專利名稱：薄膜晶體管基板及具有薄膜晶體管基板的顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及薄膜晶體管(TFT)基板以及具有薄膜晶體管基板的顯示裝 置，更具體地，涉及在反轉(zhuǎn)驅(qū)動顯示裝置期間可以減少相鄰像素亮度之差的 TFT基板以及具有該TFT基板的顯示裝置。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(LCD)是最廣泛使用的平板顯示器(FPD)之一，其利用 液晶的光學(xué)各向異性和極化特性來產(chǎn)生圖像。就是說，LCD通過調(diào)整液晶的 取向來控制從背光單元向液晶顯示板所發(fā)射光的透射率來顯示所希望的圖 像。為了提高液晶板的圖像質(zhì)量(例如，去除重影效應(yīng)(ghost effect)), LCD 以60Hz或者更高的頻率驅(qū)動。另外，LCD已經(jīng)實行"反轉(zhuǎn)驅(qū)動(inversion driving)",其中相鄰單元像素的極性彼此相反，從而防止在液晶顯示板上產(chǎn) 生瑕瘋(stain )(例如，垂直線或者水平線)。
近來，已經(jīng)逐漸減小了每個單元像素的尺寸來制造高分辨率的顯示板。 然而，較小的單元像素會導(dǎo)致反轉(zhuǎn)驅(qū)動期間亮度差特性惡化。也就是，由于 反轉(zhuǎn)驅(qū)動而增加了相鄰單元像素的亮度差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種薄膜晶體管(TFT)基板以及具有該TFT基板的顯示裝 置，其中每個像素中的器件與鄰近該器件的數(shù)據(jù)線之間的寄生電容被減小， 從而減小相鄰像素之間的亮度差。
然而，本發(fā)明的各個方面不限于這里所闡述的這些。對本發(fā)明所屬技術(shù) 領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，通過參考下面給出的對本發(fā)明的詳細描述，本發(fā) 明的以上和其它的方面將變得更加明顯易懂。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供這樣的TFT基板，其包括多個柵極線和 與柵極線交叉的多個第 一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線；多個第 一像素電極和第二像 素電極，分別設(shè)置在由柵極線與第 一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線定義的多個單元像素區(qū)域中；第一TFT,設(shè)置在單元像素區(qū)域中，并且包括連接到柵極線的第 一柵極端、連接到第 一數(shù)據(jù)線的第 一源極電極和連接到第 一像素電極和第二 像素電極中的任一個的第一漏極電極；以及第二TFT，設(shè)置在該單元像素區(qū) 域中，并且包括連接到柵極線的第二柵極端、連接到第二數(shù)據(jù)線的第二源極 電極和連接到第一像素電極和第二像素電極中的另 一個的第二漏極電極，其 中第一漏極電極和第二漏極電極被設(shè)置為保持第一漏極電極和第一數(shù)據(jù)線 之間的第 一耦合電容與第二漏極電極和第二數(shù)據(jù)線之間的第二耦合電容的 差值在第 一耦合電容和第二耦合電容的最大值的50%或者更小的范圍內(nèi)。
第 一耦合電容和第二耦合電容之差可以是第 一耦合電容和第二耦合電 容的最大值的5%至40%。第一漏極電極和第二漏極電極可以垂直彎曲。
第 一 漏極電極和第二漏極電極的端部區(qū)域可以分別與第 一 源極電極和 第二源極電極分隔，并且第一漏極電極和第二漏極電極的每個的端部區(qū)域與
第一源極電極或者第二源極電極之間的距離可以等于從第一漏極電極和第 二漏極電極每個的端部區(qū)域的末端延伸的區(qū)域與第一源極電極或者第二源 極電極之間的距離，第一漏極電極或者第二漏極電極在該端部區(qū)域的該末端 被彎曲并延伸。
第一漏極電極和第二漏極電極的每個具有由第二部分和設(shè)置在第一漏 極電極和第二漏極電極的每個的末端的第一部分構(gòu)成的彎曲部分，彎曲部分 圍繞第一源極電極或者第二源極電極并且與第一源極電極或者第二源極電 極分隔，第一部分與第一源極電極或者第二源極電極之間的距離等于第二部 分與第 一 源極電極或者第二源極電極之間的距離。
在單元像素區(qū)域的中心，被彎曲的第一漏極電極和第二漏極電極的各個 區(qū)域可以彼此分隔上述距離。
該距離可以是足以防止第 一源極電極和第二源極電極的每個與第 一漏 極電極或者第二漏極電極之間短路的線間間隙，并且線間間隙可為4至 10|im。
第一漏極電極可以包括設(shè)置在第一柵極電極上方并且與第一源極電極 相鄰的第一電極部分、連接到第一像素電極和第二像素電極之一的第一接觸 板以及將第一電極部分連接到第一接觸板的第一連接線，第二漏極電極可以 包括設(shè)置在第二柵極電極上方并且與第二源極電極相鄰的第二電極部分、連 接到第 一像素電極和第二像素電極中的另 一個的第二接觸板以及將第二電極部分連接到第二接觸板的第二連接線。
第 一單元像素區(qū)域中的第 一漏極電極的第 一接觸板可以連接到第 一像 素電極，第 一單元像素區(qū)域中的第二漏極電極的第二接觸板可以連接到第二 像素電極，而與第 一單元像素區(qū)域相鄰的第二單元像素區(qū)域中的第 一漏極電 極的第 一接觸板連接到第二像素電極，第二單元像素區(qū)域中的第二漏極電極 的第二接觸板連接到第 一像素電極。
如果第一漏極電極的第一接觸板連接到第一像素電極并且第二漏極電 極的第二接觸板連接到第二像素電極，則第 一連接線可以包括從第 一 電極部 分沿遠離第一柵極電極的方向延伸的1-1延伸部分、從1-1延伸部分將要被
彎曲的末端沿與第一數(shù)據(jù)線相反的方向延伸的l-2延伸部分、從1-2延伸部 分將要被彎曲的末端沿朝著第一接觸板的方向延伸的1-3延伸部分、從1-3 延伸部分將要被彎曲的末端沿與第一數(shù)據(jù)線相反的方向延伸的1-4延伸部分 以及將l-4延伸部分連接到第一接觸板的l-5延伸部分，第二連接線可以包 括從第二電極部分沿遠離第二柵極電極的方向延伸的2-1延伸部分、從2-1
延伸部分將要被彎曲的末端沿與第二數(shù)據(jù)線相反的方向延伸的2-2延伸部分 以及將2-2延伸部分連接到第二接觸板的2-3延伸部分。
1- 3延伸部分與第一數(shù)據(jù)線之間的距離以及1-5延伸部分與第一數(shù)據(jù)線 之間的距離可以大于1-1延伸部分與第一數(shù)據(jù)線之間的距離，并且1-1延伸 部分與第 一數(shù)據(jù)線之間的距離在可接受的誤差范圍內(nèi)可以等于2-1延伸部分 與第二數(shù)據(jù)線之間的距離。
如果第一漏極電極的第一接觸板連接到第二像素電極并且第二漏極電 極的第二接觸板連接到第 一像素電極，則第 一連接線可以包括從第一電極部 分沿遠離第 一柵極電極的方向延伸的1 -6延伸部分、從1 -6延伸部分將要被 彎曲的末端沿與第一數(shù)據(jù)線相反的方向延伸的l-7延伸部分以及將1-7延伸 部分連接到第一接觸板的l-8延伸部分，第二連接線可以包括從第二電極部 分沿遠離第二柵極電極的方向延伸的2-4延伸部分、從2-4延伸部分將要被 彎曲的末端沿與第二數(shù)據(jù)線相反的方向延伸的2-5延伸部分、從2-5延伸部 分將要被彎曲的末端沿朝著第二接觸板的方向延伸的2-6延伸部分、從2-6 延伸部分將要被彎曲的末端沿與第二數(shù)據(jù)線相反的方向延伸的2-7延伸部分 以及將2-7延伸部分連接到第二接觸板的2-8延伸部分。
2- 6延伸部分與第二數(shù)據(jù)線之間的距離以及2-8延伸部分與第二數(shù)據(jù)線之間的距離可以大于2-4延伸部分與第二數(shù)據(jù)線之間的距離，并且2-4延伸部分與第二數(shù)據(jù)線之間的距離在可接受的誤差范圍內(nèi)可以等于1-6延伸部分與第一數(shù)據(jù)線之間的距離。
第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線、第一源極電極和第二源極電極以及第一漏極電極和第二漏極電極可以由相同的材料制造，并同時被圖案化。
基板還可以包括多個存儲線，分別通過單元像素區(qū)域，并且在與柵極線相同的方向上延伸；以及第一耦合突出和第二耦合突出，從存儲線的每個延伸，并且與第一像素電極和第二像素電極部分交疊，其中第一耦合突出鄰近第一數(shù)據(jù)線設(shè)置，第二耦合突出鄰近第二數(shù)據(jù)線設(shè)置，并且第一耦合突出長于第二耦合突出。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，顯示裝置包括多個單元像素，每個按矩陣設(shè)置，并且包括具有第一像素電極和公共電極的第一液晶電容器以及具有第二像素電極和公共電極的第二液晶電容器；多個柵極線，沿單元像素的行方向延伸；多個第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線，沿單元像素的列方向延伸，并且分別設(shè)置在單元像素的每列的兩側(cè)；第一TFT，設(shè)置在單元像素的每個中，并且包括連接到第 一數(shù)據(jù)線的第 一源極電極以及連接到第 一液晶電容器和第二
液晶電容器中任意一個的第一漏極電極；以及第二TFT,設(shè)置在單元像素區(qū)
域的每個中，并且包括連接到第二數(shù)據(jù)線的第二源極電極以及連接到第 一液晶電容器和第二液晶電容器中的另一個的第二漏極電極，其中第一漏極電極和第二漏極電極彎曲多次，以保持第 一 漏極電極和第 一 數(shù)據(jù)線之間的第 一 耦合電容與第二漏極電極和第二數(shù)據(jù)線之間的第二耦合電容之差在第 一耦合
電容和第二耦合電容的最大值的50%或者更小的范圍內(nèi)。
第一漏極電極和第二漏極電極可以垂直彎曲。
第 一 漏極電極和第二漏極電極的端部區(qū)域可以分別與第 一 源極電極和第二源極電極分隔，并且第 一漏極電極和第二漏極電極的每個的端部區(qū)域與第一源極電極或者第二源極電極之間的距離可以等于從第一漏極電極和第二漏極電極的每個的端部區(qū)域的末端延伸的區(qū)域與第一源極電極或者第二源極電極之間的距離，第一漏極電極或者第二漏極電極在該端部區(qū)域的該末端尋皮彎曲并延伸。
第一漏極電極和第二漏極電極的每個具有由第二部分和設(shè)置在第一漏極電極和第二漏極電極的每個的末端的第一部分構(gòu)成的彎曲部分，彎曲部分
10圍繞第一源極電極或者第二源極電極并且與第一源極電極或者第二源極電極分隔，第一部分與第一源極電極或者第二源極電極之間的距離等于第二部分與第一源極電極或者第二源極電極之間的距離。
該距離可以是足以防止第一源極電極和第二源極電極的每個與第一漏極電極或者第二漏極電極之間短3各的線間間隙，并且線間間隙可為4至
lO)im。
第一漏極電極可以包括設(shè)置在第一柵極電極上方并且與第一源極電極相鄰的第 一 電極部分、連接到第 一像素電極和第二像素電極之一 的第 一接觸板以及將第一電極部分連接到第一接觸板的第一連接線，第二漏極電極可以包括設(shè)置在第二柵極電極上方并且與第二源極電極相鄰的第二電極部分、連接到第 一像素電極和第二像素電極中的另 一個的第二接觸板以及將第二電極部分連接到第二接觸板的第二連接線。
第 一單元像素區(qū)域中的第 一漏極電極的第 一接觸板可以連接到第 一液晶電容器，第二漏極電極的第二接觸板可以連接到第二液晶電容器，而在與第 一單元像素區(qū)域相鄰的第二單元像素區(qū)域中，第 一漏極電極的第 一接觸板連接到第二液晶電容器，第二漏極電極的第二接觸板連接到第 一液晶電容器。


通過參考附圖詳細描述本發(fā)明的示范性實施例，本發(fā)明的上述和其它的方面和特征將變得更加明顯易懂，其中
圖l是根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的顯示裝置的平面圖；圖2是沿著圖1的A-A線剖取的顯示裝置的截面圖；圖3是沿著圖1的B-B線剖取的顯示裝置的截面圖；圖4是沿著圖1的C-C線剖取的顯示裝置的截面圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例用于反轉(zhuǎn)驅(qū)動的薄膜晶體管(TFT)基板的平面圖6是用于說明根據(jù)本發(fā)明示范性實施例的顯示裝置的反轉(zhuǎn)驅(qū)動的示意
圖7是根據(jù)本發(fā)明示范性實施例的TFT區(qū)域的平面圖8是根據(jù)本發(fā)明示范性實施例的修改實施例的TFT基板的平面圖；圖9A是圖解根據(jù)比較示例的顯示裝置的平均亮度偏差的曲線圖；和圖9B是圖解根據(jù)本發(fā)明示范性實施例的顯示裝置的平均亮度偏差的曲線圖。
具體實施例方式
通過參考下面對示范性實施例和附圖的詳細描述，本發(fā)明的特征和實現(xiàn)這些特征的方法會變得更易于理解。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式實施，而不應(yīng)當解釋為限于在此闡述的實施例。相反，提供這些實施例使得本
而本發(fā)明僅由所附權(quán)利要求來限定。在附圖中，為了清楚起見，層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸可以被夸大。
應(yīng)當理解的是，當元件或者層被稱為"在"另一個元件或者層"上"時，該元件或者層可以直接在另一個元件或者層上或者以插有若干元件或者層的形式在另一元件或?qū)由?。相反，當元件被稱為"直接在"另一個元件或者層"上"時，則沒有插入元件或者層存在。相同的附圖標記通篇表示相同的元件。正如這里所采用的，術(shù)語"和/或"包括一個或者多個所列相關(guān)項目的任何和全部組合。
空間相對術(shù)語，例如"在…下方"、"在…之下"、"下面"、"在…上方，，和"上面"等，在這里使用是為了方便描述，來描述如圖所示的一個元件或者特征相對于另一個(多個)元件或者特征的關(guān)系。應(yīng)當理解的是，除了圖中所示的取向外，空間相對術(shù)語旨在包括裝置在使用或者操作中的不同取
向。相同的附圖標記在整篇說明書中表示相同的元件。
將參考作為本發(fā)明的理想視圖的平面圖和/或截面圖來描述這里所描述
發(fā)明的實施例不限于各圖中所示的，而是包括根據(jù)制造工藝而形成的構(gòu)造的修改。因此，圖中所示的區(qū)域具有示意性的特性，并且圖中所示區(qū)域的形狀示出了元件區(qū)域的特定形狀，而不限制本發(fā)明的各方面。
圖1是根據(jù)本發(fā)明示范性實施例的顯示裝置的平面圖。圖2是沿著圖1的A-A線剖取的顯示裝置的截面圖。圖3是沿著圖1的B-B線剖取的顯示裝置的截面圖。圖4是沿著圖1的C-C線剖取的顯示裝置的截面圖。圖5是根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例用于反轉(zhuǎn)驅(qū)動的薄膜晶體管(TFT)基板1000的平面圖。圖6是用于說明根據(jù)本發(fā)明示范性實施例的顯示裝置的反轉(zhuǎn)驅(qū)動
的圖。圖7是根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的TFT區(qū)域的平面圖。圖8是根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的修改實施例的TFT基板的平面圖。
參考圖1至7,根據(jù)本實施例的顯示裝置包括TFT基板1000，為下基板；公共電極基板2000,為面對TFT基板1000的上基^反；以及液晶層3000,插設(shè)在TFT基板1000和公共電極基板2000之間，并且相對于TFT基板1000和公共電極基板2000被配向為所希望的方向。配向膜(未示出)設(shè)置在TFT基板1000和公共電極基板2000的每個的表面上以配向液晶層3000的液晶分子。液晶層3000的液晶分子可以但非必須被配向為垂直于TFT基板1000和公共電極基板2000的每個。
TFT基板1000包括在透光絕緣基板IOO上的多個柵極線110、第一數(shù)據(jù)線130a和第二數(shù)據(jù)線130b、第一像素電極170a和第二像素電極170b以及第一 TFT 120a和第二 TFT 120b。柵極線110傳輸柵極信號，在第一方向延伸，并且以預(yù)定間隔沿第二方向設(shè)置。第一數(shù)據(jù)線130a和第二數(shù)據(jù)線130b與柵極線110交叉。第一像素電極170a和第二像素電極170b形成在由柵極線IIO以及第一數(shù)據(jù)線130a和第二數(shù)據(jù)線130b定義的像素區(qū)域中。第一TFT120a連接到第一數(shù)據(jù)線130a和每根柵極線110，第二 TFT 120b連接到第二數(shù)據(jù)線130b和每才艮柵極線110。
如圖1所示，像素區(qū)域可以與第一數(shù)據(jù)線130a和第二數(shù)據(jù)線130b部分交疊。另外，像素區(qū)域可以與柵極線IIO部分交疊。在本實施例中，存儲線140平行于柵極線110延伸，并且通過第一像素電極170a和第二像素電極170b。另外，形成第一耦合突出141以保持具有第一像素電極170a的液晶電容器的電容恒定，形成第二耦合突出142以保持具有第二像素電極170b的液晶電容器的電容恒定。第一耦合突出141和第二耦合突出142從存儲線140延伸，并且與第一像素電極170a和第二像素電極170b部分重疊。
第一TFT 120a和第二TFT 120b中的每個連接到第一像素電極HOa和第二像素電極170b中的任一個。就是說，參考圖5，當?shù)谝籘FT120a連接到第一像素電極170a時，第二 TFT 120b連接到第二像素電極170b。反之，當?shù)谝籘FT 120a連接到第二像素電極170b時，第二TFT 120b連接到第一像素電才及170a。
柵極線110大體上在如圖1所示的水平方向延伸，并且每個柵極線110的部分向上突出以分別形成第一 TFT 120a的第 一柵極電極121 a和第二 TFT120b的第二柵極電極121b。柵極接觸焊墊(未示出)形成在每個4冊極線110的端部以將柵極線110的每個連接到外電路。然而，本發(fā)明不限于此。就是說，可以在每個柵極線110的端部形成連接到每個柵極線110的臺(stage )。柵極線110的每個可以由單層、兩層或多層構(gòu)成。當柵極線110的每個由兩層或者多層構(gòu)成時，各層之一可以由低電阻率的材料制造，而其它層可以由與其它材料具有優(yōu)良接觸特性的材料制造。這些層的示例包括鉻(Cr)層和鋁(Al)(或者Al合金)層的結(jié)合以及鋁(Al)(或者Al合金)層和鉬(Mo)層的結(jié)合。然而，本發(fā)明不限于此。柵極線110可以由各種金屬和導(dǎo)體制造。
第一數(shù)據(jù)線130a和第二數(shù)據(jù)線130b大體上在如圖1所示的垂直方向上延伸，并且設(shè)置在第一像素電極170a和第二像素電極170b的兩側(cè)。第一數(shù)據(jù)線130a和第二數(shù)據(jù)線130b的每個的一部分突出以形成第一 TFT 120a的第一源極電極125a或第二TFT 120b的第二源極電極125b。數(shù)據(jù)接觸焊墊(未示出)形成在第一數(shù)據(jù)線130a和第二數(shù)據(jù)線130b的每個的端部。
第一數(shù)據(jù)線130a和第二數(shù)據(jù)線130b的每個可以由單層或者具有不同物理特性的兩層或多層構(gòu)成。當?shù)谝粩?shù)據(jù)線130a和第二數(shù)據(jù)線130b的每個由兩層或多層構(gòu)成時，這些層之一可以由具有低電阻率的材料制造，以減小數(shù)
材料制造。
在附圖中，第一數(shù)據(jù)線130a和第二數(shù)據(jù)線130b是線狀的。然而，第一數(shù)據(jù)線130a和第二數(shù)據(jù)線130b的每個可以具有預(yù)定的彎折(或者彎曲)區(qū)域。如果第一數(shù)據(jù)線130a和第二數(shù)據(jù)線130b的每個具有彎曲的區(qū)域，則第一像素電極170a和第二像素電極170b可以沿著第一數(shù)據(jù)線130a和第二數(shù)據(jù)線130b的每個的彎曲區(qū)域形成。
第一像素電極170a和第二像素電極170b設(shè)置在像素區(qū)域中。因此，在本實施例中，兩個液晶電容器可以形成在像素區(qū)域中，即形成在單元像素中。不同的灰度信號可以傳輸?shù)降谝幌袼仉姌O170a和第二像素電極170b，從而兩個液晶電容器用不同的灰度信號充電。
如圖1和5所示，第一像素電極170a設(shè)置在像素區(qū)域的中心，第二像素電極170b圍繞第一像素電極170a。
14第一像素電極170a的形狀類似于彎帶(bentband)，并且第一像素電極170a的上區(qū)域和下區(qū)域相對于橫向地分開像素區(qū)域的線彼此映出。如圖1所示，第一像素電極170a包括從像素區(qū)域的左上部延伸到其右中部的第一帶、從像素區(qū)域的左下部延伸到其右中部的第二帶和在像素區(qū)域的右中部將第一帶連接到第二帶的第三帶。就是說，第一像素電極170a大致的形狀類似于"V"。這里，第一帶和第二帶可以相對于柵極線110成大約45度的角度。然而，本發(fā)明不限于此。就是說，第一帶和第二帶可以相對于柵極線110成各種角度。
第二像素電極170b圍繞大致形狀類似"V"的第一像素電極170a。第二像素電極170b的上區(qū)域和下區(qū)域也彼此映出。第二像素電極170b包括設(shè)置在第一像素電極170a的第一帶和第二帶之間的區(qū)域中的第一片、連接到第一片且設(shè)置在第一帶上方的區(qū)域中的第二片以及連接到第一片和第二片且設(shè)置在第二帶下方的區(qū)域中的第三片。
第一像素電極170a和第二像素電極170b彼此分開。第一像素電極170a和第二像素電極170b的每個可以包括多個狹長切口圖案171 ，作為用于控制液晶所耳又向的方向的i或劃分部分(domain partition portion )。然而，本發(fā)明不限于此。就是說，第一像素電極170a和第二像素電極170b可以包括諸如突出圖案的各種域劃分部分
供選地，根據(jù)圖8中所示的本發(fā)明的修改實施例，第二像素電極170b可以包括多個微狹長切口圖案172。
第一TFT 120a和第二TFT 120b分別包括第一柵極電極121a和第二柵極電極121b、第一源極電極125a和第二源極電極125b以及第一漏極電極126a和第二漏極電極126b。
第一源極電極125a和第二源極電極125b的每個的形狀可以類似于圖1和5所示的杯子形狀。因此，每個第一源極電極125a和第二源極電極125b與每個第一漏極電極126a和第二漏極電極126b的交疊區(qū)域可以擴大而增加第一TFT 120a或第二TFT 120b的溝道寬度。第一源極電極125a和第二源極電極125b的形狀不限于杯子形狀。第一源極電極125a和第二源極電極125b可以分別具有以增加第一 TFT 120a和第二 TFT 120b的溝道寬度的各種形狀。第一源極電極125a通過在第一4冊極電極121a上方突出第一數(shù)據(jù)線130a的端部而形成。第二源極電極125b通過在第二柵極電極121b上方突出第二數(shù)據(jù)線130b的端部而形成。
第一漏極電極126a和第二漏極電極126b的每個電連接到第一像素電極170a和第二像素電極170b中的任一個。這里，相鄰像素區(qū)域中的第一漏極電極或第二漏極電極可以連接到不同的像素電極。就是說，如圖5所示，像素區(qū)域中的第一漏極電極126a連接到該像素區(qū)域中的第一像素電極170a,第二漏極電極126b連接到第二像素電極170b。另一方面，與上述像素區(qū)域相鄰的另一個像素區(qū)域中的第一漏極電極126a連接到該像素區(qū)域中的第二像素電極170b，第二漏極電極126b連接到該像素區(qū)域中的第一像素電極170a。因此，根據(jù)本實施例的顯示板可以進行反轉(zhuǎn)驅(qū)動。
第一源極電極125a和第二源極電極125b以及第一漏極電極126a和第二漏極電極126b由與第一數(shù)據(jù)線130a和第二數(shù)據(jù)線130b相同的材料制造，并且與第一數(shù)據(jù)線130a和第二數(shù)據(jù)線130b同時圖案化。如上所述，第一源極電極125a和第二源極電極125b分別電連接到相鄰的第一數(shù)據(jù)線130a和第二數(shù)據(jù)線130b，而第一漏極電極126a和第二漏極電極126b分別與相鄰的第一數(shù)據(jù)線130a和第二數(shù)據(jù)線130b電絕緣。
另外，第一漏極電極126a和第二漏極電極126b的每個延伸到像素區(qū)域，并且與第一像素電極170a和第二像素電極170b的任一個電接觸。因此，在第一漏極電極126a和第二漏極電極126b與鄰近該第一漏極電極126a和該第二漏極電極126b的第一數(shù)據(jù)線130a和第二數(shù)據(jù)線130b之間分別形成寄生電容器(即耦合電容器)。
這里，形成在像素區(qū)域中的耦合電容器具有不同的電容。就是說，形成在第一漏極電極126a和鄰近第一漏極電極126a的第一數(shù)據(jù)線130a之間的第一耦合電容器的第一耦合電容與形成在第二漏極電極126b和鄰近第二漏極電極126b的第二數(shù)據(jù)線130b之間的第二耦合電容器的第二耦合電容顯著不同。通常，第一耦合電容和第二耦合電容彼此相差超過第一耦合電容和第二耦合電容的最大值的50%。例如，當?shù)谝获詈想娙轂橐粫r，第二耦合電容通常為二或更大。
第 一耦合電容和第二耦合電容之間具有這樣的差來源于連接到第 一像素電極170a和第二像素電極170b中的任一個的第一漏極電極126a與連接到第 一像素電極170a和第二像素電極170b中的另 一個的第二漏極電極126b的不同長度。就是說，在兩個相鄰的導(dǎo)電材料之間創(chuàng)建電容器，并且電容器的電容與這兩個導(dǎo)電材料的交疊面積成比例。
因為上述原因，相鄰像素區(qū)域的耦合電容之間也產(chǎn)生很大差別。例如，
在像素區(qū)域中，第一漏極電極126a和鄰近第一漏極電極126a的第一數(shù)據(jù)線130a之間的第一耦合電容大于第二漏極電極126b和鄰近第二漏極電極126b的第二數(shù)據(jù)線130b之間的第二耦合電容。然而，在鄰近上述像素區(qū)域的另一個像素區(qū)域中，第一耦合電容小于第二耦合電容。相鄰像素區(qū)域的耦合電容之間的這樣的差別導(dǎo)致選擇性驅(qū)動期間相鄰像素區(qū)域之間的大的亮度差。
在本實施例中，第一漏極電極126a與第一數(shù)據(jù)線130a之間和第二漏極電極126b與第二數(shù)據(jù)線130b之間的距離可以分別調(diào)整為使它們之間的第一耦合電容器的第 一耦合電容和第二耦合電容器的第二耦合電容保持在預(yù)定的范圍內(nèi)，并且最小化第一耦合電容和第二耦合電容。就是說，第一耦合電容器的第一耦合電容與第二耦合電容器的第二耦合電容之間的差值可以在第一耦合電容和第二耦合電容的最大值的50%或者更小的范圍內(nèi)保持恒定。也就是，第 一耦合電容和第二耦合電容之間的差值可以在第 一耦合電容和第二耦合電容的最大值的5至40%的范圍內(nèi)保持恒定。優(yōu)選地，第一耦合電容和第二耦合電容之間的差值可以在第 一耦合電容和第二耦合電容的最大值的10至30%的范圍內(nèi)保持恒定。
如果第 一耦合電容和第二耦合電容之間的差可以在上述范圍內(nèi)保持恒定，則可以減小反轉(zhuǎn)驅(qū)動期間相鄰像素區(qū)域之間的亮度差。如果第一耦合電容和第二耦合電容之差超過上述范圍，則在反轉(zhuǎn)驅(qū)動期間相鄰像素區(qū)域之間會產(chǎn)生的明顯的亮度差。最好是第一耦合電容和第二耦合電容之差為0，然而，這實際上是做不到的。因此，所希望的是保持第一耦合電容和第二耦合電容之差在上述范圍內(nèi)?？梢宰钚』謩e鄰近第一數(shù)據(jù)線130a和第二數(shù)據(jù)線130b的第一漏極電極126a和第二漏極電極126b的長度，以分別最小化第 一耦合電容和第二耦合電容。
在本實施例中，最終，第一漏極電極126a與第一數(shù)據(jù)線130a和第二漏極電極126b與第二數(shù)據(jù)線130b之間的距離分別被調(diào)整為如上所述。這是因
因此，在本實施例中，第一漏極電極126a和第二漏極電極126b的每個的延伸到像素區(qū)域的部分被彎曲為如圖1和5所示。
第一漏極電極126a設(shè)置在第一柵極電極121a的上方，如圖1和5所示。第一漏極電極126a包括第一電極部分126a-l、第一接觸板126a-2和第一連 接線126a-3。第一電極部分126a-l鄰近第一源極電極125a設(shè)置。第一接觸 板126a-2設(shè)置在第一像素電極170a和第二像素電極170b的任一個下方，并 與第一像素電極170a和第二像素電極170b的任一個連接。第一連接線 126a-3將第一電極部分126a-l連接到第一接觸板126a-2。第二漏極電極126b 設(shè)置在第二柵極電極121b的上方，如圖1和5所示。第二漏極電極126b包 括第二電極部分126b-l、第二接觸板126b-2和第二連接線126b-3。第二電 極部分126b-l設(shè)置在第二柵極電極121b上方且與第二源極電極125b相鄰。 第二接觸板126b-2設(shè)置在第一像素電極170a和第二像素電極170b中的另一 個的下方，并與第一像素電極170a和第二像素電極170b中的另一個連接。 第二連接線126b-3將第二電極部分126b-l連接到第二接觸板126b-2。
第一耦合電容器形成在第一連接線126a-3和第一數(shù)據(jù)線130a之間，第 二耦合電容器形成在第二連接線126b-3和第二數(shù)據(jù)線130b之間。在本實施 例中，第一連接線126a-3和第二連接線126b-3多次彎曲。
第一電極部分126a-l和第二電極部分126b-l分別延伸進入形狀類似于 杯子的第一源極電極125a和第二源極電極125b中。第一接觸板126a-2和第 二接觸板126b-2可以縱向設(shè)置從而防止光泄漏且保證足夠的透射率，并且 可以設(shè)置在第一像素電極170a的第二帶和第二像素電極170b的第三片下 方。
在本實施例中，第一連接線126a-3和第二連接線126b-3可以具有相同 的線寬，并且可以垂直彎曲(bent vertically)以防止光泄漏。
第一連接線126a-3包括第一延伸部分Eal至第五延伸部分Ea5。第一延 伸部分Eal沿遠離第一柵極電極121a的方向從第一電極部分126a-l延伸。 第二延伸部分Ea2從第一延伸部分Eal將要被彎曲的端部在與第一數(shù)據(jù)線 130a相反的方向延伸。第三延伸部分Ea3從第二延伸部分Ea2將要被彎曲 的端部沿朝著第 一接觸板126a-2的方向延伸。第四延伸部分Ea4從第三延 伸部分Ea3將要被彎曲的端部再一次在與第一數(shù)據(jù)線130a相反的方向延伸。 第五延伸部分Ea5將第四延伸部分Ea4連接到第一接觸板126a-2。
供選地，第一連接線126a-3可以包括第六延伸部分Ea6至第八延伸部 分Ea8。第六延伸部分Ea6從第一電極部分126a-l在遠離第一柵極電極121a 的方向延伸。第七延伸部分Ea7從第六延伸部分Ea6將要被彎曲的端部在與第一數(shù)據(jù)線130a相反的方向延伸。第八延伸部分Ea8將第七延伸部分Ea7 連接到第 一接觸板126a-2。
第二連接線126b-3包括第一延伸部分Ebl至第三延伸部分Eb3。第一 延伸部分Ebl從第二電極部分126b-l在遠離第二柵極電極121b的方向延伸。 第二延伸部分Eb2從第一延伸部分Ebl將要被彎曲的端部在與第二數(shù)據(jù)線 130b相反的方向延伸。第三延伸部分Eb3將第二延伸部分Eb2連接到第二 4妄觸才反126b-2。
供選地，第二連接線126b-3可以包括第四延伸部分Eb4至第八延伸部 分Eb8。第四延伸部分Eb4從第二電極部分126b-l在遠離第二柵極電極121b 的方向延伸。第五延伸部分Eb5從第四延伸部分Eb4將要^皮彎曲的端部在與 第二數(shù)據(jù)線130b相反的方向上延伸。第六延伸部分Eb6從第五延伸部分Eb5 將要被彎曲的端部沿朝著第二接觸板126b-2的方向延伸。第七延伸部分Eb7 從第六延伸部分Eb6將要被彎曲的端部再一次沿與第二數(shù)據(jù)線130b相反的 方向延伸。第八延伸部分Ea8將第七延伸部分Eb7連接到第二接觸板126b-2。
本發(fā)明不限于上面的示例。就是說，可以增加或者減少延伸部分的數(shù)量。 例如，在圖1中，第一連接線126a-l的第三延伸部分Ea3可以直接連接到 第一接觸板126a-2，而省略第四延伸部分Ea斗和第五延伸部分Ea5。延伸部 分的數(shù)量可以在能使開口率最大化的范圍內(nèi)被確定。
這是因為，對于根據(jù)本實施例的顯示板的反轉(zhuǎn)驅(qū)動，如圖5所示，當?shù)?一接觸板126a-2在像素區(qū)域中設(shè)置在第一像素電極170a下方時，在與上述 像素區(qū)域相鄰的另一個像素區(qū)域中，第二接觸板126b-2設(shè)置在第一像素電 才及170a下方。
參考圖1和3，第一連接線126a-3的第一延伸部分Eal和第二連接線 126b-3的第一延伸部分Ebl分別設(shè)置為最接近第一數(shù)據(jù)線130a和第二數(shù)據(jù) 線130b。第一連接線126a-3和第二連接線126b-3的其他延伸部分分別比第 一延伸部分Eal和EM更遠離第一數(shù)據(jù)線130a和第二數(shù)據(jù)線130b。
如圖1所示，影響第一耦合電容器的第一耦合電容和第二耦合電容器的 第二耦合電容的延伸部分是那些平行于第一數(shù)據(jù)線130a和第二數(shù)據(jù)線130b 的部分。就是說，第一連^^妻線126a-3的第一延伸部分Eal、第三延伸部分 Ea3和第五延伸部分Ea5影響第一耦合電容器，第二連接線U6b-3的第一延 伸部分Ebl和第三延伸部分Eb3影響第二耦合電容器。供選地，如圖5所示，第一連接線126a-3的第六延伸部分Ea6和第八延伸部分Ea8會影響第一耦 合電容器，第二連接線126b-3的第四、第六和第八延伸部分Eb4、 Eb6和 Eb8會影響第二耦合電容器。
在本實施例中，第一連接線126a-3的第一延伸部分Eal和第二連接線 126b-3的第一延伸部分Ebl可以具有相同的長度，并且可以最小化它們的長 度。因此，可以在減小第一耦合電容和第二耦合電容的同時減小第一電容器 的第一耦合電容和第二電容器的第二耦合電容之差。
參考圖7，第一延伸部分Eal或者Ebl的長度K1可足以使第一源極電 極125a與從第一延伸部分Eal的端部延伸的第二延伸部分Ea2之間，或第 二源極電極125b與從第一延伸部分EM的端部延伸的第二延伸部分Eb2之 間的距離Dl保持TFT半導(dǎo)體制造工藝中所允許的最小的線間間隙(interline gap)。這里，最小的線間間隙是指在金屬圖案化工藝中圖案化金屬時足以防 止兩個金屬(例如，兩個金屬線)短路的距離。在本實施例中，最小線間間 隙可以是4至10|im。
最小線間間隙等于第一漏極電極126a的第一電極部分126a-l與第一源 極電極125a之間或者第二漏極電極126b的第二電極部分126b-l與第二源極 電極125b之間的距離，該第一漏極電極126a設(shè)置在第一柵極電極121a上 方且與第一柵極電極121a相鄰，該第二漏極電極126b設(shè)置在第二柵極電極 121b上方且與第二柵極電極121b相鄰。
在本實施例中，如圖1所示，第一連接線126a-3的第三延伸部分Ea3 與第二接觸板126b-2隔開最小線間間隙。因此，第一數(shù)據(jù)線130a和第三延 伸部分Ea3之間的距離Ta2大于第一數(shù)據(jù)線130a和第一延伸部分Eal之間 的距離Tal，如圖3和4所示。另外，第二數(shù)據(jù)線130b和第三延伸部分Eb3 之間的距離Tb2大于第二數(shù)據(jù)線130b和第一延伸部分Ebl之間的距離Tbl， 如圖3和4所示。
在本實施例中，第一連接線126a-3的第一延伸部分Eal的長度K1被最 小化，以減少第一數(shù)據(jù)線130a和第一延伸部分Eal之間的電容。另外，第 三延伸部分Ea3和第一數(shù)據(jù)線130a之間的距離被最大化，以減小第一數(shù)據(jù) 線130a和第三延伸部分Ea3之間的電容。而且，第二連接線126b-3的第一 延伸部分Ebl的長度Kl被最小化，以減少第二數(shù)據(jù)線130b和第一延伸部 分Ebl之間的電容。
20這里，因為第一連接線126a-3的第一延伸部分Eal的長度K1等于第二 連接線126b-3的第一延伸部分Ebl的長度，所以第一數(shù)據(jù)線130a和第一延 伸部分Eal之間的電容在可接受的誤差范圍內(nèi)等于第二數(shù)據(jù)線130b和第一 延伸部分Ebl之間的電容。因為第一數(shù)據(jù)線130a和第三延伸部分Ea3之間 的電容與它們之間的距離成反比，所以電容隨著它們之間距離的增加而減 小。因此，第一數(shù)據(jù)線130a和第三延伸部分Ea3之間的電容與第一數(shù)據(jù)線 130a和第一延伸部分Eal之間的電容相比具有相對更小的值。如圖1所示， 第一連接線126a-3的第五延伸部分Ea5距第一數(shù)據(jù)線130a最遠。因此，第 一數(shù)據(jù)線130a和第五延伸部分Ea5之間的電容可以忽略不計。
如上所述，在本實施例中，第一漏極電極126a和第二漏極電極126b垂 直彎曲多次。在此情況下，第一漏極電極126a和第二漏極電極126b被彎曲 使得第一源極電極125a和第二源極電極125b分別與第一漏極電極126a的 第二延伸部分Ea2和第二漏極電極126b的第二延伸部分Eb2隔開最小線間 間隙，并且使得彎曲的第一漏極電極126a和第二漏極電才及126b彼此隔開最 小線間間隙。結(jié)果，可以減小像素區(qū)域中的第一耦合電容和第二耦合電容， 并且還可以減小第一耦合電容和第二耦合電容之差。另外，可以減小相鄰像 素區(qū)域之間的耦合電容的差。此外，當像素區(qū)域中的第一像素電極170a和 第二像素電極170b以不同的像素信號充電時，并且當相鄰像素區(qū)域以相反 極性的像素信號充電時，可以減小在相鄰像素區(qū)域之間產(chǎn)生的亮度差。
在本實施例中，如圖1和5所示，第一像素電極170a和第二像素電極 170b設(shè)置在一個像素區(qū)域中，并且用不同的像素信號充電。第一TFT 120a 和第二TFT 120b分別給第一像素電極170a和第二像素電極170b提供第一 和第二像素信號(灰度電壓)，該第一和第二像素信號(灰度電壓)響應(yīng)傳 輸?shù)綎艠O線110的信號而從第一數(shù)據(jù)線130a和第二數(shù)據(jù)線130b被提供。
在本實施例中，像素區(qū)域中的第一像素電極170a和第二像素電極170b 可以通過第一數(shù)據(jù)線130a和第二數(shù)據(jù)線130b以及第一TFT 120a和第二TFT 120b接收像素信號，對于與上述像素區(qū)域相鄰的另 一個像素區(qū)域中的第 一像 素電極170a和第二像素電極170b,情況相反。就是說，如圖5所示，像素 區(qū)域中的第一像素電極170a經(jīng)由該像素區(qū)域中的第一TFT 120a接收第一像 素信號，第一像素信號被傳輸?shù)皆撓袼貐^(qū)域兩側(cè)的第一數(shù)據(jù)線130a和第二 數(shù)據(jù)線130b當中的第一數(shù)據(jù)線130a。該像素區(qū)域中的第二像素電極170b經(jīng)由像素區(qū)域中的第二 TFT 120b接收被傳輸?shù)较袼貐^(qū)域兩側(cè)的第 一數(shù)據(jù)線 i30a和第二數(shù)據(jù)線130b當中的第二數(shù)據(jù)線130b的第二像素信號。另 一方面， 與上述像素區(qū)域相鄰的另一個像素區(qū)域中的第一像素電極170a經(jīng)由像素區(qū) 域中的第二TFT 120b接收被傳輸?shù)较袼貐^(qū)域兩側(cè)的第一數(shù)據(jù)線130a和第二 數(shù)據(jù)線130b當中的第二數(shù)據(jù)線130b的第二像素信號。該像素區(qū)域中的第二 像素電極170b經(jīng)由像素區(qū)域中的第一 TFT 120a接收傳輸?shù)较袼貐^(qū)域兩側(cè)的 第一數(shù)據(jù)線130a和第二數(shù)據(jù)線130b當中的第一數(shù)據(jù)線130a的第一像素信 號。
在此情況下，高灰度信號可以用作第一像素信號，而低灰度信號可以用 作第二像素信號。因此，當?shù)谝?TFT 120a和第二 TFT 120b導(dǎo)通時，高灰度 信號和低灰度信號之一可以傳輸?shù)较袼貐^(qū)域中的第一像素電極170a，高灰度 信號和低灰度信號中的另一個可以傳輸?shù)降诙袼仉姌O170b。另外，具有不 同于傳輸?shù)缴鲜鱿袼貐^(qū)域中的第 一像素電極170a和第二像素電極170b的灰 度信號的灰度等級(grayscale level)和極性的灰度信號可以傳輸?shù)脚c上述像 素區(qū)域相鄰的像素區(qū)域中的第一像素電極170a和第二像素電極170b。就是 說，可以進行反轉(zhuǎn)驅(qū)動。
絕緣鈍化層160形成在第一TFT 120a和第二TFT 120b以及第一數(shù)據(jù)線 130a和第二數(shù)據(jù)線130b上。鈍化層160包括第一鈍化層和第二鈍化層 162。第一鈍化層161采用諸如SiNx或者Si02的無機絕緣層，第二鈍化層 162采用低介電常數(shù)的有機層。
第一像素接觸孔150a和第二像素接觸孔"Ob形成在絕緣鈍化層MO中。 第一像素接觸孔150a暴露第一漏極電極126a的第一接觸板U6a-2'第二像 素接觸孔150b暴露第二漏極電極126b的第二接觸板126b-2。
上面描述的第一像素電極170a和第二像素電極170b形成在鈍化層WO 上方。第一像素電極170a通過第一像素接觸孔1S0a和第二像素接觸孔150b 中的任意一個連接到第一漏極電極126a和第二漏極電極U6b中的任意一 個，第二像素電極170b通過第一像素接觸孔150a和第二像素接觸孔150b 中的另一個連接到第一漏極電極126a和第二漏極電極U6b中的另一個。
在本實施例中，存儲線140沿與柵極線110的每個所延伸的方向相同的 方向延伸，并且通過每個像素區(qū)域。另外，第一耦合突出Ml和第二耦合突 出142從存儲線140延伸并且與第一像素電極170a和第二像素電極170b部
22分交疊。形成第一耦合突出141和第二耦合突出142以保持每個像素區(qū)域中 的第一耦合電容和第二耦合電容恒定。就是說，當與每個像素區(qū)域左側(cè)和右 側(cè)的相應(yīng)數(shù)據(jù)線耦接時，第一像素電極170a和第二像素電極170b會改變， 由此導(dǎo)致串擾(crosstalk)。為了解決這一問題，在本實施例中，形成第一耦 合突出141和第二耦合突出142以保持第一耦合電容和第二耦合電容不變。 在此情況下，如圖l和5所示，如果第一耦合突出141的長度大于第二耦合 突出142的長度，則效果會更好。第一耦合突出141鄰近第一數(shù)據(jù)線130a 設(shè)置，第二耦合突出142b鄰近第二數(shù)據(jù)線130b設(shè)置。
存儲線140以及第一耦合突出141和第二耦合突出142由與柵極線110 相同的材料制成，并且與柵極線110同時被圖案化。在此情況下，可以有效 地向存〗諸線140施加7>共電壓。
公共電極基板2000包括黑矩陣210、紅綠藍濾色器220和覆層230。黑 矩陣210形成在由諸如玻璃的透明絕緣材料制成的絕緣基板2000的底表面 上。黑矩陣210防止光泄露和相鄰像素區(qū)域間的光干涉(interference )。由有 機材料制造的覆層230形成在濾色器220上。由諸如銦錫氧化物(ITO )或 者銦鋅氧化物(IZO)的透明導(dǎo)電材料制造的公共電極240形成在覆層230 上。多個狹長切口圖案241形成在公共電極240中。在本實施例中，如圖1 所示，狹長切口圖案241設(shè)置在分開第 一像素電極170a和第二像素電極170b 的位置處。突出圖案也可以用來代替狹長切口圖案241。
第一像素電極170a和第二像素電極170b的狹長切口圖案171和公共電 極240的狹長切口圖案241用作劃分液晶分子并相應(yīng)地對液晶分子進行配向 的域劃分部分。域劃分部分可以設(shè)置在第一像素電極170a和第二像素電極 170b以及公共電極240的任何一個或者多個中。第一子液晶電容器和第二子 液晶電容器的每個形成在第 一像素電極170a和第二像素電極170b的每個與 公共電極240之間。因此，具有兩個子液晶電容器的單元像素可以形成在每 個像素區(qū)域中。在根據(jù)本實施例的顯示裝置中，多個單元像素按矩陣設(shè)置。
上面描述的TFT基板1000和公共電極基板2000彼此耦接，液晶層3000 插設(shè)在TFT基板1000和公共電極基板2000之間。因此，完成了根據(jù)本實施 例在每個單元像素中具有第一子像素和第二子像素的顯示裝置的基礎(chǔ)面板 (base panel )。顯示裝置可以包括在TFT基板1000和公共電極基板2000之 間具有負型介電常數(shù)各向異性的液晶，并且該液晶可以被垂直配向。然而，本發(fā)明不限于此。盡管圖中沒有示出，但是偏振器、背光、補償器及其它部 件可以設(shè)置在顯示裝置的差、礎(chǔ)面板兩側(cè)。
下面，將對包括多個單元像素的顯示裝置的運行進行詳細描述，其中單 元像素的每個在像素區(qū)域中具有第一子液晶電容器和第二子液晶電容器。
當?shù)?一灰度電壓和第二灰度電壓分別施加給單元像素中的第 一像素電
極170a和第二像素電極170b時，施加有公共電壓Vcom的公共電極240與 第一像素電極170a和第二像素電極170b的每個之間產(chǎn)生電勢差。通過介電 各向異性，該電勢差引起插設(shè)在TFT基板1000和公共電極基板2000之間的 液晶轉(zhuǎn)動。另外，通過該電勢差控制經(jīng)由第一像素電極170a和第二像素電 極170b從光源(未示出)入射到液晶層3000的光的量，并且光透射朝向公 共電極基板2000。透射到公共電極基板2000的光通過形成在公共電極基板 2000上的濾色器220。因此，呈現(xiàn)了預(yù)想的顏色。
現(xiàn)在將對顯示裝置的選擇性驅(qū)動進行描述，集中在將灰度信號傳輸?shù)?TFT基板1000的第一像素電極170a和第二像素電極170b上。
來自外源的4冊極導(dǎo)通電壓依次施加到4冊極線110，多個灰度電壓分別施 加到第一數(shù)據(jù)線130a和第二數(shù)據(jù)線130b。然后，導(dǎo)通連接到^皮施加?xùn)艠O導(dǎo) 通電壓的每條柵極線110的第一 TFT 120a和第二 TFT 120b。因此，連接到 第一 TFT 120a的第一數(shù)據(jù)線130a的第一灰度信號傳輸?shù)竭B接到第一 TFT 120a的第一像素電極170a或者第二像素電極170b。此外，連接到第二TFT 120b的第二數(shù)據(jù)線130b的第二灰度信號傳輸?shù)竭B接到第二 TFT 120b的第一 像素電極170a或者第二像素電極170b，現(xiàn)在將對其進行詳細描述。
圖5示出了兩個相鄰像素區(qū)域圖案。為了簡化起見，圖5左側(cè)的像素區(qū) 域圖案被稱為第一像素區(qū)域圖案，圖5右側(cè)的像素區(qū)域圖案被稱為第二像素 區(qū)域圖案。
當柵極導(dǎo)通電壓施加到柵極線110時，導(dǎo)通第一TFT 120a和第二TFT 120b。因此，第一像素區(qū)域圖案的第一像素電極170a和第二像素電極170b 分別電連接到第一數(shù)據(jù)線130a和第二數(shù)據(jù)線130b。另外，第二像素區(qū)域圖 案的第一像素電極170a和第二像素電極170b分別電連接到第二數(shù)據(jù)線130b 和第一數(shù)據(jù)線130a。這樣，相鄰第一像素區(qū)域圖案和第二像素區(qū)域圖案的第 一像素電極170a和第二像素電極170b次序顛倒地電連接到第 一數(shù)據(jù)線130a 和第二數(shù)據(jù)線130b。這里，顯示裝置進行線反轉(zhuǎn)驅(qū)動，其中具有相反極性的信號傳輸給相鄰
數(shù)據(jù)線。當顯示裝置的幀頻為60Hz或者更高(例如，120Hz)時，增加了 每個數(shù)據(jù)線的負荷。因此，點反轉(zhuǎn)驅(qū)動實際上是不可能的。然而，在本實施 例中，基于以上所述，第一像素電極170a和第二像素電極170b的每個與第 一數(shù)據(jù)線130a和第二數(shù)據(jù)線130b的每個之間的連接逐個像素區(qū)域地顛倒， 由此獲得點反轉(zhuǎn)驅(qū)動的效果。結(jié)果，可以減少瑕瘋，即垂直線。
參考圖6,當柵極導(dǎo)通電壓施加給第一柵極線Gl時，連接到第一柵極 線Gl的第一 TFT 120a和第二 TFT 120b也被導(dǎo)通。因此，第一像素區(qū)域中 的第一數(shù)據(jù)線Dl-a的正第一灰度信號傳輸?shù)降谝幌袼貐^(qū)域中的第一像素電 極170a，而第一像素區(qū)域中的第二數(shù)據(jù)線D1-b的負第二灰度信號傳輸?shù)降?一像素區(qū)域中的第二像素電極170b。另外，第二像素區(qū)域中的第一數(shù)據(jù)線 D2-a的正第一灰度信號傳輸?shù)降诙袼貐^(qū)域中的第二像素電極170b，而第 二像素區(qū)域中的第二數(shù)據(jù)線D2-b的負第二灰度信號輸?shù)降诙袼貐^(qū)域中的 第一像素電極170a。第三像素區(qū)域中的第一數(shù)據(jù)線D3-a的正第一灰度信號 傳輸?shù)降谌袼貐^(qū)域中的第一像素電極170a，而第三像素區(qū)域中的第二數(shù)據(jù) 線D3-b的負第二灰度信號傳輸?shù)降谌袼貐^(qū)域中的第二像素電極170b。
因此，第一像素區(qū)域中的第一像素電極170a以正電壓充電，而與第一 像素區(qū)域相鄰的第二像素區(qū)域中的第 一像素電極170a以負電壓充電。另夕卜， 第一像素區(qū)域中的第二像素電極170b以負電壓充電，而與第一像素區(qū)域相 鄰的第二像素區(qū)域中的第二像素電極170b以正電壓充電。因為相鄰像素區(qū) 域中的第一像素電極170a或者第二像素電極170b以具有不同電平的不同灰 度電壓充電，所以可以進行點反轉(zhuǎn)驅(qū)動。點反轉(zhuǎn)驅(qū)動可以防止產(chǎn)生瑕疵，即 產(chǎn)生垂直線(vertical line )。
在本實施例中，第一 TFT 120a和第二 TFT 120b同時導(dǎo)通或者截止。因 此，第 一灰度信號和第二灰度信號在1H周期期間可以同時被提供到第 一像 素電極170a和第二像素電極170b。因此，即使幀頻增加，也可以保證以充 足的時間用第一灰度信號和第二灰度信號為第一像素電極170a和第二像素 電才及170b充電。
如上所述，在本實施例中，第一漏極電極126a和第二漏極電極126b被 彎曲使得分別鄰近第一數(shù)據(jù)線130a和第二數(shù)據(jù)線130b的第一漏極電極126a 和第二漏極電極126b的長度可以最小化。因此，第一數(shù)據(jù)線130a和第二數(shù)據(jù)線130b的每個與第一漏極電極126a 和第二漏極電極126b的每個之間的耦合電容器的電容可以最小，并且相鄰 像素區(qū)域的耦合電容器的電容之差可以得到減小，由此最小化反轉(zhuǎn)驅(qū)動期間 會^ 1起的相鄰像素區(qū)域的亮度之差。
圖9A是圖解根據(jù)比較示例的顯示裝置的平均亮度偏差的曲線圖。圖9B 是圖解根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的顯示裝置的平均亮度偏差的曲線圖。
具體地，圖9A的曲線圖示出了第一漏極電極126a和第二漏極電極126b 的第一連接線126a-3和第二連接線126b-3分別為沒有彎曲或者僅彎曲一次 的顯示裝置的平均亮度偏差。也就是，第一連接線126a-3和第二連接線 126b-3可以分別從第一漏極電極126a的第一電極部分126a-1和第二漏極電 極126b的第二電極部分126b-l延伸，并且可以分別直接連接到第一接觸板 126a-2和第二接觸板126b-2。供選地，第一連接線126a-3和第二連接線 126b-3可以分別從第一漏極電極126a的第一電極部分126a-l和第二漏極電 極126b的第二電極部分126b-l延伸到鄰近第一接觸板126a-2和第二接觸板 126b-2的區(qū)域，在此區(qū)域處可以被彎曲，并且可以分別連接到第一接觸—反 126a-2和第二接觸板126b-2。
另一方面，圖9B的曲線圖示出了這樣的顯示裝置的平均亮度偏差，如 圖5所示，在這樣的顯示裝置中，第一漏極電極126a的第一連接線126a-3 和第二漏極電極126b的第二連接線126b-3分別在第一TFT 120a的第一柵極 電極121a和第二TFT 120b的第二柵極電極121b的上方被彎曲，再一次或 者多次被彎曲，然后分別連接到第 一接觸板126a-2和第二接觸板126b-2。
參考圖9A的曲線，根據(jù)比較示例的顯示裝置在第一數(shù)據(jù)線130a和第二 數(shù)據(jù)線130b的每個與第一連接線126a-3和第二連接線126b-3的每個之間具 有大的耦合電容。另外，單元像素的耦合電容不均勻。因此，根據(jù)比較示例 的顯示裝置顯示出大的平均亮度偏差。
另一方面，參考圖9B的曲線，根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的顯示裝置 在第一數(shù)據(jù)線130a和第二數(shù)據(jù)線130b的每個與第一連接線126a-3和第二連 接線126b-3的每個之間具有小的耦合電容。另外，單元像素的耦合電容均 勻。因此，根據(jù)本發(fā)明示范性實施例的顯示裝置顯示出減小的平均亮度偏差。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，連接到單元像素中的像素電極的TFT的漏極電 極被垂直彎曲多次，以增加鄰近該單元像素設(shè)置的數(shù)據(jù)線和漏極電極之間的距離。因此，數(shù)據(jù)線和漏極電極之間的寄生電容(即，耦合電容)可以被減 小，并且每個單元像素可以具有預(yù)定范圍內(nèi)的一致的寄生電容。
另外，本發(fā)明可以減小寄生電容以及寄生電容之間的差值，由此降低了 進行反轉(zhuǎn)驅(qū)動的顯示裝置的亮度偏差。
普通技術(shù)人員應(yīng)當理解的是，在不脫離如所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精 神和范圍內(nèi)，可以對其進行形式上和細節(jié)上的各種改變。應(yīng)該將示范性實施 例看作僅為描述意義上的而不是為了限制。
本申請要求于2008年3月17日提交韓國知識產(chǎn)權(quán)局的韓國專利申請 No. 10-2008-0024441的優(yōu)先權(quán)，并將其揭示的內(nèi)容全部結(jié)合于此作為參考。
權(quán)利要求
1、一種薄膜晶體管基板，包括多個柵極線和與所述柵極線交叉的多個第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線；多個第一像素電極和第二像素電極，分別設(shè)置在由所述柵極線與所述第一數(shù)據(jù)線和所述第二數(shù)據(jù)線定義的多個單元像素區(qū)域中；第一薄膜晶體管，設(shè)置在單元像素區(qū)域中，并且包括連接到柵極線的第一柵極端、連接到第一數(shù)據(jù)線的第一源極電極和連接到第一像素電極和第二像素電極中的任一個的第一漏極電極；以及第二薄膜晶體管，設(shè)置在所述單元像素區(qū)域中，并且包括連接到所述柵極線的第二柵極端、連接到第二數(shù)據(jù)線的第二源極電極以及連接到所述第一像素電極和所述第二像素電極中的另一個的第二漏極電極，其中所述第一漏極電極和所述第二漏極電極設(shè)置為保持所述第一漏極電極和所述第一數(shù)據(jù)線之間的第一耦合電容與所述第二漏極電極和所述第二數(shù)據(jù)線之間的第二耦合電容的差值在所述第一耦合電容和所述第二耦合電容的最大值的50％或者更小的范圍內(nèi)。
2、 如權(quán)利要求1所述的基板，其中所述第一耦合電容和所述第二耦合 電容之差為所述第一耦合電容和所述第二耦合電容的最大值的5%至40%。
3、 如權(quán)利要求1所述的基板，其中所述第一漏極電極和所述第二漏極 電極彎曲多次。
4、 如權(quán)利要求3所述的基板，其中所述第一漏極電極和所述第二漏極 電極被垂直彎曲。
5、 如權(quán)利要求4所述的基板，其中所述第一漏極電極和所述第二漏極 電極的端部區(qū)域分別與所述第一源極電極和所述第二源極電極分隔，并且所 述第一漏極電極和所述第二漏極電極的每個的所述端部區(qū)域與所述第一源 極電極或者第二源極電極之間的距離等于從所述第一漏極電極和第二漏極 電極的每個的所述端部區(qū)域的末端延伸的區(qū)域與所述第一源極電極或者所 述第二源極電極之間的距離，所述第一漏極電極或者所述第二漏極電極在所 述端部區(qū)域的所述末端被彎曲并延伸。
6、 如權(quán)利要求4所述的基板，其中所述第一漏極電極和所述第二漏極電 極的每個具有由第二部分和設(shè)置在所述第一漏極電極和所迷第二漏極電極的每個的末端的第一部分構(gòu)成的彎曲部分，所述彎曲部分圍繞所述第一源極 電極或者所述第二源極電極并且與所述第一源極電極或者所述第二源極電 極分隔，所述第一部分與所述第一源極電極或者所述第二源極電極之間的距 離等于所述第二部分與所述第一源極電極或者所述第二源極電極之間的距離。
7、 如權(quán)利要求5或6所述的基板，其中在所述單元像素區(qū)域的中心， 彎曲的所述第一漏極電極和第二漏極電極的各區(qū)域彼此分隔以上所述距離。
8、 如權(quán)利要求5或6所述的基板，其中所述距離是足以防止所述第一 源極電極和所述第二源極電極的每個與所述第一漏極電極或者所述第二漏 極電極之間短^各的線間間隙，并且所述線間間隙為4 jim至10 pm。
9、 如權(quán)利要求1所述的基板，其中所述第一漏極電極包括設(shè)置在所述 第一柵極電極上方并且與所述第一源極電極相鄰的第一電極部分、連接到所 述第 一像素電極和所述第二像素電極之一的第 一接觸板以及將所述第 一 電 極部分連接到所述第 一接觸板的第 一連接線，所述第二漏極電極包括設(shè)置在所述第二柵極電極上方并且與所述第二 源極電極相鄰的第二電極部分、連接到所述第一像素電極和所述第二像素電 極中的另 一個的第二接觸板以及將所述第二電極部分連接到所述第二接觸 板的第二連接線。
10、 如權(quán)利要求9所述的基板，其中第一單元像素區(qū)域中的所述第一漏 極電極的所述第一接觸板連接到所述第一像素電極，而所述第一單元像素區(qū) 域中的所述第二漏極電極的所述第二接觸板連接到所述第二像素電極，并且其中與所述第一單元像素區(qū)域相鄰的第二單元像素區(qū)域中的所述第一 漏極電極的所述第一接觸板連接到所述第二像素電極，而所述第二單元像素 區(qū)域中的所述第二漏極電極的所述第二接觸板連接到所述第一像素電極。
11、 如權(quán)利要求10所述的基板，其中如果所述第一漏極電極的所述第 一接觸板連接到所述第一像素電極，所述第二漏極電極的所述第二接觸板連 接到所述第二像素電極，則所述第 一連接線包括從所述第 一 電極部分沿遠離所述第 一柵極電極的 方向延伸的1-1延伸部分、從所述1-1延伸部分將要被彎曲的末端沿與所述 第一數(shù)據(jù)線相反的方向延伸的l-2延伸部分、從所述1-2延伸部分將要被彎 曲的末端沿朝著所述第一接觸板的方向延伸的l-3延伸部分、從所述l-3延伸部分將要被彎曲的末端沿與所述第 一數(shù)據(jù)線相反的方向延伸的1-4延伸部分以及將所述l-4延伸部分連接到所述第一接觸板的1-5延伸部分，并且所述第二連接線包括從所述第二電極部分沿遠離所述第二柵極電極的 方向延伸的2-1延伸部分、從所述2-l延伸部分將要被彎曲的末端沿與第二 數(shù)據(jù)線相反的方向延伸的2-2延伸部分以及將所述2-2延伸部分連接到所述 第二接觸板的2-3延伸部分。
12、 如權(quán)利要求11所述的基板，其中所述1-3延伸部分和所述第一數(shù) 據(jù)線之間的距離以及所述1-5延伸部分和所述第一數(shù)據(jù)線之間的距離大于所 述1-1延伸部分和所述第一數(shù)據(jù)線之間的距離，并且所述1-1延伸部分和所 述第 一數(shù)據(jù)線之間的距離在可接受的誤差范圍內(nèi)等于所述2-1延伸部分和所 述第二數(shù)據(jù)線之間的距離。
13、 如權(quán)利要求10所述的基板，其中如果所述第一漏極電極的所述第 一接觸板連接到所述第二像素電極并且所述第二漏極電極的所述第二接觸 板連接到所述第一像素電極，則所述第一連接線包括從所述第一電極部分沿遠離所述第一柵極電極的 方向延伸的l-6延伸部分、從所述l-6延伸部分將要被彎曲的末端沿與所述 第一數(shù)據(jù)線相反的方向延伸的l-7延伸部分以及將所述l-7延伸部分連接到 所述第一接觸板的1-8延伸部分，并且所述第二連接線包括從所述第二電極部分沿遠離所述第二4冊極電極的 方向延伸的2-4延伸部分、從所述2-4延伸部分將要被彎曲的末端沿與所述 第二數(shù)據(jù)線相反的方向延伸的2-5延伸部分、從所述2-5延伸部分將要被彎 曲的末端沿朝著所述第二接觸板的方向延伸的2-6延伸部分、從所述2-6延 伸部分將要被彎曲的末端沿與所述第二數(shù)據(jù)線相反的方向延伸的2-7延伸部 分以及將所述2-7延伸部分連接到所述第二接觸板的2-8延伸部分。
14、 如權(quán)利要求13所述的基板，其中所述2-6延伸部分和所述第二數(shù) 據(jù)線之間的距離以及所述2-8延伸部分和所述第二數(shù)據(jù)線之間的距離大于所 述2-4延伸部分和所述第二數(shù)據(jù)線之間的距離，并且所述2-4延伸部分和所 述第二數(shù)據(jù)線之間的距離在可接受的誤差范圍內(nèi)等于所述1-6延伸部分和所 述第一數(shù)據(jù)線之間的距離。
15、 如權(quán)利要求1所述的基板，其中所述第一數(shù)據(jù)線和所述第二數(shù)據(jù)線、 所述第 一 源極電極和所述第二源極電極以及所述第 一 漏極電極和所述第二漏極電極由相同的材料制造，并同時被圖案化。
16、 如權(quán)利要求1所述的基板，還包括多個存儲線，分別通過所述單元像素區(qū)域，并且在與所述柵極線相同的 方向上延伸；以及第一耦合突出和第二耦合突出，從所述存儲線的每個延伸，并且與所述 第 一像素電極和所述第二像素電極部分交疊，其中所述第一耦合突出鄰近所述第一數(shù)據(jù)線設(shè)置，所述第二耦合突出鄰 近所述第二數(shù)據(jù)線設(shè)置，并且所述第一耦合突出長于所述第二耦合突出。
17、 一種顯示裝置，包括多個單元像素，每個按矩陣設(shè)置并且包括具有第一像素電極和公共電極 的第 一 液晶電容器以及具有第二像素電極和所述公共電極的第二液晶電容 器；多個柵極線，沿所述單元像素的行方向延伸；多個第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線，沿所述單元像素的列方向延伸，并且分別布置在所述單元像素的每列的兩側(cè)；第一薄膜晶體管，設(shè)置在所述單元像素的每個中，并且包括連接到所述第一數(shù)據(jù)線的第一源極電極以及連接到所述第一液晶電容器和所述第二液 晶電容器中任一個的第一漏極電極；以及第二薄膜晶體管，設(shè)置在所述單元像素區(qū)域的每個中，并且包括連接到 所述第二數(shù)據(jù)線的第二源極電極以及連接到所述第一液晶電容器和所述第二液晶電容器中的另一個的第二漏極電極，其中所述第一漏極電極和所述第二漏極電極彎曲多次，以保持所述第一 漏極電極和所述第一數(shù)據(jù)線之間的第一耦合電容與所述第二漏極電極和所 述第二數(shù)據(jù)線之間的第二耦合電容之差在所述第 一耦合電容和所述第二耦 合電容的最大值的50%或者更小的范圍內(nèi)。
18、 如權(quán)利要求17所述的裝置，其中所述第一漏極電極和第二漏極電 才及垂直彎曲。
19、 如權(quán)利要求17所述的裝置，其中所述第一漏極電極和所述第二漏 極電極的端部區(qū)域分別與所述第一源極電極和所述第二源極電極分隔，并且 所述第一漏極電極和所述第二漏極電極的每個的所述端部區(qū)域與所述第一 源極電極或者所述第二源極電極之間的距離等于從所述第一漏極電極和所述第二漏極電極的每個的所述端部區(qū)域的末端延伸的區(qū)域與所述第一源極 電極或者第二源極電極之間的距離，所述第一漏極電極或者所述第二漏極電 極在所述端部區(qū)域的所述末端^^皮彎曲并延伸。
20、 如權(quán)利要求17所述的基板，其中所述第一漏極電極和所述第二漏極 電極的每個具有由第二部分和設(shè)置在所述第一漏極電極和所述第二漏極電 極的每個的末端的所述第一部分構(gòu)成的彎曲部分，所述彎曲部分圍繞所述第 一源極電極或者所述第二源極電極并且與所述第一源極電極或者所述第二 源極電極分隔，所述第一部分與所述第一源極電極或者所述第二源極電極之 間的距離等于所述第二部分與所述第一源極電極或者所述第二源極電極之 間的距離。
21、 如權(quán)利要求19或20所述的裝置，其中所述距離是足以防止所述第 一源極電極和所述第二源極電極的每個與所述第一漏極電極或者所述第二 漏極電極之間短路的線間間隙，并且所述線間間隙為4 pm至10 pm。
22、 如權(quán)利要求17所述的裝置，其中所述第一漏極電極包括設(shè)置在所 述第一4冊極電極上方并且與所述第一源極電極相鄰的第一電^fe部分、連接到 所述第 一像素電極和所述第二像素電極之一的第 一接觸板以及將所述第一 電極部分連接到所述第一接觸板的第一連接線，并且所述第二漏極電極包括設(shè)置在所述第二柵極電極上方并且與所述第二 源極電極相鄰的第二電極部分、連接到所述第一像素電極和所述第二像素電 極中的另 一 個的第二接觸板以及將所述第二電極部分連接到所述第二接觸 板的第二連接線。
23、 如權(quán)利要求22所述的裝置，其中第一單元像素區(qū)域中的所述第一 漏極電極的所述第一接觸板連接到所述第一液晶電容器，所述第一單元像素 區(qū)域中的所述第二漏極電極的所述第二接觸板連接到所述第二液晶電容器， 并且其中在與所述第一單元像素區(qū)域相鄰的第二單元像素區(qū)域中，所述第一漏極 電極的所述第一接觸板連接到所述第二液晶電容器，所述第二漏極電極的所 述第二接觸板連接到所述第 一液晶電容器。
全文摘要
本發(fā)明提供一種薄膜晶體管基板以及具有該TFT基板的顯示裝置。在TFT基板和具有該TFT基板的顯示裝置中，第一和第二晶體管的分別連接到第一和第二像素電極的第一和第二漏極電極垂直地彎曲多次。第一源極電極和第二源極電極每個與第一漏極電極或者第二漏極電極之間的距離保持在最小的線間間隙，以增加數(shù)據(jù)線與第一漏極電極和第二漏極電極每個之間的距離，并且最小化第一漏極電極和第二漏極電極每個的鄰近數(shù)據(jù)線的區(qū)域的長度。因此，數(shù)據(jù)線與第一漏極電極和第二漏極電極每個之間的耦合電容可以被減小，并且每個單元像素區(qū)域可以具有預(yù)定范圍內(nèi)的一致的寄生電容。另外，進行反轉(zhuǎn)驅(qū)動的顯示裝置的亮度偏差可以被減小。
文檔編號G02F1/1362GK101540333SQ200910128588
公開日2009年9月23日 申請日期2009年3月17日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月17日
發(fā)明者安順一, 權(quán)知炫, 權(quán)鎬均, 李元熙, 羅惠錫, 羅炳善 申請人:三星電子株式會社