專利名稱：Euv光刻設備的源模塊、光刻設備以及用于制造器件的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及EUV光刻設備的源模塊、包括所述源模塊的光刻設備以及制造器件的方法。
背景技術：
光刻設備是一種將所需圖案應用到襯底上(通常應用到所述襯底的目標部分上) 的機器。例如，可以將光刻設備用在集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，可以將可選地 稱為掩模或掩模版的圖案形成裝置用于生成待形成在所述IC的單層上的電路圖案。可以 將該圖案轉移到襯底(例如，硅晶片)上的目標部分(例如，包括一部分管芯、一個或多個 管芯)上。典型地，經由成像將所述圖案轉移到在所述襯底上設置的輻射敏感材料(抗蝕 劑)層上。通常，單個襯底將包含連續(xù)形成圖案的相鄰目標部分的網絡。公知的光刻設備 包括所謂步進機，在所述步進機中，通過將整個圖案一次曝光到所述目標部分上來輻射每 一個目標部分；以及所謂掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向(“掃描”方向) 掃描所述圖案、同時沿與該方向平行或反向平行的方向同步掃描所述襯底來輻射每一個目 標部分?？梢詮拿绹鴮＠暾埞_出版物No. 2007/0012889 了解被構造以產生極紫外 (EUV)光的光刻設備的實施例。在已知的設備中，為了使得從EUV源傳播的EUV束朝向光刻 設備的照射系統(tǒng)富集(enrich)，提供了包括&C14的氣體光譜純度濾光片。已知的光刻設 備的光譜純度濾光片可能位于接收來自EUV源的包含EUV的光束且將所述光束傳遞至適合 的下游的EUV光學系統(tǒng)的區(qū)域中，其中來自所述源的光束被布置以在進入光學系統(tǒng)之前穿 過光譜純度濾光片?；?amp;C14的氣體光譜純度濾光片被配置以使得在光束穿過其時使所 述光束富集于至少一個EUV波長上。

發(fā)明內容
已知的光譜純度濾光片可能不能有效地減緩從EUV源傳播進入光刻設備的光學 系統(tǒng)中的顆粒碎片。已知的氣體光譜純度濾光片可能不能夠實質地抑制在EUV范圍之外的 波長，例如紫外光、可見光以及紅外輻射。期望提供一種用于EUV光刻設備中的源模塊，其中有效地改善了產生的光的EUV 富集和碎片減緩。根據本發(fā)明的一個方面，提供了用在光刻設備中的源模塊。所述源模塊被構造成 產生極紫外(EUV)輻射和伴隨輻射(secondaryradiation)。所述源模塊包括被配置以與所述EUV輻射的源協(xié)作的緩沖氣體。所述緩沖氣體對于所述EUV輻射具有至少50%的透射 率和對于所述伴隨輻射具有至少70%的吸收率。EUV輻射可以通過利用激光產生等離子體 (LPP)源來產生。根據本發(fā)明的一個方面，提供了一種光刻設備，所述光刻設備被布置以將圖案從 圖案形成裝置投影到襯底上。所述光刻設備包括源模塊，所述源模塊被構造成產生極紫外 (EUV)輻射和伴隨輻射。所述源模塊包括被配置以與所述EUV輻射的源協(xié)作的緩沖氣體。所 述緩沖氣體對于所述EUV輻射具有至少50%的透射率，并對于所述伴隨輻射具有至少70% 的吸收率。緩沖氣體可以對于EUV輻射具有至少90%、或甚至95%的透射率。緩沖氣體可 以對于伴隨輻射具有至少90%的吸收率。另外地或可替代地，緩沖氣體可以被冷卻。為了 冷卻緩沖氣體，所述源可以包括被構造且被布置以冷卻緩沖氣體的被動式元件。另外，所述 源可以包括被構造且被布置以冷卻緩沖氣體的循環(huán)單元。優(yōu)選地，緩沖氣體包括輕原子量 的元素。根據本發(fā)明的一個方面，提供了一種器件制造方法，所述方法包括將極紫外(EUV) 輻射的圖案化的束投影到襯底上。EUV輻射以及伴隨輻射由源模塊產生。所述源模塊包括 被配置以與所述EUV輻射的源協(xié)作的緩沖氣體。所述緩沖氣體對于所述EUV輻射具有至少 50 %的透射率，且對于所述伴隨輻射具有至少70 %的吸收率。根據本發(fā)明的一個方面，提供了一種器件制造方法，所述器件制造方法包括用輻 射源產生極紫外輻射和伴隨輻射；提供緩沖氣體至所述輻射源，所述緩沖氣體對于所述極 紫外輻射具有至少50%的透射率，且對于所述伴隨輻射具有至少70%的吸收率；和將所述 極紫外輻射的圖案化的束投影到襯底上。


現(xiàn)在參照隨附的示意性附圖，僅以舉例的方式，描述本發(fā)明的實施例，其中，在附 圖中相應的附圖標記表示相應的部件，且其中圖1示意性地示出根據本發(fā)明的實施例的光刻設備；圖2示意性地示出根據本發(fā)明的實施例的源模塊；和圖3示意性地示出根據本發(fā)明的實施例的源模塊。
具體實施例方式圖1示意性地示出根據本發(fā)明的一個實施例的光刻設備。所述設備包括照射系 統(tǒng)(照射器)IL，配置用于調節(jié)EUV輻射的輻射束B。應當理解，術語“EUV”輻射涉及具有 在6. 7-20納米范圍內的波長的任意電磁輻射。所述設備還包括支撐結構(例如掩模臺) MT，構造用于支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA并與配置用于根據確定的參數精確地定位 圖案形成裝置的第一定位裝置PM相連；襯底臺(例如晶片臺)WT，構造用于保持襯底(例 如涂覆有抗蝕劑的晶片)W，并與配置用于根據確定的參數精確地定位襯底的第二定位裝置 PW相連；和投影系統(tǒng)(例如折射式投影透鏡系統(tǒng))PS，所述投影系統(tǒng)PS配置用于將由圖案 形成裝置MA賦予輻射束B的圖案投影到襯底W的目標部分C (例如包括一根或多根管芯) 上。所述照射系統(tǒng)可以包括各種類型的光學部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其它類型的光學部件、或其任意組合，以引導、成形、或控制輻射。所述支撐結構支撐圖案形成裝置，即承載圖案形成裝置的重量。支撐結構以依賴 于圖案形成裝置的方向、光刻設備的設計以及諸如圖案形成裝置是否保持在真空環(huán)境中等 其它條件的方式保持圖案形成裝置。所述支撐結構可以采用機械的、真空的、靜電的或其它 夾持技術來保持圖案形成裝置。所述支撐結構可以是框架或臺，例如，其可以根據需要成為 固定的或可移動的。所述支撐結構可以確保圖案形成裝置位于所需的位置上(例如相對于 投影系統(tǒng))。在這里任何使用的術語“掩模版”或“掩?！倍伎梢哉J為與更上位的術語“圖案 形成裝置”同義。這里所使用的術語“圖案形成裝置”應該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在 輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標部分上形成圖案的任何裝置。應當注意， 被賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標部分上的所需圖案完全相符(例如如果該圖 案包括相移特征或所謂輔助特征)。通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標部分上形成的器 件中的特定的功能層相對應，例如集成電路。圖案形成裝置可以是反射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編程反射鏡陣 列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻術中是公知的，并且包括諸如二元掩模類 型、交替型相移掩模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型?？删?程反射鏡陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，每一個小反射鏡可以獨立地傾斜，以便沿 不同方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡矩陣反射的輻 射束。這里使用的術語“投影系統(tǒng)”應該廣義地解釋為包括任意類型的投影系統(tǒng)，包括折 射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光學系統(tǒng)、或其任意組合，如對于所使 用的曝光輻射所適合的。這里任意使用的術語“投影透鏡”可以認為是與更上位的術語“投 影系統(tǒng)”同義。如這里所示的，所述設備是反射型的(例如采用反射式掩模)。所述光刻設備可以是具有兩個(雙臺)或更多襯底臺(和/或兩個或更多的掩模 臺)的類型。在這種“多臺”機器中，可以并行地使用附加的臺，或可以在一個或更多個臺 上執(zhí)行預備步驟的同時，將一個或更多個其它臺用于曝光。參照圖1，所述照射器IL接收從輻射源SO發(fā)出的輻射束。該源和所述光刻設備 可以是分立的實體(例如當該源為CO2激光器時)。在這種情況下，不會將該源考慮成形成 光刻設備的一部分，并且通過包括例如合適的定向反射鏡和/或擴束器的束傳遞系統(tǒng)的幫 助，將所述輻射束從所述源SO傳到所述照射器IL。在其它情況下，所述源可以是所述光刻 設備的組成部分?？梢詫⑺鲈碨O和所述照射器IL、以及如果需要時設置的所述束傳遞系 統(tǒng)一起稱作輻射系統(tǒng)。所述照射器IL可以包括用于調整所述輻射束的角強度分布的調整器。通常，可以 對所述照射器的光瞳平面中的強度分布的至少所述外部和/或內部徑向范圍(一般分別稱 為σ-外部和ο-內部)進行調整。此外，所述照射器IL可以包括各種其它部件，例如積 分器和聚光器?？梢詫⑺稣丈淦饔糜谡{節(jié)所述輻射束，以在其橫截面中具有所需的均勻 性和強度分布。所述輻射束B入射到保持在支撐結構(例如，掩模臺)ΜΤ上的所述圖案形成裝置(例如，掩模)MA上，并且通過所述圖案形成裝置來形成圖案。已經穿過掩模MA之后，所述 輻射束B通過投影系統(tǒng)PS，所述投影系統(tǒng)PS將輻射束聚焦到所述襯底W的目標部分C上。 通過第二定位裝置PW和位置傳感器IF2 (例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)的 幫助，可以精確地移動所述襯底臺WT，例如以便將不同的目標部分C定位于所述輻射束B的 路徑中。類似地，例如在從掩模庫的機械獲取之后，或在掃描期間，可以將所述第一定位裝 置PM和另一個位置傳感器IFl用于相對于所述輻射束B的路徑精確地定位掩模MA。通常， 可以通過形成所述第一定位裝置PM的一部分的長行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精 定位)的幫助來實現(xiàn)掩模臺MT的移動。類似地，可以采用形成所述第二定位裝置PW的一 部分的長行程模塊和短行程模塊來實現(xiàn)所述襯底臺WT的移動。在步進機的情況下(與掃 描器相反)，所述掩模臺MT可以僅與短行程致動器相連，或可以是固定的?？梢允褂醚谀?對準標記Ml、M2和襯底對準標記Pl、P2來對準掩模MA和襯底W。盡管所示的襯底對準標 記占據了專用目標部分，但是它們可以位于目標部分之間的空間(這些公知為劃線對齊標 記)中。類似地，在將多于一個的管芯設置在掩模MA上的情況下，所述掩模對準標記可以 位于所述管芯之間。可以將所述設備用于以下模式中的至少一種中1.在步進模式中，在將掩模臺MT和襯底臺WT保持為基本靜止的同時，將賦予所 述輻射束的整個圖案一次投影到目標部分C上(即，單一的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底 臺WT沿X和/或Y方向移動，使得可以對不同目標部分C曝光。在步進模式中，曝光場的 最大尺寸限制了在單一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標部分C的尺寸。2.在掃描模式中，在對掩模臺MT和襯底臺WT同步地進行掃描的同時，將賦予所述 輻射束的圖案投影到目標部分C上(S卩，單一的動態(tài)曝光)。襯底臺WT相對于掩模臺MT的 速度和方向可以通過所述投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大率和圖像反轉特征來確定。在掃描 模式中，曝光場的最大尺寸限制了單一動態(tài)曝光中所述目標部分的寬度(沿非掃描方向)， 而所述掃描運動的長度確定了所述目標部分的高度(沿所述掃描方向)。3.在另一種模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的掩模臺MT保持為基本靜 止，并且在對所述襯底臺WT進行移動或掃描的同時，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標 部分C上。在這種模式中，通常采用脈沖輻射源，并且在所述襯底臺WT的每一次移動之后、 或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模 式可易于應用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編程反射鏡陣列)的 無掩模光刻術中。也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。圖2示意性地示出了根據本發(fā)明的實施例的源模塊。源模塊10可以包括布置有液 態(tài)目標材料3 (例如布置有Sn或Gd)的容器2。容器2可以布置有適合的機構或開口(未 顯示)用于將Sn或Gd的液滴如，4b，4c，4d傳遞至區(qū)域1，其中液滴被配置成被激光器5所 提供的激光束6撞擊。激光束6可以涉及具有10. 6微米波長的CO2激光?？商娲兀渌?的適合的具有在1-11微米范圍內的各種波長的激光可以被使用。期望通過使用適合的光 學系統(tǒng)(未顯示)將激光聚焦到區(qū)域1中。在與激光束相互作用時，液滴如，仙，如，4(1被 轉換成等離子體狀態(tài)，其可以發(fā)射6. 7nm的輻射或在5. 0-20內米范圍內的任何其它的EUV 輻射。
發(fā)射出的EUV束7可能被適合的碎片減緩系統(tǒng)8攔截，所述碎片減緩系統(tǒng)8被配 置以收集或偏轉從區(qū)域1發(fā)射出的顆粒碎片。之后基本上沒有碎片的EUV束7a可以進入 被配置成適合于調節(jié)束7a的光刻設備的照射系統(tǒng)9。根據本發(fā)明的一個方面，源模塊10可以包括用于與激光產生等離子體的源協(xié)作 的緩沖氣體。緩沖氣體可以對于EUV輻射具有至少50%的透射率，和對于伴隨輻射具有至 少70%的吸收率。期望地，緩沖氣體對于EUV輻射具有至少90%或至少95%的透射率。還期望緩沖 氣體對于伴隨輻射具有至少90%的吸收率。根據本發(fā)明的該方面，氣體可以被設置在源模塊的區(qū)域1中，通過對于泵浦激光 波長(典型地對于CO2激光是10. 6 μ m的波長)具有高的吸收率并同時具有高的EUV透射 率，所述氣體用作攔截碎片的緩沖氣體且同時用作使得能夠實現(xiàn)入射束7的預期的EUV富 集的光譜純度濾光片。在實施例中，氣體的總體壓強可以是Imbar · cm或更高。發(fā)現(xiàn)這對 于熱化原子和離子碎片是足夠的，并且因此減緩了從源傳播的顆粒碎片。期望緩沖氣體的 總體壓強被設置成在0. 5-5mbar · cm的范圍中的值。適合的緩沖氣體是具有輕原子量的元素的氣體，且可以從由C2H4，NH3, O3, CH3OH, CO2, CH4, C2H6，C2H2，和NH2D構成的組中選出。另外，可以被用于抑制伴隨輻射(例如從(X)2 激光源發(fā)射出的紅外輻射)的適合的氣體是SiH3Cl, SiH3F，和SiH3Br。發(fā)現(xiàn)，被構造成發(fā)射 6. 7nm輻射的源尤其適合于與這樣的氣體結合，這是因為這樣的氣體在約6. 7nm范圍內的 EUV透射率，對于不期望的波長(例如紅外輻射)的給定的抑制來說，是相對高的(典型地 > 95% )。這樣，便于光束7的預期的EUV富集。應當理解，本發(fā)明的實施例可以用于任何類型的EUV源，包括但不限于放電產生 等離子體源(DPP源)或激光產生等離子體源(LPP源)。然而，本發(fā)明可能尤其適合于抑制 來自激光源的輻射，所述激光源典型地形成了激光產生等離子體源的一部分。這是因為激 光源典型地具有小的帶寬，分子吸收線也典型地具有有限的帶寬，除非大量的吸收線在特 定的波長區(qū)域內是可利用的。因此，在來自激光源的輻射需要被抑制時，適合材料(期望地 是氣體)的可利用性高得多。在根據本發(fā)明的源模塊的實施例中，緩沖氣體可以包括第一氣體樣本和第二氣體 樣本的混合物。第二樣本可以被選擇成例如壓強展寬主緩沖氣體的吸收峰。例如在緩沖氣 體(例如 C2H4，NH3, NH2D, O3, CH3OH, CO2, CH4, C2H6, C2H2，SiH3Cl, SiH3F, or SiH3Br)適合于與 第二氣體進行混合或結合時，第二氣體可以不需要吸收紅外輻射，但是這種第二類型的氣 體的EUV透射率期望至少與第一氣體樣本一樣或比它高。這樣的結合的例子是CO2和He的 混合物，其中(X)2被用于吸收紅外光，而He用于壓強展寬(X)2的吸收線。使用對于伴隨輻射 具有高吸收強度的氣體作為第二氣體樣本和將具有高的EUV透射率的氣體作為第一氣體 樣本，也是可以的。這樣的第二氣體樣本的例子可以包括H2, He, Ne或Ar。在大約 Imbar和更高的壓強下，吸收線，將典型地被壓強展寬至幾百MHz，甚至 達幾GHz，從而改善緩沖氣體的效率。為了比較，對于激光產生等離子體源中的(X)2泵浦激 光來說，期望約IOOMHz的典型的激光帶寬。還可以是，由所述源產生的伴隨輻射包括具有多個基本上清晰的波長的電磁輻 射。在這種情形中，緩沖氣體可能涉及包括對于EUV輻射具有至少50%透射率的第一氣體樣本和對于多個波長具有至少70%的吸收率的第二氣體樣本的適合的混合物。根據本發(fā)明的實施例，激光器5的光被配置成傳播通過對應于產生了 EUV的區(qū)域 的第一區(qū)域Rl和第二區(qū)域R2。源模塊可以包括構造以基本上限定緩沖氣體至第二區(qū)域R2 的壓強阻擋構件8。設計了適合的壓強阻擋構件的不同的實施例，其中壓強構件被構造成緩沖氣體在 源和收集器之間的第二區(qū)域R2中保持較高的壓強(分壓)，和緩沖氣體在第一區(qū)域Rl中在 泵浦激光的光束路徑上保持較低的壓強(分壓)。例如，壓強阻擋構件可能涉及至少部分地 包封泵浦激光束并具有足夠小能夠進行差分泵浦的開口的管。在另一例子中，對于紅外光 具有低吸收率的氣體可能被在高速流中沿著泵浦激光束路徑進行引導。壓強阻擋構件可能 進一步涉及翼片阱或氣體噴射的靜態(tài)翼片阱。這一特定的實施例將被參考圖3進行討論。根據本發(fā)明的實施例，源模塊10可以被構造以冷卻緩沖氣體。例如，源模塊10可 以包括用于冷卻緩沖氣體的被動式元件12 (參見圖幻，像具有大面積的靜止的或可旋轉的 板(例如翼片阱)。可替代地或另外地，源模塊10可以進一步包括被構造以循環(huán)緩沖氣體 的循環(huán)回路14(參見圖幻，用于冷卻緩沖氣體。冷卻緩沖氣體的特征可能有利于保持緩沖 氣體的效率，這是因為吸收線的相對強度隨著溫度而變化。通過將緩沖氣體保持在適合的 預先選擇的操作溫度，包括源模塊10的光刻設備的整體性質可能不被損害。另外，緩沖氣 體的冷卻可能是有利的，這是因為其溫度的不被期望的增加導致期望保持更高的緩沖氣體 的部分密度，用于實現(xiàn)緩沖氣體的碎片減緩性能和基本上恒定的光譜純度濾光片。通過避 免緩沖氣體的部分密度的不需要的增加，可以放松對適合的泵浦的操作規(guī)格的要求。圖3示意性地顯示出根據本發(fā)明的一個方面的源模塊的一部分的實施例，其中顯 示出設置有緩沖氣體的翼片阱60的實施例的橫截面。翼片阱60可以被布置成圍繞靠近 EUV輻射的源61的旋轉軸線62，且可以包括被布置用于防止材料(即顆粒碎片，像緩慢的 原子碎片、快速的原子碎片(即離子和/或微粒))傳播到光刻投影設備內部的多個通道阻 擋構件63。翼片阱60可以包括用于保持緩沖氣體的系統(tǒng)64，所述系統(tǒng)64被布置以基本 上在通道阻擋構件63內提供緩沖氣體用于攔截顆粒碎片?？梢酝ㄟ^適合的多個導管供給 緩沖氣體，緩沖氣體可以通過所述導管向內和向外流動，如由箭頭65a、67所示意性地顯示 的。通過將緩沖氣體布置成循環(huán)的方式，也可以實現(xiàn)對緩沖氣體的冷卻。抽氣腔65可以被 設置用于供給緩沖氣體至適合的出口端口(未顯示)。另外，另外的端口 70可以被設置用 于補充緩沖氣體和另外的氣體，例如用于導致緩沖氣體的適合的吸收線的壓強誘導展寬的 氣體。系統(tǒng)64可以進一步包括用于冷卻翼片阱的附加的冷卻系統(tǒng)69。盡管在本文中可以做出具體的參考，將所述光刻設備用于制造IC，但應當理解這 里所述的光刻設備可以有其他的應用，例如，集成光學系統(tǒng)、磁疇存儲器的引導和檢測圖 案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等的制造。本領域技術人員應該理解的是，在 這種替代應用的情況中，可以將其中使用的任意術語“晶片”或“管芯”分別認為是與更上位 的術語“襯底”或“目標部分”同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進行處理，例 如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并且對已曝光的抗蝕劑進行顯影的工具)、 量測工具和/或檢驗工具中。在可應用的情況下，可以將所述公開內容應用于這種和其它 襯底處理工具中。另外，所述襯底可以處理一次以上，例如以便產生多層IC，使得這里使用 的所述術語“襯底”也可以表示已經包含多個已處理層的襯底。
在上下文允許的情況下，所述術語“透鏡”可以表示各種類型的光學部件中的任何 一種或它們的組合，包括折射式、反射式、磁性式、電磁式和靜電式的光學部件。盡管以上已經描述了本發(fā)明的特定的實施例，但是應該理解的是本發(fā)明可以以與 上述不同的形式實現(xiàn)。以上的描述是說明性的，而不是限制性的。因此，本領域的技術人員 應當理解，在不背離所附的權利要求的保護范圍的條件下，可以對本發(fā)明進行修改。
權利要求
1.一種用在光刻設備中的源模塊，所述源模塊被構造成產生極紫外(EUV)輻射和伴隨 輻射，所述源模塊包括被配置以與所述EUV輻射的源協(xié)作的緩沖氣體，所述緩沖氣體對于 所述EUV輻射具有至少50%的透射率和對于所述伴隨輻射具有至少70%的吸收率。
2.根據權利要求1所述的源模塊，其中所述緩沖氣體被從由具有C2H4，NH3,O3, CH3OH, CO2, CH4, C2H6, C2H2，NH2D, SiH3Cl, SiH3F,禾口 SiH3Br 的組中選出。
3.根據權利要求1或2所述的源模塊，其中所述緩沖氣體包括第一氣體樣本和第二氣 體樣本的混合物。
4.根據權利要求3所述的源模塊，其中所述第二氣體樣本被配置成展寬所述第一氣體 樣本的吸收線。
5.根據權利要求4所述的源模塊，其中所述第一氣體樣本被從具有C2H4，NH3,03,CH3OH, CO2, CH4, C2H6, C2H2，NH2D, SiH3Cl, SiH3F,和 SiH3Br 的組中選出，第二氣體樣本被從具有 H2, He，Ne，和Ar的組中選出。
6.根據前述權利要求中任一項所述的源模塊，其中所述伴隨輻射具有在約1-11微米 范圍內的波長。
7.根據權利要求3、4、5或6所述的源模塊，其中所述伴隨輻射包括多個波長，所述第二 氣體樣本對于所述多個波長具有至少70%的吸收率。
8.根據前述權利要求中任一項所述的源模塊，其中所述緩沖氣體的總體壓強在 0. 5-5mbar · cm 的范圍內。
9.根據前述權利要求中任一項所述的源模塊，其中所述激光器的光被配置成傳播通過 第一區(qū)域和第二區(qū)域，其中激光產生等離子體被在所述第一區(qū)域中產生，所述源模塊還包 括壓強阻擋構件，所述壓強阻擋構件被配置成將所述緩沖氣體限制到所述第二區(qū)域。
10.根據權利要求9所述的源模塊，其中所述壓強阻擋構件包括翼片阱。
11.根據權利要求10所述的源模塊，其中所述翼片阱是氣體噴射的靜態(tài)翼片阱。
12.—種光刻設備，所述光刻設備被布置以將圖案從圖案形成裝置投影到襯底上，所述 光刻設備包括根據前述權利要求中任一項所述的源模塊。
13.一種器件制造方法，所述方法包括將極紫外(EUV)輻射的圖案化的束投影到襯底 上，其中所述EUV輻射由根據權利要求1-11中的任一項所述的源模塊或由根據權利要求12 所述的光刻設備產生。
14.一種器件制造方法，所述方法包括步驟用輻射源產生極紫外輻射和伴隨輻射；提供緩沖氣體至所述輻射源，所述緩沖氣體對于所述極紫外輻射具有至少50%的透射 率和對于所述伴隨輻射具有至少70%的吸收率；和將所述極紫外輻射的圖案化的束投影到襯底上。
全文摘要
一種用在光刻設備中的源模塊(10)被構造以產生極紫外(EUV)和伴隨輻射，且包括被配置以與EUV輻射的源協(xié)作的緩沖氣體。所述緩沖氣體對于所述EUV輻射具有至少50％的透射率，對于所述伴隨輻射具有至少70％的吸收率。
文檔編號G03F7/20GK102084299SQ200980126024
公開日2011年6月1日 申請日期2009年7月13日 優(yōu)先權日2008年7月14日
發(fā)明者A·亞庫寧, M·范赫鵬, W·索爾 申請人:Asml荷蘭有限公司