專利名稱：半導(dǎo)體元器件顯影過程中的清洗方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體元器件的制造技術(shù)，尤其是指一種半導(dǎo)體元器件顯影過程中的清洗方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體器件的制造過程中，經(jīng)常需要在晶圓襯底上制作出極細(xì)微尺寸的電路結(jié)構(gòu)圖案。為了在襯底上形成所需的電路結(jié)構(gòu)圖案，一般可先將光刻膠旋涂在晶圓襯底上，然后通過放置在晶圓上方的光掩膜對光刻膠進(jìn)行曝光，再通過顯影(Development)過程，將已曝光的光刻膠層去除，并留下未曝光的光刻膠層，從而形成所需的圖案。在顯影過程中，主要是通過顯影液(Developer)與晶圓表面已曝光的光刻膠層產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，以去除已曝光的光刻膠層，并留下未曝光的光刻膠層，從而形成所需的圖案。 因此，在現(xiàn)有技術(shù)中，一般先使用噴灑裝置水平掃過Gcan)晶圓表面，并通過噴灑裝置上的噴嘴(nozzle)將顯影液均勻地噴灑在晶圓表面上；然后，晶圓在靜止的狀態(tài)下進(jìn)行第一次混拌顯影(puddle)；噴灑裝置移回起始位置(home position)，再次通過噴嘴將顯影液均勻地噴灑在晶圓表面上；接著，晶圓在靜止的狀態(tài)下進(jìn)行第二次混拌顯影；最后，噴灑裝置通過噴嘴用清洗液對晶圓表面進(jìn)行清洗，然后旋干(Spin Dry)，從而完成上述的顯影過程。在上述的顯影過程中，噴灑裝置在通過噴嘴用清洗液對晶圓表面進(jìn)行清洗時，一般可使用兩種清洗模式位置固定(Fix)清洗模式和掃掠(kan)清洗模式。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的位置固定清洗模式的示意圖。如圖1所示，在位置固定清洗模式中，噴灑裝置將首先從起始點(diǎn)(即某個預(yù)先設(shè)定的起始位置)移動到晶圓表面中心點(diǎn)(center)的上方，而在噴灑裝置移動到晶圓表面中心點(diǎn)的上方之前，該噴灑裝置并不噴灑清洗液；當(dāng)噴灑裝置移動到晶圓表面中心點(diǎn)的上方時，該噴灑裝置將通過噴嘴將清洗液 (例如，純水或其它的清洗溶液)噴灑在以設(shè)定的旋轉(zhuǎn)速率水平旋轉(zhuǎn)的晶圓表面上，利用清洗液的沖刷力以及晶圓的旋轉(zhuǎn)力去除晶圓表面的殘留物，從而對晶圓表面進(jìn)行清洗。在上述的清洗過程中，噴灑裝置將始終位于晶圓表面中心點(diǎn)的上方，不再發(fā)生位置移動，因此上述的清洗模式被稱為位置固定清洗模式。圖2為現(xiàn)有技術(shù)中的掃掠清洗模式的示意圖。如圖2所示，在掃掠清洗模式中，噴灑裝置將首先從起始點(diǎn)(即某個預(yù)先設(shè)定的起始位置)移動到晶圓表面中心點(diǎn)的上方，而在噴灑裝置移動到晶圓表面中心點(diǎn)的上方之前，該噴灑裝置并不噴灑清洗液；當(dāng)噴灑裝置移動到晶圓表面中心點(diǎn)的上方時，然后再通過該噴灑裝置上設(shè)置的噴嘴將清洗液(例如， 純水或其它的清洗溶液)噴灑在以設(shè)定的旋轉(zhuǎn)速率水平旋轉(zhuǎn)的晶圓表面上，利用清洗液的沖刷力以及晶圓的旋轉(zhuǎn)力去除晶圓表面的殘留物，從而對晶圓表面進(jìn)行清洗。在進(jìn)行上述的清洗過程的同時，噴灑裝置將從上述晶圓表面中心點(diǎn)的上方以一定的速率直線移動到某個預(yù)先設(shè)定的終止位置，然后不再發(fā)生位置移動，直至清洗過程完成。因此，上述的清洗模式被稱為掃掠清洗模式。
然而，在上述的位置固定清洗模式中，當(dāng)噴灑裝置的噴嘴開始噴灑清洗液時，噴嘴始終位于晶圓表面中心點(diǎn)的上方，不再發(fā)生移動，因此噴嘴所噴灑的清洗液都是先垂直噴灑到晶圓表面中心點(diǎn)，然后再從該晶圓表面中心點(diǎn)沿晶圓表面向外散出，使得上述清洗液對于晶圓表面中心點(diǎn)的水平?jīng)_刷力較小，難以清除晶圓表面中心點(diǎn)的殘留物，從而容易在晶圓表面中心點(diǎn)處形成“X”形狀的殘留物缺陷(defect)。在上述的掃掠清洗模式中，雖然噴嘴并不是一直位于晶圓表面中心點(diǎn)的上方，而是將移動到預(yù)設(shè)的終止位置，但由于該噴嘴移動到終止位置時也不再發(fā)生移動，因此清洗液對于晶圓表面中心點(diǎn)的沖刷力仍然不大，晶圓表面中心點(diǎn)的殘留物仍然不容易被清除， 所以仍然難以避免在晶圓表面中心點(diǎn)處形成“X”形狀的殘留物缺陷。由于上述“X”形狀的殘留物缺陷的出現(xiàn)將大大降低晶圓表面的清潔度，為后續(xù)工序的實(shí)現(xiàn)造成不利的影響，從而影響產(chǎn)品的良率。因此，如何加強(qiáng)對晶圓表面中心點(diǎn)處的殘留物的清洗力度，有效地減少上述晶圓表面中心點(diǎn)處的殘留物缺陷，從而提高晶圓表面的清潔度，是本領(lǐng)域中一個亟待解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體元器件顯影過程中的清洗方法，從而可加強(qiáng)對晶圓表面中心點(diǎn)處的殘留物的清洗力度，有效地減少晶圓表面中心點(diǎn)處的殘留物缺陷。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明中的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的一種半導(dǎo)體元器件顯影過程中的清洗方法，該方法包括預(yù)先設(shè)置起始點(diǎn)和N個中間點(diǎn)，并根據(jù)所述起始點(diǎn)和N個中間點(diǎn)設(shè)置移動路徑，使得所述移動路徑經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)或經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)附近區(qū)域；其中，N為自然數(shù)；噴灑裝置以設(shè)定的移動速率沿所述移動路徑平移，并從所述移動路徑的起點(diǎn)開始，通過所述噴灑裝置上的噴嘴將清洗液噴灑在晶圓表面上，對晶圓表面進(jìn)行清洗。所述起始點(diǎn)為預(yù)先設(shè)置的位于晶圓表面上方的起始位置。所述移動路徑為封閉的路徑或開放的路徑。所述根據(jù)所述起始點(diǎn)和N個中間點(diǎn)設(shè)置移動路徑包括當(dāng)所述移動路徑為封閉的路徑時，將所述預(yù)先設(shè)置的起始點(diǎn)作為所述移動路徑的起點(diǎn)和終點(diǎn)，并使得所述移動路徑依次經(jīng)過所述起始點(diǎn)和N個中間點(diǎn)；當(dāng)所述移動路徑為開放的路徑時，將所述預(yù)先設(shè)置的起始點(diǎn)作為所述移動路徑的起點(diǎn)，并從所述N個中間點(diǎn)中選擇一個中間點(diǎn)作為所述移動路徑的終點(diǎn)，然后使得所述移動路徑依次經(jīng)過所述起始點(diǎn)和N個中間點(diǎn)。所述使得所述移動路徑經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)或經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)附近區(qū)域包括將所述N個中間點(diǎn)中的至少一個中間點(diǎn)設(shè)置在晶圓表面中心點(diǎn)或晶圓表面中心點(diǎn)的附近區(qū)域中；或者，在設(shè)置所述起始點(diǎn)和中間點(diǎn)時，使得有至少兩個相鄰點(diǎn)之間的連線經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)或晶圓表面中心點(diǎn)附近區(qū)域。所述移動路徑是直線或具有預(yù)先設(shè)置形狀的曲線。當(dāng)所述移動路徑包括至少兩條子路徑時，在所述移動路徑中，有兩條以上的子路徑部分重疊或完全重疊；當(dāng)所述移動路徑包括至少兩條子路徑時，所述移動路徑中的各條子路徑均不重
疊。 綜上可知，本發(fā)明中提供了一種半導(dǎo)體元器件顯影過程中的清洗方法。在所述半導(dǎo)體元器件顯影過程中的清洗方法中，由于預(yù)先為噴灑裝置設(shè)置了經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)或經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)附近區(qū)域的移動路徑，使得噴灑裝置可沿著預(yù)先設(shè)置的移動路徑平移，并在平移的同時噴灑清洗液，從而加強(qiáng)了對晶圓表面中心點(diǎn)處的殘留物的清洗力度，有效地減少晶圓表面中心點(diǎn)處的殘留物缺陷，進(jìn)而提高了晶圓表面的清潔度。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的位置固定清洗模式的示意圖。圖2為現(xiàn)有技術(shù)中的掃掠清洗模式的示意圖。圖3為本發(fā)明中的半導(dǎo)體元器件顯影過程中的清洗方法的流程示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)表達(dá)得更加清楚明白，下面結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對本發(fā)明再作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體元器件顯影過程中的清洗方法，在該方法中，將預(yù)先為噴灑裝置設(shè)置經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)或經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)附近區(qū)域的移動路徑，使得噴灑裝置可沿著預(yù)先設(shè)置的移動路徑平移，并在平移的同時噴灑清洗液，從而加強(qiáng)了對晶圓表面中心點(diǎn)處的殘留物的清洗力度，可有效地減少晶圓表面中心點(diǎn)處的殘留物缺陷，進(jìn)而可提高晶圓表面的清潔度。圖3為本發(fā)明中的半導(dǎo)體元器件顯影過程中的清洗方法的流程示意圖。如圖3所示，在本發(fā)明中的半導(dǎo)體元器件顯影過程中的清洗方法中，主要包括如下所述的步驟步驟301，預(yù)先設(shè)置起始點(diǎn)(Begin)和N個中間點(diǎn)(Dispens)，并根據(jù)所述起始點(diǎn)和N個中間點(diǎn)設(shè)置移動路徑，使得該移動路徑經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)或經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)附近區(qū)域。在本步驟中，所述起始點(diǎn)可以是上述現(xiàn)有技術(shù)中噴灑裝置的起始點(diǎn)，也可以是預(yù)先設(shè)置的位于晶圓表面上方的起始位置；而所述的N個中間點(diǎn)則可以是預(yù)先設(shè)置的位于晶圓表面上方的任一位置，例如，可將某個中間點(diǎn)設(shè)置在晶圓表面中心點(diǎn)或晶圓表面中心點(diǎn)的附近區(qū)域中；其中，N為自然數(shù)，且任意兩個中間點(diǎn)都不重合。另外，所述晶圓表面中心點(diǎn)附近區(qū)域可以是預(yù)先設(shè)置的包括晶圓表面中心點(diǎn)在內(nèi)的區(qū)域，例如，所述晶圓表面中心點(diǎn)附近區(qū)域可以是以晶圓表面中心點(diǎn)為圓心，半徑為0 100毫米(mm)的圓形區(qū)域。此外， 上述晶圓表面中心點(diǎn)附近區(qū)域不能離晶圓邊緣(wafer edge)太近，否則，不但難以清除晶圓表面中心點(diǎn)處的殘留物，反而還會將其它位置的殘留物沖刷到晶圓表面中心點(diǎn)處，從而加重晶圓表面中心點(diǎn)處的殘留物缺陷。在設(shè)置了起始點(diǎn)和N個中間點(diǎn)后，即可根據(jù)起始點(diǎn)和N個中間點(diǎn)對移動路徑進(jìn)行設(shè)置，使得該移動路徑經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)或經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)附近區(qū)域。例如，可將N 個中間點(diǎn)中的至少一個中間點(diǎn)設(shè)在晶圓表面中心點(diǎn)或晶圓表面中心點(diǎn)的附近區(qū)域；或者，在設(shè)置所述起始點(diǎn)和中間點(diǎn)時，可使得有至少兩個相鄰點(diǎn)之間(例如，起始點(diǎn)與第一個中間點(diǎn)之間，或者第N-I個中間點(diǎn)與第N個中間點(diǎn)之間)的連線經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)或晶圓表面中心點(diǎn)附近區(qū)域。在完成移動路徑的設(shè)置之后，即可將該移動路徑作為后續(xù)步驟中的噴灑裝置的平移軌跡，即噴灑裝置可根據(jù)該移動路徑進(jìn)行水平移動。在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述的移動路徑可以是封閉的路徑，也可以是開放的路徑。 上述移動路徑的起點(diǎn)可以是上述預(yù)先設(shè)置的起始點(diǎn)，上述移動路徑的終點(diǎn)也可以是上述預(yù)先設(shè)置的起始點(diǎn)。例如，當(dāng)上述移動路徑為封閉的路徑時，可將所述預(yù)先設(shè)置的起始點(diǎn)作為所述移動路徑的起點(diǎn)和終點(diǎn)，并使得所述移動路徑依次經(jīng)過所述的起始點(diǎn)和N個中間點(diǎn)。 而當(dāng)上述的移動路徑為開放的路徑時，則可將所述預(yù)先設(shè)置的起始點(diǎn)作為所述移動路徑的起點(diǎn)，并從所述N個中間點(diǎn)中選擇一個中間點(diǎn)作為所述移動路徑的終點(diǎn)，然后使得所述移動路徑依次經(jīng)過所述的起始點(diǎn)和N個中間點(diǎn)。在本發(fā)明的實(shí)施例中，可以使用多種方法來根據(jù)所設(shè)置的起始點(diǎn)和中間點(diǎn)設(shè)置移動路徑，以下將以舉例的方式進(jìn)行詳細(xì)地說明。實(shí)施例一、當(dāng)N = 1時的移動路徑的設(shè)置。當(dāng)N = 1時，只設(shè)置了一個中間點(diǎn)，此時1. 1)、當(dāng)所述移動路徑為封閉的路徑時，可將所述預(yù)先設(shè)置的起始點(diǎn)作為上述移動路徑的起點(diǎn)和終點(diǎn)，并使得上述移動路徑依次經(jīng)過所述起始點(diǎn)和中間點(diǎn)。例如，該移動路徑可以包括如下的子路徑從起始點(diǎn)移動到所述中間點(diǎn)的前進(jìn)路徑，以及從所述中間點(diǎn)返回到起始點(diǎn)的返回路徑。其中，上述前進(jìn)路徑或返回路徑均經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)或經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)附近區(qū)域。在本發(fā)明的實(shí)施例中，可以通過設(shè)置中間點(diǎn)的位置，以使得上述移動路徑經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)或經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)附近區(qū)域。例如，可對上述中間點(diǎn)進(jìn)行設(shè)置，使得該中間點(diǎn)位于晶圓表面中心點(diǎn)或位于晶圓表面中心點(diǎn)的附近區(qū)域中；或者，在設(shè)置中間點(diǎn)時，可使得上述中間點(diǎn)與起始點(diǎn)之間的連線經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)或經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)附近區(qū)域。另外，在本發(fā)明的實(shí)施例中，還可以通過其它的方法來使得上述移動路徑經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)或經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)附近區(qū)域，例如，對上述移動路徑或移動路徑的子路徑(例如，前進(jìn)路徑或返回路徑)的弧度進(jìn)行設(shè)定，使得上述移動路徑或移動路徑的子路徑經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)或經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)附近區(qū)域，具體的其它的設(shè)置方法可以依此類推， 在此不再贅述。此外，在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述移動路徑或移動路徑中的兩條子路徑(例如，前進(jìn)路徑和返回路徑)可以是直線，也可以是預(yù)先設(shè)置的曲線(例如，具有確定弧度的弧線或基于某個數(shù)學(xué)函數(shù)的曲線等)；在上述移動路徑中，上述兩條子路徑可以是重疊的，也可以是不重疊的，即上述的前進(jìn)路徑可以是與上述返回路徑完全重疊的路徑，也可以是與上述返回路徑不重疊的路徑。1. 2)當(dāng)所述移動路徑為開放的路徑時，可將上述所設(shè)置的起始點(diǎn)作為上述移動路徑的起點(diǎn)，并將上述中間點(diǎn)作為上述移動路徑的終點(diǎn)。此時，所述移動路徑即為從起始點(diǎn)移動到所設(shè)置的中間點(diǎn)的路徑；而且，該移動路徑經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)或經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)附近區(qū)域。具體的設(shè)置移動路徑的方法，可參照上述1. 1)中的設(shè)置方法，在此不再贅述。
另外，所述移動路徑可以是直線或預(yù)先設(shè)置的曲線(例如，具有確定弧度的弧線或基于某個數(shù)學(xué)函數(shù)的曲線等)。實(shí)施例二、當(dāng)N = 2時的移動路徑的設(shè)置。當(dāng)N = 2時，設(shè)置了兩個中間點(diǎn)，此時

2. 1)當(dāng)所述移動路徑為封閉的路徑時，可將上述的起始點(diǎn)作為上述移動路徑的起點(diǎn)和終點(diǎn)，并使得上述移動路徑依次經(jīng)過所述起始點(diǎn)和2個中間點(diǎn)。例如，該移動路徑可以包括如下的子路徑從起始點(diǎn)移動到所設(shè)置的第一個中間點(diǎn)的前進(jìn)路徑一、從第一個中間點(diǎn)移動到所設(shè)置的第二個中間點(diǎn)的前進(jìn)路徑二、以及從第二個中間點(diǎn)返回到起始點(diǎn)的返回路徑。其中，在上述移動路徑的子路徑中，至少有一條子路徑(例如，前進(jìn)路徑一、前進(jìn)路徑二或返回路徑)經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)或經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)附近區(qū)域。在本發(fā)明的實(shí)施例中，可以通過設(shè)置中間點(diǎn)的位置，以使得在上述移動路徑經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)或經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)附近區(qū)域。例如，可將上述N個中間點(diǎn)中的至少一個中間點(diǎn)(例如，第一個中間點(diǎn))設(shè)置在晶圓表面中心點(diǎn)或晶圓表面中心點(diǎn)的附近區(qū)域中； 或者，在設(shè)置起始點(diǎn)和中間點(diǎn)時，可使得有至少兩個相鄰點(diǎn)(例如，起始點(diǎn)和第一個中間點(diǎn)，或者，第一個中間點(diǎn)和第二個中間點(diǎn))之間的連線經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)或晶圓表面中心點(diǎn)附近區(qū)域。另外，在本發(fā)明的實(shí)施例中，還可以通過其它的方法來使得上述移動路徑中的至少一條子路徑經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)或經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)附近區(qū)域，例如，對上述至少一條子路徑(例如，前進(jìn)路徑一、前進(jìn)路徑二或返回路徑)的弧度進(jìn)行設(shè)定，使得該子路徑經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)或經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)附近區(qū)域等，具體的其它的設(shè)置方法可以依此類推，在此不再贅述。另外，在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述移動路徑或移動路徑的各條子路徑可以是直線或具有預(yù)先設(shè)置形狀的曲線(例如，具有確定弧度的弧線或基于某個數(shù)學(xué)函數(shù)的曲線等)。 而當(dāng)所述移動路徑包括至少兩條子路徑時，在上述移動路徑中，可以有兩條以上的子路徑部分重疊或完全重疊(例如，上述的返回路徑可以是與上述的前進(jìn)路徑一和前進(jìn)路徑二完全重疊的子路徑)，也可以是上述移動路徑中的各條子路徑均不重疊。2. 2)當(dāng)所述移動路徑為開放的路徑時，可將上述所設(shè)置的起始點(diǎn)作為上述移動路徑的起點(diǎn)，并從上述兩個中間點(diǎn)中選擇一個中間點(diǎn)作為上述移動路徑的終點(diǎn)，然后使得所述移動路徑依次經(jīng)過所述起始點(diǎn)和兩個中間點(diǎn)。以選擇第二個中間點(diǎn)為移動路徑的終點(diǎn)為例，此時，所述移動路徑可包括如下的子路徑從起始點(diǎn)移動到第一個中間點(diǎn)的第一路徑以及從第一個中間點(diǎn)移動到第二個中間點(diǎn)的第二路徑。其中，在上述移動路徑的子路徑之中， 至少有一條子路徑(例如，第一路徑或第二路徑)經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)或經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)附近區(qū)域。具體的設(shè)置移動路徑的方法，可參照上述2.1)中的設(shè)置方法，在此不再贅述。另外，所述移動路徑或移動路徑的各條子路徑均可以是直線或預(yù)先設(shè)置的曲線 (例如，具有確定弧度的弧線或基于某個數(shù)學(xué)函數(shù)的曲線等)。此外，上述的第一中間點(diǎn)可以位于晶圓表面中心點(diǎn)，或者，上述的第二中間點(diǎn)可以位于晶圓表面中心點(diǎn)。設(shè)置方法三、當(dāng)N = 3時的移動路徑的設(shè)置。當(dāng)N = 3時，設(shè)置了 3個中間點(diǎn)，此時3. 1)當(dāng)所述移動路徑為封閉的路徑時，可將上述所設(shè)置的起始點(diǎn)作為上述移動路徑的起點(diǎn)和終點(diǎn)，并使得上述移動路徑依次經(jīng)過所述起始點(diǎn)和3個中間點(diǎn)。例如，該移動路徑可以包括如下的4條子路徑從起始點(diǎn)移動到所設(shè)置的第一個中間點(diǎn)的前進(jìn)路徑一、從第一個中間點(diǎn)移動到所設(shè)置的第二個中間點(diǎn)的前進(jìn)路徑二、從第二個中間點(diǎn)移動到所設(shè)置的第三個中間點(diǎn)的前進(jìn)路徑三、以及從第三個中間點(diǎn)返回到起始點(diǎn)的返回路徑。其中，在上述的移動路徑的子路徑中，至少有一條子路徑經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)或經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)附近區(qū)域。具體的設(shè)置移動路徑的方法，可參照上述2.1)中的設(shè)置方法，在此不再贅述。另外，在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述移動路徑或移動路徑中的各條子路徑可以是直線或具有預(yù)先設(shè)置形狀的曲線(例如，具有確定弧度的弧線或基于某個數(shù)學(xué)函數(shù)的曲線等)；而當(dāng)所述移動路徑包括至少兩條子路徑時，在上述移動路徑中，可以有兩條以上的子路徑部分重疊或完全重疊(例如，上述返回路徑可以是與上述前進(jìn)路徑一、前進(jìn)路徑二和前進(jìn)路徑三完全重疊的子路徑)，也可以是上述移動路徑中的各條子路徑均不重疊。3. 2)當(dāng)所述移動路徑為開放的路徑時，可將上述所設(shè)置的起始點(diǎn)作為上述移動路徑的起點(diǎn)，并從上述N個中間點(diǎn)中選擇一個中間點(diǎn)作為上述移動路徑的終點(diǎn)，然后使得所述移動路徑依次經(jīng)過所述的起始點(diǎn)和N個中間點(diǎn)。以選擇第三個中間點(diǎn)為移動路徑的終點(diǎn)為例，此時，所述移動路徑可包括如下的子路徑從起始點(diǎn)移動到第一個中間點(diǎn)的第一路徑、從第一個中間點(diǎn)移動到第二個中間點(diǎn)的第二路徑以及從第二個中間點(diǎn)移動到第三個中間點(diǎn)的第三路徑。其中，在上述移動路徑中，至少有一條子路徑(例如，第一路徑、第二路徑或第三路徑)經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)或經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)附近區(qū)域。具體的設(shè)置移動路徑的方法，可參照上述2. 1)中的設(shè)置方法，在此不再贅述。另外，所述移動路徑或移動路徑中的各條子路徑均可以是直線或預(yù)先設(shè)置的曲線 (例如，具有確定弧度的弧線或基于某個數(shù)學(xué)函數(shù)的曲線等)。另外，上述三個中間點(diǎn)中的某一個中間點(diǎn)可以位于晶圓表面中心點(diǎn)。以上是以N = 1、2和3時的移動路徑的設(shè)置為例，對移動路徑的設(shè)置方法進(jìn)行了簡單的介紹。當(dāng)N取其它值時，即可參照上述的設(shè)置方法設(shè)置移動路徑，在此不再贅述。步驟302，噴灑裝置以設(shè)定的移動速率沿所述移動路徑平移，并從所述移動路徑的起點(diǎn)開始，通過所述噴灑裝置上的噴嘴將清洗液噴灑在晶圓表面上，對晶圓表面進(jìn)行清洗。在本步驟中，可將晶片放置于旋轉(zhuǎn)器(Spirmer)上，以設(shè)定的旋轉(zhuǎn)速率水平旋轉(zhuǎn)； 而噴灑裝置則將以設(shè)定的移動速率沿所述移動路徑平移，水平地掃過晶圓表面，并從所述移動路徑的起點(diǎn)開始，即通過該噴灑裝置上設(shè)置的噴嘴將清洗液(例如，純水或其它的清洗溶液)噴灑在水平旋轉(zhuǎn)的晶圓表面上，利用清洗液的沖刷力以及晶圓的旋轉(zhuǎn)力去除晶圓表面的殘留物，從而對晶圓表面進(jìn)行清洗。由于上述噴灑裝置的移動路徑經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)或經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)附近區(qū)域，且噴灑裝置從所述移動路徑的起點(diǎn)開始，即開始噴灑清洗液對晶圓表面進(jìn)行清洗，因此將使得在整個清洗過程中，清洗液對晶圓表面中心點(diǎn)的沖刷力大大提高，大大加強(qiáng)了對晶圓表面中心點(diǎn)處的殘留物的清洗力度，從而可有效地減少晶圓表面中心點(diǎn)處的殘留物缺陷，提高晶圓表面的清潔度。另外，在本發(fā)明的實(shí)施例中，可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用情況的需要，使得上述噴灑裝置反復(fù)多次地沿上述的移動路徑平移并噴灑清洗液，從而更進(jìn)一步地對晶圓表面進(jìn)行清洗；而上述噴灑裝置的移動速率，也可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用環(huán)境的需要預(yù)先進(jìn)行設(shè)定，例如，所述移動速率可以設(shè)置為50 100毫米/秒(mm/s)，且實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示，使用上述移動速率所取得的清洗效果較佳。此外，在現(xiàn)有技術(shù)中的清洗方法中，一般都通過延長清洗時間的方法來加強(qiáng)對晶圓表面中心點(diǎn)處的殘留物的清洗力度，減少晶圓表面中心點(diǎn)處的殘留物缺陷。但是，清洗時間的延長將增加整個處理流程的總時長，從而降低每小時晶圓產(chǎn)量(WPH，Wafe per hour), 導(dǎo)致WPH損失。而在本發(fā)明中所提出的上述的方法中，并不需要延長清洗時間即可有效地減少晶圓表面中心點(diǎn)處的殘留物缺陷，從而可以避免WPH損失。綜上可知，在本發(fā)明的實(shí)施例中提出了上述的半導(dǎo)體元器件顯影過程中的清洗方法。在上述半導(dǎo)體元器件顯影過程中的清洗方法中，由于預(yù)先為噴灑裝置設(shè)置了經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)或經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)附近 區(qū)域的移動路徑，使得噴灑裝置可沿著預(yù)先設(shè)置的移動路徑平移，并在平移的同時噴灑清洗液，從而加強(qiáng)了對晶圓表面中心點(diǎn)處的殘留物的清洗力度，可有效地減少晶圓表面中心點(diǎn)處的殘留物缺陷，從而提高了晶圓表面的清潔度， 同時，還可以避免WPH損失。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明保護(hù)的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體元器件顯影過程中的清洗方法，其特征在于，該方法包括預(yù)先設(shè)置起始點(diǎn)和N個中間點(diǎn)，并根據(jù)所述起始點(diǎn)和N個中間點(diǎn)設(shè)置移動路徑，使得所述移動路徑經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)或經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)附近區(qū)域；其中，N為自然數(shù)；噴灑裝置以設(shè)定的移動速率沿所述移動路徑平移，并從所述移動路徑的起點(diǎn)開始，通過所述噴灑裝置上的噴嘴將清洗液噴灑在晶圓表面上，對晶圓表面進(jìn)行清洗。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述起始點(diǎn)為預(yù)先設(shè)置的位于晶圓表面上方的起始位置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述移動路徑為封閉的路徑或開放的路徑。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述起始點(diǎn)和N個中間點(diǎn)設(shè)置移動路徑包括當(dāng)所述移動路徑為封閉的路徑時，將所述預(yù)先設(shè)置的起始點(diǎn)作為所述移動路徑的起點(diǎn)和終點(diǎn)，并使得所述移動路徑依次經(jīng)過所述起始點(diǎn)和N個中間點(diǎn)；當(dāng)所述移動路徑為開放的路徑時，將所述預(yù)先設(shè)置的起始點(diǎn)作為所述移動路徑的起點(diǎn)，并從所述N個中間點(diǎn)中選擇一個中間點(diǎn)作為所述移動路徑的終點(diǎn)，然后使得所述移動路徑依次經(jīng)過所述起始點(diǎn)和N個中間點(diǎn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述使得所述移動路徑經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)或經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)附近區(qū)域包括將所述N個中間點(diǎn)中的至少一個中間點(diǎn)設(shè)置在晶圓表面中心點(diǎn)或晶圓表面中心點(diǎn)的附近區(qū)域中；或者，在設(shè)置所述起始點(diǎn)和中間點(diǎn)時，使得有至少兩個相鄰點(diǎn)之間的連線經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)或晶圓表面中心點(diǎn)附近區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述移動路徑是直線或具有預(yù)先設(shè)置形狀的曲線。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于當(dāng)所述移動路徑包括至少兩條子路徑時，在所述移動路徑中，有兩條以上的子路徑部分重疊或完全重疊。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于當(dāng)所述移動路徑包括至少兩條子路徑時，所述移動路徑中的各條子路徑均不重疊。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶圓表面中心點(diǎn)附近區(qū)域?yàn)橐跃A表面中心點(diǎn)為圓心，半徑為O 100毫米的圓形區(qū)域。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述移動速率為50 100毫米/秒。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體元器件顯影過程中的清洗方法，該方法包括預(yù)先設(shè)置起始點(diǎn)和N個中間點(diǎn)，并根據(jù)所述起始點(diǎn)和N個中間點(diǎn)設(shè)置移動路徑，使得所述移動路徑經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)或經(jīng)過晶圓表面中心點(diǎn)附近區(qū)域；其中，N為自然數(shù)；噴灑裝置以設(shè)定的移動速率沿所述移動路徑平移，并從所述移動路徑的起點(diǎn)開始，通過所述噴灑裝置上的噴嘴將清洗液噴灑在晶圓表面上，對晶圓表面進(jìn)行清洗。通過使用上述的方法，可加強(qiáng)對晶圓表面中心點(diǎn)處的殘留物的清洗力度，有效地減少晶圓表面中心點(diǎn)處的殘留物缺陷。
文檔編號G03F7/42GK102346382SQ201010245569
公開日2012年2月8日 申請日期2010年7月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月27日
發(fā)明者喬輝, 羅大杰 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司