專(zhuān)利名稱(chēng)：顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請(qǐng)涉及一種顯示裝置及其制造方法，且特別涉及具有玻璃基板的 顯示裝置及其制造方法，其中在所述玻璃基板上通過(guò)使用熱壓粘接 (thermocompression bonding)方式安裝了驅(qū)動(dòng)電路元件。
背景技術(shù)：
作為顯示裝置的例子，液晶顯示(LCD)裝置廣泛地用于工業(yè)應(yīng)用中， 并且近些年來(lái)， 一個(gè)新的市場(chǎng)正在成長(zhǎng)，如廣播站和醫(yī)療影像裝置中的顯 示監(jiān)視器。當(dāng)將其用于非常暗的操作環(huán)境下，如前面提及的廣播站中的顯 示監(jiān)視器，與通常操作環(huán)境相比，顯示屏上的細(xì)微亮度差異將會(huì)被非常明 顯地視覺(jué)識(shí)別到。
特別地，在采用COG(玻璃芯片)(ChipOnGlass)安裝的LCD裝置中， 在集成電路芯片(后面稱(chēng)為IC芯片)中產(chǎn)生了很大的收縮應(yīng)力，該集成電路 芯片為用于驅(qū)動(dòng)LCD裝置的玻璃基板上的表面安裝元件。因此，該玻璃 基板易于承受很大的變形，從而與其他安裝方法相比，會(huì)經(jīng)常發(fā)生由該玻 璃基板的變形引起的不均勻顯示。特別地，當(dāng)在黑暗中顯示圖像時(shí)，該不 均勻顯示極大地影響了顯示圖像。因此，需要改善由這種玻璃基板的變形 所引起的不均勻顯示。例如，在日本專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)卦S公開(kāi)No. 2003-140564 (專(zhuān)利文獻(xiàn)1)和對(duì)應(yīng)于美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)No.US2008/0013030Al的日本 專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)卦S公開(kāi)No.2008-020836 (專(zhuān)利文獻(xiàn)2)中公開(kāi)了改善不均勻顯 示的相關(guān)技術(shù)。例如在LCD裝置中，作為顯示裝置的驅(qū)動(dòng)電路元件的安裝技術(shù)的一個(gè)例子，有一種所謂的TCP (帶載封裝)(Tape Carrier Package)安裝方法和 COF(薄膜芯片)(Chip On Film)安裝方法，在COF安裝方法中，與IC芯片 一起作為柔性基板上的驅(qū)動(dòng)電路元件安裝的薄膜組件通過(guò)熱壓經(jīng)由各向 異性導(dǎo)電薄膜(后面稱(chēng)為ACF)粘接到玻璃基板上。但是，關(guān)注于成本削 減和微連接(minute connection)的要求，COG安裝方法在當(dāng)前成為主流， 該方法將IC芯片本身直接安裝在基板上。將參考圖12到15來(lái)描述通過(guò)常規(guī)COG安裝方法來(lái)安裝用于LCD裝 置的顯示面板的IC芯片的方法，以及所安裝的結(jié)構(gòu)。如圖12所示， 一對(duì)玻璃基板粘接在一起，從而在它們之間保持固定 的間隙以便插入液晶層。在一個(gè)玻璃基板上，雖然未顯示，設(shè)置薄膜晶體 管(TFT)、信號(hào)線、掃描線和像素電極，以便形成TFT基板2。信號(hào)線和 掃描線從顯示區(qū)域123延伸到端子電極組(未顯示)，該電極組連接到作 為外圍區(qū)域126上的驅(qū)動(dòng)電路元件的各個(gè)IC芯片4上。在作為CF (彩色 濾光片)(Color Filter)基板3的另一個(gè)玻璃基板上，形成了公共電極和彩 色層(未顯示)。在COG安裝方法中，如圖13所示，ACFs 5印刷在形成于TFT基板 2上的那些端子電極上以等待與IC芯片4一起安裝。之后，IC芯片4設(shè) 置在ACFs5上的合適位置上。接下來(lái)，IC芯片安裝區(qū)域被設(shè)置在加壓粘 接臺(tái)7上，并且通過(guò)在預(yù)定的溫度和壓力下以預(yù)定的時(shí)間將IC芯片4設(shè) 置在加壓粘接工具8和加壓粘接臺(tái)7之間而使各個(gè)ACFs 5硬化。由于這些加熱和加壓，如圖14所示，通過(guò)按壓IC芯片4的突出電極 11和TFT基板2的一組端子電極10之間的ACF 5的導(dǎo)電粒子9來(lái)實(shí)現(xiàn)電 連接。當(dāng)ACF樹(shù)脂變硬時(shí)，IC芯片4被固定在玻璃基板(TFT基板2) 上，而不會(huì)斷開(kāi)前面提及的電連接。但是，在上述的IC芯片安裝方法中，當(dāng)IC芯片4被熱加壓時(shí)，由于 IC芯片4和玻璃基板(TFT基板2)之間的熱膨脹差異，會(huì)產(chǎn)生IC芯片4 巻曲成凹形的問(wèn)題。這種巻曲的原因如下。IC芯片4的熱膨脹系數(shù)為大約3ppm，該值與 具有約為3.8ppm的熱膨脹系數(shù)的玻璃基板的熱膨脹系數(shù)值大致相等。但I(xiàn)C芯片4的熱容足夠小，從而IC芯片4由于加壓粘接工具的加熱而熱膨脹。與之相反，與IC芯片4相比， 玻璃基板的熱容足夠大，而由于熱膨脹變形被粘接到TFT基板2上的其他 玻璃基板所限制，因此，IC芯片安裝區(qū)域上幾乎不產(chǎn)生熱膨脹。由于通常 ACF5是由加熱固化型的環(huán)氧系樹(shù)脂制成，因此，熱壓粘接后，在熱量下 降過(guò)程中ACF 5就已經(jīng)變硬，從而IC芯片4被固定在玻璃基板上。相應(yīng) 地，就在熱壓粘接之后，通過(guò)ACF 5而固定在玻璃基板上的IC芯片4處 于熱膨脹狀態(tài)中，從而如圖14所示，IC芯片4由于溫度的下降所產(chǎn)生的 收縮應(yīng)力而變成凹形。IC芯片4的巻曲通過(guò)ACF5而影響玻璃基板，如圖15所示，甚至顯 示區(qū)域也受到了巻曲的影響，從而產(chǎn)生了畸變。因此，由于這種畸變使液 晶層的厚度局部發(fā)生變化，由于玻璃基板中所產(chǎn)生的雙重折射，顯示不均 勻性(150)形成在IC芯片安裝區(qū)域附近的顯示區(qū)域上，從而降低了顯示 質(zhì)量。特別地，當(dāng)多個(gè)IC芯片4沿直線設(shè)置時(shí)，玻璃基板成波浪形變形。 此時(shí)，相鄰IC芯片4之間的間隔越大，畸變的幅度也就越大，從而顯示 的不均勻性的色蔭(shade)更差。各個(gè)IC芯片4的縱向方向越長(zhǎng)，畸變周 期也就越大，從而顯示的不均勻性擴(kuò)展的范圍也就越大。在這種方式下，在通過(guò)熱壓方式將IC芯片4與ACF —起安裝的過(guò)程 中，玻璃基板的畸變的產(chǎn)生是不可避免的。由于結(jié)果產(chǎn)生了顯示不均勻性， 因此需要改善這種顯示不均勻性的裝置。作為解決這種問(wèn)題的一個(gè)例子，前面所述的專(zhuān)利文獻(xiàn)1提出了這樣一 種技術(shù)，即在與所安裝的IC芯片的主動(dòng)面相對(duì)的表面上設(shè)置狹縫以便吸 收IC芯片的收縮應(yīng)力。根據(jù)專(zhuān)利文獻(xiàn)1，由于IC芯片的收縮應(yīng)力所產(chǎn)生 的凹形變形由狹縫部分吸收，因此可以防止整個(gè)顯示面板的彎曲變形，從 而認(rèn)為可以防止圖像質(zhì)量的惡化。但是，在IC芯片加壓步驟中，當(dāng)通過(guò)加壓粘接工具從與IC芯片的主 動(dòng)面相對(duì)的面上加熱并加壓IC芯片時(shí)，由于在專(zhuān)利文獻(xiàn)1中狹縫設(shè)置在 與加壓粘接工具的交接面上，因此設(shè)置在與狹縫部分相對(duì)的主動(dòng)面上的突 出電極部件不能接收到壓力，從而易于產(chǎn)生如連接失效的問(wèn)題。作為解決上述問(wèn)題的另一個(gè)例子，本發(fā)明的申請(qǐng)人在前面所述的專(zhuān)利文獻(xiàn)2中提出了一種顯示裝置，如圖16和圖17所示，其中，兩個(gè)變形抑 制部件12設(shè)置在顯示區(qū)域和如IC芯片4之類(lèi)的電路元件之間。通過(guò)在玻 璃基板上設(shè)置變形抑制部件12，玻璃基板的剛度被局部增強(qiáng)。因此，IC 芯片安裝區(qū)域中的巻曲被抑制，由此通過(guò)抑制玻璃基板中的變形傳遞而不 會(huì)影響顯示區(qū)域。雖然前面提及的專(zhuān)利文獻(xiàn)2提出了通過(guò)設(shè)置變形抑制部件來(lái)強(qiáng)制抑制 玻璃基板的畸變，但是，仍然在下述方面存在改進(jìn)的空間。首先，由于需要空間來(lái)設(shè)置變形抑制部件，因此需要更大的區(qū)域來(lái)安 裝元件，從而產(chǎn)生了顯示裝置小型化的問(wèn)題。其次，由于問(wèn)題的解決需要變形抑制部件和其粘接材料，因此部件的 數(shù)目增加，從而對(duì)于需要減輕重量的顯示裝置來(lái)說(shuō)重量的增加不可避免。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的示例性目的是提供一種顯示裝置和其制造方法，其通過(guò)確實(shí) 吸收由于驅(qū)動(dòng)電路元件的熱變形而產(chǎn)生的應(yīng)力而能夠抑制不均勻顯示的 產(chǎn)生，同時(shí)不會(huì)增加面板的尺寸以及部件的數(shù)目。本發(fā)明的示例性方面的顯示裝置、應(yīng)力吸收區(qū)以下述方式形成在玻璃 基板內(nèi)部，即應(yīng)力吸收區(qū)靠近或正好在安裝驅(qū)動(dòng)電路元件的下部設(shè)置，以 便吸收由這種顯示裝置中的驅(qū)動(dòng)電路元件的熱變形所產(chǎn)生的應(yīng)力，該顯示 裝置在玻璃基板表面上在顯示區(qū)域外的外圍部分通過(guò)熱壓粘接設(shè)置有驅(qū) 動(dòng)電路元件。本發(fā)明的示例性方面的顯示裝置的制造方法，即在玻璃基板中形成應(yīng) 力吸收區(qū)，以便吸收電路的熱壓粘接所產(chǎn)生的應(yīng)力的步驟。


從隨后結(jié)合附圖的詳細(xì)描述中，本發(fā)明的示例性特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)將變得顯 而易見(jiàn)，在附圖中圖1為顯示本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例中的顯示面板結(jié)構(gòu)的平面視圖。圖2為沿圖1所示的I-I線的橫截面視圖。7圖3A到圖3D為示意性橫截面視圖，顯示了形成本發(fā)明的第一示例 性實(shí)施例中的應(yīng)力吸收區(qū)的激光加工技術(shù)的步驟。圖4為本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例中的顯示面板的一部分的示意透視圖。圖5為顯示本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例中的顯示面板的其他結(jié)構(gòu)的平 面視圖。圖6A為顯示本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例中的顯示面板結(jié)構(gòu)的平面視圖。圖6B為圖6A中的點(diǎn)線部分61的局部放大平面視圖。 圖7A為顯示本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例中的顯示面板的其他結(jié)構(gòu)的 平面視圖。圖7B為圖7A中的點(diǎn)線部分71的局部放大平面視圖。 圖8A為顯示本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例中的顯示面板的其他結(jié)構(gòu)的 平面視圖。圖8B為圖8A中的點(diǎn)線部分81的局部放大平面視圖。 圖9A為顯示本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例中的顯示面板的其他結(jié)構(gòu)的 平面視圖。圖9B為沿圖9A中II-II線的橫截面視圖。 圖10為沿圖9A中Ill-Ill線的橫截面視圖。圖11A到圖11D為顯示本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例中的顯示面板的 其他結(jié)構(gòu)的平面視圖。圖12為顯示相關(guān)技術(shù)中的顯示面板結(jié)構(gòu)的平面視圖。 圖13為顯示IC芯片加壓粘接步驟的透視圖。 圖14為沿圖12中IV-IV線的橫截面視圖。 圖15為顯示相關(guān)技術(shù)中的顯示面板的透視圖。 圖16為專(zhuān)利文獻(xiàn)2中的顯示面板結(jié)構(gòu)的平面圖。 圖17為沿圖16中V-V線的橫截面視圖。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在將根據(jù)附圖來(lái)詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。[示例性實(shí)施例1]首先，將參考圖1到圖5來(lái)描述本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例中的顯示 裝置。圖1為顯示本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例中的顯示面板結(jié)構(gòu)的平面視圖，圖2為沿圖1的I-I線的橫截面視圖。圖3A到圖3D為橫截面視圖， 顯示了形成這個(gè)示例性實(shí)施例中的應(yīng)力吸收區(qū)的形成過(guò)程，圖4為透視圖， 顯示了 IC芯片安裝在這個(gè)示例性實(shí)施例的顯示面板上之后的狀態(tài)。圖5 為顯示本發(fā)明的這個(gè)示例性實(shí)施例中的顯示面板的其他結(jié)構(gòu)的平面視圖。如圖1所示，這個(gè)示例性實(shí)施例中的顯示面板1包括兩個(gè)玻璃基板， 每個(gè)玻璃基板的厚度都為大約0.7mm，其中一個(gè)為設(shè)置有晶體管、信號(hào)線 與掃描線以及像素電極(未顯示)的薄膜晶體管基板(后面簡(jiǎn)稱(chēng)為T(mén)FT基 板2)，該薄膜晶體管基板與相對(duì)的基板3粘接，從而層疊在一對(duì)偏光鏡(未 顯示)之間。雖然該相對(duì)的基板3可以是設(shè)置有透明公共電極和與各個(gè)像 素相關(guān)聯(lián)的彩色層的所謂CF (彩色濾光片)基板，但是，例如，它可以 是不具有彩色層的單色濾光片基板，此外，它可以是不具有透明公共電極 的濾光片基板。液晶層(未顯示)插入到TFT基板2和CF基板3之間。TFT基板2的總體尺寸做得比CF基板3要大，從而使得從信號(hào)線與 掃描線延伸的端子電極形成在TFT基板2的暴露在外的外圍區(qū)域126上， 該區(qū)域并不與CF基板3相對(duì)，從而提供了這樣一種結(jié)構(gòu)，即，端子電極 與用作驅(qū)動(dòng)電路元件的IC芯片4的突出電極相連接。各個(gè)IC芯片4為厚度為0.2mm到0.6mm的近似長(zhǎng)方體形狀，并且通 過(guò)使用熱壓粘接經(jīng)由ACF 5連接到端子電極上。IC芯片4向顯示面板1 提供輸出信號(hào)，從而通過(guò)從未顯示的印刷電路板將電信號(hào)輸入IC芯片4 而控制顯示面板l。至于這個(gè)示例性實(shí)施例的重要特點(diǎn)，即應(yīng)力吸收區(qū)6的形成，可使用 激光標(biāo)記(laser marking)技術(shù)，如亞表層標(biāo)記(sub-surface marking)或內(nèi)部玻 璃標(biāo)記(inner glass marking) (IGM)。應(yīng)力吸收區(qū)6設(shè)計(jì)成通過(guò)在玻璃基板 內(nèi)聚焦高輸出強(qiáng)度的激光束,由于非線性吸收而產(chǎn)生所謂"光學(xué)破壞"或"光 學(xué)斷裂"的光學(xué)破壞，由此在TFT基板2內(nèi)產(chǎn)生熱應(yīng)變，最終形成無(wú)數(shù)的 微裂縫。在平面視圖中，這些應(yīng)力吸收區(qū)6設(shè)置在IC芯片安裝區(qū)域和顯 示區(qū)域123之間，各個(gè)吸收區(qū)域沿IC芯片4的長(zhǎng)度側(cè)方向延伸，以便像寬度為大約O.lmm到0.2mm的直線那樣延伸，并且其長(zhǎng)度大于沿著TFT 基板2的各個(gè)側(cè)邊的最外側(cè)IC芯片兩端之間的距離。如圖2所示，其為沿圖1的I-I線的橫截面視圖，各個(gè)應(yīng)力吸收區(qū)6 沿TFT基板2的厚度方向形成在大致中間部分上，其高度為大約O.lmm 至U 0.2mm。在制造這個(gè)示例性實(shí)施例中的液晶顯示裝置的方法中，應(yīng)力吸收區(qū)6 在形成TFT基板2之前就已經(jīng)事先形成在粗玻璃板的臺(tái)子上。下文中，結(jié)合應(yīng)力吸收區(qū)6的形成原理來(lái)描述這個(gè)示例性實(shí)施例中的 液晶顯示裝置的制造方法。首先，如圖3A所示，使用透鏡31將激光束30聚焦在玻璃基板32的 中間區(qū)域中。作為其波長(zhǎng)在玻璃中不被吸收的激光束30的一個(gè)例子，可 以使用納秒(nano-second)激光器，例如Nd-YAG (釹釔鋁石榴石) (Neodymium-Yttrium Aluminum Garnet)激光器和Nd-YLF(釹紀(jì)氟化 鋰)(Neodymium-Yttrium Lithium Fluoride)激光器。聚焦激光束30，使其能 量密度不小于在玻璃基板32中形成非線性吸收的閾值。當(dāng)該非線性吸收 產(chǎn)生在玻璃基板內(nèi)部時(shí)，所吸收的能量轉(zhuǎn)變成熱量，從而玻璃基板被局部 加熱。因此，該加熱的熱玻璃或局部氣化的玻璃體積膨脹，從而引起折射 率和吸收率的光學(xué)特性變化，并進(jìn)一步在玻璃基板內(nèi)部產(chǎn)生應(yīng)力畸變。這 個(gè)過(guò)程形成了無(wú)數(shù)的微裂縫36，從而緩減了應(yīng)力(參見(jiàn)圖3B)。微裂縫的 尺寸和方向可以通過(guò)激光束的照射能量以及入射角的角度來(lái)進(jìn)行控制，從 而裂縫的中心部分將會(huì)處于中空狀態(tài)。如圖3C中的箭頭33所示，移動(dòng)形 成這種微裂縫的聚焦點(diǎn)能夠在任意位置中形成微裂縫，。因此，如圖3D所 示，可以在玻璃基板32內(nèi)部形成具有微裂縫聚集體和中空部分的應(yīng)力吸 收區(qū)6?？梢酝ㄟ^(guò)將公知的TFT制造技術(shù)和面板制造技術(shù)應(yīng)用到玻璃基板中 而得到顯示面板1，其中根據(jù)前面所述的原理通過(guò)激光照射而在該玻璃基 板中的將要安裝IC芯片4的區(qū)域中設(shè)置了應(yīng)力吸收區(qū)6。在ACF 5印刷到顯示面板1的端子電極區(qū)域上后，IC芯片4被布置 在ACF5上，并在之后以預(yù)定的溫度、壓力和時(shí)間經(jīng)受熱壓粘接，以便通 過(guò)硬化ACF5而將IC芯片4固定在顯示面板1上。因此，IC芯片4的突出電極和顯示面板1的端子電極經(jīng)由ACF 5中的導(dǎo)電粒子而電連接在一起。之后，柔性板或印刷電路板將被連接到所制造的顯示面板1上，裝配 背光單元和外殼，以形成液晶顯示裝置。在前面的描述中，在制造顯示面板之前，在玻璃基板中形成應(yīng)力吸收區(qū)6。這是因?yàn)?，薄膜圖案例如TFT布線存在于用于形成應(yīng)力吸收區(qū)6的 激光照射區(qū)域中，如果激光輸出能量水平很高時(shí)，薄膜圖案容易受到破壞。 雖然在顯示區(qū)域中連接到TFT裝置的布線圖案通常存在于IC芯片安裝區(qū) 域的周?chē)?，?dāng)所形成的布線圖案布局的圖案和應(yīng)力吸收區(qū)6布置合 適，不會(huì)被激光束照射時(shí)，則應(yīng)力吸收區(qū)6能夠在布線圖案化加工之后形 成，或者在IC芯片安裝處理之后形成，而不會(huì)產(chǎn)生任何問(wèn)題。上述方法所制造的顯示面板1提供了局部增強(qiáng)的柔性，這是因?yàn)椴Ａ?基板的厚度在應(yīng)力吸收區(qū)6變薄，該應(yīng)力吸收區(qū)6在玻璃基板內(nèi)部具有中 空的部分。因此，如圖4所示，即使產(chǎn)生了玻璃基板變形，該變形是由于 使用ACF 5通過(guò)熱壓粘接而在IC芯片上形成應(yīng)力收縮引起的，也能由應(yīng) 力吸收區(qū)6吸收該應(yīng)力(畸變)，從而玻璃基板變形對(duì)顯示區(qū)域的影響得 到抑制。因此，玻璃基板在顯示區(qū)域中的畸變被減小，液晶層中的局部間隙變 化和玻璃基板的雙重折射可以得到抑制，顯示不均勻的發(fā)生機(jī)率減少，從 而能夠提供高質(zhì)量的液晶顯示裝置。此外，由于應(yīng)力吸收區(qū)6形成在玻璃基板內(nèi)部，因此不會(huì)影響顯示裝 置的小型化。另外，由于沒(méi)有使用額外的元件，因此可以在不增加元件數(shù) 目的情況下提供高質(zhì)量的液晶顯示裝置。在這個(gè)示例性實(shí)施例中，雖然應(yīng)力吸收區(qū)6通過(guò)局部破壞玻璃基板內(nèi) 部而形成，但是只要應(yīng)力吸收區(qū)6沿厚度方向位于玻璃基板的大致中心部 分中，其中應(yīng)力吸收區(qū)的尺寸(高度)為其到玻璃基板的前和后表面的 距離足以使得應(yīng)力吸收區(qū)6的微裂縫不會(huì)發(fā)展到玻璃基板的前和后表面的 范圍中(例如，最多為玻璃基板厚度的30%)，則不會(huì)對(duì)玻璃基板的實(shí)際 使用強(qiáng)度產(chǎn)生任何問(wèn)題。在這個(gè)示例性實(shí)施例中，雖然已經(jīng)根據(jù)將IC芯片4直接安裝在玻璃但是本發(fā)明也可以應(yīng)用于其他安裝系統(tǒng)，例如將IC芯片4安裝在柔性基板51上的COF安裝和TCP安裝， 如圖5所示，通過(guò)以相同的方式形成應(yīng)力吸收區(qū)6，則能夠抑制玻璃基板 的變形。[示例性實(shí)施例2]接下來(lái)，將參考圖6到圖11來(lái)描述本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例中的 顯示裝置。在這些圖中，圖6A、圖7A和圖8A為顯示與本發(fā)明的第二示 例性實(shí)施例相關(guān)的顯示面板的結(jié)構(gòu)的平面視圖，并且圖6B、圖7B和圖8B 為與圖6A、圖7A和圖8A中的各個(gè)點(diǎn)線部分相對(duì)應(yīng)的局部放大平面視圖。 圖9A為顯示本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例中的顯示面板的其他結(jié)構(gòu)的平面 視圖，且圖9B為沿圖9A中n-II線的橫截面視圖。圖10為沿圖9A中III-III 線的橫截面視圖。圖IIA到圖IID為顯示這個(gè)示例性實(shí)施例中的顯示面 板的附加的其他結(jié)構(gòu)的平面視圖。這個(gè)示例性實(shí)施例通過(guò)改變前面所述的 第一示例性實(shí)施例中的應(yīng)力吸收區(qū)的形狀而獲得。在前面所述的第一示例性實(shí)施例中，雖然各個(gè)應(yīng)力吸收區(qū)6形成為直 線形狀，但是只要能夠吸收玻璃基板的應(yīng)力，其他形狀也是可用的，例如， 如圖6A和6B所示，各個(gè)應(yīng)力吸收區(qū)6可以形成為沿各個(gè)IC芯片4的至 少兩個(gè)角具有大寫(xiě)字母"L"的形狀，以便使各個(gè)應(yīng)力吸收區(qū)6的一部分 位于顯示區(qū)域和靠近顯示區(qū)域設(shè)置的所述兩個(gè)角之間。在這種結(jié)構(gòu)中，由 于應(yīng)力吸收區(qū)6能夠吸收大的應(yīng)力，尤其是IC芯片4的所述角周?chē)拇?的應(yīng)力所產(chǎn)生的玻璃基板的變形，因此能夠抑制玻璃基板變形在顯示區(qū)域 方向上的影響，從而減少顯示不均勻的發(fā)生。此外，如圖7A和7B所示，各個(gè)應(yīng)力吸收區(qū)6可以形成為淺底 (shallow-bo加med)大寫(xiě)字母"U"的形狀，使其底部位于顯示區(qū)域和各 個(gè)IC芯片4的靠近顯示區(qū)域的長(zhǎng)邊之間，并且其兩個(gè)壁部分至少沿各個(gè) IC芯片4的短邊延伸。另外，如圖8A和8B所示，各個(gè)應(yīng)力吸收區(qū)6可 以形成為框架形狀，以便包圍各個(gè)IC芯片4的四側(cè)。在圖7和圖8所示 的這些結(jié)構(gòu)中，由于應(yīng)力吸收區(qū)6形成為環(huán)繞IC芯片4的至少三個(gè)側(cè)邊， 該IC芯片為產(chǎn)生玻璃基板變形的來(lái)源，因此可以更加有效地抑制玻璃基板朝向顯示區(qū)域的變形，從而能夠減少顯示不均勻的發(fā)生。此外，如圖9A和圖9B所示，各個(gè)應(yīng)力吸收區(qū)6可以形成為與各個(gè) IC芯片4大致相同的形狀，從而使得應(yīng)力吸收區(qū)6正好位于IC芯片安裝 區(qū)域的下面。在這個(gè)結(jié)構(gòu)中，如圖10所示，由于正好在IC芯片安裝區(qū)域 下面的玻璃基板由于應(yīng)力吸收區(qū)6而變薄，因此，通過(guò)應(yīng)力吸收區(qū)6本身 的變形，可以吸收IC芯片4的收縮應(yīng)力所產(chǎn)生的玻璃基板變形可以，從 而基本上防止了玻璃基板變形對(duì)IC芯片4周?chē)糠值挠绊?。IC芯片4的 一組電極11和TFT基板2的一組端子電極10經(jīng)由ACF 5的導(dǎo)電粒子9 而電連接在一起。此外，如圖11A到11D所示，各個(gè)應(yīng)力吸收區(qū)6可以制成為這樣一 種形狀，即將前面所述的第一示例性實(shí)施例中所指示的直線狀應(yīng)力吸收區(qū) 6與圖6到圖9所示的那些應(yīng)力吸收區(qū)相組合，以便進(jìn)一步減小玻璃基板 變形對(duì)顯示區(qū)域的影響，從而提供一種能夠減少不均勻顯示的高質(zhì)量的液 晶顯示裝置。艮卩，圖11A所示的應(yīng)力吸收區(qū)6的形狀是將圖l所示的應(yīng)力吸收區(qū)6 加到圖6所示的顯示裝置中而得到的一種結(jié)構(gòu)。類(lèi)似地，圖IIB所示的應(yīng) 力吸收區(qū)6的形狀是將圖1所示的應(yīng)力吸收區(qū)6加到圖7所示的顯示裝置 中而得到的一種結(jié)構(gòu)。圖11C所示的應(yīng)力吸收區(qū)6的形狀是將圖1所示的 應(yīng)力吸收區(qū)6加到圖8所示的顯示裝置中而得到的一種結(jié)構(gòu)，且圖11D所 示的應(yīng)力吸收區(qū)6的形狀是將圖1所示的應(yīng)力吸收區(qū)6加到圖9所示的顯 示裝置中而得到的一種結(jié)構(gòu)。應(yīng)力吸收區(qū)6并不需要沿各個(gè)IC芯片4或顯示區(qū)域的各側(cè)邊方向彼 此分離，它也不需要是連續(xù)的直線形狀，它可以形成為點(diǎn)線或彎曲形狀。 只要應(yīng)力吸收區(qū)至少位于顯示區(qū)域和IC芯片安裝區(qū)域之間或者正好在IC 芯片安裝區(qū)域下面，則應(yīng)力吸收區(qū)可以采用任意的形狀。在前面所述的各個(gè)示例性實(shí)施例中，雖然本發(fā)明的安裝結(jié)構(gòu)應(yīng)用于液 晶顯示裝置的顯示面板中，但是本發(fā)明并不限于前面所述的示例性實(shí)施 例，它同樣可以用于在玻璃基板上設(shè)置有充當(dāng)應(yīng)力源的元件的任意顯示裝 置中。通常，本發(fā)明可用于任何顯示裝置，例如液晶顯示裝置。在背景技術(shù)中作為相關(guān)技術(shù)描述的專(zhuān)利文獻(xiàn)1中產(chǎn)生了一個(gè)問(wèn)題，例 如與設(shè)置在IC芯片上的裂縫相對(duì)的部分的低的連接可靠性。雖然如專(zhuān)利 文獻(xiàn)2所示，還存在在電路元件和顯示區(qū)域的間隙中設(shè)置變形抑制部件的 方法，但是這種方法對(duì)于顯示裝置的小型化和重量的減輕不利。本發(fā)明的一個(gè)示例性?xún)?yōu)點(diǎn)在于，它能夠可靠地吸收驅(qū)動(dòng)電路元件的熱 變形所產(chǎn)生的應(yīng)力，并且抑制不均勻顯示的發(fā)生，而不會(huì)增加各個(gè)元件的 尺寸和數(shù)目。在前面所述的示例性實(shí)施例中，雖然將液晶顯示裝置描述為顯示裝 置，但是，本發(fā)明并不限于此，它們也可以是等離子顯示器和有機(jī)電致發(fā)光顯示器(organic electroluminescence display)等。此夕卜，安裝系統(tǒng)并不 限于COG安裝，也可以使用TCP安裝和COF安裝。進(jìn)一步地，粘接材 料并不限于薄膜形ACF，但是它廣泛應(yīng)用于這樣的安裝方法中，該安裝方 法使用熱硬化型或熱塑型粘接材料樹(shù)脂，例如，膠狀A(yù)CP(各向異性導(dǎo)電 膠)(Anisotorophic Conductive Paste)、不包括導(dǎo)電粒子的NCF(非導(dǎo)電薄 膜)(Non Conductive Film)和NCP (非導(dǎo)電膠)(Non Conductive Paste)。即， 本發(fā)明可以用于具有下述安裝結(jié)構(gòu)的任意顯示裝置，在該安裝結(jié)構(gòu)中，由 熱壓粘接引起的玻璃基板和驅(qū)動(dòng)電路元件之間的熱膨脹差異導(dǎo)致了玻璃 基板的變形和間隙的變化，而影響顯示質(zhì)量。在本發(fā)明中，各個(gè)應(yīng)力吸收區(qū)可以形成為具有下述不同結(jié)構(gòu)。它可以 沿驅(qū)動(dòng)電路元件的位于顯示區(qū)域和驅(qū)動(dòng)電路元件安裝區(qū)域之間的顯示區(qū) 域側(cè)形成。它可以沿驅(qū)動(dòng)電路元件的位于顯示區(qū)域側(cè)的各個(gè)角形成大寫(xiě)字 母"L"形。它可以沿驅(qū)動(dòng)電路元件的位于顯示區(qū)域側(cè)的三個(gè)側(cè)邊形成大 寫(xiě)字母"U"形。它可以沿驅(qū)動(dòng)電路元件的整個(gè)周長(zhǎng)形成框架形。當(dāng)從玻 璃基板的法線方向上觀察時(shí)，它可以形成為與驅(qū)動(dòng)電路元件大致疊置。 在本發(fā)明中，應(yīng)力吸收區(qū)需要包括中空部分和微裂縫集聚體。 根據(jù)本發(fā)明，由于應(yīng)力吸收區(qū)形成在玻璃基板內(nèi)部，因此不需要新的 附加元件，也不需要額外的空間來(lái)設(shè)置變形抑制部件。此外，也不會(huì)因?yàn)?形成應(yīng)力吸收區(qū)而產(chǎn)生起絨粉塵。進(jìn)一步地，由于各個(gè)應(yīng)力吸收區(qū)具有中 空部分，因此玻璃基板的柔性局部增強(qiáng)。因此，即使IC芯片的收縮應(yīng)力 所引起的玻璃基板變形產(chǎn)生在IC芯片周?chē)?，?yīng)力(畸變)也會(huì)由應(yīng)力吸14收區(qū)吸收，從而玻璃基板的顯示區(qū)域中的畸變可以得到緩減，從而提供了 沒(méi)有不均勻顯示的高質(zhì)量顯示裝置。由于應(yīng)力吸收區(qū)設(shè)置在玻璃基板內(nèi) 部，因此在使用加壓粘接工具的加壓過(guò)程中不會(huì)產(chǎn)生壓力的不均衡，從而 防止了連接失效的產(chǎn)生。根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置，通過(guò)在ic芯片安裝區(qū)域附近提供應(yīng)力吸收 區(qū)，就能夠抑制安裝有IC芯片的玻璃基板上的應(yīng)力(畸變)對(duì)顯示區(qū)域 的影響，由此可以減小液晶層中的局部間隙變化和玻璃基板的雙重折射， 從而抑制顯示裝置的不均勻顯示的產(chǎn)生。此外，由于在玻璃基板內(nèi)部通過(guò)中空處理而形成了應(yīng)力吸收區(qū)，因此 可以在不改變基板的玻璃表面的平坦度的情況下局部提高柔性。由于在玻 璃基板內(nèi)部形成應(yīng)力吸收區(qū)時(shí)沒(méi)有粉塵起絨加工，因此不需要進(jìn)行特別的 清洗步驟等，從而能夠通過(guò)通常的生產(chǎn)步驟來(lái)制造顯示裝置。盡管已經(jīng)結(jié)合示例性實(shí)施例特別示出并描述了本發(fā)明，但是本發(fā)明并 不限于這些實(shí)施例。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解，在不脫離由權(quán)利要 求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以對(duì)它們進(jìn)行各種形式和細(xì) 節(jié)上的改變。進(jìn)一步地，發(fā)明者的意圖是保留所宣稱(chēng)發(fā)明的所有等同物，即使在審 査過(guò)程中對(duì)權(quán)利要求進(jìn)行了修改。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，包括玻璃基板，該玻璃基板具有顯示區(qū)域和外圍區(qū)域；驅(qū)動(dòng)電路元件，該驅(qū)動(dòng)電路元件通過(guò)熱壓粘接在所述外圍區(qū)域上而被安裝在所述玻璃基板上；和應(yīng)力吸收區(qū)，該應(yīng)力吸收區(qū)設(shè)置在所述玻璃基板內(nèi)部的靠近所述電路元件的位置處，以便吸收所述電路元件的熱變形所產(chǎn)生的應(yīng)力。
2. 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述應(yīng)力吸收區(qū)位 于所述顯示區(qū)域和所述電路元件之間，以便沿所述電路元件的靠近所述顯 示區(qū)域的側(cè)部延 伸。
3. 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述應(yīng)力吸收區(qū)位 于所述電路元件的設(shè)置在所述顯示區(qū)域附近的兩個(gè)角周?chē)员阊厮鰞?個(gè)角中的每個(gè)角以大寫(xiě)字母"L"的形狀延伸。
4. 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述應(yīng)力吸收區(qū)位 于所述電路元件的設(shè)置在所述顯示區(qū)域附近的三個(gè)側(cè)邊周?chē)?，以便沿所?三個(gè)側(cè)邊以大寫(xiě)字母"U"的形狀延伸。
5. 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述應(yīng)力吸收區(qū)設(shè) 置成以框架形狀圍繞所述電路元件。
6. 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述應(yīng)力吸收區(qū)設(shè) 置成沿所述玻璃基板的法線方向與所述電路元件疊置。
7. 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述應(yīng)力吸收區(qū)包 括中空部分和微裂縫聚集體。
8. —種制造顯示裝置的方法，包括在玻璃基板內(nèi)部形成應(yīng)力吸收區(qū)，該應(yīng)力吸收區(qū)位于顯示區(qū)域和一組 端子電極之間；和使用熱壓粘接將電路元件固定在所述端子電極組上。
9. 如權(quán)利要求8所述的制造顯示裝置的方法，其特征在于，通過(guò)將激光束照射在所述玻璃基板中以便形成中空部分和微裂縫聚集體，從而形 成所述應(yīng)力吸收區(qū)。
10.如權(quán)利要求9所述的制造顯示裝置的方法，其特征在于，所述應(yīng) 力吸收區(qū)沿所述玻璃基板的厚度方向形成在所述玻璃基板的中間部分上。
全文摘要
一種顯示裝置，包括具有顯示區(qū)域和外圍區(qū)域的玻璃基板。驅(qū)動(dòng)電路元件通過(guò)熱壓粘接在外圍區(qū)域上而被安裝在玻璃基板上，應(yīng)力吸收區(qū)設(shè)置在玻璃基板內(nèi)部的靠近電路元件的位置處，以便吸收電路元件的熱變形所產(chǎn)生的應(yīng)力。一種制造本發(fā)明的顯示裝置的方法，包括在玻璃基板內(nèi)部形成應(yīng)力吸收區(qū)以便吸收電路元件的加壓粘接所產(chǎn)生的應(yīng)力的步驟。
文檔編號(hào)G02F1/13GK101620326SQ20091015088
公開(kāi)日2010年1月6日 申請(qǐng)日期2009年6月25日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月4日
發(fā)明者藤田明, 近藤祐司 申請(qǐng)人:Nec液晶技術(shù)株式會(huì)社