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對浸沒液體為疏溶的入射表面和光學(xué)窗的制作方法

文檔序號:2753985閱讀:253來源:國知局

專利名稱::對浸沒液體為疏溶的入射表面和光學(xué)窗的制作方法對浸沒液體為疏溶的入射表面和光學(xué)窗本申請是株式會社尼康于2007年3月28日提交的、2008年9月28日進入中國國家階段的、國際申請?zhí)枮镻CT/US2007/065381(國家申請?zhí)?200780011805.4)、發(fā)明名稱為“對浸沒液體為疏溶的入射表面和光學(xué)窗”的發(fā)明專利申請的分案申請。相關(guān)申請的交叉參照本案對應(yīng)于2006年4月3日申請的美國專利臨時申請第60/789,025號并主張其利益,該申請整體內(nèi)容包含于此。
技術(shù)領(lǐng)域
:明確地說,本公開內(nèi)容大體上關(guān)于光學(xué)窗以及配合光學(xué)窗來使用的光學(xué)傳感器。該光學(xué)窗例如可用在運用深紫外(DUV)光的浸沒微光刻(microlithography)系統(tǒng)的基板臺座(stage)之中或配合運用深紫外(DUV)光的浸沒微光刻系統(tǒng)的基板臺座來使用。這種光學(xué)窗用來隔離與保護傳感器(該傳感器用于檢測及監(jiān)視曝光對準與圖像品質(zhì)),例如避免它們接觸到讓用于曝光的光透射過去的浸沒液體。該光學(xué)窗以及其它入射表面不被該浸沒液體“濕潤”(也就是,它們?yōu)槭枞艿?。
背景技術(shù)
:如同其它類型的微光刻技術(shù),在浸沒微光刻技術(shù)中,所希望的圖案的圖像通過曝光光束而被轉(zhuǎn)印至適當?shù)幕濉T诒姸囝愋偷奈⒐饪滔到y(tǒng)中,該圖案由光罩(reticle)或掩模來定義。該光罩經(jīng)由照明光束的照射而形成經(jīng)圖案化的成像光束。該成像光束通過投射光學(xué)系統(tǒng),必要時,該投射光學(xué)系統(tǒng)塑形與調(diào)整該光束,以便在適當?shù)幕?例如,半導(dǎo)體晶片、玻璃板、或類似的基板)上形成圖案圖像。為進行曝光,該基板通常被固定在稱為基板臺座的可移動平臺上,而該光罩通常被固定在稱為光罩臺座(reticlestage)的可移動平臺上。當對該基板進行曝光時,該臺座以受控的方式來彼此進行相對運動。為壓印該圖案圖像,通常利用稱為光致抗蝕劑(resist)的光敏感材料來涂布該基板。為實施精確曝光,舉例來說,該微光刻系統(tǒng)配備檢測器與傳感器來確保光罩與基板彼此的正確對準以及確保光罩與基板與系統(tǒng)光學(xué)組件的正確對準。各檢測器與傳感器被放置在整個微光刻系統(tǒng)的各個位置處,其包含放置在該光罩臺座與該基板臺座之上或鄰近位置處。為達到更好的成像分辨率,通常以較短的曝光波長來實施微光刻曝光。為滿足在微電路中形成越來越多與越來越小的有源電路組件的需求,便持續(xù)地需要能夠使用更短波長來進行曝光的微光刻系統(tǒng)。目前市售最先進的微光刻系統(tǒng)利用準分子激光器所產(chǎn)生的深紫外光來實施曝光。此光的波長范圍約介于150至250nm之間,其通常在“深紫外光”或“DUV”的范圍中,其中,目前最受歡迎的波長為193nm。能夠讓此波長及其它DUV波長透射過去的材料非常地少。因為光學(xué)玻璃并不讓DUV透射過去,所以,經(jīng)常使用熔融硅砂(非晶形石英)來制造投射光學(xué)系統(tǒng)與其它系統(tǒng)光學(xué)組件。因為全世界都在企盼一種能夠以實質(zhì)上小于由準分子激光器所產(chǎn)生的DUV波長的波長來進行曝光的實用的“下一代”微光刻系統(tǒng),所以大部分的努力均在于要求運用準分子激光的系統(tǒng)達到更佳的成像性能。在此努力中,已經(jīng)在運用“浸沒”投射光學(xué)組件的準分子激光器型系統(tǒng)中達到驚人的良好結(jié)果。這些“浸沒微光刻”系統(tǒng)利用光顯微術(shù)中所使用的原理,其中,通過在樣本與物鏡之間插設(shè)液體(其折射率實質(zhì)上大于空氣的折射率)而達到改良的圖像分辨率。在浸沒微光刻系統(tǒng)中,在該投射透鏡的末端與該投射透鏡在其上形成圖像的基板表面之間插設(shè)浸沒液體。然而,光顯微設(shè)備雖然能夠按照此方式而輕易地容納浸沒液體(通常為油),但是要在微光刻系統(tǒng)中容納浸沒液體卻產(chǎn)生較大的問題,尤其是要在實際上不破壞成像性能或造成其它問題的情況下。目前,在大部分的浸沒微光刻系統(tǒng)中,通常利用水作為浸沒液體。作為浸沒液體,水具有下面許多所希望的特性其折射率(η)約為1.44(空氣的折射率η=1),且其可讓目前用于浸沒微光刻技術(shù)中的曝光波長(λ=193nm)透射過去。水還具有下面特性高表面張力、低黏稠性、良好的導(dǎo)熱性、沒有毒性,并且水的光學(xué)特性是眾所熟知的。為在浸沒微光刻系統(tǒng)中供應(yīng)浸沒液體,該投射光學(xué)系統(tǒng)具備噴嘴組件(特定的結(jié)構(gòu)可適當?shù)乇环Q為“淋浴頭”),其位于基板旁邊的投射光學(xué)系統(tǒng)末端處或其附近。該噴嘴組件被配置成用以釋放該浸沒液體并且于必要時回收過剩的浸沒液體,以便在該投射光學(xué)組件與該基板表面間的空間中的所希望的位置處維持所希望的液體量。用于浸沒微光刻臺座中的基板臺座通常具有數(shù)個光學(xué)傳感器,用于進行對準與圖像估算。在每一個此類傳感器中,通常各“光學(xué)窗”隔離該實際傳感器組件與該基板臺座的環(huán)境,而檢測光則通過該光學(xué)窗抵達該傳感器組件。該傳感器中大部分位于該臺座之上所攜載的基板的邊緣處或靠近該邊緣處。因此利用浸沒微光刻系統(tǒng)的基板臺座,傳感器的光學(xué)窗的朝上游表面(入射表面)便可能接觸到該浸沒液體,至少在對基板進行曝光或進行基板交換期間短暫地接觸到。利用水作為浸沒液體顯現(xiàn)出該浸沒液體接觸該入射表面可能出現(xiàn)若干不希望的結(jié)果。舉例來說,此接觸可能導(dǎo)致在接觸該入射表面的水的主體中形成氣泡,尤其是當該水主體與該光學(xué)窗正在進行相對運動時。另外,此接觸還可能導(dǎo)致形成浸沒水滴,當浸沒水的主體通過該光學(xué)窗上方之后它們?nèi)詺埩粼谠撊肷浔砻妗2徽撌呛畏N情況,氣泡或液滴經(jīng)常干擾位于該光學(xué)窗下游處的傳感器的功能。此外,倘若臺座運動隨后再度讓該液滴與流體主體會合的話,那么液滴便還可能擾亂殘留在該噴嘴組件中的流體主體,從而對該流體主體產(chǎn)生進一步的破壞。這些與氣泡及液滴的形成有關(guān)的問題在較高的臺座速度時會更為顯著,但是不幸的是,微光刻系統(tǒng)中較高的材料產(chǎn)出效率通常便需要用到較高的臺座速度。為降低與浸沒水接觸的負面結(jié)果,用于配合該基板臺座的傳感器的傳統(tǒng)光學(xué)窗的入射表面通常與位于該基板臺座上的基板的上表面齊平(共平面)。另外,還利用由“疏水”(“厭水”)物質(zhì)所組成的薄膜來涂布該入射表面。疏水物質(zhì)并不會被水濕潤。所以,位于該薄膜上的水滴便傾向于形成“水珠”結(jié)構(gòu),而不散開在該薄膜表面上。疏水表面的存在降低該流體主體受到表面上方的運動干擾從而導(dǎo)致形成液滴的可能性。更廣泛言之,位于疏水薄膜上的水滴與該薄膜表面形成大于90°的“接觸角”(Θ)。傳統(tǒng)上所用到的疏水薄膜材料是聚四氟乙烯(PTFE;其為一種鐵弗龍)以及特定的硅烷化合物(例如氟烷基硅烷)。這些材料通常被涂敷在入射表面處形成非常薄的薄膜,以便確保該薄膜不過度阻擋光透射穿過該光學(xué)窗。雖然目前普遍使用水作為浸沒微光刻技術(shù)中的浸沒液體,不過,水的某些方面卻并非完全適合。其中一方面在于其折射率。希望的是,浸沒液體的折射率大于等于被該液體實際接觸到的投射光學(xué)系統(tǒng)中的物鏡組件的折射率(約為1.6)。水的折射率為η=1.44,這使其可在45nm的半間距節(jié)點處作為193nm浸沒微光刻技術(shù)的浸沒液體,不過,η=1.44卻不適用在以產(chǎn)生更細微的特征圖案(38nm及更小的半間距節(jié)點)為目標的浸沒微光刻技術(shù)之中。其次,水可能被吸收且部分溶解被涂敷至基板表面處的光致抗蝕劑。隨著光致抗蝕劑表面上的水滴蒸發(fā),已經(jīng)被溶解在該液滴之中的少許光致抗蝕劑便殘留在該光致抗蝕劑表面上,其通常殘留在與原來不同的位置處。此重新沉積的光致抗蝕劑可能顯著地改變該光致抗蝕劑表面的拓樸形狀并且可能對在該基板表面處所實施的測量(例如自動聚焦測量)造成問題。第三,水會輕易地蒸發(fā),這提高基板臺座附近以及用于決定臺座位置的各種干涉儀附近的水蒸氣濃度。該干涉儀激光束的路徑中的蒸氣變化則可能讓該干涉儀所實施的測量產(chǎn)生誤差。另外,水蒸氣還可能破壞精密的光學(xué)表面,例如用在各種干涉儀中的鏡子的反射表面。此外,利用以水作為浸沒液體的浸沒微光刻系統(tǒng)中所使用的傳統(tǒng)光學(xué)窗,被涂敷至該入射表面的傳統(tǒng)疏水物質(zhì)薄膜便很容易遭到高強度的DUV曝光破壞而且實際上并不耐用。結(jié)果,在實際的使用條件下,該薄膜便很容易具有極短的壽命。所以,需要更疏離該浸沒液體而耐用的表面。鑒于水的限制,現(xiàn)在尋找用于浸沒微光刻技術(shù)的新型浸沒液體。該項研究的難度很高,因為符合讓DUV光透射過去的高透明度且對DUV光又具有非常高的折射率等條件的物質(zhì)非常地少。高透明度具有下面的數(shù)項優(yōu)點,其包含使入射在該光致抗蝕劑上的曝光最大化、使流體的光劣化最小化、以及使流體的溫度提升最小化。近來的努力已經(jīng)在特定的飽和碳氫化合物(尤其是特定的環(huán)烷烴)中展現(xiàn)出極具前景性的結(jié)果。舉例來說,環(huán)己烷在193nm處的折射率為1.55,而水則約為1.44。French等人在2006年于ProceedingsSPIE615415之中便曾發(fā)表過“SecondGenerationFluidsfor193nmImmersionLithography”。不過,該新型的浸沒液體并未必完全優(yōu)于水。舉例來說,和水比較起來,該新型的液體具有較大的黏稠性、較低的表面張力、而且更難以容納在該物鏡組件與該基板之間。它們還可能比水更容易“濕潤”眾多表面,從而在該液體通過表面(例如光學(xué)窗)上方之后更容易殘留液滴與薄膜(其可能干擾傳感器性能)。因此,該液體所面臨的新挑戰(zhàn)是要讓光學(xué)窗的入射表面對該液體具有足夠的“疏離性”。
發(fā)明內(nèi)容本文所述的光學(xué)窗與相關(guān)的光學(xué)組件可解決上面概略說明的傳統(tǒng)光學(xué)窗的難題。光學(xué)窗的實施例用于透射光束(例如DUV光)并且包括可讓該光的至少一波長透射過去的窗基板。該窗基板具有裝飾有多個次波長粗糙體(sub-wavelengthasperities)的入射表面,該粗糙體被排列成讓該入射表面對于讓該光透射過去的液體是疏溶的。該次波長粗糙體排列可被配置成讓該入射表面對于讓光透射過去的液體是超疏溶的。舉例來說,該次波長粗糙體可以是立柱、尖峰、錐體、桿體、瘤體、細管、毛發(fā)、其它的幾何形狀、不規(guī)則形狀及其組合。該粗糙體可被排列在規(guī)則的陣列或不規(guī)則的陣列之中、被排列在凌亂陣列之中、或被排列在粗糙體彼此相同的陣列之中。粗糙體可具有實質(zhì)上不讓至少一波長透射過去的各自的頂表面。在此結(jié)構(gòu)中,該粗糙體可通過凹部(hollow)而彼此隔開,其中,該凹部讓至少一波長透射過去。在其它實施例中,每一個粗糙體均具有頂表面,該頂表面的尺寸不大于λ/10,其中,λ為該光的波長。該次波長粗糙體排列可根據(jù)文策爾(Wenzel)模型被配置成讓該入射表面具有疏溶性。或者,該次波長粗糙體排列也可根據(jù)卡西(Cassie)模型被配置成讓該入射表面具有疏溶性。又或者,該次波長粗糙體排列還可根據(jù)“菲可(fakir)”狀態(tài)被配置成用以讓該入射表面具有疏溶性。該菲可狀態(tài)可能為亞穩(wěn)態(tài)的(metastable)。本發(fā)明的另一方面關(guān)于一種接觸到讓至少一光波長(例如,但是并不僅限于DUV光)透射過去的液體的疏溶表面。在一實施例中,該表面讓至少一波長透射過去并且裝飾有次波長粗糙體排列,該次波長粗糙體排列被配置成讓該入射表面對于讓光透射過去的液體是疏溶的。舉例來說,該疏溶表面可能為光學(xué)窗。本發(fā)明的另一方面關(guān)于一種光學(xué)傳感器。一實施例包括光傳感器與光學(xué)窗,感測光光束透射穿過該光學(xué)窗而抵達該光傳感器。該光學(xué)窗包括窗基板,其讓該感測光的至少一波長透射過去。該窗基板具有裝飾有多個次波長粗糙體的入射表面,該粗糙體被排列成讓該入射表面對于讓感測光透射過去的液體是疏溶的。該光學(xué)傳感器可進一步包括位于該光學(xué)窗與該光傳感器之間的光學(xué)系統(tǒng)。該光學(xué)系統(tǒng)可包括第一透鏡,其具有傅立葉平面;以及孔徑光闌(aperturestop),其位于該傅立葉平面處。該孔徑光闌定義一孔徑,其尺寸被設(shè)計為讓低階衍射光從該光學(xué)窗透射過去并且讓高階衍射光在該光學(xué)窗處被阻擋。該光學(xué)傳感器可進一步包括至少一第二透鏡,其位于該傅立葉平面與該光傳感器之間,在該實施例中,該孔徑光闌可在該孔徑內(nèi)進一步包含至少一衍射階光闌(diffraction-orderstop)。本發(fā)明的又一方面關(guān)于運用曝光用的光(舉例來說,DUV光)來將圖案曝光在基板之上的浸沒微光刻系統(tǒng)。此系統(tǒng)的一實施例包括基板臺座、投射光學(xué)系統(tǒng)、以及光學(xué)傳感器。當通過該曝光用的光將該圖案曝光至該基板上時,該基板臺座被配置成固定該基板。該投射光學(xué)系統(tǒng)將該曝光用的光導(dǎo)送至該基板上,其中,來自該投射光學(xué)系統(tǒng)的DUV光通過位于該投射光學(xué)系統(tǒng)與該基板間的讓曝光用的光透射過去的浸沒液體。該光學(xué)傳感器配合該基板臺座并且包括(a)光傳感器;以及(b)光學(xué)窗,感測光光束透射穿過該光學(xué)窗而抵達該光傳感器。該光學(xué)窗包括窗基板,其讓該感測光的至少一波長透射過去。該窗基板具有裝飾有多個次波長粗糙體的入射表面,該粗糙體被排列成用以讓該入射表面對于該浸沒液體是疏溶的。根據(jù)下文的詳細說明,參考附圖,便更明白本文所述的設(shè)備的前述與其它特點及優(yōu)點。圖1是粗糙表面上的視在接觸角的余弦θraugh與在相同材料的平坦表面上且利用不同的液體所決定的楊氏接觸角(Θ)的余弦的函數(shù)關(guān)系的圖。圖2是裝飾有多個立柱作為代表性粗糙體(也稱為粗糙特征)的表面的一部分的立體圖。圖3(A)至3(L)是部分光學(xué)窗的各示意正視圖,每一個光學(xué)窗均具有裝飾有各粗糙體結(jié)構(gòu)的入射表面,所有的圖共同來示范可被形成在該入射表面之上的粗糙體結(jié)構(gòu)的范圍。圖4(A)至4(E)是部分光學(xué)窗的各示意正視圖,每一個光學(xué)窗均具有配合示范性粗糙體的不同的各層結(jié)構(gòu)。圖5是兩個超疏溶性模型的圖。對中度疏溶性(90°<θ<Θ。)來說,該視在接觸角吣。ugh預(yù)期由公式(2)中所表示的文策爾模型來給定,其中,Θ。根據(jù)公式(5)的粗糙度輪廓而固定。在另一情況中(θ>θ。),空氣保持在液滴的下方被捕獲,液滴位于固體與空氣所組成的復(fù)合表面上(“菲可”狀態(tài),其中,cosθ^ugh=-Hf1(cosθ+1))。雖然能量較高,當θ<θ。時,菲可狀態(tài)仍可能存在。圖中的虛線所示的是此亞穩(wěn)態(tài)情形。圖6(A)是可被放置在該光學(xué)窗與傳感器之間的光學(xué)系統(tǒng)的代表性實施例的示意圖,舉例來說,用以移除由該光學(xué)窗所產(chǎn)生的至少部分散射光以及至少部分衍射光。圖6(B)是圖6(A)的光學(xué)系統(tǒng)中的孔徑光闌附近的細節(jié)圖。圖6(C)是圖6(B)中所示的區(qū)域的正交示圖。圖7是示出浸沒光刻系統(tǒng)的特定特征的示意正視圖,其包含在本文中其它地方所述的光學(xué)窗。圖8是利用由圖7中所示的系統(tǒng)制造半導(dǎo)體裝置的示范性處理的處理流程圖。圖9是圖8中所示的晶片處理步驟的流程圖。具體實施方式以下,對于代表性實施例,討論本發(fā)明的光學(xué)表面與光學(xué)窗以及相關(guān)的方法,不過代表性實施例并不具有任何限制意義?!肮鈱W(xué)窗”通常為光學(xué)組件,當將其設(shè)置在光傳導(dǎo)路徑中時,其將一可用量的入射光透射至位于該光學(xué)窗下游的結(jié)構(gòu)。因此,該光學(xué)窗可用來隔離該光學(xué)窗的下游環(huán)境與上游環(huán)境,同時又可讓光從上游處通過該光學(xué)窗而抵達下游處。光學(xué)窗可能為折射式或非折射式(前者的范例為透鏡,而后者的范例則為“平面鏡”)。用在運用DUV曝光的浸沒微光刻系統(tǒng)中的光學(xué)窗通常對入射的DUV光呈現(xiàn)出實用的透射率。浸沒微光刻系統(tǒng)中的光學(xué)窗的設(shè)置位置與結(jié)構(gòu)通常讓感測光(其通常和用于曝光的DUV光具有實質(zhì)相同的波長)通過該光學(xué)窗抵達下游的光學(xué)傳感器。這些光學(xué)窗有利于保護該傳感器,讓它們不遭受到上游環(huán)境中用于曝光的浸沒液體的破壞。不論是否為折射,用于DUV的光學(xué)窗通常系由適當?shù)腄UV透射光學(xué)基板所制成,例如熔融硅砂(非晶形石英)。該光學(xué)窗具有面朝上游的用于感測的光源的入射表面,以及面朝下游的各傳感器或其它下游結(jié)構(gòu)的反向表面。光學(xué)窗的設(shè)置位置與結(jié)構(gòu)可將光傳送至一個以上的下游結(jié)構(gòu)處,例如多個傳感器。雖然下文所述的各個方面應(yīng)用至光學(xué)窗的至少一表面(通常為入射表面),不過,這些方面也可應(yīng)用至希望或必須不被濕潤的任何各種其它表面,例如臺座的表面?!坝H水性”表面與該表面上的水滴形成小于90°的接觸角,而(如上所述)“疏水性”表面則與該表面上的水滴形成大于90°的接觸角。大部分平滑的、干凈的、玻璃表面與水滴形成約30°甚至更小的接觸角;所以,這些表面是親水性的。涂布著由烷基硅烷或鐵弗龍@所制成的表面薄膜的平滑玻璃表面則與水滴形成約100°至110°的接觸角;所以是疏水性的。因此,且更廣泛言之,位于與溶劑為“疏溶”的表面上的特殊液體(溶劑)液滴呈現(xiàn)大于90°的接觸角,而位于與溶劑為“親溶”的表面上的溶劑液滴則呈現(xiàn)小于90°的接觸角?!俺枞苄浴钡奶卣鳛榻佑|角約為150°至180°。為達到浸沒微光刻系統(tǒng)中的最大的利益,浸沒液體不僅對曝光波長具有極高的透射性,且其折射率還要大于或等于該投射光學(xué)系統(tǒng)中的最后的光學(xué)組件(也就是,最靠近該基板表面的光學(xué)組件)的折射率。水的折射率(η=1.44)并不十分符合此條件;就此來說,以折射率約為1.6甚至更高的浸沒液體較佳。因此,當前仍不斷地在努力尋找比水更好的浸沒液體,用以用在利用193nm的曝光波長或DUV范圍中其它波長來運作的浸沒微光刻系統(tǒng)之中。目前為止已研究的對預(yù)期的DUV光波長呈現(xiàn)透射性的候選浸沒液體的表面張力均低于水,黏稠性均高于水,且在傳統(tǒng)疏水性薄膜表面上的各接觸角均低于水所呈現(xiàn)的接觸角。因此,通常難以將這些液體局限在物鏡下方,這便在該傳感器窗移離該物鏡之后,提高該浸沒液體的液滴和/或薄膜殘留在該傳感器窗上的可能性。這些浸沒液體所面臨的新挑戰(zhàn)還有要讓該傳感器窗對該液體具有充分的疏溶性,而不對傳感器窗(以及傳感器)性能造成負面影響。舉例來說,該傳感器窗以及它們的疏溶入射表面不僅必須要讓必須通過該傳感器窗以抵達各傳感器的光透射過去,它們的光學(xué)特性還必須兼容于它們下方的傳感器。此外,雖然不具有任何光學(xué)原因,不過本發(fā)明仍然希望該臺座表面本身為疏溶的。用來決定表面上的液體液滴的平衡形狀的基本原理是由楊(Young)在19世紀中所推論出來的。該液滴的形狀通過該固體表面平面中的液滴的三相接觸線處的各作用力的作用來控制。此接觸線為固液、液氣、以及固氣界面的相交處。作用在該三相接觸線處的(每單位長度的)各作用力為各表面張力,而這些作用力的平衡便產(chǎn)生下面著名的楊氏公式(1)Yh其中,θ為接觸角。請參見楊在1805年于Phil.Trans.R.Soc.London95:65_87中所發(fā)表的論文。固氣(Ysv)、固液(Ysl)、以及液氣(Ylv)的各表面張力(亦稱為“表面能量”)的單位分別為每單位面積的界面能量。符合楊氏公式的液滴被視為部分濕潤該固體的表面。倘若(Ysl+Ylv)=Ysv的話,那么θ便變成零,該液滴以以下方式變平,所述方式的特征在于液滴位于容易被該液體濕潤的“高能量”表面上。不過,倘若該固氣界面具有低表面能量的話,那么,接觸角便提高,理論上高至180°,而該表面將不被該液體濕潤?!按植诨北砻嫣岣咴摫砻娴挠行挝幻娣e,其改變公式(1)。請參見文策爾在1936年于Ind.Eng.Chem.28988以及文策爾在1949年于J.Phys.ColloidChem.531466中所發(fā)表的論文。粗糙化入射表面通常包含利用本文所述的任何各種“粗糙特征”(亦稱為“粗糙體”)來裝飾該表面。粗糙化將該入射表面的單位面積提高“粗糙倍數(shù)”r,其同時提高Ysv與Ysl。粗糙倍數(shù)r為實際面積與幾何投影面積(視在表面積)的比例,而在文策爾模型中,r通常大于一。粗糙化還將接觸角從θ變成ΘΜ_,后者為“粗糙表面”接觸角cosθrough=rcosθ(2)該粗糙表面接觸角θraugh被理解為宏觀值,其通常在該表面粗糙度上進行平均。公式(2)顯示出,通過提高表面的粗糙度,便可讓輕微疏水的表面(cosθ<0)變?yōu)榫哂懈?的疏水性;同樣地,通過提高表面的粗糙度,也可讓親水表面(cosθ>0)變?yōu)榫哂懈蟮挠H水性。圖1顯示極為粗糙表面(碎形表面)的這種效應(yīng)。具體地說,圖1繪制粗糙表面上的視在接觸角eMugh的余弦與楊氏(Young)接觸角θ(其是在相同材料的平坦或“不粗糙”表面上并且利用不同的液體所決定出來的)的余弦的函數(shù)關(guān)系。根據(jù)文策爾來粗糙化表面(例如入射表面)的示范性方式包含利用各種粗糙體(例如,立柱、尖峰、桿體、或是類似的粗糙體)排列(例如規(guī)則的陣列)來裝飾該表面。圖2中所示的便是此類型結(jié)構(gòu)的范例,其中,粗糙體為形成在有序陣列中的立柱12或尖峰。應(yīng)該注意的是,在此示范性結(jié)構(gòu)中,該立柱12具有截平的“頂”表面14、陡峭的側(cè)部16、以及介于其間的“凹部”(凹谷)18。該頂部14、側(cè)部16、以及凹部18的各表面實質(zhì)上具有相同的疏溶性。在文策爾模型中,位于此表面上的浸沒液體接觸所有表面(包含該頂部14、側(cè)部16、以及凹部18),這提高該表面的疏水性或親水性。在各種可能的結(jié)構(gòu)中,文策爾表面的粗糙體可能彼此相同或可能彼此不同。不過,排列(即使是非有序或凌亂的排列)在整個表面上方通常是均勻的,這使得該表面上每一個地方的r實質(zhì)上恒定。舉例來說,通過將該表面表示成由微米或亞微米尺寸的具有立柱結(jié)構(gòu)的多個粗糙體所組成的陣列,便可近似代表圖2中所示的粗糙結(jié)構(gòu)的效應(yīng),不過,此結(jié)構(gòu)并不具任何限制意義。該粗糙體連同其間的凹部提供兩個不同的接觸角。這便是Cassie(卡西)與Baxter(巴克斯特)在1944年于Trans.FaradaySoc.40:546_551中所發(fā)表的論文以及Cassie(卡西)在1948年于Discuss.FaradaySoc.3:11_15中所發(fā)表的論文中所討論過的所謂的“卡西”模型。根據(jù)卡西模型,倘若第一區(qū)域(接觸角Q1)覆蓋表面的比例為^舉例來說,該粗糙體的頂部的總面積),而第二區(qū)域(接觸角θ2)覆蓋表面的比例為f2(舉例來說,側(cè)部與凹部的總面積)的話,那么,宏觀接觸角(Θ)便可由下面的良好近似公式來給定cosθ=flCosθ^f2Cosθ2(3)在卡西模型中,該浸沒液體通常接觸該粗糙體的頂部,但卻不接觸其側(cè)部以及該粗糙體之間的凹部。因此,在該凹部之中,該液體通過一層空氣而與下方表面隔開。倘若利用具有粗糙輪廓的粗糙體之間以空氣隔開的凹部來代表第二區(qū)域f2的話,那么,c0Se2=-1,而因(fi+f2)=1,故公式⑶便產(chǎn)生下面的公式cosθ=f1(l+cosθ1)-1(4)倘若非常小的話,那么大部分的液體實際上接觸空氣,從而導(dǎo)致該表面呈現(xiàn)極高的疏溶性(甚至可能是超疏溶性)行為,其中,該液體以“苦行僧”平躺在釘床上的方式停留在粗糙體的頂端。此狀況稱為“菲可狀態(tài)”,請參見Qu6r6,NatureMater.1:14_15,2002。用于讓入射表面具有疏溶性的粗糙體可能具有任何各種結(jié)構(gòu),其包含但是并不僅限于立柱、桿體、錐體、尖峰、瘤體、半球體、細管、毛發(fā)、其它的規(guī)則與不規(guī)則形狀、單體或復(fù)合物,如圖3(A)至3(L)中所示。該粗糙體可被排列在如圖2中所示的規(guī)則陣列之中或是被排列在不規(guī)則或凌亂排列之中。該粗糙體可能自我仿射(self-affine)。該粗糙體未必全部具有相同尺寸及/或形狀。該粗糙體可通過類脊狀的結(jié)構(gòu)而被接合在一起。現(xiàn)在再次參考圖2中所示的特定范例,對圖中所繪制的各立柱的相對尺寸并不必加以限制。如后面在下文所作的討論,本發(fā)明希望位于粗糙的入射表面上的粗糙體的尺寸(高度以外的尺寸)為“次波長”或是小于入射到該表面上的DUV光的波長。該粗糙體可能全部具有相同的結(jié)構(gòu)(如圖2中所示)或者可能在該入射表面上具有不同的結(jié)構(gòu)。不論是相同或不同的結(jié)構(gòu),該粗糙體均可以凌亂或有序的方式來排列。舉例來說,該粗糙體可能由和該窗基板相同的材料所制成,或者可能由被涂敷至或形成在該窗基板的表面上的材料所制成。該粗糙體(以及中間的凹部,若必要的話)可能被涂布,例如利用薄層的氟化硅烷或是其它的疏溶材料來涂布?;蛘?,該粗糙體本身可能由疏溶材料所構(gòu)成,例如鐵弗龍@或CYTOP、氟聚合物。即使平滑入射表面并非為疏溶的,對應(yīng)的粗糙入射表面仍可讓該表面具有疏溶性或是提高該表面的疏溶性。舉例來說,對表面張力為28.9mN/m的苯(其可媲美目前正在開發(fā)中的部分新型浸沒液體)來說,利用蜂巢圖案的氟碳化合物材料便可達到疏溶性。為達到對照的目的,水的表面張力為73mN/m。通過粗糙化親溶性材料的表面創(chuàng)造的超疏溶表面,可能在特定環(huán)境或條件下回復(fù)成親溶性。舉例來說,倘若溶劑從蒸氣中凝結(jié)在該表面(其包含在該凹部之中)上的話,便可能發(fā)生回復(fù)作用;或者,倘若外加的壓力迫使該溶劑緊密地接觸該表面(例如在該凹部之中以及在粗糙體的側(cè)部之上)的話,亦可能發(fā)生回復(fù)作用。用于浸沒微光刻技術(shù)的大部分新型候選浸沒液體的蒸氣壓均低于水,所以,這些液體凝結(jié)在入射表面上的可能性低于水。另外,任何液體間歇地接觸入射表面亦可降低回復(fù)成親溶性的可能性。圖2中所示的粗糙體的周期性陣列與結(jié)構(gòu)僅是可有利于菲可狀態(tài)的疏溶性增強入射表面的范例。因此,應(yīng)該了解的是,圖2的結(jié)構(gòu)并不具任何限制意義。示范性修正例包含但是并不僅限于放置該粗糙體,讓它們彼此更緊密或較疏松地分隔;將該粗糙體配置成具有不同于圖中所繪制的寬高比;將該粗糙體配置成比圖中所示的更“尖銳”或圓鈍;將該粗糙體配置成具有不平坦的頂部,例如具有圓形頂部;涂布或不涂布該粗糙體;以全部相同的形狀及/或尺寸、全部不相同的形狀及/或尺寸來配置該粗糙體,或是以至少兩種形狀及/或尺寸的組合來配置該粗糙體;讓該粗糙體具備更陡峭或較不陡峭的傾斜側(cè)部;讓該側(cè)部具有如圖中所示的角度或是具有圓形角;及/或讓粗糙體具備額外的微米或納米結(jié)構(gòu)。圖3(A)至3(L)中所示的便是各種結(jié)構(gòu)。還應(yīng)該注意的是,粗糙特征的“排列”可能是有序的(陣列式)、不規(guī)則的、或是凌亂的、或是前述的組合。并未完全了解其中可以預(yù)期液體接觸粗糙入射表面的所有部分(粗糙體、粗糙體尖端、以及凹部;稱之為“文策爾狀態(tài)”)的環(huán)境。另外,也不完全了解其中可以預(yù)期液體呈現(xiàn)卡西模型的各方面的所有環(huán)境,在卡西模型中,液體僅接觸粗糙體的頂端(且因而呈現(xiàn)出“菲可狀態(tài)”類型的疏溶性)。就能量而言,液固系統(tǒng)傾向停留在最低能量的狀態(tài)中,其為呈現(xiàn)最小接觸角的狀態(tài)。在以水與水性液體作為浸沒液體的情況中,對(在平滑時)僅具有中度疏溶性的入射表面來說,似乎文策爾狀態(tài)比較有利。菲可狀態(tài)(在此狀態(tài)中,作為下方空氣陷捕的結(jié)果,液滴實質(zhì)上僅在該粗糙體的頂端處接觸該基板)似乎比較有利于(平滑表面上的)接觸角超過利用公式(2)與(4)等同代入之后所獲得的臨界值θ。因為cosθ。必定為負,所以,θ。必定大于90°。實際上,即使當平滑表面接觸角小于θ。,菲可狀態(tài)有時候仍可能存在。這些狀態(tài)通常被視為“亞穩(wěn)的”菲可狀態(tài),當對該液體進行攪動或施加壓力時,其便可能回復(fù)成文策爾狀態(tài)。在眾多情況中,必須進行大量擾動方能造成回復(fù)作用。如本文所公開,抗回復(fù)性可能是光學(xué)窗的一項有用特性。值得一提的是,可在親溶性入射表面上創(chuàng)造出有利于抗回復(fù)的亞穩(wěn)菲可狀態(tài)的粗糙體結(jié)構(gòu)。此發(fā)現(xiàn)非常重要,因為對沒有任何本質(zhì)為疏溶的材料可用的特定浸沒液體來說,其允許制造出高度疏溶性的光學(xué)窗且符合利用該光學(xué)窗作為檢測器窗的所有必要條件。圖5中便概略說明此情況,其中,虛線所示的是亞穩(wěn)態(tài)情況。從上可知,通過“粗糙化”光學(xué)窗或其它結(jié)構(gòu)的入射表面,也就是,利用粗糙特征或粗糙體排列來裝飾該入射表面,通常提高該入射表面的疏溶性。粗糙化初始為疏溶的入射表面可提高該表面的疏溶性,如同粗糙化初始為親溶的入射表面一樣。另外,值得一提的是,粗糙化中度親溶的入射表面則能夠賦予該表面高度疏溶的特性,甚至可能是超疏溶特性,明確地說,在通過粗糙化所形成的該粗糙體針對該特殊浸沒液體與光波長作過正確選擇與尺寸設(shè)計的情況下(讓該尺寸適當?shù)匮由煸趤單⒚壮叽缫韵?。粗糙體可根據(jù)規(guī)則的陣列以圖案的方式被排列在該入射表面之上,或是以凌亂的方式被排列在該入射表面之上。經(jīng)圖案化或凌亂的粗糙體可形成在該窗基板本身之中,或者可形成在被涂敷至該窗基板的入射表面的一材料層之中。該粗糙體可被涂布或是不被涂布。用于提供粗糙度的候選技術(shù)包含(a)通過噴灑、分散、或是僅沉積適當?shù)腢V透射微粒物質(zhì)(例如熔融硅砂或PTFE),必要時可利用或不利用一粘結(jié)劑,若必要的話可接著進行烘干,以便在該入射表面上形成至少一層,其中,該微粒在該表面上形成該粗糙體;(b)蝕刻該入射表面,例如以化學(xué)方式、電氣方式、或是利用等離子體來進行蝕刻,以便形成粗糙體排列;(c)對該入射表面電鍍或等離子體沉積至少一層適當?shù)腢V透射材料,該材料形成或經(jīng)過處理之后形成所希望的粗糙體排列;(d)在該入射表面上進行溶液沉淀至少一層適當?shù)腢V透射材料,該材料形成或經(jīng)過處理之后形成所希望的粗糙體排列;(e)在該入射表面上進行化學(xué)氣相沉積,用以沉積適當?shù)腢V透射材料,該材料形成或經(jīng)過處理之后形成所希望的粗糙體排列;(f)在該入射表面上進行外延生長,用以生長適當?shù)腢V透射材料,該材料形成或經(jīng)過處理之后形成所希望的粗糙體排列;(g)以形成粗糙體或包含用以形成粗糙體的后續(xù)處理的方式,在該入射表面上或之上模塑適當?shù)腢V透射材料;(h)對該入射表面進行微光刻圖案化處理,以便形成該粗糙體;以及(i)在該入射表面上形成由低表面能量材料的UV透射微粒所制成的至少一紋路層,該低表面能量材料包含但是并不僅限于氟烷基硅烷、氟聚合物、蠟、氟化物、碳氟化合物,其中,該微粒形成粗糙體排列。參考圖4(A)至4(E),圖中所繪的是可將疏溶性改變層施加至一表面的各種示范方式。圖4(A)所繪的是裝飾有多個粗糙體32a的表面30a,該粗糙體32a是由和基板相同的材料所構(gòu)成。圖4(B)所繪的是具有表面層34b的表面30b,該表面層34b構(gòu)成該粗糙體32b。圖4(C)所繪的是具有表面層34c的表面30c,在該表面層34c之上構(gòu)成該粗糙體32c。圖4(D)所繪的是在其上形成多個粗糙體32d的表面30d,該粗糙體32d是由該表面30d的材料或是利用另一物質(zhì)所構(gòu)成,圖中還繪出形成在該粗糙體的側(cè)部上以及該粗糙體間的“凹部”之中的一層34d。圖4(E)所繪的是在其上形成多個粗糙體32e的表面30e,該粗糙體32e是由該表面30e的材料或是利用另一物質(zhì)所構(gòu)成,圖中還繪出形成在該粗糙體的頂部上的一層34e。這些圖都僅僅是示范性的,也可使用其它結(jié)構(gòu)。為入射表面裝飾凌亂的粗糙體排列也可通過在該入射表面上涂敷溶膠凝膠(舉例來說,以用于高功率激光器系統(tǒng)中的“蛾眼”濾波器來防止透鏡中的激光束發(fā)生局部集中12的現(xiàn)象)來達到。溶膠凝膠法引人注目的原因是因為它們經(jīng)??梢院艿偷某杀緛韺嵤?,并且在實施時并不損壞該窗基板的光學(xué)特性。該粗糙體排列的本質(zhì)可能具有均勻的大小或是層次性(hierarchical),其具有多種粗糙體尺寸。該排列可能是碎形、自我仿射、或是非碎形的。通過上述任何技術(shù)來為入射表面裝飾粗糙體的優(yōu)點是可在該入射表面上形成具有足夠深度(厚度)的粗糙體,以便提供具有良好耐用性的疏溶特性。另外,在該窗基板本身之中形成該粗糙體的優(yōu)點則是該窗基板通常較不容易受到高強度入射光的影響。用于該入射表面的溶膠凝膠以及其它粗糙體構(gòu)形涂覆的優(yōu)點是它們也可被涂敷得非常厚,從而提供厚度(高度)實質(zhì)上大于目前用于浸沒微光刻技術(shù)的光學(xué)窗的疏溶性涂劑的厚度的粗糙體。舉例來說,溶膠凝膠涂劑的厚度可能是數(shù)十個納米并且可包含直徑為數(shù)十個納米的微粒。常見的厚度范圍是數(shù)十個納米至微米。提高厚度通常讓光學(xué)窗具有更堅固且耐用的性能。若必要的話,可利用疏溶性薄膜構(gòu)形材料(例如含鐵氟龍@的材料、氟化硅烷、或是對穿過該光學(xué)窗的光的波長具有可接受的透射性的有機硅烷材料)來處理該粗糙的表面。粗糙化入射表面可能導(dǎo)致該表面產(chǎn)生散射與衍射效應(yīng),其可能過度地干擾該表面的所希望的光學(xué)功能。倘若該入射表面是光學(xué)窗的話,那么這些現(xiàn)象便可能是特別關(guān)注的。通過讓該粗糙體的幾何尺度遠比該光波長還要精細,便可將散射及/或衍射減至非常小的程度。一般來說,粗糙體小于入射至該表面的光波長(符合此準則的粗糙體便稱為“次波長”粗糙體)。一般來說,該粗糙體越小于該波長,源自或穿過該表面的散射與衍射便越少。舉例來說,讓該粗糙體(舉例來說,每一個粗糙體頂端處的區(qū)域的尺寸)約為該波長的1/10甚至更小是實際的,且有利于將散射與衍射減至可容忍的程度。更明確地說,對DUV光來說,本發(fā)明希望該粗糙體約為20nm甚至更小。因此,入射表面可被制成呈現(xiàn)所希望的疏溶性程度,但卻不嚴重降低光學(xué)品質(zhì)。通過讓各粗糙體(舉例來說,立柱或類似的粗糙體)彼此相隔適當?shù)木嚯x也可大幅地減低散射。舉例來說,在圖2中,該立柱12僅占據(jù)該光學(xué)窗的表面積約5%。應(yīng)該注意的是,此結(jié)構(gòu)中的粗糙體以及在各粗糙體之間提供大間隔的其它結(jié)構(gòu)中的粗糙體并不需要對入射的DUV輻射是透明的。結(jié)果,用于制造該粗糙體的材料選擇便比使用DUV透明材料的情況還要寬。粗糙度不僅可能產(chǎn)生散射,還可能產(chǎn)生大量的衍射光,該衍射光可能對穿過該光學(xué)窗的光學(xué)信號造成負面影響。通過在該光學(xué)窗與該傳感器之間插置光學(xué)系統(tǒng)便可減低或避免衍射。圖6(A)至6(C)中所示的是此項技術(shù)的實施例范例。本實施例中的光學(xué)系統(tǒng)30包括第一透鏡32、第二透鏡34、以及第三透鏡36。傅立葉平面38為該第一透鏡32的背聚焦平面。源自光學(xué)窗40的平行光線被聚焦至該傅立葉平面38中的一點。源自簡單透射光柵的衍射光以角度φ從該光柵處出現(xiàn),其中,該角度φ滿足下面的光柵公式=ηλ(6)其中,d為光柵間距,而λ為入射光的波長。整數(shù)η為衍射階。從簡單的線性光柵,通過透鏡的衍射光被聚焦在該透鏡的背聚焦平面或傅立葉平面的一連串直線處。從例如圖2所示的二維結(jié)構(gòu)中,各階的衍射光被聚焦在該傅立葉平面中的各點處(參見圖6(C))。被放置在該傅立葉平面38處的孔徑光闌42可用來從信號中消除高階衍射的透射(以及部分的散射光)。低階衍射可能落在孔徑開44處,其等于該系統(tǒng)的數(shù)值孔徑(NA)。若必要或需要的話,通過在被放置在該傅立葉平面38之中的透明板(本文并未詳示)之上放置不透明區(qū)46便可阻擋這些衍射階。此結(jié)構(gòu)可讓大部分的真實信號通過傅立葉平面38而抵達傳感器,并不受到阻礙。雖然圖中所示的光學(xué)系統(tǒng)30為11,不過,亦可將其放大或縮小。現(xiàn)在參考圖7,圖中所示的是浸沒微光刻系統(tǒng)的特定特征組件,也就是,光源40、照明光學(xué)系統(tǒng)42、光罩臺座44、投射光學(xué)系統(tǒng)46、以及晶片(基板)臺座48,全部均沿著光軸A來排列。光源40被配置成用以提供脈沖式的照明光光束,例如由KrF準分子激光器所產(chǎn)生的248nm的DUV光、由ArF準分子激光器所產(chǎn)生的193nm的DUV光、或是由F2準分子激光器所產(chǎn)生的157nm的DUV光。照明光學(xué)系統(tǒng)42包含光學(xué)整合器以及至少一透鏡,該至少一透鏡調(diào)整與塑形該照明光束,用以照明在被安置在該光罩臺座44的經(jīng)圖案化光罩50上的特定區(qū)域。被限定在該光罩50之上的圖案對應(yīng)于要以微光刻方式被轉(zhuǎn)印至被固定在晶片臺座48之上的晶片52的圖案。此系統(tǒng)中的微光刻轉(zhuǎn)印利用投射光學(xué)系統(tǒng)46,通過從該光罩50處將圖案的空間圖像投射至該晶片52。投射光學(xué)系統(tǒng)46通常包括眾多單獨光學(xué)組件(本文并未詳述),它們以指定的縮小比例(舉例來說,1/4或1/5)將圖像投射至晶片52上。為達到可轉(zhuǎn)印的目的,利用被稱為“光致抗蝕劑”的適當曝光敏感材料層來涂布該晶片表面。光罩臺座44被配置成用以在X方向、Y方向中來移動該光罩50,以及繞著Z軸以旋轉(zhuǎn)的方式來移動該光罩50。光罩50在該光罩臺座44上的二維位置與定向由激光器干涉儀(圖中并未顯示)來進行實時檢測,而該光罩50的定位則依據(jù)所獲得的檢測結(jié)果由主控制單元來施行。晶片52由晶片臺座48上的晶片固定器(“夾盤”,圖中并未顯示)來固定。該晶片臺座48包含一機構(gòu)(圖中并未顯示),其在必要時用來控制與調(diào)整晶片52的聚焦位置(沿著Z軸)以及傾角。晶片臺座48還包含多個機構(gòu),用以在實質(zhì)平行于該投射光學(xué)系統(tǒng)46的圖像構(gòu)成表面的X-Y平面中移動該晶片。晶片臺座48還包含多個機構(gòu),用以通過自動聚焦與自動水平方法來調(diào)整該晶片52的傾角。因此,該晶片臺座用來讓晶片表面與投射光學(xué)系統(tǒng)的圖像表面對準。該晶片的二維位置與定向還由另一激光器干涉儀(圖中并未顯示)來進行實時監(jiān)視?;诖吮O(jiān)視結(jié)果的控制數(shù)據(jù)從該主控制單元被傳送至用于驅(qū)動該晶片臺座的驅(qū)動電路。在曝光期間,通過該投射光學(xué)系統(tǒng)的光根據(jù)該光罩上的圖案,以“步進與重復(fù)”或“步進與掃描”的方式,順序地從該晶片上的一位置移至另一位置。投射光學(xué)系統(tǒng)46通常包括眾多透鏡組件,它們共同運作用以在該晶片52的已涂布光致抗蝕劑表面上形成曝光圖像。為方便起見,最遠端的光學(xué)組件(也就是,最靠近該晶片表面的光學(xué)組件)是物鏡53。因為圖中所繪的系統(tǒng)是浸沒微光刻系統(tǒng),所以,其在該物鏡53與該晶片52的表面之間包含浸沒液體54。如上面的討論,該浸沒液體54具有指定類型。至少當要將光罩的圖案圖像曝光到晶片上時,該浸沒液體存在。浸沒液體54由液體供應(yīng)單元56來提供,其可以包括液體槽、泵、以及溫度調(diào)節(jié)器(圖中并未單獨顯示)。該液體54通常由噴嘴機構(gòu)55輕輕地釋放到該物鏡53與該晶片表面間的間隙之中。液體回收系統(tǒng)58包含回收吸嘴57,當該供應(yīng)器56提供新鮮的液體5414時,該回收吸嘴57便從該間隙處移除液體。因此,便在該物鏡53與該晶片表面之間持續(xù)地置換實質(zhì)上恒定量的浸沒液體54。該液體的溫度被調(diào)節(jié)至約與設(shè)置有該微光刻系統(tǒng)本身的反應(yīng)室內(nèi)部的溫度相同。圖中還顯示在限定在晶片臺座48中的凹窩62上延伸的傳感器窗60,在該凹窩62中設(shè)置傳感器64。因此,該窗部60便隔離該凹窩62中的傳感器64。移動晶片臺座48以將該窗部60放置在該物鏡53的下方,通過連續(xù)置換該浸沒液體54,可讓通過該投射光學(xué)系統(tǒng)46的光束透射穿過該浸沒液體與窗部60而抵達該傳感器64。圖8所示的是利用含有上述特征的浸沒微光刻系統(tǒng)來制造半導(dǎo)體裝置的處理。在步驟301中設(shè)計該裝置的功能與性能特性。接著,在步驟302中,根據(jù)前面的設(shè)計步驟來設(shè)計具有圖案的光罩。在平行的步驟303中,利用硅或其它適當?shù)幕宀牧蟻碇圃炀?。在步驟304中,通過微光刻系統(tǒng)(例如上面所述)將步驟302中所設(shè)計的光罩圖案曝光在于步驟303中所提供的晶片之上。在步驟305中組裝該半導(dǎo)體裝置(其包含切割處理、焊接處理、以及封裝處理)。最后,在步驟306中檢查該裝置。圖9所示的是制造半導(dǎo)體裝置的情況中的上述步驟304的詳細流程圖范例。在步驟311中(氧化步驟),氧化該晶片表面。在步驟312中(CVD步驟),在該晶片表面上形成絕緣薄膜。在步驟313中(形成電極步驟),通過氣相沉積在該晶片上形成電極。在步驟314中(離子注入步驟),將離子注入該晶片之中。步驟311至314在晶片處理期間形成晶片的“前處理”,而且在每一道步驟中均根據(jù)處理需求來進行選擇。在晶片處理的每一個階段,當已經(jīng)完成上面所述的前處理步驟之后,便施行下面的后處理步驟。在后處理期間,首先,在步驟315中(形成光致抗蝕劑步驟),將光致抗蝕劑涂敷至該晶片。接著,在步驟316中(曝光步驟),利用上面所述的微光刻系統(tǒng)來將被定義在該光罩上的電路圖案轉(zhuǎn)印至該晶片之上。接著,在步驟317中(顯影步驟),對該經(jīng)曝光的晶片進行顯影。在步驟318中(蝕刻步驟),利用蝕刻處理來移除殘余光致抗蝕劑(經(jīng)過曝光的材料表面)以外的部分。在步驟319中(光致抗蝕劑移除步驟),移除經(jīng)過蝕刻之后仍殘留的不必要光致抗蝕劑。通過反復(fù)地執(zhí)行前述的前處理步驟與后處理步驟便形成多個電路圖案。雖然已經(jīng)配合代表性實施例來說明本發(fā)明,不過,本發(fā)明并不僅限于這些實施例。相反地,本發(fā)明希望涵蓋由隨附申請專利范圍所限定的本發(fā)明的精神與范疇內(nèi)的所有修正例、變更例、以及等效例。權(quán)利要求一種光學(xué)傳感器,其包括光傳感器,其對感測光具有靈敏性;以及光學(xué)窗,該感測光光束透射穿過該光學(xué)窗而抵達該光傳感器,該光學(xué)窗包括窗基板,其讓該感測光的至少一波長透射過去,該窗基板具有裝飾有多個次波長粗糙體的入射表面,該粗糙體被排列成讓該入射表面對于讓感測光透射過去的液體是疏溶的。2.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)傳感器,其中,該次波長粗糙體排列被配置成讓該入射表面對于該感測光透射液體是超疏溶的。3.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)傳感器,其中,該次波長粗糙體選自由立柱、尖峰、錐體、桿體、瘤體、細管、毛發(fā)、其它的幾何形狀、不規(guī)則形狀及其組合所組成的組。4.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)傳感器,其中,該粗糙體中的至少一些包括互連脊。5.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)傳感器,其中,該粗糙體被排列在規(guī)則的陣列之中。6.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)傳感器,其中,該粗糙體被排列在不規(guī)則的陣列之中。7.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)傳感器,其中,該粗糙體被排列在凌亂的陣列之中。8.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)傳感器,其中,該粗糙體彼此相同。9.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)傳感器,其中該粗糙體具有各自的頂表面,該頂表面實質(zhì)上并不讓該至少一波長透射過去;該粗糙體通過凹部而彼此隔開;以及該凹部讓該至少一波長透射過去。10.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)傳感器,其中,每一個粗糙體均具有尺寸不大于λ/10的頂表面,其中,λ為該感測光的波長。11.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)傳感器,其中,該次波長粗糙體排列被配置成根據(jù)文策爾模型來讓該入射表面具有疏溶性。12.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)傳感器,其中,該次波長粗糙體排列被配置成根據(jù)卡西模型來讓該入射表面具有疏溶性。13.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)傳感器,其中,該次波長粗糙體排列被配置成根據(jù)菲可狀態(tài)來讓該入射表面具有疏溶性。14.如權(quán)利要求13所述的光學(xué)傳感器,其中,該菲可狀態(tài)是亞穩(wěn)態(tài)的。15.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)傳感器,其被配置成對穿過該光學(xué)窗的光實質(zhì)上具有非折射性。16.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)傳感器,其被配置成對穿過該光學(xué)窗的光具有折射性。17.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)傳感器,其中,該窗基板包括第一材料;以及該窗基板的入射表面上的粗糙體包括不同于該第一材料的第二材料。18.如權(quán)利要求17所述的光學(xué)傳感器,其中,該第二材料的疏溶性大于該第一材料。19.如權(quán)利要求17所述的光學(xué)傳感器,其中該粗糙體具有各自的表面;以及該粗糙體的該表面至少包括由該第二材料所制成的一層。20.如權(quán)利要求19所述的光學(xué)傳感器,其中,該第二材料的疏溶性大于該第一材料。21.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)傳感器,其中,該感測光為DUV光。222.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)傳感器,其進一步包括位于該光學(xué)窗與該光傳感器之間的光學(xué)系統(tǒng)。23.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)傳感器,其中,該光學(xué)系統(tǒng)包括第一透鏡,其具有傅立葉平面;以及孔徑光闌,其位于該傅立葉平面處,該孔徑光闌定義一孔徑,其尺寸被設(shè)計為讓低階衍射光從該光學(xué)窗透射過去并且讓高階衍射光在該光學(xué)窗處被阻擋。24.如權(quán)利要求23所述的光學(xué)傳感器,其進一步包括至少一第二透鏡,該第二透鏡位于該傅立葉平面與該光傳感器之間。25.如權(quán)利要求23所述的光學(xué)傳感器,其中,該孔徑光闌在該孔徑內(nèi)進一步包含至少一衍射階光闌。26.一種運用曝光用的光來將圖案曝光在基板之上的浸沒微光刻系統(tǒng),該系統(tǒng)包括基板臺座,當通過該曝光用的光將該圖案曝光至該基板上時,該基板臺座被配置成用以固定該基板;相對于該基板臺座設(shè)置的投射光學(xué)系統(tǒng)以及曝光源,用以將該曝光用的光導(dǎo)送至該基板上,而來自該投射光學(xué)系統(tǒng)的曝光用的光通過位于該投射光學(xué)系統(tǒng)與該基板之間的讓曝光用的光透射過去的浸沒液體;以及光學(xué)傳感器,其配合該基板臺座,該光學(xué)傳感器包括(a)光傳感器;以及(b)光學(xué)窗,感測光光束透射穿過該光學(xué)窗而到達該光傳感器,該光學(xué)窗包括窗基板,其讓該感測光的至少一波長透射過去,該窗基板具有裝飾有多個次波長粗糙體的入射表面,該粗糙體被排列成讓該入射表面對于該浸沒液體是疏溶的。27.如權(quán)利要求26所述的系統(tǒng),其中,該曝光用的光與該感測光分別為DUV光。全文摘要本發(fā)明提供用以讓光(例如深UV(DUV)光)透射過去的光學(xué)窗。示范性光學(xué)窗包含可讓該光的至少一波長透射過去的窗基板。該窗基板具有裝飾有多個次波長粗糙體的入射表面,該粗糙體被排列成讓該入射表面對于讓該光透射過去的液體是疏溶的。該次波長粗糙體排列可被配置成讓該入射表面對于該液體是超疏溶的。該次波長粗糙體可具有任何各種形狀及它們的組合,并且可以規(guī)則或不規(guī)則地排列。文檔編號G03F7/20GK101907733SQ201010155639公開日2010年12月8日申請日期2007年3月28日優(yōu)先權(quán)日2006年4月3日發(fā)明者M·R·索加德申請人:株式會社尼康
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