專利名稱：薄膜狀遮光板以及使用該遮光板的光圈、光量調(diào)節(jié)用光圈裝置或快門的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及薄膜狀遮光板以及使用該遮光板的光圈、光量調(diào)節(jié)用光圈裝置或者快 門，更詳細地，涉及一種薄膜狀遮光板，進而適用于該薄膜狀遮光板的數(shù)碼相機、數(shù)碼攝像 機的光圈、投影儀的光量調(diào)節(jié)用光圈裝置或者快門，該薄膜狀遮光板在作為基質(zhì)基材的樹 脂薄膜上形成可以廣泛地適用于光學部件、在可見光區(qū)域具有足夠的遮光性和低反射性的 遮光性薄膜而得到。
背景技術(shù)：
近年來，在數(shù)碼相機領(lǐng)域?qū)Ω咚?機械式)快門的開發(fā)很熱門。其目的是通過使 快門的速度高速化，沒有模糊地拍攝超高速的攝影對象，得到清晰的圖像。一般來說，快門 是通過使稱作快門的葉片的多個葉片旋轉(zhuǎn)、移動來進行開閉的。為了使快門速度高速地進 行，快門的葉片在極短時間內(nèi)進行運行和停止，必不可少的是輕質(zhì)化和高摩擦運動性。此 外，快門葉片由于在快門關(guān)閉的狀態(tài)下，起到覆蓋薄膜等感光材料以及CCD、CMOS等攝像元 件的前面而遮擋光的作用，所以不僅必須有完全的遮光性，而且快門的多塊葉片相互重疊 運行時，為了防止各葉片間產(chǎn)生漏光，希望葉片表面的光反射率低，也就是黑色度高。對于插入數(shù)碼相機的透鏡單元內(nèi)、擋住一定的光量、起到將光送入攝像元件的作 用的固定光圈，因為如果光圈表面產(chǎn)生光反射，則形成雜散光、損害清晰的攝像，也要求表 面是低反射性，也就是黑色性高。具有攝影功能的移動電話，也就是帶相機的移動電話，近年來也是為了在高像素 下進行高畫質(zhì)的攝影而開始在透鏡單元上搭載小型機械式快門。而且，在透鏡單元內(nèi)插入 固定光圈。安裝在移動電話中的機械式快門與一般的數(shù)碼相機相比，由于要求節(jié)電動作，所 以對快門葉片的輕質(zhì)化的要求特別強。此外，最近的移動電話中的透鏡單元的安裝中，基于降低制造成本的目的，要求透 鏡、固定光圈、快門等各部件在回流工序中進行。在這種工序中也可以使用的快門葉片和固 定光圈不僅要求表面的低反射性、黑色性，還要求有耐熱性。在回流工序中也可以使用的快 門葉片、固定光圈部件要求的耐熱性是270°C左右。接著是車載監(jiān)視器，作為最近的趨勢是在車載監(jiān)視器中搭載后視監(jiān)視器等的情形 逐漸增加。該監(jiān)視器的透鏡單元內(nèi)也使用固定光圈，但是同樣地為了防止雜散光，也要求表 面的低反射性、黑色性。而且，車載用監(jiān)視器使用的透鏡單元為了即使在盛夏的炎熱天氣下 等高溫使用環(huán)境下也不損失功能，對固定光圈部件也要求有耐熱性。車載監(jiān)視器等使用的 固定光圈部件一般必須要求約120°C左右的耐熱性。另一方面，液晶投影儀由于在大房間中作為大畫面的家庭影院欣賞，所以最近開 始在一般家庭中快速普及。為了在起居室這樣明亮的環(huán)境下欣賞鮮艷的高對比度圖像，這 樣對高畫質(zhì)的要求增加，發(fā)展出了高輸出燈光光源，使畫質(zhì)高亮度的技術(shù)。液晶投影儀的光 學系統(tǒng)中，調(diào)節(jié)來自燈光光源的光量的光量調(diào)節(jié)用光圈裝置(自動光圈)在透鏡系統(tǒng)的內(nèi)
4部以及側(cè)面使用。光量調(diào)節(jié)用的光圈裝置是和快門同樣地，光圈的多個葉片相互重疊，調(diào)節(jié) 通過光的開口部的面積。這種光量調(diào)節(jié)用光圈裝置的光圈葉片基于和快門葉片的情形同樣 的理由，也要求表面的低反射性和質(zhì)量輕。也就是，如果通過光照射使葉片材料的低反射性 發(fā)生變化，則產(chǎn)生雜散光，無法拍攝清晰的圖像。另外，同時還要求有針對燈光照射引起的 加熱的耐熱性。認為液晶投影儀的光量調(diào)節(jié)用光圈裝置的光圈葉片的材料一般必須要求 270°C左右的耐熱性。作為上述快門葉片以及固定光圈材料、光量調(diào)節(jié)用光圈裝置的光圈葉片中使用的 遮光板一般使用下述物質(zhì)。也就是，在要求耐熱性的遮光板中，作為基材一般使用SUS、SK材料、Al、Ti等金屬 薄板。金屬薄板本身也可以作為遮光板使用，但是由于具有金屬光澤，所以在希望避免表面 的反射光產(chǎn)生的雜散光方面并不優(yōu)選。相對于此，在金屬薄板上涂敷黑色潤滑膜的遮光板 雖然具有低反射性、黑色性，但是由于涂敷部的耐熱性差，一般無法在高溫環(huán)境下使用。在專利文獻1中提出了在鋁合金等金屬制葉片材料的表面形成硬質(zhì)碳素膜的遮 光材料。但是，即使在金屬制葉片材料的表面形成硬質(zhì)碳素膜，仍無法獲得足夠的低反射 性，無法避免反射光產(chǎn)生的雜散光。另外，如果將使用金屬薄板作為基材的遮光板作為快門 葉片或光圈葉片使用，則由于重量大，具有驅(qū)動葉片的驅(qū)動電機的扭矩變大，耗電量變大， 快門速度難以提高，葉片之間接觸產(chǎn)生噪音等問題。相對于此，還具有使用樹脂薄膜作為基 材的遮光板，在專利文獻2中，提出了使用粗糙加工的樹脂薄膜以降低表面的反射的方案， 以及提出了通過形成微細的眾多的凹凸面，賦予消光性的薄膜狀遮光板的方案。另外，在專利文獻3中提出了在樹脂薄膜上涂敷含有消光涂料的熱固化性樹脂的 遮光薄膜的方案。但是，它們無法通過樹脂薄膜自身的加工以及消光劑的添加降低表面的 反射，難以防止來自遮光葉片的反射產(chǎn)生的雜散光的影響。對于樹脂薄膜基材從低比重、廉價、柔韌性的觀點出發(fā)，大多是以聚對苯二甲酸乙 二酯(PET)作為基材的遮光薄膜。另外，廣泛使用在內(nèi)部浸漬炭黑以及鈦黑等黑色微粒，降 低透光率的PET薄膜。但是，PET材料的耐熱性低于150°C，拉伸彈性率等機械強度弱。由 此，在形成照射使用高輸出的燈光的投影儀的光量調(diào)節(jié)用光圈部件、適應(yīng)回流工序而使用 的固定光圈部件或者快門部件時，由于耐熱性差而無法使用。另外，如果從高速快門的葉片 部件來看，可以降低薄膜厚度來適應(yīng)快門葉片的高速化，但是在為內(nèi)部浸漬黑色微粒得到 的樹脂薄膜時，如果薄膜的厚度變薄，特別是為38 μ m以下，則無法在可見光區(qū)域發(fā)揮出足 夠的遮光性，無法在快門葉片中使用。此外，在內(nèi)部浸漬這種黑色微粒得到的樹脂薄膜由于 是絕緣性，所以如果在快門葉片中使用，則具有葉片之間摩擦產(chǎn)生靜電、吸附粉塵等問題。因此，在專利文獻4中提出了一種遮光葉片材料，該材料包含薄膜狀的基材、其一 面或兩面上形成的具有遮光性的遮光膜以及在其上形成的保護膜，通過該保護膜滿足導電 性、潤滑性和耐磨損性中的一種以上的性質(zhì)。前述基材由至少承受150°C的處理溫度的樹脂 材料形成，上述遮光膜由包含可以維持150°C以下的處理溫度的真空蒸鍍法、濺鍍法或等離 子CVD法成膜的金屬的薄膜構(gòu)成。其中，對于遮光葉片要求的一個性質(zhì)的低反射性、黑色性 沒有提及，關(guān)于保護膜的耐磨損性，被確認了效果的只具體例示了碳。如上所述，到目前為止還不知道可用于快門葉片以及固定光圈、光量調(diào)節(jié)用光圈 裝置的光圈葉片等的遮光板，同時還具有下述功能，即在可見光區(qū)域的足夠的遮光性以及低反射性、輕質(zhì)性、導電性。特別是，使用輕質(zhì)性方面有利的樹脂薄膜基材的薄膜狀遮光板 中，即使板厚為38 μ m以下，也無法得到完全的遮光性。另外，在回流工序中進行各部件的 組裝時，回流工序中品質(zhì)不會低下、具有270°C的耐熱性的樹脂薄膜基質(zhì)的薄膜狀遮光板還 不存在?；谶@些原因，需要下述快門葉片、固定光圈、光量調(diào)節(jié)用光圈裝置的光圈葉片， 作為使用輕質(zhì)性方面有利的薄的樹脂薄膜基材的薄膜狀遮光板，可以在回流工序中安裝各 部件，兼具可見光區(qū)域的足夠的遮光性和低反射性、輕質(zhì)性、導電性。現(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻專利文獻1 日本特開平2-116837號公報專利文獻2 日本特開平1-120503號公報專利文獻3 日本特開平4-9802號公報專利文獻4 日本特開2006-138974號公報

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明根據(jù)這些現(xiàn)有的問題，其目的在于提供薄膜狀遮光板、進而適用于該薄膜 狀遮光板的數(shù)碼相機、數(shù)碼攝像機的光圈、投影儀的光量調(diào)節(jié)用光圈裝置或者快門，該薄膜 狀遮光板將可以廣泛適用于光學部件的、具有在可見光區(qū)域中的足夠遮光性和低反射性的 遮光性薄膜形成在作為基質(zhì)基材的該樹脂薄膜上而得到。本發(fā)明人為了解決上述問題，對具有可見光區(qū)域(波長400 SOOnm)的完全的遮 光性和低反射性、對樹脂薄膜基材的粘附力優(yōu)異的遮光性薄膜進行認真的研究，從而發(fā)現(xiàn) 通過使用特定的含碳量、含氧量的碳化氧化鈦燒結(jié)體靶體，通過濺鍍使膜中的碳量、氧量為 特定范圍，在樹脂薄膜基材上形成碳化氧化鈦結(jié)晶膜，通過將其用作遮光性薄膜，可以得到 兼具可見光區(qū)域中的足夠的遮光性和低反射性，對樹脂薄膜基材具有高的粘附力和270°C 下的耐熱性的薄膜狀遮光板；還發(fā)現(xiàn)該薄膜狀遮光板不僅發(fā)揮出完全的遮光性和低反射 性、導電性，而且由于輕質(zhì)性，還可以作為適應(yīng)低電力驅(qū)動的高速快門的快門葉片材料使 用，有助于驅(qū)動電機的小型化，可以實現(xiàn)光量調(diào)節(jié)用光圈裝置以及機械式快門的小型化，從 而完成本發(fā)明。也就是，根據(jù)本發(fā)明的第1發(fā)明提供一種薄膜狀遮光板，該薄膜狀遮光板是在樹 脂薄膜基材(A)的至少一面上形成由結(jié)晶性碳化氧化鈦膜形成的遮光性薄膜(B)而得到 的，其特征在于遮光性薄膜(B)是碳量以C/Ti原子數(shù)比計為0. 6以上，且氧量以Ο/Ti原 子數(shù)比計為0.2 0.6，而且遮光性薄膜(B)的膜厚的總和為^Onm以上，波長400 SOOnm 下的平均光學濃度為4.0以上。另外，根據(jù)本發(fā)明的第2發(fā)明提供一種薄膜狀遮光板，其特征在于在第1發(fā)明中， 遮光性薄膜(B)的膜厚總和是沈0 500nm。另外，根據(jù)本發(fā)明的第3發(fā)明提供一種薄膜狀遮光板，其特征在于在第1發(fā)明中， 樹脂薄膜基材(A)是選自聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚萘二甲酸乙二醇脂 (PEN)、聚酰亞胺(PI)、芳族聚酰胺(PA)、聚苯硫醚(PPQ或聚醚砜(PES)的一種以上。另外，根據(jù)本發(fā)明的第4發(fā)明提供一種薄膜狀遮光板，其特征在于在第1發(fā)明中，樹脂薄膜基材(A)是即使在200°C以上的溫度下，也具有耐熱性的選自聚酰亞胺(PI)、芳族 聚酰胺(PA)、聚苯硫醚(PPQ或聚醚砜(PES)的基材。此外，根據(jù)本發(fā)明的第5發(fā)明提供一種薄膜狀遮光板，其特征在于在第1發(fā)明中， 樹脂薄膜基材(A)的膜厚是38 μ m以下。另外，根據(jù)本發(fā)明的第6發(fā)明提供一種薄膜狀遮光板，其特征在于在第5發(fā)明中， 樹脂薄膜基材(A)的膜厚是25 μ m以下。另一方面，根據(jù)本發(fā)明的第7發(fā)明提供一種薄膜狀遮光板，其特征在于在第1發(fā) 明中，在樹脂薄膜基材(A)的兩面上形成有遮光性薄膜(B)，兩面的遮光性薄膜(B)具有實 質(zhì)上相同的組成、膜厚。另外，根據(jù)本發(fā)明的第8發(fā)明提供一種薄膜狀遮光板，其特征在于在第1發(fā)明中， 遮光性薄膜(B)的表面是導電性。另外，根據(jù)本發(fā)明的第9發(fā)明提供一種薄膜狀遮光板，其特征在于在第1發(fā)明中， 遮光性薄膜(B)的表面的光正反射率在波長400 SOOnm下，平均為39%以下。另外，根據(jù)本發(fā)明的第10發(fā)明提供一種薄膜狀遮光板，其特征在于在第1發(fā)明 中，遮光性薄膜(B)的表面粗糙度是0.15 0.70 μ m(算術(shù)平均高度)。另外，根據(jù)本發(fā)明的第11發(fā)明提供一種薄膜狀遮光板，其特征在于在第9發(fā)明 中，遮光性薄膜(B)的表面的光正反射率在波長400 SOOnm下，平均為1.5%以下。另外，根據(jù)本發(fā)明的第12發(fā)明提供一種薄膜狀遮光板，其特征在于在第10發(fā)明 中，遮光性薄膜(B)的表面粗糙度是0. 32 0. 70 μ m (算術(shù)平均高度)。另外，根據(jù)本發(fā)明的第13發(fā)明提供一種薄膜狀遮光板，其特征在于在第11發(fā)明 中，遮光性薄膜(B)的表面的光正反射率在波長400 SOOnm下，平均為0. 8%以下。另外，根據(jù)本發(fā)明的第14發(fā)明，提供一種薄膜狀遮光板，其特征在于在第1發(fā)明 中，樹脂薄膜基材(A)在濺鍍裝置的薄膜輸送部被設(shè)置成卷筒狀后，從開卷部往卷繞部卷 繞時，通過濺鍍法在樹脂薄膜基材(A)表面上形成遮光性薄膜(B)。另外，根據(jù)本發(fā)明的第15發(fā)明提供一種薄膜狀遮光板，其特征在于在第1發(fā)明 中，遮光性薄膜(B)通過使用碳化氧化鈦燒結(jié)體靶體的濺鍍法，在樹脂薄膜基材(A)上形 成。另外，根據(jù)本發(fā)明的第16發(fā)明提供一種薄膜狀遮光板，其特征在于在第15發(fā)明 中，碳化氧化鈦燒結(jié)體靶體以C/Ti原子數(shù)比為0. 6以上的比例含有碳，以Ο/Ti原子數(shù)比為 0. 17 0. 53的比例含有氧。另外，根據(jù)本發(fā)明的第17發(fā)明提供一種薄膜狀遮光板，其特征在于在第1發(fā)明 中，濺鍍時的樹脂薄膜基材(A)的表面溫度為100°C以下。另外，根據(jù)本發(fā)明的第18發(fā)明提供一種薄膜狀遮光板，其特征在于在第1發(fā)明 中，在270°C的高溫環(huán)境下具有耐熱性。另外，根據(jù)本發(fā)明的第19發(fā)明提供一種光圈，該光圈是根據(jù)第1 18任一項的發(fā) 明，通過對前述薄膜狀遮光板進行加工而形成的。另一方面，根據(jù)本發(fā)明的第20發(fā)明提供一種光量調(diào)節(jié)用光圈裝置，該光圈裝置是 根據(jù)第1 18任一項的發(fā)明，使用通過對前述薄膜狀遮光板進行加工而得到的葉片材料形 成的。
另外，根據(jù)本發(fā)明的第21發(fā)明提供一種快門，該快門是根據(jù)第1 18任一項的發(fā) 明，使用通過對前述薄膜狀遮光板進行加工而得到的葉片材料形成的。本發(fā)明中使用的遮光性薄膜是結(jié)晶性碳化氧化鈦膜，膜中的含碳量以C/Ti原子 數(shù)比計為0. 6以上，膜中含有的氧量以Ο/Ti原子數(shù)比計為0. 2 0. 6的薄膜；具有可見光 區(qū)域(波長400 SOOnm)下的完全的遮光性和低反射性，對樹脂薄膜基材的粘附力優(yōu)異。 而且，即使在空氣中，在270°C的高溫環(huán)境下，也無損這些特征。另外，本發(fā)明的薄膜狀遮光板是在作為基質(zhì)基材的樹脂薄膜上形成上述遮光性薄 膜，與以目前的金屬薄板作為基質(zhì)的遮光板相比，質(zhì)量更輕。另外，為了使質(zhì)量更輕而使用 38 μ m以下的樹脂薄膜基材的本發(fā)明的薄膜狀遮光板與在相同厚度的樹脂薄膜的內(nèi)部浸漬 黑色微粒的目前的某遮光板相比，可以發(fā)揮出完全的遮光性和低反射性，可以作為適應(yīng)低 電量運行的高速快門的快門葉片材料使用，有助于驅(qū)動電機的小型化。通過使質(zhì)量更輕，還 具有可以實現(xiàn)光量調(diào)節(jié)用光圈裝置以及機械式快門的小型化等優(yōu)點，在工業(yè)上極為有用。另外，本發(fā)明的薄膜狀遮光板通過使用聚酰亞胺等耐熱性樹脂薄膜作為基質(zhì)基 材，可以在空氣中，270°C下發(fā)揮出耐熱性。也就是，由于即使在270°C的高溫環(huán)境下，也無 損低反射性、遮光性，所以可以作為液晶投影儀的光量調(diào)節(jié)用光圈裝置以及可以適應(yīng)于回 流工序安裝的固定光圈材料以及快門葉片材料使用，所以在這方面也可以認為工業(yè)價值極 尚ο


圖1是表示在樹脂薄膜的一面上形成遮光性薄膜的本發(fā)明的薄膜狀遮光板的剖 面的簡圖。圖2是表示在樹脂薄膜的兩面上形成遮光性薄膜的本發(fā)明的薄膜狀遮光板的剖 面的簡圖。圖3是用于制造本發(fā)明的薄膜狀遮光板的卷繞式濺鍍裝置的簡圖。圖4是表示穿孔加工本發(fā)明的薄膜狀遮光板制造的搭載黑色遮光葉片的光量調(diào) 節(jié)用光圈裝置的光圈機構(gòu)的示意圖。圖5是表示本發(fā)明(實施例1)得到的碳化氧化鈦膜的X射線衍射圖譜的測定結(jié) 果的圖表。圖6是表示比較例的條件下得到的碳化氧化鈦膜的X射線衍射圖譜的測定結(jié)果的 圖示。
具體實施例方式以下，對本發(fā)明的薄膜狀遮光板以及使用該遮光板的光圈、光量調(diào)節(jié)用光圈裝置 或快門進行說明。1.薄膜狀遮光板本發(fā)明的薄膜狀遮光板是在樹脂薄膜基材(A)的至少一面上形成由結(jié)晶性碳化 氧化鈦膜形成的遮光性薄膜(B)而得到的薄膜狀遮光板，其特征在于遮光性薄膜(B)的碳 量以C/Ti原子數(shù)比計為0. 6以上，且氧量以Ο/Ti原子數(shù)比計為0. 2 0. 6，而且遮光性薄 膜(B)的膜厚的總和為^Onm以上，波長400 SOOnm下的平均光學濃度為4. 0以上。
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(A)樹脂薄膜基材所述的樹脂薄膜例如可以利用由選自聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯 (PC)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亞胺(PI)、芳族聚酰胺(PA)、聚苯硫醚(PPQ或聚醚 砜(PES)的一種以上的材料構(gòu)成的薄膜；以及在這些薄膜的表面進行丙烯酸硬涂的薄膜， 或者在內(nèi)部浸漬炭黑或鈦黑等黑色微粒而降低透光率的薄膜。為了可以得到即使在高溫環(huán)境下也可以使用的質(zhì)量輕的薄膜狀遮光板，優(yōu)選使用 以具有耐熱性的樹脂薄膜作為基質(zhì)的基材。在賦予120 150°C左右的耐熱性時，有效的是 聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)。車載監(jiān)視器中使用的固定光圈部件必須要求約120°C左右的 耐熱性，可以使用聚萘二甲酸乙二醇酯來實現(xiàn)。在賦予200°C以上的耐熱性時，優(yōu)選由選自聚酰亞胺(PI)、芳族聚酰胺(PA)、聚苯 硫醚(PPQ或聚醚砜(PES)的一種以上的耐熱性材料構(gòu)成的薄膜。它們之中，聚酰亞胺薄 膜的耐熱性溫度最高為270°C以上，是特別優(yōu)選的薄膜。為了得到可以作為能適應(yīng)回流工序 的組裝的固定光圈材料以及快門葉片材料使用的薄膜狀遮光板，有效的是使用聚酰亞胺薄膜。樹脂薄膜基材的厚度優(yōu)選為200 μ m以下，更優(yōu)選為100 μ m以下，最優(yōu)選為50 μ m 以下。如果比200μπι更厚，則隨著小型化的發(fā)展，無法往光圈裝置以及光量調(diào)節(jié)用裝置搭 載多塊遮光葉片等，用途不適合，因此不好。另外，在使用薄膜狀遮光板作為透鏡單元的固定光圈時，光路內(nèi)的光圈末端的光 反射形成雜散光，成為妨礙清晰畫質(zhì)的攝影的重要因素。為了盡量降低光圈末端的光反射， 有效的是盡量使光圈的厚度變薄。為了得到薄的光圈，薄的薄膜狀的遮光板是有用的。具 體地，優(yōu)選厚度為38 μ m以下，進而最優(yōu)選厚度為25 μ m以下。但是，在比5 μ m更薄時，操 作性差，難以處理，容易在薄膜上帶有損傷以及折痕等表面缺陷。另外，樹脂薄膜基材優(yōu)選通過石版印刷(Nanoimprinting)加工或者使用拋丸材 料(shot material)的粗糙加工處理，具有規(guī)定的表面凹凸性。樹脂薄膜基材通過具有表 面凹凸性，降低遮光性薄膜表面凹凸產(chǎn)生的光的正反射率，也就是起到消光的效果，所以作 為遮光板是優(yōu)選的。另外，所述的遮光性薄膜的光的正反射率是指根據(jù)反射光反射的法則， 以等于入射光的入射角的角度，從表面反射的光的反射率。(B)遮光性薄膜本發(fā)明中使用的遮光性薄膜是結(jié)晶性碳化氧化鈦膜，含碳量以C/Ti原子數(shù)比計 為0. 6以上，含氧量以Ο/Ti原子數(shù)比計為0. 2 0. 6。如果遮光性薄膜的含碳量以C/Ti原子數(shù)比計不足0. 6，則膜呈現(xiàn)金色，可見光區(qū) 域的反射率變高，不優(yōu)選。另外，如果C/Ti原子數(shù)比不足0.6，則在空氣中加入到270°C時， 發(fā)現(xiàn)膜氧化引起的變色，所以為了發(fā)揮出270°C的耐熱性，膜的C/Ti原子數(shù)比必須為0.6以上。本發(fā)明中使用的遮光性薄膜著眼于對樹脂薄膜基材的粘合性，如果膜的Ο/Ti原 子數(shù)比不足0.2，則構(gòu)成膜的原子的鍵由于金屬結(jié)合性的比例多，離子結(jié)合性的比例少，所 以對樹脂薄膜的附著力弱。在Ο/Ti原子數(shù)比為0. 2以上時，膜的構(gòu)成原子的鍵中離子結(jié)合 性的比例變多，所以和薄膜基材產(chǎn)生離子結(jié)合性，附著力強，為優(yōu)選。本發(fā)明的遮光性薄膜可以在不損害本發(fā)明的性質(zhì)的程度內(nèi)，含有上述鈦、碳、氧的
9構(gòu)成元素，以及其它金屬元素、氮和氟等其它元素。為了將氮導入遮光性薄膜，分別在形成 遮光性薄膜時，通過在濺鍍氣體中導入氮氣(添加氣體)，濺鍍成膜實現(xiàn)，但是即使不使用 上述這種添加氣體，也可以通過在靶體中含有氮氣而導入。另外，為了往遮光性薄膜導入 氟，可以在靶體中含有氟化物。另外，本發(fā)明中使用的遮光性薄膜可以層疊含碳量和/或含氧量的組成不同的碳 化氧化鈦膜，只要各層的組成范圍在本發(fā)明的規(guī)定范圍內(nèi)即可。另外，本發(fā)明中使用的遮光 性薄膜可以是含碳量和/或含氧量在膜厚方向含氧量連續(xù)變化的碳化氧化鈦膜，只要膜整 體的平均組成在本發(fā)明的規(guī)定組成范圍內(nèi)即可。一般來說，作為有機物的樹脂薄膜和作為無機物的金屬膜等的鍵弱。在樹脂薄膜 的表面形成本發(fā)明的遮光性薄膜時也相同。另外，為了提高膜的附著力，有效的是提高成膜 時的薄膜表面溫度。但是，根據(jù)薄膜的種類，如果將溫度提高到130°C以上，則產(chǎn)生超過玻 璃化轉(zhuǎn)變點和分解溫度的PET等，所以成膜時的薄膜表面溫度希望是盡可能低的溫度，例 如100°C以下進行。為了在100°C以下的樹脂薄膜表面以高附著力地形成本發(fā)明的遮光性 薄膜，不可欠缺的是使用膜中的Ο/Ti原子數(shù)比設(shè)定為0. 2以上的碳化氧化鈦膜，進而形成 結(jié)晶膜。本發(fā)明中使用的遮光性薄膜如果著眼于膜的光學性質(zhì)，則含氧量以Ο/Ti原子數(shù) 比計不足0. 2時，碳化氧化鈦膜呈現(xiàn)金屬色，低反射性以及黑色性差，所以不優(yōu)選。另一方 面，在Ο/Ti原子數(shù)比超過0. 6時，膜的透光率過高，光吸收功能差，損害低反射性和遮光性， 所以不優(yōu)選。遮光性薄膜中的C/Ti原子數(shù)比和Ο/Ti原子數(shù)比例如可以通過XP S分析。膜最 表面由于結(jié)合大量的氧量，所以在真空中濺鍍除去直到幾十nm的深度后測定，可以將膜中 的C/Ti原子數(shù)比以及Ο/Ti原子數(shù)比定量。本發(fā)明中的遮光性薄膜如果膜厚總和為260nm以上，則波長400 SOOnm下的平 均光學濃度可以為4. 0以上。但是，膜厚的總和更優(yōu)選為260 500nm。為了在可見光區(qū)域 發(fā)揮出完全的遮光性，膜厚總和必須為260nm以上，如果膜厚總和比500nm更厚，則形成遮 光性薄膜時所需要的時間長，制造成本增高，或者必要的成膜材料增多，材料成本增高，所 以不優(yōu)選。2.遮光性薄膜的形成方法本發(fā)明中使用的遮光性薄膜例如除了通過濺鍍法、真空蒸鍍法、CVD等使用真空工 藝的成膜方法以外，還可以通過涂敷分散了碳化氧化鈦微粒的油墨的方法制造。但是，它們 之中，所述的通過濺鍍法制造不僅可以在大面積基板上均勻形成，而且可以對基材有高的 粘合力地形成，所以優(yōu)選。膜的結(jié)晶性依賴于成膜條件，由于碳化氧化鈦膜是結(jié)晶性的，所以對薄膜基材發(fā) 揮出高附著力。在通過濺鍍法制造本發(fā)明的薄膜狀遮光板中使用的遮光性薄膜時，希望使用含碳 量以C/Ti原子數(shù)比計為0. 6以上，含氧量以Ο/Ti原子數(shù)比計為0. 17 0. 53的碳化氧化 鈦燒結(jié)體靶體。碳化氧化鈦靶體由氧化鈦、碳化鈦和金屬鈦的粉末混合物通過熱壓法制造。 通過改變各原料的混合比例，可以制造各種C/Ti原子數(shù)比、Ο/Ti原子數(shù)比的碳化氧化鈦靶 體。
即使使用Ο/Ti原子數(shù)比不足0. 17的碳化氧化鈦靶體或者碳化鈦靶體，通過將大 量混合了 A的Ar氣體作為濺鍍氣體使用，在膜中大量導入氧，可以形成本發(fā)明的組成范圍 內(nèi)的遮光性薄膜。但是，在這種情況下，在濺鍍氣體中大量混合氧，膜的結(jié)晶性可能降低，所 以必須在得到結(jié)晶膜的氧混合量的條件范圍內(nèi)制造。濺鍍氣體中大量含有A氣降低結(jié)晶 性是因為A氣通過等離子電離，電離為負的氧離子在電場中加速，沖擊膜。在本發(fā)明的薄膜狀遮光板中，遮光性薄膜例如在氬氣氣氛中，使用碳化氧化鈦燒 結(jié)體的濺鍍靶體，通過直流磁控管濺鍍法在樹脂薄膜基材上成膜。放電方式只要是高頻放 電即可，但是直流放電由于可以高速成膜，所以優(yōu)選。為了通過濺鍍法在樹脂薄膜基材上形成碳化氧化鈦膜，制造本發(fā)明的薄膜狀遮光 板，例如可以使用圖3所示的卷繞式濺鍍裝置。該裝置選取的結(jié)構(gòu)是將卷筒狀的樹脂薄膜 基材1安裝在開卷輥5上，通過渦輪分子泵等真空泵6，將作為成膜室的真空槽7內(nèi)部排氣 后，從開卷輥5輸出的薄膜1在中間，通過冷卻罐輥8的表面，通過卷繞輥9卷繞。冷卻罐 輥8的表面對向側(cè)設(shè)置磁控管陰極10，該陰極中安裝成為膜的原料的靶體11。另外，由開 卷輥5、冷卻罐輥8、卷繞輥9等構(gòu)成的薄膜輸送部通過隔板12和磁控管陰極10隔離。首先，將卷筒狀樹脂薄膜基材1安裝在開卷輥5上，通過渦輪分子泵等真空泵6排 出真空槽7內(nèi)的氣體。之后，從開卷輥5供應(yīng)樹脂薄膜基材1，期間，樹脂薄膜基材1通過冷 卻罐輥8的表面，邊通過卷繞輥9卷繞，邊在冷卻罐輥8和陰極間放電，密合到冷卻罐輥表 面進行輸送，在輸送的樹脂薄膜基材1上形成碳化氧化鈦膜。另外，樹脂薄膜基材希望在濺 鍍前，在玻璃化轉(zhuǎn)變溫度前后的溫度下加熱，干燥。本發(fā)明中的濺鍍成膜的氣壓根據(jù)裝置的種類等而異，沒有統(tǒng)一的規(guī)定，例如在 0. 2 0. 8Pa的濺鍍氣壓下，可以采用Ar氣或者混合了 0. 05%以內(nèi)的仏的Ar氣作為濺鍍 氣體使用的方法。由此，由于達到基板(樹脂薄膜)的濺鍍顆粒是高能的，所以在耐熱樹脂薄膜基 材上形成結(jié)晶性的膜，在膜和薄膜間顯現(xiàn)出強力的粘合性。如果成膜時的氣壓不足0. 2Pa, 則由于氣壓低，濺鍍法中的氬等離子不穩(wěn)定，成膜的膜的膜質(zhì)變差。另外，如果不足0.2Pa， 則反沖的氬顆粒將在基板上堆積的膜再次濺鍍成膜的功能變強，容易阻礙形成致密的膜。 另外，在成膜時的氣壓超過0. SPa時，由于到達基板的濺鍍顆粒的能量低，則膜難以結(jié)晶生 長，金屬碳化物膜的顆粒變粗，高致密的結(jié)晶性膜質(zhì)消失，所以和樹脂薄膜基材的密合力變 弱，膜剝落。這種膜無法在耐熱性用途的遮光膜中使用。由此，使用純的Ar氣或混合微量 的化(例如0. 05%以內(nèi))的Ar氣作為濺鍍氣體，可以穩(wěn)定地制造結(jié)晶性優(yōu)異的本發(fā)明的遮 光性薄膜。如果混合0. 以上的O2，則薄膜的結(jié)晶性可能差，所以不優(yōu)選。另外，成膜時的薄膜表面溫度會影響金屬碳化物膜的結(jié)晶性。成膜時的薄膜表面 溫度越高，濺鍍顆粒越容易產(chǎn)生結(jié)晶排列，結(jié)晶性越好。但是，耐熱樹脂薄膜的加熱溫度也 有界限，即使是耐熱性最優(yōu)異的聚酰亞胺薄膜，也必須在表面溫度400°C以下成膜。根據(jù)薄 膜的種類，如果將溫度提高到130°C以上，則超過玻璃化轉(zhuǎn)變點和分解溫度，例如PET等，成 膜時的薄膜表面溫度希望是盡可能低的溫度，例如100°C以下進行。另外，著眼于制造成本， 如果考慮到加熱時間以及加熱所需要的熱能，在盡可能低的溫度下成膜，也可以有效地降 低成本。成膜時的薄膜表面溫度優(yōu)選為90°C以下，更優(yōu)選為85°C以下。另外，成膜時，樹脂薄膜基材由等離子自然加熱。通過調(diào)節(jié)氣壓和輸入靶體的電力以及薄膜輸送速度，通過來自靶體入射基材的熱電子以及等離子的熱輻射，容易將成膜時 的樹脂薄膜基材的表面溫度維持在規(guī)定溫度。氣壓越低，輸入的電力越高，薄膜輸送速度越 慢，則從等離子自然加熱引起的加熱效果越高。成膜時，在使薄膜接觸冷卻罐的情況下，由 于自然加熱的影響，薄膜表面的溫度是遠高于冷卻罐的溫度。但是，在將靶體設(shè)置為與冷 卻罐對向的位置的濺鍍裝置中，自然加熱的薄膜表面溫度由于薄膜邊通過冷卻罐冷卻邊輸 送，所以還很大的依賴于罐的溫度，如果要在成膜時盡可能地利用自然加熱的效果，則有效 的是提高冷卻罐的溫度，延緩輸送速度。金屬碳化物膜的膜厚通過成膜時的薄膜輸送速度 和往靶體輸入的電力控制，輸送速度越慢，或者往靶體輸入的電力越大，膜厚越厚。3.薄膜狀遮光板的結(jié)構(gòu)本發(fā)明的薄膜狀遮光板是在樹脂薄膜基材的一面或兩面上形成遮光性薄膜的結(jié) 構(gòu)，該遮光性薄膜的特征是結(jié)晶性的碳化氧化鈦膜，膜中的含碳量是C/Ti原子數(shù)比為0. 6 以上，膜中的含氧量是以Ο/Ti原子數(shù)比計為0. 2 0. 6，各面上形成的遮光性薄膜的膜厚的 總和為260nm以上，波長400 800nm下的平均光學濃度為4. 0以上。另外，本發(fā)明的薄膜狀遮光板是在樹脂薄膜的兩面上形成遮光性薄膜，在兩面上 形成的遮光性薄膜是相同組成，實質(zhì)上是相同的膜厚，而且各面上形成的遮光性薄膜的膜 厚的總和為260nm以上。將在樹脂薄膜基材的各面上形成的遮光性薄膜的膜厚的總和規(guī)定為260nm以上 是因為薄膜狀遮光板的遮光性很大地依賴于薄膜的膜厚。膜厚的總和只要是260nm以上， 則通過膜可以充分進行光吸收，可以發(fā)揮出完全的遮光性。如果膜厚的總和不足^K)nm，則 光通過膜，無法具有足夠的遮光功能，所以不優(yōu)選。但是，雖然膜厚變厚，遮光性變好，但是 如果超過600nm，則材料成本以及成膜時間增加導致制造成本高，而且膜的應(yīng)力也變大，容 易變形。更優(yōu)選的膜厚是300 500nm。通過使碳化氧化鈦膜為上述這種膜厚，可以實現(xiàn)足 夠的遮光性與低的膜應(yīng)力、低廉的制造成本。圖1表示在一面形成遮光性薄膜的結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的薄膜狀遮光板，圖2表示在兩 面形成遮光性薄膜的結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的薄膜狀遮光板。上述碳化氧化鈦膜2如圖1所示，在 樹脂薄膜基板的一面上形成，但是優(yōu)選如圖2所示，在兩面上形成。在兩面上形成時，更優(yōu) 選各面的膜的材質(zhì)和厚度相同，是以樹脂薄膜基材為中心對稱的結(jié)構(gòu)?；迳闲纬傻谋∧?由于對基板提供應(yīng)力，所以成為變形的重要因素。應(yīng)力引起的變形在成膜之后的遮光性薄 膜就可能發(fā)現(xiàn)，特別是如果加熱到巧5 300°C左右，則變形變大，更加明顯。但是，如上所 述，通過使在基板的兩面上形成的碳化氧化鈦膜的材質(zhì)、膜厚相同，形成以基板為中心的對 稱結(jié)構(gòu)，即使在加熱條件下也可以維持應(yīng)力平衡，容易獲得平板狀的薄膜遮光板。如上所述，在各面上形成的遮光性薄膜的膜厚的總和為260nm以上。通過具有上 述結(jié)構(gòu)，可見光區(qū)域，也就是波長400 SOOnm下的平均光學濃度為4. 0以上，波長400 SOOnm的膜表面的正反射率的平均值低至39%以下。由此，可以獲得作為光學部件有用的 薄膜狀遮光板。這里，所述的光學濃度是表示遮光性的指標，以光學介質(zhì)中的透光率的倒數(shù)的10 為底的對數(shù)表示，在4. 0以上表示完全的遮光性。另外，樹脂薄膜由于柔軟，所以表面上形成的膜容易受到應(yīng)力的影響變形。為了避 免該問題，有效的是在薄膜的兩面上對稱地形成相同組成、膜厚的遮光性薄膜，所以優(yōu)選。
本發(fā)明的薄膜狀遮光板中使用的遮光性薄膜由于具有上述這種組成、結(jié)構(gòu)，所 以膜表面具有導電性。因此，如果作為快門葉片使用，則具有在葉片驅(qū)動時，葉片之間 摩擦時，難以產(chǎn)生靜電，難以吸附粉塵這樣的優(yōu)點。作為難以產(chǎn)生靜電的導電性只要是 IOOkQ/□(讀作千歐姆每平方)以下的表面電阻即可，但是本發(fā)明的薄膜狀遮光板的遮光 膜例如假設(shè)膜厚為lOnm，可以實現(xiàn)3 4k Ω / □的表面電阻，而且即使是以單膜發(fā)揮出足夠 的遮光性的^Onm的膜厚，也可以獲得100 200 Ω / □的表面電阻。樹脂薄膜基材的表面粗糙度如果是0. 15 0. 72 μ m(算術(shù)平均高度)，則可以使 遮光性薄膜在波長400 SOOnm下的光正反射率為1. 5%以下。另外，如果表面粗糙度為 0. 35 0. 72 μ m，則正反射率為0. 8%以下，可以獲得反射非常低的薄膜狀遮光板。這里所述的算術(shù)平均高度(Ra)也稱作算術(shù)平均粗糙度，是從粗糙度曲線，只在其 平均線的方向抽取基準長度，將該抽取部分的從平均線到測定曲線的偏差的絕對值的總量 平均得到的值。基材表面的凹凸可以通過石版印刷(Nanoimprinting)加工或者使用拋丸 材料(shot material)的粗糙處理加工，形成規(guī)定的表面凹凸。粗糙處理時，一般是使用砂 作為拋丸材料的粗糙處理加工，但是拋丸材料并不限于此。將形成金屬遮光膜的樹脂薄膜 作為基材使用時，通過上述方法將樹脂薄膜的表面實現(xiàn)凹凸化是有效的。遮光性薄膜的表面粗糙度(算術(shù)平均高度Ra)與基板的表面粗糙度大致接近，如 果遮光性薄膜的表面粗糙度為0. 15 0. 70 μ m(算術(shù)平均高度)，則遮光性薄膜表面的波 長400 SOOnm下的光正反射率平均為1.5%以下。另外，如果遮光性薄膜的表面粗糙度為 0. 32 0. 70 μ m，則正反射率為0. 8%以下，可以獲得反射非常低的薄膜狀遮光板。4.薄膜狀遮光板的用途本發(fā)明的薄膜狀遮光板為了不產(chǎn)生末端裂痕而進行特定形狀的打孔加工，可以作 為數(shù)碼相機、數(shù)碼相機的固定光圈以及機械快門、以及只通過一定光量的光圈、以及液晶投 影儀的光量調(diào)節(jié)用裝置(自動光圈)的光圈葉片使用。光量調(diào)節(jié)用光圈裝置(自動光圈)的光圈葉片可以使用多個光圈葉片，可以使這 些光圈葉片移動，改變光圈開口直徑，形成能夠調(diào)節(jié)光量的機構(gòu)。圖4是表示穿孔加工本發(fā) 明的薄膜狀遮光板制造的搭載黑色遮光葉片的光量調(diào)節(jié)用光圈裝置的光圈機構(gòu)的示意圖。使用本發(fā)明的薄膜狀遮光板制造的黑色遮光葉片設(shè)置導孔、安裝孔，該安裝孔安 裝于設(shè)置了導向銷和控制銷的基板上，該導向銷與驅(qū)動電機相卡合，該控制銷控制遮光葉 片的移動位置。另外，在基板中央具有燈光通過的開口部，但是根據(jù)光圈裝置的結(jié)構(gòu)，遮光 葉片可以選取各種形狀。使用樹脂薄膜作為基質(zhì)基材的薄膜狀遮光板由于可以使質(zhì)量輕， 所以可以實現(xiàn)驅(qū)動遮光葉片的驅(qū)動部件的小型化以及降低耗電量。液晶投影儀的光量調(diào)節(jié)裝置基于燈光照射產(chǎn)生的加熱明顯。因此，搭載加工本發(fā) 明的薄膜狀遮光板制造的耐熱性和遮光性優(yōu)異的光圈葉片的光量調(diào)節(jié)用裝置是有用的。另 外，在回流工序中裝配固定光圈以及機械式快門、制造透鏡單元時，如果使用加工本發(fā)明的 薄膜狀遮光板得到的固定光圈以及快門，則在回流工序中的加入環(huán)境下，性質(zhì)也不會變化， 所以非常有用。車載監(jiān)視器的透鏡單元內(nèi)的固定光圈雖然在盛夏的陽光的加熱明顯，但是 基于同樣的理由，由本發(fā)明的薄膜狀遮光板制造的固定光圈是有用的。實施例接著，使用實施例、比較例，對本發(fā)明進行具體地說明，但是本發(fā)明并不受到這些
13實施例的限定。遮光性薄膜根據(jù)以下順序成膜。使用圖3所示的卷繞式濺鍍裝置，在樹脂薄膜基材上形成碳化氧化鈦膜。首先，在 冷卻罐輥8的表面對向側(cè)設(shè)置磁控管陰極10，在設(shè)置該陰極10的裝置的陰極中安裝作為膜 的原料的下述碳化氧化鈦靶體11。由開卷輥5、冷卻罐輥8、卷繞輥9等構(gòu)成的薄膜輸送部 通過隔板12和磁控管陰極10隔離。接著，將卷筒狀的樹脂薄膜基材1安裝在開卷輥5上。樹脂薄膜基材在濺鍍前，在真空中通過加熱到70°C的溫度下，在罐輥表面密合輸 送，充分干燥。接著，通過渦輪分子泵等真空泵6，排出真空槽7內(nèi)的氣體后，在冷卻罐輥8和陰極 間放電，邊將樹脂薄膜基材1密合輸送到冷卻罐輥表面邊成膜。此時的冷卻罐輥的設(shè)定溫 度為50°C，靶體和基板的距離為50mm。成膜前的真空槽內(nèi)獲得的真空度為2X 10_4Pa以下。首先，將碳化氧化鈦燒結(jié)體靶體設(shè)置在陰極上，通過直流濺鍍法從該陰極形成碳 化氧化鈦膜。碳化氧化鈦膜使用純氬氣(純度99. 999% )作為濺鍍氣體，在濺鍍氣壓0. 2Pa 下成膜。往靶體輸入1. 2 3. Off/cm2的直流電流密度(靶體的濺鍍面的每單位面積輸入 的直流電流)進行成膜。通過控制成膜時的薄膜輸送速度和往靶體輸入的電流，控制碳化 氧化鈦膜的膜厚。從開卷輥5輸出的樹脂薄膜基材1在中間經(jīng)過冷卻罐輥8的表面，通過 卷繞輥9卷繞。碳化氧化鈦膜濺鍍時的薄膜表面溫度通過貼合到薄膜基材的熱標簽(日油技研 工業(yè)制造)和紅外線反射溫度計測定。紅外放射溫度計從卷繞式濺鍍裝置的石英玻璃的窺 窗測定。另外，得到的耐熱遮光薄膜的評價通過以下方法進行。(膜厚測定)在表面平滑性非常優(yōu)異的PES薄膜(住友一々7 ^卜制造，F(xiàn)ST-U1340，厚度 200 μ m)的小片(50mmX50mm)上通過油性墨水形成記號，使用耐熱膠粘帶(日東電工制造， No. 360UL)貼合到將該小片輸送成膜的卷筒狀樹脂薄膜上。成膜后，通過乙醇溶解油墨的標 記部分，除去在標記上成膜的膜。這樣形成的膜的級差使用級差-表面粗糙-微細形狀測 定裝置(KLA-Tencor Japan 制造，Alpha-St印 IQ)測定。(遮光膜的組成)得到的膜的組成(C/Ti原子數(shù)比、O/Ti原子數(shù)比)通過XPS (VG Scientific公司 制造的ESCALAB220i-XL)定量分析。另外，在定量分析時，濺鍍蝕刻膜的表面為20 30nm 后，分析膜內(nèi)部的組成。(遮光膜的結(jié)晶性)膜的結(jié)晶性在利用CuKa射線的X射線衍射測定進行評價。(膜的反射率和透光率)波長400 SOOnm的膜的反射率和透光率通過分光光度計(日本分光社制造的 V-570)測定，從透光率算出光學濃度。作為遮光性的指標的光學濃度通過下式換算為分光光度計測定的透光率(T)。光 學濃度必須為4以上，最大反射率必須不足10%。光學濃度=Log(l/T)(表面粗糙度)
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樹脂薄膜基材和該基材上得到的遮光性薄膜的表面粗糙度(算術(shù)平均高度)通過 表面粗糙度計((株)東京精密制造，寸一 7 二 κ 570A)測定。(膜的表面電阻)得到的遮光膜的表面電阻使用電阻率計(夕7 4 > 7 7 > j > 7制造的 Loresta-EP MCP-T360)，通過四探針法測定。表面電阻為IOOk Ω / □以下時，判斷導電性良好。(耐熱性)關(guān)于膜的耐熱性是在大氣烘箱中，在270°C下進行1小時的條件下進行加熱處理， 檢查膜的著色有無變化。(粘合性)對膜的薄膜基材通過JIS C0021 (橫切試驗)評價，在產(chǎn)生膜剝離時為X，膜沒有 剝離時為〇。(碳化氧化鈦燒結(jié)體靶體)使用C/Ti原子數(shù)比為0. 44 1. 2Κ0/Τ 原子數(shù)比為0. 10 0. 61的組成不同的 碳化氧化鈦燒結(jié)體靶體(6英寸Φ X 5mmt,純度4N)。碳化氧化鈦靶體由氧化鈦、碳化鈦和金屬鈦的粉末混合物通過熱壓法制造。通過 改變各原料的混合比例，可以制造各種c/Ti原子數(shù)比、0/Ti原子數(shù)比的碳化氧化鈦靶體。 制造的燒結(jié)體的組成通過濺鍍法削去燒結(jié)體剖面的表面后，通過XPS (VG Scientific公司 制造的ESCALAB220i-XL)進行定量分析。(實施例1 5，比較例1 3)使用薄膜表面的粗糙度(Ra)為0.05 μ m，厚度為25 μ m的聚酰亞胺(PI)薄膜，通 過前述成膜順序，在非加熱的基板上形成規(guī)定膜厚的膜。通過相同的制法在薄膜的兩面形 成相同膜厚、相同組成的碳化氧化鈦膜。成膜時的基板表面的溫度通過貼合到薄膜基材的 熱標簽(日油技研工業(yè)制造)和反射溫度計測定。成膜時的基板表面溫度都是80 85°C。在表1中表示這樣在聚酰亞胺(PI)薄膜基板上形成碳化氧化鈦膜，制造薄膜狀遮 光板的結(jié)果。在表中，匯集膜的制造使用的燒結(jié)體靶體的組成與成膜條件、得到的膜的組 成、各面的膜厚的總和、波長400 800nm下的膜的正反射率的平均值、波長400 800nm 下的光學濃度的平均值、膜表面的粗糙度(Ra)、表面電阻、大氣加熱時的著色變化。
權(quán)利要求
1.一種薄膜狀遮光板，該薄膜狀遮光板是在樹脂薄膜基材(A)的至少一面上形成由結(jié) 晶性碳化氧化鈦膜形成的遮光性薄膜(B)而得到的，其特征在于遮光性薄膜(B)的碳量以 C/Ti原子數(shù)比計為0. 6以上，且氧量以Ο/Ti原子數(shù)比計為0. 2 0. 6，而且遮光性薄膜(B) 的膜厚的總和為260nm以上，波長400 800nm下的平均光學濃度為4. 0以上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所記載的薄膜狀遮光板，其特征在于遮光性薄膜(B)的膜厚總和 是 260 500nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所記載的薄膜狀遮光板，其特征在于樹脂薄膜基材(A)是選自聚 對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚萘二甲酸乙二醇脂(PEN)、聚酰亞胺(PI)、芳族 聚酰胺(PA)、聚苯硫醚(PPQ或聚醚砜(PES)的一種以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所記載的薄膜狀遮光板，其特征在于樹脂薄膜基材(A)是即使在 200°C以上的溫度下也具有耐熱性的選自聚酰亞胺(PI)、芳族聚酰胺(PA)、聚苯硫醚(PPS) 或聚醚砜(PES)的基材。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所記載的薄膜狀遮光板，其特征在于樹脂薄膜基材(A)的膜厚是 38 μ m以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所記載的薄膜狀遮光板，其特征在于樹脂薄膜基材(A)的厚度是 25 μ m以下。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所記載的薄膜狀遮光板，其特征在于在樹脂薄膜基材(A)的兩面 上形成有遮光性薄膜(B)，兩面的遮光性薄膜(B)具有實質(zhì)上相同的組成、膜厚。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所記載的薄膜狀遮光板，其特征在于遮光性薄膜(B)的表面是導 電性的。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所記載的薄膜狀遮光板，其特征在于在波長400 SOOnm下，遮光 性薄膜(B)的表面的光正反射率平均為39%以下。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所記載的薄膜狀遮光板，其特征在于遮光性薄膜(B)的表面粗糙 度是0. 15 0. 70 μ m(算術(shù)平均高度)。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所記載的薄膜狀遮光板，其特征在于在波長400 SOOnm下，遮 光性薄膜(B)的表面的光正反射率平均為1.5%以下。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所記載的薄膜狀遮光板，其特征在于遮光性薄膜(B)的表面粗 糙度是0. 32 0. 70 μ m (算術(shù)平均高度)。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所記載的薄膜狀遮光板，其特征在于在波長400 SOOnm下，遮 光性薄膜(B)的表面的光正反射率平均為0.8%以下。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所記載的薄膜狀遮光板，其特征在于樹脂薄膜基材(A)在濺鍍裝 置的薄膜輸送部被設(shè)置成卷筒狀后，從開卷部往卷繞部卷繞時，通過濺鍍法在樹脂薄膜基 材(A)表面上形成遮光性薄膜(B)。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所記載的薄膜狀遮光板，其特征在于遮光性薄膜(B)通過使用碳 化氧化鈦燒結(jié)體靶體的濺鍍法，在樹脂薄膜基材(A)上形成。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所記載的薄膜狀遮光板，其特征在于碳化氧化鈦燒結(jié)體靶體以 C/Ti原子數(shù)比為0. 6以上的比例含有碳，以Ο/Ti原子數(shù)比為0. 17 0. 53的比例含有氧。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所記載的薄膜狀遮光板，其特征在于濺鍍時的樹脂薄膜基材(A) 的表面溫度為100°C以下。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所記載的薄膜狀遮光板，其特征在于在270°C的高溫環(huán)境下具有 耐熱性。
19.一種光圈，該光圈是通過對權(quán)利要求1 18任一項所記載的薄膜狀遮光板進行加 工而形成的。
20.一種光量調(diào)節(jié)用光圈裝置，該光圈裝置是使用通過對權(quán)利要求1 18任一項所記 載的薄膜狀遮光板進行加工而得到的葉片材料形成的。
21.一種快門，該快門是使用通過對權(quán)利要求1 18任一項所記載的薄膜狀遮光板進 行加工而得到的葉片材料形成的。
全文摘要
本發(fā)明提供一種薄膜狀遮光板、進而適用于該薄膜狀遮光板的數(shù)碼相機、數(shù)碼攝像機的光圈、投影儀的光量調(diào)節(jié)用光圈裝置或者快門，該薄膜狀遮光板將可以廣泛適用于光學部件的、具有在可見光區(qū)域中的足夠遮光性和低反射性的遮光性薄膜形成在作為基質(zhì)基材的該樹脂薄膜上而得到的。提供一種薄膜狀遮光板，該薄膜狀遮光板是在樹脂薄膜基材(A)的至少一面上形成由結(jié)晶性碳化氧化鈦膜形成的遮光性薄膜(B)而得到的薄膜狀遮光板，其特征在于遮光性薄膜(B)的碳量以C/Ti原子數(shù)比計為0.6以上，且氧量以O(shè)/Ti原子數(shù)比計為0.2～0.6，而且遮光性薄膜(B)的膜厚的總和為260nm以上，波長400～800nm下的平均光學濃度為4.0以上。
文檔編號G03B9/10GK102066988SQ20098012387
公開日2011年5月18日 申請日期2009年4月27日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月27日
發(fā)明者塚越幸夫, 小野勝史, 阿部能之 申請人:住友金屬礦山株式會社