專利名稱：背側(cè)相柵掩模及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光刻，更具體地，涉及一種背側(cè)相柵掩模及其制造方法。
背景技術(shù)：
作為增加半導(dǎo)體器件集成度的方法，已經(jīng)提出了一種將諸如動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM)器件的半導(dǎo)體器件的單元結(jié)構(gòu)從8F2單元布局轉(zhuǎn)換成6F2單元布局的方法。在6F2 單元布局中，有源區(qū)在相對于彼此垂直的字線和位線的斜線方向延伸，因此允許在有限的 區(qū)域內(nèi)布置更多的晶體管。界定有源區(qū)的圖案是斜圖案，該斜圖案相對于字線或位線旋轉(zhuǎn) 預(yù)定的角度。 與字線或位線不同，斜圖案不是以直角坐標(biāo)系的形式被引入而是以沿在直角坐標(biāo) 系上旋轉(zhuǎn)預(yù)定角度的方向延伸的形式被引入。因此，適于直角坐標(biāo)系的修正的照明系統(tǒng)對 斜圖案無效。盡管該修正的照明系統(tǒng)諸如雙極照明系統(tǒng)被引入以改善曝光光源的分辨率極 限，但當(dāng)轉(zhuǎn)移的圖案是沿XY直角坐標(biāo)系的X軸方向或者Y軸方向延伸的線和間隔圖案時， 其能夠獲得期望的效果。 修正的照明系統(tǒng)，諸如具有沿X軸布置的一對雙極的X軸雙極，改善了沿Y軸方向 延伸的線和間隔圖案的分辨率。然而，當(dāng)X軸雙極照明系統(tǒng)被用于圖案轉(zhuǎn)移相對于Y軸旋轉(zhuǎn) 預(yù)定角度的斜圖案的曝光工藝時，雙極的位置角度和斜圖案邊緣的位置角度彼此偏離。因 此，通過雙極照明來改善分辨率的效果會降低一半。而且，因為斜圖案不能以沿設(shè)計方向延 伸的形式被圖案轉(zhuǎn)移而是其延伸方向因雙極照明而向Y軸方向偏移，所以導(dǎo)致圖案缺陷。 也就是說，轉(zhuǎn)移到晶片上的斜圖案可以按更小的角度而不是相對于Y軸的設(shè)計角度轉(zhuǎn)移。
因此，需要開發(fā)改良的照明系統(tǒng)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例旨在提供一種能夠圖案轉(zhuǎn)移斜圖案的掩模及其制造方法，該斜圖 案沿相對于直角坐標(biāo)系的軸向旋轉(zhuǎn)預(yù)定角度的方向延伸。 在一個實施例中，掩模包括基板；掩模圖案，形成在基板的前側(cè)上，該掩模圖案與 斜圖案的布局相對應(yīng)，該斜圖案沿從直角坐標(biāo)系的軸朝向預(yù)定方向旋轉(zhuǎn)的方向延伸；以及 相柵，具有線性形狀且形成在基板的背側(cè)上，該相柵的延伸方向平行于掩模圖案的延伸方 向。 優(yōu)選地，斜圖案對應(yīng)于6F2單元布置中的有源區(qū)的布局。 優(yōu)選地，相柵包括第一相區(qū)和第二相區(qū)，第一相區(qū)和第二相區(qū)交替設(shè)置在基板的 背側(cè)上且之間具有180°的相差，以便導(dǎo)致阻擋入射到基板的曝光光的零級光且允許初級 光入射到掩模圖案的相干涉。 優(yōu)選地，第一相區(qū)包括溝槽，該溝槽到基板背側(cè)表面的深度提供180°的相差，并 且第二相區(qū)是基板背側(cè)的由溝槽界定的表面區(qū)域。 優(yōu)選地，包括第一相區(qū)的寬度和第二相區(qū)的寬度的柵節(jié)距大致是圖案節(jié)距的兩倍，該圖案節(jié)距包括每個掩模圖案的寬度和相鄰掩模圖案的間隔的寬度。 優(yōu)選地，相柵設(shè)置在相對于設(shè)置掩模圖案的區(qū)域的外側(cè)加寬800到1000 m的區(qū)域中。 在另一個實施例中，掩模包括基板；第一區(qū)域，具有形成在基板的前側(cè)上的第一掩 模圖案，第一掩模圖案與斜圖案的布局相對應(yīng)，該斜圖案沿從直角坐標(biāo)系的軸朝預(yù)定方向 旋轉(zhuǎn)的方向延伸；第二區(qū)域，具有沿直角坐標(biāo)系的軸向延伸的第二掩模圖案；以及相柵，具 有線性形狀且選擇性地形成在基板的背側(cè)區(qū)域上，其中相柵區(qū)域與第一區(qū)域相對應(yīng)且相柵 區(qū)域的延伸方向平行于第一掩模圖案的延伸方向。 在再一個實施例中，制造掩模的方法包括在基板的前側(cè)上形成掩模圖案，該掩模 圖案與斜圖案的布局相對應(yīng)，該斜圖案沿從直角坐標(biāo)系的軸朝預(yù)定方向旋轉(zhuǎn)的方向延伸； 以及在基板的背側(cè)上形成具有線性形狀的相柵，該相柵的延伸方向與掩模圖案的延伸方向 平行。 優(yōu)選地，相柵的形成包括在基板的背側(cè)上形成光致抗蝕劑圖案；以及通過對基板 的由光致抗蝕劑圖案暴露的背側(cè)實施選擇性刻蝕而形成溝槽，該溝槽具有提供180°相差 的到基板的背側(cè)表面的深度。 優(yōu)選地，光致抗蝕劑圖案的形成包括在基板背側(cè)上形成抗反射涂層(ARC);在ARC 上涂敷光致抗蝕劑層；制造具有相柵的圖案布局的母掩模；以及利用母掩模選擇性曝光和 顯影光致抗蝕劑層的 一部分。 根據(jù)本發(fā)明，提供一種掩模以及制造這種掩模的方法，所提供的掩模的背側(cè)設(shè)置 有相柵圖案，該相柵圖案提供適于形成在基板的前側(cè)上的掩模圖案的修正照明。


圖1示出根據(jù)本發(fā)明實施例的6F2單元布置中的斜圖案布局； 圖2示出根據(jù)本發(fā)明實施例的相柵布局； 圖3示出根據(jù)本發(fā)明實施例的掩模的結(jié)構(gòu)； 圖4A和4B示出模擬結(jié)果，用于示出根據(jù)本發(fā)明實施例的掩模的分辨率改善效 果； 圖5和6示出根據(jù)本發(fā)明實施例的掩模結(jié)構(gòu)的第一修改； 圖7示出根據(jù)本發(fā)明實施例的掩模結(jié)構(gòu)的第二修改； 圖8到圖12示出根據(jù)本發(fā)明實施例的掩模的制造工藝步驟。
具體實施例方式
為了在6^單元布置結(jié)構(gòu)中圖案轉(zhuǎn)移沿對XY直角坐標(biāo)系的軸向旋轉(zhuǎn)預(yù)定角度的 方向延伸的斜圖案，本發(fā)明的實施例提供一種掩模，該掩模設(shè)置有形成在掩模前側(cè)上的多 個掩模圖案以及形成在掩模背側(cè)上的多個相柵圖案。相柵圖案引起相移且其延伸方向平行 于斜圖案的延伸方向。 相柵圖案會引起曝光工藝期間入射到掩模的光離軸入射而超過曝光裝置的離軸 入射限制，并導(dǎo)致孔徑的最外區(qū)域在曝光中被使用。根據(jù)在掩模前側(cè)上的形成為光屏蔽圖 案的掩模圖案的布局，相柵圖案沿平行于掩模圖案延伸方向的方向延伸形成以實現(xiàn)適當(dāng)形式的修正照明，諸如雙極照明。 相柵圖案帶來這樣的效果雙極的一極的軸沿垂直于掩模圖案延伸方向的方向布 置，從而可以帶來初級光(primary light)(或者負初級光)入射到掩模圖案邊緣的效果。 因此，對于斜圖案可以有效地實現(xiàn)分辨率改善效應(yīng)，從而改善曝光工藝的工藝余量，該分辨 率改善效應(yīng)等效于在直角坐標(biāo)系中沿垂直于線和間隔圖案的X軸布置的雙極的該極的軸 所帶來的效應(yīng)，該線和間隔圖案沿Y軸延伸。因此，甚至在未引入單獨的修正照明而是引入 常規(guī)照明的曝光工藝中，也可以精確地圖案轉(zhuǎn)移斜圖案。因此，可以減少開發(fā)適用于斜圖案 的單獨的修正照明系統(tǒng)的時間及成本，從而增加半導(dǎo)體制造工藝的生產(chǎn)率。
參考圖1，在DRAM器件的6^單元布置中暴露有源區(qū)域的斜圖案100的布局被設(shè)計 成線性圖案或者矩形圖案，該線性圖案或者矩形圖案沿相對于彼此垂直的字線和位線旋轉(zhuǎn) 預(yù)定角度的斜線方向延伸。因為字線和位線平行于XY直角坐標(biāo)系的軸向，所以斜圖案100 沿相對于X軸或者Y軸傾斜預(yù)定角度的方向延伸。當(dāng)利用曝光裝置圖案轉(zhuǎn)移斜圖案100時， 在修正的照明系統(tǒng)諸如雙極照明系統(tǒng)中，利用初級光改善分辨率的效果被降低一半。這是 因為修正的照明系統(tǒng)設(shè)置有沿Y軸方向(或者X軸方向)布置的成對的極，但是斜圖案IOO 的邊緣不沿X軸方向(或者Y軸方向)延伸，該X軸方向(或者該Y軸方向)垂直于成對 的極的方向。 為了改善修正的照明系統(tǒng)的分辨率，沿斜線方向延伸的線性形狀的相柵200被設(shè) 計為如圖2所示。設(shè)置相柵200使得第一相區(qū)201和第二相區(qū)203交替布置。第一相區(qū) 201和第二相區(qū)203被設(shè)置為沿與斜圖案100的方向同向延伸的線性形狀。而且，第一相區(qū) 和第二相區(qū)被設(shè)置為具有180°相差的0°相區(qū)或者180°相區(qū)，使得透過第一相區(qū)201和 第二相區(qū)203的光產(chǎn)生彼此相干涉以阻擋0級光且允許初級光或者負初級光從其透過。
如圖3所示，圖1的斜圖案100的布局和圖2的相柵200的布局分別設(shè)置在諸如 石英的透明基板300的前側(cè)和背側(cè)上。掩模圖案310以鉻(Cr)的光屏蔽圖案或者鉬(Mo) 合金的相移圖案形成在基板300的前側(cè)上。掩模圖案310對應(yīng)于圖1的斜圖案100的布局 形成。第一相區(qū)321設(shè)置在基板300的背側(cè)上，包括設(shè)置為溝槽的第二相區(qū)323的相柵圖 案320對應(yīng)于圖2的相柵200的布局形成，該溝槽設(shè)定第一相區(qū)321。 柵節(jié)距Pe包括第一相區(qū)321和第二相區(qū)323的寬度且是圖案節(jié)距&的兩倍，圖案 節(jié)距Pc包括掩模圖案310的寬度和相鄰掩模圖案310的間隔的寬度。盡管這個節(jié)距倍數(shù) 可以根據(jù)基板300的厚度而改變，但是考慮到曝光所得到的圖像對比度，將節(jié)距倍數(shù)設(shè)置 為兩倍仍是有效的。形成相柵圖案320的第一相區(qū)321和第二相區(qū)323形成為具有180° 的相差而用于相干涉。從而，形成為溝槽的第二相區(qū)323形成到距表面的深度為導(dǎo)致180° 相差的深度。 此掩模可以通過設(shè)置在其背側(cè)上的相柵圖案320而為掩模圖案310提供修正的照 明。當(dāng)入射到相柵圖案320的曝光光是常規(guī)照明時，通過相柵圖案320的入射光產(chǎn)生相干 涉，從而零級光被該干涉阻擋而正初級光或者負初級光透過到達基板300的內(nèi)部。因此，掩 模圖案310經(jīng)受初級光(或者負初級光)基本向其入射的效應(yīng)。這個效應(yīng)與引入修正的照 明系統(tǒng)的離軸照明(OAI)的效應(yīng)基本相同。 對于利用根據(jù)本發(fā)明實施例的掩模的曝光工藝，盡管未引入單獨的修正的照明系 統(tǒng)且僅采用常規(guī)照明但仍可以獲得利用修正照明的改善圖案轉(zhuǎn)移分辨率的效果。從而，因為可以省略開發(fā)適用于斜圖案(圖1的100)的帶有單獨孔徑的修正的照明系統(tǒng)的過程以 及將其安裝到曝光裝置的過程，所以可以更精確地將各種形式的斜圖案100圖案轉(zhuǎn)移到晶片上。 參考圖4A，利用各種修正的照明系統(tǒng)對線和間隔圖案進行曝光模擬的結(jié)果顯示引 入根據(jù)本發(fā)明實施例的相柵圖案320可以給出與雙極照明系統(tǒng)相似的效果。曝光模擬的第 一結(jié)果401顯示對比度隨著離焦的增加而急劇降低，其中采用具有位于0. 8倍透鏡半徑位 置處的圓形透光部的圓形照明系統(tǒng)。相比較，曝光模擬的第二結(jié)果403和曝光模擬的第三 結(jié)果405具有相似的形狀且顯示了比第一結(jié)果401更高的對比度，在第二結(jié)果403中，相柵 圖案320被引入且采用常規(guī)照明系統(tǒng)，在第三結(jié)果405中，成對的透光部分以極的形式設(shè)置 在從0. 6倍透鏡半徑到0. 8倍透鏡半徑的位置處。 如圖4B所示，這些結(jié)果顯示當(dāng)斜圖案100不是沿XY直角坐標(biāo)系的軸向延伸而是 沿斜線方向411延伸時，根據(jù)本發(fā)明實施例的掩模可以有效地提供與引入斜線雙極照明系 統(tǒng)410的效果相同的效果，在斜線雙極照明系統(tǒng)410中極412沿垂直于斜圖案100邊緣的 方向設(shè)置。 圖3中示出的掩?？梢栽O(shè)置為具有圖5所示的矩形板形狀的掩模530。參考圖5 和圖6，芯片區(qū)或者相柵區(qū)520被設(shè)定為寬于掩模區(qū)510且在掩模區(qū)510的外部延伸，掩模 圖案(圖3的310)設(shè)置在在芯片區(qū)中，相柵圖案(圖3的320)設(shè)置在相柵區(qū)520中。當(dāng) 從掩模區(qū)510的外部進入到掩模區(qū)510的內(nèi)部的雜散光560包括零級光時，利用提供自相 柵區(qū)520的初級光的改善圖案分辨率的效果會降低一半。也就是說，掩模區(qū)510的邊界處 的掩模圖案310的圖案轉(zhuǎn)移分辨率會因雜散光560而退化。通過在寬于掩模區(qū)510的區(qū)域 中布置相柵區(qū)520，由雜散光造成的分辨率的部分降低被避免?？紤]到產(chǎn)生能夠靠近掩模區(qū) 510的外部的雜散光的位置以及掩模530的厚度，相柵區(qū)520布置為具有相對于掩模區(qū)510 加寬800到1000iim的寬度。 根據(jù)本發(fā)明實施例的相柵圖案(圖3的320)可以選擇性地設(shè)置在掩模圖案310 隨斜圖案(圖2的200)定位的區(qū)域中。參考圖7，包括對應(yīng)于斜圖案200的第一掩模圖案 711的第一區(qū)域721和第二區(qū)域723可以設(shè)置成一個掩模700，第二區(qū)域723具有沿直角坐 標(biāo)系的軸向延伸的為垂直圖案的第二掩模圖案712。相柵圖案721選擇性地設(shè)置在第一區(qū) 域721中。因此，利用修正照明為與斜圖案200相對應(yīng)的第一掩模圖案711帶來分辨率改 善。然而，由相柵圖案721帶來的修正照明的效果被排除在具有第二掩模圖案712的第二 區(qū)域723之外，在第二掩模圖案712中利用修正照明獲得的此效應(yīng)可以使分辨率降低一半 或者引起圖案移動。第二掩模圖案712可以包括垂直圖案、水平圖案或者孔圖案。
如圖8所示，為了制造根據(jù)本發(fā)明實施例的圖3的掩模，掩模圖案810形成在基板 800的前側(cè)上。掩模圖案810的形成包括掩模層沉積、電子束曝光以及選擇刻蝕工藝以與圖 1的斜圖案IOO相對應(yīng)。 參考圖9，底部抗反射涂層(ARC)形成在形成有掩模圖案810的基板810的背側(cè) 上。ARC 830是可溶解的底部ARC，底部ARC可以被顯影且與光致抗蝕劑840 —起被去除。
由于引入ARC 830，所以改善了與隨后將被涂敷的光致抗蝕劑層的界面性質(zhì)且因 此增強了附著性。當(dāng)光致抗蝕劑840直接涂敷在石英基板800的表面上時，因為石英和光致 抗蝕劑之間的差的界面附著性而會引起諸如光致抗蝕劑840的部分分離的缺陷。ARC 830可以改善這種界面缺陷。而且，因為曝光光致抗蝕劑層840時對擴散反射的抑制，可以實現(xiàn) 圖案分辨率的改善。 參考圖10，實施曝光光致抗蝕劑層840的工藝?？梢詫庵驴刮g劑層實施利用相 柵(圖2的200)的布局的電子束曝光工藝。然而，這會花費較多的時間和成本來實施在制 造每個掩模時的電子束曝光工藝。因此，曝光光致抗蝕劑840的工藝可以作為用于引入母 掩模850的光學(xué)曝光工藝被實施，在母掩模850中相柵圖案(圖5的320)被設(shè)置為透光區(qū) 域851和光屏蔽區(qū)域852。在掩模制造工藝中制造母掩模850之后，利用安置在步進光刻機 或者曝光裝置中的母掩模850進行曝光工藝。這種光學(xué)曝光工藝可以減少制造掩模所需的 時間和成本。 參考圖ll，被曝光的光致抗蝕劑層(圖10的840)被顯影以形成光致抗蝕劑圖案 841。因為ARC是可溶性底部ARC，所以ARC(圖10的830)的因顯影光致抗蝕劑圖案841所 暴露的部分可以通過顯影液被溶解而被去除。因此，ARC圖案831的顯影和圖案化可以與 光致抗蝕劑圖案841的顯影一起進行。 參考圖12，基板800的被光致抗蝕劑圖案841暴露的背側(cè)部分被選擇性刻蝕以形 成溝槽821。溝槽821可以用作第二相區(qū)(圖2的203)，且基板800的由溝槽821界定的 背側(cè)的表面區(qū)域823可以用作第一相區(qū)(圖2的201)。 從以上描述可以顯見，根據(jù)本發(fā)明實施例的掩模設(shè)置有對該掩模提供修正照明的 相柵圖案(圖3的320)，因此為斜圖案的掩模圖案(圖3的310)提供諸如雙極照明的修正 的照明。因此，可以排除開發(fā)用于單獨的修正照明的孔徑的工藝且增加光刻工藝的生產(chǎn)率。
盡管針對特定的實施例對本發(fā)明進行了描述，但是對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員顯見的 是，可以在不脫離由所附權(quán)利要求所定義的本發(fā)明的精神和范圍的前提下進行各種改變和 修改。本發(fā)明要求2008年12月26提交的韓國專利申請?zhí)?0-2008-0134826的優(yōu)先權(quán)，
并以參考方式將其整體合并在此。
權(quán)利要求
一種掩模，包括基板；掩模圖案，形成在所述基板的前側(cè)上，所述掩模圖案與斜圖案的布局相對應(yīng)，所述斜圖案沿從直角坐標(biāo)系的軸朝向預(yù)定方向旋轉(zhuǎn)的方向延伸；以及相柵，具有線性形狀且形成在所述基板的背側(cè)上，所述相柵的延伸方向平行于所述掩模圖案的延伸方向。
2. 如權(quán)利要求1所述的掩模，其中所述斜圖案對應(yīng)于6F2單元布置中的有源區(qū)的布局。
3. 如權(quán)利要求1所述的掩模，其中所述相柵包括交替設(shè)置在所述基板的背側(cè)上的第一 相區(qū)和第二相區(qū)，所述第一相區(qū)與所述第二相區(qū)之間具有180°的相差，其中所述第一相區(qū) 和所述第二相區(qū)導(dǎo)致相干涉，所述相干涉阻擋入射到所述基板的曝光光的零級光且允許初 級光入射到所述掩模圖案。
4. 如權(quán)利要求3所述的掩模，其中所述第一相區(qū)包括溝槽，所述溝槽到所述基板的背 側(cè)表面的深度提供所述180°的相差，并且所述第二相區(qū)是所述基板的背側(cè)的由所述溝槽 界定的表面區(qū)域。
5. 如權(quán)利要求3所述的掩模，其中包括所述第一相區(qū)的寬度和所述第二相區(qū)的寬度的 柵節(jié)距大致是圖案節(jié)距的兩倍，所述圖案節(jié)距包括每個掩模圖案的寬度和相鄰掩模圖案的 間隔的寬度。
6. 如權(quán)利要求3所述的掩模，其中所述相柵設(shè)置在相對于設(shè)置所述掩模圖案的區(qū)域的 外側(cè)加寬800到1000 ii m的區(qū)域中。
7. —種掩模，包括 基板；第一區(qū)域，具有形成在所述基板的前側(cè)上的第一掩模圖案，所述第一掩模圖案與斜圖 案的布局相對應(yīng)，所述斜圖案沿從直角坐標(biāo)系的軸朝向預(yù)定方向旋轉(zhuǎn)的方向延伸； 第二區(qū)域，具有沿所述直角坐標(biāo)系的軸向延伸的第二掩模圖案；以及 相柵，具有線性形狀且選擇性地形成在所述基板的背側(cè)區(qū)域上，其中所述相柵與所述 第一區(qū)域相對應(yīng)且所述相柵的延伸方向平行于所述第一掩模圖案的延伸方向。
8. 如權(quán)利要求7所述的掩模，其中所述斜圖案對應(yīng)于6F2單元布置中的有源區(qū)的布局。
9. 如權(quán)利要求8所述的掩模，其中所述相柵包括交替設(shè)置在所述基板的背側(cè)上的第一 相區(qū)和第二相區(qū)，所述第一相區(qū)和所述第二相區(qū)之間具有180°的相差，其中所述第一相區(qū) 和所述第二相區(qū)導(dǎo)致相干涉，所述相干涉阻擋入射到所述基板的曝光光的零級光且允許初 級光入射到所述掩模圖案。
10. 如權(quán)利要求9所述的掩模，其中所述第一相區(qū)包括溝槽，所述溝槽到所述基板的背 側(cè)表面的深度提供所述180°的相差，并且所述第二相區(qū)是所述基板的背側(cè)的由所述溝槽 界定的表面區(qū)域。
11. 如權(quán)利要求9所述的掩模，其中包括所述第一相區(qū)的寬度和所述第二相區(qū)的寬度 的柵節(jié)距大致是圖案節(jié)距的兩倍，所述圖案節(jié)距包括每個掩模圖案的寬度和相鄰掩模圖案 的間隔的寬度。
12. 如權(quán)利要求9所述的掩模，其中所述相柵設(shè)置在相對于設(shè)置所述掩模圖案的區(qū)域 的外側(cè)加寬800到1000 ii m的區(qū)域中。
13. —種制造掩模的方法，包括在基板的前側(cè)上形成掩模圖案，所述掩模圖案與斜圖案的布局相對應(yīng)，所述斜圖案沿 從直角坐標(biāo)系的軸朝向預(yù)定方向旋轉(zhuǎn)的方向延伸；以及在所述基板的背側(cè)上形成具有線性形狀的相柵，所述相柵的延伸方向與所述掩模圖案 的延伸方向平行。
14. 如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述相柵的形成包括 在所述基板的背側(cè)上形成光致抗蝕劑圖案；以及通過對所述基板的由所述光致抗蝕劑圖案暴露的背側(cè)實施選擇性刻蝕而形成溝槽，所 述溝槽具有提供180°相差的到所述基板的背側(cè)表面的深度。
15. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中所述溝槽形成為具有大致是圖案節(jié)距兩倍的節(jié) 距，所述圖案節(jié)距包括每個掩模圖案的寬度和相鄰掩模圖案的間隔的寬度。
16. 如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述光致抗蝕劑圖案的形成包括 在所述基板的背側(cè)上形成抗反射涂層； 在所述抗反射涂層上涂敷光致抗蝕劑層； 制造具有所述相柵的圖案布局的母掩模；以及 利用所述母掩模選擇性曝光和顯影所述光致抗蝕劑層的一部分。
17. 如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述斜圖案對應(yīng)于6F2單元布置中的有源區(qū)的布
全文摘要
本發(fā)明提供一種背側(cè)相柵掩模及其制造方法。該掩模包括形成在基板前側(cè)上的掩模圖案以及形成在基板背側(cè)上的相柵。掩模圖案對應(yīng)于斜圖案的布局，該斜圖案沿從直角坐標(biāo)系的軸朝向預(yù)定方向旋轉(zhuǎn)的方向延伸。相柵的延伸方向平行于所述掩模圖案的延伸方向。相柵包括交替設(shè)置在基板背側(cè)上的第一相區(qū)和第二相區(qū)，第一相區(qū)和第二相區(qū)之間具有180°的相差。第一相區(qū)和第二相區(qū)導(dǎo)致阻擋入射到基板的曝光光的零級光且允許初級光入射到掩模圖案的相干涉。
文檔編號G03F1/68GK101770162SQ20091016023
公開日2010年7月7日 申請日期2009年7月30日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月26日
發(fā)明者南炳虎, 吳宬賢 申請人:海力士半導(dǎo)體有限公司