專利名稱：液晶顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置及其制造方法，特別涉及由電容耦合方式驅(qū)動的液晶顯 示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，液晶顯示裝置被用作各種電子設(shè)備的顯示部。液晶顯示裝置具有一對基 板和設(shè)置在這些基板間的液晶層，按照每個像素調(diào)整施加到液晶層的電壓而使液晶層的取 向狀態(tài)改變，由此進行顯示。作為液晶顯示裝置的問題點，已知產(chǎn)生由液晶層的厚度(也稱為“單元厚度”)的 偏差引起的顯示不均。單元厚度雖然由感光性間隔物(Photo Spacer)規(guī)定，但由于感光性 間隔物的做成有偏差，在顯示面內(nèi)單元厚度存在偏差。當(dāng)單元厚度有偏差時，就會在顯示面 內(nèi)產(chǎn)生延遲(液晶層賦予光的相位差)的大小分布，產(chǎn)生顯示不均。圖13表示單元厚度具有偏差的液晶顯示裝置的電壓-透過率特性。在圖13中， 表示單元厚度正常(具體為3.0μπι)的區(qū)域的電壓-透過率曲線和單元厚度比正常值小 0.3μπι的區(qū)域的電壓-透過率曲線。由于在單元厚度小的區(qū)域延遲相對小，從圖13可知， 單元厚度小的區(qū)域的電壓-透過率曲線，比單元厚度正常的區(qū)域的電壓-透過率曲線更處 于平躺的狀態(tài)。即，當(dāng)在相同電壓下進行比較時，單元厚度小的區(qū)域，比單元厚度正常的區(qū) 域透過率低。因此，單元厚度小的區(qū)域，在顯示面內(nèi)被看到為亮度低(即暗)的區(qū)域。另 外，單元厚度比正常值大的區(qū)域，與之相反，被看到為比其他區(qū)域亮度高(即亮)、帶黃色的 區(qū)域。現(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻專利文獻1 專利第3402277號公報

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題上述的顯示不均，在使用被稱為電容耦合方式的驅(qū)動方法的情況下，尤其顯著。電 容耦合方式作為有效地提高向液晶層施加的施加電壓且不會增加消耗電力的方法被提出 (例如參照專利文獻1)。在此驅(qū)動方法中，在向像素寫入規(guī)定的電壓后，使用輔助電容將像素電極的電位 自舉。具體而言，與掃描配線的掃描同步地對輔助電容配線進行掃描，利用電容耦合導(dǎo)致的 上推(或下拉)提高向液晶層施加的施加電壓。由此，能夠不將對置電極AC驅(qū)動地向液晶 層施加充分大的電壓。此時的上推電壓(下拉電壓)Vbs用輔助電容的電容值Ccs、像素電容的電容值 Cpix、輔助電容配線的電壓的振幅AVcs以下式表示。另外，像素電容的電容值Cpix與液 晶電容的電容值Clc和輔助電容的電容值Ccs之和幾乎相等(即Cpix N Clc+Ccs)。
Vbs = (Ccs/Cpix) · AVcs從此式可知，上推電壓Vbs由像素電容的電容值Cpix和輔助電容的電容值Ccs的 比率決定。因此，當(dāng)由于單元厚度的偏差使像素電容的電容值Cpix產(chǎn)生偏差時，上推電壓 Vbs也會產(chǎn)生偏差。例如，當(dāng)單元厚度比正常值小時，液晶電容的電容值Clc由于與液晶層的厚度成 反比，所以變大。因此，由于像素電容的電容值Cpix變大，從上式可知，上推電壓Vbs變小。 因此，在單元厚度小的區(qū)域，向液晶層施加的施加電壓比單元厚度正常的區(qū)域低。因此，在 常黑模式的顯示裝置中，能夠看到單元厚度小的區(qū)域比單元厚度正常的區(qū)域暗。另外，當(dāng)單元厚度比正常值大時，液晶電容的電容值Clc變小。因此，由于像素電 容的電容值Cpix變小，上推電壓Vbs變大。因此，在單元厚度大的區(qū)域，向液晶層施加的施 加電壓變得比單元厚度正常的區(qū)域高。因此，在常黑模式的顯示裝置中，能夠看到單元厚度 大的區(qū)域比單元厚度正常的區(qū)域亮。在以電容耦合方式驅(qū)動的液晶顯示裝置中，因為由向液晶層施加的有效施加電壓 的差引起的顯示不均，與已述的由延遲(光路差)引起的顯示不均重疊，所以顯示品質(zhì)下降
顯者ο圖14表示以電容耦合方式驅(qū)動的液晶顯示裝置的電壓-透過率特性。在圖14 中，表示單元厚度正常(具體為3.0μπι)區(qū)域的電壓-透過率曲線和單元厚度比正常值小 0. 3μπι的區(qū)域的電壓-透過率曲線。另外，圖14的圖表的橫軸，是根據(jù)從外部向信號配線 和輔助電容配線供給電壓和各電容的電容值(正常值)而算出來的、推定為原來施加到液 晶層的電壓。如上所述，在單元厚度小的區(qū)域，向液晶層施加的施加電壓比單元厚度正常的區(qū) 域縮小。因此，如圖14所示，單元厚度小的區(qū)域的電壓-透過率曲線，是將單元厚度正常的 區(qū)域的電壓-透過率曲線向高電壓側(cè)移動而得的。即，在同樣的驅(qū)動條件下，與單元厚度正 常的區(qū)域相比，在單元厚度小的區(qū)域中，會看到顯示亮度與圖14的縱軸方向的偏移量相應(yīng) 地降低。另外，在這里是對顯示面內(nèi)單元厚度偏差的情況進行了說明，但單元厚度在面板 間也存在偏差。面板間的單元厚度的偏差，例如由感光性間隔物的完成偏差和液晶注入量 的偏差而產(chǎn)生。在面板間產(chǎn)生單元厚度偏差的情況下，在每個面板(即每個液晶顯示裝置) 中電壓-透過率特性不同。在本申請說明書中，將這種在液晶顯示裝置間的顯示特性差異 也稱作顯示不均。另外，當(dāng)不是單元厚度，而是輔助電容的電容值Ccs產(chǎn)生偏差時，因同樣的原理而 產(chǎn)生由向液晶層施加的施加電壓的差引起的顯示不均。形成輔助電容的絕緣層的厚度因某 些原因而局部地與正常值不同(例如在母玻璃的端部，絕緣層的厚度與其他部分不同。)， 輔助電容的電容值Ccs的偏差由此產(chǎn)生。 圖15表示輔助電容的電容值Ccs有偏差的液晶顯示裝置的電壓-透過率特性。在 圖15中，表示輔助電容的電容值Ccs正常的區(qū)域的電壓-透過率曲線和由絕緣膜的厚度比 正常值小而使電容值Ccs比正常值大10%的區(qū)域的電壓-透過率曲線。
由于在輔助電容的電容值Ccs大的區(qū)域中，上推電壓Vbs變大，與電容值Ccs正常 的區(qū)域相比，向液晶層施加的施加電壓變大。因此，如圖15所示，電容值Ccs大的區(qū)域的電壓-透過率曲線，成為將電容值Ccs正常的區(qū)域的電壓-透過率曲線向低電壓側(cè)移動得到 的。即，在同樣的驅(qū)動條件下，與電容值Ccs正常的區(qū)域相比，在電容值Ccs大的區(qū)域，顯示 亮度與圖15的縱軸方向偏移量相應(yīng)地變高。如上所述，當(dāng)單元厚度和輔助電容的電容值Ccs偏差時，在以電容耦合方式進行 驅(qū)動的情況下發(fā)生顯示不均。因此，顯示品質(zhì)下降。本發(fā)明是鑒于上述問題而完成的，其目的在于提供一種即使以電容耦合方式進行 驅(qū)動也能夠抑制顯示不均的發(fā)生的液晶顯示裝置及其制造方法。用于解決課題的手段本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于上述液晶顯示裝置包括液晶顯 示面板，該液晶顯示面板具有第一基板、第二基板和設(shè)置在上述第一基板與上述第二基板 之間的液晶層，上述液晶顯示裝置具有呈矩陣狀排列的多個像素，上述第一基板具有在上 述多個像素的各個配置的像素電極、與上述像素電極電連接的開關(guān)元件、向上述開關(guān)元件 供給掃描信號的掃描配線和向上述開關(guān)元件供給顯示信號的信號配線，上述第二基板具有 與上述像素電極相對的對置電極，上述多個像素的各個具有由上述像素電極、上述液晶層 和上述對置電極形成的液晶電容；和由與上述像素電極電連接的輔助電容電極、絕緣層和 隔著上述絕緣層與上述輔助電容電極相對的輔助電容對置電極形成的輔助電容，上述液晶 顯示面板還具有在上述像素電極與上述液晶層之間和上述對置電極與上述液晶層之間設(shè) 置的一對取向膜；和取向維持層，其在上述一對取向膜各自的上述液晶層側(cè)的表面由光聚 合物形成，并在未向上述液晶層施加電壓時規(guī)定上述液晶層的液晶分子的預(yù)傾方向，上述 液晶顯示裝置的制造方法包括準(zhǔn)備在上述液晶層中含有光聚合性化合物的上述液晶顯示 面板的工序；和在向上述液晶顯示面板的上述液晶層施加電壓的狀態(tài)下，向上述液晶層照 射光而使上述液晶層中的光聚合性化合物聚合，由此形成上述取向維持層的工序，形成上 述取向維持層的工序包括在上述開關(guān)元件為接通狀態(tài)時，向上述像素電極和上述對置電 極之間施加規(guī)定電壓的第一工序；和在上述開關(guān)元件從接通狀態(tài)變?yōu)閿嚅_狀態(tài)后，使上述 輔助電容對置電極的電壓變化為與上述第一工序的上述輔助電容對置電極的電壓極性相 反的電壓的第二工序。在某合適的實施方式中，在形成上述取向維持層的工序中，向上述對置電極施加 一定的電壓，向上述信號配線施加振蕩電壓。在某合適的實施方式中，在上述第二工序中，隨著上述輔助電容對置電極的電壓 的變化，上述像素電極的電壓發(fā)生變化，形成上述取向維持層的工序還包括在上述開關(guān)元 件從接通狀態(tài)變?yōu)閿嚅_狀態(tài)之后，使上述信號配線的電壓變化的第三工序，在上述第三工 序中變化后的上述信號配線的電壓與在上述第二工序中變化后的上述像素電極的電壓大 致相等。在某合適的實施方式中，在形成上述取向維持層的工序中，向上述信號配線施加 一定的電壓，向上述對置電極施加振蕩電壓。在某合適的實施方式中，上述一對取向膜的各個是垂直取向膜，上述液晶層由具 有負(fù)的介電各向異性的液晶材料形成。本發(fā)明的液晶顯示裝置，其特征在于上述液晶顯示裝置包括液晶顯示面板，該 液晶顯示面板具有第一基板、第二基板和設(shè)置在上述第一基板與上述第二基板之間的液晶層，上述液晶顯示裝置具有呈矩陣狀排列的多個像素，上述第一基板具有在上述多個像素 的各個配置的像素電極，上述第二基板具有與上述像素電極相對的對置電極，上述多個像 素的各個具有由上述像素電極、上述液晶層和上述對置電極形成的液晶電容；和由與上 述像素電極電連接的輔助電容電極、絕緣層和隔著上述絕緣層與上述輔助電容電極相對的 輔助電容對置電極形成的輔助電容，上述液晶顯示面板還具有在上述像素電極與上述液 晶層之間和上述對置電極與上述液晶層之間設(shè)置的一對取向膜；和取向維持層，其在上述 一對取向膜各自的上述液晶層側(cè)的表面由光聚合物形成，并在未向上述液晶層施加電壓時 規(guī)定上述液晶層的液晶分子的預(yù)傾角和預(yù)傾方位，上述液晶層的厚度在顯示面內(nèi)具有偏 差，在顯示面內(nèi)上述液晶層的厚度越小的區(qū)域中，由上述取向維持層規(guī)定的預(yù)傾角越大?；蛘?，本發(fā)明的液晶顯示裝置，其特征在于上述液晶顯示裝置包括液晶顯示面 板，該液晶顯示面板具有第一基板、第二基板和設(shè)置在上述第一基板與上述第二基板之間 的液晶層，上述液晶顯示裝置具有呈矩陣狀排列的多個像素，上述第一基板具有在上述多 個像素的各個配置的像素電極，上述第二基板具有與上述像素電極相對的對置電極，上述 多個像素的各個具有由上述像素電極、上述液晶層和上述對置電極形成的液晶電容；和 由與上述像素電極電連接的輔助電容電極、絕緣層和隔著上述絕緣層與上述輔助電容電極 相對的輔助電容對置電極形成的輔助電容，上述液晶顯示面板還具有在上述像素電極與 上述液晶層之間和上述對置電極與上述液晶層之間設(shè)置的一對取向膜；和取向維持層，其 在上述一對取向膜各自的上述液晶層側(cè)的表面由光聚合物形成，并在未向上述液晶層施加 電壓時規(guī)定上述液晶層的液晶分子的預(yù)傾角和預(yù)傾方位，形成上述輔助電容的上述絕緣層 的厚度在顯示面內(nèi)具有偏差，在顯示面內(nèi)上述絕緣層的厚度越小的區(qū)域中，由上述取向維 持層規(guī)定的預(yù)傾角越小。在某合適的實施方式中，本發(fā)明的液晶顯示裝置利用電容耦合方式驅(qū)動。在某合適的實施方式中，上述一對取向膜的各個是垂直取向膜，上述液晶層由具 有負(fù)的介電各向異性的液晶材料形成。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種即使以電容耦合方式進行驅(qū)動也可以抑制顯示不均的 發(fā)生的液晶顯示裝置及其制造方法。


圖1是示意性地表示本發(fā)明合適的實施方式的液晶顯示裝置100的圖，是表示與 一個像素對應(yīng)的區(qū)域的俯視圖。圖2是沿著圖1中的2A-2A’線的截面圖，(a)表示黑顯示狀態(tài)(未施加電壓時) 的液晶分子的取向狀態(tài)，(b)表示白顯示狀態(tài)(施加電壓時)的液晶分子的取向狀態(tài)。圖3是示意性地表示液晶顯示裝置100的圖，是表示與一個像素對應(yīng)的區(qū)域的等 效電路圖。圖4是表示以電容耦合方式進行驅(qū)動的情況下的電壓波形的一個例子的圖。圖5(a) (c)是示意性地表示液晶顯示裝置100的制造工序的工序截面圖。圖6是表示PSA處理時的現(xiàn)有的電壓施加方法的波形圖。圖7是表示制造液晶顯示裝置100時的PSA處理時的電壓施加方法的波形圖。
圖8是表示PSA處理時向液晶層施加的施加電壓與預(yù)傾角的關(guān)系的圖表。圖9是表示預(yù)傾角與電壓-透過率特性的關(guān)系的圖表。圖10是表示在PSA處理時使用圖7所示的電壓施加方法的情況和使用現(xiàn)有的電 壓施加方法的情況下，以電容耦合方式進行驅(qū)動時的電壓-透過率特性的圖表。圖11是表示在PSA處理時使用圖7所示的電壓施加方法的情況和用現(xiàn)有的電壓 施加方法的情況下，以電容耦合方式進行驅(qū)動時的電壓-透過率特性的圖表。圖12是表示制造液晶顯示裝置100時的PSA處理時的電壓施加方法的其他例子 的波形圖。圖13是表示單元厚度具有偏差的液晶顯示裝置的電壓-透過率特性的圖表。圖14是表示單元厚度有偏差的、以電容耦合方式進行驅(qū)動的液晶顯示裝置的電 壓-透過率特性的圖表。圖15是表示輔助電容的電容值有偏差的、以電容耦合方式驅(qū)動的液晶顯示裝置 的電壓-透過率特性的圖。
具體實施例方式以下，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行說明。另外，本發(fā)明并不限定于以下的實 施方式。圖1 圖3表示本實施方式的液晶顯示裝置100。圖1是示意性地表示液晶顯示 裝置100的與一個像素對應(yīng)的區(qū)域的俯視圖，圖2(a)和(b)是圖1的沿2A-2A’線的截面 圖。圖2(a) —并表示黑顯示狀態(tài)(未施加電壓時)的液晶分子的取向狀態(tài)，圖2(b) —并 表示白顯示狀態(tài)(施加電壓時)的液晶分子的取向狀態(tài)。圖3表示液晶顯示裝置100的一 個像素的等效電路。本實施方式的液晶顯示裝置100以CPA (Continuous Pinwheel Alignment 連續(xù) 焰火狀排列)模式進行顯示。CPA模式是使用垂直取向型液晶層的顯示模式即VA(Vertical Alignment 垂直取向)模式的一種，能夠?qū)崿F(xiàn)寬視野角的顯示。CPA模式例如公開在特開 2003-43525號公報中。液晶顯示裝置100具有液晶顯示面板100a，具有呈矩陣狀排列的多個像素。液晶 顯示面板IOOa具有有源矩陣基板(第一基板)10 ；與有源矩陣基板10相對的對置基板 (第二基板)20 ；和設(shè)置在有源矩陣基板10與對置基板20之間的液晶層30。有源矩陣基板10具有在各像素配置的像素電極12、與像素電極12電連接的薄 膜晶體管(TFT) 13、向作為開關(guān)元件的TFT13供給掃描信號的掃描配線(柵極總線)14和向 TFT13供給顯示信號的信號配線(源極總線)15。像素電極12、TFT13、掃描配線14和信號 配線15，設(shè)置在透明基板(例如玻璃基板、塑料基板)11上。另外，在透明基板11上還設(shè)置 有輔助電容配線16。像素電極12具有多個子像素電極12a。另外，在本實施方式中，例示具有兩個子像 素電極12a的像素電極12，但一個像素電極12包含的子像素電極12a的個數(shù)并不限于此。 像素電極12也可以包含3個以上的子像素電極12a。另外，各子像素電極12a的形狀也不 限定于如例示那樣的大致長方形，具有高旋轉(zhuǎn)對稱性的形狀(大致正方形、大致圓形、具有 圓弧狀的角部的大致矩形等)均適用。
對置基板20具有與像素電極12相對的對置電極22。對置電極22設(shè)置在透明基 板21 (例如玻璃基板、塑料基板)上。像素電極12配置于多個像素的各個，與之相對，對置 電極22典型地形成為與全部像素電極12相對的一個透明導(dǎo)電膜。另外，雖然在這里未圖 示，但典型地，在透明基板21與對置電極22之間設(shè)置有彩色濾光片。因此，對置電極20也 被稱為彩色濾光片基板。如圖3所示，各像素具有由像素電極12、對置電極22和位于它們之間的液晶層30 形成的液晶電容41。另外，各像素具有與液晶電容41電并聯(lián)連接的輔助電容42。輔助電 容42由與像素電極12電連接的輔助電容電極17、絕緣層18和隔著絕緣層18與輔助電容 電極17相對的輔助電容對置電極19形成。包括輔助電容電極17和輔助電容對置電極19 的輔助電容42的具體結(jié)構(gòu)，能夠使用公知的各種結(jié)構(gòu)。例如，能夠通過對與信號配線15相 同的金屬層進行構(gòu)圖來形成輔助電容電極17，使其與輔助電容配線16重疊配置，并將輔助 電容配線16的與輔助電容電極17重疊的部分作為輔助電容對置電極19。在像素電極12與液晶層30之間和對置電極22與液晶層30之間，設(shè)置有一對垂 直取向膜3 和32b。另外，在有源矩陣基板10和對置基板20的外側(cè)，設(shè)置有正交尼科耳 配置的一對偏光板(在這里未圖示)。液晶層30包含具有負(fù)的介電各向異性的液晶分子31，根據(jù)需要還含有手性劑。液 晶分子31在未向液晶層30施加電壓時，相對于垂直取向膜3 和32b的表面大致垂直地 取向。當(dāng)施加規(guī)定電壓時，液晶層30在像素電極12上形成各自呈現(xiàn)軸對稱取向的多個 液晶疇。多個液晶疇的各個，形成在各子像素電極1 上。在各個液晶疇內(nèi)，由于液晶分子 31幾乎全方位(基板面內(nèi)的全部方位)取向，因此液晶顯示裝置100的視野角特性優(yōu)良。 在這里，“軸對稱取向”與上述特開2003-43525號公報中的“放射狀傾斜取向”同義，液晶分 子31不在軸對稱取向的中心軸(放射狀傾斜取向的中心軸)的周圍形成向錯線地連續(xù)取 向。形成軸對稱取向的液晶疇的原因是，子像素電極1 具有獨立的接近島狀的外 緣，在子像素電極12a的邊緣部生成的傾斜電場的取向限制力作用于液晶分子31。在子像 素電極12a的邊緣部生成的電場，向子像素電極12a的中心傾斜，使液晶分子31放射狀傾 斜取向。另外，可以在對置基板20設(shè)置用于使放射狀傾斜取向穩(wěn)定的凸部。凸部配置在與 液晶疇的中心對應(yīng)的區(qū)域(即與各子像素電極12a的中心對應(yīng)的區(qū)域)。凸部由透明的介 電體材料(例如樹脂)形成。另外，也可以代替凸部，設(shè)置其他取向控制構(gòu)造(例如形成于 對置電極22的開口部等)。在垂直取向膜3 和32b的液晶層30側(cè)的表面，設(shè)置有由光聚合物形成的一對取 向維持層33a和33b。取向維持層33a和3 是通過在向液晶層30施加有電壓的狀態(tài)下 使由將預(yù)先混合在液晶材料中的光聚合性化合物聚合而形成的。取向維持層33a和3 如 以下說明的那樣，當(dāng)未向液晶層30施加電壓時，規(guī)定液晶層30的液晶分子31的預(yù)傾方向。 預(yù)傾方向由“預(yù)傾方位”和“預(yù)傾角”表示。預(yù)傾方位是指，表示未被施加電壓的液晶層30 內(nèi)的液晶分子31的取向方向的矢量中液晶層30面內(nèi)(基板面內(nèi))的成分。另外，預(yù)傾角 是基板面與液晶分子31所成的角。
液晶分子31直到使光聚合性化合物聚合為止，由垂直取向膜3 和32b取向控 制，相對于基板面大致垂直地取向。當(dāng)施加白顯示電壓時，液晶分子31如圖2(b)所示，呈 現(xiàn)按照像素電極12(子像素電極12a)的邊緣部產(chǎn)生的傾斜電場而向規(guī)定方向傾斜的取向 狀態(tài)。在施加白顯示電壓狀態(tài)下形成的取向維持層33a和33b，如圖2(a)所示，發(fā)揮以下 作用，即，在去掉電壓之后(未施加電壓的狀態(tài))也維持(記憶)在向液晶層30施加白顯 示電壓狀態(tài)下的液晶分子31的取向。另外，在圖2(a)和(b)中，將取向維持層33a和3 表示為遍及垂直取向膜3 和32b的表面整體而連續(xù)的膜狀的層，但取向維持層33a和3 也可以在垂直取向膜3 和32b的表面不連續(xù)地形成。由于液晶顯示裝置100具有如上所述的取向維持層33a和33b，在未施加電壓時， 液晶層30如圖2(a)所示，液晶分子31呈現(xiàn)向規(guī)定的方向預(yù)傾的取向狀態(tài)。此時的取向狀 態(tài)，與圖2(b)所示的白顯示狀態(tài)(施加電壓時)的液晶分子31的取向狀態(tài)匹配。因此，取 向的穩(wěn)定性和響應(yīng)特性提高。如上所述的設(shè)置取向維持層33a和33b的技術(shù)，被稱為PSA(Polymer Sustained Alignment 聚合物穩(wěn)定取向)技術(shù)。PSA技術(shù)例如公開在特開2002-357830號公報和特開 2003-307720號公報中。具有上述結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置100，以電容耦合方式驅(qū)動。圖4表示以電容耦合方 式進行驅(qū)動的情況下的電壓波形的一個例子。圖4是表示在像素進行白顯示的情況下，掃 描配線14的電壓Vg、對置電極22的電壓Vcom、輔助電容配線16的電壓Vcs、信號配線15 的電壓Vs和像素電極12的電壓Vp的波形圖。首先，在時刻Tl時通過使掃描配線14的電壓Vg從VgL變化為VgH，TFT13成為接 通狀態(tài)(導(dǎo)通狀態(tài))，信號配線15的電壓Vs (在這里是5V)被傳遞到像素電極12，進行向 液晶電容41的充電。另外，此時，由于信號配線15的電壓Vs也被傳遞到輔助電容電極17， 也進行向輔助電容42的充電。接著，在時刻T2時通過使掃描配線14的電壓Vg從VgH變化為VgL，TFT13成為斷 開狀態(tài)(非導(dǎo)通狀態(tài))，將像素電極12和輔助電容電極17與信號配線15電分離。另外，緊 接著由于由TFT13具有的寄生電容等的影響所導(dǎo)致的引入現(xiàn)象，像素電極12的電壓Vp只 降低某電壓(在這里是0. 5V)。接著，在時刻T3時使輔助電容配線16的電壓Vcs變化(在這里是從IV變化為 3V)，隨著輔助電容配線16的此電壓變化，像素電極12的電壓Vp也變化(在這里是從4. 5V 變化為6V)。S卩，像素電極12的電壓Vp被上推一定的量(在這里是1. 5V)。接著，使被上推后的像素電極12的電壓Vp，被維持到下一次像素改寫時、即時刻 T4。當(dāng)?shù)綍r刻T4時，通過使掃描配線14的電壓Vg再次從VgL變化為VgH，TFT13成為接 通(ON)狀態(tài)，信號配線15的電壓Vs (在這里是0V)被傳遞到像素電極12和輔助電容電極 17，進行向液晶電容41和輔助電容42的充電。接著，在時刻T5時通過使掃描配線14的電壓Vg從VgH變化為VgL，TFT13成為斷 開(OFF)狀態(tài)，將像素電極12和輔助電容電極17與信號配線15電分離。緊接著由于引入 現(xiàn)象，像素電極12的電壓Vp只降低某電壓(在這里是0. 5V)。接著，在時刻T6時輔助電容配線16的電壓Vcs變化(在這里是從3V變化為IV)， 隨著輔助電容配線16的此電壓變化，像素電極12的電壓Vp也變化(在這里是從-0. 5V變
10化為-2V)。S卩，像素電極12的電壓Vp被下拉一定量(在這里是1. 5V)。接著，使被下拉后的像素電極12的電壓Vp，被維持到下一次像素改寫時、即時刻 T7時。另外，遍及全部的時刻Tl T7，對置電極22的電壓Vcom是一定的(在這里是2V)。 即，向?qū)χ秒姌O22施加有DC電壓。通過進行如上所述的電容耦合方式的驅(qū)動，能夠提高向液晶層30施加的施加電 壓。因此，能夠以不對對置電極22進行AC驅(qū)動的方式向液晶層30施加充分大的電壓。在現(xiàn)有的液晶顯示裝置中，當(dāng)單元厚度和輔助電容的電容值偏差時，以電容耦合 方式進行驅(qū)動的情況下就會發(fā)生顯示不均，顯示品質(zhì)降低。對此，在本實施方式的液晶顯示 裝置100中，即使在液晶層30的厚度在顯示面內(nèi)具有偏差的情況下，在顯示面內(nèi)液晶層30 的厚度越小的區(qū)域，由取向維持層33a和3 規(guī)定的預(yù)傾角變得越大，由此能夠抑制顯示不 均的發(fā)生。另外，即使在形成輔助電容42的絕緣層18的厚度在顯示面內(nèi)具有偏差的情況 下，在顯示面內(nèi)絕緣層18的厚度越小的區(qū)域，由取向維持層33a和3 規(guī)定的預(yù)傾角變得 越小，由此能夠抑制顯示不均的發(fā)生。以下，對液晶顯示裝置100的制造方法和液晶顯示裝置100中抑制顯示不均的發(fā) 生的理由，具體進行說明。圖5(a) (c)是示意性地表示液晶顯示裝置100的制造工序的 工序截面圖。首先，如圖5(a)所示，準(zhǔn)備具有有源矩陣基板10、對置基板20和液晶層30的液晶 面板100a。有源矩陣基板10和對置基板20能夠用公知的各種方法制作。在此工序中準(zhǔn)備 的液晶面板100a，在液晶層30中含有光聚合性化合物。這種液晶層30，能夠用對具有負(fù)的 介電各向異性的向列液晶材料混合規(guī)定量的光聚合性化合物的材料形成。作為光聚合性化 合物優(yōu)選具有丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基和乙烯基等能夠自由基聚合的官能團的單體或 低聚物。出于反應(yīng)性的觀點，進一步優(yōu)選具有丙烯酸酯基或甲基丙烯酸酯基的單體或低聚 物，尤其優(yōu)選多官能團的單體或低聚物。另外，通過用具有液晶結(jié)構(gòu)的單體或低聚物作為光 聚合性化合物，能夠更穩(wěn)定地維持液晶分子31的取向。特別優(yōu)選特開2003-307720號公報 記載的在環(huán)形結(jié)構(gòu)或稠環(huán)結(jié)構(gòu)上直接鍵合丙烯酸酯基或甲基丙烯酸酯基的單體或低聚物。接著，如圖5(b)所示，在向液晶面板IOOa的液晶層30施加有電壓的狀態(tài)下，使液 晶層30中的光聚合性化合物聚合。向液晶層30施加的施加電壓，以不向液晶層30施加DC 電壓的方式，將電壓的極性周期性地反轉(zhuǎn)(即交流驅(qū)動)。光聚合性化合物的聚合通過向 液晶層30照射光(具體而言是紫外線)來進行。紫外線的照射強度和照射時間，根據(jù)所用 光聚合性化合物而適當(dāng)設(shè)定。向液晶層30照射紫外線，如圖5(b)所示，優(yōu)選從有源矩陣基 板10側(cè)進行。這是因為在從對置基板20側(cè)進行的情況下，紫外線的一部分會被彩色濾光 片吸收。通過上述的光聚合性化合物的聚合，形成如圖5(c)所示的一對取向維持層33a和 33b。取向維持層33a和33b的形成，在施加電壓到液晶層30的狀態(tài)下，即在液晶分子31 因在像素電極12與對置電極22之間生成的電場而呈現(xiàn)規(guī)定的取向狀態(tài)的狀態(tài)下進行。因 此，取向維持層33a和33b，在垂直取向膜3 和32b上將液晶分子31的取向狀態(tài)固定。另 外，有時將在向液晶層30施加規(guī)定電壓的同時使光聚合性化合物光聚合而進行用于形成 取向維持層33a和33b的工序稱為“PSA處理”。在形成取向維持層33a和3 后，根據(jù)需 要將偏光板和相位差板粘貼在基板10和20的外側(cè)，由此完成液晶顯示裝置100。
在本實施方式的制造方法中，PSA處理(圖5(b)所示的工序)中的向液晶層30施 加電壓的方法與以往有很大的不同。以下具體進行說明。首先，參照圖6，對現(xiàn)有的電壓施加方法進行說明。圖6是表示掃描配線14的電壓 Vg、對置電極22的電壓Vcom、輔助電容配線16的電壓Vcs、信號配線15的電壓Vs、像素電 極12的電壓Vp和向液晶層30施加的施加電壓Vlc的波形圖。如圖6所示，掃描配線14的電壓Vg是VgH，全部的TFT13總是為接通狀態(tài)(導(dǎo)通 狀態(tài))。在此狀態(tài)下，通過使信號配線15的電壓Vs為GND (接地電位)，將像素電極12的 電壓Vp固定在GND。此時，輔助電容配線16的電壓Vcs也是GND。在此狀態(tài)下，當(dāng)對對置電 極22進行AC驅(qū)動時，向液晶層30施加AC電壓。另外，有時對信號配線15進行AC驅(qū)動而 將對置電極22的電壓Vcom固定在GND，或是以與信號配線15相反的相位對對置電極22AC 進行驅(qū)動。但是，當(dāng)使用這種現(xiàn)有的電壓施加方法時，無法抑制顯示不均的發(fā)生。接著，參照圖7，對本實施方式的電壓施加方法進行說明。圖7是表示掃描配線14 的電壓Vg、對置電極22的電壓Vcom、輔助電容配線16的電壓Vcs、信號配線15的電壓Vs、 像素電極12的電壓Vp和向液晶層30施加的施加電壓Vlc的波形圖。首先，在時刻Tl時通過使掃描配線14的電壓Vg從VgL向VgH變化，TFT13成為 接通狀態(tài)(導(dǎo)通狀態(tài))，信號配線15的電壓Vs (在這里是正電壓)被傳遞到像素電極12， 進行向液晶電容41的充電。將對置電極22的電壓Vcom固定在GND。接著，在時刻T2時通過使掃描配線14的電壓Vg從VgH向VgL變化，TFT13成為斷 開狀態(tài)(非導(dǎo)通狀態(tài))，像素電極12與信號配線15電分離。另外，此時，輔助電容電極17 也與信號配線15電分離。接著，在時刻T3時使輔助電容配線16的電壓Vcs向與此前相反的極性的電壓(在 這里是從正極性向負(fù)極性)變化。隨著輔助電容配線16的此電壓變化，像素電極12的電 壓Vp也變化。具體而言，正電壓的電壓Vp被下拉一定量。隨著像素電極12的電壓Vp的 下拉，向液晶層30施加的施加電壓Vlc也被下拉。接著，被下拉的向液晶層30施加的施加電壓Vlc，被維持到下一次像素改寫時、即 時刻T4時。當(dāng)成為時刻T4時，通過使掃描配線14的電壓Vg再次從VgL向VgH變化，TFT13 成為接通狀態(tài)，信號配線15的電壓Vs (在這里是負(fù)電壓)被傳遞到像素電極12，進行向液 晶電容41的充電。接著，在時刻T5時通過使掃描配線14的電壓Vg從VgH向VgL變化，TFT13成為 斷開狀態(tài)，像素電極12與信號配線15電分離。另外，此時，輔助電容電極17也與信號配線 15電分離。接著，在時刻T6時使輔助電容配線16的電壓Vcs向與此前相反極性的電壓(在 這里是從負(fù)極性向正極性)變化。隨著輔助電容配線16的此電壓變化，像素電極12的電 壓Vp也變化。具體而言，作為負(fù)電壓的電壓Vp被上推一定量。隨著像素電極12的電壓Vp 的上推，向液晶層30施加的施加電壓Vlc也被上推。接著，被上推后的向液晶層30施加的 施加電壓Vlc，被維持到下一次像素改寫時。如上所述，在本實施方式的制造方法中，形成取向維持層33a和33b的工序(PSA 處理)包括當(dāng)TFT13(開關(guān)元件)為接通狀態(tài)時，向像素電極12和對置電極22之間施加 規(guī)定的電壓的第一工序(圖7中所示的時刻Tl T2的工序和時刻T4 T5的工序)；在TFT13從接通狀態(tài)向斷開狀態(tài)變化之后，使輔助電容對置電極19的電壓(來自輔助電容配 線16的供給電壓)變化為與第一工序中的輔助電容對置電極19的電壓極性相反的電壓的 第二工序(圖7中的時刻T3的工序和時刻T6的工序)。第二工序中向液晶層30施加的施加電壓Vlc的變化量Vbs用輔助電容42的電容 值Ccs、像素電容的電容值Cpix、輔助電容配線16的電壓振幅AVcs以下式表示。在這里， 像素電容的電容值Cpix與液晶電容41的電容值Clc和輔助電容42的電容值Ccs之和幾 乎相等(即 Cpix N Clc+Ccs)。Vbs = (Ccs/Cpix) · AVcs在單元厚度(液晶層30的厚度)比原來(正常值)小的情況下，液晶電容41的電 容值Clc變大，像素電容的電容值Cpix也變大。因此，從上式可知，變化量Vbs變小。艮口， 圖7中的時刻T3的電壓Vlc的下拉量和時刻T6的電壓Vlc的下拉量變小。因此，與單元 厚度正常的區(qū)域相比，在單元厚度小的區(qū)域，向液晶層30施加的施加電壓Vlc變大。圖8表示PSA處理時向液晶層30施加的施加電壓Vlc和由取向維持層33a和3 規(guī)定的預(yù)傾角的一個例子。從圖8可知，預(yù)傾角因PSA處理時施加的施加電壓Vlc的大小 而增減。如圖8所示，施加電壓Vlc越大，預(yù)傾角越大；施加電壓Vlc越小，預(yù)傾角越小。因 此，與單元厚度正常的區(qū)域相比，在單元厚度小的區(qū)域中預(yù)傾角變大。圖9表示預(yù)傾角與電壓-透過率特性的關(guān)系。在圖9中，表示預(yù)傾角為2. 5°時的 電壓-透過率曲線和預(yù)傾角為3. 2°時的電壓-透過率曲線。從圖9可知，當(dāng)預(yù)傾角變大 時，電壓-透過率特性向低電壓側(cè)移動。即，當(dāng)在相同電壓下進行比較時，與預(yù)傾角相對小 的區(qū)域相比，預(yù)傾角相對大的區(qū)域的透過率變高。像這樣，根據(jù)本實施方式的制造方法，與單元厚度正常的區(qū)域相比，單元厚度小的 區(qū)域的預(yù)傾角變大，透過率變高。因此，被看到單元厚度小的區(qū)域比單元厚度正常的區(qū)域暗 的不良情況，通過PSA處理時的電壓施加方法進行自我補償，單元厚度小的區(qū)域顯示出與 其他區(qū)域(單元厚度正常的區(qū)域)幾乎一樣的電壓-透過率特性。另外，與上述情況相反，與單元厚度正常的區(qū)域相比，在單元厚度比原來的大的區(qū) 域中，預(yù)傾角變小，透過率變低。因此，被看到單元厚度大的區(qū)域比單元厚度正常的區(qū)域亮 的不良情況，通過PSA處理時的電壓施加方法進行自我補償，單元厚度大的區(qū)域顯示出與 其他區(qū)域(單元厚度正常的區(qū)域)幾乎一樣的電壓-透過率特性。如上所述，在由本實施方式的制造方法制造的液晶顯示裝置100中，以將由單元 厚度的偏差引起的透過率的差異抵消的方式規(guī)定預(yù)傾角。因此，由單元厚度的偏差導(dǎo)致的 顯示不均的發(fā)生得到抑制，顯示品質(zhì)提高。另外，在輔助電容42的電容值Ccs比原來(正常值)大的情況下，從上述式子可 知，向液晶層30施加的施加電壓Vlc的變化量Vbs也變大。S卩，圖7中的時刻T3的電壓 Vlc的下拉量和時刻T6的電壓Vlc的上推量變大。因此，與電容值Ccs正常的區(qū)域相比，在 電容值Ccs大的區(qū)域中，向液晶層30施加的施加電壓Vlc變大。因此，與電容值Ccs正常的區(qū)域相比，在輔助電容42的電容值Ccs大的區(qū)域中，預(yù) 傾角變小，透過率變低。因此，被看到輔助電容42的電容值Ccs大的區(qū)域比電容值Ccs正 常的區(qū)域亮的不良情況，通過PSA處理時的電壓施加方法進行自我補償，輔助電容42的電 容值Ccs大的區(qū)域顯示與其他區(qū)域(電容值Ccs正常的區(qū)域)幾乎一樣的電壓-透過率特性。另外，與電容值Ccs正常的區(qū)域相比，輔助電容42的電容值Ccs比原來小的區(qū)域 中，預(yù)傾角變大，透過率變高。因此，被看到輔助電容42的電容值Ccs小的區(qū)域比電容值 Ccs正常的區(qū)域暗的不良情況，通過PSA處理時的電壓施加方法進行自我補償，輔助電容42 的電容值Ccs小的區(qū)域顯示出與其他區(qū)域(電容值Ccs正常的區(qū)域)幾乎一樣的電壓-透 過率特性。如上所述，在由本實施方式的制造方法制造的液晶顯示裝置100中，以將由輔助 電容42的電容值Ccs的偏差引起的透過率的差異抵消的方式規(guī)定預(yù)傾角。因此，由輔助電 容42的電容值Ccs的偏差導(dǎo)致的顯示不均的發(fā)生得到抑制，顯示品質(zhì)提高。另外，在本實施方式的電壓施加方法(PSA處理時的電壓施加方法)中，從圖7可 知，通過使輔助電容配線16的電壓Vcs以規(guī)定的定時變化(使極性反轉(zhuǎn))，使向液晶層30 施加的施加電壓Vlc變化。因此，本實施方式的電壓施加方法，能夠采用用于電容耦合方式 的驅(qū)動的結(jié)構(gòu)來執(zhí)行，能夠由例如專利文獻1所公開的結(jié)構(gòu)來執(zhí)行。輔助電容配線16的電壓Vcs的振幅Δ Vcs，考慮液晶電容41的電容值Clc和輔助 電容42的電容值Ccs等，以對電壓-透過率特性的偏差做適當(dāng)補償?shù)姆绞奖贿m當(dāng)設(shè)定。以 下，對振幅AVcs的設(shè)定例進行說明。例如，當(dāng)液晶電容41的電容值(白顯示時)Clc為120fF、輔助電容42的電容值 Ccs為200fF時，將信號配線15的電壓Vs設(shè)定為士 14. 5V，將輔助電容配線16的電壓Vcs 設(shè)定為士8.5V(S卩AVcs = 17V)。此時，單元厚度正常的區(qū)域的電壓變化量Vbs，從下式可 知，約為10. 6V。Vbs = (Ccs/Cpix) · AVcs = (200/200+120) · 17 = (0.625) · 17 N 10. 6因此，在TFT13為接通狀態(tài)時(圖7的時刻Tl T2)寫入的電壓Vlc，由于從 +14. 5V被下拉10. 6V，所以成為+3. 9V。從圖8可知，當(dāng)在向液晶層30施加的施加電壓Vlc 為+3. 9V的狀態(tài)下進行PSA處理時，預(yù)傾角成為2. 5°。另一方面，當(dāng)單元厚度比正常值小0.3 μ m(即單元厚度是2.7 μ m)時，液晶電容41 的電容值(白顯示時)Clc是132fF。因此，單元厚度小0.3μπι的區(qū)域中向液晶層30施加 的施加電壓Vlc的變化量Vbs，從下式可知，約為10. 2V。Vbs = (Ccs/Cpix) · AVcs = (200/200+132) · 17 = (0. 602) · 17 N 10. 2因此，在TFT13為接通狀態(tài)時(圖7的時刻Tl T2)寫入的電壓Vlc，由于從 +14. 5V被下拉10. 2V，所以成為+4. 3V。從圖8可知，當(dāng)在向液晶層30施加的施加電壓Vlc 為+4. 3V的狀態(tài)下進行PSA處理時，預(yù)傾角成為3. 2°。如圖9所示，與預(yù)傾角為2.5°的情況相比，在預(yù)傾角為3. 2°的情況下，電壓-透 過率特性向低電壓側(cè)移動約0. 15V。另一方面，如圖13所示，在單元厚度比正常值小0. 3 μ m 的區(qū)域中，與單元厚度正常的區(qū)域相比，本來電壓-透過率特性就向高電壓側(cè)移動，例如在 中間灰度，向高電壓側(cè)移動0. 1 0. 15V。因此，由預(yù)傾角增大導(dǎo)致的電壓-透過率特性的 移動，與由單元厚度降低導(dǎo)致的電壓-透過率特性的移動抵消，所以電壓-透過率特性的偏 移變小，顯示不均的發(fā)生得到抑制。將圖13與圖14比較可知，在完成后的液晶顯示裝置以 電容耦合方式驅(qū)動的情況下，電壓-透過率特性的偏移變得顯著，但通過如本實施方式的 電壓施加方法，能夠抑制顯示不均的發(fā)生。
圖10表示在PSA處理時使用本實施方式的電壓施加方法的情況和使用現(xiàn)有的電 壓施加方法的情況下，以電容耦合方式進行驅(qū)動時的電壓-透過率特性。從圖10可知， 在使用現(xiàn)有的電壓施加方法的情況下，單元厚度小的區(qū)域與單元厚度正常的區(qū)域相比，電 壓-透過率特性較大偏移。與之相對，在使用本實施方式的電壓施加方法的情況下，在單元 厚度小的區(qū)域和單元厚度正常的區(qū)域中電壓-透過率特性的偏移變小，特別是在低灰度等 級的中間灰度下幾乎一樣。因此，顯示不均(在低灰度等級的中間灰度下容易明顯看到) 的發(fā)生得到抑制。另外，輔助電容42的電容值Ccs比正常值大10%的區(qū)域(即為220fF的區(qū)域)的 電壓變化量Vbs，從下式可知，為約11. 0V。Vbs = (Ccs/Cpix) · AVcs = (220/220+120) · 17 = (0.647) ‘ 17 N 11. 0因此，在TFT13為接通狀態(tài)時(圖7的時刻Tl T2)寫入的電壓Vlc，由于從 +14. 5V被下拉11. 0V，所以成為+3. 5V。從圖8可知，當(dāng)在向液晶層30施加的施加電壓Vlc 為+3. 5V的狀態(tài)下進行PSA處理時，預(yù)傾角成為2.0°。因此，輔助電容42的電容值Ccs大 的區(qū)域的電壓-透過率特性與電容值Ccs正常的區(qū)域相比，向高電壓側(cè)移動。因此，此向高 電壓側(cè)的移動，與圖15所示的向低電壓側(cè)的移動抵消，所以電壓-透過率特性的偏移小，顯 示不均的發(fā)生得到抑制。圖11表示在PSA處理時使用本實施方式的電壓施加方法的情況和使用現(xiàn)有的電 壓施加方法的情況下，以電容耦合方式進行驅(qū)動時的電壓-透過率特性。從圖11可知，在 使用現(xiàn)有的電壓施加方法的情況下，與電容值Ccs正常的區(qū)域相比，在輔助電容42的電容 值Ccs大的區(qū)域中，電壓-透過率特性較大偏移。與之相對地，在用本實施方式的電壓施加 方法的情況下，輔助電容42的電容值Ccs大的區(qū)域與正常的區(qū)域的電壓-透過率特性的偏 移變小，幾乎成為同樣的電壓-透過率特性。因此，顯示不均的發(fā)生得到抑制。另外，在圖7中，表示了對PSA處理時，向?qū)χ秒姌O22施加一定的電壓，向信號配 線15施加振蕩電壓的例子，但本發(fā)明不限定于此。圖12表示PSA處理時的電壓施加方法 的其他的例子。在圖12中，與圖7所示例子相反，向信號配線15施加一定的電壓，向?qū)χ秒姌O22 施加振蕩電壓。在圖7所示的例子中，有向信號配線15供給較高的電壓會造成不利影響 (例如對設(shè)置在有源矩陣基板10上的信號配線驅(qū)動電路造成破壞)的憂慮，但在圖12所示 的例子中，由于不需要向信號配線15供給高電壓(例如固定在GND)，所以沒有這樣的不利影響。另外，如圖7所示，更加優(yōu)選在向信號配線15施加振蕩電壓時，使TFT13為斷開狀 態(tài)之后的信號配線15的電壓Vs，在隨著輔助電容配線16的電壓變化被下拉(或上推)之 后，在像素電極12要到達的電壓的附近變化(例如在已經(jīng)例示過的情況下，約為士3. 9V)。 即，形成取向維持層33a和33b的工序，還包括在將TFT13從接通狀態(tài)變?yōu)閿嚅_狀態(tài)之后， 使信號配線15的電壓Vs變化的第三工序，該第三工序中優(yōu)選使變化后的信號配線15的電 壓Vs與第二工序中變化后的像素電極12的電壓Vp大致相等。由此，即使由于PSA處理時照射紫外線使TFT13處于不充分的斷開狀態(tài)而產(chǎn)生微 小的漏泄，也能夠防止對PSA處理的不利影響。另外，即使PSA處理時TFT13的斷開不充分， 也只不過是顯示不均降低的效果變少，不會對原本的顯示造成不利影響。另外，上述第三工序，既可以與第二工序同時進行，也可以在第二工序之前(即第一工序與第二工序之間)進 行。另外，本實施方式中，對CPA模式的液晶顯示裝置100進行說明，但本發(fā)明不僅限 于此。本發(fā)明能夠廣泛用于具有垂直取向型的液晶層，在向液晶層施加電壓時形成有液晶 分子傾斜的方位相互不同的多個區(qū)域(即取向分割型)的液晶顯示裝置，例如能夠適用于 MVA(Multi-domain Vertical Alignment 多疇垂直取向)模式的液晶顯示裝置。MVA模式 的液晶顯示裝置例如公開在特開平11-M2225號公報中。工業(yè)上的可利用性根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種即使以電容耦合方式進行驅(qū)動也能夠抑制顯示不均的 發(fā)生的液晶顯示裝置及其制造方法。本發(fā)明能夠適用于采用PSA技術(shù)的液晶顯示裝置，例 如能夠適用于CPA模式和MVA模式的液晶顯示裝置。本發(fā)明的液晶顯示裝置被作為便攜式 電話、PDA、筆記本計算機、顯示器和電視接收機等從小型到大型的液晶顯示裝置合適地使用。附圖標(biāo)記說明10有源矩陣基板(第一基板)11 透明基板12像素電極12a子像素電極13薄膜晶體管(TFT)14掃描配線15信號配線16輔助電容配線17輔助電容電極18 絕緣層19輔助電容對置電極20對置基板(第二基板)21 透明基板22對置基板30 液晶層31 液晶分子32a、32b 垂直取向膜33a、33b 取向維持層IOOa液晶顯示面板100液晶顯示裝置
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于所述液晶顯示裝置包括液晶顯示面板，該液晶顯示面板具有第一基板、第二基板和設(shè) 置在所述第一基板與所述第二基板之間的液晶層，所述液晶顯示裝置具有呈矩陣狀排列的多個像素，所述第一基板具有在所述多個像素的各個配置的像素電極、與所述像素電極電連接的 開關(guān)元件、向所述開關(guān)元件供給掃描信號的掃描配線和向所述開關(guān)元件供給顯示信號的信 號配線，所述第二基板具有與所述像素電極相對的對置電極，所述多個像素的各個具有由所述像素電極、所述液晶層和所述對置電極形成的液晶 電容；和由與所述像素電極電連接的輔助電容電極、絕緣層和隔著所述絕緣層與所述輔助 電容電極相對的輔助電容對置電極形成的輔助電容，所述液晶顯示面板還具有在所述像素電極與所述液晶層之間和所述對置電極與所述 液晶層之間設(shè)置的一對取向膜；和取向維持層，其在所述一對取向膜各自的所述液晶層側(cè) 的表面由光聚合物形成，并在未向所述液晶層施加電壓時規(guī)定所述液晶層的液晶分子的預(yù) 傾方向，所述液晶顯示裝置的制造方法包括準(zhǔn)備在所述液晶層中含有光聚合性化合物的所述液晶顯示面板的工序；和在向所述液晶顯示面板的所述液晶層施加有電壓的狀態(tài)下，向所述液晶層照射光而使 所述液晶層中的光聚合性化合物聚合，由此形成所述取向維持層的工序，形成所述取向維持層的工序包括在所述開關(guān)元件為接通狀態(tài)時，向所述像素電極和所述對置電極之間施加規(guī)定的電壓 的第一工序；和在所述開關(guān)元件從接通狀態(tài)變?yōu)閿嚅_狀態(tài)后，使所述輔助電容對置電極的電壓變化為 與所述第一工序的所述輔助電容對置電極的電壓極性相反的電壓的第二工序。
2.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于在形成所述取向維持層的工序中，向所述對置電極施加一定的電壓，向所述信號配線 施加振蕩電壓。
3.如權(quán)利要求1或2所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于在所述第二工序中，隨著所述輔助電容對置電極的電壓的變化，所述像素電極的電壓 發(fā)生變化，形成所述取向維持層的工序還包括在所述開關(guān)元件從接通狀態(tài)變?yōu)閿嚅_狀態(tài)之后， 使所述信號配線的電壓變化的第三工序，在所述第三工序中變化后的所述信號配線的電壓與在所述第二工序中變化后的所述 像素電極的電壓大致相等。
4.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于在形成所述取向維持層的工序中，向所述信號配線施加一定的電壓，向所述對置電極 施加振蕩電壓。
5.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于所述一對取向膜的各個是垂直取向膜，所述液晶層由具有負(fù)的介電各向異性的液晶材料形成。
6.一種液晶顯示裝置，其特征在于所述液晶顯示裝置包括液晶顯示面板，該液晶顯示面板具有第一基板、第二基板和設(shè) 置在所述第一基板與所述第二基板之間的液晶層， 所述液晶顯示裝置具有呈矩陣狀排列的多個像素， 所述第一基板具有在所述多個像素的各個配置的像素電極， 所述第二基板具有與所述像素電極相對的對置電極，所述多個像素的各個具有由所述像素電極、所述液晶層和所述對置電極形成的液晶 電容；和由與所述像素電極電連接的輔助電容電極、絕緣層和隔著所述絕緣層與所述輔助 電容電極相對的輔助電容對置電極形成的輔助電容，所述液晶顯示面板還具有在所述像素電極與所述液晶層之間和所述對置電極與所述 液晶層之間設(shè)置的一對取向膜；和取向維持層，其在所述一對取向膜各自的所述液晶層側(cè) 的表面由光聚合物形成，并在未向所述液晶層施加電壓時規(guī)定所述液晶層的液晶分子的預(yù) 傾角和預(yù)傾方位，所述液晶層的厚度在顯示面內(nèi)具有偏差，在顯示面內(nèi)所述液晶層的厚度越小的區(qū)域中，由所述取向維持層規(guī)定的預(yù)傾角越大。
7.一種液晶顯示裝置，其特征在于所述液晶顯示裝置包括液晶顯示面板，該液晶顯示面板具有第一基板、第二基板和設(shè) 置在所述第一基板與所述第二基板之間的液晶層， 所述液晶顯示裝置具有呈矩陣狀排列的多個像素， 所述第一基板具有在所述多個像素的各個配置的像素電極， 所述第二基板具有與所述像素電極相對的對置電極，所述多個像素的各個具有由所述像素電極、所述液晶層和所述對置電極形成的液晶 電容；和由與所述像素電極電連接的輔助電容電極、絕緣層和隔著所述絕緣層與所述輔助 電容電極相對的輔助電容對置電極形成的輔助電容，所述液晶顯示面板還具有在所述像素電極與所述液晶層之間和所述對置電極與所述 液晶層之間設(shè)置的一對取向膜；和取向維持層，其在所述一對取向膜各自的所述液晶層側(cè) 的表面由光聚合物形成，并在未向所述液晶層施加電壓時規(guī)定所述液晶層的液晶分子的預(yù) 傾角和預(yù)傾方位，形成所述輔助電容的所述絕緣層的厚度在顯示面內(nèi)具有偏差， 在顯示面內(nèi)所述絕緣層的厚度越小的區(qū)域中，由所述取向維持層規(guī)定的預(yù)傾角越小。
8.如權(quán)利要求6或7所述的液晶顯示裝置，其特征在于利用電容耦合方式進行驅(qū)動。
9.如權(quán)利要求6至8中任一項所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述一對取向膜的 各個是垂直取向膜，所述液晶層由具有負(fù)的介電各向異性的液晶材料形成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種即使以電容耦合方式進行驅(qū)動也能夠抑制顯示不均的發(fā)生的液晶顯示裝置及其制造方法。本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法包括準(zhǔn)備在液晶層中含有光聚合性化合物的液晶顯示面板的工序；和在向液晶顯示面板的液晶層施加電壓的狀態(tài)下，向液晶層照射光而使液晶層中的光聚合性化合物聚合，由此形成取向維持層的工序。形成取向維持層的工序包括在開關(guān)元件為接通狀態(tài)時，向像素電極與對置電極之間施加規(guī)定的電壓的第一工序；和在開關(guān)元件從接通狀態(tài)變?yōu)閿嚅_狀態(tài)后，使輔助電容對置電極的電壓變化為與第一工序的輔助電容對置電極的電壓極性相反的電壓的第二工序。
文檔編號G02F1/1337GK102112911SQ20098012963
公開日2011年6月29日 申請日期2009年8月3日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月5日
發(fā)明者山田淳一, 永田尚志 申請人:夏普株式會社