專(zhuān)利名稱(chēng)：顯示裝置及其微機(jī)電陣列基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種顯示裝置，且特別是有關(guān)于一種具有微機(jī)電陣列基板的顯示 裝置及其微機(jī)電陣列基板。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，隨著科技的進(jìn)步與社會(huì)的發(fā)展，顯示裝置于各種電子產(chǎn)品中的使用已越 來(lái)越廣泛，例如用于電腦、電視、監(jiān)視設(shè)備、行動(dòng)電話(huà)與相機(jī)等。以目前來(lái)說(shuō)，多數(shù)的顯示裝置中均配置有薄膜晶體管(Thin FilmTransistor Matrix, TFT)，用以作為控制顯示介質(zhì)動(dòng)作的驅(qū)動(dòng)元件。由于無(wú)機(jī)半導(dǎo)體的載子遷移率 (Mobility)較有機(jī)半導(dǎo)體的載子遷移率大，因此現(xiàn)有習(xí)知的薄膜晶體管的主要材質(zhì)一般為 無(wú)機(jī)半導(dǎo)體，例如非晶硅(a-Si)。并且，由于非晶硅薄膜晶體管還具有可以低溫制成等其他 優(yōu)點(diǎn)，使得其在目前市場(chǎng)中的應(yīng)用已成為主流。然而，隨著人們對(duì)顯示裝置的顯示性能的要求不斷提升，顯示裝置需具有更高的 載子遷移率或開(kāi)關(guān)電流比(On-off Current Ratio)，這使得非晶硅薄膜晶體管逐漸無(wú)法滿(mǎn) 足新一代顯示裝置的使用要求。由此可見(jiàn)，上述現(xiàn)有的顯示裝置在結(jié)構(gòu)與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟 待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決上述存在的問(wèn)題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來(lái)謀求解決之道， 但長(zhǎng)久以來(lái)一直未見(jiàn)適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品又沒(méi)有適切結(jié)構(gòu)能夠解決上述問(wèn) 題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問(wèn)題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新型的顯示裝置實(shí)屬當(dāng)前重 要研發(fā)課題之一，亦成為當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提供一種微機(jī)電陣列基板，其可提升顯示裝置的顯示性能。本發(fā)明的另一目的在于，提供一種一種顯示裝置，其具有較佳的顯示性能。本發(fā)明 還提供一種顯示裝置，其具有較佳的顯示性能。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題是采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出 的一種微機(jī)電陣列基板，包括一基板；多條第一信號(hào)線，彼此平行地配置于該基板上；多 條第二信號(hào)線，彼此平行地配置于該基板上，且各該第二信號(hào)線是與所述第一信號(hào)線交錯(cuò) 而在該基板上圍出多個(gè)像素區(qū)域；多個(gè)微機(jī)電開(kāi)關(guān)，分別配置于所述第一信號(hào)線與所述第 二信號(hào)線的交錯(cuò)處；以及多個(gè)像素電極，分別配置于對(duì)應(yīng)的所述像素區(qū)域其中之一，并與對(duì) 應(yīng)的該微機(jī)電開(kāi)關(guān)電性連接。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的微機(jī)電陣列基板中，其中各該微機(jī)電開(kāi)關(guān)包括一第一金屬層，配置于該基 板上，并電性連接至對(duì)應(yīng)的該第一信號(hào)線；一絕緣層，配置于該第一金屬層上；一第二金屬 層，配置于該絕緣層上，并電性連接至對(duì)應(yīng)的該像素電極；以及一第三金屬層，配置于該第 二金屬層上方，而在其與該第二金屬層之間形成一絕緣空腔，且該第三金屬層電性連接至對(duì)應(yīng)的該第二信號(hào)線。前述的微機(jī)電陣列基板中，其中各該微機(jī)電開(kāi)關(guān)更包括一支撐層，配置于該第二 金屬層與該第三金屬層之間，并具有一開(kāi)口，該第三金屬層填于該開(kāi)口內(nèi) ，而該絕緣空腔位 于該支撐層與該第二金屬層之間，并對(duì)應(yīng)至該開(kāi)口。前述的微機(jī)電陣列基板中，其中各該第一金屬層與所述第一信號(hào)線同層，各該第 二金屬層與所述像素電極同層，且各該第三金屬層與所述第二信號(hào)線同層。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的 一種顯示裝置，包括一微機(jī)電陣列基板，包括一基板；多條第一信號(hào)線，彼此平行地配置 于該基板上；多條第二信號(hào)線，彼此平行地配置于該基板上，且各該第二信號(hào)線是與所述第 一信號(hào)線交錯(cuò)而在該基板上圍出多個(gè)像素區(qū)域；多個(gè)微機(jī)電開(kāi)關(guān)，分別配置于所述第一信 號(hào)線與所述信號(hào)線的交錯(cuò)處；及多個(gè)像素電極，分別配置于對(duì)應(yīng)的所述像素區(qū)域其中之一， 并與對(duì)應(yīng)的該微機(jī)電開(kāi)關(guān)電性連接；一透光基板，配置于該微機(jī)電陣列基板上方；以及一 顯示介質(zhì)層，配置于該微機(jī)電陣列基板與該透光基板之間。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的顯示裝置，其中各該微機(jī)電開(kāi)關(guān)包括一第一金屬層，配置于該基板上，并 電性連接至對(duì)應(yīng)的該第一信號(hào)線；一絕緣層，配置于該第一金屬層上；一第二金屬層，配置 于該絕緣層上，并電性連接至對(duì)應(yīng)的該像素電極；以及一第三金屬層，配置于該第二金屬層 上方，而在其與該第二金屬層之間形成一絕緣空腔，且該第三金屬層電性連接至對(duì)應(yīng)的該 第二信號(hào)線。前述的顯示裝置，其中各該微機(jī)電開(kāi)關(guān)更包括一支撐層，配置于該第二金屬層與 該第三金屬層之間，并具有一開(kāi)口，該第三金屬層填于該開(kāi)口內(nèi)，而該絕緣空腔位于該支撐 層與該第二金屬層之間，并對(duì)應(yīng)至該開(kāi)口。前述的顯示裝置，其中各該第一金屬層與所述第一信號(hào)線同層，各該第二金屬層 與所述像素電極同層，且各該第三金屬層與所述第二信號(hào)線同層。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上技術(shù)方案可知，本發(fā) 明的主要技術(shù)內(nèi)容如下為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種微機(jī)電陣列基板，其包括基板、多條彼此平行 地配置于基板上的第一信號(hào)線、多條彼此平行地配置于基板上的第二信號(hào)線、多個(gè)微機(jī)電 開(kāi)關(guān)以及多個(gè)像素電極。各第二信號(hào)線是與第一信號(hào)線相交錯(cuò)而在基板上圍出多個(gè)像素區(qū) 域。這些微機(jī)電開(kāi)關(guān)分別配置于這些第一信號(hào)線與這些第二信號(hào)線的交錯(cuò)處。這些像素電 極分別配置于對(duì)應(yīng)的這些像素區(qū)域其中之一，并與對(duì)應(yīng)的微機(jī)電開(kāi)關(guān)電性連接。另外，為達(dá)到上述目的，本發(fā)明還提供了一種本發(fā)明提出一種顯示裝置，其包括上 述微機(jī)電陣列基板，配置于上述微機(jī)電陣列基板上方的透光基板，以及配置于上述微機(jī)電 陣列基板與透光基板之間的顯示介質(zhì)層。借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明顯示裝置及其微機(jī)電陣列基板至少具有下列優(yōu)點(diǎn)及有 益效果本發(fā)明的顯示裝置是藉由微機(jī)電陣列基板中的微機(jī)電開(kāi)關(guān)來(lái)控制顯示介質(zhì)動(dòng)作， 由于微機(jī)電開(kāi)關(guān)所構(gòu)成的材料為導(dǎo)體材料，且其是通過(guò)電場(chǎng)來(lái)控制不同層的金屬層是否電 性接觸于彼此，因此沒(méi)有載子遷移率和開(kāi)關(guān)電流比的問(wèn)題。由此可知，本發(fā)明的顯示裝置是 使用微機(jī)電開(kāi)關(guān)來(lái)提升顯示裝置的顯示性能，從而滿(mǎn)足新一代顯示裝置的使用要求。
綜上所述，本發(fā)明一種微機(jī)電陣列基板可提升顯示裝置的顯示性能。此外，本發(fā)明 還提供一種使用上述微機(jī)電陣列基板的顯示裝置。本發(fā)明在技術(shù)上有顯著的進(jìn)步，并具有 明顯的積極效果，誠(chéng)為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。
上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段， 而可依照說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠 更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖1繪示為本發(fā)明的一實(shí)施例中顯示裝置的剖面示意圖。圖2繪示為圖1顯示裝置的微機(jī)電陣列基板的俯視圖。圖3繪示為圖2的微機(jī)電陣列基板沿ΙΙΙ-ΙΙΓ線的剖視圖。圖4繪示為圖3的微機(jī)電開(kāi)關(guān)在制程中的剖面示意圖。圖5繪示為圖3中微機(jī)電開(kāi)關(guān)施加電壓時(shí)的示意圖。圖6繪示為本發(fā)明另一實(shí)施例中的微機(jī)電陣列基板的局部剖面示意圖。圖7繪示為圖6的微機(jī)電開(kāi)關(guān)在工藝中的剖面示意圖。100:顯示裝置10:微機(jī)電陣列基板101 基板102 第一信號(hào)線103 第二信號(hào)線104 像素區(qū)域105、605 微機(jī)電開(kāi)關(guān)106 像素電極1051 第一金屬層1052 絕緣層1053 第二金屬層1054 第三金屬層1055 絕緣空腔1056 犧牲層1057:開(kāi)口1058 支撐層12 顯示介質(zhì)層14 透光基板
具體實(shí)施例方式為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合 附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的顯示裝置及其微機(jī)電陣列基板其具體實(shí)施方式
、 結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說(shuō)明如后。有關(guān)本發(fā)明的前述及其他技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)及功效，在以下配合參考圖式的較佳實(shí) 施例的詳細(xì)說(shuō)明中將可清楚呈現(xiàn)。通過(guò)具體實(shí)施方式
的說(shuō)明，當(dāng)可對(duì)本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定目 的所采取的技術(shù)手段及功效得一更加深入且具體的了解，然而所附圖式僅是提供參考與說(shuō) 明之用，并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制。圖1繪示為本發(fā)明的一實(shí)施例中顯示裝置的剖面示意圖。圖2繪示為圖1顯示裝 置的微機(jī)電陣列基板的俯視圖。請(qǐng)參閱圖1所示，顯示裝置100包括微機(jī)電陣列基板10、顯 示介質(zhì)層12以及透光基板14，其中，透光基板14配置于微機(jī)電陣列基板10上方，顯示介質(zhì) 層12配置于微機(jī)電陣列基板10與透光基板14之間，且顯示介質(zhì)層12例如為電泳層或液
晶層ο承上述，請(qǐng)參閱圖1與圖2所示，透光基板14的材質(zhì)可為玻璃，而微機(jī)電陣列基板10包括基板101、多條彼此平行地配置于基板101上的第一信號(hào)線102、多條彼此平行地配 置于基板101上的第二信號(hào)線103、多個(gè)微機(jī)電開(kāi)關(guān)105以及多個(gè)像素電極106。其中，各 第二信號(hào)線103與第一信號(hào)線102相交錯(cuò)而在基板101上圍出多個(gè)像素區(qū)域104，微機(jī)電開(kāi) 關(guān)105分別配置于第一信號(hào)線102與第二信號(hào)線103的交錯(cuò)處，而像素電極106則分別配 置于對(duì)應(yīng)的像素區(qū)域104的其中之一，且與對(duì)應(yīng)的微機(jī)電開(kāi)關(guān)105電性連接詳細(xì)來(lái)說(shuō)，本實(shí)施例的第一信號(hào)線102可為數(shù)據(jù)線(Data Iine)，第二信號(hào)線103 可為掃描線(Scan line)，但本發(fā)明并不以此為限。在其他實(shí)施例中，第一信號(hào)線102也可 以為數(shù)據(jù)線，而第二信號(hào)線103則為掃描線。圖3繪示為圖2沿ΙΙΙ-ΙΙΓ線的剖視圖。請(qǐng)參閱圖2及圖3所示，微機(jī)電開(kāi)關(guān) 105包括第一金屬層1051、絕緣層1052、第二金屬層1053以及第三金屬層1054。其中，第 一金屬層1051配置于基板101上，并電性連接至對(duì)應(yīng)的第一信號(hào)線102。絕緣層1052配置 于第一金屬層1051上，第二金屬層1053配置于絕緣層1052上，并電性連接至對(duì)應(yīng)的像素 電極106。第三金屬層1054則配置于第二金屬層1053上并電性連接至對(duì)應(yīng)的第二信號(hào)線 103，且第三金屬層1054與第二金屬層1053之間形成有絕緣空腔1055。進(jìn)一步來(lái)說(shuō)，形成微機(jī)電開(kāi)關(guān)105的方法例如是依序在基板101上形成第一金屬 層1051、絕緣層1052與第二金屬層1053，然后先在第二金屬層1052上形成犧牲層1056， 再在犧牲層1056上形成第三金屬層1054，如圖4所示。之后，利用氣體蝕刻的方式移除犧 牲層1056，以形成圖3所示的微機(jī)電開(kāi)關(guān)105。其中，第一金屬層1051與第二金屬層1053 的材質(zhì)可包括銀、鉻、鉬鉻合金、鋁釹合金或硼化鎳，絕緣層1052的材質(zhì)可包括二氧化硅或 氮化硅。第三金屬層1054的材質(zhì)則為磁性金屬材料，例如鎳/鋁釹合金或硼化鎳/鋁釹合
^^ ο特別的是，為簡(jiǎn)化微機(jī)電陣列基板10的工藝(即制程，本文均稱(chēng)為工藝)，各微機(jī) 電開(kāi)關(guān)105的第一金屬層1051可與第一信號(hào)線102同層，第二金屬層1053可與像素電極 106同層，第三金屬層1054可與第二信號(hào)線103同層。當(dāng)然，當(dāng)?shù)诙饘賹?053與像素電極 同層時(shí)，第二金屬層1053即是由透明導(dǎo)電材料所構(gòu)成，如銦錫氧化物(Indium Tin Oxide, ΙΤ0)、銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide, IZ0)或(Indium Gallium Zinc Oxide, IGZO)。為使熟習(xí)此技藝者更加了解本發(fā)明，以下將以前述實(shí)施例的微機(jī)電開(kāi)關(guān)為例，說(shuō) 明本發(fā)明的顯示裝置的動(dòng)作方式。圖5繪示為圖4的微機(jī)電開(kāi)關(guān)的第三金屬層與第一金屬層之間具有電壓差時(shí)的示 意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1、圖2及圖5所示，當(dāng)顯示裝置100的驅(qū)動(dòng)電路(圖未示)分別施加電壓 至第一信號(hào)線102與第二信號(hào)線103時(shí)，電性連接至第一信號(hào)線102的第一金屬層1051與 電性連接至第二信號(hào)線103的第三金屬層1054之間會(huì)具有電壓差，且第三金屬層1054會(huì) 因?yàn)殡妶?chǎng)吸引力大于其本身薄膜的拉應(yīng)力而向下延展，并與其下方的第二金屬層1053相 接觸，使得第二金屬層1053與第三金屬層1054之間發(fā)生短路而具有同樣的電位。如此一 來(lái)，輸入至第二信號(hào)線103的信號(hào)即可通過(guò)第二金屬層1053而傳送至像素電極106，而顯示 介質(zhì)層12的動(dòng)作狀態(tài)即是依據(jù)傳輸至像素電極106上的信號(hào)而定。另一方面，當(dāng)?shù)谝唤饘賹?051與第三金屬層1054之間的電壓差為OV時(shí)，第一金 屬層1051與第三金屬層1054之間的電場(chǎng)吸引力會(huì)消失，此時(shí)第三金屬層1054可恢復(fù)原狀 而又與第二金屬層1053電性絕緣。此時(shí)，顯示裝置100的顯示狀態(tài)將回復(fù)至尚未施加電壓至第一信號(hào)線102與第二信號(hào)線103之前。請(qǐng)?jiān)俅螀㈤唸D1及圖2所示，顯示裝置100藉由微機(jī)電開(kāi)關(guān)105來(lái)控制各像素區(qū) 域104所相對(duì)應(yīng)的顯示介質(zhì)層12的動(dòng)作狀態(tài)，從而使顯示裝置100達(dá)成不同的顯示效果。 由于微機(jī)電開(kāi)關(guān)105沒(méi)有載子遷移率和開(kāi)關(guān)電流比問(wèn)題，因此可提升顯示裝置100的顯示 性能，從而滿(mǎn)足新一代顯示裝置的使用要求。并且，相較于非晶硅薄膜晶體管，微機(jī)電開(kāi)關(guān) 105的工藝較為簡(jiǎn)單，因此可降低顯示裝置100的工藝成本。圖6繪示本發(fā)明的微機(jī)電開(kāi)關(guān)在另一實(shí)施例中的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D6所示， 本實(shí)施例的微機(jī)電開(kāi)關(guān)605還可以在第三金屬層1054與第二金屬層1053之間設(shè)置具有開(kāi) 口 1057的支撐層1058，其中第三金屬層1054填入開(kāi)口 1057內(nèi)，而絕緣空腔1055位于支撐 層1058與第二金屬層1053之間，并對(duì)應(yīng)至開(kāi)口 1057。詳細(xì)來(lái)說(shuō)，微機(jī)電開(kāi)關(guān)605的形成方法例 如是在基板101上依序形成第一金屬層 1051、絕緣層1052、第二金屬層1053與犧牲層1056后，先在犧牲層1056上形成具有開(kāi)口 1057的支撐層1058，然后再在支撐層1058上形成第三金屬層1054，并令第三金屬層1054 填入開(kāi)口 1057內(nèi)，如圖7所示。之后，利用氣體蝕刻的方式移除犧牲層1056，以形成圖6所 示的微機(jī)電開(kāi)關(guān)605。請(qǐng)?jiān)俅螀㈤唸D1、圖2及圖6所示，當(dāng)顯示裝置100的驅(qū)動(dòng)電路(圖未示)分別施 加電壓至第一信號(hào)線102與第二信號(hào)線103時(shí)，電性連接至第一信號(hào)線102的第一金屬層 1051與電性連接至第二信號(hào)線103的第三金屬層1054之間會(huì)具有電壓差，且第三金屬層 1054填于支撐層1058的開(kāi)口 1057內(nèi)的部分會(huì)因?yàn)殡妶?chǎng)吸引力大于其本身薄膜的拉應(yīng)力而 向下延展，并與其下方的第二金屬層1053相接觸，使得第二金屬層1053與第三金屬層1054 之間發(fā)生短路而具有同樣的電位。此時(shí)，輸入至第二信號(hào)線103的信號(hào)即可通過(guò)第二金屬 層1053而傳送至像素電極106，以驅(qū)動(dòng)顯示介質(zhì)層12，而顯示出所欲顯示的畫(huà)面。值得一提的是，由于本實(shí)施例的第三金屬層1054與第二金屬層1053之間設(shè)置有 支撐層1058，因此可避免在未施加電壓至第一金屬層1051時(shí)，第三金屬層1054向下彎折而 與第二金屬層1053電性接觸而短路，進(jìn)而使顯示裝置100發(fā)生異常動(dòng)作的情況。綜上所述，本發(fā)明的顯示裝置是藉由微機(jī)電陣列基板中的微機(jī)電開(kāi)關(guān)來(lái)控制顯示 介質(zhì)動(dòng)作，且微機(jī)電開(kāi)關(guān)沒(méi)有載子遷移率和開(kāi)關(guān)電流比問(wèn)題，因此可提升顯示裝置的顯示 性能，從而滿(mǎn)足新一代顯示裝置的使用要求。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖 然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專(zhuān)業(yè)的技術(shù)人 員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾 為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì) 對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
一種微機(jī)電陣列基板，其特征在于其包括一基板；多條第一信號(hào)線，彼此平行地配置于該基板上；多條第二信號(hào)線，彼此平行地配置于該基板上，且各該第二信號(hào)線是與所述第一信號(hào)線交錯(cuò)而在該基板上圍出多個(gè)像素區(qū)域；多個(gè)微機(jī)電開(kāi)關(guān)，分別配置于所述第一信號(hào)線與所述第二信號(hào)線的交錯(cuò)處；以及多個(gè)像素電極，分別配置于對(duì)應(yīng)的所述像素區(qū)域其中之一，并與對(duì)應(yīng)的該微機(jī)電開(kāi)關(guān)電性連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微機(jī)電陣列基板中，其特征在于其中各該微機(jī)電開(kāi)關(guān)包括 一第一金屬層，配置于該基板上，并電性連接至對(duì)應(yīng)的該第一信號(hào)線；一絕緣層，配置于該第一金屬層上；一第二金屬層，配置于該絕緣層上，并電性連接至對(duì)應(yīng)的該像素電極；以及 一第三金屬層，配置于該第二金屬層上方，而在其與該第二金屬層之間形成一絕緣空 腔，且該第三金屬層電性連接至對(duì)應(yīng)的該第二信號(hào)線。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微機(jī)電陣列基板中，其特征在于其中各該微機(jī)電開(kāi)關(guān)更包括 一支撐層，配置于該第二金屬層與該第三金屬層之間，并具有一開(kāi)口，該第三金屬層填于該 開(kāi)口內(nèi)，而該絕緣空腔位于該支撐層與該第二金屬層之間，并對(duì)應(yīng)至該開(kāi)口。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微機(jī)電陣列基板中，其特征在于其中各該第一金屬層與所述 第一信號(hào)線同層，各該第二金屬層與所述像素電極同層，且各該第三金屬層與所述第二信 號(hào)線同層。
5.一種顯示裝置，其特征在于其包括 一微機(jī)電陣列基板，包括一基板；多條第一信號(hào)線，彼此平行地配置于該基板上；多條第二信號(hào)線，彼此平行地配置于該基板上，且各該第二信號(hào)線是與所述第一信號(hào) 線交錯(cuò)而在該基板上圍出多個(gè)像素區(qū)域；多個(gè)微機(jī)電開(kāi)關(guān)，分別配置于所述第一信號(hào)線與所述信號(hào)線的交錯(cuò)處；及 多個(gè)像素電極，分別配置于對(duì)應(yīng)的所述像素區(qū)域其中之一，并與對(duì)應(yīng)的該微機(jī)電開(kāi)關(guān) 電性連接；一透光基板，配置于該微機(jī)電陣列基板上方；以及 一顯示介質(zhì)層，配置于該微機(jī)電陣列基板與該透光基板之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其特征在于其中各該微機(jī)電開(kāi)關(guān)包括 一第一金屬層，配置于該基板上，并電性連接至對(duì)應(yīng)的該第一信號(hào)線； 一絕緣層，配置于該第一金屬層上；一第二金屬層，配置于該絕緣層上，并電性連接至對(duì)應(yīng)的該像素電極；以及 一第三金屬層，配置于該第二金屬層上方，而在其與該第二金屬層之間形成一絕緣空 腔，且該第三金屬層電性連接至對(duì)應(yīng)的該第二信號(hào)線。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其特征在于其中各該微機(jī)電開(kāi)關(guān)更包括一支撐 層，配置于該第二金屬層與該第三金屬層之間，并具有一開(kāi)口，該第三金屬層填于該開(kāi)口內(nèi)，而該絕緣空腔位于該支撐層與該第二金屬層之間，并對(duì)應(yīng)至該開(kāi)口。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其特征在于其中各該第一金屬層與所述第一信號(hào) 線同層，各該第二金屬層與所述像素電極同層，且各該第三金屬層與所述第二信號(hào)線同層。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種顯示裝置及其微機(jī)電陣列基板，該微機(jī)電陣列基板，其包括基板、第一信號(hào)線、第二信號(hào)線、微機(jī)電開(kāi)關(guān)以及像素電極。第一信號(hào)線與第二信號(hào)線分別彼此平行地配置于基板上，且第二信號(hào)線與第一信號(hào)線相交錯(cuò)而在該基板上圍出像素區(qū)域。微機(jī)電開(kāi)關(guān)分別配置于第一信號(hào)線與第二信號(hào)線的交錯(cuò)處。像素電極分別配置于對(duì)應(yīng)的像素區(qū)域中，并與對(duì)應(yīng)的微機(jī)電開(kāi)關(guān)電性連接。由于微機(jī)電開(kāi)關(guān)不像薄膜晶體管會(huì)受載子遷移率和開(kāi)關(guān)電流比的影響，因此可提升顯示裝置的顯示性能。此外，本發(fā)明還提供一種使用上述微機(jī)電陣列基板的顯示裝置。
文檔編號(hào)G02F1/133GK101957532SQ20091016005
公開(kāi)日2011年1月26日 申請(qǐng)日期2009年7月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月20日
發(fā)明者蕭博文, 黃松輝 申請(qǐng)人:元太科技工業(yè)股份有限公司