專利名稱：一種晶體倍頻器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及激光領(lǐng)域，尤其涉及晶體倍頻器領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
在非線性晶體中，尤其是晶體倍頻器，由于晶體性質(zhì)的差異性，有些晶體
表面所鍍的光學(xué)膜層容易損傷，如LB0晶體，其表面所鍍光學(xué)膜層容易出現(xiàn)變 形、開裂等問題。為了減少膜層應(yīng)力效應(yīng)，人們往往只在晶體表面鍍一層筒單 的保護(hù)膜，同時(shí)采用布儒斯特端面來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體的非線性應(yīng)用。但由于入射晶體 光方向與出射晶體光方向有較大角度，使用起來(lái)很不方便。
實(shí)用新型內(nèi)容
針對(duì)上述問題，本實(shí)用新型將采用布儒斯特端面加工的倍頻或和頻晶體放 置在有布儒斯特角支架中，并與 一對(duì)含有布儒斯特楔角的窗口片膠合在一起， 構(gòu)成倍頻器。本實(shí)用新型的具體方案是
本實(shí)用新型的晶體倍頻器包括
非線性晶體，所述的非線性晶體是兩通光面為布儒斯特斜面的布儒斯特片， 并放置于支架中；
支架，所述的支架是低溫度膨脹系數(shù)的剛性支架，并包裹所述的非線性晶
體；
第一窗口片，所述的第一窗口片是一通光面為布儒斯特斜面、另一通光面 為平面的晶體片，其布儒斯特斜面與所述的非線性晶體的布儒斯特斜面平行或
接近平行放置；第二窗口片，所述的第二窗口片是一通光面為布儒斯特斜面、另一通光面 為平面的晶體片，其布儒斯特斜面與所述的非線性晶體的布儒斯特斜面平行或
接近平行放置；
所述的支架、第一窗口片和第二窗口片形成保護(hù)盒結(jié)構(gòu)。
進(jìn)一步的，所述的支架和第一窗口片以及所述的支架和第二窗口片之間通 過(guò)粘結(jié)膠膠合成密封的保護(hù)盒結(jié)構(gòu)。
進(jìn)一步的，所述的非線性晶體通光面上鍍有膜層或者不鍍有膜層。
進(jìn)一步的，所述的非線性晶體為i類相位匹配晶體、n類相位匹配晶體或 和頻晶體。所述的晶體可為易潮解晶體或各軸向熱膨脹系數(shù)相差較大晶體，也
可為普通晶體。
進(jìn)一步的，所述的第一窗口片鍍有基波增透膜及倍頻光高的反射膜，所述 的第二窗口片鍍有基波高反射膜及倍頻光部分增透膜。
進(jìn)一步的，所述的第一窗口片和第二窗口片是折射率與所述的非線性晶體 相當(dāng)?shù)木w片。
本實(shí)用新型的晶體倍頻器可用于腔外倍頻，也可用于腔內(nèi)倍頻，尤其可用 于高功率情況。
本實(shí)用新型采用如上技術(shù)方案，利用密封結(jié)構(gòu)可保護(hù)晶體端面不易受潮， 污染，同時(shí)利用晶體的布儒斯特角減少激光損耗，同時(shí)使入射光與出射光基本 共線，方便調(diào)節(jié)。

圖i是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式

.現(xiàn)結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說(shuō)明。參閱圖l所示，本實(shí)用新型的晶體倍頻器包括
非線性晶體101，所述的非線性晶體101是兩通光面為布儒斯特斜面的布儒 斯特片，并放置于支架102中；
支架102，所述的支架102是低溫度膨脹系數(shù)的剛性支架，并包裹所述的非 線性晶體101;所述的支架102的材料可為金屬，陶瓷或玻璃等。
第一窗口片103A,所述的第一窗口片103A是一通光面為布儒斯特斜面、另 一通光面為平面的晶體片，其布儒斯特斜面與所述的非線性晶體101的布儒斯 特斜面平行或接近平行放置；
第二窗口片103B,所述的第二窗口片103B是一通光面為布儒斯特斜面、另 一通光面為平面的晶體片，其布儒斯特斜面與所述的非線性晶體101的布儒斯 特斜面平行或接近平行放置；
所述的支架102、第一窗口片103A和第二窗口片103B形成保護(hù)盒結(jié)構(gòu)。
進(jìn)一步的，所述的第一窗口片103A的通關(guān)面Sl鍍有基波增透膜及倍頻光 高的反射膜，所述的第二窗口片103B的通關(guān)面S2鍍有基波高反射膜及倍頻光 部分增透膜?；ü膺M(jìn)入第一窗口片103A后，最終可獲得平行的倍頻光從第二 窗口片103B輸出。
進(jìn)一步的，所述的支架102和第一窗口片103A以及所述的支架102和第二 窗口片103B之間通過(guò)粘結(jié)膠104膠合成密封的保護(hù)盒結(jié)構(gòu)?？梢苑乐狗蔷€性晶 體101表面被污染或潮解，從而延長(zhǎng)倍頻晶體的使用壽命。
進(jìn)一步的，所述的非線性晶體101通光面上鍍有膜層或者不鍍有膜層。 進(jìn)一步的，所述的非線性晶體101為I類相位匹配晶體、II類相位匹配晶 體或和頻晶體。所述的晶體101可為易潮解晶體或各軸向熱膨脹系數(shù)相差較大晶體，也可為普通晶體。
進(jìn)一步的，所述的第一窗口片103A和第二窗口片103B是折射率與所述的 非線性晶體101相當(dāng)?shù)木w片。
本實(shí)用新型的倍頻器外型可以是長(zhǎng)方型，正方形或圓型等各種實(shí)際應(yīng)用所 需的結(jié)構(gòu)，第一窗口片103A、第二窗口片10犯和支架102根據(jù)需要制作成相應(yīng) 結(jié)構(gòu)。
盡管結(jié)合優(yōu)選實(shí)施方案具體展示和介紹了本實(shí)用新型，但所屬領(lǐng)域的技術(shù) 人員應(yīng)該明白，在不脫離所附權(quán)利要求書所限定的本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi)， 在形式上和細(xì)節(jié)上可以對(duì)本實(shí)用新型做出各種變化，均為本實(shí)用新型的保護(hù)范 圍。
權(quán)利要求1.一種晶體倍頻器，其特征在于包括非線性晶體(101)，所述的非線性晶體(101)是兩通光面為布儒斯特斜面的布儒斯特片，并放置于支架(102)中；支架(102)，所述的支架(102)是低溫度膨脹系數(shù)的剛性支架，并包裹所述的非線性晶體(101)；第一窗口片(103A)，所述的第一窗口片(103A)是一通光面為布儒斯特斜面、另一通光面為平面的晶體片，其布儒斯特斜面與所述的非線性晶體(101)的布儒斯特斜面平行或接近平行放置；第二窗口片(103B)，所述的第二窗口片(103B)是一通光面為布儒斯特斜面、另一通光面為平面的晶體片，其布儒斯特斜面與所述的非線性晶體(101)的布儒斯特斜面平行或接近平行放置；所述的支架(102)、第一窗口片(103A)和第二窗口片(103B)形成保護(hù)盒結(jié)構(gòu)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體倍頻器，其特征在于所述的支架(102)和第 一窗口片(103A)以及所述的支架(102)和第二窗口片(103B)之間通過(guò)粘結(jié) 膠(104)膠合成密封的保護(hù)盒結(jié)構(gòu)。
3. 根椐權(quán)利要求l所述的晶體倍頻器，其特征在于所述的非線性晶體(101) 通光面上鍍有膜層或者不鍍有膜層。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的晶體倍頻器，其特征在于所述的非線性晶體(101) 為I類相位匹配晶體、II類相位匹配晶體或和頻晶體。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體倍頻器，其特征在于所述的第一窗口片(103A) 鍍有基波增透膜及倍頻光高的反射膜，所述的第二窗口片(103B)鍍有基波高反射膜及倍頻光部分增透膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體倍頻器，其特征在于所述的第一窗口片(103A) 和第二窗口片(103B)是折射率與所述的非線性晶體(101)相當(dāng)?shù)木w片。
專利摘要本實(shí)用新型涉及激光領(lǐng)域，尤其涉及晶體倍頻器領(lǐng)域。本實(shí)用新型的晶體倍頻器包括非線性晶體，所述的非線性晶體是兩通光面為布儒斯特斜面的布儒斯特片，并放置于支架中；支架，所述的支架是低溫度膨脹系數(shù)的剛性支架，并包裹所述的非線性晶體；第一窗口片，所述的第一窗口片是一通光面為布儒斯特斜面、另一通光面為平面的晶體片，其布儒斯特斜面與所述的非線性晶體的布儒斯特斜面平行或接近平行放置；第二窗口片對(duì)稱放置；所述的支架、第一窗口片和第二窗口片形成保護(hù)盒結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型采用如上技術(shù)方案，利用密封結(jié)構(gòu)可保護(hù)晶體端面不易受潮，污染，同時(shí)利用晶體的布儒斯特角減少激光損耗，同時(shí)使入射光與出射光基本共線，方便調(diào)節(jié)。
文檔編號(hào)G02F1/35GK201397437SQ20092013849
公開日2010年2月3日 申請(qǐng)日期2009年5月19日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月19日
發(fā)明者凌吉武, 盧秀愛, 礪 吳, 陳衛(wèi)民, 陳燕平 申請(qǐng)人:福州高意通訊有限公司