專利名稱：用于液晶顯示器的一種提升開口率的像素設計的制作方法
技術領域：
本發(fā)明是有關于一種液晶顯示器(liquid crystal display, LCD)，且特別是有關 于一種利用像素設計(Pixel design)以增進開口率(即erture ratio)的液晶顯示器和其 制造方法。
背景技術：
液晶顯示器(Liquid Crystal Display, LCD)包含液晶顯示器(LCD)面板，其 中負責趨動薄膜晶體管陣列基板(TFT array substrate)，是由復數(shù)個像素結(jié)構(gòu)(pixel structure)所組成，每一像素結(jié)構(gòu)具有掃描線(scan line)、像素電極(pixelelectrode) 和開關(switch);開關具有柵極、源極、和一漏極，分別電性連接至掃描線、數(shù)據(jù)線(data line)和像素電極。 一般而言，像素的開口率(即erture ratio)直接影響背光源的利用和 LCD面板亮度。在像素結(jié)構(gòu)之中，一個主要影響開口率的因素是介于像素電極和數(shù)據(jù)線之間 的電容(Cpd)。電容(Cpd)是由像素電極和數(shù)據(jù)線之間的距離來決定。像素電極和數(shù)據(jù)線的 距離愈近，電容(Cpd)的值就愈大，此時像素電極上的電壓，容易受數(shù)據(jù)線的影響而產(chǎn)生串 音(cross-talk)現(xiàn)象，影響LCD的顯示品質(zhì)。 一般而言，數(shù)據(jù)線會設計成與像素電極間隔 一段距離以避免串音。然而，數(shù)據(jù)線和像素電極的間隔距離愈大，像素的開口率減少的幅度 也愈大。 為了減少像素結(jié)構(gòu)內(nèi)的串音，并將像素結(jié)構(gòu)的開口率保持在一定程度，已發(fā)展出 了各種像素結(jié)構(gòu)的設計。例如，其中一個像素設計為在像素電極和數(shù)據(jù)線之間設置一遮蔽 電極(shielding electrode)以減少電容(Cpd)的效應。 在圖6a、圖6b所示的像素設計600中，遮蔽電極640形成于數(shù)據(jù)線620和開關650 之上，但位于像素電極610之下。這種遮蔽電極640的一區(qū)域660與像素電極610周圍一部 份彼此重迭。這種像素設計是利用在遮蔽電極640與像素電極610周圍部份重迭區(qū)域660 間產(chǎn)生儲存電容，相較于沒有遮蔽電極的像素設計而言，這種方式可改善其開口率。然而， 因為阻抗的原因，遮蔽電極640通常以不透明的導電材料制成。所以，當使用遮蔽電極640 與像素電極610周圍部分重迭區(qū)域660所產(chǎn)生的儲存電容時，本身也會造成某種程度的開 口率下降。 另外，如圖7a、圖7b所示，某些像素設計也會利用梳狀像素電極710來輔助液晶的 定向。在像素設計700中，由遮蔽電極740與像素電極710周圍部分彼此重迭所產(chǎn)生的儲 存電容區(qū)域760，會因像素電極710的梳狀結(jié)構(gòu)而減少。利用增加儲存電容區(qū)面積來增加儲 存電容的方式，也會使孔徑比減少。 因此，為了解決前述的匱乏和不足之處，此技術中存在一個迄今為止尚未解決的 需求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一方面向是關于一種用于液晶顯示器(LCD)的像素結(jié)構(gòu)。在一個具體實施例方式中，像素結(jié)構(gòu)具有形成于基板上的掃描線，和形成于基板上的數(shù)據(jù)線，以及由該數(shù) 據(jù)線和該掃描線相關(associated with)的像素區(qū)。像素結(jié)構(gòu)也具有形成于基板上的像素 區(qū)內(nèi)的開關。 另外，像素結(jié)構(gòu)包含遮蔽電極，此遮蔽電極具有第一部份和延伸自第一部份的第 二部份，這些結(jié)構(gòu)形成于掃描線、數(shù)據(jù)線和開關之上，其中第一部份與開關部分重迭，第二 部份與數(shù)據(jù)線部分重迭。遮蔽電極的第二部可以遮蔽由該數(shù)據(jù)線所產(chǎn)生的電場。在一個具 體實施方式中，該遮蔽電極以不透明的導電性材料制成。 此外，像素結(jié)構(gòu)具有像素電極，具有第一部份和延伸自第一部份的第二部份，形成 于該像素區(qū)中的遮蔽電極之上。像素結(jié)構(gòu)的第一部份與該遮蔽電極的第一部份重迭，以定 義其間的儲存電容器。該像素電極的第二部份未與該遮蔽電極的第二部份重迭。在一個具 體實施方式中，像素電極為梳狀電極。該像素電極以透明的導電性材料制成。
像素結(jié)構(gòu)也具有第一絕緣層，形成于該掃描線和該數(shù)據(jù)線之間；第二絕緣層，形成 于該數(shù)據(jù)線和該遮蔽電極之間；和第三絕緣層，形成于該遮蔽電極和該像素電極之間。
開關具有柵極、源極、漏極，分別電性連接于該掃描線、該數(shù)據(jù)線和該像素電極。開 關的柵極形成于基板上，開關的源極和漏極形成于該第一絕緣層和該第二絕緣層之間。
在一個具體實施方式
中，開關還包含半導體層，形成于源極、漏極和第一絕緣層之 間。該半導體層包含形成于第一絕緣層之上的通道層，和一形成于該通道層之上的歐姆接 觸層。在一個具體實施方式
中，通道層以非晶硅(amorphous silicon)形成，歐姆接觸層以 N"摻雜或化學氣相沉積(ChemicalV即or D印osition， CVD)的半導體形成。開關等同于一 薄膜晶體管(Thin FilmTransistor， TFT)。 本發(fā)明另一實施例是關于液晶顯示器(LCD)，包含以矩陣方式排列的復數(shù)個像素 結(jié)構(gòu)。 本發(fā)明又一實施例是關于一種制造像素結(jié)構(gòu)的方法。在一個具體實施方式
中，此
方法包含下列步驟首先，提供基板，并于此基板上形成掃描線和柵極，所形成的柵極電性
連接至掃描線。其次，在基板上形成第一絕緣層，并與掃描線和柵極部分重迭。
之后，半導體層形成在第一絕緣層之上，并與柵極部分重迭。在一個
具體實施例方式
中，形成半導體層的步驟包含下列步驟形成通道層在第一絕緣層之上，形成歐姆接觸層在
通道層之上，并圖形化通道層和歐姆接觸層以形成半導體層，歐姆接觸層被圖形化以具有
第一部份和與第一部份分離的第二部份。其次，數(shù)據(jù)線形成于第一絕緣層之上。同時，分別
在歐姆接觸層的第一部份和第二部份之上形成源極和漏極。在另一步驟中，在形成通道層
和歐姆接觸層之后，可在通道層和歐姆接觸層上進行前圖形化步驟以定義通道層的形狀。
在形成源極和漏極之后，可進行圖形化通道層和歐姆接觸層的步驟，其中歐姆接觸層被圖
形化以形成第一部份和與第一部份分離的第二部份，源極和漏極分別實質(zhì)接觸歐姆接觸層
的第一部份和第二部份。在另一步驟中，使用了半色調(diào)(half-tone)制程。在形成源極和
漏極之后，可使用半色調(diào)掩膜(half-tone mask)進行通道層和歐姆接觸層的圖形化步驟，
其中歐姆接觸層被圖形化以形成第一部份和與第一部份分離的第二部份，且源極和漏極分
別實質(zhì)接觸歐姆接觸層的第一部份和第二部份。該柵極、通道層、歐姆接觸層、源極和漏極
定義一開關。 下一步驟為在第一絕緣層之上形成第二絕緣層，與數(shù)據(jù)線和開關部分重迭。遮蔽電極形成于第二絕緣層之上。該遮蔽電極具有與開關重迭的第一部份，和與數(shù)據(jù)線部分重 迭的延伸自第一部份的第二部份。 接下來，第三絕緣層形成于第二絕緣層之上，覆蓋(overlays)遮蔽電極。之后，像 素電極形成在第三絕緣層之上。像素電極具有第一部份，與遮蔽電極的第一部份重迭，用以 定義其間的儲存電容器；以及延伸自第一部份的第二部份，其中像素電極的第二部份未與 遮蔽電極的第二部份重迭。 開關的源極和漏極分別電性連接至數(shù)據(jù)線和像素電極。 通道層以非晶硅(amorphous silicon)形成，歐姆接觸層以N+摻雜或化學氣相沉 積的半導體形成。 在一個具體實施方式
中，遮蔽電極包含不透明的導電性材料。
像素電極為梳狀電極。像素電極以透明的導電性材料制成。 本發(fā)明提供的像素結(jié)構(gòu)，其像素區(qū)可使穿過像素電極的光線使用最佳化，并藉此 增加像素的開口率。 在下面對于較佳的具體實施方式
和其附圖的敘述中，將可了解本發(fā)明的上述和其 它的面向，在不偏離所揭露的新概念的精神和范圍的情況下，可能有各種變更和修正。


附圖繪示了本發(fā)明的一或多個具體實施方式
，并且與上述說明書內(nèi)容共同解釋本 發(fā)明的原則。在附圖中，相同的參考數(shù)字代表具體實施方式
中相同或相似的元件，其中
圖la-圖lc為依據(jù)本發(fā)明的一具體實施方式
所繪示的像素結(jié)構(gòu)簡圖，圖la為俯 視圖，圖lb為強調(diào)儲存電容的俯視圖，和圖lc為剖面圖； 圖2為依據(jù)本發(fā)明的另一具體實施方式
所繪示的，包含四個像素的像素設計；
圖3為依據(jù)本發(fā)明的另一具體實施方式
所繪示的，包含四個像素的像素設計；
圖4a、圖4b為依據(jù)本發(fā)明的具體實施方式
所繪示的像素結(jié)構(gòu)，圖4a為俯視圖，圖 4b為特別強調(diào)儲存電容的俯視圖； 圖5a_圖5h圖為依據(jù)本發(fā)明的一具體實施方式
所繪示的，制造像素結(jié)構(gòu)的方法剖 面簡圖。 圖6a、圖6b所示為一般像素結(jié)構(gòu)的簡圖，圖6a為俯視圖，圖6b為特別強調(diào)儲存電 容的俯視圖；及 圖7a、圖7b所示為另一現(xiàn)有的像素結(jié)構(gòu)的簡圖，圖7a為俯視圖，圖7b為特別強調(diào)
儲存電容的俯視圖。
附圖標號 100像素結(jié)構(gòu) 101掃描線 105像素區(qū) 110掃描線 120數(shù)據(jù)線 122數(shù)據(jù)線 130遮蔽電極
330遮蔽電極 380間隔 400像素結(jié)構(gòu) 440像素電極 501基板 510掃描線 520數(shù)據(jù)線
132第一部份530遮蔽電極134第二部份532第一部份140像素電極534第二部份142第一部份540像素電極144第二部份542第一部份150開關544第二部份151柵極550開關152通道層551柵極153歐姆接觸層552通道層154歐姆接觸層553接觸部份155源極554接觸部份156漏極555源極160儲存電容器556漏極172絕緣層558接觸層174絕緣層559半導體層176絕緣層560儲存電容器200像素設計572絕緣層205a像素結(jié)構(gòu)574絕緣層205b像素結(jié)構(gòu)576絕緣層205c像素結(jié)構(gòu)600像素設計205d像素結(jié)構(gòu)610像素電極210掃描線620數(shù)據(jù)線220數(shù)據(jù)線630掃描線230遮蔽電極640遮蔽電極240a像素電極650開關240b像素電極660區(qū)域240c像素電極700像素設計280間隔710像素電極290間隔740遮蔽電極300像素設計760儲存電容區(qū)
具體實施例方式
下文中將利用實例敘述本發(fā)明，其附圖僅為了使在本技術中具有通常知識的人了 解本發(fā)明可具有各種變更和修正?，F(xiàn)在將詳細敘述本發(fā)明的各種具體實施方式
。在全部附 圖中，相同的數(shù)字表示相同的元件。在說明書中和權(quán)利要求書中，所使用的"一 (a，an)"或 "此或該(the)"可能包含復數(shù)的意含，除非內(nèi)文中已明確指出其意義。同樣地，在說明書中 和接下來的申請專利范圍中，"在其中(in)"的意思包含"在其中(in)"和"在其上(on)"， 除非內(nèi)文中清楚地表達其它意思。以下依據(jù)本發(fā)明的具體實施方式
所提供典型的設備和方 法及其有關的結(jié)果，并非用以限制本發(fā)明的范圍。
以下將參照圖la-圖5h圖的附圖來說明本發(fā)明具體實施方式
，依據(jù)本發(fā)明在此廣 泛揭示的目的與實施方式，本發(fā)明一面向是與像素結(jié)構(gòu)有關，以及包含多個以矩陣形式排 列之像素結(jié)構(gòu)的液晶顯示器。 請參考圖la-圖lc，像素結(jié)構(gòu)IOO具有掃描線110、數(shù)據(jù)線120、像素區(qū)105(定義 為介于數(shù)據(jù)線120和相鄰像素結(jié)構(gòu)(未繪示)的數(shù)據(jù)線122之間)、開關150、遮蔽電極130 和像素電極140。開關150和像素電極140形成于像素區(qū)105之內(nèi)。像素結(jié)構(gòu)100更包含 第一絕緣層172，第二絕緣層174和第三絕緣層176。開關150具有柵極151、源極155和漏 極156，分別電性連接至掃描線110、數(shù)據(jù)線120和像素電極140。另外，開關150也包含通 道層152、歐姆接觸層153/154 (形成于柵極151和源極155/漏極156之間)。在一個具體 實施方式中，通道層152以非晶硅(amorphous silicon, a-Si)形成，歐姆接觸層153/154 以N+摻雜或化學氣相沉積(CVD)半導體形成。開關150等同于薄膜晶體管(thin film transistor, TFT)。 柵極151、數(shù)據(jù)線120和掃描線110間隔形成于基板101之上。柵極151定義開關 區(qū)域的范圍。第一絕緣層172形成在基板101之上，并覆蓋掃描線110和柵極151。通道層 152形成在第一絕緣層172之上。通道層152層與柵極151部分重迭。歐姆接觸層153/154 形成在通道層152之上。歐姆接觸層153/154具有第一部份153和一與第一部份153分離 的第二部份154。數(shù)據(jù)線120和源極155、漏極156為同時形成。源極155和漏極156分別 形成于歐姆接觸層153/154的第一部份153和第二部份154之上。 第二絕緣層174形成在第一絕緣層172之上，并覆蓋數(shù)據(jù)線120和開關150。遮蔽 電極130形成在第二絕緣層174之上。遮蔽電極130包含第一部份132 (與開關150部分 重迭)，和延伸自第一部份132的第二部份134 (與數(shù)據(jù)線120部分重迭)。第三絕緣層176 形成于第二絕緣層174之上，且覆蓋遮蔽電極130。考慮到像素的阻抗，遮蔽電極130通常 以不透明的導電性材料制成。 像素電極140形成在第三絕緣層176之上。像素電極包含第一部份142 (與遮蔽電 極130的第一部份132重迭)，和延伸自第一部份142的第二部份144。像素電極140以透 明的導電性材料制成，例如氧化銦鋅(indium zinc oxide， IZO)、非晶氧化銦錫(amorphous indium tin oxide， ITO)、多晶氧化銦錫(polymorphous indium tin oxide，poly ITO)，或 其它類似物。 依據(jù)本發(fā)明，開關150形成于像素區(qū)105之內(nèi)。遮蔽電極130的第一部份132、像 素電極140的第一部份142、以及介于遮蔽電極130的第一部份132和像素電極140的第一 部份142之間的第三絕緣層176，三者構(gòu)成儲存電容器160，適以產(chǎn)生儲存電容。S卩，儲存電 容區(qū)160定義為遮蔽電極130、像素電極140、和介于遮蔽電極130和像素電極140的第三 絕緣層176，且位于開關150之上的區(qū)域。另外，像素電極140的第二部份144，并未與遮蔽 電極130的第二部份134部分重迭。如圖la和圖lc所示，像素電極140的第二部份144 和和遮蔽電極130的第二部份134以一縫隙d(d > O，且較佳為d " 0)間隔。因此，像素區(qū) 105可使傳送的像素電極144的光線利用最佳化，并藉此增加像素的開口率。
在此例示的具體實施方式
中，開關150形成于像素區(qū)105的中間區(qū)域。在實際應 用中，開關150也可形成于像素區(qū)105其它區(qū)域的內(nèi)部。 圖2為依據(jù)本發(fā)明的一具體實施方式
所繪示的像素設計200。在作為范例的像素設計200中，只繪示設置在一個矩陣(matrix)內(nèi)的四個像素結(jié)構(gòu)205a、205b、205c、205d。 每一像素結(jié)構(gòu)205a、205b、205c、205d與圖la-圖lc圖中所示的像素結(jié)構(gòu)實質(zhì)相同。延著 數(shù)據(jù)線220方向的兩個相鄰的像素結(jié)構(gòu)205a和205b的像素電極240a和240b，以第一間隔 280分離，延著掃描線210的方向的兩個相鄰的像素結(jié)構(gòu)205a和205c的像素電極240a和 240c，以第二間隔290分離。數(shù)據(jù)線220位于第二間隔290之內(nèi)。另外，遮蔽電極230形成 于第二間隔290之內(nèi)，并覆蓋數(shù)據(jù)線220。如圖2所示，第一間隔280之內(nèi)未包含遮蔽電極 230的任何部份。 在實際應用中，可以使用任何數(shù)目的像素結(jié)構(gòu)。 圖3為依據(jù)本發(fā)明的另一具體實施方式
所繪示的像素設計300。像素設計300與 圖2所繪示的像素設計200相似，不同之處在于部份的遮蔽電極330形成于第一間隔380 之內(nèi)。 請參考圖4a、圖4b，此圖為依據(jù)本發(fā)明的另一實施方式所繪示的像素結(jié)構(gòu)400。像 素結(jié)構(gòu)400與圖lAa-圖lc所繪示的像素結(jié)構(gòu)100相似，不同之處在于像素電極440為梳 狀結(jié)構(gòu)。依此設計的像素結(jié)構(gòu)400可增加像素的開口率。 圖5a_圖5h為依據(jù)本發(fā)明的一具體實施方式
所繪示的制造像素結(jié)構(gòu)的方法。此 方法包含下列步驟首先，提供基板501。第一基板501的材質(zhì)為玻璃、塑膠，或其它類似物。 之后，在基板501之上間隔形成掃描線510和柵極551。柵極551的材質(zhì)為金屬，例如A1、 Mo、Cr、Ta或合金。柵極551電性連接于掃描線510。 第一絕緣層(柵絕緣層)572形成在基板501之上，且覆蓋掃描線510和柵極551 。 第一絕緣層572的材質(zhì)為氮化硅(SiN》、氧化硅(SiO》、或氮氧化硅(SiON)等。
之后，在第一絕緣層572上形成半導體層559 。半導體層559包含通道層552 (形 成于第一絕緣層572之上，并與柵極551部分重迭)。在通道層552上形成歐姆接觸層558， 并圖形化歐姆接觸層558以形成第一接觸部份553，和與第一接觸部份553分離的第二接觸 部份554。通道層552可以非晶硅(a-Si)或其它類似物形成。接觸層558可以摻雜的非晶 硅形成，例如摻雜^的非晶硅。在一個具體實施方式
中，通道層552和接觸層558的形成 方式為，非晶硅(a-Si)和摻雜的非晶硅(N+摻雜a-Si或P+摻雜a-Si)先后以等離子輔助 化學氣相沉積法(Plasma-Enhanced Chemical Vapor D印osition， PECVD)沉積，之后再進 行圖形化。接著，形成數(shù)據(jù)線520、源極555和漏極556。源極555和漏極556分別形成于 歐姆接觸層的第一部份553和第二部份554之上。在另一步驟中，在形成通道層552和歐 姆接觸層558之后，可進行通道層552和歐姆接觸層558的前圖形化的步驟，以定義通道層 552的形狀。在形成源極555和漏極556之后，可進行通道層552和歐姆接觸層558的圖形 化步驟，其中圖形化歐姆接觸層558以形成第一接觸部份553，以及與第一接觸部份553分 離的第二接觸部份554。源極555和漏極556分別實質(zhì)接觸于歐姆接觸層558的第一接觸 部份553和第二接觸部份554。在其它的步驟中則使用了半色調(diào)(half-tone)制程在形 成源極555和漏極556之后，以半色調(diào)掩膜進行通道層552和歐姆接觸層558的圖形化步 驟。其中，歐姆接觸層558被圖形化而形成第一接觸部份553，和與第一接觸部份553分離 的第二接觸部份554。源極555和漏極556分別實質(zhì)接觸于歐姆接觸層558的第一接觸部 份553和第二接觸部份554。 開關550的源極555和漏極556電性連接于數(shù)據(jù)線520和像素電極540。柵極551、柵絕緣層572、通道層552歐姆接觸層558、源極555和漏極556定義出之開關550，其等同于一個薄膜晶體管(TFT)。 之后，第二絕緣層574形成于第一絕緣層572之上，并覆蓋數(shù)據(jù)線520和開關550。接著，遮蔽電極530形成于第二絕緣層574之上。遮蔽電極530具有與開關550重迭的第一部份532，和與數(shù)據(jù)線520重迭且延伸自第一部份532的第二部份534。遮蔽電極530以不透明的導電性材料制成。 下一步驟為在第二絕緣層574之上形成覆蓋遮蔽電極530的第三絕緣層576。之后，像素電極540形成在第三絕緣層576之上。像素電極540具有第一部份542和延伸自第一部份542的第二部份544。像素電極540的第一部份542與遮蔽電極530的第一部份532重迭，并與中間的第三絕緣層576定義出儲存電容器560。像素電極540的第二部份544未與遮蔽電極530的第二部份534重迭。像素電極540以透明的導電性材料制成。
綜上所述，本發(fā)明主要詳列出了一像素結(jié)構(gòu)，包含開關、遮蔽電極、和一個在多層結(jié)構(gòu)的像素區(qū)內(nèi)中所形成的像素電極。位于開關上的遮蔽電極的第一部份，和像素電極的第一部份，以及二者間的第三絕緣層，三者做為儲存電容器以產(chǎn)生儲存電容。另外，像素電極的第二部份未與遮蔽電極的第二部份(位于數(shù)據(jù)線的上方)重迭。基于此，像素區(qū)可使穿過像素電極的光線使用最佳化，并藉此增加像素的開口率。 以上對于本發(fā)明典型的具體實施方式
的敘述僅為了以圖示和文字敘述本發(fā)明，并非為了徹底描述本發(fā)明或?qū)⒈景l(fā)明完全限制于所揭露的形式。由上述所教示的內(nèi)容可啟發(fā)各種修正和改良。 所選擇并描述的具體實施方式
是為了解釋本發(fā)明的原則和其實際的應用，藉此促使其它在本技術中具有通常知識者可利用本發(fā)明和其各種具體實施方式
，并藉由各種具體的實施方式思考出合適的特定的使用模式。在維持本發(fā)明且沒有悖離其精神和范圍的情況下，此技術中具有通常知識者可發(fā)現(xiàn)其它的具體實施方式
?；诖?，本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求書定義，而非由上述例示的具體實施方式
的敘述定義。
權(quán)利要求
一種用于液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素結(jié)構(gòu)包含(a)一掃描線，形成于一基板之上；(b)一數(shù)據(jù)線，形成于所述基板之上；(c)一像素區(qū)，與所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線相關連；(d)一開關，形成于所述基板上的所述像素區(qū)內(nèi)部；(e)一遮蔽電極，具有一第一部份和一延伸自所述第一部份的第二部份，并形成于所述掃描線、所述數(shù)據(jù)線和所述開關之上，其中所述第一部份與所述開關部分重迭，且其中所述第二部份與所述數(shù)據(jù)線部分重迭；及(f)一像素電極，具有一第一部份和一延伸自所述該第一部份的第二部份，并形成于所述像素區(qū)內(nèi)的所述遮蔽電極之上，其中所述第一部份與所述遮蔽電極的第一部份重迭，以定義一儲存電容器于其間，其中所述像素電極的所述第二部份未與所述遮蔽電極的所述第二部份重迭，其中所述開關具有一柵極、一源極、和一漏極，分別電性連接至所述掃描線、所述數(shù)據(jù)線和所述像素電極。
2. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素結(jié)構(gòu)還包含(a) —第一絕緣層，形成于所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線之間；(b) —第二絕緣層，形成于所述數(shù)據(jù)線和所述遮蔽電極之間；及 (C) 一第三絕緣層，形成于所述遮蔽電極和所述像素電極之間。
3. 如權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其中所述開關的該柵極形成于所述基板上，且所述 開關的所述源極和所述漏極形成于所述第一絕緣層和所述第二絕緣層之間。
4. 如權(quán)利要求3所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述開關還包含一半導體層，形成所述 源極和所述漏極與所述第一絕緣層之間。
5. 如權(quán)利要求4所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導體層包含一形成于所述第一 絕緣層之上的通道層，和一形成于所述通道層之上的歐姆接觸層。
6. 如權(quán)利要求5所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述通道層以非晶硅制成，且其中所述 歐姆接觸層以N+摻雜或以化學氣相沉積的半導體制成。
7. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述開關包含一薄膜晶體管。
8. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述遮蔽電極的所述第二部份適以遮 蔽由所述數(shù)據(jù)線所產(chǎn)生的電場。
9. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述遮蔽電極以不透明的導電性材料 制成。
10. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素電極為梳狀電極。
11. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素電極以透明的導電性材料制成。
12. —種液晶顯示器，其特征在于，所述液晶顯示器包含復數(shù)個以矩陣方式排列的如權(quán) 利要求l所述的像素結(jié)構(gòu)。
13. —種制造像素結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，所述方法包含下列步驟(a) 提供一基板；(b) 形成一掃描線和一柵極于所述基板上，其中所述柵極電性連接至所述掃描線；(c) 形成一第一絕緣層于所述基板上，覆蓋所述掃描線和所述柵極；(d) 形成一半導體層于所述第一絕緣層之上，其中所述半導體層與所述柵極部分重迭；(e) 分別形成一源極和一漏極于所述半導體層之上，和形成一數(shù)據(jù)線于所述第一絕緣 層之上，其中所述源極電性連接至所述數(shù)據(jù)線，且其中所述柵極、所述半導體層、所述源極 和所述漏極定義出一開關；(f) 形成一第二絕緣層在所述第一絕緣層之上，覆蓋所述數(shù)據(jù)線和所述開關；(g) 形成一遮蔽電極于所述第二絕緣層之上，其中所述遮蔽電極有一第一部份與所述 開關部分重迭，和一延伸自所述第一部份的第二部份，與所述數(shù)據(jù)線部分重迭；(h) 形成一第三絕緣層在所述第二絕緣層之上，以覆蓋所述遮蔽電極；及(i) 形成一像素電極于所述第三絕緣層之上，其中所述像素電極具有一第一部份，與所 述遮蔽電極的第一部份重迭，以定義一儲存電容器于其間，以及一延伸自所述第一部份的 第二部份，其中所述像素電極的第二部份未與所述遮蔽電極的第二部份重迭，其中所述開關的所述源極和所述漏極分別電性連接至所述數(shù)據(jù)線和所述像素電極。
14. 如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，形成所述半導體層的步驟包含下列步驟(a) 形成一通道層于所述第一絕緣層之上；(b) 形成一歐姆接觸層于所述通道層之上；及(C)圖形化所述通道層和所述歐姆接觸層，以形成所述用來形成所述源極和所述漏極 的半導體層。
15. 如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述通道層以非晶硅制成，且其中所述歐 姆接觸層以N+摻雜或化學氣相沉積的半導體形成。
16. 如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述歐姆接觸層被圖形化以形成一第一 部份和一與所述第一部份分離的第二部份，且所述源極和漏極分別實質(zhì)接觸所述歐姆接觸 層的所述第一部份和所述第二部份。
17. 如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述遮蔽電極包含不透明的導電材料。
18. 如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述像素電極為梳狀電極。
19. 如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述像素電極以透明的導電材料制成。
全文摘要
本發(fā)明是一種關于提升開口率的像素結(jié)構(gòu)。在一個具體實施方式
中，像素結(jié)構(gòu)包含形成于基板上的掃描線和形成于基板上的數(shù)據(jù)線，并以此定義像素區(qū)。開關形成于基板上的像素區(qū)之內(nèi)。遮蔽電極具有第一部份和延伸自第一部份的第二部份，形成于掃描線、數(shù)據(jù)線和開關之上，其中第一部份與開關部分重迭，且第二部份與數(shù)據(jù)線部分重迭。像素電極具有第一部份和延伸自第一部份的第二部份，形成于像素區(qū)內(nèi)的遮蔽電極之上，其中像素電極的第一部份與遮蔽電極的第一部份重迭，以定義出其間的儲存電容器，像素電極的第二部份未與遮蔽電極的第二部份重迭。本發(fā)明提供的像素結(jié)構(gòu)，其像素區(qū)可使穿過像素電極的光線使用最佳化，并藉此增加像素的開口率。
文檔編號G02F1/1368GK101697054SQ20091021231
公開日2010年4月21日 申請日期2009年11月4日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月12日
發(fā)明者林敬桓, 林祥麟, 石志鴻, 黃偉明 申請人:友達光電股份有限公司;