專利名稱：像素結(jié)構(gòu)及具有此像素結(jié)構(gòu)的顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種像素結(jié)構(gòu)及具有此像素結(jié)構(gòu)的顯示面板，尤其涉及一種采用聚合 物穩(wěn)定配向(Ploymer Stabilized Alignment, PSA)技術(shù)的像素結(jié)構(gòu)及具有此像素結(jié)構(gòu)的 顯示面板。
背景技術(shù)：
在顯示器的發(fā)展上，隨著光電技術(shù)與半導(dǎo)體制造技術(shù)的進(jìn)步，具有高畫質(zhì)、空間利 用效率佳、低消耗功率、無輻射等優(yōu)越特性的液晶顯示器已逐漸成為市場的主流。
液晶顯示器包括了背光模塊以及液晶顯示面板，而傳統(tǒng)液晶顯示面板是由兩基板 以及填于兩基板之間的一液晶層所構(gòu)成。 一般而言，在液晶顯示面板的制造過程中，都會 在兩基板上形成配向膜，以使液晶分子具有特定的排列?，F(xiàn)有形成配向膜的方法是先涂布 配向材料之后，再對配向材料進(jìn)行配向工藝。而配向工藝可以分成接觸式配向工藝以及非 接觸式配向工藝。雖然非接觸式配向工藝可解決接觸式磨擦配向產(chǎn)生的靜電問題及粒子 (particle)污染等問題，但是其往往會發(fā)生配向表面的錨定能不足的問題。而如果配向表 面的錨定能不足，將往往導(dǎo)致液晶顯示面板的顯示品質(zhì)不佳。 為解決上述問題，目前已提出 一 種聚合物穩(wěn)定配向(Ploymer StabilizedAlignment， PSA)的技術(shù)。此技術(shù)乃是在液晶材料中摻入適當(dāng)濃度的單體化 合物(monomer)并且震蕩均勻。接著，將混合后的液晶材料置于加熱器上加溫到達(dá)等向 性(Isotropy)狀態(tài)。然后，當(dāng)液晶混合物降溫25t:室溫時，液晶混合物會回到向列型 (nematic)狀態(tài)。此時將液晶混合物注入至液晶盒并施予電壓。當(dāng)施加電壓使液晶分子排 列穩(wěn)定時，則使用紫外光或加熱的方式讓單體化合物進(jìn)行聚合反應(yīng)以成聚合物層，由此達(dá) 到穩(wěn)定配向的目的。 —般來說，在PSA的液晶顯示面板中，會在像素結(jié)構(gòu)的像素電極形成具有不同延 伸方向的配向狹縫，以在此像素結(jié)構(gòu)中形成多種配向領(lǐng)域(Domains)。另外，一般在像素結(jié) 構(gòu)的像素電極下方也會設(shè)置電容電極，以使像素電極與電容電極產(chǎn)生電性耦合，其中，像素 電極會完全覆蓋下方的電容電極。也就是說，像素電極的寬度會大于電容電極的寬度。而 且此電容電極除了可以與像素電極產(chǎn)生電性耦合以儲存此像素結(jié)構(gòu)的電信號之外，其也可 以同時遮蔽兩個配向領(lǐng)域的交界區(qū)域。然而，使用上述的像素結(jié)構(gòu)的顯示面板往往會發(fā)現(xiàn) 在電容電極處有異常的錯向線(Disclination Line)，進(jìn)而造成顯示面板的顯示品質(zhì)受到 影響。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)以及具有此種像素結(jié)構(gòu)的顯示面板，其可以解決傳統(tǒng)使 用PSA技術(shù)的顯示面板容易在電容電極處有異常的錯向線(Disclination Line)的問題。
本發(fā)明提出一種像素結(jié)構(gòu)，其包括基板、掃描線、數(shù)據(jù)線、主動元件、電容電極以及 像素電極?；寰哂邢袼貐^(qū)。掃描線與數(shù)據(jù)線位于基板上。主動元件與掃描線以及數(shù)據(jù)線電連接。電容電極位于基板上。像素電極位于像素區(qū)內(nèi)且與主動元件電連接，其中像素電 極包括第一延伸部、第二延伸部以及分支部。第一延伸部設(shè)置于電容電極的上方以與電容 電極電性耦合，其中電容電極未被第一延伸部完全覆蓋。第二延伸部與第一延伸部的延伸 方向不同。分支部自第一延伸部與第二延伸部向像素區(qū)的邊緣延伸。 本發(fā)明另提出一種顯示面板，其包括第一基板、第二基板以及顯示介質(zhì)。第一基板 上具有多個像素結(jié)構(gòu)，且每一像素結(jié)構(gòu)如上所述。第二基板位于第一基板的對向。顯示介 質(zhì)位于第一基板與第二基板之間。 基于上述，因本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)中，與電容電極產(chǎn)生電性耦合的像素電極的寬度 小于電容電極的寬度，或是與電容電極產(chǎn)生電性耦合的像素電極中設(shè)計有開口，以使電容 電極未被像素電極所完全覆蓋。因此在電容電極上方的液晶分子會因為這樣的設(shè)計而改變 其排列方式，因而可以避免在電容電極處有異常的錯向線(Disclination Line)的問題。


圖1是根據(jù)本發(fā)明一實施例的顯示面板的剖面示意圖； 圖2A是根據(jù)本發(fā)明一實施例的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖； 圖2B是圖2A的像素結(jié)構(gòu)中的像素電極的示意圖； 圖3是沿著圖2A的剖面線I-I'的剖面示意圖； 圖4A是根據(jù)本發(fā)明一實施例的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖； 圖4B是圖4A的像素結(jié)構(gòu)中的像素電極的示意圖； 圖5是沿著圖4A的剖面線II-II'的剖面示意圖； 圖6A是根據(jù)本發(fā)明一實施例的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖； 圖6B是圖6A的像素結(jié)構(gòu)中的像素電極的示意圖； 圖7A是根據(jù)本發(fā)明一實施例的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖； 圖7B是圖7A的像素結(jié)構(gòu)中的像素電極的示意圖； 圖8A是根據(jù)本發(fā)明一實施例的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖； 圖8B是圖8A的像素結(jié)構(gòu)中的像素電極的示意圖； 圖9A是根據(jù)本發(fā)明一實施例的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖； 圖9B是圖9A的像素結(jié)構(gòu)中的像素電極的示意圖。 附圖標(biāo)號 100 :第一基板 102 :像素陣列層 110:第二基板 112:電極層 150 :顯示介質(zhì) SL:掃描線 DL :數(shù)據(jù)線 T :主動元件 G :柵極 S :源極
D :漏極 CH :通道層 P:像素電極 C1、C2:接觸窗 202:電容電極(第 204:電容電極(第 206:上電極圖案 210a :第一延伸部 210b :第二延伸部 210c :分支部 212、214:開口
具體實施例方式
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳 細(xì)說明如下。 圖1是根據(jù)本發(fā)明一實施例的顯示面板的剖面示意圖。請先參照圖l，本實施例的 顯示面板包括第一基板100、第二基板110以及位于第一基板100與第二基板110之間的顯 示介質(zhì)150。 第一基板100的材質(zhì)可為玻璃、石英、有機聚合物或是金屬等等。第一基板100上 包括設(shè)置有像素陣列層102，所述像素陣列層102是由多個像素結(jié)構(gòu)所構(gòu)成。而有關(guān)像素陣 列層102中的像素結(jié)構(gòu)將于后續(xù)段落作詳細(xì)說明。 第二基板110的材質(zhì)可為玻璃、石英或有機聚合物等等。在一實施例中，第二基板 IIO上可包括設(shè)置有電極層112。電極層112為透明導(dǎo)電層，其材質(zhì)包括金屬氧化物，例如 是銦錫氧化物或者是銦鋅氧化物。電極層112是全面地覆蓋于第二基板110上。此外，根 據(jù)本發(fā)明的另一實施例，第二基板110上可更包括設(shè)置有彩色濾光陣列(未繪示)，其包括 紅、綠、藍(lán)色濾光圖案。另外，第二基板110上更可包括設(shè)置遮光圖案層(未繪示)，其又可 稱為黑矩陣，其設(shè)置于彩色濾光陣列的圖案之間。 顯示介質(zhì)150包括液晶分子。由于本實施例的顯示面板為使用PSA技術(shù)的顯示面 板，因此在顯示介質(zhì)150中除了液晶分子之外，還包括單體化合物。換言之，在此顯示面板 尚未進(jìn)行單體化合物的熟化程序時，顯示介質(zhì)150中包含有液晶分子以及單體化合物。當(dāng) 此顯示面板在進(jìn)行單體化合物的熟化程序時，單體化合物會進(jìn)行聚合反應(yīng)而在像素陣列層 102以及電極層112的表面形成聚合物薄膜。因此當(dāng)此顯示面板在進(jìn)行單體化合物的熟化 程序之后，此時顯示介質(zhì)150主要為液晶分子。 接下來，將針對第一基板100上的像素陣列層102作詳細(xì)說明。承上所述，像素陣 列層102是由多個像素結(jié)構(gòu)所構(gòu)成，在本實施例中，每一像素結(jié)構(gòu)的設(shè)計如圖2A所示，圖2B 為圖2A中的像素電極的示意圖，圖3為圖2A中沿著剖面線I-I'的剖面示意圖。請參照圖 2A、圖2B及圖3，在本實施例中，像素結(jié)構(gòu)包括掃描線SL以及數(shù)據(jù)線DL、主動元件T、電容電 極202，204、上電極圖案206以及像素電極P。 掃描線SL及數(shù)據(jù)線DL位于第一基板上100。掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL的延伸方向
一方向延伸部) 二方向延伸部)
6不相同。在本實施例中，相鄰的兩條掃描線SL及相鄰的兩條數(shù)據(jù)線DL之間所定義出的區(qū) 域又可稱為像素區(qū)。此外，掃描線SL以及數(shù)據(jù)線DL是位于不同的膜層，且兩者之間夾有絕 緣層(未標(biāo)示于圖2A中)。掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL主要用來傳遞驅(qū)動此像素結(jié)構(gòu)的驅(qū)動信 號。 主動元件T與掃描線SL以及數(shù)據(jù)線DL電連接。在此，主動元件T例如是薄膜晶 體管，其包括柵極G、通道層CH、源極S以及漏極D。柵極G與掃描線SL電連接，源極S與數(shù) 據(jù)線DL電連接。通道層CH位于柵極的上方并且位于源極S與漏極D的下方。本實施例的 主動元件T是以底部柵極型薄膜晶體管為例來說明，但本發(fā)明不限于此。在其他的實施例 中，主動元件T也可以是頂部柵極型薄膜晶體管。 電容電極202,204是位于第一基板100上。在本實施例中，電容電極202的延伸 方向?qū)嵸|(zhì)上與掃描線SL平行，且電容電極204的延伸方向?qū)嵸|(zhì)上與數(shù)據(jù)線DL平行。因此， 電容電極202又可稱為第一方向延伸部，且電容電極204又稱為第二方向延伸部。在本實 施例中，電容電極202， 204是與掃描線SL同時形成，因此電容電極202， 204與掃描線SL屬 于同一膜層。根據(jù)本發(fā)明的一實施例，各像素結(jié)構(gòu)中的電容電極202,204是電連接至共同 電壓。 在本實施例中，電容電極的第一方向延伸部202與電容電極的第二方向延伸部 204彼此垂直設(shè)置以構(gòu)成"十"字形結(jié)構(gòu)。然，本發(fā)明不限于此，根據(jù)其他實施例，電容電極 的第一方向延伸部202與電容電極的第二方向延伸部204亦可以構(gòu)成其他種形狀的結(jié)構(gòu)。 也就是說，電容電極的第一方向延伸部202與電容電極的第二方向延伸部204交錯，上述方 向延伸部202、204所交錯的角度大于零度且小于等于180度。另外，值得一提的是，電容電 極的第一方向延伸部202與電容電極的第二方向延伸部204另外也可以同時作為遮蔽線的 作用，以使位于電容電極的第一方向延伸部202與電容電極的第二方向延伸部204上方的 液晶分子的傾倒而產(chǎn)生的顯示現(xiàn)象不會被人眼看到。 上電極圖案206設(shè)置于電容電極的202上方，更詳細(xì)來說，上電極圖案206設(shè)置于 電容電極的第一方向延伸部202上方。在本實施例中，上電極圖案206與電容電極202兩 者重疊設(shè)置，且兩者之間夾有絕緣層211 (如圖3所示)，用以使上電極圖案206與電容電 極202兩者電性隔離。在本實施例中，上電極圖案206是在形成數(shù)據(jù)線DL時同時形成，因 此上電極圖案206與數(shù)據(jù)線DL是屬于同一膜層。 像素電極P與主動元件T電連接。在本實施例中，像素電極P是與主動元件T的漏 極D電連接。更詳細(xì)而言，在像素電極P與主動元件T的漏極D兩者重疊之處更包括設(shè)置 有一接觸窗Cl，以使像素電極P與漏極D電連接。另外，像素電極P覆蓋住電容電極202， 204以及上電極圖案206，且像素電極P與上電極圖案206之間夾有絕緣層213 (如圖3所 示)。另外，在像素電極P與上電極圖案206之間形成有接觸窗C2，以使像素電極P與上電 極圖案206電連接。換言之，通過接觸窗C2可使像素電極P與上電極圖案206共電位。因 此上電極圖案206與電容電極202之間可產(chǎn)生電性耦合關(guān)系，以使像素電極P的電荷儲存 于此處，如此便可構(gòu)成像素結(jié)構(gòu)的儲存電容器。 特別是，像素電極P包括第一延伸部210a、第二延伸部210b以及分支部210c。第 一延伸部210a設(shè)置于電容電極的第一方向延伸部202的上方。第二延伸部210b設(shè)置于電 容電極的第二方向延伸部204的上方，且第二延伸部210b與第一延伸部210a的延伸方向不相同。也就是說，第一延伸部210a的延伸方向會配合電容電極的第一方向延伸部202，而 第二延伸部210b的延伸方向會配合電容電極的第二方向延伸部204。在本實施例中，第二 延伸部210b的延伸方向與第一延伸部210a的延伸方向垂直，但本發(fā)明不限于此。也就是 說，第一方向延伸部210a與第二方向延伸部210b交錯，上述第一及第二方向延伸部210a、 210b所交錯的角度大于零度且小于等于180度。分支部210c則是自第一延伸部210a與第 二延伸部210b向像素區(qū)的邊緣(也就是掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL邊緣)延伸。由于本實施 例的像素電極P的第二延伸部210b與第一延伸部210a的延伸方向垂直，因此像素電極的 分支部210c自第一延伸部210a與第二延伸部210b往四個方向延伸。在本實施例中，像素 電極P的每一分支部210c與第一延伸部210a及第二延伸部210b之間各自具有一銳角夾 角。此銳角夾角例如是45度或是40度或是其他合適的角度。如此，可以在像素結(jié)構(gòu)P上 形成多個配向領(lǐng)域。 值得注意的是，電容電極的第一方向延伸部202未被像素電極P的第一延伸部 210a完全覆蓋，且電容電極的第二方向延伸部204未被像素電極P的第二延伸部210b完 全覆蓋。換言之，分支部210c更延伸至電容電極的第一方向延伸部202以及電容電極的第 二方向延伸部204的上方。在本實施例中，像素電極P的第一延伸部210a的寬度d3以及 第二延伸部210b的寬度d5實質(zhì)上各自小于電容電極的第一方向延伸部202的寬度dl與 第二方向延伸部204的寬度d4，以使分支部210c更延伸至電容電極的第一方向延伸部202 以及電容電極的第二方向延伸部204的上方。 另夕卜，根據(jù)本發(fā)明的一實施例，上述的像素電極P的第一延伸部210a的寬度d3實 質(zhì)上小于上電極圖案206的寬度d2，以使部分的分支部210c延伸至上電極圖案206的上 方。換言之，此實施例更進(jìn)一步使上電極圖案206未被像素電極P的第一延伸部210a完全 覆蓋。 在上述圖2A與圖2B的實施例中，是將像素電極P的第一延伸部210a的寬度d3 以及第二延伸部210b的寬度d5分別設(shè)計成實質(zhì)上小于電容電極的第一方向延伸部202的 寬度dl與第二方向延伸部204的寬度d4，甚至將像素電極P的第一延伸部210a的寬度d3 設(shè)計成實質(zhì)上小于上電極圖案206的寬度d2。然，本發(fā)明不限于此，在其他的實施例中，亦 可以僅將像素電極P的第一延伸部210a的寬度d3設(shè)計成實質(zhì)上小于電容電極的第一方向 延伸部202的寬度dl，以使部分的分支部210c延伸至電容電極的第一方向延伸部202上 方，甚至將像素電極P的第一延伸部210a的寬度d3設(shè)計成實質(zhì)上小于上電極圖案206的 寬度d2，以使部分的分支部210c延伸至上電極圖案206上方。在另一實施例中，亦可以僅 將像素電極P的第二延伸部210b的寬度d5設(shè)計成實質(zhì)上小于電容電極的第二方向延伸部 204的寬度d4，以使部分的分支部210c延伸至電容電極的第二方向延伸部204上方。
上述實施例是將像素電極P的第一延伸部210a的寬度d3及/或第二延伸部210b 的寬度d5設(shè)計成實質(zhì)上小于電容電極的第一方向延伸部202的寬度dl及/或第二方向延 伸部204的寬度d4，甚至將像素電極P的第一延伸部210a的寬度d3設(shè)計成實質(zhì)上小于上 電極圖案206的寬度d2，以使得電容電極的第一方向延伸部及/或第二方向延伸部未被像 素電極的第一延伸部及/或第二延伸部完全覆蓋。因此當(dāng)使用此種像素結(jié)構(gòu)的顯示面板 時，位于電容電極的第一方向延伸部202及/或第二方向延伸部204上方的液晶分子的傾 倒或排列將因為電容電極與像素電極/上電極圖案之間的電壓作用而有所改變，進(jìn)而解決傳統(tǒng)PSA顯示面板在電容電極處有異常的錯向線(Disclination Line)的問題。
另外，上述實施例是將像素電極P的第一延伸部210a的寬度d3及/或第二延伸 部210b的寬度d5設(shè)計成實質(zhì)上小于電容電極的第一方向延伸部202的寬度dl及/或第 二方向延伸部204的寬度d4，甚至將像素電極P的第一延伸部210a的寬度d3設(shè)計成實質(zhì) 上小于上電極圖案206的寬度d2，以使得電容電極的第一方向延伸部及/或第二方向延伸 部未被像素電極的第一延伸部及/或第二延伸部完全覆蓋。然，本發(fā)明不限于此，根據(jù)其他 實施例，亦可以對像素電極P的第一延伸部210a及/或第二延伸部210b作其他種設(shè)計，以 達(dá)到電容電極的第一方向延伸部及/或第二方向延伸部甚至是上電極圖案未被像素電極 的第一延伸部及/或第二延伸部完全覆蓋的目的。 圖4A是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖，圖4B為圖4A中的像素 電極的示意圖，圖5為圖4A中沿著剖面線II-II'的剖面示意圖。圖4A及圖4B所示的實 施例與上述圖2A與圖2B所示的實施例相似，因此相同的元件以相同的標(biāo)號表示，且不再重 復(fù)贅述。圖4A及圖4B所示的實施例與上述圖2A與圖2B所示的實施例不同之處在于像素 電極P的第一延伸部210a具有至少一第一開口 212，且像素電極P的第二延伸部210b具 有至少一第二開口 214。第一開口 212暴露出上電極圖案206(如圖5所示)，更詳細(xì)來說， 第一開口 212暴露出上電極圖案206上方的絕緣層213。第二開口 214暴露出電極圖案的 第二方向延伸部204，更詳細(xì)來說，第二開口 214暴露出電極圖案的第二方向延伸部204上 方的絕緣層213。值得一提的是，本發(fā)明不限第一開口 212與第二開口 214的數(shù)目、形狀以 及排列方式。本實施例的圖式所繪示的第一開口 212與第二開口 214是用來使本領(lǐng)域技術(shù) 人員可以了解本發(fā)明，但其并非用以限定本發(fā)明。實際上，第一開口 212與第二開口214的 數(shù)目可以是一個、二個、三個或是三個以上。第一開口 212與第二開口214的形狀可以是矩 形、方形、圓形或是多邊形等等。第一開口 212與第二開口 214的排列方式可以是對稱、非 對稱或是多個開口并列排列等等。 類似地，在上述圖4A與圖4B的實施例中，是在像素電極P的第一延伸部210a形 成第一開口 212，且在像素電極P的第二延伸部210b形成第二開口 214。然，本發(fā)明不限于 此，在其他的實施例中，亦可以僅在像素電極P的第一延伸部210a形成第一開口212。在另 一實施例中，亦可以僅在像素電極P的第二延伸部210b形成第二開口 214。
由于像素電極P的第一延伸部210a具有第一開口 212且/或像素電極P的第二 延伸部210b具有第二開口 214。因此，電容電極的第一方向延伸部及/或第二方向延伸部 未被像素電極的第一延伸部及/或第二延伸部完全覆蓋。當(dāng)使用此種像素結(jié)構(gòu)的顯示面板 時，位于電容電極的第一方向延伸部202及/或第二方向延伸部204上方的液晶分子的傾 倒或排列將因為電容電極與像素電極/上電極圖案之間的電壓作用而有所改變，進(jìn)而解決 傳統(tǒng)PSA顯示面板在電容電極處有異常的錯向線(Disclination Line)的問題。
另外，根據(jù)本發(fā)明的又一實施例，可以結(jié)合圖2A的實施例與圖4A的實施例。也就 是，將像素電極P的第一延伸部210a的寬度d3及/或第二延伸部210b的寬度d5設(shè)計成 實質(zhì)上小于電容電極的第一方向延伸部202的寬度dl及/或第二方向延伸部204的寬度 d4，甚至將像素電極P的第一延伸部210a的寬度d3設(shè)計成實質(zhì)上小于上電極圖案206的 寬度d2，以使得電容電極的第一方向延伸部及/或第二方向延伸部未被像素電極的第一延 伸部及/或第二延伸部完全覆蓋。并且，同時在像素電極P的第一延伸部210a形成第一開口 212且/或在像素電極P的第二延伸部210b形成第二開口 214。 上述各實施例的像素結(jié)構(gòu)中，其像素結(jié)構(gòu)的儲存電容是形成在電容電極的第一方 向延伸部202與上電極圖案206之間以及電容電極的第二方向延伸部202與像素電極P的 第二延伸部210b之間。然，本發(fā)明不限于此。圖6A是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的像素結(jié)構(gòu) 的上視示意圖，圖6B為圖6A中的像素電極的示意圖，圖6A及圖6B所示的實施例與上述圖 2A與圖2B所示的實施例相似，因此相同的元件以相同的標(biāo)號表示，且不再重復(fù)贅述。圖6A 及圖6B所示的實施例與上述圖2A與圖2B所示的實施例不同之處在于在電容電極的第一 方向延伸部202上方未設(shè)置有上電極圖案。因此，此像素結(jié)構(gòu)的儲存電容是形成在電容電 極的第一方向延伸部202與像素電極P的第一延伸部210a之間以及電容電極的第二方向 延伸部202與像素電極P的第二延伸部210b之間。特別是，像素電極P的第一延伸部210a 的寬度d3以及第二延伸部210b的寬度d5實質(zhì)上分別小于電容電極的第一方向延伸部202 的寬度dl與第二方向延伸部204的寬度d4。類似地，在其他的實施例中，亦可以僅將像素 電極P的第一延伸部210a的寬度d3設(shè)計成實質(zhì)上小于電容電極的第一方向延伸部202的 寬度dl，以使部分的分支部210c延伸至電容電極的第一方向延伸部202上方。在另一實施 例中，亦可以僅將像素電極P的第二延伸部210b的寬度d5設(shè)計成實質(zhì)上小于電容電極的 第二方向延伸部204的寬度d4，以使部分的分支部210c延伸至電容電極的第二方向延伸部 204上方。 圖7A是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖，圖7B為圖7A中的像素 電極的示意圖，圖7A及圖7B所示的實施例與上述圖4A與圖4B所示的實施例相似，因此相 同的元件以相同的標(biāo)號表示，且不再重復(fù)贅述。圖7A及圖7B所示的實施例與上述圖4A與 圖4B所示的實施例不同之處在于在電容電極的第一方向延伸部202上方未設(shè)置有上電極 圖案。因此，此像素結(jié)構(gòu)的儲存電容是形成在電容電極的第一方向延伸部202與像素電極 P的第一延伸部210a之間以及電容電極的第二方向延伸部204與像素電極P的第二延伸 部210b之間。特別是，在像素電極P的第一延伸部210a形成第一開口 212，且在像素電極 P的第二延伸部210b形成第二開口 214。然，本發(fā)明不限于此，在其他的實施例中，亦可以 僅在像素電極P的第一延伸部210a形成第一開口 212。在另一實施例中，亦可以僅在像素 電極P的第二延伸部210b形成第二開口 214。 類似地，根據(jù)本發(fā)明的又一實施例，可以結(jié)合圖6A的實施例與圖7A的實施例。也 就是，在電容電極的第一方向延伸部202上方未設(shè)置有上電極圖案的架構(gòu)下，將像素電極P 的第一延伸部210a的寬度d3及/或第二延伸部210b的寬度d5設(shè)計成實質(zhì)上小于電容電 極的第一方向延伸部202的寬度dl及/或第二方向延伸部204的寬度d4，甚至將像素電極 P的第一延伸部210的寬度d3設(shè)計成實質(zhì)上小于上電極圖案206的寬度d2，以使得電容電 極的第一方向延伸部及/或第二方向延伸部未被像素電極的第一延伸部及/或第二延伸部 完全覆蓋。并且，同時在像素電極P的第一延伸部210a形成第一開口 212且/或在像素電 極P的第二延伸部210b形成第二開口 214。 圖8A是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖，圖8B為圖8A中的像素 電極的示意圖，圖8A及圖8B所示的實施例與上述圖2A與圖2B所示的實施例相似，因此相 同的元件以相同的標(biāo)號表示，且不再重復(fù)贅述。圖8A及圖8B所示的實施例與上述圖2A與 圖2B所示的實施例不同之處在于在電容電極的第二方向延伸部204與上電極圖案206是屬于同一膜層，因而電容電極的第二方向延伸部204與上電極圖案206垂直以構(gòu)成"十"字 形結(jié)構(gòu)。類似地，本發(fā)明不限于此，根據(jù)其他實施例，電容電極的第二方向延伸部204與上 電極圖案206亦可以構(gòu)成其他種形狀的結(jié)構(gòu)。也就是說，電容電極的第二方向延伸部204與 上電極圖案206交錯，二者所交錯的角度大于零度且小于等于180度。此像素結(jié)構(gòu)的儲存 電容是形成在電容電極的第一方向延伸部202與上電極圖案206之間以及電容電極的第二 方向延伸部204與像素電極P的第二延伸部210b之間。特別是，像素電極P的第一延伸部 210a的寬度d3以及第二延伸部210b的寬度d5實質(zhì)上分別小于電容電極的第一方向延伸 部202的寬度dl與第二方向延伸部204的寬度d4。類似地，在其他的實施例中，亦可以僅 將像素電極P的第一延伸部210a的寬度d3設(shè)計成實質(zhì)上小于電容電極的第一方向延伸部 202的寬度dl，以使部分的分支部210c延伸至電容電極的第一方向延伸部202上方。在另 一實施例中，亦可以僅將像素電極P的第二延伸部210b的寬度d5設(shè)計成實質(zhì)上小于電容 電極的第二方向延伸部204的寬度d4，以使部分的分支部210c延伸至電容電極的第二方向 延伸部204上方。 圖9A是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖，圖9B為圖9A中的像素 電極的示意圖，圖9A及圖9B所示的實施例與上述圖4A與圖4B所示的實施例相似，因此相 同的元件以相同的標(biāo)號表示，且不再重復(fù)贅述。圖9A及圖9B所示的實施例與上述圖4A與 圖4B所示的實施例不同之處在于電容電極的第二方向延伸部204與上電極圖案206是屬 于同一膜層，因而電容電極的第二方向延伸部204與上電極圖案206垂直以構(gòu)成"十"字形 結(jié)構(gòu)。類似地，本發(fā)明不限于此，根據(jù)其他實施例，電容電極的第二方向延伸部204與上電 極圖案206亦可以構(gòu)成其他種形狀的結(jié)構(gòu)。也就是說，電容電極的第二方向延伸部204與 上電極圖案206交錯，二者所交錯的角度大于零度且小于等于180度。特別是，在像素電極 P的第一延伸部210a形成第一開口 212，且在像素電極P的第二延伸部210b形成第二開口 214。然，本發(fā)明不限于此，在其他的實施例中，亦可以僅在像素電極P的第一延伸部210a 形成第一開口 212。在另一實施例中，亦可以僅在像素電極P的第二延伸部210b形成第二 開口 214。 類似地，根據(jù)本發(fā)明的又一實施例，可以結(jié)合圖8A的實施例與圖9A的實施例。也 就是，在將電容電極的第二方向延伸部204與上電極圖案206設(shè)計成同一膜層的架構(gòu)下，將 像素電極P的第一延伸部210a的寬度d3及/或第二延伸部210b的寬度d5設(shè)計成小于電 容電極的第一方向延伸部202的寬度dl及/或第二方向延伸部204的寬度d4，甚至將像素 電極P的第一延伸部210的寬度d3設(shè)計成實質(zhì)上小于上電極圖案206的寬度d2，以使得電 容電極的第一方向延伸部及/或第二方向延伸部未被像素電極的第一延伸部及/或第二延 伸部完全覆蓋。并且，同時在像素電極P的第一延伸部210a形成第一開口 212且/或在像 素電極P的第二延伸部210b形成第二開口 214。 綜上所述，因本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)中，與電容電極產(chǎn)生電性耦合的像素電極的寬度 實質(zhì)上小于電容電極的寬度，或是與電容電極產(chǎn)生電性耦合的像素電極中設(shè)計有開口，以 使電容電極未被像素電極所完全覆蓋。因此在電容電極上方的液晶分子會因為這樣的設(shè)計 而改變其排列方式，因而可以避免在電容電極處有異常的錯向線(Disclination Line)的 問題。 雖然本發(fā)明已以實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與潤飾，故本發(fā)明的保護范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的像素結(jié)構(gòu)包括一基板，具有一像素區(qū)；一掃描線以及一數(shù)據(jù)線，位于所述基板上；一主動元件，與所述掃描線以及所述數(shù)據(jù)線電連接；一電容電極，位于所述基板上；以及一像素電極，位于所述像素區(qū)內(nèi)且與所述主動元件電連接，其中所述像素電極包括一第一延伸部，設(shè)置于所述電容電極的上方以與所述電容電極電性耦合，其中所述電容電極未被所述第一延伸部完全覆蓋；一第二延伸部，與所述第一延伸部的延伸方向不同；以及多個分支部，自所述第一延伸部與所述第二延伸部向所述像素區(qū)的邊緣延伸。
2. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素電極的第一延伸部的寬度小 于所述電容電極的寬度。
3. 如權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，與所述第一延伸部連接的所述分支部 延伸至所述電容電極的上方。
4. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一延伸部具有至少一開口，所述 至少一開口暴露出所述電容電極。
5. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電容電極與所述掃描線或所述數(shù) 據(jù)線平行設(shè)置。
6. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的像素結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括一上電極 圖案，設(shè)置于所述電容電極的上方，且所述上電極圖案與所述像素電極電 >連接并且與所述 電容電極電性耦合，其中所述上電極圖案未被所述像素電極的所述第一延伸部完全覆蓋。
7. 如權(quán)利要求6所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素電極的第一延伸部的寬度小 于所述上電極圖案的寬度。
8. 如權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，與所述第一延伸部連接的所述分支部 延伸至所述上電極圖案的上方。
9. 如權(quán)利要求6所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一延伸部具有至少一開口 ，所述 至少一開口暴露出所述上電極圖案。
10. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電容電極具有 一第一方向延伸部，位于所述像素電極的所述第一延伸部的下方，其中所述電容電極的所述第一方向延伸部未被所述像素電極的所述第一延伸部完全覆蓋；以及一第二方向延伸部，位于所述像素電極的所述第二延伸部的下方，其中所述電容電極 的所述第二方向延伸部未被所述像素電極的所述第二延伸部完全覆蓋。
11. 如權(quán)利要求io所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素電極的第一延伸部的寬度小于所述電容電極的所述第一方向延伸部的寬度，且所述像素電極的第二延伸部的寬度小 于所述電容電極的所述第二方向延伸部的寬度。
12. 如權(quán)利要求11所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，與所述第一延伸部連接的所述分支 部延伸至所述電容電極的所述第一方向延伸部的上方，且與所述第二延伸部連接的所述分 支部延伸至所述電容電極的所述第二方向延伸部的上方。
13. 如權(quán)利要求IO所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素電極的所述第一延伸部具有至少一第一開口，且所述至少一第一開口暴露出所述電容電極的所述第一方向延伸部， 所述像素電極的所述第二延伸部具有至少一第二開口，所述至少一第二開口暴露出所述電 容電極的所述第二方向延伸部。
14. 如權(quán)利要求IO所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的像素結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括一上電 極圖案，設(shè)置于所述電容電極的所述第一方向延伸部的上方，且所述上電極圖案與所述像 素電極電連接并且與所述電容電極的所述第一方向延伸部電性耦合，其中所述上電極圖案 未被所述像素電極的所述第一延伸部完全覆蓋。
15. 如權(quán)利要求14所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素電極的第一延伸部的寬度 小于所述上電極圖案的寬度。
16. 如權(quán)利要求15所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，與所述第一延伸部連接的所述分支 部延伸至所述上電極圖案的上方。
17. 如權(quán)利要求14所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一延伸部具有至少一開口，所 述至少一開口暴露出所述上電極圖案。
18. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素電極的所述分支部自所述第 一延伸部與所述第二延伸部往四個方向延伸。
19. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素電極的每一分支部與所述第 一延伸部及所述第二延伸部之間各自具有一銳角夾角。
20. —種顯示面板，其特征在于，所述的顯示面板包括一第一基板，所述第一基板上具有多個像素結(jié)構(gòu)，且每一像素結(jié)構(gòu)如權(quán)利要求1所述； 一第二基板，位于所述第一基板的對向；以及 一顯示介質(zhì)，位于所述第一基板與所述第二基板之間。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種像素結(jié)構(gòu)，其包括基板、掃描線、數(shù)據(jù)線、主動元件、電容電極以及像素電極?；寰哂邢袼貐^(qū)。掃描線與數(shù)據(jù)線位于基板上。主動元件與掃描線以及數(shù)據(jù)線電連接。電容電極位于基板上。像素電極位于像素區(qū)內(nèi)且與主動元件電連接，其中像素電極包括第一延伸部、第二延伸部以及分支部。第一延伸部設(shè)置于電容電極的上方以與電容電極電性耦合，其中電容電極未被第一延伸部完全覆蓋。第二延伸部與第一延伸部的延伸方向不同。分支部自第一延伸部與第二延伸部向像素區(qū)的邊緣延伸。實施本發(fā)明，電容電極上方的液晶分子會因為此種像素結(jié)構(gòu)而改變其排列方式，因此可以避免在電容電極處有異常的錯向線的問題。
文檔編號G02F1/1368GK101699340SQ200910212318
公開日2010年4月28日 申請日期2009年11月4日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月4日
發(fā)明者丁天倫, 廖乾煌, 徐文浩, 蘇振嘉 申請人:友達(dá)光電股份有限公司