接觸電極、第二接觸孔CT2的接觸電極、第三 接觸孔CT3的接觸電極、第四接觸孔CT4的接觸電極、第五接觸孔CT5的接觸電極和第六接 觸孔CT6的接觸電極。第三導(dǎo)電圖案90可以由透明的導(dǎo)電材料例如ITO或IZO形成。對 于第三導(dǎo)電圖案90，可以采用已知的或?qū)⒁赖乃蓄愋偷倪m合的結(jié)構(gòu)和材料。根據(jù)示例性實施例，如圖2所示，因為濾色器層70和第二絕緣層60位于像素電極 Pl和P2與數(shù)據(jù)線DruDn+Ι和Dn+2之間，所以像素電極Pl和P2可以在許多部分與數(shù)據(jù)線 DruDn+Ι和Dn+2疊置。因此，可以使透射率最大化。如果在沒有濾色器層70和第三絕緣層 80的情況下，只有第二絕緣層60位于像素電極Pl和P2與數(shù)據(jù)線Dn、Dn+Ι和Dn+2之間， 那么因為難以使像素電極Pl和P2與數(shù)據(jù)線DruDn+Ι和Dn+2充分地疊置，所以不足以使透 射率最大化。在不存在濾色器層70和第三絕緣層80的情況下使像素電極Pl和P2與數(shù)據(jù) 線DruDn+Ι和Dn+2充分地疊置會由于數(shù)據(jù)線DruDn+Ι和Dn+2的總寄生電容增大而帶來各種問題，盡管解決了第一像素電極Pl和第二像素電極P2之間的寄生電容差的問題。此外， 當(dāng)包括薄膜晶體管和濾色器層的線結(jié)構(gòu)形成在同一基底上時，可以抑制由上基底和下基底 之間的未對準(zhǔn)造成的品質(zhì)劣化。因為濾色器層應(yīng)當(dāng)形成在上基底和下基底中的至少一個基 底上，所以不需要進(jìn)一步的制造工藝或材料。根據(jù)示例性實施例，第一導(dǎo)電圖案20用作連接橋CB。然而，本發(fā)明不限于此，諸如 第二導(dǎo)電圖案50的其他導(dǎo)電圖案也可以用作連接橋CB。但是，如果第二導(dǎo)電圖案50用作 連接橋CB，那么由于第二導(dǎo)電圖案50與像素電極Pl和P2之間的距離相對于第一導(dǎo)電圖 案20與像素電極Pl和P2之間的距離較小，所以電場可能在像素電極Pl和P2之間發(fā)生畸變。可以使用對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說已知的各種制造工藝(例如光刻工藝)來形 成上述結(jié)構(gòu)。圖7是將根據(jù)示例性實施例的薄膜晶體管基底的透射率與根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的薄膜 晶體管基底的透射率進(jìn)行對比的模擬示圖。在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示器的情況下，在區(qū) 域H和區(qū)域D中出現(xiàn)嚴(yán)重的織構(gòu)，如在圖7的左側(cè)所看到的，而在根據(jù)示例性實施例的液 晶顯示器的情況下，沒有織構(gòu)出現(xiàn)，如在圖7的右側(cè)所看到的。此外，在根據(jù)示例性實施例 的液晶顯示器的情況下，因為像素電極的面積增大的量與區(qū)域K 一樣多，所以提高了總透 射率。根據(jù)示例性實施例，由于連接橋而使得區(qū)域J具有減小了的透射率，但透射率損失不 大。這是因為對應(yīng)于區(qū)域J的根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的區(qū)域I同樣由于不清楚的電場方向而具有減 小了的透射率?，F(xiàn)在將參照圖8和圖9來描述本發(fā)明的示例性實施例。圖8是示出根據(jù)示例性實 施例的薄膜晶體管基底的像素布局的平面圖，圖9是沿圖8中的K-L線截取的剖視圖。相 同的標(biāo)號表示與結(jié)合圖2至圖7的實施例所描述的元件相同或基本相同的元件。與結(jié)合圖2至圖7以矩形像素結(jié)構(gòu)為例所描述的示例性實施例不同，結(jié)合圖8至 圖9所描述的示例性實施例以彎曲的像素結(jié)構(gòu)為例。此外，位于像素電極Pl和像素電極 P2與數(shù)據(jù)線Dn和Dn+Ι之間的是有機絕緣層7(Τ，而不是濾色器層70。在彎曲的像素結(jié)構(gòu) 中，電場的方向垂直于像素的輪廓，從而可以使像素的邊界區(qū)域中織構(gòu)的發(fā)生最小化，而由 于數(shù)據(jù)線Dn和Dn+Ι的長度增加使得數(shù)據(jù)線Dn和Dn+Ι的負(fù)載會增大。然而，根據(jù)示例性 實施例，如果在像素電極Pl和P2與數(shù)據(jù)線Dn和Dn+Ι之間設(shè)置諸如有機層的厚絕緣層來 抑制寄生電容，那么可以將數(shù)據(jù)線Dn和Dn+Ι形成為在像素電極Pl和P2下方是直的。然 而，直的數(shù)據(jù)線結(jié)構(gòu)可能難以應(yīng)用于第一像素電極Pl與相鄰的數(shù)據(jù)線Dn和Dn+Ι之間的寄 生電容要與第二像素電極P2與相鄰的數(shù)據(jù)線Dn和Dn+Ι之間的寄生電容相匹配的情形。如圖8所示，根據(jù)示例性實施例的像素電極Pl包括上水平電極UHE1、下水平電極 DHEl及從上水平電極UHEl和下水平電極DHEl延伸的豎直彎曲電極VBEl，根據(jù)示例性實施 例的像素電極P2包括上水平電極UHE2、下水平電極DHE2及從上水平電極UHE2和下水平電 極DHE2延伸的豎直彎曲電極VBE2。豎直彎曲電極VBEl和VBE2在以預(yù)定的間隔彼此分隔 開的同時彼此平行，并且按照像素的形狀彎曲。豎直彎曲電極VBEl和VBE2之間的間隔可 以按照結(jié)合圖2至圖7描述的示例性實施例中的那樣以不同的方式來確定。第一像素電極 Pl的左右部分通過穿過像素電極Pl和P2下方的連接橋CB彼此連接，第二像素電極P2的 左右部分通過將上水平電極UHE2與下水平電極DHE2連接的豎直彎曲電極VBE2彼此連接。9第一像素電極Pl的最左側(cè)的豎直彎曲電極VBEl電容性地耦合到相鄰的左數(shù)據(jù)線Dn的上 部，第一像素電極Pl的最右側(cè)的豎直彎曲電極VBEl電容性地耦合到相鄰的右數(shù)據(jù)線Dn+1 的下部。第二像素電極P2的最左側(cè)的豎直彎曲電極VBE2電容性地耦合到相鄰的左數(shù)據(jù)線 Dn的下部，第二像素電極P2的最右側(cè)的豎直彎曲電極VBE2電容性地耦合到相鄰的右數(shù)據(jù) 線Dn+Ι的上部。在這種情況下，如果(1)第一像素電極Pl的最左側(cè)的豎直彎曲電極VBEl 與相鄰的左數(shù)據(jù)線Dn疊置的面積和第二像素電極P2的最左側(cè)的豎直彎曲電極VBE2與相 鄰的左數(shù)據(jù)線Dn疊置的面積基本相同，并且( 第一像素電極Pl的最右側(cè)的豎直彎曲電 極VBEl與相鄰的右數(shù)據(jù)線Dn+Ι疊置的面積和第二像素電極P2的最右側(cè)的豎直彎曲電極 VBE2與相鄰的右數(shù)據(jù)線Dn+Ι疊置的面積基本相同，并且第一像素電極Pl和第二像素電極 P2形成在同一層上，那么第一像素電極Pl和相鄰的數(shù)據(jù)線DruDn+Ι之間的寄生電容可以與 第二像素電極P2和相鄰的數(shù)據(jù)線Dru Dn+Ι之間的寄生電容基本相同，因此，即使施加到相 鄰的數(shù)據(jù)線Dn和Dn+Ι中的一條數(shù)據(jù)線的電壓獨立于施加到另一條數(shù)據(jù)線的電壓而變化， 在第一像素電極Pl和第二像素電極P2之間施加的電壓也沒有顯著的差別。根據(jù)第一接觸 孔CTl和第二接觸孔CT2與連接橋CB的效果與在圖2至圖7的示例性實施例中所描述的 根據(jù)第一接觸孔CTl和第二接觸孔CT2與連接橋CB的效果相同或基本相同。如果與圖2至圖7的示例性實施例中的一樣，突起部件形成在連接橋CB和第二像 素電極P2的交叉部分處，那么在突起部件與第二像素電極P2之間不僅可以形成會造成織 構(gòu)的鈍角，而且可以形成會造成織構(gòu)的銳角。因此，在該實施例中，可以省略突起部件。連接橋位于像素的中部。否則，第一像素電極和第二像素電極的寄生電容不能彼 此對稱。根據(jù)示例性實施例，像素彎曲兩次，因此，連接橋CB并不是位于電場方向改變的邊 界處。然而，在像素彎曲奇數(shù)次的情況下，通過在電場方向改變的中間邊界處形成連接橋CB 可以使透射率損失最小化。由于根據(jù)圖8至圖9的示例性實施例的薄膜晶體管基底的元件之間的連接與根據(jù) 圖2至圖7的示例性實施例的薄膜晶體管基底的元件之間的連接基本相似，因此省略了進(jìn) 一步詳細(xì)的描述。在下文中，將參照圖10和圖11來描述本發(fā)明的示例性實施例。圖10是示出了根據(jù)示例性實施例的薄膜晶體管基底的像素布局的平面圖，圖11 是沿圖10中的M-N線截取的剖視圖。相同的標(biāo)號表示與結(jié)合圖2至圖7的實施例所描述 的元件相同或基本相同的元件。除了光屏蔽圖案100形成在第三絕緣層80上之外，根據(jù)本示例性實施例的像素布 局與根據(jù)圖2至圖7的示例性實施例的像素布局相同。如圖10和圖11所示，光屏蔽圖案 100形成在透射不了光的整個非透射區(qū)域處。根據(jù)本實施例，當(dāng)在薄膜晶體管基底上形成濾 色器層和光屏蔽圖案時，可以防止上基底和下基底之間的未對準(zhǔn)。由于根據(jù)圖10至圖11的示例性實施例的薄膜晶體管基底的元件之間的連接與根 據(jù)圖2至圖7的示例性實施例的薄膜晶體管基底的元件之間的連接基本相似，因此省略了 進(jìn)一步詳細(xì)的描述。在下文中，將參照圖12和圖13來描述本發(fā)明的示例性實施例。圖12是示出了根據(jù)示例性實施例的薄膜晶體管基底的像素布局的平面圖，圖13 是沿圖12中的O-P線截取的剖視圖。相同的標(biāo)號表示與結(jié)合圖8至圖9所描述的元件相同或基本相同的元件。除了光屏蔽圖案100形成在有機絕緣層7(Τ上之外，根據(jù)本示例性實施例的像素 布局與根據(jù)圖8至圖9的示例性實施例的像素布局相同。如圖12和圖13所示，光屏蔽圖 案100形成在透射不了光的整個非透射區(qū)域處。由于根據(jù)圖12至圖13的示例性實施例的薄膜晶體管基底的元件之間的連接與根 據(jù)圖8至圖9的示例性實施例的薄膜晶體管基底的元件之間的連接基本相似，因此省略了 進(jìn)一步詳細(xì)的描述。在下文中，將參照圖14和圖15來描述本發(fā)明的示例性實施例。圖14是示出了根據(jù)示例性實施例的薄膜晶體管基底的像素布局的平面圖，圖15 是沿圖14中的Q-R線截取的剖視圖。相同的標(biāo)號表示與結(jié)合圖8至圖9的實施例所描述 的元件相同或基本相同的元件。除了豎直彎曲電極VBEl和VBE2僅彎曲一次并且連接橋CB位于該彎曲部分以使 透射率損失最小化之外，根據(jù)圖14至圖15的示例性實施例的構(gòu)造與根據(jù)圖8至圖9的示 例性實施例的構(gòu)造基本上相似。第二像素電極Ρ2的豎直彎曲電極VBE2在與連接橋CB交 叉的部分處包括沿連接橋CB的延伸方向突出的突起部件ΡΡ。突起部件PP的延伸方向與豎 直彎曲電極VBE2的從突起部件PP延伸的兩個部分的延伸方向成大于例如135°的鈍角。 突起部件PP的大部分比連接橋CB寬，從而突起部件PP與第一像素電極Pl的豎直彎曲電 極VBEl相結(jié)合產(chǎn)生橫向電場。如圖15所示，示例性實施例并不包括有機絕緣層，這與圖8至圖9和圖12至圖13 的示例性實施例有所不同。因為省略了有機絕緣層，所以期望的是，通過在最外側(cè)的豎直彎 曲電極VBEl和VBE2與左右數(shù)據(jù)線Dn和Dn+Ι之間形成適合的間隔來減少寄生電容。由于根據(jù)圖14至圖15的示例性實施例的薄膜晶體管基底的元件之間的連接與根 據(jù)圖8至圖9的示例性實施例的薄膜晶體管基底的元件之間的連接基本相似，因此省略了 進(jìn)一步詳細(xì)的描述。根據(jù)本發(fā)明實施例的薄膜晶體管基底可以用在液晶顯示裝置中。液晶顯示裝置還 可包括面向絕緣基底10的另一絕緣基底、位于絕緣基底10和所述另一絕緣基底之間的液 晶層以及形成在像素電極Pl和P2上的垂直取向?qū)?。根?jù)本發(fā)明示例性實施例的上述薄膜晶體管基底不應(yīng)局限于上面的實施例，而是 可以對其進(jìn)行各種修改，例如，具有不同的像素布局或修改的結(jié)構(gòu)。雖然在上面提到的實施 例中連接橋形成為一層導(dǎo)電層，但是連接橋可以形成為兩層或更多的層。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，所述液晶顯示裝置包括第一絕緣基底；柵極線和數(shù)據(jù)線，形成在第一絕緣基底上并彼此交叉；第一像素電極，形成在第一絕緣基底上并包括物理分離的第一部分和第二部分；第二像素電極，形成在第一絕緣基底上并與第一像素電極形成電場；連接橋，包括至少一層導(dǎo)電層并通過接觸孔將所述第一部分與所述第二部分電連接；至少一層絕緣層，位于第一像素電極和連接橋之間，其中，所述接觸孔形成在所述至少一層絕緣層內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，數(shù)據(jù)線包括第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線，其 中，所述第一部分電容性地耦合到第一數(shù)據(jù)線，所述第二部分電容性地耦合到第二數(shù)據(jù)線。
3.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其中，第二像素電極電容性地耦合到第一數(shù)據(jù) 線和第二數(shù)據(jù)線。
4.如權(quán)利要求3所述的液晶顯示裝置，其中，第二像素電極物理地為一體。
5.如權(quán)利要求3所述的液晶顯示裝置，其中，第一像素電極與第一數(shù)據(jù)線之間的電容 和第二像素電極與第一數(shù)據(jù)線之間的電容相同，第一像素電極與第二數(shù)據(jù)線之間的電容和 第二像素電極與第二數(shù)據(jù)線之間的電容相同。
6.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，所述接觸孔包括第一接觸孔和第二接觸 孔，其中，連接橋通過第一接觸孔連接到所述第一部分，并通過第二接觸孔連接到所述第二 部分，其中，一個像素的第一接觸孔與相鄰像素的第二接觸孔沿數(shù)據(jù)線的延伸方向布置。
7.如權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置，其中，數(shù)據(jù)線圍繞著所述一個像素的第一接觸 孔和所述相鄰像素的第二接觸孔彎曲。
8.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，所述液晶顯示裝置還包括第二絕緣基底，面向第一絕緣基底；液晶層，位于第一絕緣基底和第二絕緣基底之間；垂直取向?qū)樱纬稍谙袼仉姌O上。
9.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，所述液晶顯示裝置還包括形成在每個像素處的 第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，其中，第一薄膜晶體管的漏電極通過另外的第一接觸孔電連接到第一像素電極，第二 薄膜晶體管的漏電極通過另外的第二接觸孔電連接到第二像素電極。
10.如權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置，所述液晶顯示裝置還包括第一共電壓線和第 二共電壓線，其中，對于每個像素，第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管之一的源電極通過另外的第 三接觸孔交替地連接到第一共電壓線和第二共電壓線。
11.如權(quán)利要求10所述的液晶顯示裝置，其中，另外的第三接觸孔位于另外的第一接 觸孔和另外的第二接觸孔之間。
12.如權(quán)利要求1所述液晶顯示裝置，其中，第二像素電極在至少一部分與連接橋交 叉，并且包括沿連接橋的延伸方向在交叉部分延伸的至少一個突起部件。
13.如權(quán)利要求12所述的液晶顯示裝置，其中，突起部件的大部分比連接橋?qū)挕?br> 14.一種制造液晶顯示裝置的方法，所述方法包括以下步驟在第一絕緣基底上形成包括至少一層導(dǎo)電層的連接橋； 在連接橋和第一絕緣基底上形成具有第一接觸孔和第二接觸孔的絕緣層； 在絕緣層上形成包括第一像素電極和與第一像素電極物理分離的第二像素電極的像 素電極，第一像素電極包括物理分離的第一部分和第二部分，其中，所述第一部分和所述第二部分通過所述第一接觸孔和所述第二接觸孔電連接到 連接橋。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，第二像素電極物理地為一體。
16.如權(quán)利要求14所述的方法，所述方法還包括形成包括第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線 的數(shù)據(jù)線，其中，所述第一部分電容性地耦合到第一數(shù)據(jù)線，所述第二部分電容性地耦合到第二 數(shù)據(jù)線，第二像素電極電容性地耦合到第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，第一像素電極與第一數(shù)據(jù)線之間的電容和第二 像素電極與第一數(shù)據(jù)線之間的電容相同，第一像素電極與第二數(shù)據(jù)線之間的電容和第二像 素電極與第二數(shù)據(jù)線之間的電容相同。
18.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，形成連接橋的步驟和形成數(shù)據(jù)線的步驟是同時 執(zhí)行的。
19.如權(quán)利要求16所述的方法，所述方法還包括在數(shù)據(jù)線和像素電極之間形成另一絕緣層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種液晶顯示裝置和一種制造該液晶顯示裝置的方法。該液晶顯示裝置包括第一絕緣基底；柵極線和數(shù)據(jù)線，形成在第一絕緣基底上并彼此交叉；第一像素電極，形成在第一絕緣基底上并包括物理分離的第一部分和第二部分；第二像素電極，形成在第一絕緣基底上并與第一像素電極形成電場；連接橋，包括至少一層導(dǎo)電層并通過接觸孔將第一部分與第二部分電連接；至少一層絕緣層，位于第一像素電極和連接橋之間，其中，接觸孔形成在所述至少一層絕緣層內(nèi)。
文檔編號G02F1/1368GK102053436SQ20101050395
公開日2011年5月11日 申請日期2010年10月12日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月27日
發(fā)明者奇桐賢, 白承洙, 羅惠錫, 趙世衡, 鄭美惠, 金東奎 申請人:三星電子株式會社