專利名稱：顯示面板及其制造方法
顯示面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示面板及其制造方法，特別是涉及一種薄膜晶體管顯示面板
及其制造方法。背景技術(shù)：
近年來，包括薄膜晶體管液晶顯示(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)技術(shù)在內(nèi)的平板顯示技術(shù)得到了長足的發(fā)展。圖1繪示一種薄膜晶體管液晶顯示面板的一個(gè)基板的俯視示意圖，其包括玻璃基板110和設(shè)置在基板110上的多條信號線。多條信號線中包括多條數(shù)據(jù)線121和多條掃描線131。數(shù)據(jù)線121和掃描線131互相垂直，兩條相鄰的數(shù)據(jù)線121和相鄰的掃描線131區(qū)隔出一個(gè)顯示像素。圖2是圖1中一個(gè)顯示像素的原理圖，圖3是圖1中一個(gè)顯示像素的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2和圖3所示，顯示像素包括晶體管160和像素電極151。晶體管160包括柵極132、源極122和漏極123。柵極132連接至一條掃描線131，源極122連接至一條數(shù)據(jù)線121，漏極123通過通孔155連接至像素電極151。像素電極151由透明導(dǎo)電物質(zhì)構(gòu)成， 一般常用的材料有氧化銦錫、氧化銦鋅等。同時(shí)，像素中還包括一個(gè)儲(chǔ)存電容180，以提升像素電極151的電壓穩(wěn)定性。儲(chǔ)存電容的一個(gè)極板由公共電極線171構(gòu)成，另一個(gè)極板由部分面積的顯示電極151構(gòu)成。圖4是圖3中沿AA線的側(cè)視剖面圖。如圖4所示，晶體管160包括設(shè)置在所述基板110上的柵極132 ;覆蓋所述柵極132的絕緣層135 ;對應(yīng)所述柵極132位置設(shè)置在所述絕緣層135上的半導(dǎo)體區(qū)塊136 ;覆蓋所述半導(dǎo)體區(qū)塊136部分面積的蝕刻阻抗區(qū)塊137 ;設(shè)置在所述蝕刻阻抗區(qū)塊137及所述半導(dǎo)體區(qū)塊136上的源極122和漏極123 ;所述像素電極151連接所述漏極123。所述存儲(chǔ)電容180包括設(shè)置在所述基板110上的由公共電極線171構(gòu)成的第一電容電極；覆蓋所述第一電容電極的絕緣層135和絕緣層176 ;所述像素電極151的部分面積對應(yīng)所述第一電容電極設(shè)置在所述絕緣層176上，形成第二電容電極。 圖5繪示另一種現(xiàn)有技術(shù)的顯示像素的俯視結(jié)構(gòu)示意圖，圖6是圖5中沿BB線的側(cè)視剖面圖。圖5所示的是半穿透半反射顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其在圖3所示的像素結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，更在像素電極151的部分面積上具有反射層191。反射層191用于反射外界環(huán)境光線，例如在外界光線很強(qiáng)時(shí)，圖3所示的穿透式顯示面板就需要很強(qiáng)的背光源才能使顯示的內(nèi)容被看清。而半穿透半反射顯示面板在即使沒有背光源的情況下，也可以借助反射層191反射外界環(huán)境光線，使顯示的內(nèi)容被看清。 具有圖3和圖5所示的像素結(jié)構(gòu)的顯示面板有一個(gè)缺點(diǎn)，就是由于晶體管160所在區(qū)域不能被用作顯示，所以顯示面板的開口率較低，因而在相同背光源亮度下，顯示
面板的亮度較低。通常情況下，顯示面板還具有與基板iio對應(yīng)組合的第二基板(未繪
示)，基板110與第二基板之間密封有液晶，第二基板在對應(yīng)晶體管160所在區(qū)域設(shè)置有黑色光阻，當(dāng)背光源發(fā)出的光線，沿箭頭E或F方向射向基板110時(shí)，穿過晶體管160所在區(qū)域的光線會(huì)被黑色光阻吸收，以免其影響顯示效果。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種顯示面板，其包括第一基板，所述第一基板上設(shè) 置有晶體管；所述晶體管與所述第一基板之間設(shè)置有第一反射層和第一絕緣層，所述第 一反射層位于所述第一絕緣層和所述第一基板之間。 作為可選的技術(shù)方案，所述的顯示面板包括反射電極，所述反射電極連接所述 晶體管的漏極，所述晶體管位于所述反射電極與所述第一基板之間，所述反射電極與所 述晶體管之間設(shè)置有第二絕緣層。作為進(jìn)一步可選的技術(shù)方案，所述反射電極與所述第 一基板之間設(shè)置有第一反射層和第一絕緣層。 作為可選的技術(shù)方案，所述的顯示面板包括交錯(cuò)設(shè)置的數(shù)據(jù)線和掃描線，所述 數(shù)據(jù)線連接所述晶體管的源極，所述掃描線連接所述晶體管的柵極。作為進(jìn)一步可選 的技術(shù)方案，所述數(shù)據(jù)線與所述第一基板之間設(shè)置有所述第一反射層和第一絕緣層；或 者，所述掃描線與所述第一基板之間設(shè)置有所述第一反射層和第一絕緣層。
作為可選的技術(shù)方案，所述第一反射層的反射率在80%以上。 作為可選的技術(shù)方案，所述第一反射層為金屬反射層。作為進(jìn)一步可選的技術(shù) 方案，所述第一反射層為鉻反射層。 作為可選的技術(shù)方案，所述第一絕緣層包括氮化硅。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種顯示面板制造方法，其包括提供第一基板； 在所述第一基板上生成反射區(qū)塊；在所述第一基板上生成第一絕緣層，覆蓋所述反射區(qū) 塊；對應(yīng)所述反射區(qū)塊位置在所述基板上生成晶體管。 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明顯示面板的好處在于，可以提高背光源的利用率，提 升顯示面板亮度或者節(jié)省背光功率。
1繪示一種薄膜晶體管液晶顯示面板的一個(gè)基板的俯視示意圖； 2是圖1中一個(gè)顯示像素的原理圖； 3是圖1中一個(gè)顯示像素的俯視結(jié)構(gòu)示意圖； 4是圖3中像素沿AA線的側(cè)視剖面圖； 5繪示另一種現(xiàn)有技術(shù)的顯示像素的俯視結(jié)構(gòu)示意圖； 6是圖5中像素沿BB線的側(cè)視剖面7繪示本發(fā)明第一種實(shí)施方式的顯示面板的像素的俯視結(jié)構(gòu)示意圖； 8繪示本發(fā)明第一種實(shí)施方式的顯示面板的像素的仰視結(jié)構(gòu)示意圖； 9是圖7中像素沿CC線的側(cè)視剖面10繪示本發(fā)明第二種實(shí)施方式的顯示面板的像素的俯視結(jié)構(gòu)示意圖； 11繪示本發(fā)明第二種實(shí)施方式的顯示面板的像素的仰視結(jié)構(gòu)示意圖； 12是圖10中像素沿DD線的側(cè)視剖面圖。
具體實(shí)施方式

請參考圖7至和圖9，圖7繪示本發(fā)明第一種實(shí)施方式的顯示面板的像素的俯視


結(jié)構(gòu)示意圖；圖8繪示本發(fā)明第一種實(shí)施方式的顯示面板的像素的仰視結(jié)構(gòu)示意圖；圖9 是圖7中像素沿CC線的側(cè)視剖面圖。本實(shí)施方式的顯示面板包括第一基板210，所述第 一基板210上設(shè)置有晶體管260。如圖9所示，晶體管260包括柵極232;覆蓋所述柵 極232的柵極絕緣層235 ;對應(yīng)所述柵極232位置設(shè)置在所述柵極絕緣層235上的半導(dǎo)體 區(qū)塊236 ;覆蓋所述半導(dǎo)體區(qū)塊236部分面積的蝕刻阻抗區(qū)塊237 ;設(shè)置在所述蝕刻阻抗 區(qū)塊237及所述半導(dǎo)體區(qū)塊236上的源極222和漏極223 ;晶體管260的漏極223通過通 孔255連接至像素電極251。晶體管260與所述第一基板210之間設(shè)置有第一反射層261 和第一絕緣層262，所述第一反射層261位于所述第一絕緣層262和所述第一基板110之 間。這樣，當(dāng)背光源發(fā)出的光線沿箭頭G方向射向基板210時(shí)，對應(yīng)晶體管260所在區(qū) 域的光線會(huì)被第一反射層261反射回背光源，通過背光源的反射和折射再次射向顯示面 板，從而重新利用，這樣就提高了背光源的利用率。需要說明的是，晶體管在現(xiàn)有技術(shù) 中已存在多種不同結(jié)構(gòu)，所以在其它實(shí)施方式中也可以采用其它結(jié)構(gòu)的晶體管。
本實(shí)施方式中的反射層261優(yōu)選的反射率在80%以上。 本實(shí)施方式中的反射層261的材料可以是金屬，例如鋁、鉻等。鉻是比較適合 的材料，其反射率較高(能達(dá)到85%以上)，而且不容易在基板上產(chǎn)生突剌(spike)。第一 絕緣層262的材料例如可以包括氮化硅或者氧化硅。 如圖7至圖9所示，本實(shí)施方式的顯示面板包括交錯(cuò)設(shè)置的數(shù)據(jù)線221和掃描線 231，所述數(shù)據(jù)線221連接所述晶體管的源極222，所述掃描線231連接所述晶體管的柵極 232。數(shù)據(jù)線221和掃描線231—般由金屬構(gòu)成，本身即能夠反光，但發(fā)射率較低。為 了能將照射在其上的光線更好的利用，在其它實(shí)施方式中，可以在所述數(shù)據(jù)線221與所 述第一基板210之間也設(shè)置第一反射層261和第一絕緣層262;或者，在所述掃描線231 與所述第一基板210之間也設(shè)置所述第一反射層261和第一絕緣層262。這樣能夠?qū)⒏?的光線反射回背光源。 請參考圖10至圖12，圖IO繪示本發(fā)明第二種實(shí)施方式的顯示面板的像素的俯視 結(jié)構(gòu)示意圖；圖ll繪示本發(fā)明第二種實(shí)施方式的顯示面板的像素的仰視結(jié)構(gòu)示意圖；圖 12是圖IO中像素沿DD線的側(cè)視剖面圖。本實(shí)施方式的顯示面板為半穿透半反射式顯示 面板，其在第一種實(shí)施方式的顯示面板的基礎(chǔ)上更包括反射電極291，反射電極291覆蓋 像素電極251的部分面積，從而同樣與所述晶體管的漏極實(shí)現(xiàn)連接。與圖6中的反射電 極191不同，本實(shí)施方式中晶體管260(圖中未繪出)位于所述反射電極291與所述第一基 板210之間，既反射電極291覆蓋所述晶體管區(qū)域，反射電極291與所述晶體管260之間 設(shè)置有第二絕緣層276，這樣使得反射電極291面積大于圖6中的反射電極191，提高了 反射外界環(huán)境光線的效率。另外，與第一種實(shí)施方式的顯示面板相比，本實(shí)施方式的顯 示面板中的第一反射層261'和第一絕緣層262'的面積擴(kuò)大，在反射電極251與所述第 一基板210之間都有設(shè)置。這樣可以將背光源沿箭頭H方向射向晶體管所在區(qū)域及反射 電極的光線都反射回背光源。 請參考圖7至圖9，本發(fā)明一種實(shí)施方式的顯示面板制造方法包括提供第一 基板210;在所述第一基板上生成反射區(qū)塊261 ;在所述第一基板210上生成第一絕緣 層262覆蓋所述反射區(qū)塊261 ;對應(yīng)所述反射區(qū)塊261位置在所述基板210上生成晶體管 260。生成晶體管260的方法可以參考現(xiàn)有技術(shù)制造顯示面板上晶體管的步驟，在這里就不贅述了。
權(quán)利要求
一種顯示面板，其特征在于包括第一基板，所述第一基板上設(shè)置有晶體管；所述晶體管與所述第一基板之間設(shè)置有第一反射層和第一絕緣層，所述第一反射層位于所述第一絕緣層和所述第一基板之間。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于包括反射電極，所述反射電極連接所述晶體管的漏極，所述晶體管位于所述反射電極與所述第一基板之間，所述反射電極與所述晶體管之間設(shè)置有第二絕緣層。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板，其特征在于所述反射電極與所述第一基板之間設(shè)置有第一反射層和第一絕緣層。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于包括交錯(cuò)設(shè)置的數(shù)據(jù)線和掃描線，所述數(shù)據(jù)線連接所述晶體管的源極，所述掃描線連接所述晶體管的柵極。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示面板，其特征在于所述數(shù)據(jù)線與所述第一基板之間設(shè)置有所述第一反射層和第一絕緣層；或者，所述掃描線與所述第一基板之間設(shè)置有所述第一反射層和第一絕緣層。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于所述第一反射層的反射率在80%以上。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于所述第一反射層為金屬反射層。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示面板，其特征在于所述第一反射層為鉻反射層。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于所述第一絕緣層包括氮化硅。
10. —種顯示面板制造方法，其特征在于包括提供第一基板；在所述第一基板上生成反射區(qū)塊；在所述第一基板上生成第一絕緣層，覆蓋所述反射區(qū)塊；對應(yīng)所述反射區(qū)塊位置在所述基板上生成晶體管。
全文摘要
一種顯示面板及其制造方法，涉及顯示面板領(lǐng)域。本發(fā)明的要解決的技術(shù)問題是提供一種顯示面板，其包括第一基板，所述第一基板上設(shè)置有晶體管；所述晶體管與所述第一基板之間設(shè)置有第一反射層和第一絕緣層，所述第一反射層位于所述第一絕緣層和所述第一基板之間。
文檔編號G02F1/1368GK101692147SQ200910205358
公開日2010年4月7日 申請日期2009年10月9日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月9日
發(fā)明者李春, 楊娟, 王蘭娟 申請人:友達(dá)光電(蘇州)有限公司;友達(dá)光電股份有限公司