專(zhuān)利名稱(chēng)：液晶顯示器及其制造方法
液晶顯示器及其制造方法
本申請(qǐng)要求2009年9月30日提交的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)No. 10-2009-0093299的優(yōu)先 權(quán)，為了所有目的在此援引該專(zhuān)利申請(qǐng)作為參考，就像在這里全部列出一樣。技術(shù)領(lǐng)域
本文獻(xiàn)涉及一種液晶顯示器及其制造方法，尤其涉及一種能提高像素透過(guò)率 (transmittance)的液晶顯示器及其制造方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(“IXD”)通過(guò)使用電場(chǎng)調(diào)節(jié)LC層的光透過(guò)率來(lái)顯示圖像。根據(jù)驅(qū)動(dòng) LC層的電場(chǎng)的方向，LCD主要分為垂直電場(chǎng)型和水平電場(chǎng)型。
垂直電場(chǎng)型IXD通過(guò)在彼此相對(duì)排列且分別設(shè)置在上下面板上的像素電極與公 共電極之間產(chǎn)生的垂直電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)扭曲向列(“TN”)模式LC層。垂直電場(chǎng)型LCD具有開(kāi)口 率大(large aperture)的優(yōu)點(diǎn)，但是具有視角小的缺陷。
如圖1中所示，水平電場(chǎng)型IXD通過(guò)在下面板GLS上平行排列的像素電極Ep與公 共電極Ec之間產(chǎn)生的水平電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)共平面開(kāi)關(guān)(in plane switch,"IPS")模式LC層。為 了產(chǎn)生水平電場(chǎng)，像素電極Ep和公共電極Ec形成在同一平面上。像素電極Ep通過(guò)薄膜晶 體管(“TFT”)與數(shù)據(jù)線(xiàn)DL電連接并被供給有來(lái)自數(shù)據(jù)線(xiàn)DL的數(shù)據(jù)電壓。像素電極Ep通 過(guò)穿過(guò)鈍化層PAS而與TFT的漏極電連接。公共電極Ec通過(guò)穿過(guò)鈍化層PAS和柵絕緣層 GI而與下公共線(xiàn)VL電連接并被供給有來(lái)自下公共線(xiàn)VL的公共電壓。
在這種水平電場(chǎng)型LCD中，鈍化層PAS —般由高介電材料形成，因而當(dāng)公共電極Ec 和數(shù)據(jù)線(xiàn)DL彼此交疊且在其間具有鈍化層PAS時(shí)，形成寄生電容Cap。寄生電容反映出使 公共電極Ec中的電位不穩(wěn)定并由此產(chǎn)生串?dāng)_的公共電極Ec上的電壓變化。為了抑制串?dāng)_， 在現(xiàn)有技術(shù)的LCD中，公共電極需要與數(shù)據(jù)線(xiàn)DL分隔開(kāi)預(yù)定距離D。
然而，當(dāng)公共電極Ec與數(shù)據(jù)線(xiàn)DL之間的距離D增加時(shí)，像素區(qū)域PA中開(kāi)口區(qū) (open block)的面積也減少同樣的量。此外，需要通過(guò)向像素區(qū)域PA內(nèi)增加AW來(lái)加寬上 面板上的黑矩陣BM，從而覆蓋下公共線(xiàn)VL，由此大大降低了像素的透過(guò)率。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施方式提供了一種能提高像素透過(guò)率的液晶顯示器及其制造方法。
根據(jù)本發(fā)明一個(gè)典型實(shí)施方式，提供了一種液晶顯示器，其包括形成在第一基板 上的柵線(xiàn)、形成在所述基板上與所述柵線(xiàn)交叉以限定像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線(xiàn)、部分地包圍所述 像素區(qū)域并以同一工序與所述柵線(xiàn)一起形成的公共線(xiàn)、形成在所述柵線(xiàn)和所述數(shù)據(jù)線(xiàn)交叉 部分處的薄膜晶體管、具有與所述公共線(xiàn)連接的公共電極水平部分和從所述公共電極水平 部分以手指形狀延伸出的公共電極指狀部分的公共電極、和與所述薄膜晶體管連接并與所 述公共電極一起產(chǎn)生水平電場(chǎng)的像素電極，其中所述公共電極指狀部分的一部分與所述數(shù) 據(jù)線(xiàn)交疊，在所述公共電極與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)之間設(shè)置有具有低介電(low dielectric)的第一鈍化層。
所述第一鈍化層可包括丙烯基有機(jī)化合物。
所述液晶顯示器可進(jìn)一步包括由無(wú)機(jī)絕緣材料形成的且設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線(xiàn)與所 述第一鈍化層之間的第二鈍化層。
此外，所述像素電極可包括與所述薄膜晶體管連接的像素電極水平部分、和與所 述公共電極指狀部分平行且從所述像素電極水平部分以手指形狀延伸出的像素電極指狀 部分，其中所述公共電極指狀部分可包括與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)交疊的第一部分和除所述第一部分 之外的第二部分，且其中所述公共電極指狀部分的所述第二部分和所述像素電極的所述指 狀部分可直接設(shè)置在所述第一基板上。
所述液晶顯示器可進(jìn)一步包括與所述第一基板相對(duì)布置且具有黑矩陣的第二基 板，其中所述黑矩陣可覆蓋所述數(shù)據(jù)線(xiàn)但不覆蓋與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)平行布置的所述公共線(xiàn)。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)典型實(shí)施方式，提供了一種制造液晶顯示器的方法，包括通過(guò) 第一導(dǎo)電圖案形成柵線(xiàn)、與所述柵線(xiàn)連接的薄膜晶體管的柵極、和與所述柵線(xiàn)分離的公共 線(xiàn)；通過(guò)第二導(dǎo)電圖案形成與所述柵線(xiàn)交叉以限定像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線(xiàn)、與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)連接 的所述薄膜晶體管的源極和與所述源極相對(duì)布置的所述薄膜晶體管的漏極；整個(gè)地涂覆具 有低介電的第一鈍化層并構(gòu)圖所述第一鈍化層，以暴露部分所述公共線(xiàn)和部分所述漏極； 通過(guò)第三導(dǎo)電圖案形成公共電極，所述公共電極包括與所暴露的公共線(xiàn)連接的公共電極水 平部分和從所述公共電極水平部分以手指形狀延伸出的公共電極指狀部分；和通過(guò)所述第 三導(dǎo)電圖案形成與所暴露的漏極連接的像素電極，以與所述像素區(qū)域內(nèi)的所述公共電極一 起產(chǎn)生水平電場(chǎng)，其中所述公共電極指狀部分的一部分與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)交疊，在所述公共電 極與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)之間設(shè)置有所述第一鈍化層。


所包括用于給本發(fā)明提供進(jìn)一步理解并結(jié)合在內(nèi)組成說(shuō)明書(shū)一部分的附解 了本發(fā)明的實(shí)施方式，并與說(shuō)明書(shū)文字一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中
圖1是圖解現(xiàn)有技術(shù)的設(shè)置有彼此間隔的數(shù)據(jù)線(xiàn)和公共電極的LCD的示圖2是根據(jù)本文獻(xiàn)第一實(shí)施方式的TFT陣列面板的平面圖3是分別沿圖2中的線(xiàn)1-1’，11-11’和III-III’截取的截面圖4A到4F是順序圖解根據(jù)本文獻(xiàn)第一實(shí)施方式的TFT面板制造方法中的各個(gè)步 驟的截面圖5是根據(jù)本文獻(xiàn)第二實(shí)施方式的TFT陣列面板的平面圖6是沿圖5中的線(xiàn)IV-IV’，V-V’和VI-VI’截取的截面圖；以及
圖7A到7F是順序圖解根據(jù)本文獻(xiàn)第二實(shí)施方式的TFT面板制造方法中的各個(gè)步 驟的截面圖。
具體實(shí)施方式
下面，將參照?qǐng)D2到圖7F描述本文獻(xiàn)的典型實(shí)施方式。將使用通過(guò)四輪 (four-round)掩模工序制造的IPS模式TFT陣列面板及其制造方法作為例子來(lái)描述下面的 實(shí)施方式，但本文獻(xiàn)的范圍并不限于該掩模工序數(shù)量。
第一實(shí)施方式
將參照?qǐng)D2到圖4F描述本文獻(xiàn)的第一實(shí)施方式。在第一實(shí)施方式中，通過(guò)在公共 電極與數(shù)據(jù)線(xiàn)之間形成由低介電材料形成的鈍化層，公共電極和數(shù)據(jù)線(xiàn)彼此交疊。
圖2是根據(jù)本文獻(xiàn)第一實(shí)施方式的下面板，即由四輪掩模工序形成的TFT陣列面 板的平面圖。圖3是分別沿圖2中的線(xiàn)I-I’，11-11’和III-III’截取的截面圖。
圖2和3中所示的TFT陣列面板包括在下基板45上彼此交叉形成且在其間具有 柵絕緣層46的柵線(xiàn)2和數(shù)據(jù)線(xiàn)4、形成在柵線(xiàn)2和數(shù)據(jù)線(xiàn)4的每個(gè)交叉部分處的TFT 6、形 成在由柵線(xiàn)2和數(shù)據(jù)線(xiàn)4的交叉而限定的像素區(qū)域PA中用以產(chǎn)生水平電場(chǎng)的像素電極14 和公共電極19、以及與公共電極19連接的公共線(xiàn)16。此外，TFT陣列面板進(jìn)一步包括形成 在公共線(xiàn)16與像素電極14之間的交疊部分處的存儲(chǔ)電容器20、與柵線(xiàn)2連接的柵焊盤(pán)M、 與數(shù)據(jù)線(xiàn)4連接的數(shù)據(jù)焊盤(pán)30、以及與公共線(xiàn)16連接的公共焊盤(pán)。為了防止由于視角而造 成的圖像失真，顯示圖像的像素區(qū)域PA被分為兩個(gè)域Dl和D2。像素電極14和公共電極 19相對(duì)于隔開(kāi)第一和第二域Dl和D2的域邊界線(xiàn)B彎曲。此時(shí)，由電極14和19與垂直于 域邊界線(xiàn)B的法線(xiàn)N形成的電極角θ在各個(gè)域Dl和D2中相同。電極角θ由初始設(shè)計(jì)值 確定。
傳輸柵信號(hào)的柵線(xiàn)2和傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線(xiàn)4彼此交叉且在其間具有柵絕緣層 46，從而限定出像素區(qū)域ΡΑ。這里，柵線(xiàn)2由第一導(dǎo)電圖案形成，數(shù)據(jù)線(xiàn)4由第二導(dǎo)電圖案 形成。
公共線(xiàn)16和公共電極19傳輸用于驅(qū)動(dòng)LC層的基準(zhǔn)電壓(公共電壓)。公共線(xiàn) 16包括在其中設(shè)置有像素的顯示區(qū)域中部分地包圍像素區(qū)域PA的內(nèi)公共線(xiàn)16Α、和在顯示 區(qū)域之外的非顯示區(qū)域中與內(nèi)公共線(xiàn)16Α連接在一起的外公共線(xiàn)16Β。公共線(xiàn)16由第一導(dǎo) 電圖案形成。
公共電極19包括平行于柵線(xiàn)2布置且通過(guò)穿過(guò)柵絕緣層46以及第一和第二鈍化 層52和54 (其中可省略第一鈍化層52)的第二接觸孔15與內(nèi)公共線(xiàn)16Α連接的水平部分 19Α、和從水平部分19Α以手指形狀延伸出的指狀部分19Β。指狀部分19Β與數(shù)據(jù)線(xiàn)4交疊， 在指狀部分19Β與數(shù)據(jù)線(xiàn)4之間設(shè)置有鈍化層52和54。第二鈍化層由低介電材料形成，由 此可大大降低寄生電容。如上所述，公共電極19的指狀部分19Β與數(shù)據(jù)線(xiàn)4交疊，由此增 加了開(kāi)口區(qū)BL的面積。這里，上面板上的黑矩陣BM形成為覆蓋數(shù)據(jù)線(xiàn)4但不覆蓋內(nèi)公共 線(xiàn)16Α。換句話(huà)說(shuō)，減小了向像素區(qū)域PA內(nèi)延伸的黑矩陣BM的寬度。在寬度上減小了黑矩 陣BM并增大了開(kāi)口區(qū)BL，由此大大提高了像素的透過(guò)率。同時(shí)，指狀部分19Β還與內(nèi)公共 線(xiàn)16Α交疊。公共電極19由第三導(dǎo)電圖案形成。
TFT6響應(yīng)于沿柵線(xiàn)2傳輸?shù)臇判盘?hào)，從而將沿?cái)?shù)據(jù)線(xiàn)4傳輸?shù)南袼匦盘?hào)加載到像 素電極14。為此，TFT 6包括與柵線(xiàn)2連接的柵極8、與數(shù)據(jù)線(xiàn)4連接的源極10和與像素 電極14連接的漏極12。此外，TFT 6包括有源層48和歐姆接觸層50，有源層48以在TFT 6與柵極8和內(nèi)公共線(xiàn)16Α之間設(shè)置柵絕緣層46的方式與柵極8和內(nèi)公共線(xiàn)16Α交疊，以 在源極10與漏極12之間限定出溝道，歐姆接觸層50形成在有源層48上除溝道之外的部 分上并用于形成與源極10和漏極12歐姆接觸。有源層48和歐姆接觸層50由半導(dǎo)體圖案 形成。
像素電極14與公共電極19平行并相對(duì)布置，以在像素區(qū)域PA中產(chǎn)生水平電場(chǎng)。像素電極14通過(guò)穿過(guò)鈍化層52和M的第一接觸孔13與漏極12連接。像素電極14包括 與相鄰的柵線(xiàn)2平行布置的水平部分14A、和從水平部分14A延伸，平行于像素區(qū)域PA中的 公共電極19的指狀部分19B布置并具有手指形狀的指狀部分14B。像素電極14由第三導(dǎo) 電圖案形成。
像素電極14的水平部分14A與內(nèi)公共線(xiàn)16A部分交疊且在它們之間設(shè)置有柵絕 緣層46和鈍化層52和M，從而形成存儲(chǔ)電容器20。存儲(chǔ)電容器20穩(wěn)定地保持像素電極 14中加載的當(dāng)前幀的像素信號(hào)，直到下一幀的像素信號(hào)加載到像素電極14中為止。
柵線(xiàn)2通過(guò)柵焊盤(pán)M與柵驅(qū)動(dòng)器(沒(méi)有示出)連接。柵焊盤(pán)M由從柵線(xiàn)2延伸 出的柵焊盤(pán)下電極沈、和通過(guò)穿過(guò)柵絕緣層46的第三接觸孔27與柵焊盤(pán)下電極沈連接的 柵焊盤(pán)上電極觀(guān)組成。柵焊盤(pán)下電極沈由所述第一導(dǎo)電圖案形成，柵焊盤(pán)上電極觀(guān)由所 述第三導(dǎo)電圖案形成。
數(shù)據(jù)線(xiàn)4通過(guò)數(shù)據(jù)焊盤(pán)30與數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器(沒(méi)有示出)連接。數(shù)據(jù)焊盤(pán)30由從數(shù) 據(jù)線(xiàn)4延伸的數(shù)據(jù)焊盤(pán)下電極32、和通過(guò)穿過(guò)柵絕緣層46的第四接觸孔33與數(shù)據(jù)焊盤(pán)下 電極32連接的數(shù)據(jù)焊盤(pán)上電極34組成。數(shù)據(jù)焊盤(pán)下電極32由所述第一導(dǎo)電圖案形成，數(shù) 據(jù)焊盤(pán)上電極34由所述第三導(dǎo)電圖案形成。
公共線(xiàn)16通過(guò)公共焊盤(pán)36與外部基準(zhǔn)電壓源(沒(méi)有示出)連接。公共焊盤(pán)36 由從外公共線(xiàn)16B延伸的公共焊盤(pán)下電極38、和通過(guò)穿過(guò)柵絕緣層46的第五接觸孔39與 公共焊盤(pán)下電極38連接的公共焊盤(pán)上電極40組成。公共焊盤(pán)下電極38由所述第一導(dǎo)電 圖案形成，公共焊盤(pán)上電極40由所述第三導(dǎo)電圖案形成。
形成像素電極14、公共電極19和焊盤(pán)上電極28，34和40的第三導(dǎo)電圖案可由透 明導(dǎo)電膜或金屬膜形成。此外，第三導(dǎo)電圖案可進(jìn)一步由低反射膜(low reflective film) 形成，從而防止由于外部光造成的眩光(dazzling)。
將參照?qǐng)D4A到4F描述制造具有上述構(gòu)造的TFT面板的方法。
參照?qǐng)D4A，使用第一掩模工序在下基板45上形成包括柵線(xiàn)2、柵極8、柵焊盤(pán)下電 極沈、數(shù)據(jù)焊盤(pán)下電極32、公共線(xiàn)16和公共焊盤(pán)下電極38的第一導(dǎo)電圖案組。
詳細(xì)地說(shuō)，通過(guò)諸如濺射或類(lèi)似方法的沉積方法在下基板45上涂覆第一導(dǎo)電材 料。隨后，通過(guò)使用第一掩模進(jìn)行光刻和蝕刻而對(duì)第一導(dǎo)電材料構(gòu)圖，以形成包括柵線(xiàn)2、 柵極8、柵焊盤(pán)下電極沈、數(shù)據(jù)焊盤(pán)下電極32、公共線(xiàn)16和公共焊盤(pán)下電極38的第一導(dǎo)電 圖案組。第一導(dǎo)電材料可使用 Cr, Moff, MoTi, Cr/Al, Cu，Al (Nd)，Mo/Al，Mo/Al (Nd)，Cr/ Al (Nd)，或類(lèi)似材料。
在圖4B中，通過(guò)諸如PECVD或?yàn)R射這樣的沉積方法在設(shè)置有第一導(dǎo)電圖案組的下 基板45上涂覆柵絕緣層46。柵絕緣層46可由諸如氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)這樣的 無(wú)機(jī)絕緣材料形成。接著，通過(guò)第二掩模工序在柵絕緣層46上形成包括有源層48和歐姆 接觸層50的半導(dǎo)體圖案，以及包括數(shù)據(jù)線(xiàn)4、源極10和漏極12的第二導(dǎo)電圖案組。
例如，通過(guò)諸如PECVD和濺射這樣的沉積方法在設(shè)置有柵絕緣層46的下基板45 上順序地涂覆非晶硅層、η+非晶硅層和第二導(dǎo)電材料。第二導(dǎo)電材料可使用Cr，MoW，MoTi， Cr/Al，Cu，Al (Nd)，Mo/Al, Mo/Al (Nd)，Cr/Al (Nd)，或者類(lèi)似材料。接著，通過(guò)使用第二掩模 進(jìn)行光刻，在第二導(dǎo)電材料上形成光刻膠圖案。第二掩模使用衍射曝光掩模或具有與TFT 的溝道區(qū)域?qū)?yīng)的衍射曝光部分的半透明掩模(translucent mask) 0因而，溝道部分的光刻膠圖案具有比對(duì)應(yīng)于其他區(qū)域的其他光刻膠圖案低的高度。隨后，通過(guò)使用該光刻膠圖 案進(jìn)行濕蝕刻而對(duì)第二導(dǎo)電材料構(gòu)圖，從而提供包括數(shù)據(jù)線(xiàn)4、源極10、與源極10成一體 (integral to)的漏極12、和焊盤(pán)部分的第二導(dǎo)電層4’的第二導(dǎo)電圖案組。接著，通過(guò)使 用同一光刻膠圖案進(jìn)行干蝕刻，同時(shí)對(duì)η+非晶硅層和非晶硅層構(gòu)圖，從而提供歐姆接觸層 50、有源層48、在數(shù)據(jù)線(xiàn)4下面的半導(dǎo)體層以及在焊盤(pán)部分的第二導(dǎo)電層4’下面的半導(dǎo)體 層49。通過(guò)使用氧(O2)等離子體進(jìn)行灰化，移除在溝道部分內(nèi)具有相對(duì)較低高度的光刻膠 圖案。之后，通過(guò)干蝕刻移除形成在溝道部分處的第二源極/漏極金屬層和歐姆接觸層50。 因此，暴露出溝道部分的有源層48，以將源極10與漏極12電分離。
在圖4C和4D中，使用第三掩模工序，在設(shè)置有第二導(dǎo)電圖案組的下基板45上形 成第一和第二鈍化層52和54、以及穿過(guò)鈍化層52和M的第一到第五接觸孔13，15，27，33 和39。
例如，如圖4C中所示，通過(guò)諸如PECVD或者類(lèi)似方法這樣的沉積方法，在設(shè)置有 第二導(dǎo)電圖案組的下基板45上整個(gè)地涂覆第一鈍化層52。第一鈍化層52可由諸如SiOx, SiNx或者類(lèi)似物這樣的無(wú)機(jī)絕緣材料形成?？墒÷缘谝烩g化層52的形成工序。隨后，通 過(guò)諸如旋涂、狹縫涂覆(slit coating)或者類(lèi)似方法這樣的涂覆方法，在設(shè)置有第一鈍化 層52的下基板45上整個(gè)地形成第二鈍化層M。第二鈍化層M可由諸如丙烯基有機(jī)化合 物或類(lèi)似物這樣的低介電材料形成。第二鈍化層M用于減小當(dāng)下面的數(shù)據(jù)線(xiàn)4和上面的 (overlying)公共電極19彼此交疊時(shí)的寄生電容。接著，通過(guò)使用第三掩模進(jìn)行光刻，從 將要形成第一和第二接觸孔的部分以及將要形成焊盤(pán)對(duì)，30和36的部分移除第二鈍化層 54。
如圖4D中所示，通過(guò)使用第二鈍化層M圖案作為掩模進(jìn)行干蝕刻，形成第一到第 五接觸孔13，15，27，33和39。第一接觸孔13穿過(guò)鈍化層52和M以暴露漏極12，第二接 觸孔15穿過(guò)鈍化層52和M以及柵絕緣層46以暴露內(nèi)公共線(xiàn)16A。第三接觸孔27穿過(guò)柵 絕緣層46以暴露柵焊盤(pán)下電極沈，第四接觸孔33穿過(guò)柵絕緣層46以暴露數(shù)據(jù)焊盤(pán)下電極 32。第五接觸孔39穿過(guò)柵絕緣層46以暴露公共焊盤(pán)下電極38。
在圖4E和4F中，使用第四掩模工序，在設(shè)置有接觸孔13，15，27，33和39的下基 板45上形成包括像素電極14、公共電極19、柵焊盤(pán)上電極觀(guān)、數(shù)據(jù)焊盤(pán)上電極34和公共焊 盤(pán)上電極40的第三導(dǎo)電圖案組。
例如，如圖4E中所示，通過(guò)諸如濺射或者類(lèi)似方法這樣的沉積方法，在設(shè)置有包 括接觸孔13，15，27，33和39的鈍化層52和M的下基板45上涂覆第三導(dǎo)電材料56。第 三導(dǎo)電材料可使用諸如ΙΤΟ，IZO,TO或者類(lèi)似材料這樣的透明導(dǎo)電材料、或者諸如Cr，MoW， MoTi，Cr/Al，Cu，Al (Nd)，Mo/Al，Mo/Al (Nd)，Cr/Al (Nd)，或者類(lèi)似材料這樣的金屬材料。第 三導(dǎo)電材料56還可使用包括含氮化物材料或含氧化物材料的低反射材料。隨后，使用第三 掩模在第三導(dǎo)電材料56上形成光刻膠圖案58。
通過(guò)使用光刻膠圖案58作為掩模進(jìn)行濕蝕刻，對(duì)第三導(dǎo)電材料56構(gòu)圖，從而提供 如圖4F中所示包括像素電極14、公共電極19、柵焊盤(pán)上電極觀(guān)、數(shù)據(jù)焊盤(pán)上電極34和公共 焊盤(pán)上電極40的第三導(dǎo)電圖案組。像素電極14通過(guò)第一接觸孔13與TFT的漏極12電連 接。公共電極19通過(guò)第二接觸孔15與內(nèi)公共線(xiàn)16A電連接。柵焊盤(pán)上電極觀(guān)通過(guò)第三 接觸孔27與柵焊盤(pán)下電極沈電連接。數(shù)據(jù)焊盤(pán)上電極34通過(guò)第四接觸孔33與數(shù)據(jù)焊盤(pán)下電極32電連接。公共焊盤(pán)上電極40通過(guò)第五接觸孔39與公共焊盤(pán)下電極38電連接。
如上所述，在根據(jù)本文獻(xiàn)第一實(shí)施方式的LCD及其制造方法中，由低介電材料形 成的鈍化層形成在公共電極與數(shù)據(jù)線(xiàn)之間，從而與公共電極和數(shù)據(jù)線(xiàn)交疊。結(jié)果，增加了像 素區(qū)域中用于開(kāi)口區(qū)的面積，也減小了黑矩陣與像素區(qū)域之間的交疊面積。因此，大大提高 了像素的透過(guò)率。
第二實(shí)施方式
將參照?qǐng)D5到7F描述本文獻(xiàn)的第二實(shí)施方式。第二實(shí)施方式在公共電極與數(shù)據(jù) 線(xiàn)之間形成由低介電材料形成的鈍化層，從而使其與公共電極和數(shù)據(jù)線(xiàn)交疊，而且在基板 上直接形成公共電極的一部分和像素電極的指狀部分。
圖5是根據(jù)本文獻(xiàn)第二實(shí)施方式的下面板，即由四輪掩模工序形成的TFT陣列面 板的平面圖。圖6是分別沿圖5中的線(xiàn)IV-IV’，V-V'和VI-VI’截取的截面圖。
圖5和6中所示的TFT陣列面板包括在下基板145上彼此交叉形成且在其間具有 柵絕緣層146的柵線(xiàn)102和數(shù)據(jù)線(xiàn)104、形成在柵線(xiàn)102和數(shù)據(jù)線(xiàn)104的每個(gè)交叉部分處的 TFT 106、形成在由柵線(xiàn)102和數(shù)據(jù)線(xiàn)104的交叉而限定的像素區(qū)域PA中用以產(chǎn)生水平電 場(chǎng)的像素電極114和公共電極119、以及與公共電極119連接的公共線(xiàn)116。此外，TFT陣 列面板進(jìn)一步包括形成在公共線(xiàn)116與像素電極114之間的交疊部分處的存儲(chǔ)電容器120、 與柵線(xiàn)102連接的柵焊盤(pán)124、與數(shù)據(jù)線(xiàn)104連接的數(shù)據(jù)焊盤(pán)130、以及與公共線(xiàn)116連接 的公共焊盤(pán)。為了防止由于視角而造成的圖像失真，顯示圖像的像素區(qū)域PA被分為兩個(gè)域 Dl和D2。像素電極114和公共電極119相對(duì)于隔開(kāi)第一和第二域Dl和D2的域邊界線(xiàn)B 彎曲。此時(shí)，由電極114和119與垂直于域邊界線(xiàn)B的法線(xiàn)N形成的電極角θ在各個(gè)域Dl 和D2中相同。電極角θ由初始設(shè)計(jì)值確定。
傳輸柵信號(hào)的柵線(xiàn)102和傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線(xiàn)104彼此交叉且在其間具有柵絕 緣層146，從而限定出像素區(qū)域ΡΑ。這里，柵線(xiàn)102由第一導(dǎo)電圖案形成，數(shù)據(jù)線(xiàn)104由第 二導(dǎo)電圖案形成。
公共線(xiàn)116和公共電極119傳輸用于驅(qū)動(dòng)LC層的基準(zhǔn)電壓(公共電壓)。公共線(xiàn) 116包括在設(shè)置有像素的顯示區(qū)域中部分地包圍像素區(qū)域PA的內(nèi)公共線(xiàn)116Α、和在顯示區(qū) 域之外的非顯示區(qū)域中與內(nèi)公共線(xiàn)116Α連接在一起的外公共線(xiàn)116Β。公共線(xiàn)116由第一 導(dǎo)電圖案形成。
公共電極119包括平行于柵線(xiàn)102布置且通過(guò)穿過(guò)柵絕緣層146以及第一和第 二鈍化層152和154(其中可省略第一鈍化層15 的第二接觸孔115與內(nèi)公共線(xiàn)116A連 接的水平部分119A、和從水平部分119A延伸出并具有手指形狀的指狀部分119B。指狀部 分119B與數(shù)據(jù)線(xiàn)104交疊，在指狀部分119B與數(shù)據(jù)線(xiàn)104之間設(shè)置有鈍化層152和154。 第二鈍化層由低介電材料形成，由此可大大降低寄生電容。如上所述，公共電極的指狀部分 119B與數(shù)據(jù)線(xiàn)104交疊，由此增加了開(kāi)口區(qū)BL的面積。這里，上面板上的黑矩陣BM形成為 覆蓋數(shù)據(jù)線(xiàn)104但不覆蓋內(nèi)公共線(xiàn)116A。換句話(huà)說(shuō)，減小了向像素區(qū)域PA內(nèi)延伸的黑矩陣 BM的寬度。在寬度上減小了黑矩陣BM并增大了開(kāi)口區(qū)BL，由此大大提高了像素的透過(guò)率。
同時(shí)，指狀部分119B不僅包括在柵絕緣層146和鈍化層152和巧4上方與數(shù)據(jù)線(xiàn) 104交疊的第一部分，而且還包括第二部分。指狀部分119B的第二部分直接形成在基板145 上。水平部分119A在柵絕緣層146和鈍化層152和巧4上方。公共電極119由第三導(dǎo)電圖案形成。
TFT 106響應(yīng)于沿柵線(xiàn)102傳輸?shù)臇判盘?hào)，從而將沿?cái)?shù)據(jù)線(xiàn)104傳輸?shù)南袼匦盘?hào)加 載到像素電極114。為此，TFT 106包括與柵線(xiàn)102連接的柵極108、與數(shù)據(jù)線(xiàn)104連接的 源極110和與像素電極114連接的漏極112。此外，TFT 106包括有源層148和歐姆接觸層 150，有源層148以在TFT 106與柵極108和內(nèi)公共線(xiàn)116A之間設(shè)置柵絕緣層146的方式 與柵極108和內(nèi)公共線(xiàn)116A交疊，由此在源極110與漏極112之間限定出溝道，歐姆接觸 層150形成在有源層148上除溝道之外的部分上并用于形成與源極110和漏極112歐姆接 觸。有源層148和歐姆接觸層150由半導(dǎo)體圖案形成。
像素電極114與公共電極119平行且相對(duì)布置，以在像素區(qū)域PA中產(chǎn)生水平電 場(chǎng)。像素電極114通過(guò)穿過(guò)鈍化層152和154的第一接觸孔113與漏極112連接。像素電 極114包括與相鄰的柵線(xiàn)102平行布置的水平部分114A、和從水平部分114A延伸，平行于 像素區(qū)域PA中的公共電極119的指狀部分119B布置并具有手指形狀的指狀部分114B。指 狀部分114B與公共電極119的部分指狀部分119B —起直接形成在基板145上。結(jié)果，在 包括開(kāi)口區(qū)BL的光透過(guò)區(qū)域中沒(méi)有柵絕緣層146和鈍化層152和154，由此更大提高了像 素的透過(guò)率。像素電極114由第三導(dǎo)電圖案形成。
像素電極114的水平部分114A與內(nèi)公共線(xiàn)116A部分地交疊且在它們之間設(shè)置有 柵絕緣層146和鈍化層152和154，從而形成存儲(chǔ)電容器120。存儲(chǔ)電容器120穩(wěn)定地保持 像素電極114中加載的當(dāng)前幀的像素信號(hào)，直到下一幀的像素信號(hào)加載到像素電極114中 為止。
柵線(xiàn)102通過(guò)柵焊盤(pán)IM與柵驅(qū)動(dòng)器(沒(méi)有示出)連接。柵焊盤(pán)124由從柵線(xiàn) 102延伸出的柵焊盤(pán)下電極126、和通過(guò)穿過(guò)柵絕緣層146的第三接觸孔127與柵焊盤(pán)下電 極126連接的柵焊盤(pán)上電極1 組成。柵焊盤(pán)下電極126由所述第一導(dǎo)電圖案形成，柵焊 盤(pán)上電極128由所述第三導(dǎo)電圖案形成。
數(shù)據(jù)線(xiàn)104通過(guò)數(shù)據(jù)焊盤(pán)130與數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器(沒(méi)有示出)連接。數(shù)據(jù)焊盤(pán)130由 從數(shù)據(jù)線(xiàn)104延伸出的數(shù)據(jù)焊盤(pán)下電極132、和通過(guò)穿過(guò)柵絕緣層146的第四接觸孔133與 數(shù)據(jù)焊盤(pán)下電極132連接的數(shù)據(jù)焊盤(pán)上電極134組成。數(shù)據(jù)焊盤(pán)下電極132由所述第一導(dǎo) 電圖案形成，數(shù)據(jù)焊盤(pán)上電極134由所述第三導(dǎo)電圖案形成。
公共線(xiàn)116通過(guò)公共焊盤(pán)136與外部基準(zhǔn)電壓源(沒(méi)有示出)連接。公共焊盤(pán) 136由從外公共線(xiàn)116B延伸出的公共焊盤(pán)下電極138、和通過(guò)穿過(guò)柵絕緣層146的第五接 觸孔139與公共焊盤(pán)下電極138連接的公共焊盤(pán)上電極140組成。公共焊盤(pán)下電極138由 所述第一導(dǎo)電圖案形成，公共焊盤(pán)上電極140由所述第三導(dǎo)電圖案形成。
形成像素電極114、公共電極119和焊盤(pán)上電極128，134和140的第三導(dǎo)電圖案可 由透明導(dǎo)電膜或金屬膜形成。此外，第三導(dǎo)電圖案可進(jìn)一步由低反射膜形成，從而防止由于 外部光造成的眩光。
將參照?qǐng)D7A到7F描述制造具有上述構(gòu)造的TFT面板的方法。
參照?qǐng)D7A，使用第一掩模工序在下基板145上形成包括柵線(xiàn)102、柵極108、柵焊盤(pán) 下電極126、數(shù)據(jù)焊盤(pán)下電極132、公共線(xiàn)116和公共焊盤(pán)下電極138的第一導(dǎo)電圖案組。
詳細(xì)地說(shuō)，通過(guò)諸如濺射或者類(lèi)似方法這樣的沉積方法在下基板145上涂覆第一 導(dǎo)電材料。隨后，通過(guò)使用第一掩模進(jìn)行光刻和蝕刻而對(duì)第一導(dǎo)電材料構(gòu)圖，以形成包括柵10線(xiàn)102、 柵極108、柵焊盤(pán)下電極126、數(shù)據(jù)焊盤(pán)下電極132、公共線(xiàn)116和公共焊盤(pán)下電極 138的第一導(dǎo)電圖案組。第一導(dǎo)電材料可使用Cr，MoW，MoTi，Cr/Al，Cu，Al(Nd)，Mo/Al，Mo/ Al (Nd)，Cr/Al (Nd)，或者類(lèi)似材料。
在圖7B中，通過(guò)諸如PECVD或?yàn)R射這樣的沉積方法在設(shè)置有第一導(dǎo)電圖案組的下 基板145上涂覆柵絕緣層146。柵絕緣層146可由諸如SiOx或SiNx這樣的無(wú)機(jī)絕緣材料形 成。接著，通過(guò)第二掩模工序在柵絕緣層146上形成包括有源層148和歐姆接觸層150的 半導(dǎo)體圖案、以及包括數(shù)據(jù)線(xiàn)104、源極110和漏極112的第二導(dǎo)電圖案組。
例如，通過(guò)諸如PECVD和濺射這樣的沉積技術(shù)在設(shè)置有柵絕緣層146的下基板145 上順序地涂覆非晶硅層、η+非晶硅層和第二導(dǎo)電材料。第二導(dǎo)電材料可使用Cr，MoW，MoTi， Cr/Al，Cu，Al (Nd)，Mo/Al，Mo/Al (Nd)，Cr/Al (Nd)，或者類(lèi)似材料。接著，通過(guò)使用第二掩模 進(jìn)行光刻，在第二導(dǎo)電材料上形成光刻膠圖案。第二掩模使用衍射曝光掩?；蚓哂信cTFT 的溝道區(qū)域?qū)?yīng)的衍射曝光部分的半透明掩模。因而，溝道部分的光刻膠圖案具有比對(duì)應(yīng) 于其他區(qū)域的其他光刻膠圖案低的高度。隨后，通過(guò)使用該光刻膠圖案進(jìn)行濕蝕刻而對(duì)第 二導(dǎo)電材料構(gòu)圖，從而提供包括數(shù)據(jù)線(xiàn)104、源極110、與源極110—體的漏極112、和焊盤(pán)部 分的第二導(dǎo)電層104’的第二導(dǎo)電圖案組。接著，通過(guò)使用同一光刻膠圖案進(jìn)行干蝕刻，同 時(shí)對(duì)η+非晶硅層和非晶硅層構(gòu)圖，從而提供歐姆接觸層150、有源層148、在數(shù)據(jù)線(xiàn)104下 面的半導(dǎo)體層以及在焊盤(pán)部分的第二導(dǎo)電層104’下面的半導(dǎo)體層149。通過(guò)使用氧(O2) 等離子體進(jìn)行灰化，移除在溝道部分內(nèi)具有相對(duì)較低高度的光刻膠圖案。之后，通過(guò)干蝕刻 移除形成在溝道部分處的第二源極/漏極金屬層和歐姆接觸層150。因此，暴露出溝道部分 的有源層148，以將源極110與漏極112電分離。
在圖7C和7D中，使用第三掩模工序在設(shè)置有第二導(dǎo)電圖案組的下基板145上形 成第一和第二鈍化層152和154、以及穿過(guò)鈍化層152和巧4的第一到第五接觸孔113，115， 127，133 和 139。
例如，如圖7C中所示，通過(guò)諸如PECVD或者類(lèi)似方法這樣的沉積方法在設(shè)置有第 二導(dǎo)電圖案組的下基板145上整個(gè)地涂覆第一鈍化層152。第一鈍化層152可由諸如SiOx, SiNx或者類(lèi)似材料這樣的無(wú)機(jī)絕緣材料形成?？墒÷缘谝烩g化層152的形成工序。隨后， 通過(guò)諸如旋涂、狹縫涂布或者類(lèi)似方法這樣的涂覆方法在設(shè)置有第一鈍化層152的下基板 145上整個(gè)地形成第二鈍化層154。第二鈍化層巧4可由諸如丙烯基有機(jī)化合物或者類(lèi)似 材料這樣的低介電材料形成。第二鈍化層巧4用于減小當(dāng)下面的數(shù)據(jù)線(xiàn)104和上面的公共 電極119彼此交疊時(shí)的寄生電容。接著，通過(guò)使用第三掩模進(jìn)行光刻，從將要形成第一和第 二接觸孔的部分以及將要形成焊盤(pán)124，130和136的部分移除第二鈍化層154。
如圖7D中所示，通過(guò)使用第二鈍化層154圖案作為掩模進(jìn)行干蝕刻，形成第一到 第五接觸孔113，115，127，133和139。第一接觸孔113穿過(guò)鈍化層152和154以暴露漏極 112，第二接觸孔115穿過(guò)鈍化層152和154以及柵絕緣層146以暴露內(nèi)公共線(xiàn)116Α。第 三接觸孔127穿過(guò)柵絕緣層146以暴露柵焊盤(pán)下電極126，第四接觸孔133穿過(guò)柵絕緣層 146以暴露數(shù)據(jù)焊盤(pán)下電極132。第五接觸孔139穿過(guò)柵絕緣層146以暴露公共焊盤(pán)下電 極 138。
在圖7Ε和7F中，使用第四掩模工序在設(shè)置有接觸孔113，115，127，133和139的下 基板145上形成包括像素電極114、公共電極119、柵焊盤(pán)上電極128、數(shù)據(jù)焊盤(pán)上電極13411和公共焊盤(pán)上電極140的第三導(dǎo)電圖案組。
例如，如圖7E中所示，通過(guò)諸如濺射或者類(lèi)似方法這樣的沉積方法，在設(shè)置有包 括接觸孔113，115，127，133和139的鈍化層152和154的下基板145上涂覆第三導(dǎo)電材料 156。第三導(dǎo)電材料可使用諸如ΙΤ0，ΙΖ0，Τ0，或者類(lèi)似材料這樣的透明導(dǎo)電材料、或者諸如 Cr, Moff, MoTi，Cr/Al, Cu，Al (Nd)，Mo/Al，Mo/Al (Nd)，Cr/Al (Nd)，或者類(lèi)似材料這樣的金屬 材料。第三導(dǎo)電材料156還可使用包括含氮化物材料或含氧化物材料的低反射材料。隨后， 使用第三掩模在第三導(dǎo)電材料156上形成光刻膠圖案158。
通過(guò)使用光刻膠圖案158作為掩模進(jìn)行濕蝕刻，對(duì)第三導(dǎo)電材料156構(gòu)圖，從而提 供如圖7F中所示的包括像素電極114、公共電極119、柵焊盤(pán)上電極128、數(shù)據(jù)焊盤(pán)上電極 134和公共焊盤(pán)上電極140的第三導(dǎo)電圖案組。像素電極114通過(guò)第一接觸孔113與TFT 的漏極112電連接。公共電極119通過(guò)第二接觸孔115與內(nèi)公共線(xiàn)116A電連接。柵焊盤(pán) 上電極1 通過(guò)第三接觸孔127與柵焊盤(pán)下電極126電連接。數(shù)據(jù)焊盤(pán)上電極134通過(guò)第 四接觸孔133與數(shù)據(jù)焊盤(pán)下電極132電連接。公共焊盤(pán)上電極140通過(guò)第五接觸孔139與 公共焊盤(pán)下電極138電連接。像素電極114的指狀部分114B以及公共電極119的部分指 狀部分119B直接形成在基板145上。結(jié)果，在包括開(kāi)口區(qū)BL的光透過(guò)區(qū)域中沒(méi)有柵絕緣 層146和鈍化層152和154，由此更大提高了像素的透過(guò)率。
如上所述，在根據(jù)本文獻(xiàn)第二實(shí)施方式的LCD及其制造方法中，由低介電材料形 成的鈍化層在公共電極與數(shù)據(jù)線(xiàn)之間形成，從而與公共電極和數(shù)據(jù)線(xiàn)交疊。結(jié)果，增加了像 素區(qū)域中用于開(kāi)口區(qū)的面積，也減小了黑矩陣與像素區(qū)域之間的交疊面積。因此，大大提高 了像素的透過(guò)率。此外，在根據(jù)本文獻(xiàn)第二實(shí)施方式的LCD及其制造方法中，公共電極的部 分指狀部分和像素電極的指狀部分直接形成在基板上。結(jié)果，在包括開(kāi)口區(qū)的光透過(guò)區(qū)域 中沒(méi)有柵絕緣層和鈍化層，由此更大提高了像素的透過(guò)率。
前述的實(shí)施方式和優(yōu)點(diǎn)僅僅是示例性的，并不解釋為限制本發(fā)明。本發(fā)明的教導(dǎo) 很容易應(yīng)用于其他類(lèi)型的裝置。前述實(shí)施方式的描述意在舉例說(shuō)明，并不限制權(quán)利要求的 范圍(所要求保護(hù)的范圍)。許多替換、修改和變型對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn) 的。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯不器，包括柵線(xiàn)，所述柵線(xiàn)形成在第一基板上；數(shù)據(jù)線(xiàn)，所述數(shù)據(jù)線(xiàn)形成在所述基板上并與所述柵線(xiàn)交叉以限定像素區(qū)域；公共線(xiàn)，所述公共線(xiàn)部分地包圍所述像素區(qū)域并以同一工序與所述柵線(xiàn)一起形成；薄膜晶體管，所述薄膜晶體管形成在所述柵線(xiàn)和所述數(shù)據(jù)線(xiàn)的交叉部分處；公共電極，所述公共電極具有公共電極水平部分和公共電極指狀部分，所述公共電極 水平部分與所述公共線(xiàn)連接，并且所述公共電極指狀部分從所述公共電極水平部分以手指 形狀延伸出；和像素電極，所述像素電極與所述薄膜晶體管連接并與所述公共電極一起產(chǎn)生水平電場(chǎng)，其中所述公共電極指狀部分的一部分與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)交疊，在所述公共電極與所述數(shù)據(jù) 線(xiàn)之間設(shè)置有具有低介電的第一鈍化層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中所述第一鈍化層包括丙烯基有機(jī)化合物。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示器，進(jìn)一步包括由無(wú)機(jī)絕緣材料形成的且設(shè)置在所 述數(shù)據(jù)線(xiàn)與所述第一鈍化層之間的第二鈍化層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中所述像素電極具有像素電極水平部分和像 素電極指狀部分，所述像素電極水平部分與所述薄膜晶體管連接，并且所述像素電極指狀 部分與所述公共電極指狀部分平行而從所述像素電極水平部分以手指形狀延伸出，其中所述公共電極指狀部分具有與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)交疊的第一部分和除所述第一部分之 外的第二部分，并且其中所述公共電極指狀部分的所述第二部分和所述像素電極的所述指狀部分直接設(shè) 置在所述第一基板上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，進(jìn)一步包括與所述第一基板相對(duì)布置且具有黑 矩陣的第二基板，其中所述黑矩陣覆蓋所述數(shù)據(jù)線(xiàn)但不覆蓋與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)平行布置的所述公共線(xiàn)。
6.一種制造液晶顯示器的方法，包括通過(guò)第一導(dǎo)電圖案形成柵線(xiàn)、與所述柵線(xiàn)連接的薄膜晶體管的柵極和與所述柵線(xiàn)分離 的公共線(xiàn)；通過(guò)第二導(dǎo)電圖案形成與所述柵線(xiàn)交叉以限定像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線(xiàn)、與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)連接 的所述薄膜晶體管的源極、和與所述源極相對(duì)布置的所述薄膜晶體管的漏極；整個(gè)地涂覆具有低介電的第一鈍化層并構(gòu)圖所述第一鈍化層，以暴露部分所述公共線(xiàn) 和部分所述漏極；通過(guò)第三導(dǎo)電圖案形成公共電極，所述公共電極包括公共電極水平部分和公共電極指 狀部分，所述公共電極水平部分與所暴露的公共線(xiàn)連接，并且所述公共電極指狀部分從所 述公共電極水平部分以手指形狀延伸出；以及通過(guò)所述第三導(dǎo)電圖案形成與所暴露的漏極連接的像素電極，以與所述像素區(qū)域內(nèi)的 所述公共電極一起產(chǎn)生水平電場(chǎng)，其中所述公共電極指狀部分的一部分與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)交疊，在所述公共電極與所述數(shù)據(jù) 線(xiàn)之間設(shè)置有所述第一鈍化層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述第一鈍化層包括丙烯基有機(jī)化合物。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，進(jìn)一步包括形成由無(wú)機(jī)絕緣材料形成且設(shè)置在所述數(shù) 據(jù)線(xiàn)與所述第一鈍化層之間的第二鈍化層。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述像素電極具有像素電極水平部分和像素電極 指狀部分，所述像素電極水平部分與所述薄膜晶體管連接，并且所述像素電極指狀部分與 所述公共電極指狀部分平行而從所述像素電極水平部分以手指形狀延伸出，其中所述公共電極指狀部分具有與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)交疊的第一部分和除所述第一部分之 外的第二部分，并且其中所述公共電極指狀部分的所述第二部分和所述像素電極的所述指狀部分直接形 成在所述第一基板上。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，進(jìn)一步包括在與所述第一基板相對(duì)的第二基板上形 成黑矩陣，其中所述黑矩陣覆蓋所述數(shù)據(jù)線(xiàn)但不覆蓋與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)平行布置的所述公共線(xiàn)。
全文摘要
一種液晶顯示器及其制造方法，其中該液晶顯示器包括形成在第一基板上的柵線(xiàn)、形成在所述基板上與所述柵線(xiàn)交叉以限定像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線(xiàn)、部分地包圍所述像素區(qū)域并以同一工序與所述柵線(xiàn)一起形成的公共線(xiàn)、形成在所述柵線(xiàn)和所述數(shù)據(jù)線(xiàn)交叉部分處的薄膜晶體管、具有與所述公共線(xiàn)連接的公共電極水平部分和從所述公共電極水平部分以手指形狀延伸出的公共電極指狀部分的公共電極、和與所述薄膜晶體管連接并與所述公共電極一起產(chǎn)生水平電場(chǎng)的像素電極，其中所述公共電極指狀部分的一部分與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)交疊，且在所述公共電極與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)之間設(shè)置有具有低介電的第一鈍化層。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK102033375SQ201010226929
公開(kāi)日2011年4月27日 申請(qǐng)日期2010年7月2日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月30日
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