專利名稱：用于圖案化半導(dǎo)體組件的光阻及半導(dǎo)體組件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體組件，特別是有關(guān)于一種用于圖案化半導(dǎo)體組件的光 阻材料及半導(dǎo)體組件的制造方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體集成電路(integrated circuit ；IC)業(yè)已歷經(jīng)快速成長。IC材料及設(shè)計在 技術(shù)上的進步已產(chǎn)生好幾個IC世代，而每一世代比前一世代的電路更小且更復(fù)雜。然而， 這些進步已提高ICs處理及制造的復(fù)雜度，而且為了實現(xiàn)上述進步，需要在ICs處理及制造 方面進行類似的發(fā)展。在IC進展的過程中，功能性密度(即每單位芯片面積的內(nèi)連接組件 的數(shù)量)已逐漸增加，而幾何尺寸則縮減。需要進行各種微影制程(photolithography process)，以制造前述越來越小的 ICs0微影制程中要使用光阻材料(photoresist material) 0尤其光阻材料經(jīng)常用于進行 ICs的圖案化，并于完成圖案化制程后移除光阻。然而，現(xiàn)有的光阻材料及其移除的方法有 些缺點。上述缺點包括會傷及光阻材料下方的各層，及/或無法完全移除光阻材料，會導(dǎo)致 后續(xù)制程中的缺陷以及產(chǎn)率的下降。因此，就欲達成的目的而言，現(xiàn)有的光阻材料雖已尚差強人意，但卻無法完全滿足 每個層面。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一目的是在提供一種半導(dǎo)體組件的制造方法，其包括提供一基材； 形成一材料層于前述基材上；形成一光阻材料于前述材料層上，其中此光阻材料具有一聚 合物及一光酸產(chǎn)生劑，且此聚合物包括一骨架；對前述光阻材料進行一圖案化步驟，以形成 一圖案化光阻層；以前述圖案化光阻層為一掩膜，對前述材料層進行一制程；之后。對前述 圖案化光阻層進行一處理制程，使前述聚合物的骨架斷裂；以及移除前述圖案化光阻層。其次，本發(fā)明的另一目的是在提供一種用于圖案化半導(dǎo)體組件的光阻，其包括一 光酸產(chǎn)生劑以及一聚合物，其中此聚合物具有如式(I)所示的一化學式
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體組件的制造方法，其特征在于，至少包含 提供一基材；形成一材料層于該基材上；形成一光阻材料于該材料層上，其中該光阻材料具有一聚合物及一光酸產(chǎn)生劑，且該 聚合物包括一骨架；對該光阻材料進行一圖案化步驟，以形成一圖案化光阻層； 以該圖案化光阻層為一掩膜，對該材料層進行一制程； 對該圖案化光阻層進行一處理制程，使該聚合物的該骨架斷裂；以及 移除該圖案化光阻層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件的制造方法，其特征在于，在形成該光阻材料的 步驟中，該聚合物的該骨架在進行該處理制程之前具有一多齒狀結(jié)構(gòu)，該聚合物的該骨架 在進行該處理制程之后具有一單齒狀結(jié)構(gòu)，且該處理制程包括利用一化學制程、一熱制程 以及一輻射制程，以處理該圖案化光阻層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件的制造方法，其特征在于該化學制程包括對該圖案化光阻層施以鹽酸、硫酸、硝酸、氫氟酸以及磷酸之一者； 該熱制程包括對該圖案化光阻層以22°C至250°C的溫度進行加熱；以及 該輻射制程包括使該圖案化光阻層于波長低于250納米的一電磁波進行曝光。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件的制造方法，其特征在于，移除該圖案化光阻層 的步驟包括利用一有機溶劑溶解該圖案化光阻層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件的制造方法，其特征在于，進行該制程包括進行 以下之一者蝕刻該材料層；以及 植入多個摻質(zhì)于該材料層中。
6.一種用于圖案化半導(dǎo)體組件的光阻，其特征在于，至少包含 一光酸產(chǎn)生劑；以及一聚合物，其中該聚合物具有如式(I)所示的一化學式
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于圖案化半導(dǎo)體組件的光阻，其特征在于，該聚合物的骨 架具有如式(II)所示的一化學式
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于圖案化半導(dǎo)體組件的光阻，其特征在于，該Z經(jīng)暴露于酸 類、熱能以及電磁輻射之一者時，該Z自該(C)x斷裂。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于圖案化半導(dǎo)體組件的光阻，其特征在于，該光酸產(chǎn)生劑 不與該聚合物鍵結(jié)。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于圖案化半導(dǎo)體組件的光阻，其特征在于，該Z經(jīng)暴露于 酸類、熱能以及電磁輻射之一者時，該Z自該(C)x斷裂。
全文摘要
本發(fā)明揭露一種用于圖案化半導(dǎo)體組件的光阻及半導(dǎo)體組件的制造方法，其中所述用于圖案化半導(dǎo)體組件的光阻包括聚合物以及光酸產(chǎn)生劑，其中此聚合物具有一骨架，此骨架為可斷裂的，且此光酸產(chǎn)生劑不與此聚合物鍵結(jié)。其次，一種半導(dǎo)體組件的制造方法，其包括提供基材。材料層形成于前述基材上。光阻材料形成于前述材料層上。此光阻材料具有聚合物及光酸產(chǎn)生劑，且此聚合物包括一骨架。然后，前述光阻材料是經(jīng)圖案化而形成圖案化光阻層。以前述圖案化光阻層為掩膜，對前述材料層進行一制程。之后，對前述圖案化光阻層經(jīng)處理而使前述聚合物的骨架斷裂。隨后，移除前述圖案化光阻層。
文檔編號G03F7/039GK102117014SQ20101027629
公開日2011年7月6日 申請日期2010年9月6日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月30日
發(fā)明者張慶裕, 王建惟, 謝銘峰 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司