專利名稱:感光性樹脂組合物、感光性樹脂層壓體、抗蝕圖案形成方法以及導體圖案、印刷電路板、引 ...的制作方法
技術領域:
本發(fā)明涉及可通過堿性水溶液顯影的感光性樹脂組合物、將該感光性樹脂組合物 層壓在支撐體上而得到的感光性樹脂層壓體、使用該感光性樹脂層壓體在基板上形成抗蝕 圖案的方法以及該抗蝕圖案的用途。更具體地,涉及可提供抗蝕圖案的感光性樹脂組合物, 該抗蝕圖案適用于印刷電路板的制造,柔性印刷電路板的制造,IC芯片搭載用引線框(以 下簡稱為引線框)的制造,金屬掩模制造等金屬箔精密加工,BGA (球柵陣列封裝)、CSP (芯 片尺寸封裝)等半導體封裝的制造,以TAB (帶式自動焊接)、C0F (覆晶薄膜在薄膜狀的微 細電路板上搭載半導體IC而成)為代表的帶狀基板(tape substrate)的制造,半導體凸 塊(semiconductor bump)的制造,平板顯示器領域的ITO電極、尋址電極或電磁波屏蔽體 等部件的制造。
背景技術:
目前,印刷電路板通過光刻法來制造。在光刻法中,將感光性樹脂組合物涂布于基 板上,進行圖案曝光使該感光性樹脂組合物的曝光部聚合固化,用顯影液除去未曝光部分, 從而在基板上形成抗蝕圖案,對該基板進行蝕刻或鍍敷處理來形成導體圖案,然后從該基 板上剝離除去該抗蝕圖案,從而可以在基板上形成導體圖案。在上述光刻法中,可采用下述方法中的任意一種在將感光性樹脂組合物涂布在 基板上時,將感光性樹脂組合物的溶液涂布在基板上并使其干燥的方法;或者,依次層壓支 撐體、由感光性樹脂組合物形成的層(以下也稱為“感光性樹脂層”)和根據(jù)需要而定的保 護層得到感光性樹脂層壓體(以下也稱為“干膜抗蝕層(dry film resist) ”),并將感光性 樹脂層壓體層壓在基板上的方法。而且,在印刷電路板的制造中,大多使用后一種的干膜抗 蝕層。下面簡單描述使用上述干膜抗蝕層來制造印刷電路板的方法。首先,在干膜抗蝕 層具有聚乙烯薄膜等保護層時,將該保護層從感光性樹脂層上剝離。接著,使用層壓機在覆 銅層壓板等基板上按照該基板、感光性樹脂層、支撐體的順序來層壓感光性樹脂層和支撐 體。接著,借助具有布線圖案的光掩模,用超高壓汞燈發(fā)射的i射線(365nm)等紫外線將該 感光性樹脂層曝光,從而使曝光部分聚合固化。接著,剝離由聚對苯二甲酸乙二醇酯等形成 的支撐體。接著,通過具有弱堿性的水溶液等顯影液溶解或分散除去感光性樹脂層的未曝 光部分,在基板上形成抗蝕圖案。接著,以所形成的抗蝕圖案為保護掩模,進行公知的蝕刻 處理或圖案鍍敷處理。在通過蝕刻來除去金屬部分的方法中,通過用固化抗蝕膜將基板的 貫通孔(through-hole)、用于層間連接的通路孔(via-hole)覆蓋,從而使孔內(nèi)的金屬不被 蝕刻。該方法稱作掩蔽法(tenting method)。在蝕刻工序中,例如使用氯化銅、氯化鐵或銅 氨絡合物的溶液。最后,用氫氧化鈉等的堿水溶液從基板上剝離該抗蝕圖案,從而制造具有 導體圖案的基板、即印刷電路板。從操作性、處理性和生產(chǎn)率的觀點來看,優(yōu)選剝離速度較快。另一方面,隨著近年來的印刷電路板的布線間隔的微細化,對干膜抗蝕層的高分 辨率的要求逐漸增加。另外,在掩蔽法和鍍敷法中,為了不使蝕刻液和鍍敷液浸潤到抗蝕劑 與銅之間,抗蝕劑與銅的附著力是重要的,但隨著附著力的提高存在剝離時間會變長的問題。專利文獻1中,為了在維持感光性樹脂組合物的高分辨率和高附著力的同時提高 掩蔽性,記載有含有環(huán)氧乙烷與環(huán)氧丙烷的鏈狀共聚物的感光性樹脂組合物,但沒有記載 剝離性的問題。現(xiàn)有技術文獻專利文獻專利文獻1 日本特開2004-207 號公報
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題因此,作為干膜用的感光性樹脂組合物,分辨率、附著力和掩蔽性優(yōu)異、且大大有 助于提高操作性、處理性和生產(chǎn)率的剝離速度快的感光性樹脂組合物仍未有提供。本發(fā)明的目的在于,提供分辨率、附著力和掩蔽性優(yōu)異,固化抗蝕膜具有基于堿 水溶液的優(yōu)異剝離性的感光性樹脂組合物;使用有該感光性樹脂組合物的感光性樹脂層壓 體;使用該感光性樹脂層壓體在基板上形成抗蝕圖案的抗蝕圖案形成方法;以及使用該感 光性樹脂層壓體的、導體圖案、印刷電路板、引線框、基材和半導體封裝的制造方法。用于解決問題的方案上述目的可以通過本發(fā)明的如下構成來實現(xiàn)。即,本發(fā)明如下。[1] 一種感光性樹脂組合物,其含有下述(a) (d)成分(a)至少以含α,β _不 飽和羧基單體為聚合成分進行聚合而得到的、酸當量為100 600且重均分子量為5000 500000的熱塑性聚合物,20 90質量% ; (b)分子內(nèi)具有至少一個可聚合烯屬不飽和鍵的 加聚性單體,3 75質量% ; (c)光聚合引發(fā)劑,0.01 30質量% ;以及(d)下述通式⑴ 所示的化合物[化學式1]
權利要求
1. 一種感光性樹脂組合物,其含有下述(a) (d)成分(a)至少以含α,β -不飽和羧 基單體為聚合成分進行聚合而得到的、酸當量為100 600且重均分子量為5000 500000 的熱塑性聚合物,20 90質量% ; (b)分子內(nèi)具有至少一個可聚合烯屬不飽和鍵的加聚性 單體,3 75質量(c)光聚合引發(fā)劑,0.01 30質量以及(d)下述通式(I)所示的 化合物,[化學式1]
2.根據(jù)權利要求1所述的感光性樹脂組合物,其中,所述通式(I)中的隊 &中的至少一個是苯基烷基。
3.根據(jù)權利要求2所述的感光性樹脂組合物,其中,所述苯基烷基中的烷基部分的碳 數(shù)為1 6個。
4.根據(jù)權利要求1 3的任一項所述的感光性樹脂組合物,其中,所述通式(I)中的 R1 &中的1 3個基團分別為芳基或芳基烷基。
5.根據(jù)權利要求1 3的任一項所述的感光性樹脂組合物,其中,所述通式(I)中的 R1 &中的2個或3個基團分別為芳基或芳基烷基。
6.根據(jù)權利要求1 5的任一項所述的感光性樹脂組合物,其中,所述通式(I)中,H1 是1 35的整數(shù)。
7.根據(jù)權利要求1 6的任一項所述的感光性樹脂組合物,其中,所述通式(I)中的 R1 &各自獨立為H、苯基或1-苯基乙基,隊 &中的2個是H,且隊 &中的3個各自 獨立為苯基或1-苯基乙基。
8.根據(jù)權利要求1 7的任一項所述的感光性樹脂組合物,其中,以所述(a)、(b)和 (c)成分的總量為100質量%時,所述(d)成分的含量為1 20質量%。
9.根據(jù)權利要求1 8的任一項所述的感光性樹脂組合物,作為所述(b)成分,含有下 述通式(II)或下述通式(III)所示的可光聚合的不飽和化合物,[化學式2]
10.一種感光性樹脂層壓體,其是將權利要求1 9的任一項所述的感光性樹脂組合物 層壓于支撐體上而形成的。
11.一種抗蝕圖案形成方法,該方法包括下述工序在基板上形成權利要求10所述的 感光性樹脂層壓體的層壓工序;對所述感光性樹脂層壓體曝光的曝光工序;以及除去所述 感光性樹脂層壓體中的感光性樹脂的未曝光部分來形成抗蝕圖案的顯影工序。
12.—種導體圖案的制造方法,該方法包括下述工序在基板上形成權利要求10所述 的感光性樹脂層壓體的層壓工序,其中所述基板為金屬板或金屬覆膜絕緣板;對所述感光 性樹脂層壓體曝光的曝光工序;除去所述感光性樹脂層壓體中的感光性樹脂的未曝光部分 來形成抗蝕圖案的顯影工序;以及通過對形成有所述抗蝕圖案的基板進行蝕刻或鍍敷來形 成導體圖案的工序。
13.—種印刷電路板的制造方法,該方法包括下述工序在基板上形成權利要求10所 述的感光性樹脂層壓體的層壓工序,其中所述基板為覆銅層壓板或柔性基板;對所述感光 性樹脂層壓體曝光的曝光工序;除去所述感光性樹脂層壓體中的感光性樹脂的未曝光部分 來形成抗蝕圖案的顯影工序;對形成有所述抗蝕圖案的基板進行蝕刻或鍍敷的工序;以及 從所述基板上剝離所述抗蝕圖案的工序。
14.一種引線框的制造方法,該方法包括下述工序在基板上形成權利要求10所述的 感光性樹脂層壓體的層壓工序,其中所述基板為金屬板;對所述感光性樹脂層壓體曝光的 曝光工序;除去所述感光性樹脂層壓體中的感光性樹脂的未曝光部分來形成抗蝕圖案的顯 影工序;對形成有所述抗蝕圖案的基板進行蝕刻的工序;以及從所述基板上剝離所述抗蝕 圖案的工序。
15.一種具有凹凸圖案的基材的制造方法,該方法包括下述工序在基板上形成權利 要求10所述的感光性樹脂層壓體的層壓工序,其中所述基板為涂布有玻璃肋糊劑的玻璃 基板;對所述感光性樹脂層壓體曝光的曝光工序;除去所述感光性樹脂層壓體中的感光性 樹脂的未曝光部分來形成抗蝕圖案的顯影工序;對形成有所述抗蝕圖案的基板進行噴砂處 理加工的工序;以及從所述基板上剝離所述抗蝕圖案的工序。
16.一種半導體封裝的制造方法,該方法包括下述工序在基板上形成權利要求10所 述的感光性樹脂層壓體的層壓工序,其中所述基板為完成了作為大規(guī)模集成電路的電路形 成的晶片;對所述感光性樹脂層壓體曝光的曝光工序;除去所述感光性樹脂層壓體中的感光性樹脂的未曝光部分來形成抗蝕圖案的顯影工序;對形成有所述抗蝕圖案的基板進行鍍 敷的工序;以及從所述基板上剝離所述抗蝕圖案的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供賦予了優(yōu)異的分辨率、附著力、掩蔽性和剝離性的感光性樹脂組合物。本發(fā)明提供感光性樹脂組合物,其含有(a)至少以含α,β-不飽和羧基單體為聚合成分進行聚合而得到的、酸當量為100~600、重均分子量為5000~500000的熱塑性聚合物;(b)分子內(nèi)具有至少一個可聚合烯屬不飽和鍵的加聚性單體;(c)光聚合引發(fā)劑;以及(d)下述通式(I)所示的化合物,式中,R1~R5各自獨立為H、芳基或芳基烷基,且R1~R5中的至少一個是芳基或芳基烷基,A1是C2H4或C3H6,n1為2以上時,多個A1彼此可以相同也可以不同,而且n1是1~50的整數(shù)。
文檔編號G03F7/027GK102144189SQ20098013473
公開日2011年8月3日 申請日期2009年9月4日 優(yōu)先權日2008年9月4日
發(fā)明者小谷結華, 山田有里 申請人:旭化成電子材料株式會社