專利名稱：：浸液光刻顯影處理方法、該顯影處理方法中使用的溶液和使用該顯影處理方法的電子裝置的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及使用了浸液光刻的抗蝕圖案的顯影處理方法、在該顯影處理方法中使用的溶液和使用了該顯影處理方法的電子裝置。
背景技術：
：浸液型曝光(浸液光刻)是在曝光機的透鏡與作為加工對象的晶片的微小空隙間利用水的表面張力形成水膜(彎液面)而使透鏡與被照射面(晶片最上層膜表面)之間高折射率化的方式，與通常的干式曝光相比可以提高有效的透鏡數(shù)值孔徑(NA)，具體來說，可以提高至水的折射率1.44附近。因此，浸液光刻作為可增加光刻的析象分辨極限、使形成的圖案微細化的技術在工業(yè)上正被實用化。浸液光刻的概要示于圖1。浸液光刻如圖l所示，在載置于載物臺6上的晶片1的最上面所形成的感光性抗蝕劑層2與透鏡3的微小空隙間形成浸液7K5來作為膜狀的彎液面5a，一邊通過該彎液面5a進行光照射一邊掃描晶片1(例如，圖1中的箭頭A)實施掃描曝光。在上述那樣的浸液光刻中，由于在透鏡3與作為被照射面(晶片1的最上層膜表面)的感光性抗蝕劑層2之間存在形成上述水膜的浸液水5,因此當使用通常的干式曝光用的化學增幅型抗蝕劑時，在構成該感光性抗蝕劑層2的化學增幅型抗蝕劑中含有的光酸引發(fā)劑或堿等的低分子化合物溶于浸液水5中，接著有引起透鏡3等曝光機污染的擔心。另外，如果抗蝕劑的防水性低，則在晶片1上使上述水膜(彎液面5a)移動時，在彎液面5a移動后有微小的液滴殘留在感光性抗蝕劑層2上，在局部產生長時間的與水分的接觸，由于該影響等而誘發(fā)圖案缺陷。為了防止上述那種化學增幅型抗蝕劑內的光酸引發(fā)劑或堿等的低分子化合物等向浸液水5溶出以及能夠高速且順暢地進行不殘留液滴的彎液面的移動，采用了下述的技術，該技術使上述低分子化合物為難以在感光性抗蝕劑層2表面溶出的狀態(tài)，且是具有防水性的狀態(tài)。這樣的技術具體來說可以列舉為了不使浸液水與抗蝕劑直接接觸，而在抗蝕劑上設置可用顯影液溶解的上層保護膜(外涂層)的方法。另外，在化學增幅型抗蝕劑中微量混入防水劑等的臨界表面能量小的高分子(主要是含有氟的聚合物)，并在涂膜形成時利用防水劑的表面偏析效果而僅在抗蝕劑表面使防水劑集中(不均勻)，由此可以開發(fā)出一種將上述抗蝕劑和外涂層的2層作為單一涂布膜而自發(fā)形成的無外涂層抗蝕劑，并開始在市場上售賣。設置外涂層的方法一般可以稱作為外涂層工藝，其是利用了圖2(a)所示的工藝流程的方法。在該方法中，抗蝕劑層以通過2次涂布處理形成的2層膜來構成，在通常的感光性抗蝕膜(ST2-a3)上涂布抗蝕劑上層保護膜(外涂層)(ST2-a4)。這種外涂層在堿顯影液中可溶，顯影時可自動剝離，且為了形成防水性高的膜，較多情況下是以包含堿可溶部的含有氟的聚合物來構成(特開2007-148167號公報等)。但是，該外涂層工藝由于作為形成抗蝕劑層的工序需要2次涂布處理(ST2-a3和ST2-a4),因此工藝變得冗長，另外由于使用了形成抗蝕劑和外涂層的2種藥液，所以有材料成本變高等的問題點。進而，由于在抗蝕劑中含有顯影可溶基和具有高防水性是折衷的關系，所以多數(shù)情況下對于利用了更高速的掃描的高生產率的曝光，防水性不能說是充分的。另一方面，使用無外涂層抗蝕劑的方法是包括利用了圖2(b)所示的工藝流程和圖7所示的模式圖的工藝的方法。在該方法中，如上述那樣使防水劑等的臨界表面能量小的高分子(含有氟的聚合物等)微量混入抗蝕劑液中而形成抗蝕劑層(特開2008-102276號公報等)。通過利用防水劑的表面偏析效果并在抗蝕劑層的表面使防水劑集中(不均勻)，可以用單一的涂膜形成工序(ST2-b2)自發(fā)形成對應于上述外涂層的表面，這種無外涂層抗蝕劑被開發(fā)且正被市售。并且，上述防水劑的表面偏析現(xiàn)象是利用將單一涂布膜系(抗蝕劑層)整體的自由能(混合自由能、表面自由能、界面自由能等的總和)最小化的熱力學原理所表現(xiàn)的。因此，對于用該材料經(jīng)過其他的涂布處理(ST2-a3和ST2-a4)分別形成上述外涂層工藝中的感光性抗蝕膜和外涂層這樣的工藝，可以抑制其冗升高或材料成本口的升高。、'、5'''、這里，作為在無外涂層抗蝕劑中微量添加的防水劑，主要可以有以下3種的構成(1)與外涂層材料同樣使用顯影液可溶的材料的情況、(2)使用完全沒有堿溶解性的防水劑的情況，另外(3)使用下述防水劑的情況，該防水劑自身與化學增幅型抗蝕劑相同，在通過曝光產生的酸的催化作用下去保護，曝光部分在之后的曝光后熱處理(PEB)時變?yōu)榭扇苡趬A顯影液。但是，對于變?yōu)榭扇苡趬A顯影液的防水劑的情況，有涂布時的偏析特性降低的傾向，另外，與外涂層的上述問題同樣，不能得到充分的防水性的情況較多。另一方面，當使用完全沒有堿溶解性的防水劑時，如圖8(a)~(c)的各圖案缺陷的概要圖所示的那樣，顯影時防水劑作為不溶物而產生殘渣10b(圖8(a)),即使殘渣輕微存在，也有下述的風險，即，誘發(fā)微橋(^4夕口7、、卩、乂S、)10c(圖8(b)),或者在顯影工藝中堿浸漬后的純水清洗處理時防水性過高，不能清洗千凈，殘留有粒狀的殘渣10d(斑點(Blob))(圖8(c))等。另一方面，即使對于使用下述防水劑的情況，與上述完全沒有堿溶解性的防水劑的問題同樣，在未曝光部分產生缺陷，所述防水劑是自身通過酸進行去保護，僅曝光部分在之后的曝光后熱處理(PEB)時變?yōu)榭扇苡趬A顯影液的防水劑。即，在電子裝置的形成中，在使用了正型抗蝕劑的孔形成工序、或Cu布線的溝道形成工序等的使用了暗場掩模的工序中，背景成為未曝光部分，因此可以說這些缺陷的風險高。
發(fā)明內容在現(xiàn)有的浸液光刻工藝中，為了維持化學增幅型抗蝕劑的性能，同時實現(xiàn)浸液型曝光，使用了外涂層的工藝廣泛;波應用，但如上述那樣，有裝置、材料的成本變高的問題，且有難以得到對于高速掃描的防水性的問題。另一方面，在使用了以浸液光刻工藝的低成本化和抗蝕圖案缺陷的抑制為目標的無外涂層抗蝕劑的工藝中，如上所述對于堿可溶的防水劑的情況，產生與外涂層工藝同樣的問題(對于高速掃描的防水性)，對于由堿不溶或者曝光導致極性變化型的防水劑的情況，有源于顯影不溶性的圖案缺陷的問題。對于這些圖案缺陷，有添加的防水劑在抗蝕圖案上再附著，或者當未曝光部的抗蝕劑表層維持高防水時浸液引起的缺陷增大的問題。另外，這些問題在抗蝕劑表層形成大量殘留的孔圖案時更為顯著。本發(fā)明鑒于上述問題，是用于得到消除了顯影缺陷的電子裝置的浸液光刻顯影方法，其目的在于應用使用了含有表面偏析劑的抗蝕劑的工藝，而提供簡便、低成本、且能夠賦予可高速掃描的高防水性的工藝。本發(fā)明的目的在于提供浸液光刻顯影處理方法、在該顯影處理方法中使用的溶液和使用了該顯影處理方法的電子裝置，所述浸液光刻顯影處理方法不引入新的設備，并加入了利用價格便宜的材料所帶來的改良。本發(fā)明的浸液光刻顯影處理方法包括利用了堿浸漬的顯影工序，是具備含有表面偏析劑和化學增幅型抗蝕劑的抗蝕劑的電子裝置的浸液光刻顯影處理方法，其特征在于，包括溶解除去工序，該溶解除去工序使用選擇性溶解除去上述抗蝕劑中的表面偏析劑的溶解除去溶液來進行。上述溶解除去工序是在顯影工序前實施的工序，優(yōu)選是利用清洗處理或者浸漬處理實施的工序。另外，上述溶解除去工序也可以是與顯影工序同時實施的工序。上述溶解除去工序也可以在顯影工序后實施。在本發(fā)明中，上述顯影工序和溶解除去工序優(yōu)選使用相同的杯進行。另外，溶解除去工序中的溶解除去溶液優(yōu)選含有碳原子數(shù)為4以上的醇和碳原子數(shù)為5以上的烷基醚的至少任一種。溶解除去工序中的溶解除去溶液還優(yōu)選是包含含有氟的溶劑的形式。上述溶解除去工序中的溶解除去溶液優(yōu)選包含碳原子數(shù)為4以上的醇和碳原子數(shù)為5以上的烷基醚，另外優(yōu)選包含含有氟的溶劑。另外在本發(fā)明中，上述溶解除去溶液優(yōu)選含有水。本發(fā)明涉及使用上述浸液光刻顯影處理方法制備的電子裝置。另外，本發(fā)明是在上述浸液光刻顯影處理方法中使用的溶劑除去溶液，涉及選擇性溶解除去構成抗蝕劑的表層偏析劑的溶液。這種溶液優(yōu)選含有碳原子數(shù)為4以上的醇、碳原子數(shù)為5以上的烷基醚，另外，優(yōu)選包含含有氟的溶劑。另外在本發(fā)明中，優(yōu)選上述溶解除去溶液含有水。根據(jù)本發(fā)明，可以實現(xiàn)包括浸液光刻顯影處理方法的電子裝置的制備工藝，所述浸液光刻顯影處理方法不包括目前的外涂層涂布工序且也不包括利用了特別裝置的外涂層的剝離工序，是通過價格便宜且簡便的工藝工序和裝置構成就可以進行高生產率且低缺陷的顯影處理方法。工藝中使用，也可以在使用了外涂層的工藝中使用。該發(fā)明的上述和其他目的、特征、局面和優(yōu)點可以從以下詳細的說明中明確，所述詳細的說明涉及與附圖相關聯(lián)并^皮理解的該發(fā)明。圖1是表示浸液光刻的概要的模式圖。圖2(a)是外涂層工藝的工藝流程，(b)是使用了無外涂層抗蝕劑的方法的工藝流程。圖3是表示抗蝕劑深度與偏析劑體積的關系的曲線圖。圖4是表示抗蝕劑深度和抗蝕劑與表面偏析劑的原子濃度的關系的曲線圖。圖5(a)是表示具有外涂層時的抗蝕劑深度與防水劑濃度比的模式圖，(b)表示使用無外涂層抗蝕劑時的抗蝕劑深度與防水劑濃度比的模式圖。圖6是表示表面偏析劑的除去率與抗蝕劑表面的接觸角的關系的曲線圖。圖7(a)~(h)是表示無外涂層抗蝕劑的各流程的概略圖。圖8(a)是表示由殘渣導致的缺陷的模式圖，(b)是表示由微橋導致的缺陷的模式圖，(c)是表示由粒狀的殘渣導致的缺陷的模式圖。圖9是實施例1的包括浸液光刻顯影處理方法的電子裝置制備工序的工藝流程。圖10(a)~(i)是表示實施例1的包括浸液光刻顯影處理方法的電子裝置制備工序的各流程的概略圖。圖11是實施例2的包括浸液光刻顯影處理方法的電子裝置制備工序的工藝流程。圖12(a)~(h)是表示實施例2的包括浸液光刻顯影處理方法的電子裝置制備工序的各流程的概略圖。圖13是實施例3的包括浸液光刻顯影處理方法的電子裝置制備工序的工藝流程。圖14(a)~(i)是表示實施例3的包括浸液光刻顯影處理方法的電子裝置制備工序的各流程的概略圖。圖15(a)是表示浸漬處理的概略圖，(b)是表示清洗處理的具體實施例方式以下，對于本發(fā)明進而詳細地說明。并且，在以下的實施方式的說明中，使用附圖進行說明，在本申請的附圖中，標有同一參照符號的表示同一部分或者相當部分。<顯影處理方法>本發(fā)明的浸液光刻顯影處理方法是包括利用了堿浸漬的顯影工序的電子裝置的浸液光刻顯影處理方法，其特征在于，包括溶解除去工序，該溶解除去工序使用選擇性溶解除去含有表面偏析劑和化學增幅型抗蝕劑的抗蝕劑中的表面偏析劑的溶解除去溶液來進行。在本發(fā)明中，上述抗蝕劑是指含有表面偏析劑成分和化學增幅型抗蝕劑的、所謂無外涂層抗蝕劑的意思。另外，即使在目前使用外涂層的工藝中，也有為了提高外涂層的防水性而在外涂層中使用對于堿顯影液的溶解性低的材料的情況。此時，與在無外涂層抗蝕劑中含有的表面偏析劑(例如防水劑)同樣，引起外涂層對于顯影液的溶解性不足，有產生圖案缺陷的擔心。即使對于這種使用外涂層的工藝，也可以發(fā)揮本發(fā)明的效果。<浸液光刻>浸液光刻的概要示于圖1。浸液光刻是如圖1所示的光刻法，其在栽置于載物臺6上的晶片1的最上面所形成的感光性抗蝕劑層2與透鏡3的微小空隙間形成浸液水5作為膜狀的彎液面5a,—邊通過該彎液面5a進行光照射一邊掃描晶片1(例如，圖1中的箭頭A)實施掃描曝光。這里，形成下述的結構，即，形成彎液面5a的浸液水5從設置在透鏡3的周圍的流入口4a流入，從吸入口4b吸入到外部裝置中，填滿透鏡3與感光性抗蝕劑層2的間隙的浸液液體5被更換。在圖l中，說明了使用無外涂層抗蝕劑作為上述感光性抗蝕劑層2的情況。并且在本發(fā)明中，利用了堿浸漬的顯影工序沒有特別地限定，可以是目前公知的工序。<抗蝕劑>在本發(fā)明中，抗蝕劑至少包含表面偏析劑(以下有時稱作為"偏析9劑")和構成化學增幅型抗蝕劑的成分(以下有時簡稱為"抗蝕劑成分")，表面偏析劑在理論上如圖3的表示抗蝕劑深度與偏析劑體積的關系的曲線圖所示的那樣，其存在比例沿深度方向以指數(shù)函數(shù)的關系減少，具有在抗蝕劑表面偏析的性質。這是由將自由能(混合自由能、表面自由能、界面自由能等的總和)最小化的熱力學原理所表現(xiàn)的，其偏析的狀態(tài)在將離抗蝕劑表面的深度Z的表面偏析劑的體積分率記作(t)(z)時，用下式(1)cj)(z)U(H)exp(-z/g)...(1)(式(1)中，cK和cK分別是抗蝕劑的最表面和塊(bulk)中的表面偏析劑的體積分率。另外，？表示與表面偏析劑的表面濃縮有關的衰減長度。)表示(機能材料、少一工厶'二一出版、2003年5月號、Vo1.23、No.5)。將這種表面偏析劑的偏析狀態(tài)以與原子濃度的關系表示的模式圖示于圖4。在圖4中，表示抗蝕劑成分和作為表面偏析劑的防水劑中的碳(C)、氧(O)和氟(F)的原子濃度。碳和氧主要是抗蝕劑成分，氟是表面偏析劑成分。如圖4所示，伴隨深度從抗蝕劑表面增大，表面偏析劑成分如上述圖3所示以指數(shù)函數(shù)的關系減少，另一方面，抗蝕劑成分隨著深度增加，其原子濃度增大。這里，對于目前的設置外涂層的情況，將防水劑作為表面偏析劑為例時，在感光性抗蝕劑層的深度方向，如圖5(a)所示，防水劑濃度(原子比率)通常為100%。另一方面，對于無外涂層抗蝕劑的情況，如上述圖4或圖5(b)所示，防水劑濃度(原子比率)以指數(shù)函數(shù)的關系減少。并且，在圖5(b)中，深度為0nm時，即在抗蝕劑表面，防水劑濃度未必是100%,例如也可以是70%。并且，通過利用了X射線反射法的膜密度分析，對于圖5(a)的情況，可以觀察到沿深度方向有膜密度不同的2層結構，另一方面，對于圖5(b)的情況，不論偏析劑濃度，深度方向的膜密度是一定的。即，在設置圖5(a)的外涂層時有2層膜(抗蝕膜和外涂層)，圖5(b)可以稱為單一涂布層(無外涂層抗蝕劑的單一層膜)。在本發(fā)明中，特別地，通過包括下述的溶解除去工序，可以不進而追加工藝或裝置，而進行高生產率且低缺陷的浸液光刻，所述溶解除去工序將在表面偏析劑如上述那樣處于偏析狀態(tài)的無外涂層抗蝕劑中的表面偏析劑溶解除去。上述表面偏析劑可以使用可在這種無外涂層抗蝕劑中使用的目前公知的臨界表面能量小的高分子，可以列舉上述特開2008-102276號公報中公開的含氟樹脂成分。具體來說，可以列舉具有用通式-(CH2-C(COOYGRf)R)-表示的構成單位的含氟樹脂成分等含有氟的聚合物。并且，在上述通式中，R為氳原子、低級烷基、卣原子或者卣化低級烷基，yG為亞烷基，Rf為氟化烷基。這種表面偏析劑在抗蝕劑中的含量沒有特別地限定，只要適當調節(jié)即可。另外，本發(fā)明中使用的化學增幅型抗蝕劑沒有特別地限定，根據(jù)目的選擇目前公知的來使用即可?；瘜W增幅型抗蝕劑通過以光反應在抗蝕膜中產生酸，并將酸作為催化劑進行曝光后的加熱，而使抗蝕劑的基材樹脂反應并形成圖案，即使在曝光中產生的酸是少量的，由于通過熱擴散而進行連鎖反應，因此可以得到及其高的靈敏度。<溶解除去工序>本發(fā)明的溶解除去工序是使用選擇性溶解除去含有表面偏析劑和化學增幅型抗蝕劑的抗蝕劑中的表面偏析劑的溶解除去溶液來實施的工序，本發(fā)明通過包括該工序，可以不用進而追加工藝或者裝置，進行高生產率且低缺陷的浸液光刻。在上述溶解除去工序中，對于表面偏析劑，如同現(xiàn)有的設置外涂層的工法那樣，未必需要除去抗蝕劑中含有的全部表面偏析劑，可以是表面偏析劑以不對之后的工序帶來影響的程度殘留的狀態(tài)，除去表面偏析劑以能夠充分地抑制源于抗蝕劑表層的防水性的抗蝕圖案缺陷，只要防水性降低就可以顯現(xiàn)本發(fā)明的效果。即，當通過處理過的抗蝕劑表面的防水性來判斷表面偏析劑的溶解除去率時，如圖6中表面偏析劑的除去率與抗蝕劑表面的接觸角的關系所示的那樣，將實施溶解除去工序前的抗蝕劑表面的接觸角記作CAmax(CAr)，將從表面溶解除去Xnm的表面偏析劑時的接觸角的減少部分記作ACA,此時的防水劑除去率(△CA/CArxl00(%))可以為80%以上。另外，該除去率更優(yōu)選為卯％以上，期望為100%。另外，表面偏析劑的溶解除去程度(除去量)的調節(jié)可以用下述的構成溶解除去溶液的溶劑種類或組成、以及處理時間等來控制。只要能夠實現(xiàn)上述那樣的防水性下降這樣的本發(fā)明的效果，本發(fā)明就可以包含下述的情況，即，在表面偏析劑的溶解除去工序中，在抗蝕膜中含有的光酸引發(fā)劑或構成抗蝕劑的基材樹脂的極少一部分通過上述溶解除去溶液被除去。這種溶解除去工序的第1方案在利用了上述^4浸漬的顯影工序前實施溶解除去。即，在使用選擇性溶解除去抗蝕劑中的表面偏析劑的溶解除去溶液，選擇性除去對于在顯影工序中所用的堿為難溶性的表面偏析劑之后，實施利用了堿浸漬的顯影工序或使用了純水等的清洗工序等通常的顯影工序的方法。根據(jù)這種第l方案，由于可以預先用溶劑除去顯影難溶性的物質(表面偏析劑等)，因此可以抑制在通常(現(xiàn)有)的方法中，在之后的堿浸漬工序或利用了純水等的清洗工序等中發(fā)生的上述顯影難溶性物質對于抗蝕圖案的再附著。另外，通過降低抗蝕劑表面對于堿浸漬工序或使用了純水等的清洗工序時的各處理溶液等的接觸角，可以提高抗蝕劑表面的洗滌性。特別地，當使用的表面偏析劑對于顯影液為不溶的類型時，優(yōu)選該第l方案。另外，溶解除去工序的第2方案可以列舉在顯影工序的堿中添加上述溶解除去溶液，同時進行顯影工序和溶解除去工序的方法。當同時進行顯影工序和溶解除去工序時，除了上述第1方案的優(yōu)點以外，還可以實現(xiàn)工藝的簡單化和工藝時間的縮短。進而，作為第3方案，可以列舉在上述通常的利用堿浸漬進行的顯影工序之后實施溶解除去工序的方法。此時，除了上述第1方案的優(yōu)點以外，還可以顯影工序結束時進而除去殘留的難溶性物質。另外，作為優(yōu)點還可以列舉，對于去保護并堿可溶化的抗蝕劑，溶解除去劑沒有帶來壞的影響。對于使用的表面偏析劑與化學增幅型抗蝕劑同樣、在由曝光產生的酸的催化作用下去保護且曝光部分在之后的曝光后熱處理(PEB)時變化為可溶于堿顯影液的類型的情況，該第3方案是特別優(yōu)選的。在本發(fā)明中，只要包括上述第1~第3方案的至少任一種的溶解除去工序即可，但也可以將這些第1~第3方案中的2種以上組合來實施。即，例如在單一的顯影處理中，也可以適用第1方案與第2方案的組合、或者第1方案與第3方案的組合或者第2方案與笫3方案的組合、或者第1、第2和第3方案的組合。通過進行以上笫1~第3方案的至少任一者，高生產率且低缺陷的浸液光刻成為可能。在上述第1、第2和第3方案的任一者中，溶解除去可以通過在溶12解除去溶液中將抗蝕劑進行浸漬處理(參照圖15(a))或者清洗處理(參照圖15(b))來實施。圖15(a)是表示浸漬處理的概略圖，浸漬處理可以通過在設置于通常的顯影杯15內的載物臺12上載置具有被加工膜或無外涂層抗蝕劑等的晶片14,并在其上用浸液液體15(液洼(液盛9))覆蓋來進行。并且，此時預先使旋轉軸13靜止。另一方面，圖15(b)是表示清洗處理的概略圖，可以通過下述那樣來進行，即，與圖15(a)同樣，在設置于通常的顯影杯15內的載物臺12上載置具有被加工膜或無外涂層抗蝕劑等的晶片14,在利用旋轉軸13例如沿圖15(b)中的B方向旋轉的狀態(tài)下，從晶片14的上方通過噴嘴17將浸液液體15供給晶片14表面。這里，顯影杯發(fā)揮壁的功能，即、回收在公知的旋轉洗滌時賊射到晶片之外的液體，以使其不向周圍飛散并將其引向廢液排放口。這種浸漬處理或清洗處理可以如上述那樣使用在現(xiàn)有的光刻中使用的顯影裝置的顯影杯來進行，可以通過下述方式來進行，即，與在上述顯影杯中供給用于顯影工序的堿、或用于使用了純水或低級醇等的清洗工序的純水等的情況相同，裝備供給溶解除去溶液的噴嘴，利用從該噴嘴供給的溶解除去溶液清洗晶片表面，或在溶解除去溶液中浸漬晶片。此時，僅僅安裝噴嘴，而不需要增設其他的新的工藝單元，因此可以非常簡便地實施溶解除去工序，得到本發(fā)明的效果。并且，本發(fā)明中的純水或者水是指在電子裝置的制備工序中通常使用的超純水(比電阻率為18.0MD.cm以上)，j旦不限定于該純度。另外，在本發(fā)明中，上述顯影工序和溶解除去工序可以通過溶解除去溶液的選擇使用相同的杯來進行。這樣在使用相同的杯進行顯影工序和溶解除去工序時，僅僅追加噴嘴就可以直接使用與現(xiàn)有的利用了外涂層抗蝕劑的顯影處理方法同樣的裝置，因此是優(yōu)選的。<溶解除去溶液>作為可溶解表面偏析劑、而不溶解化學增幅型抗蝕劑成分的溶解除去溶液的代表例子，可以列舉不溶解化學增幅型抗蝕劑成分的氟系溶劑、不溶解化學增幅型抗蝕劑成分的非氟系溶劑、或者由將這些溶劑以任意量混合而成的混合溶劑所構成的溶液。并且，在本發(fā)明中，當僅由溶劑構成上述溶解除去溶液時，稱作為溶解除去溶劑。上述氟系溶劑可以列舉氟改性脂肪族烴系溶劑、氟改性芳香族烴系溶劑、氟改性醚系溶劑、氟改性烷基胺系溶劑等。具體來說，可以列舉例如全氟苯、五氟苯、1，3-二(三氟甲基)苯、1,4-二(三氟甲基)苯、全氟三丁基胺、全氟三丙基胺、全氟三戊基胺等的多氟三烷基胺化合物(氟改性烷基胺系溶劑)；全氟萘烷、全氟環(huán)己烷、全氟(1,3,5-三曱基環(huán)己烷)、全氟(2-丁基四氫呋喃)、全氟己烷、全氟辛烷、全氟癸烷、全氟十二烷、全氟(2,7-二曱基辛烷)、1，1,2-三氯-1,2,2-三氟乙烷、1,1,1-三氯-2，2,2-三氟乙烷、1,3-二氯-1，1,2,2,3-五氟丙烷、1,1,1,3-四氯-2,2,3,3國四氟丙烷、1,1,3,4國四氯國1，2,2,3,4,4國六氟丁烷、全氟(1,2-二甲基己烷)、全氟(1,3-二甲基己烷)、2H,3H-全氟戊烷、1H-全氟己烷、1H-全氟辛烷、lH-全氟癸烷、1H，1H,1H,2H,2H國全氟己烷、lH,lH,lH,2H,2H-全氟辛烷、lH，lH,lH,2H,2H-全氟癸烷、3H，4H-全氟-2-甲基戊烷、2H,3H-全氟-2國甲基戊烷、lH-l,l-二氯全氟丙烷、lH-l,3-二氯全氟丙烷、全氟庚烷等的氟改性脂肪族烴系溶劑；三氟間二曱苯、六氟間二曱苯、三氟甲苯等的氟改性芳香族烴系溶劑；甲基全氟丁基醚、全氟(2-丁基四氫呋喃)等的氟改性醚系溶劑等。這些溶劑可以單獨使用，也可以將2種以上混合使用。非氟系溶劑可以使用醇系溶劑、醚系溶劑、烴系溶劑、酮系溶劑等。具體來說，可以列舉例如丁醇(正、異、叔)、曱基乙基曱醇、戊醇、3-戊醇、2-戊醇、戊基醇(7;、A7Vk3—A)、己醇、庚醇、壬醇、辛醇、頗哪醇、二曱基丙醇、3-甲基-2-丁醇、2-曱基-2-丁醇、環(huán)己醇、乙二醇、烯丙醇等的醇系溶劑；二乙基醚、異丁基甲基醚、丙二醇甲基醚等的醚系溶劑；石油醚、溶劑油(；、才，/k只匕°卩少少)、曱苯、二甲苯等的烴系溶劑；丙酮等的酮系溶劑等。在上述溶解除去溶液中，優(yōu)選包含含有碳原子數(shù)為4以上的醇和碳原子數(shù)為5以上的烷基醚的至少任一者的溶劑、或含有氟的溶劑。另外，優(yōu)選使用這些碳原子數(shù)為4以上的醇和碳原子數(shù)為5以上的烷基醚的至少任一者作為溶劑，優(yōu)選使用含有氟的溶劑。當選擇這樣的溶劑時，可以更加高效地進行溶解除去。在本發(fā)明中，也可以在溶解除去溶液中含有水。此時，優(yōu)選除了水以外還含有可溶解表面偏析劑的成分(溶劑)。這種方式具有下述的優(yōu)點，即，溶解除去溶液的安全性提高、在成本方面有利、與在顯影處理中使用的堿水溶液的相容性高、以及廢液處理變得容易等。當在溶劑中含有水時，如上所述優(yōu)選含有溶解表面偏析劑的成分(溶劑)作為輔助劑，可以列舉與純水混合的有機溶劑。具體來說，可以列舉碳原子數(shù)為3以下的醇、水溶性的表面活性劑等。水溶性的表面活性劑優(yōu)選氟系表面活性劑，可以列舉例如DIC抹式會社制的F114、F410、F493、F443、F472F、F470(R08)等的乂力':77夕系列、AGC七4;、少(力A林式會社制的S國llln、S-113、S-121、S國131、S國132、S畫141、S-145等廿一7口7水溶性品種等的氟系表面活性劑。另外，本發(fā)明的溶解除去溶劑優(yōu)選進行選擇，以使溶解除去溶劑與堿的顯影液的廢液形成可混合廢棄的組成，當需要將這些溶劑和顯影液分離進行廢棄時，也可以通過使用公知的控制廢液管線開閉的顯影杯來進行分離廢棄(廢液)。另一方面，為了可以進行混合廢棄，可以考慮混入例如大日本O《工業(yè)林式會社制的非離子系的氟系表面活性劑乂；!f"'7夕F-142D、F畫144D、F國177、F國183、F-184;陰離子系的氟系表面活性劑7'7夕F-llO、F-116、F-120、F-191、F-812;陽離子系的氟系表面活性劑乂力':777夕F-150、F-824;兩性離子系的氟系表面活性劑乂力'77'7夕F-160;和川研77O少；、力/Mi制的作為非氟非離子系表面活性劑的7;、乂、、一凡系列、7;、七、7卜系列、7七fk乂一系列等，來作為適當短鏈的醇類或表面活性劑等所謂的分散性物質，以使溶解除去溶劑、堿的顯影液和純水的混合溶液不產生相分離。上述抑制混合溶液相分離的溶劑優(yōu)選丙基以下的低級醇。例如作為醚系溶劑的二異戊醚通過與乙醇和TMAH水溶液以1:3:1的比例混合而不發(fā)生相分離，可以作為無外涂層抗蝕劑顯影液(堿)來使用。另外，作為氟系溶劑的CF3CH20CF2CHF2通過與乙醇、異丁醇和TMAH水溶液以1:3:2:2的比例混合而不發(fā)生相分離，可以作為無外涂層抗蝕劑顯影液U威)來使用。除了包括上述溶解除去工序以外，本發(fā)明的浸液光刻顯影處理方法還可以包括目前公知的顯影中的各工序。作為這樣的各工序，可以列舉使用了純水的清洗工序等，也可以包括例如在顯影工序的前后任一方、或者前后兩方實施清洗工序的情況。另外，本發(fā)明的顯影處理方法不僅在無外涂層抗蝕劑工藝中，也可以在使用了外涂層的工藝中使用。另外本發(fā)明涉及實施上述浸液光刻顯影處理方法而得到的電子裝置，由于可以進行高生產率且低缺陷的浸液光刻，因此能夠提供壽命和可靠性優(yōu)異的電子裝置。這種電子裝置可以列舉半導體裝置、液晶顯示元件、磁頭、微型透鏡等。實施例以下，列舉實施例來進行詳細地說明本發(fā)明，但本發(fā)明不限定于這些實施例。并且，在以下記載中只要沒有特別說明，純水或者水都使用超純水。(實施例1)實施例1的包括浸液光刻顯影處理方法的電子裝置制備工序的工藝流程示于圖9，另外各工序的概略圖示于圖10。在實施例1中，在利用了堿浸漬的顯影工序前實施溶解除去工序。如圖10(a)所示，在基板7上形成被加工膜8(圖9的ST5-1),在該被加工膜8上涂布有機防反射膜9(膜厚78nm),在205。C進行90秒的熱處理(以下有時稱為烘烤處理)(圖9的ST5-2和圖10(b))。接著，將表1所示的特性不同的含有表面偏析劑(防水劑)的市售無外涂層抗蝕劑A~C分別在表1所示的條件下進行旋轉涂布，之后進行烘烤處理來形成感光性抗蝕膜10(圖9的ST5-3和圖10(c))。并且感光性抗蝕膜10的膜厚通常為100~200nm。對于該基板7通過掩模11用浸液曝光機進行曝光處理(圖9的ST5-4),在表1所示的條件下進行曝光后的加熱處理(圖9的ST5-5、圖10(d)和圖10(e))。在圖10(e)中，曝光的感光性抗蝕膜10a形成期望的圖案。之后，在上述基板7上盛滿表2所示的溶解除去溶劑(溶劑1~7)(參照圖15(a))，不使作為感光性抗蝕膜10的主成分的化學增幅型抗蝕劑成分溶解而選擇性地溶解除去存在于感光性抗蝕膜IO表層部的表面偏析劑(圖9的ST5-6和圖10(f))。并且，在圖10(e)和圖10(f)中，當表面偏析劑例如在抗蝕劑的最表面、體積比為70%時，在表面偏析劑的溶解除去工序前后也有感光性抗蝕膜10的厚度L！和L2沒有變化的情況。即，L2^U。然后，使用在溶解除去工序中使用的相同顯影杯，用氫氧化四甲銨(以下有時稱為TMAH)的2.38%水溶液將感光性抗蝕膜10顯影，接著進行利用了純水的清洗工序(圖9的ST5-7、圖10(g)),結束抗蝕圖案的形成。以該抗蝕圖案作為掩模將被加工膜8進行等離子體干蝕刻。上述的被加工膜8是晶體管形成工序中的多晶硅，所述晶體管形成工序是元件16分離工序、阱(々工a)形成注入和溝道摻雜(f弋凈a卜'一7。)離子注入結束后的工序，對于這種被加工膜8和有機防反射膜9實施等離子體干蝕刻(圖9的ST5-8、圖10(h))。感光性抗蝕膜IO和有機防反射膜9的除去(圖9的ST5-9、圖10(i))在上述等離子體干蝕刻結束后，通過02等離子體灰化或使用了硫酸和過氧化氬水的通常的濕式處理等來實施。使用這樣處理的基板7,如以下那樣實施電子裝置的晶片形成工藝。作為接觸工序中的層間膜，將TEOS硅氧化膜進行CVD成膜。進而，將該TEOS硅氧化膜作為被加工膜，通過包括使用了上述溶解除去溶劑的顯影處理工序的浸液光刻來形成接觸孔圖案的抗蝕劑掩模。然后，用干蝕刻在作為被加工膜的TEOS硅氧化膜上開孔，接著除去抗蝕劑掩模。在該孔內形成薄膜隔離金屬，在其上使用CVD形成鎢膜后，在利用了CMP的回蝕(工、7^""、7夕)中將鎢埋入4妾觸孔內。接著作為第一金屬布線形成工序，為了形成單鑲嵌(；7夕、、/U夂7、>》)結構，將低介電常數(shù)層間絕緣膜(Low-K膜)成膜，將該低介電常數(shù)層間絕緣膜(Low-K膜)作為被加工膜，通過公知的方法進行光刻、蝕刻、和抗蝕劑除去，形成溝(渠)布線圖案。在該溝(渠)中將隔離金屬成膜，用電鍍處理埋入Cu，用CMP進行回蝕來形成笫一金屬布線。進而，作為第二金屬布線形成工序，為了形成雙鑲嵌(r二7V^夕'tv>)方式的結構，將襯墊(，4大一)膜、低介電常數(shù)層間絕緣膜(Low-K膜)成膜，通過孔和溝(渠)的光刻和蝕刻、抗蝕劑除去而形成第二金屬布線。在疊層時將該工序重復數(shù)次，結束電子裝置的晶片形成工藝。之后經(jīng)過鈍化、切割、線結合(747求'》fO夕')、塑模(乇一/kK)等公知的后工序而使電子裝置完成。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>表2<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>在表1中，抗蝕劑-A是將堿可溶型的表面偏析劑添加于在基體樹脂中具有聚甲基丙烯酸的ArF用化學增幅型抗蝕劑中而成的抗蝕劑，抗蝕劑-B是將酸去保護型的表面偏析劑添加于在基體樹脂中具有聚甲基丙烯酸的ArF用化學增幅型抗蝕劑中而成的抗蝕劑，抗蝕劑-C是將堿不溶型的表面偏析劑添加于在基體樹脂中具有聚甲基丙烯酸的ArF用化學增幅型抗蝕劑中而成的抗蝕劑。<防水性(，接觸角)〉本實施例1中所得的無外涂層抗蝕劑(圖10(c))和未曝光部的防水劑除去后的抗蝕劑(圖10(f))相對于純水的接觸角示于表3?？芍獙τ谌我环N溶劑，初始的無外涂層抗蝕劑都具有高的接觸角，防水劑除去處理后變化為足夠低的接觸角。同樣，各條件下相對于2.38%TMAH水溶液的接觸角示于表4。接觸角的測定使用協(xié)和界面化學株式會社制的接觸角計"CA-X"型進行，將超純水約2juL滴加在試驗體表面，使其接觸，通過6/2法算出靜止接觸角。<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>從上述表3和表4可知，即使對于與純水同樣的TMAH水溶液，表面偏析劑的溶解除去后的接觸角也降低。通過本處理，由于在堿的顯影液(TMAH水溶液)和之后的純水清洗處理時防水性高而產生的各種缺陷發(fā)生可以得到抑制。并且，溶解除去工序中使用的溶解除去溶液不限定于在本實施例中使用的溶劑的組合，只要選擇對于使用的無外涂層抗蝕劑為最佳的溶劑即可，另外也可以將各溶劑混合使用。此時各溶劑的混合比在不是混合溶劑產生層分離等不能充分混合的比率的范圍內可以自由混合來使用。例如溶劑1和溶劑2~4分別以1:1的比例混合而不產生層分離，可以作為混合溶劑使用。另外，從清洗處理性或對裝置的影響等角度考慮，可用作溶劑的氟系溶劑可以使用具有60-18(TC的沸點的溶劑，優(yōu)選使用具有100~150。C的沸點的溶劑。(實施例2)實施例2的包括浸液光刻顯影處理方法的電子裝置的制備工序的工藝流程示于圖11,另外各工序的概略圖示于圖12。在實施例2中，在進行利用了堿浸漬的顯影工序的同時實施溶解除去工序。在形成^t加工膜8的基板7上，用在實施例1中使用的方法形成有機防反射膜9和感光性抗蝕膜10。將該基板7通過掩沖莫11用浸液曝光機進行曝光處理，在110。C進行60秒的曝光后加熱處理(圖11的ST7-1~ST7畫5和圖12(a)~(e))。然后，使用將氫氧化四曱銨(TMAH)的2.38%水溶液、異丁醇和乙醇以2:1:1的體積比混合而成的無外涂層抗蝕劑的顯影液，選擇性除去存在于感光性抗蝕膜IO表層部的表面偏析劑，同時進行感光性抗蝕膜10的堿顯影，然后實施利用了純水的清洗工序，結束圖案的形成(圖11的ST7-6~ST7-8、圖12(f)、(h))。并且，圖12(e)和(f)中的L3與L4的關系與上述I^與L2的關系相同。然后使用與實施例1同樣進行處理的基板7，實施電子裝置的晶片形成工藝，制備電子裝置。并且，顯影工序中使用的作為堿的無外涂層抗蝕劑顯影液與溶解除去工序中的溶解除去溶液的混合液不限定于本實施例所示的溶劑的組合，只要選擇對于使用的無外涂層抗蝕劑為最佳的溶劑即可，另外也可以將各溶劑混合使用。此時，TMAH水溶液與構成各溶解除去溶液的溶劑的混合比可以在TMAH水溶液與各溶劑不發(fā)生層分離等的范圍下自由混合來使用。(實施例3)實施例3的包括浸液光刻顯影處理方法的電子裝置制備工序的工藝流程示于圖13，另外各工序的概略圖示于圖14。在實施例3中，在利用了堿浸漬的顯影工序之后實施溶解除去工序。在形成了被加工膜8的基板7上，用在實施例1中使用的方法形成有機防反射膜9和感光性抗蝕膜10。將該基板7通過掩模11用浸液曝光機進行曝光處理，在80-120。C進行60秒的曝光后加熱處理(圖13的ST9-lST9-5和圖14(a)~(e))。然后，用氫氧化四甲銨(TMAH)的2.38%水溶液進行顯影處理。接著，使用表2所示的溶劑1~7(溶解除去溶液)，在不使作為感光性抗蝕膜主成分的化學增幅型抗蝕劑成分溶解的情況下選擇性地除去存20在于感光性抗蝕膜表層部的表面偏析劑，然后實施利用了純水的清洗工序(圖中，清洗處理)，結束圖案的形成(圖13的ST9-6~ST9-10、圖14(f)~(i))。并且，圖14(e)和(f)中的Ls與L6的關系與上迷U與L2的關系相同。在溶解除去工序中使用的溶劑不限定于本實施例所示的溶劑，只要選擇對于使用的無外涂層抗蝕劑為最優(yōu)的溶劑即可，另外也可以將各溶劑混合使用。此時各溶劑的混合比在不是混合溶劑產生相分離等不能充分混合的比率的范圍內可以自由混合來使用。例如溶劑1和溶劑2~4分別以1:1混合而不發(fā)生相分離，可以作為混合溶劑使用。這些溶劑的混合溶液的相容性示于表5。<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>在表5中，各混合比例表示體積比，相容性的欄中的"OK"表示在將混合溶液振蕩放置時觀測不到相分離，"NG，，表示在將混合溶液振蕩放置時立刻7見測到相分離。(實施例4)在實施例4中，與實施例1同樣，在利用了^威浸漬的顯影工序前實施溶解除去工序。另外，工藝流程與實施例1同樣，示于圖9,各工序的概略圖示于圖10。在形成了被加工膜的基板上，用與在實施例1中使用的方法同樣的方法形成抗蝕膜?？刮g膜分別使用表l中所示的3種抗蝕劑AC來形成。將該基板用浸液曝光機進行曝光處理，進行曝光后加熱處理，然后使用表6所示的含有純水的混合溶劑27~29、和醚系的混合溶劑30~32,在不使作為感光性抗蝕膜主成分的化學增幅型抗蝕劑成分溶解的情然后，在使用含有純水的混合溶劑時用純水、在使用醚系的混合溶劑時用溶劑3進行清洗處理后，在相同的杯中利用氫氧化四甲銨(TMAH)的2.38%水溶液進行顯影處理。然后進行純水清洗處理，結束圖案的形成。表6<table>tableseeoriginaldocumentpage22</column></row><table>本實施例中得到的無外涂層抗蝕劑(圖9的ST5-3)和未曝光部的防水劑(表面偏析層)除去后的抗蝕劑(圖9的ST5-6)相對于純水的接觸角按照上述方法進行測定。結果示于表7和表8。可知即使對于使用任一種的混合溶劑的情況，初始的無外涂層抗蝕劑的接觸角也具有高的數(shù)值，防水劑(表面偏析層)除去處理后變化為足夠低的接觸角。并且，在本實施例中，對于使用水系溶劑和醚系溶劑的任一者作為溶解除去溶液的情況，分析在實施工藝流程的圖9的ST5-6所示的工序后的含有表面偏析劑的溶解除去溶液，其結果檢出認為是在抗蝕劑中含有的酸引發(fā)劑或構成抗蝕劑的基材樹脂的成分。另外，可以確認抗蝕劑表面的防水性(接觸角)的降低，且抗蝕圖案缺陷也被抑制。因此，只要實現(xiàn)本發(fā)明的效果，本發(fā)明也可以包括下述的情況，即，在表面偏析劑的溶解除去工序中，在抗蝕膜中含有的光酸引發(fā)劑或構成抗蝕劑的基材樹脂的極少一部分通過上述溶解除去溶液被除去。表9表示TMAH2.38。/。水溶液與混合溶劑27~32的相容性，由于水系溶劑與TMAH以任意比例相容的傾向高，因此可以抑制廢液的相分離。另外，對于醚系溶劑的情況，產生廢液層分離的可能性高，需要與此相對應的廢液處理。表7<table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>表8<table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>表9<table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>(實施例5)用與實施例2同樣的工藝流程，在形成了被加工膜的基板上，用在實施例2中使用的方法形成抗蝕膜?？刮g膜分別使用表1所示的抗蝕劑AC這3種來形成。將該基板用浸液曝光機實施曝光處理，在11(TC進行60秒的曝光后加熱處理，然后使用表10所示的無外涂層抗蝕劑顯影液，選擇性地除去存在于感光性抗蝕劑表層部的防水劑的表面偏析層，同時進行感光性抗蝕劑的堿顯影處理和純水清洗處理，結束圖案的形成。表10顯影液無外涂層抗蝕劑顯影液的組成(體積比)No.l溶劑7/^bK/TMAH=30/20/50No.2溶劑7/溶劑3/TMAH=16/64/4對于使用表10所示的任一者的顯影液的情況，圖案形成都良好。另外，根據(jù)本發(fā)明的顯影處理方法，通過顯影工序的選擇或選擇性使表面偏析層溶解的溶解除去溶液的選擇，高生產率的圖案形成成為可能，且可以將廢液等的處理工序簡單化，因此能夠提供高效的電子裝置的形成方法。對該發(fā)明進行了詳細地說明，但這只是為了舉例，并不限定于此，發(fā)明的范圍通過附加的權利要求而被解釋，這可以清楚地理解。權利要求1.浸液光刻顯影處理方法，其是具備抗蝕劑的電子裝置的浸液光刻顯影處理方法，所述抗蝕劑含有表面偏析劑和化學增幅型抗蝕劑，其特征在于，包括有利用了堿浸漬的顯影工序，上述顯影處理方法包括溶解除去工序，所述溶解除去工序使用選擇性溶解除去上述抗蝕劑中的上述表面偏析劑的溶解除去溶液而進行。2.根據(jù)權利要求1所述的浸液光刻顯影處理方法，其特征在于，上述溶解除去工序是在上述顯影工序前實施的工序，其是利用清洗處理或者浸漬處理實施的工序。3.根據(jù)權利要求1所述的浸液光刻顯影處理方法，其特征在于，上述溶解除去工序與上述顯影工序同時實施。4.根據(jù)權利要求1所述的浸液光刻顯影處理方法，其特征在于，上述溶解除去工序在上述顯影工序后實施。5.根據(jù)權利要求1所述的浸液光刻顯影處理方法，其特征在于，上述顯影工序和上述溶解除去工序使用相同的杯進行。6.根據(jù)權利要求1所述的浸液光刻顯影處理方法，其特征在于，上述溶解除去工序中的上述溶解除去溶液含有碳原子數(shù)為4以上的醇和碳原子數(shù)為5以上的烷基醚的至少任一者。7.根據(jù)權利要求1所述的浸液光刻顯影處理方法，其特征在于，上述溶解除去工序中的上述溶解除去溶液包含含有氟的溶劑。8.根據(jù)權利要求1所述的浸液光刻顯影處理方法，其特征在于，上述溶解除去工序中的上述溶解除去溶液包含碳原子數(shù)為4以上的醇和碳原子數(shù)為5以上的烷基醚。9.根據(jù)權利要求1所述的浸液光刻顯影處理方法，其特征在于，上述溶解除去工序中的上述溶解除去溶液包含含有氟的溶劑。10.根據(jù)權利要求1所述的浸液光刻顯影處理方法，其特征在于，上述溶解除去工序中的上述溶解除去溶液含有水。11.電子裝置，其使用根據(jù)權利要求1所述的浸液光刻顯影處理方法制備。12.溶，其是在根據(jù)權利要求1所述的浸液光刻顯影處理方法中使用的溶劑除去溶液，其選擇性溶解除去構成抗蝕劑的表層偏析劑。13.根據(jù)權利要求12所述的溶液，其特征在于，上述溶解除去溶液含有碳原子數(shù)為4以上的醇、碳原子數(shù)為5以上的烷基醚。14.根據(jù)權利要求12所述的溶液，其特征在于，上述溶劑除去溶液包含含有氟的溶劑。15.根據(jù)權利要求12所述的溶液，其特征在于，上述溶劑除去溶液含有水。全文摘要本發(fā)明涉及浸液光刻顯影處理方法、該顯影處理方法中使用的溶液和使用該顯影處理方法的電子裝置。本發(fā)明是用于得到消除顯影缺陷的電子裝置的浸液光刻顯影方法，其目的在于提供簡便、低成本且能夠賦予可高速掃描的高防水性的工藝。本發(fā)明的目的是提供浸液光刻顯影處理方法、該顯影處理方法中使用的溶液和使用了該顯影處理方法的電子裝置，該方法不引入新設備，并加入了利用價格便宜的材料所帶來的改良。本發(fā)明的浸液光刻顯影處理方法是包括利用了堿浸漬的顯影工序的電子裝置的浸液光刻顯影處理方法，其特征是包括溶解除去工序，該溶解除去工序使用選擇性溶解除去含有表面偏析劑和化學增幅型抗蝕劑的抗蝕劑中表面偏析劑的溶解除去溶液來進行。文檔編號G03F7/30GK101614969SQ20091015048公開日2009年12月30日申請日期2009年6月25日優(yōu)先權日2008年6月25日發(fā)明者寺井護,石橋健夫,萩原琢也申請人:株式會社瑞薩科技