專利名稱：顯示基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的示范性實(shí)施例涉及一種在液晶顯示(LCD)裝置中使用的顯示基板以及 制造該顯示基板的方法，該顯示裝置包括顯示基板。
背景技術(shù)：
液晶顯示(IXD)裝置是一種較廣泛使用的平板顯示裝置。IXD裝置包括下基板， 具有多個(gè)像素電極；上基板，包括面對(duì)像素電極的公共電極；以及液晶層，插設(shè)在下基板與 上基板之間。彼此不同的電壓分別施加到像素電極和公共電極以在像素電極和公共電極之間 產(chǎn)生電場(chǎng)。電場(chǎng)被施加到液晶層以控制液晶層中的液晶分子的排列，從而使LCD裝置顯示 圖像。液晶分子沿第一方向延伸呈長(zhǎng)的形狀。液晶分子具有平行于液晶分子延伸方向的指 向矢(director)。穿過(guò)液晶層的光量由液晶層的指向矢與入射光之間的角度來(lái)改變。從 而，LCD裝置相對(duì)于其它顯示裝置具有相對(duì)窄的視角。
為了處理窄視角的缺陷，已經(jīng)發(fā)展了多種技術(shù)。例如，已經(jīng)開(kāi)發(fā)了圖案化垂直配向 (PVA)模式的IXD顯示裝置，其中像素區(qū)域被分為多個(gè)域來(lái)驅(qū)動(dòng)。在采用PVA模式的IXD裝置中，液晶分子相對(duì)于上基板和下基板垂直配向，統(tǒng)一的 狹縫圖案或凸起圖案形成在像素電極和/或公共電極中，使得多域結(jié)構(gòu)形成在單元像素區(qū) 域上。然而，當(dāng)多域結(jié)構(gòu)根據(jù)狹縫圖案或凸起圖案形成在像素區(qū)域上時(shí)，顯示裝置的開(kāi) 口率(aperture ratio)會(huì)減小。此外，不能分開(kāi)地控制液晶分子的排列，使得IXD裝置的 可視性會(huì)降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示范性實(shí)施例提供了一種能夠改善視角和像素區(qū)域的開(kāi)口率的顯示基 板。本發(fā)明的示范性實(shí)施例還提供了具有上述顯示基板的顯示裝置。本發(fā)明的示范性實(shí)施例還提供了一種制造上述顯示基板的方法。顯示基板的示范性實(shí)施例包括基底(base substrate)和統(tǒng)一不可分割的像素電 極。在本發(fā)明的示范性實(shí)施例中，基底可以包括柵極線；與柵極線交叉的數(shù)據(jù)線；以 及薄膜晶體管(TFT)，電連接到設(shè)置在其上的柵極線和數(shù)據(jù)線。像素區(qū)域可以限定在基底 上。統(tǒng)一不可分割的像素電極可以包括設(shè)置在像素區(qū)域上的多個(gè)分支電極以及將分支電極 彼此連接的連接電極。每個(gè)分支電極可以包括彎曲部分，并且相鄰分支電極的彎曲部分可 以彼此間隔開(kāi)。像素電極可以電連接到TFT。在本發(fā)明的示范性實(shí)施例中，每個(gè)分支電極可以包括第一圖案部分，在平面圖中 觀察時(shí)在相對(duì)于柵極線傾斜的方向上延伸；第二圖案部分，在平面圖中觀察時(shí)在相對(duì)于第一圖案部分傾斜的方向上延伸；以及連接部分，部分第一圖案部分和部分第二圖案部分可 以彼此相接以在彎曲部分處形成連接部分。當(dāng)像素區(qū)域包括彼此相鄰的多個(gè)子區(qū)域時(shí)，第 一圖案部分和第二圖案部分可以設(shè)置在每個(gè)相鄰子區(qū)域上，連接部分可以沿子區(qū)域的輪廓設(shè)置。在本發(fā)明的示范性實(shí)施例中，連接部分可以包括第一子圖案部分，從第一圖案部 分彎曲以被延伸；以及第二子圖案部分，從第二圖案部分彎曲以被延伸，且與第一子圖案部 分相接以在彎曲部分處形成連接部分。第一子圖案部分和第二子圖案部分之間的角度可以 小于或等于在平面圖中觀察時(shí)第一圖案部分和第二圖案部分之間的角度。當(dāng)在平面圖中觀 察時(shí)第一圖案部分和第二圖案部分之間的角度可以為約90°，當(dāng)在平面圖中觀察時(shí)第一子 圖案部分和第二子圖案部分之間的角度可以在約6°至約90°的范圍內(nèi)。在本發(fā)明的示范性實(shí)施例中，連接部分還可以包括平坦化部分，該平坦化部分設(shè) 置在彎曲部分的內(nèi)部區(qū)域中以增加彎曲部分的寬度。當(dāng)?shù)谝粓D案部分和第二圖案部分中的 每個(gè)可以具有第一寬度，并且彼此相鄰的分支電極的第一圖案部分和第二圖案部分彼此間 隔開(kāi)第二寬度時(shí)，包括平坦化部分的彎曲部分的寬度可以大于第一寬度，并可以小于第一 寬度和第二寬度之和。顯示裝置的示范性實(shí)施例包括顯示基板、相對(duì)基板和液晶層。在本發(fā)明的示范性實(shí)施例中，顯示基板可以包括第一基底和統(tǒng)一不可分割的像素 電極。第一基底可以包括柵極線；與柵極線交叉的數(shù)據(jù)線；以及TFT，電連接到設(shè)置在其上 的柵極線和數(shù)據(jù)線。像素區(qū)域可以限定在第一基底上。像素電極可以電連接到TFT。像素 電極可以包括設(shè)置在第一基底的像素區(qū)域上的多個(gè)分支電極以及將分支電極彼此連接的 連接電極。每個(gè)分支電極可以包括彎曲部分，相鄰分支電極的彎曲部分彼此間隔開(kāi)。相對(duì) 基板可以包括第二基底，其中公共電極設(shè)置為面對(duì)像素電極，第二基底面對(duì)第一基底。液晶 層可以設(shè)置在顯示基板和相對(duì)基板之間。在制造顯示基板的方法的示范性實(shí)施例中，TFT設(shè)置在其上限定有像素區(qū)域的基 板上。鈍化膜和有機(jī)層可以順序設(shè)置在包括TFT的基板上。部分暴露TFT的接觸孔可以設(shè) 置為貫穿鈍化膜和有機(jī)層。透明導(dǎo)電層可以設(shè)置在包括貫穿其的接觸孔的有機(jī)層上。透明 導(dǎo)電層可以被圖案化以形成統(tǒng)一不可分割的像素電極。像素電極可以包括設(shè)置在像素區(qū)域 上的多個(gè)分支電極以及將分支電極彼此連接的連接電極。每個(gè)分支電極可以包括彎曲部 分，相鄰分支電極的彎曲部分彼此間隔開(kāi)。像素電極可以電連接到TFT。在包括顯示基板的顯示裝置和制造該顯示基板的方法的示范性實(shí)施例中，統(tǒng)一不 可分割的像素電極包括彼此間隔開(kāi)的多個(gè)分支電極以及將分支電極彼此連接的連接電極， 使得像素區(qū)域可以被分成多個(gè)域，并且可以省略連接分支電極的中央部分的導(dǎo)電圖案。有 利地，可以改善液晶顯示裝置的視角，并可以改善像素區(qū)域的開(kāi)口率。


通過(guò)參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示范性實(shí)施例，本發(fā)明的以上和其它的特征以及優(yōu)點(diǎn)將變得更加明顯，附圖中圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的示范性實(shí)施例的平面圖；圖2是示出圖1的部分“A”的放大平面圖3是示意地示出圖1的顯示裝置的示范性實(shí)施例的截面圖；圖4A至圖4G是示意地示出圖1至圖3的顯示基板的制造工藝的示范性實(shí)施例的 截面圖；圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的另一示范性實(shí)施例的平面圖；圖6是示出圖5的部分“B”的放大平面圖；圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的另一示范性實(shí)施例的平面圖；圖8是示出圖7的部分“C”的放大平面圖；圖9是示出根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的另一示范性實(shí)施例的平面圖；以及圖10是示出圖9的部分“D”的放大平面圖。
具體實(shí)施例方式在下文參照附圖更充分地描述本發(fā)明，附圖中示出了本發(fā)明的示范性實(shí)施例。然 而，本發(fā)明可以以多種不同的形式實(shí)施，而不應(yīng)被解釋為限于這里闡述的示范性實(shí)施例。而 是，提供這些示范性實(shí)施例使得本公開(kāi)透徹且完整，并將本發(fā)明的范圍充分傳達(dá)給本領(lǐng)域 技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚起見(jiàn)，層和區(qū)域的尺寸及相對(duì)尺寸可以被夸大。應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)稱一元件或?qū)印霸凇绷硪辉驅(qū)印吧稀被颉榜罱拥健绷硪辉驅(qū)?時(shí)，它可以直接在另一元件或?qū)由匣蛑苯舆B接到另一元件或?qū)?，或者可以存在插入的元?或?qū)?。相反，?dāng)稱一元件“直接在”另一元件或?qū)印吧稀被颉爸苯舆B接”到另一元件或?qū)訒r(shí)，不 存在插入的元件或?qū)印Ｈ邕@里使用的，“連接”可以指元件彼此物理連接和/或電連接。相 同的附圖標(biāo)記始終指代相同的元件。如這里使用的，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)所列相 關(guān)項(xiàng)目的任何及所有組合。應(yīng)當(dāng)理解，雖然這里可使用術(shù)語(yǔ)第一、第二、第三等描述各種元件、組件、區(qū)域、層 和/或部分，但這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)受限于這些術(shù)語(yǔ)。這些術(shù)語(yǔ)僅用于 將一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一區(qū)域、層或部分區(qū)別開(kāi)。因此，以下討論的第一元 件、組件、區(qū)域、層或部分可以在不背離本發(fā)明教導(dǎo)的前提下稱為第二元件、組件、區(qū)域、層 或部分。為便于描述此處可以使用諸如“在...之下”、“在...下面”、“下(lower) “在...之上”、“上(upper)”等空間相對(duì)性術(shù)語(yǔ)以描述如附圖所示的一個(gè)元件或部件與另 一個(gè)(些)元件或部件之間的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解，空間相對(duì)性術(shù)語(yǔ)是用來(lái)概括除附圖所示取 向之外的使用或操作中的器件的不同取向的。例如，如果附圖中的器件翻轉(zhuǎn)過(guò)來(lái)，被描述為 “在”其它元件或部件“之下”或“下面”的元件將會(huì)在其它元件或部件的“上方”。這樣，示 范性術(shù)語(yǔ)“在...下面”就能夠涵蓋之上和之下兩種取向。器件可以采取其它取向(旋轉(zhuǎn) 90度或在其它取向)，此處所用的空間相對(duì)性描述符做相應(yīng)解釋。這里所用的術(shù)語(yǔ)僅僅是為了描述特定示范性實(shí)施例，并非要限制本發(fā)明。如此處所用的，除非上下文另有明確表述，否則單數(shù)形式均同時(shí)旨在包括復(fù)數(shù)形式。還應(yīng)當(dāng)理解， 術(shù)語(yǔ)“包括(comprise) ”和/或“包括(comprising) ”，當(dāng)在本說(shuō)明書中使用時(shí)，指定了所述 特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件的存在，但并不排除一個(gè)或多個(gè)其它特征、整體、步 驟、操作、元件、組件和/或其組合的存在或增加。這里參照截面圖描述了本發(fā)明的示范性實(shí)施例，這些圖為本發(fā)明的理想化示范性實(shí)施例(以及中間結(jié)構(gòu))的示意圖。因而，舉例來(lái)說(shuō)，由制造技術(shù)和/或公差引起的插圖形 狀的變化是可能發(fā)生的。因此，本發(fā)明的示范性實(shí)施例不應(yīng)被解釋為僅限于此處示出的區(qū) 域的特定形狀，而是包括由例如制造引起的形狀偏差在內(nèi)。例如，示出為矩形的注入?yún)^(qū)通常 將具有圓形或曲線的特征和/或在其邊緣的注入濃度的梯度，而不是從注入?yún)^(qū)到非注入?yún)^(qū) 的二元變化。類似地，通過(guò)注入形成的埋入?yún)^(qū)可以在埋入?yún)^(qū)和表面之間的區(qū)域中產(chǎn)生一些 注入，注入穿過(guò)該表面發(fā)生。因此，附圖所示的區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上是示意性的，它們的形狀并非要 展示器件區(qū)的實(shí)際形狀，也并非要限制本發(fā)明的范圍。除非另行定義，此處使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)術(shù)語(yǔ)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))都具有本發(fā)明 所屬領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員所通常理解的同樣的含義。還應(yīng)當(dāng)理解，諸如通用詞典中所定 義的術(shù)語(yǔ)，除非此處加以明確定義，否則應(yīng)當(dāng)被解釋為具有與它們?cè)谙嚓P(guān)領(lǐng)域的語(yǔ)境中的 含義相一致的含義，而不應(yīng)被解釋為理想化的或過(guò)度形式化的意義。這里所述的所有方法可以以適合的順序執(zhí)行，除非這里另行指出或另外通過(guò)上下 文明確相反地指出。任何和所有的示例以及示范性語(yǔ)言(例如，諸如)的使用僅旨在更好 地說(shuō)明本發(fā)明而不對(duì)本發(fā)明的范圍施加限制，除非另外要求。本說(shuō)明書中的語(yǔ)言都不應(yīng)被 解釋為指示任何未要求的元件對(duì)于如此處所用的本發(fā)明的實(shí)踐是必須的。在下文，將參照附圖更詳細(xì)地解釋本發(fā)明。圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的示范性實(shí)施例的平面圖。圖2是示出圖1的 部分“A”的放大平面圖。圖3是示意地示出圖1的顯示裝置10的截面圖。參照?qǐng)D1至圖3，顯示裝置10包括顯示基板100、相對(duì)基板200和液晶層300。顯示基板100包括第一基底110、多條柵極線GL、柵極絕緣層120、多條數(shù)據(jù)線DL、 多個(gè)薄膜晶體管(TFT) SW、鈍化膜140、有機(jī)層150、多個(gè)像素電極160和第一配向?qū)?70。第一基底110包括能夠透光的透明絕緣材料。在一個(gè)示范性實(shí)施例中，第一基底 110可以包括玻璃。用于第一基底110的玻璃可以是無(wú)堿性玻璃。當(dāng)玻璃是有堿性玻璃時(shí)， 堿性離子從玻璃流出到液晶單元，從而顯示裝置10的顯示特性會(huì)被不期望地惡化。由于流 出的堿性離子，密封液晶的密封構(gòu)件(未示出)與第一基底110之間的粘附性會(huì)降低。因 此，設(shè)置在第一基底110的TFT SW的驅(qū)動(dòng)會(huì)被損害。此外，第一基底110可以在光學(xué)上各 向同性。多個(gè)像素區(qū)域PA限定在第一基底110上。在平面圖中，柵極線GL設(shè)置在第一基底110的相鄰像素區(qū)域PA之間，并在第一基 底110上沿第一方向Dl縱向延伸。柵極線GL將由外部裝置(未示出)施加的柵極信號(hào)施 加到TFT SW以開(kāi)啟TFT Sff0在一個(gè)示范性實(shí)施例中，柵極線GL可以具有雙層結(jié)構(gòu)，其中每 個(gè)層的形成工藝彼此不同。當(dāng)柵極線GL包括雙層結(jié)構(gòu)時(shí)，柵極線GL的第一層由具有較強(qiáng) 機(jī)械特性和化學(xué)特性的金屬(例如，鉻(Cr)、鉬(Mo)、鉬合金等)形成，柵極線GL的第二層 由具有較低電阻率的金屬(例如，鋁(Al)、鋁合金等)形成。柵極絕緣層120設(shè)置在第一基底110上以覆蓋柵極線GL和多個(gè)柵極電極GE。柵 極絕緣層120可以設(shè)置在整個(gè)第一基底110上以與多條柵極線GL和多個(gè)柵極電極GE重疊。 在示范性實(shí)施例中，柵極絕緣層120可以包括但不限于硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)等。在平面圖中，數(shù)據(jù)線DL設(shè)置在相鄰的像素區(qū)域PA之間，并沿與第一方向Dl交叉 的第二方向D2縱向延伸，第一方向Dl是柵極絕緣層120上的柵極線GL的延伸方向。第二方向D2可以與第一方向相交，例如基本垂直于第一方向D1。數(shù)據(jù)線DL通過(guò)TFT SW將由外 部裝置(未示出)提供的數(shù)據(jù)信號(hào)施加到像素電極160。TFT SW包括柵極電極GE，電連接到柵極線GL ；半導(dǎo)體圖案130，對(duì)應(yīng)于柵極電極 GE直接設(shè)置在柵極絕緣層120上；源極電極SE，電連接到數(shù)據(jù)線DL ；以及漏極電極DE，電連 接到像素電極160。如在此使用地，“對(duì)應(yīng)”可以指在位置關(guān)系、尺寸和/或形狀上與另一元 件相關(guān)，例如與另一元件對(duì)準(zhǔn)。源極電極SE和漏極電極DE每個(gè)都直接設(shè)置在半導(dǎo)體圖案 130上，并在平面圖中彼此間隔開(kāi)。源極電極SE設(shè)置為與數(shù)據(jù)線DL相連，使得源極電極SE 和數(shù)據(jù)線DL是顯示基板100的統(tǒng)一不可分割的元件。類似地，柵極電極GE設(shè)置為與柵極 線GL相連，使得柵極電極GE和柵極線GL是顯示基板100的統(tǒng)一不可分割的元件。當(dāng)來(lái)自柵極線GL的柵極信號(hào)施加到TFT Sff的柵極電極GE時(shí)，半導(dǎo)體圖案130從 具有不傳導(dǎo)的特性轉(zhuǎn)變?yōu)榫哂袀鲗?dǎo)的特性。當(dāng)柵極信號(hào)施加到柵極電極GE時(shí)，TFT SW導(dǎo) 通。當(dāng)TFT SW導(dǎo)通時(shí)，從數(shù)據(jù)線DL施加到源極電極SE的數(shù)據(jù)信號(hào)經(jīng)由半導(dǎo)體圖案130和 漏極電極DE施加到像素電極160。鈍化膜140直接設(shè)置在柵極絕緣層120上以覆蓋數(shù)據(jù)線DL和TFT SW。鈍化膜140 可以設(shè)置在整個(gè)第一基底Iio上以與多條數(shù)據(jù)線DL和多個(gè)TFTSW重疊。在一個(gè)示范性實(shí) 施例中，鈍化膜140可以包括硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)等，例如包括與柵極絕緣層 120相同的材料。有機(jī)層150直接設(shè)置在鈍化膜140上并有效地平坦化顯示基板100。此外，有機(jī)層 150可以減少在像素電極160和數(shù)據(jù)線DL之間產(chǎn)生的寄生電容。當(dāng)數(shù)據(jù)線DL不與像素電 極160重疊時(shí)，有機(jī)層150可以被省略。部分地暴露漏極電極DE的一部分的接觸孔CNT設(shè) 置成完全地貫穿鈍化膜140和有機(jī)層150。在平面圖中，像素電極160直接設(shè)置在有機(jī)層150上且與第一基底110的像素區(qū) 域PA相對(duì)應(yīng)(例如，對(duì)準(zhǔn))。像素電極160可以包括光學(xué)透明且導(dǎo)電的材料。在一個(gè)示范 性實(shí)施例中，像素電極160可以包括銦錫氧化物(ΙΤ0)、銦鋅氧化物(ΙΖ0)、非晶銦錫氧化物 (a-ITO)等。像素電極160通過(guò)接觸孔CNT電連接到TFT Sff的漏極電極DE，該接觸孔CNT設(shè)置 為完全貫穿鈍化膜140和有機(jī)層150。施加到數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)信號(hào)通過(guò)TFT SW的源極電 極SE和漏極電極DE施加到像素電極160。即將被施加到液晶層300的電場(chǎng)由施加到像素 電極160的數(shù)據(jù)信號(hào)和施加到相對(duì)基板200的公共電極250的公共電壓來(lái)產(chǎn)生。第一配向?qū)?70直接設(shè)置在有機(jī)層150上以覆蓋像素電極160。第一配向?qū)?70 可以設(shè)置在整個(gè)第一基底110上以與多個(gè)像素電極160重疊。第一配向?qū)?70可以使液晶 層300的液晶分子初始配向以改善液晶分子的響應(yīng)時(shí)間。再次參照?qǐng)D1，存儲(chǔ)線STL還可以設(shè)置在第一基底110上。存儲(chǔ)線STL設(shè)置在柵極絕緣層120下面，例如在柵極絕緣層120與第一基底110之間，并基本與柵極線GL平行地 縱向延伸。在平面圖中，存儲(chǔ)線STL的一部分與像素電極160的一部分(例如，外邊緣)重 疊。存儲(chǔ)線STL的一部分還與TFT SW的漏極電極DE的一部分重疊。存儲(chǔ)電容器可以由存 儲(chǔ)線STL、像素電極160、柵極絕緣層120和鈍化膜140限定。存儲(chǔ)電容器可以在一幀中基 本一致地維持施加到像素電極160的電壓。再次參照?qǐng)D1和圖2，像素電極160包括多個(gè)分支電極161、162、163和164以及連接電極165。連接電極165設(shè)置在像素電極160的周邊或邊界。連接電極165的第一部分沿第一方向Dl縱向延伸，連接電極的第二部分沿第二方向D2縱向延伸。多個(gè)分支電極161、 162、163和164以及連接電極165設(shè)置為彼此相連，使得多個(gè)分支電極161、162、163和164 以及連接電極165共同地形成作為顯示裝置的單個(gè)統(tǒng)一不可分割的元件的像素電極160。分支電極161、162、163和164設(shè)置在像素區(qū)域PA上以將像素區(qū)域PA分成多個(gè)域 S1、S2、S3 禾口 S4。每個(gè)分支電極161、162、163和164都包括彎曲部分。相鄰分支電極的彎曲部分在 平面圖中彼此間隔開(kāi)。每個(gè)分支電極161、162、163和164可以具有基本“V”形狀(其中心 部分是彎曲的)。在示出的示范性實(shí)施例中，每個(gè)分支電極161、162、163和164可以分別包 括多個(gè)第一圖案部分161a、162a、163a和164a、多個(gè)第二圖案部分161b、162b、163b和164b 以及多個(gè)連接部分161c、162c、163c和164c。每個(gè)第一圖案部分161a、162a、163a和164a都沿一方向縱向延伸。當(dāng)在平面圖 觀察時(shí)，每個(gè)第二圖案部分161b、162b、163b和164b分別相對(duì)于第一圖案部分161a、162a、 163a和164a沿傾斜方向延伸。在一個(gè)示范性實(shí)施例中，當(dāng)在平面圖觀察時(shí)，每個(gè)第二圖案 部分161b、162b、163b和164b分別相對(duì)于第一圖案部分161a、162a、163a和164a沿約90° 角度的傾斜方向延伸。每個(gè)連接部分161c、162c、163c和164c分別設(shè)置在第一圖案部分161a、162a、163a 和164a的一部分(例如，第一端)與第二圖案部分161b、162b、163b和164b的一部分(例 如，第一端)相接的區(qū)域處。第一圖案部分161a、162a、163a和164a的第一端與第二圖案 部分161b、162b、163b和164b的第一端相接的區(qū)域沿圖2中的虛線指示。彎曲部分形成在 連接部分 161c、162c、163c 和 164c 處。在一個(gè)示范性實(shí)施例中，每個(gè)第一圖案部分161a、162a、163a和164a的寬度可以 分別與每個(gè)第二圖案部分161b、162b、163b和164b的寬度不同。在可選的實(shí)施例中，每個(gè) 第一圖案部分161a、162a、163a和164a的寬度可以分別與每個(gè)第二圖案部分161b、162b、 163b和164b的寬度基本相等。每個(gè)圖案部分的寬度可以基本垂直于圖案部分的縱向(延 伸)方向取得。當(dāng)像素區(qū)域PA包括兩個(gè)彼此相鄰的子區(qū)域時(shí)，每個(gè)第一圖案部分161a、162a、 163a和164a以及第二圖案部分161b、162b、163b和164b可以分別設(shè)置在相鄰的子區(qū)域上。 連接部分161c、162c、163c和164c沿相鄰子區(qū)域的輪廓(例如，邊界)設(shè)置。在示出的示范性實(shí)施例中，當(dāng)像素區(qū)域PA包括第一子區(qū)域S 1、第二子區(qū)域S2、 第三子區(qū)域S3和第四子區(qū)域S4時(shí)，像素電極160的分支電極可以包括多個(gè)第一分支電極 161、多個(gè)第二分支電極162、多個(gè)第三分支電極163和多個(gè)第四分支電極164，其中第二子 區(qū)域S2沿柵極線GL的延伸方向(第一方向Dl)與第一子區(qū)域Sl相鄰，第三子區(qū)域S3沿?cái)?shù) 據(jù)線DL的延伸方向(第二方向D2)與第二子區(qū)域S2相鄰，第四子區(qū)域S4沿?cái)?shù)據(jù)線DL的 延伸方向(第二方向D2)與第一子區(qū)域Sl相鄰且沿柵極線GL的延伸方向(第一方向Dl) 與第三子區(qū)域S3相鄰。第一至第四子區(qū)域Sl至S4在圖1中由交叉的虛線劃分。參照?qǐng)D1，像素電極160的一對(duì)分支電極在像素區(qū)域PA的中心處相接，如指示第一 至第四子區(qū)域Sl至S4的虛線的交點(diǎn)處所指示的。該對(duì)分支電極可以包括一個(gè)“V”形的分 支電極和一個(gè)倒“V”形的分支電極，關(guān)于沿第一方向Dl延伸的(虛)中心線對(duì)稱地設(shè)置。該“V”和倒“V”形的分支電極可以分別稱為第一分支電極161和第三分支電極163?？蛇x地，該對(duì)分支電極可以包括一個(gè)“<”形(向右開(kāi)口的“V”形)的分支電極和 一個(gè)“>”形(向左開(kāi)口的“V”形)的分支電極，關(guān)于沿第二方向D2延伸的(虛)中心線 對(duì)稱地設(shè)置。該右開(kāi)口和左開(kāi)口“V”形的分支電極可以分別被稱為第二分支電極162和第 四分支電極164。每個(gè)第一分支電極161包括第一圖案部分161a，設(shè)置在第一子 區(qū)域Sl上；第二 圖案部分161b，設(shè)置在第二子區(qū)域S2上；以及連接部分161c，與相鄰的第一子區(qū)域Sl和第 二子區(qū)域S2之間的部分邊界重合，第一圖案部分161a和第二圖案部分161b在該邊界處接 觸。相鄰第一分支電極161的連接部分161c彼此間隔開(kāi)預(yù)定距離。當(dāng)在平面圖看時(shí)，第一 分支電極161的第一圖案部分161a相對(duì)于柵極線GL以約-45°的角度傾斜。當(dāng)在平面圖 看時(shí)，第一分支電極161的第二圖案部分161b相對(duì)于柵極線GL以約-135°的角度傾斜。每個(gè)第二分支電極162包括第一圖案部分162a，設(shè)置在第二子區(qū)域S2上；第二 圖案部分162b，設(shè)置在第三子區(qū)域S3上；以及連接部分162c，與相鄰第二子區(qū)域S2和第三 子區(qū)域S3之間的邊界部分相符，第一圖案部分162a和第二圖案部分162b在該邊界部分接 觸。相鄰第二分支電極162的連接部分162c彼此間隔開(kāi)預(yù)定距離。當(dāng)在平面圖看時(shí)，第二 分支電極162的第一圖案部分162a相對(duì)于柵極線GL以約-135°的角度傾斜。當(dāng)在平面 圖看時(shí)，第二分支電極162的第二圖案部分162b相對(duì)于柵極線GL以約-45°的角度傾斜。 在一個(gè)示范性實(shí)施例中，第二分支電極162可以具有第一分支電極161沿順時(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn) 約90°的角度的形狀。每個(gè)第三分支電極163包括第一圖案部分163a，設(shè)置在第三子區(qū)域S3上；第二 圖案部分163b，設(shè)置在第四子區(qū)域S4上，與相鄰的第三子區(qū)域S3和第四子區(qū)域S4之間的 邊界部分相符的連接部分163c，第一圖案部分163a和第二圖案部分163b在該邊界部分接 觸。相鄰第三分支電極163的連接部分163c彼此間隔開(kāi)定距離。當(dāng)在平面圖看時(shí)，第三分 支電極163的第一圖案部分163a相對(duì)于柵極線GL以約135°的角度傾斜。當(dāng)在平面圖看 時(shí)，第三分支電極162的第二圖案部分163b相對(duì)于柵極線GL以約45°的角度傾斜。在一 個(gè)示范性實(shí)施例中，當(dāng)在平面圖觀察時(shí)，第三分支電極163可以具有第一分支電極161沿順 時(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn)約180°的角度的形狀。每個(gè)第四分支電極164包括第一圖案部分164a，設(shè)置在第四子區(qū)域S4上；第二 圖案部分164b，設(shè)置在第一子區(qū)域Sl上，與相鄰第四子區(qū)域S4和第一子區(qū)域Sl之間的邊 界部分相符的連接部分164c，第一圖案部分164a和第二圖案部分164b在該邊界部分接觸。 相鄰的第四分支電極164的連接部分164c彼此間隔開(kāi)預(yù)定距離。當(dāng)在平面圖看時(shí)，第四分 支電極164的第一圖案部分164a相對(duì)于柵極線GL以約45°的角度傾斜。當(dāng)在平面視圖看 時(shí)，第四分支電極162的第二圖案部分164b相對(duì)于柵極線GL以約135°的角度傾斜。在一 個(gè)示范性實(shí)施例中，當(dāng)在平面視圖觀察時(shí)，第四分支電極164可以具有第一分支電極161沿 順時(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn)約270°的角度的形狀。當(dāng)分支電極161、162、163和164如上所述布置時(shí)，當(dāng)在平面圖觀察時(shí)，圖案部分設(shè) 置在第一子區(qū)域Sl和第三子區(qū)域S3內(nèi)以相對(duì)于柵極線GL傾斜約135°的傾斜縱向方向延 伸。由于設(shè)置在第二子區(qū)域S2和第四子區(qū)域S4上的圖案部分在相對(duì)于柵極線GL約45° 角的傾斜縱向方向延伸，所以像素區(qū)域PA可以分為多個(gè)域。
第一圖案部分161a、162a、163a 和 164a 和第二圖案部分 161b、162b、163b 和 164b 的各自邊緣在分支電極161、162、163和164的彎曲部分相接而形成“V”形?！癡”的內(nèi)側(cè)的 兩個(gè)內(nèi)邊緣和“V”的外側(cè)的兩個(gè)外邊緣彼此直接接觸并相接。每個(gè)內(nèi)邊緣和外邊緣從連接 電極165完全線性延伸到各自連接部分161c、162c、163c和164c。連接電極165連接到分支電極161、162、163和164，使得連接電極165對(duì)于所有分支電極161、162、163和164是連續(xù)且公共的。在示出的示范性實(shí)施例中，連接電極165 可以將分支電極161、162、163和164的末端(例如，遠(yuǎn)端)彼此相連，使得連接電極165和 分支電極161、162、163和164共同形成單個(gè)統(tǒng)一且不可分割的像素電極160。每個(gè)分支電 極161、162、163和164彼此間隔開(kāi)預(yù)定距離。連接電極165電連接彼此間隔開(kāi)的分支電極 161、162、163 和 164。參照?qǐng)D1，連接電極165的第三寬度W3可以大于第一圖案部分161a、162a、163a 和164a或第二圖案部分161b、162b、163b和164b的第一寬度Wl。寬度Wl和W3的每個(gè)分 別沿與連接電極165、第一圖案部分161a、162a、163a和164a或第二圖案部分161b、162b、 163b和164b的縱向延伸方向基本垂直的方向取得。連接電極165可以沿像素區(qū)域PA的輪廓(例如，邊界)延伸。連接電極165在平 面圖中的形狀可以根據(jù)像素區(qū)域PA的形狀來(lái)確定。在一個(gè)示范性實(shí)施例中，當(dāng)像素區(qū)域PA 具有基本矩形的形狀時(shí)，連接電極165可以對(duì)應(yīng)于矩形形狀的像素區(qū)域PA而具有矩形框形 狀。連接電極165可以完全設(shè)置在像素區(qū)域PA內(nèi)，從而不與柵極線GL和/或數(shù)據(jù)線DL重 疊?？蛇x地，連接電極165的一部分可以在平面圖中與數(shù)據(jù)線DL和/或柵極線GL重疊。像素電極160可以通過(guò)連接電極165電連接到TFT Sff的漏極電極DE。在平面圖 中，連接電極165的一部分突出而與TFT Sff的漏極電極DE重疊。再次參照?qǐng)D3，相對(duì)基板200面對(duì)顯示基板100。相對(duì)基板200可以包括第二基底210、遮光圖案220、濾色器230、涂層240、公共電 極250和第二配向?qū)?60。第二基底210可以包括能夠透光的透明絕緣材料。在一個(gè)示范性實(shí)施例中，第二 基底210可以包括透明玻璃。玻璃可以是具有光學(xué)各向同性的無(wú)堿性玻璃。遮光圖案220對(duì)應(yīng)于柵極線GL、數(shù)據(jù)線DL和TFT Sff設(shè)置在第二基底210上。在 一個(gè)示范性實(shí)施例中，遮光圖案220可以包括具有光致抗蝕劑組分的不透明無(wú)機(jī)材料。不 透明的無(wú)機(jī)材料包括碳黑、顏料混合物和染料混合物?？蛇x地，遮光圖案220可以包括諸如 鉻(Cr)、氧化鉻(CrOx)、氮化鉻(CrNx)等的金屬材料。當(dāng)透射穿過(guò)遮光區(qū)域的光通過(guò)與以 下描述的濾色器230重疊而被阻擋時(shí)，遮光圖案220可以被省略。像素區(qū)域PA可以包括顯 示器件的區(qū)域，除了與遮光圖案220重疊的區(qū)域之外。像素區(qū)域PA可以僅包括不與遮光圖 案220重疊的區(qū)域。濾色器230設(shè)置在包括遮光圖案220的第二基底210上，并對(duì)應(yīng)于像素電極160。 濾色器230選擇性地透射具有預(yù)定波長(zhǎng)的光。在一個(gè)示范性實(shí)施例中，濾色器230可以包 括透射紅光的紅濾色器、透射綠光的綠濾色器和透射藍(lán)光的藍(lán)濾色器。涂層240設(shè)置在其上設(shè)置有遮光圖案220和濾色器層230的第二基底210上。涂 層240保護(hù)濾色器230并平坦化包括濾色器230設(shè)置在其上的第二基底210。涂層240可 以設(shè)置為與整個(gè)第二基底210重疊。
公共電極250包括光學(xué)透明和/或?qū)щ姷牟牧喜⒅苯釉O(shè)置在涂層240上。公共電 極250面對(duì)像素電極160并設(shè)置為與第二基底210的整個(gè)表面重疊。公共電壓Vcom施加 到公共電極250。第二配向?qū)?60直接設(shè)置在公共電極250上。第二配向?qū)?60和第一配向?qū)?70可以初始配向液晶層300的液晶分子。液晶層300插設(shè)在顯示基板100和相對(duì)基板200之間。在一個(gè)示范性實(shí)施例中， 液晶分子密封在由顯示基板100、相對(duì)基板200和密封構(gòu)件(未示出)限定的空間中以形成 液晶層300，該密封組件設(shè)置在顯示基板100和相對(duì)基板200之間。顯示裝置10還可以包括下偏光器180和上偏光器270。下偏光器180附著在第一基底110下面，從而限定顯示裝置10的最底下的元件或 表面。下偏光器180具有第一偏光軸以透射從背光(未示出)施加的光中具有平行于第一 偏光軸的分量的光，并反射或吸收具有其余分量的光。在一個(gè)示范性實(shí)施例中，下偏光器 180使沿第一偏光軸方向的光偏振。上偏光器270附著在第二基底210上且具有與第一偏光軸不同的第二偏光軸，以 限定顯示裝置10的最上面的元件或表面。第二偏光軸的方向可以垂直于第一偏光軸方向。 上偏光器270透射透過(guò)液晶層200或從外部施加的光中具有平行于第二偏光軸的分量的 光，并反射或吸收具有其余分量的光。根據(jù)示出的示范性實(shí)施例的顯示裝置10包括像素電極160，像素電極160包括彼 此間隔開(kāi)的分支電極161、162、163和164以及連接分支電極161、162、163和164的連接電 極165，使得像素區(qū)域PA可以分為多個(gè)域。此外，可以省略連接到分支電極的中心部分的導(dǎo) 電圖案。有利地，可以改善顯示裝置10的視角，并增大像素區(qū)域PA的開(kāi)口率。圖4A到圖4G是示意地示出制造圖1到圖3的顯示基板的工藝的示范性實(shí)施例的 截面圖。參照?qǐng)D1、圖2、圖3和圖4A，柵極金屬通過(guò)例如濺射工藝沉積在基底110上以形成 柵極金屬層。在一個(gè)示范性實(shí)施例中，鋁(Al)和鉬(Mo)的雙層可以沉積約3000埃(A)的 厚度以形成柵極金屬層。柵極金屬層通過(guò)例如光刻工藝圖案化以形成柵極線GL和從柵極 線GL突出的柵極電極GE，如圖4所示。柵極線GL在第一基底110上沿第一方向Dl延伸。參照?qǐng)D1、圖2、圖3和圖4B，柵極絕緣層120和半導(dǎo)體圖案130形成在包括柵極線 GL和柵極電極GE的基底110上。柵極絕緣層120形成在第一基底110的整個(gè)表面上以覆 蓋(例如，重疊)柵極線GL和柵極電極GE。在一個(gè)示范性實(shí)施例中，硅氮化物(SiNx)或硅 氧化物(SiOx)可以沉積到約4500A的厚度以形成柵極絕緣層120。半導(dǎo)體層(未示出)形 成在柵極絕緣層120上。半導(dǎo)體層包括順序形成在柵極絕緣層120上的非晶硅(a-Si)層 和η+非晶硅(n+a-Si)層。非晶硅(a-Si)層可以包括具有約2000 A厚度的非晶硅。η+非晶硅(n+a-Si)層可以包括具有約500 A厚度的η+非晶硅，其通過(guò)注入具有 相對(duì)高濃度的η+雜質(zhì)而形成。在一個(gè)示范性實(shí)施例中，磷(P)可以注入到半導(dǎo)體層的上部 以形成η+非晶硅(n+a-Si)層。η+非晶硅(n+a-Si)可以被部分移除，使得半導(dǎo)體層被部分 暴露。在一個(gè)示范性實(shí)施例中，半導(dǎo)體層被蝕刻以形成如圖4B所示的半導(dǎo)體圖案130。半 導(dǎo)體圖案130形成在柵極電極GE上。參照?qǐng)D1、圖2、圖3和圖4C，數(shù)據(jù)金屬層形成在柵極絕緣層120上。在一個(gè)示范性實(shí)施例中，鉬-鋁-鉬的三層結(jié)構(gòu)可以被分別沉積約300A、約2500A和約1OOOA的厚度以形成數(shù)據(jù)金屬層。數(shù)據(jù)金屬層被圖案化以形成如圖4C所示的數(shù)據(jù)線DL、源極電極SE和漏極電極 DE0數(shù)據(jù)線DL在柵極絕緣層120上沿與第一方向Dl交叉的第二方向D2延伸。源極電極 SE從數(shù)據(jù)線DL朝向半導(dǎo)體圖案130的上部突出。漏極電極DE與源極電極SE間隔開(kāi)，在平 面圖中每個(gè)都設(shè)置在半導(dǎo)體圖案130上。漏極電極DE的一部分在像素區(qū)域PA中延伸。柵極電極GE、半導(dǎo)體圖案130、源極電極SE和漏極電極DE限定TFTSW，其是三端元 件。參照?qǐng)D1、圖2、圖3和圖4D，鈍化膜140形成在基底110上以覆蓋數(shù)據(jù)線DL、源極 電極SE和漏極電極DE。在一個(gè)示范性實(shí)施例中，硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)可以 在基底110上沉積約2000入的厚度以形成鈍化膜140。參照?qǐng)D1、圖2、圖3和圖4E，有機(jī)層150形成在鈍化膜140上。有機(jī)層150可以 形成為具有約2.0微米(μ m)的厚度。暴露部分漏極電極DE的接觸孔CNT可以形成為完 全貫穿有機(jī)層150和鈍化膜140。當(dāng)像素電極160不與數(shù)據(jù)線DL重疊時(shí)，可以省略有機(jī)層 150。參照?qǐng)D1、圖2、圖3和圖4F，透明導(dǎo)電層160’形成在有機(jī)層150上。在一個(gè)示范 性實(shí)施例中，諸如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)的透明導(dǎo)電材料可以沉積至900A 的厚度以形成透明導(dǎo)電層160’。透明導(dǎo)電層160’被圖案化以形成像素電極160，如圖4G 所示。像素電極160通過(guò)接觸孔CNT接觸漏極電極DE。像素電極160包括分支電極161、162、163和164以及連接電極165。將省略對(duì)像 素電極160的詳細(xì)描述。參照?qǐng)D1到圖3，第一配向?qū)?70形成在包括像素電極160形成在其上的基底110 的整個(gè)表面上。第一配向?qū)?70可以使液晶層300的液晶分子初始配向。圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的另一示范性實(shí)施例的平面圖。圖6是示出圖 5的部分“B”的放大平面圖。圖5和圖6的顯示裝置與圖1-3的顯示裝置基本相同，除像 素電極的結(jié)構(gòu)之外。從而，在圖5和圖6中采用相同的附圖標(biāo)記，因而將省略對(duì)其的詳細(xì)描 述。參照?qǐng)D5和圖6，顯示裝置包括顯示基板100、相對(duì)基板200和液晶層300。顯示基板100包括第一基底100、多條柵極線GL、柵極絕緣層120、多條數(shù)據(jù)線DL、 多個(gè)TFT SW、鈍化膜140、有機(jī)層150、多個(gè)像素電極560和第一配向?qū)?70。像素電極560對(duì)應(yīng)于像素區(qū)域PA設(shè)置在有機(jī)層150上，并通過(guò)接觸孔CNT電連接 到TFT Sff的漏極電極DE，該接觸孔CNT設(shè)置為完全貫穿鈍化膜140和有機(jī)層150。像素電極560包括多個(gè)分支電極561、562、563和564以及連接電極565。連接電 極565設(shè)置在像素電極560的邊界處。連接電極560的第一部分沿第一方向Dl縱向延伸， 連接電極的第二部分沿第二方向D2縱向延伸。多個(gè)分支電極561、562、563和564以及連 接電極565設(shè)置為彼此相連，使得多個(gè)分支電極561、562、563和564以及連接電極565共 同形成像素電極560作為顯示裝置的單個(gè)統(tǒng)一且不可分割的元件。分支電極561、562、563和564設(shè)置在像素區(qū)域PA上以將像素區(qū)域PA劃分成多個(gè) 域S1、S2、S3和S4。每個(gè)分支電極561、562、563和564包括彎曲部分。在平面圖中，相鄰分支電極的彎曲部分彼此間隔開(kāi)。每個(gè)分支電極561、562、563和564可以具有中央部分彎曲 的基本“V”形。在示出的示范性實(shí)施例中，每個(gè)分支電極561、562、563和564可以分別包 括多個(gè)第一圖案部分561a、562a、563a和564a、多個(gè)第二圖案部分561b、562b、563b和564b 以及多個(gè)連接部分561c、562c、563c和564c。第一圖案部分561a、562a、563a和564a中的每個(gè)沿一方向延伸。當(dāng)在平面圖中觀 察時(shí)，第二圖案部分561b、562b、563b和564b每個(gè)分別沿相對(duì)于第一圖案部分561a、562a、 563a和564a的傾斜方向延伸。當(dāng)在平面圖中觀察時(shí)，第二圖案部分561b、562b、563b和 564b可以分別沿相對(duì)于第一圖案部分561a、562a、563a和564a約90°角的傾斜方向延伸。連接部分561c、562c、563c和564c分別設(shè)置在第一圖案部分561a、562a、563a和 564a的一部分(例如，第一端)和第二圖案部分56lb、562b、563b和564b的一部分(例如， 第一端)相接的區(qū)域處。彎曲部分基本設(shè)置在連接部分561c、562c、563c和564c處。第一 圖案部分561a、562a、563a和564a以及第二圖案部分561b、562b、563b和564b的邊緣不是 從連接電極565完全線性延伸到彎曲部分。鄰近彎曲部分(包括在連接部分561c、562c、 563c和564c中)的部分邊緣與從連接電極565延伸到連接部分561c、562c、563c和564c的 其余邊緣的傾斜角度不同。其余邊緣彼此并不直接接觸或連接，因?yàn)樗鼈儽贿B接部分561c、 562c,563c和564c的邊緣彼此分隔開(kāi)。參照?qǐng)D6，設(shè)置在相鄰子像素區(qū)域中的第一分支電極561的連接部分561c的結(jié)構(gòu) 將作為像素電極560的分支電極561、562、563和564的構(gòu)造的代表來(lái)描述。連接部分561c 包括第一子圖案部分561a’和第二子圖案部分561b’。第一子圖案部分561a’從第一圖案 部分561a彎曲(例如，設(shè)置為傾斜的)，并與第一圖案部分561a連續(xù)延伸。第二子圖案部 分561b，從第二圖案部分561b彎曲(例如，設(shè)置為傾斜的)，并與第二圖案部分561b連續(xù) 延伸。第二子圖案部分561b’與第一子圖案部分561a’接觸且設(shè)置為相連，以形成第一分 支電極561的彎曲部分。第一子圖案部分561a’和第二子圖案部分561b’之間的第一角度θ 1可以小于或 等于第一圖案部分561a和第二圖案部分561b之間的第二角度θ 2。在一個(gè)示范性實(shí)施例 中，當(dāng)?shù)谝粓D案部分561a和第二圖案部分561b之間的第二角度θ 2為約90°時(shí)，第一子圖 案部分561a，和第二子圖案部分561b，之間的第一角度θ 1可以在約6°至約90°的范圍 內(nèi)。當(dāng)像素區(qū)域PA包括彼此相鄰的兩個(gè)子區(qū)域Sl和S2時(shí)，第一圖案部分561a和第 二圖案部分561b每個(gè)分別設(shè)置在子區(qū)域Sl和S2上，連接部分561c沿相鄰子區(qū)域Sl和S2 的輪廓(例如，邊緣)設(shè)置。當(dāng)?shù)谝粓D案部分561a和/或第二圖案部分561b具有垂直于圖案部分的縱向方向取得的第一寬度Wl時(shí)，連接部分561c的相對(duì)于相鄰子區(qū)域Sl和S2的邊界垂直得到的第 四寬度W4可以大于第一寬度W1，但小于或等于第一寬度Wl的十倍。再次參照?qǐng)D5，當(dāng)像素區(qū)域PA包括第一子區(qū)域Si、沿柵極線GL延伸的方向(第一 方向Dl)鄰近第一子區(qū)域Sl的第二子區(qū)域S2、沿?cái)?shù)據(jù)線DL延伸的方向(第二方向D2)鄰 近第二子區(qū)域S2的第三子區(qū)域S3以及沿?cái)?shù)據(jù)線DL延伸的方向(第二方向D2)鄰近第一 子區(qū)域Sl且沿柵極線GL延伸的方向(第一方向Dl)鄰近第三子區(qū)域S3的第四子區(qū)域S4 時(shí)，像素電極560的分支電極561、562、563和564可以包括多個(gè)第一分支電極561、多個(gè)第二分支電極562、多個(gè)第三分支電極563和多個(gè)第四分支電極564，類似于根據(jù)圖1中示出的實(shí)施例的顯示裝置的像素電極160。第一分支電極561包括第一圖案部分561a，設(shè)置在第一子區(qū)域Sl上；第二圖案 部分561b，設(shè)置在第二子區(qū)域S2上；以及連接部分561c，沿第一子區(qū)域S和第二子區(qū)域S2 之間的部分輪廓(例如，邊界)設(shè)置。相鄰第一分支電極561的連接部分561c彼此間隔開(kāi)
預(yù)定距離。第二分支電極562包括第一圖案部分562a，設(shè)置在第二子區(qū)域S2上；第二圖案 部分562b，設(shè)置在第三子區(qū)域S3上；以及連接部分562c，沿第二子區(qū)域S2和第三子區(qū)域S3 之間的部分輪廓(例如，邊界)設(shè)置。相鄰第二分支電極562的連接部分562c彼此間隔開(kāi)
預(yù)定距離。第三分支電極563包括第一圖案部分563a，設(shè)置在第三子區(qū)域S3上；第二圖案 部分563b，設(shè)置在第四子區(qū)域S4上；以及連接部分563c，沿第三子區(qū)域S3和第四子區(qū)域S4 之間的輪廓(例如，邊界)設(shè)置。相鄰第三分支電極563的連接部分563c彼此間隔開(kāi)預(yù)定距離。第四分支電極564包括第一圖案部分564a，設(shè)置在第四子區(qū)域S4上；第二圖案 部分564b，設(shè)置在第一子區(qū)域Sl上；以及連接部分564c，沿第四子區(qū)域S4和第一子區(qū)域Sl 之間的輪廓(例如，邊界)設(shè)置。相鄰第四分支電極564的連接部分564c彼此間隔開(kāi)預(yù)定距離。除了像素電極的結(jié)構(gòu)之外，制造圖5和圖6中的示范性實(shí)施例的顯示基板的的方 法與制造圖1中的示范性實(shí)施例的顯示基板的方法基本相同。因而，相同的附圖標(biāo)記將用 于指代相同的元件，從而將省略對(duì)其的詳細(xì)描述。當(dāng)像素區(qū)域PA利用包括微狹縫結(jié)構(gòu)的像素電極分為多個(gè)域時(shí)，液晶不受控制的 區(qū)域會(huì)在相鄰域之間產(chǎn)生。然而，當(dāng)像素電極根據(jù)示出的示范性實(shí)施例構(gòu)造時(shí)，像素區(qū)域PA 可以被分為多個(gè)域，液晶不受控制的區(qū)域可以被有利地最小化。圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的另一示范性實(shí)施例的平面圖。圖8是示出圖 7中部分“C”的放大圖。根據(jù)圖7和圖8的顯示裝置與圖1-3的顯示裝置基本相同，除了像 素電極的結(jié)構(gòu)之外。從而，如上所述，相同的附圖標(biāo)記用于指代相同的元件，因而將省略對(duì) 其的詳細(xì)描述。參照?qǐng)D7和圖8，顯示裝置10包括顯示基板100、相對(duì)基板200和液晶層300。顯示基板100包括第一基底110、多條柵極線GL、柵極絕緣層120、多條數(shù)據(jù)線DL、 多個(gè)TFT SW、鈍化膜140、有機(jī)層150、多個(gè)像素電極660和第一配向?qū)?70。像素電極660對(duì)應(yīng)于像素區(qū)域PA設(shè)置在有機(jī)層150上，并通過(guò)接觸孔CNT電連接 到TFT Sff的漏極電極DE，該接觸孔CNT設(shè)置為完全貫穿鈍化膜140和有機(jī)層150。像素電極660包括多個(gè)分支電極661、662、663和664以及連接電極665。連接電 極665設(shè)置在像素電極660的邊界處。連接電極665的第一部分沿第一方向Dl縱向延伸， 連接電極的第二部分沿第二方向D2縱向延伸。多個(gè)分支電極661、662、663和664以及連 接電極665設(shè)置為彼此相連，使得多個(gè)分支電極661、662、663和664以及連接電極665共 同形成像素電極660作為顯示裝置的單個(gè)統(tǒng)一且不可分割的元件。分支電極661設(shè)置在像素區(qū)域PA上以將像素區(qū)域PA分成多個(gè)域。每個(gè)分支電極661、662、663和664包括彎曲部分，并且相鄰分支電極的彎曲部分在平面圖中彼此間隔開(kāi)。 每個(gè)分支電極661、662、663和664可以具有基本“V”形，其中央部分是彎曲的。在示出的 示范性實(shí)施例中，每個(gè)分支電極661、662、663和664可以分別包括多個(gè)第一圖案部分661a、 662a,663a和664a、多個(gè)第二圖案部分661b、662b、663b和664b以及多個(gè)連接部分661c、 662c,663c 和 664c。每個(gè)連接部分661c、662c、663c和664c分別設(shè)置在第一圖案部分661a、662a、663a 和664a與第二圖案部分66lb、662b、663b和664b相接的區(qū)域處。彎曲部分基本上設(shè)置在 連接部分 661c,662c,663c 和 664c 處。參照?qǐng)D8，設(shè)置在相鄰子像素區(qū)域中的第一分支電極661的連接部分661c的結(jié)構(gòu) 將作為分支電極661、662、663和664的構(gòu)造的代表來(lái)描述。平坦化部分661c，設(shè)置在連接 部分661c處以增加彎曲部分的寬度。平坦化部分661c’設(shè)置在彎曲部分的內(nèi)表面處，在此 處第一圖案部分661a和第二圖案部分661b彼此相接。第一圖案部分661a、662a、663a和664a以及第二圖案部分661b、662b、663b和 664b的外邊緣都從連接電極665整個(gè)線性延伸到分支電極661、662、663和664的彎曲部 分。第一圖案部分661a、662a、663a和664a以及第二圖案部分661b、662b、663b和664b的 外邊緣的端部彼此直接相連且接觸以形成“V”形。第一圖案部分661a、662a、663a和664a以及第二圖案部分661b、662b、663b和 664b的內(nèi)邊緣不是從連接電極665整個(gè)線性延伸到分支電極661、662、663和664的彎曲部 分。鄰近彎曲部分的部分邊緣的傾斜角度與從連接電極665延伸到連接部分661c、662c、 663c和664c的其余邊緣的傾斜角度不同。鄰近彎曲部分的內(nèi)邊緣的一部分基本垂直于連 接部分661c、662c、663c和664c縱向延伸。其余邊緣彼此并不直接接觸或相連，由于它們 被平坦化部分彼此間隔開(kāi)。第一圖案部分661a和第二圖案部分661b中的每個(gè)具有第一寬度W1。當(dāng)彼此相鄰 的第一分支電極661的第一圖案部分661a和第二圖案部分661b彼此間隔開(kāi)第二寬度W2 時(shí)，包括平坦化部分661c’的彎曲部分的第五寬度W5大于第一寬度W1，且小于第一寬度W1 和第二寬度W2的總和W1+W2。當(dāng)像素區(qū)域PA包括彼此相鄰的兩個(gè)子區(qū)域S 1和S2時(shí)，第一圖案部分661a和第 二圖案部分661b每個(gè)可以分別設(shè)置在子區(qū)域S1和S2上。連接部分661c的平坦化部分 661c’可以沿子區(qū)域S 1和S2之間的輪廓(例如，邊界)設(shè)置。在示出的示范性實(shí)施例中，當(dāng)像素區(qū)域PA包括第一子區(qū)域S 1、沿柵極線GL的延 伸方向(第一方向D1)與第一子區(qū)域S1相鄰的第二子區(qū)域S2、沿?cái)?shù)據(jù)線DL延伸的方向(第 二方向D2)與第二子區(qū)域S2相鄰的第三子區(qū)域S3、沿?cái)?shù)據(jù)線DL延伸的方向(第二方向D2) 與第一子區(qū)域S1相鄰且沿柵極線GL延伸的方向(第一方向D1)與第三子區(qū)域S3相鄰的 第四子區(qū)域S4時(shí)，分支電極661、662、663和664可以包括多個(gè)第一分支電極661、多個(gè)第二 分支電極662、多個(gè)第三分支電極663和多個(gè)第四分支電極664，類似于根據(jù)圖1中示出的 示范性實(shí)施例的顯示裝置的像素電極160。每個(gè)第一分支電極661包括第一圖案部分661a，設(shè)置在第一子區(qū)域S1上；第二 圖案部分661b，設(shè)置在第二子區(qū)域S2上以及連接部分661c，沿第一子區(qū)域S1和第二子區(qū) 域S2之間的部分輪廓(例如，邊界)設(shè)置。相鄰第一分支電極661的連接部分661c彼此間隔開(kāi)預(yù)定距離。每個(gè)第二分支電極662包括第一圖案部分662a，設(shè)置在第二子區(qū)域S2上；第二 圖案部分662b，設(shè)置在第三子區(qū)域S3上；以及連接部分662c，沿第二子區(qū)域S2和第三子區(qū) 域S3之間的部分輪廓(例如，邊界)設(shè)置。相鄰第二分支電極662的連接部分662c彼此 間隔開(kāi)預(yù)定距離。每個(gè)第三分支電極663包括第一圖案部分663a，設(shè)置在第三子區(qū)域S3上；第二 圖案部分663b，設(shè)置在第四子區(qū)域S4上；以及連接部分663c，沿第三子區(qū)域S3和第四子區(qū) 域S4之間的部分輪廓(例如，邊界)設(shè)置。相鄰第三分支電極663的連接部分663c彼此 間隔開(kāi)預(yù)定距離。每個(gè)第四分支電極664包括第一圖案部分664a，設(shè)置在第四子區(qū)域S4上；第二 圖案部分664b，設(shè)置第一子區(qū)域S1上；以及連接部分664c，沿第四子區(qū)域S4和第一子區(qū)域 S1之間的部分輪廓(例如，邊界)設(shè)置。相鄰第四分支電極664的連接部分664c彼此間隔
開(kāi)預(yù)定距離。制造圖7和圖8中的示范性實(shí)施例的顯示基板的方法與制造圖1中的示范性實(shí)施 例的顯示基板的方法基本相同，除了像素電極的連接部分之外。從而，相同的附圖標(biāo)記用于 指代相同的元件，因而將省略對(duì)其的詳細(xì)描述。當(dāng)像素電極根據(jù)示出的示范性實(shí)施例構(gòu)造時(shí)，像素區(qū)域PA可以被分為多個(gè)域，在 相鄰域之間液晶不受控制的區(qū)域可以被有利地最小化。圖9是示出根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的另一示范性實(shí)施例的平面圖。圖10是示出 圖9的部分“D”的放大平面圖。根據(jù)圖9和圖10的顯示裝置與圖1-3中的顯示裝置基本 相同，除了像素電極的結(jié)構(gòu)之外。從而，相同的附圖標(biāo)記用于指代相同的元件，將省略對(duì)其 的詳細(xì)描述。參照?qǐng)D9和圖10，顯示裝置包括顯示基板100、相對(duì)基板200和液晶層300。顯示基板100包括第一基底110、多條柵極線GL、柵極絕緣層120、多條數(shù)據(jù)線DL、 多個(gè)TFT SW、鈍化膜140、有機(jī)層150、多個(gè)像素電極760和第一配向?qū)?70。像素電極760對(duì)應(yīng)于像素區(qū)域PA設(shè)置在有機(jī)層150上，并通過(guò)接觸孔CNT電連接 到TFT SW的漏極電極DE，該接觸孔CNT設(shè)置為完全貫穿鈍化膜140和有機(jī)層150。像素電極760包括多個(gè)分支電極761、762、763和764以及連接電極765。連接電 極765設(shè)置在像素電極760的邊界處。連接電極765的第一部分沿第一方向D1縱向延伸， 連接電極765的第二部分沿第二方向D2縱向延伸。多個(gè)分支電極761、762、763和764以 及連接電極765設(shè)置為彼此相連，使得多個(gè)分支電極761、762、763和764以及連接電極765 共同形成像素電極760作為顯示裝置的單個(gè)統(tǒng)一且不可分割的元件。分支電極761、762、763和764設(shè)置在像素區(qū)域PA上以將像素區(qū)域PA分成多個(gè)域。 每個(gè)分支電極761、762、763和764都包括彎曲部分，相鄰分支電極的彎曲部分在平面圖中 彼此間隔開(kāi)。每個(gè)分支電極761、762、763和764可以具有基本“V”形，其中心部分是彎曲 的。在示出的示范性實(shí)施例中，每個(gè)分支電極761、762、763和764可以分別包括多個(gè)第一 圖案部分761a、762a、763a和764a、多個(gè)第二圖案部分761b、762b、763b和764b以及多個(gè)連 接部分 761c,762c,763c 和 764c。第一圖案部分761a、762a、763a、764a每個(gè)沿一方向縱向延伸。當(dāng)在平面圖中觀察時(shí)，第二圖案部分761b、762b、763b和764b分別在相對(duì)于第一圖案部分761a、762a、763a和 764a的傾斜方向上延伸。當(dāng)在平面圖中觀察時(shí)，第二圖案部分761b、762b、763b和764b可 以在相對(duì)于第一圖案部分761a、762a、763a和764a傾斜約90°角度的方向上延伸。連接部分761c、762c、763c 和 764c 分別是第一圖案部分 761a、762a、763a 和 764a 的一部分與第二圖案部分761b、762b、763b和764b的一部分相接的區(qū)域。彎曲部分形成在 連接部分761c、762c、763c和764c處。第一圖案部分761a、762a、763a和764a以及第二圖 案部分76lb、762b、763b和764b的邊緣并不從連接電極765整個(gè)線性延伸到彎曲部分。鄰 近彎曲部分(被包括在連接部分761c、762c、763c和764c中)的部分邊緣與從連接電極 765延伸到連接部分761c、762c、763c和764c的其余邊緣的傾斜角度不同。其余邊緣彼此 并不直接接觸或相連，因?yàn)樗鼈儽贿B接部分761c、762c、763c和764c的邊緣彼此分隔開(kāi)。設(shè)置在相鄰子像素區(qū)域的第一分支電極761的連接部分761c將作為分支電極 761、762、763和764的代表來(lái)描述。連接部分761c包括第一子圖案部分761a，、第二子圖 案部分761b，和平坦化部分761c，。第一子圖案部分761a，從第一圖案部分761a彎曲(例 如，設(shè)置為傾斜)且與其連續(xù)延伸。第二子圖案部分761b’從第二圖案部分761b彎曲(例 如，設(shè)置為傾斜)且與其連續(xù)延伸，并直接接觸第一子圖案部分761a’以形成彎曲部分。平 坦化部分761c’增加彎曲部分的寬度，并設(shè)置在第一圖案部分761a和第二圖案部分762b 的外邊緣之間。第一子圖案部分761a’和第二子圖案部分761b’之間的第一角度0 1可以小于或 等于第一圖案部分761a和第二圖案部分761b之間的第二角度0 2。在一個(gè)示范性實(shí)施例 中，當(dāng)?shù)谝粓D案部分761a和第二圖案部分761b之間的第二角度0 2為約90°時(shí)，第一子圖 案部分761a，和第二子圖案部分761b，之間的第一角度0 1可以在約6°至約90°的范圍 內(nèi)。平坦化部分761c’設(shè)置在將第一子圖案部分761a’與第二子圖案部分761b’連接 的彎曲部分中。第一圖案部分和第二圖案部分具有第一寬度W1。當(dāng)彼此相鄰的分支電極 761的第一圖案部分和第二圖案部分彼此間隔開(kāi)第二寬度W2時(shí)，包括平坦部分761c’、第一 子圖案部分761a’和第二子圖案部分761b’的彎曲部分的寬度W6可以大于第一寬度W1和 第二寬度W2的總和。可選地，包括平坦部分761c’、第一子圖案部分761a’和第二子圖案部 分761b’的彎曲部分的第六寬度W6可以小于第一寬度W1和第二寬度W2的總和。當(dāng)像素區(qū)域PA包括彼此相鄰的兩個(gè)子區(qū)域S1和S2時(shí)，分支電極761的第一圖案 部分761a和第二圖案部分761b每個(gè)分別設(shè)置在子區(qū)域S1和S2上，連接部分761c的平坦 化部分761c’沿子區(qū)域S1和S2之間的輪廓(例如，邊界)設(shè)置，第一子圖案部分761a’和 第二子圖案部分761b’與第一圖案部分761a和第二圖案部分761b連續(xù)延伸。第一圖案部 分761a和/或第二圖案部分761b具有第一寬度W1。連接部分761c的相對(duì)于子區(qū)域S 1 和S2之間的邊界垂直取得的第七寬度W7可以大于第一寬度W1，并可以小于或等于第一寬 度W1的大約十倍。再次參照?qǐng)D9，當(dāng)像素區(qū)域PA包括第一子區(qū)域S1、沿柵極線GL的延伸方向(第一 方向D1)與第一子區(qū)域S1相鄰的第二子區(qū)域S2、沿?cái)?shù)據(jù)線DL的延伸方向(第二方向D2) 與第二子區(qū)域S2相鄰的第三子區(qū)域S3以及沿?cái)?shù)據(jù)線DL的延伸方向(第二方向D2)與第 一子區(qū)域S1相鄰且沿柵極線GL的延伸方向(第一方向D1)與第三子區(qū)域S3相鄰的第四子區(qū)域S4時(shí)，分支電極761、762、763和764可以包括多個(gè)第一分支電極761、多個(gè)第二分支 電極762、多個(gè)第三分支電極763和多個(gè)第四分支電極764，類似于根據(jù)圖1中示出的示范 性實(shí)施例的顯示裝置的像素電極160。第一分支電極761包括第一圖案部分761a，設(shè)置在第一子區(qū)域S 1上；第二圖案 部分761b，設(shè)置在第二子區(qū)域S2上；以及連接部分761c，沿第一子區(qū)域S1和第二子區(qū)域S2 之間的輪廓設(shè)置。相鄰第一分支電極761的連接部分761c彼此間隔開(kāi)預(yù)定距離。第二分支電極762包括第一圖案部分762a，設(shè)置在第二子區(qū)域S2上；第二圖案 部分762b，設(shè)置在第三子區(qū)域S3上；以及連接部分762c，沿第二子區(qū)域S2和第三子區(qū)域S3 之間的輪廓設(shè)置。相鄰第二分支電極762的連接部分762c彼此間隔開(kāi)預(yù)定距離。第三分支電極763包括第一圖案部分763a，設(shè)置在第三子區(qū)域S3上；第二圖案 部分763b，設(shè)置在第四子區(qū)域S4上；以及連接部分763c，沿第三子區(qū)域S3和第四子區(qū)域S4 之間的輪廓設(shè)置。相鄰第三分支電極763的連接部分763c彼此間隔開(kāi)預(yù)定距離。第四分支電極764包括第一圖案部分764a，設(shè)置在第四子區(qū)域S4上；第二圖案 部分764b，設(shè)置在第一子區(qū)域S1上；以及連接部分764c，沿第四子區(qū)域S4和第一子區(qū)域S1 之間的輪廓設(shè)置。相鄰第四分支電極764的連接部分764c彼此間隔開(kāi)預(yù)定距離。制造圖9和圖10中的示范性實(shí)施例的顯示基板的方法與制造圖1中的示范性實(shí) 施例的顯示基板的方法基本相同，除了像素電極的連接部分之外。從而，相同的附圖標(biāo)記用 于指代相同的元件，將省略對(duì)其的任何詳細(xì)解釋。當(dāng)像素電極根據(jù)示出的示范性實(shí)施例構(gòu)造時(shí)，像素區(qū)域PA可以分為多個(gè)域，液晶 不受控制的區(qū)域可以被有利地最小化。在本發(fā)明的示范性實(shí)施例中，顯示裝置包括像素電極彼此間隔開(kāi)的多個(gè)分支電極 以及連接分支電極的連接電極，從而像素區(qū)域PA可以分為多個(gè)域，可以省略連接分支電極 的中央部分的導(dǎo)電圖案。有利地，可以改善顯示裝置的視角，并可以改善像素區(qū)域PA的開(kāi)口率。此外，在像素電極的連接部分中，彎曲部分的角度小于第一圖案部分和第二圖案 部分之間的角度，或者平坦化部分設(shè)置在彎曲部分中，使得相鄰域之間液晶不受控制的區(qū) 域可以被有利地最小化。以上是對(duì)本發(fā)明的說(shuō)明而不應(yīng)被解釋為對(duì)其進(jìn)行限制。盡管已經(jīng)描述了本發(fā)明的 幾個(gè)示范性實(shí)施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)易于理解，在示范性實(shí)施例中可以有許多修 改，而在本質(zhì)上不背離本發(fā)明的新穎教導(dǎo)和優(yōu)點(diǎn)。因此，所有這些修改旨在被包括在本發(fā)明 的由權(quán)利要求書限定的范圍內(nèi)。在權(quán)利要求書中，方法加功能條款意在覆蓋此處所述的執(zhí) 行所述功能的結(jié)構(gòu)以及結(jié)構(gòu)等價(jià)物和等價(jià)結(jié)構(gòu)。因此，應(yīng)當(dāng)理解，以上是對(duì)本發(fā)明的說(shuō)明， 而不應(yīng)被解釋為限定成所公開(kāi)的特定示范性實(shí)施例，對(duì)所公開(kāi)的示范性實(shí)施例的修改以及 其它示范性實(shí)施例旨在被包括在權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。本發(fā)明由權(quán)利要求書限定，權(quán)利要 求書的等同物包括在其中。
權(quán)利要求
一種顯示基板，包括基底，包括柵極線、與所述柵極線交叉的數(shù)據(jù)線以及電連接到所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管，所述基底包括限定在其上的像素區(qū)域；以及統(tǒng)一不可分割的像素電極，包括多個(gè)分支電極，設(shè)置在所述像素區(qū)域上，和連接電極，將所述分支電極彼此連接，其中每個(gè)所述分支電極包括彎曲部分，相鄰分支電極的所述彎曲部分彼此間隔開(kāi)，并且所述像素電極電連接到所述薄膜晶體管。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示基板，其中每個(gè)所述分支電極包括第一圖案部分，當(dāng)在平面圖中觀察時(shí)沿相對(duì)于所述柵極線傾斜的方向延伸； 第二圖案部分，當(dāng)在平面圖中觀察時(shí)沿相對(duì)于所述第一圖案部分傾斜的方向延伸；以及連接部分，所述第一圖案部分的一部分和所述第二圖案部分的一部分在該處彼此相接 以形成所述彎曲部分。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示基板，其中所述連接電極的寬度大于所述第一圖案部分的寬度和所述第二圖案部分的寬度，并且 所述第一圖案部分的寬度基本等于所述第二圖案部分的寬度， 寬度分別垂直于所述連接電極、所述第一圖案部分和所述第二圖案部分的縱向方向取得。
4.如權(quán)利要求2所述的顯示基板，其中所述像素區(qū)域包括彼此相鄰的多個(gè)子區(qū)域，所述第一圖案部分和所述第二圖案部分分別設(shè)置在相鄰子區(qū)域的每個(gè)中，并且 所述連接部分沿所述相鄰子區(qū)域之間的邊界設(shè)置。
5.如權(quán)利要求4所述的顯示基板，其中所述子區(qū)域沿所述柵極線的延伸方向彼此相 鄰，當(dāng)在平面圖中觀察時(shí)所述第一圖案部分相對(duì)于所述柵極線傾斜約-45°的角度，并且當(dāng) 在平面圖中觀察時(shí)所述第二圖案部分相對(duì)于所述柵極線傾斜約-135°的角度。
6.如權(quán)利要求4所述的顯示基板，其中所述像素區(qū)域包括第一子區(qū)域；第二子區(qū)域，沿所述柵極線的延伸方向與所述第一 子區(qū)域相鄰；第三子區(qū)域，沿所述數(shù)據(jù)線的延伸方向與所述第二子區(qū)域相鄰；以及第四子 區(qū)域，沿所述數(shù)據(jù)線的延伸方向與所述第一子區(qū)域相鄰且沿所述柵極線的延伸方向與所述 第三子區(qū)域相鄰，所述分支電極包括第一分支電極，包括設(shè)置在所述第一子區(qū)域上的第一圖案部分、設(shè)置在所述第二子區(qū) 域上的第二圖案部分以及沿所述第一子區(qū)域與所述第二子區(qū)域之間的邊界設(shè)置的連接部 分；第二分支電極，包括設(shè)置在所述第二子區(qū)域上的第一圖案部分、設(shè)置在所述第三子區(qū) 域上的第二圖案部分以及沿所述第二子區(qū)域與所述第三子區(qū)域之間的邊界設(shè)置的連接部 分；第三分支電極，包括設(shè)置在所述第三子區(qū)域上的第一圖案部分、設(shè)置在所述第四子區(qū)域上的第二圖案部分以及沿所述第三子區(qū)域與所述第四子區(qū)域之間的邊界設(shè)置的連接部 分；以及第四分支電極，包括設(shè)置在所述第四子區(qū)域上的第一圖案部分、設(shè)置在所述第一子區(qū) 域上的第二圖案部分以及沿所述第四子區(qū)域與所述第一子區(qū)域之間的邊界設(shè)置的連接部 分。
7.如權(quán)利要求2所述的顯示基板，其中所述連接部分包括從所述第一圖案部分傾斜延伸的第一子圖案部分和從所述第二圖 案部分傾斜延伸的第二子圖案部分，所述第二子圖案部分直接接觸所述第一子圖案部分以 形成所述分支電極的所述彎曲部分，并且當(dāng)在平面圖中觀察時(shí)，所述第一子圖案部分和所述第二子圖案部分之間的角度小于或 等于所述第一圖案部分和所述第二圖案部分之間的角度。
8.如權(quán)利要求7所述的顯示基板，其中當(dāng)在平面圖中觀察時(shí)，所述第一圖案部分和所述第二圖案部分之間的角度為約90°，并且當(dāng)在平面圖中觀察時(shí)，所述第一子圖案部分和所述第二子圖案部分之間的角度在從約 6°至約90°的范圍內(nèi)。
9.如權(quán)利要求7所述的顯示基板，其中所述像素區(qū)域包括彼此相鄰的多個(gè)子區(qū)域， 所述第一圖案部分和所述第二圖案部分中的每個(gè)分別在每個(gè)所述子區(qū)域中具有第一寬度，并且，所述連接部分在所述像素電極的邊界處沿每個(gè)子區(qū)域的輪廓設(shè)置。
全文摘要
本發(fā)明提供一種顯示基板。該顯示基板包括基底和統(tǒng)一不可分割的像素電極?；装艠O線、與柵極線交叉的數(shù)據(jù)線以及電連接到形成在其上的柵極線和數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管。像素區(qū)域限定在基底上。統(tǒng)一不可分割的像素電極包括形成在像素區(qū)域上的多個(gè)分支電極以及將分支電極彼此連接的連接電極。每個(gè)分支電極包括彎曲部分，并且相鄰分支電極的彎曲部分彼此間隔開(kāi)。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK101825824SQ20101017520
公開(kāi)日2010年9月8日 申請(qǐng)日期2010年1月21日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月21日
發(fā)明者嚴(yán)允成, 劉惠蘭, 樸乘范, 柳在鎮(zhèn), 禹秀僩, 金壽楨 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社