專(zhuān)利名稱(chēng)：液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置，尤其涉及在形成于顯示區(qū)域的周?chē)母鱾€(gè)虛設(shè)像素中
形成有多個(gè)靜電保護(hù)用的開(kāi)關(guān)元件的液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
液晶顯示裝置一般存在薄輕輕量、低功耗的特征，尤其是采用了薄膜晶體管 TFT(Thin Film Transistor)作為開(kāi)關(guān)元件的有源矩陣型的液晶顯示裝置，已廣泛用于從 移動(dòng)電話機(jī)、便攜終端乃至于大型電視機(jī)?？墒牵壕э@示裝置，在制造工序中、使用中等， 若靜電侵入顯示區(qū)域內(nèi)，則會(huì)在能夠形成為液晶顯示裝置、完成了的階段，產(chǎn)生顯示缺陷。 尤其是在中小型機(jī)種中，隨著高精細(xì)化的進(jìn)展，迄今為止，變得容易發(fā)生以上靜電不良。靜 電，既在制造工序中、也在運(yùn)送面板時(shí)，僅因與其他物體接觸而產(chǎn)生。并且，在取向膜的研磨 時(shí)，由于摩擦最易產(chǎn)生靜電。從而，在液晶顯示裝置的制造技術(shù)領(lǐng)域，要求不產(chǎn)生由靜電引 起的顯示缺陷。 為了防止由這樣的靜電引起的像素缺陷的產(chǎn)生，在下述專(zhuān)利文獻(xiàn)l中，公開(kāi)了這 樣的液晶顯示裝置的發(fā)明該液晶顯示裝置在顯示區(qū)域的周邊部分形成有虛設(shè)像素，并在 該虛設(shè)像素內(nèi)形成有靜電保護(hù)用的多個(gè)微小的虛設(shè)像素電極和開(kāi)關(guān)元件。在此，對(duì)于在下 述專(zhuān)利文獻(xiàn)1中公開(kāi)的液晶顯示裝置的虛設(shè)像素部分的結(jié)構(gòu)，使用圖12 圖14進(jìn)行說(shuō)明。
圖12是在下述專(zhuān)利文獻(xiàn)1中公開(kāi)的陣列基板的虛設(shè)像素區(qū)域的俯視放大圖。圖 13是圖12的IX部分的俯視放大圖。圖14是圖13的X-X線的剖面圖。
以往例的液晶顯示裝置50，是半透射型液晶顯示裝置，在其第1透光性基板51上 設(shè)置有隔著柵絕緣膜而設(shè)置為矩陣狀的多條掃描線及信號(hào)線。還有，在圖12中，作為掃描 線僅示出了掃描線Xn-2、Xn-l、Xn、Xn+l、Xn+2的部分，作為信號(hào)線僅示出了 Y1、Y2. . . Ym的 部分。其中，由多條掃描線X1、X2. . . Xn及信號(hào)線Y1、Y2. . . Ym包圍的區(qū)域是顯示區(qū)域，由多 條掃描線Xn、 Xn+l、Xn+2及信號(hào)線Yl、 Y2. . . Ym包圍的區(qū)域成為非顯示區(qū)域。
在該顯示區(qū)域中，在由各掃描線及信號(hào)線包圍的每一區(qū)域，設(shè)置有作用于顯示的 像素電極52及反射板65。并且，在TFT54中，其源電極S連接至信號(hào)線Yl、 Y2. . . Ym，柵電 極G連接至掃描線XI、 X2. . . Xn，進(jìn)而，漏電極D經(jīng)由接觸孔(未圖示)電連接至像素電極 52及反射板65。并且，在漏電極D的下部，設(shè)置有輔助電容電極53。這樣的結(jié)構(gòu)的液晶顯 示裝置50的工作原理，因?yàn)橐咽枪?，所以省略其詳?xì)的說(shuō)明。 另一方面，在液晶顯示裝置50的顯示區(qū)域的周?chē)?，形成有由掃描線Xn、Xn+l、Xn+2 及信號(hào)線Y1、Y2. . . Ym包圍的非顯示區(qū)域，在該非顯示區(qū)域，在各個(gè)信號(hào)線Y1、Y2. . . Ym上設(shè) 置有多個(gè)虛設(shè)像素，該虛設(shè)像素具有TFT66及并不作用于顯示的虛設(shè)像素電極67。該虛設(shè) 像素的TFT66的源電極S，并聯(lián)連接至各信號(hào)線Yl、Y2. . . Ym，柵電極G并聯(lián)連接至各掃描線 Xn+l、Xn+2，進(jìn)而，漏電極D，如圖14所示，經(jīng)由接觸孔68連接至設(shè)置于層間膜69上的虛設(shè) 像素電極67。而且，該虛設(shè)像素的TFT66，比連接在作用于顯示的像素電極52上的TFT54 的溝道寬度及溝道長(zhǎng)度要小，由此，與連接在作用于顯示的像素電極52上的TFT54相比，更優(yōu)先地被靜電擊穿。 虛設(shè)像素電極67的面積，比顯示區(qū)域中的1個(gè)像素量的、作用于顯示的像素電極52及反射板65的面積的合計(jì)要小。還有，在圖12及圖13中，所示出的情況是將虛設(shè)像素電極67的各個(gè)的面積設(shè)定為顯示區(qū)域中的l個(gè)像素量的、作用于顯示的像素電極52及反射板65的面積的1/10，從而在掃描線Xn與Xn+1之間及Xn+1與Xn+2之間分別設(shè)置10個(gè)，共計(jì)20個(gè)。 在這樣的結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置50中，若靜電從信號(hào)線用輸入端子62侵入，則最靠近信號(hào)線用輸入端子62的虛設(shè)像素區(qū)域的TFT66工發(fā)生靜電擊穿而釋放靜電。此后，若靜電再度從信號(hào)線用輸入端子62侵入，則最初發(fā)生了靜電擊穿的虛設(shè)像素區(qū)域的TFT66工的相鄰的TFT6^由于靜電擊穿而釋放靜電。因此，在該液晶顯示裝置50的制造工序中，因?yàn)轱@示區(qū)域的薄膜晶體管54能夠容許擊穿這樣的靜電侵入達(dá)20次，所以可得到實(shí)質(zhì)上并不會(huì)產(chǎn)生顯示缺陷的半透射型液晶顯示裝置50。
專(zhuān)利文獻(xiàn)1特開(kāi)2006-276590號(hào)公報(bào) 可是，在上述專(zhuān)利文獻(xiàn)1所公開(kāi)的液晶顯示裝置50中所示的虛設(shè)像素，俯視形成于顯示區(qū)域的上下側(cè)的非顯示區(qū)域(以下，稱(chēng)為"源虛設(shè)像素區(qū)域")。因此，在源虛設(shè)像素區(qū)域中，因?yàn)樵?個(gè)像素量的區(qū)域內(nèi)形成有多個(gè)虛設(shè)像素，所以能夠應(yīng)對(duì)來(lái)自信號(hào)線側(cè)的多次靜電進(jìn)入。可是，在顯示區(qū)域的俯視左右側(cè)的非顯示區(qū)域(以下，稱(chēng)為"柵虛設(shè)像素區(qū)域")中，因?yàn)樵趌個(gè)像素量的區(qū)域內(nèi)難以形成多個(gè)虛設(shè)像素，所以為了能夠應(yīng)對(duì)來(lái)自掃描線側(cè)的多次靜電進(jìn)入，需要在顯示區(qū)域的俯視左右的兩側(cè)，朝向外側(cè)形成多個(gè)虛設(shè)像素。因此，難以使柵虛設(shè)像素區(qū)域的寬度變窄。另外，在上述專(zhuān)利文獻(xiàn)1所公開(kāi)的液晶顯示裝置50中所示的虛設(shè)像素，因?yàn)榫邆銽FT66和虛設(shè)像素電極67，所以結(jié)構(gòu)變得復(fù)雜。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決上述的以往技術(shù)的問(wèn)題點(diǎn)而提出的。S卩，本發(fā)明的目的在于提
供在全部的非顯示區(qū)域中都能夠在1個(gè)像素量的區(qū)域內(nèi)形成多個(gè)簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)的靜電保護(hù)
元件，而且能夠不使非顯示區(qū)域的寬度增加地應(yīng)對(duì)多次靜電侵入的液晶顯示裝置。 為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的液晶顯示裝置，具有夾持液晶層而相對(duì)配置的第1
基板及第2基板，在前述第1基板的液晶層側(cè)，形成有配置為矩陣狀的多條掃描線及信號(hào)
線、配置于顯示區(qū)域的前述各掃描線及信號(hào)線的交叉部分附近的開(kāi)關(guān)元件、與前述開(kāi)關(guān)元
件電連接的像素電極，在前述顯示區(qū)域的周?chē)姆秋@示區(qū)域形成有多個(gè)虛設(shè)像素，其中在
多個(gè)前述虛設(shè)像素的各個(gè)中，形成有與前述掃描線或信號(hào)線連接的多個(gè)開(kāi)關(guān)元件，前述多
個(gè)開(kāi)關(guān)元件互相并聯(lián)連接且前述開(kāi)關(guān)元件的電極之一與被供給共用電位的布線連接。 本發(fā)明的液晶顯示裝置，在顯示區(qū)域的周?chē)姆秋@示區(qū)域形成有多個(gè)虛設(shè)像素。
即，本發(fā)明的液晶顯示裝置，既在俯視位于顯示區(qū)域的列方向的兩端側(cè)的作為非顯示區(qū)域
的源虛設(shè)像素區(qū)域、也在俯視位于顯示區(qū)域的行方向的兩端側(cè)的作為非顯示區(qū)域的柵虛設(shè)
像素區(qū)域，形成有虛設(shè)像素區(qū)域。而且，在虛設(shè)像素區(qū)域形成有多個(gè)虛設(shè)像素，在虛設(shè)像素
的各個(gè)中形成有多個(gè)開(kāi)關(guān)元件，前述多個(gè)開(kāi)關(guān)元件互相并聯(lián)連接，前述開(kāi)關(guān)元件的電極之
一與被供給共用電位的布線連接。還有，也可以在虛設(shè)像素區(qū)域形成虛設(shè)像素電極，并可以
使該虛設(shè)像素電極經(jīng)由接觸孔與開(kāi)關(guān)元件的電極連接，且使該虛設(shè)像素電極與被供給共用
5電位的布線連接。 另外，多個(gè)開(kāi)關(guān)元件，為了與掃描線或信號(hào)線連接，沿掃描線或信號(hào)線并排形成。而且，因?yàn)槎鄠€(gè)開(kāi)關(guān)元件的電極之一與被供給共用電位的布線連接，所以在靜電進(jìn)入掃描線或信號(hào)線的情況下，從靠近靜電的進(jìn)入處的開(kāi)關(guān)元件開(kāi)始按順序被靜電擊穿，該靜電流至被供給共用電位的布線而放電，所以能夠有效地保護(hù)液晶顯示裝置的顯示區(qū)域。而且，因?yàn)殪o電的進(jìn)入，容許至多個(gè)開(kāi)關(guān)元件全部被靜電擊穿為止，所以通過(guò)增多開(kāi)關(guān)元件的數(shù)量，可得到實(shí)質(zhì)上不會(huì)產(chǎn)生顯示缺陷的液晶顯示裝置。 還有，本發(fā)明，不僅對(duì)于TN(Twisted Nematic，扭曲向列)模式、VA(VerticalAlignment,垂直對(duì)齊)模式、ECB (Electrically ControlledBirefringence，電控雙折射)模式等縱向電場(chǎng)方式的液晶顯示裝置，而且對(duì)于IPS (In-Plane Switching,平面內(nèi)開(kāi)關(guān))模式、FFS(Fringe FieldSwitching，邊緣場(chǎng)開(kāi)關(guān))模式等橫向電場(chǎng)方式的液晶顯示裝置也可以應(yīng)用。并且，作為在本發(fā)明中能夠使用的開(kāi)關(guān)元件，能夠使用薄膜晶體管(TFT:ThinFilm Transistor)、薄膜二極管(Thin Film Diode) 、MIM(MetalInsulator Metal，金屬-絕緣體-金屬)元件等。 并且，在本發(fā)明的液晶顯示裝置中，優(yōu)選形成于前述虛設(shè)像素中的開(kāi)關(guān)元件，沿
前述掃描線形成多個(gè)，從前述信號(hào)線直線狀地延伸的布線與前述開(kāi)關(guān)元件連接。 本發(fā)明的液晶顯示裝置，能夠容易地在1個(gè)虛設(shè)像素內(nèi)形成多個(gè)開(kāi)關(guān)元件。因此，
如果采用本發(fā)明的液晶顯示裝置，則因?yàn)榧词共患訉挅盘撛O(shè)像素區(qū)域的寬度也能夠沿掃描
線形成多個(gè)開(kāi)關(guān)元件，所以即使柵虛設(shè)像素區(qū)域的寬度狹窄也能夠有效地保護(hù)液晶顯示裝
置的顯示區(qū)域。 并且，在本發(fā)明的液晶顯示裝置中，優(yōu)選形成于前述虛設(shè)像素中的開(kāi)關(guān)元件，沿
前述信號(hào)線形成多個(gè)，從前述掃描線直線狀地延伸的電極與前述開(kāi)關(guān)元件連接。 如果采用本發(fā)明的液晶顯示裝置，則因?yàn)榧词共患訉捲刺撛O(shè)像素區(qū)域的寬度也能
夠沿信號(hào)線形成多個(gè)開(kāi)關(guān)元件，所以即使源虛設(shè)像素區(qū)域的寬度狹窄也能夠有效地保護(hù)液
晶顯示裝置的顯示區(qū)域。 并且，在本發(fā)明的液晶顯示裝置中，優(yōu)選在前述虛設(shè)像素中，在前述掃描線或信號(hào)線上形成有彎曲部，前述多個(gè)開(kāi)關(guān)元件沿前述彎曲部形成。 在該液晶顯示裝置中，因?yàn)樵谔撛O(shè)像素中，在掃描線或信號(hào)線上形成有彎曲部，所
以位于虛設(shè)像素內(nèi)的掃描線或信號(hào)線的長(zhǎng)度變長(zhǎng)。因此，因?yàn)殚_(kāi)關(guān)元件占據(jù)的面積若與1
個(gè)像素量的面積相比則是較小的，所以能夠在虛設(shè)像素內(nèi)形成較多的開(kāi)關(guān)元件。
并且，在本發(fā)明的液晶顯示裝置中，優(yōu)選在前述虛設(shè)像素中，在前述掃描線上形
成有彎曲部，前述信號(hào)線形成有沿前述掃描線的彎曲部的外周延伸的分支信號(hào)線。 在該液晶顯示裝置中，因?yàn)槟軌蚣娱L(zhǎng)虛設(shè)像素中的掃描線的長(zhǎng)度，所以能夠與虛
設(shè)像素中的行方向的寬度無(wú)關(guān)地，容易地在虛設(shè)像素中形成多個(gè)開(kāi)關(guān)元件。因此，如果采用
該液晶顯示裝置，則因?yàn)榧词共惶貏e地加寬顯示區(qū)域的俯視左右側(cè)的非顯示區(qū)域的寬度也
能夠沿掃描線形成較多的開(kāi)關(guān)元件，所以即使顯示區(qū)域的俯視左右側(cè)的非顯示區(qū)域的寬度
狹窄，也能夠有效地保護(hù)液晶顯示裝置的顯示區(qū)域。作為掃描線的彎曲方式，因?yàn)橥ǔｏ@示
區(qū)域的像素的形狀被形成為掃描線側(cè)為短邊的矩形狀，所以?xún)?yōu)選在顯示區(qū)域的俯視左右
側(cè)的非顯示區(qū)域中的虛設(shè)像素內(nèi)彎曲為凸?fàn)罨虬紶?。如果顯示區(qū)域的像素的形狀為橫長(zhǎng)的
6矩形狀，則優(yōu)選掃描線在顯示區(qū)域的俯視左右側(cè)的非顯示區(qū)域中的虛設(shè)像素內(nèi)"- "字狀地彎曲為鋸齒形。在任何一種情況下，在使掃描線彎曲的情況下，只要信號(hào)線形成沿掃描線的彎曲部的外周延伸的分支信號(hào)線即可。 并且，在本發(fā)明的液晶顯示裝置中，優(yōu)選在前述虛設(shè)像素中，在前述信號(hào)線上形成有彎曲部，前述掃描線形成有以與前述信號(hào)線的彎曲部交叉的方式延伸的分支掃描線。
在該液晶顯示裝置中，因?yàn)槟軌蚣娱L(zhǎng)虛設(shè)像素中的信號(hào)線的長(zhǎng)度，所以即使不如以往例那樣使顯示區(qū)域的俯視上下側(cè)的非顯示區(qū)域的掃描線間距離變窄，也能夠沿信號(hào)線形成多個(gè)開(kāi)關(guān)元件。因此，如果采用該液晶顯示裝置，則因?yàn)榧词共惶貏e地加寬顯示區(qū)域的俯視上下側(cè)的非顯示區(qū)域的寬度也能夠形成較多的開(kāi)關(guān)元件，所以能夠有效地保護(hù)液晶顯示裝置的顯示區(qū)域。還有，作為信號(hào)線的彎曲方式，因?yàn)橥ǔｏ@示區(qū)域的像素的形狀被形成為信號(hào)線側(cè)為長(zhǎng)邊的矩形狀，所以?xún)?yōu)選在顯示區(qū)域的俯視上下側(cè)的非顯示區(qū)域中的虛設(shè)像素內(nèi)使之"- "字狀地彎曲為鋸齒形。在顯示區(qū)域的像素的形狀為橫長(zhǎng)的矩形狀的情況下，優(yōu)選信號(hào)線在顯示區(qū)域的俯視上下側(cè)的非顯示區(qū)域中的虛設(shè)像素內(nèi)彎曲為凸?fàn)罨虬紶?。在任何一種情況下，只要掃描線形成為以與信號(hào)線的彎曲部交叉的方式延伸為枝狀的方式即可。 在本發(fā)明的液晶顯示裝置中，優(yōu)選形成于前述虛設(shè)像素中的開(kāi)關(guān)元件，大小與形成于前述像素區(qū)域中的開(kāi)關(guān)元件基本相同。 如果形成于虛設(shè)像素中的開(kāi)關(guān)元件與形成于像素區(qū)域中的開(kāi)關(guān)元件為基本相同的大小，則不必特別地生成虛設(shè)像素區(qū)域的開(kāi)關(guān)元件形成用的掩模等，而且，其能夠在形成液晶顯示裝置的開(kāi)關(guān)元件時(shí)同時(shí)形成。因此，本發(fā)明的液晶顯示裝置，雖然在虛設(shè)像素區(qū)域具備多個(gè)開(kāi)關(guān)元件，卻能夠簡(jiǎn)單地制造。還有，本發(fā)明中的所謂"基本相同的大小"，按如下意思來(lái)使用雖然可以未必為相同的大小，但是優(yōu)選為相同的大小。 并且，在本發(fā)明的液晶顯示裝置中，優(yōu)選前述開(kāi)關(guān)元件是TFT，形成于前述虛設(shè)像素中的TFT，分別地，其源電極與前述信號(hào)線連接，柵電極與前述掃描線連接，漏電極與前述被供給共用電位的布線連接。 TFT，通常用作為液晶顯示裝置的開(kāi)關(guān)元件。因此，如果采用本發(fā)明的液晶顯示裝置，則因?yàn)轱@示區(qū)域的開(kāi)關(guān)元件及虛設(shè)像素的開(kāi)關(guān)元件一起由TFT構(gòu)成，所以能夠同時(shí)且容易地制造這些開(kāi)關(guān)元件。 進(jìn)而，在本發(fā)明的液晶顯示裝置中，優(yōu)選形成于前述虛設(shè)像素中的TFT的溝道寬度及溝道長(zhǎng)度，分別比形成于前述顯示區(qū)域中的TFT的溝道寬度及溝道長(zhǎng)度小。
若形成于虛設(shè)像素中的TFT的溝道寬度及溝道長(zhǎng)度的各個(gè)比形成于顯示區(qū)域中的TFT的溝道寬度及溝道長(zhǎng)度的各個(gè)小，則其更易被靜電擊穿。因此，如果采用本發(fā)明的液晶顯示裝置，則因?yàn)榧词轨o電從外部侵入也可靠地使形成于虛設(shè)像素中的TFT先被靜電擊
穿，所以靜電難以進(jìn)入顯示區(qū)域內(nèi)，從而能夠有效地保護(hù)液晶顯示裝置的顯示區(qū)域。 本發(fā)明的液晶顯示裝置，包括第1基板、第2基板、液晶層、顯示區(qū)域、第1虛設(shè)像
素區(qū)域、第2虛設(shè)像素區(qū)域、第1布線、第2布線和虛設(shè)像素。 第2基板，與第1基板相對(duì)。液晶層，介于第1基板與第2基板之間。在顯示區(qū)域中，能夠顯示圖像。第l虛設(shè)像素區(qū)域，設(shè)置于顯示區(qū)域的外側(cè)。第l虛設(shè)像素區(qū)域，相對(duì)于顯示區(qū)域在第l方向上相鄰。第2虛設(shè)像素區(qū)域，設(shè)置于顯示區(qū)域的外側(cè)。第2虛設(shè)像
7素區(qū)域，相對(duì)于顯示區(qū)域，在與第1方向交叉的第2方向上相鄰。 第1布線，介于第1基板與液晶層之間。第1布線，從第1虛設(shè)像素區(qū)域沿第1方向延伸至顯示區(qū)域內(nèi)。第2布線，介于第1基板與液晶層之間。第2布線，沿第2方向從第2虛設(shè)像素區(qū)域延伸至顯示區(qū)域內(nèi)。在第3布線上，供給共用電位。虛設(shè)像素，設(shè)置于第l虛設(shè)像素區(qū)域及第2虛設(shè)像素區(qū)域的各個(gè)中。 在各虛設(shè)像素中，設(shè)置有多個(gè)開(kāi)關(guān)元件。在各虛設(shè)像素中，多個(gè)開(kāi)關(guān)元件，相互并聯(lián)連接。在第l虛設(shè)像素區(qū)域，各虛設(shè)像素中的多個(gè)開(kāi)關(guān)元件，分別與第l布線連接。并且，在第2虛設(shè)像素區(qū)域，各虛設(shè)像素中的多個(gè)開(kāi)關(guān)元件，分別與第2布線連接。而且，各開(kāi)關(guān)元件，其電極之一與第3布線連接。 在該液晶顯示裝置中，在第l虛設(shè)像素區(qū)域，當(dāng)靜電進(jìn)入第l布線時(shí)，靜電，容易從第1布線經(jīng)由開(kāi)關(guān)元件逃逸至第3布線。因此，在第1虛設(shè)像素區(qū)域，容易防止進(jìn)入了第1布線的靜電順著第1布線進(jìn)入顯示區(qū)域內(nèi)。 并且，在第2虛設(shè)像素區(qū)域，當(dāng)靜電進(jìn)入第2布線時(shí)，靜電，容易從第2布線經(jīng)由開(kāi)關(guān)元件逃逸至第3布線。因此，在第2虛設(shè)像素區(qū)域，容易防止進(jìn)入了第2布線的靜電順著第2布線進(jìn)入顯示區(qū)域內(nèi)。 其結(jié)果，在該液晶顯示裝置中，能夠容易將靜電順著第l布線、第2布線等進(jìn)入顯示區(qū)域內(nèi)的情況抑制得較少，從而能夠容易保護(hù)顯示區(qū)域免受靜電侵入。


圖1是表示實(shí)施方式的液晶面板的陣列基板的示意俯視 圖2是圖1的II部分的俯視放大 圖3是圖2的顯示區(qū)域的1個(gè)子像素量的俯視放大 圖4是圖3的IV-IV線的剖面圖； 圖5是圖2的柵虛設(shè)像素區(qū)域的1個(gè)虛設(shè)像素量的俯視放大 圖6是圖5的VI-VI線的剖面圖； 圖7是變形例1的柵虛設(shè)像素區(qū)域的1個(gè)虛設(shè)像素量的俯視放大 圖8是變形例2中的相當(dāng)于圖1的II部分的部分的俯視放大 圖9是變形例2的柵虛設(shè)像素區(qū)域的1個(gè)虛設(shè)像素量的俯視放大 圖10是圖9的VII-VII線的剖面圖； 圖11是變形例3的柵虛設(shè)像素區(qū)域的1個(gè)虛設(shè)像素量的俯視放大 圖12是以往例的液晶顯示裝置中的陣列基板的虛設(shè)像素區(qū)域的俯視放大 圖13是圖12的IX部分的俯視放大圖；以及
圖14是圖13的X-X線的剖面圖。
符號(hào)的說(shuō)明 10...液晶顯示裝置，ll...第1基板，12...掃描線，12'...分支掃描線，13...輔助電容線，14...柵絕緣膜，15...半導(dǎo)體層，16...信號(hào)線，16'...分支信號(hào)線，17...鈍化膜，IS...層間膜，19、19'...接觸孔，20...像素電極，21...第2基板，22...濾色器層，23.遮光層，24.頂覆層，25.共用電極，30.保護(hù)TFT， AR.陣列基板，CF.濾色器基板，DA...顯示區(qū)域，ND...非顯示區(qū)域，COM...共用布線，GL...掃描線引繞布線，SL...信號(hào)線引繞布線，DP...虛設(shè)像素區(qū)域，GD...柵虛設(shè)像素區(qū)域，SD...源虛設(shè)像素區(qū) 域，CD...共用虛設(shè)像素區(qū)域。
具體實(shí)施例方式
以下，雖然參照實(shí)施方式及附圖對(duì)用于實(shí)施本發(fā)明的最佳方式進(jìn)行說(shuō)明，但是以
下所示的實(shí)施方式，并不旨在將本發(fā)明限定為所記載的方式，而是本發(fā)明也能夠均等地應(yīng)
用于在不脫離權(quán)利要求書(shū)所示的技術(shù)思想的情況下進(jìn)行各種變形而得到的方式。還有，在
該說(shuō)明書(shū)中的用于說(shuō)明的各附圖中，為了使各層、各部件在附圖上成為可以辨識(shí)的程度的
大小，使比例尺因?qū)?、部件而異?lái)進(jìn)行表示，而未必與實(shí)際的尺寸成比例地表示。 圖1是表示實(shí)施方式的液晶面板的陣列基板的示意俯視圖。圖2是圖1的II部
分的俯視放大圖。圖3是圖2的顯示區(qū)域的1個(gè)子像素量的俯視放大圖。圖4是圖3的
IV-IV線的剖面圖。圖5是圖2的柵虛設(shè)像素區(qū)域的1個(gè)虛設(shè)像素量的俯視放大圖。圖6
是圖5的VI-VI線的剖面圖。圖7是變形例的柵虛設(shè)像素區(qū)域的1個(gè)虛設(shè)像素量的俯視放大圖。[實(shí)施方式] 使用圖1 圖6說(shuō)明實(shí)施方式的液晶面板10。實(shí)施方式的液晶面板IO，如圖4所 示，將液晶層LC夾持于陣列基板AR及濾色器基板CF之間。液晶層LC的厚度，利用未圖示 的柱狀間隔體均勻地維持。并且，在陣列基板AR的背面及濾色器基板CF的前面，分別形成 有偏振板(圖示省略)。而且，從陣列基板AR的背面?zhèn)?，從背光?圖示省略)照射光。
陣列基板AR，如圖1所示，具備顯示各種圖像的顯示區(qū)域DA和作為其周邊的非顯 示區(qū)域ND，在該非顯示區(qū)域ND的一個(gè)端部側(cè)，形成有用于載置驅(qū)動(dòng)器IC的第1端子部Dr 和外部連接用的第2端子部Tp。而且，在非顯示區(qū)域ND，具備向第1端子部Dr引繞顯示區(qū) 域DA的掃描線的掃描線引繞布線GL及向第1端子部Dr引繞信號(hào)線的信號(hào)線引繞布線SL。 并且，在非顯示區(qū)域ND，還形成有用于向第1端子部Dr引繞輔助電容線13(參照?qǐng)D3 圖 5)的共用布線C0M。還有，當(dāng)圖像顯示于顯示區(qū)域DA時(shí)，在輔助電容線13上提供共用電位。 也就是說(shuō)，當(dāng)圖像顯示于顯示區(qū)域DA時(shí)，共用布線COM及輔助電容線13，保持為共用電位。
而且，如圖2所示，在顯示區(qū)域DA與非顯示區(qū)域ND邊界部分，分別形成有由源虛 設(shè)像素區(qū)域SD、柵虛設(shè)像素區(qū)域GD及共用虛設(shè)像素區(qū)域CD構(gòu)成的虛設(shè)像素區(qū)域DP。源虛 設(shè)像素區(qū)域SD，形成于非顯示區(qū)域ND的信號(hào)線引繞布線SL側(cè)，其形成針對(duì)從信號(hào)線引繞布 線SL側(cè)進(jìn)入的靜電的靜電保護(hù)單元。并且，柵虛設(shè)像素區(qū)域GD形成于非顯示區(qū)域ND的掃 描線引繞布線GL偵U，其形成針對(duì)從掃描線引繞布線GL側(cè)進(jìn)入的靜電的靜電保護(hù)單元。進(jìn) 而，共用虛設(shè)像素區(qū)域CD，形成于源虛設(shè)像素區(qū)域SD與柵虛設(shè)像素區(qū)域GD之間的角部，其 形成針對(duì)從信號(hào)線引繞布線SL及掃描線引繞布線GL雙側(cè)進(jìn)入的靜電的靜電保護(hù)單元。還 有，關(guān)于這些虛設(shè)像素區(qū)域DP的詳細(xì)的結(jié)構(gòu)，在后面描述。 首先，關(guān)于陣列基板AR的結(jié)構(gòu)，按照制造工序順序進(jìn)行說(shuō)明。陣列基板AR，如圖 3及圖4所示，在由玻璃、石英、塑料等構(gòu)成的第1基板11的液晶LC側(cè)，具有由鋁金屬、鋁 合金、鉬等不透明的金屬構(gòu)成的多條掃描線12、在該掃描線12間平行地形成的輔助電容線 (也包括寬度變寬的、作為輔助電容電極而起作用的部分)13和形成于非顯示區(qū)域ND的共 用布線COM(參照?qǐng)D1)。其中，掃描線12及輔助電容線13，不僅形成于顯示區(qū)域DA，而且也形成于虛設(shè)像素區(qū)域DP。并且，在該掃描線12等的形成時(shí)，在非顯示區(qū)域ND的掃描線引繞 布線GL部分上，形成伸向第1端子部Dr的多條柵布線，在信號(hào)線引繞布線SL中也同樣形 成伸向第1端子部Dr的多條柵布線(圖示省略)。 這些掃描線12、輔助電容線13、柵布線及共用布線C0M，通過(guò)以下過(guò)程制作而成 在第1基板11的表面整體形成了鋁金屬、鋁合金、鉬等不透明的金屬層之后，利用旋涂法涂 敷抗蝕劑，并在以成為預(yù)定的圖案的方式進(jìn)行了曝光及顯影處理之后，蝕刻不需要部分。其 后，覆蓋掃描線12、柵布線、輔助電容線13及第1基板11的露出面，形成由氧化硅或氮化硅 等無(wú)機(jī)絕緣膜構(gòu)成的柵絕緣膜14。 接著，在柵絕緣膜14上，形成例如由非晶硅構(gòu)成的半導(dǎo)體層15。該半導(dǎo)體層15， 也通過(guò)以下過(guò)程制作而成在柵絕緣膜14的表面整體形成了非晶硅層之后，利用旋涂法涂 敷抗蝕劑，并在以成為預(yù)定的圖案的方式進(jìn)行了曝光及顯影處理之后，蝕刻不需要部分。該 半導(dǎo)體層15，不僅形成于顯示區(qū)域DA，而且也形成于虛設(shè)像素區(qū)域DP。
接著，在虛設(shè)像素區(qū)域DP的與輔助電容線13相對(duì)的部分，形成第1接觸孔19'(參 照?qǐng)D5及圖6)。其后，以部分搭置于半導(dǎo)體層15上的方式，形成源電極S、漏電極D。在該 實(shí)施方式的液晶顯示裝置10中，半導(dǎo)體層15隔著柵絕緣膜14與掃描線12的寬度部分地 變寬之處相對(duì)配置，其與該掃描線12俯視重疊的部分構(gòu)成TFT的柵電極G。源電極S由從 信號(hào)線16分支而成的部分構(gòu)成。信號(hào)線16及漏電極D，分別由鋁金屬、鋁合金、鉬等不透明 的金屬形成，并且不僅形成于顯示區(qū)域DA而且也形成于虛設(shè)像素區(qū)域DP。因此，形成于虛 設(shè)像素區(qū)域DP的漏電極D部分，成為經(jīng)由接觸孔19'與輔助電容線13電連接的狀態(tài)。
并且，在該信號(hào)線16及漏電極D的形成時(shí)，在非顯示區(qū)域ND的掃描線引繞布線GL 上，形成伸向第1端子部Dr的多條源布線，并且在信號(hào)線引繞布線SL上也同樣形成伸向第 l端子部Dr的源布線(圖示省略)。還有，本發(fā)明中的柵布線及源布線，未必是指連接至液 晶面板的掃描線12或信號(hào)線16的布線，而將與掃描線12同時(shí)形成的布線稱(chēng)為柵布線，將 與信號(hào)線16同時(shí)形成的布線稱(chēng)為源布線。從而，在上述實(shí)施方式的液晶顯示裝置10中，位 于柵絕緣膜14之下的布線部分成為柵布線，位于柵絕緣膜14之上的布線部分成為源布線， 俯視二者間并無(wú)區(qū)別。 然后，以覆蓋半導(dǎo)體層15、源電極S、漏電極D、信號(hào)線16、源布線等及柵絕緣膜14
的露出部分的方式，在顯示區(qū)域DA及非顯示區(qū)域ND，共同形成由氧化硅或氮化硅等無(wú)機(jī)絕
緣膜構(gòu)成的鈍化膜17。進(jìn)而，在顯示區(qū)域DA中，覆蓋鈍化膜17形成由樹(shù)脂材料構(gòu)成的層間
膜18。作為層間膜18，能夠適宜選擇使用透明性良好、電絕緣性?xún)?yōu)異的感光性抗蝕劑材料。
該層間膜18，通過(guò)以下過(guò)程制作而成在鈍化膜17的表面，利用旋涂法涂敷抗蝕劑，并在以
成為預(yù)定的圖案的方式進(jìn)行了曝光及顯影處理之后，蝕刻不需要部分。 接著，以貫通鈍化膜17及層間膜18而達(dá)到漏電極D的方式，形成接觸孔19。進(jìn)
而，以覆蓋層間膜18的方式，在顯示區(qū)域DA的每一像素區(qū)域形成由ITO、IZO等透明導(dǎo)電材
料構(gòu)成的像素電極20。該像素電極20，經(jīng)由接觸孔19與漏電極D電連接。進(jìn)而，以覆蓋像
素電極20的表面的方式形成取向膜(圖示省略)，從而得到實(shí)施方式的液晶顯示裝置10中
的陣列基板AR。 接下來(lái)，關(guān)于濾色器基板CF進(jìn)行說(shuō)明。濾色器基板CF，具有由玻璃、石英、塑料等 構(gòu)成的第2基板21。在該第2基板21上，在每一子像素中形成有使不同顏色的光(R、G、B
10或者無(wú)色)透射的濾色器層22和遮光層23。以覆蓋濾色器層22和遮光層23的方式形成 頂覆層24，以覆蓋頂覆層24的方式形成由IT0或IZO構(gòu)成的共用電極25。而且，在共用電 極25的表面，形成取向膜(未圖示)，從而完成實(shí)施方式的液晶顯示裝置10的濾色器基板。
而且，使如上所述地形成的陣列基板AR與濾色器基板CF相對(duì)配置，利用密封材料 (未圖示)密封其周邊部分，并通過(guò)將液晶LC封固于形成在陣列基板AR與濾色器基板CF 之間的密封區(qū)域內(nèi)而得到實(shí)施方式的液晶裝置10。 接下來(lái)，關(guān)于形成于顯示區(qū)域DA的周?chē)奶撛O(shè)像素區(qū)域DP進(jìn)行說(shuō)明。虛設(shè)像素 區(qū)域DP，由源虛設(shè)像素區(qū)域SD、柵虛設(shè)像素區(qū)域GD及共用虛設(shè)像素區(qū)域CD構(gòu)成。雖然在 源虛設(shè)像素區(qū)域SD中，掃描線12的間隔變窄，但是在柵虛設(shè)像素區(qū)域GD中與顯示區(qū)域DA 中的掃描線12的間隔相同。 而且，在虛設(shè)像素區(qū)域DP的各個(gè)虛設(shè)像素中，沿掃描線12形成有多個(gè)、在此是2 個(gè)的、作為靜電保護(hù)元件的TFT(以下，稱(chēng)為"保護(hù)TFT")30。這些保護(hù)TFT30，雖然為了容 易與形成于顯示區(qū)域DA的TFT同時(shí)形成，其尺寸與形成于顯示區(qū)域DA的TFT實(shí)質(zhì)上相同， 但是其溝道寬度及溝道長(zhǎng)度比形成于顯示區(qū)域DA的TFT小。因此，保護(hù)TFT30，因?yàn)榕c形成 于顯示區(qū)域DA的TFT相比，抗靜電弱，所以與形成于顯示區(qū)域DA的TFT相比，先被靜電擊 穿。 如從圖2、圖5及圖6的記載可以看出的，在各個(gè)虛設(shè)像素中，柵電極G形成于同一 條掃描線12上，源電極S電連接至同一條信號(hào)線16，進(jìn)而漏電極D也電連接至在同一個(gè)虛 設(shè)像素內(nèi)形成的輔助電容線13。即，在各個(gè)虛設(shè)像素中，多個(gè)保護(hù)TFT30互相并聯(lián)連接。
如果采用這樣的結(jié)構(gòu)的虛設(shè)像素，則例如，在靜電從第1端子部Dr或第2端子部 Tp經(jīng)由信號(hào)線引線布線SL(參照?qǐng)D1)沿信號(hào)線16進(jìn)入的情況下，最初最靠近第l端子部 Dr或第2端子部Tp的位置的、連接至信號(hào)線16的保護(hù)TFT30將被靜電擊穿，從而靜電經(jīng)由 接觸孔19'，從漏電極D流至輔助電容線13而放電。 同樣地，在靜電從第1端子部Dr或第2端子部Tp經(jīng)由掃描線引線布線GL沿掃描 線12進(jìn)入的情況下，也是最初最靠近第1端子部Dr或第2端子部Tp的位置的、連接至掃 描線12的保護(hù)TFT30將被靜電擊穿，從而靜電經(jīng)由接觸孔19'，從漏電極D流至輔助電容線 13而放電。 因此，如果采用本發(fā)明的液晶顯示裝置IO，則即使靜電從信號(hào)線16側(cè)或掃描線12 側(cè)進(jìn)入，也由于最靠近靜電進(jìn)入側(cè)的保護(hù)TFT被靜電擊穿，而使其他的保護(hù)TFT30及顯示 區(qū)域DA的TFT受到保護(hù)。這樣的保護(hù)工作，因?yàn)槟軌虺掷m(xù)直至最靠近顯示區(qū)域DA的保護(hù) TFT30被靜電擊穿為止，所以通過(guò)使與每1條掃描線或每1條信號(hào)線連接的保護(hù)TFT30的數(shù) 量增加，能夠耐更多的靜電進(jìn)入。 還有，雖然在上述實(shí)施方式的液晶顯示裝置10中，示出的是在柵虛設(shè)像素區(qū)域GD 中，在1個(gè)虛設(shè)像素量的面積內(nèi)僅形成有2個(gè)保護(hù)TFT30的例子，但是如果就這樣，則在沿 掃描線12存在第3次靜電進(jìn)入的情況下，顯示區(qū)域DA的TFT有時(shí)將被靜電擊穿。因此，可 以在柵虛設(shè)像素區(qū)域GD，并列形成多個(gè)從而每1條掃描線連接更多的保護(hù)TFT30。
還有，在本實(shí)施方式中，掃描線12及信號(hào)線16的任意一方對(duì)應(yīng)于第1布線，掃描 線12及信號(hào)線16的另一方對(duì)應(yīng)于第2布線，輔助電容線13對(duì)應(yīng)于第3布線。并且，柵虛 設(shè)像素區(qū)域GD及源虛設(shè)像素區(qū)域SD的任意一方對(duì)應(yīng)于第1虛設(shè)像素區(qū)域，柵虛設(shè)像素區(qū)
11域GD及源虛設(shè)像素區(qū)域SD的另一方對(duì)應(yīng)于第2虛設(shè)像素區(qū)域。
[變形例1] 在上述實(shí)施方式的液晶顯示裝置10中，示出了每1個(gè)虛設(shè)像素形成有2個(gè)保護(hù) TFT30的例子。該能夠在每1個(gè)虛設(shè)像素中形成的保護(hù)TFT30的數(shù)量，由每1個(gè)虛設(shè)像素 的、與掃描線12平行的部分的寬度而定。近年來(lái)的液晶顯示裝置，因?yàn)楦呔?xì)化而像素尺 寸變小，而且由于顯示區(qū)域的l個(gè)像點(diǎn)(l個(gè)像素)成為正方形，所以l個(gè)子像素的形狀成 為長(zhǎng)方形，所以每1個(gè)虛設(shè)像素的、與掃描線12平行的部分的寬度變得非常窄。
因此，如果上述的實(shí)施方式的液晶顯示裝置10的結(jié)構(gòu)原樣不變，則為了使柵虛設(shè) 像素區(qū)域GD的保護(hù)TFT30的數(shù)量增加，需要增加?xùn)盘撛O(shè)像素區(qū)域GD的寬度。還有，在源虛 設(shè)像素區(qū)域SD中，如圖2所示，因?yàn)槟軌蚴箳呙杈€12間距離變窄，所以即使不使源虛設(shè)像 素區(qū)域SD的寬度增加，也可以形成多個(gè)保護(hù)TFT30。 于是，作為變形例1的虛設(shè)像素，如圖7所示，在1個(gè)虛設(shè)像素內(nèi)，形成使掃描線12 分支為枝狀而得到的分支掃描線12'，從而每1個(gè)虛設(shè)像素形成了更多的、在圖7所示的例 子中是8個(gè)的保護(hù)TFT。若采用這樣的結(jié)構(gòu)，則即使不特別地使柵虛設(shè)像素區(qū)域GD的面積 增加，也能夠形成多個(gè)保護(hù)TFT30。 還有，在該變形例1的虛設(shè)像素中，因?yàn)闊o(wú)法為了不使制造工時(shí)增加而將輔助電 容線13整面狀地配置于虛設(shè)像素內(nèi)，所以可以適宜利用柵布線及源布線而將各個(gè)保護(hù) TFT30的漏電極D電連接至輔助電容線13。進(jìn)而，也可以與顯示區(qū)域的像素電極20的情況 同樣地，在虛設(shè)像素區(qū)域形成層間膜18及虛設(shè)像素電極，并使該虛設(shè)像素電極在顯示區(qū)域 外連接至共用布線COM，并使虛設(shè)像素電極經(jīng)由形成于層間膜18及鈍化膜17中的接觸孔與 保護(hù)TFT30的漏電極D電連接。 并且，該變形例1的虛設(shè)像素，不僅在柵虛設(shè)像素區(qū)域GD、而且在源虛設(shè)像素區(qū)域 SD及共用虛設(shè)像素區(qū)域CD中也能夠采用。還有，在該變形例的虛設(shè)像素中，從掃描線12分 支的分支掃描線12'的寬度，為了降低阻抗、使全部的保護(hù)TFT30有效地工作，盡可能粗些 為佳。[變形例2] 在上述的變形例1中，示出了不使柵虛設(shè)像素區(qū)域GD的面積增加，為了在每1個(gè) 虛設(shè)像素中配置較多的保護(hù)TFT而形成了分支掃描線12'的例子。可是，即使在該變形例1 中，能夠在每1個(gè)虛設(shè)像素中配置的保護(hù)TFT的數(shù)量也有限。于是，在變形例2中，掃描線 12，如圖8所示，在1個(gè)虛設(shè)像素量的區(qū)域內(nèi)，以沿著相鄰的信號(hào)線16的方式，細(xì)長(zhǎng)地彎曲 成凸?fàn)?。而且，分支信?hào)線16'從信號(hào)線16沿著彎曲而成的掃描線12的周?chē)哉紦?jù)與相 鄰的信號(hào)線16之間的方式延伸。在彎曲而成的掃描線12上，隔著柵絕緣膜14形成多個(gè)、 在此是12個(gè)的半導(dǎo)體層15，并且以部分重疊于該半導(dǎo)體層15上的方式，在信號(hào)線16及分 支信號(hào)線16'側(cè)形成源電極S、在中央側(cè)形成漏電極D。 l個(gè)虛設(shè)像素量的區(qū)域內(nèi)的輔助電 容線13，在中央部分形成為整面狀，漏電極D經(jīng)由形成在柵絕緣膜14上的第l接觸孔19' 與輔助電容線13電連接。還有，該非顯示區(qū)域ND的l個(gè)虛設(shè)像素量的區(qū)域內(nèi)的輔助電容 線13，隔著與彎曲成凸?fàn)畹膾呙杈€12不同的絕緣膜繞過(guò)掃描線12的表面，與顯示區(qū)域DA 的輔助電容線13電連接。 S卩，在變形例2的液晶顯示裝置10中，在1個(gè)虛設(shè)像素量的區(qū)域內(nèi)形成有多個(gè)、在
12此如圖9所示是6X2二 12個(gè)的、作為靜電保護(hù)元件的TFT(以下，稱(chēng)為"保護(hù)TFT")30。這 些保護(hù)TFT30，雖然為了容易與形成于顯示區(qū)域DA的TFT同時(shí)形成，其尺寸與形成于顯示區(qū) 域DA的TFT實(shí)質(zhì)上相同，但是其溝道寬度及溝道長(zhǎng)度比形成于顯示區(qū)域DA的TFT小。因 此，保護(hù)TFT30，因?yàn)榕c形成于顯示區(qū)域DA的TFT相比，抗靜電弱，所以與形成于顯示區(qū)域 DA的TFT相比，先被靜電擊穿。
圖10是圖9的VII-VII線的剖面圖。 如從圖8、圖9及圖10的記載可以看出的，在1個(gè)虛設(shè)像素量的區(qū)域內(nèi)，保護(hù)TFT30 的柵電極G形成于同一條掃描線12上，源電極S電連接至同一條信號(hào)線16或分支信號(hào)線 16'，進(jìn)而漏電極D也電連接至同一條在非顯示區(qū)域ND的一個(gè)虛設(shè)像素量的區(qū)域內(nèi)形成的 輔助電容線13。 S卩，在1個(gè)虛設(shè)像素量的區(qū)域內(nèi)，多個(gè)保護(hù)TFT30互相并聯(lián)連接。
[變形例3] 雖然在上述變形例2的液晶顯示裝置10中，示出了為了加長(zhǎng)1個(gè)虛設(shè)像素量的區(qū) 域內(nèi)的掃描線12的長(zhǎng)度而使掃描線12彎曲的例子，但是也能夠?yàn)榱思娱L(zhǎng)信號(hào)線16的長(zhǎng)度 而使信號(hào)線16彎曲。對(duì)于使1個(gè)虛設(shè)像素量的區(qū)域內(nèi)的信號(hào)線16彎曲的例子，作為變形 例3使用圖ll進(jìn)行說(shuō)明。 在圖11所示的變形例3的1個(gè)虛設(shè)像素量的區(qū)域中，信號(hào)線16 " - "字狀地彎曲 為鋸齒形。而且，從掃描線12分支為枝狀的分支掃瞄線12'配置為，橫穿"-"字狀地彎曲 為鋸齒形的信號(hào)線16。并且，在分支掃描線12'上形成有多個(gè)、在此是8個(gè)以該分支掃描線 12'為柵電極G的保護(hù)TFT30。并且，1個(gè)虛設(shè)像素量的區(qū)域內(nèi)的輔助電容線13，雖然省略 了圖示，但是配置于各個(gè)漏電極D的下部，其跨分支掃描線12'的部分隔著另外的絕緣膜與 顯示區(qū)域DA的輔助電容線13電連接。還有，在該變形例3的一個(gè)虛設(shè)像素量的區(qū)域內(nèi)，從 掃描線12分支而成的分支掃描線12'的寬度，為了降低阻抗、使全部的保護(hù)TFT30有效地 工作，盡可能粗些為佳。 還有，在該變形例3的1個(gè)虛設(shè)像素量的區(qū)域內(nèi)，因?yàn)闊o(wú)法為了不使制造工時(shí)增加 而將輔助電容線13配置為整面狀，所以如上所述，可以適宜利用柵布線及源布線將各個(gè)保 護(hù)TFT30的漏電極D電連接至輔助電容線13。進(jìn)而，也可以與顯示區(qū)域DA的像素電極20 的情況同樣地，在1個(gè)虛設(shè)像素量的區(qū)域內(nèi)形成層間膜18及虛設(shè)像素電極，并使該虛設(shè)像 素電極在顯示區(qū)域外連接至共用布線COM，并使虛設(shè)像素電極經(jīng)由形成于層間膜18及鈍化 膜17中的接觸孔與保護(hù)TFT30的漏電極D電連接。若采用這樣的結(jié)構(gòu)，則無(wú)需特別地在非 顯示區(qū)域ND的1個(gè)虛設(shè)像素量的區(qū)域內(nèi)形成輔助電容線13。 還有，在上述變形例2、變形例3等中，關(guān)于因?yàn)轱@示區(qū)域DA的各像素的形狀為縱 長(zhǎng)，所以l個(gè)虛設(shè)像素量的區(qū)域的形狀也為縱長(zhǎng)的情況進(jìn)行了說(shuō)明。但是，在顯示區(qū)域DA 的像素的形狀為橫長(zhǎng)的矩形狀的情況下，在非顯示區(qū)域ND的1個(gè)虛設(shè)像素量的區(qū)域中，在 使掃描線彎曲的情況下，只要"- "字狀地彎曲為鋸齒形既可，在使信號(hào)線彎曲的情況下，只 要彎曲為凸?fàn)罨虬紶罴纯?。并且，雖然在上述變形例2、變形例3等中，關(guān)于使所有的1個(gè)像 素量的區(qū)域內(nèi)的靜電保護(hù)單元的結(jié)構(gòu)都相同的例子進(jìn)行了說(shuō)明，但是也可以在顯示區(qū)域DA 的左右的非顯示區(qū)域ND和上下的顯示區(qū)域ND中成為分別不同的結(jié)構(gòu)。
并且，雖然在上述實(shí)施方式、變形例1 變形例3等中，以TN模式的縱向電場(chǎng)方式 的透射型液晶顯示裝置為例進(jìn)行了說(shuō)明，但是本發(fā)明并不限于此，對(duì)于其他模式的縱向電
13場(chǎng)方式的液晶顯示裝置、或者對(duì)于橫向電場(chǎng)方式的液晶顯示裝置、進(jìn)而對(duì)于具有反射部的 液晶顯示裝置，都可以等同地應(yīng)用。尤其是，在層間膜上具備下電極及具有狹縫的上電極的 結(jié)構(gòu)的FFS模式的液晶顯示裝置中，因?yàn)閷?duì)上電極或下電極供給共用電位，所以即使采用 上述變形例的結(jié)構(gòu)，也能夠不特別地使制造工時(shí)增加，便能夠簡(jiǎn)單地將保護(hù)TFT30的漏電 極D連接至被供給共用電位的布線。
權(quán)利要求
一種液晶顯示裝置，其具有夾持液晶層而相對(duì)配置的第1基板及第2基板，在前述第1基板的液晶層側(cè)，形成有配置為矩陣狀的多條掃描線及信號(hào)線、配置于顯示區(qū)域的前述各掃描線及信號(hào)線的交叉部分附近的開(kāi)關(guān)元件、與前述開(kāi)關(guān)元件電連接的像素電極，在前述顯示區(qū)域的周?chē)姆秋@示區(qū)域形成有多個(gè)虛設(shè)像素，其特征在于在多個(gè)前述虛設(shè)像素的各個(gè)中，形成有與前述掃描線或信號(hào)線連接的多個(gè)開(kāi)關(guān)元件，前述多個(gè)開(kāi)關(guān)元件互相并聯(lián)連接且前述開(kāi)關(guān)元件的電極之一與被供給共用電位的布線連接。
2. 按照權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于形成于前述虛設(shè)像素中的開(kāi)關(guān)元件，沿前述掃描線形成多個(gè)，從前述信號(hào)線直線狀地 延伸的布線與前述開(kāi)關(guān)元件連接。
3. 按照權(quán)利要求l所述的液晶顯示裝置，其特征在于形成于前述虛設(shè)像素中的開(kāi)關(guān)元件，沿前述信號(hào)線形成多個(gè)，從前述掃描線直線狀地 延伸的電極與前述開(kāi)關(guān)元件連接。
4. 按照權(quán)利要求l所述的液晶顯示裝置，其特征在于在前述虛設(shè)像素中，在前述掃描線或信號(hào)線上形成有彎曲部，前述多個(gè)開(kāi)關(guān)元件沿前 述彎曲部形成。
5. 按照權(quán)利要求4所述的液晶顯示裝置，其特征在于在前述虛設(shè)像素中，在前述掃描線上形成有彎曲部，前述信號(hào)線形成有沿前述掃描線 的彎曲部的外周延伸的分支信號(hào)線。
6. 按照權(quán)利要求4所述的液晶顯示裝置，其特征在于在前述虛設(shè)像素中，在前述信號(hào)線上形成有彎曲部，前述掃描線形成有以與前述信號(hào) 線的彎曲部交叉的方式延伸的分支掃描線。
7. 按照權(quán)利要求1 6中的任意一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于 形成于前述虛設(shè)像素中的開(kāi)關(guān)元件，大小與形成于前述像素區(qū)域中的開(kāi)關(guān)元件基本相同。
8. 按照權(quán)利要求1 7中的任意一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于 前述開(kāi)關(guān)元件是薄膜晶體管，形成于前述虛設(shè)像素中的薄膜晶體管，分別地，其源電極與前述信號(hào)線連接，柵電極與前述掃描線連接，漏電極與前述被供給共用電位的布線連接。
9. 按照權(quán)利要求8所述的液晶顯示裝置，其特征在于形成于前述虛設(shè)像素中的薄膜晶體管的溝道寬度及溝道長(zhǎng)度，分別比形成于前述顯示 區(qū)域中的薄膜晶體管的溝道寬度及溝道長(zhǎng)度小。
10. —種液晶顯示裝置，其特征在于，包括 第1基板；與前述第1基板相對(duì)的第2基板；介于前述第1基板與前述第2基板之間的液晶層；能夠顯示圖像的顯示區(qū)域；第1虛設(shè)像素區(qū)域，其設(shè)置于前述顯示區(qū)域的外側(cè)，且相對(duì)于前述顯示區(qū)域在第1方向 上相鄰；第2虛設(shè)像素區(qū)域，其設(shè)置于前述顯示區(qū)域的外側(cè)，且相對(duì)于前述顯示區(qū)域在與前述第1方向交叉的第2方向上相鄰；第1布線，其介于前述第1基板與前述液晶層之間，且從前述第1虛設(shè)像素區(qū)域沿前述 第1方向延伸至前述顯示區(qū)域內(nèi)；第2布線，其介于前述第1基板與前述液晶層之間，且沿前述第2方向從前述第2虛設(shè) 像素區(qū)域延伸至前述顯示區(qū)域內(nèi)；被供給共用電位的第3布線；以及虛設(shè)像素，其設(shè)置于前述第1虛設(shè)像素區(qū)域及前述第2虛設(shè)像素區(qū)域的各個(gè)中； 其中，在各前述虛設(shè)像素中，設(shè)置有相互并聯(lián)連接的多個(gè)開(kāi)關(guān)元件； 在前述第1虛設(shè)像素區(qū)域，各前述虛設(shè)像素中的前述多個(gè)開(kāi)關(guān)元件，分別與前述第1布 線連接；在前述第2虛設(shè)像素區(qū)域，各前述虛設(shè)像素中的前述多個(gè)開(kāi)關(guān)元件，分別與前述第2布 線連接；各前述開(kāi)關(guān)元件，其電極之一與前述第3布線連接。
全文摘要
本發(fā)明提供在形成于顯示區(qū)域的周?chē)母鱾€(gè)虛設(shè)像素中形成有多個(gè)靜電保護(hù)用的開(kāi)關(guān)元件的液晶顯示裝置。在本發(fā)明的液晶顯示裝置的陣列基板上，在顯示區(qū)域(DA)的周?chē)姆秋@示區(qū)域(ND)形成有多個(gè)虛設(shè)像素，在多個(gè)虛設(shè)像素的各個(gè)中，形成有與掃描線(12)或信號(hào)線(16)連接的多個(gè)作為開(kāi)關(guān)元件的保護(hù)TFT(30)，這多個(gè)保護(hù)TFT(30)互相并聯(lián)連接而保護(hù)TFT(30)的電極的漏電極(D)與被供給共用電位的布線連接。
文檔編號(hào)G02F1/1368GK101726895SQ200910174009
公開(kāi)日2010年6月9日 申請(qǐng)日期2009年10月16日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月17日
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